專利名稱：液晶顯示面板、液晶顯示裝置和電視接收機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示面板、液晶顯示裝置和電視接收機(jī)。更詳細(xì) 來說，涉及具有柱狀間隔物的液晶顯示面板、液晶顯示裝置和電視接 收機(jī)。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置是具備具有隔著液晶層相互相對(duì)的一對(duì)基板(例如 有源矩陣基板和相對(duì)基板)的液晶顯示面板的顯示裝置，隨著用途的
擴(kuò)大，高性能化也在發(fā)展。特別是，開發(fā)了具有廣視野角特性的MVA (Multidomain Vertical Alignment:多疇垂直取向)模式等的顯示模式 (液晶模式)，進(jìn)行了進(jìn)一步的改良。
為了提高液晶顯示裝置的顯示品質(zhì)，無論采用哪種顯示模式，都 需要精密地控制液晶層的厚度(以下也稱作"單元間隙")。特別是， 在近年來廣為利用的大型液晶顯示裝置中，需要遍及非常大的面積對(duì) 單元間隙進(jìn)行均勻控制。
單元間隙由配置在一對(duì)基板間的間隔物控制。以往，作為間隔物， 使用纖維狀或粒狀的間隔物(例如塑料珠)，這些間隔物通過分散在基 板上來配置。但是，在分散塑料珠等間隔物的方式中，無法控制配置 間隔物的位置，因此成為像素(像素開口部)內(nèi)的液晶分子的取向散 亂的原因。而且，當(dāng)在像素內(nèi)存在液晶分子的取向散亂的區(qū)域時(shí)，該 區(qū)域作為顯示的"不光滑"而被識(shí)別。此外，在使用這種間隔物的情 況下，由于形成于基板的基底層的凹凸的影響而導(dǎo)致在單元間隙中產(chǎn) 生偏差，也產(chǎn)生顯示不均。
因此，近年來，在使用感光性材料的光刻工藝中采用在基板上形 成柱狀的間隔物的方法。這樣形成的間隔物也被稱作柱狀間隔物(光 間隔物)。
圖11和圖13是表示現(xiàn)有的液晶顯示面板的配置有柱狀間隔物的區(qū)域附近的結(jié)構(gòu)的截面模式圖。作為形成柱狀間隔物的方法，如圖11
所示，使用間隔物用的抗蝕劑形成與其它的層不同的柱狀間隔物117a 的方法是一般的方法，但如圖13所示，公開了重疊形成彩色濾光片(色 層)的層疊類型的柱狀間隔物117b (以下也稱作"層疊間隔物")(例 如參照專利文獻(xiàn)1 3)。
此外，近年來，為了動(dòng)畫性能的提高和高精細(xì)化，在對(duì)液晶顯示 裝置的高頻驅(qū)動(dòng)進(jìn)行研討。但是，在現(xiàn)有的液晶顯示裝置中，在液晶 顯示面板中存在寄生電容，在信號(hào)的波形中發(fā)生鈍化(&玄0)，因此 無法充分達(dá)成高頻驅(qū)動(dòng)。
針對(duì)此，作為用于降低在掃描配線和信號(hào)配線的交叉部形成的電 容的技術(shù)，公開了在掃描配線和信號(hào)配線之間設(shè)置旋涂玻璃(以下也 稱作"SOG")材料的技術(shù)(參照專利文獻(xiàn)4)。
專利文獻(xiàn)1:日本特開2001-100221號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開平11-248921號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3:日本特開2006-38951號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)4:國際公開第2006/022259號(hào)小冊(cè)子

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示面板，能夠縮短液晶顯示面板的制造工序 的時(shí)間、簡化CF基板的在庫管理和削減液晶顯示面板的制造成本。


圖1是表示實(shí)施方式1涉及的液晶顯示面板的1個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的 平面模式圖。
圖2是表示實(shí)施方式1涉及的TFT基板的1個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面 模式圖。
圖3是表示實(shí)施方式1涉及的CT基板的1個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面模 式圖。
圖4是圖1中的X1-X2線的截面模式圖，表示實(shí)施方式l涉及的 液晶顯示面板的配置有柱狀間隔物的區(qū)域附近的結(jié)構(gòu)。
圖5是圖2中的Y1-Y2線的截面模式圖，表示實(shí)施方式l涉及的 TFT基板的配置有TFT的區(qū)域附近的結(jié)構(gòu)。
圖6是表示實(shí)施方式2涉及的液晶顯示面板的配置有柱狀間隔物 的區(qū)域附近的結(jié)構(gòu)的截面模式圖。
圖7是表示實(shí)施方式3涉及的液晶顯示面板的配置有柱狀間隔物 的區(qū)域附近的結(jié)構(gòu)的截面模式圖。
圖8是表示實(shí)施方式4涉及的液晶顯示面板的配置有柱狀間隔物 的區(qū)域附近的結(jié)構(gòu)的截面模式圖。圖9是表示實(shí)施方式5涉及的液晶顯示面板的配置有柱狀間隔物 的區(qū)域附近的結(jié)構(gòu)的截面模式圖。
圖10是表示實(shí)施方式6涉及的液晶顯示面板的配置有柱狀間隔物 的區(qū)域附近的結(jié)構(gòu)的截面模式圖。
圖11是表示現(xiàn)有的液晶顯示面板的配置有柱狀間隔物的區(qū)域附近 的結(jié)構(gòu)的截面模式圖。
圖12是表示現(xiàn)有的液晶顯示面板的配置有柱狀間隔物的區(qū)域附近 的結(jié)構(gòu)的截面模式圖。
圖13是表示現(xiàn)有的液晶顯示面板的配置有柱狀間隔物(層疊間隔 物)的區(qū)域附近的結(jié)構(gòu)的截面模式圖。
圖14是表示現(xiàn)有的液晶顯示面板的配置有柱狀間隔物(層疊間隔 物)的區(qū)域附近的結(jié)構(gòu)的截面模式圖。
符號(hào)說明
10a、 10b、 110a、 110b CF基板
11、 111 絕緣基板
12、 112 BM層
13、 113 彩色濾光片
14R、 114R紅的彩色濾光片(色層) 14G、 114G綠的彩色濾光片(色層) 14B、 114B藍(lán)的彩色濾光片(色層) 15取向控制用突起 16、 116相對(duì)電極 17a、 17b、 117a、 117b柱狀間隔物 18、 118樹脂層 20、 120液晶層
30a、 30b、 30c、 30d、 30e、 30f、 130a、 130b TFT基板(有源矩 陣基板)
