專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及 一 種液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置因具有低輻射、厚度薄和耗電低等特點(diǎn)，已 廣泛應(yīng)用在電視、筆記本電腦、手機(jī)、個人數(shù)字助理等電子設(shè) 備。請參閱圖1 ，是 一 種現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示裝置的 一 個像素單元 側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖。該液晶顯示裝置1包括 一 第 一 基板1 1 、 一與該第一基板11相對設(shè)置的第二基板12和一夾在該第一、第二基板 11、 12之間的液晶層13 。該液晶層13由多個介電常凄t為正且各 向異性的液晶分子13 1構(gòu)成。該笫 一 基板11包括 一 第 一 基底111 和 一 設(shè)置在該第 一 基底111鄰近該液晶層13 —側(cè)的共電極11 3 。 該第二基板12包括一第二基底121和多個i殳置在該第二基底121 鄰近該液晶層13 —側(cè)的4象素電極123 。該第一基板11和第二基板12經(jīng)過配向處理，當(dāng)該公共電極 113和像素電極123未被施加電壓時，該多個液晶分子13 1呈扭轉(zhuǎn) 向列式的排列。請 一 并參閱圖2 ,是該液晶顯示裝置1的像素單元處在工作 狀態(tài)時的側(cè)面示意圖。當(dāng)該公共電極113與像素電極123之間被 施加電壓時，該第一基板11與該第二基板12之間產(chǎn)生一垂直于 該第一、第二基板ll、 12的電場，使得該液晶分子131朝著其長 軸與該電場 一 致的方向扭轉(zhuǎn)，且所有液晶分子13 1均沿同 一 方向 排列。然而，由于該液晶分子13 1的長軸與短軸的折射率不同，且 所有液晶分子13 1均取向在同 一 方向，在沿不同方向觀察該液晶顯示裝置1時，受到不同的光程差的影響，將得到不同的顯示效 果，導(dǎo)致該液晶顯示裝置l視角較窄、顯示品質(zhì)較差。發(fā)明內(nèi)容為了解決現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示裝置視角較窄、顯示品質(zhì)較差 的問題，有必要提供 一 種視角較寬、顯示品質(zhì)較好的液晶顯示 裝置。一種液晶顯示裝置，其包括 一 第 一 基板、 一 與該第 一 基板 相對設(shè)置的第二基板和一夾在該第 一 、第二基板之間的液晶層， 該第 一 基板包括 一 公共電極，該第二基板包括多個像素電極， 該液晶層包括多個液晶分子。該第 一 基板、第二基板和液晶層 構(gòu)成多個像素單元，每 一 個像素單元包括夾在該公共電極與該 像素電極之間的 一 介電層和至少 一 區(qū)域分割件，該區(qū)域分割件 將該像素單元劃分為多個區(qū)域，該區(qū)域分割件的材料是介電物 質(zhì)，該區(qū)域分割件的介電常數(shù)與該介電層相異，使該多個區(qū)域 的液晶分子具有多個取向。一種液晶顯示裝置，其包括 一 第 一 基板、 一 與該第 一 基板 相對設(shè)置的第二基板和一夾在該第一、第二基板之間的液晶層， 該第 一 基板包括 一 公共電極，該第二基板包括多個像素電極， 該液晶層包括多個液晶分子。該第 一 基板、第二基板和液晶層 構(gòu)成多個像素單元，每 一 個像素單元通過在該公共電極和該像 素電極之間，沿平行第二基板方向設(shè)置不同介電常數(shù)的介電物 質(zhì)產(chǎn)生傾斜電場，使該像素單元的液晶分子具有多個取向。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明液晶顯示裝置通過在該公共電 極和該像素電極之間，沿平行第二基板方向設(shè)置不同介電常數(shù) 的介電物質(zhì)產(chǎn)生傾斜電場，使得該像素單元的液晶分子具有多 個取向，有效改善現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示裝置中因液晶分子取向單 一導(dǎo)致視角較窄、顯示品質(zhì)較差的現(xiàn)象。


