專利名稱：：用于被氧化的污染材料的化學(xué)還原或污染材料的氧化物還原方法及其調(diào)節(jié)系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種用于光刻設(shè)備和一種用于生產(chǎn)器件的方法。
背景技術(shù)：
：光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上(通常到所述襯底的目標部分上)的機器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ic)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０?reticle)的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。典型地，經(jīng)由成像將所述圖案轉(zhuǎn)移到在所述襯底上設(shè)置的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。通常，單獨的襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目標部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括步進機，在所述步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；以及掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向("掃描"方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。還可以通過將所述圖案壓印(imprinting)到所述襯底上，將所述圖案從所述圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到所述襯底上。在光刻設(shè)備中，可以成像到所述襯底上的特征尺寸受到輻射束的波長限制。要生產(chǎn)具有更高密度器件的集成電路，以至獲得更高的操作速度，就期望能夠?qū)Ω√卣鬟M行成像。然而大部分的現(xiàn)有光刻投影設(shè)備采用由汞燈或者準分子激光器產(chǎn)生的紫外光，但是也已提出使用更短波長的輻射，例如，大約13nm。這種輻射稱為極紫外(EUV)或者軟x射線，其可能的來源包括，例如，激光誘導(dǎo)等離子體源、放電等離子體源或者來自電子存儲環(huán)的同步加速器輻射。不久之后，EUV源可以使用錫或者其它的金屬蒸汽來產(chǎn)生EUV輻射。所述錫可能滲漏到所述光刻設(shè)備的其它部分中，并且將以錫或者錫氧化后的錫氧化物沉積在光學(xué)元件上，例如，反射鏡。
發(fā)明內(nèi)容期望提供一種用于還原在設(shè)備中的氣體混合物中一定量氧化物的方法。本發(fā)明提供了一種用于還原設(shè)備中一定量的氧化物的方法，所述設(shè)備包括腔體，所述腔體含有一定量的污染材料和一定量的氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物，所述方法包括步驟在該腔體的至少一部分中提供含氫的氣體；在該腔體的所述至少一部分中形成預(yù)定的最小局部氫氣壓力；在該腔體的所述至少一部分中形成預(yù)定的最大局部氧化劑氣體壓力；保持在該腔體的所述至少一部分中的溫度，以使得所保持的溫度至少比在熱力學(xué)平衡下給定的所形成的預(yù)定最大局部氧化劑氣體壓力和最小局部氫氣壓力下的溫度高，至少局部被氧化的污染材料的量比氧化物的量高至少10倍。本發(fā)明還涉及一種器件制造方法，所述方法包括步驟將圖案化輻射束投影到襯底上，其中所述方法包括提供光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括輻射源、照射系統(tǒng)和投影系統(tǒng)；采用照射系統(tǒng)提供輻射束；在輻射束的橫截面上使輻射束圖案化以提供圖案化輻射束，其中在光刻設(shè)備的使用中，通過根據(jù)本發(fā)明的方法控制照射系統(tǒng)內(nèi)的環(huán)境。本發(fā)明還涉及一種計算機程序產(chǎn)品，所述產(chǎn)品包括要被光刻設(shè)備的處理器加載的數(shù)據(jù)和指令，所述產(chǎn)品被配置使光刻設(shè)備在所述光刻設(shè)備內(nèi)實現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的方法。本發(fā)明還涉及一種用于還原一定量的氧化物的調(diào)節(jié)系統(tǒng)，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括腔體和控制單元，所述腔體內(nèi)含有一定量的污染材料和一定量的氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物，所述腔體包括入口，所述入口配置用于在腔體的至少一部分中提供含氫的氣體；待清潔的元件，設(shè)置在所述腔體的所述至少一部分中；溫度測量裝置，配置用于測量所述腔體的所述至少一部分中的溫度；加熱元件，用于加熱待清潔的單元，其中控制單元配置用于控制加熱元件的啟動以保持腔體內(nèi)的溫度，所述溫度至少比在熱力學(xué)平衡下給定的所形成的局部氧化劑氣體壓力和局部氫氣壓力下的溫度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍。本發(fā)明還涉及光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括照射系統(tǒng)，配置用于調(diào)節(jié)輻射束；支撐件，配置用于支撐圖像形成裝置，所述圖像形成裝置配置用于將圖案賦予所述輻射束的橫截面上，以形成圖案化輻射束；襯底臺，配置用于保持襯底；以及投影系統(tǒng)，配置用于將圖案化輻射束投影到所述襯底的目標部分上，其中所述照射系統(tǒng)包括前面提到的調(diào)節(jié)系統(tǒng)。本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體器件制造方法，所述方法包括步驟使用光刻設(shè)備將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到襯底上。本發(fā)明還涉及一種用于去除置于設(shè)備的腔體內(nèi)的元件上的污染材料的沉積物的方法，所述腔體含有一定量的污染材料和一定量的氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物，所述方法包括步驟在腔體的至少一部分中提供含氫的氣體；在該腔體的所述至少一部分中形成預(yù)定的最小局部氫氣壓力；在該腔體的所述至少一部分中形成預(yù)定的最大局部氧化劑氣體壓力；保持在該腔體的至少一部分中的溫度，以使得所保持的溫度至少比在熱力學(xué)平衡下給定的所形成的預(yù)定局部氧化劑氣體壓力和局部氫氣壓力下的溫度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍；提供一種含鹵素的氣體，所述含鹵素的氣體用于去除所述元件上的至少一部分沉積物。本發(fā)明還涉及一種用于還原光刻設(shè)備中的氣體混合物中的一定量的錫氧化物的方法，所述光刻設(shè)備包括含有氣體混合物的腔體，所述氣體混合物包含一定量的錫材料和一定量的錫氧化物，所述方法包括在所述腔體的至少一部分中提供氫氣；在該腔體的所述至少一部分中形成預(yù)定的最小局部氫氣壓力；在該腔體的所述至少一部分中形成預(yù)定的最大局部氧化劑氣體壓力；保持在該腔體的所述至少一部分中的溫度，以使得所保持的溫度至少比在熱力學(xué)平衡下給定的所形成的預(yù)定局部氧化劑氣體壓力和局部氫氣壓力下的溫度高，錫材料的量比錫氧化物的量高至dno倍。在此僅借助示例，參照所附示意圖對本發(fā)明的實施例進行描述，在所附示意圖中，相同的附圖標記表示相同的部分，且其中-圖l示意性示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設(shè)備；圖2示意性更詳細地示出圖1中的光刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)；圖3示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的調(diào)節(jié)系統(tǒng)；圖4a-d示出四張仿真圖，所述仿真圖示出作為對于不同的氫氣和氧氣的局部氣體壓力下的溫度的函數(shù)的錫和錫氧化物的可得到的量；以及圖5示意性地示出包括如在本發(fā)明的實施例中所使用的處理器的計算機。具體實施例方式圖l示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻設(shè)備l。所述設(shè)備l包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，所述照射系統(tǒng)配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或極紫外(EUV)輻射)。支撐件(例如掩模臺)MT，配置用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連。襯底臺(例如晶片臺)WT，配置用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連。投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PL，所述投影系統(tǒng)PL配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C(例如包括一根或多根管芯)上。所述照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其他類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐件支撐圖案形成裝置，例如，承擔(dān)所述圖案形成裝置的重量。其以依賴于圖案形成裝置的取向、光刻設(shè)備的設(shè)計以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐件可以采用機械的、真空的、靜電的或其他夾持技術(shù)保持圖案形成裝置。所述支撐件可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。所述支撐件可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語"掩模版"或"掩模"都可以認為與更上位的術(shù)語"圖案形成裝置"同義。