31、 131 絕緣基板
32、 132柵極線 33電容保持配線
34a、 34b、 34c平坦化層
1635、 135柵極絕緣膜
36半導(dǎo)體活性層
37添加雜質(zhì)半導(dǎo)體層
38源極線
39源極電極
40漏極電極
41、 141 鈍化膜(Pas膜)
42、 142像素電極
43a、 43b、 43c、 43d、 43e、 43f、 43g、 43h、 43i、 43j 高度調(diào)整
層
44 TFT
45接觸孔
46取向控制用狹縫
60像素
61副像素
100a、 100b、 100c、 100d、 100e、 100f、 200a、 200b、 200c、 200d
液晶顯示面板 147 SOG膜
dl、 d2、 d3、 d4單元間隙
hsl、 hs2、 hs3、 hs4柱狀間隔物的高度
xl、 y2 臺(tái)階的高度
dsl、 ds2 SOG膜的膜厚
具體實(shí)施例方式
以下揭示實(shí)施方式，參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的說明，但本 發(fā)明并不限定于這些實(shí)施方式。 (實(shí)施方式l)
對(duì)實(shí)施方式1涉及的液晶顯示裝置進(jìn)行說明。圖1是表示實(shí)施方 式1涉及的液晶顯示面板的1個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面模式圖。圖2是表 示實(shí)施方式1涉及的TFT基板的1個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面模式圖。圖3 是表示實(shí)施方式1涉及的CT基板的1個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面模式圖。圖4是圖1中的Xl-X2線的截面模式圖，表示實(shí)施方式1涉及的液晶顯 示面板的配置有柱狀間隔物的區(qū)域附近的結(jié)構(gòu)。圖5是圖2中的Yl-Y2 線的截面模式圖，表示實(shí)施方式1涉及的TFT基板的配置有TFT的區(qū) 域附近的結(jié)構(gòu)。
實(shí)施方式1的液晶顯示面板100a，具備有源矩陣基板(以下也 稱作"TFT基板")30a;與TFT基板30a相對(duì)的相對(duì)基板(以下也稱 作"CF基板")10a;和在它們之間設(shè)置的液晶層20。此外，液晶顯示 面板100a在TFT基板30a和CF基板10a的外側(cè)具備各偏光軸方向按 正交尼科耳方式配置的一對(duì)偏光板(未圖示)。
液晶層20包含具有負(fù)的介電各向異性的向列液晶材料。
CF基板10a具有透明的絕緣基板(例如玻璃基板)ll、黑矩陣(BM) 層12、多個(gè)色層(彩色濾光片)13、多個(gè)取向控制用突起15、相對(duì)電 極(共用電極)16、多個(gè)柱狀間隔物17a、和完全覆蓋這些結(jié)構(gòu)的垂直 取向膜(未圖示)。
另一方面，TFT基板30a具有透明的絕緣基板(例如玻璃基板) 31、多個(gè)柵極線32、多個(gè)電容保持配線33、平坦化層34a、柵極絕緣 膜35、多個(gè)半導(dǎo)體活性層36、多個(gè)添加雜質(zhì)半導(dǎo)體層37、多個(gè)源極線 38、源極電極39、漏極電極40、鈍化膜(Pas膜)41、多個(gè)像素電極 42、多個(gè)高度調(diào)整層43a、和完全覆蓋這些結(jié)構(gòu)的垂直取向膜(未圖示)。
此外，TFT基板30a在一個(gè)像素(子像素)60內(nèi)具有由柵極線32、 柵極絕緣膜35、半導(dǎo)體活性層36、添加雜質(zhì)半導(dǎo)體層37、源極電極 39和漏極電極40構(gòu)成的兩個(gè)TFT44。進(jìn)而，TFT基板30a在一個(gè)像素 60內(nèi)具有分別與兩個(gè)TFT44電連接的兩個(gè)像素電極42。艮P， 1個(gè)像素 60由兩個(gè)副像素61構(gòu)成。
這樣，通過將一個(gè)像素分割成分別由分別獨(dú)立的兩個(gè)TFT驅(qū)動(dòng)的 兩個(gè)副像素，即使在發(fā)生像素缺陷的情況下，也能夠不使該缺陷變得 醒目。SP，即使由TFT的不良、像素電極和相對(duì)電極之間的泄漏等而 引起像素缺陷，由于驅(qū)動(dòng)像素為比通常的像素小的尺寸的副像素單位， 所以也能夠不使缺陷醒目。此外，通過向各副像素的像素電極施加的 電壓不同的所謂由多像素驅(qū)動(dòng)來驅(qū)動(dòng)各像素，也能夠抑制由視野角引 起的灰度等級(jí)的偏差。通過像這樣形成副像素，能夠更平衡地調(diào)整視野角、透過率、響應(yīng)速度、對(duì)比度等的顯示特性，能夠形成更有效的 像素構(gòu)造。
另外，像素60是能夠?qū)崿F(xiàn)Cs多像素驅(qū)動(dòng)法的像素的一個(gè)例子。 此外，Cs多像素驅(qū)動(dòng)法，成為對(duì)象的像素的TFT接通而被選擇，之后 在TFT斷開后的非選擇期間中使向保持電容配線施加的電壓變動(dòng)，使 各副像素電極的電位變動(dòng)，由此實(shí)現(xiàn)多像素驅(qū)動(dòng)。
以下對(duì)CF基板10a和TFT基板30a的各結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
BM層12是對(duì)各像素間進(jìn)行遮光的遮光部件，在絕緣基板11上與 柵極線32和源極線38對(duì)應(yīng)形成為格子狀。
彩色濾光片13由紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)的彩色濾光片構(gòu)成， 形成在由絕緣基板11上的BM層12劃分的區(qū)域。另外，在圖4中， 僅圖示了紅的彩色濾光片14R，但實(shí)際上，R、 G和B的彩色濾光片條 狀配列。
取向控制用突起15以V字狀形成在彩色濾光片13上。此外，取 向控制用突起15，配置在相對(duì)于BM層12的延伸方向(從正面看面板 時(shí)的上下左右方向)傾斜的方向(優(yōu)選大致45°方向)。
相對(duì)電極16覆蓋BM層12和彩色濾光片13，形成在顯示區(qū)域的 大致整個(gè)面上。
柱狀間隔物17a與柵極線32對(duì)應(yīng)且隔著相對(duì)電極16形成在BM 層12的上方。柱狀間隔物17a由間隔物用的光致抗蝕劑形成。另外， 柱狀間隔物17a也可以與所有的像素對(duì)應(yīng)配置，也可以僅與某一定比 例的像素對(duì)應(yīng)配置。
