專利名稱：光柵光調(diào)制器與有源矩陣驅(qū)動電路單片集成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于一種光柵光調(diào)制器與有源矩陣驅(qū)動電路單片集成的工藝設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，更具 體的說，本發(fā)明是先利用CMOS工藝加工有源矩陣驅(qū)動電路驅(qū)動，然后利用表面微機(jī)械加工 工藝加工光柵光調(diào)制器，實(shí)現(xiàn)兩者在縱向上的單片集成，由此可以顯著提高光柵光調(diào)制器作 為投影顯示器件的性能。
背景技術(shù)：
近年來，隨著MEMS技術(shù)的不斷發(fā)展，對將來MEMS器件的要求是微型化和集成化； 低功耗和低成本；高精度和長壽命；多功能和智能化。將MEMS與CMOS集成電路的單片 集成，可以滿足上述要求。實(shí)現(xiàn)單片集成是實(shí)現(xiàn)MEMS器件智能化的關(guān)鍵，特別是單片集成 MEMS技術(shù)是片上系統(tǒng)芯片能否實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵技術(shù)之一。將MEMS器件與CMOS驅(qū)動電路單 片集成，可以降低功耗、信號噪聲和芯片成本，減小電路之間的互連線和芯片面積，提高電 路傳輸速率，可以顯著的提高M(jìn)EMS器件的性能。
目前，MEMS器件與CMOS電路的單片集成大部分是采用在MEMS器件周圍集成CMOS 電路。如，MEMS傳感器與CMOS電路單片集成等。在單片集成技術(shù)中，分別制造MEMS 器件和CMOS電路，然后從各自的晶片切開，固定在一個(gè)共同的襯底上，連線鍵合，這樣就 實(shí)現(xiàn)兩者的集成，稱為混合法(hybrid)。這種方法不會產(chǎn)生MEMS制造過程對CMOS電路的 污染，同時(shí)兩者生產(chǎn)過程互不干擾。但是，由于信號經(jīng)過鍵合點(diǎn)和引線，導(dǎo)致在高頻應(yīng)用時(shí)， 信號傳輸質(zhì)量下降，并且開發(fā)兩套生產(chǎn)線增加了產(chǎn)品的成本。為了解決某些性能上的問題， 也為了突現(xiàn)更低的成本，CMOS和MEMS被制作在同一襯底上。CMOS設(shè)計(jì)中并入了 MEMS 器件，而最后的結(jié)果是一完整的CMOS-MEMS系統(tǒng)。某些設(shè)計(jì)在生產(chǎn)線工藝完成之后還需要 一至兩額外工藝來形成MEMS器件的結(jié)構(gòu)。設(shè)計(jì)工藝受生產(chǎn)線工藝流程的限制， 一般是不允 許作變動的。生產(chǎn)線上給出的設(shè)計(jì)規(guī)則可用于CMOS部分的設(shè)計(jì)，但為了獲得MEMS設(shè)計(jì) 部分的版圖卻常忽略掉這些設(shè)計(jì)規(guī)則。在設(shè)計(jì)一個(gè)系統(tǒng)時(shí)，是先做MEMS工藝還是后做 MEMS工藝可以權(quán)衡其利弊而進(jìn)行選擇。于是便有了 Pre-CMOS或Post-CMOS工藝之分。
Pre-CMOS集成方法是先制造MEMS結(jié)構(gòu)，后制造CMOS電路。雖然克服了MEMS的高 溫工藝對CMOS電路的影響，但由于存在垂直的微結(jié)構(gòu)，存在MEMS器件與電路互連臺階覆 蓋性問題。而且，在CMOS電路工藝過程中對微結(jié)構(gòu)的保護(hù)也是一個(gè)需要考慮的問題。甚至 已優(yōu)化微調(diào)的CMOS工藝流程，如柵氧可能被重?fù)诫s的結(jié)構(gòu)層影響。另外，MEMS工藝過 程中不能有任何的金屬或其他的材料，如壓電材料聚合物等，使得這種方法只適合一些特殊 應(yīng)用。
