專利名稱：半穿透式液晶顯示面板及其像素結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明提供一種半穿透式液晶顯示面板及其像素結構，尤指一種具有單
間隙(single gap)的半穿透式液晶顯示面板及其像素結構。
背景技術：
依據照明光的來源不同，液晶顯示面板可區(qū)分為穿透式、反射式以及半 穿透半反射式(又稱半穿透式)等三種液晶顯示面板。穿透式液晶顯示器通 常具有一用來產生光線的背光源，且背光源所產生的光線會通過液晶顯示面 板而讓使用者觀看到液晶顯示器的畫面顯示。反射式液晶顯示器則設置有反 射像素電極，當反射式液晶顯示器顯示畫面時，環(huán)境光由使用者的觀察面進 入液晶顯示器內，進入液晶顯示面板后再通過反射像素電極將光線反射，而 被反射的光線會再穿出液晶顯示面板，最后使用者便可觀看到液晶顯示面板 的畫面顯示。另一方面，半穿透式液晶顯示面板則是同時具有穿透模式及反 射模式的液晶顯示面板，也即其各像素均包括一穿透區(qū)與一反射區(qū)。
一般而言，現(xiàn)有半穿透式液晶顯示面板包括一像素基板、 一彩色濾光片 基板以及一液晶分子層設于此二基板之間。半穿透式液晶顯示面板另包括復 數(shù)個像素區(qū)，且各像素區(qū)均包括一反射區(qū)與一穿透區(qū)，而各反射區(qū)與各穿透 區(qū)內分別包括一反射像素電極以及一穿透像素電極。由于半穿透式液晶面板 的穿透區(qū)使用背光當作光源，因此光線僅需穿過液晶分子層一次，而反射區(qū) 使用環(huán)境光作為光源，因此光線需穿過液晶分子二次。在此狀況下，位于反 射區(qū)的相位差為穿透區(qū)相位差的二倍，因此在驅動液晶分子時會造成反射率 對電壓的關系與穿透率對電壓的關系(亦即珈瑪曲線，gamma curve)不匹配 的情形。
為解決此問題，業(yè)界研發(fā)出使同一半穿透式液晶面板具有雙間隙(dual
gap)的設計來解決電壓不匹配的問題，其方法是在反射像素電極下方設置一 介電層，以調整反射區(qū)的液晶分子層的間隙，讓液晶分子層在反射區(qū)的間隙 小于在穿透區(qū)的間隙，使得光線通過反射區(qū)與穿透區(qū)時皆具有相同的相位差。 然而，上述介電層雖然可調整光線在液晶分子層中的相位差，但由于像素結 構在反射區(qū)與穿透區(qū)的交界處具有明顯的高度落差，會造成液晶分子排列不 佳而導致漏光，且上述介電層的制作也會增加工藝成本和影響良率。
另一方面，為了解決半穿透式液晶顯示面板的反射模式與穿透模式的珈 瑪曲線不匹配的問題，業(yè)界也發(fā)展出一種調整電容耦合(adjusted capacitance coupling, ACC)技術，其主要是在半穿透式液晶顯示面板中設置第一共通 電極、第二共通電極、第一耦合電容(CC)與第二耦合電容(C2)，并通過 第一耦合電容與一第二耦合電容的耦合來改變反射區(qū)的電壓夾差，以調整反 射模式的珈瑪曲線而使之與穿透模式的珈瑪曲線相匹配。然而，在現(xiàn)行ACC 技術的元件配置設計下，外加的第二共通電極與數(shù)據線會交錯設置于像素基 板上，因此當信號通過數(shù)據線傳輸至面板的各像素時，會拉扯第二共通電極 的電壓，造成嚴重的跨越干擾問題(cross-talk)，無法滿足目前產品要求跨越 干擾小于2%的規(guī)格。所以，目前以ACC技術制作的單間隙半穿透式液晶顯示 面板仍然因為跨越干擾較嚴重等缺點，造成顯示質量不佳而無法符合產品規(guī) 格的要求。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種具有特殊第一共通電極與第二共通電極 相對配置位置的單間隙半穿透式液晶顯示面板，以解決上述現(xiàn)有半穿透式液 晶顯示面板因為第二共通電極和數(shù)據線互相影響而產生嚴重跨越干擾的問題。
本發(fā)明提供一種像素結構，其適用于一半穿透式液晶顯示面板。本發(fā)明 的像素結構包括一基板，具有一像素區(qū)，該像素區(qū)包括一反射區(qū)與一穿透區(qū); 一數(shù)據線，沿一第一方向設置于該基板上； 一掃描線，沿一第二方向設置于 該基板上，且該第二方向與該第一方向交錯； 一薄膜晶體管，與該掃描線與