柵極線32和電容保持配線33相互大致平行地形成在絕緣基板31 上。柵極線32和電容保持配線33通過對(duì)同一導(dǎo)電膜(例如金屬薄膜) 進(jìn)行圖案化而形成。這樣，柵極線32和電容保持配線33也作為遮光 部件起作用。柵極線32和電容保持配線33的膜厚優(yōu)選設(shè)為400nm。 保持電容配線33通過與像素電極42和位于保持電容配線33與像素電 極42之間的柵極絕緣膜35和Pas膜41構(gòu)成保持電容。
平坦化層34a和柵極絕緣膜35，覆蓋柵極線32，形成在顯示區(qū)域
的大致整個(gè)面上。
柵極絕緣膜35通過CVD法由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等無機(jī)絕緣材料形成。柵極絕緣膜35的膜厚優(yōu)選設(shè)為410nm。
平坦化層34a是具有平坦化作用的膜。作為平坦化層34a的材料， 能夠優(yōu)選使用旋涂玻璃(SOG)材料，其中，能夠優(yōu)選使用以Si — O 一C鍵為骨架的SOG材料、以Si—C鍵為骨架的SOG材料。平坦化 層34a的像素開口部的膜厚優(yōu)選設(shè)為1500nm。
另外，SOG材料是能夠利用旋涂法等涂敷法形成玻璃膜(二氧化 硅類皮膜)的材料。SOG材料的介電常數(shù)低，容易形成厚膜。因而， 通過使用SOG材料作為平坦化層34a，降低平坦化層34a的介電常數(shù)， 容易形成厚的平坦化層34a。結(jié)果，能夠有效地削減在柵極線32和源 極線38的交叉部形成的寄生電容。
另一方面，柵極絕緣膜35、半導(dǎo)體活性層36、添加雜質(zhì)半導(dǎo)體層 37和Pas膜41，通過CVD法，由無機(jī)物形成。因而，這些層通常不 具有平坦化作用。即，柵極絕緣膜35、半導(dǎo)體活性層36、添加雜質(zhì)半 導(dǎo)體層37和Pas膜41在像素開口部的厚度和柵極線32的上方的厚度 實(shí)質(zhì)上相等。
此外，如后所述，像素電極42通過濺射法由透明導(dǎo)電膜形成，因 此也不具有平坦化作用。
另外，對(duì)于配置在TFT基板30a和CF基板10a的最靠向液晶層 側(cè)的垂直取向膜，由聚酰亞胺等樹脂形成，但是其膜厚通常與平坦化 層34a等相比，由于非常薄，所以幾乎不發(fā)揮平坦化作用。
半導(dǎo)體活性層36，以隔著平坦化層34a和柵極絕緣膜35與柵極線 32重疊的方式形成為島狀。半導(dǎo)體活性層36的膜厚優(yōu)選設(shè)為100nm。
添加雜質(zhì)半導(dǎo)體層37，兩個(gè)區(qū)域相對(duì)配置在半導(dǎo)體活性層36上。 此外，添加雜質(zhì)半導(dǎo)體層37，作為與半導(dǎo)體活性層36、源極電極39 和漏極電極40連接的接觸層起作用。
半導(dǎo)體活性層36通過CVD法，由非晶硅(a-Si)形成。此外， 添加雜質(zhì)半導(dǎo)體層37，通過CVD法，由在硅(Si)中添加有磷(P) 等雜質(zhì)的n+非晶硅(n+ a—Si)形成。
源極線38形成為隔著平坦化層34a和柵極絕緣膜35與柵極線32 交叉(大致正交)。這樣，源極線38和柵極線32隔著作為層間絕緣膜 起作用的平坦化層34a配置，因此能夠有效地降低在源極線38和柵極線32之間產(chǎn)生的寄生電容。因而，液晶顯示面板100a能夠進(jìn)行高頻 驅(qū)動(dòng)。
源極電極39和漏極電極40以在半導(dǎo)體活性層36的上方相對(duì)的方 式形成，此外，處于隔著添加雜質(zhì)半導(dǎo)體層37與半導(dǎo)體活性層36電 連接的狀態(tài)。源極電極39、漏極電極40和源極線38通過對(duì)同一導(dǎo)電 膜(例如金屬薄膜)進(jìn)行圖案化而形成。
這樣，TFT44是底柵型(也稱作柵極電極下置型)的非晶硅TFT。 此外，源極電極39與源極線38形成為一體，由此與源極線38電 連接。
另一方面，漏極電極40在設(shè)置于Pas膜41的接觸孔45內(nèi)與像素 電極42相接，由此與像素電極42電連接。另外，源極電極39、漏極 電極40和源極線38通過對(duì)同一導(dǎo)電膜(例如金屬薄膜)進(jìn)行圖案化 而形成。這樣，源極電極39、漏極電極40和源極線38也作為遮光部 件部件起作用。源極電極39、漏極電極40和源極線38的膜厚優(yōu)選設(shè) 為230腦。
Pas膜41形成為覆蓋TFT44、源極線38、漏極電極40等，作為 絕緣層和保護(hù)層起作用。Pas膜41通過CVD法由SiNx、 SiOx等無機(jī) 絕緣材料形成。Pas膜41的膜厚優(yōu)選設(shè)為265nm。
像素電極42與副像素61的開口部對(duì)應(yīng)而形成在Pas膜41上。像 素電極42通過濺射法由銦錫氧化物(ITO)等透明導(dǎo)電膜形成。像素 電極42的膜厚優(yōu)選設(shè)為70nm。此外，在像素電極42上形成有V字狀 的取向控制用狹縫46。
取向控制用狹縫46配置在相對(duì)于像素電極42的邊緣即相對(duì)于柵 極線32和源極線38傾斜的方向(優(yōu)選大致45。方向)。此外，取向控 制用狹縫46與取向控制用突起15大致平行地形成。另外，各像素電 極42的各區(qū)域通過沒有形成取向控制用狹縫46的連接部分(未圖示) 電連接。
利用該取向控制用狹縫46和上述取向控制用突起15對(duì)液晶層20 中的液晶分子的取向進(jìn)行控制，使液晶顯示面板100a具有多疇。這樣， 液晶顯示面板100a的圖像顯示方式是常黑模式的多疇垂直取向 (MVA)方式。
21而且，高度調(diào)整層43a與柱狀間隔物17a對(duì)應(yīng)形成。更具體而言， 高度調(diào)整層43a是柵極絕緣膜35和Pas膜41之間的層，且有選擇地配 置在與柱狀間隔物17a對(duì)應(yīng)的區(qū)域，通過對(duì)與半導(dǎo)體活性層36同樣的 材料進(jìn)行圖案化而形成。因而，高度調(diào)整層43a的厚度z實(shí)質(zhì)上與半 導(dǎo)體活性層36的厚度(0.10 0.15um左右)相同。此外，高度調(diào)整 層43a通常具有大致均勻的厚度。
另外，半導(dǎo)體活性層36通常使用CVD法，在連續(xù)堆積成為柵極 絕緣膜35的SiNx膜、非晶硅(a—Si)膜、和n+非晶硅(n+ a—Si) 膜之后，通過對(duì)a—Si膜和n+ a—Si膜進(jìn)行圖案化，與添加雜質(zhì)半導(dǎo) 體層37—起形成為島狀。因而，此時(shí)，在成為高度調(diào)整層43a的a— &膜上也形成有11+ a—Si膜。但是，其后，在TFT44的溝道蝕刻工藝 中，n+ a—Si膜的源極電極39和漏極電極不重疊的部分，通過干蝕刻 而被除去。由此，作為高度調(diào)整層43a，能夠僅配置與半導(dǎo)體活性層 36同樣的材料的a—Si膜。
