專利名稱：：電子照相感光體和使用該感光體的成像設備和處理盒的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種電子照相感光體和使用該電子照相感光體的成像設備和處理盒。
背景技術：
：近年來，在利用電子照相法的成像設備中，由于色彩化和高清晰度的要求，已要求半色調再現(xiàn)。因此，在用于成像設備的電子照相感光體(以下可以簡稱為"感光體")中，需要半色調的再現(xiàn)性，即曝光電位的再現(xiàn)性。此外，從降低服務成本的觀點出發(fā)，需要減少更換電子照相感光體的頻率，因而延長感光體的壽命已變成重要的技術課題。有機感光體和無機感光體是公知的電子照相感光體。盡管有機感光體在成本等方面優(yōu)于無機感光體，但是有機感光體仍次于無機感光體，因為前者因有機感光層的磨損而具有較短的壽命。因此，為了延長有機感光層的運行壽命，迄今為止已研究了在有機感光層表面上設置具有高硬度和耐磨性的保護層。例如，已知將諸如金剛石狀碳等碳材料、諸如氧化鎵等氧化物材料和諸如碳氮化物等無機材料作為保護層形成用材料(參見，日本特開平5-53487號公報和特開2006-267507號公報)。因為由這些材料形成的保護層抑制了有機感光層的磨損，所以有機感光層的壽命可以得到極大的延長。不過，即使保護層具有優(yōu)良的耐久性，隨著長期使用它也可能被磨損。例如，當與感光體直接接觸的諸如充電輥、清潔刮刀或中間轉印體等部件設置在感光體的外周時，或者當諸如二氧化硅或氧化鈰等硬顆粒用作調色劑用外部添加劑時，保護層都可能被磨損。而且，當保護層設置在有機感光層的表面并用來自如激光二極管或發(fā)光二極管等單色光源的光進行照射時，該照射引起了光在保護層和有機感光層之間的界面處的反射。光反射的發(fā)生意味著感光體表面上的入射光到達感光層時光量將減少。因此，為了使感光層上的入射光的量的減少最小化，已提出了一種感光體，該感光體滿足l<n2^nl的關系，其中nl表示感光層的折射率，n2表示最上層(表面層)的折射率(例如，參見日本特開2004-151519號公報)。本發(fā)明要解決的問題此外，在感光體的表面內，感光層的磨損不是均勻地發(fā)生，而是以不等的程度不均勻地分布。這是因為設置為與感光體接觸的部件(例如，充電輥、中間轉印體或清潔刮刀)的接觸等條件的影響使得磨損在感光體的表面上不均勻地發(fā)生。因此，當感光體表面上的局部磨損引起保護層的厚度的不均勻性時，由于干涉效應所致，感光層上的入射光的透過率隨感光體表面上的位置而變化，由此在曝光后的感光體表面產生不均一的表面電位。鑒于上述情況而完成了本發(fā)明。本發(fā)明提供了一種電子照相感光體，即使該感光體表面發(fā)生局部磨損時，該感光體也能夠抑制在曝光后的感光體表面產生不均一的表面電位，本發(fā)明還提供了使用該電子照相感光體的成像設備和處理盒。
發(fā)明內容本發(fā)明的第一方案提供了一種電子照相感光體，所述感光體包含感光層和設置在所述感光層的表面的表面層，所述表面層包括設置在所述感光層側并且折射率為nl的第一層和設置在所述第一層的與所述感光層相反的一側并且折射率為n2的第二層，所述感光體滿足下述不等式(1)(3)。不等式(l):|n0—n2|>0.1不等式(2):n0<nl<n2，或者n0〉nl〉n2不等式(3):X/(8xnl)+ax^/(2xnl)^dlS3xX/(8xnl)+ax^(2xnl)在不等式(1)(3)中，n0表示所述感光層的折射率，nl表示所述第一層的折射率，n2表示所述第二層的折射率，dl表示所述第一層的膜厚，單位為nm，a表示0以上的整數(shù)，X表示在形成靜電潛像時照射所述感光體的表面的光的波長，單位為nm。本發(fā)明的第二方案提供了如第一方案所述的電子照相感光體，其中，所述電子照相感光體滿足下述不等式(4)。不等式(4)(n0+n2)/2-|(n0-n2)/4|^nlS(n0+n2)/2+|(n0-n2)/4|在不等式(4)中，nO表示所述感光層的折射率，nl表示所述第一層的折射率，n2表示所述第二層的折射率。本發(fā)明的第三方案提供了如第一方案所述的電子照相感光體，其中，所述電子照相感光體滿足下述不等式(5)。不等式(5)(n0+n2)/2-|(n0-n2)/8|^nlS(n0+n2)/2+|(n0-n2)/8|在不等式(5)中，nO表示所述感光層的折射率，nl表示所述第一層的折射率，n2表示所述第二層的折射率。本發(fā)明的第四方案提供了如第一至第三方案中任一項所述的電子照相感光體，其中，所述感光層為有機感光層，并且所述第一層或所述第二層中的至少一個包含鎵、氧和氫。本發(fā)明的第五方案提供了如第一至第四方案中任一項所述的電子照相感光體，其中，所述感光層為有機感光層，并且所述第一層或所述第二層中的至少一個包含無定形碳。本發(fā)明的第六方案提供了一種成像設備，所述成像設備至少具有電子照相感光體，所述電子照相感光體包括感光層和設置在所述感光層的表面的表面層；充電單元，該充電單元用于使所述電子照相感光體的表面帶電；靜電潛像形成單元，該靜電潛像形成單元用于在帶電的所述電子照相感光體上形成靜電潛像；顯影單元，該顯影單元用于通過用含有調色劑的顯影劑將所述靜電潛像顯影從而形成調色劑圖像；轉印單元，該轉印單元用于將所述調色劑圖像轉印到記錄介質上；定影單元，該定影單元用于將所述調色劑圖像定影到所述記錄介質上；和清潔單元，該清潔單元用于在將所述調色劑圖像轉印到所述記錄介質上之后清潔所述感光體的表面，所述表面層包括設置在所述感光層側并且折射率為nl的第一層和設置在所述第一層的與所述感光層相反的一側并且折射率為n2的第二層，所述感光體滿足下述不等式(6)(8)。不等式(6):|n0—n2|>0.1不等式(7):n0<nl<n2,或者n0〉nl〉n2不等式(8):X/(8xnl)+axX/(2xnl)^dl￡3xA7(8xnl)+ax^/(2xnl)在不等式(6)(8)中，n0表示所述感光層的折射率，nl表示所述第一層的折射率，n2表示所述第二層的折射率，dl表示所述第一層的膜厚，單位為nm，a表示0以上的整數(shù)，X表示在形成靜電潛像時照射所述感光體的表面的光的波長，單位為nm。本發(fā)明的第七方案提供了如第六方案所述的成像設備，其中，所述充電單元為充電輥。本發(fā)明的第八方案提供了如第六或第七方案所述的成像設備，其中，所述清潔單元為清潔刮刀。本發(fā)明的第九方案提供了如第六至第八方案中任一項所述的成像設備，其中，所述成像設備還具有中間轉印體，所述調色劑圖像從所述感光體的表面臨時轉印到所述中間轉印體的表面上，然后轉印到所述記錄介質上。本發(fā)明的第十方案提供了一種處理盒，所述處理盒具有電子照相感光體，所述電子照相感光體包括感光層和設置在所述感光層的表面的表面層，所述處理盒是能夠以可拆卸的方式連接到成像設備的主體的處理盒，所述表面層包括設置在所述感光層側并且折射率為nl的第一層和設置在所述第一層的與所述感光層相反的一側并且折射率為n2的第二層，所述感光體滿足下述不等式(9)(11)。不等式(9):|n0—n2|>0.1不等式(10):n0<nl<n2，或者n0〉nl〉n2不等式(ll):X/(8xnl)+axV(2xnl)^dl^3xX/(8xnl)+axA/(2xnl)在不等式(9)(11)中，nO表示所述感光層的折射率，nl表示所述第一層的折射率，n2表示所述第二層的折射率，dl表示所述第一層的膜厚，單位為nm，a表示0以上的整數(shù)，人表示在形成靜電潛像時照射所述感光體的表面的光的波長，單位為nm。根據(jù)本發(fā)明的第一方案，提供了一種即使存在層厚度差時也可抑制在曝光后的感光體表面產生不均一的表面電位的電子照相感光體。根據(jù)本發(fā)明的第二方案，提供了一種即使存在層厚度差時也可進一步抑制在曝光后的感光體表面產生不均一的表面電位的電子照相感光體。根據(jù)本發(fā)明的第三方案，提供了一種即使存在層厚度差時也可進一步抑制在曝光后的感光體表面產生不均一的表面電位的電子照相感光體。根據(jù)本發(fā)明的第四方案，提供了一種更容易抑制在曝光后的感光體表面產生不均一的表面電位的電子照相感光體。根據(jù)本發(fā)明的第五方案，提供了一種更容易抑制在曝光后的感光體表面產生不均一的表面電位的電子照相感光體。根據(jù)本發(fā)明的第六方案，提供了一種即使存在層厚度差時也可抑制在曝光后的感光體表面產生不均一的表面電位的成像設備。根據(jù)本發(fā)明的第七方案，提供了即使成像設備具有其中部件被設置為與感光體接觸的構成時也可抑制在曝光后的感光體表面產生不均一的表面電位的成像設備。根據(jù)本發(fā)明的第八方案，提供了即使成像設備具有其中部件被設置為與感光體接觸的構成時也可抑制在曝光后的感光體表面產生不均一的表面電位的成像設備。根據(jù)本發(fā)明的第九方案，提供了即使成像設備具有其中部件被設置為與感光體接觸的構成時也可抑制在曝光后的感光體表面產生不均一的表面電位的成像設備。根據(jù)本發(fā)明的第十方案，提供了一種即使存在層厚度差時也可抑制在曝光后的感光體表面產生不均一的表面電位的處理盒?；谙率龈綀D對本發(fā)明的示例性實施方式進行詳細說明，其中圖1為描述本發(fā)明的示例性實施方式的感光體的層結構的一個實例的剖面示意圖，在該感光體中，具有雙層結構的表面層設置在感光層的表面上；圖2為描述本發(fā)明的示例性實施方式的感光體的層結構的一個實例的剖面示意圖3為描述本發(fā)明的示例性實施方式的感光體的層結構的另一個實例的剖面示意圖4A和4B為描述在形成本發(fā)明的示例性實施方式的感光體的表面層時所使用的成膜設備的一個實例的示意圖5為描述可用于圖4A和4B中所示的成膜設備的等離子體發(fā)生單元的另一個實例的示意圖6為描述用于實施例評價的A4尺寸紙上的原始圖像的圖案的平面圖7為描述本發(fā)明的示例性實施方式的成像設備的一個實例的構成示意圖；和圖8為描述常規(guī)感光體的層結構的一個實例的剖面示意圖，在該感光體中，單層表面層設置在該感光體表面上。具體實施方式電子照相感光體本發(fā)明的電子照相感光體是下述電子照相感光體，該感光體包含感光層和設置在所述感光層表面的表面層，所述表面層包括設置在所述感光層側并且折射率為nl的第一層和設置在所述第一層的與所述感光層相反的一側并且折射率為n2的第二層，所述感光體滿足下述不等式(1)(3):不等式(l):|n0-n2|>0.1不等式(2):n0<nl<n2，或者n0〉nl〉n2不等式(3):X<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>在不等式(1)(3)中，n0表示所述感光層的折射率，nl表示所述第一層的折射率，n2表示所述第二層的折射率，dl表示所述第一層的膜厚，單位為nm，a表示0以上的整數(shù)，X表示在形成靜電潛像時照射所述感光體的表面的光的波長，單位為nm。這里，當所述感光層由多個層構成時(例如，當由電荷輸送層和電荷產生層構成時)，反射率n0指設置在所述表面層側的層的折射率。