專利名稱：陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法。
技術(shù)背景
薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor Liquid CrystalDisplay ；以下 簡稱TFT-LCD)是目前主流的平板顯示器，其液晶面板包括對(duì)盒設(shè)置的陣列基板和彩膜基 板，按照不同的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)需要，柵掃描線、數(shù)據(jù)線和公共電極等電路結(jié)構(gòu)分別布設(shè)在陣列基 板和彩膜基板上。
對(duì)于大尺寸、高分辨率的TFT-IXD來說，線電阻產(chǎn)生的信號(hào)延遲對(duì)顯示效果影響 較大。因此，尋求一種低電阻率的材料是解決此問題的有效方法?；顫娊饘俚碾娮杪室话?比其他非活潑金屬小很多較低，例如活潑金屬銅(Cu)的導(dǎo)電率約為1.7X10_6歐姆/厘米 (Ω/cm)，而非活潑金屬鉬(Mo)的電阻率約為5.7X10_6Q/cm，所以銅等活潑金屬常被用作 為基板上電路圖案的材料。但是，銅雖然具有較佳的導(dǎo)電性，但是存在一系列的缺點(diǎn)，比如 1)銅和玻璃基板或者氮化硅之間的附著力差；幻銅與氮化硅直接接觸時(shí)極易擴(kuò)散，會(huì)影響 氮化硅的絕緣特性，并且會(huì)與硅發(fā)生反應(yīng)而生成硅化銅；幻在后續(xù)等離子體化學(xué)氣相沉積 法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor D印osition ；以下簡稱PECVD)工藝中，會(huì)污染設(shè) 備，影響成膜性質(zhì)。
所以，目前通常使用的方法是形成三層銅布線結(jié)構(gòu)，由下阻擋層、銅或者銅合金、 以及上阻擋層組成，這種技術(shù)的使用可以減少銅擴(kuò)散導(dǎo)致的TFT特性變差，但是由于銅布 線的側(cè)面沒有受到阻擋層的保護(hù)，仍然暴露在外面，因此仍然會(huì)對(duì)氮化硅的絕緣材料層造 成影響。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板及其制造方法，以減少電路圖案的材料對(duì)絕緣 材料的擴(kuò)散影響。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè) 置有電路圖案，其中，還包括
覆蓋層，覆蓋所述電路圖案的上表面和側(cè)面。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上 沉積電路圖案薄膜，并對(duì)所述電路圖案薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成電路圖案的步驟，其中，還包 括
在形成所述電路圖案的襯底基板上沉積覆蓋層薄膜，并對(duì)所述覆蓋層薄膜進(jìn)行構(gòu) 圖工藝形成包括覆蓋層的圖案，所述覆蓋層覆蓋所述電路圖案的上表面和側(cè)面。
由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明采用覆蓋層覆蓋電路圖案上表面和側(cè)面的技術(shù)手 段，使電路圖案采用易擴(kuò)散金屬制備時(shí)，也能夠減少甚至避免向側(cè)面絕緣層中擴(kuò)散的問題， 不會(huì)影響絕緣層的性能。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖2為圖1中的A-A向剖切截面?zhèn)纫晥D3為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的剖切截面?zhèn)纫晥D4為本發(fā)明實(shí)施例三提供的陣列基板的制造方法的流程圖5為本發(fā)明實(shí)施例三制備的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖一；
圖6為圖5中的B-B向剖切截面?zhèn)纫晥D7為本發(fā)明實(shí)施例三制備的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