該數(shù)據線電性連接，該薄膜晶體管包括一延伸電極；以及一第一共通電極與 一第二共通電極，設置于該基板上，該第一共通電極與該第二共通電極大體 沿著該第二方向設置于該基板上，并與該數(shù)據線互相交錯于一交錯區(qū)域內， 該第一共通電極、該第二共通電極以及該數(shù)據線于該交錯區(qū)域內相重疊，且 該第一共通電極位于該第二共通電極與該數(shù)據線之間； 一穿透像素電極，電 性連結該薄膜晶體管；以及一反射像素電極，與該延伸電極耦合形成一第一 耦合電容，且與該第二共通電極耦合形成一第二耦合電容。
本發(fā)明又提供一種半穿透式液晶顯示面板，其包括一第一基板，具有一 像素區(qū)，該像素區(qū)包括一反射區(qū)與一穿透區(qū)； 一數(shù)據線，沿一第一方向設置 于該第一基板上； 一掃描線，沿一第二方向設置于該第一基板上，且該第二 方向與該第一方向交錯； 一第一共通電極與一第二共通電極，設置于該第一 基板上，第一共通電極與第二共通電極大體沿著該第二方向設置于該第一基 板上，并與數(shù)據線互相交錯于一交錯區(qū)域內，第一共通電極、第二共通電極 以及數(shù)據線于該交錯區(qū)域內相重疊，且第一共通電極位于第二共通電極與數(shù) 據線之間； 一穿透像素電極，電性連接該薄膜晶體管； 一反射像素電極，與 延伸電極耦合形成一第一耦合電容，并與第二共通電極耦合形成一第二耦合 電容； 一第二基板，與第一基板相對設置；以及一液晶層，設置于第一基板 跟第二基板之間。
由于在本發(fā)明像素結構中的第一共通電極、第二共通電極與數(shù)據線于一 交錯區(qū)域內互相重疊，而在三者重疊的部分，第一共通電極設于數(shù)據線與第 二共通電極之間，因此可以遮蔽數(shù)據線對第二共通電極的影響，避免在信號 輸入數(shù)據線時拉扯第二共通電極的電壓，進而降低跨越干擾問題。
以下為有關本發(fā)明的詳細說明與附圖。然而所附圖式僅供參考與輔助說 明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
圖l為本發(fā)明半穿透式液晶顯示面板的剖面示意圖2為本發(fā)明半穿透式液晶顯示面板的一像素結構的等效電路圖； 圖3為本發(fā)明像素結構的第一實施例的元件配置上視圖4至圖6分別為圖3沿著切線4-4，、 5-5，、 6-6，的剖面示意圖； 圖7至圖9為本發(fā)明制作薄膜晶體管的工藝示意圖10為本發(fā)明像素結構的第二實施例的上視示意圖11、12分別為圖10所示像素結構沿著切線11-11'與12-12'的剖視示意圖。
主要元件符號說明
10半穿透式液晶顯示面板12第一基板
14第二基板16液晶層
18像素區(qū)20數(shù)據線
22掃描線24薄膜晶體管
24G柵極24S源極
24D漏極24C信道區(qū)域
24L輕摻雜漏極26Cc下電極板
28第二共通電極30穿透區(qū)
32反射區(qū)34延伸電極
36柵極介電層38層間介電層
40平坦層42第二圖案化導電層
44介層洞46調整層
48反射層50第一共通電極
52第三圖案化導電層54第四圖案化導電層
56介電層58反射像素電極
60第二共通電極分枝62第一圖案化導電層
64介層洞66穿透像素電極
68儲存電容區(qū) '70第一耦合電容
72第二耦合電容74交錯區(qū)域
76第一金屬層 78 圖案化光刻膠層
80、 82離子布植工藝 84 第三圖案化導電層
86 像素結構
具體實施例方式
請參考圖l，圖1為本發(fā)明半穿透式液晶顯示面板10的剖面示意圖。半穿 透式液晶顯示面板10包括互相平行且相對設置的第一基板12與第二基板14， 以及設于第一基板12與第二基板14之間的液晶層16。 一般而言，第一基板12 又稱為陣列基板或像素基板，定義為復數(shù)個像素區(qū)16 (繪于圖2)，在半穿透 式液晶顯示面板10的顯示區(qū)域內排列成一陣列，而第二基板14可稱為彩色濾 光片基板，其表面設置彩色濾光片以及黑色矩陣層，以使各像素區(qū)能產生相 對應色彩。此外，本發(fā)明半穿透式液晶顯示面板10采用ACC技術以調整反射 模式的珈瑪曲線，因此較佳僅具有單一間隙G。