這里所使用的術(shù)語"圖案形成裝置"應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標部分上所需的圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標部分上形成的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例釆用小反射鏡的矩陣布置，可以獨立地傾斜每一個小反射鏡，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述己傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。應(yīng)該將這里使用的術(shù)語"投影系統(tǒng)"廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的任何術(shù)語"投影透鏡"可以認為是與更上位的術(shù)語"投影系統(tǒng)"同義。如這里所述的，所述光刻設(shè)備是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多個襯底臺(和/或兩個或更多個掩模臺)的類型。在這種"多臺"機器中可以并行地使用附加的臺，或可以在將一個或更多個其他臺用于曝光的同時，在一個或更多個臺上執(zhí)行預(yù)備步驟。所述光刻設(shè)備也可以是其中至少一部分襯底可以被具有相對高折射率的液體(例如水)覆蓋的類型，以便填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空隙。浸沒液也可以被應(yīng)用到光刻設(shè)備中的其他空隙中(例如在所述掩模和投影系統(tǒng)之間)。浸沒技術(shù)用于增加投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑是本領(lǐng)域公知的。這里所使用的該術(shù)語"浸沒"并不意味著結(jié)構(gòu)(例如襯底)必須浸在液體中，而僅僅意味著在曝光過程中，液體位于投影系統(tǒng)和襯底之間。參照圖1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射。該源和所述光刻設(shè)備可以是分立的實體(例如當該源為準分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源考慮成光刻設(shè)備的組成部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其他情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當所述源是汞燈時)?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時的所述束傳遞系統(tǒng)BD—起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為cT-外部和cT-內(nèi)部)進行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其他部件，例如積分器IN和聚光器CO?？梢詫⑺稣丈淦饔糜谡{(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強度分布。所述輻射束B入射到保持在支撐件(例如，掩模臺MT)上的所述圖案形成裝置(例如，掩模MA)上，并且通過所述圖案形成裝置來形成圖案。已經(jīng)穿過掩模MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述PS將輻射束聚焦到所述襯底W的目標部分C上。通過第二定位裝置PW和定位傳感器IF2(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個定位傳感器IF1(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)用于將掩模MA相對于所述輻射束B的路徑精確地定位。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現(xiàn)掩模臺MT的移動。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現(xiàn)所述襯底臺WT的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，所述掩模臺MT可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的?？梢允褂醚谀蕵擞汳1、M2和襯底對準標記P1、P2來對準掩模MA和襯底W。盡管所示的襯底對準標記占據(jù)了專用目標部分，但是他們可以位于目標部分之間的空隙(這些公知為劃線對齊標記)上。類似地，在將多于一個的管芯設(shè)置在掩模MA上的情況下，所述掩模對準標記可以位于所述管芯之間?？梢詫⑺鲈O(shè)備用于以下模式的至少一種-1.在步進模式中，在將賦予所述輻射束的整個圖案一次投影到目標部分C上的同時，將掩模臺MT和所述襯底臺WT保持為基本靜止(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標部分C曝光。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上的同時，對掩模臺MT和襯底臺WT同步地進行掃描(即，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于掩模臺MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一的動態(tài)曝光中的所述目標部分的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運動的長度確定了所述目標部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的掩模臺MT保持為基本靜止狀態(tài)，并且在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標部分C上的同時，對所述襯底臺WT進行移動或掃描。