專(zhuān)利名稱(chēng)：一種監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)及包括監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的掩膜版及其使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光刻工藝領(lǐng)域，特別涉及一種監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)及包含監(jiān) 測(cè)結(jié)構(gòu)的掩膜版及其使用方法。
背景技術(shù)：
在集成電路制造工藝中要進(jìn)行多次光刻步驟，光刻質(zhì)量的好壞直
接影響產(chǎn)品合格率。因此，通常需要設(shè)置監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)(Frame Cell)來(lái) 檢測(cè)光刻質(zhì)量。監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)設(shè)置在晶片上芯片產(chǎn)品的周?chē)?，待芯片切?封裝時(shí)一并切割掉。
參照?qǐng)D1,現(xiàn)有的監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)1包括了關(guān)鍵尺寸條(CD條，critical dimension bar )3，層只于),才示^己(overlay mark )4禾口卩人歹l)只于〉,才示i己(alignment mark) 5。其中，所述關(guān)4建尺寸條3，層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記4和隊(duì)列對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記5沿 與監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)垂直的方向排列?；蛘撸鏊鲫P(guān)鍵尺寸條3,層對(duì)準(zhǔn)標(biāo) 記4和隊(duì)列對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記5排列在監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)3的左右兩邊。
監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)與產(chǎn)品圖形一起被設(shè)置在掩膜版上，通過(guò)半導(dǎo)體光刻工藝 復(fù)制到晶圓上，并與產(chǎn)品芯片一起完成后續(xù)工藝，待芯片切割封裝時(shí)需 從晶片上切割掉。參照?qǐng)D2,現(xiàn)有的半導(dǎo)體晶片切割道的尺寸通常為 80 120um之間，工藝監(jiān)測(cè)模板1通常為寬度小于80um的圖形。雖然 切割道的寬度也是80pm以上，但實(shí)際切割掉的區(qū)域?qū)挾?是40 um 60 um 。如圖2所示，切割后芯片產(chǎn)品上殘留了部分的監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)，而殘留 的部分工藝檢測(cè)的圖形中有可能含有金屬。
在長(zhǎng)期使用或進(jìn)行老化壽命試驗(yàn)時(shí)，這些殘留在切割道上的金屬會(huì) 發(fā)生電遷移，造成芯片產(chǎn)品上的相鄰焊盤(pán)之間短路，從而造成芯片的報(bào) 廢。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是，提供一種監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)及包括監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的掩膜版及其 使用方法，可使切割后的半導(dǎo)體晶片的切割道保持清潔，無(wú)金屬殘留物。 本發(fā)明的第 一方面，提供了 一種用于監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體光刻工藝的監(jiān)測(cè)結(jié)
構(gòu)，其特征在于，所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的圖案包括以下任多項(xiàng)
-l個(gè)或多個(gè)關(guān)鍵尺寸條，
-1個(gè)或多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記， 所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的圖案寬度小于等于切割道切割區(qū)域的寬度。
本發(fā)明的第二方面，提供了一種掩膜版，其特征在于，所述掩 膜版包括一個(gè)或多個(gè)如本發(fā)明第一方面所提供的監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的第三方面，提供了一種監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的使用方法，其特征 在于包括如下步驟
c.切割掉復(fù)制在晶片上的如本發(fā)明第 一方面所提供的監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)。
由于本發(fā)明的監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)寬度小于切割道切割區(qū)域，并且切割時(shí)所述 切割道切割區(qū)域覆蓋了監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)，因此能夠完全切除監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)，消除了 由監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)圖形切割不完全帶來(lái)的金屬殘留問(wèn)題。


通過(guò)閱讀以下參照附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā) 明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯。 圖1是對(duì)現(xiàn)有監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是切割現(xiàn)有監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的示意圖； 圖3是本發(fā)明實(shí)施例一的監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4是切割本發(fā)明實(shí)施例一的監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的示意圖； 圖5是本發(fā)明實(shí)施例二的監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6是切割本發(fā)明實(shí)施例二的監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的示意圖； 圖7是本發(fā)明的步驟流程圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。 [實(shí)施例1
在本實(shí)施例中，切割道切割區(qū)域的寬度為45um,監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的寬 度為40um,即監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的寬度小于切割道切割區(qū)域的寬度。
本發(fā)明的第一方面提供了一種監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D3，本發(fā)明的監(jiān)測(cè) 結(jié)構(gòu)11包括了一個(gè)關(guān)鍵尺寸條(CD條，critical dimension bar) 3, —個(gè) 層只于準(zhǔn)標(biāo)"i己(overlay mark) 4和一個(gè)隊(duì)列只于準(zhǔn)才示i己(alignment mark) 5。 其中，所述關(guān)鍵尺寸條3，層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記4和隊(duì)列對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記5沿與監(jiān)測(cè)結(jié) 構(gòu)平行的方向排列。
本發(fā)明的第二方面提供了 一種掩膜版，所述的掩膜版包括一個(gè)或 多個(gè)本發(fā)明的第 一方面所^提供的監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)。
參照?qǐng)D7，本發(fā)明的第三方面提供了一種監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的使用方法，包 括如下步驟
在步驟S1中，將監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)設(shè)置在掩膜版上；
在步驟S2中，通過(guò)曝光工藝將所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)復(fù)制到晶片上；
在步驟S3中，切割掉復(fù)制在晶片上的所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)，其中切割道 切割區(qū)域覆蓋所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)。
