專利名稱：顯示裝置和顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置，尤其涉及在基板上形成有薄膜晶體管的顯 示裝置。
背景技術(shù)：
作為這種顯示裝置存在如下構(gòu)成的裝置在其基板面上，在顯示 區(qū)域的各像素上形成有用于選擇像素的薄膜晶體管，并且在該顯示區(qū) 域的周邊形成有用于驅(qū)動(dòng)上述各像素的周邊電路，且該周邊電路具有 多個(gè)薄膜晶體管。
而且，當(dāng)制造該顯示裝置時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)其高效化，通常并列形成
用于選擇像素的薄膜晶體管和周邊電路的薄膜晶體管。
另外還已知如下技術(shù)在用于選擇像素的薄膜晶體管上形成以非 晶硅(a-Si)為半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)，并在周邊電路的薄膜晶體管上形成 以多晶硅為半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)，其中多晶硅例如利用偽單晶化技術(shù)對(duì)非 晶硅進(jìn)行結(jié)晶化而形成。這是由于在以多晶硅為半導(dǎo)體層的情況下， 可以獲得移動(dòng)性優(yōu)良的薄膜晶體管。
眾所周知，這種情況下，在以非晶硅為半導(dǎo)體層的薄膜晶體管上 使用氮化硅膜作為該柵極絕緣膜；在以多晶硅為半導(dǎo)體層的薄膜晶體 管上使用氧化硅膜作為該柵極絕緣膜，這樣可以提高各薄膜晶體管的 特性。
在下面的專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了由這樣的結(jié)構(gòu)形成的顯示裝置及其 制造方法。日本特開(kāi)平5-107560號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
但是上述專利文獻(xiàn)1所示的顯示裝置在其基板的主面上形成了像 素選擇用的薄膜晶體管和周邊電路的薄膜晶體管的柵電極之后，還在 該基板的周面上覆蓋上述柵電極，首先形成氮化硅膜。
然后在該氮化硅膜的上表面形成氧化硅膜，對(duì)該氧化硅膜進(jìn)行選 擇性蝕刻，在周邊電路的形成區(qū)域上殘留該氧化硅膜。
然后在上述基板的主面上形成非晶硅層，在該非晶硅層的上述周 邊電路上的各薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的形成區(qū)域上選擇性地進(jìn)行結(jié) 晶化來(lái)形成多晶硅膜。
由此，在對(duì)上述氧化硅膜進(jìn)行選擇性蝕刻時(shí)，存在異物會(huì)進(jìn)入或 污染該氧化硅膜和氮化硅膜的不良情況。
另外，上述專利文獻(xiàn)1所示的顯示裝置可以推定為上述氧化硅膜 會(huì)形成到周邊電路的形成區(qū)域上，例如在實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管的柵電極與 漏電極(源電極)的電連接的情況下，存在該連接的可靠性降低的不 良情況。
即薄膜晶體管的柵電極與漏電極(源電極)的電連接是利用通過(guò)
分別形成于所層疊的氮化硅膜和氧化硅膜上的通孔而形成的金屬膜 來(lái)進(jìn)行的。在這種情況下，形成上述通孔時(shí)上述氮化硅膜在氧化硅的
下層被根切(under cut)，由于在該通孔的側(cè)壁面上形成的臺(tái)階，上 述金屬膜容易發(fā)生斷裂。
本發(fā)明的目的在于提供一種具有使柵極絕緣膜避免異物侵入或 污染的薄膜晶體管的顯示裝置。
本發(fā)明的目的還在于提供一種使通過(guò)通孔的電連接的可靠性得 以提高的顯示裝置。
