專利名稱：液晶顯示器件及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件及其制作方法。例如，本發(fā)明涉及 具有由薄膜晶體管(在下文中被稱為TFT)構(gòu)成其電路的以液晶顯示屏 板(panel)為典型的電光器件，以及其上搭載了這樣的電光器件作為 其部件的電子器具。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，利用在具有絕緣表面的襯底上形成的半導(dǎo)體薄膜(厚度 為幾至幾百mn左右)來(lái)構(gòu)成薄膜晶體管(TFT)的技術(shù)受人關(guān)注。薄膜 晶體管被廣泛地應(yīng)用于電子器件諸如IC (集成電路)、電光器件等， 并且特別迫切需要將其開發(fā)作為圖像顯示器件的開關(guān)元件。
長(zhǎng)期以來(lái)，液晶顯示器件作為圖像顯示器件是眾所周知的。因有 源矩陣型液晶顯示器件比無(wú)源矩陣型液晶顯示器件更能顯示高清晰圖 像，所以有源矩陣型液晶顯示器件被廣泛利用。在有源矩陣型液晶顯 示器件中，通過(guò)驅(qū)動(dòng)以矩陣形式排列的像素電極，從而在顯示屏幕上 形成顯示圖案。更具體地說(shuō)，因?yàn)樵谶x擇的像素電極和一個(gè)相應(yīng)于這 一選擇的4象素電極的對(duì)面的電極(opposing electrode)之間施加電 壓，因此在選擇的像素電極和對(duì)面電極之間排列的液晶層被光學(xué)調(diào)制， 而這一光調(diào)制作為顯示圖案由觀看者識(shí)別。
這種有源矩陣型電光器件已廣泛用于各種領(lǐng)域，隨著顯示屏幕尺 寸的加大、對(duì)實(shí)現(xiàn)高清晰度、高孔徑效率、和高可靠性有強(qiáng)烈需求。 與此同時(shí)，對(duì)提高生產(chǎn)率以及降低成本的要求也更進(jìn)一步提高。
另外，本發(fā)明的申請(qǐng)人在專利文件1中提出了滴注液晶的方案。
專利文件1
USP 4, 691, 995
本發(fā)明的目的是提供一種液晶材料利用率高，并且可靠性高的柔 性液晶顯示器件。
隨著屏板尺寸趨向于增大，用于屏板的材料成本也增高。尤其是 夾在像素電極和對(duì)面電極之間的液晶材料價(jià)格昂貴。
本發(fā)明提供一種在大尺寸襯底上高效率制作液晶顯示器件的方
法，這樣的大尺寸襯底具體包括比如320mm x 400mm、 370mm x 47Omm、 550mmx 650mm、600mmx 720mm、680mmx 880mm、1000mmx 1200mm、1100咖
x 1250mm或1150咖x 1300咖的尺寸。而且，本發(fā)明還提供使用襯底尺 寸甚至為1500mm x 1800mm、 1800mm x 2000mm、 2000mm x 2100mm、 2200mm x 2600mm、 2600mmx 3100mm這樣的大尺寸襯底制作液晶顯示器件的方 法，并且該制作方法適合批量生產(chǎn)。
另外，為了密封液晶，需要執(zhí)行涂畫密封材料；粘合對(duì)面襯底 (opposing substrate);分割；注入液晶；密封液晶注入口等復(fù)雜 工藝。特別是當(dāng)屏板尺寸增大后，利用毛細(xì)現(xiàn)象注入液晶，并給密封 材料圍住的區(qū)域(至少包括像素部分)中填充液晶變得相當(dāng)困難。
另外，在粘合兩張襯底，執(zhí)行分割，從提供在分割面的液晶注入 口處注入液晶材料時(shí)，從液晶注入口延伸到像素區(qū)域的作為液晶材料 通道的部分會(huì)被液晶堵住。另外，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路部分和像素部分提供在 同一個(gè)村底時(shí)，不僅僅是像素部分，和驅(qū)動(dòng)電路部分重疊的部分也會(huì) 被液晶填充。象這樣，顯示部分以外的多余部分也會(huì)被填充了液晶材 料。
另外，從液晶注入口延伸到像素區(qū)域的液晶材料的通道，尤其是 液晶注入口附近，跟屏板的其他部分比，該處通過(guò)的液晶量極大，這 樣在注入液晶時(shí)就有產(chǎn)生摩擦，從而導(dǎo)致定向膜(aligning film)表 面起變化，最終有引起液晶定向混亂的擔(dān)憂。
此外，人們期待將液晶顯示器件應(yīng)用到各種場(chǎng)合，且尤其希望將 其應(yīng)用到移動(dòng)式器具。目前，多使用玻璃襯底或石英襯底以形成液晶 顯示器件。但是，其缺點(diǎn)是它們易于破碎且笨重。此外，在大規(guī)模生 產(chǎn)時(shí)，難于使用一大塊的玻璃襯底或石英襯底，所以這些襯底是不合 適大規(guī)模生產(chǎn).因此，人們企望在柔性襯底上，典型的是在柔性塑料 膜片上，形成液晶顯示器件。
然而，塑料膜片跟玻璃村底相比，其對(duì)雜質(zhì)，如對(duì)濕氣或堿性金 屬等的封閉性弱，因此會(huì)使液晶顯示器件的可靠性變低。結(jié)果是，無(wú) 法用塑料膜片實(shí)現(xiàn)高性能液晶顯示器件。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上迷問(wèn)題，本發(fā)明在完成在對(duì)面襯底(第一柔性襯底)上提 供保護(hù)膜，涂畫密封材料，并在真空中(減壓下)滴注液晶到對(duì)面襯 底上的工藝后，通過(guò)粘合其上提供有像素電極以及圓柱狀的隔離物的 第二柔性襯底而制成液晶顯示器件。理想的是用圓柱狀的隔離物保持 一對(duì)柔性村底之間的間距，并在減壓的氣氛下執(zhí)行一對(duì)襯底的粘合。
另外，涂畫密封材料可以使用散布器(dispenser )或噴墨機(jī)(ink jet)。涂畫密封材料可以在減壓的情況下執(zhí)行，也可以在大氣壓下的 惰性氣氛中執(zhí)行。密封材料中有可能需要添加媒介以調(diào)節(jié)密封材料的 粘度，因此，在減壓的情況下執(zhí)行涂畫時(shí)，最好使用含有不容易揮發(fā) 的媒介的密封材料，以避免使密封材料變質(zhì)，固化。
另外，密封材料的圖案要圍住像素部分并且是封閉的，并在封閉 的空間中填充液晶。
此外，可以在其上提供有像素部分的襯底上即描畫密封材料又滴 注液晶。另外，在柔性村底上提供保護(hù)膜，并在真空中(減壓下)， 只在像素電極上，也就是只在像素部分上滴注液晶，然后，粘貼提供 有密封材料的對(duì)面村底。
另外，作為本發(fā)明中的保護(hù)膜，優(yōu)選的是，用以硅制成的靶通過(guò) 高頻率濺射法形成的氮化硅膜的單層膜，或氮化硅膜和氧化硅膜的疊 層膜。
由硅制成的耙用RF濺射形成的高密集氮化硅膜不但可以有效地防 止因諸如納，鋰，鎂等的堿性金屬或堿土金屬污染TFT (多晶硅TFT、 非晶硅TFT、有機(jī)TFT等)引起的門檻值電壓的變動(dòng)，而且，對(duì)氧氣和 濕氣有極高的封閉效果。另外，為提高封閉效果，理想的是，氮化硅 膜中氧氣和氫氣的含量在10原子％或更少的范圍，優(yōu)選在1原子％或更 少的范圍。
具體的濺射條件是使用氮?dú)饣虻拖∮袣獾幕旌蠚猓粚毫υO(shè) 定為O. l至1.5Pa;頻率為13MHz至40MHz;電力為5至20W/cm2;村 底溫度為室溫至350。C;硅靶(1至10Qcm)和襯底的距離為40mm至 200mm;背壓力為1 X 10—3Pa或更少。還可以給襯底背面噴涂稀有氣體。 例如，在流率為Ar:N產(chǎn)20sccm:20sccm;壓力為0. 8Pa;頻率為13. 56MHz; 電力為16. 5W/cm2;襯底溫度為200°C;硅耙和襯底的距離為60mm;背
壓力為3 X 10—5Pa的條件下得到的高密集的氮化硅膜有以下特征蝕 刻速度較慢(指用LAL 500，在20。C的條件下實(shí)施蝕刻的蝕刻速度，以下 相同)為9mn或更少(優(yōu)選的是0. 5至3. 5nm或更少)；氬的密度較少 為1 X 10" atoms/cm—3或更少(優(yōu)選的是5 X 102° atoms/cm 3或更少)。 這里的"LAL 500" 是指日本橋本化成公司生產(chǎn)的"LAL 500 SA緩沖 氫氟酸，，，即NIUIP2 (7. 13%)和NHJ (15. 4%)的水溶液。