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。在本說明書的上下文中，"光學(xué)元件"包括一個或更多個選自以下元件的元件濾光器，光柵，諸如多層反射鏡、掠入射反射鏡、正入射反射鏡、采集器反射鏡等的反射鏡，透鏡，掩模版，二極管，諸如強度測量傳感器、能量傳感器、CCD傳感器、對準傳感器(諸如光學(xué)對準傳感器)的傳感器，以及諸如氣體隔離件和翼片阱的碎片減少系統(tǒng)。這樣的光學(xué)元件可以是平的或彎曲的，并且可以以層、翼片、器件等形式出現(xiàn)。在本發(fā)明的實施例中，這樣的光學(xué)元件可以是發(fā)光的或者針對預(yù)定波長(像5-20nmEUV輻射，248nm，193nm，157nm，126nm等)的輻射而設(shè)計。它們也可以針對波長為A的輻射，在透鏡情況下透射，在反射鏡情況下反射，在光柵情況下衍射。一些光學(xué)元件可以提供一種或更多種這樣的光學(xué)效應(yīng)。正如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解的那樣，具有5-20nm范圍的波長的輻射與具有一定波長帶寬的輻射相關(guān)，其中至少它的一部分可以在5-20nm范圍找到。在本說明書的上下文中，"還原氧化物"包括阻止氧化物的形成和將氧化物通過化學(xué)還原到非氧化狀態(tài)中的至少一種。對在氣相中的氧化物，這兩種都可以做到，并且對在固相和液相中的氧化物這兩種也都可以做到。在本說明書的上下文中，"氧化劑"包括含有氧的材料，所述材料包括氧氣(02)，水(H20)，二氧化碳(C02)和一氧化碳(CO)。圖2更詳細地示出光刻設(shè)備1的結(jié)構(gòu)，所述光刻設(shè)備1包括輻射系統(tǒng)2、照射光學(xué)單元4和投影系統(tǒng)PL。所述輻射系統(tǒng)2包括輻射源SO，所述輻射源SO可以由放電等離子體形成。EUV輻射可以由諸如Xe-氣體，Li-蒸汽或者Sn-蒸汽的氣體或者蒸汽產(chǎn)生，在所述氣體或者蒸汽中，非常熱的等離子體被產(chǎn)生以發(fā)出在電磁波譜的EUV范圍內(nèi)的輻射。通過造成部分離子化的放電等離子體在光軸O上被破壞，產(chǎn)生非常熱的等離子體。對于輻射的有效生成，可能需要Xe，Li，Sn蒸汽或者任何其它合適的氣體或者蒸汽的10Pa的局部壓力。由輻射源SO發(fā)出的輻射從源腔體7通過氣體隔離件或者污染物阱9進入采集器腔體8，所述氣體隔離件8或者污染物阱9定位在源腔體7的開口里或者之后。氣體隔離件/污染物阱9包括通道。采集器腔體8包括輻射采集器10，所述采集器10可以由掠入射采集器構(gòu)成。穿過采集器10的輻射被光柵光譜濾光器11反射而在采集器腔體8的孔中的虛擬源點12處聚焦。來自采集器腔體8的輻射束16被照射光學(xué)單元4通過正入射反射鏡13，14反射到定位在掩模版或者掩模臺MT上的掩模版或者掩模上。圖案化輻射束17被形成，所述圖案化輻射束17在投影系統(tǒng)PL中通過反射元件18，19成像到襯底臺WT上。通常，在照射光學(xué)單元4和投影系統(tǒng)PL中可以存在比顯示出的元件更多的元件。正如上面提到的，EUV光源可以使用錫(Sn)蒸汽產(chǎn)生EUV輻射。所述錫可能泄漏到光刻設(shè)備中并且將沉積到光刻設(shè)備(例如，輻射采集器的反射鏡，翼片阱等等)中的光學(xué)元件上。這樣的輻射采集器的反射鏡可能具有釕(Ru)的EUV反射頂層。在Ru反射層上大于將近10nm的錫沉積層將以與錫塊相同的方式反射EUV輻射。在以錫為基礎(chǔ)的EUV源附近，這種層在有限的時間內(nèi)沉積而成。因此，輻射采集器需要被周期性地清潔。發(fā)現(xiàn)沉積的錫層不單單包括純錫(Sn)。所述層的一大部分包括錫氧化物(像SnO和Sn02)。錫可以通過使用碘氣清潔，不過這不足以去除所述氧化錫。因此氧化錫必須在用碘氣清潔之前被還原。化學(xué)還原處理可以認為是對于材料極其苛刻的情況。例如，輻射采集器50可能在這種處理中劣化。圖3示意性示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的調(diào)節(jié)系統(tǒng)。所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)被用于將設(shè)備中的一定量的氧化物(包括將污染材料的氧化物)還原到非氧化狀態(tài)。所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括腔體20和控制單元21。所述腔體20配備有入口22和出口23，在所述腔體20中實現(xiàn)前面提到的還原。所述入口22被配置用于為所述腔體20的至少一部分提供氣體。在實施例中，提供含有H2的氣體，不過其它氣體，像氧化劑(02，H20，C02，CO等)或者氬(Ar)也可以通過入口22出現(xiàn)在所述腔體20的至少一部分內(nèi)。入口22的橫截面可以通過使用調(diào)整裝置24(例如，閥)被調(diào)整?？商娲兀肟?2可以配備有化學(xué)過濾器，用于過濾提供的通過其中的氣體。