液晶顯示裝置的制作方法

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導(dǎo)航： X技術(shù)> 最新專利>攝影電影;光學(xué)設(shè)備的制造及其處理,應(yīng)用技術(shù)

專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，特別是涉及具有廣視野角特性的大型的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置為具有高精細(xì)、薄型、輕量和低耗電等出色的特長的平面顯示裝置，近年來，隨著顯示性能的提高、生產(chǎn)能力的提高和相對(duì)于其它顯示裝置的價(jià)格競爭力的提高，市場(chǎng)規(guī)模迅速擴(kuò)大。特別是，平面開關(guān)模式(IPS模式，參照專利文獻(xiàn)l)和多疇垂直取向模式(MVA模式，參照專利文獻(xiàn)2)，作為不會(huì)引起在從斜方向觀測(cè)顯示面的情況下顯示對(duì)比度顯著降低、或者顯示灰度等級(jí)反轉(zhuǎn)等問題的廣視野角模式的液晶顯示裝置，應(yīng)用于液晶電視機(jī)。在液晶顯示裝置的顯示品質(zhì)的改善進(jìn)步的狀況下，目前作為視野角特性的問題點(diǎn)，正面觀測(cè)時(shí)的y特性和斜方向觀測(cè)時(shí)的Y特性不同這一點(diǎn)，即Y特性的視野角依存性的問題開始顯著化。在此，y特性是指顯示亮度的灰度等級(jí)依存性，y特性在正面方向和斜方向不同是由于灰度等級(jí)顯示狀態(tài)因觀測(cè)方向而不同，因而在顯示照片等的圖像的情況下，或者顯示TV播放等的情況下尤其存在問題。該y特性的視野角依存性，在MVA模式中比在IPS模式中顯著。另一方面，IPS模式與MVA模式相比以良好的生產(chǎn)性制造正面觀測(cè)時(shí) 的對(duì)比度較高的面板較為困難。從這些方面，希望改善尤其是在MVA 模式的液晶顯示裝置中的7特性的視野角依存性。在此，本申請(qǐng)人(受讓人)，在專利文獻(xiàn)3中公開了通過將一個(gè)像素分割為明亮度不同的多個(gè)子像素，從而能夠改善T/特性的視野角依存性、尤其是泛白特性的液晶顯示裝置和驅(qū)動(dòng)方法。在本說明書中這樣的顯示或者驅(qū)動(dòng)被稱作面積灰度等級(jí)顯示、面積灰度等級(jí)驅(qū)動(dòng)、多像素顯示或者多像素驅(qū)動(dòng)等。在專利文獻(xiàn)3中公開了以下所述的液晶顯示裝置，即，針對(duì)一個(gè)像素(P)內(nèi)的多個(gè)子像素(SP)的每一個(gè)設(shè)置輔助電容(CS)，使構(gòu) 成輔助電容的輔助電容相對(duì)電極(與輔助電容配線連接)在每個(gè)子像素電獨(dú)立，通過對(duì)輔助電容相對(duì)電極供給的電壓(稱作輔助電容相對(duì) 電壓或者CS信號(hào)電壓)變化，利用電容分割，使對(duì)多個(gè)子像素的液晶層施加的有效電壓不同。參照?qǐng)D47，說明在專利文獻(xiàn)3中記載的液晶顯示裝置900的像素分割結(jié)構(gòu)。在此，以具有TFT作為開關(guān)元件的液晶顯示裝置作為例示。像素IO被分割為子像素10a、10b，子像素10a、10b分別與TFT16a、 TFT16b和輔助電容(CS) 22a、 22b連接。TFT16a和TFT16b的柵極電極與掃描線(也記為柵極總線、G總線)12連接，源極電極與共用的(同一)信號(hào)線(也記為源極總線、S總線)14連接。輔助電容22a、 22b分別與輔助電容配線(CS總線)24a和輔助電容配線24b連接。輔助電容22a和22b，分別由與子像素電極18a和18b電連接的輔助電容電極、與輔助電容配線24a和24b電連接的輔助電容相對(duì)電極、和在它們之間設(shè)置的絕緣層(未圖示)形成。輔助電容22a和22b的輔助電容相對(duì)電極相互獨(dú)立，具有能夠分別從輔助電容配線24a和24b 供給相互不同的輔助電容相對(duì)電壓(CS信號(hào)電壓)的結(jié)構(gòu)。接著，使用附圖對(duì)于能夠?qū)σ壕э@示裝置900的2個(gè)子像素10a 和10b的液晶層施加相互不同的有效電壓的原理進(jìn)行說明。圖48示意性表示相當(dāng)于液晶顯示裝置900的1像素的等效電路。在電等效電路中，將各個(gè)子像素SP-A (10a)和SP-B (10b)的液晶電容分別作為液晶電容CLC-A (13a)禾BCLC-B (13b)表示。液晶電容 CLC-A和CLC-B分別由子像素電極18a和18b、液晶層、和相對(duì)電極 (相對(duì)于子像素電極18a和18b共用)形成。這里，液晶電容CLC-A和CLC-B的靜電電容值為相同的值CLC (V)。 CLC (V)的值，依存于對(duì)子像素SP-A、 SP-B的液晶層施加的有效電壓(V)。另夕卜，使與各子像素SP-A和SP-B的液晶電容分別獨(dú) 立地連接的輔助電容CCS-A (22a)禾卩CCS-B (22b)的靜電電容值為相同值CCS。子像素SP-A的液晶電容CLC-A和輔助電容CCS-A的一個(gè)電極與為了驅(qū)動(dòng)子像素SP-A而設(shè)置的TFT-A (16a)的漏極電極連接，液晶電容CLC-A的另一個(gè)電極為相對(duì)電極，輔助電容CCS-A的另一個(gè)電極與輔助電容配線CS-A (24a)連接。子像素SP-B的液晶電容CLC-B 和輔助電容CCS-B的一個(gè)電極與為了驅(qū)動(dòng)子像素SP-B而設(shè)置的TFT-B (16b)的漏極電極連接，液晶電容CLC-B的另一個(gè)電極為相對(duì)電極，輔助電容CCS-B的另一個(gè)電極與輔助電容配線CS-B(24b)連接。TFT-A 和TFT-B的柵極電極均與G總線(掃描線)12連接，源極電極均與S 總線(信號(hào)線)14連接。
圖49 (a) (f)中示意性地表示驅(qū)動(dòng)液晶顯示裝置900時(shí)的各電壓的定時(shí)。
圖49 (a)表示S總線14的電壓波形Vs，圖49 (b)表示CS總線CS-A的電壓波形Vcsa，圖49 (c)表示CS總線CS-B的電壓波形 Vcsb，圖49 (d)表示G總線12的電壓波形Vg，圖49 (e)表示子像素電極18a的電壓波形Vlca，圖49 (f)表示子像素電極18b的電壓波形Vlcb。另外，圖中的虛線表示相對(duì)電極的電壓波形COMMON (Vcom)。
以下，使用圖49 (a) (f)說明圖48的等效電路的動(dòng)作。
由于在時(shí)刻Tl時(shí)Vg的電壓從VgL變化到VgH， TFT-A和TFT-B 同時(shí)成為導(dǎo)通狀態(tài)(ON狀態(tài))，對(duì)子像素電極18a和18b傳送S總線 14的電壓Vs，對(duì)子像素SP-A的液晶電容CLC-A和子像素SP-B的液晶電容CLC-B充電。同樣地，也進(jìn)行從S總線14對(duì)各個(gè)子像素的輔助電容CCS-A和CCS-B的充電。
接著，由于在時(shí)刻T2時(shí)G總線12的電壓Vg從VgH變化到VgL， TFT-A和TFT-B同時(shí)成為非導(dǎo)通狀態(tài)(OFF狀態(tài))，子像素SP-A、 SP-B 的液晶電容CLC-A、 CLC-B和輔助電容CCS-A、 CCS-B全部與S總線 14電絕緣。此外，由于在此之后緊接著TFT-A、 TFT-B具有的寄生電容等的影響導(dǎo)致的饋通現(xiàn)象，各個(gè)子像素電極的電壓Vlca、 Vlcb降低大致相同的電壓Vd，成為
Vlca=Vs—Vd
Vlcb=Vs—Vd
另外這時(shí)，各個(gè)CS總線的電壓Vcsa、 Vcsb為Vcsa=Vcom—Vad Vcsb=Vcom+Vad
在時(shí)刻T3，與輔助電容CCS-A連接的CS總線CS-A的電壓Vcsa 從Vcom—Vad變化到Vcom+Vad，與輔助電容Csb連接的CS總線CS匿B 的電壓Vcsb從Vcom+Vad變化到Vcom—Vad，變化了 2倍的Vad。伴隨CS總線CS-A和CS-B的該電壓變化，各個(gè)子像素電極的電壓Vlca、 Vlcb向
Vlca=Vs—Vd+2xKcxVad
Vlcb=Vs—Vd—2xKcxVad
變化。但是，Kc=CCS/ (CLC (V) +CCS)。 x表示乘法運(yùn)算。在時(shí)刻T4， Vcsa從Vcom+Vad向Vcom _ Vad變化，Vcsb從Vcom —Vad向Vcom+Vad變化，變化2倍的Vad， Vlca、 Vlcb也從 Vlca=Vs_Vd+2xKcxVad Vlcb=Vs—Vd_2xKcxVad 向
Vlca=Vs—Vd Vlcb=Vs—Vd變化。
在時(shí)刻T5， Vcsa從Vcom—Vad向Vcom+Vad變化，Vcsb從 Vcom+Vad向Vcom—Vad變化，變化2倍的Vad， Vlca、 Vlcb也從 Vlca=Vs—Vd Vlcb=Vs—Vd
向
Vlca=Vs—Vd+2xKcxVad Vlcb=Vs—Vd—2xKcxVad變化。
Vcsa、 Vcsb、 Vlca、 Vlcb，按照每個(gè)水平掃描期間(水平寫入時(shí) 間)1H的整數(shù)倍的間隔交替地重復(fù)上述T4、 T5的變化。因此，各個(gè) 子像素電極的電壓Vlca、 Vlcb的有效的值成為
Vlca=Vs—Vd+KcxVad
Vlcb=Vs—Vd—KcxVad由此，施加在子像素SP-A、 SP-B的液晶層13a和13b的有效電壓 VI、 V2成為
Vl=Vlca—Vcom V2=Vlcb—Vcom
即
V1 = Vs—Vd+Kc x Vad—V讓 V2=Vs—Vd _ Kc x Vad—Vcom
因此，對(duì)子像素SP-A和SP-B各自的液晶層13a和13b施加的有效電壓的差A(yù)V12 (=V1—V2)成為AV12= 2xKcxVad (但是，Kc=CCS/ (CLC (V)十CCS))，能夠施加相互不同的電壓。
圖50中示意性表示V1和V2的關(guān)系。根據(jù)圖50可知，在液晶顯示裝置900中，VI的值越小AV12的值越大。像這樣，由于VI的值越小AV12的值越大，所以尤其能夠改善泛白特性。
另外，在將專利文獻(xiàn)3中記載的多像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用在高精細(xì)或者大型的液晶電視機(jī)中的情況下，由于振動(dòng)電壓的振動(dòng)周期伴隨顯示面板的高精細(xì)化或者大型化變短，所以用于振動(dòng)電壓發(fā)生的電路的制作變得困難(變得高價(jià)格)，增加消耗電力，或者由CS總線的電負(fù)載阻抗導(dǎo)致的波形鈍化的影響變大，如在專利文獻(xiàn)4中所記載那樣，設(shè)置電相互獨(dú)立的多個(gè)CS主線，通過在各CS主線連接多個(gè)CS總線，能夠通過CS總線延長對(duì)輔助電容相對(duì)電極施加的振動(dòng)電壓的振動(dòng)周期。作為參考將專利文獻(xiàn)3和4的內(nèi)容全部引用在本說明書中。
專利文獻(xiàn)l:特公昭63-21907號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:特開平11-242225號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3:特開2004-62146號(hào)公報(bào)(美國專利第6958791號(hào)說明書)
專利文獻(xiàn)4: WO2006/070829A1

發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)人(受讓人)已將具備應(yīng)用了在專利文獻(xiàn)3和4中記載的多像素技術(shù)的液晶顯示裝置的大型液晶電視機(jī)在市場(chǎng)中銷售。以往，采用將由亮度不同的2個(gè)子像素(即亮子像素和暗子像素)構(gòu)成各像素的2分割的結(jié)構(gòu)，但是已知為了進(jìn)一步改善顯示面的大型化和T/特性的視野角依存性，2分割是不夠的。具體而言，存在伴隨顯示裝置的大型化當(dāng)1個(gè)像素尺寸變大時(shí)，在顯示中間灰度時(shí)，亮子像素與暗子像素的交錯(cuò)格子狀的排列被辨認(rèn)為顯示的不光滑的問題。
另外，在2分割結(jié)構(gòu)中，通過使2個(gè)子像素的V-T曲線(電壓-亮度(顯示灰度等級(jí))曲線)重疊，將T/特性的視野角依存性平均化，因此斜視野角中的T/特性曲線不會(huì)平滑地變化，產(chǎn)生中部變細(xì)的部分。
為此，當(dāng)從斜視野角觀察顯示圖像時(shí)，存在不自然地被觀察的問題。
為了解決該問題，將像素分割為3個(gè)以上的子像素，gp，將一個(gè)像素的V-T曲線由3個(gè)以上相互不同的V-T曲線的重疊表現(xiàn)即可。在專利文獻(xiàn)3中記載的多像素技術(shù)中，當(dāng)增加像素分割數(shù)時(shí)，可以根據(jù)像素分割數(shù)的增加，使電相互獨(dú)立的輔助電容相對(duì)電壓(CS信號(hào)電壓)的數(shù)增加。
但是，為了準(zhǔn)備電獨(dú)立的輔助電容相對(duì)電壓，導(dǎo)致CS主線的數(shù)量增加，并且驅(qū)動(dòng)電路變復(fù)雜，成本增加。為了使大型的液晶電視機(jī)進(jìn)一步普及，雖然要改善顯示特性，但是降低價(jià)格也很重要，上述方法難以被采用。
本發(fā)明鑒于上述各方面而完成，其目的是提供不會(huì)使具有2分割結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜化，并能夠?qū)崿F(xiàn)3分割以上的分割結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置。
本發(fā)明的液晶顯示裝置，包括排列為具有多個(gè)行和多個(gè)列的矩陣狀的多個(gè)像素；和與上述多個(gè)像素分別相關(guān)聯(lián)的TFT、源極總線、柵極總線和CS總線，上述多個(gè)像素各自具有至少3個(gè)子像素，上述至少3個(gè)子像素分別具有能夠保持相互不同的電壓的液晶電容，通過從上述源極總線、柵極總線和CS總線，對(duì)上述多個(gè)像素分別供給至少在某中間灰度使上述至少3個(gè)子像素內(nèi)的2個(gè)子像素顯示相互不同的亮度的信號(hào)，能夠使上述至少3個(gè)子像素顯示相互不同的亮度。
在某實(shí)施方式中，對(duì)于上述多個(gè)像素各自關(guān)聯(lián)有與上述至少3個(gè)子像素對(duì)應(yīng)的至少3個(gè)TFT、 1個(gè)源極總線、至少1個(gè)柵極總線、和至少2個(gè)CS總線，與上述至少3個(gè)子像素對(duì)應(yīng)的TFT分別具有柵極電極、源極電極和漏極電極。在某實(shí)施方式中，上述至少3個(gè)子像素具有的液晶電容具有至少3個(gè)子像素電極、液晶層、和隔著上述液晶層與上述至少3個(gè)子像素電極相對(duì)的相對(duì)電極，上述相對(duì)電極為上述至少3個(gè)子像素電極所共用的單一的電極。
在某實(shí)施方式中，當(dāng)以上述至少3個(gè)子像素作為第一子像素、第二子像素和第三子像素，以上述至少2個(gè)CS總線作為第一 CS總線和第二 CS總線時(shí)，上述第一子像素具有與上述第一 CS總線連接的輔助電容，上述第二子像素具有與上述第二CS總線連接的輔助電容，上述第三子像素具有與上述第一 CS總線連接的輔助電容、和與上述第二CS總線連接的輔助電容。
在某實(shí)施方式中，上述柵極總線包括第一柵極配線和第二柵極配線，上述第一CS總線包括第一CS配線和第二CS配線，上述第二CS總線包括第三CS配線和第四CS配線。
在某實(shí)施方式中，上述第一柵極配線和第二柵極配線在上述液晶
顯示裝置內(nèi)分支，上述第一 cs配線和第二 cs配線在上述液晶顯示裝置內(nèi)分支，上述第三cs配線和第四cs配線在上述液晶顯示裝置內(nèi)分支。
在某實(shí)施方式中，上述第一子像素、第二子像素和第三子像素沿列方向排列，上述第三子像素配置在上述第一子像素和上述第二子像素之間。
在某實(shí)施方式中，上述第三子像素包括具有與上述第一柵極配線
連接的柵極電極的TFT、和具有與上述第二柵極配線連接的柵極電極的TFT。
在某實(shí)施方式中，上述柵極總線還具有連接上述第一柵極配線和第二柵極配線的連接配線，上述CS總線還具有連接上述第一 CS配線和第二 CS配線的連接配線、和/或連接上述第三CS配線和第四CS配線的連接配線，上述柵極總線的上述連接配線由與上述柵極總線的上述第一柵極配線和第二柵極配線相同的材料形成，上述CS總線的上述連接配線由與上述源極總線相同的材料形成。
在某實(shí)施方式中，上述第三子像素具有的與上述第一 CS總線連接的上述輔助電容的靜電電容值，和與上述第二 CS總線連接的上述輔助電容的靜電電容值大致相等。
在某實(shí)施方式中，在上述第一子像素、第二子像素和第三子像素顯示相互不同的亮度的情況下，上述第三子像素的亮度，比上述第一子像素、第二子像素的一方的亮度高，比另一方的亮度低。上述第三子像素在列方向成條狀設(shè)置。
在某實(shí)施方式中，上述第一子像素和第二子像素沿列方向排列，上述源極總線設(shè)置在上述第一子像素和第二子像素與上述第三子像素之間。
在某實(shí)施方式中，上述第一子像素、第二子像素、第三子像素的
面積比為1:1:1。
在某實(shí)施方式中，上述第三子像素跨越上述柵極總線。在某實(shí)施方式中，上述第三子像素的子像素電極跨越上述柵極總線。
在某實(shí)施方式中，上述第三子像素的子像素電極的跨越上述柵極總線的部分的行方向的長度，比上述第三子像素的子像素電極的行方向的最大的長度短。
在某實(shí)施方式中，上述第三子像素的TFT的漏極電極跨越上述柵極總線。
在某實(shí)施方式中，上述第三子像素的子像素電極具有第一電極和第二電極，上述第三子像素的TFT的漏極電極與上述源極總線平行設(shè)置，上述漏極電極連接上述第三子像素的子像素電極的上述第一電極和上述第二電極。
在某實(shí)施方式中，上述第三子像素的TFT的漏極電極與上述柵極總線重疊的面積，比上述第一子像素和第二子像素的TFT的漏極電極與上述柵極總線重疊的各個(gè)面積小。
在某實(shí)施方式中，上述第一子像素和第二子像素沿列方向排列，上述第三子像素具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，上述源極總線具有在上述第一子像素和第二子像素與上述第三子像素的第一區(qū)域之間設(shè)置的第一源極配線；和在上述第一子像素和第二子像素與上述第三子像素的第二區(qū)域之間設(shè)置的第二源極配線，上述第一子像素和第二子像素的列方向的各自的長度，為上述第三子像素的上述第一區(qū)域和上述第二
21區(qū)域的列方向的各自的長度的一半，上述第一子像素和第二子像素的行方向的長度，為上述第三子像素的上述第一區(qū)域或者上述第二區(qū)域的行方向的長度的大致4倍。
在某實(shí)施方式中，上述第三子像素具有與上述第一區(qū)域和第二區(qū)域?qū)?yīng)的子像素電極，上述第一子像素、第二子像素和第三子像素的
子像素電極分別連接有多個(gè)TFT。
在某實(shí)施方式中，在上述第一源極配線和第二源極配線分別設(shè)置有多個(gè)TFT，上述第三子像素具有與上述第一區(qū)域和第二區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置的TFT，在上述第三子像素的上述第一區(qū)域和第二區(qū)域設(shè)置的TFT的漏極電極各自的面積，比第一子像素和第二子像素的TFT的漏極電極各自的面積小。
在某實(shí)施方式中，上述第一子像素和第二子像素分別具有多個(gè)TFT，在上述第一區(qū)域和第二區(qū)域中設(shè)置的TFT各自的數(shù)量，比上述第一子像素和第二子像素的TFT各自的數(shù)量少。
在某實(shí)施方式中，上述第一子像素在上述某中間灰度在上述至少3個(gè)子像素內(nèi)呈現(xiàn)最亮的亮度，上述第二子像素和第三子像素的至少一
方，具有以夾著上述第一子像素的方式配置的2個(gè)區(qū)域。
在某實(shí)施方式中，上述第二子像素和第三子像素的上述至少一方，
具有在上述2個(gè)區(qū)域連續(xù)的子像素電極。
在某實(shí)施方式中，在上述2個(gè)區(qū)域連續(xù)的子像素電極為環(huán)狀。在某實(shí)施方式中，在上述2個(gè)區(qū)域連續(xù)的子像素電極為〕字狀。在某實(shí)施方式中，上述第二子像素和第三子像素的上述至少一方，
具有與上述2個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的2個(gè)子像素電極，上述2個(gè)子像素電極通
過連接在該子像素相關(guān)聯(lián)的TFT的漏極電極的漏極引出配線相互連接。
在某實(shí)施方式中，具有與上述3個(gè)TFT的漏極電極分別連接的3個(gè)漏極引出配線，上述第一 CS總線和第二 CS總線的至少一方具有延伸設(shè)置部，上述延伸設(shè)置部隔著絕緣層與上述至少3個(gè)子像素電極和上述3個(gè)漏極引出配線的至少1個(gè)重疊。
在某實(shí)施方式中，上述第一 CS總線和第二 CS總線的上述至少一方具有的上述延伸設(shè)置部包括環(huán)狀部。
22在某實(shí)施方式中，在上述至少3個(gè)子像素電極內(nèi)的相互相鄰的子像素電極間的間隙，配置有選自上述漏極引出配線、上述源極總線、
上述第一 CS總線和第二 CS總線內(nèi)的至少一個(gè)配線的一部分。
在某實(shí)施方式中，具有垂直取向型的液晶層，上述至少3個(gè)子像素電極內(nèi)的上述相互相鄰的子像素電極間的上述間隙，包括沿相對(duì)于列方向大約45。的方向延伸的間隙。
在某實(shí)施方式中，上述第一子像素、第二子像素和第三子像素配置在上述第一 CS總線和第二 CS總線之間，上述第一 CS總線和第二CS總線分別與列方向上相鄰的像素的輔助電容連接。
在某實(shí)施方式中，上述第一子像素、第二子像素和第三子像素的子像素電極的各自沿列方向的2個(gè)邊的長度大致相等。
在某實(shí)施方式中，上述至少1個(gè)柵極總線具有第一柵極配線和第二柵極配線，上述第三子像素包括具有與上述第一柵極配線連接的柵極電極的TFT、和具有與上述第二柵極配線連接的柵極電極的TFT，上述第三子像素的2個(gè)TFT的漏極電極分別與2個(gè)漏極引出配線連接，上述2個(gè)漏極引出配線分別與上述至少1個(gè)柵極總線交叉。
在某實(shí)施方式中，上述至少1個(gè)柵極總線具有柵極配線，上述第三子像素包括分別具有與上述柵極配線連接的柵極電極的2個(gè)TFT，上述第三子像素的2個(gè)TFT的漏極電極，分別與2個(gè)漏極引出配線連接，上述第三子像素的子像素電極跨越上述柵極總線。
在某實(shí)施方式中，上述第三子像素的子像素電極具有第一電極、第二電極、和將上述第一電極和第二電極連接的連接部，上述連接部的行方向的長度比上述第一電極、第二電極的上述行方向的長度短。
在某實(shí)施方式中，上述第三子像素的子像素電極的連接部設(shè)置在上述像素的行方向的中央附近。