由以上濺射法制成的氮化硅膜，其電容率是7. 02至9. 3;折光率 是1. 91至2. 13;內(nèi)應(yīng)力是4. 17 X108dyn/ cm2;蝕刻速度是0. 77至 1.31nm/min。內(nèi)應(yīng)力數(shù)值的正負(fù)號(hào)雖根據(jù)壓應(yīng)力或拉應(yīng)力變化，這里 只取其絕對(duì)值。另外，根據(jù)通過(guò)由以上濺射法制成的氮化硅膜的RBS (Rutherford Back Scattering spectroscopy, 盧瑟福反向散射光謙 學(xué))得到的Si密度為37. 3 atomic%; N密度為55. 9 atomic%。另外， 根據(jù)由以上濺射法制成的氮化硅膜的SIMS(二次離子質(zhì)譜，secondary ion mass spectroscopy)得到的氬氣密度為4 X 102。 atoms/cnT3;氧 氣密度為8 X 102。 atoms/cm—3;碳密度為1 X 1019 atoms/cnf3。另夕卜， 由以上濺射法制成的氮化硅膜在可視光面積內(nèi)具有80%或更多的透射 率。圖5示出了氮化硅膜(膜厚度為130nm)的SIMS的測(cè)定結(jié)果。
另外，層疊氮化硅膜(膜的厚度為30mn)和氧化硅膜(膜的厚度 為20nm)，并將疊層的SIMS測(cè)定結(jié)果表示在圖6中。該氮化硅膜的氬 密度為1 X 102°至l X 1021 atoms/cm3。應(yīng)該注意，表l中示出上述 氧化硅膜和上述氮化硅膜的一個(gè)典型的形成膜條件的例子。<_
在此，將說(shuō)明在對(duì)面襯底一側(cè)涂畫密封材料并滴注液晶的實(shí)例。 下文將給出屏板制作的流程。
首先，準(zhǔn)備好作為對(duì)面襯底的第二襯底120以及其上預(yù)先提供有 TFT (圖中沒(méi)有表示)的第一襯底110。第一襯底110和第二襯底
只要是有柔性且能透射光的襯底就沒(méi)有特殊限制，但典型的是使用塑 料襯底。作為TFT，可以使用以多晶硅作為激活層的TFT (又稱多晶硅 TFT)，也可以使用以非晶硅作為激活層的TFT (又稱非晶TFT)，還 可以使用以有機(jī)半導(dǎo)體材料作為激活層的TFT (又稱有機(jī)TFT)。
塑料襯底雖然有重量輕，厚度薄的優(yōu)勢(shì)，但對(duì)濕氣等的封閉效果 弱，所以本發(fā)明在塑料襯底的單面或雙面上形成保護(hù)膜。在此，只在 單面上通過(guò)濺射法形成氮化硅膜作為保護(hù)膜。由硅制成的靶用RF濺射
形成的高密集氮化硅膜不但可以有效地防止因諸如納，鋰，鎂等的堿 性金屬或堿土金屬污染TFT引起的門檻值電壓的變動(dòng)，而且，對(duì)氧氣 和濕氣有極高的封閉效果。另外，為提高封閉效果，理想的是，氮化 硅膜中氧氣和氫氣的含量在10原子％或更少的范圍，優(yōu)選在1原子％或 更少的范圍。
具體的濺射條件是使用氮?dú)饣虻拖∮袣獾幕旌蠚猓粚毫υO(shè) 定為0. 1 Pa至1. 5 Pa;頻率為13MHz至40MHz;電力為5至20W/cm2; 襯底溫度為室溫至350°C;硅靶(1至10Qcm)和襯底的距離為40mm 至200mm;背壓力為1 X 10'Pa或更少。還可以給襯底背面噴涂^皮加
熱了的稀有氣體。
如
圖1A所示，在作為對(duì)面村底的第二襯底l20上形成保護(hù)膜l23， 并且在第一襯底IIO上也形成保護(hù)膜113。雖然在第一襯底上沒(méi)有表示 出TFT等，但是至少提供一層氮化硅膜作為TFT的底層絕緣膜、層間 絕緣膜、或保護(hù)膜。
其次，在第二襯底120上形成由透明導(dǎo)電膜制成的對(duì)面電極122。
另外，在笫一襯底110上也形成由透明導(dǎo)電膜制成的像素電極111。而 且，在第一襯底110上形成保持襯底間距的由絕緣物質(zhì)制成的圓柱狀 隔離物115 (圖IB)。另外，在雙方的襯底上形成定向膜(圖中未示 出)，并執(zhí)行磨光(rubbing)處理。
然后，在第二襯底120上涂畫密封材料112。密封材料112可以使 用丙烯酸光固化樹脂或丙烯酸熱固化樹脂。密封材料112選用含有填 充物(直徑6nm-24nm)，并且粘度為40-400Pa.s的材料。注意，最好 選擇不溶解于在后面要接觸的液晶的密封材料。密封材料112的圖案
是圍住顯示區(qū)域的閉環(huán)狀，在此執(zhí)行密封材料的初步焙燒(圖1C)。
接著，在密封材料112圍住的區(qū)域中在減壓的情況下用液晶散布 器118滴注液晶113 (圖1D)。液晶113可以選用其粘度能夠滴注的 眾所周知的液晶材料。通過(guò)使用液晶散布器，可以按需要的量將液晶 113保存在密封材料112圍住的區(qū)域中，而不會(huì)浪費(fèi)液晶。另外也可以 用噴墨法來(lái)完成液晶的滴注。
然后，在減壓的情況下實(shí)施加熱處理以實(shí)現(xiàn)液晶的除氣(圖1E)。
接著，為了使氣泡不侵入進(jìn)來(lái)，在減壓的情況下，將提供有像素 部分的第一襯底110和提供有對(duì)面電極122、定向膜的第二村底 粘合在一起(圖1F)。
其次執(zhí)行紫外線的照射或加熱處理，以固化密封材料112(圖1G)。 注意，也可以在照射紫外線的同時(shí)實(shí)施加熱處理。
在減壓下執(zhí)行粘合的情況時(shí)，循序漸進(jìn)地返回大氣壓?；蛘撸?對(duì)一對(duì)襯底施加壓力的狀態(tài)下逐漸返回大氣壓。另外，在減壓下執(zhí)行 粘合后，在保持對(duì)一對(duì)襯底施加壓力的狀態(tài)下執(zhí)行紫外線的照射或加 熱處理，以固化密封材料。
根據(jù)上述步驟，液晶被夾持在一對(duì)襯底之間。在本實(shí)施模式中在 減壓的情況下連續(xù)執(zhí)行液晶的滴注、加熱除氣、以及粘合的工藝。而 且，甚至密封材料的涂畫也可以在減壓的情況下進(jìn)行。
在此將說(shuō)明在TFT襯底一側(cè)涂畫密封材料，滴注液晶的實(shí)例。 首先，和實(shí)施模式1同樣，準(zhǔn)備好作為對(duì)面襯底的第二村底220 以及其上預(yù)先提供有TFT (圖中沒(méi)有表示)的第一襯底210。笫一襯底 210和第二襯底220只要是有柔性且能透射光的襯底就沒(méi)有特殊限制，
但典型的是使用塑料襯底。
和實(shí)施模式1同樣，在作為對(duì)面村底的第二襯底220上形成保護(hù) 膜213，并且在第一襯底210上也形成保護(hù)膜223 (圖2A)。雖然在第 一襯底上沒(méi)有表示出TFT等，但是至少提供一層氮化硅膜作為TFT的 底層絕緣膜、層間絕緣膜、或保護(hù)膜。
其次，在第一襯底210上形成由透明導(dǎo)電膜制成的像素電極211。 而且，在第一襯底210上形成保持襯底間距的由絕緣物質(zhì)制成的圓柱 狀隔離物215。另外，在第二襯底220上形成由透明導(dǎo)電膜制成的對(duì)面 電極222 (圖2B)。另外，在雙方的襯底上形成定向膜(圖中未示出)， 并執(zhí)行磨光(rubbing)處理。
然后，在第一襯底210上用散布器或噴墨機(jī)涂畫密封材料212。密 封材料212可以使用丙烯酸光固化樹脂或丙烯酸熱固化樹脂。密封材 料212選用含有填充物(直徑6,_2化111)，并且粘度為40-400Pa.s的 材料。注意，最好選擇不溶解于在后面要接觸的液晶的密封材料。密 封材料212的圖案是圍住顯示區(qū)域的閉環(huán)狀，在此執(zhí)行密封材料的初 步焙燒(圖2C)。
接著，在密封材料212圍住的區(qū)域中在減壓的情況下用液晶散布 器218滴注液晶214 (圖2D)。液晶214可以選用其粘度能夠滴注的 眾所周知的液晶材料。通過(guò)使用液晶散布器，可以按需要的量將液晶 214保存在密封材料212圍住的區(qū)域中，而不會(huì)浪費(fèi)液晶。另外也可以
用噴墨法來(lái)完成液晶的滴注。
圖3示出了獲取四張屏板的制作例子。圖3A表示用液晶散布器318 散布液晶以形成液晶層的中途工藝橫截面圖。液晶散布器318將液晶 材料314滴注或吐出在被密封材料312圍住的像素部分311，并使液晶 材料覆蓋像素部分。可以移動(dòng)液晶散布器318,也可以將液晶散布器 318固定，依靠移動(dòng)襯底來(lái)形成液晶層。另外，還可以設(shè)置多個(gè)液晶散 布器318，同時(shí)滴注液晶。
另外，圖3B表示一個(gè)透視圖。該圖示出了僅在密封材料312圍住 的區(qū)域中有選擇地滴注、吐出液晶材料3"的狀態(tài)。
另外，圖3C是圖3A的被虛線圍住的部分319的擴(kuò)大了的橫截面 圖。液晶材料如圖3C那樣被滴注。
注意，圖3C中，參考數(shù)字320表示反交錯(cuò)(inverse stagger)
型TFT; 321表示像素電極；322表示圓柱狀的隔離物；323表示定向 膜；324表示保護(hù)膜(在此為用RF濺射法制成的氮化硅膜)。像素部 分311由按矩陣狀排列的像素電極，和該像素電極連接的開關(guān)元件， 在此為反交錯(cuò)型TFT，以及存儲(chǔ)電容器(圖中未示出)構(gòu)成。
