專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置及其制造方法，特別是涉及像素缺陷的修正。
背景技術(shù)：
近年來，對于具有多個TFT(薄膜晶體管)等開關(guān)元件的有源矩陣型顯示裝置，越 來越強烈地要求提高顯示品質(zhì)。但是，由于伴隨顯示的高精細化，基板上的配線等的圖案 也被高精細化，所以難以完全防止由該配線等的斷線和短路引起的顯示不良(包括顯示缺 損)的發(fā)生。 例如，存在發(fā)生TFT常時變?yōu)閿嚅_狀態(tài)的TFT的斷路(open)不良、和輔助電容部 中的漏電(短路)的情況。此外，也存在發(fā)生由TFT中的載流子的摻雜不良引起的TFT的 特性不良的情況。 由于這些不良，會發(fā)生顯示常時成為亮點的顯示不良。已知由于這種亮點顯示不 良，對于使用者來說很顯眼，因此通過使柵極配線與TFT的漏極部短路，使不良像素進行黑 顯示從而對不良像素進行修正。 S卩，在常白的液晶顯示裝置中，通過使不良像素中的TFT的漏極部與柵極配線短 路，比較大的電壓被經(jīng)由漏極部與柵極配線短路的像素電極和相對電極(公共電極)大致 連續(xù)地施加到液晶層，結(jié)果使該不良像素常時進行黑顯示。 在專利文獻1中，將激光照射在TFT的柵極電極與漏極電極的重疊部分上。這樣 一來，柵極絕緣膜被破壞而柵極電極與漏極電極熔融，電連接起來。掃描脈沖經(jīng)由與漏極電 極連接的顯示電極施加在液晶上。其結(jié)果，該像素在常開模式中變?yōu)榘碉@示，變得不顯眼。
在專利文獻2中，公開有如下技術(shù)在有源矩陣型顯示裝置中，通過對在亮點模式 中能夠看到的像素缺陷部的TFT和修正用配線部進行激光照射，使它們在多個部位短路， 由此，從亮點模式修正為黑點模式。 此外，在專利文獻3中，公開有如下技術(shù)在輔助電容部中發(fā)生漏電而變?yōu)榱咙c不 良的情況下，以夾著該漏電區(qū)域的方式分開像素電極，使TFT的漏極部與柵極配線短路，由 此使像素進行黑顯示。 專利文獻1 :日本特開平5-210111號公報
專利文獻2 :日本特開平4-324819號公報
專利文獻3 :日本特開2002-341379號公報

發(fā)明內(nèi)容
但是，如上述現(xiàn)有技術(shù)那樣，在當使柵極配線與TFT的漏極部短路時TFT為導(dǎo)通狀 態(tài)的情況下，源極配線與柵極配線短路。其結(jié)果，存在源極配線的電位被牽引到柵極配線的 電位而降低的問題。 進一步，存在如下可能在與沿著包括該不良像素的源極配線的方向并列的像素 中，產(chǎn)生線狀的顯示不良(線缺陷)，進而，也存在如下可能產(chǎn)生以該不良像素為中心的十
4字狀的顯示不良。 本發(fā)明就是鑒于這樣的諸問題而研發(fā)的，本發(fā)明的目的在于，提供一種通過進行 黑顯示而進行修正的顯示裝置，該顯示裝置能夠防止源極配線的電壓下降從而可靠地減少 顯示不良。 為了達到上述目的，在本發(fā)明中，使TFT的漏極部與柵極配線短路，并且，使源極 配線與柵極配線電分離，由此使像素進行黑顯示從而對像素進行修正。 具體而言，本發(fā)明的顯示裝置的制造方法是制造有源矩陣型顯示裝置的方法，該 有源矩陣型顯示裝置包括TFT，該TFT分別設(shè)置在多個像素中，具有半導(dǎo)體層部和柵極電 極，該半導(dǎo)體層部包括源極部和漏極部；與上述TFT的源極部連接的源極配線；和與上述 TFT的柵極電極連接的柵極配線，該顯示裝置的制造方法的特征在于包括通過使成為亮 點缺陷的上述像素進行黑顯示而對成為亮點缺陷的上述像素進行修正的修正工序；在上述 修正工序中，使成為亮點缺陷的上述像素中的上述TFT的漏極部與上述柵極配線短路，并 且，在成為亮點缺陷的上述像素中，以使上述源極配線與上述柵極配線電分離的方式，切斷 上述TFT的半導(dǎo)體層部。 在上述修正工序中，也可以使上述成為亮點缺陷的像素中的上述TFT的漏極部、 與連接在與該成為亮點缺陷的像素不同的像素的上述TFT上的柵極配線短路。