圖2顯示半穿透式液晶顯示面板10上一像素結構86的等效電路圖，其對應 于第一基板12上的像素區(qū)18。像素區(qū)18包括至少一數(shù)據線20與一掃描線22。 像素區(qū)18還包括薄膜晶體管24，其柵極24G與源極24S分別電性連接于掃描線22 與數(shù)據線20，薄膜晶體管24的漏極24D則電性連接于穿透液晶電容CLct、儲存 電容Cst以及第一耦合電容Cc的上電極板，而第一耦合電容Cc的下電極板26則 電性連接于反射液晶電容Q^與第二耦合電容C2，其中穿透液晶電容Cu:t與反 射液晶電容CLo是以設于第二基板14表面的透明電極當作下電極板，而儲存電 容Ca是以設于第一基板12表面的第一共通電極COMl當作下電極板。此外，像 素區(qū)18還包括第二共通電極(COM2) 28外接于第一基板12上的外圍電路，作
為第二耦合電容C2的下電極板。
請參考圖3至圖6，圖3為本發(fā)明像素結構86的第一實施例的元件配置上視 圖，而圖4至圖6分別為圖3沿著切線4-4'、 5-5'、 6-6'的剖面示意圖。為了簡化 圖式，圖3至圖6僅繪出第一基板12表面的元件。如圖3所示，像素區(qū)18大體上 可通過二數(shù)據線20與二掃描線22所定義，其中數(shù)據線20與掃描線22分別沿著 一第一方向(亦即圖中所示的Y方向)與一第二方向(X方向)設置于第一基
板12上，且第一方向與第二方向互相交錯。再者，像素區(qū)18另包括穿透區(qū)30 以及反射區(qū)32。薄膜晶體管24設于相鄰像素區(qū)18的反射區(qū)32內，且位于數(shù)據 線20與掃描線22的交界處附近，其具有一延伸電極34電性連接于漏極24D (延 伸電極34又可視為漏極24D的一部分)。請參考圖4，圖4顯示出薄膜晶體管24 沿著切線4-4，的剖面示意圖。薄膜晶體管24為一上柵極型薄膜晶體管，其源極 24S、漏極24D以及通道區(qū)24C形成于第一圖案化導電層62，在本實施例中， 第一圖案化導電層62包括多晶硅材料層，分別通過離子布植工藝而在第一圖 案化導電層62的兩側形成源極24S與漏極24D，中間未摻雜離子的部分即作為 薄膜晶體管24的通道區(qū)24C。在第一圖案化導電層62之上，依序包括柵極介電 層36、柵極24G、層間介電層38以及平坦層40，其中，柵極24G由第二圖案化 導電層42所構成。此外，數(shù)據線20通過設于柵極介電層36與層間介電層38內 的介層洞44而電性連接于源極24S 。
接著請再參閱圖3，延伸電極34的材料包括第一圖案化導電層62與第二圖 案化導電層42，從漏極24D向上延伸經過像素區(qū)18的穿透區(qū)30，再經過儲存電 容區(qū)68而進入反射區(qū)32。在穿透區(qū)30內，延伸電極34電性連接于穿透像素電 極66，使得穿透像素電極66與液晶層16另一端的透明電極COMcF (圖未示， 設于第二基板14的下表面)形成穿透液晶電容CLct，其中液晶層16構成穿透液
晶電容CLCt所需的介電層。
請參考圖5，圖5為圖3所示儲存電容區(qū)68沿著切線5-5'的剖面示意圖。對 照圖5與圖3可知，儲存電容區(qū)68包括第一共通電極50，其由第三圖案化導電 層52所形成。設于儲存電容區(qū)68內的延伸電極34作為儲存電容Ca的上電極板， 而第一共通電極50當作儲存電容Cst的下電極板，而設于第二圖案化導電層42 與第三圖案化導電層52之間的介電層56則作為儲存電容Cst的上、下電極板之 間的介電層。此外，數(shù)據線20的材料包括第四圖案化導電層54，設于第二圖 案化導電層42與第三圖案化導電層52之上。
請同時參閱圖6與圖3，延伸電極34的走線在經過儲存電容區(qū)68之后，會 繼續(xù)向上延伸而進入反射區(qū)32內。反射區(qū)32包括由第三圖案化導電層52所形 成的反射像素電極58。在反射區(qū)32內，延伸電極34與反射像素電極58耦合形 成第一耦合電容70，其中設于第三圖案化導電層52與第二圖案化導電層42之 間的介電層56即為構成第一耦合電容70所需的介電層。此外，反射區(qū)32的平 坦層40表面設有表面粗糙的調整層46，其形成復數(shù)個凸起物(bump)，而在 調整層46上則設有一反射層48覆蓋于調整層46上，其具有凹凸的表面，用來 將光線反射出液晶顯示面板IO，其中反射層48較佳由具有導電性的金屬材料 所構成，例如金屬鋁。