然后，在減壓的情況下實(shí)施加熱處理以實(shí)現(xiàn)液晶的除氣(圖2E)。 并且通過(guò)加熱處理降低液晶層的粘度，以實(shí)現(xiàn)膜的厚度均勻。
接著，在減壓下粘合提供有像素部分的第一襯底210和提供有對(duì) 面電極222、定向膜的第二電極220，并不使氣泡侵入其中(圖2F)。
另外，圖4示出了粘合時(shí)或粘合后可以執(zhí)行照射紫外線或加熱處 理的粘合裝置的例子。
在圖4A和圖4B中，參考數(shù)字41表示第一襯底支撐臺(tái)，42表示第 二襯底支撐臺(tái)，44表示窗口， 48表示下底板，以及49表示光源。
下底板48內(nèi)部安裝有加熱器，用來(lái)固化密封材料或降低液晶材料 的粘度。另外，第二襯底支撐臺(tái)上提供有窗口 44，從光源49發(fā)射的紫 外光透過(guò)該窗口。雖然在此沒(méi)有用圖表示出，村底位置的調(diào)整通過(guò)窗 口 44而執(zhí)行。另外，作為對(duì)面襯底的第二襯底31預(yù)先被切割成需要 的尺寸，被真空吸盤固定在支撐臺(tái)42之上以備用。圖4A示出了粘合 前的狀態(tài)。
在粘合時(shí)，降下第一襯底支撐臺(tái)和第二襯底支撐臺(tái)之后，施加壓 力將第一襯底35和第二襯底31粘合在一起，然后，在粘合的狀態(tài)下 照射紫外光，以實(shí)現(xiàn)初步固化。圖4B示出了粘合后的狀態(tài)。
接著，執(zhí)行紫外線的照射或加熱處理，以正式固化密封材料212 (圖2G)。注意，也可以在照射紫外線的同時(shí)實(shí)施加熱處理。
在減壓下執(zhí)行粘合的情況時(shí)，循序漸進(jìn)地返回大氣壓?；蛘撸?對(duì)一對(duì)襯底施加壓力的狀態(tài)下逐漸返回大氣壓。另外，也可以在減壓 下執(zhí)行粘合后，在保持對(duì)一對(duì)襯底施加壓力的狀態(tài)下執(zhí)行紫外線的照 射或加熱處理，以固化密封材料，然后逐漸返回大氣壓。
根據(jù)上述步驟，液晶被夾持在一對(duì)襯底之間。在本實(shí)施模式中在 減壓的情況下連續(xù)執(zhí)行液晶的滴注、加熱除氣、以及粘合的工藝。而 且，甚至密封材料的涂畫也可以在減壓的情況下進(jìn)行。
另外，如圖3所示，在從一張襯底制作出四張屏板的情形中，在 完成粘合工藝后，用畫線器(scriber)、輥式切割器等切割裝置切割
第一襯底。按照上述步驟，從一張襯底可以制作出四個(gè)屏板。
下文將通過(guò)實(shí)施例對(duì)上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述。 [實(shí)施例1]
本實(shí)施例用圖7說(shuō)明有源矩陣型液晶顯示器件的制作過(guò)程。 首先用透光性襯底600制作有源矩陣襯底。襯底最好使用類似 600mmx 720咖、680mm x 880mm、 1000mm x 1200咖、1100mm x 1250mm或 1150mmx 1300mm， 1500mmx 1800mm、 1800mmx 2000mm、2000邁mx 2100mm、
2200mm x 2600mm、 2600mm x 3100mm這樣的大尺寸襯底，以降低成本。 能夠利用的村底包括以康寧(corning )公司生產(chǎn)的#7059玻璃或#1737 玻璃等為典型的鋇硼硅玻璃或鋁氧硼硅玻璃等的玻璃襯底。其他可以 利用的襯底還有石英襯底，塑料襯底等透光性襯底。
接著，用濺射法在整個(gè)有絕緣表面的襯底600上形成導(dǎo)電層，然 后，執(zhí)行第一光刻工藝，以形成光刻膠掩膜，通過(guò)蝕刻去除不要的部 分，從而形成布線和電極(柵電極，存儲(chǔ)電容布線，以及端子等)。 另外，如果有必要，還可以在襯底600上形成底絕緣膜。
上述布線以及電極的材料采用選自Ti、 Ta、 W、 Mo、 Cr、 Nd中的 元素，或采用以上述元素作其成分的合金，或采用以上述元素作其成 分的氮化物。而且，還可以從Ti、 Ta、 W、 Mo、 Cr、 Nd中的元素，以 上述元素作其成分的合金，或以上述元素作其成分的氮化物中進(jìn)行多 個(gè)選擇，并將被選物層疊，以該疊層作為上述布線以及電極的材料。
隨著屏幕尺寸的增大，所需布線的長(zhǎng)度也增加，這樣就會(huì)出現(xiàn)布 線電阻增大，從而導(dǎo)致功耗增大的問(wèn)題。所以為了減小布線電阻，降 低顯示器的功耗，上述布線以及電極的材料可以由Cu、 Al、 Ag、 Au、 Cr、 Fe、 Ni、 Pt、或其合金構(gòu)成。另外可選擇的是不凝集Ag、 Au、 Cu或Pd等的由金屬制成的超細(xì)顆粒(顆粒直徑為5-10nm)，用以高 密度分散的獨(dú)立分散超細(xì)顆粒的分散液，通過(guò)噴墨法形成上述布線和 電極。
接著在整個(gè)表面用PCVD (等離子體化學(xué)氣相淀積)法形成一個(gè)柵 極絕緣膜。使用氮化硅膜和氧化硅膜的疊層作為該絕緣膜時(shí)，選擇該 絕緣膜的厚度為50到200nm。優(yōu)選150nm。應(yīng)該理解，柵極絕緣膜不 限于上述疊層，諸如氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、和氧化鉭膜 等的絕緣膜也可以被使用。
接著，在柵極絕緣膜的整個(gè)表面上通過(guò)使用已知方法諸如等離子
體CVD (化學(xué)氣相淀積)方法或?yàn)R射方法形成具有厚度為50到200nm 優(yōu)選100到150rnn的第一非晶半導(dǎo)體膜。通常形成一個(gè)非晶硅(a-Si ) 薄膜，同時(shí)具有l(wèi)OOnm的薄膜厚度，注意，在大尺寸襯底上形成膜的 時(shí)候，因膜的形成室也是大體積，如果要使室內(nèi)處于真空狀態(tài)，則工 藝時(shí)間就會(huì)被拉長(zhǎng)，并且還需要大量的形成膜的氣體，所以，可以在 大氣壓下使用線形等離子CVD裝置形成非晶硅(a-Si)的薄膜，以進(jìn) 一步實(shí)現(xiàn)成本的降低。
接著，形成包含一個(gè)導(dǎo)電型(要么n型要么p型)雜質(zhì)元素的第 二非晶半導(dǎo)體膜，同時(shí)該膜具有20到80nm的厚度。在整個(gè)表面上通 過(guò)使用已知方法諸如等離子體CVD方法或賊射方法形成包含能夠施加 一種導(dǎo)電型(要么n型要么p型)雜質(zhì)元素的第二非晶半導(dǎo)體膜。在 該實(shí)施例中，當(dāng)使用加有磷的硅作為靶時(shí)，形成包含有n型雜質(zhì)元素 的第二非晶半導(dǎo)體膜。
接著，通過(guò)第二光刻工藝形成光刻膠掩膜，然后，通過(guò)蝕刻處理 操作的方式去除其不必要的部分，以形成島形狀的第一非晶半導(dǎo)體膜 和島形狀的第二非晶半導(dǎo)體膜。作為蝕刻方法，在這一場(chǎng)合，既可用 濕式蝕刻方法也可用干式蝕刻方法。
接著，在用濺射法形成覆蓋島形狀的第二非晶半導(dǎo)體膜的導(dǎo)電層 后，執(zhí)行笫三光刻工藝，以形成光刻膠掩膜，通過(guò)蝕刻去除不要的部 分，以形成布線和電極(源布線，漏電極，存儲(chǔ)電容電極)。上述布 線以及電極的材料采用選自Al、 Ti、 Ta、 W、 Mo、 Cr、 Nd、 Cu、 Ag、 Au、 Cr、 Fe、 Ni、 Pt中的元素，或以上述元素作為其成分的合金，或者， 不凝集Ag、 Au、 Cu或Pd等的由金屬制成的超細(xì)顆粒(顆粒直徑為 5-10nm)，而用以高密度分散的獨(dú)立分散超細(xì)顆粒的分散液，通過(guò)噴 墨法形成上述布線和電極。如果用噴墨法形成上述布線和電極，則不 需要執(zhí)行光刻工藝，所以可以實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的低成本化。
其次，執(zhí)行第四光刻工藝以形成光刻膠掩膜，并通過(guò)蝕刻去除不 要的部分以形成源布線，漏電極、存儲(chǔ)電容電極。這里的蝕刻方法即 可以采用濕式蝕刻也可以干式蝕刻。在現(xiàn)階段，形成存儲(chǔ)電容，該存 儲(chǔ)電容以和柵極絕緣膜相同的材料制成的絕緣膜作為電介質(zhì)。然后， 以源布線，漏電極為掩膜，自調(diào)整地去除第二非晶半導(dǎo)體膜的一部分，
而且，減薄第一非晶半導(dǎo)體膜的一部分。被減薄的區(qū)域成為TFT的溝 道形成區(qū)域。