此外，折射率n0、nl和n2為入射在感光體上的光的波長(一般來說，這指的是諸如激光或發(fā)光二極管等單色光源的波長，但在使用一個范圍的波長時也指最大波長)處的折射率，在具有光吸收的介質中，折射率由公式一一復折射率n*=n+ik中的實部n表示。在折射率的測定中，通過使用分光橢圓偏振光譜儀(商品名M-2000，J.A.WoollamCo.,Inc.制造)在約1500nm約200nm的范圍內在3個入射角測量A和(p(分別為表示橢圓偏振光譜儀測定的偏振光的狀態(tài)的參數(shù)和與s、p偏振分量的相位和振幅有關的參數(shù))，并用分析軟件WVAS32進行分析，從而測得復折射率中的實部n和虛部k，并進一步確定層厚度d。通過在與制備感光體時的條件相同的條件下僅在Si基板上形成要測量的層，從而得到用作試樣的樣品。此外，各層的厚度通過用掃描電子顯微鏡觀察感光體的剖面圖像來測定。如上所述，由于本發(fā)明的示例性實施方式的感光體含有具有雙層結構的表面層，并且各層的折射率和層厚被設定以滿足不等式(1)(3)，所以即使感光體表面發(fā)生局部磨損時，也可以抑制在曝光后的感光體表面產生不均一的表面電位。此效果得以實現(xiàn)所依據(jù)的原理將參照附圖來進行解釋。圖8為描述常規(guī)感光體的層結構的實例的剖面示意圖，在該感光體中，具有單層結構的表面層設置在該感光體表面上；更具體而言，描述的是曝光用光的干涉。在圖8中，IOO表示感光體，IIO表示感光層，120表示表面層(單層表面層)，n0表示感光層110的折射率，ns表示表面層120的折射率，ds表示表面層120的厚度，ROs表示來自感光層IIO與表面層120之間的界面的反射光分量，Rsa表示來自表面層120的表面處的反射光分量，n0^ns。在圖8的感光體100中，盡管反射光分量ROs和Rsa的相位依賴于層厚度ds，但是當兩個分量處于反相狀態(tài)時，反射光分量ROs和Rsa的相位相互弱化，而當兩個反射光分量都完全處于同相狀態(tài)時，它們的相位又相互加強。當表面層的局部磨損推進時，由于這種干涉效應所致，入射光的透過率隨感光體表面上的位置而變化。因此，當n0與ns之差較大時，將導致在曝光后的感光體表面產生不均一的表面電位。圖1為描述本發(fā)明的示例性實施方式的感光體的層結構的一個實例的剖面示意圖，在該感光體中，具有雙層結構的表面層設置在感光層的表面上；更具體而言，描述了曝光用光的干涉。在圖1中，102表示感光體，110表示感光層，121表示第一層，122表示第二層，123表示表面層(由第一層121和第二層122形成的雙層表面層)，n0表示感光層110的折射率，nl表示第一層121的折射率，n2表示第二層122的折射率，dl表示第一層121的厚度，d2表示第二層122的厚度，R01表示來自感光層110與121之間的界面的反射光分量，R12表示來自第一層121和第二層122之間的界面的反射光分量，R2a表示來自第二層122的表面的反射光分量，n0、nl禾口n2滿足以下關系n0>nl>n2，或者n(XnKn2。在圖1的感光體102中，3個反射光分量R01、R12和R2a在依賴于層厚度dl和d2的同時，在它們之間發(fā)生干涉。這里，當假定反射光分量R01和R12處于反相狀態(tài)時，(1)如果反射光分量R2a和R12處于同相狀態(tài)，則R01相對于反射光分量R2a和R12變?yōu)榉聪啵?2)如果反射光分量R2a和R01處于同相狀態(tài)，則R12相對于反射光分量R2a和R01變?yōu)榉聪?。因此，即使表面?23的局部磨損推進，只要該磨損發(fā)生在第二層122內，這些分量中的任一種都可以起到抑制干涉的作用，因為反射光分量的相位并未全部處于同相狀態(tài)，這與圖8所示的情況不同。因此，即使n0與n2之差變大，也可以抑制1在曝光后的感光體表面產生不均一的表面電位。而且，即使反射光分量R01的相位和R12的相位并不完全處于反相狀態(tài)，當反射光分量ROl和R12的相位在一定程度上相互抵消掉干涉時，也可以獲得此效果。此外，可以將類似的想法應用于表面層具有由三層或更多層所形成的多層結構的情況，或者表面層具有使得折射率沿表面層厚度方向從感光層側向表面層的表面?zhèn)冗B續(xù)變化(增大或者減小)的傾斜結構的情況。下面，將對上述不等式(1)(3)進行詳細說明。在本發(fā)明的示例性實施方式的感光體中，如不等式(l)所示，感光層的折射率n0與第二層的折射率n2之差的絕對值(以下也稱為"An")必須大于0.1。這是因為要使得由于表面層的層厚的不均一性而在曝光后的感光體的表面產生的不均一表面電位不能產生，除非在感光層與表面層之間存在一定量的折射率差異。當?shù)诙佑晒谋砻鎸佑貌牧闲纬刹⑶腋泄鈱右灿晒母泄鈱佑貌牧闲纬蓵r，這些材料的大多數(shù)組合都可以滿足不等式(l)的折射率差。代表性實例包括感光層由有機感光層用材料或無機感光層用材料形成而第二層由上述表面層用無機材料形成的例子。因此，An需要大于約O.l，優(yōu)選為約0.2以上。此外，如不等式(2)所示，感光層、第一層和第二層的折射率nO、nl和n2分別需要滿足折射率依次增大或減小的關系。當不等式(2)不滿足時，可能得不到所述效果，因為造成了比單層中所產生的干涉更強的干涉。另外，如以下的不等式(4)所示，為了使3個反射光分量的干涉抑制效果最大化，折射率nl的值優(yōu)選在折射率n0與折射率n2的平均值附近。不等式(4)(n0+n2)/2-|(n0-n2)/4|SnlS(nO+n2)/2+|(n0-n2)/4|在不等式(4)中，nO表示所述感光層的折射率，nl表示所述第一層的折射率，n2表示所述第二層的折射率。當折射率nl超過上述范圍時，可能無法獲得3個反射光分量的干涉抑制效果，因而在曝光后的感光體表面可能出現(xiàn)不均一表面電位。nl更優(yōu)選為(nO+n2)/2—|(nO—n2)/8|(nO+n2)/2+|(n0—n2)/8|。此外，在本發(fā)明的示例性實施方式中，第一層的厚度dl需要滿足不等式(3)。在第一層中，與形成靜電潛像時入射在感光體表面上的光的波長(曝光波長)X的l個周期相對應的長度為V(2xnl)。因此，當厚度dl的取值大于或小于上述值的整數(shù)倍(即不等式(3)的范圍外的值)時，抵消反射光分量ROl、R12和R2a之間的干涉的效果變得不足，在感光體表面可能產生曝光后的不均一表面電位。此處，如不等式(3)所示，層厚dl(nm)需要為A/(8xnl)+axX/(2xn1)^dl^3xA/(8xnl)+axX/(2xnl)，優(yōu)選為3xA7(16xnl)+axA/(2xnl)^dl55xX/(16xnl)+axX/(2xnl)，最優(yōu)選為axA7(2xnl)。在不等式(3)中，a沒有具體限制，只要a為0以上的整數(shù)即可，并可根據(jù)第二層的所需厚度進行選擇。當?shù)谝粚优c第二層相比具有較差的機械性能、透光率、導電性等時，鑒于這些性質，優(yōu)選a-0。第二層的層厚d2沒有具體限制，不過可以基于確保機械性能和磨損容許量或者抑制第二層的光吸收損失的觀點來進行選擇。當?shù)诙佑捎袡C材料形成時，第二層的厚度優(yōu)選為約50nm約2,000nm，更優(yōu)選為約100nm約l，OOOnm。當厚度d2小于約50nm時，磨損容許量較小，如果感光體被長期使用，則磨損可能推進到第一層中。由于磨損推進到第一層中的位置然后處于與如圖8所示在感光層上形成單層保護層時相似的狀態(tài)，在感光體表面可能產生曝光后的不均一表面電位。當厚度dl超過約2,000nm時，由第二層引起的光吸收損失可能變得更大。此外，當?shù)诙泳哂型ㄟ^將填料分散在樹脂或樹脂基質中而形成的結構時，從類似于上述的觀點來看，厚度dl優(yōu)選為約100nm約20,000nm，更優(yōu)選為1，000nm約10，000nm。另外，在由于局部磨損而在均勻形成的表面層中造成層厚差異的情況中，本發(fā)明可以發(fā)揮其效果，而且在形成層時引起層厚差異的情況中，本發(fā)明也可以發(fā)揮其效果。感光體的層結構以下，對本發(fā)明的示例性實施方式的感光體的層結構進行說明。本發(fā)明的示例性實施方式的感光體具有感光層和設置在該感光層上的表面層，沒有具體限制，只要該表面層包括第一層和第二層即可。感光層一般設置在具有導電性(電阻以體積電阻率計小于約1013Qcm;以下同)的基體(以下縮寫為"導電性基體")上。必要時，可以在導電性基體與感光層之間設置如底涂層等中間層。感光層可以由兩層或更多層組成，也可以為功能分離型。本發(fā)明的示例性實施方式的感光體可以為感光層中含有硅原子的無定形硅感光體，或者感光層中含有如有機感光材料等有機聚合物的有機感光體。以下，將參照附圖對本發(fā)明的示例性實施方式的感光體的層結構的具體實例進行說明。圖2為描述本發(fā)明的示例性實施方式的感光體的層結構的實例的剖面示意圖，其中，1表示導電性基體，2表示感光層，2A表示電荷產生層，2B表示電荷輸送層，3表示表面層。在圖2中，構成表面層3的第一層和第二層未示出(以下，圖3中也是如此)。圖2所示的感光體具有在導電性基體1上依次形成有電荷產生層2A、電荷輸送層2B和表面層3的結構。感光層2具有由電荷產生層2A和電荷輸送層2B形成的雙層結構。圖3為描述本發(fā)明的示例性實施方式的感光體的層結構的另一個實例的剖面示意圖，其中，6表示感光層，4表示底涂層，其余與圖2中所示相同。圖3所示的感光體具有在導電性基體1上依次形成有底涂層4、感光層6和表面層3的結構。感光層6是將圖2中所示的電荷產生層2A和電荷輸送層2B的功能一體化的層。在本發(fā)明的示例性實施方式中，感光層2和6可以由有機材料或無機材料形成，也可以由它們的組合形成。有機感光體以下，將對作為有機感光體的情況中的本發(fā)明的感光體的優(yōu)選構成的示例性實施方式進行說明。包含在感光層中的有機高分子化合物可以具有熱塑性或熱固性，也可以通過兩種類型的分子進行反應而形成。在有機感光體的情況中，感光層可以為圖2所示的具有電荷產生層和電荷輸送層的功能分離層，或者圖3所示的功能一體層。在功能分離層的情況中，電荷產生層可以形成在感光體的表面?zhèn)?，電荷輸送層也可以形成在表面?zhèn)?。無定形硅感光體以下，對作為無定形硅感光體的情況中的本發(fā)明的感光體的優(yōu)選構成的示例性實施方式進行說明。無定形硅感光體可以為用于帶正電或帶負電的感光體。可以使用通過在導電性基體上涂布底涂層以阻擋電荷注入和改善粘著性、然后在其上涂布感光層和表面層而形成的感光體。感光層的最上層(表面層側的層)可以為p型無定形硅或n型無定形娃。表面層下面，對表面層進行詳細說明。設置在感光層表面上的表面層沒有具體限制，只要表面層包括第一層和第二層即可。在本發(fā)明的示例性實施方式的感光體中，感光層、第一層和第二層的折射率和層厚相組合以滿足上述不等式(1)(3)，從而使來自這些層之間的界面處的反射光分量間的干涉得到抑制，并使在曝光后的感光體表面產生的不均一表面電位得到抑制。在不妨礙此效果的發(fā)揮的范圍內，例如，可以在表面層的下側(即感光層與表面層之間)或者在第一層與第二層之間設置中間層。