在某實(shí)施方式中，上述第一子像素的TFT和上述第三子像素的一個(gè)TFT的柵極電極，和/或上述第二子像素的TFT和上述第三子像素的另一個(gè)TFT的柵極電極，作為柵極電極部一體地設(shè)置，并與上述柵極總線連接，上述第一子像素和第二子像素的TFT各自的漏極電極，與上述柵極電極部和上述柵極總線重疊。
在某實(shí)施方式中，上述2個(gè)漏極引出配線與上述第一 CS總線和第
23二CS總線分別重疊，上述第一子像素和第二子像素的子像素電極，不
與上述2個(gè)漏極引出配線與上述第一 CS總線和第二 CS總線重疊的區(qū) 域重疊。
在某實(shí)施方式中，上述第三子像素的子像素電極分別通過接觸孔與上述2個(gè)漏極引出配線連接，上述2個(gè)漏極引出配線分別具有與上述第一 CS總線和第二 CS總線重疊的輔助電容電極。
在某實(shí)施方式中，上述至少1個(gè)柵極總線具有第一柵極配線和第二柵極配線，上述第三子像素包括具有與上述第一柵極配線或者上述第二柵極配線連接的柵極電極的TFT。
在某實(shí)施方式中，上述第三子像素的TFT的漏極電極與漏極引出配線連接，上述漏極引出配線與上述第一 CS總線和第二 CS總線重疊，上述第一子像素和第二子像素的子像素電極，不與上述漏極引出配線與上述第一 CS總線和第二 CS總線重疊的區(qū)域重疊。
在某實(shí)施方式中，在沿行方向的像素中，按每至少一個(gè)像素使上述第三子像素的TFT的柵極電極與不同的柵極配線連接。
在某實(shí)施方式中，沿行方向相鄰的2個(gè)像素中，一個(gè)像素的第三子像素的TFT的柵極電極與上述第一柵極配線連接，另一個(gè)像素的第三子像素的TFT的柵極電極與上述第二柵極配線連接。
在某實(shí)施方式中，上述第三子像素的TFT的漏極電極的面積，比上述第一子像素和第二子像素的TFT的漏極電極的各個(gè)的面積小。
在某實(shí)施方式中，上述第一子像素、第二子像素和第三子像素的面積相互大致相等。
在某實(shí)施方式中，上述多個(gè)像素分別還具有第四子像素，上述第四子像素具有與上述第一 CS總線連接的輔助電容、和與上述第二 CS 總線連接的輔助電容。
在某實(shí)施方式中，在上述第三子像素中，以與上述第一CS總線連接的輔助電容作為第一輔助電容，以與上述第二 CS總線連接的輔助電容作為第二輔助電容，在上述第四子像素中，以與上述第一CS總線連接的輔助電容作為第三輔助電容，以與上述第二 CS總線連接的輔助電容作為第四輔助電容，上述第一輔助電容的靜電電容值與上述第二輔助電容的靜電電容值不同，上述第三輔助電容的靜電電容值與上述第四輔助電容的靜電電容值不同。
在某實(shí)施方式中，上述源極總線具有第一源極配線和第二源極配線，上述第一子像素和第二子像素，在上述第一源極配線和上述第二源極配線之間沿列方向排列，上述第三子像素相對(duì)于上述第一子像素和第二子像素夾著上述第一源極配線配置，上述第四子像素相對(duì)于上述第一子像素和第二子像素夾著上述第二源極配線配置。
在某實(shí)施方式中，上述第三子像素和第四子像素跨越上述柵極總線。
在某實(shí)施方式中，上述第一子像素、第二子像素、第三子像素和
第四子像素分別具有多個(gè)TFT。
在某實(shí)施方式中，上述第三子像素和第四子像素的子像素電極跨越上述柵極總線。在某實(shí)施方式中，上述第三子像素和第四子像素的子像素電極中跨越上述柵極總線的部分的行方向的長度，比上述第三子像素、第四子像素的子像素電極的行方向的最大長度短。
在某實(shí)施方式中，上述第三子像素和第四子像素的TFT的漏極電極跨越上述柵極總線。
在某實(shí)施方式中，上述第三子像素和第四子像素的子像素電極分別具有2個(gè)電極，上述第三子像素和第四子像素的TFT的漏極電極與上述源極總線平行設(shè)置，上述第三子像素和第四子像素的TFT的漏極電極分別將上述第三子像素和第四子像素的子像素電極的上述2個(gè)電極連接。
在某實(shí)施方式中，上述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素的TFT的漏極電極與上述柵極總線重疊，上述第三子像素和第四子像素的TFT的漏極電極與上述柵極總線重疊的各個(gè)面積，比上述第一子像素和第二子像素的TFT的漏極電極與上述柵極總線重疊的各個(gè)面積小。
在某實(shí)施方式中，上述第一子像素和第二子像素分別具有多個(gè) TFT，上述第三子像素和第四子像素各自的TFT的數(shù)量比上述第一子像素、第二子像素各自的TFT的數(shù)量少。
在某實(shí)施方式中，上述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素的面積相互大致相等。
在某實(shí)施方式中，以上述至少3個(gè)子像素作為第一子像素、第二
子像素和第三子像素，以上述至少2個(gè)CS總線作為第一 CS總線和第二 CS總線，上述第一子像素具有與上述第一 CS總線連接的輔助電容，上述第二子像素具有與上述第二 CS總線連接的輔助電容，上述第三子像素具有與上述至少1個(gè)柵極總線連接的輔助電容。
在某實(shí)施方式中，上述第一子像素、第二子像素和第三子像素設(shè) 置在相鄰的2個(gè)柵極總線之間，上述第一子像素、第二子像素和第三子像素的TFT的柵極電極，與上述2個(gè)柵極總線中的一個(gè)柵極總線連接，上述第一 CS總線和第二 CS總線設(shè)置在上述2個(gè)柵極總線之間，上述第三子像素的輔助電容與上述2個(gè)柵極總線中的另一個(gè)柵極總線連接。
在某實(shí)施方式中，上述第一子像素、第二子像素和第三子像素配置在上述第一 CS總線和第二 CS總線之間，上述第三子像素的輔助電容，與用于選擇在列方向上相鄰的像素的柵極總線連接。
在某實(shí)施方式中，上述多個(gè)像素具有顯示紅色的紅像素、顯示藍(lán) 色的藍(lán)像素和顯示綠色的綠像素，上述藍(lán)像素的單元間隙比上述紅像素或者上述綠像素的單元間隙小。

圖1是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置100的1
像素的等效電路的圖。
圖2是用于說明液晶顯示裝置100的驅(qū)動(dòng)方法的圖，是表示柵極信號(hào)(Gate信號(hào))、CS信號(hào)(輔助電容相對(duì)電壓)、和像素電壓(施加在各子像素的液晶電容的電壓)的波形的圖。
圖3是表示MVA型液晶顯示裝置的y特性的圖表。
圖4是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置100A的像素的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖5是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置100B的像素的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖6是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置100C的像素的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖7是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置100D的像素的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖8是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置200A的像素的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖9是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置200B的像素的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖10是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置200C 的像素的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖11是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置200C' 的像素的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖12是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置200D 的像素的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖13是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的MVA型液晶顯示裝置300B的像素的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖14是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的MVA型液晶顯示裝置300C的像素的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖15 (a)和(b)是表示作為2分割結(jié)構(gòu)(2VT結(jié)構(gòu))的情況下的子像素的排列和7特性的視野角依存性的圖。
圖16 (a)和(b)是表示作為3分割結(jié)構(gòu)(3VT結(jié)構(gòu))的情況下的優(yōu)選子像素的排列和y特性的視野角依存性的圖。
圖17 (a)和(b)是表示作為3分割結(jié)構(gòu)(3VT結(jié)構(gòu))的情況下的其他優(yōu)選子像素的排列和7特性的視野角依存性的圖。
圖18是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置400A 的等效電路的圖。
圖19是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置400B 的等效電路的圖。
圖20 (a)是表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置500A的 TFT基板的示意性平面圖，(b)是表示2分割結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置550 的TFT基板的示意性平面圖。
圖21 (a) (c)分別是用于說明橫陰影的發(fā)生的示意圖。圖22是表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置300D的示意性平面圖。
圖23是表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置300E的示意性平面圖。
圖24是表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置300F的示意性平面圖。
圖25是基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置500B的TFT基板的示意性平面圖。
圖26是基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置500C的TFT基板的示意性平面圖。
圖27是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置500D1
的l像素的等效電路的圖。
圖28是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置500D1 的像素的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖29是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置500D2 的l像素的等效電路的圖。
圖30是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置500D2 的像素的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖31是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置500E 的l像素的等效電路的圖。
圖32是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置500E 的像素的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖33是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置600A 的l像素的等效電路的圖。
圖34是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置600A 的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖35是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置600B 的l像素的等效電路的圖。
圖36是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置600B 的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖37是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置600C
28的l像素的等效電路的圖。
圖38是液晶顯示裝置600C的信號(hào)波形圖。
圖39是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置600C1 的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖40是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置600C2 的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖41是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置600C3 的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖42是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置600C4 的TFT基板上的結(jié)構(gòu)的圖。
圖43是表示4VT結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置的y特性的視野角依存性的圖表。
圖44 (a) (d)分別是表示3VT結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置的視野角特性的圖表。
圖45 (a)和(b)是表示4VT結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置的視野角特性的圖表。
圖46 (a)和(b)是具備基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置的電視接收機(jī)的示意圖。
圖47是用于說明在專利文獻(xiàn)3中記載的液晶顯示裝置900的像素分割結(jié)構(gòu)的圖。
圖48是示意性表示液晶顯示裝置900的1像素的等效電路的圖。圖49 (a) (f)是示意性表示驅(qū)動(dòng)液晶顯示裝置900時(shí)的各電壓的定時(shí)的圖。
圖50是表示液晶顯示裝置900的對(duì)子像素間的液晶層的施加電壓的關(guān)系的圖。符號(hào)說明-10像素
10a、 10b子像素 12掃描線(柵極總線) 14信號(hào)線(源極總線) 16a、 16bTFT
2918a、 18b子像素電極
100、 IOOA、 IOOB、 IOOC、 IOOD、 200A、 200B、 200C、 200C，、 200D、 300B、 300C、 300D、 300E、 300F、 400A、 400B、 500A、 500B、 500C、 500D、 600A、 600B、 600C、 600C1、 600C2、 600C3、 600C4液
晶顯示裝置
llla、 lllb、 111c子像素電極 112柵極總線(G總線) 113 CS總線
114源極總線(S總線) 116a、 116b、 116c TFT
117a、 117b、 117c、 117cl、 117c2、 117dl、 117d2 漏極引出配線 118a、 118b、 118cl、 118c2、 l薩、118d2輔助電容電極 119a、 119b、 119c接觸部 SP-A、 SP-B、 SP-C、 SP-D子像素
TFT畫A、 TFT-A1、 TFT-A2、 TFT隱B、 TFT-B1、 TFT隱B2、 TFT-C、 TFT-Cl 、 TFT-C2、 TFT-D、 TFT-Dl、 TFT-D2薄膜晶體管
CCS-A、 CCS-B、 CCS-C、 CCS-C1、 CCS-2、 CCS-D、 CCS隱Dl、 CCS-D2輔助電容
CLC-A、 QLC陽B、 CLC-C、 CU>D液晶電容
具體實(shí)施例方式
以下，參照

基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置和用于該液晶顯示裝置的TFT基板的結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明并不局限于以下的實(shí)施方式。
圖1是示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置100的1 像素的等效電路的圖。液晶顯示裝置100的各像素具有3個(gè)子像素 SP-A、 SP-B和SP-C，分別與3個(gè)子像素SP-A、 SP-B和SP-C對(duì)應(yīng)的 3個(gè)TFT-A、 TFT-B和TFT-C、 1個(gè)源極總線(S總線)、1個(gè)柵極總線 (G總線)、2個(gè)CS總線CS-A和CS-B與各像素相關(guān)聯(lián)。
與圖48表示的現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置900的等效電路相比較可以明白，液晶顯示裝置100的1個(gè)像素具有3個(gè)子像素SP-A、 SP-B和SP-C，而與液晶顯示裝置100的像素對(duì)應(yīng)的部分以外的結(jié)構(gòu)，即，G 總線、S總線和CS總線的數(shù)目與液晶顯示裝置900相同，供給與此相對(duì)應(yīng)的信號(hào)(電壓)的驅(qū)動(dòng)電路(未圖示)的結(jié)構(gòu)也與液晶顯示裝置 900相同。像這樣，液晶顯示裝置100能夠不使現(xiàn)有技術(shù)的具有2分割結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置900的驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜化，而實(shí)現(xiàn)3分割結(jié)構(gòu)。因此，依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，能夠抑制成本的上升，同時(shí)改善顯示品質(zhì)(尤其是y特性的視野角依存性)。
液晶顯示裝置100中的2個(gè)子像素SP-A禾n SP-B與TFT-A和 TFT-B、 G總線、S總線以及2根相互電獨(dú)立的CS總線之間的連接關(guān) 系，與液晶顯示裝置900完全相同(為了簡化而省略說明)。相對(duì)于液晶顯示裝置900附加的第三子像素SP-C按照如下方式連接。
子像素SP-C具有液晶電容CLC-C、 2個(gè)輔助電容CCS-C1和 CCS-C2。液晶電容CLC-C的一個(gè)電極(子像素電極)與TFT-C的漏極電極連接，輔助電容CCS-C1和CCS-C2各自的一個(gè)電極(輔助電容電極)也與TFT-C的漏極電極連接。TFT-C與其它的TFT-A和TFT-B 同樣地，柵極電極與共用的G總線連接，源極電極與S總線連接。液晶電容CLC-C的另一個(gè)電極(相對(duì)電極)由與其它的液晶電容CLC-A 和CLC-B共用的相對(duì)電極構(gòu)成。輔助電容CCS-C1的另一個(gè)電極(輔助電容相對(duì)電極)與CS總線CS-A連接，輔助電容CCS-C2的另一個(gè) 電極(輔助電容相對(duì)電極)與CS總線CS-B連接。因此，施加在液晶電容CLC-C的電壓，通過2個(gè)輔助電容CCS-C1和CCS-C2，受到基于CS總線CS-A的上拉(或下壓)和基于CS總線CS-B的下壓(或上拉)兩方的作用，成為被施加在液晶電容CLC-A的有效電壓和被施加在液晶電容CLC-B的有效電壓的中間的值。
此外，在此，1個(gè)G總線針對(duì)3個(gè)TFT共用地連接，但是并不局限于此，也可以在各TFT設(shè)置1個(gè)G總線等，與各像素相關(guān)聯(lián)的G總線為多個(gè)。
圖2是用于說明液晶顯示裝置100的驅(qū)動(dòng)方法的圖，是表示柵極信號(hào)(Gate信號(hào))、CS信號(hào)(輔助電容相對(duì)電壓)、從S總線供給的信號(hào)電壓(=源極信號(hào)、S信號(hào))和像素電壓(對(duì)各子像素的液晶電容施加的電壓=各子像素的子像素電極的電壓)的波形的圖。另外，圖中的虛線表示相對(duì)電極的電壓波形COMMON (Vcom)。在某柵極總線(這里Gate: 001)中，當(dāng)柵極信號(hào)從低切換為高時(shí)信號(hào)電壓被寫入各個(gè)子像素。如上所述，被寫入各個(gè)子像素的信號(hào)電壓，分別受到上拉的作用、下壓的作用和上拉與下壓兩方的作用，各子像素電極的電壓成為 VClc-A、 VClc-B、 VClc-C所示的波形。此外，在此為了方便，忽視由各TFT的寄生電容等的影響產(chǎn)生的饋通電壓。表示像素的施加電壓的波形的圖中的點(diǎn)劃線表示子像素電極的有效電壓。由于VClc-C波形沒有變動(dòng)，所以有效電壓與VClc-C的波形相同。
