專利名稱：：面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，更具體地說，涉及能夠提高液晶顯示裝置的光透射率和對比度的面內(nèi)切換模式的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
：液晶顯示裝置通過調(diào)整液晶的光透射率來顯示圖像。根據(jù)液晶分子的排列，液晶顯示裝置具有多種模式。例如，液晶顯示裝置具有通過垂直電場來控制液晶取向(director)的扭曲向列(TN)模式以及通過水平電場來控制液晶取向的面內(nèi)切換模式。TN模式液晶顯示裝置通過在像素電極與公共電極(像素電極和公共電極被設(shè)置在上基板和下基板上以彼此相對)之間形成的垂直電場，來驅(qū)動液晶。TN模式液晶顯示裝置具有孔徑比(openingratio)大的優(yōu)點，但是具有視角小的缺點。面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置包括彼此相對設(shè)置的濾色器陣列基板和薄膜陣列基板，其間設(shè)置有液晶層。濾色器陣列基板包括用于防止光泄漏的黑底和用于向黑底施加(impart)顏色的濾色器層。薄膜晶體管基板包括限定了單位像素的選通線和數(shù)據(jù)線；形成在選通線與數(shù)據(jù)線的交叉位置處的薄膜晶體管；以及被形成為彼此平行以生成水平電場的公共電極與像素電極。通過使用公共電極和像素電極的水平電場的液晶驅(qū)動方法，面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置具有良好的視角特性。參照圖1，水平電場施加型的液晶顯示裝置包括彼此相對的薄膜晶體管陣列10和濾色器陣列15，而液晶9插設(shè)在其間。濾色器陣列15包括依次形成在上基板1上的黑底3、濾色器5以及涂覆層(overcoatlayer)7。黑底3防止光泄漏以及相鄰濾色器之間的光干涉(lightinterference)。濾色器5包括紅色(R)濾色器、綠色(G)濾色器和藍(lán)色(B)濾色器，使得穿過濾色器5的光可以表現(xiàn)出顏色。涂覆層7用來使具有黑底3和濾色器5的上基板1平面化(planarize)。薄膜晶體管陣列IO包括在下基板11上彼此交叉以限定像素區(qū)的選通線12和數(shù)據(jù)線14;分別連接到選通線12和數(shù)據(jù)線14的薄膜晶體管(TFT);連接到薄膜晶體管(TFT)的像素電極18;平行于像素電極18的公共電極19;以及連接到公共電極19的公共線16。薄膜晶體管(TFT)響應(yīng)于來自選通線12的選通信號，將來自數(shù)據(jù)線14的數(shù)據(jù)信號提供給像素電極18。在通過薄膜晶體管(TFT)而提供有數(shù)據(jù)信號的像素電極18與通過公共線16而提供有基準(zhǔn)電壓的公共電極19之間形成電場。可以在不同層或相同層上形成公共電極19和像素電極18。如果在不同層上形成公共電極19和像素電極18，則公共電極19被連接到公共線16并從公共線16向其提供基準(zhǔn)電壓。另一方面，如果在相同層上形成公共電極19和像素電極18，則公共電極19通過用于曝露公共線16的接觸孔(contacthole)連接到公共線16，并從公共線16向其提供基準(zhǔn)電壓。如果在像素電極18與公共線16之間形成電場，則液晶9被該電場旋轉(zhuǎn)。根據(jù)數(shù)據(jù)信號來控制液晶9的旋轉(zhuǎn)。上偏振板2a和下偏振板2b分別安裝在上基板1的外表面和下基板11的外表面，以透射在特定方向上振動(vibrate)的光。一般來說，上偏振板2a的透射軸x和下偏振板2b的透射軸y被設(shè)置為彼此垂直。偏振板2a和2b的透射軸x和y以及液晶9的初始設(shè)置狀態(tài)是用于確定液晶顯示裝置的顯示模式的因素。一般來說，面內(nèi)切換模式的液晶顯示裝置具有常黑模式(如果未形成電場，則常黑模式在屏幕上顯示黑色)。如果在常黑模式下在像素電極18與公共電極19之間形成了電場，則液晶9被設(shè)置為與該電場平行。在這種情況下，應(yīng)當(dāng)由該電場以比初始設(shè)置狀態(tài)的特定角度更大的角度來驅(qū)動液晶9，以影響光透射率。穿過被設(shè)置為與該電場平行的液晶9的光主要穿過下偏振板2b以表現(xiàn)灰度(gradation)。然而，因為穿過液晶9的一部分的光不能穿過下偏振板2b，所以不可能影響面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置的光透射率。由于像素電極18、公共電極19以及公共線16的結(jié)構(gòu)特性而導(dǎo)致在特定區(qū)域內(nèi)的不期望的方向上形成電場，所以生成了不能影響光透射率的液晶9。圖2A和2B例示其中在不期望的方向上形成電場的區(qū)域的放大圖。此外，在圖2A和2B中，用雙向箭頭(H)來表示電場的方向。參照圖2A和2B，像素電極18和公共電極19包括在像素區(qū)中彼此平行地形成的多個指狀部分(finger)18a和19a。同時，為了將信號施加到像素電極指狀部分18a和公共電極指狀部分19a，需要提供被形成為與各個電極的指狀部分18a和19a相垂直的連接部分，以連接各個電極的指狀部分18a和19a并向其提供信號。例如，如圖2A中所示，像素電極18和公共電極19可以被形成在相同層上。在這種情況下，像素電極18包括多個像素電極指狀部分18a和像素電極連接部分18b，像素電極連接部分18b被形成為與像素電極指狀部分18a相垂直，以連接像素電極指狀部分18a。此外，公共電極19包括多個公共電極指狀部分19a。作為另一示例，如圖2B中所示，像素電極18和公共電極19可以被形成在不同層上。在這種情況下，公共電極19包括彼此平行的多個公共電極指狀部分19a。公共電極指狀部分19a被連接到被形成為與公共電極指狀部分19a相垂直的公共線16，并且被提供有基準(zhǔn)電壓。此外，像素電極18包括像素電極連接部分和與公共電極指狀部分19a相平行的像素電極指狀部分18a，像素電極連接部分被形成為與像素電極指狀部分18a相垂直，以連接像素電極指狀部分18a。當(dāng)信號被提供給面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置的像素電極18和公共電極19時，施加到大部分像素區(qū)的電場的方向面向像素電極指狀部分18a和公共電極指狀部分19a。然而，在與公共線16和像素電極連接部分18b相鄰的區(qū)域中，電場的方向面向公共線16和像素電極連接部分18b。因此，將公共線16和像素電極連接部分18b形成為與指狀部分18a和19a相垂直，而使形成在公共電極指狀部分19a與像素電極指狀部分18a之間的電場扭曲。由于公共線16與像素電極連接部分18b而導(dǎo)致的電場的扭曲使得在與公共線16與像素電極連接部分18b相鄰的區(qū)域(即像素區(qū)邊緣部分)中的電場方向不一致(nonuniform)。在具有方向不一致的電場的區(qū)域內(nèi)，產(chǎn)生了其中在不能夠影響光透射率的方向上驅(qū)動液晶的低效驅(qū)動區(qū)域A，并產(chǎn)生了其中在其邊界處不透射光的相反方向上驅(qū)動液晶的向錯(disclination)區(qū)域B。