在上述修正工序中，也可以通過使上述半導(dǎo)體層部與上述TFT的柵極電極短路， 使上述TFT的漏極部與上述柵極配線短路。 優(yōu)選在上述像素中，用于使上述TFT的漏極部與上述柵極配線短路的短路區(qū)域 延伸設(shè)置在上述柵極配線或上述TFT的柵極電極上，在上述修正工序中，在上述短路區(qū)域 中，使上述TFT的漏極部與上述柵極配線短路。 在上述修正工序中，也可以使在與上述源極配線在相同的層形成并與上述漏極部 連接的導(dǎo)電層與上述柵極配線短路。 優(yōu)選在上述多個像素中，分別設(shè)置有用于維持該像素中的顯示電位的輔助電容 元件，在上述修正工序中，在成為亮點缺陷的上述像素中，進一步使上述輔助電容元件與上 述TFT的漏極部電分離。 優(yōu)選在上述修正工序中，在與上述源極配線重疊的區(qū)域中切斷上述半導(dǎo)體層部。
在上述修正工序中，也可以在不與上述源極配線重疊的區(qū)域中切斷上述半導(dǎo)體層 部。 優(yōu)選在上述修正工序之前，在切斷上述半導(dǎo)體層部的區(qū)域中的與上述源極配線 相同的層形成遮光層。 上述遮光層也可以與上述TFT的漏極部電連接。此外，上述遮光層也可以呈島狀 電浮置。 此外，本發(fā)明的顯示裝置是有源矩陣型顯示裝置，其包括分別設(shè)置在多個像素中 的TFT、和與上述TFT連接的多根源極配線和柵極配線，上述多個像素的一部分是通過進行 黑顯示而被修正后的修正像素，包括用于使上述TFT的漏極部與上述柵極配線短路的短 路部、和以使上述源極配線與上述柵極配線電分離的方式，切斷上述TFT的半導(dǎo)體層部而 形成的切斷部。 上述修正像素中的上述TFT的漏極部，也可以與連接在與該修正像素不同的像素的上述TFT上的柵極配線短路。 上述短路部也可以通過使上述半導(dǎo)體層部與上述TFT的柵極電極短路，使上述 TFT的漏極部與上述柵極配線短路。 優(yōu)選在上述像素中，用于使上述TFT的漏極部與上述柵極配線短路的短路區(qū)域 延伸設(shè)置在上述柵極配線或上述TFT的柵極電極上，上述短路部形成在上述短路區(qū)域中。
優(yōu)選上述短路部，使在與上述源極配線在相同的層形成并使與上述漏極部連接 的導(dǎo)電層與上述柵極配線短路。 優(yōu)選在上述多個像素中，分別設(shè)置有用于維持該像素中的顯示電位的輔助電容
元件，在上述修正像素中，上述輔助電容元件與上述TFT的漏極部進一步電分離。
優(yōu)選上述切斷部配置在與上述源極配線重疊的區(qū)域中。 上述切斷部也可以配置在不與上述源極配線重疊的區(qū)域中。 在形成有上述切斷部的區(qū)域中，在與上述源極配線相同的層形成有遮光層。 上述遮光層也可以與上述TFT的漏極部電連接。此外，上述遮光層也可以呈島狀
電浮置。-作用- 下面，對本發(fā)明的作用進行說明。 本發(fā)明的顯示裝置，因為具有使TFT的漏極部與柵極配線短路的短路部，所以在 修正像素中漏極部的電位變?yōu)榕c柵極配線相同的電位，能夠使上述修正像素處于黑顯示狀 態(tài)。 進一步，因為在半導(dǎo)體層部中設(shè)置有切斷部，使源極配線與柵極配線電分離，所以 源極配線的電位不會被牽引到柵極配線的電位而降低。因此，能夠使修正像素進行黑顯示 從而對修正像素進行修正，并且能夠防止源極配線的電壓下降從而減少顯示不良(包括線 狀和十字狀的顯示不良)。 在制造上述顯示裝置的情況下，進行通過使成為亮點缺陷的像素進行黑顯示而對 成為亮點缺陷的像素進行修正的修正工序。通過修正工序，成為亮點缺陷的像素變?yōu)樾拚袼亍?在修正工序中，使成為上述亮點缺陷的像素中的TFT的漏極部與柵極配線短路， 并且，在成為亮點缺陷的上述像素中，以使源極配線與柵極配線電分離的方式，切斷TFT的 半導(dǎo)體層部。其結(jié)果，分別形成上述短路部和切斷部。 此時，如果使上述漏極部與連接在與該成為亮點缺陷的像素不同的像素的TFT上 的柵極配線短路，則能夠減少由修正像素周圍的像素與修正像素之間的寄生電容引起的顯 示品質(zhì)的下降。 此外，如果為了使漏極部與柵極配線短路，使半導(dǎo)體層部與柵極電極短路，則不需 要另外設(shè)置短路區(qū)域。 另一方面，如果在柵極配線或柵極電極上延伸設(shè)置短路區(qū)域，則即使漏極部和柵 極配線等具有精細的圖案(pattern)，也能夠通過使該短路區(qū)域變得比較大而可靠地實現(xiàn) 上述短路。 此外，在修正工序中，如果使輔助電容元件與漏極部電分離，則即使在輔助電容元 件中發(fā)生不良，也能夠防止由輔助電容元件與源極配線短路引起的顯示不良。