舉例表示在一垂直掃描期間(這里與輸入視頻信號(hào)的幀相同)信號(hào)電壓的極性反轉(zhuǎn)，并且，在行方向和列方向相鄰的像素間的極性相反的典型的點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的情況。表示在關(guān)注的像素中，在n幀(nF) 寫入正極性，在n+l幀(n+lF)寫入負(fù)極性的情況。在此只要沒有特別表示，所謂"一垂直掃描期間"并不是由輸入視頻信號(hào)規(guī)定的期間，而是針對(duì)液晶顯示裝置規(guī)定的期間，是對(duì)某像素從供給信號(hào)電壓到再次供給信號(hào)電壓為止的期間。例如，NTSC信號(hào)的1幀為33.3ms，一般地在液晶顯示裝置中在NTSC信號(hào)的1/2幀=1場(chǎng)(16.7ms)的期間內(nèi)對(duì)全部的像素進(jìn)行信號(hào)電壓的寫入，16.7ms為液晶顯示裝置的一垂直掃描期間。并且為了改善響應(yīng)特性的目的等進(jìn)行倍速驅(qū)動(dòng)的情況下，液晶顯示裝置的一垂直掃描期間進(jìn)一步變?yōu)橐话爰?.3ms。另外，所謂供給各像素的"信號(hào)電壓"，并不局限于與應(yīng)該顯示的灰度等級(jí)對(duì)應(yīng)的電壓(灰度等級(jí)電壓)，也包括用于改善響應(yīng)特性的過沖電壓、用于模擬脈沖驅(qū)動(dòng)(黑插入驅(qū)動(dòng))的黑顯示電壓等供給到像素的全部的電壓。
由于在n幀為正極性寫入，所以在被供給在緊接?xùn)艠O信號(hào)下降之后的CS信號(hào)的振幅增大的VCS-A的液晶電容CLC-A上施加的有效電壓，受到基于CS電壓的上拉作用而增大，由液晶電容CLC-A構(gòu)成的子像素SP-A成為亮子像素。另一方面，在被供給在緊接?xùn)艠O信號(hào)下降之后的CS信號(hào)的振幅減少的VCS-B的液晶電容CLC-B上施加的有效電壓，受到基于CS電壓的下壓作用而減小，由液晶電容CLC-B構(gòu)成的子像素SP-B成為暗子像素。
被施加在液晶電容CLC的有效電壓，由于受到VCS-A的上拉作用和VCS-B的下壓作用兩方，所以成為被施加在液晶電容CLC-A的
32有效電壓和被施加在液晶電容CLC-B的有效電壓的中間的值，由液晶電容CLC-C構(gòu)成的子像素SP-C成為呈現(xiàn)中間的亮度的子像素(也有被成為中子像素的情況)。在此，舉例表示子像素SP-C具有的2個(gè)輔助電容CCS-C1和CCS-C2的靜電電容值相互相等的情況，在該情況下， VCS-A和VCS-B的作用相互抵消，對(duì)液晶電容CLC-C施加與信號(hào)電壓相等的電壓。此外，在像這樣對(duì)液晶電容CLC-C施加與信號(hào)電壓相等的電壓的情況下，使子像素SP-C的輔助電容僅為l個(gè)，并且，使該輔助電容為基于柵極(on-gate)結(jié)構(gòu)，即使用G總線代替CS總線的結(jié)構(gòu)，則能夠不使驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜化也能夠獲得同樣的效果。
本實(shí)施方式并不限定于此，通過適當(dāng)設(shè)定輔助電容CCS-C1和 CCS-C2的值，能夠使子像素SP-C呈現(xiàn)的亮度接近子像素SP-A的亮度，也能夠使子像素SP-C呈現(xiàn)的亮度接近子像素SP-B的亮度。此外，從T/特性的視野角依存性的觀點(diǎn)出發(fā)，如后文所述，優(yōu)選使子像素SP-C 的亮度在子像素SP-A的亮度與子像素SP-B的亮度中間，并且，子像素SP-A、 B和C的面積相互相等(參照?qǐng)D17)。在此，當(dāng)子像素SP-C 呈現(xiàn)的亮度接近亮子像素的亮度時(shí)，能夠使對(duì)比度提高，當(dāng)子像素SP-C 呈現(xiàn)的亮度接近暗子像素的亮度時(shí)，尤其能夠改善低灰度等級(jí)的y特性的視野角依存性。
另外，根據(jù)上述說明可知，如果設(shè)置2個(gè)具有2個(gè)輔助電容的子像素SP-C，適當(dāng)設(shè)定2個(gè)子像素SP-C具有的2個(gè)輔助電容的靜電電容值，則能夠形成呈現(xiàn)相互不同的4個(gè)亮度的4個(gè)子像素。例如，在圖1中，追加與子像素SP-C電等效的子像素SP-D。 SP-D與SP-C同樣地，具有液晶電容CLC-D和2個(gè)輔助電容CCS-D1和CCS-D2。在此，在子像素SP-C中，調(diào)整輔助電容CCS-C1和CCS-C2的靜電電容值以上拉作用(或者下壓作用)作為優(yōu)勢(shì)，在子像素SP-D中，調(diào)整輔助電容CCS-D1和CCS-D2的靜電電容值以下壓作用(或者上拉作用) 作為優(yōu)勢(shì)，由此能夠得到呈現(xiàn)4個(gè)不同亮度的子像素。像這樣，如果設(shè)置呈現(xiàn)4個(gè)不同亮度的子像素，則能夠進(jìn)一步改善T/特性的視野角依存性。以下，說明作為本發(fā)明的最基本的實(shí)施方式的具有3分割結(jié) 構(gòu)的液晶顯示裝置。
圖3是表示MVA型液晶顯示裝置的T/特性的圖表，分別表示無像素分割(曲線LO)、 2分割結(jié)構(gòu)(曲線L2)、 3分割結(jié)構(gòu)(L=3)的在右60°視野角的T/曲線以及理想的y曲線(Ll)?？芍狹VA型液晶顯示裝置的傾斜視野角的y曲線向高亮度側(cè)偏移的問題利用像素分割驅(qū) 動(dòng)而改善。另外，3分割結(jié)構(gòu)的y曲線L3比2分割結(jié)構(gòu)的y曲線L2 更加接近理想的y曲線，視野角特性更加良好。而且，2分割結(jié)構(gòu)的7 曲線L2在100/255灰度等級(jí)附近的變化不平滑，與此相對(duì)，3分割結(jié) 構(gòu)的y曲線L3在全部灰度等級(jí)范圍平滑地變化。
此外，關(guān)于全部灰度等級(jí)，不必一定使對(duì)液晶電容施加的有效電壓不同，在最低灰度等級(jí)(黑顯示狀態(tài))和最高灰度等級(jí)(白顯示狀態(tài))，對(duì)各液晶電容施加相同電壓，顯示相同亮度(灰度等級(jí))也可以。另外，特別是僅在T/特性的視野角依存性較大的區(qū)域(比某中間灰度 (例如100/255灰度等級(jí))低的區(qū)域)中，也可以進(jìn)行多像素驅(qū)動(dòng)。
接著，參照?qǐng)D4 圖7說明基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置的像素分割結(jié)構(gòu)和子像素的配置。圖4 圖7是示意性表示1像素結(jié)構(gòu) 的等效電路和子像素的配置的圖。此外，子像素的配置并不局限于例示的方式，能夠有各種改變。圖4 圖7表示的等效電路加上了空間的配置，但是電連接關(guān)系與圖l所示的等效電路相同。
在圖4 圖7中，示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置具有的行列狀排列的像素中，m行n列的像素的TFT基板上的結(jié)構(gòu)。在以下的附圖中，存在對(duì)于共同的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注共同的參照符號(hào)省略詳細(xì)說明的情況。在此，所謂"像素"是指液晶顯示裝置進(jìn)行顯示的最小單位，在彩色顯示裝置的情況下，與顯示各個(gè)色(典型的是R、 G 或者B)的"圖像元素(或者像點(diǎn))"相對(duì)應(yīng)。
圖4中表示的液晶顯示裝置100A的像素中，子像素SP-A、 SP-C 和SP-B按照列方向依次排列。S卩，按照子像素的亮度順序(這里為從上開始按照降序)排列。在下一幀中也維持該亮度關(guān)系(像素內(nèi)的子像素的亮度次序)，并且對(duì)各子像素的液晶電容施加的電壓的極性反轉(zhuǎn)，所以能夠防止長期間施加DC電壓。此外，也可以調(diào)整VCS-A和 VCS-B的信號(hào)波形，使得子像素SP-A和SP-B的亮度次序調(diào)換，這時(shí)
也按照子像素的亮度順序(這里為從上開始按照升序)排列不改變。如圖4所示，第一子像素SP-A與由第一子像素電極llla規(guī)定的區(qū)域相對(duì)應(yīng)形成，第二子像素SP-B與由第二子像素電極lllb規(guī)定的
區(qū)域相對(duì)應(yīng)形成，第三子像素SP-C與由第三子像素電極lllc規(guī)定的
區(qū)域相對(duì)應(yīng)形成。
(m， n)像素通過與G總線112 (m)和S總線114 (n)連接的 TFT116a、 116b和116c驅(qū)動(dòng)。TFT116a的漏極電極通過漏極引出配線 117a與第一子像素電極llla連接。TFT116b的漏極電極通過漏極引出配線117b與第二子像素電極111b連接，TFT116c的漏極電極通過漏極引出配線117c與第三子像素電極lllc連接。子像素電極llla、 lllb 和lllc通過液晶層(未圖示)和隔著液晶層相對(duì)地配置的共用的相對(duì) 電極(未圖示)，構(gòu)成液晶電容。即，第一子像素電極llla構(gòu)成圖1 中的CLC-A，第二子像素電極lllb構(gòu)成CLC-B，第三子像素電極lllc 構(gòu)成CLC-C。相對(duì)電極共用地設(shè)置在多個(gè)像素，典型的為相對(duì)于全部像素共用，但是也可以根據(jù)需要分割為多個(gè)。
在m行的像素內(nèi)，通過有2根CS總線(=輔助電容配線)CS-A 和CS-B。第一子像素SP-A具有一個(gè)輔助電容CSA(圖1中的CCS-A)。輔助電容CSA的一個(gè)電極(輔助電容相對(duì)電極)與CS總線CS-A連接，另一個(gè)電極(輔助電容電極)與漏極引出配線117a連接。由這一對(duì)電極和這一對(duì)電極之間的絕緣層(例如柵極絕緣層)構(gòu)成輔助電容 CSA。同樣地，第二子像素SP-B具有1個(gè)輔助電容CSB (圖1中的 CCS-B)。輔助電容CSB的一個(gè)電極(輔助電容相對(duì)電極)與CS總線 CS-B連接，另一個(gè)電極(輔助電容電極)與漏極引出配線117b連接。由這一對(duì)電極和這一對(duì)電極之間的絕緣層(例如柵極絕緣層)構(gòu)成輔助電容CSB。相對(duì)于此，第三子像素SP-C具有2個(gè)輔助電容CSC-1 和CSC-2 (圖1中的CCS-C1和CCS-C2)。輔助電容CSC-1的一個(gè)電極(輔助電容相對(duì)電極)與CS總線CS-A連接，輔助電容CSC-2的一個(gè)電極(輔助電容相對(duì)電極)與CS總線CS-B連接。輔助電容CSC-1 和CSC-2的另一個(gè)電極(輔助電容電極)均與漏極引出配線117c連接。由這兩對(duì)電極和這兩對(duì)電極各自的之間的絕緣層(例如柵極絕緣層) 構(gòu)成輔助電容CSC-1和CSC-2。
接著，說明圖5所示的液晶顯示裝置100B的像素分割結(jié)構(gòu)。液晶顯示裝置100B的像素，3個(gè)子像素SP-A、 SP-B和SP-C內(nèi)的SP-B和SP-C分別具有2個(gè)區(qū)域(SP-B1與SP-B2和SP-C1和SP-C2)，
并且，各個(gè)子像素的2個(gè)區(qū)域以夾著第一子像素SP-A的方式配置。在列方向上，按照SP-B2 (暗子像素)、SP-C2 (中子像素)、SP-A (亮子像素)、SP-C1 (中子像素)和SP-B1 (暗子像素)的順序排列，在下一幀中也維持該亮度的關(guān)系(像素內(nèi)的子像素的亮度次序)，并且施加在各子像素的液晶電容的電壓的極性反轉(zhuǎn)，所以能夠防止長期間施加 DC電壓。此外，也可以調(diào)整VCS-A和VCS-B的信號(hào)波形使得SP-A 與SP-B1和SP-B2的亮度次序調(diào)換。
第二子像素的2個(gè)區(qū)域SP-B1和SP-B2分別與2個(gè)子像素電極 lllbl和111b2相對(duì)應(yīng)形成，它們通過漏極引出配線117bb相互連接，漏極引出配線117bb通過漏極引出配線117b與TFT116b的漏極電極連接。同樣地，第三子像素的2個(gè)區(qū)域SP-C1和SP-C2分別與2個(gè)子像素電極lllcl和111c2相對(duì)應(yīng)形成，它們通過漏極引出配線117cc相互連接，漏極引出配線117cc通過漏極引出配線117c與TFT116c的漏極電極連接。
其它的連接關(guān)系與上述的液晶顯示裝置IOOA相同所以省略說明。液晶顯示裝置100B的像素中的第二子像素的2個(gè)區(qū)域SP-B1和SP-B2 相互等效，并且與液晶顯示裝置100A的第二子像素SP-B等效。另外，液晶顯示裝置100B的像素中的第三子像素的2個(gè)區(qū)域SP-C1和SP-C2 相互等效，并且與液晶顯示裝置100A的第三子像素SP-C等效。
如液晶顯示裝置IOOB那樣，通過進(jìn)一步將子像素空間地分割，在像素內(nèi)呈現(xiàn)不同亮度的區(qū)域進(jìn)一步被細(xì)化，所以抑制圖像的不光滑，提高均勻性。尤其是，在大型的液晶顯示裝置(例如50型以上)中由于像素尺寸大，當(dāng)采用多像素結(jié)構(gòu)時(shí)，存在像素內(nèi)的亮度分布被感覺到不光滑的情況，本發(fā)明為了防止該情況是有效的。
接著，說明如圖6所示的液晶顯示裝置100C的像素分割結(jié)構(gòu)。
液晶顯示裝置100C的像素，在3個(gè)子像素SP-A、 SP-B和SP-C 內(nèi)的SP-B和SP-C分別具有以夾著第一子像素SP-A的方式配置的2 個(gè)區(qū)域的方面，與圖5所示的液晶顯示裝置100B相同。在液晶顯示裝置100B中，分別構(gòu)成第三子像素的2個(gè)區(qū)域SP-C1和SP-C2的子像素電極lllcl和111c2通過漏極引出配線相互電連接，相對(duì)于此，在液晶顯示裝置iooc中作為1個(gè)〕字狀(u字狀或者馬蹄形狀)的子像素
電極lllc形成的這一方面有所不同。其它方面與液晶顯示裝置100B 相同所以省略說明。
接著，說明圖7所示的液晶顯示裝置100D的像素分割結(jié)構(gòu)。
液晶顯示裝置100D的像素，在3個(gè)子像素SP-A、 SP-B和SP-C 內(nèi)的SP-B和SP-C分別具有以夾著第一子像素SP-A的方式配置的2 個(gè)區(qū)域的方面，與圖5所示的液晶顯示裝置100B和圖6所示的液晶顯示裝置100C相同。并且，在構(gòu)成第三子像素的2個(gè)區(qū)域的子像素電極作為1個(gè)〕字狀的子像素電極lllc形成的方面與圖6所示的液晶顯示裝置100C相同。在液晶顯示裝置100C中，分別構(gòu)成第二子像素的2 個(gè)區(qū)域SP-B1和SP-B2的子像素電極lllbl和111b2通過漏極引出配線相互電連接，與此相對(duì)，在液晶顯示裝置100D中作為1個(gè)〕字狀的子像素電極lllb形成的這一方面有所不同。其它方面與液晶顯示裝置 IOOC相同所以省略說明。
如液晶顯示裝置100C和100D那樣，將子像素分割為2個(gè)區(qū)域時(shí)，通過將子像素電極形成為〕字狀，能夠使漏極引出配線的圍繞簡單。另外，在此，舉例表示了將第二子像素電極lllb和第三子像素電極lllc 形成為〕字狀的電極的例子，但是并不限定于此，如后文所述，也可以形成為環(huán)狀(口字狀或者有棱角的O字狀)的電極。當(dāng)形成環(huán)狀的電極時(shí)，能夠容易地調(diào)整寄生電容(例如Csd)。
接著，參照?qǐng)D8 圖12，說明基于本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的具體結(jié)構(gòu)。圖8 圖12示意性地表示m行n列和m行n+l列的2 個(gè)像素的TFT基板上的結(jié)構(gòu)。進(jìn)行典型的點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的情況下，在m 行n列(以下記作(m， n))的像素中信號(hào)電壓以正極性(將相對(duì)電壓作為基準(zhǔn)時(shí)的極性)寫入時(shí)，(m， n+l)像素以負(fù)極性被寫入。這時(shí)， (m， n)像素的子像素SP-A成為亮子像素，子像素SP-B成為暗子像素、子像素SP-C成為中子像素的情況下，能夠按照(m， n+l)像素的子像素SP-A成為暗子像素，子像素SP-B成為亮子像素、子像素SP-C 成為中子像素的方式驅(qū)動(dòng)。
如圖8所示的液晶顯示裝置200A，與圖4表示的液晶顯示裝置 IOOA以相同等效電路表示，子像素的配置也相同。
37關(guān)注(m， n)像素。(m， n)像素通過與柵極總線112 (m)和源極總線114 (n)連接的TFT116a、 116b和116c驅(qū)動(dòng)。TFT116a的漏極電極通過漏極引出配線117a在接觸部119a與第一子像素電極llla連接。TFT116b的漏極電極通過漏極引出配線117b在接觸部119b與第二子像素電極lllb連接，TFT116c的漏極電極通過漏極引出配線117c 在接觸部119cl和119c2與第三子像素電極lllc連接。子像素電極 llla、 lllb禾tUllc，通過液晶層(未圖示)、和隔著液晶層相對(duì)地配置的相對(duì)電極(未圖示)，分別構(gòu)成液晶電容CLC-A、 CLC-B禾QCLC-C (參照?qǐng)D1)。
在此，源極總線114 (n)與n列的子像素電極llla、 lllb和lllc 部分地重疊。以能夠?qū)⒃礃O總線114 (n)與子像素電極llla、 lllb和 lllc之間的寄生電容(Csd)充分地減小的方式，在它們之間設(shè)置由樹脂形成的層間絕緣膜、例如2.5|im左右的丙烯酸類樹脂。換言之，通過設(shè)置層間絕緣膜，能夠?qū)崿F(xiàn)將子像素電極llla、 lllb和lllc以與源極總線114 (n)重疊的方式設(shè)置，能夠提高像素開口率。
TFT116a、 116b和116c具有底柵結(jié)構(gòu)，分別具有作為柵極總線112 (m)的延伸設(shè)置部形成的柵極電極、在其上形成的半導(dǎo)體層、和在半導(dǎo)體層的源極和漏極區(qū)域形成的源極電極和漏極電極。源極電極作為源極總線114 (n)的延伸設(shè)置部形成。TFT116a、 116b和116c的漏極電極分別與漏極引出配線117a、 117b和117c—體地形成。以覆蓋它們全部的方式設(shè)置有層間絕緣膜(未圖示)，在層間絕緣膜上形成有子像素電極llla、 lllb和lllc。在形成于層間絕緣膜的接觸孔內(nèi)的接觸部 119a連接有漏極引出配線117a和子像素電極llla，在接觸部11%連接有漏極引出配線117b和子像素電極lllb，在接觸孔119cl和119c2 連接有漏極引出配線117c和子像素電極lllc。
接著，說明(m， n)像素中的輔助電容的結(jié)構(gòu)。在m行的像素內(nèi)，通過有2根CS總線(=輔助電容配線)113-1禾卩113-2。 CS總線113-1 與圖4 (或者圖1)中的CS總線CS-A對(duì)應(yīng)，CS總線113-2與CS總線CS-B對(duì)應(yīng)。
子像素SP-A的輔助電容(圖4中的CSA)，在漏極引出配線117a 與CS總線113-1重疊的部分(接觸部119a附近)形成。子像素SP-B的輔助電容(圖4中的CSB)，在漏極引出配線117b與CS總線113-2 重疊的部分(接觸部119b附近)形成。
子像素SP-C具有2個(gè)輔助電容(圖4中的CSC-l和CSC-2)。輔助電容CSC-1在漏極引出配線117c與CS總線113-1重疊的部分(接觸部119c2附近)形成，輔助電容CSC-2在漏極引出配線117c與CS 總線113-2重疊的部分(接觸部119cl附近)形成。CS總線113-1和 113-2均與柵極總線112 (m)形成在相同導(dǎo)電層，由柵極絕緣膜(未圖示)覆蓋。輔助電容CSC-l和CSC-2的電介質(zhì)層均為柵極絕緣膜，輔助電容CSC-1和CSC-2的電容值分別與電極的面積成比例。在此，如圖8所示，輔助電容CSC-1和CSC-2的電容值相互幾乎相等。
如圖9所示的液晶顯示裝置200B，由與圖5所示的液晶顯示裝置 100B相同的等效電路表示，子像素的配置也相同。液晶顯示裝置200B 的像素，3個(gè)子像素SP-A、 SP-B和SP-C內(nèi)的SP-B和SP-C分別具有 2個(gè)區(qū)域(SP-B1與SP-B2，和SP-C1與SP-C2)，并且各個(gè)子像素的2 個(gè)區(qū)域以夾著第一子像素SP-A的方式配置。以下，說明與液晶顯示裝置200A不同的第二子像素SP-B和第三子像素SP-C的結(jié)構(gòu)。
第二子像素的2個(gè)區(qū)域SP-B1和SP-B2分別與2個(gè)子像素電極 lllbl和111b2對(duì)應(yīng)形成。子像素電極lllbl在接觸部119bl中與漏極引出配線117b連接，子像素電極111b2在接觸部119b2與漏極引出配線117b連接。第三子像素的2個(gè)區(qū)域SP-C1和SP-C2分別與2個(gè)子像素電極lllcl和111c2對(duì)應(yīng)形成。子像素電極lllcl在接觸部119cl與漏極引出配線117c連接，子像素電極111c2與接觸部119c2與漏極引出配線117c連接。
另夕卜，2個(gè)CS總線113-1和113-2分別具有環(huán)狀部和非環(huán)狀部。 CS總線113-1和113-2的環(huán)狀部以不與源極總線114 (n)和114 (n+l) 重疊的方式形成在它們的內(nèi)側(cè)。CS總線113-1和113-2的非環(huán)狀部，與在行方向上相鄰的像素間存在的源極總線交叉，將在行方向上相鄰的環(huán)狀部相互連接。在CS總線113-2的環(huán)狀部的內(nèi)側(cè)存在的子像素電極lllcl的部分對(duì)子像素SP-C1的顯示發(fā)揮作用，在CS總線113-1的環(huán)狀部的內(nèi)側(cè)存在的子像素電極111c2的部分對(duì)子像素SP-C2的顯示發(fā)揮作用。另外，2個(gè)CS總線113-1和113-2的環(huán)狀部，在相鄰的子像素間也存在，也起到對(duì)該區(qū)域遮光的功能。
子像素SP-A的輔助電容，在總線113-1的環(huán)狀部和漏極引出配線 117a重疊的區(qū)域(接觸部119a附近)形成。子像素SP-B的輔助電容，在總線113-2的環(huán)狀部與漏極引出配線117b重疊的區(qū)域形成。但是，當(dāng)觀察(m， n+l)像素時(shí)，子像素SP-A的輔助電容，在總線113-2 的環(huán)狀部與漏極引出配線117a重疊的區(qū)域形成，子像素SP-B的輔助電容(相對(duì)于SP-B1和SP-B2為1個(gè)輔助電容)，在總線113-1的環(huán)狀部與漏極引出配線117b重疊的區(qū)域形成。通過以這樣的方式配置，在進(jìn)行點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的情況下，也能夠使(m， n)像素與(m， n+l)像素中的子像素的亮度的次序相同。這一情況，例如在(m， n)像素中使 SP-A為亮子像素的情況下，在(m， n+l)像素中也能夠使SP-A為亮子像素，所以能夠抑制由于比較容易被識(shí)別的亮子像素的位置在每個(gè) 像素中不同而存在圖像的不光滑被感受到的情況。
此外，漏極引出配線117a和117b，按照與2個(gè)CS總線113-1和 113-2的非環(huán)狀部分別交叉相同次數(shù)的方式配置，將對(duì)形成輔助電容的部分以外的電容的作用抵消。另外，子像素SP-C的2個(gè)輔助電容內(nèi)的一方，在CS總線113-1與漏極引出配線117c重疊的區(qū)域(接觸部119c2 附近)形成，另一方在CS總線113-2與漏極引出配線117c重疊的區(qū) 域(接觸部119cl附近)形成。在此，子像素SP-C的2個(gè)輔助電容的靜電電容值也設(shè)定為幾乎相同。