下面，簡(jiǎn)單說(shuō)明本申請(qǐng)公開(kāi)的發(fā)明中具有代表性的發(fā)明概要。 (1)本發(fā)明的顯示裝置例如在基板上形成有薄膜晶體管，其特 征在于，作為上述薄膜晶體管，具有在覆蓋柵電極而形成于上述基板 上的氮化硅膜上選擇性地形成的氧化硅膜，還具有至少包含形成于上 述氧化硅膜的上表面的偽單晶層或者多晶層的半導(dǎo)體層，構(gòu)成為在該 半導(dǎo)體層的上表面隔著接觸層而形成漏電極和源電極，上述偽單晶層
或者多晶層是通過(guò)非晶硅層的結(jié)晶化而形成的，并且包含由其周側(cè)壁 面與其下層的上述氧化硅膜的周側(cè)壁面間不具有臺(tái)階而連續(xù)的結(jié)構(gòu)
構(gòu)成的部分。
(2) 本發(fā)明的顯示裝置例如特征在于，在基板表面上顯示區(qū)域
的各像素和上述顯示區(qū)域的周邊電路上分別形成有薄膜晶體管，(1) 所述結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管是形成在上述周邊電路上的薄膜晶體管。
(3) 本發(fā)明的顯示裝置例如特征在于，以(2)的結(jié)構(gòu)為前提， 形成于上述顯示區(qū)域的像素上的薄膜晶體管具有覆蓋柵電極而形成 于上述基板上的上述氮化硅膜；形成在上述氮化硅膜的上表面的非晶 硅層；以及隔著接觸層而形成于該非晶硅層的上表面的漏電極和源電極。
(4) 本發(fā)明的顯示裝置例如特征在于，該顯示裝置具有開(kāi)關(guān)元 件，該開(kāi)關(guān)元件通過(guò)時(shí)分驅(qū)動(dòng)向擔(dān)任紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色
(B)的各像素提供視頻信號(hào)，上述開(kāi)關(guān)元件由(1 )所示的薄膜晶體 管構(gòu)成。
(5) 本發(fā)明的顯示裝置的制造方法，例如在顯示裝置的基板上 具有薄膜晶體管，作為該薄膜晶體管，具有在覆蓋柵電極而形成的氮 化硅膜上選擇性地形成的氧化硅膜，還具有至少包含形成于上述氧化 硅膜的上表面的偽單晶層或者多晶層的半導(dǎo)體層，在該半導(dǎo)體層的上 表面隔著接觸層而形成漏電極和源電極，上述偽單晶層或者多晶層是 通過(guò)非晶硅層的結(jié)晶化而形成的，該制造方法的特征在于，具有依
次連續(xù)形成上述氮化硅膜、上述氧化硅膜和上述非晶硅層的工序；選 擇性對(duì)上述非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶化，形成上述偽單晶層或者多晶層的工 序；以及殘留上述偽單晶層或者多晶層，在對(duì)上述非晶硅層進(jìn)行蝕刻 時(shí)，還對(duì)定位于該非晶硅層的下層的氧化硅膜也進(jìn)行蝕刻的工序。
并且本發(fā)明不限于上述結(jié)構(gòu)，可以在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的 范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更。
如上構(gòu)成的顯示裝置可以獲得具有避免異物侵入或污染柵極絕 緣膜的薄膜晶體管的顯示裝置。
另外，如上構(gòu)成的顯示裝置可以提高通過(guò)通孔實(shí)現(xiàn)的電連接的可靠性。


圖1是表示形成在本發(fā)明的顯示裝置的基板上的薄膜晶體管的一 個(gè)實(shí)施例的剖面圖。
圖2是表示本發(fā)明的顯示裝置的 一 個(gè)實(shí)施例的概要結(jié)構(gòu)圖。 圖3A到圖3E是表示形成在本發(fā)明的顯示裝置的基板上的薄膜晶 體管的制造方法的一個(gè)實(shí)施例的工序圖，是與圖4一起表示整個(gè)工序的圖。
