專利名稱：：顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及顯示面板及其制造方法，例如涉及具有接觸孔的顯示面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
：在顯示面板中有無源矩陣(passivematrix)型的面板、和使用薄膜晶體管(TFT:ThinFilmTransistor)作為開關(guān)(switching)元件的有源矩陣(activematrix)型的面板。最近，由于顯示品質(zhì)這一點(diǎn)的原因使用TFT的有源矩陣型顯示裝置被廣泛實(shí)用化。作為這樣的顯示面板，例如有液晶顯示面寺反和EL(ElectroLuminescence:電至丈發(fā)光)顯示面板。液晶顯示面板是使用液晶的光電元件，被流行地應(yīng)用于顯示器。由于該液晶顯示面板具有薄型且低功耗的特征，所以作為個(gè)人計(jì)算機(jī)等的辦公自動(dòng)化設(shè)備、便攜式電話、電子記事簿等的便攜式信息設(shè)備、或具備液晶監(jiān)視器的汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、照相機(jī)一體型VTR、TV用而被廣泛地使用。此外，近年來也開始使用通過自發(fā)光而具有高可見性、高速響應(yīng)、高視角、薄型、重量輕等特征的EL顯示面板。裝載在液晶顯示裝置上的液晶顯示面板，與以往的使用陰極射線(cathode-ray)管和EL元件的顯示不同，自身不發(fā)光。因此，多是使用在液晶顯示面板的背面或側(cè)方設(shè)置有^^稱為背光源(backlight)的包括熒光管等的照明裝置的透過型液晶顯示面板。在透過型液晶顯示面板中，從背光源照射光，控制該光的透過量進(jìn)行圖像顯示。這樣的透過型液晶顯示面板雖然在暗處可見性高，但在亮處可見性降低。因此，在戶外經(jīng)常攜帶使用的機(jī)會(huì)多的便攜式信息終端設(shè)備等中，不使用背光源作為光源，而是使用利用環(huán)境光的反射型液晶顯示面板。反射型液晶顯示面板對基板的像素電極部不使用透明膜，而使用反射膜。而且，通過使環(huán)境光在反射膜表面反射從而進(jìn)行顯示。這樣，在反射型液晶顯示面板中，由于不需要背光源，所以有能使功耗變少的優(yōu)點(diǎn)。但是，在環(huán)境光暗的情況下，也同時(shí)具有可見性極端下降的缺點(diǎn)。為了消除這些問題，使用使背光源光的一部分透過并且使環(huán)境光的一部分反射的半透過型液晶顯示面板(專利文獻(xiàn)l,第1圖~第4圖)。半透過型液晶顯示面板具備透過部，對l象素電極部使用透過膜；以及反射部，對像素電極部使用反射膜。由此，能使透過型顯示和反射型顯示雙方以一個(gè)液晶顯示面板實(shí)現(xiàn)。如上述那樣，以往，液晶顯示面板大致分為透過型、反射型、以及半透過型三種。這里，在圖8~圖13表示這些代表性的液晶顯示面板的構(gòu)成。首先，使用圖8及圖9說明透過型液晶顯示面板的構(gòu)成。圖8是表示透過型液晶顯示面板的TFT和像素電極部的構(gòu)成的平面圖。圖9是表示透過型液晶顯示面板的TFT和像素電極部的構(gòu)成的剖面圖。再有，在圖9中，也一并表示柵極(gate)端子部以及源極(source)端子部的剖面構(gòu)成。這些為了將來自驅(qū)動(dòng)電路的掃描信號和視頻信號(顯示信號)送到液晶顯示面板，成為與驅(qū)動(dòng)電路的連接部。透過型液晶顯示面板中，按每個(gè)像素具有TFT100。此外，作為像素電極使用透過電極101,在像素的大致整個(gè)面上形成有透過電極101。通常，作為透過電極101使用包括氧化銦或,氧化錫等的ITO那樣的透明導(dǎo)電性膜。而且，在成為與驅(qū)動(dòng)電路的連接部的柵極端子102以及源極端子103上，分別形成柵極端子焊盤(pad)104和源極端子焊盤105。此外，TFT100和透過電極101、柵一及端子102和柵極端子焊盤104、以及源才及端子103和源才及端子焊盤105經(jīng)由接觸孔106分別連接。接著，使用圖10以及圖11說明半透過型液晶顯示面板的構(gòu)成。圖IO是表示半透過型液晶顯示面板的TFT和像素電極部的構(gòu)成的平面圖。圖11是表示半透過型液晶顯示面板的TFT和像素電極部的構(gòu)成的剖面圖。再有，在圖11中也一并表示柵極端子部以及源極端子部的剖面構(gòu)成。與透過型液晶顯示面板同樣，半透過型液晶顯示面板具有TFTIOO、透過電一及101、柵才及端子102、源才及端子103、柵極端子焊盤104、以及源極端子焊盤105。這些與透過型液晶顯示面板同樣，經(jīng)由接觸孔106分別連接。此外，半透過型液晶顯示面板中，在TFT100側(cè)在像素的大致一半的區(qū)域形成反射電極107。這樣，作為像素電極使用透過電極101以及反射電極107。作為反射電極107多使用Ag或Al。接著，使用圖12以及圖13說明反射型液晶顯示面板的構(gòu)成。圖12是表示反射型液晶顯示面板的TFT和像素電極部的構(gòu)成的平面圖。圖13是表示反射型液晶顯示面板的TFT和像素電極部的構(gòu)成的剖面圖。再有，在圖13中一并表示柵極端子部以及源極端子部的剖面構(gòu)成。與透過型液晶顯示面板同樣，反射型液晶顯示面板具有TFT100、柵極端子102、源極端子103、柵極端子焊盤104、以及源極端子焊盤105。此外，作為像素電極使用反射電極107，在像素的大致整個(gè)面上形成有反射電極107。作為反射電極107多使用Ag或Al。這些與透過型液晶顯示面板同樣，經(jīng)由接觸孔106分別連接。在任一種液晶顯示面板中，在成為與驅(qū)動(dòng)電路的連接部的柵極端子102、源極端子103上形成柵極端子焊盤104、源極端子焊盤105。作為該柵極端子焊盤104、源極端子焊盤105通常使用ITO那樣的透明導(dǎo)電性膜。這是為了防止后續(xù)工序或工作環(huán)境等導(dǎo)致的連接部的氧化所引起的高電阻。此外，在透過型或半透過型液晶顯示面板中形成包括ITO等的透過電極101。像這樣作為焊盤104、105和透過電極101使用的氧化銦和氧化錫類的ITO膜，覆蓋(coverage)特性差(參照專利文獻(xiàn)1)。因此，如圖9、圖11、以及圖13所示那樣，在成為透過電極101與TFT的連接部的接觸孔106、或成為端子與焊盤的連接部的接觸孔106上，由于其臺階差而發(fā)生ITO膜的覆蓋不良處108。即，容易發(fā)生透過電極101和焊盤104、105的斷線。由此，產(chǎn)生液晶顯示面板的顯示不良和顯示不均勻。此外，近年來，由于液晶顯示面板的窄框緣化，驅(qū)動(dòng)電路^皮插入到液晶顯示面板周邊部。其結(jié)果是，在液晶顯示面板周邊部，具體地說是在以包圍液晶顯示面板的周緣的方式形成的密封材料附近，配置接觸孔。密封材料附近的接觸孔也與上述同樣，在由金屬等形成的布線、電極、或端子的上層形成ITO膜。在這樣的情況下，由于ITO膜的覆蓋特性差，所以在ITO的下層形成的布線、電極、或端子會(huì)受到從密封材料侵入的水分或雜質(zhì)的影響。其結(jié)果是，布線、電極或端子凈皮腐蝕或電蝕。特別是本發(fā)明者們進(jìn)行研究的結(jié)果是，發(fā)現(xiàn)ITO膜的覆蓋特性不良在使用以非晶質(zhì)形成ITO膜之后使其結(jié)晶化的處理的情況下，以非常高的頻度發(fā)生。通常，ITO膜的圖案(pattern)加工常使用利用藥液的濕法刻蝕。在結(jié)晶質(zhì)的ITO膜的情況下，作為用于濕法刻蝕的藥液需要使用包括鹽酸+硝酸類的水溶液的強(qiáng)酸。在這種情況下，當(dāng)作為柵極信號線、源極信號線、反射電極的A1、Ag、或Mo這樣的金屬薄膜共存時(shí)，在ITO膜的濕法刻蝕時(shí)，有使這些金屬薄膜腐蝕斷線的擔(dān)憂。另一方面，在非晶質(zhì)狀態(tài)的ITO膜的情況下，能以草酸(oxalicacid)類水溶液這樣的弱酸進(jìn)行濕法刻蝕。因此，即使A1、Ag、或Mo這樣的金屬薄膜共存，也不會(huì)使這些金屬薄膜腐蝕斷線。因此，首先以非晶質(zhì)狀態(tài)成膜ITO膜，使用草酸刻蝕液進(jìn)行圖案加工。之后，優(yōu)選使用下述處理，即例如使用加熱辦法等使ITO膜結(jié)晶化，最終使其在化學(xué)上穩(wěn)定化。