低效驅(qū)動區(qū)域A和向錯區(qū)域B劣化了液晶顯示裝置的光透射率和對比度，從而降低面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明致力于面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置及其制造方法，其基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點而造成的一個或更多個問題。本發(fā)明的目的是提供能夠提高液晶顯示裝置的光透射率和對比度的面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置。本發(fā)明的其它優(yōu)點、目的及特征將在以下的說明書中部分地進(jìn)行闡述，并且對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，將通過對以下說明書進(jìn)行研究而部分地變得明了，或者可以通過對本發(fā)明的實踐而得知。本發(fā)明的這些目的和其它優(yōu)點可以通過在書面說明書、權(quán)利要求書及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。為實現(xiàn)這些目的和其他優(yōu)點，并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此所具體實施和廣泛描述的，一種面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置包括多條選通線和多條數(shù)據(jù)線，這些選通線與數(shù)據(jù)線在基板上彼此交叉以限定像素區(qū)；多個薄膜晶體管，其形成在所述選通線與所述數(shù)據(jù)線的交叉部分處；多條第一公共線，其形成在與所述選通線相同的層上；多個第一電極，這些第一電極具有多個第一指狀部分，并且在所述像素區(qū)中在所述第一指狀部分的一端包括L形突出圖案；以及多個第二電極，這些第二電極具有與所述第一指狀部分交替形成的第二指狀部分，并且在所述像素區(qū)中在所述第二指狀部分的一端包括l形圖案，其中，所述L形突出圖案和所述l形圖案與所述第一公共線部分地交疊。根據(jù)本發(fā)明的面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置具有以下效果。從所述指狀部分延伸的L形邊緣圖案被交替地設(shè)置在所述像素區(qū)的下邊緣部分，并且從所述指狀部分延伸并具有傾斜部分(inclination)的所述邊緣圖案被交替地設(shè)置在所述像素區(qū)的上邊緣部分。因此，可以提高電場方向的一致性(uniformity)并極大地減小低效驅(qū)動區(qū)和向錯區(qū)。因此，根據(jù)本發(fā)明各個實施方式的面內(nèi)切換模式的薄膜晶體管基板可以提高水平電場施加型液晶顯示裝置的光透射率和對比度。應(yīng)該理解，對本發(fā)明的以上概述和下面的詳述都是示例性和說明性的，并旨在對所要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的說明。包括附圖以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并入附圖而構(gòu)成本申請的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施方式并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1示意性地例示了常規(guī)面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置；圖2A和2B例示了用于解釋在常規(guī)面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置中的像素區(qū)的下邊緣部分分中形成的電場的圖3例示了根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板的平面圖4例示了沿圖3的線i-1'和n-ir截取的截面圖5例示了用于解釋在根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板中的像素區(qū)的下邊緣部分中形成的電場的圖6例示了根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板的平面圖「圖7例示了沿圖6的線in-ur、iv-iv'以及v-v，截取的截面圖8例示了用于解釋在根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板中的像素區(qū)的下邊緣部分分中形成的電場的圖-，圖9A到12B例示了用于制造根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的薄膜晶體管基板的方法的圖13例示了根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的面內(nèi)切換模式的薄膜晶體管基板的平面圖14例示了圖13的像素區(qū)中的下邊緣部分的放大圖15例示了根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的面內(nèi)切換模式的薄膜晶體管基板的平面圖16例示了圖15的像素區(qū)中的下邊緣部分的放大圖17例示了根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的面內(nèi)切換模式的薄膜晶體管基板的平面圖18例示了圖17的像素區(qū)中的上邊緣部分的放大圖；以及圖19A到20C例示了用于解釋制造根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的薄膜晶體管基板的方法的圖。具體實施例方式現(xiàn)在詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，在附圖中說明這些實施方式的示例。在附圖中，將盡可能地使用相同的附圖標(biāo)記來指明相同或類似的部分。以下將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實施方式的面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置。<第一實施方式>圖3例示了根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板的平面圖，而圖4例示了沿圖3的線i-1鄰n-n，截取的截面圖。參照圖3和4，根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板在基板41上包括彼此交叉以限定像素區(qū)的多條選通線32和多條數(shù)據(jù)線34;在選通線32與數(shù)據(jù)線34的各個交叉部分處形成的薄膜晶體管(TFT);以及在與選通線32相同的層上形成的公共線36。此外，薄膜晶體管基板在每個像素區(qū)中包括多個第一指狀部分39;與第一指狀部分39交替形成的第二指狀部分38a;在第一指狀部分39的一端以"L"狀突出的第一邊緣圖案35;以及在第二指狀部分38a的一端以與第一邊緣圖案35相同形狀的"L"狀突出的第二邊緣圖案38c(37a和37b)。