圖8為圖7中的C-C向剖切截面?zhèn)纫晥D9為本發(fā)明實(shí)施例三制備的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖三；
圖10為圖9中的D-D向剖切截面?zhèn)纫晥D。
具體實(shí)施方式
下面通過具體實(shí)施例并結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
本發(fā)明各實(shí)施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括襯底基板，在襯底基板上 還設(shè)置有電路圖案，對(duì)于典型的陣列基板結(jié)構(gòu)而言，電路圖案可以包括柵掃描線、柵電極、 公共電極線、數(shù)據(jù)線、有源層、源電極和漏電極等。為保持各電路圖案之間的絕緣，通常間隔 設(shè)置或以絕緣層隔離各電路圖案，典型的可以是以柵極絕緣層覆蓋在柵掃描線、柵電極和 公共電極線上，以鈍化層覆蓋在數(shù)據(jù)線、有源層、源電極和漏電極上。柵極絕緣層和鈍化層 一般選用氮化硅等絕緣材料。在本發(fā)明所提供的陣列基板中還包括覆蓋層，覆蓋在部分電 路圖案的上表面和側(cè)面。例如，對(duì)于典型的陣列基板結(jié)構(gòu)而言，覆蓋層可以包括第一覆蓋層 和第二覆蓋層，第一覆蓋層覆蓋柵掃描線和柵電極的上表面和側(cè)面，如果有與柵掃描線同 時(shí)同材料形成的公共電極線，還可以覆蓋在公共電極線的上表面和側(cè)面；第二覆蓋層覆蓋 數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的上表面和側(cè)面。形成覆蓋層的TFT開關(guān)結(jié)構(gòu)具體為有源層形成 在柵電極之上；源電極和漏電極的端部相對(duì)設(shè)置，形成在有源層之上；第二覆蓋層覆蓋在 源電極和漏電極的上表面和側(cè)面，且第二覆蓋層在源電極和漏電極的端部處斷開，將有源 層上的TFT溝道露出。
采用本發(fā)明的技術(shù)方案，采用導(dǎo)電材料制備的電路圖案就可選用銅或鋁等導(dǎo)電性 能好、但易于在絕緣材料中擴(kuò)散的低電阻金屬材料來制備，因?yàn)殡娐穲D案的上表面和側(cè)面 有覆蓋層的覆蓋阻擋，可以避免易擴(kuò)散金屬在絕緣層材料之中的擴(kuò)散，從而避免對(duì)絕緣層 絕緣性能的影響。其中的低電阻金屬材料一般是指電阻小于10 μ Ω/crn的金屬。
在各種形成電路圖案的陣列基板上，都可以采用覆蓋層來覆蓋電路圖案，電路圖 案至少包括由銅或鋁等材料形成的基礎(chǔ)導(dǎo)電層，還可以進(jìn)一步包括下阻擋層和/或上阻擋 層。下阻擋層與基礎(chǔ)導(dǎo)電層為同時(shí)形成的疊層結(jié)構(gòu)，且鄰接基礎(chǔ)導(dǎo)電層的下表面，一般起到 增強(qiáng)基礎(chǔ)導(dǎo)電層與下層基板之間黏附力的作用。上阻擋層與基礎(chǔ)導(dǎo)電層為同時(shí)形成的疊層 結(jié)構(gòu)，且鄰接基礎(chǔ)導(dǎo)電層的上表面，覆蓋在覆蓋層之下，一般起到阻擋基礎(chǔ)導(dǎo)電層對(duì)上層影 響的作用。雖然上阻擋層和下阻擋層也能夠起到阻擋作用，但因?yàn)槭桥c基礎(chǔ)導(dǎo)電層在同一 次構(gòu)圖過程中同時(shí)形成的，所以圖案完全重疊，不能對(duì)基礎(chǔ)導(dǎo)電層的側(cè)面進(jìn)行保護(hù)。
本實(shí)施例的技術(shù)方案，通過設(shè)置覆蓋層，由于覆蓋層可以延伸至基礎(chǔ)導(dǎo)電層的側(cè) 面，所以可以直接與下層的襯底基板結(jié)構(gòu)相連，增強(qiáng)基礎(chǔ)導(dǎo)電層與襯底基板之間的黏附力， 防止脫落。而且像素電極可以直接和漏電極搭接，增加了工藝可靠性。
上述基礎(chǔ)導(dǎo)電層的材料優(yōu)選為銅、鋁、銅合金或鋁合金，上述覆蓋層的材料優(yōu)選為 銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鉬、鉬鈮合金(MoNb)、鉬鈦合金(MoTi)、鈦(Ti)或氮 化鈦(TiN)，上述下阻擋層和/或上阻擋層的材料優(yōu)選為鉬、鉬鈮合金、鉬鈦合金、鈦或氮化 鈦等。
采用ΙΤ0、IZO等透明導(dǎo)電材料來制備覆蓋層，一方面可以防止銅、鋁等金屬向氮 化硅等絕緣層中擴(kuò)散，不會(huì)影響TFT特性；另一方面，由于ITO、IZO與玻璃襯底基板的黏附 性更強(qiáng)，使得銅、鋁等電路圖案不容易在后續(xù)工藝中脫落。