中間層的折射率沒有具體限制，不過從不妨礙所述效果的發(fā)揮的觀點出發(fā)，取決于中間層的折射率，中間層的厚度優(yōu)選為約50nm以下，更優(yōu)選為約25nm以下。作為在表面層的表面?zhèn)刃纬傻诙拥牟牧?，可以使用感光體的表面層用材料。作為所述材料，從機械耐久性的觀點出發(fā)，例如，可以使用如無定形碳等碳材料、如氧化鋁和氧化鎵等氧化物材料或者如碳氮化物等氮化物材料。本發(fā)明的示例性實施方式中的無定形碳指主要由碳和氫原子形成的無定形碳硬膜，氫的濃度為約60%以下。通常，氫含量越低和sp3碳成分比率越高，無定形碳就越像金剛石(類金剛石)并越硬。在這些材料中，可以使用含有無定形碳、鎵、氧和氫的材料。當使用這些材料時，在由有機感光層形成的感光層中，更易于滿足不等式(2)和(4)，結果，能夠容易地抑制在曝光后的感光體表面產生不均一表面電位。而且，考慮到在循環(huán)使用中對感光體上的殘留電位的抑制，可以優(yōu)選使用含有鎵、氧和氫的材料。由這些無機材料形成的第二層可以為非晶態(tài)或晶態(tài)。例如，含有鎵、氧和氫的材料的折射率為約1.7約2.0，無定形碳的折射率為約1.5約2.4，不過，上述材料的折射率會隨其組成或生產條件而變化。有機感光層的折射率為約1.5約1.75，無機感光層(無定形硅層)的折射率為約3.0約4.0，不過，折射率將根據(jù)其組成而變化。作為用于在感光層側的表面層形成第一層的材料，可以使用上述第二層用材料。當具有與第二層用材料相似的組成的材料用于第一層時，對構成第一層的材料的組成進行選擇以與構成第二層的材料的組成略微不同，以使得第一層和第二層的折射率滿足不等式(2)。當?shù)谝粚雍偷诙拥牟牧系慕M成相同時，對第二層的成膜條件進行選擇以與第一層的條件不同。在表面層的第一層和第二層中，表面層的第二層一般需要具有較高的耐磨性和機械耐久性。因此，必要時還可以將除上述無機材料以外的具有優(yōu)異的耐磨性和機械耐久性的其他材料用于第一層。這樣的其他材料的實例包括樹脂材料。當感光層為有機感光層時，第一層和第二層的構成材料的組合的實例包括(第一層第二層)=(含有鎵、氧和氫的材料含有鎵、氧和氫的材料)；(無定形碳無定形碳)；(含有鎵、氧和氫的材料含有鎵、氮和氫的材料)；以及(含有鋁、氧和氫的材料含有鎵、氧和氫的材料)。類似地，當感光層為無機感光層(無定形硅層)時，第一層和第二層的構成材料的組合的實例包括(第一層第二層)=(碳化硅氮化硅)。以下，對含有鎵、氧和氫的材料用于表面層的例子進行更詳細說明。含有鎵、氧和氫的材料的組成沒有具體限制，不過基于以下觀點特別優(yōu)選組成為GaO"H(x為約U約1.4):(1)該材料可以具有適當?shù)膶щ娦裕?2)即使表面層的厚度超過約0.2nm，該材料也可以抑制循環(huán)使用中感光體上的殘留電位的增大；和(3)當感光層為有機感光層(特別是，含有聚碳酸酯作為主要成分的有機感光層)時，該材料可以容易地滿足不等式(2)或(4)。在此情況中，從容易滿足不等式(2)或(4)的觀點出發(fā)，感光層(在感光層具有多層結構的情況中為表面?zhèn)鹊膶?優(yōu)選為含有聚碳酸酯作為主要成分的有機感光層。在使用GaOx:H(x為約l.l約1.4)的組成的體系中，隨著x的增大，電阻增大，折射率減小。因此，例如，當折射率為約1.65的有機感光層形成為感光層而表面層由組成為GaOx:H(x為約1.1約1.4)的材料形成時，通過將表面層的表面?zhèn)鹊牡诙又械膞設定為相對較小而將表面層的感光層側的第一層中的x設定為相對較大，n2>nl>n0的關系可以得到滿足。這里，在此情況中，盡管第一層中的電阻增大可能不利地影響該感光體的電學性質，但是這可以通過在不等式(3)的范圍內盡可能地減少第一層的厚度dl來防止。此外，在使用GaOx:H(x為約U約1.4)的組成的體系中，作為控制折射率的方法，除控制x的方法以外，還可以舉出加碳的方法。在此情況中，為了降低折射率，可增大碳的添加量。例如，當折射率為約1.6的有機感光層形成為感光層而表面層由組成為GaOx:H(x為約1.1約1.4)并添加有碳的材料形成時，通過將表面層的表面?zhèn)鹊牡诙又械奶嫉牧吭O定為相對較低或者無碳，并通過將表面層的感光層側的第一層中的碳的含量設定為相對較高，就可以滿足n2>nl>n0的關系。雖然碳量的增大可能引起機械強度或耐磨性的下降，但是感光體壽命不會縮短，因為上述性質的下降發(fā)生在并不構成表面層的表面的第一層內。在本發(fā)明的示例性實施方式中，表面層中的如鎵和氧等元素的含量以及它們在膜厚方向的分布以下述方式通過盧瑟福背散射(以下，有時稱作"RBS")來測定。對于RBS，使用了加速器(商品名3SDHPELLETRON，NECcorporation制造)、終端站(商品名RBS-400，CE&ACo.，Ltd.制造)禾口系統(tǒng)(商品名3S-R10)。使用HYPRA程序(商品名，CE&ACo.,Ltd.提供)對數(shù)據(jù)進行分析。至于RBS測定條件，&++離子束能量為2.275eV;檢測角為160°;相對于入射束的掠射角為109°±2°。RBS測定以下述方式具體進行。首先，將1^++離子束垂直照射到樣品上；檢測器置于相對于入射束為160。的角度處；測定后向背散射的He信號。根據(jù)檢測到的He能量和強度確定組成比和膜厚?？梢詮膬蓚€檢測角來測量譜圖，以改善組成比和膜厚的測量準確度。通過對從深度方向分辨率和后向散射動力學有所不同的兩個檢測角測得的結果進行互相校核，可以改善測量準確度。由靶原子后向散射的He原子數(shù)僅取決于3個要素l)靶原子的原子序數(shù)、2)散射前He原子的能量和3)散射角。從測得的組成求出密度，再從密度求出膜厚。密度的誤差不超過20%。氫含量以下述方式通過氫前向散射(以下，有時稱作"HFS")來測定。對于HFS，使用了加速器(商品名3SDHPELLETRON，NEC制造)、終端站(商品名RBS-400,CE&ACo.,Ltd.制造)和系統(tǒng)(商品名3S-R10)。使用HYPRA程序(商品名，CE&ACo.,Ltd.提供)對數(shù)據(jù)進行分析。至于HFS測定條件，&++離子束能量為2.275eV;檢測角為160°;相對于入射束的掠射角為30°。在HFS測定中，通過將檢測器置于相對于1^++離子束的角度為30°的位置處，并將樣品置于相對于法線為75°的角度處，對朝向樣品的前方散射的氫信號進行收集。檢測器優(yōu)選被覆有薄鋁箔以除去隨氫散射的He原子。通過在用阻止能(blockingpower)歸一化之后對測試樣品的氫計數(shù)與參比樣品的氫計數(shù)進行比較，從而測得氫量。所用的參比樣品為注入有H離子的Si樣品，或白云母。已知白云母的氫濃度為約6.5原子％。最外層上吸收的H的量可以通過減去潔凈的Si表面上吸收的H量來求出。深度方向的元素組成通過例如從表面收集深度的分布數(shù)據(jù)的方法、在表面被真空濺射刻蝕的情況下測量表面的方法或者對剖面樣品的組成進行繪圖的方法來測定。該方法可以根據(jù)分析方法來選擇。表面層的形成方法以下，將對本發(fā)明的示例性實施方式中的表面層的形成方法進行說明。表面層可以通過如等離子CVD(化學氣相沉積)法、有機金屬氣相生長法、分子束外延法或者濺射法等公知的氣相成膜方法來形成。當設置在表面層的感光層側的第一層不由硬質無機材料形成時，除上述成膜方法以外，還可以使用如浸涂法等公知的液相成膜方法。當表面層具有如圖1所示的雙層結構或者具有由三層以上形成的多層結構時，對各層的形成采用不同的成膜條件或者不同的成膜方法，以使不等式(2)的關系可以得到滿足。當表面層具有折射率沿膜厚方向連續(xù)變化的結構時，可以如下進行層形成以使得在層形成過程中成膜條件隨時間逐漸改變。作為備選，在形成具有沿膜厚方向的組成均一的單層結構的表面層之后，通過將離子注入到表面層的表面來提供沿表面層的膜厚方向的離子濃度分布，并控制組成的分布曲線，從而形成折射率沿膜厚方向連續(xù)變化的表面層。此外，可以通過用如He等的離子或者輻射束進行照射來改變無定形碳的折射率。以下，將參照附圖對表面層形成用裝置的示例性實施方式進行說明。圖4A和4B為描述在形成本發(fā)明的示例性實施方式的感光體的表面層時所使用的成膜設備的實例的示意圖。圖4A是描述從側面觀察的該成膜設備的剖面示意圖；圖4B是描述沿Al至A2連線觀察的圖4A所示成膜設備的剖面示意圖。在圖4A和4B中，IO表示成膜室，ll表示排氣口，12表示基體旋轉單元，13表示基體固定器，14表示基體，15表示氣體入口，16表示噴嘴，17表示等離子體擴散單元，18表示高頻電源單元，19表示平板電極，20表示氣體供給管，21表示高頻放電管單元。在圖4A和4B所示的成膜設備中，與圖中未示出的真空排氣裝置相連接的排氣口11連接到成膜室10的一端，在成膜室10的與排氣口11相反的一側設置包括高頻電源單元18、平板電極19和高頻放電管單元21在內的等離子體發(fā)生單元。等離子體發(fā)生單元具有高頻放電管單元21、置于高頻放電管單元21中且放電面朝向排氣口11的平板電極19和置于高頻放電管單元21外部并連接到平板電極19的與放電面相反的一面的高頻電源單元18。用于將氣體供給到高頻放電管單元21中的氣體供給管20連接到高頻放電管單元21，氣體供給管20的另一端連接到圖中未示出的第一氣體供應源。安裝在圖4A和4B所示成膜設備中的等離子體發(fā)生單元可以替換為圖5所示的等離子體發(fā)生單元。圖5為描述可用于圖4A和4B中所示的成膜設備的等離子體發(fā)生單元的另一個實例的示意圖，是該等離子體發(fā)生單元的側視圖。在圖5中，22表示高頻線圈，23表示石英管，20與圖4A和4B中的20相同。等離子體發(fā)生單元具有石英管23和沿石英管23的外周面形成的高頻線圈22，石英管23的一端連接到成膜室10(圖5中未示出)。石英管23的另一端連接到用于將氣體供給到石英管23中的氣體供給管20。與放電面幾乎平行的棒狀噴嘴16連接到平板電極19的放電面?zhèn)龋粐娮?6的一端連接到氣體入口15;氣體入口15連接到圖中未示出的設置在成膜室10的外部的第二氣體供應源。基體旋轉單元12設置在成膜室10中；圓柱狀基體14經基體固定器13連接到基體旋轉單元12且噴嘴的長度方向與基體14的軸向幾乎平行。在成膜過程中，通過基體旋轉單元12的旋轉，基體14沿圓周方向旋轉。已形成有感光層的感光體用作基體14。以下，對利用圖4A和4B所示成膜設備進行的表面層形成的實例進行說明，其中，表面層由含有鎵、氧和氫的材料形成。首先，在將已用He稀釋的02和N2的混合氣通過氣體供給管20導入到高頻放電管單元21的同時，從高頻電源單元18將約13.56MHz的射頻波施加到平板電極19。形成等離子體擴散單元17，然后使得射頻波以放射狀從平板電極19的放電面?zhèn)葌魉偷脚艢饪?1側。其次，通過將使用氫氣作為載氣并已用氫氣稀釋的氣態(tài)三甲基鎵經氣體入口15和噴嘴16導入到成膜室10中，在基體14的表面上形成含有氫、氮和鎵的膜。