此外，如果在與源極配線重疊的區(qū)域中切斷半導(dǎo)體層部，則例如即使在利用激光 切斷的情況下，激光也被源極配線遮斷。另一方面，如果在切斷半導(dǎo)體層部的區(qū)域中，在與 源極配線相同的層形成遮光層，則切斷了半導(dǎo)體層部的激光被該遮光層遮斷。另外，遮光層 也能夠在與源極配線相同的工序中形成。 根據(jù)本發(fā)明，因為使修正的像素中的TFT的漏極部與柵極配線短路，并且，在該像 素中使源極配線與柵極配線電分離，所以能夠使該像素進行黑顯示從而對像素進行修正， 并且，能夠使源極配線的電位不會被牽引到柵極配線的電位而降低，防止源極配線的電壓 下降，可靠地減少包括線狀和十字狀的顯示不良的顯示不良。


圖1是表示本實施方式1中的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。 圖2是放大表示修正像素的一部分的平面圖。 圖3是放大表示本實施方式2中的2個像素的平面圖。 圖4是示意性地表示像素的排列的平面圖。 圖5是放大表示實施方式3中的修正像素的一部分的平面圖。 圖6是放大表示實施方式4中的修正像素的一部分的平面圖。 圖7是將表示其它實施方式中的修正像素的一部分放大的平面圖。 符號的說明 1液晶顯示裝置 5液晶層 10 TFT基板 11 CS配線 12像素 12a修正像素13柵極配線14源極配線15像素電極16TFT17柵極電極18源極部19漏極部20半導(dǎo)體層部25漏極電極27配線部30輔助電容元件33短路區(qū)域35短路部36第1切斷部(切斷部)37第2切斷部
39短路用配線部
40遮光層
具體實施例方式
下面，基于附圖對本發(fā)明的實施方式詳細地進行說明。另外，本發(fā)明并不限定于以
下的實施方式。(發(fā)明的實施方式l) 圖1和圖2表示本發(fā)明的實施方式1。在本實施方式l中，作為顯示裝置舉出液晶 顯示裝置為例進行說明。圖1是表示本實施方式1中的液晶顯示裝置1的結(jié)構(gòu)的電路圖。 圖2是放大表示實施方式1的修正像素的一部分的平面圖。 液晶顯示裝置1是有源矩陣型的液晶顯示裝置，其包括TFT基板10、與TFT基板 10相對配置的相對基板(省略圖示)、和設(shè)置在上述相對基板與上述TFT基板10之間的液 晶層5。此外，液晶顯示裝置1是在沒有對液晶層5施加電壓的狀態(tài)下進行白顯示，并且，在 對液晶層5施加電壓的狀態(tài)下進行黑顯示的常白型液晶顯示裝置。在上述相對基板上，如 圖1所示，形成有用于對液晶層5施加電壓的相對電極6。 另一方面，TFT基板10構(gòu)成為所謂的有源矩陣基板。如圖1所示，在TFT基板10 上呈矩陣狀配置有多個作為顯示的單位區(qū)域的像素12。在TFT基板10上，相互平行地延伸 形成有多根柵極配線13。此外，在TFT基板10上，相互平行地形成有多根源極配線14，該 多根源極配線14以與上述柵極配線13正交的方式配置。 進一步，在TFT基板10上，以與柵極配線13平行地延伸的方式形成有多根CS配 線11。由此，在TFT基板10上，由柵極配線13、源極配線14和CS配線11構(gòu)成的配線群呈 格子狀形成圖案。 各像素12例如由被上述源極配線14和CS配線11區(qū)劃的矩形的區(qū)域形成。在各 像素12中，呈矩形狀形成有用于對液晶層5進行驅(qū)動的像素電極15。 在各像素12中，分別設(shè)置有作為對像素電極15進行開關(guān)驅(qū)動的開關(guān)元件的 TFT(薄膜晶體管)16。 TFT16具有半導(dǎo)體層部20和柵極電極17，該半導(dǎo)體層部20包括源 極部18和漏極部19。在圖2中，表示具有2個柵極電極17的雙柵極型TFT。
—方的柵極電極17a由柵極配線13的與源極配線14重疊的一部分區(qū)域構(gòu)成。另 一方的柵極電極17b從柵極配線13分支而相對于該柵極配線13垂直地延伸。因此，柵極 電極17與柵極配線13電連接。 半導(dǎo)體層部20，如圖2所示，由L字狀的硅圖案形成，其一部分以與源極配線14重 疊的狀態(tài)沿源極配線14延伸，其前端(即，源極部18的前端)經(jīng)由接觸孔23與源極配線 14連接。S卩，源極配線14與源極部18電連接。另一方面，半導(dǎo)體層部20的另一端(即，漏 極部19的前端)經(jīng)由接觸孔24與漏極電極25連接。 S卩，源極部18由半導(dǎo)體層部20的比柵極電極17a靠近接觸孔23側(cè)的部分構(gòu)成， 另一方面，漏極部19由半導(dǎo)體層部20的比柵極電極17b靠近接觸孔24側(cè)的部分構(gòu)成。此 外，半導(dǎo)體層部20的2個柵極電極17a、17b之間的部分也稱為溝道間區(qū)域。