圖4A到圖4C是表示形成在本發(fā)明的顯示裝置的基板上的薄膜晶 體管的制造方法的一個(gè)實(shí)施例的工序圖，是與圖3—起表示整個(gè)工序的圖。
圖5A到圖5D是表示形成在現(xiàn)有的顯示裝置的基板上的薄膜晶體 管的制造方法的一個(gè)例子的工序圖，是與圖6 —起表示整個(gè)工序的圖。
圖6A到圖6C是表示形成在現(xiàn)有的顯示裝置的基板上的薄膜晶體 管的制造方法的一個(gè)例子的工序圖，是與圖5—起表示整個(gè)工序的圖。
圖7是說(shuō)明現(xiàn)有的顯示裝置的不良情況的說(shuō)明圖。
圖8是表示本發(fā)明的顯示裝置的其他實(shí)施例的說(shuō)明圖。
具體實(shí)施例方式
下面使用

本發(fā)明的顯示裝置的實(shí)施例。 (顯示裝置的概要結(jié)構(gòu))
圖2是例如以液晶顯示裝置為例表示本發(fā)明的顯示裝置的概要俯視圖。
圖2中，該液晶顯示裝置以隔著液晶層而相對(duì)配置的例如由玻璃 構(gòu)成的基板SUB1、 SUB2作為外圍器件(封裝)，該液晶層通過(guò)未 圖示的密封材料而被密封在上述基板SUB1和SUB2之間。
例如在基板SUB1的液晶側(cè)的面上形成有在圖中x方向上延伸而
在y方向并列設(shè)置的柵極信號(hào)線GL和在圖中y方向上延伸而在x方 向并列設(shè)置的漏極信號(hào)線DL。
而且將通過(guò)一對(duì)相鄰的柵極信號(hào)線GL和一對(duì)相鄰的漏極信號(hào)線 DL圍繞的區(qū)域作為像素區(qū)域，通過(guò)在這些像素區(qū)域配置為矩陣狀的 集合體來(lái)構(gòu)成液晶顯示區(qū)域AR。
柵極信號(hào)線GL例如在圖中左側(cè)端與掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路V相連。 例如以從圖中上段朝下段再返回上段的順序向柵極信號(hào)線GL提供來(lái) 自上述掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路V的掃描信號(hào)。
漏極信號(hào)線DL例如在圖中下側(cè)端與視頻驅(qū)動(dòng)電路He相連。按照 上述掃描信號(hào)的提供定時(shí)向漏極信號(hào)線DL提供來(lái)自上述視頻驅(qū)動(dòng)電 路He的視頻信號(hào)。
并且上述掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路V和視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路He通過(guò)分別 具有多個(gè)薄膜晶體管TFT1的電路構(gòu)成。
另外，如放大圖中實(shí)線框a內(nèi)表示的圖A所示，上述像素區(qū)域具 有通過(guò)來(lái)自柵極信號(hào)線GL的掃描信號(hào)的提供而導(dǎo)通的薄膜晶體管 TFT2;通過(guò)該導(dǎo)通的薄膜晶體管TFT2而被提供來(lái)自漏極信號(hào)線DL 的視頻信號(hào)的像素電極PX;以及連接在該像素電極PX和柵極信號(hào)線 GL之間的電容元件Cadd,其中該柵極信號(hào)線GL與該像素電極PX 相鄰接，且不是來(lái)驅(qū)動(dòng)上述薄膜晶體管TFT2的柵極信號(hào)線。
上述像素電極PX例如與在基板SUB2的液晶側(cè)的面上共同形成 于各像素區(qū)域的對(duì)置電極(未圖示)之間產(chǎn)生電場(chǎng)。
如上構(gòu)成的液晶顯示裝置在基板SUB1上的結(jié)構(gòu)的制造中，通常 上述掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路V和視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路He與像素區(qū)域的結(jié)構(gòu) 并行形成，由此，上述薄膜晶體管TFT1和薄膜晶體管TFT2也并行 形成。