如圖10所示的液晶顯示裝置200C，以與圖6所示的液晶顯示裝置100C相同的等效電路表示，子像素的配置也相同。如果與圖9所示的液晶顯示裝置200B相比較，則不同點(diǎn)是在液晶顯示裝置200B中，將分別構(gòu)成第三子像素SP-C的2個(gè)區(qū)域SP-C1和SP-C2的子像素電極 lllcl和111c2通過漏極引出配線117c相互電連接，與此相對(duì)，在液晶顯示裝置200C中是作為1個(gè)〕字狀(U字狀或者馬蹄形狀)的子像素電極lllc形成。另外，〕字狀的子像素電極lllc中的連接2個(gè)區(qū)域的部分和子像素電極llla的間隙，按照通過漏極引出配線117a遮光的方式構(gòu)成。
圖11所示的液晶顯示裝置200C'，在將圖10中所示的液晶顯示裝置200C中的〕字狀的子像素電極lllc形成為環(huán)狀(口字狀或者有棱
40角的O字狀)的子像素電極lllc的這一方面有所不同。環(huán)狀的子像素電極111 c和在其開口部內(nèi)配置的子像素電極111 a的間隙，按照通過漏極引出配線117a和117b遮光的方式構(gòu)成。當(dāng)子像素電極111c構(gòu)成為環(huán)狀時(shí)，與將子像素電極lllc構(gòu)成為〕字狀相比，能夠得到容易調(diào)整源極/漏極間的寄生電容(Csd)的優(yōu)點(diǎn)。
圖12所示的液晶顯示裝置200D為圖7所示的液晶顯示裝置100D 的變形例，與將液晶顯示裝置100D的〕字狀的子像素SP-C改變?yōu)榄h(huán) 狀的例子相對(duì)應(yīng)。當(dāng)與圖11所示的液晶顯示裝置200C'相比較時(shí)，則不同點(diǎn)是在液晶顯示裝置200C'中，將分別構(gòu)成第二子像素SP-B的2 個(gè)區(qū)域SP-B1和SP-B2的子像素電極lllbl和111b2通過漏極引出配線117b相互電連接，與此相對(duì)，在液晶顯示裝置200D中是作為1個(gè) 環(huán)狀的子像素電極lllb形成。另外，子像素電極lllb和子像素電極 111c的間隙，以通過源極總線114 (n)和114 (n+1)遮光的方式構(gòu)成。
接著，參照?qǐng)D13和圖14，說明基于本發(fā)明的實(shí)施方式的MVA型的液晶顯示裝置的具體的結(jié)構(gòu)。MVA型的液晶顯示裝置，如大家所熟知的那樣，為使用介電各向異性為負(fù)的向列液晶材料的垂直取向模式，在各像素內(nèi)，具有電壓施加時(shí)的液晶分子的取向方向相互不同的4個(gè) 方向(任意2個(gè)方向的差大約為90。的倍數(shù))的疇(4分割疇)，以常黑模式進(jìn)行顯示的顯示裝置。此外，MVA型液晶顯示裝置中使用多像素結(jié)構(gòu)的情況下，從視野角特性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選針對(duì)各子像素形成4 個(gè)疇。
圖13所示的液晶顯示裝置300B，由與圖5所示的液晶顯示裝置 100B和圖9所示的液晶顯示裝置200B相同的等效電路表示，子像素的配置也相同。在以下的說明中，省略與液晶顯示裝置200B的結(jié)構(gòu)相同的方面的說明。
在子像素電極llla形成的狹縫SLa、子像素電極llla與子像素電極lllcl和111c2的間隙、子像素電極lllcl與子像素電極lllbl的間隙、子像素電極lllc2與子像素電極lllb2的間隙，生成傾斜電場(chǎng)，作為用于形成多疇結(jié)構(gòu)的取向限制單元(在像素電極形成的狹縫)發(fā)揮功能。狹縫SLa和相鄰的子像素電極間的間隙，在相對(duì)于矩陣狀排列的列方向以大約45。的角度交叉的方向上延伸，并且相互在大致正交的方向上延伸。隔著液晶面板的正交尼科爾配置的偏光板的偏光軸(透過軸)在列方向和行方向上正交或者平行，如上所述地配置的狹縫和子像素電極間的間隙，按照使電壓施加時(shí)的液晶分子的取向方向限制為相對(duì)于偏光軸大致45°方向的方式發(fā)揮作用。此外，在相對(duì)基板側(cè)，在相互相鄰且相互平行的狹縫與子像素電極的間隙之間，或者相互相
鄰且相互平行的子像素電極的間隙之間，在將其間隔大致2等分的位
置，設(shè)置有與它們平行的取向限制單元。在相對(duì)基板設(shè)置的取向限制單元，可以為在相對(duì)電極設(shè)置的狹縫，也可以是在相對(duì)電極的液晶層側(cè)設(shè)置的電介質(zhì)突起(肋)。此外，優(yōu)選電介質(zhì)突起的介電常數(shù)比液晶層的介電常數(shù)低。
液晶顯示裝置300B的輔助電容，在CS總線的延伸設(shè)置部和漏極引出配線重疊的區(qū)域形成。例如CS總線113-1具有環(huán)狀的延伸設(shè)置部 113-1E,在將環(huán)狀的延伸設(shè)置部113-lE的中央跨接(bridge)的部分與漏極引出配線117c重疊的部分，形成子像素SP-C具有的2個(gè)輔助電容內(nèi)的一個(gè)輔助電容。同樣地，CS總線113-2具有環(huán)狀的延伸設(shè)置部 113-2E，在將環(huán)狀的延伸設(shè)置部113-2E的中央跨接的部分與漏極引出配線117c重疊的部分，形成子像素SP-C具有的2個(gè)輔助電容內(nèi)的另一個(gè)輔助電容。另外，環(huán)狀的延伸設(shè)置部U3-1E和113-2E的環(huán)部分，以將相鄰的子像素電極的間隙遮光的方式配置。子像素SP-A的輔助電容，在CS總線113-1和漏極引出配線117a重疊的部分(子像素電極 111c2的下部)形成，子像素SP-B的輔助電容，在CS總線113-2和漏極引出配線117b重疊的部分(子像素電極lllcl的下部)形成。
如圖14所示的液晶顯示裝置300C，由與圖6所示的液晶顯示裝置100C和圖IO所示的液晶顯示裝置200C相同的等效電路表示，子像素的配置也相同。如果與圖13所示的液晶顯示裝置300B比較，則不同點(diǎn)是在液晶顯示裝置300B中，子像素電極lllcl和111c2通過漏極引出配線117c相互電連接，與此相對(duì)，在液晶顯示裝置300C中是作為1個(gè)〕字狀(U字狀或者馬蹄形狀)的子像素電極lllc形成。此外， -字狀的子像素電極lllc中的連接2個(gè)區(qū)域的部分與子像素電極llla 的間隙，以通過漏極引出配線117a遮光的方式構(gòu)成。
另外，液晶顯示裝置300C在第三子像素的一方的區(qū)域SP-C2，具有在與漏極引出配線相同的導(dǎo)電層形成的漏極浮島117c'。漏極浮島
117c'在接觸部119c2與子像素電極lllc連接。在漏極浮島117c'與CS 總線的環(huán)狀延伸設(shè)置部113-1E的一部分重疊的區(qū)域，形成子像素SP-C 具有的2個(gè)輔助電容的一個(gè)。子像素SP-C具有的2個(gè)輔助電容的另一個(gè)，形成在漏極引出配線117c與CS總線113-2的環(huán)狀延伸設(shè)置部 113-2E重疊的區(qū)域。
此外，在此，將形成輔助電容的部分與相鄰的子像素電極的間隙的方向平行設(shè)置的理由是，通過使其與為了得到多疇結(jié)構(gòu)而在相對(duì)基板側(cè)形成的取向限制單元(電極狹縫或者電介質(zhì)突起)重疊，能夠防止漏光的緣故。
接著，從T/特性的觀點(diǎn)出發(fā)說明像素內(nèi)的子像素的優(yōu)選的排列。首先，參照?qǐng)D15 (a)和(b)，針對(duì)2分割結(jié)構(gòu)的T/特性的視野角依存性進(jìn)行說明。在此，舉例表示將亮子像素(SP-A)分割為2個(gè)區(qū) 域SP-A1和SP-A2,將暗子像素(SP-B)分割為2個(gè)區(qū)域SP-B1和SP-B2 的例子，但是只要是2分割結(jié)構(gòu)，則即使將各子像素分割為多個(gè)區(qū)域， y特性也不會(huì)改變。但是，如果如圖15 (a)所示那樣將各子像素分割為2個(gè)區(qū)域，則例如在超過52型(像素排列間距行方向200pm，列方向600pm)的超大型的液晶顯示裝置中，當(dāng)顯示中間灰度時(shí)，亮子像素和暗子像素的交錯(cuò)格子狀的排列很難作為顯示的不光滑被辨認(rèn)。
在圖15 (b)中表示2分割結(jié)構(gòu)(由于實(shí)現(xiàn)2個(gè)VT特性的重合所以也稱為2VT結(jié)構(gòu))的T/特性的視野角依存性。圖15 (b)是橫軸表示正面的灰度等級(jí)，縱軸表示左右(與偏光軸平行或者正交)的傾斜視野角(相對(duì)于顯示面法線45。)的灰度等級(jí)的圖表。在2分割結(jié)構(gòu) 中，如圖15 (b)所示，在100/255灰度等級(jí)附近形成有洼陷，不能獲得平滑的變化。為了改善該y特性的視野角依存性，需要使分割數(shù)為3 以上。
接著，參照?qǐng)D16和圖17，對(duì)于構(gòu)成3分割結(jié)構(gòu)(3VT結(jié)構(gòu))的情況下的優(yōu)選的子像素的排列和y特性的視野角依存性進(jìn)行說明。
如圖16 (a)所示那樣，將亮子像素SP-A、暗子像素SP-B和中子像素SP-C (SP-C1和SP-C2)的面積比形成為1:1:2的情況下的y特性的視野角依存性表示在圖16 (b)中。將圖16 (b)與圖15 (b)相比
43較可知，100/255灰度等級(jí)附近的平滑性被改善。
另外，如圖17 (a)所示那樣，將亮子像素SP-A、暗子像素SP-B 和中子像素SP-C (SP-C1和SP-C2)的面積比形成為1:1:1時(shí)，如圖 17 (b)所示，100/255灰度等級(jí)附近的平滑性進(jìn)一步被改善。像這樣，從y特性的視野角依存性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選將亮子像素、暗子像素和中子像素的面積比形成為1:1:1。
另外，從降低顯示的不光滑的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選將亮子像素配置在像素的中心。另外，在點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)等中，當(dāng)考慮將子像素間的亮度次序調(diào)換時(shí)，優(yōu)選將亮子像素和暗子像素調(diào)換。因此，優(yōu)選至少亮子像素與暗子像素的面積相等。并且，從降低顯示的不光滑的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使亮子像素和暗子像素接近配置在像素的中央。此外，在圖5等表示的液晶顯示裝置中，在像素內(nèi)調(diào)換中子像素和暗子像素能夠容易地進(jìn)行。
另外，當(dāng)考慮y特性的波長依存性時(shí)，優(yōu)選將藍(lán)像素的單元間隙 (液晶層的厚度)形成為比其它色的像素(典型的是綠像素和紅像素) 小。
在圖17 (b)中，針對(duì)紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)各個(gè)表示y特性的視野角依存性，可知藍(lán)(B)的視野角依存性比紅(R)和綠(G) 大。這是由液晶層的延遲(雙折射率)的波長分散引起。圖17 (b)表示將單元間隙(液晶層的厚度)對(duì)于R像素、G像素和B像素的全部都形成為3.4pm的情況下的灰度等級(jí)特性，但是通過僅將B像素的單元間隙形成為3.(Him， B像素的y特性與其它色的像素的y特性接近，作為整體，y特性的視野角依存性被改善。
此外，如上所述，也可以在輔助電容的形成中使用G總線。圖18中示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置400A 的等效電路。在液晶顯示裝置400A中，一個(gè)像素具有第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、 SP-B和SP-C。第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、 SP-B、 SP-C和2個(gè)CS總線CS-A、 CS畫B被配置在相鄰的2個(gè)G總線之間。在液晶顯示裝置400A中，G總線的數(shù) 目與像素的行數(shù)對(duì)應(yīng)，但是G總線不僅選擇像素，而且與在列方向上相鄰的像素的第三子像素SP-C的輔助電容連接。因此，各像素關(guān)聯(lián)有
442個(gè)G總線。
在圖18中表示m行的像素，將m-l行的G總線和m行的G總線分別表示為G總線G (m-l)和G總線G (m)。第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、 SP-B、 SP-C的TFT-A、 TFT-B、 TFT-C的柵極電極與G總線G (m)連接。另外，雖然圖18中未圖示，但是同樣地，m-l行的3個(gè)子像素的TFT的柵極電極與G總線G (m-l)連接。
液晶顯示裝置400A中的2個(gè)子像素SP-A和SP-B與TFT-A和 TFT-B、 G總線、S總線和2根相互電獨(dú)立的CS總線之間的連接關(guān)系，與圖4所示的液晶顯示裝置IOOA基本相同，因此為了內(nèi)容簡單而省略說明。第三個(gè)子像素SP-C按照以下所述方式連接。
第三子像素SP-C具有液晶電容CLC-C和輔助電容CCS-G(m-l )。液晶電容CLC-C的一個(gè)電極(子像素電極)與TFT-C的漏極電極連接，輔助電容CCS-G (m-l)的一個(gè)電極也與TFT-C的漏極電極連接。液晶電容CLC-C的另一個(gè)電極(相對(duì)電極)由與其它的液晶電容CLC-A、 CLC-B共用的相對(duì)電極構(gòu)成。輔助電容CCS-G (m-l)的另一個(gè)電極 (輔助電容相對(duì)電極)與G總線G (m-l)連接。
第一子像素SP-A的液晶電容CLC-A通過輔助電容CCS-A受到基于CS總線CS-A的上拉(或者下壓)的作用，另外，第二子像素SP-B 的液晶電容CLC-B通過輔助電容CCS-B受到基于CS總線CS-B的下壓(或者上拉)的作用。另一方面，G總線G(m)，當(dāng)G總線G(m-l) 成為斷開狀態(tài)后被選擇，接著直到緊接著G總線G (m)被選擇之前將G總線G (m-l)維持?jǐn)嚅_狀態(tài)。此外，嚴(yán)格來說，當(dāng)G總線G (m-l) 被選擇時(shí)第三子像素SP-C的液晶電容CLC-C受到上拉作用。但是，G 總線G (m-l)被選擇是在G總線G (m-l)被選擇之后快要經(jīng)過一垂直掃描期間之前，通過G總線G(m-l)的選擇在受到上拉作用之后緊接著G (m)被選擇，G總線G (m-l)被選擇的期間與一垂直掃描相比非常短，所以可以說第三子像素SP-C的液晶電容CLC-C實(shí)質(zhì)上沒有受到基于G總線G (m-l)的作用。因此，施加在液晶電容CLC-C 的有效電壓成為施加在液晶電容CLC-A和液晶電容CLC-B的有效電壓的中間的值。因此，當(dāng)?shù)谝蛔酉袼豐P-A成為暗子像素時(shí)，第二子像素SP-B成為亮子像素、第三子像素成為中子像素。如上所述，不需增加每1像素的CS總線的根數(shù)，就能夠?qū)崿F(xiàn)3VT結(jié)構(gòu)。
另外，漏極引出配線，在接觸部與第三子像素的子像素電極連接
并且具有與柵極總線重疊的輔助電容電極。在液晶顯示裝置400A中，在用于選擇列方向上相鄰的像素的柵極總線旁邊設(shè)置有第三子像素，因此能夠縮短漏極引出配線的接觸部與輔助電容電極之間的距離，使漏極引出配線的圍繞簡單。另外，能夠在像素的中央配置亮子像素，由此，能夠抑制粗糙感(shaggy)(不光滑感)的發(fā)生。
此外，上述的液晶顯示裝置的CS總線，與1個(gè)像素內(nèi)的1個(gè)或者多個(gè)子像素的輔助電容連接，但是本發(fā)明并不限定于此。CS總線也可以與屬于在列方向上相鄰的2個(gè)像素的多個(gè)子像素的輔助電容連接。
圖19中示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置400B 的等效電路。在液晶顯示裝置400B中，CS總線(CS配線)的數(shù)目與像素的行數(shù)對(duì)應(yīng)，1個(gè)CS總線對(duì)屬于在列方向上相鄰的2個(gè)像素的各個(gè)子像素的液晶電容賦予上拉或下壓作用，各像素關(guān)聯(lián)有2個(gè)CS總線。因此，液晶顯示裝置400B的CS總線的數(shù)目與圖18所示的液晶顯示裝置400A相比較少。此外，在液晶顯示裝置400B中，在像素的中央配置有柵極總線，構(gòu)成為所謂的中心柵極結(jié)構(gòu)。
在此，關(guān)注m-l行的像素，m-l行的像素的第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B、SP-C配置在相鄰的2個(gè)CS總線CS-A、 CS-B之間。第三子像素SP-C具有液晶電容CLC-C和輔助電容CCS-G (m-2)。液晶電容CLC-C的一個(gè)電極(子像素電極)與TFT-C的漏極電極連接，輔助電容CCS-G (m-2)的一個(gè)電極也與TFT-C的漏極電極連接。液晶電容CLC-C的另一個(gè)電極(相對(duì)電極)，由與其它的液晶電容CLC-A、 CLC-B共用的相對(duì)電極構(gòu)成。輔助電容CCS-G (m-2) 的另一個(gè)電極(輔助電容相對(duì)電極)與G總線G (m-2)連接。
第一子像素SP-A的液晶電容CLC-A通過輔助電容CCS-A受到基于CS總線CS-A的上拉(或者下壓)的作用，另外，第二子像素SP-B 的液晶電容CLC-B通過輔助電容CCS-B受到基于CS總線CS-B的下壓(或者上拉)的作用。另一方面，G總線G(m-l)，在G總線G(m-2) 成為斷開狀態(tài)之后被選擇，接著直到緊接著G總線G (m-l)被選擇之前將G總線G (m-2)維持?jǐn)嚅_狀態(tài)，因此第三子像素SP-C的液晶電容CLC-C實(shí)質(zhì)上不受到上拉(或者下壓)的作用，被施加在液晶電容 CLC-C的有效電壓成為被施加在液晶電容CLC-A和液晶電容CLC-B 的有效電壓的中間的值。因此，當(dāng)?shù)谝蛔酉袼豐P-A成為亮子像素時(shí)，第二子像素SP-B成為暗子像素，第三子像素SP-C成為中子像素。
接著，關(guān)注m行的像素。m行的像素的第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、 SP-B、 SP-C被配置在相鄰的2個(gè)CS總線CS-B、 CS-C之間。第一子像素SP-A的液晶電容CLC-A通過輔助電容CCS-B 受到基于CS總線CS-B的下壓(或者上拉)的作用，另外，第二子像素SP-B的液晶電容CLC-B通過輔助電容CCS-C受到基于CS總線 CS-C的上拉(或者下壓)的作用。另一方面，G總線G (m)，在G 總線G (m-l)成為斷開狀態(tài)之后被選擇，接著直到緊接著G總線G (m)被選擇之前將G總線G (m-l)維持?jǐn)嚅_狀態(tài)，因此第三子像素 SP-C的液晶電容CLC-C實(shí)質(zhì)上不受到上拉(或者下壓)的作用，被施加在液晶電容CLC-C的有效電壓成為被施加在液晶電容CLC-A和液晶電容CLC-B的有效電壓的中間的值。因此，當(dāng)?shù)谝蛔酉袼豐P-A成為亮子像素時(shí)，第二子像素SP-B成為暗子像素，第三子像素SP-C成為中子像素。
此外，m-l行的像素的第二子像素SP-B的液晶電容CLC-B和m 行的像素的第一子像素SP-A的液晶電容CLC-A均受到基于CS總線 CS-B的下壓(或者上拉)的作用，液晶顯示裝置400B進(jìn)行點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū) 動(dòng)，當(dāng)G總線G (m-l)被選擇時(shí)供給到S總線的源極信號(hào)的極性，與 G總線G (m)被選擇時(shí)供給到S總線的源極信號(hào)的極性反轉(zhuǎn)。因此， m-l行的像素的第二子像素SP-B成為暗子像素時(shí)，m行的像素的第一子像素SP-A成為亮子像素。
此外，圖19中表示的中心柵極結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置400B中，第三子像素的輔助電容與G總線連接，但是本發(fā)明并不限定于此。第三子像素的輔助電容也可以與2個(gè)CS總線連接。
圖20 (a)中表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置500A的 TFT基板的示意性平面圖。液晶顯示裝置500A為3分割結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置。此外，為了參考，在圖20 (b)中表示2分割結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置550的TFT基板的示意性平面圖。在液晶顯示裝置500A中，CS總線(CS配線)的數(shù)目與像素的行數(shù)對(duì)應(yīng)，CS總線形成屬于在列方向上相鄰的2個(gè)像素的多個(gè)子像素的輔助電容，各像素關(guān)聯(lián)有2個(gè)CS總線。另外，在該液晶顯示裝置500A 中，源極總線在1個(gè)像素的列方向的中心延伸，柵極總線在行方向的中心延伸。如此一來液晶顯示裝置500A具有中心柵極結(jié)構(gòu)。
液晶顯示裝置500A中的1個(gè)像素具有第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、 SP-B、 SP-C。第一子像素SP-A和第二子像素SP-B 沿列方向排列。
第三子像素SP-C通過子像素電極lllc規(guī)定。第三子像素SP-C的子像素電極lllc跨越G總線，具有設(shè)置在比G總線更向+y方向的電極111cl、設(shè)置在比G總線更向-y方向的電極111c2和連接電極lllcl、 111c2的連接部lllcc。電極lllcl、 111c2相對(duì)于第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B的子像素電極llla、 lllb沿行方向排列。此夕卜，在此，電極lllcl、 111c2的行方向(x方向)的長度與子像素電極llla、 lllb大致相等。另外，連接部lllcc的面積比電極lllcl、 111c2小，所以如果將其忽視，則第一子像素、第二子像素、第三子像素Sp-A、 SP-B、 SP-C的面積比大致為1: 1: 2。
第一子像素SP-A的液晶電容受到基于CS總線CS-A的上拉(或者下壓)作用，第二子像素SP-B的液晶電容受到基于CS總線CS-B 的下壓(或者上拉)作用。相對(duì)于此，第三子像素SP-C的液晶電容，受到基于CS總線CS-A的上拉(或者下壓)作用和基于CS總線CS-B 的下壓(或者上拉)作用兩者。被施加在第三子像素SP-C的液晶電容的電壓，比施加在第一子像素SP-A和第二子像素SP-B的液晶電容的電壓的一方低，比另一方高。因此第三子像素成為中子像素，亮子像素、中子像素、暗子像素的面積的比大致成為1:2: 1。