但是，在ITO膜從非晶質(zhì)狀態(tài)向結(jié)晶化狀態(tài)相變時(shí)，從原子的無序排列結(jié)構(gòu)向規(guī)則排列變化。伴隨該變化，結(jié)晶原子間距離變小，引起體積的收縮。因此，對ITO膜施加來自基板的拉伸應(yīng)力。由此，特別是在接觸孔那樣的臺階差部中ITO膜的臺階切斷斷線變得容易發(fā)生。在表1中表示本發(fā)明者們測定的在Si基板上的ITO膜的膜應(yīng)力結(jié)果。剛成膜后的非晶質(zhì)狀態(tài)的ITO膜的應(yīng)力是-200MPa。即，200MPa的壓縮應(yīng)力起作用。相對于此，在將該ITO膜以300。C加熱使其結(jié)晶化后的膜應(yīng)力是+200MPa。即，200MPa的拉伸應(yīng)力起作用。根據(jù)以上所述，可知在成膜非晶質(zhì)狀態(tài)的ITO膜的情況下，伴隨結(jié)晶化也增加了拉伸應(yīng)力。另一方面，在成膜結(jié)晶化了的ITO膜的情況下，因?yàn)榧词惯M(jìn)行熱處理晶相也不發(fā)生變化，所以ITO膜的膜應(yīng)力不變化。如上所述，當(dāng)以非晶質(zhì)ITO膜覆蓋接觸孔時(shí)在刻蝕這一點(diǎn)是好的，但是覆蓋性卻不好。因此，可能會(huì)引起水分或雜質(zhì)的侵入導(dǎo)致的金屬布線的腐蝕。對于這樣的問題，例如能考慮使基底的布線為兩層的結(jié)構(gòu)(例如參照專利文獻(xiàn)2、3)。<table>complextableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>專利文獻(xiàn)l:日本專利申請公開平11-281992號公報(bào)專利文獻(xiàn)2:日本專利申請公開平10-10576號公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本專利申請公開2004-205550號公報(bào)但是，僅僅是單純地層疊金屬材料，并不能防止基底的布線的腐蝕。進(jìn)而，對于與沒有被定向膜覆蓋的、容易發(fā)生水分或雜質(zhì)的侵入的區(qū)域的接觸孔有關(guān)的已述問題，找不到公開的文獻(xiàn)。例如對于與配置在密封材料附近的元件(驅(qū)動(dòng)電路檢查電路等)中的接觸孔有關(guān)的已述問題，找不到公開的文獻(xiàn)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為了解決上述問題而做出的，其目的是提供一種能抑制具有端子的金屬薄膜的腐蝕等的顯示面板及其制造方法。涉及本發(fā)明的顯示面板是第一基板和第二基板經(jīng)由密封材料粘合起來的顯示面板，其具有第一金屬薄膜，形成在所述第一基板上并具有端子；保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜，形成在所述第一金屬薄膜上；絕緣膜，形成在所述保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜上，并在顯示區(qū)域的外側(cè)而且是所述密封材料的內(nèi)側(cè)具有接觸孔；以及透明導(dǎo)電性膜，形成在所述絕緣膜上，并在所述接觸孔中經(jīng)由所述保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜與所述第一金屬薄膜電連接。此外，涉及本發(fā)明的顯示面板的制造方法是第一基板和第二基板經(jīng)由密封材料粘合起來的顯示面板的制造方法，其具有在所述第一基板上形成具有端子的金屬薄膜的工序；在所述金屬薄膜上形成保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜的工序；在所述保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜上形成絕緣膜的工序，其中該絕緣膜在顯示區(qū)域的外側(cè)而且是所述密封材料的內(nèi)側(cè)具有接觸孔；以及在所述絕緣膜上形成透明導(dǎo)電性膜的工序，其中該透明導(dǎo)電性膜在所述接觸孔中經(jīng)由所述保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜與所述金屬薄膜電連接。根據(jù)本發(fā)明，能提供一種能抑制具有端子的金屬薄膜的腐蝕等的顯示面板及其制造方法。圖1是表示涉及實(shí)施方式的液晶顯示面板的構(gòu)成的平面圖。圖2是圖1的A部分的放大圖。圖3是表示涉及實(shí)施方式的液晶顯示面板的TFT陣列基板的構(gòu)成的剖面圖。圖4是圖1的B部分的放大圖。圖5是圖1的C部分的放大圖。圖6是表示涉及實(shí)施方式的驅(qū)動(dòng)電路的一部分構(gòu)成的平面圖。圖7是表示涉及實(shí)施方式的液晶顯示面板的TFT陣列基板的制造方法的剖面圖。圖8是表示以往的透過型液晶顯示面沖反的TFT和像素電4及部的構(gòu)成的平面圖。圖9是表示以往的透過型液晶顯示面^反的TFT和像素電極部的構(gòu)成的剖面圖。圖10是表示以往的半透過型液晶顯示面板的TFT和4象素電極部的構(gòu)成的平面圖。圖ll是表示以往的半透過型液晶顯示面板的TFT和像素電極部的構(gòu)成的剖面圖。圖12是表示以往的反射型液晶顯示面板的TFT和像素電極部的構(gòu)成的平面圖。圖13是表示以往的反射型液晶顯示面板的TFT和像素電極部的構(gòu)成的剖面圖。具體實(shí)施例方式使用圖1、2對作為顯示面板的一個(gè)例子的液晶顯示面板進(jìn)行說明。圖1是表示液晶顯示面板的構(gòu)成的平面圖。圖2是圖1的A部分的放大圖。再有，在圖2中表示TFT陣列基板的構(gòu)成。液晶顯示面板具有作為第一基板的TFT陣列基板30;以及與TFT陣列基板30對置配置的作為第二基板的對置基板31。此外，液晶顯示面板是在這些基板30、31的外周緣使用密封材料50粘合并在其間形成液晶層而密封的面板。在密封材料50的內(nèi)側(cè)形成包括多個(gè)像素58的顯示區(qū)域54。TFT陣列基板30具有后述的TFT90、像素電極19、公共布線接觸部55、點(diǎn)亮檢查電路、驅(qū)動(dòng)電路51、52等。對置基板31具有濾色片(colorfilter)層以及對置電極。濾色片層例如具有黑底(blackmatrix)(BM)和紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)的著色層。通過濾色片層，各像素58能進(jìn)行紅色顯示、綠色顯示、或藍(lán)色顯示。此外，在顯示區(qū)域54中，在兩基板30、31的液晶層側(cè)的面上形成定向膜32。如圖l所示，密封材料50以包圍顯示區(qū)域54的方式形成為框狀。而且，在密封材料50的外側(cè)上連接有多個(gè)掃描信號驅(qū)動(dòng)電路51、和多個(gè)顯示信號驅(qū)動(dòng)電^各52。多個(gè)掃描信號驅(qū)動(dòng)電路51沿液晶顯示面板的一條邊設(shè)置。同樣，多個(gè)顯示信號驅(qū)動(dòng)電路52沿液晶顯示面板的另一條邊設(shè)置。此外，設(shè)置了掃描信號驅(qū)動(dòng)電路51的一條邊與設(shè)置了顯示信號驅(qū)動(dòng)電路52的另一條邊正交。而且，在其角部上形成點(diǎn)亮檢查端子部53。從外部對點(diǎn)亮檢查端子部53供給選擇信號、檢查信號等各種信號。而且，在密封材料50和顯示區(qū)域54之間設(shè)置公共布線接觸部55、柵極側(cè)點(diǎn)亮沖企查電路部56、以及源極側(cè)點(diǎn)亮4全查電路部57。這些例如在定向膜32的外側(cè)形成。公共布線接觸部55連接到后述的公共布線4,對顯示區(qū)域54供給公共信號。柵極側(cè)點(diǎn)亮檢查電路部56連接到后述的柵極信號線3,在點(diǎn)亮檢查時(shí)對顯示區(qū)域54供給選擇信號。源極側(cè)點(diǎn)亮檢查電路部57連接到后述的源極信號線11,在點(diǎn)亮檢查時(shí)對顯示區(qū)域54供給檢查信號。公共布線接觸部55在顯示區(qū)域54的兩側(cè)形成。柵極側(cè)點(diǎn)亮檢查電路部56在公共布線接觸部55和密封材料50之間形成。