光掩模信息的獲取方法、光掩模的品質(zhì)表示方法

文檔序號：2809094閱讀：171來源：國知局

專利名稱：光掩模信息的獲取方法、光掩模的品質(zhì)表示方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及獲取與在電子器件的制造中使用的光掩模有關的信息的光掩模信息的獲取方法、表示光掩模的品質(zhì)的光掩模的品質(zhì)表示方法、支援電子器件的制造的電子器件的制造支援方法、電子器件的制造方法及光
掩模制品。
另外，涉及在作為電子器件、以平板顯示(FPD)裝置為代表的顯示裝置特別是液晶顯示裝置、例如薄膜晶體管(TFT)、濾色器(CF)等電 f-器件的制造中，有用的光掩模信息的獲取方法、表示光掩模的品質(zhì)的光掩模的品質(zhì)表示方法、支援這些電子器件的制造的電子器件的制造支援方法、及電子器件的制造方法。
背景技術(shù)：
H前，在LCD (Liquid Crystal Display)領域，具備薄膜晶體管(Thin Film Transistor:以下稱為TFT)的液晶顯示裝置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display:以下稱為TFT-LCD)與CRT (陰極線管)比較，具有容易制成薄型且消耗電力低的優(yōu)點，因此，現(xiàn)在商品化快速發(fā)展。
TFT-LCD具有在排列成矩陣狀的各像素上排列有TFT的結(jié)構(gòu)的TFT 基板、與各像素對應地排列有紅、綠及藍的像素圖形的濾色器，在隔著液晶相的狀態(tài)下重合的概略結(jié)構(gòu)。在TFT-LCD中，制造工序數(shù)多，即使只是TFT基板也要使用5片至6片光掩模進行制造。
在這種狀況下，提出了用4片光掩模進行TFT基板的制造的方法。該方法通過使用具有遮光部、透光部和半透光部(灰色調(diào)部)的光掩模(以下稱為灰色調(diào)掩模)，降低使用的掩模數(shù)。在此，所謂半透光部，是指在使用掩模在被轉(zhuǎn)印體上轉(zhuǎn)印圖形時，使透過的曝光光的透過量降低規(guī)定量，將被轉(zhuǎn)印體上的光致抗蝕膜顯影后的殘膜量控制在規(guī)定的范圍內(nèi)的部分。將具有這種半透光部和遮光部、透光部的光掩模稱為灰色調(diào)掩模。
分。將具有這種半透光部和遮光部、透光部的光掩模稱為灰色調(diào)掩模。
應用了該灰色調(diào)掩模的TFT基板的制造工序示例如下。在玻璃基板上
形成柵極電極用金屬膜，通過使用光掩模的光刻工藝形成柵極電極。之后，
形成柵極絕緣膜、第一半導體膜(a-Sh非晶硅)、第二半導體膜(N+a-Si)、源極/漏極用金屬膜及正型(positive type)光致抗蝕膜。接著，應用具有遮光部、透光部、及半透光部的灰色調(diào)掩模，通過使正型光致抗蝕膜曝光、顯影，覆蓋TFT溝道部及源極/漏極形成區(qū)域、數(shù)據(jù)線形成區(qū)域，且使溝道部形成區(qū)域比源極/漏極形成區(qū)域更薄的方式形成第一抗蝕圖形。
接著，以第一抗蝕圖形為掩模，蝕刻源極/漏極金屬膜及第二、第一半導體膜。接著，通過氧的灰化除去溝道部形成區(qū)域薄的抗蝕膜，形成第二抗蝕圖形。而且，以第二抗蝕圖形為掩模，將源極/漏極用金屬膜進行蝕刻，形成源極/漏極，接著將第二半導體膜進行蝕刻，剝離最后殘存的第二抗蝕圖形。
在這種電子器件的制造所使用的光掩模的制造中，通過對完成的光掩模進行評價，對圖形形狀、形成于半透光部的膜的材料、或膜厚進行評價。根據(jù)該評價結(jié)果進行圖形形狀的修正、變更，制造如下的光掩模，由此，實現(xiàn)圖形形狀、膜的材料及膜厚的適當化。
在專利文獻l (特開2004-309327公報)中記載有，在具有微細圖形的灰色調(diào)掩模的評價時，通過使用規(guī)定光源的顯微鏡獲取光掩模的透過光圖像，利用圖像處理軟件對該透過光圖像實施模糊處理，可得到曝光機的析像度相當?shù)耐高^圖像。該技術(shù)根據(jù)這樣模糊了的透過光圖像，預測在抗蝕膜轉(zhuǎn)印圖像時的光掩模的透過率。
另外，在專利文獻2 (特開2003-307500公報)中記載有，掃描光掩
模的半透光部，求取透過率的閾值，根據(jù)該閾值進行評價的技術(shù)。
但是，在應用了上述的光掩模的電子器件的制造中，適用了用具有例如i線 g線波長范圍的曝光機，對設置于被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕膜介由光掩模進行曝光的工序。但是，通過這種曝光得到的被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕圖形形狀不是一定的。例如，每一曝光機波長特性不同，另外，也存在曝光機的照明的經(jīng)時變化，因此，即使應用同一光掩模，其透過的光強度的圖形也不一定一樣。尤其是該光掩模是具有上述半透光部的灰色調(diào)掩模時，存在如
下問題。
首先，根據(jù)使用光掩模實際進行曝光時的曝光機的分光特性，半透光部的透過率不同。這是因為，在使用規(guī)定材料的半透光性的膜時，該半透光性膜的透過率具有波長依存性。另外，由于曝光機的光學系和形成于灰色調(diào)掩模上的圖形的形狀，在半透光部產(chǎn)生的衍射的影響程度不同，因此，在實際的透過率上產(chǎn)生差異。因為這些原因，實際透過半透光部的曝光光的透過率(以下，稱為有效透過率)發(fā)生變動。尤其是，本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，
在溝道部有微細化傾向的TFT的制造中，沒能看到這種有效透過率的變動。下面，進行說明。
作為灰色調(diào)掩模的灰色調(diào)部的形成方法，有形成使曝光光降低規(guī)定量且使其透過的半透光性的膜的方法。所謂半透光性的膜是指在透明基板的曝光透過率設定為100%時具有例如20%至60%透過率的膜。
在灰色調(diào)掩模中，將灰色調(diào)部的透過光強度設定為Ig，將充分寬闊白 (透光)區(qū)域的透光強度設為Iw、將充分寬闊黑(遮光)區(qū)域的透光強度設定為Ib時，可以將用下式表示的值作為灰色調(diào)部的透過率。
Transmittance (透過率)={Ig/[Iw-Ib]} X 100 (%)
在此，灰色調(diào)部的透過光強度Ig可認為是由上述半透光性的膜固有的透過率(不是根據(jù)圖像形狀，而是根據(jù)其膜和曝光光決定的透過率)所決定的。這種透過率的管理，在灰色調(diào)部的面積相對于曝光機的析像度充分大時，尤其是在曝光光的分光特性一定時，取一定值的透過率，因此不產(chǎn) 生特別的問題。但是，在灰色調(diào)部的面積變得微小時，不能忽視衍射的影響，半透光部的圖形形狀一部分就未析像。因此，由于與灰色調(diào)部鄰接的遮光部或透光部的影響，在實際曝光時，透過率和半透光膜的固有的透過率成為不同的值。換言之，有時不能將半透光膜固有的透過率作為有效值處理。
例如，薄膜晶體管制造用的灰色調(diào)掩模，利用以下構(gòu)成的灰色調(diào)掩模，即把與溝道部相當?shù)膮^(qū)域作為灰色調(diào)部，并把與以夾持其的形式鄰接的源極及漏極相當?shù)膮^(qū)域由遮光部構(gòu)成。在該灰色調(diào)掩模中，隨著溝道部的面積(寬度)變小，和鄰接的遮光部的邊界在實際的曝光條件下模糊(不析像)，溝道部的曝光光的透過率比半透光膜的固有的透過率更低。尤其是，
液晶顯示裝置制造用等的大型掩模用曝光機，和半導體器件制造用的逐次移動式曝光裝置不同，析像度低，因此上述問題顯著。
另外，在上述大型掩模用曝光機中，為了比析像度更確保光量，光源波長具有遍及i線 g線的寬幅的波長域。若曝光機的分光特性不同，與此對應的析像度不同，因此，上述變動要素進一步變大。
最近的薄膜晶體管(TFT)中提出了以下技術(shù)，即通過將溝道部的寬
度與目前相比減小而提高液晶的動作速度，或者，通過減小溝道部的大小而增大液晶亮度的技術(shù)。在制造這種薄膜晶體管的灰色調(diào)掩模中，除半透光膜自身的透過率之外，在形成灰色調(diào)部時，需要考慮在實際的曝光條件定義的"有效透過率"。
另外，作為灰色調(diào)部，即使在形成了具有析像界限以下的尺寸的微細的遮光圖形的灰色調(diào)掩模中，根據(jù)曝光機的分光特性，微細圖形的析像度也有所不同，因此，發(fā)現(xiàn)最終需要考慮實際的曝光條件下的"有效透過率"。
在電子器件的制造中，需要得到具有規(guī)定尺寸的線寬度，且其抗蝕殘膜值在規(guī)定的范圍的抗蝕圖形，且需要可實現(xiàn)其的光掩模。于是，以該規(guī) 格為基礎，在光掩模的制造中，優(yōu)點是制造具有規(guī)定的線寬、且賦予規(guī)定的抗蝕殘膜值的有效透過率的半透過部的光掩模。在此，光掩模也可以是以下兩種類型。第一類型是通過具有在曝光條件下的析像界限以下的線寬度的圖形來調(diào)節(jié)曝光光的透過量的微細圖形類型的灰色調(diào)掩模(稱為微細圖形的灰色調(diào)掩模)。第二類型是使用透過曝光光的一部分的半透光膜來調(diào)節(jié)透過量的半色調(diào)類型的灰色調(diào)掩模(稱為半透光膜型灰色調(diào)掩模)。