圖1是 一 種現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示裝置的 一 個像素單元側(cè)面結(jié) 構(gòu)示意圖。圖2是該液晶顯示裝置的像素單元處在工作狀態(tài)時的側(cè)面 示意圖。圖3是本發(fā)明液晶顯示裝置第一實(shí)施方式的一個像素單元 側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是圖1所示液晶顯示裝置的像素單元處在工作狀態(tài)的平 面示意圖。圖5是圖1所示液晶顯示裝置的像素單元處在工作狀態(tài)時的 側(cè)面示意圖。圖6是本發(fā)明液晶顯示裝置第二實(shí)施方式的一個像素單元 處在工作狀態(tài)時的側(cè)面示意圖。圖7是圖6所示液晶顯示裝置的像素單元處在工作狀態(tài)時的 平面示意圖。圖8是本發(fā)明液晶顯示裝置第三實(shí)施方式的一個像素單元 處在工作狀態(tài)時的側(cè)面示意圖。圖9是圖8所示液晶顯示裝置的像素單元處在工作狀態(tài)的平 面示意圖。圖10是本發(fā)明液晶顯示裝置第四實(shí)施方式的一個像素單元 處在工作狀態(tài)時的側(cè)面示意圖。圖ll是圖IO所示液晶顯示裝置的像素單元處在工作狀態(tài)的 平面示意圖。圖12是本發(fā)明液晶顯示裝置第五實(shí)施方式的一個像素單元 處在工作狀態(tài)時的側(cè)面示意圖。圖13是本發(fā)明液晶顯示裝置第六實(shí)施方式的一個像素單元 處在工作狀態(tài)時的側(cè)面示意圖。圖14是本發(fā)明液晶顯示裝置第七實(shí)施方式的一個像素單元 處在工作狀態(tài)時的側(cè)面示意圖。圖15是本發(fā)明液晶顯示裝置第六實(shí)施方式的一個像素單元處在工作狀態(tài)時的側(cè)面示意圖。
具體實(shí)施方式
請參閱圖3，是本發(fā)明液晶顯示裝置第一實(shí)施方式的一個像 素單元側(cè)面結(jié)構(gòu)示意圖。該液晶顯示裝置2包括一第 一基板21、 一第二基板22和 一 液晶層23 。該第 一 基板21與該第二基板22相 對設(shè)置。該液晶層23夾在該第 一 基板21與該第二基板22之間。該液晶層23由多個介電常數(shù)為負(fù)且各向異性的液晶分子 231構(gòu)成。該第一基板21包括一第一基底211、 一公共電極層212和一 第一介電層213。該第一介電層213由第一介電物質(zhì)構(gòu)成，其設(shè) 置在該基底211鄰近該液晶層23的 一 側(cè)。該公共電極層212夾在 該第 一 基底211和該第 一 介電層213之間。該第二基板22包括 一 第二基底221 、 一絕緣層222 、多個像 素電極223(圖3中僅示其一)、 一第二介電層224和多個區(qū)域分割 件225(圖3中僅示其一)。該絕緣層222設(shè)置在該第二基底221鄰近 該液晶層23的 一 側(cè)。該多個像素電極223設(shè)置在該絕緣層222鄰 近該液晶層23的 一 側(cè)。該第二介電層224設(shè)置在該〗象素電極223 與該液晶層23之間。該第二介電層224由第 一介電物質(zhì)構(gòu)成，其 包括多個開槽226。該多個區(qū)域分割件225由介電常數(shù)小于該第 一介電物質(zhì)的第二介電物質(zhì)構(gòu)成，其對應(yīng)設(shè)置在該多個開槽226 中。該區(qū)域分割件225與該第二介電層224實(shí)質(zhì)上形成在與該第 二基板22平行的同 一 平面。該區(qū)域分割件225與該第二介電層 224鄰近該液晶層23的表面處在同 一 平面上。