此處在該實(shí)施例中，形成于上述掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路V和視頻信號(hào) 驅(qū)動(dòng)電路He中的薄膜晶體管TFT1和形成于像素區(qū)域的薄膜晶體管 TFT2中，在它們的柵極絕緣膜和半導(dǎo)體層上存在材料和結(jié)構(gòu)上的不 同，因此對(duì)前者的薄膜晶體管賦予TFT1的符號(hào)，對(duì)后者的薄膜晶體
管賦予TFT2的符號(hào)加以區(qū)別。 (半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu))
圖1是表示形成于本發(fā)明的顯示裝置的薄膜晶體管的一個(gè)實(shí)施例 的構(gòu)成圖。
在圖1中，圖中左側(cè)描繪的薄膜晶體管TFT1是形成于上述掃描 信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路V和視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路He等的周邊電路上的薄膜晶體 管，其半導(dǎo)體層包含例如使非晶硅層偽單晶化的偽單晶層(圖中符號(hào) 4a所表示的)。另外，圖中右側(cè)描繪的薄膜晶體管TFT2是形成于像 素區(qū)域的薄膜晶體管，該半導(dǎo)體層由非晶硅層(圖中符號(hào)5所表示的) 構(gòu)成。
薄膜晶體管TFT1構(gòu)成如下。即，例如在由玻璃等構(gòu)成的基板 SUB1的表面形成柵電極GTl,以覆蓋該柵電極GT1的方式形成氮化 硅膜(SiN膜)2。該氮化硅膜2是一直形成到薄膜晶體管TFT2的形 成區(qū)域上的膜。
在上述氮化硅膜2的上表面跨該柵電極GT1而選擇性地形成有氧 化硅膜(SiOJ莫)3，進(jìn)而重疊于該氧化硅膜3的上表面而形成例如 使非晶硅層(圖3中用符號(hào)4表示)偽單晶化的偽單晶層4a。在此， 上述氧化硅膜3與偽單晶層4a的周邊的各側(cè)壁面(圖中用箭頭Q表 示)連續(xù)形成，成為沒(méi)有臺(tái)階的結(jié)構(gòu)。這表示上述氧化硅膜3僅形成 在偽單晶層4a的下層，而并不進(jìn)一步向外平面延伸，后面將敘述這 種效果。
然后，層疊在上述偽單晶層4a上而形成島狀的非晶硅層5。 該非晶硅層5的上表面，在平面觀察的情況下，前端部與上述柵 電極GT1重疊，形成有彼此分離而配置的漏電極DT和源電極ST， 使高濃度n型非晶硅層7 (圖中用符號(hào)7a表示)形成在該漏電極DT 和上述非晶硅層5的界面上，并使高濃度n型非晶硅層7 (圖中用符 號(hào)7b表示)形成在該源電極ST和上述非晶硅層5的界面上。
然后，在如上形成的薄膜晶體管TFT1的上表面覆蓋氮化硅膜8。 該氮化硅膜8是一直形成到薄膜晶體管TFT2的形成區(qū)域上的膜。
另一方面，薄膜晶體管TFT2構(gòu)成如下。在上述玻璃基板SUB1 的表面形成有柵電極GT2，覆蓋該柵電極GT2而形成上述氮化硅膜 (SiN膜)2。
在上述氮化硅膜2的上表面跨該柵電極GT2而呈島狀形成上述非 晶娃層5。
該非晶硅層5的上表面，在俯視觀察的情況下，在前端部與上述 柵電極GT2重疊，形成有彼此分離而配置的漏電極DT2和源電極 ST2，使高濃度n型非晶硅層7 (圖中用符號(hào)7c表示)形成在該漏電 極DT2和上述非晶硅層5的界面上，并使高濃度n型非晶硅層7 (圖 中用符號(hào)7d表示)形成在該源電極ST2和上述非晶硅層5的界面上。
而且，在如上形成的薄膜晶體管TFT1的上表面覆蓋著上述氮化 硅膜8。
并且圖1所示的薄膜晶體管TFT1的偽單晶層4a也可以替代為多 晶層。這也可以獲得相同的特性。