此外，高度調(diào)整層43a的平面形狀并不特別限定于圓形，也能夠 適當(dāng)設(shè)定為橢圓、四角形等。
進(jìn)而，如果高度調(diào)整層43a在作為支承柱狀間隔物17a的基臺(tái)起 作用的范圍內(nèi)，則由于TFT基板30a和CF基板10a的對(duì)準(zhǔn)偏差等， 俯視液晶顯示面板100a時(shí)的高度調(diào)整層43a的配置部位和俯視液晶顯 示面板100a時(shí)的柱狀間隔物17a的配置部位也可以稍微錯(cuò)位。
另一方面，在使高度調(diào)整層43a作為支承柱狀間隔物17a的基臺(tái) 充分起作用的觀點(diǎn)來看，高度調(diào)整層43a優(yōu)選與柱狀間隔物17a的與 TFT基板30a的接觸面相比，具有相同的或者更大的面積。
此外，高度調(diào)整層43a，優(yōu)選與其它的電極、配線等絕緣。即，高 度調(diào)整層43a優(yōu)選處于電絕緣的狀態(tài)。這是由于如果能夠發(fā)揮導(dǎo)電性 的高度調(diào)整層43a與其它的配線等導(dǎo)通，則存在增大寄生電容、發(fā)生 短路不良的情況。從該觀點(diǎn)出發(fā)，高度調(diào)整層43a形成為島狀。
這樣，本實(shí)施方式的液晶顯示面板100a具有與柱狀間隔物17a對(duì) 應(yīng)配置的高度調(diào)整層43a。因而，具有平坦化層的現(xiàn)有的液晶顯示面板 200b中的以柵極線132為起因的臺(tái)階(圖12中，y2)比不具有平坦化 層的現(xiàn)有的液晶顯示面板200a中的以柵極線132為起因的臺(tái)階(圖11中，xl)小(xl〉y2)，相對(duì)于此，具有平坦化層34a的本實(shí)施方式的 液晶顯示面板100a中的以柵極線32為起因的臺(tái)階X增大高度調(diào)整層 43a的厚度z的量。因而，由于能夠在本實(shí)施方式的液晶顯示面板100a 中也能夠利用不具有平坦化層的現(xiàn)有的液晶顯示面板200a所使用的 CF基板，所以不需要切換柱狀間隔物的形成條件，此外，能夠降低在 庫管理的繁雜度。結(jié)果，能夠縮短制造工序的時(shí)間，簡化CF基板的在 庫管理，和削減制造成本。
此外，高度調(diào)整層43a通過對(duì)與半導(dǎo)體活性層36同樣的材料進(jìn)行 圖案化而形成，因此不會(huì)使制造工藝變得復(fù)雜化，能夠形成高度調(diào)整 層43a。
作為高度調(diào)整層43a的厚度z，優(yōu)選比具有平坦化層的現(xiàn)有的液晶 顯示面板200b中的以柵極線132為起因的臺(tái)階y2與不具有平坦化層 的現(xiàn)有的液晶顯示面板200a中的以柵極線132為起因的臺(tái)階xl的差 的兩倍小。由此，能夠使在本實(shí)施方式的液晶顯示面板100a中使用不 具有平坦化層的現(xiàn)有的液晶顯示面板200a的CF基板時(shí)的單元間隙的 從適當(dāng)值的偏離，比在沒有高度調(diào)整層的現(xiàn)有的液晶顯示面板200b中 使用不具有平坦化層的現(xiàn)有的液晶顯示面板200a的CF基板時(shí)的單元 間隙的從適當(dāng)值的偏離小。
此外，更優(yōu)選選擇實(shí)質(zhì)上xl =y2+z那樣的高度調(diào)整層43a。由此， 能夠?qū)嵸|(zhì)上消除在本實(shí)施方式的液晶顯示面板100a中使用不具有平坦 化層的現(xiàn)有的液晶顯示面板200a的CF基板時(shí)的單元間隙的從適當(dāng)值 的偏離。
在此，參照?qǐng)D4對(duì)高度調(diào)整層43a的優(yōu)選厚度進(jìn)行更詳細(xì)的說明。 另外，首先，為了簡化說明，考慮將具有平坦化層的本實(shí)施方式的液 晶顯示面板100a中的柵極線32的膜厚與不具有平坦化層的現(xiàn)有的液 晶顯示面板200a中的柵極總線132的膜厚設(shè)為相等而進(jìn)行說明。
當(dāng)令與柱狀間隔物17a對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的柵極線32的從絕緣基板31 面起的高度為hl (柵極線32的膜厚)，令設(shè)置有高度調(diào)整層43a的區(qū) 域中的最上表面的從絕緣基板31面起的高度(包括與柱狀間隔物17a 對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的高度調(diào)整層43a的各層的最上表面的從絕緣基板31面 起的高度)為h2,令與像素開口部對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的最上表面的從絕緣
23基板31面起的高度(與像素開口部對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的各層的最上表面的 從絕緣基板31面起的高度)為h3，令像素電極42的厚度為dp時(shí)，高 度調(diào)整層43a的厚度優(yōu)選以滿足下述式(3)的方式進(jìn)行選擇。由此， 能夠?qū)嵸|(zhì)上消除在本實(shí)施方式的液晶顯示面板100a中使用不具有平坦 化層的現(xiàn)有的液晶顯示面板200a的CF基板時(shí)的單元間隙的從適當(dāng)值 的偏離。
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在此，令高度調(diào)整層43a的厚度為z，令(hl—dp)為x，令h2 與z和h3的差(h2-h3—z)為y，如果對(duì)上述式(3)進(jìn)行變形，則 成為上述式(2)。
這樣，高度調(diào)整層43a的厚度z也可以以滿足上述式(2)的方式 進(jìn)行選擇。據(jù)此，也能夠?qū)嵸|(zhì)上消除單元間隙的從適當(dāng)值的偏離。
另外，x (-hl—dp)，也是平坦化層34a不具有平坦化作用且沒 有形成高度調(diào)整層43a時(shí)的在與柱狀間隔物17a對(duì)應(yīng)的位置形成的各 層的最上表面的從絕緣基板31面起的高度和與像素開口部對(duì)應(yīng)的位置 的從絕緣基板31面起的高度h3的差。即，x也可以說是相當(dāng)于圖11 所示的不具有平坦化層的現(xiàn)有的液晶顯示面板200a中的以柵極線132 為起因的臺(tái)階xl。
此外，y也是與柵極線32重疊且不與高度調(diào)整層43a重疊的區(qū)域 中的各層的最上表面的從絕緣基板31起的高度和與像素開口部對(duì)應(yīng)的 區(qū)域中的各層的最上表面的從絕緣基板31板起的高度的差。即，y也 可以說是相當(dāng)于圖12所示的具有平坦化層的現(xiàn)有的液晶顯示面板 200b中的以柵極線132為起因的臺(tái)階y2。