在這種情況下，第一指狀部分39的第一邊緣圖案35及第二電極38的第二指狀部分38a的第二邊緣圖案38c與公共線36部分地交疊。在本實施方式中，第一電極和第二電極可以分別被定義為公共電極和像素電極，反之亦然。這些定義也可以適用于以下的其他實施方式。此外，第一指狀部分(公共電極指狀部分)39的一側(cè)的第一邊緣圖案35被形成為與公共線36成為一體。此外，在像素區(qū)中，公共線36包括與限定像素區(qū)的選通線32間隔開并被對稱地形成在上側(cè)和下側(cè)的第一公共線和第二公共線。以下為了簡便，將第一公共線和第二公共線通稱為公共線36。此外，第二電極38包括與公共線36的水平部分平行的像素電極連接部分38b;連接到像素電極連接部分38b并被形成為與第一指狀部分39平行的多個第二指狀部分(像素電極指狀部分)38a;以及形成在第二指狀部分38a的一端的第二邊緣圖案38c。在這種情況下，與位于上側(cè)和下側(cè)的公共線相對應(yīng)地在不分離的情況下對稱地形成第一邊緣圖案35和第二邊緣圖案38c。g卩，在第一指狀部分39的另一端和第二指狀部分38a的另一端相對應(yīng)地形成相同的L形圖案。此外，在公共線36與同公共線36相交疊的像素電極連接部分38b之間形成存儲電容器Cst。通過當(dāng)向第一指狀部分39和第二電極38的第二指狀部分38a施加電壓時在其間形成水平電場，來驅(qū)動第一指狀部分39和第二電極38的第二指狀部分38a。在這種情況下，形成選通線32和數(shù)據(jù)線34，而柵極絕緣膜43插設(shè)在其間。薄膜晶體管(TFT)被連接到選通線32和數(shù)據(jù)線34。第二電極38被連接到薄膜晶體管(TFT)。選通線32和數(shù)據(jù)線34被連接到焊盤端子(該焊盤端子被連接到薄膜晶體管陣列的外部的驅(qū)動電路)，以向薄膜晶體管(TFT)提供選通信號和數(shù)據(jù)信號。此外，公共線36與選通線32相分離，并在與選通線32相同的層上形成，以向第一指狀部分39提供用于驅(qū)動液晶的基準(zhǔn)電壓。響應(yīng)于選通線32的選通信號，薄膜晶體管(TFT)向第二電極38提供數(shù)據(jù)線34的數(shù)據(jù)信號。針對該操作，薄膜晶體管(TFT)包括連接到選通線32的柵極32G;連接到數(shù)據(jù)線34的源極34S;連接到第二電極38的漏極34D;以及半導(dǎo)體圖案48，半導(dǎo)體圖案48與柵極32G相交疊，而柵極絕緣膜43插設(shè)在其間，并且半導(dǎo)體圖案48連接到源極34S和漏極34D。半導(dǎo)體圖案48包括有源層46和在有源層46上形成的歐姆接觸層47。有源層46曝露在源極34S和漏極34D之間，以形成半導(dǎo)體溝道。歐姆接觸層47使得有源層46和源極34S之間以及有源層46和漏極34D之間能夠進(jìn)行歐姆接觸。根據(jù)制造工藝的特性，半導(dǎo)體圖案48被交疊地設(shè)置在包括了源極34S、漏極34D和數(shù)據(jù)線34的源/漏導(dǎo)電圖案組的下方。公共線36與選通線32相分離，并被形成為與選通線32平行。第一邊緣圖案35被形成在公共線36與第一指狀部分39之間。第一邊緣圖案35包括第二邊緣部分35b和從第一指狀部分39延伸的第一邊緣部分35a，第二邊緣部分35b被形成為與第一邊緣部分35a成鈍角的公共線36的水平部分。因為第一邊緣部分與第二邊緣部分之間的角度范圍從100到115度，所以按照"L"狀來形成第一邊緣部分和第二邊緣部分。第一邊緣圖案35和第二邊緣圖案38c提高了電場方向的一致性。第二電極38通過像素接觸孔30連接到漏極34D，像素接觸孔30穿過覆蓋了源/漏導(dǎo)電圖案的鈍化膜45以曝露漏極34D。因此，通過漏極34D向第二電極38提供數(shù)據(jù)信號。在像素電極連接部分38b與第二指狀部分38a之間，第二邊緣圖案38c包括第二邊緣部分37b和從第二指狀部分38a延伸的第一邊緣部分37a，第二邊緣部分37b被形成為平行于與第一邊緣部分37a成鈍角的像素電極連接部分。第一邊緣部分和第二邊緣部分37a和37b具有范圍從100到115度的角度，由此形成"L"形。在這種情況下，公共線36與第二邊緣圖案38c的第二邊緣部分37b相交(meet)。公共線36包括具有經(jīng)減小的寬度的縮減部分36a。縮減部分36a與第一邊緣圖案35的第二邊緣部分35b(其在縮減部分36a的左側(cè)和右側(cè)與之相鄰)在平面圖上具有臺階形狀。第一邊緣圖案35和第二邊緣圖案38c被交替地設(shè)置，并且第一指狀部分39和第二指狀部分38a也被交替地設(shè)置。因此，當(dāng)將信號施加到第二電極(像素電極)38和公共線36時，如圖5中所示，在第一指狀部分39與第二指狀部分38a之間形成水平電場。此外，在第一邊緣圖案35與第二邊緣圖案38c之間也形成具有與在第一指狀部分39與第二指狀部分38a之間形成的電場類似方向的電場。為了參考，圖5中的雙向箭頭(e)表示在基準(zhǔn)電壓被提供給公共線36并且隨機(jī)數(shù)據(jù)電壓被提供給第二電極38的情況下的電場方向。通過使像素電極連接部分38b和公共線36彼此交疊而將鈍化膜45和柵極絕緣膜43插設(shè)在其間，來構(gòu)造存儲電容器Cst。存儲電容器Cst使得通過薄膜晶體管(TFT)充入在第二電極38中的數(shù)據(jù)信號能夠被穩(wěn)定地保持在第二電極38中。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的面內(nèi)切換模式薄膜晶體管基板中，L形第一邊緣圖案35和L形第二邊緣圖案38c被分別連接到第一指狀部分39和第二指狀部分38a的端部。因此，可以在其中像素電極連接部分38b與公共線36相鄰的區(qū)域(即，像素區(qū)的下邊緣部分)內(nèi)在與其它區(qū)域的方向類似的方向上形成電場。在這種情況下，像素區(qū)的下邊緣部分是指以下區(qū)域:這些區(qū)域到第一邊緣圖案35和第二邊緣圖案38c的第一邊緣部分35a和37a的端部以及第二邊緣部分35b和37b的一端的距離d為2628"m。因此，可以提高在像素區(qū)中形成的電場的方向的一致性，并極大地減小低效驅(qū)動區(qū)和向錯區(qū)。<第二實施方式>圖6例示了根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板的平面圖，而圖7例示了沿圖6的線m-nr、iv-iv'以及V-V'截取的截面圖。參照圖6和7，根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的薄膜晶體管基板包括在基板71上彼此交叉以限定像素區(qū)的多條選通線62和多條數(shù)據(jù)線64，而柵極絕緣膜73插設(shè)在其間；連接到選通線62和數(shù)據(jù)線64的薄膜晶體管(TFT);連接到薄膜晶體管(TFT)的第二電極68;與第二電極68形成水平電場的公共電極69;連接到公共電極69的公共線66;以及通過使第二電極68與公共線66交疊而構(gòu)造的存儲電容器Cst。