另夕卜，薄膜晶體管TFT1做成了在上述偽單晶層4a上層疊了非晶 硅層5的結(jié)構(gòu)，然而也可以做成不形成該非晶硅層5的結(jié)構(gòu)。 (半導(dǎo)體裝置的制造方法)
圖3和圖4是表示圖1所示的薄膜晶體管TFT1、 TFT2的制造方 法的一個(gè)實(shí)施例的工序圖。圖中左側(cè)表示薄膜晶體管TFT1的形成區(qū) 域，右側(cè)表示薄膜晶體管TFT2的形成區(qū)域。下面按工序進(jìn)行說(shuō)明。
工序1 (圖3 (a))
例如準(zhǔn)備由玻璃構(gòu)成的基板SUB1,在該基板SUB1的一個(gè)表面 上使用濺射法例如把MoW等金屬膜形成為50nm 150nm。之后使用 光刻技術(shù)下的選擇蝕刻法形成柵電極GT1、 GT2。
工序2 (圖3 (b))
在上述基板1的表面還覆蓋上述柵電極GT1、 GT2,將氮化硅膜 (SiN膜)2形成為大約300nm。接著把氧化硅膜(Si02膜)3形成 為大約25nm。進(jìn)而將非晶硅層(a-Si膜)4形成為50 150nm。
這些氮化硅膜2、氧化硅膜3和非晶硅層4各自的成膜例如是使
用CVD ( Chemical Vapor Deposition )裝置連續(xù)進(jìn)行的。通過(guò)這樣使 用同一裝置連續(xù)形成氮化硅膜2、氧化硅膜3和非晶硅層4,從而可 以獲得大幅降低異物侵入或污染這些膜各自的界面、膜中的效果。 工序3 (圖3 (c))
在上述非晶硅層4的形成區(qū)域中，在相當(dāng)于周邊電路的薄膜晶體 管TFT1的半導(dǎo)體層的形成區(qū)域的部位上，例如使用偽單晶技術(shù)選擇 性地進(jìn)行激光退火，從而形成使上述非晶硅層4變質(zhì)后的偽單晶層 4a。
這種情況下，作為其他實(shí)施例，不限于變質(zhì)為上述偽單晶層4a, 也可以形成多晶化后的多晶層。 工序4 (圖3 (d))
在上述非晶硅層4 (包含偽單晶層4a)上的整個(gè)區(qū)域形成光致抗 蝕劑膜(未圖示)，通過(guò)光刻技術(shù)僅殘留上述偽單晶層4a上的光致 抗蝕劑膜，去除其它區(qū)域上的光致抗蝕劑膜。
接著以殘留的光致抗蝕劑膜作為掩膜，對(duì)從該掩膜露出的上述非 晶硅層4 (不包含偽單晶層4a)進(jìn)行例如干蝕刻。進(jìn)而對(duì)從上述掩膜 露出的氧化硅膜3進(jìn)行千蝕刻或者濕獨(dú)刻。
然后例如進(jìn)行氧等離子體下的灰化或利用剝離劑來(lái)去除上述殘 留的光致抗蝕劑膜。
通過(guò)這樣進(jìn)行處理，從而在周邊電路的形成區(qū)域上成為形成有氧 化硅膜3的狀態(tài)，該氧化硅膜3作為形成于該區(qū)域上的薄膜晶體管(以 偽單晶層4a為半導(dǎo)體層)的柵極絕緣膜。另一方面，作為薄膜晶體 管TFT2 (以a-Si為半導(dǎo)體層)的柵極絕緣膜的氮化硅膜2露出在像 素的形成區(qū)域上。
工序5 (圖3 (e))
在基板1的表面上形成大約150nm的非晶硅層(a-Si膜)5，接 著形成20 50nm的高濃度n型非晶硅層(a-Si膜)7。
這些非晶硅層5和高濃度n型非晶硅層7各自的成膜是例如使用 CVD ( Chemical Vapor Deposition )裝置連續(xù)進(jìn)4亍的。
工序6.(圖4 (a))
通過(guò)光刻技術(shù)下的蝕刻法使非晶硅層5和高濃度n型非晶硅層7 的層疊體在各薄膜晶體管TFT的半導(dǎo)體層形成區(qū)域上殘留并在其它 區(qū)域去除。
由此，周邊電路上的薄膜晶體管TFT1的部分構(gòu)成為在上述偽單 晶層4a上依次層疊了非晶硅層5和高濃度n型非晶硅層7。 工序7.(圖4 (b))