而且，本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)，在實際電子器件的制造中使用的曝光條件(規(guī) 定的曝光波長分布、規(guī)定的光學條件)中，具有曝光具有特定的掩模圖形、尤其是半透光膜部分的線寬度等、狹窄的面積、細的部位的結(jié)果，評價該光掩模，或者判斷用該光掩模制造電子器件時的條件(抗蝕圖形的顯影條件、被加工膜的蝕刻條件等)是有用的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述的實際情況而提出的，其目的在于提供一種通過得到曝光機的光學系的主要因素即反映了光源的分光特性、抗蝕膜的顯影特
性等諸因素的光掩模的性能信息，可以進行所希望的電子器件的制造的光掩模信息的獲取方法、光掩模的品質(zhì)表示方法、電子器件的制造支援方法及電子器件的制造方法、光掩模制品。
另外，要制造電子器件的掩模用戶，在使用曝光機進行光掩模的曝光時，為在被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕膜上形成所希望的抗蝕圖形，需要知道該光掩模在實際使用的曝光機的曝光條件下發(fā)揮的光掩模的特性。若將這種在實際適用的曝光條件下發(fā)揮的光掩模的特性作為光掩模信息與作為制品的光掩模建立聯(lián)系而提供，在電子器件的制造上極其有用。本發(fā)明者們從這些觀點發(fā)現(xiàn)如下的點。若有上述的光掩模的信息，則例如掩模用戶能夠掌握用自身的曝光機是否能夠穩(wěn)定制造所希望的抗蝕圖形、或如何控制用自身的曝光機進行曝光時的變動要素就容易得到所希望的抗蝕圖形，另外，可以預先掌握由曝光易于產(chǎn)生的不良情況，或探討預先設定的曝光條件的變更，另外在曝光以外的工序中(例如抗蝕顯影工序等)可以探討消除不良的條件。
但是，制造光掩模的掩模制造商不擁有掩模用戶使用的曝光機，因此，掩模用戶所希望的掩模特性由掩模制造商正確掌握且將此提供給掩模用戶是不容易的。
為解決上述課題，實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明具有以下構(gòu)成中的任一項。 (構(gòu)成1)
本發(fā)明提供一種獲取光掩模的信息的光掩模信息的獲取方法，該光掩模使用于對在施行了蝕刻加工的被加工層上形成的抗蝕膜，用具有由遮光部、透光部及半透光部構(gòu)成的規(guī)定的轉(zhuǎn)印圖形的光掩模在規(guī)定的曝光條件下進行曝光，將所述抗蝕膜形成為具有在所述蝕刻加工中成為掩模的抗蝕殘膜量的不同部位的抗蝕圖形，該光掩模信息的獲取方法，包括用與所述規(guī)定的曝光條件近似的曝光條件，對所述光掩?；蚺c所述光掩模近似的測試掩模進行曝光，通過拍攝裝置獲取所述光掩?；蛩鰷y試掩模的透過光圖形，生成含有基于獲取的透過光圖形的透過光圖形數(shù)據(jù)的光掩模信息，并且將所述光掩模信息與所述光掩模建立對應。 (構(gòu)成2)
在具有構(gòu)成l的光掩模信息的獲取方法中，其特征在于，所述被加工
層是為了制造液晶顯示裝置而使用的。 (構(gòu)成3)
在具有構(gòu)成l的光掩模信息的獲取方法中，其特征在于，所述半透光部具有在透明基板上形成了半透光膜的部分，該半透光膜在所述透光部的
曝光光透過率設定為100%時具有低于100%的規(guī)定的透過率。 (構(gòu)成4)
在具有構(gòu)成l的光掩模信息的獲取方法中，其特征在于，所述半透光部具有在透明基板上形成了在所述規(guī)定的曝光條件下的析像界限以下的尺寸的微細的遮光圖形的部分。 (構(gòu)成5)
在具有構(gòu)成3或4的光掩模信息的獲取方法中，其特征在于，所述光掩模信息包括相對于曝光條件的變化的有關所述半透光部的曝光光透過率的變化傾向的信息。 (構(gòu)成6)
在具有構(gòu)成3的光掩模信息的獲取方法中，其特征在于，所述光掩模
在半透光部具有半透光膜，所述光掩模信息包括所述半透光膜的膜厚、
或相對于膜質(zhì)的變化的有關所述半透光部的曝光光透過率的變化傾向的信息。
(構(gòu)成7)
在具有構(gòu)成3或4的光掩模信息的獲取方法中，其特征在于，所述光掩模信息包括相對于圖形線寬的變化的有關所述半透光部的曝光光透過率的變化傾向的信息。 (構(gòu)成8)
本發(fā)明提供一種表示光掩模的品質(zhì)的光掩模的品質(zhì)表示方法，該光掩
模使用于對在施行了蝕刻加工的被加工層上形成的抗蝕膜，用具有由遮
光部、透光部及半透光部構(gòu)成的規(guī)定的轉(zhuǎn)印圖形的光掩模在規(guī)定的曝光條件下進行曝光，將所述抗蝕膜形成為具有在所述蝕刻加工中成為掩模的抗蝕殘膜量的不同部位的抗蝕圖形，該光掩模的品質(zhì)表示方法，包括以下工
序用與所述規(guī)定的曝光條件近似的曝光條件，對所述光掩?；蚺c所述光
掩模近似的測試掩模進行曝光，通過拍攝裝置獲取所述光掩?；蛩鰷y試
掩模的透過光圖形，生成含有基于獲取的透過光圖形的透過光圖形數(shù)據(jù)的光掩模信息；和將所述光掩模信息與所述光掩模建立對應。
(構(gòu)成9)
在具有構(gòu)成8的光掩模信息的品質(zhì)表示方法中，其特征在于，所述被加工層是為了制造液晶顯示裝置而使用的。 (構(gòu)成10)
在具有構(gòu)成8的光掩模信息的品質(zhì)表示方法中，其特征在于，所述半透光部具有在透明基板上形成了半透光膜的部分，該半透光膜在所述透光部的曝光光透過率設定為100%時具有低于100%的規(guī)定的透過率。。 (構(gòu)成11)
在具有構(gòu)成8的光掩模信息的品質(zhì)表示方法中，其特征在于，所述半透光部具有在透明基板上形成有在所述規(guī)定的曝光條件下的析像界限以下的尺寸的微細的遮光圖形的部分。 (構(gòu)成12)
在具有構(gòu)成10或11的光掩模信息的品質(zhì)表示方法中，其特征在于，所述光掩模信息包括相對于曝光條件的變化的有關所述半透光部的曝光光透過率的變化傾向的信息。 (構(gòu)成13)
在具有構(gòu)成10的光掩模信息的品質(zhì)表示方法中，其特征在于，所述光掩模在半透光部具有半透光膜，所述光掩模信息包括所述半透光膜的膜厚、或相對于膜質(zhì)的變化的有關所述半透光部的曝光光透過率的變化傾向的信息。
(構(gòu)成14)
在具有構(gòu)成10或11的光掩模信息的品質(zhì)表示方法中，其特征在于，所述光掩模信息包括相對于圖形線寬的變化的有關所述半透光部的曝光光透過率的變化傾向的信息。 (構(gòu)成15)
本發(fā)明提供一種支援電子器件的制造的電子器件的制造支援方法，電
子器件的制造具有以下工序?qū)υ谑┬辛宋g刻加工的被加工層上形成的抗
蝕膜，用具有由遮光部、透光部及半透光部構(gòu)成的規(guī)定的轉(zhuǎn)印圖形的光掩
模在規(guī)定的曝光條件下進行曝光，將所述抗蝕膜形成為具有在所述蝕刻加工中成為掩模的抗蝕殘膜量的不同部位的抗蝕圖形。該電子器件的制造支援方法，包括以下工序用與所述規(guī)定的曝光條件近似的曝光條件，對所述光掩模或與所述光掩模近似的測試掩模進行曝光，通過拍攝裝置獲取所述光掩?；蛩鰷y試掩模的透過光圖形，生成含有基于獲取的透過光圖形的透過光圖形數(shù)據(jù)的光掩模信息；和將所述光掩模信息與所述光掩模建立對應。
(構(gòu)成16)
在具有構(gòu)成15的電子器件的制造支援方法中，其特征在于，所述電子器件是液晶顯示裝置。 (構(gòu)成17)
在具有構(gòu)成15的電子器件的制造支援方法中，其特征在于，所述半透光部具有在透明基板上形成了半透光膜的部分，該半透光膜在所述透光部的曝光光透過率設定為100%時具有低于100%的規(guī)定的透過率。 (構(gòu)成18)
在具有構(gòu)成15的電子器件的制造支援方法中，其特征在于，所述半透光部具有在透明基板上形成了在所述規(guī)定的曝光條件下的析像界限以下的尺寸的微細的遮光圖形的部分。 (構(gòu)成19)
本發(fā)明提供一種電子器件的制造方法，其具有以下工序?qū)υ谑┬辛?蝕刻加工的被加工層上形成的抗蝕膜，用具有由遮光部、透光部及半透光部構(gòu)成的規(guī)定的轉(zhuǎn)印圖形的光掩模在規(guī)定的曝光條件下進行曝光，將所述抗蝕膜形成為具有在所述蝕刻加工中成為掩模的抗蝕殘膜量的不同部位
的抗蝕圖形，該電子器件的制造方法，還包括以下工序基于上述構(gòu)成1 所述的獲取方法獲取的光掩模信息，決定曝光條件，并根據(jù)所述決定的曝光條件對所述光掩模進行曝光。
(構(gòu)成20)
在具有構(gòu)成19的電子器件的制造方法，其特征在于，基于所述光掩模信息，決定所述抗蝕膜的顯影條件、或所述蝕刻加工中的蝕刻條件。 (構(gòu)成21)一種光掩模制品，其特征在于，包括通過上述構(gòu)成1所述的獲取方法獲取的光掩模信息、和所述光掩模。
在本發(fā)明的光掩模信息的獲取方法中，用與規(guī)定的曝光條件近似的曝光條件(即，應用能夠再現(xiàn)模擬實際應用的曝光裝置的曝光條件的曝光條件的曝光裝置)對光掩模進行曝光，通過拍攝裝置獲取該光掩模的透過光圖形，根據(jù)獲取的透過光圖形得到透過光圖形數(shù)據(jù)，且生成包含該透過光圖形數(shù)據(jù)的光掩模信息，因此，通過該光掩模信息可決定反映了曝光機的光學系的主要因素、光源的分光特性、蝕刻的顯影特性等諸因素的光掩模的曝光條件，被轉(zhuǎn)印體的加工條^^。