根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的選通線62、數(shù)據(jù)線64、薄膜晶體管(TFT)以及存儲電容器Cst的詳細(xì)描述與本發(fā)明第一實施方式的描述相同。公共線66被形成為與選通線62相分離。此外，公共線66包括第一指狀部分69a;以及彼此相對的第一水平部分166與第二水平部分266，而用于形成第二指狀部分68a的區(qū)域插設(shè)在其間。第一水平部分166和第二水平部分266通過位于像素區(qū)的邊緣處的屏蔽圖案(shieldpattern)366彼此連接。在這種情況下，第一指狀部分69a和第二指狀部分68a由相同層上的透明電極形成。在這種情況下，第一邊緣圖案165包括具有從第一指狀部分69a開始的延伸方向的第一邊緣部分165a;以及具有公共線66的第一水平部分166的行進(jìn)方向(travelingdirection)并從其突出的第二邊緣部分165b。在這種情況下，第一邊緣部分165a與第二邊緣部分165b形成鈍角。第一邊緣部分165a與第二邊緣部分165b具有范圍從100到115度的角，由此形成"L"形。以下要描述的第二電極68的第一邊緣圖案165和第二邊緣圖案68c提高了電場方向的一致性。第一電極69包括與第二水平部分266交疊的公共電極連接部分69b;以及連接到公共電極連接部分69b并被形成為彼此平行的多個第一指狀部分69a。此外，在像素區(qū)的邊緣中，在第一水平部分166與屏蔽圖案366之間形成圖3中所描述的L形突出圖案。在像素區(qū)中，在第一指狀部分69a的一端形成l形圖案，并且第一邊緣圖案165從第一水平部分166突出以與第一指狀部分69a在不分離的情況下交疊。第一邊緣圖案165被形成為與第一水平部分166成為一體并由阻光(lightblocking)金屬制成。公共電極連接部分69b通過穿過了鈍化膜75和柵極絕緣膜73的公共接觸孔70連接到公共線66。連接到公共電極連接部分69b的最外部的第一指狀部分69a被交疊地形成在屏蔽圖案366上，以有效地確保有效孔徑區(qū)。在這種情況下，在不分離的情況下形成第一邊緣圖案165和第一指狀部分69a。從第一水平部分166向第一邊緣圖案165提供公共電壓信號。因此，第一邊緣圖案165也可以具有一致的電場效應(yīng)，與在第二指狀部分68a中一樣，由此使向錯區(qū)最小化。第二電極68包括與第一水平部分166平行的像素電極連接部分68b;連接到像素電極連接部分68b并被形成為與第一指狀部分69a平行的多個第二指狀部分68a。在像素電極連接部分68b與第二指狀部分68a之間形成第二邊緣圖案68c。第二邊緣圖案68c包括第二邊緣部分67b和從第二指狀部分68a延伸的第一邊緣部分67a，第二邊緣部分67b被形成為平行于與第一邊緣部分67a成鈍角的像素電極連接部分68b。第一邊緣部分67a與第二邊緣部分67b具有范圍從100到115度的角度，由此形成"L"形。第二電極68通過像素接觸孔60連接到漏極64D，像素接觸孔60穿過覆蓋了源/漏導(dǎo)電圖案的鈍化膜75以曝露漏極64D。因此，通過漏極64D向第二電極68提供數(shù)據(jù)信號。在這種情況下，第一水平部分166和屏蔽圖案366彼此連接為一體。在它們的連接部分中，第一水平部分166具有L形突出圖案。第一水平部分166包括在第一水平部分166與用作第二邊緣圖案68c的水平部分的第二邊緣部分67b相交的位置處具有經(jīng)減小的寬度的縮減部分166a?？s減部分166a與第一邊緣圖案165的L形突出圖案或水平部分(其在縮減部分166a的左側(cè)和右側(cè)與之相鄰)在平面圖上具有臺階形狀。在這種情況下，第一邊緣圖案165和第二邊緣圖案68c被交替地設(shè)置，并且第一指狀部分69a和第二指狀部分68a也被交替地設(shè)置。因此，當(dāng)信號被施加到第二電極68和公共線66時，如圖8中所示，在第一指狀部分69a與第二指狀部分68a之間形成水平電場。此外，在第一邊緣圖案165與第二邊緣圖案68c之間也形成具有與第一指狀部分69a與第二指狀部分68a之間形成的電場類似方向的電場。為了參考，圖8中的雙向箭頭(H)表示在基準(zhǔn)電壓被提供給公共線66并且隨機(jī)數(shù)據(jù)電壓被提供給第二電極68的情況下的電場方向。在本發(fā)明的第二實施方式中，可以通過使用透明導(dǎo)電金屬形成第一指狀部分69a和第二指狀部分68a來進(jìn)一步提高像素區(qū)的光透射率。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的面內(nèi)切換模式薄膜晶體管基板中，L形第一邊緣圖案165和L形第二邊緣圖案68c被分別連接到第一指狀部分69a和第二指狀部分68a。因此，可以在其中像素電極連接部分68b與公共線的第一水平部分166相鄰的區(qū)域(即，像素區(qū)的下邊緣部分)中在與其它區(qū)域的方向類似的方向上形成電場。因此，可以提高在像素區(qū)中形成的電場的方向的一致性，并極大地減小低效驅(qū)動區(qū)和向錯區(qū)。在這種情況下，像素區(qū)的下邊緣部分是指以下區(qū)域這些區(qū)域到第一邊緣圖案165和第二邊緣圖案68c的第一和第二邊緣部分165a和68c的端部和第二邊緣部分165b和67b的一端的距離d為2628/im。從實驗結(jié)果可以看出，包括了根據(jù)本發(fā)明第一和第二實施方式的面內(nèi)切換模式的薄膜晶體管的液晶顯示裝置的下邊緣部分的光透射率增加了50%或更多，并且總的光透射率根據(jù)液晶顯示裝置的型號不同地增加，如表1中所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>以下將參照圖9A到12B描述用于制造根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的薄膜晶體管基板的方法。參照圖9A和9B，通過第一掩模工藝在基板41上形成包括了選通線32、柵極32G、公共線36、第一指狀部分39和第一邊緣圖案35的第一導(dǎo)電圖案。在這種情況下，公共線36包括在第一指狀部分39與縮減部分36a之間以"L"形突出的第一邊緣圖案35，縮減部分36a在相鄰的第一邊緣圖案35之間具有比第一邊緣圖案35的水平部分相對更小的寬度。通過在基板41上形成柵極金屬層(gatemetallayer)，然后通過包括光刻工藝和蝕刻工藝的第一掩模工藝對柵極金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，來形成第一導(dǎo)電圖案。使用諸如鉬(Mo)、鋁(Al)、鋁釹(Al-Nd)、銅(Cu)、鉻(Cr)以及鈦(Ti)及其合金的金屬來將柵極金屬層形成為單層或多層。參照圖IOA和IOB，在基板41上形成柵極絕緣膜43，以覆蓋第一導(dǎo)電圖案。然后，通過第二掩模工藝，在柵極絕緣膜43上形成半導(dǎo)體圖案48和包括了數(shù)據(jù)線34、源極34S和漏極34D的第二導(dǎo)電圖案。柵極絕緣膜43由諸如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的無機(jī)絕緣材料制成。通過將半導(dǎo)體層和源/漏金屬層淀積在柵極絕緣膜43上，然后通過包括光刻工藝與蝕刻工藝的第二掩模工藝對該半導(dǎo)體層和源/漏金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，來形成半導(dǎo)體圖案48和第二導(dǎo)電圖案。