在基板1的表面例如形成以Al (鋁)為主材料的金屬膜，通過(guò)利 用光刻技術(shù)進(jìn)行的選擇蝕刻來(lái)形成周邊電路形成區(qū)域的薄膜晶體管 TFT1的漏電極DT1和源電極ST1，并且形成像素區(qū)域的薄膜晶體管 TFT2的漏電極DT2和源電極ST2。
進(jìn)而，對(duì)各薄膜晶體管TFT1、 TFT2的漏電極DT1、 DT2和源電 極ST1、 ST2之間的各高濃度n型非晶硅層7進(jìn)行過(guò)蝕刻，使其下層 的非晶硅層5充分地露出。由此上述高濃度n型非晶硅層7形成于漏 電極DT1、 DT2與非晶硅層5之間、以及源電極ST1、 ST2與非晶硅 層5之間(分別用符號(hào)7a、 7c、 7b、 7d表示)而作為接觸層發(fā)揮作 用。
工序8 (圖4 (c))
然后例如使用CVD法在玻璃基板1的表面形成氮化硅膜(SiN膜) 8。該氮化硅膜8覆蓋各薄膜晶體管TFT而形成，例如作為保護(hù)膜發(fā) 揮作用。
(與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的比較)
圖5、 6是表示現(xiàn)有的薄膜晶體管TFT1、 TFT2的制造方法的一 個(gè)例子的工序圖，是與圖3、 4對(duì)應(yīng)描繪出的圖。圖5、 6所示的材料 中，與圖3、 4中相同符號(hào)的部分表示與圖3、 4所示的材料相同的部分。
因此在圖5、 6的說(shuō)明中僅說(shuō)明與圖3、 4不同的結(jié)構(gòu)，省略對(duì)與 圖3、 4相同的結(jié)構(gòu)的說(shuō)明。
首先，如圖5(b)所示，在形成了氮化硅膜2之后，形成氧化硅
膜3，選擇性去除該氧化硅膜3，例如在周邊電路的形成區(qū)域上殘留 該氧化硅膜3。
而且在其之后對(duì)非晶硅層4進(jìn)行成膜，在周邊電路上相當(dāng)于薄膜 晶體管TFT1的半導(dǎo)體層形成區(qū)域的部位上選擇性進(jìn)行激光退火，從 而形成使上述非晶硅層5變質(zhì)后的偽單晶層4a。
由此可知，在氮化硅膜2、氧化硅膜3和非晶硅層4分別成膜的 過(guò)程中進(jìn)行氧化硅膜3的選擇蝕刻的工序，從而沒(méi)有進(jìn)行例如同一 CVD裝置下的連續(xù)成膜。
與此不同，在本實(shí)施例中，如圖3 (b)所示連續(xù)進(jìn)行氮化硅膜2、 氧化硅膜3和非晶硅層4各自的成膜，可利用例如同一 CVD裝置來(lái) 成膜，可以不在各膜或膜的界面上產(chǎn)生異物的侵入或污染，能形成具 有電可靠性的柵極絕緣膜。
另外如圖6(a)所示，在對(duì)非晶硅層5成膜之后，對(duì)該非晶硅層 5進(jìn)行選擇蝕刻以使得各薄膜晶體管成為島狀。
這種情況下，在周邊電路所具有的薄膜晶體管TFT1中，對(duì)上述 非晶硅層5與其下層的非晶硅層4 一起進(jìn)行選擇蝕刻，而不對(duì)該非晶 硅層4下層的氧化硅膜3進(jìn)行蝕刻。
因此，上述氧化硅膜3形成為從薄膜晶體管TFT1的半導(dǎo)體層(偽 單晶層4a、非晶硅層5)突出，例如形成為遍及周邊電路的形成區(qū)域。
因此，在各個(gè)薄膜晶體管TFT1中，例如欲實(shí)現(xiàn)通過(guò)柵電極GT1 和漏電極DT1 (或源電極ST1)的通孔的連接的情況下，將在氮化硅 膜2與氧化硅膜3的依次層疊體上形成上述通孔。
這種情況下，當(dāng)在氮化硅膜2與氧化硅膜3的依次層疊體上形成 上述通孔時(shí)，如其剖面圖即圖7所示，氮化硅膜2將在氧化硅膜3下 方被根切。換言之，形成于氮化硅膜2的通孔的內(nèi)壁面相比形成于氧 化硅膜3的通孔的內(nèi)壁面要被過(guò)蝕刻。
因此，當(dāng)通過(guò)這種通孔形成基于金屬膜的布線的情況下，無(wú)法避 免在該通孔的內(nèi)壁面易于產(chǎn)生該金屬膜的斷裂的結(jié)構(gòu)。
與此不同，本實(shí)施例中如圖4 (a)所示，在周邊電路的形成區(qū)域