顯示區(qū)域54在4冊才及側(cè)點(diǎn)亮沖全查電^各部56和掃描信號驅(qū)動(dòng)電路51之間形成。此外，顯示區(qū)域54在源極側(cè)點(diǎn)亮檢查電路部57和顯示信號驅(qū)動(dòng)電if各52之間形成。如圖2所述，在顯示區(qū)域54上形成有多個(gè)柵極信號線(掃描信號布線)3、多個(gè)公共布線4、以及多個(gè)源極信號線(顯示信號布線)11。多個(gè)柵極信號線3以及多個(gè)公共布線4平4亍地設(shè)置。柵才及信號線3和公共布線4交替地設(shè)置。多個(gè)源極信號線11平行地設(shè)置。柵極信號線3和源才及信號線11以相互交叉的方式形成。同樣，7>共布線4和源^l信號線11以相互交叉的方式形成。4冊;f及信號線3和源一及信號線11正交。同樣，7>共布線4和源才及信號線11正交。此外，柵才及信號線3從柵極側(cè)點(diǎn)亮檢查電路部56附近延伸設(shè)置到掃描信號驅(qū)動(dòng)電路51。源極信號線11從源極側(cè)點(diǎn)亮檢查電路部57延伸設(shè)置到顯示信號驅(qū)動(dòng)電路52。由此，來自驅(qū)動(dòng)電路51、52、或點(diǎn)亮檢查電路部56、57的各種信號被供給到各個(gè)信號線。此外，公共布線4從公共布線接觸部55延伸設(shè)置到與之對置的公共布線接觸部55。而且，以鄰接的柵極信號線3以及公共布線4、和鄰接的源極信號線11包圍的區(qū)域成為像素58。因此，在液晶顯示面板中，像素58排列為矩陣狀。再有，關(guān)于公共布線接觸部55以及〗象素58的構(gòu)成在后面敘述。來自外部的各種信號供給到驅(qū)動(dòng)電路51、52。掃描信號驅(qū)動(dòng)電路51基于來自外部的控制信號，對柵極信號線3供給柵極信號(掃描信號)。通過該柵極信號依次選擇柵極信號線3。顯示信號驅(qū)動(dòng)電路52基于來自外部的控制信號、顯示數(shù)據(jù)對源極信號線11供給顯示信號(顯示電壓)。由此，能對各像素58供給對應(yīng)于顯示數(shù)據(jù)的顯示電壓。再有，掃描信號驅(qū)動(dòng)電路51和顯示信號驅(qū)動(dòng)電路52并不限于配置在液晶顯示面板上的構(gòu)成。例如通過TCP(TapeCarrierPackage:帶載封裝)連接驅(qū)動(dòng)電路也可。在像素58內(nèi)形成有至少一個(gè)TFT90。TFT90配置在源極信號線11和柵極信號線3的交叉點(diǎn)附近。例如該TFT90對像素電極19供給顯示電壓。作為開關(guān)元件的TFT90的柵極電極連接到柵極信號線3,通過從柵極端子輸入的信號控制TFT90的導(dǎo)通和截止。TFT90的源極電極連接到源極信號線11。當(dāng)對柵極電極施加電壓時(shí)從源極信號線11流過電流。由此，從源極信號線11對連接到TFT90的漏極電極的像素電極19施加顯示電壓。然后，在<象素19和對置電才及之間生成對應(yīng)于顯示電壓的電場。在公共布線接觸部55上，與源極信號線11平行地形成公共金屬薄膜59以及公共透明導(dǎo)電性膜60。此外，公共布線4的端部、公共金屬薄膜59、公共透明導(dǎo)電性膜60分別經(jīng)由絕緣膜依次重疊。在公共布線接觸部55中，重疊這些的部分是作為層(layer)轉(zhuǎn)換部的源極/柵極轉(zhuǎn)換部63。再有，層轉(zhuǎn)換部指的是將在不同層形成的導(dǎo)電膜電連接的部分。具體是將在與柵極信號線3同一層形成的笫一金屬布線和在與源極信號線ll同一層形成的第二金屬布線，經(jīng)由在其上層形成的透明導(dǎo)電性膜從而電連接。即，源極/柵極轉(zhuǎn)換部63中的源極表示與源極信號線11是同一層。源極/柵極轉(zhuǎn)換部63中的柵極表示與柵極信號線3是同一層。源極/柵極轉(zhuǎn)換部63具有ITO/柵極接觸部67以及IT0/源極接觸部68。在圖2中，在公共布線接觸部55的源極/柵極轉(zhuǎn)換部63上形成IT0/柵極接觸部67以及IT0/源極接觸部68各三個(gè)。IT0/柵極接觸部67是將在與柵極信號線3同一層上形成的第一金屬薄膜(在這里是公共布線4)、和在其上層形成的透明導(dǎo)電性膜(在這里是公共透明導(dǎo)電性膜60)電連接的部分。此外，ITO/源極接觸部68是將在與源極信號線11同一層上形成的第二金屬薄膜(在這里是公共金屬薄膜59)、和在其上層形成的透明導(dǎo)電性膜(在這里是公共透明導(dǎo)電性膜60)電連接的部分。這樣，經(jīng)由公共透明導(dǎo)電性膜60,將公共布線4和公共金屬薄膜59電連接。通過利用透明導(dǎo)電性膜橋接(bridge),能使在不同層中形成的第一金屬薄膜和第二金屬薄膜電連接。通過這樣的構(gòu)成，來自公共布線接觸部55上形成的公共金屬薄膜59或公共透明導(dǎo)電性膜60的公共信號對多個(gè)公共布線4供給。再有，關(guān)于公共布線4的其他的端部，即在對置的一邊上形成的公共布線接觸部55,也是同樣的構(gòu)成。接著，使用圖3詳細(xì)說明上述的像素58以及層轉(zhuǎn)換部的構(gòu)成。圖3是表示TFT陣列基板30的構(gòu)成的剖面圖。在圖3中，在右側(cè)表示像素58的構(gòu)成，在左側(cè)表示層轉(zhuǎn)換部的構(gòu)成。在這里，作為層轉(zhuǎn)換部的一個(gè)例子，說明公共布線接觸部55中的源極/4冊極轉(zhuǎn)換部63。此外，在圖3中，使像素58的構(gòu)成與圖8所示的透過型液晶顯示面板的像素相同。當(dāng)然，也可應(yīng)用圖10、12所示的半透過型、反射型液晶顯示面板的像素的構(gòu)成。柵極電極2、柵極信號線3、公共布線4、以及第一端子5在玻璃等構(gòu)成的透明絕緣性基板1上形成。柵極信號線3具有柵極電極2，在端部有柵極端子。柵極電極2構(gòu)成成為開關(guān)元件的TFT90。此外，在TFT陣列基板30上配置有被供給來自外部的各種信號的掃描信號驅(qū)動(dòng)電路51。而且，設(shè)置在掃描信號驅(qū)動(dòng)電路51上的焊盤和柵極端子電連接。由此，來自掃描信號驅(qū)動(dòng)電路51的掃描信號通過柵極端子輸入到柵極信號線3。然后，柵極信號線3對柵極電極2傳輸掃描信號。公共布線4配置在鄰接的柵極信號線3之間。此外，公共布線4的一部分沿源極信號線11延伸設(shè)置。公共布線4構(gòu)成用于使施加到像素電極的電壓保持一定時(shí)間的輔助電容。此外，在公共布線4的端部上有第一端子5。從外部對第一端子5供給公共信號。由此，來自外部的公共信號通過第一端子5輸入到公共布線4。在絕緣性基板1上形成的柵極電極2、柵極信號線3、公共布線4、第一端子5等的布線、電極、或端子能通過第一金屬薄膜形成。在本實(shí)施方式中，在該第一金屬薄膜上作為保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜形成第一透明導(dǎo)電性膜6。此外，第一透明導(dǎo)電性膜6比第一金屬薄膜的各個(gè)圖案(柵極電極2、柵極信號線3、公共布線4、第一端子5等)形成的稍小。此外，第一透明導(dǎo)電性膜6不從第一金屬薄膜的各個(gè)圖案溢出地形成。由透明性無機(jī)絕緣材料構(gòu)成的柵極絕緣膜7以覆蓋柵極電極2、柵極信號線3、公共布線4、第一端子5、第一透明導(dǎo)電性膜6的方式形成。半導(dǎo)體膜8經(jīng)由柵極絕緣膜7在柵極電極2上形成，構(gòu)成TFT90。進(jìn)而，半導(dǎo)體膜8經(jīng)由柵極絕緣膜7在柵極信號線3上形成。此外，半導(dǎo)體膜8比柵極電極2以及柵極信號線3的圖案形成的大。歐姆接觸(ohmiccontact)膜9在半導(dǎo)體膜8上形成。此外，在柵極電極2上，歐姆接觸膜9的一部分被除去。因此，在柵極電極2上，歐姆接觸膜9配置在半導(dǎo)體膜8的兩端。形成歐姆接觸膜9的一方的區(qū)域是源極區(qū)域，形成另一方的區(qū)域是漏極(drain)區(qū)域。然后，除去歐姆接觸膜9,夾在源極/漏極區(qū)域間的區(qū)域是溝道區(qū)域。源極電極10從源極信號線11延伸存在，構(gòu)成TFT90。此外，源極電極10設(shè)置在與公共布線4相反側(cè)的歐姆接觸膜9上。在源極信號線11的端部上有源極端子。