上述漏極電極25是在與源極配線14相同的層形成的導(dǎo)電層，經(jīng)由接觸孔26與像 素電極15連接。即，TFT16的漏極部19經(jīng)由漏極電極25和接觸孔26與像素電極15連接。
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此外，在各像素12中，分別設(shè)置有用于維持該像素12的顯示電位的輔助電容元件 30。即，輔助電容元件30經(jīng)由配線部27連接在半導(dǎo)體層20上。輔助電容元件30如圖2 所示，由CS配線11的一部分、和經(jīng)由絕緣層與該CS配線11相對并且沿著該CS配線11延 伸的電容電極31構(gòu)成。 上述配線部，由與半導(dǎo)體層部20相同的材料一體形成，其一端與半導(dǎo)體層部20的 漏極部19 一體連接，而另一端與電容電極31 —體連接。即，電容電極31也由與半導(dǎo)體層 部20相同的材料形成。 而且，在像素12中，在柵極配線13上延伸設(shè)置有用于使TFT16的漏極部19與柵 極配線13短路的短路區(qū)域33。短路區(qū)域33與柵極電極17b同樣地，從柵極配線13分支而 相對于該柵極配線13垂直地延伸。另一方面，漏極電極25的一部分沿柵極配線13延長， 其前端部分與上述短路區(qū)域33相對。 進一步，多個像素12的一部分成為通過進行黑顯示而被修正后的修正像素12a。 修正像素12a如圖2所示，包括用于使TFT16的漏極部19與柵極配線13短路的短路部 35 ;和以使源極配線14與柵極配線13電分離的方式切斷TFT16的半導(dǎo)體層部20而形成的 第l切斷部36。 短路部35，通過在短路區(qū)域33中使在與源極配線14相同的層形成并與漏極部19 連接的導(dǎo)電層即漏極電極25與柵極配線13短路，使漏極部19與柵極配線13短路。S卩，短 路部35形成在短路區(qū)域33。 另一方面，第1切斷部36配置在與源極配線14重疊的區(qū)域中。例如，第l切斷部 36如圖2所示，在半導(dǎo)體層部20的柵極電極17a的附近在柵極電極17b側(cè)的位置形成。
此外，修正像素12a具有以使輔助電容元件30與上述TFT16的漏極部19電分離 的方式將配線部27切斷而形成的第2切斷部37。第2切斷部37，例如在電容電極31的附 近位置形成。 而且，在沒有顯示不良的正常的像素12中，在經(jīng)由柵極配線13對柵極電極17施 加有掃描電壓的狀態(tài)下，從源極配線14經(jīng)由源極部18和漏極部19向像素電極15供給信 號電壓。此時，輔助電容元件30被蓄電而維持顯示電位。由此，能夠在該像素12中進行希 望的顯示。 例如，在柵極配線13上，施加有-5V的電壓(低(Low)狀態(tài))，在對規(guī)定的像素列 進行掃描時施加10V的電壓(高(High)狀態(tài))。另一方面，在相對電極上施加0 +5V的 電壓。這樣一來，在短路部35中柵極配線13與漏極部19短路的狀態(tài)下，在液晶層5上施加 有大致作為上述柵極配線13的低(Low)狀態(tài)的電壓(-5V)、與相對電極的電壓(0 +5V) 之差的5 10V的電壓。這樣一來，變得在常白的液晶層5上施加有5V以上的電壓，在該 修正像素12a中進行黑顯示。 另一方面，在修正像素12a中，漏極部19與柵極配線13因短路部35而短路，因此 在像素電極15上施加有比較大的電壓。由此，在該修正像素12a中進行黑顯示。此時，因 為形成有第1切斷部36，所以源極配線14的電位不會受到短路部35的影響，不會降低。進 一步，即使在輔助電容元件30中存在短路不良等的情況下，也由于形成有第2切斷部37，所 以施加在像素電極15上的電壓不會受到輔助電容元件30側(cè)的不良的影響。
-制造方法-
下面，對上述液晶顯示裝置1的制造方法進行說明。 液晶顯示裝置l，通過將TFT基板IO和相對基板粘合在一起，并且在各基板之間通過密封部件密封液晶層5而制造出來。由于本發(fā)明的特征在于對TFT基板10的顯示不良進行修正，因此對本發(fā)明的修正工序進行說明。 S卩，在本實施方式1中的液晶顯示裝置1的制造方法中，包括使成為亮點缺陷的上
述像素進行黑顯示從而對成為亮點缺陷的上述像素進行修正的修正工序。 首先，在修正工序之前，當形成TFT基板IO自身時，在與形成柵極配線13的工序
相同的工序中，在柵極配線13上延伸設(shè)置短路區(qū)域33。此外，在與形成源極配線14的工序