上形成有氧化硅膜3的部分僅形成于各薄膜晶體管TFT1的半導(dǎo)體層 (偽單晶層4a、非晶硅層5)的下層，因而不會(huì)在上述那樣例如柵電 極GT1和漏電極DT1 (或源電極ST1 )的通孔形成部位上形成上述 氧化硅膜3,而僅為氮化硅膜2。因而可獲得該通孔的內(nèi)壁面形成為 沒(méi)有臺(tái)階的連續(xù)的面的效果。 (其他實(shí)施例)
在上述實(shí)施例中，把具有使非晶硅層偽單晶化后的半導(dǎo)體層的薄 膜晶體管TFT1組裝到驅(qū)動(dòng)像素的周邊電路中。
但是當(dāng)通過(guò)漏極信號(hào)線DL把視頻信號(hào)提供到分別擔(dān)任紅色(R)、 綠色(G)、藍(lán)色(B)的像素上的時(shí)候，在組裝了用于通過(guò)時(shí)分割 進(jìn)行該提供的時(shí)分割用開(kāi)關(guān)SW (R) 、 SW(G)、 SW(B)的顯示 裝置中，也可以把上述薄膜晶體管TFT1應(yīng)用于該時(shí)分割用開(kāi)關(guān)SW (R) 、 SW (G) 、 SW (B)中。
圖8是表示在顯示區(qū)域AR的例如圖中下側(cè)，配置有上述時(shí)分割 用開(kāi)關(guān)SW (R) 、 SW (G) 、 SW (B)的顯示裝置的概要的俯視圖。
在顯示區(qū)域AR的各像素中，例如圖中y方向上并列設(shè)置的各像 素負(fù)責(zé)共同的顏色，從圖中左側(cè)朝右側(cè)擔(dān)任紅色(R)、綠色(G)、 藍(lán)色(B),依次如上進(jìn)行重復(fù)。
從漏極信號(hào)線DLc通過(guò)時(shí)分割用開(kāi)關(guān)SW (R)向負(fù)責(zé)圖中的紅 (R)的像素上公共的漏極信號(hào)線DL (圖中用DL (R)表示)提供 視頻信號(hào)。另外，從漏極信號(hào)線DLc通過(guò)時(shí)分割用開(kāi)關(guān)SW (G)向 負(fù)責(zé)圖中的綠(G)的像素上公共的漏極信號(hào)線DL (圖中用DL (G) 表示)提供視頻信號(hào)。進(jìn)而，從漏極信號(hào)線DLc通過(guò)時(shí)分割用開(kāi)關(guān) SW (B)向負(fù)責(zé)圖中的藍(lán)(B)的像素上公共的漏極信號(hào)線DL (圖 中用DL (B)表示)提供視頻信號(hào)。
上述時(shí)分割用開(kāi)關(guān)SW (R) 、 SW (G) 、 SW (B)向它們的柵 電極提供信號(hào)，從而例如以該順序交替切換導(dǎo)通，通過(guò)漏極信號(hào)線 DLc的視頻信號(hào)按照該導(dǎo)通的定時(shí)，被提供到所對(duì)應(yīng)的各漏極信號(hào)線 DL。
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如上構(gòu)成的顯示裝置可以做成能夠從視頻信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路(參見(jiàn)圖
2)通過(guò)一根漏極信號(hào)線DLc,向3根漏極信號(hào)線DL分別提供視頻 信號(hào)的結(jié)構(gòu)。
上述各實(shí)施例既可以分別單獨(dú)應(yīng)用，也可以組合應(yīng)用。這是因?yàn)?各個(gè)實(shí)施例中的效果既可以單獨(dú)起作用也可以疊加起作用。
權(quán)利要求