此時，可以使用近似實際曝光中應用的光掩模而制成的測試掩模。
該光掩模信息的獲取方法可以適用于電子器件制造中使用的光掩模。另外，作為該電子器件，特別適用于液晶顯示裝置。另外，在本發(fā)明中，半透光部也可以是以下部分之一，即在透明基板上形成了半透光膜的部分、及在透明基板上形成了曝光條件下的析像界限以下的尺寸的微細的遮光圖形的部分。
另外，在本發(fā)明中，光掩模信息可以含有對于光掩模的半透光部的透過率的允許范圍的閾值。
在本發(fā)明的光掩模的品質(zhì)表示方法中，具有用與所述規(guī)定的曝光條件近似的曝光條件，對光掩模進行曝光，通過拍攝裝置獲取該光掩模的透過光圖形，基于獲取的透過光圖形生成包含透過光圖形數(shù)據(jù)的光掩模信息的工序；將光掩模信息與對應于該光掩模信息的光掩模建立對應的工序，因此，通過該光掩模信息，可決定反映了曝光機的光學系的主要因素、光源的分光特性、蝕刻的顯影特性等諸因素的光掩模的曝光條件，被轉(zhuǎn)印體的加工條件。
該光掩模的品質(zhì)表示方法可以適用于電子器件制造中使用的光掩模。另外，作為該電子器件，可以應用于液晶顯示裝置。另外，在本發(fā)明中，半透光部也可以是以下部分之一，即在透明基板上形成了半透光膜的部分、及在曝光條件下在透明基板上形成了析像界限以下的尺寸的微細的遮光圖形的部分。另外，在本發(fā)明中，光掩模信息可以含有相對于光掩模的半透光部的透過率的允許范圍的閾值。
在本發(fā)明的電子器件的制造支援方法中，具有用與規(guī)定的曝光條件近似的曝光條件，對光掩模或(與光掩模近似的測試掩模)進行曝光，通過拍攝裝置獲取該光掩模的透過光圖形，基于獲取的透過光圖形生成含有透過光圖形數(shù)據(jù)的光掩模信息的工序；將光掩模信息與對應于該光掩模信息的光掩模建立對應的工序，因此，通過將這樣建立對應后的信息供給電子器件的制造，可決定反映了曝光機的光學系的主要因素、光源的分光特性、蝕刻的顯影特性等諸因素的光掩模的曝光條件，被轉(zhuǎn)印體的加工條件。而且，能夠迅速地進行電子器件制造時的條件決定，實現(xiàn)成品率提高的生產(chǎn)條件。
該電子器件的制造支援方法，作為適用的電子器件，可以是液晶顯示裝置。另外，在本發(fā)明中，半透光部也可以是以下部分之一，即在透明基板上形成了半透光膜的部分、及在曝光條件下在透明基板上形成了析像界限以下的側(cè)材的微細的遮光圖形的部分。另外，在本發(fā)明中，光掩模信息可以含有相對于光掩模的半透光部的透過率的允許范圍的閾值。
在本發(fā)明的電子器件的制造方法中，基于通過本發(fā)明的光掩模信息的獲取方法獲取的光掩模信息制造電子器件，因此，可決定反映了曝光機的光學系的主要因素、光源的分光特性、蝕刻的顯影特性等諸因素的光掩模的曝光條件，被轉(zhuǎn)印體的加工條件，且可高效率高成品率地制造電子器件。
另外，在該電子器件的制造方法中，若基于光掩模信息，決定光掩模的曝光條件、抗蝕膜的顯影條件、或蝕刻加工的蝕刻條件，則可以制造反映了曝光機的光學系的主要因素、光源的分光特性、蝕刻的顯影特性等諸因素的電子器件。
另外，通過將本發(fā)明的光掩模制品用于電子器件的制造，可決定反映了曝光機的光學系的主要因素、光源的分光特性等諸因素的光掩模的曝光條件。另外，可以選擇或決定被轉(zhuǎn)印體的加工(顯影、蝕刻)條件，這有助于提高制造成品率和制造效率。

圖1是用于說明由一對平行的遮光部的邊緣所夾持的半透光部的中心
的有效透過率的圖2是表示本發(fā)明的光掩模信息的獲取方法所使用的檢査裝置的構(gòu)成的側(cè)面圖3 (a) (c)是表示使用了灰色調(diào)掩模的TFT基板的制造工序(前半)的剖面圖4 (a) (c)是表示使用了灰色調(diào)掩模的TFT基板的制造工序(后半)的剖面圖5是表示灰色調(diào)掩模的構(gòu)成的平面圖6是表示圖2所示的檢查裝置中得到的拍攝數(shù)據(jù)的灰色調(diào)部的狀態(tài) 的圖7 (a)、 (b)是表示本發(fā)明的光掩模信息的獲取方法所使用的測試掩模的構(gòu)成的平面圖8 (a)、 (b)是表示圖7 (a)、 (b)所示的測試掩模的單位圖形的
平面圖9是表示圖7 (a)、 (b)所示的測試掩模的單位圖形的其它例的平面圖10是表示圖7 (a)、 (b)所示的測試掩模的單位圖形的再其它例的平面圖11 (a)是表示圖2所示的光掩模的檢查裝置的光源的分光特性的圖表，圖ll (b)是表示在圖2所示的光掩模的檢查裝置中使用的波長選擇濾波器的分光特性的圖表，圖11 (c)是表示在圖2所示的光掩模的檢查裝置中使用的波長選擇濾波器的分光特性的其它例的圖表；
圖12是表示根據(jù)圖2所示的光掩模檢查裝置的光源的分光特性、構(gòu)
成檢査裝置的拍攝部的拍攝元件的分光靈敏度分布及與檢查裝置的各濾色器相對應所得到的基準光強度數(shù)據(jù)的圖表、和乘以與各基準光強度數(shù)據(jù) 對應的系數(shù)后的狀態(tài)的圖表；
圖13 (a)是表示本發(fā)明的電子器件的制造支援方法的順序的流程圖，圖13 (b)是圖13 (a)中的圖表的放大圖。
具體實施例方式
下面，對用于實施本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行說明。 [本發(fā)明的光掩模信息的獲取方法的概要]
本發(fā)明的光掩模信息的獲取方法，當使用在透明基板上形成有規(guī)定的轉(zhuǎn)印圖形的光掩模，利用曝光裝置對被轉(zhuǎn)印體進行曝光時，可以從拍攝裝置所捕捉到的掩模透過光的光強度分布預測由曝光裝置的曝光實際上被轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上的圖形而獲取光掩模信息的方法。在此，所謂被轉(zhuǎn)印體是在玻璃基板等上形成所希望的膜且被抗蝕膜覆蓋之物。
本發(fā)明的光掩模信息可以收容于介質(zhì)中，所謂介質(zhì)包括紙和儲存器等的電子記錄介質(zhì)，只要是信息記錄介質(zhì)就不受限制。
更具體地說，制作出與曝光裝置的曝光條件近似的曝光條件，由此，將光掩?；蚺c此近似的測試掩模曝光，得到含有從該透過光圖形得到的數(shù) 據(jù)的光掩模信息。而且，將該光掩模信息與光掩模建立對應。
在此所謂建立對應可以采取以下方法，即在光掩模信息中包括和光掩模對應的信息，或在光掩模中表示和光掩模信息對應的信息等。
所謂曝光條件近似，例如是曝光波長近似。在曝光光是具有波長域的光時，能夠為光強度最大的曝光波長是同樣的。更優(yōu)選的是，可以選擇具有與實際的曝光波長同樣的波長域的曝光條件。另外，所謂曝光條件近似，也包括光學系近似。例如，成像系的NA (數(shù)值孔徑)大致同樣，或說。 (相干性)大致同樣。
在此，所謂NA大致同樣，例示了相對于實際的曝光機的NA而為了得到光掩模信息所適用的光學系是NA士0.005的情況。所謂o大致同樣，例示了相對于實施的曝光機的o是士0.005的范圍的情況。另外，優(yōu)選的是，不僅成像系，照明系的NA也大致同樣。另外，可以應用具有拍攝系的NA大致同樣，且o大致同樣這樣的光學系的曝光條件。
另外，在本發(fā)明中，雖然得到與實際的曝光條件近似的曝光條件下的光掩模的透過光圖形數(shù)據(jù)，但是，該近似的曝光條件，只要曝光波長、曝光光學系的任一項近似即可。更優(yōu)選的是曝光波長、曝光光學系都近似的情況。
另外，也可以采用在包括與實際的曝光最近似的條件且應用了多個不同條件的情況下的、包括各個透過光圖形數(shù)據(jù)的光掩模信息。例如，也可
以使在曝光光強度、分光特性改變后的透過光圖形數(shù)據(jù)，與近似于上述曝光的條件一起包含在光掩模信息。
在本發(fā)明中，所謂與上述光掩模近似的測試掩模，能夠采用由與上述光掩模同樣的材料(在具有透明基板、半透光膜時其材料和膜厚等)制成且包括與上述光掩模中含有的轉(zhuǎn)印圖形近似的圖形的掩模。例如，上述光掩模上包含與TFT的溝道部對應的被遮光部夾持的半透光部的轉(zhuǎn)印圖形的情況，含有同樣形狀、同樣線寬的轉(zhuǎn)印圖形的測試掩模就與其相當。
另外，對于上述光掩模具有的半透光部所使用的半透光膜，測定改變膜厚和膜質(zhì)(組成)時的多個透過率的變化，可以含有該信息作為光掩模信息的一部分。
另外，相于上述光掩模的圖形，通過一定的規(guī)則改變圖形線寬，測定這時的透過率的變化，也可以含有該信息作為光掩模信息的一部分。這種光掩模信息，在是半透光部使用微細圖形的光掩模時關于該微細圖形的線寬其變化引起的透過率變化要得到把握上是有用的。另一方面，這種光掩模信息，在是半透光部使用半透光膜的光掩模時該半透光部自身的線寬變化引起的透過率變化要得到把握上是有用的。
對可以應用于本發(fā)明的測試掩模的示例，后面進行敘述。
在本發(fā)明的光掩模中，所謂半透光部是透過一部分曝光光的部分。該部分包括在透明基板上形成半透光性的膜的部分，或曝光條件下的析像界限以下的尺寸的微細圖形由遮光性膜形成的部分，另外，上述微細圖形由半透光性膜形成的部分。該部分還包括由遮光部夾持的、析像界限以下的透光部，作為半透光部發(fā)揮機能的情況。
在本發(fā)明中，所謂透過率圖形數(shù)據(jù)，是指基于由拍攝裝置得到的透過光圖形所形成的數(shù)據(jù)，或?qū)Φ玫降耐高^光圖形附加另外的信息所形成的數(shù) 據(jù)。