通過調(diào)整入口22的橫截面，或者通過化學(xué)過濾器過濾所提供的通過其中的氣體，不同氣體的局部壓力比(例如，氫氣/氧化劑的局部壓力比)，可以被改變。出口23可以基于同樣的目的連接到泵25上。所述腔體包括光學(xué)元件28(例如，采集器IO)，所述光學(xué)元件28連接到加熱元件29上，所述加熱元件29用于加熱光學(xué)元件28和/或腔體20和其中一部分。在圖3中，加熱元件29被繪制在腔體20內(nèi)鄰近光學(xué)元件28的位置上。應(yīng)該理解，所述加熱元件29也可以設(shè)置在所述腔體20的邊緣上或者集成在所述光學(xué)元件28內(nèi)。所述腔體20可以進一步設(shè)置有溫度測量裝置26和/或局部氣體壓力測量裝置27。這樣的溫度測量裝置26配置用于測量所述腔體20或者其中某些部分中的溫度。局部氣體壓力測量裝置27配置用于測量所述腔體20或者其中某些部分中的局部氣體壓力(例如，氫氣，氧化劑或者氬氣的局部氣體壓力)。在圖3中，繪制了單個的溫度測量裝置26、局部氣體壓力測量裝置27以及加熱元件29。應(yīng)該理解，在其它的實施例中，在每個腔體20內(nèi)這些元件中每一種都可以設(shè)置多于一個。而且，所述腔體20可以設(shè)置有多于一個的入口22和/或出口23?？刂茊卧?1配置用于控制加熱元件29的啟動以形成和保持腔體20內(nèi)的一定溫度。所述啟動可以基于從溫度測量裝置26接收的測量信號。進一步，控制單元21可以基于從局部氣體壓力測量裝置27接收的測量信號控制調(diào)節(jié)單元24和/或泵25以及所述加熱元件29的啟動?？刂茊卧?1根據(jù)這些測量信號，可以發(fā)送控制信號到一個或更多個調(diào)節(jié)裝置24、泵25和加熱元件29，以形成和/或保持所述腔體20內(nèi)關(guān)于溫度和/或局部氣體壓力的期望的條件。所述控制單元21為了前面提到的目的，可以設(shè)置有處理器30和存儲器31。在控制單元21的存儲器31內(nèi)，可以存儲關(guān)于溫度和/或局部氣體壓力的預(yù)定的信息。在存儲在存儲器31中的軟件的控制下，控制單元21的處理器30可以被用于通過從溫度測量裝置26和局部氣體壓力測量裝置27接收的測量信號以及存儲在存儲器31中的關(guān)于溫度和局部氣體壓力的預(yù)定的信息計算要發(fā)送到調(diào)整裝置24、泵25和加熱元件29中的一個或多個的控制信號。腔體20的示例包括采集器腔體8、照射光學(xué)單元4和投影系統(tǒng)PL。在實施例中，所述控制信號不是直接發(fā)送到調(diào)整裝置24、泵25和加熱元件29中的一個或多個中，而是發(fā)送到顯示器上。然后在這種情況下，負責(zé)所述光刻設(shè)備1的操作的操作者，能夠控制將控制信號提供給調(diào)整裝置24、泵25和加熱元件29中的一個或多個。通過熱力學(xué)計算(已經(jīng)通過試驗驗證)，得到當在密閉體積(例如，采集器10)內(nèi)的溫度，要比在熱力學(xué)平衡下給定的確定的局部氧化劑和局部氫氣壓力下、一定的材料(例如，錫)主要以材料本身而不是其氧化物(例如，錫氧化物)的形式存在時的溫度高時，產(chǎn)生使材料的氧化(例如，錫的氧化)最小化的適當?shù)沫h(huán)境是可行的。能夠得出，當所述溫度高于最低溫度時就是這種情況。在所述的最低溫度時，污染材料的量比這種材料的氧化物的量高至少10倍。根據(jù)本發(fā)明的實施例的調(diào)節(jié)系統(tǒng)(例如，圖3中示意性示出的調(diào)節(jié)系統(tǒng))，配置用于在腔體20內(nèi)形成適當?shù)臍錃?、氧化劑以及所有?dǎo)致氧化的氣體種類(例如，H20)的局部氣體壓力，以形成和保持前面提到的最低溫度。通過在污染材料和在該材料中主要存在的其氧化物之間建立熱力學(xué)平衡(例如，氧化物超過至少h10)，可以清潔在所述腔體20內(nèi)的光學(xué)元件28(例如，采集器10)。這里所述的清潔是指全部或者部分地去除前面提到的污染材料的沉積物。整個清潔過程，尤其在部分清潔去除所述污染材料的情況下，可能由多個連續(xù)(可能相同的)的步驟構(gòu)成。在所述情況下，所述過程可能包括被氧化的污染材料的化學(xué)還原和/或污染材料的去除。在圖4a-d中，示出四幅仿真圖，所述仿真圖示出作為對于不同的氫氣和氧氣的局部氣體壓力下的溫度(攝氏度)的函數(shù)的熱力學(xué)穩(wěn)態(tài)的以千摩爾量為單位的錫(Sn;實線)和錫氧化物(SnO和Sn02;分別是上點劃線和下點劃線)。在圖4a和4b中的仿真中，僅包含氧氣的局部氧化劑氣體壓力是10—7mbar。在圖4a中，局部氫氣壓力是l(T4mbar，而在圖4b中，局部氫氣壓力取為l(r3mbar。在圖4c和4d中的仿真中，僅包含氧氣的局部氧化劑氣體壓力是10—8mbar。在圖4c中，局部氫氣壓力是10'4mbar，而在圖4d中局部氫氣壓力取為l(T3mbar。表1列出了在特定的氧化劑/H2的比率下對應(yīng)于存在最少量的錫氧化物的最低溫度(以攝氏度表示)。表1在特定的氧化劑/H2的比率下對應(yīng)于存在最少量的錫氧化物所需要的<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>從前面提到的熱力學(xué)計算可以看出，當局部氧化劑氣體壓力比局部氫氣壓力低至少大約100倍時，能夠獲得好的結(jié)果。在實施例中，局部氧化劑壓力選自10—8-10—!bar的范圍，局部氫氣壓力選自l(rM0"bar的范圍。