表面層的成膜時的溫度沒有具體限制，不過當形成無定形硅感光體時，成膜時的溫度優(yōu)選為約5(TC約350°C，當形成有機感光體時，成膜時的溫度優(yōu)選為約2(TC約100°C。當形成有機感光體時，表面層形成時的基體溫度優(yōu)選為約15(TC以下，更優(yōu)選為約IO(TC以下。即使基體的溫度為約IO(TC以下，如果在等離子體的影響下感光層被加熱到高于約150°C，那么感光層也可能被熱量損傷。因此，優(yōu)選在考慮此影響的情況下來設定基體的溫度?；w溫度可以通過圖中未示出的方法或者通過放電時溫度的自然升高來控制。為了加熱基體14，可以在基體14外側或者基體14內側設置加熱器。為了冷卻基體14，可以在基體14內側循環(huán)供應冷卻氣體或液體。為了避免基體14因放電而升溫，有效的是對供給到基體14表面上的高能量氣體的流動進行調節(jié)。在此情況中，諸如氣體流速、放電輸出或壓力等條件可以進行調節(jié)從而得到所需的溫度。當向表面層中加入氫氣時，可以將氫氣從氣體入口15或者氣體供給管20導入。在此情況中，可以將氫氣以與含有表面層形成所必需的成分的氣體(如氮氣或三甲基鎵氣體)的混合物的形式導入。為了控制表面層的導電類型，可以向其中添加摻雜劑。在成膜時添加有摻雜劑的情況中，氣態(tài)SiH4或SnH4可以用于n型表面層，而氣態(tài)二茂鎂、二甲基鈣、二甲基鍶、二甲基鋅或二乙基鋅等可以用于p型表面層?？梢允褂萌鐭釘U散法或離子注入法等公知的方法來將摻雜元素摻雜到表面層中。具體而言，具有所需導電類型(如n型或p型)的表面層可以通過將含有至少一種摻雜元素的氣體經氣體入口15和噴嘴16導入到成膜室10中而獲得。在圖4所示的成膜設備中，高頻振蕩器可以用作等離子體發(fā)生裝置，但并非局限于此。其實例包括微波振蕩器、電子回旋共振系統(tǒng)和螺旋波等離子體系統(tǒng)。高頻振蕩器可以為感應振蕩器或電容振蕩器。這些裝置可以以兩種以上的組合的形式來使用，類似裝置也可以以兩種以上的組合的形式來使用。當使用兩種以上的不同的等離子體發(fā)生裝置(等離子體發(fā)生單元)時，應當同時形成相同的放電壓力?？梢栽诜烹妳^(qū)和成膜區(qū)(設置基體的區(qū)域)中形成壓力差。這些裝置可以相對于處理裝置內的從氣體入口到氣體出口的氣流來串聯(lián)配置，也可以被配置為朝向基體的成膜面。例如，在圖4所示的成膜設備中，當兩種等離子體發(fā)生單元相對于氣流串聯(lián)配置時，其中一個單元可以用作第二等離子體發(fā)生裝置，其通過使用噴嘴16作為電極而在成膜室10中形成放電。此時，通過使用噴嘴16作為電極并經氣體入口15將高頻電壓施加到噴嘴16，可以在成膜室10中形成放電。作為備選，可以不使用噴嘴16作為電極，而是通過在成膜室10中的基體14與等離子體擴散單元17之間形成圓柱狀電極并通過利用該圓柱狀電極，在成膜室10中形成放電。當兩種不同的等離子體發(fā)生裝置在相同壓力下使用時，使用微波振蕩器和高頻振蕩器可有效地控制膜品質，因為這些裝置可以改變被激發(fā)物種的激發(fā)能。所述放電可以在大氣壓附近(約70000Pa約110000Pa)進行。導電性基體和感光層以下，將參照本發(fā)明的示例性實施方式的電子照相感光體用于具有功能分離型感光層的有機感光體的例子，對用于構成本發(fā)明的示例性實施方式的電子照相感光體的導電性基體和感光層以及必要時可以設置的底涂層進行詳細說明。導電性基體導電性基體的實例包括由諸如鋁、銅、鐵、不銹鋼、鋅或鎳等制成的金屬鼓；在片材、紙、塑料或玻璃等基材上沉積諸如鋁、銅、金、銀、鉑、鈀、鈦、鎳-鉻、不銹鋼或銅-銦等金屬而構成的基體；在上述基材上沉積諸如氧化銦或氧化錫等導電性金屬化合物而構成的基體；在上述基材上層積金屬箔而構成的基體；和將炭黑、氧化銦、氧化錫-氧化銻粉末、金屬粉末或碘化銅等分散到粘合劑樹脂中并涂布到上述基材進行導電處理而構成的基體。導電性基體的形狀可以為鼓形、片形和板形中的任何一種。當金屬管基體用作導電性基體時，金屬管基體的表面可以為未經處理的原始管。不過，也可以預先通過表面處理使該基體的表面粗糙化。當使用激光束等相干光源作為曝光用光源時，上述表面粗糙化可以防止因相干光而可能在感光體中出現(xiàn)的木紋狀的不均一濃度。表面處理的方法包括鏡面切削、刻蝕、陽極氧化、粗切削、無心磨削、噴砂和濕式珩磨等。具體而言，從改善與感光層的粘著性和改善成膜性的觀點出發(fā)，可以將其上具有陽極氧化表面的鋁基體用作導電性基體。下面對具有陽極氧化表面的鋁基體的制造方法進行說明。首先，對于基體，準備純鋁或鋁合金(例如，相當于ISO6363-2(1993)的JISH4080(2006)中所規(guī)定的編號為10001999、30003999或60006999的鋁或鋁合金)。其次，進行陽極氧化。陽極氧化在諸如鉻酸、硫酸、草酸、磷酸、硼酸或氨基磺酸等的酸浴中進行。通常使用硫酸浴進行處理。陽極氧化可以在例如下述條件下進行硫酸濃度為約10重量％約20重量％;槽溫為約5。C約25°C;電流密度為約1A/dn^約4A/dm2;槽電壓為約5V約30V;處理時間為約5分鐘約60分鐘，不過并非局限于此。以此方式在鋁基體上形成的陽極氧化膜多孔并且絕緣性高，具有非常不穩(wěn)定的表面。因此，在形成該膜后，物理特性值容易隨時間變化。為了防止物理特性值的變化，對陽極氧化膜進一步進行封孔處理。封孔處理的方法的實例包括將陽極氧化膜浸泡在含有氟化鎳或乙酸鎳的水溶液中的方法、將陽極氧化膜浸泡在沸水中的方法和通過加壓蒸汽進行處理的方法。在這些方法中，最常用的是浸泡在含有乙酸鎳的水溶液中的方法。在已經以此方式封孔的陽極氧化膜的表面上，殘留有通過封孔處理附著的過量金屬鹽等。當過量的金屬鹽等殘留在基體的陽極氧化膜上時，不僅陽極氧化膜上形成的被覆膜的品質受到不利影響，而且通常容易殘留低電阻成分。因此，如果上述基體用作感光體來形成圖像，該基體可能造成顯影起臟(scumming)。因此，在封孔處理之后，進行陽極氧化膜清洗處理，以除去因封孔處理附著的過量金屬鹽等。清洗處理可以為基體的一次清洗，但也可以進行基體的多步驟清洗。當進行多步驟清洗時，最后一步使用盡可能潔凈(去離子)的清洗液。而且，在多步驟清洗的任何一步，可以進行使用諸如刷等接觸部件的物理摩擦清洗。如上形成的導電性基體表面上的陽極氧化膜的厚度優(yōu)選為約3pm約15pm。在陽極氧化膜上，沿多孔性陽極氧化膜的多孔狀最外層表面存在稱作阻擋層的層。在感光體中，本發(fā)明的示例性實施方式的阻擋層的厚度優(yōu)選為約1nm約100nm。以上述方式，可以得到陽極氧化導電性基體。在以此方式得到的導電性基體中，通過陽極氧化在基體上形成的陽極氧化膜具有高載流子阻擋性。因此，當使用此導電性基體的感光體安裝在成像設備中并使用該設備進行反轉顯影(負/正顯影)時，可以防止發(fā)生點缺陷(黑色斑點和起臟)，還可以防止在接觸帶電時經常發(fā)生的接觸帶電裝置的漏電現(xiàn)象。另外，通過對陽極氧化膜進行封孔，可以防止陽極氧化膜形成后物理特性值隨時間變化，通過在封孔處理后清洗導電性基體，可以除去通過封孔處理而附著到導電性基體表面上的過量金屬鹽等。因此，如果將具有使用這種導電性基體制造的感光體的成像設備用于成像時，可以防止顯影起臟。底涂層以下，將對本發(fā)明的底涂層的示例性實施方式進行說明。底涂層形成用材料的實例包括如縮醛樹脂(例如聚乙烯醇縮丁醛)、聚乙烯醇樹脂、酪蛋白、聚酰胺樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、硅酮樹脂、硅酮-醇酸樹脂、酚醛樹脂和三聚氰胺樹脂等聚合物樹脂化合物；如含有鋯、鈦、鋁、錳或硅原子等的有機金屬化合物。這些化合物可以單獨使用，也可以將其兩種以上以混合化合物或縮聚化合物的形式使用。其中，優(yōu)選使用含有鋯的有機金屬化合物或含有硅的有機金屬化合物，因為這樣的化合物具有較低的殘留電位、較低的由環(huán)境導致的電位變化和較低的由重復使用導致的電位變化。有機金屬化合物可以單獨使用，也可以將其兩種以上以混合化合物的形式或者通過與上述樹脂混合來使用。有機硅化合物(含有硅原子的有機金屬化合物)的實例包括乙烯基三甲氧基硅烷、，甲基丙烯酰氧基丙基-三(P-甲氧基乙氧基)硅烷、卩-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅垸、Y-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅垸、乙烯基三乙酰氧基硅垸、Y-巰基丙基三甲氧基硅垸、Y-氨丙基三乙氧基硅烷、N-P-(氨乙基)個氨丙基三甲氧基硅烷、N-(3-(氨乙基)卞氨丙基甲基二甲氧基硅院、N,N-二((3-羥基乙基)-Y-氨丙基三乙氧基硅烷和Y-氯丙基三甲氧基硅烷等。其中，優(yōu)選使用如乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基硅烷)、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅垸、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅垸、2-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅垸、N-2-(氨乙基)3-氨丙基三甲氧基硅垸、N-2-(氨乙基)3-氨丙基甲基二甲氧基硅垸、3-氨丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨丙基三甲氧基硅垸、3-巰基丙基三甲氧基硅垸或者3-氯丙基三甲氧基硅烷等硅垸偶聯(lián)劑。有機鋯化合物(含有鋯的有機金屬化合物)的實例包括丁氧基鋯、乙酰乙酸乙酯鋯、三乙醇胺鋯、乙酰丙酮丁氧基鋯、乙酰乙酸乙酯丁氧基鋯、乙酸鋯、草酸鋯、乳酸鋯、磷酸鋯、辛酸鋯、環(huán)垸酸鋯、月桂酸鋯、硬脂酸鋯、異硬脂酸鋯、甲基丙烯酸丁氧基鋯、硬脂酸丁氧基鋯和異硬脂酸丁氧基鋯等。有機鈦化合物(含有鈦的有機金屬化合物)的實例包括鈦酸四異丙酯、鈦酸四正丁酯、鈦酸丁酯二聚體、鈦酸四(2-乙基己基)酯、乙酰丙酮鈦、多乙酰丙酮鈦、亞辛基羥乙酸鈦、乳酸鈦銨鹽、乳酸鈦、乳酸鈦乙酯、三乙醇胺合鈦和多羥基硬脂酸鈦等。有機鋁化合物(含有鋁的有機金屬化合物)的實例包括異丙醇鋁、單丁氧基二異丙醇鋁、丁醇鋁、乙酰乙酸乙酯二異丙醇鋁和三(乙酰乙酸乙酯)鋁等。用于底涂層形成用涂布液的溶劑的實例包括公知的有機溶劑，例如如甲苯或氯苯等芳香烴溶劑；如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇或正丁醇等脂肪醇溶劑；如丙酮、環(huán)己酮或2-丁酮等酮溶劑；如二氯甲烷、氯仿或氯乙烯等鹵代脂肪烴溶劑；如四氫呋喃、二氧己環(huán)、乙二醇、二乙基醚等環(huán)醚或直鏈醚溶劑；或者如乙酸甲酯、乙酸乙酯或乙酸正丁酯等酯溶劑。這些溶劑可以單獨使用，也可以將其兩種以上以它們的混合物的形式使用。當將其兩種以上以混合物的形式使用時，可以使用能夠溶解其中的粘合劑樹脂的任何溶劑。