透過率圖形數(shù)據(jù)例如可以是相對于半透光部區(qū)域的大小(由遮光部夾持的半透光部的幅寬等)的變化的、與曝光光的透過量變化有關的數(shù)據(jù)也可，或者是相對于曝光光的光量和波長的變化的、與曝光光的透過量變化有關的數(shù)據(jù)也可。透過率圖形數(shù)據(jù)，還可以是在實際用光掩模形成抗蝕圖形時的抗蝕劑處理條件(顯像條件等)附加后的數(shù)據(jù)。透過率圖形數(shù)據(jù)例如，如后所述，也可以是圖1的圖表中所示的數(shù)據(jù)。另外，在本發(fā)明中，如上所述，在實際上光掩模的曝光所適用的曝光條件下，將半透光部的透過光對透光部的透過光的比率稱為有效透過率。在半透光部中具有有效透過率的分布的情況下，為方便起見，將其峰值設為有效透過率。該數(shù)值與應用該掩模在被轉(zhuǎn)印體上形成的抗蝕圖形的該部分的抗蝕劑殘膜值相關。
所謂半透光部是指具有在將上述曝光條件下透過透光部的曝光光的透過率設定為100%時比其更小的有效透過率(大于零)的部分。半透光
部優(yōu)選具有20~60%的有效透過率。由此，對該抗蝕圖形賦予與對應于透光部或遮光部的部分不同厚度的抗蝕劑殘膜。
在此，膜固有的透過率是形成于透明基板上的該膜具有的固有的透過率，被規(guī)定為相對于曝光光的波長、及曝光機的光學條件足夠大的面積的膜形成面的、相對于曝光光的入射量的透過光的量。即，在曝光光的波長、及曝光機的光學條件(照明系、拍攝系的NA、 o等)沒有影響到光透過率的程度下足夠大面積的膜形成面上，該曝光條件下的固有透過率與有效透過率相等。
另一方面，例如，若形成有膜的半透光部的面積小，則受到與該半透光部鄰接的其它部分(遮光部、透光部)的影響，相對于曝光條件下的曝光光的有效透過率，與膜固有的透過率不同。
而且，在通過本發(fā)明獲取的光掩模信息中，根據(jù)在與實際的曝光機近似的光學條件下由拍攝裝置得到的掩模的透過圖形的光強度分布，預測被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕圖形、或以該抗蝕圖形作為掩模加工后的被加工層圖形尺寸的最終值、光掩模的透過率的變動導致的這些形狀變動等，進行各種各樣的分析、評價。
尤其是在本發(fā)明中，根據(jù)由一對平行的遮光部的邊緣夾持的半透光部區(qū)域的中心的有效透過率，推定由該掩模的曝光所得到的抗蝕圖形的、與由該一對平行的遮光部的邊緣夾持的區(qū)域?qū)男螤?、與該一對平行的遮光部的邊緣間對應的規(guī)定透過率閾值間隔、或殘膜值，由此，可以決定曝光條件。另外，也可以使用該光掩模信息用于決定相對于曝光后的被轉(zhuǎn)印體的顯影及蝕刻條件。
圖1是表示由一對平行的遮光部的邊緣所夾持的半透光部的中心的有效透過率及其變化的圖表。如圖1所示，當將由一對平行的遮光部SP1、
SP2的邊緣夾持的半透光部HP的寬度減窄時，有效透過率變低。相反，當將由一對平行的遮光部SP1、 SP2的邊緣夾持的半透光部HP的寬度加寬時，有效透過率提高。因此，在相對于光掩模的測試曝光中，半透光部的有效透過率比所希望的透過率更高時，可以進行使半透光部的寬度(一對平行的遮光部間的距離)變窄的修正。相反，在相對于光掩模的測試曝光中，半透光部的有效透過率比所希望的透過率更低時，可以進行使半透光部的寬度(一對平行的遮光部間的距離)變寬的修正。另一方面，對于規(guī)定的光掩模，在半透光部的線寬的面內(nèi)不均勻存在時，參照圖l，可在實際的曝光之前了解由線寬的變動引起的有效透過率的變動位于怎樣的范圍內(nèi)。另外，如圖1所示，半透光部的寬度和有效透過率的關系隨著曝光條件而變化。因此，掩模用戶在曝光之前，相對于曝光條件的變化，可以推定形成的抗蝕劑殘膜。另外，在此，只要半透光膜型灰色調(diào)掩模的膜設計(半透光膜的膜厚、膜材料的決定)發(fā)生變化，有效透過率就發(fā)生變化，因此，可以將膜設計和有效透過率的相關關系包括在本發(fā)明的光掩模信息中。
另外，通過該光掩模信息的獲取方法獲取的光掩模信息，不僅包括最終制品即光掩模的信息，也包括與制造光掩模過程中的中間體有關的信息。另外，在該光掩模中，不僅包括用半透光膜的灰色調(diào)掩模，也包括使用微細圖形的灰色調(diào)掩模。
本發(fā)明的光掩?？梢园慈缦路绞街谱鳌＜?，準備在半透明基板上按順序?qū)盈B了半透光膜及遮光膜的光掩模坯料。在該光掩模坯料上形成與遮光部和半透光部對應的區(qū)域的抗蝕圖形，以該抗蝕圖形為掩模，對露出的遮光膜進行蝕刻。以該抗蝕圖形或遮光膜為掩模，對露出的半透光膜進行蝕刻，由此形成透光部。接著，在包括至少要作成遮光部的部位的區(qū)域形成抗蝕圖形，以該抗蝕圖形為掩模，對露出的遮光膜進行蝕刻，由此，形成半透光部及遮光部。這樣，可得到以下的光掩模，即其在透明基板上形成有由半透光膜構(gòu)成的半透光部、由半透光膜和遮光膜的層疊膜構(gòu)成的遮光部、和透光部。
另外，本發(fā)明的光掩模也可以按如下方式制作。g卩，準備在半透明基板上形成有遮光膜的光掩模坯料。在該光掩模坯料上形成與遮光部對應的區(qū)域的抗蝕圖形，以該抗蝕圖形為掩模，通過蝕刻露出的遮光膜而形成遮光膜圖形。接著，除去抗蝕圖形后，在基板的整個面上成膜半透光膜。而且，在與半透光部(或半透光部及遮光部)對應的區(qū)域形成抗蝕圖形，以該抗蝕圖形為掩模蝕刻露出的半透光膜，由此，形成透光部及半透光部。這樣，可以得到以下的光掩模，即其在透明基板上形成有半透光部、由遮光膜和半透光膜的層疊膜構(gòu)成的遮光部、和透光部。
本發(fā)明的光掩模還可以按如下方式制作。g卩，在透明基板上形成有遮光膜的光掩模坯料上，形成與遮光部及透光部對應的區(qū)域的抗蝕圖形，以該抗蝕圖形為掩模，蝕刻露出的遮光膜，由此，使與半透光部對應的區(qū)域的透明基板露出。接著，除去抗蝕圖形后，在基板的整個面上成膜半透光膜。在與遮光部及半透光部對應的區(qū)域形成抗蝕圖形，以該抗蝕圖形為掩模，蝕刻露出的半透光膜(以及半透光膜及遮光膜)，由此，也可以形成透光部及遮光部、以及半透光部。
另外，如上所述，也可以作成具有通過遮光膜的微細圖形調(diào)節(jié)了透過率的半透光部的灰色調(diào)掩模。
在本發(fā)明中，所謂品質(zhì)顯示包括添加上述光掩模信息作為上述光掩模的附屬信息、或在光掩模和上述光掩模信息建立起對應的狀態(tài)下利用通信裝置進行傳遞和揭示。通信裝置可以是基于通信電線的裝置，也可以是基于物理的介質(zhì)的裝置。
如圖2所示，在該光掩模信息的獲取方法中，可以使用檢査裝置。在
該檢査裝置中，光掩模3由掩模保持部3a保持。該掩模保持部3a在將光掩模3的主平面置為大致垂直的狀態(tài)下，支承光掩模3的下端部及側(cè)緣部附近，將光掩模3以傾斜方式固定保持。該掩模保持部3a能夠保持光掩模3、大型(例如，主平面1220mmX1400mm、厚度13mm的光掩模)且各種大小的光掩模3。即，在該掩模保持部3a，主要支承主平面大致成垂直狀態(tài)的光掩模3的下端部，因此，即使光掩模3的大小不同，也能夠通過同一支承構(gòu)件支承光掩模3的下端部。
在此，所謂大致垂直的意思是優(yōu)選圖2中e所示的偏離垂直的角度為
IO度范圍以內(nèi)，另外，更優(yōu)選偏離垂直2度至IO度的角度，特別優(yōu)選偏離垂直4度至10度。
這樣。通過使用傾斜支承光掩模3的光掩模保持部3a，在保持光掩模 3的過程中，防止將光掩模3翻倒，從而可以穩(wěn)定進行光掩模3的保持、固定。另外，當光掩模3在完全垂直的狀態(tài)下得以保持時，光掩模3的全部重量集中于下端部，光掩模3被損傷的可能性增大。通過使用傾斜支承光掩模3的掩模保持部3a，可以將光掩模3的重量分散在多個支承點，能夠防止光掩模3的損傷。
這樣，在該檢査裝置中，按照將光掩模3的主平面如上述那樣的方式保持光掩模3，因此，能夠抑制檢査裝置的設置面積的增大，并且，能夠抑制顆粒落下到光掩模上。
而且，該檢查裝置具有發(fā)出固定波長的光束的光源l。作為該光源l，例如，可以使用鹵素燈、金屬鹵化物水銀燈、UHP燈(超高壓水銀燈)等。
而且，該檢查裝置具有將來自光源l的檢查光進行引導且對由掩模保持部3a保持的光掩模3照射檢查光的照明光學系2。該照明光學系2為了使數(shù)值孔徑(NA)可變而具備孔徑光闌機構(gòu)2-l。另外，該照明光學系2 優(yōu)選具有用于調(diào)節(jié)光掩模3的檢查光的照射范圍的視場光闌2-2。經(jīng)過該照明系2的檢査光對由掩模保持部3a保持的光掩模3進行照射。
對光掩模3進行照射的檢査光，透過該光掩模3而被入射至物鏡系4。該物鏡系4具備孔徑光闌機構(gòu)4-l，由此數(shù)值孔徑(NA)可變。該物鏡系 4可以具備例如，入射了透過光掩模3后的檢査光且對該光束進行無限遠修正而使其成為平行光的第一組(模擬透鏡)4a、和將經(jīng)過該第一組的光束成像的第二組(成像透鏡)4b。
在該檢査裝置中，照明光學系2的數(shù)值孔徑和物鏡系4的數(shù)值孔徑分別可變，因此，能夠改變照明光學系2的數(shù)值孔徑對物鏡系4的數(shù)值孔徑的比，即能夠改變西格馬值(o :相干性)。相干性o是照明光學系2的數(shù)值孔徑對物鏡系4的數(shù)值孔徑的比。
經(jīng)過物鏡系4后的光束由拍攝部(拍攝裝置)5接收。該拍攝部5拍攝光掩模的像。作為該拍攝部5，例如，可以應用CCD等拍攝元件。