此外，CS總線CS-A，不僅對(duì)m行的像素的第一子像素SP-A的液晶電容，而且對(duì)m-l行的像素的第二子像素SP-B的液晶電容也賦予上拉(或者下壓)作用，在液晶顯示裝置500A進(jìn)行點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的情況下，m行的像素的第一子像素SP-A和m-l行的像素的第二子像素SP-B 的一個(gè)成為亮子像素，另一個(gè)成為暗子像素。其結(jié)果是，觀察第一子像素和第二子像素的列方向的排列時(shí)，暗子像素和亮子像素成為交替地排列。
在液晶顯示裝置500A中，由于S總線配置在像素的行方向的中心，能夠縮短將在S總線附近設(shè)置的TFT的漏極電極和子像素電極連接的漏極引出配線，漏極引出配線與其它的配線不交叉。液晶顯示裝置500A 的像素結(jié)構(gòu)，與圖20 (b)所示的2分割結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置550同樣比較簡單，能夠在維持較高透過率的同時(shí)使成品率提高。另外，在2 分割結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置550中會(huì)發(fā)生粗糙感(不光滑感)，但是在液晶顯示裝置500A中第三子像素SP-C遍及像素的列方向的整體設(shè)置，能夠抑制粗糙感(不光滑感)的發(fā)生。
另外，在進(jìn)行圖4所示的液晶顯示裝置100A的高速驅(qū)動(dòng)的情況下，會(huì)發(fā)生橫陰影。以下，參照?qǐng)D21說明常黑型的液晶顯示裝置中的橫陰影的原因。液晶顯示裝置100A的CS總線與1個(gè)像素內(nèi)的多個(gè)子像素的輔助電容連接。液晶顯示裝置100A以高速驅(qū)動(dòng)顯示低亮度(中間灰度)的背景顯示部和具有與背景顯示部同程度的低亮度的區(qū)域和夾在該區(qū)域中的高亮度的區(qū)域的窗口部時(shí)，如圖21 (a)所示，處于窗口部的左右的區(qū)域中會(huì)發(fā)生比本來的顯示更高亮度的橫陰影。
當(dāng)對(duì)像素電極施加正極性的寫入電壓的情況下，柵極/漏極間電位隨著像素電位的上升而降低，TFT的導(dǎo)通電阻漸漸上升。另一方面，當(dāng)對(duì)像素電極施加負(fù)極性的寫入電壓的情況下，柵極/漏極間電位與像素電極的電位的降低無關(guān)而是一定的。像這樣，根據(jù)寫入電壓的極性 TFT的導(dǎo)通電阻發(fā)生變動(dòng)，正極性寫入時(shí)的導(dǎo)通電阻大，負(fù)極性寫入時(shí)的導(dǎo)通電阻小，其結(jié)果是，像素充電時(shí)的正極性寫入的像素充電速度比負(fù)極性寫入慢。
另外，在像素充電時(shí)像素電極的電位發(fā)生變化，通過該變化，在 CS信號(hào)電壓重疊脈動(dòng)電壓。脈動(dòng)電壓根據(jù)TFT的導(dǎo)通電阻發(fā)生變動(dòng)，脈動(dòng)電壓的極性根據(jù)寫入電壓的極性反轉(zhuǎn)。在進(jìn)行點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的情況下，對(duì)相鄰的像素施加不同極性的寫入電壓。如上所述，根據(jù)寫入電壓的極性，TFT的導(dǎo)通電阻發(fā)生變動(dòng)，像素電極的電位的變化速度不同，因而其結(jié)果是在CS信號(hào)電壓重疊正極性的脈動(dòng)電壓。
在圖21 (b)中表示背景顯示部的像素中相對(duì)于CS電壓的脈動(dòng)電壓，以及相對(duì)電極電壓、子像素電極電壓和柵極電壓的時(shí)間變化。此外，實(shí)際上CS電壓隨著時(shí)間發(fā)生變化，但是在此，表示將CS電壓作為基準(zhǔn)的脈動(dòng)電壓。被重疊在cs電壓的脈動(dòng)電壓隨著時(shí)間衰減，當(dāng)柵
極電壓成為斷開狀態(tài)時(shí)，脈動(dòng)電壓幾乎為零。因此，脈動(dòng)電壓實(shí)質(zhì)上
對(duì)像素電極電壓沒有影響。另一方面，如圖21 (c)所示，窗口部的像素寫入電壓的正負(fù)的振幅，由于是常黑型所以比背景顯示部大。由此，由于窗口部的像素中的脈動(dòng)電壓變得比背景顯示部高，所以在柵極電壓成為斷開時(shí)重疊于CS信號(hào)的脈動(dòng)電壓沒有完全衰減，在柵極電壓成為斷開之后脈動(dòng)電壓也仍然發(fā)生衰減。因此，受到CS電壓的影響的像素電極電壓由于殘存的脈動(dòng)電壓Va導(dǎo)致電壓V^程度的偏差。像這樣，在窗口部中發(fā)生橫陰影。
相對(duì)于此，在圖20所示的液晶顯示裝置500A中，CS總線與屬于在列方向上相鄰的2個(gè)像素的子像素的輔助電容連接。因此，當(dāng)對(duì)一個(gè)像素充電時(shí)另一個(gè)像素的電容作為平滑化電容發(fā)揮功能，脈動(dòng)電壓被抑制，作為結(jié)果，能夠抑制橫陰影的發(fā)生。
此外，在液晶顯示裝置500A中，亮子像素、中子像素、暗子像素的面積比為1:1:2，但是本發(fā)明并不限定于此。如上述參照?qǐng)D16和圖 17所述，從T/特性的視野角依存性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選亮子像素、中子像素、暗子像素的面積比為1:1:1。
圖22中表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置300D的示意性平面圖。在液晶顯示裝置300D的TFT基板的子像素電極中設(shè)置有狹縫，在相對(duì)基板的相對(duì)電極設(shè)置有肋。狹縫和肋按照使液晶分子在4 個(gè)不同的方向取向的方式設(shè)置。
第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B由子像素電極llla、 lllb 分別規(guī)定，第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B被排列在列方向(y 方向)上。第三子像素SP-C的子像素電極lllc具有電極lllcl、電極 111c2、和連接電極lllcl、 111c2的連接部lllcc。電極lllcl、 111c2 被排列在第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的子像素電極111a、lllb 各自的行方向(x方向)上。電極lllcl、 111c2的行方向(x方向)的長度為子像素電極llla、 lllb的大致一半。另外，電極lllcl、 111c2 通過連接部lllcc電連接，但是連接部lllcc的面積比較小，第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、 SP-B、 SP-C的面積比大致為1:1:1。第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B具有TFT-A、 TFT-B，第三子像素SP-C具有與電極111 c 1 、 111 c2對(duì)應(yīng)的TFT-C1 、 TFT-C2 。 TFT-C1 、 TFT-C2的柵極電極與TFT-A、 TFT-B同樣地與G總線連接，第三子像素SP-C為冗長結(jié)構(gòu)。因此，例如即使用于設(shè)置第三子像素SP-C的子像素電極lllc和漏極引出配線117cl、 117c2的接觸部119cl、 119c2 的接觸孔的一個(gè)沒有被充分地形成，也能夠抑制成品率的降低。或者，即使TFT-C1、 TFT-C2的一個(gè)動(dòng)作不良，通過將動(dòng)作不良的晶體管分離，僅使用另一個(gè)正常的TFT，也能夠抑制成品率的降低。另外，關(guān) 于TFT-A、 TFT-B、 TFT-C1、 TFT-C2，源極配線從沿y方向延伸的源極總線開始沿x方向延伸，漏極電極設(shè)置在與源極電極相對(duì)的位置。
子像素的輔助電容主要通過子像素電極與CS總線的重疊形成。因此，不將漏極引出配線延伸也可以，抑制開口率的降低，而且不存在漏極引出配線發(fā)生斷線的擔(dān)憂。另外，這樣的輔助電容的結(jié)構(gòu)，當(dāng)在 CS總線和像素電極之間僅存在亞微米級(jí)的比較薄的層間絕緣膜的情況下適合。這是由于容易確保所希望的靜電電容值。第一子像素SP-A的子像素電極llla的行方向(x方向)的長度與第二子像素SP-B的子像素電極lllb相等，而且，子像素電極llla和CS總線CS-A的重疊寬度與子像素電極lllb和CS總線CS-B的重疊寬度相等。因此，第一子像素SP-A的輔助電容CCS-A與第二子像素SP-B的輔助電容CCS-B 大致相等。
另外，第三子像素SP-C的電極lllcl、 111c2各自的行方向(x方向)的長度為第一子像素SP-A的子像素電極llla的大致一半，第三子像素SP-C的輔助電容CCS-C1、 CCS-C2分別為第一子像素SP-A的輔助電容CCS-A的大致一半。由于輔助電容CCS-C1、 CCS-C2并聯(lián)連接，所以第三子像素SP-C的輔助電容CCS-C1、 CCS-C2的和與第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B的輔助電容CCS-A、 CCS-B大致相等。
此外，在上述的說明中，第三子像素SP-C的電極lllcl、 111c2 通過連接部lllcc直接連接，但是本發(fā)明并不限定于此。電極lllcl、 111c2也可以通過TFT的漏極電極電連接。
圖23中表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置300E的示意
51性平面圖。在液晶顯示裝置300E中，第三子像素SP-C的子像素電極 lllc具有電極lllcl、 111c2，電極lllcl和電極111c2沒有直接連接。因此，1個(gè)像素具有相互分離的4個(gè)子像素電極llla、 lllb、 lllcl、 111c2。
第三子像素SP-C的TFT-C的漏極電極與沿y方向延伸的S總線平行設(shè)置。電極lllcl和111c2與共用的漏極電極電連接，電極lllcl、 111c2為等電位。另夕卜，該漏極電極與G總線重疊，但是由于漏極電極的行方向(x方向)的長度比較短，所以寄生電容Cgd的增大被抑制。
在圖24中表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置300F的示意性平面圖。在液晶顯示裝置300F中，第三子像素SP-C的子像素電極lllc具有電極lllcl、電極111c2和連接電極lllcl、 111c2的連接部lllcc。連接部lllcc與G總線重疊，但是連接部lllcc的面積與電極lllcl、 111c2的面積比較小很多，第三子像素電極SP-C的寄生電容 Cgd的增大被抑制。
但是，嚴(yán)格來說，與G總線重疊的連接部lllcc導(dǎo)致第三子像素 SP-C的寄生電容Cgd增大。在液晶顯示裝置300F中，雖然設(shè)置有與電極lllcl對(duì)應(yīng)的TFT-C，但是沒有設(shè)置與電極111c2對(duì)應(yīng)的TFT， TFT-C的漏極電極的面積比TFT-A、TFT-B的漏極電極的面積小。由此，第三子像素SP-C的寄生電容Cgd的增大被抑制。Cgd比表示為寄生電容Cgd/ (子像素電容)，該子像素電容主要由液晶電容Clc和輔助電容 CCS構(gòu)成。第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、 SP-B、 SP-C 的Cgd比顯著不同時(shí)，因Cgd比導(dǎo)致的饋通電壓顯著不同，發(fā)生閃爍。在液晶顯示裝置300F中，通過抑制第三子像素SP-C的寄生電容Cgd，第一子像素、第二子像素、第三子像素Sp-A、 SP-B、 SP-C的Cgd比大致相等，能夠抑制閃爍的發(fā)生。
圖25表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置500B的TFT基板的示意性平面圖。
S總線具有第一源極配線Sl，和從第一源極配線Sl分支的第二源極配線S2，與各像素相關(guān)聯(lián)的S總線分支為配線S1、 S2。第一子像素 SP-A具有TFT-A1和TAT-A2， TAT-A1、 TAT-A2的源極電極分別與第一、第二源極配線Sl、 S2連接。同樣地，第二子像素SP-B具有TFT-B1
52和TFT-B2， TAT-B1和TAT-B2的源極電極分別與第一、第二源極配線 Sl、 S2連接。像這樣，第一子像素SP-A和第二子像素SP-B成為冗長結(jié)構(gòu)。另外，如上所述那樣，由于第一子像素SP-A和第二子像素SP-B 的一個(gè)成為對(duì)顯示造成較大影響的亮子像素，因此通過第一子像素 SP-A和第二子像素SP-B具有冗長結(jié)構(gòu)，能夠抑制成品率降低。
第三子像素SP-C具有以夾著第一子像素SP-A和第二子像素SP-B 的方式配置的第一區(qū)域和第二區(qū)域。第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B和第三子像素SP-C的第一區(qū)域之間設(shè)置有第一源極配線Sl，第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B和第三子像素SP-C的第二區(qū)域之間設(shè)置有第二源極配線S2。
第三子像素SP-C具有與第一區(qū)域?qū)?yīng)的子像素電極lllca、和與第二區(qū)域?qū)?yīng)的子像素電極lllcb。在第三子像素SP-A的子像素電極 lllca和子像素電極111cb之間，配置有第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B的子像素電極llla、 lllb。子像素電極lllca具有電極lllcal、電極111ca2和連接電極lllcal、 111ca2的連接部lllcca。另外，子像素電極lllcb具有電極111cbl、電極111cb2和連接電極111cbl、lllcb2 的連接部lllccb。
另外，第三子像素SP-C的電極lllcal、 111ca2、 lllcbl、 111cb2 的行方向(x方向)的長度為第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B的子像素電極llla、 lllb的大致1/4，電極lllcal、 111ca2、 lllcbl、 111cb2 的列方向(y方向)的長度為子像素電極llla、 111b的大致2倍。因此，子像素電極lllca、 lllcb的面積為子像素電極llla、 lllb的一半，第一子像素、第二子像素、第三子像素的面積比大致為1:1:1。
與第三子像素SP-C的電極lllcal、 111ca2、 lllcbl、 111cb2分別相對(duì)應(yīng)設(shè)置有TFT-Cal、 TFT-Ca2、 TFT-Cbl、 TFT-Cb2，子像素電極 lllca、 lllcb中分別設(shè)置有2個(gè)TFT，為冗長結(jié)構(gòu)。像這樣在液晶顯示裝置500B中，相互分離的子像素電極llla、 lllb、 lllca、 lllcb全部都具有冗長結(jié)構(gòu)。
另外，在液晶顯示裝置500B中，在被供給不同的源極信號(hào)的列方向上相鄰的2個(gè)S總線之間，設(shè)置有不同像素的第三子像素的子像素電極lllca禾l] lllcb，抑制S總線的短路。此外，在圖25中，為了便于理解，在液晶顯示裝置500B內(nèi)源極配線被分支，但是也可以對(duì)2個(gè)源極配線供給等效的源極信號(hào)。
圖26表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置500C的TFT基板的示意性平面圖。子像素電極lllca的連接電極lllcal、 111ca2的連接部lllcca與G總線重疊，子像素電極lllca、 lllcb的寄生電容Cgd增大。在液晶顯示裝置500C中，雖然設(shè)置有與子像素電極lllca、lllcb的點(diǎn)擊lllcal、 lllcbl對(duì)應(yīng)的TFT-Ca、 TFT-Cb，但是沒有設(shè)置與電極111ca2、 111cb2對(duì)應(yīng)的TFT。像這樣，在液晶顯示裝置500C中，減少與第三子像素SP-C的子像素電極lllca、 lllcb對(duì)應(yīng)的TFT的數(shù)目，使與子像素電極lllca、 lllcb對(duì)應(yīng)的TFT-Ca、 TFT-Cb的漏極電極的面積比與子像素電極llla、 lllb對(duì)應(yīng)的TFT的漏極電極的面積的和小，由此將由連接部lllcca、 lllccb與G總線的重疊導(dǎo)致的寄生電容Cgd的增大抵消。子像素電極llla、 lllb、 lllca、 lllcb的Cgd比顯著不同時(shí)，Cgd比導(dǎo)致的饋通電壓顯著不同，而發(fā)生閃爍，但是在液晶顯示裝置500C中，通過抑制子像素電極lllca、 lllcb的寄生電容Cgd，使子像素電極llla、 lllb、 lllca、 lllcb的Cgd比大致相等，
抑制閃爍的發(fā)生。
此外，圖25和圖26所示的液晶顯示裝置500B、 500C中S總線被分支，與此相對(duì)，圖22、圖23和圖24中表示的液晶顯示裝置300D、300E、 300F中S總線沒有被分支。因此，液晶顯示裝置300D、 300E、300F中的開口率能夠比液晶顯示裝置500B、 500C高。
此外，在上述的說明中，多個(gè)子像素中的至少2個(gè)子像素(或者其一部分)沿行方向(x方向)排列，但是本發(fā)明并不限定于此，。屬于l個(gè)像素的全部的子像素也可以排列在列方向(y方向)上。
圖27中示意性表示液晶顯示裝置500D1的1像素的等效電路。液晶顯示裝置500D1中1個(gè)像素具有第一子像素SP-A、第二子像素SP-B、第三子像素SP-C。第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B分別具有TFT-A、 TFT-B，第三子像素SP-C具有2個(gè)TFT-C1 、 TFT-C2。
圖27表示m行的像素的等效電路。m行的柵極總線Gm具有柵極配線Gml和柵極配線Gm2，柵極配線Gml、 Gm2在液晶顯示裝置內(nèi)相互連接。柵極配線Gml與第一子像素SP-A的TFT-A和第三子像素SP-C的TFT-C1的柵極電極連接，柵極配線Gm2與第二子像素SP-B的TFT-B和第三子像素SP-C的TFT-C2的柵極電極連接。第三子像素SP-C的2個(gè)TFT-C1、 TFT-C2與被供給等效的柵極信號(hào)的2個(gè)柵極配線Gml、 Gm2連接，第三子像素SP-C為冗長結(jié)構(gòu)。
第一子像素SP-A具有液晶電容CLC-A和輔助電容CCS-A，第二子像素SP-B具有液晶電容CLC-B和輔助電容CCS-B。另外，第三子像素SP-C具有液晶電容CLC-C和輔助電容CCS-A1、 CCS-B1。在此，輔助電容CCS-A1的靜電電容值與輔助電容CCS-B1的靜電電容值大致相等。
圖28表示液晶顯示裝置500D1的TFT基板的示意性平面圖。在液晶顯示裝置500D1中，第三子像素SP-C排列在第一子像素SP-A和第二子像素SP-B之間，第一子像素、第二子像素和第三子像素SP-A、SP-B、 SP-C在相鄰的2個(gè)CS總線CS-A、 CS-B之間沿列方向排列。第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、 SP-B、 SP-C的面積比為1:1:1。
圖28中表示2個(gè)柵極配線Gml、 Gm2，如圖27所示，對(duì)柵極配線Gml、 Gm2供給等效的柵極信號(hào)。另外，CS總線(CS配線)的數(shù)目與像素的行數(shù)對(duì)應(yīng)，1個(gè)CS總線對(duì)屬于在列方向上相鄰的2個(gè)像素的子像素各自的液晶電容賦予上拉或者下壓作用，各像素關(guān)聯(lián)有2個(gè)CS總線。
第三子像素SP-C的2個(gè)TFT-C1、 TFT-C2的漏極電極與漏極引出配線117cl、 117c2電連接。漏極引出配線117cl、 117c2從TFT-C1、TFT-C2的漏極電極通過接觸部119cl、 119c2延伸到輔助電容電極。漏極引出配線117cl、 117c2在接觸部119cl、 119c2與子像素電極lllc連接，漏極引出配線117cl、 117c2的輔助電容電極與CS總線CS-A、CS總線CS-B的輔助電容相對(duì)電極分別形成輔助電容。漏極引出配線117cl、 117c2與G總線平行地沿行方向(x方向)延伸后，朝向CS總線CS-A、 CS-B沿列方向(y方向)延伸，縮短漏極引出配線117cl、117c2，使第三子像素SP-C的開口率提高。
第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B的漏極引出配線117a、 117b與G總線不交叉，與此相對(duì)，第三子像素SP-C的漏極引出配線117cl、
55117c2與G總線交叉，在這一方面，第三子像素SP-C的寄生電容Cgd與第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B相比增大。在液晶顯示裝置500D1中，以與第三子像素SP-C的寄生電容Cgd的增大相抵消的方式，使第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B的TFT-A、 TFT-B的漏極電極的面積比第三子像素SP-C的TFT-C1、 TFT-C2的漏極電極的面積大。由此，第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、 SP-B、 SP-C的Cgd比大致相等，使漏極電壓的饋通電壓對(duì)于每一個(gè)子像素大致相等，能夠抑制顯示品質(zhì)的降低。
第三子像素SP-C的漏極引出配線117cl、 117c2的一部分，按照與第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B的子像素電極llla、 lllb重疊，但是漏極引出配線117cl、 117c2中面積較大的輔助電容電極與子像素電極llla、 lllb不重疊的方式設(shè)置。因此，由第三子像素SP-C的影響導(dǎo)致第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B的液晶電容的電壓的偏差被抑制。
在相互相鄰的子像素電極和S總線之間形成寄生電容Csd。在進(jìn)行點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的情況下，對(duì)相鄰的2個(gè)S總線供給極性不同的源極信號(hào)。在該情況下，子像素電極llla、 lllb、 lllc各自的沿列方向(y方向)延伸的2邊的長度大致相等，由此2個(gè)S總線與子像素電極的寄生電容Csd大致相等，能夠?qū)?個(gè)寄生電容Csd對(duì)液晶電容的電壓造成的影響抵消，能夠抑制顯示品質(zhì)的降低。