通過對非晶硅和摻有雜質(zhì)(n+或p+)的非晶硅進(jìn)行淀積來形成半導(dǎo)體層。使用諸如鉬(Mo)、鋁(Al)、鋁-釹(Al-Nd)、銅(Cu)、鉻(Cr)和鈦(Ti)、Mo-Ti合金、Mo-Nb合金和Ti-Nb合金及其合金的金屬來將源/漏金屬層形成為單層或多層。第二掩模工藝采用半色調(diào)掩模(halftonemask)或衍射曝光掩模(diffractionexposuremask),由此通過單個掩模工藝來形成半導(dǎo)體圖案48和第二導(dǎo)電圖案。因此，半導(dǎo)體圖案48被交疊地設(shè)置在第二導(dǎo)電圖案的下方。參照圖11A和11B，在柵極絕緣膜43上形成鈍化膜45，以覆蓋半導(dǎo)體圖案48和第二導(dǎo)電圖案。然后，通過第二掩模工藝來形成像素接觸孔30?？梢酝ㄟ^用諸如等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積(PECVD)法的淀積方法對諸如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的無機(jī)絕緣材料進(jìn)行淀積，來形成鈍化膜45。此外，可以通過使用諸如旋涂方法(spincoatingmethod)或非旋涂方法(spinlesscoatingmethod)的涂覆方法涂覆有機(jī)絕緣材料(諸如具有小介電常數(shù)的丙烯酸有機(jī)化合物、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene，BCB)、全氟環(huán)丁烷(Perfluorocyclobutane，PFBC)、特氟綸(Teflon)以及Cytop)，來形成鈍化膜45。通過包括光刻工藝和蝕刻工藝的第三掩模工藝對鈍化膜45進(jìn)行構(gòu)圖，來形成像素接觸孔30。參照圖12A和12B，通過第四掩模工藝在鈍化膜45上形成包括了第二指狀部分38a、像素電極連接部分38b和第二邊緣圖案38c的第三導(dǎo)電圖案。通過在鈍化膜45上形成透明導(dǎo)電金屬層，然后通過包括光刻工藝和蝕刻工藝的第四掩模工藝對透明導(dǎo)電金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，來形成第三導(dǎo)電圖案。透明導(dǎo)電金屬層采用銦錫氧化物(ITO)、氧化錫(TO)、銦鋅氧化物(IZO)以及銦錫鋅氧化物(ITZO)。以下將描述根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的薄膜晶體管基板。參照圖6到8，根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的第一導(dǎo)電圖案被形成為包括選通線62;柵極62G;具有分別在像素區(qū)的下側(cè)和上側(cè)并在水平方向上形成的第一水平部分166和第二水平部分266的公共線66;連接第一水平部分166和第二水平部分266的屏蔽圖案366;以及從第一水平部分166向像素區(qū)當(dāng)中的中央部分的像素區(qū)突出的第一邊緣圖案165。通過與圖IOA和10B中描述的方法相同的方法來形成根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的半導(dǎo)體圖案78和第二導(dǎo)電圖案。根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的第二導(dǎo)電圖案與圖IOA和10B中所述的第二導(dǎo)電圖案相同。通過使用包括光刻工藝和蝕刻工藝的第三掩模工藝對鈍化膜75和柵極絕緣膜73中的至少一個進(jìn)行蝕刻，來形成根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的像素接觸孔60和公共接觸孔70。根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的第三導(dǎo)電圖案被形成為包括如圖6到8中所示的第二電極68和第一電極69。在這種情況下，第三導(dǎo)電圖案由諸如ITO或IZO的透明金屬制成。此外，第二電極68包括在第一水平部分166的上方形成的像素電極連接部分68b;與像素區(qū)中的數(shù)據(jù)線64平行的第二指狀部分68a;以及被形成為在第二指狀部分68a與像素電極連接部分68b之間的L形突出圖案的第二邊緣圖案68c。在這種情況下，第二邊緣圖案68c與第一邊緣圖案165平行，并且被形成為與第二指狀部分68a和像素電極連接部分68b成為一體。此外，第一電極69被形成為包括與第二指狀部分68a平行的第一指狀部分69a;以及在第二水平部分266的上方形成的公共電極連接部分69b。此外，第一指狀部分69a包括一個l形端部，以在不分離的情況下與第一邊緣圖案165相交疊。第一邊緣圖案165的第一指狀部分69a和第一邊緣部分165a被形成為彼此交疊，而柵極絕緣膜73和鈍化膜75插設(shè)在其間。<第三實施方式>圖13例示了根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的面內(nèi)切換模式的薄膜晶體管基板的平面圖，而圖14例示了圖13的像素區(qū)中的下邊緣部分的放大圖。根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的薄膜晶體管基板的截面圖與第二實施方式的截面圖相同。因此，與第二實施方式相比，省略了對重復(fù)組件的描述。參照圖13和14，在第一指狀部分69a與公共線66的第一水平部分166之間形成第一邊緣圖案186。第一邊緣圖案186包括從第一指狀部分69a延伸的第一邊緣部分186a;以及連接到公共線66的第一水平部分166并以120130度的鈍角向第一邊緣部分186a的第二邊緣部分186b傾斜。在像素電極連接部分68b與第二指狀部分68a之間形成第二邊緣圖案96。第二邊緣圖案96包括從第二指狀部分68a延伸的第一邊緣部分96a;以及連接到像素電極連接部分68b并以120130度的鈍角向第一邊緣部分96a的第二邊緣部分96b傾斜。艮口，第二邊緣部分96b被彎曲，使得第二邊緣部分96b與第一水平部分166具有不同的角度。第一邊緣部分96a與第二邊緣部分96b之間的鈍角比第一邊緣部分96a與第一水平部分166之間的角度大。如上所述，通過將第一邊緣圖案186和第二邊緣圖案96的第一邊緣部分186a和96a與第二邊緣部分186b和96b之間的角度形成為比第一和第二實施方式的角度更大，在第一邊緣圖案186與第二邊緣圖案96之間也形成了具有與在第一指狀部分69a與第二指狀部分68a之間形成的水平電場類似方向的電場。即，與第一和第二實施方式中的像素區(qū)的下邊緣部分內(nèi)的光透射率相比，光透射率增加了911%。因此，可以極大地減小下邊緣部分中的低效驅(qū)動區(qū)和向錯區(qū)。<第四實施方式>圖15例示了根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的面內(nèi)切換模式的薄膜晶體管基板的平面圖，而圖16例示了圖15的像素區(qū)中的下邊緣部分的放大圖。根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的薄膜晶體管基板的截面圖與第二實施方式的截面圖相同。