類似的調(diào)節(jié)系統(tǒng)可以被用于提供用于去除元件上的污染材料沉積物的方法。在這種方法中，在向所述腔體的至少一部分中提供含氫的氣體之后，在所述腔體的所述部分中形成預(yù)定的最小局部氫氣壓力以及最大的局部氧化劑氣體壓力，并且進一步保持在所述腔體的所述部分中的溫度，使所述溫度高于在熱力學(xué)平衡下給定的預(yù)定最小局部氫氣壓力和最大局部氧化劑氣體壓力下的溫度時，污染材料的量比污染材料的氧化物的量高至少IO倍，含鹵素的氣體被加到所述腔體20中以去除所述元件上的至少一部分沉積物。在實施例中，含鹵素的氣體包括含碘的氣體。含鹵素的氣體可以與含氫的氣體同時提供?？商娲?，還可能在腔體20內(nèi)提供多次(例如，3或5次)含氫的氣體和含鹵素的氣體，例如，提供含鹵素的氣體幾分鐘，提供含氫的氣體幾分鐘，提供含鹵素的氣體幾分鐘等等。應(yīng)當理解，在全文中所使用的處理器30可以在如圖5所示的計算機組件40中實現(xiàn)。存儲器31可能包括多個存儲器部件，例如硬盤41、只讀存儲器(ROM)42、電可擦除只讀存儲器(EEPROM)43和/或隨機存儲器(RAM)44。并不需要上述所有的存儲器部件都存在。進而，存儲器部件在物理上不必位于處理器30附近或者互相鄰近。它們可以位于相互間隔很遠的位置上。處理器30也可以被連接到用戶接口，例如鍵盤45和/或鼠標46。也可以使用觸摸屏、軌跡球、語言轉(zhuǎn)換器或其他接口。處理器30可以被連接到讀取單元47，所述讀取單元47設(shè)置用于在一定的情況下從數(shù)據(jù)載體(例如軟盤48或CDROM49)上讀取數(shù)據(jù)和將數(shù)據(jù)存儲到所述數(shù)據(jù)載體上。也可以使用DVD或其它數(shù)據(jù)載體。處理器30也可以被連接到用于將數(shù)據(jù)打印到紙上的打印機50以及顯示器51，例如監(jiān)視器或液晶顯示器(LCD),或其它任何類型的顯示器。處理器30可以通過負責(zé)輸入/輸出(I/O)的發(fā)送機/接收機連接到通信網(wǎng)絡(luò)52，例如公共幵關(guān)電話網(wǎng)絡(luò)(PSTN)、局域網(wǎng)(LAN)、廣域網(wǎng)(WAN)等。處理器30能夠設(shè)置用于經(jīng)由通信網(wǎng)絡(luò)52與其他通信系統(tǒng)連通。在本發(fā)明的實施例中，外部計算機(未示出)，例如操作者的個人計算機可以經(jīng)由通信網(wǎng)絡(luò)52連入處理器30。處理器30可以被實現(xiàn)為獨立的系統(tǒng)或并行操作的多個處理單元，其中每個處理單元設(shè)置用于執(zhí)行更大的程序的子任務(wù)。所述處理單元也能夠被分成具有多個子處理單元的至少一個主處理單元。處理器30的一些處理單元甚至可以位于遠離其它處理單元的位置上，并經(jīng)由通信網(wǎng)絡(luò)52連通。盡管在本文中可以做出具體的參考，將所述光刻設(shè)備用于制造IC，但應(yīng)當理解，這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如，集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器、薄膜磁頭的等制造。對于普通的技術(shù)人員，應(yīng)該理解的是，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將其中使用的任意術(shù)語"晶片"或"管芯"分別認為是與更上位的術(shù)語"襯底"或"目標部分"同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對己曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語"襯底"也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。盡管以上已經(jīng)做出了具體的參考，在光學(xué)光刻的情況中使用本發(fā)明的實施例，但應(yīng)該理解的是，本發(fā)明可以用于其他應(yīng)用中，例如壓印光刻，并且只要情況允許，不局限于光學(xué)光刻。在壓印光刻中圖案形成裝置中的拓撲限定了在襯底上產(chǎn)生的圖案?？梢詫⑺鰣D案形成裝置的拓撲印刷到提供給所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后，所述圖案形成裝置從所述抗蝕劑上移走，并在抗蝕劑中留下圖案。盡管以上已經(jīng)做出了具體的參考，在浸沒式光刻的情況中使用本發(fā)明的實施例用于補償由于浸沒液體的蒸發(fā)引起的冷卻，但應(yīng)該理解的是，本發(fā)明的多個實施例也可以用于傳統(tǒng)光學(xué)光刻設(shè)備(即，沒有浸沒液體的光學(xué)光刻)中，補償襯底由于輻射引起的加熱而導(dǎo)致的熱變形。這里使用的術(shù)語"輻射"和"束"包含全部類型的電磁輻射，包括紫外輻射(例如具有約365、355、248、193、157或126nm的波長)和極紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm范圍內(nèi)的波長)，以及粒子束，例如離子束或電子束。在上下文允許的情況下，所述術(shù)語"透鏡"可以表示各種類型的光學(xué)部件中的任何一種或它們的組合，包括折射式、反射式、磁性式、電磁式和靜電式的光學(xué)部件。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定的實施例，但是應(yīng)該理解的是本發(fā)明可以以與上述不同的形式實現(xiàn)。