請 一 并參閱圖4 ，是該液晶顯示裝置2的像素單元平面示意 圖。也是該液晶顯示裝置2的像素單元處在工作狀態(tài)的示意圖。 該第二基板22進(jìn) 一 步包括多條相互平行的掃描線227和多條相 互平行且與該掃描線227垂直絕緣相交的數(shù)據(jù)線228 。該多個像 素電極223分別位于該掃描線227與數(shù)據(jù)線228相交構(gòu)成的多個 最小矩形區(qū)域內(nèi)。該多條掃描線227和該多條數(shù)據(jù)線228相交界定多個像素單 元24。每一個像素單元24包括一 區(qū)域分割件225。該區(qū)域分割件 225包括一 平行于該資料線228的第 一部分2251和二垂直于該資 料線228的第二部分2252。該第 一部分2251與該第二部分2252將 該像素單元劃分為大小相等的多個方形區(qū)域241。該第一、第二基板21、 22經(jīng)過垂直配向處理，當(dāng)該公共電 極212與該像素電極223未^皮施加電壓時，該多個液晶分子231均 沿其長軸垂直該第一、第二基板21、 22的方向排列。請一并參閱圖5，是該液晶顯示裝置2的像素單元處在工作 狀態(tài)時的側(cè)面示意圖。當(dāng)該/〉共電才及212與該 <象素電極223之間 被施加電壓時，該第 一 基板21與該第二基板22之間產(chǎn)生 一 垂直 于該第一、第二基板21、 22的電場。然而，在該像素單元24中， 由于構(gòu)成該區(qū)域分割件225的第二介電物質(zhì)的介電常數(shù)比構(gòu)成 該第二介電層224的第 一 介電物質(zhì)的介電常數(shù)小，該區(qū)域分割件 225處的電場強(qiáng)度較該區(qū)域241的電場強(qiáng)度弱，使得該區(qū)域分割 件225與該區(qū)域241的交界處的電場發(fā)生傾斜，并非垂直于該第 一、第二基板21、 22;特別地，由于該多個像素電極223并非一 連續(xù)層狀結(jié)構(gòu)，即該多個像素電極223之間是無電極區(qū)，從而其 附近的電場也會發(fā)生傾斜，也非垂直于該第 一 、第二基板2 1 、 22,而該液晶分子231朝著其長軸垂直于該電場的方向排列，因 此對在每 一 區(qū)域241的液晶分子23 1,將以該區(qū)域23 1的中心處的 垂直于該第一、第二基板21、 22的中心軸線大致呈一正立傘狀 的軸對稱排列。另外，由于該區(qū)域241周圍的傾斜電場分別由該像素電極 223邊緣和該區(qū)域分割件225產(chǎn)生，而該像素電極223邊緣和該區(qū) 域分割件225產(chǎn)生的傾斜電場稍有不同，因此該區(qū)域241的液晶 分子231僅大致呈正立傘狀的軸對稱排列，并非完全對稱結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，在本發(fā)明液晶顯示裝置2中，構(gòu)成該區(qū) 域分割件225的第二介電物質(zhì)的介電常數(shù)比構(gòu)成該第二介電層 224的第 一 介電物質(zhì)的介電常數(shù)小，從而在該公共電極212與該像素電極223之間沿平行該第二基板22方向設(shè)置有介電常數(shù)不 同的介電物質(zhì)，因而將每 一 個像素單元24劃分為多個區(qū)域241 , 并且該區(qū)域分割件225與該像素電極223邊*彖配合，使該區(qū)域分 割件225與區(qū)域241的交界處和像素電極223邊緣處產(chǎn)生傾斜電 場，從而每一 區(qū)域241的多個液晶分子231大致呈軸對稱排列， 即該多個液晶分子23 1均勻排布在多個方向，取向均勻多元，有 效改善現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示裝置因液晶分子取向單 一 導(dǎo)致的視角 較窄、顯示品質(zhì)較差的現(xiàn)象，該液晶顯示裝置2的視角較寬、顯 示品質(zhì)較好。
