專利名稱：光刻裝置和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻裝置和一種器件制造方法。
背景技術(shù)：
光刻裝置是將所需圖案應(yīng)用于基底上通常是基底靶部上的一種 裝置。光刻裝置是可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況 下，構(gòu)圖部件或者可稱為掩?；蛑虚g掩模版，它可用于產(chǎn)生形成在 IC的一個單獨層上的電路圖案。該圖案可以被傳遞到基底(例如硅 晶片)的靶部上(例如包括一部分， 一個或者多個管芯)。通常這種 圖案的傳遞是通過成像在涂敷于基底的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。 一般地，單一的基底將包含相繼構(gòu)圖的相鄰靶部的整個網(wǎng)格。已知的 光刻裝置包括所謂的步進器，它通過將整個圖案一次曝光到靶部上而 輻射每一靶部，已知的光刻裝置還包括所謂的掃描器，它通過在輻射 光束下沿給定的方向("掃描"方向)掃描所述圖案，并同時沿與該 方向平行或者反平行的方向同步掃描基底來輻射每一靶部。還可以通 過將圖案壓印到基底上把圖案從構(gòu)圖部件傳遞到基底上。
已經(jīng)有人提議將光刻投影裝置中的基底浸入具有相對較高折射 率的液體中，如水，從而填充投影系統(tǒng)的最后一個元件與基底之間的 空間。由于曝光輻射在該液體中具有更短的波長，從而使得能夠?qū)Ω?小的特征進行成像。(液體的作用也可以認(rèn)為是增加了系統(tǒng)的有效NA (數(shù)值孔徑)和增加了焦深。)也有人提議其它浸液，包括其中懸浮 有固體微粒(如石英)的水。
但是,將基底或者基底和基底臺浸沒在液體浴槽(例如參見US4， 509， 853,在此將該文獻全文引入作為參考)中意味著在掃描曝光過 程中必須加速大量的液體。這需要附加的或者功率更大的電機，并且 液體中的紊流可能導(dǎo)致不期望的和不可預(yù)料的結(jié)果。
提出的 一種用于液體供給系統(tǒng)的技術(shù)方案是僅在基底的局部區(qū) 域上以及投影系統(tǒng)的最后一個元件和基底(通常該基底具有比投影系 統(tǒng)的最后一個元件更大的表面區(qū)域)之間提供液體。在PCT專利申請 W099/49504中公開了 一種已經(jīng)提出的用于該方案的方式在此將該文獻全文引入作為參考。如圖2和3所示，通過至少一個入口 IN將液體 提供到基底上，優(yōu)選地沿基底相對于最后一個元件的移動方向提供， 以及在經(jīng)過投影系統(tǒng)下方之后通過至少一個出口 OUT去除液體。也就 是說，沿-X方向在該元件下方掃描基底時，在元件的+X—側(cè)提供液 體，-X—側(cè)接收。圖2示出了示意性的布置，其中通過入口 IN提供液 體，和通過與低壓源相連接的出口 OUT在元件的另一側(cè)接收。在圖2 的說明中，沿基底相對于最后一個元件的移動方向提供液體，盡管可 以不必這樣。圍繞最后一個元件定位的入口和出口的各種定向和數(shù)量 都是可能的，圖3示出了一個實例，其中在圍繞最后一個元件的規(guī)則 圖案中提供了四組位于任一側(cè)的入口以及出口 。
在濕浸式光刻技術(shù)中，投影系統(tǒng)和基底之間的空間填充有液體(如 水)。在基底的曝光過程中，基底構(gòu)成限制液體邊界的一部分.在移 去基底并用另一個基底更換的過程中，例如，液體可以從所述空間排 出，以便允許更換基底。 一種該方法的可能不利方面是可能在與液體 接觸的投影系統(tǒng)的一個元件上形成干燥點。附加地或者可替換地，在 液體和去除液體的真空流中的變化可能需要時間進行處理，這可能導(dǎo)
致生產(chǎn)量的下降。

發(fā)明內(nèi)容
因此，有利的是，例如在移動基底的過程中，通過用封閉板替換 基底而不擾鉤存在于基底和光學(xué)元件之間的液體使浸沒光刻投影裝置 的元件浸潤。通過使用另一個具有提供限制液體邊界的功能的本體(如 封閉板)，可以不必在移動基底(和提供新的基底)的過程中從基底 和投影系統(tǒng)之間去除液體。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種光刻投影裝置，包括
配置成保持基底的基底臺；
配置成把帶圖案的輻射光束投影到基底上的投影系統(tǒng)；
液體限制結(jié)構(gòu)，其配置成把液體限制在投影系統(tǒng)和基底之間的空