當(dāng)選用鋁制備基礎(chǔ)導(dǎo)電層，而采用氧化物作為覆蓋層時(shí)，優(yōu)選的是同時(shí)制備下阻 擋層和上阻擋層，因?yàn)殇X容易被氧化物氧化而產(chǎn)生絕緣的氧化鋁?；A(chǔ)導(dǎo)電層的側(cè)面可形 成氧化鋁而不會(huì)影響導(dǎo)電功能，基礎(chǔ)導(dǎo)電層的上表面由于往往需要與上層的其他電路圖案 通過過孔相連，所以優(yōu)選的是保持基礎(chǔ)導(dǎo)電層上表面的導(dǎo)電性能。
本發(fā)明以覆蓋層覆蓋電路圖案的技術(shù)方案可廣泛應(yīng)用于各種陣列基板的結(jié) 構(gòu)。從簡化工藝的角度，本發(fā)明還提供了以下優(yōu)選實(shí)施例，以邊緣場(chǎng)切換(Fringe Field Switching ；以下簡稱FFS)型TFT-LCD為例來進(jìn)行說明。
實(shí)施例一
圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1中的 A-A向剖切截面?zhèn)纫晥D。該陣列基板襯底基板1上的電路圖案包括圍設(shè)形成像素單元的柵 掃描線2和數(shù)據(jù)線3，還包括形成在各像素單元中的TFT開關(guān)、公共電極5、公共電極線6和 像素電極12。其中，TFT開關(guān)包括柵電極4、有源層7、源電極8和漏電極9，公共電極5為 覆蓋像素單元的塊狀圖案，像素電極12為具有縫隙的梳狀圖案。覆蓋層包括覆蓋柵掃描線 2、柵電極4和公共電極線6的第一覆蓋層13，還包括覆蓋數(shù)據(jù)線3、源電極8和漏電極9的 第二覆蓋層14，可參見圖2所示。第一覆蓋層13覆蓋柵掃描線2、柵電極4和公共電極線6 的上表面和側(cè)面，且第一覆蓋層13與公共電極5以相同材料同時(shí)形成。第二覆蓋層14覆 蓋數(shù)據(jù)線3、源電極8和漏電極9的上表面和側(cè)面，且第二覆蓋層14與像素電極12以相同 材料同時(shí)形成，漏電極9上形成的像素電極材料，一個(gè)作用是作為第二覆蓋層14，另一個(gè)作 用是作為像素電極12與漏電極9的搭接部分。
在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，為了對(duì)源電極8和漏電極9之間的有源層7進(jìn)行保護(hù)， 還可以在形成覆蓋層和像素電極12的襯底基板1上形成保護(hù)膜層11。該保護(hù)膜層11相當(dāng) 于鈍化層的保護(hù)作用，但是可以不必進(jìn)行過孔刻蝕的構(gòu)圖工藝，且可以實(shí)現(xiàn)平坦化的表面， 有利于后續(xù)對(duì)盒工藝的實(shí)現(xiàn)。
柵電極4、有源層7和公共電極線6的層次結(jié)構(gòu)，以及數(shù)據(jù)線3、源電極8和漏電極 9的層次結(jié)構(gòu)均可以包括下阻擋層15a、基礎(chǔ)導(dǎo)電層1 和上阻擋層15c，上阻擋層15c和下 阻擋層1 可以由鉬、鉬鈮合金、鉬鈦合金、鈦或氮化鈦等制成，基礎(chǔ)導(dǎo)電層1 可以由銅或 銅合金制成。
第一覆蓋層13可以與公共電極5均采用ITO在同一刻蝕工藝中成形，第二覆蓋層 14可以與像素電極12均采用ΙΤ0，在同一刻蝕工藝中成形，該技術(shù)方案利用了 FFS型陣列基板原有制備公共電極5和像素電極12圖案的步驟，既形成了第一覆蓋層13和第二覆蓋 層14，解決了銅、鋁等材料的電路圖案向柵極絕緣層10和保護(hù)膜層11中擴(kuò)散的問題，又無 須單獨(dú)增加刻蝕形成覆蓋層圖案的步驟，不增加工藝繁雜性，易于在現(xiàn)有生產(chǎn)工藝中推廣。
本實(shí)施例中，通過為柵掃描線2、柵電極4和公共電極線6的基礎(chǔ)導(dǎo)電層1 設(shè)置 下阻擋層15a，可以增加基礎(chǔ)導(dǎo)電層1 與襯底基板1之間的黏附性，避免電路圖案脫落。 設(shè)置上阻擋層15c，可以避免基礎(chǔ)導(dǎo)電層1 上表面與第一覆蓋層13之間發(fā)生反應(yīng)，特別是 采用鋁來制備基礎(chǔ)導(dǎo)電層15b時(shí)，本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)尤為適用。