目前，單片集成MEMS技術(shù)主要以Post-CMOS技術(shù)為主，該方法是在加工完CMOS電路 的硅片上，通過一些附加MEMS微細(xì)加工技術(shù)以實(shí)現(xiàn)單片集成MEMS系統(tǒng)。Post-CMOS方法 主要問題是MEMS加工工藝溫度會對前面的CMOS電路性能產(chǎn)生影響，更為嚴(yán)重的是后面高 溫MEMS加工工藝溫度與前面CMOS工藝金屬化不兼容。以目前研究最多的多晶硅作為結(jié)構(gòu) 層的MEMS為例，使磷硅玻璃致密化的退火溫度為95(TC，而使作為結(jié)構(gòu)層多晶硅的應(yīng)力退火 溫度則達(dá)到105(TC，這將使CMOS器件結(jié)深發(fā)生遷移。特別是80(TC時(shí)淺結(jié)器件的結(jié)深遷移就 會影響器件的性能。另一方面，采用常規(guī)鋁金屬化工藝時(shí)，當(dāng)溫度達(dá)至IJ400 450。C時(shí)，CMOS 電路可靠性將受到嚴(yán)重的影響。從以上可以看出如何克服后面高溫MEMS微結(jié)構(gòu)加工溫度 對前面的巳加工完的CMOS電路影響是解決單片集成MEMS系統(tǒng)關(guān)鍵所在。
重慶大學(xué)提出的MEMS光柵光調(diào)制器，其專利號為ZL200510020186.8。該器件是用于投 影顯示的器件。目前，加工的光柵光調(diào)制器芯片中沒有單片集成有源矩陣驅(qū)動電路。這樣， 光柵光調(diào)制器陣列只能利用無源矩陣驅(qū)動方式進(jìn)行顯示。由于矩陣電容的耦合效應(yīng)，無源矩 陣驅(qū)動的光柵光調(diào)制器陣列明顯的存在交叉效應(yīng)，導(dǎo)致光學(xué)對比度較低。交叉效應(yīng)表現(xiàn)為當(dāng) 選通某個(gè)像素時(shí)，該像素會引起周圍像素電壓的變化，可能導(dǎo)致暗態(tài)的像素顯示亮態(tài)。并且， 無源矩陣驅(qū)動的光柵光調(diào)制器陣列進(jìn)行逐行掃描時(shí)，每一時(shí)刻只有一行能夠顯示，光利用率 只有1/N(N為行數(shù))。這些都限制了GLM器件面向高分辨率、高清晰度的投影顯示的發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容
為了進(jìn)一步提高M(jìn)EMS光柵光調(diào)制器的投影顯示性能，并結(jié)合當(dāng)MEMS器件與CMOS電 路單片集成的加工工藝。本發(fā)明的提出一種MEMS光柵光調(diào)制器與CMOS有源矩陣驅(qū)動電路 單片集成方法。首先，利用CMOS電路加工有源矩陣驅(qū)動電路，然后利用低溫的表面微機(jī)械 加工工藝得到MEMS光柵光調(diào)制器。利用該工藝加工的光柵光調(diào)制器，可以面向高清晰度、
高分辨率投影顯示。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案如下
本發(fā)面提出一種MEMS光柵光調(diào)制器與CMOS有源矩陣驅(qū)動電路單片集成方法，用以實(shí) 現(xiàn)支撐在下電極上的上層可動光柵形成的MEMS光柵光調(diào)制器和下層有源矩陣驅(qū)動電路的 單片集成，其加工步驟如下
a. 在一硅襯底上利用CMOS工藝加工出有源矩陣驅(qū)動電路，有源矩陣驅(qū)動電路加工時(shí)， 所有金屬層之間的二氧化硅介質(zhì)層在淀積后，對介質(zhì)層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)處 理；
b. 光柵光調(diào)制器的下電極直接由CMOS工藝中的頂層金屬濺射、刻蝕形成，利用通孔將 有源矩陣驅(qū)動電路的電壓輸出端和光柵光調(diào)制器的下電極連接起來；
c. 在光柵光調(diào)制器的下電極上進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象淀積(PECVD)，淀積一層二氧 化硅絕緣層，并對二氧化硅絕緣層進(jìn)行CMP打磨；
d. 在二氧化硅絕緣層上旋涂聚酰亞胺(PI)犧牲層，對PI進(jìn)行干法腐蝕，并剝離，從而 在對應(yīng)于上層光柵光調(diào)制器的支撐位置形成四個(gè)鋁柱孔；