間中，基底、基底臺或上述兩者配置成構(gòu)成所述空間的邊界的一部分； 以及
封閉板，封閉板配置成當(dāng)基本上沒有擾動液體、液體限制結(jié)構(gòu)或 上迷兩者而移動時，該替代基底、基底臺或上述兩者構(gòu)成空間的邊界 的一部分。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種器件制造方法，包括以下步 將液體提供給帶圖案的光束穿過的空間，基底、基底臺或上述兩
者構(gòu)成所述空間的邊界的一部分；
將液體密封在空間中，所述密封在基底、基底臺或上述兩者和另
一個結(jié)構(gòu)之間作用；
用封閉板替換基底、基底臺或上述兩者作為所述空間邊界的一部
分，而不破壞所述密封；以及
使帶圖案的輻射光束穿過液體投影到基底上。 根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種光刻投影裝置，包括 配置成保持基底的基底臺；
配置成把帶圖案的輻射光束投影到基底上的投影系統(tǒng)；
液體限制結(jié)構(gòu)，其配置成把液體限制在投影系統(tǒng)和基底之間的空
間中，基底、基底臺或上迷兩者配置成構(gòu)成所述空間的邊界的一部分；
以及
在水平面中替換基底臺的封閉板，該封閉板配置成替代基底、基
底臺或上述兩者構(gòu)成空間的邊界的一部分；以及 配置成在水平面中移動所述封閉板的致動裝置。


現(xiàn)在僅僅通過實例的方式，.參考隨附的示意圖描述本發(fā)明的各個 實施方案，附圖中相應(yīng)的參考標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，其中 圖l示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的光刻裝置； 圖2和3示出了一種在光刻投影裝置中使用的液體供給系統(tǒng)； 圖4示出了另 一種在光刻投影裝置中使用的液體供給系統(tǒng)； 圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的另一種液體供給系統(tǒng)的 封閉視圖6a和6b示出了在根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的方法中的第一
步；
圖7a和7b示出了在根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的方法中的笫二
步；
圖8a和8b示出了在才艮據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的方法中的笫三
步；
7圖9a和9b示出了在根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的方法中的第四步。
具體實施例方式
圖1示意性地表示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的光刻裝置。該 裝置包括
-照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置成調(diào)節(jié)輻射光束PB (例如UV輻 射或DUV輻射)。
-支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，其構(gòu)造成支撐構(gòu)圖部件(例如掩模) MA，并與配置成依照某些參數(shù)將該構(gòu)圖部件精確定位的第一定位裝置 PM連接；
-基底臺(例如晶片臺)WT,其構(gòu)造成保持基底(例如涂敷抗蝕劑 的晶片)W，并與配置成依照某些參數(shù)將基底精確定位的笫二定位裝置 PW連接；以及
-投影系統(tǒng)(例如折射投影透鏡系統(tǒng))PL，其配置成將通過構(gòu)圖部 件MA賦予給輻射光束PB的圖案投影到基底W的靶部C(例如包括一個 或多個管芯)上。
照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如包括用于引導(dǎo)、整 形或者控制輻射的折射光學(xué)部件、反射光學(xué)部件、磁性光學(xué)部件、電 磁光學(xué)部件、靜電光學(xué)部件或其它類型的光學(xué)部件，或者其任意組合。
支撐結(jié)構(gòu)以一種方式保持構(gòu)圖部件，該方式取決于構(gòu)圖部件的定