因此，與第二實施方式相比較，省略了重復(fù)組件的描述。參照圖15和16，在公共線66的第一水平部分166與第一指狀部分69a之間形成第一邊緣圖案176。第一邊緣圖案176包括從第一指狀部分69a延伸的第一邊緣部分176a;以135160度的鈍角向第一邊緣部分176a的第二邊緣部分176b傾斜；以及連接到第二邊緣部分176b并被形成為與公共線66的第一水平部分166平行的第三邊緣部分176c。在像素電極連接部分68b與第二指狀部分68a之間形成第二邊緣圖案85。第二邊緣圖案85包括從第二指狀部分68a延伸的第一邊緣部分85a;以135160度的鈍角向第一邊緣部分85a的第二邊緣部分85b傾斜；以及連接到第二邊緣部分85b并被形成為與像素電極連接部分68b平行的第三邊緣部分85c。如上所述，通過將第一邊緣圖案176和第二邊緣圖案85的第一邊緣部分176a和85a與第二邊緣部分176b和85b之間的角度形成為比第一到第三實施方式的角度大，在第一邊緣圖案176與第二邊緣圖案85之間也形成了具有與在第一指狀部分69a與第二指狀部分68a之間形成的水平電場類似方向的電場。即，與第一和第二實施方式中的像素區(qū)的下邊緣部分內(nèi)的光透射率相比，光透射率增加了1113%。因此，可以極大地減小下邊緣部分中的低效驅(qū)動區(qū)和向錯區(qū)。<第一到第四實施方式的修改實施例>如上所述，第一指狀部分的一端和第二指狀部分的一端包括至少一個L形突出圖案?？梢耘c該一端對稱地形成第一指狀部分的另一端和第二指狀部分的另一端。此外，如在第二到第四實施方式中(參見圖6、13和15)，可以在不與公共線的第二水平部分266分離的情況下以條形(barshape)來形成第一指狀部分的該另一端和第二指狀部分的該另一端。參照圖6，彼此平行地形成公共電極指狀部分69a和第二指狀部分68a。各個指狀部分69a和68a的該另一端具有沿著69a和68a的行進(jìn)方向延伸的條形，并且在不與第二水平部分266分離的情況下形成。此外，在不與第二水平部分266分離的情況下以l形來形成第二指狀部分68a的另一端。第一指狀部分69a連接到第二水平部分266上的公共電極連接部分69b，并且第一指狀部分69a和公共電極連接部分69b被形成為一體。在這種情況下，第二指狀部分68a的另一端被形成為不與第二水平部分266分離。根據(jù)環(huán)境，可以在不交疊的情況下將第二指狀部分68a的另一端形成為與第二水平部分266的邊界相接觸。如上所述，在不與用作公共線的第二水平部分266分離的情況下形成第二指狀部分68a，使得像素電壓和公共電壓在沒有空間遺漏(spatialomission)的情況下電形成一致方向的電場，以最小化向錯。在這種情況下，將第一指狀部分69a形成為與由透明金屬在相同層上形成的公共電極連接部分69b成為一體。公共電極連接部分69b與第二水平部分266交疊，并與第二指狀部分68a分離。因此，從與第二指狀部分68a相交的第二水平部分266的邊界向內(nèi)形成公共電極連接部分69b。在這種情況下，第一指狀部分69a被形成為與第二水平部分266上的公共電極連接部分69b成為一體。從平面圖可以看出，第一指狀部分69a與第二水平部分266交疊。同時，盡管參照第二到第四實施方式中使用的附圖來描述以上修改的實施例，但是可以通過改變與像素區(qū)的上公共線相對應(yīng)的第二指狀部分和第一指狀部分的形狀來將該修改的實施例應(yīng)用于第一實施方式，由此獲得相同的效果。<第五實施方式>圖17例示了根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的面內(nèi)切換模式的薄膜晶體管基板的平面圖，而圖18例示了圖17的像素區(qū)中的下邊緣部分的放大圖。根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的薄膜晶體管基板的截面圖與第二實施方式的截面圖相同。因此，與第二實施方式相比，省略了對重復(fù)組件的描述。參照圖17和18，在像素區(qū)的上邊緣部分中的公共電極連接部分69b與第一指狀部分69a之間形成第三邊緣圖案89。第三邊緣圖案89被形成為在與公共電極連接部分69b的行進(jìn)方向不同的方向上傾斜。在這種情況下，第三邊緣圖案89的方向以2326度的角度朝公共電極連接部分6%的行進(jìn)方向傾斜。此外，第四邊緣圖案99被形成為從第二指狀部分68a延伸并與公共線66的第二水平部分266交疊。在這種情況下，第四邊緣圖案99除與公共線66的第二水平部分266交疊部分之外的長度為810,。第四邊緣圖案99被形成為以2030度(優(yōu)選的是，2326度)的角度朝第二指狀部分68a傾斜。第三和第四邊緣圖案89和99被交替地彼此平行地形成。在第三邊緣圖案89與第四邊緣圖案99之間也形成具有與在第一指狀部分69a與第二指狀部分68a之間形成的水平電場類似方向的電場。如上所述，從像素區(qū)的上邊緣部分中的第一指狀部分69a延伸的第三邊緣圖案89和從第二指狀部分68a延伸的第四邊緣圖案99被形成為以2326度的角度朝第一指狀部分69a和第二指狀部分68a傾斜。因此，與常規(guī)像素區(qū)的上邊緣部分內(nèi)的光透射率相比，光透射率增加了4850%。在這種情況下，第一邊緣圖案165和第二邊緣圖案68c可以被形成為第一到第四實施方式中的任意結(jié)構(gòu)的第一和第二邊緣圖案。在具有第四實施方式的第三和第四邊緣圖案與第一和第二邊緣圖案的結(jié)構(gòu)中，與具有第一和第二實施方式的第一和第二邊緣圖案的結(jié)構(gòu)相比，光透射率增加了12.6%。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明各個實施方式的面內(nèi)切換模式的薄膜晶體管基板中，在像素區(qū)的下邊緣部分中交替地形成從指狀部分延伸的L形邊緣圖案，并且在像素區(qū)的上邊緣部分中交替地形成從指狀部分延伸并具有傾斜部分的邊緣圖案。因此，可以提高電場方向的一致性并極大地減小低效驅(qū)動區(qū)和向錯區(qū)。因此，根據(jù)本發(fā)明各個實施方式的面內(nèi)切換模式的薄膜晶體管基板可以提高水平電場施加型液晶顯示裝置的光透射率和對比度。通過對第一到第四實施方式的修改實施例中的第一指狀部分的另一端和第二指狀部分的另一端進(jìn)行傾斜可以獲得第五實施方式。第五實施方式可以與第一到第四實施方式中描述的結(jié)構(gòu)同時應(yīng)用。g卩，第五實施方式的結(jié)構(gòu)被應(yīng)用到像素區(qū)的上側(cè)，而第一到第四實施方式或其修改實施例的結(jié)構(gòu)被應(yīng)用到像素區(qū)的下側(cè)，由此獲得相同的效果。以下將參照圖19A到20C來描述用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的薄膜晶體管基板的方法。參照圖19A和20A，第一導(dǎo)電圖案包括選通線62;柵極62G;具有分別在像素區(qū)的下側(cè)和上側(cè)并在水平方向上形成的第一水平部分166和第二水平部分266的公共線66;連接第一水平部分166和第二水平部分266的屏蔽圖案366;以及從第一水平部分166向像素區(qū)當(dāng)中的中央部分的像素區(qū)突出的第一邊緣圖案165。