通過為數(shù)據(jù)線3、源電極8和漏電極9設(shè)置下阻擋層15a，可以避免數(shù)據(jù)線3、源電 極8和漏電極9向下層的有源層7擴(kuò)散，且能夠增加與有源層7之間的黏附性，避免電路圖 案脫落。但是由于采用的工藝不同，有時(shí)候數(shù)據(jù)線3會(huì)和柵極絕緣層10直接接觸，而源電極 8、漏電極9和有源層7直接接觸，在數(shù)據(jù)線3和源電極8、漏電極9下方設(shè)置下阻擋層1 的話，可以防止活潑金屬向柵極絕緣層10和有源層7擴(kuò)散。設(shè)置上阻擋層15c，可以避免基 礎(chǔ)導(dǎo)電層1 上表面與第二覆蓋層14之間發(fā)生反應(yīng)，特別是采用鋁來制備基礎(chǔ)導(dǎo)電層1 時(shí)，本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)尤為適用。
實(shí)施例二
本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)可參見附圖1所示，圖3為本發(fā)明實(shí) 施例二提供的陣列基板的剖切截面?zhèn)纫晥D，與實(shí)施例一的區(qū)別在于，本實(shí)施例中電路圖案 為僅包括下阻擋層1 和基礎(chǔ)導(dǎo)電層15b的情況。本實(shí)施例相比于實(shí)施例一，可以進(jìn)一步 節(jié)省材料，且減少沉積上阻擋層薄膜的工藝。
具體應(yīng)用中，同層形成的電路圖案，例如柵掃描線、柵電極和公共電極線，或者數(shù) 據(jù)線、源電極和漏電極，其具體層次結(jié)構(gòu)可以按照需要進(jìn)行設(shè)計(jì)。例如，柵掃描線、柵電極和 公共電極線直接形成在襯底基板上，可以不用設(shè)計(jì)下阻擋層來防止基礎(chǔ)導(dǎo)電層材料向下方 絕緣層擴(kuò)散，覆蓋層覆蓋在電路圖案的側(cè)面，其能夠通過側(cè)面延伸的部分與襯底基板相連， 增強(qiáng)基礎(chǔ)導(dǎo)電層與襯底基板的粘著力。數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極根據(jù)所用材料的不同，可以 選擇性的設(shè)置下阻擋層和上阻擋層。
本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上沉積電路圖 案薄膜，并對(duì)電路圖案薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成電路圖案的步驟，且還包括在形成電路圖案 的襯底基板上沉積覆蓋層薄膜，并對(duì)覆蓋層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成包括覆蓋層的圖案，覆 蓋層覆蓋電路圖案的上表面和側(cè)面。
本發(fā)明所提供的陣列基板的制造方法可用于制備本發(fā)明的陣列基板，相比于傳統(tǒng) 的陣列基板制造方法，增加了沉積覆蓋層薄膜，并刻蝕形成覆蓋層圖案的步驟。本發(fā)明的制 造方法，特點(diǎn)是以兩次構(gòu)圖工藝形成包括覆蓋層的電路圖案，第一次構(gòu)圖工藝形成電路圖 案，第二次構(gòu)圖工藝形成覆蓋電路圖案上表面和側(cè)面的覆蓋層圖案。第二次構(gòu)圖工藝所使 用的掩膜板，可以比第一次構(gòu)圖工藝所用掩膜板的圖案更寬一些，以使電路圖案能夠落入 覆蓋層圖案的范圍內(nèi)，從而覆蓋電路圖案的上表面和側(cè)面，防止銅、鋁等金屬材料向絕緣層 之中的擴(kuò)散。
上述第一次構(gòu)圖工藝之前沉積電路圖案薄膜的步驟具體可以包括以下幾種形 式
在襯底基板上連續(xù)沉積下阻擋層薄膜、基礎(chǔ)導(dǎo)電層薄膜和上阻擋層薄膜作為電路圖案薄膜，則刻蝕形成的電路圖案包括重疊的下阻擋層、基礎(chǔ)導(dǎo)電層和上阻擋層。
或
在襯底基板上連續(xù)沉積基礎(chǔ)導(dǎo)電層薄膜和上阻擋層薄膜作為電路圖案薄膜，則刻 蝕形成的電路圖案包括重疊的基礎(chǔ)導(dǎo)電層和上阻擋層。
或
在襯底基板上連續(xù)沉積下阻擋層薄膜和基礎(chǔ)導(dǎo)電層薄膜作為電路圖案薄膜，則刻 蝕形成的電路圖案包括重疊的下阻擋層和基礎(chǔ)導(dǎo)電層。
或
在襯底基板上沉積基礎(chǔ)導(dǎo)電層薄膜作為電路圖案薄膜，則刻蝕形成的電路圖案僅 包括基礎(chǔ)導(dǎo)電層。