向、光刻裝置的設(shè)計以及其它條件，例如構(gòu)圖部件是否保持在真空環(huán) 境中。支撐結(jié)構(gòu)可以使用機械、真空、靜電或其它夾緊技術(shù)來保持構(gòu) 圖部件。支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺，例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可 以是固定的或者是可移動的。支撐結(jié)構(gòu)可以確保構(gòu)圖部件例如相對于 投影系統(tǒng)位于所需的位置。這里任何術(shù)語"中間掩模版"或者"掩模" 的使用可以認(rèn)為與更普通的術(shù)語"構(gòu)圖部件"同義。
這里使用的術(shù)語"構(gòu)圖部件"應(yīng)廣義地解釋為能夠給輻射光束在 其截面賦予圖案從而在基底的靶部中形成圖案的任何裝置。應(yīng)該注 意，賦予給輻射光束的圖案可以不與基底靶部中的所需圖案精確一 致，例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征。 一般地，賦予 給輻射光束的圖案與在靶部中形成的器件(如集成電路)的特殊功能 層相對應(yīng)。構(gòu)圖部件可以是透射的或者反射的。構(gòu)圖部件的示例包括掩模，
可編程反射鏡陣列，以及可編程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它 包括如二進制型、交替相移型、和衰減相移型的掩模類型，以及各種 混合掩模類型。可編程反射鏡陣列的一個示例采用微小反射鏡的矩陣 排列，每個反射鏡能夠獨立地傾斜，從而沿不同的方向反射入射的輻 射光束。傾斜的反射鏡可以在由反射鏡矩陣反射的輻射光束中賦予圖 案。
這里所用的術(shù)語"投影系統(tǒng)"應(yīng)廣義地解釋為包含各種類型的投 影系統(tǒng)，包括折射光學(xué)系統(tǒng)，反射光學(xué)系統(tǒng)、反折射光學(xué)系統(tǒng)、磁性 光學(xué)系統(tǒng)、電磁光學(xué)系統(tǒng)和靜電光學(xué)系統(tǒng)，或其任何組合，如適合于 所用的曝光輻射，或者適合于其他方面，如使用的浸液或使用的真空。 這里任何術(shù)語"投影透鏡"的使用可以認(rèn)為與更普通的術(shù)語"投影系 統(tǒng)"同義。
如這里指出的，該裝置是透射型(例如采用透射掩模)?；蛘?， 該裝置可以是反射型(例如采用上面提到的可編程反射鏡陣列，或采 用反射掩模)。
光刻裝置可以具有兩個(雙臺)或者多個基底臺(和/或兩個或者 多個掩模臺)。在這種"多臺式，，裝置中，可以并行使用這些附加臺， 或者可以在一個或者多個臺上進行準(zhǔn)備步驟，而一個或者多個其它臺 用于曝光。
參考圖1，照射器IL接收來自輻射源S0的輻射光束。輻射源和光 刻裝置可以是獨立的機構(gòu)，例如當(dāng)輻射源是受激準(zhǔn)分子激光器時.在 這種情況下，不認(rèn)為輻射源構(gòu)成了光刻裝置的一部分，輻射光束借助 于光束輸送系統(tǒng)BD從源S0傳輸?shù)秸丈淦鱅L,所述輸送系統(tǒng)包括例如 合適的定向反射鏡和/或擴束器。在其它情況下，輻射源可以是光刻裝 置的組成部分，例如當(dāng)源是汞燈時.源SO和照射器IL，如果需要連同 光束輸送系統(tǒng)BD —起可以稱作輻射系統(tǒng)。
照射器IL可以包括調(diào)節(jié)裝置AD，用于調(diào)節(jié)輻射光束的角強度分 布。 一般地，至少可以調(diào)節(jié)在照射器光瞳平面上強度分布的外和/或內(nèi) 徑向范圍(通常分別稱為a-外和cj-內(nèi)).此外，照射器IL可以包括 各種其它部件，如積分器IN和聚光器C0。照射器可以用于調(diào)節(jié)輻射光 束，從而該光束在其橫截面上具有所需的均勻度和強度分布。輻射光束PB入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(如掩模臺MT)上的構(gòu)圖部件 (如掩模MA)上，并由構(gòu)圖部件進行構(gòu)圖。橫向穿過掩模MA后，輻射 光束PB通過投影系統(tǒng)PL,該投影系統(tǒng)將光束聚焦在基底W的乾部C 上。