相同的工序中，形成漏極電極25，并且以與短路區(qū)域33重疊的方式形成其一部分。 然后，在修正工序中，使成為亮點缺陷的像素12中的TFT16的漏極部19與柵極配
線13短路，并且，在成為亮點缺陷的像素12中，以使源極配線14和柵極配線13電分離的
方式，將TFT16的半導(dǎo)體層部20切斷。由此，形成短路部35和第1切斷部36。 短路部35，在成為亮點缺陷的像素12的短路區(qū)域33中形成，由此，使漏極電極25
與柵極配線13短路。另一方面，第1切斷部36通過在與源極配線14重疊的區(qū)域中切斷半
導(dǎo)體層部20而形成。 進一步，在該修正工序中，在成為亮點缺陷的像素12中，將配線部27切斷而形成第2切斷部37，使輔助電容元件30與TFT16的漏極部19電分離。能夠利用激光將上述半導(dǎo)體層部20和配線部27切斷。
-實施方式l的效果- 因此，根據(jù)該實施方式l，液晶顯示裝置1由于具有使修正像素12a中的TFT16的漏極部19與柵極配線13短路的短路部35，因此漏極部19的電位變?yōu)榕c柵極配線13相同的電位，能夠在常白的液晶層5上大致常時施加有電壓從而使該修正像素12a處于黑顯示狀態(tài)。因此，因為沒有明顯示，所以對于液晶顯示裝置1的使用者來說很難視認像素的不良，能夠防止顯示品質(zhì)的下降。 進一步，因為在修正像素12a的半導(dǎo)體層部20上形成了第1切斷部36，所以能夠使源極配線14與柵極配線13電分離。因此，能夠防止源極配線14的電位被牽引到柵極配線13的電位而降低。因此，能夠使修正像素12a進行黑顯示從而對修正像素12a進行修正，并且能夠防止源極配線14的電壓下降從而減少顯示不良(包括線狀和十字狀的顯示不良)。 進一步，因為在修正像素12a中形成了第2切斷部37，使輔助電容元件30與漏極部19電分離，因此即使在輔助電容元件30中發(fā)生不良(例如，電容電極31與CS配線11短路的不良等)，也能夠防止由這些不良引起的顯示不良。 而且，如上述那樣，在修正像素12a中，通過將短路部35、第1切斷部36和第2切斷部37的形成作為一組的修正來進行，無論該修正像素12a中的亮點顯示不良的原因是什么(不論亮點不良的原因是什么)，均能夠通過可靠地使該修正像素12a成為黑點而對該修正像素12a進行修正，并且能夠防止鄰接的其它像素12的顯示不良。 進一步，因為將短路區(qū)域33在柵極配線13上延伸設(shè)置從而進行另外設(shè)置，所以即使漏極部19和柵極配線13等為精細的圖案，也能夠比較大地形成該短路區(qū)域33從而可靠地實現(xiàn)上述短路。換言之，能夠提高修正的可靠性。
另外，因為將第1切斷部36配置在與源極配線14重疊的區(qū)域中，所以能夠由源極配線14遮斷將半導(dǎo)體層部20切斷的激光。因此，不需要另外獨立地設(shè)置用于遮斷激光的基底層(遮光層)。
(發(fā)明的實施方式2) 圖3和圖4表示本發(fā)明的實施方式2。圖3是放大表示本實施方式2中的2個像素的平面圖。圖4是示意性地表示像素排列的平面圖。另外，在以后的各實施方式中，對與圖1和圖2相同的部分標注相同的標號，并省略其詳細說明。 在上述實施方式1中在修正像素12a中形成有短路部35，與此相對，在本實施方式2中在與修正像素12a不同的像素12中形成有短路部35。 S卩，修正像素12a的漏極部19，與連接在與修正像素12a鄰接的像素12的TFT16上的柵極配線13短路。形成有上述短路部35的像素12，經(jīng)由CS配線11與修正像素12a鄰接。即，與上述漏極部19短路的柵極配線13，與連接在修正像素12a的TFT16上的柵極配線13不同。 在修正像素12a的漏極電極25上，延伸設(shè)置有短路用配線部39。短路用配線部39如圖3所示， 一端與漏極電極25 —體連接，而另一端以與上述鄰接的像素12中的柵極配線13的短路區(qū)域33重疊的方式配置。這樣，在上述鄰接的像素12的短路區(qū)域33中形成有短路部35。 根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，修正像素12a的漏極部19，變?yōu)榕c連接在上述鄰接的像素12的TFT16上的柵極配線13相同的電位，因此在該修正像素12a中的像素電極15上施加有比較大的電壓。由此，能夠在該修正像素12a中進行黑顯示。 在制造本實施方式2的液晶顯示裝置1的情況下，在制造TFT基板10時，在與源極配線14相同的工序中，形成漏極電極25和短路用配線部39。