e. 在犧牲層上低溫濺射一層鋁膜，并對鋁膜進(jìn)行干法刻蝕，形成上層可動光柵圖案；
f. 用氧等離子體刻蝕掉犧牲層，釋放三維光柵光調(diào)制器結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)有源驅(qū)動電路與光柵 光調(diào)制器的單片集成工藝。
光柵光調(diào)制器與有源矩陣驅(qū)動電路是縱向上的單片集成，即光柵光調(diào)制器位于有源矩陣 驅(qū)動電路的正上方。通孔將有源矩陣驅(qū)動電路的輸出端與光柵光調(diào)制器下電極在電學(xué)上相連。 光柵光調(diào)制器的加工溫度低于400°C，這樣不會破壞下層的有源矩陣驅(qū)動電路。利用光柵光 調(diào)制器下極板和各層金屬布線，對下層有源矩陣驅(qū)動電路進(jìn)行遮光保護(hù)。光柵光調(diào)制器陣列 的全部可動光柵連接在一起，并且連接到一個(gè)電壓源或接地。
本發(fā)明解決了 MEMS光柵光調(diào)制器與CMOS有源矩陣驅(qū)動電路單片集成的工藝加工。 同時(shí)，加工的集成芯片可以降低芯片功耗，減小電路之間的互連線，降低信號噪聲，提高電 路傳輸速率，減小了芯片的面積，同時(shí)降低芯片生產(chǎn)成本，可以顯著的提高M(jìn)EMS光柵光調(diào) 制器的投影顯示性能。利用該單片集成工藝加工得到的MEMS光柵光調(diào)制器可以消除交叉效 應(yīng)，從而提高投影顯示的光學(xué)對比度和光利用率，可以面向HDTV和大屏幕投影顯示。


圖1 MEMS光柵光調(diào)制器與DRAM單片集成的工藝流程；
圖2 MEMS光柵光調(diào)制器與SRAM單片集成的工藝流程；
圖3 MEMS光柵光調(diào)制器與DRAM單片集成的剖析圖4 MEMS光柵光調(diào)制器與SRAM單片集成的剖析圖5 MEMS光柵光調(diào)制器與CMOS有源矩陣驅(qū)動電路單片集成的陣列； 圖中1.襯底；2.摻磷擴(kuò)散區(qū)；3.NMOS襯底接觸區(qū)；4.柵氧化層；5.多晶硅柵；6.絕 緣層l; 7.接觸孔；8.行線(金屬1); 9.介質(zhì)層l; 10.通孔1; 11.列線(金屬2); 12. MIM 電容下極板(金屬2); 13.介質(zhì)層2; 14.通孔2; 15. MIM電容上極板(附加金屬層)；16.介 質(zhì)層3; 17.通孔3; 18.光柵光調(diào)制器下電極(頂層金屬)；19.絕緣層2; 20.PI犧牲層；21. 鋁柱孔；22.可動光柵；23.N阱；24.摻硼擴(kuò)散區(qū)；25. PMOS襯底接觸區(qū)；26.場氧區(qū)。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明
帶有源矩陣驅(qū)動電路的光柵調(diào)制器的結(jié)構(gòu)是是基于現(xiàn)有的IC工藝，在硅片上分層構(gòu)造的 MEMS器件。包括以下結(jié)構(gòu)
一硅基底，其上用CMOS工藝形成有源矩陣驅(qū)動電路； 一位于有源矩陣驅(qū)動電路之上的光柵調(diào)制器下電極，其上淀積絕緣層； 一位于絕緣層之上，四邊與懸臂梁連接而被支撐的上層可動光柵。
隨著在上層可動光柵和下電極間施加電壓的不同，上層可動光柵和下電極之間的間距可 變，形成深度可調(diào)的矩形槽相位光柵，對入射光產(chǎn)生調(diào)制效果。