在笫二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如干涉測量器件、線性編 碼器或電容傳感器)的輔助下，可以精確地移動基底臺WT，從而例如 在輻射光束PB的光路中定位不同的靶部C.類似地，例如在從掩模庫 中機械取出掩模MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置PM和另 一個位置傳感器(圖1中未明確示出)來使掩模MA相對于輻射光束PB 的光路精確定位。 一般地，借助于長行程模塊(粗略定位)和短行程 模塊(精確定位)，可以實現(xiàn)掩模臺MT的移動，其中長行程模塊和短 行程模塊構(gòu)成第一定位裝置PW的一部分。在步進器(與掃描裝置相對) 的情況下，掩模臺MT可以只與短行程致動裝置連接，或者固定?？梢?使用掩模對準(zhǔn)標(biāo)記M1、 M2和基底對準(zhǔn)標(biāo)記P1、 P2對準(zhǔn)掩模MA與基底 W。盡管如所示出的基底對準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了指定的乾部，它們可以設(shè)置在 各個靶部(這些標(biāo)記是公知的劃線對準(zhǔn)標(biāo)記)之間的空間中。類似地， 在其中在掩膜MA上提供了超過一個管芯的情況下，可以在各個管芯之 間設(shè)置掩膜對準(zhǔn)標(biāo)記。
所示的裝置可以按照下面模式中的至少一種使用
1. 在步進模式中，掩模臺MT和基底臺WT基本保持不動，而賦予輻 射光束的整個圖案被一次投影到靶部C上(即單次靜態(tài)曝光)。然后 沿X和/或Y方向移動基底臺WT，使得可以膝光不同的耙部C。在步進 模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單次靜態(tài)膝光中成像的耙部C的 尺寸。
2. 在掃描模式中，當(dāng)賦予輻射光束的圖案被投影到靶部C時，同步 掃描掩模臺MT和基底臺WT (即單次動態(tài)膝光)?；着_WT相對于掩 模臺MT的速度和方向通過投影系統(tǒng)PL的放大(縮小)和圖像反轉(zhuǎn)特 性來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單次動態(tài)啄光
中靶部的寬度(沿非掃描方向)，而掃描移動的長度確定了靶部的高 度(沿掃描方向)。
3. 在其他模式中，當(dāng)賦予輻射光束的圖案被投影到靶部C上時，掩 模臺MT基本保持不動，支撐可編程構(gòu)圖部件，同時移動或掃描基底臺 WT。在該模式中， 一般采用脈沖輻射源，并且在每次移動基底臺WT之
10后，或者在掃描期間兩個相繼的輻射脈沖之間根據(jù)需要更新可編程構(gòu) 圖部件。這種操作模式可以容易地應(yīng)用于采用可編程構(gòu)圖部件的無掩 模光刻中，所述可編程構(gòu)圖部件例如是上面提到的可編程反射鏡陣列 型。
還可以采用上述使用模式的組合和/或變化，或者采用完全不同的 使用模式。
圖4示出了另一種使用局部液體供給系統(tǒng)的浸沒光刻技術(shù)方案。 通過位于投影系統(tǒng)PL的任何一側(cè)上兩個凹槽入口 IN提供液體，然后 從入口 IN徑向向外布置的多個分立出口 0UT去除液體。入口 IN和OUT 可以布置在一個板中，板的中心有一個孔，通過該孔可以投射投影光 束。可以通過位于投影系統(tǒng)PL的一側(cè)上的一個凹槽入口 IN提供液體， 然后從位于投影系統(tǒng)PL的另一側(cè)上的多個分立出口 OUT去除液體，從 而在投影系統(tǒng)PL和基底W之間形成液體薄膜的流動。所用入口 IN和 出口 OUT的組合的逸摔取決于基底W的移動方向(其它入口 IN和出口 OUT的組合是不起作用的)。
已經(jīng)提出的另一種使用局部液體供給系統(tǒng)的濕浸式光刻技術(shù)方案 是提供具有液體限制結(jié)構(gòu)的液體供給系統(tǒng)，該液體限制結(jié)構(gòu)沿著投影 系統(tǒng)的最后一個元件和基底臺之間的空間的至少一部分邊界延伸.圖5 示出了這種技術(shù)方案，液體限制結(jié)構(gòu)相對于投影系統(tǒng)在XY平面基本上 是靜止的，但是在Z方向(光軸方向)可以有一些相對移動。從而在 該液體限制結(jié)構(gòu)和基底的表面之間形成密封。在一個實施方案中，密 封是非接觸式密封，例如氣封。在美國專利申請案No.US10/705,783 中公開了使用氣封的這種系統(tǒng)，在此將其全文引入作為參考.