根據(jù)陣列基板的具體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不同，本發(fā)明所提供的陣列基板的制造方法可以有 多種形式，從節(jié)省工藝和材料的角度出發(fā)，優(yōu)選的是利用陣列基板上原有電路圖案的材料 和工序?qū)崿F(xiàn)覆蓋層。其中，基礎(chǔ)導(dǎo)電層的材料優(yōu)選為銅、鋁、銅合金或鋁合金，覆蓋層的材料 優(yōu)選為銦鋅氧化物、銦錫氧化物、鉬、鉬鈮合金、鉬鈦合金、鈦或氮化鈦，下阻擋層和/或上 阻擋層的材料優(yōu)選為鉬、鉬鈮合金、鉬鈦合金、鈦或氮化鈦。
下面以FFS型TFT-IXD的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行說明。
實(shí)施例三
圖4為本發(fā)明實(shí)施例三提供的陣列基板的制造方法的流程圖，該方法包括如下步 驟
步驟110、在襯底基板1上采用磁控濺射方法沉積柵金屬薄膜，柵金屬薄膜中用于 制備基礎(chǔ)導(dǎo)電層15b的材料可以為銅或鋁，或其合金等；
步驟120、對(duì)柵金屬薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成柵掃描線2、柵電極4和公共電極線6 的圖案作為電路圖案，如圖5和圖6所示，公共電極線6為可選的圖案；
步驟130、在形成上述圖案的襯底基板1上沉積公共電極薄膜作為覆蓋層薄膜；
步驟140、對(duì)公共電極薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成覆蓋層和公共電極5的圖案，覆蓋 層覆蓋柵掃描線2、柵電極4和公共電極線6的上表面和側(cè)面，如圖7和圖8所示。
上述步驟110 140是形成柵掃描線2、柵電極4和公共電極線6及其上覆蓋層的 過程，該覆蓋層可稱為第一覆蓋層13，利用了形成公共電極5的材料和構(gòu)圖工藝來形成第 一覆蓋層13，沒有增加工序的繁雜性。
繼續(xù)進(jìn)行后續(xù)電路圖案的制備
步驟210、在形成柵掃描線2、柵電極4和公共電極線6的襯底基板1上形成柵極 絕緣層10，公共電極線6為可選形成的圖案；
步驟220、在柵極絕緣層10上連續(xù)沉積有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜；
步驟230、對(duì)數(shù)據(jù)線金屬薄膜和有源層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括有源層7、數(shù) 據(jù)線3、源電極8和漏電極9的圖案，如圖9和圖10所示；
步驟M0、在形成上述圖案的襯底基板1上沉積像素電極薄膜作為覆蓋層薄膜；
步驟250、對(duì)像素電極薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括覆蓋層和像素電極12的圖案， 覆蓋層覆蓋數(shù)據(jù)線3、源電極8和漏電極9的上表面和側(cè)面，該覆蓋層對(duì)應(yīng)于TFT溝道部分 被刻蝕掉?？蓞⒁妶D1和圖2所示。
上述步驟210 250是形成有源層7、數(shù)據(jù)線3、源電極8和漏電極9及其上覆蓋 層的過程，該覆蓋層可稱為第二覆蓋層14，利用了形成像素電極12的材料和構(gòu)圖工藝來形 成第二覆蓋層14，沒有增加工序的繁雜性。
本實(shí)施例的步驟110 140以及步驟210 250可以獨(dú)立實(shí)施，優(yōu)選的是在同一 陣列基板的制備過程中實(shí)施。并且，在沉積電路圖案薄膜時(shí)沉積不同的層次結(jié)構(gòu)就可以形 成具備下阻擋層1 和/或上阻擋層15c，以及基礎(chǔ)導(dǎo)電層15b的電路圖案。
為了對(duì)源電極8和漏電極9之間的有源層7進(jìn)行保護(hù)，還可以在形成覆蓋層和像 素電極12的襯底基板1上形成保護(hù)膜層11。該保護(hù)膜層11可以不必進(jìn)行過孔刻蝕的構(gòu)圖 工藝，且可以實(shí)現(xiàn)平坦化的表面，有利于后續(xù)對(duì)盒工藝的實(shí)現(xiàn)。