例如，本發(fā)明可以采取包含用于描述上述公開的方法的一個或更多個機器可讀指令序列的計算機程序的形式，或者采取具有在其中存儲的這種計算機程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的形式(例如，半導(dǎo)體存儲器、磁盤或光盤)。以上的描述是說明性的，而不是限制性的。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當理解，在不背離所附的權(quán)利要求的保護范圍的條件下，可以對本發(fā)明進行修改。權(quán)利要求1.一種還原設(shè)備中的氧化物的方法，所述設(shè)備包括腔體，所述腔體內(nèi)含有污染材料和氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物，所述方法包括步驟在腔體的至少一部分中提供含氫的氣體；在腔體的所述至少一部分中形成預(yù)定的最小局部氫氣壓力；在腔體的所述至少一部分中形成預(yù)定的最大局部氧化劑氣體壓力；以及保持在腔體的所述至少一部分中的溫度，以使得所保持的溫度至少比在熱力學(xué)平衡下給定的所形成的預(yù)定最大局部氧化劑壓力和最小局部氫氣壓力下的溫度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中所形成的局部氧化劑氣體壓力比所形成的局部氫氣壓力低至少大約100倍。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中局部氧化劑氣體壓力選自10—8-10—'bar的范圍，局部氫氣壓力選自10'M0'bar的范圍。4.一種器件制造方法，所述方法用于在光刻設(shè)備中制造器件，所述光刻設(shè)備包括腔體，所述腔體含有污染材料和氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物，所述方法包括步驟在腔體的至少一部分中提供含氫的氣體；在腔體的所述至少一部分中形成預(yù)定的最小局部氫氣壓力；在腔體的所述至少一部分中形成預(yù)定的最大局部氧化劑氣體壓力；保持在腔體的所述至少一部分中溫度，以使得所保持的溫度至少比在熱力學(xué)平衡下給定的所形成的預(yù)定最大局部氧化劑壓力和最小局部氫氣壓力下的溫度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍；以及將圖案化輻射束投影到至少部分被輻射敏感材料層所覆蓋的襯底上。5.—種計算機程序產(chǎn)品，所述計算機程序產(chǎn)品包括要被光刻設(shè)備的處理器所加載的數(shù)據(jù)和指令，所述計算機程序產(chǎn)品配置用于控制所述光刻設(shè)備以實現(xiàn)方法，所述方法包括步驟在腔體的至少一部分中提供含氫的氣體；在腔體的所述至少一部分中形成預(yù)定的最小局部氫氣壓力；在腔體的所述至少一部分中形成預(yù)定的最大局部氧化劑氣體壓力；以及保持在腔體的所述至少一部分中的溫度，以使得所保持的溫度至少比在熱力學(xué)平衡下給定的所形成的預(yù)定最大局部氧化劑壓力和最小局部氫氣壓力下的溫度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍。6.—種用于還原氧化物的調(diào)節(jié)系統(tǒng)，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括腔體和控制單元，所述腔體含有污染材料和氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物，所述腔體包括入口，所述入口配置用于在腔體的至少一部分中提供含氫的氣體；待清潔的元件，所述待清潔的元件位于所述腔體的所述至少一部分中；加熱元件，所述加熱元件用于加熱所述待清潔的元件，其中控制單元配置用于控制加熱元件的啟動以保持腔體內(nèi)的溫度，所述溫度至少比在熱力學(xué)平衡下所形成的給定的局部氧化劑氣體壓力和給定的局部氫氣壓力下的溫度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的調(diào)節(jié)系統(tǒng)，進一步包括溫度測量裝置，所述溫度測量裝置配置用于測量腔體內(nèi)的溫度，其中所述控制單元配置用于基于由所述溫度測量裝置測量的溫度控制所述加熱元件的啟動。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的調(diào)節(jié)系統(tǒng)，其中所述腔體內(nèi)的氣體組分由局部氣體壓力測量裝置測量，所述局部氣體壓力測量裝置配置用于測量至少氫氣和氧化劑氣體的局部氣體壓力，并且所述控制單元配置用于基于測量的至少氫氣和氧化劑氣體的局部氣體壓力控制所述加熱元件的啟動。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的調(diào)節(jié)系統(tǒng)，其中入口包括可調(diào)整的橫截面，所述控制單元進一步配置用于根據(jù)由局部氣體壓力測量裝置所測量的局部氫氣壓力控制入口橫截面的調(diào)整。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的調(diào)節(jié)系統(tǒng)，其中所述入口設(shè)置有化學(xué)過濾器，所述化學(xué)過濾器用于過濾含氫的氣體以使得氫氣/氧化劑局部壓力比至少為約100。