接著，用等離子CVD法在整個(gè)表面上形成厚150nm的由氮化硅制 成的第一保護(hù)膜，以及厚150mn的由氧氮化硅膜制成的第一層間絕緣 膜。注意，在大尺寸襯底上形成膜的時(shí)候，因膜的形成室也是大體積， 如果要使室內(nèi)處于真空狀態(tài)，則工藝時(shí)間就會(huì)被拉長(zhǎng)，并且還需要大 量的形成膜的氣體，所以，可以在大氣壓下使用線形等離子CVD裝置 由氮化硅膜制成的保護(hù)膜，以實(shí)現(xiàn)成本的進(jìn)一步降低。之后，執(zhí)行氫 化，以制作溝道蝕刻型TFT。
本實(shí)施例雖然以溝道蝕刻型TFT作為TFT的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說(shuō)明，但 TFT的結(jié)構(gòu)并不受此限制，TFT還可以是溝道截?cái)喹h(huán)(channel stopper ) 型TFT,頂柵型TFT，或順交錯(cuò)型TFT。
接著，用RF濺射法形成第二保護(hù)膜619。該第二保護(hù)膜619是使 用渦輪分子泵、低溫泵在不多于1 X 10 3 Pa的背壓(back pressure) 下，用&氣體或N2和希有氣體的混合氣體濺射單晶硅耙而制成的氮化 硅膜。該高密集氮化硅膜不但可以有效地防止因諸如納，鋰，鎂等的 堿性金屬或堿土金屬污染TFT引起的門檻值電壓的變動(dòng)，而且，對(duì)氧 氣和濕氣有極高的封閉效果。另外，為提高封閉效果，理想的是，氮 化硅膜中氧氣和氬氣的含量在10原子％或更少的范圍，優(yōu)選在1原子％ 或更少的范圍。
隨后，進(jìn)行第五光刻工藝，以形成光刻膠掩膜，然后通過(guò)干式蝕 刻工藝形成到達(dá)漏電極和存儲(chǔ)電容電極的接觸孔(contact hole)。 同時(shí)，在端子部分形成電連接?xùn)艠O布線和端子部分的接觸孔(沒(méi)有在 圖中表示出)，也可以形成電連接?xùn)艠O布線和端子部分的金屬布線(沒(méi) 有圖示出)。或者，同時(shí)形成到達(dá)源布線的接觸孔(沒(méi)有圖示出)， 也可以形成從源布線引出的金屬線?？梢栽谛纬缮鲜鼋饘俨季€后，形 成諸如IT0 (銦氧化物和錫氧化物制成的合金)等的像素電極。但是也 可以在形成諸如ITO等的像素電極后，形成上述金屬布線。
接著，形成110nm厚的IT0、銦氧化物和鋅氧化物制成的合金 (In203-ZnO)、鋅氧化物(ZnO)等的透明電極膜。之后，進(jìn)行第六光刻 工藝和蝕刻處理工藝形成像素電極601。
如上所述，在像素部分，通過(guò)執(zhí)行六次光刻步驟，可以制造由源
布線、反交錯(cuò)型的像素部分的TFT及其存儲(chǔ)電容器、和端子部分構(gòu)成 的有源矩陣襯底。
接著，在有源矩陣襯底上形成定向膜623并對(duì)其進(jìn)行磨光處理。 在本實(shí)施例中，在形成定向膜623之前，形成諸如丙烯酸樹脂膜的有 機(jī)樹脂膜圖案，從而在所需的位置形成柱狀隔離物602來(lái)保持襯底之 間的間距。也可以在整個(gè)襯底表面散布球形隔離物來(lái)代替柱狀隔離物。
接下來(lái)制備對(duì)面(opposite)村底。對(duì)面襯底配備有濾色片620,其 中相應(yīng)于各個(gè)像素配置了有色層和光屏蔽層。另外，提供平整膜以覆 蓋有色層和光屏蔽層。在平整膜上，在重疊于像素部分的位置用透明 導(dǎo)電膜形成相對(duì)電極621。在對(duì)面襯底的整個(gè)表面上形成定向膜622 并對(duì)其進(jìn)行磨光處理。
隨后，按照實(shí)施模式2，用散布器或噴墨機(jī)涂畫圍住有源矩陣襯底 的像素部分的密封材料。完成涂畫密封材料以后，在減壓的情況下， 向被密封材料圍住的區(qū)域中用散布器滴注液晶。接著，在不暴露于大 氣并且減壓的情況下，用密封材料607將有源矩陣襯底和對(duì)面襯底粘 合在一起。在密封材料607中混合填充物(未圖示出)，通過(guò)該填充 物和柱狀隔離物602以均勻間距將兩層襯底粘合在一起。通過(guò)使用滴 注液晶的方法，可以減少在制作過(guò)程中使用的液晶量，尤其是，當(dāng)使 用大尺寸襯底時(shí)，生產(chǎn)成本可以得到大幅度的降低。
根據(jù)以上步驟完成了有源矩陣型液晶顯示器件的制作。并且，如 果有必要，可以按所希望的形狀分割有源矩陣襯底或?qū)γ嬉r底。而且， 利用眾所周知的技術(shù)，適當(dāng)?shù)卦O(shè)置諸如偏振光板603或顏色過(guò)濾器等 光學(xué)薄膜。接下來(lái)利用眾所周知的技術(shù)，粘附FPC (柔性印刷電路板， Flexible Printed Circuit board)。
在通過(guò)以上工藝獲得的液晶模塊上提供后照光6(M，光波導(dǎo)板605， 并用覆蓋物606覆蓋，這樣就完成了其橫截面的一部分在圖6示出那 樣的有源矩陣型液晶顯示器件(透射型)。注意，覆蓋物和液晶模塊 用粘合劑或有機(jī)樹脂固定。另外，因?yàn)橛性淳仃囆鸵壕э@示裝置是透 射型，所以在有源矩陣襯底和對(duì)面襯底雙方粘附偏振光板603。
本實(shí)施例雖然以透射型為例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并不受此限制， 本發(fā)明也可以制作反射類型或半透射類型的液晶顯示器件。在制作反 射類型的液晶顯示器件時(shí)，像素電極使用光反射率高的金屬膜，典型
的是鋁或以銀為主要成分的材料膜，或?qū)盈B這些材料膜而獲得的疊層 膜。
本實(shí)施例可以和實(shí)施模式1或?qū)嵤┠Ｊ?任意組合。 [實(shí)施例2]
本實(shí)施例在圖8A示出在實(shí)施例l獲得的液晶模塊的俯視圖，在圖 8B示出具有和實(shí)施例1不同結(jié)構(gòu)的液晶模塊的俯視圖。
用根據(jù)實(shí)施例1獲得的非晶半導(dǎo)體膜形成激活層的TFT，其場(chǎng)效應(yīng) 遷移率小，只有1 cm2/Vsec左右。因此，執(zhí)行圖像顯示的驅(qū)動(dòng)電路用 IC芯片形成，并以巻帶自動(dòng)接合TAB ( Tape Automated Bonding)方 式或玻璃上載芯片COG (Chip On Glass)方式來(lái)實(shí)現(xiàn)裝栽。
圖8A中，701表示有源矩陣襯底；706表示對(duì)面襯底；704表示像 素部分；707表示密封材料；705表示FPC。注意，在減壓的情況下用 散布器或噴墨機(jī)滴注液晶，并用密封材料707粘合一對(duì)襯底701、 706。
通過(guò)實(shí)施例1獲得的TFT，其場(chǎng)效應(yīng)遷移率雖小，但在使用大尺寸 襯底進(jìn)行批量生產(chǎn)的情形中，由于是低溫工藝，所以可以降低制作工 藝中消耗的成本。根據(jù)在減壓的情況下用散布器或噴墨機(jī)滴注液晶， 并粘合一對(duì)襯底的本發(fā)明，可以在一對(duì)襯底之間保存液晶而與襯底的 大小尺寸無(wú)關(guān)，其結(jié)果是可以制造搭栽具有20英寸-80英寸的巨大屏 幕的液晶屏板的顯示器件。
另外，在執(zhí)行已知的晶化處理，以晶化非晶半導(dǎo)體膜從而形成有 結(jié)晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜，典型的是用多晶硅膜構(gòu)成激活層的情形中，由 于可以獲得場(chǎng)效應(yīng)遷移率高的TFT，不僅僅像素部分，包括CMOS電路 的驅(qū)動(dòng)電路也可以在同一個(gè)襯底上制作。另外，除了驅(qū)動(dòng)電路，還可 以在同一個(gè)村底上制作CPU芯(中央處理器)等。
使用由多晶硅膜制成其激活層的TFT時(shí)，可以制作如圖8B所示的
液晶模塊。
圖8B中，711表示有源矩陣襯底；716表示對(duì)面襯底；712表示源 信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路；713表示柵信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路；714表示像素部分；717 表示第一密封材料；715表示FPC。注意，在減壓的情況下用散布器或 噴墨機(jī)滴注液晶，并用第一密封材料717和第二密封材料粘合一對(duì)襯 底711、 716。驅(qū)動(dòng)電路部分712、 713不需要液晶，所以只在像素部分 714中保存液晶，第二密封材料718是為了輔助屏板整體的強(qiáng)度而提供的。
本實(shí)施例可以和實(shí)施模式1，實(shí)施模式2或?qū)嵤├齦任意組合。 [實(shí)施例3]
實(shí)施例1和實(shí)施例2示出了在柔性襯底的塑料襯底上直接形成開 關(guān)元件的有源矩陣襯底的例子，本實(shí)施例中將示出剝離在玻璃襯底上 形成的元件，并將其轉(zhuǎn)移到柔性襯底的例子。