參考圖5，容器IO給基底在投影系統(tǒng)的成像區(qū)域周圍形成非接觸 的密封，使得液體被限定成填充基底表面和投影系統(tǒng)的最后一個元件 之間的空間。容器由定位在投影系統(tǒng)PL的最后一個元件的下方并圍繞 其的液體限制結(jié)構(gòu)12形成。使液體流入投影系統(tǒng)下面的空間并進入到 液體限制結(jié)構(gòu)12中。液體限制結(jié)構(gòu)12稍微延伸到投影系統(tǒng)的最后一 個元件上方一點，液面高度升高到該最后一個元件上方，從而提供了 一個液體緩沖器。液體限制結(jié)構(gòu)12具有一內(nèi)圓周，其在上端部優(yōu)選非 常接近投影系統(tǒng)或其最后一個元件的形狀，例如可以是圓形。在底部， 該內(nèi)圓周非常符合成像區(qū)域的形狀，例如是矩形，當(dāng)然也可以不必是
ii這種形狀。
液體由液體限制結(jié)構(gòu)12的底部和基底W的表面之間的密封16如 氣封限定在容器中。該氣封可由氣體形成，所述氣體例如是空氣、人 造氣體、N2或惰性氣體，其可通過入口 15在壓力下提供到液體限制結(jié) 構(gòu)U和基底之間的間隙，然后從第一出口 14抽出。如此希置作用在 氣體入口 15上的過壓力、作用在第一出口 14上的真空水平以及間隙 的幾何尺寸，使得存在向內(nèi)限定液體的高速氣流。本領(lǐng)域技術(shù)人員可 以理解，可以使用其它類型的密封來限制液體。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案，提供致動的封閉板20，它水平地移 動到投影系統(tǒng)下方的位置替換基底臺，該基底臺水平地遠(yuǎn)離投影系統(tǒng) 下方的位置移動，致動的封閉板20的頂面大體上與基底臺處于相同的 高度，使得當(dāng)基底臺遠(yuǎn)離投影系統(tǒng)下方的位置移動時，可以進行連續(xù) 的、沒有干擾的移動，同時保持使液體包含在液體限制結(jié)構(gòu)中的密封。 部分用來移動基底臺的一個或多個長行程致動裝置可以用于水平地致 動封閉板。如下文更加詳細(xì)描述的，當(dāng)把與液體限制結(jié)構(gòu)12相關(guān)的力 從基底臺轉(zhuǎn)移到封閉板上時，也可以采用作用于基底臺上的垂直負(fù)荷 變化的有源補償。如此定位和/或成形致動的封閉板20,使得它在用干 涉計光束測量的過程中不會擋住這些光束。
提供致動的封閉板的一個或多個優(yōu)點包括更快的基底更換、在液 體限制結(jié)構(gòu)中和其周圍的氣體、液體以及真空流大體上保持恒定的水 平(這樣能夠減少處理時間和減小污染的可能性)、減小了對投影系 統(tǒng)和/或基底臺的機械干擾、改進了在基底臺上的空間利用(因為不必 在基底臺上提供單獨的封閉板)以及消除了投影系統(tǒng)中的干燥點。附 加地或者可替換地，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的封閉板可以不必去 除(然后替換)液體或者把基底垂直地移動到其它位置，從而可以把 封閉板放置在其適當(dāng)?shù)奈恢谩Ｒ后w、氣體和真空流中的變化需要時間 進行處理，并且垂直的移動可能導(dǎo)致對投影系統(tǒng)和基底臺的千擾。轉(zhuǎn) 到圖6至9，圖6a、 7a、 8a和9a示出了基底臺WT和致動的封閉板20 相對投影系統(tǒng)PL的平面圖。圖6b、 7b、 8b和9b示出了基底臺WT和 致動的封閉板20相對投影系統(tǒng)PL的側(cè)視圖。
圖6a和6b示出了例如在基底W的啄光期間基底臺FT和致動的封 閉板20的相對位置。該封閉板不會遮住投影系統(tǒng)PL，而基底W與投影系統(tǒng)PL排成直線。
圖7a和7b示出了例如當(dāng)基底W的曝光充分或幾乎充分時基底臺WT和致動的封閉板20的相對位置。把該致動的封閉板20移動到一個位置，使得其水平地與基底臺WT對準(zhǔn)和垂直地與投影系統(tǒng)PL對準(zhǔn)。