第一子像素SP-A的輔助電容CCS-A由CS配線CS-A和輔助電容電極118a形成，第二子像素SP-B的輔助電容CCS-B由CS配線CS-B和輔助電容電極U8b形成。第三子像素SP-C的輔助電容CCS-A1由Cs配線CS-A和輔助電容電極118cl形成，輔助電容CCS-B1由CS配線CS-B和輔助電容電極118c2形成。輔助電容電極118a、 118b、 118cl、118c2以與CS配線CS-A、 CS-B重疊的方式設(shè)置。另外，輔助電容的靜電電容值由輔助電容電極的面積規(guī)定。在此，輔助電容電極U8a、118b的面積相互相等，輔助電容電極118cl、 118c2的面積相互相等。
另外，在液晶顯示裝置500D1中，通過在2個(gè)CS總線CS-A、CS-B之間貫通2個(gè)柵極配線，實(shí)現(xiàn)3分割結(jié)構(gòu)。在液晶顯示裝置500D1中，CS總線與屬于在列方向上相鄰的2個(gè)像素的多個(gè)子像素的輔助電容連接，當(dāng)像素充電時(shí)在列方向上相鄰的像素的電容作為平滑化電容發(fā)揮功能，因此能夠抑制脈動(dòng)電壓的增加，其結(jié)果是能夠抑制橫陰影的發(fā) 生。
圖29中示意性表示液晶顯示裝置500D2的1像素的等效電路。在液晶顯示裝置500D2中，1個(gè)像素具有第一子像素SP-A、第二子像素 SP-B和第三子像素SP-C。第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、 SP-B、 SP-C分別具有TFT-A、 TFT-B、 TFT陽C。
圖29表示m行n列和m行n+l列的像素的等效電路。m行的柵極總線Gm具有柵極配線Gml和柵極配線Gm2，柵極配線Gml、 Gm2 在液晶顯示裝置內(nèi)相互連接。對(duì)于m行n列的像素，柵極配線Gml 與第一子像素SP-A的TFT-A和第三子像素SP-C的TFT-C的柵極電極連接，柵極配線Gm2與第二子像素SP-B的TFT-B的柵極電極連接。另外，對(duì)于m行n+l列的像素，柵極配線Gml與第一子像素SP-A的 TFT-A連接，柵極配線Gm2與第二子像素SP-B的TFT-B和第三子像素SP-C的TFT-C的柵極電極連接。
對(duì)于m行n列和m行n+l列的各個(gè)像素，第一子像素SP-A具有液晶電容CLC-A和輔助電容CCS-A，第二子像素SP-B具有液晶電容 CLC-B和輔助電容CCS-B。另外，第三子像素SP-C具有液晶電容 CLC-C和輔助電容CCS-A1、 CCS-B1。在此，輔助電容CCS-A1的靜電電容值與輔助電容CCS-B1的靜電電容值大致相等。
圖30中表示液晶顯示裝置500D2的TFT基板的示意性平面圖。在液晶顯示裝置500D2中，第三子像素SP-C排列在第一子像素SP-A 和第二子像素SP-B之間，第一子像素、第二子像素和第三子像素SP-A、 SP-B、 SP-C，在相鄰的2個(gè)CS總線CS-A、 CS-B之間沿列方向排列。第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、 SP-B、 SP-C的面積比為1:1:1。
圖30中表示2個(gè)柵極配線Gml、 Gm2，但是如圖29所示，對(duì)柵極配線Gml、 Gm2供給等效的柵極信號(hào)。另夕卜，CS總線(CS配線) 的數(shù)目與像素的行數(shù)對(duì)應(yīng)，1個(gè)CS總線對(duì)屬于在列方向上相鄰的2個(gè) 像素的子像素各自的液晶電容賦予上拉或下壓作用，各像素關(guān)聯(lián)有2 個(gè)CS總線。
57第三子像素SP-C的TFT-C的漏極電極與漏極引出配線117c電連接。漏極引出配線117c從TFT-C的漏極電極通過接觸部119c延伸至輔助電容電極。漏極引出配線117c在接觸部119c中與子像素電極111c 連接，漏極引出配線117c的輔助電容電極與CS總線CS-A、 CS總線 CS-B的輔助電容相對(duì)電極分別形成輔助電容。漏極引出配線117c與G 總線平行地沿行方向(x方向)延伸后，朝向CS總線CS-A、 CS-B沿列方向(y方向)延伸。
第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B的漏極引出配線117a、 117b 與柵極配線Gml、 Gm2不交叉，與此相對(duì)，第三子像素SP-C的漏極引出配線117c與柵極配線Gml、 Gm2交叉。第三子像素SP-C的漏極引出配線117c的一部分，按照與第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B 的子像素電極llla、 111b重疊，但是漏極引出配線117c中面積較大的輔助電容電極與子像素電極llla、 lllb不重疊的方式設(shè)置。因此，由第三子像素SP-C的影響導(dǎo)致第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B的液晶電容的電壓的偏差被抑制。
在相互相鄰的子像素電極和S總線之間形成寄生電容Csd。在進(jìn)行點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的情況下，對(duì)相鄰的2個(gè)S總線供給極性不同的源極信號(hào)。在該情況下，使子像素電極llla、 lllb、 lllc各自的沿列方向(y方向)延伸的2邊的長度大致相等，由此2個(gè)S總線和子像素電極的寄生電容Csd大致相等，2個(gè)寄生電容Csd對(duì)液晶電容的電壓造成的影響能夠相互抵消，能夠抑制顯示品質(zhì)的降低。
第一子像素SP-A的輔助電容CCS-A由CS配線CS-A和輔助電容電極118a形成，第二子像素SP-B的輔助電容CCS-B由CS配線CS-B 和輔助電容電極118b形成。第三子像素SP-C的輔助電容CCS-A1由 CS配線CS-A和輔助電容電極118cl形成，輔助電容CCS-B1由CS配線CS-B和輔助電容電極118c2形成。輔助電容電極118a、 118b、 118cl、 118c2以與CS配線CS-A、 CS-B重疊的方式設(shè)置。另外，輔助電容的靜電電容值由輔助電容電極的面積規(guī)定。在此，輔助電容電極118a、 118b的面積相互相等，輔助電容電極118cl、 118c2的面積相互相等。
各像素沿列方向依次排列有第一子像素SP-A、第三子像素SP-C、第二子像素SP-B。進(jìn)行點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，m行n列的像素的第一子像素SP-A、第三子像素SP-C、第二子像素SP-B分別成為亮子像素、中子像素、暗子像素時(shí)，m行n+l列的像素的第一子像素SP-A、第三子像素SP-C、第二子像素SP-B分別成為暗子像素、中子像素、亮子像素。
在液晶顯示裝置500D2中，與圖27和圖28所示的液晶顯示裝置 500D1不同，第三子像素SP-C的TFT-C為1個(gè)，由此，G總線的負(fù)載降低。此外，對(duì)于m行n列的像素，TFT-C的柵極電極與柵極配線Gml 連接，與此相對(duì)，對(duì)于m行n+l列的像素，TFT-C的柵極電極與柵極配線Gm2連接。像這樣，在行方向上相鄰的各個(gè)像素中第三子像素的 TFT-C的柵極電極交替地與柵極配線連接，由此能夠使柵極配線Gml、 Gm2的負(fù)載大致相等。另外，在行方向上相鄰的各個(gè)像素中第三子像素的TFT-C的柵極電極不交替地與柵極配線連接也可以，在行方向上相鄰的每多個(gè)像素與柵極配線Gml、 Gm2連接的第三子像素的TFT-C 的數(shù)目相等也可以。此外，第三子像素的TFT-C的柵極電極與同一柵極配線連接的像素的數(shù)目非常大時(shí)(例如為幾百時(shí))，柵極信號(hào)的脈沖鈍化，有可能像素充電率產(chǎn)生差異。
另外，在液晶顯示裝置500D1、 500D2中，在2個(gè)CS總線CS-A、 CS-B之間貫通2個(gè)柵極配線，由此實(shí)現(xiàn)3分割結(jié)構(gòu)。液晶顯示裝置 500D1、 500D2中，CS總線與屬于在列方向上相鄰的2個(gè)像素的多個(gè) 子像素的輔助電容連接，在像素充電時(shí)在列方向上相鄰的像素的電容作為平滑化電容發(fā)揮功能，因此能夠抑制脈動(dòng)電壓的增加，其結(jié)果是能夠抑制橫陰影的發(fā)生。
此外，在圖27 圖30所示的液晶顯示裝置500D1、 500D2中，在各像素中貫通有2個(gè)柵極配線，但是本發(fā)明并不限定于此。貫通各像素的柵極配線也可以是一根。
以下，參照?qǐng)D31和圖32，表示液晶顯示裝置500E中的TFT基板的示意性平面圖。液晶顯示裝置500E中的1個(gè)像素具有第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、 SP-B、 SP-C。在此第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、 SP-B、 SP-C的面積比也大致為1:1:1。
第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、 SP-B、 SP-C在2 個(gè)CS總線CS-A、 CS-B之間沿列方向(y方向)排列。另外，CS總線CS-A、 CS-B分別與屬于列方向上相鄰的2個(gè)像素的多個(gè)子像素的
59輔助電容連接，如上所述，橫陰影的發(fā)生被抑制。
第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B分別具有TFT-A、 TFT-B, 第三子像素SP-C具有2個(gè)TFT-C1、 TFT-C2。 TFT-A、 TFT-B、 TFT-C1、 TFT-C2的柵極電極與G總線連接。第三子像素SP-C具有冗長結(jié)構(gòu)。
TFT-A和TFT-C1的柵極電極一體地設(shè)置，形成柵極電極部G1E， TFT-B和TFT-C2的柵極電極一體地設(shè)置，形成柵極電極部G2E。柵極電極部G1E、 G2E為L字狀，與沿行方向(x方向)延伸的G總線連接。TFT-A、 TFT-B的柵極電極不僅與柵極電極部G1E、 G2E重疊也與 G總線重疊，因而TFT-A、 TFT-B的漏極電極即使相對(duì)于柵極電極部 G1E、 G2E沿列方向(y方向)稍微偏移配置，也能夠抑制寄生電容 Cgd的偏差。
第三子像素SP-C跨越沿行方向(x方向)延伸的G總線。第三子像素SP-C的子像素電極11 lc具有相對(duì)于G總線在+y方向設(shè)置的電極 lllcl、相對(duì)于G總線在-y方向設(shè)置的電極111c2、和連接電極lllcl、 111c2的連接部lllcc。連接部lllcc的行方向(x方向)的長度比電極 lllcl、 111c2短，由此抑制寄生電容Cgd的增大。
但是，第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B的子像素電極llla、 lllb和漏極引出配線117a、 117b不與G總線重疊，與此相對(duì)，第三子像素SP-C的子像素電極lllc的連接部lllcc與G總線重疊，第三子像素SP-C的寄生電容Cgd增大。因此，按照使第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B的TFT-A、 TFT-B的漏極電極的面積比第三子像素SP-C 的TFT-C1、 C2的漏極電極的面積大，并且第一子像素、第二子像素 SP-A、 SP-B的TFT-A、 TFT-B的漏極電極不僅與柵極電極部G1E、 G2E 重疊而且與G總線重疊的方式設(shè)置，由此，使第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B的寄生電容Cgd增大。因此，能夠容易地調(diào)整第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、 SP-B、 SP-C的Cgd比，其結(jié) 果是，漏極電壓的饋通電壓大致相等，能夠抑制顯示品質(zhì)的降低。
漏極引出配線117cl、 117c2在各接觸部119cl、 119c2中與第三子像素的TFT-C1、 TFT-C2的漏極電極和子像素電極lllc電連接。另夕卜，漏極引出配線117cl、 117c2的輔助電容電極與CS總線CS-A、 CS總線CS-B分別形成輔助電容。第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B的子像素電極llla、 lllb按照與漏極引出配線117cl、 117c2和CS總線 CS-A、 CS-B的重疊區(qū)域不重疊的方式構(gòu)成。由此，能夠抑制第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B的液晶電容的電壓被第三子像素SP-C影響。
子像素電極lllc的連接部lllcc與G總線重疊，但是為了防止它們短路，設(shè)置有由有機(jī)膜構(gòu)成的2 3pm左右的層間絕緣膜。像這樣，通過設(shè)置比較厚的層間絕緣膜，寄生電容Cgd的增大被抑制。當(dāng)然，也可以較厚地形成由例如SiNx等無機(jī)膜構(gòu)成的層間絕緣膜，但是如果是有機(jī)膜則能夠利用涂布法(涂敷)形成，所以與利用氣相生長法等形成的無機(jī)膜相比能夠容易地形成較厚的膜。
另外，S總線沿列方向(y方向)延伸，子像素電極llla、 lllb 的沿列方向(y方向)的2個(gè)邊的長度大致相等。因此，如上所述，能夠?qū)⒆酉袼仉姌Ollla、 lllb禾卩S總線之間的寄生電容Csd對(duì)第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B的液晶電容造成的影響相互抵消，能夠抑制顯示品質(zhì)的降低。此外，在圖32中子像素電極lllc的連接部lllcc 設(shè)置在相鄰的2個(gè)S總線中的一個(gè)的附近，但是也可以設(shè)置在2個(gè)S 總線的中間的位置。在該情況下，由于連接部lllcc和各S總線的距離變長，所以連接部lllcc和S總線的輔助電容Csd的增大被抑制，能夠使S總線與子像素SP-C的寄生電容Csd大致相等。
此外，上述的液晶顯示裝置中，G總線、CS總線由1個(gè)柵極配線、 CS配線分別構(gòu)成，但是本發(fā)明并不限定于此。
圖33示意性地表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置600A 的1像素的等效電路。液晶顯示裝置600A中的1個(gè)像素具有第一子像素SP-A、第二子像素SP-B和第三子像素SP-C。各子像素關(guān)聯(lián)有1個(gè) G總線、1個(gè)S總線和2個(gè)CS總線。
在圖33中表示m行的像素，m行的G總線Gm具有柵極配線Gml 、柵極配線Gm2、和與柵極配線Gml、 Gm2連接的連接配線Gm3。對(duì) 柵極配線Gml和柵極配線Gm2供給等效的柵極信號(hào)。
CS總線CS-A具有CS配線CS-A1、 CS配線CS-A2、和與CS配線CS-A1、 CS-A2連接的連接配線CS-A3，對(duì)CS配線CS-A1和CS 配線CS-A2供給等效的CS信號(hào)。同樣地，CS總線CS-B具有CS配線CS-B1、 CS配線CS-B2、和與CS配線CS-B1、 CS-B2連接的連接配線CS-B3，對(duì)CS配線CS-B1和CS配線CS-B2供給等效的CS信號(hào)。
第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B分別具有TFT-A、 TFT-B，第三子像素SP-C具有TFT-C1、 TFT-C2。 TFT-C1、 TFT-C2的柵極電極與被供給柵極信號(hào)的柵極配線Gml、 Gm2連接，第三子像素SP-C具有冗長結(jié)構(gòu)。
第一子像素SP-A具有液晶電容CLC-A和輔助電容CCS-A1 ，第二子像素SP-B具有液晶電容CLC-B和輔助電容CCS-B2。另夕卜，第三子像素SP-C具有液晶電容CLC-C和輔助電容CCS-A2a、 CCS-Bla。在此，輔助電容CCS-A2a的靜電電容值與輔助電容CCS-Bla的靜電電容值大致相等。
第一子像素SP-A的液晶電容CLC-A受到基于CS配線CS-A1的上拉(或者下壓)作用，第二子像素SP-B的液晶電容CLC-B受到基于CS配線CS-B2的下壓(或者上拉)作用。另外，第三子像素SP-C 的液晶電容CLC-C受到基于CS配線CS-A2的上拉(或者下壓)作用和基于CS配線CS-B1的下壓(或者上拉)作用的兩方。因此，當(dāng)?shù)?一子像素成為亮子像素時(shí)，第二子像素成為暗子像素，第三子像素成為中子像素。
圖34中表示液晶顯示裝置600A的TFT基板的示意性平面圖。圖 34中，表示出顯示紅色的R像素、顯示綠色的G像素和顯示藍(lán)色的B 像素，R、 G、 B像素沿行方向(x方向)排列。
CS配線CS-A1、 CS-A2、 CS-B1、 CS-B2通過與G總線以相同工序形成。G總線和CS配線CS-A1、 CS-A2、 CS-B1、 CS-B2總稱為柵極金屬(柵極層)。另夕卜，連接配線CS-A3、 CS-B3通過與S總線以相同工序形成。S總線和連接配線CS-A3、 CS-B3總稱為源極金屬(源極層)。在柵極金屬和源極金屬之間設(shè)置有絕緣層，連接配線CS-A3通過接觸孔連接CS配線CS-A1、 CS-A2，連接配線CS-B3通過接觸孔連接 CS酉己線CS-B1、 CS-B2。
關(guān)注柵極層，沿列方向(y方向)，依次排列有CS配線CS-A1、柵極配線Gml、 CS酉己線CS-B1、 CS酉己線CS-A2、柵極配線Gm2、 CS 配線CS-B2， CS配線CS-A1、 CS-A2以夾著柵極配線Gml的方式配置，CS配線CS-B1、 CS-B2以夾著柵極配線Gm2的方式配置。CS總線CS-A、 CS-B分別具有通過與S總線以相同工序形成的連接配線 CS-A3、 CS-B3，能夠使G總線Gm與CS總線CS-A、 CS-B不發(fā)生短路地形成CS總線CS-A、 CS-B。
另外，由于將第三子像素SP-C配置在像素的中央，第三子像素 SP-C容易與被施加相互不同相位的CS信號(hào)的CS配線CS-A2、 CS-B1 形成輔助電容。另外，能夠縮短漏極引出配線，抑制開口率的降低。
第三子像素SP-C具有與被供給等效的柵極信號(hào)的柵極配線Gml、 Gm2分別連接的TFT-Cl、 TFT-C2，第三子像素SP-C具有冗長結(jié)構(gòu)。第三子像素SP-C的子像素電極lllc設(shè)置在柵極配線Gml、Gm2之間。此外，在圖34中，以容易理解的方式表示第三子像素SP-C的子像素電極lllc與CS配線CS-A2、 CS-B1的重疊，但是參照?qǐng)D16和圖17 如上所述那樣，從T/特性的視野角依存性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選亮子像素、中子像素、暗子像素的面積比為1:1:1。另外，液晶顯示裝置600A進(jìn) 行點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，當(dāng)沿行方向看時(shí)，暗子像素與亮子像素相鄰配置，中子像素與中子像素相鄰配置。
此外，在上述的說明中，液晶顯示裝置中的各像素具有3個(gè)子像素，但是本發(fā)明并不限定于此。各像素也可以具有4個(gè)以上的子像素。
圖35中示意性表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置600B 的1像素的等效電路。液晶顯示裝置600B中的1個(gè)像素具有第一子像素SP-A、第二子像素SP-B、第三子像素SP-C和第四子像素SP-D。
圖35中表示m行的像素，m行的G總線Gm具有柵極配線Gml、柵極配線Gm2、和與柵極配線Gml、 Gm2連接的連接配線Gm3。對(duì) 柵極配線Gml和柵極配線Gm2供給等效的柵極信號(hào)。
CS總線CS-A具有CS配線CS-A1、 CS配線CS-A2、和與CS配線CS-A1、 CS-A2連接的連接配線CS-A3。對(duì)CS配線CS-A1和CS 配線CS-A2供給等效的CS信號(hào)。同樣地，CS總線CS-B具有CS配線CS畫B1、 CS配線CS-B2、和與CS配線CS-B1、 CS-B2連接的連接配線CS-B3。對(duì)CS配線CS-B1和CS配線CS-B2供給等效的CS信號(hào)。
第一子像素SP-A具有液晶電容CLC-A和輔助電容CCS-A1 ，第二子像素SP-B具有液晶電容CLC-B和輔助電容CCS-B2。另夕卜，第三子像素SP-C具有液晶電容CLC-C和輔助電容CCS-A2a、 CCS-Bla，第四子像素SP-D具有液晶電容CLC-D和輔助電容CCS-A2b、 CCS-Blb。
第一子像素SP-A的液晶電容受到基于CS總線CS-A的上拉(或者下壓)作用，第二子像素SP-B受到基于CS總線CS-B的下壓(或者上拉)作用。另外，第三子像素、第四子像素SP-C、 SP-D的液晶電容均受到基于CS總線CS-A的上拉(或者下壓)作用和基于CS總線 CS-B的下壓(或者上拉)作用。但是，相對(duì)于第三子像素SP-C的液晶電容，基于CS總線CS-A的上拉(或者下壓)作用比基于CS總線 CS-B的下壓(或者上拉)作用大。另一方面，相對(duì)于第四子像素SP-D 的液晶電容，基于CS總線CS-B的下壓(或者上拉)作用比基于CS 總線CS-A的上拉(或者下壓)作用大。
像這樣，液晶顯示裝置600B具有4分割(4VT)結(jié)構(gòu)。此外，第三子像素SP-C的輔助電容CCS-Bla和輔助電容CCS-A2a的差，與第四子像素SP-D的輔助電容CCS-Blb和輔助電容CCS-A2b的差幾乎相等時(shí)，第三子像素SP-C的液晶電容CLC-C與第四子像素SP-D的液晶電容CLC-D變?yōu)橄嗟龋壕э@示裝置600B進(jìn)行與3VT結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置同樣的顯示。
圖36表示液晶顯示裝置600B的TFT基板的示意性平面圖。液晶顯示裝置600B的第三子像素SP-C和第四子像素SP-D配置在與圖34 所示的液晶顯示裝置600A的第三子像素SP-C對(duì)應(yīng)的位置。第三子像素、第四子像素SP-C、 SP-D的子像素電極lllc、 llld的邊界線至少朝向2個(gè)不同的方向，該邊界線作為用于液晶分子取向的狹縫發(fā)揮功能。
第一子像素SP-A的輔助電容CCS-A1由CS配線CS-A1和輔助電容電極118a形成，第二子像素SP-B的輔助電容CCS-B2由CS配線 CS-B2和輔助電容電極118b形成。第三子像素SP-C的輔助電容 CCS-A2a由CS配線CS-A2和輔助電容電極118cl形成，輔助電容 CCS-Bla由CS配線CS-B1和輔助電容電極118c2形成。另外，第四子像素SP-D的輔助電容CCS-A2b由CS配線CS-A2和輔助電容電極 118dl形成，輔助電容CCS-Blb由CS配線CS-B1和輔助電容電極118d2 形成。