通過在基板71上形成柵極金屬層，然后通過包括光刻工藝和蝕刻工藝的第一掩模工藝對該柵極金屬層進(jìn)行構(gòu)圖，來形成第一導(dǎo)電圖案。使用諸如鉬(Mo)、鋁(Al)、鋁畫釹(Al-Nd)、銅(Cu)、鉻(Cr)以及鈦(Ti)及其合金的金屬將柵極金屬層形成為單層或多層。參照圖19B和20B，在基板71上形成柵極絕緣膜73，以覆蓋第一導(dǎo)電圖案。然后，通過第二掩模工藝在柵極絕緣膜73上形成半導(dǎo)體圖案78和包括數(shù)據(jù)線64、源極64S和漏極64D的第二導(dǎo)電圖案。柵極絕緣膜73由諸如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的無機(jī)絕緣材料制成。通過與圖IOA和10B中描述的方法相同的方法來形成根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的半導(dǎo)體圖案78和第二導(dǎo)電圖案。根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的第二導(dǎo)電圖案與圖IOA和10B中描述的第二導(dǎo)電圖案相同。參照圖19C和20C，在柵極絕緣膜73上形成鈍化膜75，以覆蓋半導(dǎo)體圖案78和第二導(dǎo)電圖案。然后，通過使用包括光刻工藝和蝕刻工藝的第三掩模工藝對鈍化膜75和柵極絕緣膜73中的至少一個進(jìn)行蝕刻來形成像素接觸孔60和公共接觸孔70?？梢酝ㄟ^用諸如等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積(PECVD)法的淀積方法對諸如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)的無機(jī)絕緣材料進(jìn)行淀積，來形成鈍化膜75。此外，可以通過使用諸如旋涂方法或非旋涂方法的涂覆方法涂覆有機(jī)絕緣材料(諸如具有小介電常數(shù)的丙烯酸有機(jī)化合物、苯并環(huán)丁烯、全氟環(huán)丁烷、特氟綸以及Cytop)，來形成鈍化膜75。根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的第三導(dǎo)電圖案被形成為包括第二電極68和第一電極69。在這種情況下，第三導(dǎo)電圖案由諸如ITO或IZO的透明金屬制成。此外，第二電極68包括在第一水平部分166的上方形成的像素電極連接部分68b;與像素區(qū)中的數(shù)據(jù)線64平行的第二指狀部分68a;以及被形成為在第二指狀部分68a與像素電極連接部分68b之間的L形突出圖案的第二邊緣圖案68c。在這種情況下，第二邊緣圖案68c與第一邊緣圖案165平行，并且被形成為與第二指狀部分68a和像素電極連接部分68b成為一體。此外，第一電極69被形成為包括與第二指狀部分68a平行的第一指狀部分69a;以及在第二水平部分266的上方形成的公共電極連接部分69b。通過包括光刻工藝和蝕刻工藝的第三掩模工藝在鈍化膜75上形成像素接觸孔60、第一邊緣部分67a、像素電極連接部分68b和第一指狀部分69a。將說明本發(fā)明各個實施方式的共同特征。根據(jù)本發(fā)明的面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板包括多條選通線和多條數(shù)據(jù)線，這些選通線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定像素區(qū)；多個薄膜晶體管，其形成在所述選通線與所述數(shù)據(jù)線的交叉部分處；多條公共線，其形成在與所述選通線相同的層上；多個第一電極指狀部分，這些第一電極指狀部分在所述像素區(qū)中具有多個分叉的第一指狀部分，并且具有形成在所述第一指狀部分的一端的L形突出圖案；以及多個第二電極指狀部分，這些第二電極指狀部分在所述像素區(qū)中具有與所述第一指狀部分交替形成的第二指狀部分，并且具有形成在所述第二指狀部分的一端的l形圖案。所述L形突出圖案和I形圖案與所述第一公共線基本上部分地交疊。在這種情況下，第一電極指狀部分和第二電極指狀部分可以分別被定義為公共電極和第二電極，反之亦然。在這種情況下，L形突出圖案和l形圖案可以被形成為朝第一公共線延伸。此外，在l形圖案為條形的情況下，第一公共線可以在不與L形突出圖案或l形圖案分離的情況下朝像素區(qū)延伸，或與像素區(qū)交疊。此外，第二電極指狀部分也具有和第一電極指狀部分相同的形狀。第二電極指狀部分的一端的條形圖案朝第一公共線延伸以與左側(cè)的L形突出圖案交疊，并以"-"形狀延伸以與右側(cè)的L形突出圖案交疊。在這種情況下，第一電極指狀部分的一端和第二指狀部分的一端都具有L形突出圖案。具體地說，在相同的層上將第一電極指狀部分形成為與第一公共線成為一體的情況下，第二電極指狀部分的一端優(yōu)選地包括L形突出圖案。此外，與第二電極指狀部分的"-"形圖案部分相對應(yīng)，第一公共線包括具有經(jīng)減小的寬度的縮減部分。縮減部分與L形突出圖案的水平部分(其在縮減部分的左側(cè)和右側(cè)與之相鄰)在平面圖上具有臺階形狀。同時，如平面圖中所示，可以在從與數(shù)據(jù)線平行的方向開始旋轉(zhuǎn)大約90度的方向上形成第一電極指狀部分和第二電極指狀部分。在這種情況下，第一公共線被形成為與選通線平行，并且被旋轉(zhuǎn)了大約90度的第一電極指狀部分和第二電極指狀部分具有向選通線傾斜的形狀，由此使無源區(qū)最小化。此外，在面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板中，可以將穿過像素區(qū)的第二公共線形成為在相同層的對稱位置處與第一公共線平行。在這種情況下，如在第一實施方式中，第一指狀部分的另一端和第二指狀部分的另一端可以被形成為包括與第一指狀部分的一端和第二指狀部分的一端相對稱的L形突出圖案，以與第二公共線部分地交疊。根據(jù)環(huán)境，所述另一端可以具有條形形狀，并且可以在不與第二公共線分離的情況下形成第一指狀部分和第二指狀部分。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，很明顯，可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下在本發(fā)明中做出各種修改和變化。因此，本發(fā)明旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求及其等同物范圍內(nèi)的本發(fā)明的這些修改和變化。相關(guān)申請的交叉引用本發(fā)明要求2007年7月20日遞交的韓國專利申請No.2007-072960和2008年4月3日遞交的韓國專利申請NO.2008-031141的優(yōu)先權(quán)，在此通過參引將其完整地并入本申請，如同在此完全進(jìn)行了闡述。