圖8a和8b示出了例如當(dāng)基底W的曝光充分時替換基底臺WT的致動的封閉板20。該致動的封閉板20和基底臺FT沿同一方向移動，并
處于相同的高度。
圖9a和9b示出了處于投影系統(tǒng)PL下方位置處的致動的封閉板20，此時該封閉板20用作限制液體11的邊界的一個側(cè)面。此時基底W例如能夠與基底臺WT上的另一個基底W進行交換，而不會擾動液體11。
該系統(tǒng)的一個優(yōu)點是在整個基底文換過程中都不會干擾液體限制結(jié)構(gòu)12、投影系統(tǒng)PL、基底W和/或致動的封閉板20。此外，基底臺WT和/或致動的封閉板20不會垂直地移動，從而減小了氣體被引入到液體供給系統(tǒng)中的危險。
此外，基底臺WT可以包括主動補償器25,其配置成當(dāng)由液體限制結(jié)構(gòu)施加的力從基底臺上去除時補償該作用力的變化。該補償器可以包括基底臺上的垂直運動傳感器和/或壓力傳感器以及配置成把補償信號發(fā)送給如基底臺定位裝置PW的控制系統(tǒng)，該基底臺定位裝置PW配置成響應(yīng)于所述信號移動基底臺WT，從而補償作用力的變化。附加地或者可替換地，致動的封閉板20還可以包括主動補償器27，以便減小對液體限制結(jié)構(gòu)的干擾，例如當(dāng)從封閉板上移除液體限制結(jié)構(gòu)時導(dǎo)致的干擾。該補償器可以包括致動的封閉板20上的垂直運動傳感器和/或壓力傳感器以及配置成把補償信號發(fā)送給如液體限制系統(tǒng)定位裝置29的控制系統(tǒng)，該液體限制系統(tǒng)定位裝置29配置成響應(yīng)于所述信號移動液體限制結(jié)構(gòu)12，從而補償作用力的變化。
基底臺WT和致動的封閉板20能夠可釋放地耦合。這意味著當(dāng)致動的封閉板20替換基底臺WT時它們可以連接在一起，反之亦然；但是當(dāng)替換完成時它們可以拔此分開。致動的封閉板20和基底臺WT可以同樣由同一個系統(tǒng)25或27或者由單獨的系統(tǒng)25和27控制。可以使用如附固中所示的羊獨的長行程致動裝置22a和"b;但是該單獨的致動裝置可以由同一控制系統(tǒng)25或27或者不同的控制系統(tǒng)25和27控制。
在一個實施方案中，可以測量作用在致動的封閉板20上的力，例 如通過致動的封閉板主動補償器27并向前饋送給基底臺WT的控制系 統(tǒng)(例如有源補償器25)，使得可以補償該作用在致動的封閉板20 上的力，從而不會影響基底臺WT。通過這種方式致動的封閉板20可以 用作基底臺WT的力測量系統(tǒng)。
盡管已經(jīng)就從基底臺移動基底并將另一個基底放置在基底臺上論 述了一個或多個實施方案，也可以在其它應(yīng)用中使用上述一個或多個 實施方案。例如，基底可以保持在基底臺上，而封閉板僅用于封閉液 體限制結(jié)構(gòu)。此外，盡管已經(jīng)就用作投影系統(tǒng)和基底之間的空間邊界 的基底論述了一個或多個實施方案，但是基底臺也可以與基底分開或 聯(lián)合構(gòu)成該空間邊界的一部分。例如，基底臺的一部分(例如對準(zhǔn)標(biāo) 記)可以位于液體限制結(jié)構(gòu)下方，并構(gòu)成空間邊界的一部分。因此， 封閉板可以替換基底臺作為空間邊界的一部分，或者反之亦然。
在歐洲專利申請案No. 03257072. 3中，公開了一種雙或二臺濕浸 式光刻裝置的思想。這種裝置具有兩個支撐基底的臺。在沒有浸液的 第一位置用一個臺進行高度測量，而在其中提供了浸液的第二位置使 用一個臺進行曝光?；蛘撸撗b置僅有一個臺。