此外，在TFT陣列基板30上配置有被供給來自外部的各種信號的顯示信號驅(qū)動(dòng)電路52。而且，顯示信號驅(qū)動(dòng)電路52上設(shè)置的焊盤和源極端子電連接。由此，來自顯示信號驅(qū)動(dòng)電路52的顯示信號通過源極端子輸入到源極信號線11。然后，源極信號線11對源極電極IO傳輸顯示信號。在公共布線4側(cè)的歐姆接觸膜9上形成漏極電極13。漏極電極13構(gòu)成TFT90。而且，經(jīng)由柵極絕緣膜7在第一端子5上形成第二端子12。再有，第二端子12位于公共金屬薄膜59上并具有開口。此外，第二端子12和笫一端子5經(jīng)由后述的端子焊盤20電連接。由此，供給到與第一端子5不同層的公共金屬薄膜59的公共信號，通過第二端子12輸入到第一端子5。當(dāng)然，對公共透明導(dǎo)電性膜60供給公共信號，通過端子焊盤20對第一端子5輸入也可。在比第一金屬薄膜靠上層形成的源極電極IO、源極信號線ll、第二端子12、漏極電極13等的布線、電極、或端子能通過第二金屬薄膜形成。在本實(shí)施方式中，在該第二金屬薄膜上作為保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜形成第二透明導(dǎo)電性膜14。此外，第二透明導(dǎo)電性膜14比第二金屬薄膜的各個(gè)圖案(源極電極10、源極信號線11、第二端子12、漏極電極13等)形成的稍小。此外，第二透明導(dǎo)電性膜14不從第二金屬薄膜的各個(gè)圖案溢出地形成。層間絕緣膜15包括透明性無機(jī)絕緣材料，以覆蓋TFT90的方式形成。也就是說，在第二透明導(dǎo)電性膜14上形成有層間絕緣膜15。而且，在漏極電極13上形成有像素接觸孔16。具體地說，在漏極電極13上形成的第二透明導(dǎo)電性膜14上，形成有像素接觸孔16。像素接觸孔16以貫通層間絕緣膜15的方式形成。而且，在第一端子5上，在第二端子12的開口內(nèi)設(shè)置ITO/柵極接觸部67。ITO/柵極接觸部67具有第一端子部接觸孔17。具體地說，在第一端子5上形成的第一透明導(dǎo)電性膜6上，形成有第一端子部接觸孔17。第一端子部接觸孔17以貫通柵極絕緣膜7以及層間絕緣膜15的方式形成。進(jìn)而，在第二端子12上設(shè)置ITO/源極接觸部68。ITO/源極接觸部68具有第二端子部接觸孔18。具體地說，在第二端子12上形成的第二透明導(dǎo)電性膜14上，形成有笫二端子部接觸孔18。第二端子部接觸孔18以貫通層間絕緣膜15的方式形成。而且，像素電極19在層間絕緣膜15上形成。此外，像素電極19充填像素電極接觸孔16,連接到漏極電極13上的第二透明導(dǎo)電性膜14上。即，像素電極19經(jīng)由像素接觸孔16電連接到下層的漏極電極13上。像素電極19在除去TFT90鄰接的柵極信號線3和公共布線4之間形成。而且，像素電才及19與漏極電極13以及公共布線4的至少一部分重疊。也就是說，像素電極19經(jīng)由柵極絕緣膜7、層間絕緣膜15與下層的公共布線4交疊(overlap)。由此，在公共布線4和像素電才及19之間電荷蓄積。而且，7>共布線4構(gòu)成用于j吏施加到^象素電極19的電壓保持一定時(shí)間的輔助電容。此外，像素電極19包括透明導(dǎo)電性膜、即光透過型的導(dǎo)電性膜，對液晶層施加信號電位。端子焊盤20形成在層間絕緣膜15上。此外，端子焊盤20充填到第一端子部接觸孔17,連接到第一端子5上的第一透明導(dǎo)電性膜6。即，端子焊盤20經(jīng)'由第一端子部接觸孔17電連接到下層的第一端子5。進(jìn)而，端子焊盤20充填到第二端子部接觸孔18，連接到第二端子12上的第二透明導(dǎo)電性膜14。即，端子焊盤20經(jīng)由第二端子部接觸孔18電連接到下層的第二端子12。這樣，從第一端子部接觸孔17遍及到第二端子部接觸孔18形成端子焊盤20,電連接第一端子5和笫二端子12。端子焊盤20能夠由與像素電極19相同的透明導(dǎo)電性膜形成。TFT陣列基板30的像素58以及層轉(zhuǎn)換部如以上方式構(gòu)成。在本實(shí)施方式中，由透明導(dǎo)電性膜構(gòu)成的像素電極19以及端子焊盤20在接觸孔那樣的臺階差部上形成。在該臺階差部中，在這些圖案上發(fā)生覆蓋不良。在覆蓋不良處21上，水分或雜質(zhì)等侵入像素電極19或端子焊盤20的下層。因此，在本實(shí)施方式中，在成為覆蓋不良處21的接觸孔上形成第一透明導(dǎo)電性膜6或第二透明導(dǎo)電性膜14。即，在接觸孔上，成為像素電極19或端子焊盤20、和第一透明導(dǎo)電性膜6或第二透明導(dǎo)電性膜14的雙層結(jié)構(gòu)。由此，在覆蓋不良處21,不是通過第一金屬薄膜或第二金屬薄膜形成的布線、電極、或端子露出，而是第一透明導(dǎo)電性膜6或第二透明導(dǎo)電性膜14露出。即，即使在覆蓋不良處21中，布線、電極、或端子也通過保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜被覆蓋。由此，即使水分從形成像素電極19等的透明導(dǎo)電性膜的覆蓋不良處21侵入，也通過保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜抑制對金屬薄膜的水分等的侵入。即，能抑制水分等對在保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜的下層形成的電極、布線、或端子的影響。由此，抑制了由金屬薄膜構(gòu)成的布線、端子、電極等的腐蝕、電蝕，能確保良好的驅(qū)動(dòng)。其結(jié)果是液晶顯示面板的顯示特性變?yōu)榱己?。雖然在圖3中，在第一金屬薄膜上以及第二金屬薄膜上形成保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜，但并不限定于此。當(dāng)然，在任一個(gè)金屬薄膜上形成保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜均可。此外，向密封材料50內(nèi)側(cè)附近那樣，在任意的區(qū)域中，在第一金屬薄膜上以及第二金屬薄膜上形成保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜也可。此外，也能應(yīng)用于層轉(zhuǎn)換部以外的端子。接著，使用圖4、5對點(diǎn)亮檢查電路進(jìn)行說明。圖4是圖1的B部分的放大圖。圖5是圖1的C部分的放大圖。再有，在圖4以及圖5中，表示TFT陣列基板30的構(gòu)成。點(diǎn)亮檢查電路包括柵極側(cè)點(diǎn)亮檢查電路部56、源極側(cè)點(diǎn)亮檢查電路部57。首先，對柵極側(cè)點(diǎn)亮檢查電路部56進(jìn)行說明。如圖4所示，對應(yīng)于各個(gè)柵極信號線3，從密封材料50側(cè)(與顯示區(qū)域54相反的一側(cè))依次形成柵極/源極轉(zhuǎn)換部61、柵極側(cè)點(diǎn)亮檢查用TFT62、源極/柵極轉(zhuǎn)換部63。此外，第一柵極信號供給布線64以及第二柵極信號供給布線65與源極信號線11平行地形成。同樣，柵極側(cè)TFT控制用柵極信號線66也與源極信號線11平行地形成。柵極側(cè)TFT控制用柵極信號線66對柵極側(cè)點(diǎn)亮檢查用TFT62供給柵極信號。柵極/源極轉(zhuǎn)換部61、柵極側(cè)點(diǎn)亮檢查用TFT62、源極/柵極轉(zhuǎn)換部63、第一柵極信號供給布線64、第二柵極信號供給布線65、以及柵極側(cè)TFT控制用柵極信號線66,構(gòu)成柵極側(cè)點(diǎn)亮檢查電路部56。作為層轉(zhuǎn)換部的柵極/源極轉(zhuǎn)換部61連接到第一柵極信號供給布線64或第二柵極信號供給布線65。具體地說，對應(yīng)于多個(gè)柵極信號線3，設(shè)置多個(gè)柵極/源極轉(zhuǎn)換部61。而且，多個(gè)柵極/源極轉(zhuǎn)換部61交替連接到第一柵極信號供給布線64以及第二柵極信號供給布線65。例如，對應(yīng)于偶數(shù)列的4冊極信號線3的柵極/源極轉(zhuǎn)換部61，連接到第一柵極信號供給布線64。而且，對應(yīng)于奇數(shù)列的柵極信號線3的柵極/源極轉(zhuǎn)換部61，連接到笫二柵極信號供給布線65。