通過將底涂層用涂布劑和溶劑分散和混合來配制底涂層形成用涂布液，將其涂布到導電性基體的表面就形成了底涂層。作為涂布底涂層形成用涂布液的方法，可以使用諸如浸漬涂布法、環(huán)繞涂布法、繞線棒涂布法、噴霧涂布法、刮刀涂布法、氣刀涂布法或幕涂法等一般方法。當形成底涂層時，形成的底涂層的厚度為約0.1)im約3fim。當?shù)淄繉拥暮穸仍谏鲜龇秶鷥葧r，可以在不過度強化電屏蔽的情況下防止由于減感或重復而引起的電位上升。由于以此方式在導電性基體上形成底涂層，所以可以改善相對于要在底涂層上形成的層的潤濕性，底涂層也可以起電阻擋層的作用。通過上述方式形成的底涂層的表面粗糙度可以調節(jié)為使粗糙度為所使用的曝光用激光波長X的約1倍約1/(4n)倍(其中n表示底涂層的外周面上設置的層的折射率)。底涂層的表面粗糙度可通過將樹脂顆粒添加到底涂層形成用涂布液中來加以調節(jié)。當將通過調節(jié)底涂層的表面粗糙度而形成的感光體用于成像設備時，可以充分地抑制由于激光光源而導致的干涉條紋。作為樹脂顆粒，可以使用硅酮樹脂顆?；蚪宦?lián)PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)樹脂顆粒等。作為備選，可以對底涂層的表面進行研磨以調節(jié)表面粗糙度。作為研磨方法，可以使用拋光、噴砂、濕式珩磨或磨削處理等。在用于具有帶正電構成的成像設備的感光體中，激光入射束在感光體的最外層表面附近被吸收，進而在感光層中散射。因此，不是特別需要調節(jié)底涂層的表面粗糙度。為了改善電學性質、環(huán)境安全性和畫質，優(yōu)選將各種類型的添加劑添加到底涂層形成用涂布液中。添加劑的實例包括電子輸送性物質(包括諸如四氯苯醌、四溴苯醌或蒽醌等醌類化合物；四氰基醌二甲烷類化合物；諸如2,4,7-三硝基藥酮或2,4,5,7-四硝基-9-芴酮等芴酮類化合物；諸如2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-l，3，4-噁二唑、2，5-二(4-萘基)-1，3,4-噁二唑或2,5-二(4-二乙基氨基苯基)-1，3,4-噁二唑等噁二唑類化合物；咕噸酮類化合物；噻吩類化合物；和諸如3，3'，5，5'-四叔丁基二苯醌等二苯醌類化合物)；多環(huán)稠合或偶氮類等電子輸送性顏料；和諸如鋯螯合物、鈦螯合物、鋁螯合物、烷氧基鈦類化合物、有機鈦化合物或硅烷偶聯(lián)劑等公知材料。這里使用的硅垸偶聯(lián)劑的實例沒有具體限制，包括乙烯基三甲氧基硅烷、Y-甲基丙烯酰氧基丙基-三(P-甲氧基乙氧基)硅烷、卩-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅垸、Y-縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅垸、Y-巰基丙基三甲氧基硅垸、Y-氨丙基三乙氧基硅烷、N-P-(氨乙基)-Y-氨丙基三甲氧基硅垸、N-P-(氨乙基)-，氨丙基甲基二甲氧基硅垸、N，N-二(P-羥基乙基)-Y-氨丙基三乙氧基硅垸或者Y-氯丙基三甲氧基硅烷。鋯螯合物的具體實例包括丁氧基鋯、乙酰乙酸乙酯鋯、三乙醇胺鋯、乙酰丙酮丁氧基鋯、乙酰乙酸乙酯丁氧基鋯、乙酸鋯、草酸鋯、乳酸鋯、磷酸鋯、辛酸鋯、環(huán)烷酸鋯、月桂酸鋯、硬脂酸鋯、異硬脂酸鋯、甲基丙烯酸丁氧基鋯、硬脂酸丁氧基鋯和異硬脂酸丁氧基鋯。鈦螯合物的具體實例包括鈦酸四異丙酯、鈦酸四正丁酯、鈦酸丁酯二聚體、鈦酸四(2-乙基己基)酯、乙酰丙酮鈦、多乙酰丙酮鈦、亞辛基羥乙酸鈦、乳酸鈦銨鹽、乳酸鈦、乳酸乙酯鈦、三乙醇胺合鈦和多羥基硬脂酸鈦。鋁螯合物的具體實例包括異丙醇鋁、單丁氧基二異丙醇鋁、丁醇鋁、乙酰乙酸乙酯二異丙醇鋁和三(乙酰乙酸乙酉旨)鋁。這些添加劑可以單獨使用，也可以將其兩種以上以混合化合物或縮聚化合物的形式使用。上述底涂層用涂布液可以含有至少一種的電子接受性物質。電子接受性物質的具體實例包括琥珀酸酐、馬來酸酐、二溴馬來酸酐、鄰苯二甲酸酸酐、四溴鄰苯二甲酸酸酐、四氰乙烯、四氰醌二甲烷、鄰二硝基苯、間二硝基苯、四氯苯醌、二硝基蒽醌、三硝基芴酮、苦味酸、鄰硝基苯甲酸、對硝基苯甲酸和鄰苯二甲酸。在這些材料中，優(yōu)選使用具有諸如C1、CN或N02等吸電子取代基的芴酮類、醌類和苯類化合物。通過使用這些材料，在感光層中，可以改善感光性，可以降低殘留電位，可以減少重復使用引起的感光性下降。由具有在其底涂層中含有電子接受性材料的上述感光體的成像設備所形成的調色劑圖像的不均一濃度可以得到充分的抑制。代替使用上述底涂層用涂布劑，還優(yōu)選使用下述的分散型底涂層用涂布劑。通過使用分散型底涂層用涂布劑，底涂層的電阻可以得到適當?shù)恼{整，從而可以防止殘留電荷的蓄積，并且可以使底涂層更厚。因此，可以改善底涂層的抗漏電性，接觸帶電時的漏電可以得到特別的抑制。分散型底涂層用涂布劑的實例包括分散于粘合劑樹脂中的材料，所述材料包括如鋁、銅、鎳或銀等金屬粉末；如氧化銻、氧化銦、氧化錫或氧化鋅等導電金屬氧化物；和如碳纖維、炭黑或石墨粉末等導電材料。導電金屬氧化物優(yōu)選是平均一次粒徑為約0.5pm以下的金屬氧化物顆粒。當平均一次粒徑太大時，經常產生局部的導電通道，容易發(fā)生漏電，這可能導致發(fā)生霧化或者從充電單元泄漏大電流。底涂層需要被調節(jié)為適當?shù)碾娮柚狄愿纳瓶孤╇娦浴Ｒ虼?，上述金屬氧化物顆粒優(yōu)選具有約102Q《m約1011Clcm的粉末電阻率。當金屬氧化物顆粒的電阻率低于上述范圍的下限時，可能無法得到足夠的抗漏電性。當電阻率高于上述范圍的上限時，殘留電位可能上升。因此，在這些金屬氧化物顆粒中，優(yōu)選使用氧化錫、氧化鈦和氧化鋅?？梢詫煞N以上的金屬氧化物顆粒以混合物的形式使用。此外，通過用偶聯(lián)劑處理金屬氧化物顆粒的表面，可以容易地控制金屬氧化物顆粒的粉末電阻率。對于偶聯(lián)劑，可以使用適用于上述底涂層形成用涂布液的類似材料?？梢詫煞N以上的偶聯(lián)劑以混合物的形式使用。任何公知方法都可以用于金屬氧化物顆粒的表面處理，并且干法和濕法都可使用。在干法中，首先通過加熱將吸附在金屬氧化物顆粒表面上的水分除去。通過除去表面吸附的水分，偶聯(lián)劑可以均勻地吸附在金屬氧化物顆粒表面上。然后，在用具有大剪切力的混合機等攪拌金屬氧化物顆粒的同時，將偶聯(lián)劑直接或者在溶于有機溶劑或水后滴入或者用干燥空氣或氮氣進行噴霧，從而均勻地進行處理。在偶聯(lián)劑被滴入或者噴霧的情況中，處理可以在約5(TC以上的溫度進行。在添加或噴霧偶聯(lián)劑之后，優(yōu)選將顆粒在約10(TC以上的溫度進行焙燒。焙燒可以以化學反應方式引起偶聯(lián)劑的固化并緊密附著到金屬氧化物顆粒。如果可獲得所需的電子照相特性，可以將顆粒在該溫度焙燒任何時間。在濕法中，首先通過與干法所用相似的方法除去金屬氧化物顆粒表面吸附的水分。表面吸附的水分可以通過例如如干法中那樣加熱干燥、在表面處理用溶劑中加熱攪拌或對表面吸附的水分進行共沸處理來除去。然后將金屬氧化物顆粒在溶劑中進行攪拌，并使用超聲波、砂磨、磨碎機或球磨等進行分散。向其中添加偶聯(lián)劑溶液，并攪拌或分散。然后，除去溶劑，從而均勻地進行表面處理。在除去溶劑之后，再將顆粒在約IOO'C以上進行焙燒。如果可獲得所需的電子照相特性，可以將顆粒在該溫度焙燒任何時間。應當向金屬氧化物微粒中添加足以產生所需的電子照相特性的量的表面處理劑。電子照相特性受表面處理后殘留在金屬氧化物顆粒上的表面處理劑的量的影響。硅烷偶聯(lián)劑的附著量基于熒光X射線分析測定的Si強度(由于硅烷偶聯(lián)劑中的Si所致)和金屬氧化物中所用的主要金屬元素的強度來確定。熒光X射線分析測定的Si強度優(yōu)選為所用的主要金屬元素的強度的約1.0x10—5倍約1.0x10—3倍。當強度低于此范圍時，可能經常發(fā)生如霧濁等圖像缺陷。當強度高于此范圍時，可能引起由于殘留電位上升所致的濃度下降。分散型底涂層用涂布劑中含有的粘合劑樹脂的實例包括如縮醛樹脂(例如聚乙烯醇縮丁醛)、聚乙烯醇樹脂、酪蛋白、聚酰胺樹脂、纖維素樹脂、明膠、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、硅酮樹脂、硅酮-醇酸樹脂、酚醛樹脂、苯酚甲醛樹脂、三聚氰胺樹脂或聚氨酯樹脂等公知的聚合物樹脂化合物；具有電荷輸送性基團的電荷輸送性樹脂；和如聚苯胺等導電性樹脂。在這些樹脂之中，優(yōu)選使用不溶于底涂層上形成的層所用的溶劑的樹脂。具體而言，優(yōu)選使用酚醛樹脂、苯酚甲醛樹脂、三聚氰胺樹脂、聚氨酯樹脂和環(huán)氧樹脂等?？梢詫⒎稚⑿偷淄繉有纬捎猛坎家褐械慕饘傺趸镱w粒與粘合劑樹脂之比在可以得到所需感光體特性的范圍內任意地設定。例如，通過使用如球磨、振動球磨、磨碎機、砂磨或臥式砂磨等介質分散機和如攪拌機、超聲波分散機、輥磨或高壓勻化器等無介質分散機的方法，將經上述方法表面處理的金屬氧化物顆粒分散在粘合劑樹脂中。高壓勻化器包括通過在高壓下液-液碰撞或液-壁碰撞使粗分散液進一步分散的碰撞型勻化器和通過在高壓下經過微細流路使液體分散的貫通型勻化器等。可根據(jù)與上述的使用底涂層用涂布劑形成底涂層的方法相類似的方法，用分散型底涂層用涂布劑形成底涂層。感光層電荷輸送層以下，將對感光層中的電荷輸送層和電荷產生層依次進行說明。電荷輸送層用電荷輸送性材料的實例包括如2，5-二(對二乙基氨基苯基)-l,3,4-噁二唑等噁二唑類；如1，3，5-三苯基-吡唑啉或者l-[吡啶基-(2)]-3-(對二乙基氨基苯乙烯基)-5-(對二乙基氨基苯乙烯基)吡唑啉等吡唑啉類；如三苯基胺、三(對甲基)苯基胺、N,N-二(3,4-二甲基苯基)聯(lián)苯基_4-胺、二芐基苯胺或者9,9-二甲基-N,N-二(對甲苯基)莉酮-2-胺等芳香族叔胺化合物；如1^,-二苯基^,-二(3-甲基苯基)-[1,1-聯(lián)苯基]-4，4'-二胺等芳香族叔二胺化合物；如3-(4'-二甲基氨基苯基)-5，6-二(4'-甲氧基苯基)-l，2,4-三嗪等1，2,4-三嗪類；如4-二乙基氨基苯甲醛-l,l-二苯腙、4-二苯基氨基苯甲醛-l,l-二苯腙、[對(二乙基氨基)苯基](l-萘基)苯腙、1-芘二苯腙、9-乙基-3-[(2-甲基-l-二氫吲哚基亞氨基)甲基]咔唑、4-(2-甲基-l-二氫吲哚基亞氨基甲基)三苯基胺、9-甲基-3-咔唑二苯腙、1，1-二(4,4，-甲氧基苯基)丙烯醛二苯腙或者P，(3-二(甲氧基苯基)乙烯基二苯腙等腙類；如2-苯基-4-苯乙烯基-喹唑啉等喹唑啉類；如6-羥基-2，3-二(對甲氧基苯基)-苯并呋喃；如對(2，2-二苯基乙烯基)-N，N-二苯基苯胺等ot-芪類；烯胺類；如N-乙烯基咔唑等昨唑類；聚-N-乙烯基咔唑或者其改性化合物。其實例還包括具有在主鏈或側鏈上包括任一種的上述化合物在內的基團的聚合物。這些電荷輸送性材料可以單獨使用，也可以將其兩種以上組合使用。任何樹脂都可以用作電荷輸送層用粘合劑樹脂。