本發(fā)明設(shè)計(jì)兩種有源矩陣驅(qū)動電路驅(qū)動，包括DRAM和SRAM。基于動態(tài)隨機(jī)存儲器 DRAM的有源矩陣驅(qū)動電路，該有源矩陣單元由一個(gè)NMOS開關(guān)管和一個(gè)存儲電容組成，結(jié) 構(gòu)簡單，但存在電壓保持性能較差的問題；基于靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM的有源矩陣驅(qū)動電路， 有源矩陣單元由一個(gè)NMOS開關(guān)管和兩個(gè)反相器組成，電壓保持能力強(qiáng)，但電路較復(fù)雜?；?于這兩種CMOS驅(qū)動與光柵光調(diào)制器單片集成的工藝整體上是一致的，都是先利用CMOS 工藝加工有源矩陣驅(qū)動電路，然后利用低溫表面微機(jī)械加工工藝得到上層光柵光調(diào)制器。 圖1是帶有基于動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM的有源矩陣驅(qū)動電路的光柵調(diào)制器的制作 (a)、 (b)利用光刻、干法等離子體刻蝕在襯底1上形成NMOS晶體管的有源區(qū)。離子 注入磷原子后，進(jìn)行退火處理，形成摻磷擴(kuò)散區(qū)2 (源、漏區(qū))和NMOS襯底接觸區(qū)3。通 過熱氧化形成柵氧化層4，接著利用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)形成多晶硅柵5。接著， LPCVD得到二氧化硅形成的絕緣層6，并對其進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)處理，得到平整度較 好的平面。
(c) (d) (e)利用光刻、干法等離子體刻蝕形成接觸孔7和通孔10，并用鎢塞填充。然
后濺射鋁，利用干法等離子體刻蝕形成行線8和列線11，從而將柵極引出到金屬l層，將源 極、漏極和襯底引出到金屬2層。在金屬l層刻蝕后，利用LPCVD得到二氧化硅介質(zhì)層9， 并對其進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)處理，得到平整度較好的平面。在金屬2中形成MIM電容下 極板12，并與襯底l相連接。
(f) (g)利用低壓化學(xué)氣相淀積LPCVD形成二氧化硅介質(zhì)層13，并對其進(jìn)行化學(xué)機(jī)械 拋光(CMP)處理。利用光刻、干法等離子體刻蝕形成通孔14，并用鎢塞填充。然后濺射、干 法等離子刻蝕形成MIM電容上極板15，該金屬層為附加層。
(h) (i) LPCVD形成二氧化硅介質(zhì)層16，并對其進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)處理。利用光 刻、干法等離子體刻蝕形成通孔17，并用鉤塞填充。然后濺射、干法等離子刻蝕形成光柵光 調(diào)制器的下電極18，下電極由金屬3形成。
(j) LPCVD或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD)形成二氧化硅絕緣層19，并對其 進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)處理。至此，下層有源矩陣驅(qū)動電路加工完成。
(k)在有源矩陣驅(qū)動電路上旋涂一定厚度的PI犧牲層20，利用干法等離子體刻蝕在犧牲 層中形成四個(gè)鋁柱孔21。
(m)利用低溫PVD濺射鋁膜，四個(gè)鋁柱孔21被鋁填充。利用干法等離子體刻蝕鋁膜， 形成光柵光調(diào)制器上電極，形成上層可動光柵22圖案。
(n)干法等離子體刻蝕掉犧牲層，釋放三維光柵光調(diào)制器結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)MEMS光柵光調(diào)制 器與CMOS有源矩陣驅(qū)動電路驅(qū)動單片集成的工藝。
圖2帶有基于靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM的有源矩陣驅(qū)動電路的光柵調(diào)制器的制做 (a) (b)利用光刻、干法等離子體刻蝕分別得到NMOS晶體管的有源區(qū)和PMOS晶體 管的N阱區(qū)。然后N阱區(qū)離子注入磷，進(jìn)行退火處理，形成N阱23。接著，利用相似的工 藝形成NMOS和PMOS晶體管的源、漏區(qū)(摻磷擴(kuò)散區(qū)2與摻硼擴(kuò)散區(qū)24)和襯底接觸區(qū)3 與25。形成場氧區(qū)26后，通過熱氧化形成兩種晶體管的柵氧化層4，接著利用低壓化學(xué)氣相 淀積(LPCVD)形成多晶硅柵5。接著，LPCVD得到二氧化硅絕緣層6，并對其進(jìn)行化學(xué)機(jī) 械拋光(CMP)處理，得到平整度較好的平面。