高度調(diào)整層43a的高度也可以以滿足上述式(1)的方式進(jìn)行選擇， 由此，與沒有高度調(diào)整層43a的情況相比，能夠縮小單元間隙的從適 當(dāng)值的偏離。
另一方面，如果z》2X (x—y)，則與不設(shè)置高度調(diào)整層43a的情 況相比，與適當(dāng)?shù)膯卧g隙的偏差變大，因此不優(yōu)選。
另外，在具有平坦化層的本實(shí)施方式的液晶顯示面板100a中的柵 極線32的膜厚與不具有平坦化層的現(xiàn)有的液晶顯示面板200a中的柵 極線132的膜厚不同的情況下，在將不具有平坦化層的現(xiàn)有的液晶顯示面板200a中的柵極線132的膜厚代入hi的基礎(chǔ)上，以滿足上述式 (2)和減(3)的方式求得x、 z的值即可。由此，在這種情況下，本 質(zhì)上能夠應(yīng)用本發(fā)明，能夠解決當(dāng)初的課題。
此外，如實(shí)施方式3、 5和6說明的那樣，在高度調(diào)整層由多個(gè)層 構(gòu)成的情況下，在上述式(1)和(2)的z中代入構(gòu)成高度調(diào)整層的 各層的厚度的合計(jì)即可。
在使用液晶顯示面板100a制作液晶顯示裝置的情況下，通過一般 的模塊組裝工序，將驅(qū)動(dòng)器、印制配線基板、顯示控制電路、背光源 等與液晶顯示面板100a連接即可。
此外，在TV裝置中應(yīng)用這樣制成的液晶顯示裝置的情況下，通過 一般的方法，在該液晶顯示裝置上進(jìn)一步連接Y/C分離電路、視頻色 度電路、A/D轉(zhuǎn)換器、液晶控制器、背光源驅(qū)動(dòng)電路、微機(jī)(微型計(jì) 算機(jī))、灰度等級(jí)電路等即可。
以上，使用MVA方式的液晶顯示面板為例對(duì)本實(shí)施方式進(jìn)行了說 明，但是作為本實(shí)施方式的液晶顯示面板的顯示模式并沒有特別的限 定，也可以是TN模式、STN模式、IPS模式等。
此外，液晶顯示面板100a中的一個(gè)像素的分割數(shù)(副像素的數(shù)量) 為兩個(gè)，但在本實(shí)施方式的液晶顯示面板中，作為像素的分割數(shù)并沒 有特別的限定，也可以是兩個(gè)以上。當(dāng)然在本實(shí)施方式的液晶顯示面 板中也可以不分割像素。 (實(shí)施方式2)
對(duì)實(shí)施方式2涉及的液晶顯示裝置進(jìn)行說明。另外，對(duì)在本實(shí)施 方式和實(shí)施方式1中重復(fù)的內(nèi)容的說明和圖示予以省略。圖6是表示 實(shí)施方式2涉及的液晶顯示面板的配置有柱狀間隔物的區(qū)域附近的結(jié) 構(gòu)的截面模式圖。
實(shí)施方式2的液晶顯示面板100b具備TFT基板30b和CF基板
10b。
CF基板10b具有層疊間隔物作為柱狀間隔物17b。具體而言，紅 的彩色濾光片14R也形成在BM層12上，并且綠的彩色濾光片14G 和藍(lán)的彩色濾光片14B隔著紅的彩色濾光片14R層疊在BM層12的 上方(圖6中為下方)。進(jìn)而，以覆蓋綠的彩色濾光片14G和藍(lán)的彩色濾光片14B的方式形成由與取向控制用突起同樣材料構(gòu)成的層(樹脂 層)18。這樣，柱狀間隔物17b具有層疊有不同色的彩色濾光片14R、 14G、 14B和樹脂層18的構(gòu)造。
此外，TFT基板30b具有與柱狀間隔物17b對(duì)應(yīng)形成的高度調(diào)整 層43b。更具體而言，高度調(diào)整層43b配置于柵極絕緣膜35和Pas膜 41之間的層，通過對(duì)與源極線(未圖示)同樣的材料(導(dǎo)電膜)進(jìn)行 圖案化而形成。因而，高度調(diào)整層43b的厚度實(shí)質(zhì)上與源極線的厚度 (0.20 0.26um左右)相同。
高度調(diào)整層43b優(yōu)選與其它的電極、配線等絕緣。這是由于如果 導(dǎo)電性的高度調(diào)整層43b與其它的配線等導(dǎo)通，則存在寄生電容增加， 或發(fā)生短路不良的情況。
這樣，由于本實(shí)施方式的液晶顯示面板100b具有與柱狀間隔物 17b對(duì)應(yīng)形成的高度調(diào)整層43b，所以與實(shí)施方式l同樣，能夠利用不 具有平坦化層的現(xiàn)有的液晶顯示面板200c所使用的CF基板，因此不 需要切換柱狀間隔物的形成條件，此外，能夠降低在庫管理的繁雜度。 結(jié)果，能夠縮短制造工序的時(shí)間，簡化CF基板的在庫管理，和削減制 造成本。
此外，由于高度調(diào)整層43b通過對(duì)與源極線同樣的材料進(jìn)行圖案 化而形成，所以不會(huì)使制造工藝變得復(fù)雜化，能夠形成高度調(diào)整層43b。
進(jìn)而，如在[發(fā)明所要解決的課題]中敘述的那樣，對(duì)于層疊間隔物， 調(diào)整其高度是困難的。即，例如如果改變彩色濾光片的膜厚，則發(fā)生 顏色偏差，或透過率發(fā)生變化。此外，如果改變用于形成取向控制用 突起的樹脂的膜厚，則取向控制用突起的高度和粗細(xì)發(fā)生變化，導(dǎo)致 響應(yīng)速度、透過率發(fā)生變化。因而，更優(yōu)選在具有層疊間隔物的液晶 顯示面板中應(yīng)用本發(fā)明。 (實(shí)施方式3)
對(duì)實(shí)施方式3涉及的液晶顯示裝置進(jìn)行說明。另外，對(duì)在本實(shí)施 方式和實(shí)施方式1和2中重復(fù)的內(nèi)容的說明和圖示予以省略。圖7是 表示實(shí)施方式3涉及的液晶顯示面板的配置有柱狀間隔物的區(qū)域附近 的結(jié)構(gòu)的截面模式圖。
實(shí)施方式3的液晶顯示面板100c具備TFT基板30c和具有層疊間隔物作為與實(shí)施方式2同樣的柱狀間隔物17b的CF基板10b。
TFT基板30c具有與柱狀間隔物17b對(duì)應(yīng)形成的高度調(diào)整層43c、 43d。更具體而言，高度調(diào)整層43c配置于柵極絕緣膜35和Pas膜41 之間的層，通過對(duì)與半導(dǎo)體活性層(未圖示)同樣的材料進(jìn)行圖案化 而形成。另一方面，高度調(diào)整層43d配置在Pas膜41上，通過對(duì)與像 素電極42同樣的材料(透明導(dǎo)電膜)進(jìn)行圖案化而形成。因而，高度 調(diào)整層43c的厚度實(shí)質(zhì)上與半導(dǎo)體活性層的厚度(0.10 0.15 u m左右) 相同，另一方面，高度調(diào)整層43d的厚度實(shí)質(zhì)上與像素電極的厚度 (0.06 0.08um左右)相同。