不過，該粘合劑樹脂優(yōu)選為具有合適的強度和與電荷輸送性材料的相容性的樹脂。該粘合劑樹脂的實例包括含有雙酚A、雙酚Z、雙酚C或雙酚TP等的各種聚碳酸酯樹脂和它們的共聚物；聚芳酯樹脂及其共聚物；聚酯樹脂；甲基丙烯酸類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚氯乙烯樹脂；聚偏二氯乙烯樹脂；聚苯乙烯樹脂；聚乙酸乙烯酯樹脂；苯乙烯-丁二烯共聚物樹脂；氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂；氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐共聚物樹脂；硅酮樹脂；硅酮-醇酸樹脂；苯酚甲醛樹脂；苯乙烯-丙烯酸類共聚物樹脂、苯乙烯-醇酸樹脂；聚-N-乙烯基咔唑樹脂；聚乙烯醇縮丁醛樹脂；和聚苯醚樹脂。這些樹脂可以單獨使用，也可以將其兩種以上以混合物使用。電荷輸送層用粘合劑樹脂的分子量可以根據(jù)諸如感光層厚度和溶劑種類等成膜條件來適當?shù)剡x擇，不過，通常粘合劑樹脂的粘均分子量優(yōu)選為約3000約300000，更優(yōu)選為約20000約200000。電荷輸送層可以通過將含有溶于合適的溶劑中的電荷輸送性材料和粘合劑樹脂的溶液涂布并干燥而形成。電荷輸送層形成用溶液所用的溶劑的實例包括如苯、甲苯或氯苯等芳香烴；如丙酮或2-丁酮等酮類、如二氯甲烷、氯仿、氯乙烯等鹵代脂肪烴類；和如四氫呋喃、二氧己環(huán)、乙二醇或二乙基醚等環(huán)醚或直鏈醚類等。電荷輸送性材料與粘合劑樹脂之比優(yōu)選為約10:1約1:5。電荷輸送層的厚度一般優(yōu)選為約5pm約50(im，更優(yōu)選為約10jim約40|im。電荷輸送層和/或下述的電荷產生層可以含有諸如抗氧化劑、光穩(wěn)定劑或熱穩(wěn)定劑等添加劑，以防止感光體被成像裝置中產生的臭氧或氧化性氣體、熱或者光所劣化。抗氧化劑的實例包括受阻酚、受阻胺、對苯二胺、芳基烷烴、氫醌、螺色滿(spirochromane)、螺茚酮(spiroindanone)或它們的改性化合物、有機硫化合物和有機磷化合物等?？寡趸瘎┑木唧w實例包括如2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚、苯乙烯化苯酚、正十八烷基-3-(3，，5，-二叔丁基-4，-羥基苯基)丙酸酯、2，2'-亞甲基-二(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、2-叔丁基-6-(3，-叔丁基-5，-甲基-2，-羥基芐基)-4-甲基苯基丙烯酸酯、4,4'-丁叉基-二(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、4,4'-硫代-二(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、1，3，5-三(4-叔丁基-3-羥基-2,6-二甲基芐基)異氰脲酸酯、四[亞甲基-3-(3'，5，-二叔丁基-4'-羥基苯基)丙酸酉旨]甲烷和3，9-二[2-[3-(3-叔丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙酰氧基]-1,1-二甲基乙基]-2，4,8,10-四氧螺[5，5]十一烷或者3-(3'，5'-二叔丁基-4'-羥基苯基)丙酸硬脂基酯等酚類抗氧化劑。受阻胺類的具體實例包括二(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、二(1，2,2，6,6-五甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、1-[2-[3-(3，5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酰氧基]乙基]-4-[3-(3，5-二叔丁基-4-羥基苯基)丙酰氧基]-2,2，6，6-四甲基哌啶、8-芐基-7，7，9，9-四甲基-3-辛基-l，3，8-三氮雜螺[4.5]H"*—垸-2,4-二酮、4-苯甲酰氧基-2，2，6，6-四甲基哌啶、琥珀酸二甲基酯-l-(2-羥基乙基)-4-羥基-2，2，6,6-四甲基哌啶縮聚物、聚[{6-(1，1,3，3-四甲基丁基)亞氨基-l，3,5-三嗪-2，4-二基}{(2,2,6，6-四甲基-4-哌啶基)亞氨基}六亞甲基{(2，3,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞氨基}]、2-(3，5-二叔丁基-4-羥基芐基)-2-正丁基二丙二酸二(1，2,2，6，6-五甲基-4-哌啶基)和N,N，-二(3-氨丙基)乙二胺-2,4-二[N-丁基-^(1，2,2,6，6-五甲基-4-哌啶基)氨基]-6-氯-1,3,5-三嗪縮合物等。有機硫抗氧化劑的實例包括二月桂基-3,3，-硫代二丙酸酯、二肉豆蔻基-3,3，-硫代二丙酸酯、二硬脂基-3,3'-硫代二丙酸酯、季戊四醇-四-(卩-月桂基-硫代丙酸酯)、雙(十三烷基)-3,3，-硫代二丙酸酯和2-巰基苯并咪唑等。有機磷抗氧化劑的實例包括亞磷酸三(壬基苯基)酯、亞磷酸三苯基酯和三(2，4-二叔丁基苯基)-亞磷酸酯等。有機硫和有機磷抗氧化劑被稱為二級抗氧化劑，當與含有酚或胺的一級抗氧化劑組合使用時可通過協(xié)同作用改善抗氧化效果。光穩(wěn)定劑的實例包括二苯甲酮、苯并三唑、二硫代氨基甲酸鹽和四甲基哌啶等的改性化合物。二苯甲酮類光穩(wěn)定劑的實例包括2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-辛氧基二苯甲酮和2，2，-二羥基-4-甲氧基二苯甲酮等。苯并三唑類光穩(wěn)定劑的實例包括2-(2，-羥基-5，-甲基苯基)-苯并三唑、2-[2，-羥基-3，-(3"，4",5"，6"-四氫鄰苯二甲酰亞氨基-甲基)-5，-甲基苯基]-苯并三唑、2-(2，-羥基-3，-叔丁基-5，-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2，-羥基-3，-叔丁基-5，-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2，-羥基-3，，5，-叔丁基苯基)-苯并三唑、2-(2，-羥基-5，-叔辛基苯基)-苯并三唑和2-(2，-羥基-3，,5，-二叔戊基苯基)-苯并三唑等。其他化合物的實例包括2,4-二叔丁基苯基-3'，5'-二叔丁基-4'-羥基苯甲酸酯和二丁基-二硫代氨基甲酸鎳等。電荷輸送層可以通過將含有溶于合適的溶劑中的電荷輸送性材料和粘合劑樹脂的溶液涂布并干燥而形成。用于制備電荷輸送層形成用涂布液的溶劑的實例包括如苯、甲苯或氯苯等芳香烴溶劑；如丙酮或2-丁酮等酮類溶劑、如二氯甲烷、氯仿或氯乙烯等鹵代脂肪烴類；如四氫呋喃、二氧己環(huán)、乙二醇、二乙基醚等環(huán)醚或直鏈醚溶劑；和它們的混合溶劑。在電荷輸送層形成用涂布液中，作為用于改善涂布膜的平滑性的流平劑，可以添加痕量的硅油。電荷輸送性材料與粘合劑樹脂的混合比以重量比計優(yōu)選為約10:1約1:5。電荷輸送層的厚度一般優(yōu)選為約5pm約50pm，更優(yōu)選為約10fim約30|im。根據(jù)感光體的形狀和用途，電荷輸送層形成用涂布液可以通過浸漬涂布法、環(huán)繞涂布法、噴霧涂布法、刮槽涂布法(beadcoating)、刮刀涂布法或幕涂法等來進行涂布。涂布膜優(yōu)選首先在室溫干燥然后加熱干燥。涂布膜優(yōu)選在約3(TC約20(TC的溫度范圍干燥約5分鐘約2小時的時間。感光層電荷產生層電荷產生層通過用真空沉積法沉積電荷產生材料來形成，或者通過涂布另外含有有機溶劑和粘合劑樹脂的電荷產生材料的溶液來形成。電荷產生材料的實例包括如無定形硒、結晶性硒、硒-碲合金或者硒-砷合金等硒化合物；如硒合金、氧化鋅或氧化鈦等無機光導電體或者可用著色劑增感的那些無機光導電體；如無金屬酞菁、鈦氧基酞菁、銅酞菁、錫酞菁或者鎵酞菁等各種酞菁化合物；如方酸(squarilium)顏料、蒽嵌蒽醌顏料、茈顏料、偶氮顏料、蒽醌顏料、芘顏料、吡喃鎗鹽或噻喃鐺鹽；和染料。這些有機顏料一般具有若干晶型，具體而言，已知酞菁化合物具有包括a和(3在內的多種晶型，不過可以使用任何晶型，只要該顏料提供合適的感度和其他特性即可。在上述電荷產生材料中，優(yōu)選使用酞菁化合物。當用光照射感光層時，感光層中含有的酞菁化合物吸收光子并產生載流子。由于酞菁化合物具有高量子效率，所以光子被有效地吸收并產生載流子。在用作電荷產生材料的上述酞菁化合物中，更優(yōu)選如下述項目(1)(3)所示的酞菁(1)至少在使用CuKa射線得到的X射線衍射譜的布拉格角(29±0.2°)7.6°、10.0°、25.2。和28.0。的位置處具有衍射峰的結晶性羥基鎵酞菁；(2)至少在使用CuKot射線得到的X射線衍射譜的布拉格角(20±0.2°)7.3°、16.5°、25，4°和28.1。的位置處具有衍射峰的結晶性氯化鎵酞菁；和(3)至少在使用CuKoc射線得到的X射線衍射譜的布拉格角(20±0.2°)9.5°、24.2°和27.3。的位置處具有衍射峰的結晶性鈦氧基酞菁。由于這些酞菁化合物具有高且穩(wěn)定的感光性，所以具有含所述酞菁化合物的感光層的感光體可以適用于需要高速成像和重復再現(xiàn)性的彩色成像設備的感光體。盡管它們的峰強度和衍射角根據(jù)晶體形狀和測量方法可與上述數(shù)值相比略有變化，但是具有基本一致的X射線衍射圖樣的晶體可以視作具有相同晶型。電荷產生層用粘合劑樹脂包括如雙酚A或雙酚Z等聚碳酸酯和它們的共聚物、聚芳酯樹脂、聚酯樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物樹脂、氯乙烯-丙烯腈共聚物樹脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來酸酐樹脂、硅酮樹脂、硅酮-醇酸樹脂、苯酚甲醛樹脂、苯乙烯-醇酸樹脂和聚-N-乙烯基咔唑等。這些粘合劑樹脂可以單獨使用，也可以將其兩種以上組合使用。電荷產生材料與粘合劑樹脂的混合比(電荷產生材料:粘合劑樹脂)以重量比計優(yōu)選為約10:1約1:10。電荷產生層的厚度一般優(yōu)選為約0.01^m約5nm，更優(yōu)選為約0,05ium約2.0pm。為了改善感度、降低殘留電位和防止重復使用后的疲勞，電荷產生層可以含有至少一種電子接受性化合物。電荷產生層用電子接受性化合物的實例包括琥珀酸酐、馬來酸酐、二溴馬來酸酐、鄰苯二甲酸酸酐、四溴鄰苯二甲酸酸酐、四氰乙烯、四氰醌二甲烷、鄰二硝基苯、間二硝基苯、四氯苯醌、二硝基蒽醌、三硝基芴酮、苦味酸、鄰硝基苯甲酸、對硝基苯甲酸和鄰苯二甲酸。在這些化合物中，特別優(yōu)選為具有諸如C1、CN或N02等吸電子取代基的芴酮類化合物、醌類化合物和苯類化合物。例如，通過使用輥磨、球磨、振動球磨、磨碎機、珠磨機(dynomill)、砂磨或膠體磨等，將電荷產生材料分散在樹脂中。