而且，在該檢查裝置中，設置有未圖示的控制部及顯示部，它們對通過拍攝部5得到的拍攝圖像進行圖像處理、運算、和與規(guī)定的閾值的比較及表示等。
另外，在該檢査裝置中，對于用規(guī)定的曝光光得到的拍攝圖像、或根據(jù)此得到的光強度分布，通過控制部進行規(guī)定的運算，可以求出在用其它的曝光光條件下的拍攝圖像或光強度分布。例如，在該檢査裝置中，在g 線、h線及i線為相同的光強度比的曝光條件下得到光強度分布時，可求出g線、h線及i線為1: 2: 1的光強度比的曝光條件下曝光時的光強度分布。由此，在該檢查裝置中，也包括由曝光裝置使用的照明光源種類、個體差和曝光裝置使用的照明的經(jīng)時變化所導致的每種波長的光強度的變動，可以進行再現(xiàn)實際上使用的曝光裝置的曝光條件的評價。在該檢査裝置中，另外，在假設所希望的光致抗蝕的殘膜量時，可以簡便地求出能夠?qū)崿F(xiàn)此要求的最適當?shù)钠毓鈼l件。
在用該檢查裝置進行的本發(fā)明的光掩模信息的獲取方法中，照明光學系2與物鏡4系及拍攝部5分別配設于以夾持將主平面置于大致垂直而被
保持的光掩模3的方式對置的位置，在使兩者的光軸一致的狀態(tài)下，進行檢查光的照射及光接收。這些照明光學系2、物鏡4系及拍攝部5通過未圖示的移動操作部以可移動操作的方式被支承。該移動操作部使照明光學系2、物鏡4系及拍攝部5各自的光軸相互一致，且可以相對于光掩模3 的主平面平行移動。在該檢查裝置中，通過設置這種的移動操作部，即使在檢查大型光掩模時，該光掩模3也不在與主平面平行的方向移動，就可進行遍及光掩模3的主平面的全面檢査，另外，可進行主平面上所希望部位的選擇性的檢查。
而且，在該檢查裝置中，通過控制部及驅(qū)動機構(gòu)可分別在光軸方向上移動操作物鏡4系及拍攝部5，可以使這些物鏡4系及拍攝部5相互獨立地改變相對于光掩模3的相對距離。在該檢査裝置中，物鏡4系及拍攝部 5可獨立地沿光軸方向移動，由此，可以在與使用光掩模3進行曝光的曝光裝置接近的狀態(tài)下進行拍攝。另外，將物鏡系4的焦點偏移，通過拍攝部5也可以拍攝光掩模3的模糊的像。
而且，該檢查裝置的控制部控制照明光學系2的視場光闌2-2及孔徑
光闌機構(gòu)2-l、和物鏡4系的孔徑光闌機構(gòu)4-l、驅(qū)動機構(gòu)、移動操作部。
該控制部在應用了該檢查裝置的光掩模信息的獲取方法中，在將物鏡系4 的數(shù)值孔徑(NA)及相干值o (照明光學系2的數(shù)值孔徑對物鏡系4的數(shù)值孔徑之比)維持在規(guī)定值的狀態(tài)下，通過移動操作部使照明光學系2、物鏡系4及拍攝部5的這些光軸一致，在該狀態(tài)下，在與由光掩模保持部 3a保持的光掩模3的主平面平行的方向進行移動操作，并且，使物鏡系4 及拍攝部5沿光軸方向相互獨立地移動操作。 [本發(fā)明成為對象的光掩模]
本發(fā)明的光掩模信息的獲取方法成為對象的光掩模，不僅包括作為制品完成的光掩模，也包括制造光掩模過程中的中間體，另外，該光掩模的種類和用途沒有特別限制。
艮口，可以檢査在透明基板的主表面具有遮光部、透光部及半透光部(灰色調(diào)部)的灰色調(diào)掩模。
另外，灰色調(diào)部包括以下兩方面，即由形成有半透光膜的半透光部、由曝光條件下的析像界限以下的微細圖形來制成灰色調(diào)部。即，灰色調(diào)掩
模包括以下兩種具有灰色調(diào)部的光掩模(半透光膜型灰色調(diào)掩模)，在
該灰色調(diào)部成膜了曝光光的透過光量小于100% (例如40~60%)的半透光性膜；具有灰色調(diào)部的光掩模(微細圖形型灰色調(diào)掩模)，在該灰色調(diào)部通過具有曝光條件下的析像界限以下的遮光性、或半透光性的微細圖形來降低透光量。
在此，對本發(fā)明的光掩模的檢査裝置中成為檢査對象的灰色調(diào)掩模進行說明。
具備TFT的液晶顯示裝置即TFT-LCD，與陰極線管(CRT)比較，優(yōu)點為容易作成薄型且消耗電力低，因此現(xiàn)在正在廣泛使用。TFT-LCD具有在矩陣上排列的各像素上排列有TFT的結(jié)構(gòu)的TFT基板、與各像素對應地排列有紅(R)、綠(G)及藍(B)的像素圖形的濾色器，隔著液晶相重合的結(jié)構(gòu)。這種TFT-LCD制造工序多，即使只是TFT基板，也要用5至6張光掩模制造。
在這種狀況下，提出了用4張光掩模進行TFT基板的制造的方法。該方法通過使用具有遮光部、透光部及灰色調(diào)部的灰色調(diào)掩模，降低使用的
掩模的張數(shù)。在圖3及圖4中表示應用了灰色調(diào)掩模的TFT基板的制造工序的一例。
首先，如圖3 (a)所示，在玻璃基板201上形成柵電極用金屬膜，通過應用了光掩模的光刻工序形成柵電極202。之后，依次形成柵極絕緣膜 203、第一半導體膜(a-Si) 204、第二半導體膜(N+a-Si) 205、源極/漏極用金屬膜206及正型光致抗蝕膜207。
其次，如圖3 (b)所示，使用具有遮光部10K透光部102及灰色調(diào) 部103的灰色調(diào)掩模100，將正型光致抗蝕膜207曝光并進行顯影，形成第一抗蝕圖形207A。該第一抗蝕圖形207A覆蓋TFT溝道部、源極/漏極形成區(qū)域及數(shù)據(jù)線形成區(qū)域，且TFT溝道部形成區(qū)域比源極/漏極形成區(qū) 域更薄。
接著，如圖3 (c)所示，以第一抗蝕圖形207A為掩模，對源極/漏極用金屬膜206、第二及第一半導體膜205、 204進行蝕刻。
接著，如圖4 (a)所示，通過氧的灰化(ashing)，使抗蝕膜207整體地減少，除去溝道部形成區(qū)域薄的抗蝕膜，形成第二抗蝕圖形207B。之后，如圖4(b)所示，以第二抗蝕圖形207B為掩模，將源極/漏極用金屬膜206進行蝕刻而形成源極/漏極206A、206B，接著蝕刻第二半導體膜205 。最后，如圖4 (c)所示，剝離殘存的第二抗蝕圖形207B。
如圖5所示，在此應用的灰色調(diào)掩模100具有與源極/漏極對應的遮光部101A、 IOIB、與透光部102及TFT溝道部對應的灰色調(diào)部103。該灰色調(diào)部103是形成了遮光圖形103A的區(qū)域，該遮光圖形103A由在使用灰色調(diào)掩模100的大型LCD用曝光裝置的曝光條件下的析像界限以下的微細圖形構(gòu)成。遮光部101A、 IOIB及遮光圖形103A通常都通過由鉻和鉻化合物等同樣的材料構(gòu)成的同樣厚度的膜形成。使用這種灰色調(diào)掩模的大型LCD用曝光裝置的析像界限，用逐次移動(stepper)式曝光裝置約3iim、用鏡面投影方式的曝光裝置約4um。因此，在灰色調(diào)部103，將透過部103B的空間寬度及遮光圖形103A的線寬度分別設定為曝光裝置的曝光條件下的析像界限以下的例如不足3 u m。
在這種微細圖形類的灰色調(diào)部103的設計中，將用于維持遮光部
101A、 101B和透光部102的中間的半透光(灰色調(diào))效果的微細圖形選擇地制成線和空間(line and space)類、制成點(網(wǎng)點)類或制成其它的圖形。另外，線和空間類的情況下，對于將線寬制成怎樣的程度，或?qū)⒐?透光的部分和被遮光的部分的比率、整體透過率等設計成怎樣的程度等，可以進行適當?shù)脑O計。
例如，半透光膜類的灰色調(diào)膜可以按如下的方式進行制造。在此，作為一例，列舉說明TFT基板的圖形。如圖3 (b)的說明所示，該圖形由與TFT基板的源極/漏極對應的圖形構(gòu)成的遮光部101、與TFT基板的溝道部對應的圖形構(gòu)成的灰色調(diào)部103、形成于這些圖形周圍的透光部102 構(gòu)成。
首先，準備在透明基板上順次—形成有半透光膜及遮光膜的掩模坯料，在該掩模坯料上形成抗蝕膜。接著，進行圖形描畫，進行顯影，由此在圖形的遮光部及與灰色調(diào)部對應的區(qū)域形成抗蝕圖形。接著，通過用適當?shù)?方法進行蝕刻，由此，除去與未形成抗蝕圖形的透光部對應的區(qū)域的遮光膜和其下層的半透光膜，形成圖形。
這樣，形成透光部102，同時，形成與圖形的遮光部101和灰色調(diào)部 103對應的區(qū)域的遮光圖形。而且，除去殘存的抗蝕圖形后，再次在基板上形成抗蝕膜，進行圖形描畫，it行顯影，由此在與圖形的遮光部101對應的區(qū)域形成抗蝕圖形。
其次，通過適當?shù)奈g刻只除去未形成抗蝕圖形的灰色調(diào)部103區(qū)域的遮光膜。由此，形成基于半透光膜的圖形的灰色調(diào)部103，同時，形成遮光部101的圖形。
要用上述的灰色調(diào)掩模獲取光掩模信息，在反映了實際的曝光條件的條件下得到透過光圖形數(shù)據(jù)是有用的。
在灰色調(diào)掩模中，形成于掩模的圖形形狀影響到通過使用了該掩模的曝光而形成于被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕膜厚和抗蝕膜的形狀。例如，不只是平面的圖形形狀的評價，而且需要評價灰色調(diào)部的光透過率是否在適當?shù)姆秶?內(nèi)、灰色調(diào)部和遮光部的邊界的光透過量的上升沿(清晰或模糊程度)是怎樣的。
尤其是在具有由微細圖形構(gòu)成的灰色調(diào)部的灰色調(diào)掩模的情況，在用灰色調(diào)掩模實際曝光時，以微細圖形不析像且可視為實質(zhì)均一的透過率的程度的非析像的狀態(tài)被使用。該狀態(tài)在掩模的制造過程中、或在發(fā)貨前階段、進而在進行缺陷修正階段中需要檢査。