64輔助電容電極118a、 118b、 118cl、 118c2、 118dl、 118d2按照與 CS配線CS-A1、 CS-A2、 CS-B1、 CS-B2重疊的方式設(shè)置，在此，輔助電容的靜電電容值由輔助電容電極的面積規(guī)定。輔助電容電極118a、 118b、 l固、118c2、 l薩、118d2通過與S總線以相同工序形成。在此，關(guān)注第三子像素SP-C時(shí)，輔助電容電極118cl的面積比輔助電容電極118c2的面積大，輔助電容CCS-A2a的靜電電容值比輔助電容CCS-Bla的靜電電容值大。另外，當(dāng)關(guān)注第四子像素SP-D時(shí)，輔助電容電極118d2的面積比輔助電容電極118dl的面積大，輔助電容CCS-Blb的靜電電容值比輔助電容CCS-A2b的靜電電容值大。因此，第一子像素成為亮子像素，第二子像素成為暗子像素的情況下，第三子像素成為中亮子像素，第四子像素成為中暗子像素。在此，將4個(gè) 子像素中第二亮的子像素稱為"中亮子像素"，將4個(gè)子像素中第二暗的子像素(即、第三亮的子像素)稱為"中暗子像素"。另外，液晶顯示裝置600B進(jìn)行點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，與亮子像素在行方向上相鄰的子像素成為暗子像素，與中亮子像素在行方向上相鄰的子像素成為中暗子像素。此外，在上述說明中，1個(gè)CS總線具有2個(gè)CS配線，但是本發(fā) 明并不限定于此。圖37示意性地表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置600C 的1像素的等效電路。S總線具有第一源極配線Sl、和從第一源極配線S1分支的第二源極配線S2。第一源極配線SI與第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、 SP-B、 SP-C的TFT-A、 TFT-B、 TFT-C的源極電極連接，第二源極配線S2與第四子像素SP-D的TFT-D的源極電極連接。第一子像素SP-A的液晶電容CLC-A受到基于CS總線CS-A的上拉(或者下壓)作用，第二子像素SP-B的液晶電容CLC-B受到基于 CS總線CS-B的下壓(或者上拉)作用。相對(duì)于此，第三子像素、第四子像素SP-C、 SP-D的液晶電容CLC-C、 CLC-D分別受到基于CS 總線CS-A的上拉(或者下壓)作用和基于CS總線CS-B的下壓(或者上拉)作用的兩方。但是，對(duì)于第三子像素SP-C，與CS總線CS-A 形成的輔助電容CCS-C1的靜電電容值，比與CS總線CS-B形成的輔助電容CCS-C2的靜電電容值大。另一方面，對(duì)于第四子像素SP-C，靜電電容值，比與CS總線CS-A形成的輔助電容CCS-D1的靜電電容值大。因此，相對(duì)于第三子像素SP-C的液晶電容CLC-C，基于CS總線CS-A的上拉(或者下壓)作用比基于CS總線CS-B的下壓(或者上拉)作用大，而且，相對(duì)于第四子像素SP-D的液晶電容CLC-D，基于CS總線CS-B的下壓 (或者上拉)作用比基于CS總線CS-A的上拉(或者下壓)作用大。禾擁與CS總線CS-A、 CS-B對(duì)應(yīng)的2個(gè)輔助電容的靜電電容值的差，在第三子像素SP-C中基于CS總線CS-A的上拉(或者下壓)效果處于優(yōu)勢(shì)，在第四子像素SP-D中基于CS總線CS-B的下壓(或者上拉)效果處于優(yōu)勢(shì)。此外，對(duì)于第一子像素SP-A與CS總線CS-A 連接的輔助電容CCS-A，與對(duì)于第二子像素與CS總線CS-B連接的輔助電容CCS-B大致相等。像這樣，液晶顯示裝置600C具有4VT結(jié)構(gòu)。此外，為了便于理解，在圖37中表示S總線的被分支的2個(gè)配線，但是也可以設(shè)置被供給等效的源極信號(hào)的2個(gè)源極配線。在此，參照?qǐng)D37和圖38，說明被供給到液晶顯示裝置600C的信號(hào)。在圖38所示的信號(hào)波形圖中表示出對(duì)G總線供給的Gate信號(hào)、對(duì)CS總線CS-A供給的CS信號(hào)VCS-A、對(duì)CS總線CS-B供給的CS 信號(hào)VCS-B、施加于第一子像素SP-A的液晶電容CLC-A的電壓 VClc-A、施加于第二子像素SP-B的液晶電容CLC-B的電壓VClc-B，施加于第三子像素SP-C的液晶電容CLC-C的電壓VClc-C，施加于第四子像素SP-D的液晶電容CLC-D的電壓VClc-D。另夕卜，在此，像素的施加電壓的波形中的點(diǎn)劃線表示子像素電極的有效電壓。第三子像素SP-C的液晶電容CLC-C中CS總線CS-A造成的影響處于優(yōu)勢(shì)，第四子像素SP-D的液晶電容CLC-D中CS總線CS-B造成的影響處于優(yōu)勢(shì)。另外，如根據(jù)該圖38所理解的那樣，有效電壓按照第一子像素SP-A、第三子像素SP-C、第四子像素SP-D、第二子像素 SP-B的順序降低，第一、第二、第三子像素、第四子像素SP-A、 SP-B、 SP-C、 SP-D分別成為亮子像素、暗子像素、中亮子像素、中暗子像素。另外，進(jìn)行典型的點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，在每一垂直掃描期間信號(hào)電壓的極性反轉(zhuǎn)，并且，在行方向和列方向上相鄰的像素間的極性相反，但是亮度次序不發(fā)生變化。此外，圖38所示的信號(hào)，在圖35中表示的液晶顯示裝置600B中也相同。圖39表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置600C1的TFT 基板的示意性平面圖。液晶顯示裝置600C1中的1個(gè)像素具有第一子像素SP-A、第二子像素SP-B、第三子像素SP-C和第四子像素SP-D。第一子像素SP-A和第二子像素SP-B沿列方向(y方向)排列，以沿行方向(x方向)夾著第一子像素SP-A和第二子像素SP-B的方式排列第三子像素SP-C和第四子像素SP-D。第一、第二、第三子像素、第四子像素SP-A、 SP-B、 SP-C、 SP-D 分別由子像素電極llla、 lllb、 lllc、 llld規(guī)定。子像素電極llla、 lllb、 lllc、 llld的行方向(x方向)的長度大致相等，子像素電極 llla、 lllb的列方向(y方向)的長度為子像素電極lllc、 llld的大約一半。因此，第一子像素、第二子像素、第三子像素、第四子像素 SP-A、 SP-B、 SP-C、 SP-D的面積比為1:1:2:2。另外，第一子像素SP-A和第二子像素SP-B分別具有TFT-A、 TFT-B，與此相對(duì)，第三子像素SP-C具有TFT-C1、 TFT-C2，第四子像素SP-D具有TFT-D1、 TFT-D2。 G總線與TFT-A、 TFT-B、 TFT-C1、 TFT-C2、 TFT-D1、 TFT-D2的柵極電極連接。因此，第三子像素、第四子像素SP-C、 SP-D具有冗長結(jié)構(gòu)。另外，S總線的第一源極配線 Sl與第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B、SP-C的TFT-A、 TFT-B、 TFT-C1、 TFT-C2的源極電極連接，第二源極配線S2與第四子像素SP-D的TFT-D1、 TFT-D2的源極電極連接。另夕卜，CS總線CS-A與第一、第三子像素和第四子像素SP-A、 SP-C、 SP-D的輔助電容CCS-A、 CCS-C1、 CCS-D1連接，CS總線CS-B與第二、第三子像素和第四子像素SP-B、SP-C、SP-D的輔助電容CCS-B、 CCS-C2、 CCS-D2連接。在此，關(guān)注第三子像素SP-C時(shí)，第三子像素SP-C的子像素電極 lllc在與CS總線CS-B重疊的部分中一部分被切除，子像素電極lllc 與CS總線CS-B的重疊面積比子像素電極lllc與CS總線CS-A的重疊面積小。因此，第三子像素SP-C的輔助電容CCS-C1的靜電電容值比輔助電容CCS-C2大。另外，當(dāng)關(guān)注第四子像素SP-D時(shí)，第四子像素SP-D的子像素電極llld在與CS總線CS-A重疊的部分中一部分被切除，子像素電極llld與CS總線CS-A的重疊面積比子像素電極llld 與CS總線CS-B的重疊面積小。因此，第四子像素SP-D的輔助電容 CCS-Dl的靜電電容值比輔助電容CCS-D2小。因此，第三子像素SP-C 的液晶電容CLC-C中CS總線CS-A造成的影響處于優(yōu)勢(shì)，第四子像素SP-D的液晶電容CLC-D中CS總線CS-B造成的影響處于優(yōu)勢(shì)。因此，在第一子像素成為亮子像素，第二子像素成為暗子像素的情況下，第三子像素成為中亮子像素，第四子像素成為中暗子像素。在該情況下，亮子像素、中亮子像素、中暗子像素、暗子像素的面積比為1:2:2:1。另外，在液晶顯示裝置600C1進(jìn)行點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的情況下，屬于列方向上相鄰的2個(gè)像素的第三子像素的一方成為中亮子像素，另一方成為中暗子像素。同樣地，在列方向上與亮子像素相鄰的子像素為暗子像素。此外，在液晶顯示裝置600C1中，第三子像素、第四子像素SP-C、 SP-D的子像素電極lllc、 llld與G總線重疊，因此，為了防止短路，在G總線和子像素電極lllc、 llld之間設(shè)置有較厚的絕緣膜。該絕緣膜例如是將柵極絕緣膜和層間絕緣膜層疊而成。通過像這樣設(shè)置較厚的絕緣膜，抑制寄生電容Cgd的增大。圖40表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置600C2的TFT 基板的示意性平面圖。在液晶顯示裝置600C2中，第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B 具有TFT-A1、 TFT-A2、 TFT-B1、 TFT-B2。第三子像素、第四子像素 SP-C、 SP-D具有TFT-C1、 TFT-C2、 TFT-D1、 TFT-D2。第一、第二、第三子像素、第四子像素SP-A、 SP-B、 SP-C、 SP-D成為冗長結(jié)構(gòu)。另外，TFT-A1、 TFT-B1、 TFT-C1、 TFT-C2的源極電極從第一源極配線SI開始沿行方向(x方向)延伸，TFT-A2、 TFT-B2、 TFT-Dl、 TFT-D2 的源極電極從第二源極配線S2開始沿行方向(x方向)延伸。液晶顯示裝置600C2中，第三子像素SP-C的子像素電極lllc具有電極lllcl、電極lllc2、和連接電極lllcl、 111c2的連接部lllcc。另夕卜，第四子像素SP-D的子像素電極llld具有電極llldl、電極llld2、和連接電極llldl、 111d2的連接部llldc。另夕卜，連接部lllcc、 llldc的行方向(x方向)的長度比較短，子像素電極lllc、 llld與G總線的重疊區(qū)域的面積減小，抑制寄生電容Cgd的增大。圖41表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置600C3的TFT 基板的示意性平面圖。在液晶顯示裝置600C3中，第三子像素SP-C的子像素電極lllc 具有電極lllcl和電極111c2，第四子像素SP-D的子像素電極llld具有電極llldl、電極111d2。另夕卜，第三子像素、第四子像素SP-C、 SP-D 具有TFT-C、 TFT-D， TFT-C的漏極電極與第一源極配線Sl平行設(shè)置， TFT-D的漏極電極與第二源極配線S2平行設(shè)置。此外，TFT-C的漏極電極連接子像素電極lllc的電極lllcl、 111c2， TFT-D的漏極電極連接子像素電極llld的電極llldl、 111d2。此外，TFT-C、 TFT-D的漏極電極與G總線重疊，但是TFT-C、 TFT-D的漏極電極的行方向(x 方向)的長度比較短，寄生電容Cgd的增大被抑制。圖42表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的液晶顯示裝置600C4的TFT 基板的示意性平面圖。在液晶顯示裝置600C4中，第一子像素、第二子像素SP-A、 SP-B 分別具有TFT-A1、 TFT-A2、 TFT-B1、 TFT-B2，第三子像素、第四子像素SP-C、 SP-D分別具有TFT-C、 TFT-D。第三子像素、第四子像素SP-C、 SP-D的子像素電極lllc、 llld 具有與G總線重疊的連接部lllcc、 llldc， TFT-C、 TFT-D的漏極電極的面積，比第一子像素SP-A的TFT-A1、 TFT-A2的漏極電極的面積的和、以及，第二子像素SP-B的TFT-B1、 TFT-B2的漏極電極的面積的和小，抑制第三子像素、第四子像素SP-C、 SP-D中的TFT的漏極電極與G總線的寄生電容Cgd。因此，能夠使第一、第二、第三子像素、第四子像素SP-A、 SP-B、 SP-C、 SP-D的Cgd比大致相等，能夠減小漏極電壓的饋通電壓的差，例如，饋通電壓差成為50mV程度以下。由此能夠抑制閃爍的發(fā)生。以下，說明3分割結(jié)構(gòu)和4分割結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置的y特性的視野角依存性。圖43中，在圖3所示的曲線L0、 Ll、 L2和L3的基礎(chǔ)上，還表示出4分割結(jié)構(gòu)的右60。視野角的o/曲線(L4)。如上所述，3分割結(jié)69線L2更接近理想的y曲線，但是 4分割結(jié)構(gòu)的y曲線L4比3分割結(jié)構(gòu)的y曲線L3又更接近理想的y 曲線，視野角特性良好。圖44是表示3VT結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置的視野角特性的圖表。在該液晶顯示裝置中，如圖16 (a)所示，中子像素被分離為2個(gè)。施加在各子像素的液晶電容的有效電壓的差因灰度等級(jí)而不同，施加在亮子像素的液晶電容的有效電壓，比施加在中子像素的液晶電容的有效電壓大最多0.6V，施加在暗子像素的液晶電容的有效電壓，比施加在中子像素的液晶電容的有效電壓小最多0.6V。圖44 (a)和圖44 (b)是表示3VT結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置的y特性的視野角特性的圖表。在這些液晶顯示裝置中，亮子像素:中子像素: 暗子像素:中子像素的子像素電極的面積比為1:1:1:1，亮子像素:中子像素:暗子像素的面積比為1:2:1。液晶顯示裝置的紅像素(R)、綠像素(G)和藍(lán)像素(B)的間隙大致相等的情況下，液晶顯示裝置的y特性的視野角依存性如圖44(a) 所示。在此，紅像素(R)、綠像素(G)和藍(lán)像素(B)的間隙為3.4pm。另一方面，液晶顯示裝置的藍(lán)像素(B)的間隙比紅像素(R)和綠像素(G)小的情況下，液晶顯示裝置的T/特性的視野角依存性如圖44 (b)所示。在此，紅像素(R)和綠像素(G)的間隙為3.4pm，藍(lán)像素(B)的間隙為3.0pm。從圖44 (a)和圖44 (b)的比較可以理解，在藍(lán)像素的間隙與紅和綠像素相等的情況下，關(guān)于藍(lán)的y特性的視野角依存性即使在高灰度等級(jí)中也與理想的7特性的視野角依存性存在偏差，當(dāng)藍(lán)像素的間隙比紅和綠像素小時(shí)，能夠抑制該偏差。圖44 (c)和圖44 (d)是表示3VT結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置的y特性的視野角特性的圖表。在這些液晶顯示裝置中，亮子像素:中子像素: 暗子像素:中子像素的子像素電極的面積比為1:0.5:1:0.5，亮子像素:中子像素:暗子像素的面積比為1:1:1。液晶顯示裝置的紅像素(R)、綠像素(G)和藍(lán)像素(B)的間隙大致相等的情況下，液晶顯示裝置的T/特性的視野角依存性如圖44(c) 所示。在此，紅像素(R)、綠像素(G)和藍(lán)像素(B)的間隙為3.4pm。另一方面，液晶顯示裝置的藍(lán)像素(B)的間隙比紅像素(R)和綠像素(G)小的情況下，液晶顯示裝置的y特性的視野角依存性如圖44 (d)所示。在此，紅像素(R)和綠像素(G)的間隙為3.4pm，藍(lán)像素(B)的間隙為3.0pm。在該情況下，從圖44 (c)和圖44 (d)的比較可以理解，在藍(lán)像素的間隙與紅和綠像素相等的情況下，關(guān)于藍(lán)的y特性的視野角依存性在高灰度等級(jí)中與理想值有較大偏差，通過使藍(lán)像素的間隙比紅和綠像素小，能夠抑制該偏差。另外，從圖44 (a) 圖44 (d)的比較可以理解，通過使亮子像素:中子像素:暗子像素的面積比大致相等，y 特性的視野角特性更加接近理想的特性。在此，參照?qǐng)D45說明4VT結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置的視野角特性。在該液晶顯示裝置中，亮子像素:中亮子像素:中暗子像素:暗子像素的面積比為1:1:1:1。施加在各子像素的液晶電容的有效電壓的差由于灰度等級(jí)而不同，施加在中亮子像素的液晶電容的有效電壓比施加在中暗子像素的液晶電容的有效電壓大最多0.6V，施加在亮子像素的液晶電容的有效電壓比施加在中亮子像素的液晶電容的有效電壓大最多0.4V。另外，施加在暗子像素的液晶電容的有效電壓比施加在中暗子像素的液晶電容的有效電壓小最多0.4V。液晶顯示裝置的紅像素(R)、綠像素(G)和藍(lán)像素(B)的間隙大致相等的情況下，液晶顯示裝置的0/特性的視野角依存性如圖45(a) 所示。在此，紅像素(R)、綠像素(G)和藍(lán)像素(B)的間隙為3.4pm。另一方面，液晶顯示裝置的藍(lán)像素(B)的間隙比紅像素(R)和綠像素(G)小的情況下，液晶顯示裝置的Y特性的視野角依存性如圖45 (b)所示。在此，紅像素(R)和綠像素(G)的間隙為3.4)am，藍(lán)像素(B)的間隙為3.0pm。從圖45 (a)和圖45 (b)的比較可以理解，在藍(lán)像素的間隙與紅和綠像素相等的情況下，關(guān)于藍(lán)的y特性的視野角依存性在高灰度等級(jí)中與理想值有較大偏差，但是通過使藍(lán)像素的間隙比紅和綠像素小，能夠抑制該偏差。另外，從圖44和圖45的比較可以理解，4VT結(jié)構(gòu) 的液晶顯示裝置的y特性的視野角特性比3VT結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置更接近理想的特性。此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置，由于具有廣視野角特性且顯示品質(zhì)非常高，所以適合作為大型的TV接收機(jī)的顯示裝置使用?；诒景l(fā)明的TV接收機(jī)，具有接收電視廣播的調(diào)諧器等公知的結(jié)構(gòu)和上述的液晶顯示裝置。接著，對(duì)于將本發(fā)明的液晶顯示裝置適用于電視接收機(jī)的例子進(jìn)行說明。圖46是表示該電視接收機(jī)的顯示裝置800的結(jié)構(gòu)的框圖。該顯示裝置800包括Y/C分離電路80、視頻色度(Video Chroma)電路 81、 A/D轉(zhuǎn)換器82、液晶控制器83、液晶面板84、背光源驅(qū)動(dòng)電路 85、背光源86、微機(jī)(微型計(jì)算機(jī))87、和灰度等級(jí)電路88。此外，上述液晶面板84包括由有源矩陣型的像素陣列構(gòu)成的顯示部、用于驅(qū) 動(dòng)該顯示部的源極驅(qū)動(dòng)器和柵極驅(qū)動(dòng)器。在上述結(jié)構(gòu)的顯示裝置800中，首先，作為電視信號(hào)的復(fù)合彩色視頻信號(hào)Scv從外部被輸入Y/C分離電路80，在此被分離為亮度信號(hào) 和色信號(hào)。這些亮度信號(hào)和色信號(hào)通過視頻色度電路81被轉(zhuǎn)換為與光的3原色對(duì)應(yīng)的模擬RGB信號(hào)，并且，該模擬RGB信號(hào)通過A/D轉(zhuǎn) 換器82被轉(zhuǎn)換為數(shù)字RGB信號(hào)。該數(shù)字RGB信號(hào)被輸入液晶控制器 83。另外，在Y/C分離電路80中，從由外部輸入的復(fù)合彩色視頻信號(hào) Scv也獲取水平和垂直同步信號(hào)，這些同步信號(hào)也通過微機(jī)87輸入液晶控制器83。液晶控制器83，基于來自A/D轉(zhuǎn)換器82的數(shù)字RGB信號(hào)(相當(dāng) 于上述實(shí)施方式中的數(shù)字視頻信號(hào)Dv)輸出驅(qū)動(dòng)器用數(shù)據(jù)信號(hào)。另外，液晶控制器83，基于上述同步信號(hào)生成用于使液晶面板84內(nèi)的源極驅(qū) 動(dòng)器和柵極驅(qū)動(dòng)器與上述實(shí)施方式同樣地動(dòng)作的定時(shí)控制信號(hào)，并將這些定時(shí)控制信號(hào)提供到源極驅(qū)動(dòng)器和柵極驅(qū)動(dòng)器。另外，在灰度等級(jí)電路88中，生成彩色顯示的3原色R、 G、 B各自的灰度等級(jí)電壓，這些灰度等級(jí)電壓也被提供給液晶面板84。在液晶面板84中，基于這些驅(qū)動(dòng)用數(shù)據(jù)信號(hào)、定時(shí)控制信號(hào)和灰度等級(jí)電壓通過內(nèi)部的源極驅(qū)動(dòng)器、柵極驅(qū)動(dòng)器等生成驅(qū)動(dòng)用信號(hào)(數(shù) 據(jù)信號(hào)、掃描信號(hào)等)，基于這些驅(qū)動(dòng)用信號(hào)在內(nèi)部的顯示部顯示彩色圖像。此外，當(dāng)利用該液晶面板84顯示圖像時(shí)，需要從液晶面板84 的后方照射光。在該顯示裝置800中，在微機(jī)87的控制下背光源驅(qū)動(dòng) 電路85驅(qū)動(dòng)背光源86，由此對(duì)液晶面板84的背面照射光。微機(jī)87進(jìn)行包括上述處理的系統(tǒng)整體的控制。此外，作為從外部輸入的視頻信號(hào)(復(fù)合彩色視頻信號(hào))，不僅是基于電視廣播的視頻信號(hào)，也能夠使用利用攝像機(jī)拍攝的視頻信號(hào)、通過互聯(lián)網(wǎng)線路被供給的視頻信號(hào)等，在該顯示裝置800中，能夠顯示基于各種視頻信號(hào)的圖像顯示。在上述結(jié)構(gòu)的顯示裝置800中，顯示基于電視廣播的圖像的情況下，如圖46 (b)所示，在該顯示裝置800連接調(diào)諧部90。該調(diào)諧部 90從由天線(未圖示)接收的接收波(高頻信號(hào))中抽取應(yīng)該接收的頻道的信號(hào)轉(zhuǎn)換為中頻信號(hào)，通過對(duì)該中頻信號(hào)進(jìn)行檢波獲取作為電視信號(hào)的復(fù)合彩色視頻信號(hào)Scv。該復(fù)合彩色視頻信號(hào)Scv如已述那樣被輸入顯示裝置800，通過該顯示裝置800顯示基于該復(fù)合彩色視頻信號(hào)Scv的圖像。此外，為了參考，在本說明書中引用作為本申請(qǐng)的基礎(chǔ)申請(qǐng)的專利申請(qǐng)2007-66724號(hào)和專利申請(qǐng)2007-280865號(hào)的公開內(nèi)容。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明尤其適用于大型且具有廣視野角特性的液晶TV。