柵極/源極轉(zhuǎn)換部61、源極/柵極轉(zhuǎn)換部63分別具有ITO/柵極接觸部67以及ITO/源極接觸部68。再有，這些層轉(zhuǎn)換部成為與公共布線接觸部55的層轉(zhuǎn)換部同樣的構(gòu)成。即、柵極/源極轉(zhuǎn)換部61成為與圖3所示的源極/柵極轉(zhuǎn)換部63相同的構(gòu)成。在柵極/源極轉(zhuǎn)換部61或源極/柵極轉(zhuǎn)換部63中，通過以透明導(dǎo)電性膜橋接，能電連接在不同層形成的第一金屬薄膜和第二金屬薄膜。通過這樣的構(gòu)成，在柵極/源極轉(zhuǎn)換部61,將在與柵極信號線3同一層上形成的第一金屬薄膜(在這里是柵極信號供給布線)連接到在與源極信號線11同一層上形成的第二金屬薄膜。而且，通過柵極/源極轉(zhuǎn)換部61連接的第二金屬薄膜，延伸設(shè)置到柵極側(cè)點(diǎn)亮檢查用TFT62,成為柵極側(cè)點(diǎn)亮檢查用源極電極69。此外，柵極側(cè)點(diǎn)亮檢查用TFT62的柵極側(cè)點(diǎn)亮檢查用漏極電極70,延伸設(shè)置到源極/柵極轉(zhuǎn)換部63。而且，通過源極/柵極轉(zhuǎn)換部63,將在與源極信號線11同一層上形成的第二金屬薄膜，連接到在與柵極信號線3同一層上形成的第一金屬薄膜。具體地說，通過源極/柵極轉(zhuǎn)換部63,將柵極側(cè)點(diǎn)亮檢查用漏極電極70電連接到柵極信號線3。第一柵極信號供給布線64、第二柵極信號供給布線65、以及柵極側(cè)TFT控制用柵極信號線66的端部，在圖1所示的點(diǎn)亮檢查端子部53中具有端子。而且，對這些端子從外部供給各種信號。由此，從點(diǎn)亮檢查端子部53對第一柵極信號供給布線64、第二柵極信號供給布線65、以及柵才及側(cè)TFT控制用柵極信號線66供給各種信號。即，經(jīng)由柵極/源極轉(zhuǎn)換部61,對柵極側(cè)點(diǎn)亮檢查用TFT62的柵極側(cè)點(diǎn)亮檢查用源極電極69供給選擇信號。而且，對柵極側(cè)TFT控制用柵極信號線66施加電壓，在柵極側(cè)點(diǎn)亮檢查用TFT62是導(dǎo)通的狀態(tài)時(shí)，從柵極側(cè)點(diǎn)亮檢查用漏極電極70經(jīng)由源極/柵極轉(zhuǎn)換部63,對柵極信號線3供給選擇信號。此外，如所述那樣，將對應(yīng)于柵極信號線3的偶數(shù)列的柵極/源極轉(zhuǎn)換部61連接到第一柵極信號供給布線64。另一方面，對應(yīng)于柵極信號線3的奇數(shù)列的柵極/源極轉(zhuǎn)換部61連接到第二柵極信號供給布線65。因此，通過對第一柵極信號供給布線64或第二柵極信號供給布線65供給選擇信號，能有選擇地使柵極信號線3的偶數(shù)列或奇數(shù)列驅(qū)動(dòng)。接著，對源極側(cè)點(diǎn)亮檢查電路部57進(jìn)行說明。如圖5所示那樣，對應(yīng)于各個(gè)源極信號線11,從密封材料50側(cè)(與顯示區(qū)域54側(cè)的相反側(cè))依次形成柵極/源極轉(zhuǎn)換部61、源極側(cè)點(diǎn)亮檢查用TFT80。R(紅)用源極電源線81、G(綠)用源極電源線82、B(藍(lán))用源極電源線83與源極信號線11垂直地形成。此外，R用源極電源線81對應(yīng)于紅色顯示用的像素58的源極信號線11。G用源極電源線82對應(yīng)于綠色顯示用的像素58的源極信號線11。B用源極電源線83對應(yīng)于藍(lán)色顯示用的像素58的源極信號線11。與源極電源線同樣，源極側(cè)TFT控制用柵極信號線84與源極信號線11垂直地形成。源極側(cè)TFT控制用柵極信號線84對源極側(cè)點(diǎn)亮檢查用TFT80供給柵極信號。柵極/源極轉(zhuǎn)換部61、源極側(cè)點(diǎn)亮檢查用TFT80、R用源極電源線81、G用源極電源線82、B用源極電源線83、以及源極側(cè)TFT控制用柵極信號線84構(gòu)成源才及側(cè)點(diǎn)亮纟全查電路部57。柵極/源極轉(zhuǎn)換部61連接到R用源極電源線81、G用源極電源線82、B用源極電源線83的任一個(gè)上。例如，對應(yīng)于第一行的源極信號線11的柵極/源極轉(zhuǎn)換部61連接到R用源極電源線81。而且，對應(yīng)于第二行的源極信號線11的柵極/源極轉(zhuǎn)換部61連接到G用源極電源線82。對應(yīng)于第三行的源極信號線11的柵極/源極轉(zhuǎn)換部61連接到B用源才及電源線83。柵極/源極轉(zhuǎn)換部61與柵極側(cè)點(diǎn)亮4全查電路部56同樣，具有ITO/柵極接觸部67以及ITO/源極接觸部68。通過這樣的構(gòu)成，在柵極/源極轉(zhuǎn)換部61,將在與柵極信號線3同一層上形成的第一金屬膜(在這里是源極電源線)連接到在與源極信號線11同一層上形成的第二金屬膜。而且，通過柵極/源極轉(zhuǎn)換部61連接的第二金屬薄膜的圖案延伸設(shè)置到源極側(cè)點(diǎn)亮才全查用TFT80,成為源極側(cè)點(diǎn)亮檢查用源極電極85。此外，源極側(cè)點(diǎn)亮沖企查用TFT80的源極側(cè)點(diǎn)亮檢查用漏極電極86電連接到源極信號線11。R用源極電源線81、G用源極電源線82、B用源極電源線83、以及源極側(cè)TFT控制用柵極信號線84的端部，在圖1所示的點(diǎn)亮檢查端子部53中具有端子。而且，從外部對這些端子供給各種信號。由此，^v點(diǎn)亮沖全查端子部53對R用源才及電源線81、G用源才及電源線82、B用源極電源線83、以及源極側(cè)TFT控制用柵極信號線84輸入各種信號。即，經(jīng)由柵極/源極轉(zhuǎn)換部61,對源極側(cè)點(diǎn)亮檢查用TFT80的源極側(cè)點(diǎn)亮檢查用源極電極85供給檢查信號。而且，對源極側(cè)TFT控制用柵極信號線84施加電壓，在源極側(cè)點(diǎn)亮檢查用TFT80為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，從源極側(cè)點(diǎn)亮檢查用漏極電極86對源極信號線11供給檢查信號。此外，如所述那樣，R用源極電源線81、G用源極電源線82、B用源極電源線83的任一個(gè)上連接?xùn)艠O/源極轉(zhuǎn)換部61。因此，通過對R用源極電源線81、G用源極電源線82、或B用源極電源線83輸入檢查信號，能有選擇地使源極信號線11驅(qū)動(dòng)。而且，例如在柵極側(cè)點(diǎn)亮檢查電路部56有選擇地使第一柵極信號供給布線64驅(qū)動(dòng)。即，僅使對應(yīng)于偶數(shù)列的柵極信號線3的TFT90為導(dǎo)通，使其他的TFT90為截止。而且，在源極側(cè)點(diǎn)亮檢查電路部57有選擇地使R用源極電源線81驅(qū)動(dòng)。即，僅使對應(yīng)于紅色顯示用的像素58的TFT為導(dǎo)通，使其他的TFT90為截止。此外，從配置在液晶顯示面板背面的作為光源的背光源單元照射光。而且，能進(jìn)行對應(yīng)于偶數(shù)列的柵極信號線3的紅色顯示用像素58的點(diǎn)亮檢查。由此，能簡單地發(fā)現(xiàn)缺陷像素。點(diǎn)亮檢查電路如以上方式構(gòu)成。外部的水分、雜質(zhì)等從粘合TFT陣列基板30和對置基板31的密封材料50的間隙侵入。此外，在兩基板30、31的液晶層側(cè)的面上形成有定向膜32,但在顯示區(qū)域54的外側(cè)上沒有形成定向膜32。因此，在顯示區(qū)域54的外側(cè)并且是密封材料50的內(nèi)側(cè)，特別是在密封材料50內(nèi)側(cè)附近，容易受水分、雜質(zhì)等的影響。此外，如所述那樣，在該區(qū)域中配置點(diǎn)亮^r查電路等，存在許多接觸孔。而且，通過接觸孔連接透明導(dǎo)電性膜和下層的金屬薄膜構(gòu)成的布線、端子、電極等。在接觸孔，容易發(fā)生透明導(dǎo)電性膜的覆蓋不良。因此，在接觸孔的一部分，有金屬薄膜不被透明導(dǎo)電性膜覆蓋的、金屬薄膜露出的地方。