在本發(fā)明的光掩模信息的獲取方法中，通過降低透過灰色調(diào)部的曝光光量來降低向該區(qū)域的光致抗蝕膜的照射量從而選擇地改變光致抗蝕膜的膜厚，這樣的灰色調(diào)掩模的檢査在近似實際的曝光條件下高精度地進行，并且，可以高精度預測通過實際曝光得到的光致抗蝕的圖形形狀。
例如，圖6表示改變了曝光條件時的灰色調(diào)掩模的透過光的透過光分布。
圖6所示的圖形表示由兩個遮光部(與TFT的源、漏極對應)、及與
其鄰接且設置于中央部的半透光部(與溝道部對應)構(gòu)成的圖形。在此，在中央的半透光部通過低于曝光機的改造界限的線寬的圖形(在水平方向上排列微細透光部、微細遮光部、微細透光部)而形成。
另外，在此，用4等級的不同析像度的光學系拍攝透過光圖形，越靠右而析像度越低，圖6的下段所示的透過光圖形曲線的峰值變低。該部分的濃度表示使用該灰色調(diào)掩模時的該部分的"有效透過率"，由此由灰色調(diào)部形成的抗蝕膜的殘膜量受到影響。這4個顯影條件中，越靠右就越與實際的曝光機的條件近似。
因此，通過如圖6的下段所示的透過光圖形數(shù)據(jù)，能夠掌握灰色調(diào)掩模的曝光適用的曝光條件、和由此得到的被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕圖形的形狀的相關關系。
另外，在上述實際的曝光條件下的非析像的狀態(tài)得到拍攝圖像時，根據(jù)需要經(jīng)過適當?shù)倪\算，能夠評價溝道部與源極、漏極部的邊界部分的清晰度，也能夠預測光致蝕刻的立體形狀。
這時，在圖2中，將例如具有由析像界限以下的微細圖形構(gòu)成的半透光部的光掩模3設置于檢查裝置上，例如，通過將物鏡系4的數(shù)值孔徑及相干性o設定成和實際應用的曝光機近似的規(guī)定值，在拍攝部5的拍攝面上，和實際曝光的圖形轉(zhuǎn)印時同樣，能夠得到微細圖形的非析像的狀態(tài)的像。而且，通過運算部處理拍攝的圖像數(shù)據(jù)，由此能夠得到掩模圖形的透
過光圖形。可以將由該透過光圖形得到的透過光圖形數(shù)據(jù)作為本發(fā)明的光掩模信息的一部分。另外，光掩模信息也可以包括相對于光掩模的半透光部的透過率的允許范圍的閾值。 [關于測試掩模]
在本發(fā)明的光掩模信息中，可以包括與曝光條件的變化(這是具有和圖形的線寬CD的相關關系)、半透光膜的固有的透過率(與膜厚、膜質(zhì)依存)的變化所相應的半透光部的有效透過率的變化傾向。這種信息例如可以表現(xiàn)為如圖13 (b)所示。在此，能夠相對曝光條件(曝光量)、半透光膜的固有的透過率使圖形的線寬改變，與此相對，圖示出有效透過率的依存性。在圖13 (b)中，橫軸表示溝道部(半透光部)的線寬、縱軸
表示有效透過率。另外，Tl: Ref表示實掩模的圖形數(shù)據(jù)，Tl±x%、 T2 ± y。/。分別表示測試掩模的圖形數(shù)據(jù)。
如上所述，為了使光掩模信息中含有光掩模使用的半透光膜的固有的透過率變化、圖形的形狀(線寬等)引起的有效透過率的變化傾向，如前面圖7表示的一例所示，使用測試掩模11可以得到光透過圖形數(shù)據(jù)。作為與本發(fā)明的光掩模近似的測試掩模，例如可以使用如下的掩模。
該測試掩模11是可以掌握由圖形形狀的變化引起的有效透過率的變化的掩模。在使用了模擬上述曝光機的曝光機構(gòu)的光掩模信息的獲取方法中，是用于可以正確、迅速地得到基于多個圖形形狀的透過光圖形。而且、或代替此，對于也包含抗蝕膜的分光靈敏度及拍攝部的分光靈敏度特性等、與曝光機的條件整合不能進行的這樣的因子的條件，通過使用該測試掩模向被轉(zhuǎn)印體進行曝光測試，進行抗蝕膜的圖形形成，若掌握在多個條件下的抗蝕圖形形狀的傾向，則也可包含于光掩模信息中。
在該測試掩模11中，如圖7 (a)所示，例如，在800mmX920mm的基板上，同一測試圖形12在X軸方向及Y軸方向分別排列成矩陣狀。如圖7(b)所示，就各測試圖形12而言，具有在X軸方向及Y軸方向各自排列一列的單位圖形13而被形成。在剩余的部分也可以適當?shù)嘏渲糜辛?外的測試圖形等。例如，圖7 (b)中是在周緣部配置了位置基準標記PM、在中央部配置了通常的析像度圖形PP的例。
在本發(fā)明的測試圖形中，各單位圖形13也可以是分別相同的圖形，
但是，例如，如圖8所示，優(yōu)選排列在后述的評價工序中有用的、分別不
同的圖形。在此，表示單位圖形13 (楔形圖形)在X軸方向排列21個，且在各單位圖形13中形狀在Y軸方向以21級變化的例。即，各單位圖形 13在X軸方向及Y軸方向均按排列順序根據(jù)一定的規(guī)則變化。
各單位圖形13由遮光膜形成。該單位圖形13是圖8(a)中在由如"a u" 表示的寬度在Y軸方向以臺階狀變化的一對遮光部13-1夾持的透光部 13-2上配置了由遮光膜構(gòu)成的縱線(遮光線)的線和空間的圖形。在每個單位圖形13中，兩側(cè)的一對遮光部13-1對于圖8 (a)中用"1 21"表示的X軸方向是同樣的，但是，形成于中央透光部13-2的遮光線的線寬在 X軸方向按"1 21"的朝向以一定的間距變細。
另外，各單位圖形13也可以通過遮光膜及半透光膜形成。在該情況下，單位圖形13成為由寬度臺階狀變化的一對遮光部夾持且形成有半透光膜的圖形。即，半透光膜形成的區(qū)域成為由一對平行的遮光部的邊緣夾持的區(qū)域(半透光部)。
通過排列這種單位圖形13，如圖8 (b)所示，可以近似于使由遮光部夾持的灰色調(diào)部的透過率逐漸變大的掩模。例如，在薄膜晶體管的溝道部形成用的灰色調(diào)掩模中，可以與使灰色調(diào)部的光透過率逐漸變化的狀態(tài) 近似。
另一方面，在各單位圖形13中，兩側(cè)的遮光部的線寬在Y軸方向按 "a u"的朝向逐漸變小。這是因為，例如，在薄膜晶體管的溝道部形成用的灰色調(diào)掩模中，如圖8 (b)所示，可以與溝道部的寬度逐漸變大的狀態(tài)近似。另外，在此，各單位圖形13的一對遮光部的線寬的變化間距與中央的遮光線的線寬的變化間距相等，根據(jù)后述的理由作為優(yōu)選。
另一方面，這樣排列的單位圖形13，通過傾斜方向的觀察、評價，可以評價由該掩模的線寬(CD (Critical Dimension))的變動引起的對被轉(zhuǎn) 印體的轉(zhuǎn)印的影響。例如，"al、 b2、 c3…"的排列仍然以一定的規(guī)則進行圖形形狀的變化，就該規(guī)則而言，中央的遮光線以一定間距變細，并且，兩側(cè)的遮光部的線寬也以一定的間距變細。這可以與由光掩模制造工序中的因子等種種的理由引起光掩模的CD變動(線寬增大規(guī)定量、或減小規(guī) 定量)近似。因此，當實施使用這種測試掩模的本發(fā)明的光掩模信息的獲取方法時，用檢査裝置得到的光強度分布、與用同樣的測試掩模進行實際的曝光而得到的被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕圖形的相關關系，能夠在與各圖形形狀的變化的關系中得到掌握。
另夕卜，如圖7 (b)所示，單位圖形13在測試掩模11中，沿X軸方向
及Y軸方向按具有90。的方式被排列。這可以評價電子器件、例如液晶面板制造時可產(chǎn)生的X軸方向及Y軸方向的圖形的析像度的不均勻因素。例如，若在曝光裝置的掃描方向及其垂直的方向，析像度產(chǎn)生差異，則能夠評價這種析像度的差異的狀態(tài)。
另外，在此，作為單位圖形13，如圖8 (a)所示，對具有在由寬度臺階狀變化的一對遮光部13-1夾持的透光部13-2上配置了由遮光膜構(gòu)成的遮光線的線和空間的圖形(鍥形圖形)的測試掩模ll進行說明，但是，本發(fā)明的測試掩模不限定于此。
將不同的測試圖形例示于圖9及圖10。圖9所示的測試圖形12'的單位圖形13'具有正方形框架狀的透光部13-2'、和形成于該透光部13-2' 內(nèi)的正方形框架的遮光部13-1'，在一個單位圖形中，可以對四個方向進行評價。
圖10所示的測試圖形12"的單位圖形13"具有正八邊形框架狀的透光部13-2''、和形成于該透光部13-2''內(nèi)的正八邊形框架狀的遮光部13-1''，在一個單位圖形中，可以對八個方向進行評價。
另外，作為不同的形態(tài)，也可以在由寬度如圖8 (a)的測試圖形的臺階狀變化的一對遮光部夾持的部分成膜半透光膜(相對于透光部，以降低規(guī)定量透過率為目的而設置的膜)，來作成單位圖形。該情況下，應用該測試掩模，可以進行具有形成有半透光膜的灰色調(diào)部的灰色調(diào)掩模的評價。在與溝道部對應的部分，可以近似配置有半透光膜的TFT制造用灰色調(diào)掩模。
在此，在本發(fā)明的光掩模信息的獲取方法中，優(yōu)選變更曝光條件，且進行多次照射，來獲得基于各自的照射的測試掩模的拍攝圖像。該多個不同條件得到的測試掩模的透過光的光強度分布數(shù)據(jù)供給與該測試掩模的實際曝光的抗蝕圖形的比較對照，由此可得到更多的信息。例如，一邊按
規(guī)定量改變數(shù)值孔徑(NA) —邊進行照射，或一邊按規(guī)定量改變數(shù)值孔
徑(NA)或相干性(o ) —邊進行照射等。