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的調(diào)節(jié)系統(tǒng)，進一步包括連接到泵上的出口，用于控制氣體從腔體排出，其中所述控制單元進一步配置用于根據(jù)由局部氣體壓力測量裝置所測量的局部氧化物氣體壓力調(diào)整泵的泵浦能力。12.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的調(diào)節(jié)系統(tǒng)，其中局部氧化劑氣體壓力選自10—8-10"bar的范圍，局部氫氣壓力選自10-M0'bar的范圍。13.—種光刻設(shè)備，包括照射系統(tǒng)，所述照射系統(tǒng)配置用于調(diào)節(jié)輻射束；支撐件，所述支撐件配置用于支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置配置用于將圖案賦予所述輻射束的橫截面上以形成圖案化輻射束；襯底臺，所述襯底臺配置用于保持襯底；以及投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)配置用于將圖案化輻射束投影到所述襯底的目標部分上，其中所述照射系統(tǒng)包括調(diào)節(jié)系統(tǒng)，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)用于還原氧化物，所述調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括腔體和控制單元，所述腔體含有污染材料和氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物，所述腔體包括入口，所述入口配置用于在腔體的至少一部分中提供含氫的氣體；待清潔的元件，所述待清潔的元件設(shè)置在所述腔體的所述至少一部分中；加熱元件，所述加熱元件用于加熱所述待清潔的元件，其中控制單元配置用于控制加熱元件的啟動以保持腔體內(nèi)的溫度，所述溫度至少比在熱力學(xué)平衡下所形成的給定的局部氧化劑氣體壓力和給定的局部氫氣壓力下的溫度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍。14.一種去除置于設(shè)備的腔體內(nèi)的元件上的污染材料沉積物的方法，所述腔體含有污染材料和氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物，所述方法包括在腔體的至少一部分中提供含氫的氣體；在腔體的所述至少一部分中形成預(yù)定的最小局部氫氣壓力；在腔體的所述至少一部分中形成預(yù)定的最大局部氧化劑氣體壓力；保持在腔體的所述至少一部分中的溫度，以使得所保持的溫度至少比在熱力學(xué)平衡下給定的所形成的預(yù)定局部氧化劑壓力和局部氫氣壓力下的溫度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍；以及提供一種含鹵素的氣體，用于去除所述元件上的至少一部分沉積物。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中含氫的氣體與含鹵素的氣體同時提供。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所形成的局部氧化劑氣體壓力比所形成的局部氫氣壓力局部壓力低至少大約100倍。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中局部氧化劑氣體壓力選自10-8-10—'bar的范圍，局部氫氣壓力選自10—M0'bar的范圍。18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中含鹵素的氣體是含碘的氣體。19.一種用于還原光刻設(shè)備中的氣體混合物中的錫氧化物的方法，所述光刻設(shè)備包括含有氣體混合物的腔體，所述氣體混合物包含錫材料和錫氧化物，所述方法包括在所述腔體的至少一部分中提供氫氣；在腔體的所述至少一部分中形成預(yù)定的最小局部氫氣壓力；在腔體的所述至少一部分中形成預(yù)定的最大局部氧化劑氣體壓力；保持在腔體的所述至少一部分中的溫度，以使得所保持的溫度至少比在熱力學(xué)平衡下給定的形成的預(yù)定局部氧化劑壓力和局部氫氣壓力下的溫度高，錫材料的量比錫氧化物的量高至少10倍。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中局部氧化劑氣體壓力比局部氫氣壓力低至少大約100倍。21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中局部氧化劑氣體壓力選自10—S-l(T'bar的范圍，局部氫氣的氣體壓力選自10《10Vr的范圍。全文摘要設(shè)備內(nèi)的氧化物被還原，所述設(shè)備具有腔體，所述腔體含有污染材料和氧化物，所述氧化物是污染材料的氧化物。在所述方法中，至少在腔體的一部分中提供含氫的氣體。在腔體內(nèi)形成預(yù)定的最小局部氫氣壓力和預(yù)定的最大局部氧化劑壓力。在所述腔體內(nèi)，保持溫度以使得所保持的溫度至少比在熱力學(xué)平衡下給定的所形成的預(yù)定最大局部氧化劑壓力和最小局部氫氣壓力下的溫度高，污染材料的量比氧化物的量高至少10倍。文檔編號G03F7/20GK101371198SQ200780002540公開日2009年2月18日申請日期2007年1月16日優(yōu)先權(quán)日2006年1月17日發(fā)明者A·T·W·肯佩申請人:Asml荷蘭有限公司