首先，如圖9A所示，在笫一村底IO上形成金屬膜11。注意，第 一襯底只要有能夠承受后面的剝離工藝的剛性，任何襯底比如玻璃襯 底，石英襯底，陶瓷襯底，硅襯底，金屬襯底或不銹鋼襯底都可以被 應(yīng)用。金屬膜可以使用由選自W、 Ti、 Ta、 Mo、 Nd、 Ni、 Co、 Zr、 Zn、 Ru、 Rh、 Pd、 0s、 Ir中的元素或以上述元素為主要成分的合金材料或 化合物材料制成的單層，或者上述單層的疊層。金屬膜可以通過(guò)比如 利用金屬靶的濺射法形成。形成的金屬膜的厚度是lOnm-200nm，優(yōu)選 50mn-75nm。
上述金屬被氮化的膜(例如，氮化鎢或氮化鉬)用來(lái)代替金屬膜 也無(wú)妨。上述金屬的合金(例如W和Mo的合金WxMoh)膜也可以用 來(lái)代替金屬膜。這種情況下，合金膜是在形成膜的室內(nèi)使用類似第一 金屬(W)以及第二金屬(Mo)等多個(gè)靶，或以第一金屬(W)以及第 二金屬(Mo)的合金作為耙的濺射法而形成。而且，可以給金屬膜摻 雜氮元素或氧元素。作為摻雜的方法，比如可以給金屬膜離子注入氮 元素或氧元素，或使膜的形成室內(nèi)處于氮元素或氧元素的氣氛，然后 通過(guò)濺射法形成金屬膜，這種情況下的靶可以使用氮化金屬。
使用濺射法形成金屬膜時(shí)，襯底的周邊部分的膜的厚度有不均勻 的情況。針對(duì)于此，最好用干式蝕刻清除周邊部分的膜。在進(jìn)行蝕刻 時(shí)，為了不使第一襯底被蝕刻，在第一襯底10和金屬膜11之間形成 厚100nm左右的氮氧化硅(SiON或SiNO)膜等含氮的絕緣膜。
象這樣，通過(guò)適當(dāng)設(shè)定金屬膜的形成方法，可以控制剝離工藝， 提高工藝寬容度(process margin)。也就是說(shuō)，例如，在使用金屬 合金的情形中，通過(guò)控制合金中的各個(gè)金屬的成分比，可以控制剝離 工藝。具體地，可以控制剝離的加熱溫度，以及是否需要加熱工藝。
隨后，在金屬膜11上形成待剝離層12。該待剝離層包括含硅的氧 化膜和半導(dǎo)體膜，在非接觸式IC (集成電路)的情形中還可以配備天
線。另外，為了防止來(lái)自金屬膜和襯底的雜質(zhì)或灰塵的侵入，最好在
待剝離層12，尤其在比半導(dǎo)體膜還下面的面上提供含氮的氮化硅(SiN ) 膜，氮氧化硅(SiON或SiNO)膜等絕緣膜以作為底層膜。
含硅的氧化膜借助濺射法，CVD法用氧化硅，氧氮化硅等形成。注 意，含硅的氧化膜的厚度最好不少于金屬膜的2倍左右。本實(shí)施例中 使用利用硅靶的濺射法，形成厚150mn-200nm的氧化硅膜。
在形成含硅的氧化膜時(shí)，在金屬膜上形成含該金屬的氧化物(金 屬氧化物)13。另外，通過(guò)含有硫酸，鹽酸或硝酸的水溶液，硫酸， 鹽酸或硝酸和過(guò)氧化氫水混合的水溶液，或臭氧水的處理而在金屬膜 表面形成的薄金屬氧化物可以作為金屬氧化物被利用。還可以使用其 它的方法，包括在氧氣氛中的等離子處理，或在含氧氣氛中照射紫外 線以形成臭氧從而進(jìn)行氧化處理，或者，用凈化爐(clean oven)加 熱200-350。C左右以形成金屬氧化物。
形成的金屬氧化物的膜的厚度為0. lnm-lnm ，最好是 0. lmn-100nm，更優(yōu)選0. lnm-5認(rèn)。
注意，提供在半導(dǎo)體膜和金屬膜之間的含有硅的氧化膜和底層膜 等都表示為絕緣膜。換句話說(shuō)，金屬膜、金屬氧化膜、絕緣膜、以及 半導(dǎo)體膜層疊在一起的狀態(tài)，也就是說(shuō)只要是絕緣膜的一方的表面上 提供有半導(dǎo)體膜，而另一方的表面上提供有金屬氧化物和金屬膜的結(jié) 構(gòu)就可以。
另外，對(duì)半導(dǎo)體膜實(shí)施預(yù)定的制作工藝，以形成半導(dǎo)體元件，例 如，薄膜晶體管(TFT)、有機(jī)TFT、薄膜二極管等。上述半導(dǎo)體元件 構(gòu)成薄膜集成電路的CPU芯或存儲(chǔ)器等。然后，為了保護(hù)半導(dǎo)體元件， 最好在半導(dǎo)體元件上提供類金剛石碳(DLC)或氮化碳(CN)等含碳的 保護(hù)膜，或者氮化硅(SiN)或氮氧化硅(SiN0或SiON)等含氮的保 護(hù)膜。
根據(jù)上述步驟形成待剝離層12后，具體是在形成金屬氧化物后執(zhí) 行加熱處理，以晶化金屬氧化物。例如，使用W (鎢)作為金屬膜時(shí)， 如用400°C或更高的溫度加熱，W02或冊(cè)3的金屬氧化物即變?yōu)榻Y(jié)晶狀 態(tài)。另外，如在形成待剝離層12具有的半導(dǎo)體膜后再進(jìn)行加熱，還可 以擴(kuò)散半導(dǎo)體膜中的氫元素。由于該氫元素，金屬氧化物的化合價(jià)有 可能出現(xiàn)變化，這樣的加熱處理可以根據(jù)選擇的金屬膜決定加熱溫度
以及是否實(shí)施加熱處理。換句話說(shuō)，為了使剝離容易實(shí)施，根據(jù)需要， 晶化金屬氧化物以備用。
而且，還可以將加熱處理的工藝和半導(dǎo)體元件的制作工藝兼用， 以節(jié)省工藝步驟。例如，可以利用形成晶質(zhì)半導(dǎo)體膜時(shí)的加熱爐或激 光照射來(lái)進(jìn)行加熱處理。
然后，如圖9B所示，用第一粘合劑15將待剝離層12粘貼到第二 襯底14上。注意，第二襯底14最好使用比第一襯底10剛性強(qiáng)的襯底。 第一粘合劑15采用能夠被剝離下來(lái)的粘合劑，比如借助紫外線進(jìn)行剝 離的紫外線剝離類型，借助熱進(jìn)行剝離的熱剝離類型，或者借助水進(jìn) 行剝離的水溶性粘合劑，另外還可以使用雙面膠帶。
隨后，用物理手段剝離提供有金屬膜11的第一襯底10 (圖9C)。 雖然由于所示圖是模式圖，沒(méi)有表示出來(lái)，但在被晶化的金屬氧化物 的層內(nèi)，或金屬氧化物的兩面的邊界(界面)，也就是從金屬氧化物 和金屬膜之間的界面或金屬氧化物和待剝離層之間的界面進(jìn)行剝離。 這樣，待剝離層12就可以從第一襯底10上被剝離下來(lái)。
這時(shí)為了使剝離能夠容易地被實(shí)施，最好切割襯底的一部分，并 在切割面的剝離界面，也就是金屬膜和金屬氧化物之間的界面附近用 切割器等切出一個(gè)傷口。
接著，如圖9D所示，用第二粘合劑16將被剝離的待剝離層12粘 貼到作為轉(zhuǎn)錄體(transcriptional body)的第三襯底(例如標(biāo)簽) 17。第二粘合劑16采用紫外線固化樹脂，具體可以采用環(huán)氧樹脂基的 粘合劑或樹脂添加劑(resin additive)等粘合劑，或者還可以使用 雙面膠帶。另外，如果第三襯底本身帶有粘接性，則不需要第二粘合 劑。
第三襯底的材料可以采用有柔性的襯底(以下稱為薄膜襯底)， 例如，紙張或聚醚酰亞胺、聚碳酸酯、聚烯丙基化合物或聚醚砜等塑 料襯底。另外，也可以實(shí)施鍍膜(coating)工藝，以減少薄膜襯底表 面的凸凹不均勻，提高其剛性，耐性及穩(wěn)定性。
然后，去除第一粘合劑15，并剝離第二襯底14 (圖9E)。具體剝 離第一粘合劑的方法是照射紫外線，或進(jìn)行加熱，或用水洗。
另外，第 一粘合劑的清除和第二粘合劑的固化可以在同 一工序中 完成。例如，在第一粘合劑和第二粘合劑分別使用熱剝離型樹脂和熱 固化型樹脂，或紫外線剝離型樹脂和紫外線固化型樹脂的情形中，僅 需執(zhí)行一次加熱或紫外線照射，就可以達(dá)到清除和固化的目的。注意， 執(zhí)行者可以根據(jù)第三村底的透射性來(lái)選擇粘合劑。
通過(guò)以上步驟在柔性襯底上完成了薄膜集成電路。根據(jù)本實(shí)施例， 剝離在玻璃襯底上形成的電特性好的開關(guān)元件，并轉(zhuǎn)移到塑料襯底上， 這樣，就完成了有源矩陣型村底。
另外，金屬氧化物13有可能全部從薄膜集成電路中被除去，也有 可能一部分或者大部分在待剝離層下面散存(殘存)。但金屬氧化物 殘存時(shí)，可以實(shí)施蝕刻以清除。而且，將含硅的氧化膜同時(shí)清除掉也 無(wú)妨。
之后的工藝可以根據(jù)實(shí)施模式1或?qū)嵤┠Ｊ?制作液晶顯示器件。 [實(shí)施例4]
本實(shí)施例將用圖10描述在具有絕緣表面的襯底(典型的是玻璃襯 底，石英村底)上形成包含CPU芯和存儲(chǔ)器的待剝離層，并用實(shí)施例3
的剝離轉(zhuǎn)移技術(shù)將該待剝離層轉(zhuǎn)移到塑料襯底上的例子。
圖10A中，參考數(shù)字1001表示中央處理器(又稱CPU芯)；1002表 示控制器；1003表示運(yùn)算器；1004表示存儲(chǔ)器；1005表示輸入部分； 1006表示輸出(顯示單元)部分。