如所述那樣，由于在密封材料50內(nèi)側(cè)附近容易受水分、雜質(zhì)等的影響，所以在密封材料50內(nèi)側(cè)附近形成的接觸孔導(dǎo)致的覆蓋不良處中，金屬薄膜與水分、雜質(zhì)等接觸。而且，金屬薄膜構(gòu)成的布線、端子、電極等由于氧化等腐蝕、電蝕，不再能確保良好的驅(qū)動(dòng)。其結(jié)果是，液晶顯示面板的顯示特性惡化。在本實(shí)施方式中，在這些接觸孔中，通過使透明導(dǎo)電性膜為雙層結(jié)構(gòu)，金屬薄膜變得難以受到水分、雜質(zhì)等的影響。由此，抑制金屬薄膜構(gòu)成的布線、端子、電極等的腐蝕、電蝕，能確保良好的驅(qū)動(dòng)。其結(jié)果是，即使在由于窄框緣化，在密封材料50內(nèi)側(cè)附近形成接觸孔的情況下，液晶顯示面板的顯示特性也良好。此外，在圖1中，在密封材料50的外側(cè)形成作為對顯示區(qū)域54的布線供給信號的電路的掃描信號驅(qū)動(dòng)電路51以及顯示信號驅(qū)動(dòng)電路52。即，在密封材料50的外側(cè)連接驅(qū)動(dòng)電路。本實(shí)施方式并不局限于此，在密封材料50和公共布線接觸部55之間插入驅(qū)動(dòng)電路也可。由此，能謀求液晶顯示面板的窄框緣化。在這里，使用圖6對驅(qū)動(dòng)電路的構(gòu)成進(jìn)行說明。圖6是表示驅(qū)動(dòng)電路的一部分構(gòu)成的平面圖。驅(qū)動(dòng)電路通過多個(gè)TFT而構(gòu)成。在圖6中，驅(qū)動(dòng)電^各具有第一驅(qū)動(dòng)電路用TFT91、第二驅(qū)動(dòng)電路用TFT92。因此，層轉(zhuǎn)換部成為必要，在圖6中形成有源極/柵極轉(zhuǎn)換部63。在源極/柵極轉(zhuǎn)換部63中，與7>共布線接觸部55和點(diǎn)亮一企查電路部56、57同樣，具有ITO/柵極接觸部67以及ITO/源極接觸部68。而且，在源極M冊極轉(zhuǎn)換部63中，通過透明導(dǎo)電性膜橋接，電連接在不同層上形成的第一金屬薄膜和第二金屬薄膜。這樣，在驅(qū)動(dòng)電路中也具有層轉(zhuǎn)換部，形成多個(gè)接觸孔。雖然作為在顯示區(qū)域54的外側(cè)并且是密封材料50的內(nèi)側(cè)特別是密封材料50內(nèi)側(cè)附近形成的接觸孔的一個(gè)例子，舉出了點(diǎn)亮檢查電路、驅(qū)動(dòng)電路，但并不局限于此。只要是在沒有形成定向膜32,容易受到水分等的影響的區(qū)域中形成的接觸孔，就能應(yīng)用。此外，不僅是所述的區(qū)域，使其應(yīng)用于其他區(qū)域的接觸孔也可。在這樣的情況下也能得到所述效果。接著，使用圖7對液晶顯示面板的制造方法進(jìn)行說明。圖7是表示液晶顯示面板的TFT陣列基板30的制造方法的剖面圖。最初，形成柵極電極2、柵極信號線3、公共布線4、以及第一端子5。首先，在絕緣性基板1上依次成膜第一金屬薄膜、非晶質(zhì)狀態(tài)的第一透明導(dǎo)電性膜6。由此，成為第一透明導(dǎo)電性膜6/第一金屬薄膜的層疊結(jié)構(gòu)。之后，進(jìn)行第一次的照相制版工序(photolithographyprocess(光刻工藝))，即通過旋涂(spincoating)在第一透明導(dǎo)電性膜6上涂敷作為感光性樹脂的抗蝕劑(resist),使涂敷的抗蝕劑曝光并顯影。由此，光致抗蝕劑(photoresist)被構(gòu)圖為所希望的形狀。之后，刻蝕第一透明導(dǎo)電性膜6以及第一金屬薄膜，除去光致抗蝕劑圖案。此外，在需要除去柵極電極2上的第一透明導(dǎo)電性膜6的情況下，使用灰階掩模(gmy-tonemask)或半色調(diào)掩模(half-tonemask)實(shí)施照相制版工序也可。具體是，在笫一透明導(dǎo)電性膜6上涂敷光致抗蝕劑，使用灰階掩模或半色調(diào)掩模進(jìn)行多灰度曝光、顯影。由此，在成為柵極電極2、柵極信號線3、公共布線4、以及第一端子5的區(qū)域上形成抗蝕劑圖案。再有，由于在這里進(jìn)行多灰度(multipletone)曝光，所以柵極電極2上的抗蝕劑圖案的膜厚變薄。這樣，通過從具有兩級膜厚的抗蝕劑圖案上進(jìn)行刻蝕，從而除去柵極電極2上的第一透明導(dǎo)電性膜6。通過以上的工序，形成柵極電極2、柵極信號線3、公共布線4、第一端子5、以及第一透明導(dǎo)電性膜6。在本實(shí)施方式中，首先以公知的使用Ar氣體的濺射(sputtering)法，將在Al中添加Ni的Al類合金以200nm的厚度作為第一金屬薄膜成膜。濺射條件是以DC磁控管(magnetron)濺射方式，成膜功率(power)密度3W/cm2,Ar氣體流量6.76xl(T2Pa.m3/sec(=40sccm)。然后，在其上層將非晶質(zhì)狀態(tài)的ITO(IndiumTinOxide:氧化銦錫)膜以lOOnm的厚度作為透明導(dǎo)電性膜6成膜。作為優(yōu)選例，以公知的在Ar氣體中導(dǎo)入1120氣體的賊射法成膜ITO膜。此外作為耙(target)使用將ln203(氧化銦)和Sn02(氧化錫)以各自重量比為9:1來混合的ITO耙。在這里在120。C以下成膜非晶質(zhì)狀態(tài)的ITO膜。之后，使用公知的包含磷酸+硝酸+醋酸的溶液進(jìn)行刻蝕(etching)。這樣，在刻蝕非晶質(zhì)狀態(tài)的第一透明導(dǎo)電性膜6的情況下，能使用弱酸的刻蝕液。由此，能使用與金屬薄膜相同的刻蝕液，能對第一透明導(dǎo)電性膜6以及第一金屬薄膜一起進(jìn)行刻蝕。在這里對第一透明導(dǎo)電性膜6以及第一金屬薄膜一起進(jìn)行刻蝕。而且，刻蝕之后，除去抗蝕劑圖案。由此，如圖7(a)所示，在絕緣性基板1上形成柵極電極2、柵極信號線3、公共布線4、第一端子5、以及第一透明導(dǎo)電性膜6。在這之后，以等離子體CVD等各種CVD法依次成膜柵極絕緣膜7、半導(dǎo)體膜8、歐姆接觸膜9。然后，通過第二次照相制版工序進(jìn)行半導(dǎo)體膜8以及歐姆接觸膜9的圖案形成。作為柵極絕緣膜7使用SiNx(氮化硅)或SiOy(氧化硅)。作為半導(dǎo)體膜8例如使用a-Si(非晶(amorphous)硅)、p-Si(多晶硅(polysilicon))。歐姆接觸膜9是n型半導(dǎo)體，使用在a-Si或p-Si中微量摻雜了P(磷(Phosphorus))等的n+a-Si(n+非晶硅)膜、n+p-Si(n+多晶硅)膜等。半導(dǎo)體膜8以及歐姆接觸膜9的圖案，優(yōu)選不僅在成為開關(guān)元件的TFT90的形成區(qū)域，也在柵極信號線3和源極信號線11交叉的區(qū)域中形成。由此，柵極信號線3的圖案的臺階差通過半導(dǎo)體膜8和歐姆接觸膜9的圖案被緩和。而且，能抑制源極信號線11在臺階差部分?jǐn)嗑€。作為優(yōu)選的實(shí)施例，使用化學(xué)氣相成膜(CVD)法，依次以400nm成膜SiN膜作為柵極絕緣膜7，以150nm成膜a-Si膜作為半導(dǎo)體膜8，以30nm的厚度成膜a-Si膜作為歐姆接觸膜9。作為第一透明導(dǎo)電性膜6使用的非晶質(zhì)狀態(tài)的ITO膜，通過進(jìn)行大約150~170。C以上的加熱，從而使結(jié)晶化反應(yīng)深入并多晶化。因此，在柵極絕緣膜7成膜時(shí)非晶質(zhì)狀態(tài)的ITO膜多晶化。多晶化了的ITO膜比起非晶質(zhì)狀態(tài)，成為化學(xué)上穩(wěn)定的狀態(tài)。由此，對化學(xué)藥液的耐蝕性飛躍地提高。此外，ITO膜的圖案形成后，在層間絕緣膜15成膜前，例如另外設(shè)置200。C以上的加熱工序(退火(anneal))也可。這樣，在柵極絕緣膜7成膜前，通過結(jié)晶化并成為化學(xué)上穩(wěn)定的狀態(tài)，抑制ITO膜質(zhì)的變化。而且，在歐姆接觸膜9中作為雜質(zhì)添加P(磷)，成為n+a-Si。接著，以公知的使用氟類氣體的干法刻蝕法刻蝕半導(dǎo)體膜8和歐姆接觸膜9。之后，除去抗蝕劑圖案，如圖7(b)所示，形成半導(dǎo)體膜8以及歐姆接觸膜9的圖案。之后，以濺射等依次成膜成為源極信號線材料的第二金屬薄膜、非晶質(zhì)狀態(tài)的第二透明導(dǎo)電性膜14。由此，成為第二透明導(dǎo)電性膜14/第二金屬薄膜的層疊結(jié)構(gòu)。