電荷產生層形成用涂布液所用的溶劑的實例包括公知的有機溶劑，例如，如甲苯或氯苯等芳香烴溶劑；如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇或酮或2-丁酮等酮溶劑；如二氯甲烷、氯仿或氯乙烯等鹵代脂肪烴溶劑；如四氫呋喃、二氧己環(huán)、乙二醇或二乙基醚等環(huán)醚或直鏈醚溶劑；和如乙酸甲酯、乙酸乙酯或乙酸正丁酯等酯溶劑等。這些溶劑可以單獨使用，也可以將其兩種以上以混合物使用。當將其兩種以上以混合物的形式使用時，可以使用能夠在混合溶劑中溶解粘合劑樹脂的任何溶劑。不過，當感光層具有從導電性基體側依次形成電荷輸送層和電荷產生層的構成時，如果電荷產生層是通過如浸漬涂布法等容易溶解下層的涂布法形成，則可以優(yōu)選使用難以溶解下層(例如電荷輸送層)的溶劑。如果電荷產生層由對下層的滲透性相對較差的噴霧涂布法或環(huán)繞涂布法形成，則溶劑可以選自大范圍的溶劑。處理盒和成像設備以下，將對使用本發(fā)明的感光體的處理盒和成像設備的示例性實施方式進行說明。本發(fā)明的示例性實施方式的處理盒沒有具體限制，只要處理盒是可以以可拆卸的方式連接到成像設備的主體并使用本發(fā)明的感光體即可。具體而言，優(yōu)選的是包括本發(fā)明的示例性實施方式的感光體并且具有可以以可拆卸的方式連接到成像設備主體的單元的處理盒，該感光體集成有選自由充電單元、顯影單元、清潔單元和除電單元組成的組中的至少一個單元。本發(fā)明的示例性實施方式的成像設備沒有具體限制，只要其使用本發(fā)明的示例性實施方式的感光體即可。具體而言，本發(fā)明的示例性實施方式的成像設備優(yōu)選包含本發(fā)明的示例性實施方式的感光體；用于使感光體表面帶電的充電單元；用于對通過所述充電單元而帶電的所述感光體表面進行光照射從而形成靜電潛像的靜電潛像形成單元；用于通過用含有調色劑的顯影劑將所述靜電潛像顯影從而形成調色劑圖像的顯影單元；用于將所述調色劑圖像轉印到記錄介質上的轉印單元；用于將所述調色劑圖像定影到所述記錄介質上的定影單元；和用于在將所述調色劑圖像轉印到所述記錄介質上之后清潔所述感光體表面的清潔單元。本發(fā)明的示例性實施方式的成像設備可以為具有與各色調色劑相對應的多個感光體的所謂的串聯(lián)設備。在此情況中，所有感光體都優(yōu)選為本發(fā)明的示例性實施方式的感光體。本發(fā)明的示例性實施方式的成像設備可以包括如中間轉印帶或中間轉印鼓等中間轉印體。在此情況中，將調色劑圖像從感光體表面臨時轉印到中間轉印體表面上，然后轉印到記錄介質上。在本發(fā)明的示例性實施方式的感光體中，即使感光體表面局部磨損時，也可以容易地抑制在曝光后的感光體表面發(fā)生的不均一表面電位。因此，即使該成像設備用于感光體表面局部磨損易于發(fā)生的實施方式(即在其外周設置有接觸感光體的部件或者使用了容易引起感光體磨損的顯影劑等的構成)，也可以容易地抑制在曝光后的感光體表面產生的不均一表面電位。基于此觀點，優(yōu)選使用充電輥作為充電單元，并使用清潔刮刀作為清潔單元。而且，還優(yōu)選使用中間轉印體。此外，在顯影劑的調色劑成分中，優(yōu)選使用如二氧化硅或氧化鈰等具有高度的研磨性能的硬質顆粒作為外部添加劑。以下，將參照附圖對本發(fā)明的成像設備的示例性實施方式進行詳細說明。圖7為描述該成像設備的實例的構成示意圖。如圖7所示，本發(fā)明的示例性實施方式的成像設備82設有沿預定方向(圖7中箭頭方向D)旋轉的電子照相感光體80。在電子照相感光體80附近，沿電子照相感光體80的旋轉方向形成有充電輥(充電單元)84、曝光單元86、顯影單元88、轉印單元89、除電單元81和清潔單元87。充電輥84使電子照相感光體80的表面帶電，從而使該表面具有預定電位。曝光單元86依據(jù)圖像數(shù)據(jù)使通過充電輥84而帶電的電子照相感光體80的表面曝光從而形成靜電潛像。顯影單元88儲存有含靜電潛像顯影用調色劑的顯影劑，并將儲存的顯影劑供給到電子照相感光體80的表面上，以將靜電潛像顯影，從而形成調色劑圖像。通過將記錄介質83夾持在電子照相感光體80與轉印單元89之間，轉印單元89將電子照相感光體80上形成的調色劑圖像轉印到記錄介質83上。使用圖中未示出的定影單元將轉印到記錄介質83上的調色劑圖像定影到記錄介質83的表面。除電單元81將電荷從附著到電子照相感光體80的表面并帶電的物質中除去。清潔單元87具有設置為與電子照相感光體80的表面相接觸的清潔刮刀，并利用電子照相感光體80與清潔刮刀之間的摩擦力來除去該表面的附著物。在圖7所示的示例性實施方式中，具有與選自由充電單元84、顯影單元88、清潔單元87和除電單元81組成的組中的至少一種單元一體化的感光體80的這些單元(處理盒)可以以可拆卸的方式連接到成像設備82的主體。光接收元件此外，除用于電子照相以外，本發(fā)明的示例性實施方式的感光體還可以用作光接收元件。在此情況中，優(yōu)選將該感光體用于其表面層受摩擦的實施方式。而且，感光層不必具有上述的經特殊改造以用于電子照相的構成。實施例以下，將參照實施例對本發(fā)明進行具體說明，但應意識到本發(fā)明并非局限于這些實施例。感光體Al的制備底涂層的形成將100重量份的氧化鋅(平均粒徑70nm，TaycaCorporation制造樣品)與500重量份的甲苯在攪拌下混合。向該混合物中，添加1.5重量份的硅垸偶聯(lián)劑(商品名KBM603,信越化學社制造)并攪拌2小時。然后，通過減壓蒸餾除去甲苯，并在15(TC進行焙燒2小時。將25重量份的甲乙酮混合到60重量份的進行過上述表面處理的氧化鋅、15重量份的固化劑(封端異氰酸酯，商品名SUMIDURBL3175，SumikaBayerUrethaneCo.,Ltd,制造)和38重量份的其中15重量份的丁醛樹脂(商品名S-LECBM-1，積水化學社制造)溶于85重量份的甲乙酮形成的溶液中，從而得到待處理液。然后，使用臥式介質磨分散機(KDL-PILOT型，商品名DYNO-MILL，ShinmaruEnterprisesCorporation審U造)，以下述工序進行分散處理。上述分散機的缸體和攪拌磨由包含氧化鋯作為主要成分的陶瓷構成。向該缸體中，按照體積填充率為80體積％計，裝入直徑為1mm的玻璃珠(商品名Hi-BeaD20，OharaInc.制造)，然后在攪拌磨的周速為8m/min且待處理液的流速為1000mL/min的條件下以循環(huán)方式進行分散處理。將磁體齒輪泵用于傳送待處理液。在上述分散處理中，在經過指定的時間之后對部分的待處理液進行取樣，并測量成膜時的透光率。即，將待處理液涂布到玻璃板上以使其具有20的厚度，并通過在15(TC的溫度進行固化處理2小時從而形成涂層。然后，使用分光光度計(商品名U-2000,日立制造)測量波長為950nm處的透光率。當透光率(涂層厚度為20時的值)超過70%時，完成分散處理。通過將0.005重量份的作為催化劑的二月桂酸二辛基錫和0.01重量份的硅油(商品名SH29PA，DowCorningToraySiliconeCo.，Ltd.制造)添加到經上述方法得到的分散液中，從而制得底涂層形成用涂布液。通過浸涂法將所得涂布液涂布到直徑為30mm、長度為404mm且厚度為1mm的鋁基體上，然后在16(TC的溫度固化100分鐘，從而形成厚度為20pm的底涂層。感光層的形成將包含15重量份的作為電荷產生材料的結晶性氯化鎵酞菁(至少在使用CuKa射線得到的X射線衍射譜的布拉格角(29±0.2°)7.4°、16.6°、25.5°和28.3。的位置處具有衍射峰)、10重量份的作為粘合劑樹脂的氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂(商品名VMCH，NipponUnicarCo.,Ltd.制造)和300重量份的正丁醇的混合物在使用直徑為1mm的玻璃珠的砂磨機中進行分散處理4小時，從而得到電荷輸送層形成用涂布液。通過浸涂法將所得分散涂布液涂布到底涂層上然后干燥，從而形成厚度為0.2的電荷產生層。進一步，將4重量份的N，N-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基Hl，l']聯(lián)苯基-4，4'-二胺和6重量份的雙酚Z聚碳酸酯樹脂(粘均分子量40000)添加到80重量份的氯苯中并溶解，從而得到電荷輸送層形成用涂布液。將所得涂布液涂布到電荷產生層上然后在13(TC的溫度干燥40分鐘以形成厚度為25pm的電荷輸送層，從而得到有機感光體(未涂布的感光體)。此處，作為有機感光層折射率測定用樣品，將表面尺寸為10mmx10mm的沉積有鋁的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(商品名METALMYS(#25)，TorayIndustriesInc.制造)用粘合帶粘合到鼓上，類似地，在該膜上制備涂布有電荷輸送層的有機感光層的參比樣品。表面層的形成第一層使用圖4A和4B所示裝置，通過等離子體CVD法在未涂布的感光體上形成表面層。首先，將未涂布的感光體安裝在基體固定器13上，放入成膜室10中，然后將成膜室10的內部抽真空至壓力為10xl0-2Pa。然后，在表1A和1B所示條件下向成膜室10中供給氣體。此處，將H2、N2、He稀釋的氧氣(4mol。/。)和CH4從氣體供給管20導入，通過氣體入口15和噴嘴16導入氫氣稀釋的三甲基鎵(以下，也稱作"氫氣稀釋的TMG";三甲基鎵的濃度為10mol%)。在此狀態(tài)，通過調節(jié)導通閥(圖中未示出)將成膜室10中的壓力調節(jié)到表1A和1B中所示值，使用高頻電源單元18和匹配箱(圖中未示出)，通過將13.65MHz的射頻波設定為表1A和IB中所示輸出值，并用調諧器進行匹配以使得反射波為0W，從平板電極19進行放電。在此狀態(tài)，在以40ipm的速度旋轉未涂布的感光體的情況下，以表1A和1B中所示的成膜時間形成第一層。在相同條件下形成第一層的共5個樣品。在這5個樣品中，4個樣品直接形成在未涂布的感光體上。1個樣品形成在未涂布的感光體的軸向上的中心處的用粘合帶粘合的單晶硅基板(5mmx10mm;以下也稱作"Si基板")上，從而得到形成有第一層的Si參比樣品。通過將氫氣載氣鼓泡到保持在ox:的三甲基鎵中，以供應由氫氣稀釋的三甲基鎵氣體。將所得感光體靜置在2(TC的溫度24小時。第二層以類似于第一層的方式，在感光體上的第一層上形成第二層的總共5個樣品，不同之處在于成膜條件改為表1A和IB中所示的條件。1個樣品形成在其上未形成其他層的新Si基板上，該Si基板是在將第一層形成時粘合的Si基板除去之后粘合到未涂布的感光體的Si基板，由此得到了形成有第二層的Si參比樣品。于是，得到了4個感光體樣品Al、l個具有第一層的Si參比樣品和l個具有第二層的Si參比樣品。感光體A2A11的制備作為未涂布的感光體，準備了與感光體A1制備用感光體相類似的感光體。然后，以與感光體A1的制備相類似的方式形成表面層，不同之處在于形成第一層和第二層的成膜條件改為表1A和1B中所示條件。