請一并參閱圖6和圖7，圖6是本發(fā)明液晶顯示裝置第二實(shí)施 方式的 一 個像素單元處在工作狀態(tài)時的側(cè)面示意圖，圖7是圖6 所示液晶顯示裝置的像素單元處在工作狀態(tài)時的平面示意圖。 該液晶顯示裝置3與第 一 實(shí)施方式的液晶顯示裝置2大致相同， 其主要區(qū)別在于區(qū)域分割件325進(jìn) 一 步包括位于像素單元34四 周邊緣的第三部分3253。
該液晶顯示裝置3的 <象素單元34中，區(qū)域341四周的傾凍牛電 場均由該區(qū)域分割件325形成，其較第 一 實(shí)施方式的液晶顯示裝 置2通過該區(qū)域分割件225和像素電極223邊緣共同形成的傾斜 電場更均勻，該區(qū)域341的液晶分子33 1呈更整齊的軸對稱排列。
請一并參閱圖8和圖9，圖8是本發(fā)明液晶顯示裝置第三實(shí)施 方式的 一 個像素單元處在工作狀態(tài)時的側(cè)面示意圖，圖9是圖8 所示液晶顯示裝置的像素單元處在工作狀態(tài)的平面示意圖。該 液晶顯示裝置4與第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置2大致相同，其 主要區(qū)別在于每一個像素單元44包括多個區(qū)域分割件425。該 多個區(qū)域分割件425的平面結(jié)構(gòu)是 一 圓形。該區(qū)域分割件425將 該像素單元44劃分為多個以該區(qū)域分割件425為中心的區(qū)域 441 。
當(dāng)公共電極412與像素電極423被施力口電壓時，該平面結(jié)構(gòu) 是圓形的區(qū)域分割件425的周圍將產(chǎn)生圓形軸對稱傾斜電場。使 該液晶分子4 3 1的軸對稱排列更整齊規(guī)律。請一并參閱圖10和圖11，圖10是本發(fā)明液晶顯示裝置第四
實(shí)施方式的 一 個 <象素單元處在工作狀態(tài)時的側(cè)面示意圖，圖11
是圖10所示液晶顯示裝置的像素單元處在工作狀態(tài)的平面示意 圖。該液晶顯示裝置5與第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置2大致相 同，其主要區(qū)別在于每一個像素單元54進(jìn)一 步包括多個第二 區(qū)域分割件526與多個區(qū)域541對應(yīng)。該第二區(qū)域分割件526由一 介電常數(shù)大于構(gòu)成第二介電層524的第一介電物質(zhì)的介電常數(shù) 的介電物質(zhì)構(gòu)成。每 一 第二區(qū)域分割件526的平面結(jié)構(gòu)為 一 圓 形，其設(shè)置在該第二介電層524的開槽527,并位于其所在區(qū)域 541的中心。
當(dāng)公共電極512與像素電極523被施加電壓時，該第二區(qū)域 分割件526周圍也產(chǎn)生傾斜電場。該第二區(qū)域分割件526配合區(qū) 域分割件525產(chǎn)生效果更好的傾斜電場，該液晶分子53 1的軸對 稱排列更整齊規(guī)律。
請參閱圖12,是本發(fā)明液晶顯示裝置第五實(shí)施方式的 一個 像素單元處在工作狀態(tài)時的側(cè)面示意圖。該液晶顯示裝置6與第 一實(shí)施方式的液晶顯示裝置2的大致相同，其主要區(qū)別在于該 液晶顯示裝置6夾在該公共電極層612與該液晶層63之間第 一介 電層613包括多個開槽616。多個區(qū)域分割件625設(shè)置在該開槽 616中。構(gòu)成該分割件625的介電物質(zhì)的介電常數(shù)大于該第 一介 電層613的介電物質(zhì)的介電常數(shù)。
當(dāng)公共電極612與像素電極623被施加電壓時，該區(qū)域分割 件625周圍也產(chǎn)生傾斜電場，該區(qū)域(未標(biāo)示)內(nèi)的液晶分子63 1 呈 一 倒立傘狀的軸對稱排列。