盡管在本申請中可以具體參考使用該光刻裝置制造ic,但是應(yīng)該 理解這里描述的光刻裝置可能具有其它應(yīng)用，例如，它可用于制造集 成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶 顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在這種可 替換的用途范圍中，這里任何術(shù)語"晶片"或者"管芯，，的使用應(yīng)認(rèn) 為分別可以與更普通的術(shù)語"基底，，或"靶部"同義。在曝光之前或 之后，可以在例如軌跡器(通常將抗蝕劑層作用于基底并將已曝光的 抗蝕劑顯影的一種工具)、計量工具和/或檢驗工具對這里提到的基底 進行處理。在可應(yīng)用的地方，這里的公開可應(yīng)用于這種和其他基底處 理工具。另外，例如為了形成多層IC，可以對基底進行多次處理，因 此這里所用的術(shù)語基底也可以指的是已經(jīng)包含多個已處理的層的基 底。
這里使用的術(shù)語"輻射"和"光束"包含所有類型的電磁輻射， 包括紫外(UV)輻射(例如具有大約"5， 248， 1"， 157或者126訓(xùn)的波長)。
該申請使用的術(shù)語"透鏡"可以表示任何一個各種類型的光學(xué)部 件或其組合，包括折射和反射光學(xué)部件，
盡管上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實施方案，但是應(yīng)該理解可以 不同于所描述的實施本發(fā)明。例如，本發(fā)明可以采取計算機程序的形 式，該計算機程序包含一個或多個序列的描述了上面所公開的方法的 機器可讀指令，或者包含其中存儲有這種計算機程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì) (例如半導(dǎo)體存儲器、磁盤或光盤)。
本發(fā)明的一個或多個實施方案可以應(yīng)用于任何濕浸式光刻裝置， 特別地但不唯一的，可以應(yīng)用于上面提到的那些類型的光刻裝置。這 里設(shè)想的液體供給系統(tǒng)應(yīng)該廣義地進行解釋。在一些實施方案中，它 可以是一種將液體提供到投影系統(tǒng)和基底和/或基底臺之間的空間的 機構(gòu)或其組合。它可以包括一個或多個結(jié)構(gòu)的組合、 一個或多個液體 入口、 一個或多個氣體入口、 一個或多個氣體出口和/或一個或多個把 液體提供到空間的液體出口。在一個實施方案中，空間的表面可以是 基底和/或基底臺的一部分，或者空間的表面可以完全覆蓋基底和/或 基底臺的表面，或者該空間可以遮住基底和/或基底臺。視需要地液體 供給系統(tǒng)還包括一個或多個元件，以便控制液體的位置、數(shù)量、質(zhì)*、 形狀、流速或任何其它特征。
上面的描述是為了說明，而不是限制。因此，對本領(lǐng)域技術(shù)人員 來說顯而易見的是在不脫離下面描述的權(quán)利要求書的范圍的條件下， 可以對所描述的發(fā)明進行各種修改.
1權(quán)利要求
1. 一種光刻投影裝置，包括配置成保持基底的基底臺；配置成把帶圖案的輻射光束投影到基底上的投影系統(tǒng)；液體限制結(jié)構(gòu)，所述液體限制結(jié)構(gòu)被配置成把液體限制在空間中，所述空間為投影系統(tǒng)與基底、基底臺或上述兩者之間的空間，基底、基底臺或上述兩者配置成形成所述空間的邊界的一部分；以及封閉板，該封閉板配置成當(dāng)未擾動液體、液體限制結(jié)構(gòu)或上述兩者而移動時，替代基底、基底臺或上述兩者構(gòu)成所述空間的邊界的一部分，其中，所述封閉板被構(gòu)造并設(shè)置成用于基底臺的力測量系統(tǒng)。
2. 如權(quán)利要求l所述的裝置，其中，作用在所述封閉板上的所述力能 夠被前饋送給基底臺的控制系統(tǒng)，從而，作用在致動的封閉板上的所述力 將被補償并且不影響所述基底臺。
3. 如權(quán)利要求1或者2所述的裝置，其中，所述封閉板包括主動補償 器，所述主動補償器用于測量作用在所述封閉板上的力。
4. 如權(quán)利要求3所述的裝置，其中，所述主動補償器被配置成補償由 于用封閉板替換基底、基底臺或上述兩者作為空間邊界的 一 部分而沿與基 底臺移動方向垂直的方向作用在基底臺上的負(fù)荷變化。
5. 如權(quán)利要求1, 2或者3所述的裝置，其中，所述基底臺和所述封 閉板可釋放地耦合。