于是，得到了感光體A2A11各4個單元、具有第一層的Si參比樣品各1個和具有第二層的Si參比樣品各1個。感光體B1B4的制備作為未涂布的感光體，準備了與感光體Al制備用感光體相類似的感光體。然后，以與感光體A1的制備相類似的方式形成表面層，不同之處在于形成第一層、第二層和單層的成膜條件改為表1A和1B中所示條件。于是，得到了感光體B1B4各4個單元、具有第一層的Si參比樣品各1個、具有第二層的Si參比樣品各1個和1個具有單層的Si參比樣品。對于感光體A1A11和感光體B1B4，有機感光層的參比樣品、第一層的參比樣品和第二層的參比樣品的各層的折射率和層厚通過分光橢圓偏振光譜儀進行了測定。對于該測定，使用了分光橢圓偏振光譜儀(商品名M-2000，J.A.WoollamCo.，Inc.制造)，在1500nm200nm的范圍內在3個入射角測量參數(shù)△和cp，所得數(shù)據(jù)用分析軟件WVAS32(注冊商標，J.A.WoollamCo.,Inc.制造)進行分析，從而得到復折射率中的實部n和虛部k以及層厚d。各層的n和d的結果示于表2中。各感光體的成膜條件示于表1A、1B和2中。<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>表IB<table>tableseeoriginaldocumentpage44</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage45</column></row><table>注在實施例19和對比例14中，整數(shù)a為0;在實施例10中，整數(shù)a為l;在實施例ll中，整數(shù)a為2;以上"X/(8xnl)+axX/(2xnl)"欄和"3xX/(8xnl)+axX7(2xnl)"欄的數(shù)值是分別基于這樣的a的取值而算得的。評價對于評價，使用了成像設備(商品名DOCUCENTRECOLORa450，富士施樂株式會社制造)。此設備配有中間轉印帶、充電輥和清潔刮刀，它們都是接觸感光體的部件。評價時，在安裝感光體之后，在溫度為20°。而濕度為50%朋的環(huán)境條件中，通過將紙張的橫向設定為進紙方向，在A4頁面大小的紙(商品名PPAPER，富士施樂株式會社制造)上連續(xù)印刷圖6所示的圖案。圖6為描述用于實施例評價的A4大小的頁面上的原始圖像的圖案的平面圖。此處，基于紙張的橫向長度，如圖6所示的原始圖像200包括長度比率為90%(183mm)的實地圖像210(實地部長度90°/。圖像)和長度比率為30%(62mm)的實地圖像220(實地部長度30%圖像)。在印刷測試中，對在各條件下制備的感光體的4個單元的每一個，分別在形成初次印刷后、30000次印刷后、60000次印刷后和90000次印刷后的狀態(tài)下，測量對應于實地部長度90%圖像的感光體的表面電位VL90(V)與對應于實地部長度30%圖像的感光體的表面電位VL30(V)之差(表面電位差AVL(V)=IVL90-VL30|)。進一步，將在形成初次印刷(第一次印刷)后、30000次印刷后、60000次印刷后和90000次印刷后的狀態(tài)下的表面電位差AVL的最大值確定為最大表面電位變化(AVLmax值)。按照以下過程測量表面電位和磨損深度。評價用感光體的主要特性值和評價結果示于表3中。表面電位在形成預定次數(shù)的印刷之后，將具有表面層的感光體從安裝該感光體的成像設備中取出，在感光體被柵極式電暈管(scorotron)充電器充電至-700V的帶電狀態(tài)且以40rpm旋轉的情況下，在掃描的同時用曝光用光照射該感光體的表面(光源半導體激光器；波長780nm;輸出功率5mW)。進一步，在與上述條件相類似的條件下對在形成表面層之前的未涂布的感光體進行曝光時，將曝光電壓設定為-350V。下一步，測量曝光后的感光體表面(對應于實地部長度90%圖像和實地部長度30%圖像的區(qū)域)的表面電位。對于表面電位的測量，使用表面電位計(商品名MODEL344;TREKJapanKK制造)和測量區(qū)寬度為10mm的探頭(商品名MODEL555P-l;TREKJapanKK制造)。在測試中，以使得探頭與感光體之間的距離設定為2mm的方式放置探頭，在沿感光體的圓周方向上的4點(在0°、90°、180°和270。的角度處)分別測量各LV90和LV30的表面電位作為平均值。磨損深度在電位的測量之后將感光體沿垂直于感光體表面的方向切斷，并將切斷的感光體的表面用聚合物樹脂被覆并包埋。然后，用切片機切割該經包埋的感光體，在掃描電子顯微鏡(SEM)(商品名JSM6340F;JEOLLtd.制造；倍率20000)下觀察該斷面，得到各樣品的表面層的厚度dl十d2或者ds。在沿感光體的圓周方向上的4點(在0°、90。、180。和270°的角度處)進行觀察，所得值的平均值視為表面層的厚度。從初始階段的感光體樣品的表面層厚度與測試后的感光體樣品的表面層厚度之差求出磨損深度。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage48</column></row><table>出于說明和描述的目的已經提供了對本發(fā)明的示例性實施方式的前述說明。其意圖不是窮舉或者將本發(fā)明限制為所公開的精確形式。顯然，許多改造和變動對本領域技術人員而言將是顯而易見的。選擇和說明實施方式是為了最好地解釋本發(fā)明的原理及其用途，從而使其他本領域技術人員能夠理解到適用于所計劃的特定用途的用于各種實施方式且具有各種改造的發(fā)明。意圖在于，本發(fā)明的范圍應由下述權利要求和它們的等同物所限定。在此將本說明書中提及的所有文獻、專利申請和技術標準援引加入，以至如同各個單獨的文獻、專利申請或者技術標準被具體、單獨地說明為援引加入的程度。權利要求1.一種電子照相感光體，所述感光體包含感光層和設置在所述感光層的表面的表面層，所述表面層包括設置在所述感光層側并且折射率為n1的第一層和設置在所述第一層的與所述感光層相反的一側并且折射率為n2的第二層，所述感光體滿足下述不等式(1)～(3)不等式(1)|n0-n2|>0.1不等式(2)n0<n1<n2，或者n0>n1>n2不等式(3)λ/(8×n1)+a×λ/(2×n1)≤d1≤3×λ/(8×n1)+a×λ/(2×n1)其中，在不等式(1)～(3)中，n0表示所述感光層的折射率，n1表示所述第一層的折射率，n2表示所述第二層的折射率，d1表示所述第一層的膜厚，單位為nm，a表示0以上的整數(shù)，λ表示在形成靜電潛像時照射所述感光體的表面的光的波長，單位為nm。2.如權利要求l所述的電子照相感光體，其中，所述電子照相感光體滿足下述不等式(4):不等式(4)(n0+n2)/2-|(n0-n2)/4|^nlS(nO+n2)/2+|(n0-n2)/4|并且，在不等式(4)中，nO表示所述感光層的折射率，nl表示所述第一層的折射率，n2表示所述第二層的折射率。3.如權利要求l所述的電子照相感光體，其中，所述電子照相感光體滿足下述不等式(5):不等式(5)(n0+n2)/2-|(n0-n2)/8|^nlS(nO+n2)/2+|(n0-n2)/8|并且，在不等式(5)中，nO表示所述感光層的折射率，nl表示所述第一層的折射率，n2表示所述第二層的折射率。4.如權利要求13中任一項所述的電子照相感光體，其中，所述感光層為有機感光層，并且所述第一層或所述第二層中的至少一個包含鎵、氧和氫。5.如權利要求13中任一項所述的電子照相感光體，其中，所述感光層為有機感光層，并且所述第一層或所述第二層中的至少一個包含無定形碳。6.—種成像設備，所述成像設備包含電子照相感光體，所述電子照相感光體包括感光層和設置在所述感光層的表面的表面層；充電單元，該充電單元用于使所述電子照相感光體的表面帶電；靜電潛像形成單元，該靜電潛像形成單元用于在帶電的所述電子照相感光體上形成靜電潛像；顯影單元，該顯影單元用于通過用含有調色劑的顯影劑將所述靜電潛像顯影從而形成調色劑圖像；轉印單元，該轉印單元用于將所述調色劑圖像轉印到記錄介質上；定影單元，該定影單元用于將所述調色劑圖像定影到所述記錄介質上；和清潔單元，該清潔單元用于在將所述調色劑圖像轉印到所述記錄介質上之后清潔所述感光體的表面，所述表面層包括設置在所述感光層側并且折射率為nl的第一層和設置在所述第一層的與所述感光層相反的一側并且折射率為n2的第二層，所述感光體滿足下述不等式(6)(8):不等式(6):|n0—n2|>0.1不等式(7):n0<nl<n2，或者n0〉nl〉n2不等式(8):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中，在不等式(6)(8)中，n0表示所述感光層的折射率，nl表示所述第一層的折射率，n2表示所述第二層的折射率，dl表示所述第一層的膜厚，單位為nm，a表示O以上的整數(shù)，人表示在形成靜電潛像時照射所述感光體的表面的光的波長，單位為nm。7.如權利要求6所述的成像設備，其中，所述充電單元為充電輥。8.如權利要求6或7所述的成像設備，其中，所述清潔單元為清潔刮刀。9.如權利要求68中任一項所述的成像設備，其中，所述成像設備還含有中間轉印體，所述調色劑圖像從所述感光體的表面臨時轉印到所述中間轉印體的表面上，然后轉印到所述記錄介質上。10.—種處理盒，所述處理盒包含電子照相感光體，所述電子照相感光體包括感光層和設置在所述感光層的表面的表面層，所述處理盒是能夠以可拆卸的方式連接到成像設備的主體的處理盒，所述表面層包括設置在所述感光層側并且折射率為nl的第一層和設置在所述第一層的與所述感光層相反的一側并且折射率為n2的第二層，所述感光體滿足下述不等式(9)(11):不等式(9):|n0—n2|>0.1不等式(10):n0<nl<n2，或者n0〉nl〉n2不等式(l1):A/(8xnl)+axX/(2xnl)Sdl^3xX/(8xnl)+axX/(2xnl)其中，在不等式(9)(11)中，nO表示所述感光層的折射率，nl表示所述第一層的折射率，n2表示所述第二層的折射率，dl表示所述第一層的膜厚，單位為nm，a表示O以上的整數(shù)，X表示在形成靜電潛像時照射所述感光體的表面的光的波長，單位為nm。全文摘要本發(fā)明提供了一種電子照相感光體，所述感光體至少具有感光層和設置在所述感光層的表面的表面層。所述表面層含有設置在所述感光層側并且折射率為n1的第一層和設置在所述第一層的與所述感光層相反的一側并且折射率為n2的第二層。所述感光層的折射率(n0)、所述第一層的折射率(n1)、所述第二層的折射率(n2)、所述第一層的膜厚(d1，單位為nm)、0以上的一個整數(shù)(a)、在形成靜電潛像時照射所述感光體表面的光的波長(λ，單位為nm)滿足特定關系。文檔編號G03G15/00GK101520616SQ20081018468公開日2009年9月2日申請日期2008年12月15日優(yōu)先權日2008年2月26日發(fā)明者八木茂,巖永剛,西川雅之,鳥越誠之申請人:富士施樂株式會社