其后，在修正工序中，在上述短路區(qū)域33中使成為亮點缺陷的像素12中的TFT16的漏極部19，與連接在與該成為亮點缺陷的像素12不同的像素12的TFT16上的柵極配線13短路。能夠利用激光實現(xiàn)該短路。 _實施方式2的效果- 所以，根據(jù)該實施方式2，除了能夠得到與上述實施方式1同樣的效果外，還能夠減少由修正像素12a周圍的像素12與修正像素12a之間的寄生電容引起的顯示品質(zhì)的下降。 關(guān)于該點，參照圖4進行詳細敘述。在圖4中用標號A表示的像素是進行黑顯示后的修正像素12a。該修正像素A的TFT的柵極電極屬于柵極配線GL3。在圖4中柵極配線GL1 5被從上向下掃描。 首先，在修正像素A的漏極部與柵極配線GL3短路(上述實施方式1那樣的修正構(gòu)造)的情況下，當柵極配線GL3變?yōu)閿嚅_(OFF)(即，低(Low)狀態(tài))之際，修正像素A的周圍的像素B、 C、 D、 E中的各像素電極15，由于與修正像素A之間的寄生電容而受到影響，像素電極15的電位發(fā)生變化，結(jié)果存在顯示品質(zhì)下降的可能。 但是，因為修正像素A的下側(cè)的像素E被接下來立即掃描并寫入，所以該像素電極15的電位比較立即地回到正常值。另一方面，關(guān)于B、C、D的3個像素，其像素電極15的電位變?yōu)榕c通常時不同的值直到下次寫入的定時為止，會對顯示品質(zhì)賦予影響。
但是，如本實施方式2那樣，在修正像素A的漏極部與柵極配線GL2短路的情況下，當柵極配線GL2變?yōu)閿嚅_(OFF)之際(即，低(Low)狀態(tài))，修正像素A周圍的像素B、C、D、E中的各像素電極15，由于與修正像素A之間的寄生電容而受到影響，顯示品質(zhì)會發(fā)生變化。但是，通過此后立即寫入柵極配線GL3，像素C、 D、 E中的像素電極15的電位立即回到正常的電位。因此，與修正像素A的漏極部和柵極配線GL3短路(上述實施方式l那樣的修正構(gòu)造)的情況比較，能夠提高修正像素A周圍的顯示品質(zhì)。 因此，可以說在修正像素12a與其周圍的像素12之間生成的寄生電容比較大的情況下，從提高顯示品質(zhì)的觀點出發(fā)，本實施方式2的結(jié)構(gòu)是有效的，如果上述寄生電容比較小并且是不成為問題那樣的程度，則從提高開口率(即erture ratio)的觀點出發(fā)，優(yōu)選上述實施方式1的結(jié)構(gòu)。
(發(fā)明的實施方式3) 圖5表示本發(fā)明的實施方式3。圖5是放大表示實施方式3中的修正像素的一部分的平面圖。 在上述實施方式1中，在柵極配線13上形成有短路區(qū)域33，與此相對，在本實施方式3中，在TFT16的柵極電極17上形成有短路區(qū)域33。 SP，如圖5所示，在像素12中，在TFT16的柵極電極17的前端延伸設(shè)置有短路區(qū)域33。短路區(qū)域33的、柵極配線13的長度方向的寬度變得比柵極電極17大。另一方面，漏極電極25的一部分以與短路區(qū)域33重疊的方式延長，與短路區(qū)域33相對。這樣，在修正像素12a中，在上述短路區(qū)域33中形成有短路部35。 根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，因為修正像素12a的漏極部19變?yōu)榕c柵極配線13相同的電位，所以在該修正像素12a中的像素電極15上施加有比較大的電壓。由此，與上述實施方式1同樣，能夠在該修正像素12a中進行黑顯示。 在制造本實施方式3的液晶顯示裝置1的情況下，在制造TFT基板10時，在與源極配線14相同的工序中，以一部分與短路區(qū)域33重疊的方式形成漏極電極25。其后，在修正工序中，使成為亮點缺陷的像素12中的漏極部19在短路區(qū)域33中與柵極配線13短路。能夠利用激光來實現(xiàn)該短路。因此，即使根據(jù)實施方式3，也能夠得到與上述實施方式1相同的效果。(發(fā)明的實施方式4) 圖6表示本發(fā)明的實施方式4。圖6是放大表示實施方式4中的修正像素的一部分的平面圖。另外，在圖6中，省略了輔助電容元件30的圖示。 在上述實施方式1中，在柵極配線13上設(shè)置短路區(qū)域33，與此相對，在本實施方式4中，不設(shè)置這樣的短路區(qū)域33。 S卩，在本實施方式4中，以使半導(dǎo)體層部20與柵極電極17b短路的方式形成有修