而且，實(shí)施第三次照相制版工序，進(jìn)行構(gòu)圖。由此，形成源極電極IO、源極信號線ll、第二端子12、漏極電極13、以及第二透明導(dǎo)電性膜14。然后，將源極電極10以及漏極電極13的圖案作為掩;f莫，以刻蝕等除去歐姆接觸膜9。通過該處理除去歐姆接觸膜9的中央部分，半導(dǎo)體膜8露出。該被除去的歐姆接觸膜9的部分是溝道區(qū)域。之后，除去光致抗蝕劑圖案，形成源極電極10、源極信號線11、第二端子12、漏極電極13、第二透明導(dǎo)電性膜14、以及TFT90的溝道區(qū)域的圖案。在本實(shí)施方式中，作為第二金屬薄膜使用在Mo中添加了2.5mass%~20mass。/。的Nb的MoNb合金。而且，通過濺射法，將MoNb合金以200nm的厚度成膜。然后，在第二金屬薄膜的上層作為第二透明導(dǎo)電性膜14將非晶質(zhì)狀態(tài)的ITO以1OOnm的厚度成膜。作為優(yōu)選例，以公知的在Ar氣體中導(dǎo)入H20氣體的賊射法成膜IT0。此外，作為把使用將ln203和Sn02以各自重量比為9:1來混合的ITO靶。濺射條件是以DC磁控管'踐射方式，Ar氣體流量1.69x10"Pa.m3/sec(=100sccm),H20氣體流量5.07xl(r3Pa'm3/sec(=3sccm),成膜功率密度1W/cm2。在這里，在120°C以下成膜非晶質(zhì)狀態(tài)的ITO膜。之后，在第三次的照相制版工序中構(gòu)圖抗蝕劑，使用公知的包含磷酸+硝酸+醋酸的溶液進(jìn)4亍刻蝕。使用包含磷酸+硝酸+醋酸的溶液的非晶質(zhì)狀態(tài)的ITO膜的刻蝕速度(etchingrate)比MoNb合金快。因此，在對第二金屬薄膜以及第二透明導(dǎo)電性膜14一起進(jìn)行刻蝕的情況下，上層的第二透明導(dǎo)電性膜14被構(gòu)圖得較小。由此，在下面的工序，能使在笫二透明導(dǎo)電性膜14上形成的層間絕緣膜15的覆蓋特性提高。通過以上的工序，成為圖7(c)所示的構(gòu)成。之后，以等離子體CVD等的各種CVD法形成SiNx、SiOy等或這些的混合物以及層疊物的絕緣膜構(gòu)成的層間絕緣膜15。然后，實(shí)施第四次照相制版工序，進(jìn)行構(gòu)圖。通過該工序，在漏極電極13上形成的層間絕緣膜15的一部分—皮除去，漏極電極13上的第二透明導(dǎo)電性膜14露出。由此，形成像素接觸孔16。此外，通過該工序，在笫一端子5上形成的層間絕緣膜15以及柵極絕緣膜7的一部分被除去，第一端子5上的第一透明導(dǎo)電性膜6露出。由此，形成第一端子部接觸孔17。進(jìn)而，通過該工序，在第二端子12上形成的層間絕緣膜15的一部分被除去，第二端子12上的第二透明導(dǎo)電性膜14露出。由此，形成第二端子部接觸孔18。而且，能取得之后成膜的形成像素電極19等的透明導(dǎo)電性膜、與TFT的漏極電極13、第一端子5、以及第二端子12的導(dǎo)通。作為優(yōu)選的實(shí)施例，使用化學(xué)氣相成膜(CVD)來成膜層間絕緣膜15。此外，在利用CVD法的成膜中，基板加熱溫度為230。C。即，在將形成第二透明導(dǎo)電性膜14的基板加熱到230。C的狀態(tài)成膜層間絕緣膜15。作為第二透明導(dǎo)電性膜14使用的非晶質(zhì)狀態(tài)的ITO膜，通過進(jìn)行大約150~170°C以上的加熱，使結(jié)晶化反應(yīng)深入，從而多晶化。因此，在層間絕緣膜15成膜時(shí)非晶質(zhì)狀態(tài)的ITO膜多晶化。多晶化了的ITO膜比起非晶質(zhì)狀態(tài)，成為化學(xué)上穩(wěn)定的狀態(tài)。由此，對化學(xué)藥液的耐蝕性飛躍地提高。此外，與所述同樣，ITO膜的圖案形成后，在層間絕緣膜15成膜前，例如另外設(shè)置200°C以上的加熱工序(退火處理)也可。之后，通過形成接觸孔，成為圖7(d)所示的構(gòu)成。之后，以'踐射(sputter)、蒸鍍、涂敷、CVD、印刷法、溶膠凝膠法(solgel)法等手法成膜ITO、Sn02、InZnO等的透明導(dǎo)電性膜。然后，實(shí)施第五次照相制版工序，進(jìn)行構(gòu)圖。通過該工序，形成像素電極19以及端子焊盤20的圖案。像素電極19形成在像素接觸孔16上，與漏極電極13上的第二透明導(dǎo)電性膜14接觸。由此，經(jīng)由像素接觸孔16,像素電極19和漏極電極13電連接。此外，端子焊盤20遍及第一端子部接觸孔17以及第二端子部接觸孔18而形成。而且，端子焊盤20與第一端子5上的笫一透明導(dǎo)電性膜6、以及第二端子12上的第二透明導(dǎo)電性膜14接觸。由此，經(jīng)由第一端子部接觸孔17以及第二端子部接觸孔18，端子焊盤20、第一端子5、以及第二端子12電連接。在本實(shí)施方式中，作為形成像素電極19以及端子焊盤20的透明導(dǎo)電性膜，使用ITO。作為優(yōu)選實(shí)施例，通過公知的在Ar氣體中導(dǎo)入H20氣體的濺射法，成膜100nm膜厚的非晶質(zhì)狀態(tài)的ITO膜。此外，作為靶使用將111203和Sn02以各自重量比為9:1來混合的ITO靶。這里，在120。C以下成膜非晶質(zhì)狀態(tài)的ITO膜。濺射條件是以DC磁控管濺射方式，Ar氣體流量1.69x10"Pa.m3/sec(=100sccm),H20氣體流量5.07xl(T3Pa'm3/sec(=3sccm),成膜功率密度1W/cm2。之后，在第五次照相制版工序中對抗蝕劑進(jìn)行構(gòu)圖，使用以公知的以草酸為主要成分的溶液進(jìn)行刻蝕。然后，除去抗蝕劑圖案之后，進(jìn)行基板的熱處理。在本實(shí)施方式中，以大約220°C的溫度進(jìn)行熱處理，使非晶質(zhì)狀態(tài)的ITO膜多晶化。非晶質(zhì)狀態(tài)的ITO膜，通過進(jìn)行大約150~170。C以上的加熱，結(jié)晶化反應(yīng)深入，從而多晶化。多晶化了的ITO膜比起非晶質(zhì)狀態(tài)，成為化學(xué)上穩(wěn)定的狀態(tài)。由此，對化學(xué)藥液的耐蝕性飛躍地提高?？墒牵谑狗蔷з|(zhì)狀態(tài)的ITO膜多晶化時(shí)，會(huì)發(fā)生ITO膜的體積收縮。由此，在接觸孔16、17、18的臺階差部中，會(huì)發(fā)生ITO膜的覆蓋不良。而且，會(huì)部分地發(fā)生ITO膜的斷線，即所謂的臺階切斷。因此，在本實(shí)施方式中，使接觸孔16、17、18部分的透明導(dǎo)電性膜為雙層結(jié)構(gòu)。因此，抑制了從外部侵入的水分、雜質(zhì)等從覆蓋不良處21直接接觸形成布線、電極、以及端子的金屬薄膜。因此，能抑制布線、電極、以及端子的腐蝕和電蝕。通過以上的工序，成為圖7(e)所示的構(gòu)成，制造TFT陣列基板30。接著，使用公知的技術(shù)，在所述TFT陣列基板30的電極形成面上形成定向膜32。此外，對置基板31中，在絕緣性基板上依次形成濾色片(colorfilter)層、對置電極、定向膜32。這些定向膜32在包括多個(gè)像素58的顯示區(qū)域54形成。用于進(jìn)行彩色顯示的濾色片層，具有成為遮光層的BM(黑底)層、包括R(紅)、G(綠)、B(藍(lán))的著色層。而且，使形成有各個(gè)定向膜32的面為內(nèi)側(cè)，使用密封材料50粘合TFT陣列基板30和對置基板31。之后，通過將液晶注入兩基板30、31之間并密封，制造液晶顯示面41。如所述那樣，通過使布線、電極、或端子為金屬薄膜和透明導(dǎo)電性膜的雙層結(jié)構(gòu)，能得到良好的驅(qū)動(dòng)、顯示特性。再有，與金屬薄膜相比，透明導(dǎo)電性膜難以受到水分等的影響。因此，比起金屬薄膜的雙層結(jié)構(gòu)，優(yōu)選金屬薄膜和透明導(dǎo)電性膜的雙層結(jié)構(gòu)。雖然在本實(shí)施方式中，將在Al中添加Ni的Al類合金作為第一金屬薄膜，但并不局限于此。例如在AlNd膜的上層設(shè)置了AlNd-N膜的雙層膜的AlNd膜的上層，設(shè)置對第二金屬薄膜使用的MoNb膜的MoNb/AlNd層疊膜也可。此外，作為第一金屬薄膜使用MoNb單層膜也可。進(jìn)而，作為第二金屬薄膜，除了本實(shí)施方式的MoNb單層膜，也能使用MoNb膜和AlNd膜的層疊膜。在該情況下，與MoNb單層膜相比，能使源極信號線11的布線電阻降低。