這樣，由于本實(shí)施方式的液晶顯示面板100c具有與柱狀間隔物17b 對(duì)應(yīng)形成的高度調(diào)整層43c、 43d，所以與實(shí)施方式l同樣，能夠利用 不具有平坦化層的現(xiàn)有的液晶顯示面板200c所使用的CF基板，因此 不需要切換柱狀間隔物的形成條件，此外，能夠降低在庫管理的繁雜 度。結(jié)果，能夠縮短制造工序的時(shí)間，簡化CF基板的在庫管理，和削 減制造成本。
此外，由于高度調(diào)整層43c、 43d分別通過對(duì)與半導(dǎo)體活性層和像 素電極42同樣的材料進(jìn)行圖案化而形成，所以不會(huì)使制造工藝變得復(fù) 雜化，能夠形成高度調(diào)整層43c、 43d。
進(jìn)而，由于液晶顯示面板100c具有不同膜厚的高度調(diào)整層43c、 43d，所以能夠進(jìn)行對(duì)在與柱狀間隔物17b對(duì)應(yīng)的位置形成的包括高度 調(diào)整層43c、 43d的各層的最上表面的從絕緣基板31面起的高度的微 調(diào)整。
另外，如果高度調(diào)整層43c、 43d在作為支承柱狀間隔物17b的基 臺(tái)起作用的范圍內(nèi)，則俯視液晶顯示面板100c時(shí)的高度調(diào)整層43c的 配置部位和俯視液晶顯示面板100c時(shí)的高度調(diào)整層43d的配置部位也 可以稍微錯(cuò)位。
此外，如果高度調(diào)整層43c、 43d在作為支承柱狀間隔物17a的基 臺(tái)起作用的范圍內(nèi)，則由于TFT基板30c和CF基板10b的對(duì)準(zhǔn)偏差 等，俯視液晶顯示面板100c時(shí)的高度調(diào)整層43c、 43d的配置部位和 俯視液晶顯示面板100a時(shí)的柱狀間隔物17b的配置部位也可以分別稍 微錯(cuò)位。
27(實(shí)施方式4)
對(duì)實(shí)施方式4涉及的液晶顯示裝置進(jìn)行說明。另外，對(duì)在本實(shí)施 方式和實(shí)施方式1 3中重復(fù)的內(nèi)容的說明和圖示予以省略。圖8是表 示實(shí)施方式4涉及的液晶顯示面板的配置有柱狀間隔物的區(qū)域附近的 結(jié)構(gòu)的截面模式圖。
實(shí)施方式4的液晶顯示面板100d具備TFT基板30d和具有層疊間 隔物作為與實(shí)施方式2同樣的柱狀間隔物17b的CF基板10b。
TFT基板30d具有覆蓋Pas膜41且形成在顯示區(qū)域的大致整個(gè)面 上的平坦化層34b，代替平坦化層34a。
作為平坦化層34b的材料，能夠優(yōu)選使用有機(jī)物，其中能夠優(yōu)選 使用樹脂，特別是能夠優(yōu)選使用丙烯酸樹脂。更優(yōu)選能夠使用感光性 樹脂。平坦化層34b的像素開口部的膜厚優(yōu)選設(shè)為2600nm。
這樣，液晶顯示面板100d具有由通用性高的樹脂等形成的平坦化 膜34b，代替由SOG材料形成的平坦化膜34a，因此與液晶顯示面板 100a相比，能夠?qū)⒅圃斐杀疽种频帽阋恕?br> 另外，在液晶顯示面板100d中，像素電極42通過貫通Pas膜41 和平坦化層34b的接觸孔(未圖示)與漏極電極(未圖示)連接。
此外，TFT基板30d具有與柱狀間隔物17b對(duì)應(yīng)形成的高度調(diào)整 層43e。更具體而言，高度調(diào)整層43e配置在Pas膜41上，通過對(duì)與 像素電極42同樣的材料(透明導(dǎo)電膜)進(jìn)行圖案化而形成。因而，高 度調(diào)整層43e的厚度實(shí)質(zhì)上與像素電極的厚度(0.06 0.08 n m左右) 同樣。
這樣，由于本實(shí)施方式的液晶顯示面板100d具有與柱狀間隔物 17b對(duì)應(yīng)形成的高度調(diào)整層43e，所以與實(shí)施方式l同樣，能夠利用不 具有平坦化層的現(xiàn)有的液晶顯示面板200c所使用的CF基板，因此不 需要切換柱狀間隔物的形成條件，此外，能夠降低在庫管理的繁雜度。 結(jié)果，能夠縮短制造工序的時(shí)間，簡化CF基板的在庫管理，和削減制 造成本。
此外，由于高度調(diào)整層43e通過對(duì)與像素電極42同樣的材料進(jìn)行 圖案化而形成，所以不會(huì)使制造工藝變得復(fù)雜化，能夠形成高度調(diào)整 層43e。進(jìn)而，由于液晶顯示面板100d具有薄的高度調(diào)整層43e，所以在 平坦化層34b的平坦化作用小的情況下是優(yōu)選的。 (實(shí)施方式5)
對(duì)實(shí)施方式5涉及的液晶顯示裝置進(jìn)行說明。另外，對(duì)在本實(shí)施 方式和實(shí)施方式1 4中重復(fù)的內(nèi)容的說明和圖示予以省略。圖9是表 示實(shí)施方式5涉及的液晶顯示面板的配置有柱狀間隔物的區(qū)域附近的 結(jié)構(gòu)的截面模式圖。
實(shí)施方式5的液晶顯示面板100e具備TFT基板30e和具有層疊間 隔物作為與實(shí)施方式2同樣的柱狀間隔物17b的CF基板10b。
TFT基板30e具有覆蓋Pas膜41且形成在顯示區(qū)域的大致整個(gè)面 上的平坦化層34c，代替平坦化層34a。由此，能夠?qū)υ礃O線和像素電 極42之間有效地絕緣，并且能夠降低在它們之間產(chǎn)生的寄生電容。
作為平坦化層34c的材料，能夠優(yōu)選使用有機(jī)物，其中能夠優(yōu)選 使用樹脂，特別是能夠優(yōu)選使用丙烯酸樹脂。
這樣，液晶顯示面板100e具有由通用性高的樹脂等形成的平坦化 膜34c，代替由SOG材料形成的平坦化膜34a，因此與液晶顯示面板 100a相比，能夠?qū)⒅圃斐杀疽种频帽阋恕?br> 另外，在液晶顯示面板100e中，像素電極42通過貫通Pas膜41 和平坦化層34c的接觸孔(未圖示)與漏極電極(未圖示)連接。
此外，TFT基板30e具有與柱狀間隔物17b對(duì)應(yīng)形成的高度調(diào)整 層43f、 43g。更具體而言，高度調(diào)整層43f配置于柵極絕緣膜35和Pas 膜41之間的層，通過對(duì)與半導(dǎo)體活性層(未圖示)同樣的材料進(jìn)行圖 案化而形成。另一方面，高度調(diào)整層43g配置在平坦化層34c上，通 過對(duì)與像素電極42同樣的材料(透明導(dǎo)電膜)進(jìn)行圖案化而形成。因 而，高度調(diào)整層43f的厚度實(shí)質(zhì)上與半導(dǎo)體活性層的厚度(0.10 0.15 lim左右)相同，另一方面，高度調(diào)整層43g的厚度實(shí)質(zhì)上與像素電 極的厚度(0.06 0.08um左右)相同。