這樣得到的透過光的光強度分布數(shù)據(jù)可以作為數(shù)據(jù)庫進行積累?？梢?將該數(shù)據(jù)庫的一部分或全部作為光掩模信息。 [關于檢査光的分光特性(1)]
于是，作為該檢查裝置的光源l (圖2)，優(yōu)選使用發(fā)出具有與進行實
際曝光的曝光裝置的曝光光相同、或大致相等的波長分布的檢查光的光源。
具體而言，如圖11 (a)所示，該檢査光含有至少g線(波長436nm)、 h線(波長405nm)、或i線(波長365nm)的任一種，也可以是全部含有這些各種波長成分、或?qū)⑦@些各種波長成分中任意2種以上混合而成的混合光。通常，在FPD制造用的大型掩模曝光時，作為曝光光，使用這些波長的混合光，因此，即使在該檢查裝置中，通過應用所希望的光強度比例的混合光，也可以為與曝光條件近似的條件。
而且，該檢查光透過光學濾波器等波長選擇濾波器6 (圖2)對光掩模3進行照射，由此，可以調(diào)節(jié)光掩模3上的各波長成分的混合比。如圖 11 (b)所示，作為該波長選擇濾波器6，可以使用具有截斷規(guī)定的波長以下或規(guī)定的波長以上的光束的特性的濾波器。
在該檢查裝置中，自光源l發(fā)出的檢査光的波長分布與曝光裝置的曝光光的波長分布相同、或大致相等，由此，可以形成近似實際的曝光條件的曝光條件。
另外，在該檢查裝置中，如圖11 (c)所示，作為波長選擇濾波器，可以選擇地使用具有使光源l (圖2)發(fā)出的主要僅g線透過的特性的第一濾波器、具有使光源1發(fā)出的主要僅h線透過的特性的第二濾波器、具有使光源1發(fā)出的主要僅i線透過的特性的第三濾波器。
在該情況下，分別求出在使用第一濾波器時由拍攝部5 (圖2)得到的光強度數(shù)據(jù)dg、在使用第二濾波器時由拍攝部5得到的光強度數(shù)據(jù)dh、在使用第三濾波器時由拍攝部5得到的光強度數(shù)據(jù)di。
而且，這些光強度數(shù)據(jù)dg、 dh、 di在分別進行規(guī)定的加權(quán)后進行加法運算，由此可以算出g線、h線及i線以規(guī)定的光強度比混合后的光束對
光掩模3進行照射時所得到的光強度數(shù)據(jù)。
對于各光強度數(shù)據(jù)dg、 dh、 di的加權(quán)而言，例如，來自該檢査裝置的光源l的光束的g線、h線及i線的光強度比率為[1.00: 1.20: 1.30]，來
自實際的曝光裝置的光源的曝光光的g線、h線及i線的光強度比率為 [1.00: 0.95: 1.15]。該情況下，應與光強度數(shù)據(jù)dg相乘的系數(shù)fg為1.00、應與光強度數(shù)據(jù)dh相乘的系數(shù)fh為0.95/1.20 (=0.79)、應與光強度數(shù)據(jù) di相乘的系數(shù)fi為1.15/1.30 (=0.88)。
將它們進行加法運算后的數(shù)據(jù)即[fgXdg+fhXdh+fiXdi]，成為表示對光掩模3照射曝光裝置的曝光光時所得到的光強度分^f的數(shù)據(jù)。另外，這種運算可以將控制部作為運算部使用，通過該控制部進行。根據(jù)這種方法，在近似實際的曝光條件的曝光條件下，也可以得到光掩模的透過光數(shù)據(jù)。
該檢查裝置的光源1發(fā)出的檢査光，即使具有和曝光裝置的曝光光不同的波長分布，如下所述，也可以得到近似曝光裝置的曝光狀態(tài)的透過光圖形。
在該檢査裝置中，如上所述，作為波長選擇濾波器，可以選擇地使用
具有使光源l (圖2)發(fā)出的主要僅g線透過的特性的第一濾波器、具有
使光源1發(fā)出的主要僅h線透過的特性的第二濾波器、具有使光源1發(fā)出的主要僅i線透過的特性的第三濾波器。
于是，使用測試掩模ll (圖7)，如圖12所示，求出在使用第一濾波器時由拍攝部5 (圖2)得到的第一基準光強度數(shù)據(jù)Ig、在使用第二濾波器時由拍攝部5得到的第二基準光強度數(shù)據(jù)Ih、在使用第三濾波器時由拍攝部5得到的第三基準光強度數(shù)據(jù)Ii。
這些各基準光強度數(shù)據(jù)Ig、 Ih、 Ii是光源1的分光分布、攝像部5的分光靈敏度分布、各濾波器的分光透過率進行乘法運算后的結(jié)果，另外，是來自該檢查裝置的光源1的檢查光透過的各光學元件的分光透過率也進行乘法運算后的結(jié)果。
光源1的分光分布、攝像部5的分光靈敏度分布及各光學元件的分光透過率，相對于波長是不一樣的。因此，對于某拍攝圖形，隨著拍攝用的各檢査光(g線、h線、I線)的波長的不同，就成為不同的圖形。
接著，求取有關將第一至第三基準光強度數(shù)據(jù)Ig、 Ih、 Ii設為彼此相等的等級而各基準光強度數(shù)據(jù)Ig、 Ih、 Ii的第一至第三的系數(shù)CI 、 p、 Y。即，如圖12所示，求取各系數(shù)a、 P、 Y以使對第一基準光強度數(shù)據(jù)Ig 乘以第一系數(shù)a的結(jié)果、對第二基準光強度數(shù)據(jù)Ih乘以第二系數(shù)e的結(jié) 果、對第三基準光強度數(shù)據(jù)Ii乘以第三系數(shù)Y的結(jié)果成為相等的等級。在
此，所謂相等的等級是指例如各基準光強度數(shù)據(jù)Ig、 Ih、 Ii的峰值強度彼
此相等。
在該檢査裝置中，預先求出使各基準光強度數(shù)據(jù)Ig、 Ih、 Ii彼此相等的第一至第三系數(shù)a、 3、 Y，這些系數(shù)a、 P、 Y被使用該檢查裝置的用戶掌握。
而且，對檢查對象即光掩模進行檢査時，對于該光掩模，通過使用第一濾波器由拍攝部5求出第一光強度數(shù)據(jù)Jg，通過使用第二濾波器由拍攝部5求出第二光強度數(shù)據(jù)Jh，另外，通過使用第三濾波器由拍攝部5求出第三光強度數(shù)據(jù)Ji。
接著，在第一光強度數(shù)據(jù)Jg上乘以第一系數(shù)a ，在第二光強度數(shù)據(jù) Jh上乘以第二系數(shù)e，在第三光強度數(shù)據(jù)Ji上乘以第一系數(shù)Y，由此修正由光源1的分光分布、拍攝部5的分光靈敏度分布及檢查裝置的各光學元件的分光透過率引起的影響，用該光掩模求出與對被曝光體即抗蝕膜曝光時的曝光狀態(tài)對應的光強度數(shù)據(jù)[a XJg、 eXJh、 YXJi]。
如上所述，這種運算可以將控制部作為運算部使用，通過該控制部進行。
另外，在判斷曝光裝置的發(fā)光特性、即曝光裝置的光源的分光分布及曝光裝置的各光學元件的分光透過率時，可以確定與這些分光特性相對應的系數(shù)u、 v、 w。作為該系數(shù)u、 v、 w，例如，求取將g線的光強度設定為l.O時的h線的光強度(例如，0.9104)及i線的光強度(例如，1.0746)，可以使用這些合計成為1的光強度比(例如，0.335: 0.305: 0.360)。
而且，通過將這些曝光裝置的分光特性所對應的系數(shù)與第一至第三的
光強度數(shù)據(jù)對應地相乘，能夠更正確地求出與通過該曝光裝置用該光掩模對抗蝕膜曝光時的曝光狀態(tài)對應的光強度數(shù)據(jù)[uX a XJg、 vX 3 XJh、 w
X Y XJi]。
另外，在判斷抗蝕膜的分光靈敏度特性(吸收光譜)時，可以確定與
該分光靈敏度特性對應的系數(shù)x、 y、 z。作為該系數(shù)x、 y、 z，例如，求取將g線的吸收量設為l.O時的h線的吸收量(例如，1.6571)及i線的吸收量(例如，1.8812)，可以使用將這些的合計為1的吸收比(例如，0.220: 0.365: 0,415)。
而且，通過將該分光特性所對應的系數(shù)與第一至第三的光強度數(shù)據(jù)對應地相乘，能夠更正確地求出與通過該曝光裝置用該光掩模對抗蝕膜曝光時的曝光狀態(tài)對應的光強度數(shù)據(jù)[xX a XJg、 yX P XJh、 zX Y XJi](或， [xXuX a XJg、 yXvX P XJh、 zXwX Y XJi])。這種運算也可以將控制部作為運算部使用，通過該控制部進行。
本發(fā)明的光掩模的品質(zhì)表示方法，是將前述那樣獲取的光掩模信息與對應于該光掩模信息的光掩模建立對應的方法。在建立對應時，對光掩模和光掩模信息可以以可識別的方式賦予該光掩模固有的識別信息。
在該光掩模的品質(zhì)表示方法中，對于各光掩模，由于光掩模信息被建立對應，因此，用該光掩模通過曝光裝置進行曝光時，如上所述，可以適當?shù)卦O定曝光條件，另外，可以適當?shù)卦O定曝光后的抗蝕劑的顯影條件、蝕刻條件等。
如圖13 (a)所示，本發(fā)明的電子器件的制造，方法，是將前述那樣獲取的光掩模信息與對應于該光掩模信息的光掩模預先建立對應，由此支援采用了該光掩模的電子器件的制造。
將該一例示于圖13 (a)。在該電子器件的制造支援方法中，在步驟stl 中，準備光掩模的圖形數(shù)據(jù)(CAD數(shù)據(jù))，在步驟st2中，根據(jù)該圖形數(shù) 據(jù)進行光掩模的制造。在步驟st3中，進行所制造的光掩模的最終評價。這是通常的掩模制造工藝。而且，發(fā)明者先前提出了以下方案將圖2所示的硬件模擬器作為檢查裝置使用，確認該掩模的性能，這時，采用近似實際的掩模曝光條件的條件。而且，確認了掩模性能后，就出廠。
另一方面，在本發(fā)明中，預先獲取光掩模信息，將該光掩模信息在和光掩模有關聯(lián)的狀態(tài)下提供給光掩模用戶，由此支援使用光掩模的光掩模用戶制造電子器件的工程。