參照?qǐng)D4，由于在本實(shí)施例中，切割道切割區(qū)域的寬度為45um, 監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的寬度為40um。并且，監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸條3，層對(duì)準(zhǔn)標(biāo) 記4和隊(duì)列對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記5沿與監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)平行的方向排列。因此，監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu) 完全落在切割道切割區(qū)域內(nèi)，切割后的芯片產(chǎn)品上監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)殘留，不會(huì) 造成由于金屬殘留而引起的芯片報(bào)廢。
在本實(shí)施例中，切割道切割區(qū)域的寬度為60um,監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的寬 度為80um,監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)圖案的寬度為30um,即監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)圖案的寬度小 于切割道切割區(qū)域的寬度。
本發(fā)明的第一方面提供了一種監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D5，本發(fā)明監(jiān)測(cè)結(jié) 構(gòu)12的圖案包括了 一個(gè)關(guān)鍵尺寸條(CD條,critical dimension bar) 3,一個(gè)層只于準(zhǔn)才示"i己(overlay mark) 4和一個(gè)隊(duì)列乂于準(zhǔn)才示i己(alignment mark)
5。其中，所述關(guān)鍵尺寸條3，層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記4和隊(duì)列對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記5沿與監(jiān)測(cè)
結(jié)構(gòu)平行的方向排列。
進(jìn)一步地，參照?qǐng)D5,監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)圖案的寬度小于切割道切割區(qū)域22，
但是監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)12的寬度大于切割道切割區(qū)域22的寬度。
本發(fā)明的第二方面提供了一種掩膜版，所述的掩膜版包括一個(gè)或
多個(gè)本發(fā)明的第 一方面所、提供的監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)。
參照?qǐng)D7，本發(fā)明的第三方面提供了一種監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的使用方法，包
括如下步驟
在步驟S1中，將監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)設(shè)置在掩膜版上；
在步驟S2中，通過(guò)曝光工藝將所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)復(fù)制到晶片上；
在步驟S3中，切割掉復(fù)制在晶片上的所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)，其中切割道
切割區(qū)域覆蓋所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)。
參照?qǐng)D6，由于在本實(shí)施例中，切割道切割區(qū)域的寬度為60um,
監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)圖案的寬度為30um。雖然監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的寬度大于切割道切割
區(qū)域的寬度，仍然能將監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的圖案切除。因此切割后的芯片產(chǎn)品
上也不會(huì)有監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)殘留，不會(huì)造成由于金屬殘留而引起的芯片報(bào)廢。 進(jìn)一步地，利用本實(shí)施例中提供的監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)以及包括該監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的
掩膜版及其使用方法，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該知曉，無(wú)論監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)圖案
做任何排列，只要監(jiān)測(cè)圖案的寬度小于切割道切割區(qū)域的寬度，所述監(jiān)
測(cè)圖案都能夠被完全切除。至于其他監(jiān)測(cè)圖案的切除方法，本領(lǐng)域技
術(shù)人員可以不經(jīng)過(guò)創(chuàng)造性勞動(dòng)使用在本發(fā)明中。
以上對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明
并不局限于上述特定實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在所附權(quán)利要求
的范圍內(nèi)做出各種變形或修改。
權(quán)利要求
1. 一種用于監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體光刻工藝的監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的圖案包括以下任多項(xiàng)-1個(gè)或多個(gè)關(guān)鍵尺寸條，-1個(gè)或多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的圖案寬度小于等于切割道切割區(qū)域的寬度。
2. 如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述關(guān)鍵尺寸條和所 述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記按照豎直方向排列。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的 寬度小于等于切割道切割區(qū)域的寬度。
4. 一種掩膜版，其特征在于所述掩膜版包括一個(gè)或多個(gè)如權(quán)利 要求1至3任一項(xiàng)所述的監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)。
5. —種監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的使用方法，其特征在于包括如下步驟 c.切割掉復(fù)制在晶片上的如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)。
6. 如權(quán)利要求5所述的使用方法，其特征在于，在所述步驟b之 前還包括a. 將監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)設(shè)置在掩膜版上；b. 通過(guò)曝光工藝將所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)復(fù)制到晶片上； 其中，所述步驟c為待完成監(jiān)測(cè)后，切割掉復(fù)制在晶片上的所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)，其中切割道 切割區(qū)域覆蓋所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)及包括監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的掩膜版及其使用方法，所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度和寬度均小于切割道切割區(qū)域的長(zhǎng)度和寬度，其中的關(guān)鍵尺寸條和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記按照與所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)方向排列。所述掩膜版包括1個(gè)或多個(gè)所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)。所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)的使用方法，包括如下步驟a.將監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)設(shè)置在掩膜版上；b.通過(guò)曝光工藝將所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)復(fù)制到晶片上；c.切割掉復(fù)制在晶片上的所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)，其中切割道切割區(qū)域應(yīng)覆蓋所述監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能消除監(jiān)測(cè)結(jié)構(gòu)切割過(guò)程中的金屬殘留。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101498896SQ20081003325
公開(kāi)日2009年8月5日 申請(qǐng)日期2008年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月29日
發(fā)明者顧以理 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司