最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡 管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然 可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替 換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精 神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè)置有電路圖案，其特征在于，還包括覆蓋層，覆蓋所述電路圖案的上表面和側(cè)面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述電路圖案至少包括基礎(chǔ)導(dǎo)電層，還包括下阻擋層和/或上阻擋層；所述下阻擋層 與所述基礎(chǔ)導(dǎo)電層為同時(shí)形成的疊層結(jié)構(gòu)，且鄰接所述基礎(chǔ)導(dǎo)電層的下表面；所述上阻擋 層與所述基礎(chǔ)導(dǎo)電層為同時(shí)形成的疊層結(jié)構(gòu)，且鄰接所述基礎(chǔ)導(dǎo)電層的上表面，覆蓋在所 述覆蓋層之下。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于所述基礎(chǔ)導(dǎo)電層的材料為銅、鋁、銅合金或鋁合金，所述覆蓋層的材料為銦錫氧化物、 銦鋅氧化物、鉬、鉬鈮合金、鉬鈦合金、鈦或氮化鈦，所述下阻擋層和/或上阻擋層的材料為 鉬、鉬鈮合金、鉬鈦合金、鈦或氮化鈦。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的陣列基板，其特征在于所述襯底基板上包括圍設(shè)形成像素單元的柵掃描線和數(shù)據(jù)線，還包括形成在各像素單 元中的TFT開關(guān)和像素電極；所述TFT開關(guān)包括柵電極、有源層、源電極和漏電極；所述覆蓋層包括覆蓋所述柵掃描線和柵電極的第一覆蓋層，還包括覆蓋所述數(shù)據(jù)線、 源電極和漏電極的第二覆蓋層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于 所述有源層形成在所述柵電極之上；所述源電極和所述漏電極的端部相對(duì)設(shè)置，形成在所述有源層之上； 所述第二覆蓋層覆蓋在所述源電極和漏電極的上表面和側(cè)面。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于所述襯底基板上還形成有公共電極線，被覆蓋在所述第一覆蓋層之下。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于所述襯底基板上還形成有公共電極，所述公共電極為覆蓋像素單元的塊狀圖案；所述 像素電極為具有縫隙的梳狀圖案；所述第一覆蓋層與所述公共電極以相同材料同時(shí)形成； 所述第二覆蓋層與所述像素電極以相同材料同時(shí)形成。
8.—種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上沉積電路圖案薄膜，并對(duì)所述電路圖 案薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成電路圖案的步驟，其特征在于，還包括在形成所述電路圖案的襯底基板上沉積覆蓋層薄膜，并對(duì)所述覆蓋層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工 藝形成包括覆蓋層的圖案，所述覆蓋層覆蓋所述電路圖案的上表面和側(cè)面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在襯底基板上沉積電路 圖案薄膜包括在襯底基板上連續(xù)沉積下阻擋層薄膜、基礎(chǔ)導(dǎo)電層薄膜和上阻擋層薄膜作為所述電路 圖案薄膜；或在襯底基板上連續(xù)沉積基礎(chǔ)導(dǎo)電層薄膜和上阻擋層薄膜作為所述電路圖案薄膜；或 在襯底基板上連續(xù)沉積下阻擋層薄膜和基礎(chǔ)導(dǎo)電層薄膜作為所述電路圖案薄膜；
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制造方法，其特征在于所述基礎(chǔ)導(dǎo)電層的材料為銅、鋁、銅合金或鋁合金，所述覆蓋層的材料為銦鋅氧化物、 銦錫氧化物、鉬、鉬鈮合金、鉬鈦合金、鈦或氮化鈦，所述下阻擋層和/或上阻擋層的材料為 鉬、鉬鈮合金、鉬鈦合金、鈦或氮化鈦。