運(yùn)算器1003和控制器1002組合構(gòu)成中央處理器1001。運(yùn)算器1003 由進(jìn)行加算、減算的算術(shù)運(yùn)算或AND (與門)、OR (或門)、NOT (非 門)等邏輯運(yùn)算的運(yùn)算邏輯單元(縮寫稱ALU， Arithmetic Logic Unit ); 暫時(shí)存放運(yùn)算數(shù)據(jù)、結(jié)果的各種寄存器；以及統(tǒng)計(jì)輸入的一個(gè)個(gè)數(shù)的 計(jì)數(shù)器構(gòu)成。構(gòu)成運(yùn)算器1003的電路，比如，AND電路、OR電路、NOT 電路、緩沖電路、寄存器電路等可以由TFT構(gòu)成，為了獲取高場(chǎng)效應(yīng)遷 移度，可以用連續(xù)振動(dòng)型激光器將制作晶化過(guò)的半導(dǎo)體膜來(lái)作為TFT的 激活層。
首先，在襯底上用濺射法形成鎢膜和氧化硅膜，然后在其上形成 底層絕緣膜(氧化硅膜、氮化硅膜、或氧化氮化硅膜)，然后在底層 絕緣膜的上面形成非晶硅膜。應(yīng)該注意，后面的剝離工藝使用在鎢膜 和氧化硅膜的界面形成的氧化鎢層而執(zhí)行。
至于晶化方法，可以采用在非晶硅膜中添加作為媒介的金屬元素， 然后加熱非晶硅膜獲得多晶硅膜后輻照脈沖振動(dòng)型激光而獲得多晶硅
膜的方法；也可以采用用連續(xù)振動(dòng)型激光器輻照非晶硅膜來(lái)獲得多晶 硅膜的方法；也可以采用加熱非晶硅膜獲得多晶硅膜后輻照連續(xù)振動(dòng) 型激光而獲得多晶硅膜的方法；還可以采用在非晶硅膜中添加作為媒 介的金屬元素，然后加熱非晶硅膜獲得多晶硅膜后輻照連續(xù)振動(dòng)型激 光而獲得多晶硅膜的方法。注意，在使用連續(xù)振動(dòng)型激光的情形中， 理想的是構(gòu)成運(yùn)算器1003控制器1002或存儲(chǔ)器1004的TFT的溝道長(zhǎng)方 向和激光束的掃描方向一致。
另外，控制器1002執(zhí)行存放在存儲(chǔ)器1004的命令，發(fā)揮控制整體 操作的作用?？刂破?002由程序計(jì)數(shù)器，命令寄存器，控制信號(hào)生成 器構(gòu)成?？刂破?002可以由TFT構(gòu)成，可以用晶化過(guò)的半導(dǎo)體膜來(lái)制作 TFT的激活層。
存儲(chǔ)器1004是存放實(shí)施計(jì)算的數(shù)據(jù)和命令的地方，在CPU芯頻繁執(zhí) 行的數(shù)據(jù)或程序存放在存儲(chǔ)器1004中。存儲(chǔ)器1004由主存儲(chǔ)器，地址 寄存器，數(shù)據(jù)寄存器構(gòu)成。除了主存儲(chǔ)器還可以再加上高速緩沖存儲(chǔ) 器。上述存儲(chǔ)器可以由SRAM (靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)、DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存 儲(chǔ)器)、閃存(flash memory)等構(gòu)成。另外，存儲(chǔ)器10(M如用TFT 構(gòu)成時(shí)，可以用晶化過(guò)的半導(dǎo)體膜來(lái)制作TFT的激活層。
輸入部分1005是從外界接受數(shù)據(jù)和程序的裝置，輸出部分1006是 顯示結(jié)果的裝置，典型的為顯示器。
接著，將根據(jù)以上步驟獲取的包含CPU芯(包括端子電極、引出布 線)的待剝離層從襯底上剝離下來(lái)，并轉(zhuǎn)移到塑料襯底上。
另外，不僅僅是CPU芯，還可以同時(shí)一起制作電流電路、顯示部 分、以及驅(qū)動(dòng)電路，例如可以制作包含非接觸式薄膜集成電路的卡。
圖10B是表示非接觸式薄膜集成電路的視圖。
圖10B是示出非接觸式薄膜集成電路的具體結(jié)構(gòu)的俯視圖。該非 接觸式薄膜集成電路包括集成電路部分35,其中集成電路35又包含顯 示部分、天線31、電流電路32、 CPU芯33、存儲(chǔ)器3々等，并且天線 經(jīng)電流電路和集成電路IC連接在一起。電流電路32只要是包括二極 管和電容的結(jié)構(gòu)就可以，天線有將接收到的交流頻率轉(zhuǎn)換為直流的功 能。另外，天線31也可以和集成電路在同一個(gè)工序中形成。
非接觸式IC的特征在于其電力供應(yīng)是依靠被巻成環(huán)形狀的天線的 電磁感應(yīng)作用(電磁感應(yīng)方式)、相互感應(yīng)作用(電磁耦合方式)或
靜電的感應(yīng)作用(靜電耦合方式)來(lái)完成。通過(guò)控制該天線的圏巻數(shù) 量可以選擇收信頻率的高度。
一般來(lái)說(shuō)，遠(yuǎn)程型的頻率通常使用微波；近程型及接近型的頻率 使用13.56MHz;密接型的頻率使用4. 91匪z，然而提高頻率并縮短波 長(zhǎng)可以減少天線的圈巻數(shù)量。
另外，和接觸式薄膜集成電路相比，非接觸式薄膜集成電路不和 讀取器/寫入器接觸，以免接觸的形式執(zhí)行電源供應(yīng)及信息通信，所以 不破損，耐久性高，且沒(méi)有因靜電導(dǎo)致錯(cuò)誤的擔(dān)憂。而且，讀取器/寫 入器自身的構(gòu)造也不會(huì)變得復(fù)雜，只需將薄膜集成電路靠近讀取器/寫 入器就可以完成讀取，所以非接觸式薄膜集成電路有操作簡(jiǎn)單的特點(diǎn)。
非接觸式集成電路包括CPU芯、存儲(chǔ)器、1/0端口、以及協(xié)同處理 器。通過(guò)路徑(path)進(jìn)行信息交換。而且，IC (集成電路)還包括 RF(無(wú)線)接口、非接觸接口。作為讀取手段的讀取器/寫入器包括非 接觸接口和接口電路，IC靠近讀取器/寫入器后，各個(gè)非接觸接口之間 通過(guò)通信或電波進(jìn)行信息傳遞、交換。接著，通過(guò)讀取器/寫入器的接 口電路實(shí)現(xiàn)和主計(jì)算機(jī)的信息傳遞、交換。當(dāng)然，主計(jì)算機(jī)擁有讀取 器/寫入器的裝置也無(wú)妨。
圖10C示出了對(duì)應(yīng)于圖IOB表示的塑料卡的外觀圖。圖10C中， 1010表示塑料卡(主體)；1011表示反射型液晶的顯示部分；1012 表示存儲(chǔ)部分；1013表示CPU芯。當(dāng)該卡作為認(rèn)證卡時(shí)，該卡可以被 制作為重量輕，且有柔性的卡。而且，當(dāng)該認(rèn)證卡不要時(shí)，可以被筒 單地切斷、粉碎，并且存儲(chǔ)部分的信息絕對(duì)不會(huì)被讀取，因此可以防 止偽造復(fù)制。
另外，圖ll是讀取卡信息的各種各樣形式的例子。將內(nèi)部埋藏有 薄膜集成電路的卡72靠近如圖11A所示的讀取器/寫入器主體70。
或者，如圖11B所示，在個(gè)人所有的便攜用信息終端，比如手提 電話主體80中搭載讀取器，并將內(nèi)部埋藏有薄膜集成電路的卡82靠 近在手提電話主體的一部分提供的感應(yīng)器81，且在顯示部分83顯示信 息。
或者，如圖11C所示，將內(nèi)部埋藏有薄膜集成電路的卡92靠近個(gè) 人所有的能夠攜帶的讀取器90的感應(yīng)器91，且在顯示部分93顯示信 息。本實(shí)施例雖然說(shuō)明了非接觸式的讀取器/寫入器，但即使是接觸 式，只要能在顯示部分顯示信息就可以。另外，也可以在搭栽有非接 觸式或接觸式薄膜集成電路的卡本身中提供顯示部分，并顯示信息。
圖IOD表示具有多個(gè)液晶顯示部分的信息便攜終端的例子。
圖10D表示的器件借助能夠折彎的活動(dòng)部分1023可以折疊起來(lái)， 其尺寸可以做成名片大小。因?yàn)槭怯伤芰媳∑?020構(gòu)成主體，其重量 極輕，該信息便攜終端具有左側(cè)顯示部分1021和右側(cè)顯示部分1022。 另外，塑料薄片1020上也可以提供CPU芯等的集成電路。
本實(shí)施例可以和實(shí)施模式1 、實(shí)施模式2、實(shí)施例1 、實(shí)施例2、 或?qū)嵤├?任意組合。)、聚 (3-烷基噻吩，3-alkylthiophene )、 poly (3-docoslthiophene)、 聚對(duì)苯撐(Polyparaphenylene)誘導(dǎo)體或 碳?xì)寰酆衔飏對(duì)苯伸乙烯J 〔poly ( paraphenylene vinylene ) ， PPV〕 誘導(dǎo)體。
另外，使用低分子基材料的有機(jī)半導(dǎo)體膜可以使用蒸發(fā)沉淀法(即 氣相淀積法)。例如，可以通過(guò)蒸發(fā)沉淀法形成噢吩低聚物 (thiophene-oligomer )膜(聚合度6 )或并五苯(Pentacene)膜。