6. 如權(quán)利要求1, 2或者3所述的裝置，包括配置成移動封閉板的第 一致動裝置和配置成移動基底臺的分立的第二致動裝置。
7. 如權(quán)利要求1, 2或者3所述的裝置，其中，所述封閉板與基底臺 處于相同的垂直高度，封閉板和基底臺都不移動出該垂直高度，以便用封 閉板替換基底、基底臺或上述兩者作為空間邊界的一部分，或者用基底、 基底臺或上述兩者替換封閉板作為空間邊界的一部分，或兼顧上述兩種情 形。
8. —種光刻投影裝置，包括 配置成保持基底的基底臺；配置成把帶圖案的輻射光束投影到基底上的投影系統(tǒng)；液體限制結(jié)構(gòu)，所述液體限制結(jié)構(gòu)被配置成把液體限制在空間中，所 述空間為投影系統(tǒng)與基底、基底臺或上述兩者之間的空間，所述空間的邊界的一部分被設(shè)置為由基底、基底臺或上述兩者限定；以及致動的封閉板，該封閉板配置成當(dāng)未擾動液體、液體限制結(jié)構(gòu)或上述 兩者而移動時，替代基底、基底臺或上述兩者構(gòu)成所述空間的邊界的一部 分；其中，所述致動的封閉板和所述基底臺設(shè)置為當(dāng)所述致動的封閉板形 成所述空間的所述邊界的部分時彼此相對地水平移動。
9. 如權(quán)利要求8所述的裝置，其中，所述致動的封閉板(20)配置為 水平地移動到投影系統(tǒng)下方的位置從而替換所述基底臺，所述基底臺被構(gòu) 造并且設(shè)置為水平地移動離開投影系統(tǒng)下方的位置。
10. 如權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述致動的封閉板被配置為當(dāng) 其代替所述基底臺時定位在所述基底臺旁邊。
11. 如權(quán)利要求8， 9,或者10所述的裝置，其中，當(dāng)所述封閉板形成 所述空間的邊界的部分時，所述基底臺和/或所述致動的封閉板沒有垂直運 動。
12. —種光刻投影裝置，包括配置成保持基底并且能夠在定位裝置和干涉計裝置的輔助下移動的基 底臺；配置成把帶圖案的輻射光束投影到基底上的投影系統(tǒng)； 液體限制結(jié)構(gòu)，所述液體限制結(jié)構(gòu)被配置成把液體限制在空間中，所述空間為投影系統(tǒng)與基底、基底臺或上述兩者之間的空間，基底、基底臺或上述兩者配置成形成所述空間的邊界的一部分；以及封閉板，該封閉板配置成當(dāng)未擾動液體、液體限制結(jié)構(gòu)或上述兩者而移動時，替代基底、基底臺或上述兩者構(gòu)成所述空間的邊界的一部分，其中，所述封閉板被定位或成形以使得其在測量干涉計光束的過程中不擋住干涉計裝置的任何干涉計光束。
13. 如權(quán)利要求12所述的裝置，包括致動裝置，所述致動裝置配置成 在水平面移動所述封閉板。
14. 如權(quán)利要求13所述的裝置，其中所述致動裝置配置成在與基底、基底臺或上述兩者相同的平面中移動所述封閉板，以便所述封閉板跟隨基 底、基底臺或上述兩者越過所述液體限制結(jié)構(gòu)。
15. 如權(quán)利要求12， 13或者14所述的裝置，其中，所述基底臺包括 主動補償器，所述主動補償器被配置成補償由于用封閉板替換基底、基底 臺或上述兩者作為空間邊界的一部分而沿與基底臺移動方向垂直的方向作 用在基底臺上的負(fù)荷變化。
16. 如權(quán)利要求12， 13或者14所述的裝置，其中基底臺和封閉板可 釋放地耦合。
全文摘要
例如為了在不同基底的曝光之間方便地移動基底，使用致動的封閉板提供基底、基底臺或上述兩者作為限制液體的光刻裝置中的空間邊界的一部分，而不會例如破壞限制液體的密封。
文檔編號G03F7/20GK101487980SQ20091000587
公開日2009年7月22日 申請日期2005年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月18日
發(fā)明者C·A·胡根達(dá)姆, J·-G·C·范德托爾恩 申請人:Asml荷蘭有限公司