當(dāng)然，Al和Mo類的合金膜也不局限于AlNd和MoNb。例如，也能使用AlCu、AlSi、AlTa、A1Y、AlNi等的合金類或MoW、MoCr、MoV等的合金類或這些的組合結(jié)構(gòu)等。此外，當(dāng)然也能使用對強(qiáng)酸溶液耐蝕性優(yōu)越的現(xiàn)有的Cr、Ta、W、或Ti等的金屬膜或以這些為主要成分的合金膜等。此外，在本實(shí)施方式中，由于作為第一金屬薄膜上和第二金屬薄膜上的非晶質(zhì)狀態(tài)的透明導(dǎo)電性膜，通過加工后的熱處理能多晶化，所以優(yōu)選使用ITO膜。進(jìn)而，在111203(氧化銦)中添加ZnO(氧化鋅)的IZO膜、或在ITO膜中進(jìn)一步添加ZnO的ITZO膜也可。在該情況下，不用使H20氣體和H2氣體混合，僅以以往公知的Ar氣體的濺射就能得到非晶質(zhì)狀態(tài)的透明導(dǎo)電性膜。再有，雖然在本實(shí)施方式中，作為一個(gè)例子示出了應(yīng)用于透過型液晶顯示面板的例子，但并不局限于此。當(dāng)然也能應(yīng)用于半透過型或反射型的液晶顯示面板。進(jìn)而，當(dāng)然也能應(yīng)用于例如有才幾EL顯示面板或無機(jī)EL顯示面板的使用透明導(dǎo)電性膜的其他顯示面板或設(shè)備。在該情況下，特別是通過在具有接觸孔或通孔或臺階差形狀部的基板上形成兩層透明導(dǎo)電性膜，也能得到與本實(shí)施方式同樣的效果。權(quán)利要求1.一種顯示面板，第一基板和第二基板經(jīng)由密封材料粘合起來，其中，具有第一金屬薄膜，形成在所述第一基板上并具有端子；保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜，形成在所述第一金屬薄膜上；絕緣膜，形成在所述保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜上，并在顯示區(qū)域的外側(cè)而且是所述密封材料的內(nèi)側(cè)具有接觸孔；以及透明導(dǎo)電性膜，形成在所述絕緣膜上，并在所述接觸孔中經(jīng)由所述保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜與所述第一金屬薄膜電連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，還具有第二金屬薄膜，在所述第一金屬薄膜的上層，并形成在所述透明導(dǎo)電性膜的下層；以及層轉(zhuǎn)換部，形成有所述接觸孔，在所述層轉(zhuǎn)換部中，形成在不同層上的所述第一金屬薄膜和所述第二金屬薄膜經(jīng)由所述透明導(dǎo)電性膜電連接。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其中，還具有設(shè)置在所述顯示區(qū)域的外側(cè)并對所述顯示區(qū)域的布線供給信號的電路，所述層轉(zhuǎn)換部形成在所述電路中。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3的任何一項(xiàng)所述的顯示面板，其中，所述保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜是包含氧化銦和氧化錫的ITO膜、或是包含氧化銦和氧化鋅的IZO膜。5.—種顯示面板的制造方法，該顯示面板中第一基板和第二基板經(jīng)由密封材料粘合起來，所述顯示面板的制造方法具備在所述第一基板上形成具有端子的金屬薄膜的工序；在所述金屬薄膜上形成保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜的工序；在所述保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜上形成絕緣膜的工序，其中該絕緣膜在顯示區(qū)域的外側(cè)而且是所述密封材料的內(nèi)側(cè)具有接觸孔；以及在所述絕緣膜上形成透明導(dǎo)電性膜的工序，其中該透明導(dǎo)電性膜在所述接觸孔中經(jīng)由所述保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜與所述金屬薄膜電連接。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示面板的制造方法，其中，在形成所述保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜的工序中，使非晶質(zhì)狀態(tài)的所述保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜成膜，在形成所述絕緣膜的工序中，利用所述絕緣膜成膜時(shí)的基板加熱溫度使所述保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜結(jié)晶化。7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的顯示面板的制造方法，其中，所述保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜是包含氧化銦和氧化錫的ITO膜、或是包含氧化銦和氧化鋅的IZO膜。8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的顯示面板的制造方法，其中，在形成所述保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜的工序中，使用弱酸的刻蝕液將所述保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜和所述金屬薄膜一起進(jìn)行濕法刻蝕。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板的制造方法，其中，在形成所述保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜的工序中，使用弱酸的刻蝕液將所述保護(hù)用透明導(dǎo)電性膜和所述金屬薄膜一起進(jìn)行濕法刻蝕。10.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的顯示面板的制造方法，其中，在形成所述透明導(dǎo)電性膜的工序中，通過以草酸為主要成分的刻蝕液來對所述透明導(dǎo)電性膜進(jìn)行濕法刻蝕。11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板的制造方法，其中，在形成所述透明導(dǎo)電性膜的工序中，通過以草酸為主要成分的刻蝕液來對所述透明導(dǎo)電性膜進(jìn)行濕法刻蝕。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示面板的制造方法，其中，在形成所述透明導(dǎo)電性膜的工序中，通過以草酸為主要成分的刻蝕液來對所述透明導(dǎo)電性膜進(jìn)行濕法刻蝕。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板的制造方法，其中，在形成所述透明導(dǎo)電性膜的工序中，通過以草酸為主要成分的刻蝕液來對所述透明導(dǎo)電性膜進(jìn)行濕法刻蝕。全文摘要本發(fā)明提供一種顯示面板及其制造方法，其中能抑制具有端子的金屬薄膜的腐蝕等。涉及本發(fā)明的顯示面板具有公共布線(4)，形成在TFT陣列基板(30)上并具有第一端子(5)；第一透明導(dǎo)電性膜(6)，形成在公共布線(4)上；層間絕緣膜(15)，形成在第一透明導(dǎo)電性膜(6)上，并在顯示區(qū)域(54)的外側(cè)而且是密封材料(50)的內(nèi)側(cè)具有第一端子部接觸孔(17)；以及端子焊盤(20)，形成在層間絕緣膜(15)上，并在第一端子部接觸孔(17)中經(jīng)由第一透明導(dǎo)電性膜(6)與公共布線(4)電連接。文檔編號G02F1/13GK101344695SQ20081013615公開日2009年1月14日申請日期2008年7月10日優(yōu)先權(quán)日2007年7月10日發(fā)明者宮川修,荒木利夫申請人:三菱電機(jī)株式會(huì)社