正像素12a中的短路部35。由此，使TFT16的漏極部19與柵極配線13短路。 根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于修正像素12a的漏極部19經(jīng)由柵極電極17的短路部35變
為與柵極配線13相同的電位，因此在該修正像素12a中的像素電極15上施加有比較大的
電壓。由此，與上述實施方式1同樣，能夠在該修正像素12a中進行黑顯示。 在制造本實施方式4的液晶顯示裝置1的情況下，在修正工序中，通過利用激光等
使成為亮點缺陷的像素12中的柵極電極17與半導(dǎo)體層部20短路，使漏極部19與柵極配線13短路。
因此，根據(jù)該實施方式4也能夠得到與上述實施方式1同樣的效果。優(yōu)選本實施方式4在柵極電極17的寬度比較大的情況下等，能夠提高開口率這一點。
(其它實施方式) 在上述實施方式1中，將第1切斷部36配置在與源極配線14重疊的區(qū)域中，但是本發(fā)明不限定于此。即，也可以將第1切斷部36配置在不與源極配線14重疊的區(qū)域中。此外，如像素的放大平面圖即圖7所示，也可以設(shè)置在與源極配線14相同的層形成的遮光層40，以與該遮光層40重疊的方式配置第1切斷部36。在制造的情況下，在修正工序之前，在切斷半導(dǎo)體層部20的區(qū)域中的與源極配線14相同的層形成遮光層40。其后，在修正工序中，在與上述遮光層40重疊的區(qū)域中，利用激光等切斷半導(dǎo)體層部20從而形成第1切斷部36。 由此，因為能夠利用遮光層40遮斷激光等，因此能夠抑制由照射激光等引起的液晶層5的特性劣化。此外，上述遮光層40也可以與TFT16的漏極部19電連接。另一方面，遮光層40也可以呈島狀電浮置。 此外，在上述各實施方式中，對液晶顯示裝置l進行了說明，但是本發(fā)明不限于此，也能夠同樣地適用于有源矩陣型的其它顯示裝置。
工業(yè)上的可利用性 如以上說明了的那樣，本發(fā)明對于通過使像素缺陷進行黑顯示而對像素缺陷進行修正的顯示裝置及其制造方法是有用的。
1權(quán)利要求
一種顯示裝置的制造方法，其用于制造有源矩陣型顯示裝置，該有源矩陣型顯示裝置包括TFT，該TFT分別設(shè)置在多個像素中，具有半導(dǎo)體層部和柵極電極，該半導(dǎo)體層部包括源極部和漏極部；與所述TFT的源極部連接的源極配線；和與所述TFT的柵極電極連接的柵極配線，該顯示裝置的制造方法的特征在于包括通過使成為亮點缺陷的所述像素進行黑顯示而對成為亮點缺陷的所述像素進行修正的修正工序，在所述修正工序中，使成為亮點缺陷的所述像素中的所述TFT的漏極部與所述柵極配線短路，并且，在成為亮點缺陷的所述像素中，以使所述源極配線與所述柵極配線電分離的方式，切斷所述TFT的半導(dǎo)體層部。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于在所述修正工序中，使所述成為亮點缺陷的像素中的所述TFT的漏極部，與連接在與 該成為亮點缺陷的像素不同的像素的所述TFT上的柵極配線短路。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于在所述修正工序中，通過使所述半導(dǎo)體層部與所述TFT的柵極電極短路，使所述TFT的 漏極部與所述柵極配線短路。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于在所述像素中，用于使所述TFT的漏極部與所述柵極配線短路的短路區(qū)域延伸設(shè)置在 所述柵極配線或所述TFT的柵極電極上，在所述修正工序中，在所述短路區(qū)域中，使所述TFT的漏極部與所述柵極配線短路。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于在所述修正工序中，使在與所述源極配線相同的層形成并與所述漏極部連接的導(dǎo)電層 與所述柵極配線短路。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于 在所述多個像素中，分別設(shè)置有用于維持該像素中的顯示電位的輔助電容元件， 在所述修正工序中，在成為亮點缺陷的所述像素中，進一步使所述輔助電容元件與所述TFT的漏極部電分離。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于 在所述修正工序中，在與所述源極配線重疊的區(qū)域切斷所述半導(dǎo)體層部。