尤其是大尺寸的襯底，或第一村底以及笫二村底富有柔性時(shí)，優(yōu) 選用滴注溶液的方法形成有機(jī)半導(dǎo)體膜。接著，如圖12E所示，通過(guò) 自然放置或烘烤揮發(fā)掉溶劑，從而形成有機(jī)半導(dǎo)體膜907。
然后，如圖12F所示，形成鈍化膜908。該鈍化膜通過(guò)RF濺射法 用氮化硅膜，氮化氧化硅膜等含硅的絕緣材料形成。
接著，源電極、漏電極或柵極電極和各個(gè)布線(圖l2中未示出) 的連接通過(guò)在元件襯底和TFT之間形成接觸來(lái)實(shí)現(xiàn)，接著形成半導(dǎo)體 元件，然后根據(jù)實(shí)施模式1或?qū)嵤┠Ｊ?，滴注液晶材料，以完成液晶 顯示器件(液晶顯示模塊)。
如以上所述，使用全部用有機(jī)化合物材料形成的有機(jī)TFT可以制 作出重量輕且有柔性的半導(dǎo)體器件(具體為液晶顯示器件)。另外， 由于可以使用價(jià)格低廉的有機(jī)材料，而且，丟棄的材料極少，所以可 以節(jié)省半導(dǎo)體器件的成本。
特別是如本實(shí)施例所示的有機(jī)TFT，能夠適應(yīng)于在一張屏板上集成 包括視覺(jué)顯示的像素部分；收發(fā)各種信息的通信功能；存儲(chǔ)信息或加 工信息等計(jì)算機(jī)的所有功能的單屏板系統(tǒng)整合(system on panel)。
本實(shí)施例可以和實(shí)施模式1 、實(shí)施模式2、實(shí)施例1 、實(shí)施例2、 實(shí)施例3、或?qū)嵤├?任意組合。
借助于將通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而得到的液晶顯示器件用于顯示部分， 能夠生產(chǎn)各種電子器具。這些電子器具的例子包括攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、 風(fēng)鏡式顯示器(頭戴式顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、放聲器(汽車音響、音 響部件等)、筆記本計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、便攜式信息終端(移動(dòng)計(jì)算機(jī)、 手提電話、便攜式游戲機(jī)、電子圖書等)、以及包括記錄媒質(zhì)的放像
設(shè)備(具體地說(shuō)是能夠處理諸如數(shù)字萬(wàn)能碟盤(DVD)之類的記錄媒質(zhì) 中的數(shù)據(jù)并具有能夠顯示數(shù)據(jù)圖像的顯示器的裝置)。圖13A-13H示 出了其實(shí)際例子。
圖13A示出了一種電視，它包含機(jī)殼2001、底座2002、顯示部分 2003、揚(yáng)聲器單元2004、圖像輸入端子2005等。本發(fā)明被用于顯示部 分2003。術(shù)語(yǔ)電視包括用來(lái)顯示信息的所有電視，例如個(gè)人計(jì)算機(jī)的 電視、用來(lái)接收TV廣播的電視、以及用于廣告的電視。
圖13B示出了一種數(shù)碼相機(jī)，它包含主體2101、顯示部分2102、 圖像接收單元2103、操作鍵2104、外部接口 2105、快門2106等。本 發(fā)明被用于顯示部分2102。
圖13C示出了一種筆記本計(jì)算機(jī)，它包含主體2201、機(jī)殼2202、 顯示部分2203、鍵盤2204、外部接口 2205、鼠標(biāo)2206等。本發(fā)明被 用于顯示部分2203。
圖13D示出了一種移動(dòng)式計(jì)算機(jī)，它包含主體2301、顯示部分 2302、開關(guān)2303、操作鍵2304、紅外端口 2305等。本發(fā)明被用于顯 示部分2302。
圖13E示出了 一種配備有記錄媒質(zhì)(具體地說(shuō)是DVD播放器)的 便攜式放像設(shè)備。此設(shè)備包含主體2401、機(jī)殼2402、顯示部分A 2403、 顯示部分B 2404、記錄媒質(zhì)(例如DVD)讀出單元2405、操作鍵2406、 揚(yáng)聲器單元2407等。顯示部分A M03主要顯示圖像信息，而顯示部 分B 2404主要顯示文本信息。本發(fā)明被用于顯示部分A 2403和B 2404。
術(shù)語(yǔ)配備有記錄媒質(zhì)的放像裝置包括家用游戲機(jī)。
圖13F示出了一種游戲機(jī)，它包含主體2501、顯示部分2505、以
及操作開關(guān)2504等。
圖13G示出了一種攝像機(jī)，它包含主體2601、顯示部分2602、機(jī) 殼2603、外部接口 2604、遙控接收單元"05、圖像接收單元"06、 電池2607、聲音輸入單元2608、操作鍵"09等。本發(fā)明被用于顯示 部分2602。
圖13H示出了一種手提電話，它包含主體2701、機(jī)殼2702、顯示 部分2703、聲音輸入單元2704、聲音輸出單元2705、搮作鍵2706、 外部接口 2707、天線2708等。本發(fā)明被用于顯示部分2703。借助于 顯示部分2703在黑色背景上顯示白色字符，則能夠降低手提電話的功
耗'
如上所述，借助于實(shí)施本發(fā)明而得到的液晶器件可以被用作任何 電子器具的顯示部分。本實(shí)施例的電子器具可以采用根據(jù)實(shí)施模式1、
實(shí)施模式2、實(shí)施例1乃至5制作的液晶顯示器件的任何一種結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明，可以實(shí)現(xiàn)液晶材料的高利用率，并且實(shí)現(xiàn)可靠性高 的柔性液晶顯示器。
權(quán)利要求
1.一種設(shè)備，包括第一襯底；形成在所述第一襯底上的開關(guān)元件；電連接到所述開關(guān)元件的像素電極；與所述第一襯底相對(duì)的第二襯底；形成在所述第一和第二襯底之間的密封材料；夾持在所述第一和第二襯底之間的液晶，以及其中所述密封材料被涂畫為封閉環(huán)狀，并且所述密封材料不溶解于與之相接觸的液晶。
2. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述密封材料包括丙烯酸光固化樹脂。
3. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，
4. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于:其特征在于所述密封材料包括填充物。 所述開關(guān)元件是反交錯(cuò)型薄膜晶體管,
5.如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其特征在于，所述開關(guān)元件是溝道蝕刻型薄其特征在于，所述開關(guān)元件的激活層是微晶其特征在于，所述開關(guān)元件的激活層是非晶膜晶體管。
6. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備 半導(dǎo)體膜。
7. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備硅膜。
8. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，還包括形成在所述第一襯底和 所述第二襯底之間的圓柱形隔離物，其中所述圓柱狀的隔離物是以丙烯酸、聚 酰亞胺、聚酰亞胺酰胺(polyimideamide )以及環(huán)氧中的至少其中之一為主要成 分的有機(jī)樹脂材料；或者氧化硅，氮化硅，氧化氮化硅中任一的一種材料；或 用上述材料的疊層膜構(gòu)成的無(wú)機(jī)材料。
9. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一襯底是玻璃襯底。
10. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，還包括形成在所述開關(guān)元件 上的鈍化膜，并且所述鈍化膜形成在所述像素電極上。
11. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，還包括形成在所述第一襯底 和所述第二襯底之間的圓柱形隔離物；以及覆蓋所述圓柱形隔離物和所述像素 電極的定向膜。
12. 如權(quán)利要求l所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備是具有從20英寸到 80英寸的巨大屏幕的液晶面板。