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括排列為具有多個(gè)行和多個(gè)列的矩陣狀的多個(gè)像素；和與所述多個(gè)像素分別相關(guān)聯(lián)的TFT、源極總線、柵極總線和CS總線，所述多個(gè)像素各自具有至少3個(gè)子像素，所述至少3個(gè)子像素分別具有能夠保持相互不同的電壓的液晶電容，通過從所述源極總線、柵極總線和CS總線，對(duì)所述多個(gè)像素分別供給至少在某中間灰度使所述至少3個(gè)子像素內(nèi)的2個(gè)子像素顯示相互不同的亮度的信號(hào)，能夠使所述至少3個(gè)子像素顯示相互不同的亮度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述多個(gè)像素各自關(guān)聯(lián)有與所述至少3個(gè)子像素對(duì)應(yīng)的至少3個(gè)TFT、 1個(gè)源極總線、至少1個(gè)柵極總線、和至少2個(gè)CS總線，與所述至少3個(gè)子像素對(duì)應(yīng)的TFT分別具有柵極電極、源極電極和漏極電極。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述至少3個(gè)子像素具有的液晶電容具有至少3個(gè)子像素電極、液晶層、和隔著所述液晶層與所述至少3個(gè)子像素電極相對(duì)的相對(duì)電極，所述相對(duì)電極為所述至少3個(gè)子像素電極所共用的單一的電極。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的液晶顯示裝置，其特征在于-當(dāng)以所述至少3個(gè)子像素作為第一子像素、第二子像素和第三子像素，以所述至少2個(gè)CS總線作為第一 CS總線和第二 CS總線時(shí)，所述第一子像素具有與所述第一 CS總線連接的輔助電容，所述第二子像素具有與所述第二 CS總線連接的輔助電容，所述第三子像素具有與所述第一 CS總線連接的輔助電容、和與所述第二 CS總線連接的輔助電容。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述柵極總線包括第一柵極配線和第二柵極配線，所述第一 CS總線包括第一 CS配線和第二 CS配線，所述第二 CS總線包括第三CS配線和第四CS配線。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一柵極配線和第二柵極配線在所述液晶顯示裝置內(nèi)分支，所述第一 CS配線和第二 CS配線在所述液晶顯示裝置內(nèi)分支，所述第三CS配線和第四CS配線在所述液晶顯示裝置內(nèi)分支。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一子像素、第二子像素和第三子像素沿列方向排列，所述第三子像素配置在所述第一子像素和所述第二子像素之間。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5 7中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第三子像素包括具有與所述第一柵極配線連接的柵極電極的TFT、和具有與所述第二柵極配線連接的柵極電極的TFT。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5 8中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述柵極總線還具有連接所述第一柵極配線和第二柵極配線的連接配線，所述CS總線還具有連接所述第一 cs配線和第二 cs配線的連接配線、和/或連接所述第三cs配線和第四cs配線的連接配線，所述柵極總線的所述連接配線由與所述柵極總線的所述第一柵極配線和第二柵極配線相同的材料形成，所述cs總線的所述連接配線由與所述源極總線相同的材料形成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求4 9中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第三子像素具有的與所述第一 cs總線連接的所述輔助電容的靜電電容值，和與所述第二 cs總線連接的所述輔助電容的靜電電容值大致相等。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于在所述第一子像素、第二子像素和第三子像素顯示相互不同的亮度的情況下，所述第三子像素的亮度，比所述第一子像素、第二子像素的一方的亮度高，比另一方的亮度低。所述第三子像素在列方向成條狀設(shè)置。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一子像素和第二子像素沿列方向排列，所述源極總線設(shè)置在所述第一子像素和第二子像素與所述第三子像素之間。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一子像素、第二子像素、第三子像素的面積比為1:1:1。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第三子像素跨越所述柵極總線。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第三子像素的子像素電極跨越所述柵極總線。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第三子像素的子像素電極的跨越所述柵極總線的部分的行方向的長度，比所述第三子像素的子像素電極的行方向的最大的長度短。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的液晶顯示裝置，其特征在于-所述第三子像素的TFT的漏極電極跨越所述柵極總線。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第三子像素的子像素電極具有第一電極和第二電極，所述第三子像素的TFT的漏極電極與所述源極總線平行設(shè)置，所述漏極電極連接所述第三子像素的子像素電極的所述第一電極和所述第二電極。
19. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于-所述第三子像素的TFT的漏極電極與所述柵極總線重疊的面積，比所述第一子像素和第二子像素的TFT的漏極電極與所述柵極總線重疊的各個(gè)面積小。
20. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一子像素和第二子像素沿列方向排列，所述第三子像素具有第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述源極總線具有在所述第一子像素和第二子像素與所述第三子像素的第一區(qū)域之間設(shè)置的第一源極配線；和在所述第一子像素和第二子像素與所述第三子像素的第二區(qū)域之間設(shè)置的第二源極配線，所述第一子像素和第二子像素的列方向的各自的長度，為所述第三子像素的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的列方向的各自的長度的一半，所述第一子像素和第二子像素的行方向的長度，為所述第三子像素的所述第一區(qū)域或者所述第二區(qū)域的行方向的長度的大致4倍。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第三子像素具有與所述第一區(qū)域和第二區(qū)域?qū)?yīng)的子像素電極，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素的子像素電極分別連接有多個(gè)TFT。
22. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的液晶顯示裝置，其特征在于在所述第一源極配線和第二源極配線分別設(shè)置有多個(gè)TFT，所述第三子像素具有與所述第一區(qū)域和第二區(qū)域?qū)?yīng)設(shè)置的TFT，在所述第三子像素的所述第一區(qū)域和第二區(qū)域設(shè)置的TFT的漏極電極各自的面積，比第一子像素和第二子像素的TFT的漏極電極各自的面積小。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一子像素和第二子像素分別具有多個(gè)TFT，在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域中設(shè)置的TFT各自的數(shù)量，比所述第一子像素和第二子像素的TFT各自的數(shù)量少。
24. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一子像素在所述某中間灰度在所述至少3個(gè)子像素內(nèi)呈現(xiàn)最亮的亮度，所述第二子像素和第三子像素的至少一方，具有以夾著所述第一子像素的方式配置的2個(gè)區(qū)域。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第二子像素和第三子像素的所述至少一方，具有在所述2個(gè)區(qū)域連續(xù)的子像素電極。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的液晶顯示裝置，其特征在于在所述2個(gè)區(qū)域連續(xù)的子像素電極為環(huán)狀。
27. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的液晶顯示裝置，其特征在于-在所述2個(gè)區(qū)域連續(xù)的子像素電極為3字狀。
28. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第二子像素和第三子像素的所述至少一方，具有與所述2個(gè)區(qū)域?qū)?yīng)的2個(gè)子像素電極，所述2個(gè)子像素電極通過連接在該子像素相關(guān)聯(lián)的TFT的漏極電極的漏極引出配線相互連接。
29. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的液晶顯示裝置，其特征在于具有與所述3個(gè)TFT的漏極電極分別連接的3個(gè)漏極引出配線，所述第一 CS總線和第二 CS總線的至少一方具有延伸設(shè)置部，所述延伸設(shè)置部隔著絕緣層與所述至少3個(gè)子像素電極和所述3個(gè)漏極引出配線的至少1個(gè)重疊。
30. 根據(jù)權(quán)利要求29所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一 CS總線和第二 CS總線的所述至少一方具有的所述延伸設(shè)置部包括環(huán)狀部。
31. 根據(jù)權(quán)利要求29或30所述的液晶顯示裝置，其特征在于在所述至少3個(gè)子像素電極內(nèi)的相互相鄰的子像素電極間的間隙，配置有選自所述漏極引出配線、所述源極總線、所述第一CS總線和第二CS總線內(nèi)的至少一個(gè)配線的一部分。
32. 根據(jù)權(quán)利要求31所述的液晶顯示裝置，其特征在于具有垂直取向型的液晶層，所述至少3個(gè)子像素電極內(nèi)的所述相互相鄰的子像素電極間的所述間隙包括沿相對(duì)于列方向大約45°的方向延伸的間隙。
33. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一子像素、第二子像素和第三子像素配置在所述第一 CS總線和第二 CS總線之間，所述第一 CS總線和第二 CS總線分別與在列方向上相鄰的像素的輔助電容連接。
34. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一子像素、第二子像素和第三子像素的子像素電極各自的沿列方向的2個(gè)邊的長度大致相等。
35. 根據(jù)權(quán)利要求33或34所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述至少1個(gè)柵極總線具有第一柵極配線和第二柵極配線，所述第三子像素包括具有與所述第一柵極配線連接的柵極電極的TFT、和具有與所述第二柵極配線連接的柵極電極的TFT，所述第三子像素的2個(gè)TFT的漏極電極分別與2個(gè)漏極引出配線連接，所述2個(gè)漏極引出配線分別與所述至少1個(gè)柵極總線交叉。
36. 根據(jù)權(quán)利要求33或34所述的液晶顯示裝置，其特征在于-所述至少1個(gè)柵極總線具有柵極配線，所述第三子像素包括分別具有與所述柵極配線連接的柵極電極的 2個(gè)TFT，所述第三子像素的2個(gè)TFT的漏極電極分別與2個(gè)漏極引出配線連接，所述第三子像素的子像素電極跨越所述柵極總線。
37. 根據(jù)權(quán)利要求36所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第三子像素的子像素電極具有第一電極、第二電極、和將所述第一電極和第二電極連接的連接部，所述連接部的行方向的長度比所述第一電極、第二電極的所述行方向的長度短。
38. 根據(jù)權(quán)利要求37所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第三子像素的子像素電極的連接部設(shè)置在所述像素的行方向的中央附近。
39. 根據(jù)權(quán)利要求36 38中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一子像素的TFT和所述第三子像素的一個(gè)TFT的柵極電極，和/或所述第二子像素的TFT和所述第三子像素的另一個(gè)TFT的柵極電極，作為柵極電極部一體地設(shè)置，并與所述柵極總線連接，所述第一子像素和第二子像素的TFT各自的漏極電極，與所述柵極電極部和所述柵極總線重疊。
40. 根據(jù)權(quán)利要求35 39中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于-所述2個(gè)漏極引出配線與所述第一 CS總線和第二 CS總線分別重疊，所述第一子像素和第二子像素的子像素電極，不與所述2個(gè)漏極引出配線與所述第一 CS總線和第二 CS總線重疊的區(qū)域重疊。
41. 根據(jù)權(quán)利要求35 40中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于-所述第三子像素的子像素電極分別通過接觸孔與所述2個(gè)漏極引出配線連接，所述2個(gè)漏極引出配線分別具有與所述第一 CS總線和第二 CS總線重疊的輔助電容電極。
42. 根據(jù)權(quán)利要求33或34所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述至少1個(gè)柵極總線具有第一柵極配線和第二柵極配線，所述第三子像素包括具有與所述第一柵極配線或者所述第二柵極配線連接的柵極電極的TFT。
43. 根據(jù)權(quán)利要求42所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第三子像素的TFT的漏極電極與漏極引出配線連接，所述漏極引出配線與所述第一 CS總線和第二 CS總線重疊，所述第一子像素和第二子像素的子像素電極，不與所述漏極引出配線與所述第一 CS總線和第二 CS總線重疊的區(qū)域重疊。
44. 根據(jù)權(quán)利要求42或43所述的液晶顯示裝置，其特征在于在沿行方向的像素中，按每至少一個(gè)像素使所述第三子像素的TFT的柵極電極與不同的柵極配線連接。
45. 根據(jù)權(quán)利要求42 44中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于-沿行方向相鄰的2個(gè)像素中，一個(gè)像素的第三子像素的TFT的柵極電極與所述第一柵極配線連接，另一個(gè)像素的第三子像素的TFT的柵極電極與所述第二柵極配線連接。
46. 根據(jù)權(quán)利要求35 45中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第三子像素的TFT的漏極電極的面積，比所述第一子像素和第二子像素的TFT的漏極電極的各個(gè)的面積小。
47. 根據(jù)權(quán)利要求4 46中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一子像素、第二子像素和第三子像素的面積相互大致相等。
48. 根據(jù)權(quán)利要求4 47中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述多個(gè)像素分別還具有第四子像素，所述第四子像素具有與所述第一 CS總線連接的輔助電容、和與所述第二 CS總線連接的輔助電容。
49. 根據(jù)權(quán)利要求48所述的液晶顯示裝置，其特征在于在所述第三子像素中，以與所述第一 CS總線連接的輔助電容作為第一輔助電容，以與所述第二 CS總線連接的輔助電容作為第二輔助電容，在所述第四子像素中，以與所述第一CS總線連接的輔助電容作為第三輔助電容，以與所述第二 CS總線連接的輔助電容作為第四輔助電容，所述第一輔助電容的靜電電容值與所述第二輔助電容的靜電電容值不同，所述第三輔助電容的靜電電容值與所述第四輔助電容的靜電電容值不同。
50. 根據(jù)權(quán)利要求48或49所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述源極總線具有第一源極配線和第二源極配線，所述第一子像素和第二子像素，在所述第一源極配線和所述第二源極配線之間沿列方向排列，所述第三子像素相對(duì)于所述第一子像素和第二子像素夾著所述第一源極配線配置，所述第四子像素相對(duì)于所述第一子像素和第二子像素夾著所述第二源極配線配置。
51. 根據(jù)權(quán)利要求50所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第三子像素和第四子像素跨越所述柵極總線。
52. 根據(jù)權(quán)利要求51所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素分別具有多個(gè)TFT。
53. 根據(jù)權(quán)利要求51或52所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第三子像素和第四子像素的子像素電極跨越所述柵極總線。
54. 根據(jù)權(quán)利要求53所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第三子像素和第四子像素的子像素電極中跨越所述柵極總線的部分的行方向的長度，比所述第三子像素、第四子像素的子像素電極的行方向的最大長度短。
55. 根據(jù)權(quán)利要求51或52所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第三子像素和第四子像素的TFT的漏極電極跨越所述柵極總線。
56. 根據(jù)權(quán)利要求55所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第三子像素和第四子像素的子像素電極分別具有2個(gè)電極，所述第三子像素和第四子像素的TFT的漏極電極與所述源極總線平行設(shè)置，所述第三子像素和第四子像素的TFT的漏極電極分別將所述第三子像素和第四子像素的子像素電極的所述2個(gè)電極連接。
57. 根據(jù)權(quán)利要求49所述的液晶顯示裝置，其特征在于-所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素的TFT的漏極電極與所述柵極總線重疊，所述第三子像素和第四子像素的TFT的漏極電極與所述柵極總線重疊的各個(gè)面積，比所述第一子像素和第二子像素的TFT的漏極電極與所述柵極總線重疊的各個(gè)面積小。
58. 根據(jù)權(quán)利要求57所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一子像素和第二子像素分別具有多個(gè)TFT，所述第三子像素和第四子像素各自的TFT的數(shù)量比所述第一子像素、第二子像素各自的TFT的數(shù)量少。
59. 根據(jù)權(quán)利要求48 58中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素的面積相互大致相等。
60. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的液晶顯示裝置，其特征在于以所述至少3個(gè)子像素作為第一子像素、第二子像素和第三子像素，以所述至少2個(gè)CS總線作為第一 CS總線和第二 CS總線，所述第一子像素具有與所述第一 CS總線連接的輔助電容，所述第二子像素具有與所述第二 CS總線連接的輔助電容，所述第三子像素具有與所述至少1個(gè)柵極總線連接的輔助電容。
61. 根據(jù)權(quán)利要求60所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一子像素、第二子像素和第三子像素設(shè)置在相鄰的2個(gè)柵極總線之間，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素的TFT的柵極電極，與所述2個(gè)柵極總線中的一個(gè)柵極總線連接，所述第一 CS總線和第二 CS總線設(shè)置在所述2個(gè)柵極總線之間，所述第三子像素的輔助電容與所述2個(gè)柵極總線中的另一個(gè)柵極總線連接。
62. 根據(jù)權(quán)利要求60所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一子像素、第二子像素和第三子像素配置在所述第一 CS總線和第二cs總線之間，所述第三子像素的輔助電容，與用于選擇列方向上相鄰的像素的柵極總線連接。
63. 根據(jù)權(quán)利要求1 62中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述多個(gè)像素具有顯示紅色的紅像素、顯示藍(lán)色的藍(lán)像素和顯示綠色的綠像素，所述藍(lán)像素的單元間隙比所述紅像素或者所述綠像素的單元間隙小
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，其包括排列為具有行和列的矩陣狀的像素；和與各像素關(guān)聯(lián)的TFT(TFT-A、B、C)、源極總線、柵極總線和CS總線(CS-A、B)。各像素具有至少3個(gè)子像素(SP-A、B、C)，所述至少3個(gè)子像素分別具有能夠保持相互不同的電壓的液晶電容，通過從源極總線、柵極總線和CS總線，對(duì)各像素分別供給至少在某中間灰度使至少3個(gè)子像素內(nèi)的2個(gè)子像素顯示相互不同的亮度的信號(hào)(CS-A、CS-B)，能夠使至少3個(gè)子像素顯示相互不同的亮度。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK101636690SQ20088000840
公開日2010年1月27日申請(qǐng)日期2008年3月6日優(yōu)先權(quán)日2007年3月15日
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