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于在所述修正工序中，在不與所述源極配線重疊的區(qū)域切斷所述半導(dǎo)體層部。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于在所述修正工序之前，在切斷所述半導(dǎo)體層部的區(qū)域中的與所述源極配線相同的層形 成遮光層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于所述遮光層與所述TFT的漏極部電連接。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于所述遮光層呈島狀電浮置。
12. —種顯示裝置，其是有源矩陣型顯示裝置，包括分別設(shè)置在多個像素中的TFT ;和與所述TFT連接的多根源極配線和柵極配線，該顯示裝置的特征在于所述多個像素的一部分是通過進行黑顯示而被修正后的修正像素，包括 用于使所述TFT的漏極部與所述柵極配線短路的短路部；禾口以使所述源極配線與所述柵極配線電分離的方式，切斷所述TFT的半導(dǎo)體層部而形成 的切斷部。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于所述修正像素中的所述TFT的漏極部，與連接在與該修正像素不同的像素的所述TFT 上的柵極配線短路。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于所述短路部，通過使所述半導(dǎo)體層部與所述TFT的柵極電極短路，使所述TFT的漏極部 與所述柵極配線短路。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在所述像素中，用于使所述TFT的漏極部與所述柵極配線短路的短路區(qū)域延伸設(shè)置在 所述柵極配線或所述TFT的柵極電極上， 所述短路部形成在所述短路區(qū)域中。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于所述短路部，使在與所述源極配線相同的層形成并與所述漏極部連接的導(dǎo)電層與所述 柵極配線短路。
17. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在所述多個像素中，分別設(shè)置有用于維持該像素中的顯示電位的輔助電容元件， 在所述修正像素中，所述輔助電容元件與所述TFT的漏極部進一步電分離。
18. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于 所述切斷部配置在與所述源極配線重疊的區(qū)域。
19. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于 所述切斷部配置在不與所述源極配線重疊的區(qū)域。
20. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于在形成有所述切斷部的區(qū)域中，在與所述源極配線相同的層形成有遮光層。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的顯示裝置，其特征在于 所述遮光層與所述TFT的漏極部電連接。
22. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的顯示裝置，其特征在于 所述遮光層呈島狀電浮置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置及其制造方法，該顯示裝置包括通過使成為亮點缺陷的像素進行黑顯示而對成為亮點缺陷的像素進行修正的修正工序，在修正工序中，使成為亮點缺陷的像素中的TFT的漏極部與柵極配線短路，并且，在成為亮點缺陷的像素中，以使源極配線與柵極配線電分離的方式，切斷TFT的半導(dǎo)體層部。
文檔編號G02F1/1368GK101784949SQ20088010321
公開日2010年7月21日 申請日期2008年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月30日
發(fā)明者中島睦, 吉田裕志 申請人:夏普株式會社