(c) (d) (e) (f)利用光刻、干法等離子體刻蝕形成接觸孔7、通孔10，并用鎢塞填充。 然后濺射鋁，利用干法等離子體刻蝕形成行線8和列線11。將柵極、源極、漏極和襯底引出 到金屬1或金屬2。接著，LPCVD得到二氧化硅介質(zhì)層9和13，并對其進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)處理。
(g) (h)光刻、干法等離子體刻蝕形成通孔17，鎢塞填充通孔17，濺射鋁(金屬3)， 干法刻蝕形成光柵光調(diào)制器的下電極18。 LPCVD或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD) 形成二氧化硅絕緣層19，并對其進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)處理。至此，下層有源矩陣驅(qū)動電 路加工完成。
(i)在有源矩陣驅(qū)動電路上旋涂一定厚度的PI犧牲層20，利用干法等離子體刻蝕在犧 牲層中形成四個(gè)鋁柱孔21。
(j)利用低溫PVD濺射鋁膜，四個(gè)鋁柱孔21被鋁填充。利用干法等離子體刻蝕鋁膜， 形成光柵光調(diào)制器上電極，形成上層可動光柵22圖案。
(k)干法等離子體刻蝕掉犧牲層，釋放三維光柵光調(diào)制器結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)MEMS光柵光調(diào) 制器與CMOS有源矩陣驅(qū)動電路驅(qū)動單片集成的工藝。
在圖3、圖4顯示了MEMS光柵光調(diào)制器與不同有源矩陣驅(qū)動電路單片集成的結(jié)構(gòu)。有 源矩陣驅(qū)動電路位于光柵光調(diào)制器的正下方。圖3顯示了基于動態(tài)態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM的有 源矩陣驅(qū)動電路，該有源矩陣驅(qū)動電路位于襯底1和介質(zhì)層16之間，由一個(gè)NMOS開關(guān)管 和一個(gè)存儲電容組成。它結(jié)構(gòu)簡單，但存在電壓保持性能較差的問題。圖4顯示了基于靜態(tài) 隨機(jī)存儲器SRAM的有源矩陣驅(qū)動電路，該有源矩陣驅(qū)動電路位于襯底1和介質(zhì)層16之間， 有源矩陣單元由一個(gè)NMOS開關(guān)管和兩個(gè)反相器組成，電壓保持能力強(qiáng)，但電路較復(fù)雜。基 于這兩種CMOS驅(qū)動與光柵光調(diào)制器單片集成的工藝整體上是一致的，都是先利用CMOS 工藝在襯底1上加工有源矩陣驅(qū)動電路，然后LPCVD形成二氧化硅介質(zhì)層16，并對其進(jìn)行 化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)處理。最后利用低溫表面微機(jī)械加工工藝得到上層光柵光調(diào)制器。下層 有源矩陣驅(qū)動電路都是通過通孔17與上層光柵光調(diào)制器下電極18相連，為光柵光調(diào)制器下 電極18提供驅(qū)動電壓，使可動光柵22下拉，實(shí)現(xiàn)對入射光的調(diào)制。絕緣層19可以防止可動 光柵22下拉到下電極18上引起短路。
圖5中，顯示了 MEMS光柵光調(diào)制器與CMOS有源矩陣驅(qū)動電路單片集成的陣列。使用 本發(fā)明的光柵光調(diào)制器與有源矩陣驅(qū)動電路單片集成的工藝設(shè)計(jì)方法，在形成的光柵光調(diào)制 器陣列的下方，每一個(gè)光柵光調(diào)制器都對應(yīng)一個(gè)DRAM或SRAM有源矩陣驅(qū)動電路單元。 由此可以通過對有源矩陣驅(qū)動電路DRAM或SRAM的尋址驅(qū)動，形成對光柵光調(diào)制器陣列 中每一個(gè)光柵光調(diào)制器的加壓驅(qū)動，形成衍射效果不同的點(diǎn)陣。