請參閱圖1 3 ,是本發(fā)明液晶顯示裝置第六實(shí)施方式的 一 個 像素單元處在工作狀態(tài)時的側(cè)面示意圖。該液晶顯示裝置7與第 四實(shí)施方式的液晶顯示裝置5的大致相同，其主要區(qū)別在于該 液晶顯示裝置7夾在該/>共電才及層712與該液晶層73之間的第一 介電層713包括多個開槽716,第二區(qū)域分割件717設(shè)置在該開槽 716中。構(gòu)成該第二區(qū)域分割件717的介電物質(zhì)的介電常數(shù)小于該第一介電層713的介電物質(zhì)的介電常數(shù)。
當(dāng)公共電極712與像素電極723被施加電壓時，該第二區(qū)域 分割件717周圍也產(chǎn)生傾斜電場。該第二區(qū)域分割件717配合區(qū) 域分割件725也產(chǎn)生效果更好的傾斜電場，該液晶分子73 1的軸 對稱排列更整齊規(guī)律。
請參閱圖14,是本發(fā)明液晶顯示裝置第七實(shí)施方式的一個 像素單元處在工作狀態(tài)時的側(cè)面示意圖。該液晶顯示裝置8與第 三實(shí)施方式的液晶顯示裝置4的大致相同，其主要區(qū)別在于每 一像素電極823在多個區(qū)域的邊界處不連續(xù)而形成多個子像素 828。該多個子像素828通過多個小節(jié)點(diǎn)(圖未示)電連接。
當(dāng)公共電極812與像素電極823被施加電壓時，該子像素828 周圍也產(chǎn)生傾斜電場。該子像素828配合區(qū)域分割件825產(chǎn)生效 果更好的傾斜電場，該液晶分子8 3 1的軸對稱排列更整齊規(guī)律。
請參閱圖15,是本發(fā)明液晶顯示裝置第八實(shí)施方式的一個 像素單元處在工作狀態(tài)時的側(cè)面示意圖。該液晶顯示裝置9與第 三實(shí)施方式的液晶顯示裝置4的大致相同，其主要區(qū)別在于絕 緣層922包括多個凹陷部922 1 ,多個像素電極923均勻覆蓋該絕 緣層922也在該多個凹陷部9221凹陷。該凹陷部9221與區(qū)域的邊 界相對應(yīng)。
當(dāng)公共電極912與像素電極923被施力口電壓時，該凹陷部 9221周圍也產(chǎn)生傾4牛電場。該凹陷部9221配合區(qū)域分割件925產(chǎn) 生效果更好的傾斜電場，該液晶分子931的軸對稱排列更整齊規(guī) 律。
本發(fā)明液晶顯示裝置也可以具有其它多種變更設(shè)計(jì)，如 第一實(shí)施方式中，該區(qū)域分割件225也可以根據(jù)實(shí)際情況設(shè)計(jì)將 該像素單元24劃分為四區(qū)域、八區(qū)域或更多區(qū)域，且其分割的 區(qū)域的大小也可以并不相等；第四實(shí)施方式中，該第二區(qū)域分 割件526的平面結(jié)構(gòu)也可以是一 " "、 "★"、 "T"或")"型， 位于同 一 個像素單元54內(nèi)的多個第二區(qū)域分割件526的平面形 狀也可以是上述形狀的組合；第二實(shí)施方式、第四實(shí)施方式和第六實(shí)施方式中，該區(qū)域分割件325 、 525、 725也可以i殳置在該 第一基板，構(gòu)成該區(qū)域分割件325、 525 、 725的介電物質(zhì)的介電 常數(shù)大于構(gòu)成該第一介電層的介電物質(zhì)的介電常數(shù)；第三實(shí)施 方式、第七實(shí)施方式和第八實(shí)施方式中，該區(qū)域分割件425、 825 、 925也可以設(shè)置在該第一基^1,構(gòu)成該區(qū)域分割件425、 825、 925 的介電物質(zhì)的介電常數(shù)小于構(gòu)成該第 一 介電層的介電物質(zhì)的介 電常數(shù)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，其包括一第一基板、一與該第一基板相對設(shè)置的第二基板和一夾在該第一、第二基板之間的液晶層，該第一基板包括一公共電極，該第二基板包括多個像素電極，該液晶層包括多個液晶分子，該第一基板、第二基板和液晶層構(gòu)成多個像素單元，其特征在于每一個像素單元包括夾在該公共電極與該像素電極之間的一介電層和至少一區(qū)域分割件，該區(qū)域分割件將該像素單元劃分為多個區(qū)域，該區(qū)域分割件的材料是介電物質(zhì)，該區(qū)域分割件的介電常數(shù)與該介電層相異，使該多個區(qū)域的液晶分子具有多個取向。
2. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于該介電層包 括至少一開槽，該區(qū)域分割件設(shè)置在該開槽。
3. 如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于該介電層設(shè) 置在該像素電極與該液晶層之間。
4. 如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于構(gòu)成該區(qū)域 分割件的介電物質(zhì)的介電常數(shù)小于構(gòu)成該介電層的介電物質(zhì)的介電 常數(shù)。
5. 如權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其特征在于每一個像素 單元包括多個區(qū)域分割件，其分別位于該多個區(qū)域的中心。
6. 如權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于該第二基板 進(jìn)一步包括一絕緣層，該絕緣層包括多個凹陷部，該4象素電極均勻 覆蓋該絕緣層也在該多個凹陷部凹陷。
7. 如權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于該像素電極 包括通過多個小節(jié)點(diǎn)電連接的多個子像素，該多個子像素對應(yīng)該多 個區(qū)域。
8. 如權(quán)利要求6或7所述的液晶顯示裝置，其特征在于構(gòu)成該 區(qū)域分割件的介電物質(zhì)的介電常數(shù)大于構(gòu)成該介電層的介電物質(zhì)的 介電常數(shù)。
9. 如權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于每一個像素單元進(jìn) 一 步包括多個分別位于該多個區(qū)域的中心的第二區(qū)域分割 件，該第二區(qū)域分割件的介電物質(zhì)的介電常數(shù)較該介電層的介電物 質(zhì)的介電常數(shù)大。
10. —種液晶顯示裝置，其包括一第一基板、 一與該第一基板相對設(shè)置的第二基板和一夾在該第一、第二基板之間的液晶層，該第 一基板包括一公共電極，該第二基板包括多個像素電極，該液晶層 包括多個液晶分子，該第一基板、第二基板和液晶層構(gòu)成多個像素單元，其特征在于每一個像素單元通過在該公共電極和該像素電 極之間，沿平行第二基板方向設(shè)置不同介電常數(shù)的介電物質(zhì)產(chǎn)生傾 斜電場，使該像素單元的液晶分子具有多個取向。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置包括一第一基板、一與該第一基板相對設(shè)置的第二基板和一夾在該第一、第二基板之間的液晶層，該第一基板包括一公共電極，該第二基板包括多個像素電極，該液晶層包括多個液晶分子。該第一基板、第二基板和液晶層構(gòu)成多個像素單元，每一個像素單元包括夾在該公共電極與該像素電極之間的一介電層和至少一區(qū)域分割件，該區(qū)域分割件將該像素單元劃分為多個區(qū)域，該區(qū)域分割件的材料是介電物質(zhì)，該區(qū)域分割件的介電常數(shù)與該介電層相異，使該多個區(qū)域的液晶分子具有多個取向。
文檔編號G02F1/133GK101576669SQ20081006697
公開日2009年11月11日 申請日期2008年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月7日
發(fā)明者向瑞杰, 姚怡安, 林志隆, 陳盈伶, 陳鵲如 申請人:群康科技(深圳)有限公司;群創(chuàng)光電股份有限公司