11.根據(jù)權(quán)利要求8或9或10所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在襯底基板上 沉積電路圖案薄膜，并對(duì)所述電路圖案薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成電路圖案，在形成所述電路 圖案的襯底基板上沉積覆蓋層薄膜，并對(duì)所述覆蓋層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成包括覆蓋層的 圖案，所述覆蓋層覆蓋所述電路圖案的上表面和側(cè)面包括在襯底基板上沉積柵金屬薄膜；對(duì)所述柵金屬薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成包括柵掃描線和柵電極的圖案作為所述電路圖案；在形成上述圖案的襯底基板上沉積公共電極薄膜；對(duì)所述公共電極薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括所述覆蓋層和公共電極的圖案，所述覆 蓋層覆蓋所述柵掃描線和柵電極的上表面和側(cè)面。
12.根據(jù)權(quán)利要求8或9或10所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在襯底基板上 沉積電路圖案薄膜，并對(duì)所述電路圖案薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成電路圖案，在形成所述電路 圖案的襯底基板上沉積覆蓋層薄膜，并對(duì)所述覆蓋層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成包括覆蓋層的 圖案，所述覆蓋層覆蓋所述電路圖案的上表面和側(cè)面包括在形成柵掃描線和柵電極的襯底基板上形成柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上連續(xù)沉積有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜；對(duì)所述數(shù)據(jù)線金屬薄膜和有源層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括有源層、數(shù)據(jù)線、源電極 和漏電極的圖案；在形成上述圖案的襯底基板上沉積像素電極薄膜；對(duì)所述像素電極薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成包括所述覆蓋層和像素電極的圖案，所述覆 蓋層覆蓋所述數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的上表面和側(cè)面。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成所述覆蓋層和 像素電極之后，還包括在形成所述覆蓋層和像素電極的襯底基板上形成保護(hù)膜層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種陣列基板及其制造方法。該陣列基板包括襯底基板，襯底基板上設(shè)置有電路圖案，其中還包括覆蓋層，覆蓋電路圖案的上表面和側(cè)面。該制造方法包括在襯底基板上沉積電路圖案薄膜，并對(duì)電路圖案薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成電路圖案的步驟，其中還包括在形成電路圖案的襯底基板上沉積覆蓋層薄膜，并對(duì)覆蓋層薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成包括覆蓋層的圖案，覆蓋層覆蓋電路圖案的上表面和側(cè)面。本發(fā)明采用覆蓋層覆蓋電路圖案上表面和側(cè)面的技術(shù)手段，使電路圖案采用易擴(kuò)散金屬制備時(shí)，也能夠減少甚至避免向側(cè)面絕緣層中擴(kuò)散的問題，不會(huì)影響絕緣層的性能。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK102033343SQ20091009319
公開日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2009年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月25日
發(fā)明者劉翔, 謝振宇, 陳旭 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司