權(quán)利要求1、一種面內(nèi)切換模式的液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置包括基板；多條選通線和多條數(shù)據(jù)線，所述選通線與所述數(shù)據(jù)線在所述基板上彼此交叉以限定多個像素區(qū)；多個薄膜晶體管，其形成在所述選通線與所述數(shù)據(jù)線的交叉部分處；至少一條公共線，其形成在與所述選通線相同的層上；多個第一電極，這些第一電極具有多個第一指狀部分，并且在所述像素區(qū)中在所述第一指狀部分的一端包括L形突出圖案；以及多個第二電極，這些第二電極具有與所述第一指狀部分交替地形成的多個第二指狀部分，并且在所述像素區(qū)中在所述第二指狀部分的一端包括|形圖案，其中，所述L形突出圖案和所述|形圖案與所述公共線部分地交疊。2、根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其中，所述L形突出圖案包括從所述第一指狀部分延伸的第一邊緣部分和以鈍角向所述第一邊緣部分傾斜的第二邊緣部分。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一電極由與所述選通線相同層的金屬制成，并且所述第二電極由透明金屬層形成。4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一電極的所述第一指狀部分被形成為與所述公共線成為一體，并且所述L形突出圖案具有從所述公共線突出的形狀。5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其中，在所述第二電極指狀部分的一端，所述i形圖案朝所述第一公共線延伸，以與左側(cè)的相鄰L形突出圖案交疊，并且"-"形圖案進(jìn)一步從所述l形圖案的端部延伸，以與右側(cè)的L形突出圖案交疊，其中，所述i形圖案與"-"形圖案形成"L"形。6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一電極與所述第二電極由相同層的透明金屬層形成。7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述公共線還包括第一突出圖案，所述第一突出圖案在不與位于所述第二指狀部分的一端的l形圖案分離的情況下與位于所述公共線的水平部分處的l形圖案交疊。8、根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，以與位于所述第一指狀部分的一端的L形突出圖案相同的形狀來形成所述公共線的第一突出圖案與水平部分，并且所述第一突出圖案與位于所述第二指狀部分的一端的(形圖案部分地交疊。9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其中，所述公共線電連接到所述第二電極。10、根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述第二邊緣部分相對于所述公共線的水平部分傾斜，使得所述第二邊緣部分與所述公共線的水平部分具有不同的角度，并且所述第一邊緣部分與所述第二邊緣部分之間的鈍角大于所述第一邊緣部分與所述公共線的水平部分之間的角度。11、根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其中，所述L形突出圖案還包括連接到所述第二邊緣部分并被形成為與所述選通線平行的第三邊緣部分。12、根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述公共線包括第一公共線和第二公共線，穿過所述像素區(qū)的所述第二公共線還被形成為與位于相同層的對稱位置處的第一公共線平行，并且將所述第一指狀部分的一端和所述第二指狀部分的一端形成為與所述第一指狀部分的另一端和所述第二指狀部分的另一端對稱，以與所述第二公共線交疊。13、根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述公共線包括第一公共線和第二公共線，穿過所述像素區(qū)的所述第二公共線還被形成為在相同層的對稱位置處與第一公共線平行，并且以l形來形成所述第一指狀部分的一端和所述第二指狀部分的一端，以與所述第二公共線部分地交疊。14、根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，以與所述第一指狀部分和所述第二指狀部分的行進(jìn)方向不同的角度來彎曲l形的所述第一指狀部分的一端和所述第二指狀部分的一端，以與所述公共線交疊。15、根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述公共線被形成為與所述選通線平行，并且將所述第一電極和所述第二電極旋轉(zhuǎn)大約90度，以具有向所述選通線傾斜的形狀。16、一種制造面內(nèi)切換模式的液晶顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟:在基板上沿一個方向形成多條選通線和多條公共線；通過選擇性地移除第二金屬來形成與所述選通線交叉以限定像素區(qū)的多條數(shù)據(jù)線，并在所述選通線與所述數(shù)據(jù)線的交叉部分處形成薄膜晶體管；通過選擇性地移除第一金屬來形成多個第一電極，這些第一電極具有多個第一指狀部分，并且在所述第一指狀部分的一端包括L形突出圖案；以及通過選擇性地移除透明導(dǎo)電金屬來形成多個第二電極，這些第二電極具有與所述第一電極的所述第一指狀部分交替地形成的第二指狀部分，并且在所述第二指狀部分的一端包括l形圖案，以與所述第一指狀部分的相鄰L形突出圖案交疊，其中，所述L形突出圖案和所述I形圖案與所述公共線部分地交疊。17、一種制造面內(nèi)切換模式的液晶顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟通過選擇性地移除第一金屬來在基板上沿一個方向形成多條選通線和多條公共線；通過選擇性地移除第二金屬來形成與所述選通線交叉以限定像素區(qū)的多條數(shù)據(jù)線，并在所述選通線與所述數(shù)據(jù)線的交叉部分處形成薄膜晶體管；通過選擇性地移除透明導(dǎo)電金屬來形成多個第一電極和多個第二電極，所述第一電極具有多個第一指狀部分并且在所述第一指狀部分的一端包括L形突出圖案，所述第二電極具有與所述第一指狀部分交替地形成的第二指狀部分，并且在所述第二指狀部分的一端包括l形圖案，其中，所述L形突出圖案和所述I形圖案與所述公共線部分地交疊。全文摘要本發(fā)明公開了面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置及其制造方法。該面內(nèi)切換模式液晶顯示裝置包括多條選通線和多條數(shù)據(jù)線，這些選通線與數(shù)據(jù)線在基板上彼此交叉以限定像素區(qū)；多個薄膜晶體管，其形成在所述選通線與所述數(shù)據(jù)線的交叉部分處；多條第一公共線，其形成在與所述選通線相同的層上；多個第一電極指狀部分，這些第一電極指狀部分具有多個分叉的第一指狀部分，并且在所述像素區(qū)中在所述第一指狀部分的一端包括L形突出圖案；以及第二電極指狀部分，該第二電極指狀部分具有與所述第一指狀部分交替地形成的第二指狀部分，并且在所述像素區(qū)中在所述第二指狀部分的一端包括|形圖案，其中，所述L形突出圖案和所述|形圖案與所述第一公共線部分地交疊。文檔編號G02F1/1362GK101349840SQ20081013396公開日2009年1月21日申請日期2008年7月18日優(yōu)先權(quán)日2007年7月20日發(fā)明者李源鎬,韓相勛申請人:樂金顯示有限公司