13. —種液晶顯示器件的制造方法，包括步驟 在第一襯底上形成開關(guān)元件； 在所述第一襯底上形成像素電極； 在第二襯底上形成對(duì)面電極； 在所述像素電極上形成定向膜；在所述第一襯底或者所述第二襯底上涂畫密封材料為封閉環(huán)狀； 向被所述密封材料圍住的區(qū)域中滴注液晶材料； 在減壓的情況下，粘合所述第一襯底和所述第二襯底；以及 初步固定所述密封材料； 固定所述密封材料，并且所述密封材料不溶解于與之相接觸的所述液晶材料。
14. 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器件的制造方法，其特征在于，所述密 封材料的粘度為40-400Pa-s。
15. 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器件的制造方法，其特征在于，所述密 封材料包括丙烯酸光固化樹脂。
16. 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器件的制造方法，其特征在于，所述密 封材料包括填充物。
17. 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器件的制造方法，其特征在于，還包括 在所述開關(guān)元件上形成鈍化膜，并且所述鈍化膜形成在所述像素電極上。
18. 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器件的制造方法，其特征在于，所述第 一襯底是玻璃村底。
19. 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器件的制造方法，其特征在于，所述開 關(guān)元件是反交錯(cuò)型薄膜晶體管。
20. 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器件的制造方法，其特征在于，所述開 關(guān)元件是溝道蝕刻型薄膜晶體管。
21. 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器件的制造方法，其特征在于，所述開 關(guān)元件的激活層是微晶半導(dǎo)體膜。
22. 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器件的制造方法，其特征在于，所述開 關(guān)元件的激活層是非晶硅膜。
23. 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器件的制造方法，其特征在于，通過(guò)散布器或者噴墨器件來(lái)涂畫所述密封材料。
24. 從一對(duì)襯底中制造多個(gè)面板的方法，包括步驟 在第一襯底上形成包括開關(guān)元件和像素電極的顯示區(qū)域； 在第二襯底上形成對(duì)面電極； 在所述像素電極上形成定向膜；在所述第一襯底或者所述第二襯底上涂畫每個(gè)密封材料為封閉環(huán)狀，以圍 住每個(gè)顯示區(qū)域；向被所述每個(gè)密封材料圍住的所述每個(gè)顯示區(qū)域中滴注液晶材料； 在減壓的情況下，粘合所述第 一襯底和所述第二襯底； 初步固定所述密封材料； 固定所述密封材料；切割所述第 一和第二襯底以劃分成多個(gè)面板，以及 所述每個(gè)密封材料不溶解于與之相接觸的所述液晶材料。
25. 如權(quán)利要求24所述的從一對(duì)襯底中制造多個(gè)面板的方法，其特征在于， 所述密封材料的粘度為40-400Pa-s。
26. 如權(quán)利要求24所述的從一對(duì)襯底中制造多個(gè)面板的方法，其特征在于， 所述密封材料包括丙烯酸光固化樹脂。
27. 如權(quán)利要求24所述的從一對(duì)襯底中制造多個(gè)面板的方法，其特征在于， 所述密封材料包括填充物。
28. 如權(quán)利要求24所述的從一對(duì)襯底中制造多個(gè)面板的方法，其特征在于， 還包括在所述開關(guān)元件上形成鈍化膜，并且所述鈍化膜形成在所述像素電極上。
29. 如權(quán)利要求24所述的從一對(duì)襯底中制造多個(gè)面板的方法，其特征在于， 所述第一襯底是玻璃襯底。
30. 如權(quán)利要求24所述的從一對(duì)襯底中制造多個(gè)面板的方法，其特征在于， 所述開關(guān)元件是反交錯(cuò)型薄膜晶體管。
31. 如權(quán)利要求24所述的從一對(duì)襯底中制造多個(gè)面板的方法，其特征在于， 所述開關(guān)元件是溝道蝕刻型薄膜晶體管。
32. 如權(quán)利要求24所述的從一對(duì)襯底中制造多個(gè)面板的方法，其特征在于， 所述開關(guān)元件的激活層是微晶半導(dǎo)體膜。
33. 如權(quán)利要求24所述的從一對(duì)襯底中制造多個(gè)面板的方法，其特征在于， 所述開關(guān)元件的激活層是非晶硅膜。
34. 如權(quán)利要求24所述的從一對(duì)襯底中制造多個(gè)面板的方法，其特征在于, 通過(guò)移動(dòng)散布器或者噴墨器件來(lái)涂畫所述密封材料。
35. 如權(quán)利要求24所述的從一對(duì)襯底中制造多個(gè)面板的方法，其特征在于， 通過(guò)移動(dòng)所述第一襯底來(lái)涂畫所述密封材料。
36. 如權(quán)利要求24所述的從一對(duì)襯底中制造多個(gè)面板的方法，其特征在于， 所述像素電極中的每個(gè)電連接至所述開關(guān)元件中的每個(gè)。
37. 如權(quán)利要求24所述的從一對(duì)襯底中制造多個(gè)面板的方法，其特征在于， 還包括在所述第 一襯底和第二襯底之間形成圓柱形隔離物。
38. —種液晶顯示器件的制造方法，包括步驟 在第一襯底上形成開關(guān)元件； 在所述第一襯底上形成以矩陣配置的像素電極； 在第二襯底上形成對(duì)面電極； 在所述像素電極上形成定向膜；在所述第一襯底或者所述第二襯底上涂畫包括丙烯酸光固化樹脂的密封材料；在降低所述液晶材料的粘度后，向被所述密封材料圍住的區(qū)域中滴注液晶 材料；在減壓的情況下，粘合所述第一襯底和所述第二襯底； 初步固定由紫外線照射而固化的所述密封材料； 固定所述第一襯底和所述第二襯底，并且 所述密封材料不溶解于與之相接觸的所述液晶材料。
39. 如權(quán)利要求38所述的液晶顯示器件的制造方法，其特征在于，所述密 封材料的粘度為40-400Pa-s。
40. 如權(quán)利要求38所述的液晶顯示器件的制造方法，其特征在于，所述密 封材料被涂畫為封閉環(huán)狀以圍住顯示區(qū)域。
41. 如權(quán)利要求38所述的液晶顯示器件的制造方法，其特征在于，通過(guò)紫 外光線透過(guò)所述第二襯底來(lái)初步固定所述密封材料。
42. 如權(quán)利要求38所述的液晶顯示器件的制造方法，其特征在于，所述密 封材料通過(guò)加熱處理來(lái)完全固化。
43. 如權(quán)利要求38所述的液晶顯示器件的制造方法，其特征在于，還包括 在減壓下執(zhí)行粘合后，在所述第一襯底和第二襯底處于壓力狀態(tài)時(shí)返回大氣壓。
44. 如權(quán)利要求38所述的液晶顯示器件的制造方法，其特征在于，還包括 在所述第 一襯底和所述第二襯底之間形成圓柱形隔離物。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種液晶顯示器件及其制作方法。在使用塑料襯底的液晶顯示器件中，隨著屏幕尺寸的不斷加大，人們對(duì)實(shí)現(xiàn)高清晰度、高孔徑效率、和高可靠性有了更強(qiáng)烈的需求。與此同時(shí)，對(duì)提高生產(chǎn)率以及降低成本也有了更高的要求。針對(duì)這樣的要求，本發(fā)明提出了一個(gè)方案，即，在對(duì)面襯底(柔性襯底)上提供保護(hù)膜123，其中所述保護(hù)膜至少具有一層用以硅制成的靶通過(guò)高頻率濺射法形成的氮化硅膜，并在對(duì)面襯底上涂畫密封材料112，在真空下向?qū)γ嬉r底滴注液晶材料114后，粘貼其上提供有像素電極111以及圓柱狀隔離物115的柔性襯底110。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101369072SQ20081014293
公開日2009年2月18日 申請(qǐng)日期2004年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月7日
發(fā)明者山崎舜平, 高山徹 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所