這樣，由于本實(shí)施方式的液晶顯示面板100具有與柱狀間隔物17b 對(duì)應(yīng)形成的高度調(diào)整層43f、 43g，所以與實(shí)施方式1同樣，能夠利用 不具有平坦化層的現(xiàn)有的液晶顯示面板200c所使用的CF基板，因此 不需要切換柱狀間隔物的形成條件，此外，能夠降低在庫管理的繁雜度。結(jié)果，能夠縮短制造工序的時(shí)間，簡化CF基板的在庫管理，和削 減制造成本。
此外，由于高度調(diào)整層43f、 43g分別通過對(duì)與半導(dǎo)體活性層和像 素電極42同樣的材料進(jìn)行圖案化而形成，所以不會(huì)使制造工藝變得復(fù) 雜化，能夠形成高度調(diào)整層43f、 43g。
進(jìn)而，由于液晶顯示面板100具有不同膜厚的高度調(diào)整層43f、43g， 所以能夠進(jìn)行對(duì)在與柱狀間隔物17對(duì)應(yīng)的位置形成的包括高度調(diào)整層 43f、 43g的各層的最上表面的從絕緣基板31面起的髙度的微調(diào)整。 (實(shí)施方式6)
對(duì)實(shí)施方式6涉及的液晶顯示裝置進(jìn)行說明。另外，對(duì)在本實(shí)施 方式和實(shí)施方式1 5中重復(fù)的內(nèi)容的說明和圖示予以省略。圖10是 表示實(shí)施方式6涉及的液晶顯示面板的配置有柱狀間隔物的區(qū)域附近 的結(jié)構(gòu)的截面模式圖。
實(shí)施方式6的液晶顯示面板100f具備TFT基板30f和具有層疊間 隔物作為與實(shí)施方式2同樣的柱狀間隔物17b的CF基板10b。
TFT基板30f具有與實(shí)施方式1同樣的平坦化層34a和與實(shí)施方式 5同樣的覆蓋Pas膜41的平坦化層34c。由此，能夠?qū)艠O線32和源 極線之間，源極線和像素電極42之間有效地絕緣，并且能夠降低在它 們之間產(chǎn)生的寄生電容。
這樣，由于TFT基板30f具有兩層平坦化層，所以進(jìn)一步提高基 板的平坦性。結(jié)果，為了轉(zhuǎn)用不具有平坦化層的現(xiàn)有的液晶顯示面板 的CF基板，在本實(shí)施方式中，需要進(jìn)一步增高高度調(diào)整層。
因此，TFT基板30f具有與柱狀間隔物17b對(duì)應(yīng)形成的高度調(diào)整 層43h、 43i、 43j。更具體而言，高度調(diào)整層43h、 43i、 43j配置于柵極 絕緣膜35和Pas膜41之間的層。高度調(diào)整層43h通過對(duì)與半導(dǎo)體活 性層(未圖示)同樣的材料進(jìn)行圖案化而形成。此外，高度調(diào)整層43i 通過對(duì)與添加雜質(zhì)半導(dǎo)體層(未圖示)同樣的材料進(jìn)行圖案化而形成。 進(jìn)而，高度調(diào)整層43j通過對(duì)與源極線(未圖示)同樣的材料(導(dǎo)電膜) 進(jìn)行圖案化而形成。因而，高度調(diào)整層43h的厚度實(shí)質(zhì)上與半導(dǎo)體活 性層的厚度(0.10 0.15ixm左右)相同，高度調(diào)整層43i的厚度實(shí)質(zhì) 上與添加雜質(zhì)半導(dǎo)體層的厚度(0.05 0.06um左右)相同，高度調(diào)整
30層43j的厚度實(shí)質(zhì)上與源極線的厚度(0.20 0.26Pm左右)相同。
這樣，本實(shí)施方式的液晶顯示面板100f,其TFT基板30f更平坦 化，由于具有與柱狀間隔物17b對(duì)應(yīng)形成的高度調(diào)整層43h、 43i、 43j， 因此與實(shí)施方式1同樣，能夠利用不具有平坦化層的現(xiàn)有的液晶顯示 面板200c所使用的CF基板，因此不需要切換柱狀間隔物的形成條件， 此外，能夠降低在庫管理的繁雜度。結(jié)果，能夠縮短制造工序的時(shí)間， 簡化CF基板的在庫管理，和削減制造成本。
此外，由于高度調(diào)整層43h、 43i、 43j分別通過對(duì)與半導(dǎo)體活性層、 添加雜質(zhì)半導(dǎo)體層和源極線同樣的材料進(jìn)行圖案化而形成，所以不會(huì) 使制造工藝變得復(fù)雜化，能夠形成高度調(diào)整層43h、 43i、 43j。
以上，如實(shí)施方式1 6所說明的那樣，在本發(fā)明中，為了使用不 具有平坦化膜的現(xiàn)有的液晶顯示面板的CF基板在本發(fā)明的液晶顯示 面板中實(shí)現(xiàn)所希望的單元間隙，優(yōu)選從構(gòu)成TFT基板的各材料之中適 當(dāng)選擇形成高度調(diào)整層的材料。
此外，利用實(shí)施方式1 6對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但各實(shí)施 方式在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行適當(dāng)組合。
本申請(qǐng)以2007年3月7日提出的日本國專利申請(qǐng)2007-57171號(hào)為 基礎(chǔ)，主張基于巴黎公約或進(jìn)入國的法規(guī)的優(yōu)先權(quán)。該申請(qǐng)的內(nèi)容， 其整體作為參照而納入本申請(qǐng)中。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示面板，其具有第一基板、第二基板、和在第一基板與第二基板之間夾持的液晶層，該第一基板具有第一絕緣基板、在第一絕緣基板的液晶層側(cè)形成的第一配線、和在比第一配線更靠向液晶層側(cè)形成的平坦化層，該第二基板具有第二絕緣基板、和對(duì)應(yīng)于第一配線與平坦化層重疊的區(qū)域形成在第二絕緣基板的液晶層側(cè)的柱狀間隔物，所述液晶顯示面板的特征在于該第一基板具有與柱狀間隔物對(duì)應(yīng)形成的高度調(diào)整層。
2. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述高度調(diào)整層包括由與第一配線和平坦化層以外的形成在第一基板的部件相同的材料形成的層。
3. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于-所述第一基板具有開關(guān)元件， 所述開關(guān)元件包括半導(dǎo)體活性層，所述高度調(diào)整層包括由與半導(dǎo)體活性層相同的材料形成的層。
4. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述第一基板具有開關(guān)元件，所述開關(guān)元件包括半導(dǎo)體活性層和添加雜質(zhì)半導(dǎo)體層， 所述高度調(diào)整層包括由半導(dǎo)體活性層構(gòu)成的層和由添加雜質(zhì)半導(dǎo) 體層構(gòu)成的層。
5. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述第一基板具有像素電極，所述高度調(diào)整層包括由與像素電極相同的材料形成的層。
6. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述第一基板具有第二配線，所述高度調(diào)整層包括由與第二配線相同的材料形成的層。
7. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述高度調(diào)整層是電絕緣狀態(tài)。
8. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于-所述平坦化層作為層間絕緣膜起作用。
9. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述第一基板具有第二配線，所述平坦化層配置在第一配線與第二配線之間，作為層間絕緣膜 起作用。
10. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于-所述第一基板具有第二配線和像素電極，所述平坦化層配置在第二配線與像素電極之間，作為層間絕緣膜 起作用。
11. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述第一基板具有第二配線和像素電極，所述平坦化層包括作為層間絕緣膜起作用的第一平坦化層和第二 平坦化層，該第一平坦化層配置在第一配線與第二配線之間， 該第二平坦化層配置在第二配線與像素電極之間。
12. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述平坦化層包含旋涂玻璃材料。
13. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述平坦化層包含有機(jī)物。
14. 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示面板，其特征在于所述平坦化層包含樹脂。
15. 如權(quán)利要求14所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述平坦化層包含丙烯酸樹脂。
16. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述第二基板具有多個(gè)色層， ^f述柱狀間隔物具有層疊有多個(gè)色層的構(gòu)造。
17. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于-所述第二基板具有取向控制用突起，所述柱狀間隔物包括由與取向控制用突起相同的材料形成的層。
18. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于-所述第二基板具有多個(gè)色層和取向控制用突起， 所述柱狀間隔物具有由與取向控制用突起相同的材料形成的層與 色層層疊的構(gòu)造。
19. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述第一基板具有像素電極， 所述高度調(diào)整層滿足下述式(1):<formula>formula see original document page 4</formula>在式(1)中，z表示高度調(diào)整層的厚度，x表示與柱狀間隔物對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的第一配線的從第一絕緣基板面起的高度hl與像素電極的厚度dp的差(hl—dp)， y表示從設(shè)置有高度調(diào)整層的區(qū)域中的最上表 面的從第一絕緣基板面起的高度h2中減去與像素開口部對(duì)應(yīng)的區(qū)域中 的最上表面的從第一絕緣基板面起的高度h3以及高度調(diào)整層的厚度z 時(shí)的差(h2—h3—z)。
20. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于 所述第一基板具有像素電極， 所述高度調(diào)整層實(shí)質(zhì)上滿足下述式(2):<formula>formula see original document page 5</formula>在式(2)中，z表示高度調(diào)整層的厚度，x表示與柱狀間隔物對(duì) 應(yīng)的區(qū)域中的第一配線的從第一絕緣基板面起的高度hl與像素電極的 厚度dp的差(hl—dp)， y表示從設(shè)置有高度調(diào)整層的區(qū)域中的最上表 面的從第一絕緣基板面起的高度h2中減去與像素開口部對(duì)應(yīng)的區(qū)域中 的最上表面的從第一絕緣基板面起的高度h3以及高度調(diào)整層的厚度z 時(shí)的差(h2—h3—z)。
21. —種液晶顯示裝置，其特征在于 其包括權(quán)利要求1 20中任一項(xiàng)所述的液晶顯示面板。
22. —種電視接收機(jī)，其特征在于-其包括權(quán)利要求21所述的液晶顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠縮短制造工序的時(shí)間、簡化CF基板的在庫管理和削減制造成本的液晶顯示面板、液晶顯示裝置和電視接收機(jī)。本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，其具備第一基板、第二基板、和在第一基板與第二基板之間夾持的液晶層，所述第一基板具有第一絕緣基板、在第一絕緣基板的液晶層側(cè)形成的第一配線、和在比第一配線更靠向液晶層側(cè)形成的平坦化層，所述第二基板具有第二絕緣基板、和對(duì)應(yīng)于第一配線與平坦化層重疊的區(qū)域形成在第二絕緣基板的液晶層側(cè)的柱狀間隔物，其中，所述第一基板具有與柱狀間隔物對(duì)應(yīng)形成的高度調(diào)整層。
文檔編號(hào)G02F1/1339GK101583901SQ20078005011
公開日2009年11月18日 申請(qǐng)日期2007年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月7日
發(fā)明者山田直, 正樂明大 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社