以上采用實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述。那些只有在本領(lǐng)域的技術(shù)人員閱讀了本公開文件 之后才變得一目了然的改進(jìn)和修改，仍然屬于本申請的精神和范疇。
權(quán)利要求
1、一種光柵光調(diào)制器與有源矩陣驅(qū)動電路單片集成方法，用以實(shí)現(xiàn)支撐在下電極上的上層可動光柵形成的MEMS光柵光調(diào)制器和下層有源矩陣驅(qū)動電路的單片集成，其特征在于，首先，利用CMOS工藝加工下層有源矩陣驅(qū)動電路；然后，利用微表面機(jī)械加工工藝得到上層光柵光調(diào)制器，該方法包括以下步驟a. 在一硅襯底上利用CMOS工藝加工出有源矩陣驅(qū)動電路，有源矩陣驅(qū)動電路加工時(shí)，所有金屬層之間的二氧化硅介質(zhì)層在淀積后，對介質(zhì)層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光CMP處理；b. 光柵光調(diào)制器的下電極直接由CMOS工藝中的頂層金屬濺射、刻蝕形成，利用通孔將有源矩陣驅(qū)動電路的電壓輸出端和光柵光調(diào)制器的下電極連接起來；c. 在光柵光調(diào)制器的下電極上進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣象淀積PECVD，淀積一層二氧化硅絕緣層，并對二氧化硅絕緣層進(jìn)行CMP打磨；d. 在二氧化硅絕緣層上旋涂聚酰亞胺PI犧牲層，對PI進(jìn)行干法腐蝕，并剝離，從而在對應(yīng)于上層光柵光調(diào)制器的支撐位置形成四個(gè)鋁柱孔；e. 在犧牲層上低溫濺射一層鋁膜，并對鋁膜進(jìn)行干法刻蝕，形成上層可動光柵圖案；f. 用氧等離子體刻蝕掉犧牲層，釋放三維光柵光調(diào)制器結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)有源驅(qū)動電路與光柵光調(diào)制器的縱向單片集成。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的光柵光調(diào)制器與有源矩陣驅(qū)動電路單片集成方法，其特征在于光 柵光調(diào)制器的加工溫度低于400攝氏度。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光柵光調(diào)制器與有源矩陣驅(qū)動電路單片集成方法，其特征在于 利用光柵光調(diào)制器下極板和各層金屬布線，對下層有源矩陣驅(qū)動電路進(jìn)行遮光保護(hù)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光柵光調(diào)制器與有源矩陣驅(qū)動電路單片集成方法，其特征在于 所述光柵光調(diào)制器陣列的全部可動光柵連接在一起，并且連接到一個(gè)電壓源或接地。全文摘要
本發(fā)明提出一種光柵光調(diào)制器與有源矩陣驅(qū)動電路單片集成方法，其結(jié)合當(dāng)MEMS器件與CMOS電路單片集成的加工工藝，首先利用CMOS電路加工有源矩陣驅(qū)動電路，然后利用低溫的表面微機(jī)械加工工藝得到MEMS光柵光調(diào)制器，實(shí)現(xiàn)支撐在下電極上的上層可動光柵形成的MEMS光柵光調(diào)制器和下層有源矩陣驅(qū)動電路的單片集成。利用該工藝加工的光柵光調(diào)制器，可以面向高清晰度、高分辨率投影顯示。
文檔編號G02B26/08GK101393321SQ20081023283
公開日2009年3月25日 申請日期2008年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月9日
發(fā)明者潔 張, 張智海, 寧 王, 珠 金, 瑋 韋 申請人:重慶大學(xué)