1. 一種顯示裝置，在基板上形成有薄膜晶體管，其特征在于，作為上述薄膜晶體管，具有在覆蓋柵電極而形成于上述基板上的氮化硅膜上選擇性地形成的氧化硅膜，還具有至少包含形成于上述氧化硅膜的上表面的偽單晶層或者多晶層的半導(dǎo)體層，隔著接觸層而在該半導(dǎo)體層的上表面形成有漏電極和源電極，上述偽單晶層或者多晶層通過(guò)非晶硅層的結(jié)晶化而形成，并且包含由其周側(cè)壁面與其下層的上述氧化硅膜的周側(cè)壁面間不具有臺(tái)階而連續(xù)的結(jié)構(gòu)構(gòu)成的部分。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，在基板表面上，在顯示區(qū)域的各像素和上述顯示區(qū)域的周邊電路 上分別形成有薄膜晶體管，權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管是形成在上述周邊電路上的薄膜晶體管。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于， 形成于上述顯示區(qū)域的像素上的薄膜晶體管具有 覆蓋柵電極而形成于上述基板上的上述氮化硅膜； 形成在上述氮化硅膜的上表面的非晶硅層；以及隔著接觸層而形成于該非晶硅層的上表面的漏電極和源電極。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于， 該顯示裝置具有開(kāi)關(guān)元件，該開(kāi)關(guān)元件通過(guò)時(shí)分驅(qū)動(dòng)向擔(dān)任紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的各像素提供視頻信號(hào)， 上述開(kāi)關(guān)元件由權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管構(gòu)成。
5. —種顯示裝置的制造方法，在顯示裝置的基板上具有薄膜晶體管，作為該薄膜晶體管，具有在覆蓋柵電極而形成的氮化硅膜上選擇 性地形成的氧化硅膜， 還具有至少包含形成于上述氧化硅膜的上表面的偽單晶層或者多晶層的半導(dǎo)體層，在該半導(dǎo)體層的上表面隔著接觸層而形成有漏電極和源電極，上述偽單晶層或者多晶層通過(guò)非晶硅層的結(jié)晶化而形成，該制造方法的特征在于，具有依次連續(xù)形成上述氮化硅膜、上述氧化硅膜和上述非晶硅層的工序；選擇性對(duì)上述非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶化來(lái)形成上述偽單晶層或者多晶層的工序；以及使上述偽單晶層或者多晶層殘留，當(dāng)對(duì)上述非晶硅層進(jìn)行蝕刻 時(shí)，對(duì)被定位于該非晶硅層的下層的氧化硅膜也進(jìn)行蝕刻的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置和顯示裝置的制造方法，該顯示裝置在基板上形成有薄膜晶體管，作為上述薄膜晶體管，具有覆蓋柵電極而形成于上述基板上的氮化硅膜上選擇性地形成的氧化硅膜，還具有至少包含形成于上述氧化硅膜的上表面的偽單晶層或者多晶層的半導(dǎo)體層，在該半導(dǎo)體層的上表面隔著接觸層而形成漏電極和源電極，上述偽單晶層或者多晶層是通過(guò)非晶硅層的結(jié)晶化而形成的，并且包含由其周側(cè)壁面與其下層的上述氧化硅膜的周側(cè)壁面間不具有臺(tái)階而連續(xù)的結(jié)構(gòu)構(gòu)成的部分。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK101387805SQ20081021518
公開(kāi)日2009年3月18日 申請(qǐng)日期2008年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月11日
發(fā)明者三宅秀和, 大植榮司, 宮澤敏夫, 海東拓生, 高品雄一郎 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立顯示器