在獲取光掩模信息時，例如，在圖13 (a)的步驟st4中，制成測試
掩模。該測試掩模是參照上述的光掩模圖形，以成為上述光掩模的曝光模擬的方式，進行含有近似圖形并且含有多個線寬的半透光部等的設計而作
成的。在步驟st5中，采用上述的檢查裝置(模擬器)，應用與上述光掩模
的實際曝光條件近似的條件，得到光掩模的透過光的透過光圖形。優(yōu)選的是，得到應用多個曝光條件時的透過光圖形。而且，從該透過光圖形生成透過光圖形數(shù)據(jù)。
在此，為了得到透過光圖形數(shù)據(jù)而使用的掩模，除測試掩模之外，當然也可以是上述光掩模本身。但是，在只有其信息的情況，不能掌握由半透光部的線寬的變化引起的透過光圖形數(shù)據(jù)的變化。
在步驟st6中，將制造的光掩模和與該光掩模對應的光掩模信息建立
對應，輸送至電子器件的制造工序，或提供給參與電子器件的制造工序的掩模用戶。
如上所述，在本發(fā)明中，將上述透過光圖形數(shù)據(jù)在和上述光掩模相關聯(lián)的狀態(tài)下提供，由此，掩模用戶能夠預測將掩模供給曝光時得到的抗蝕圖形，另外，能夠決定用于曝光的曝光條件。
在該電子器件的制造支援方法中，對于各光掩模，由于該光掩模信息被建立對應，因此，在用該光掩櫝通過曝光裝置進行曝光時，如上所述，可以適當?shù)卦O定曝光條件，另外，可以適當?shù)卦O定曝光后的抗蝕膜的顯影條件、蝕刻條件等。
另外，光掩模的制造和使用該光掩模的電子器件的制造，即使在由不同的制造者進行時，通過光掩模的制造者實施本發(fā)明的電子器件的制造支援方法，電子器件的制造者在使用從光掩模的制造者收到的光掩模而由曝光裝置進行曝光時，如上所述，也可以適當?shù)卦O定曝光條件，另外，可以適當?shù)卦O定曝光后的抗蝕膜的顯影條件、蝕刻條件等，因此，能夠正確地進行電子器件的制造。
在制造液晶顯示裝置等的電子器件時，在一般的公知的制造工序中，通過使用前述的本發(fā)明的光掩模信息可以決定適當?shù)钠毓鈼l件，另外，可
以預測由曝光得到的抗蝕圖形。因此，能夠迅速地制造良好的電子器件(液晶顯示裝置等)。
由此，能夠成品率高地在短時間內(nèi)穩(wěn)定得到對于電子器件的所希望的性能。
本發(fā)明還適用于由本發(fā)明的光掩模信息的獲取方法得到的包括光掩模信息和上述的光掩模的全部光掩模制品。
權(quán)利要求
1.一種獲取光掩模的信息的光掩模信息的獲取方法，該光掩模使用于對在施行了蝕刻加工的被加工層上形成的抗蝕膜，用具有由遮光部、透光部及半透光部構(gòu)成的規(guī)定的轉(zhuǎn)印圖形的光掩模在規(guī)定的曝光條件下進行曝光，將所述抗蝕膜形成為具有在所述蝕刻加工中成為掩模的抗蝕殘膜量的不同部位的抗蝕圖形，該光掩模信息的獲取方法，包括用與所述規(guī)定的曝光條件近似的曝光條件，對所述光掩?；蚺c所述光掩模近似的測試掩模進行曝光，通過拍攝裝置獲取所述光掩?；蛩鰷y試掩模的透過光圖形，生成含有基于獲取的透過光圖形的透過光圖形數(shù)據(jù)的光掩模信息，并且將所述光掩模信息與所述光掩模建立對應。
2、如權(quán)利要求1所述的光掩模信息的獲取方法，其特征在于，所述被加工層是為了制造液晶顯示裝置而使用的。
3、如權(quán)利要求1所述的光掩模信息的獲取方法，其特征在于，所述半透光部具有在透明基板上形成了半透光膜的部分，該半透光膜在所述透光部的曝光光透過率設定為100%時具有低于100%的規(guī)定的透過率。
4、如權(quán)利要求1所述的光掩模信息的獲取方法，其特征在于，所述半透光部具有M朋基板上形成了在所述規(guī)定的曝光條件下的析像界限以下的尺寸的微細的遮光圖形的部分。
5、如權(quán)利要求3或4所述的光掩模信息的獲取方法，其特征在于，所述光掩模信息包括相對于曝光條件的變化的有關所述半透光部的曝光光透過率的變化傾向的信息。
6、如權(quán)利要求3所述的光掩模信息的獲取方法，其特征在于，所述光掩模在半透光部具有半透光膜，所述光掩模信息包括所述半透光膜的膜厚、或相對于膜質(zhì)的變化的有關所述半透光部的曝光光透過率的變化傾向的信息。
7、如權(quán)利要求3或4所述的光掩模信息的獲取方法，其特征在于，所述光掩模信息包括相對于圖形線寬的變化的有關所述半透光部的曝光光透過率的變化傾向的信息。
8、一種表示光掩模的品質(zhì)的光掩模的品質(zhì)表示方法，該光掩模使用于對在施行了蝕刻加工的被加工層上形成的抗蝕膜，用具有由遮光部、透光部及半透光部構(gòu)成的規(guī)定的轉(zhuǎn)印圖形的光掩模在規(guī)定的曝光條件下進行曝光，將所述抗蝕膜形成為具有在所述蝕刻加工中成為掩模的抗蝕殘膜量的不同部位的抗蝕圖形，該光掩模的品質(zhì)表示方法，包括以下工序-用與所述規(guī)定的曝光條件近似的曝光條件，對所述光掩模或與所述光掩模近似的測試掩模進行曝光，通過拍攝裝置獲取所述光掩模或所述測試掩模的透過光圖形，生成含有基于獲取的透過光圖形的透過光圖形數(shù)據(jù)的光掩模信息；和將所述光掩模信息與所述光掩模建立對應。
9、如權(quán)利要求8所述的光掩模的品質(zhì)表示方法，其特征在于，所述被加工層是為了制造液晶顯示裝置而使用的。
10、如權(quán)利要求8所述的光掩模的品質(zhì)表示方法，其特征在于，所述半透光部具有在透明基板上形成了半透光膜的部分，該半透光膜在所述透光部的曝光光透過率設定為100%時具有低于100%的規(guī)定的透過率。
11、如權(quán)利要求8所述的光掩模的品質(zhì)表示方法，其特征在于，所述半透光部具有在透明基板上形成了在所述規(guī)定的曝光條件下的析像界限以下的尺寸的微細的遮光圖形的部分。
12、如權(quán)利要求10或11所述的光掩模的品質(zhì)表示方法，其特征在于，所述光掩模信息包括相對于曝光條件的變化的有關所述半透光部的曝光光透過率的變化傾向的信息。
13、如權(quán)利要求10所述的光掩模的品質(zhì)表示方法，其特征在于，所述光掩模在半透光部具有半透光膜，所述光掩模信息包括所述半透光膜的膜厚、或相對于膜質(zhì)的變化的有關所述半透光部的曝光光透過率的變化傾向的信息。
14、如權(quán)利要求10或11所述的光掩模的品質(zhì)表示方法，其特征在于，所述光掩模信息包括相對于圖形線寬的變化的有關所述半透光部的曝光光透過率的變化傾向的信息。
15、一種支援電子器件的制造的電子器件的制造支援方法，電子器件的制造具有以下工序?qū)υ谑┬辛宋g刻加工的被加工層上形成的抗蝕膜，用具有由遮光部、透光部及半透光部構(gòu)成的規(guī)定的轉(zhuǎn)印圖形的光掩模在規(guī) 定的曝光條件下進行曝光，將所述抗蝕膜形成為具有在所述蝕刻加工中成為掩模的抗蝕殘膜量的不同部位的抗蝕圖形，該電子器件的制造支援方法，包括以下工序-用與所述規(guī)定的曝光條件近似的曝光條件，對所述光掩?；蚺c所述光掩模近似的測試掩模進行曝光，通過拍攝裝置獲取所述光掩?；蛩鰷y試掩模的透過光圖形，生成含有基于獲取的透過光圖形的透過光圖形數(shù)據(jù)的光掩模信息；和將所述光掩模信息與所述光掩模建立對應。
16、如權(quán)利要求15所述的電子器件的制造支援方法，其特征在于，所述電子器件是液晶顯示裝置。
17、如權(quán)利要求15所述的電子器件的制造支援方法，其特征在于，所述半透光部具有在透明基板上形成了半透光膜的部分，該半透光膜在所述透光部的曝光光透過率設定為100%時具有低于100%的規(guī)定的透過率。
18、如權(quán)利要求15所述的電子器件的制造支援方法，其特征在于，所述半透光部具有在透明基板上形成了在所述規(guī)定的曝光條件下的析像界限以下的尺寸的微細的遮光圖形的部分。
19、一種電子器件的制造方法，其具有以下工序?qū)υ谑┬辛宋g刻加工的被加工層上形成的抗蝕膜，用具有由遮光部、透光部及半透光部構(gòu)成的規(guī)定的轉(zhuǎn)印圖形的光掩模在規(guī)定的曝光條件下進行曝光，將所述抗蝕膜形成為具有在所述蝕刻加工中成為掩模的抗蝕殘膜量的不同部位的抗蝕圖形，該電子器件的制造方法，還包括以下工序基于權(quán)利要求1所述的獲取方法獲取的光掩模信息，決定曝光條件，并根據(jù)所述決定的曝光條件對所述光掩模進行曝光。
20、如權(quán)利要求19所述的電子器件的制造方法，其特征在于，基于所述光掩模信息，決定所述抗蝕膜的顯影條件、或所述蝕刻加工中的蝕刻條件。
21、一種光掩模制品，其特征在于，包括通過權(quán)利要求l所述的獲取方法獲取的光掩模信息、和所述光掩模。
全文摘要
本發(fā)明提供光掩模信息的獲取方法、光掩模的品質(zhì)表示方法、電子器件的制造支援方法、電子器件的制造方法及光掩模制品，用與規(guī)定的曝光條件近似的曝光條件對光掩模進行曝光，通過拍攝裝置獲取該光掩模的透過光圖形，并基于獲取的透過光圖形得到透過光圖形數(shù)據(jù)。
文檔編號G03F1/38GK101373324SQ20081013403
公開日2009年2月25日申請日期2008年7月22日優(yōu)先權(quán)日2007年7月23日
發(fā)明者井村和久, 吉田光一郎申請人:Hoya株式會社

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