反射層48通過接觸插塞(圖未示)電性連接至反射像 素電極58，也可當作反射像素電極58的一部分，因此在反射區(qū)32內，反射層48 (即具有相同電位的反射像素電極58)與液晶層16另一側的透明電極形成反 射液晶電容CLCr。再者，反射區(qū)32第二共通電極28，其大體上沿著第二方向設 置，由第二圖案化導電層42所構成，同樣地，第二共通電極28與第一共通電 極50通過介電層56而電性隔絕。第四圖案化導電層54另形成第二共通電極分 枝60，當作第二共通電極28的一部分，并通過介層洞64而電性連接于第二圖 案化導電層42所形成的第二共通電極28。由圖6可知，第二共通電極28與反射 像素電極58耦合形成第二耦合電容(C2) 72。
對照圖3與圖6可知，第一共通電極50類似于第二共通電極28，大體上沿 著第二方向設置，也即以平行于掃描線22的方向設置于第一基板12上。然而， 值得注意的是，為了避免現(xiàn)有結構中因為第二共通電極28與數(shù)據線20相交錯 而造成跨越干擾的問題，所以本發(fā)明像素結構86特別設計使部分第一共通電 極50的走線由儲存電容區(qū)68上移，以經過第二共通電極28與數(shù)據線20的交錯 處，且設置于第二共通電極28與數(shù)據線20之間，以遮蔽數(shù)據線20對第二共通 電極28的影響。換言之，沿著第二方向設置的第一與第二共通電極50、 28與 沿著第一方向設置的數(shù)據線20互相交錯于一交錯區(qū)域74內，三者于交錯區(qū)域74 內相重疊，且第一共通電極50位于第二共通電極28與數(shù)據線20之間。如圖6所
示，在交錯區(qū)域74內，數(shù)據線20設于第一與第二共通電極50、 28之上，因此 第一共通電極50能夠有效遮蔽數(shù)據線20對第二共通電極28的影響，降低跨越 干擾效應。
在本實施例中，由于第二圖案化導電層42形成了第二共通電極28、掃描 線22與部分延伸電極34，第三圖案化導電層52形成了第一共通電極50與反射 像素電極58，而第四圖案化導電層54則形成數(shù)據線20與第二共通電極分枝54， 因此第二、第三及第四圖案化導電層42、 52、 54的材料較佳為導電性良好的 金屬材料，例如包括銅(copper, Cu)、鉻(chromium, Cr)及鉬(molybdenum, Mo)等材料，可另分別定義為一第一金屬層、 一第二金屬層與一第三金屬層。 在此情況下，為了減少光掩膜與光刻工藝以降低工藝成本，本發(fā)明在制作薄 膜晶體管24時，將兩道離子布植工藝與定義第二圖案化導電層42圖案所需的
光刻工藝整合在一起。
圖7至圖9顯示本實施例制作薄膜晶體管24的工藝示意圖。首先如圖7所 示，提供第一基板12，然后在第一基板12上形成第一圖案化導電層62，其包 括預定的源極、漏極與通道區(qū)。第一圖案化導電層62的形成方法可先于第一 基板12上依序形成一低溫多晶硅材料層與光刻膠層，然后使用包括源極、漏 極、通道區(qū)與部分延伸電極34圖案的一光掩膜，進行一光刻工藝以圖案化該 光刻膠層，再利用該圖案化光刻膠層當作屏蔽而蝕刻低溫多晶硅材料以形成 第一圖案化導電層62。接著，依序于第一基板12上形成柵極介電層36與第一 金屬層76覆蓋第一圖案化導電層62。
然后如圖8所示，在第一基板12上形成一光刻膠層，其較佳包括負型光刻 膠材料，隨后進行一光刻工藝以形成圖案化光刻膠層78,其具有稍大于預定 柵極形狀的圖案。然后以圖案化光刻膠層78當作蝕刻屏蔽，對第一金屬層76 依序進行一干式刻蝕工藝與一濕式刻蝕工藝，造成圖案化光刻膠層78的底部 與第一金屬層76發(fā)生底切現(xiàn)象(under-cut)，使得圖案化光刻膠層78具有底面 小于頂面的結構，而第一金屬層76形成包括柵極24G的第二圖案化導電層42， 其中柵極24G的圖案約略小于圖案化光刻膠層78。接著，進行一高劑量的正向 離子布植工藝80，例如P+型離子布植，以分別在柵極24G兩側的第一圖案化導 電層62上形成源極24S與漏極24D。由圖8可知，由于圖案化光刻膠層78的頂面 大于柵極24G，因此源極24S與漏極24D之間的距離會大于柵極24G的寬度。
接著，請參考圖9，移除圖案化光刻膠層78，然后以柵極24G當作屏蔽， 進行一低劑量的正向離子布植工藝82，例如P-型離子布植，以在柵極24G兩側 下方的第一圖案化導電層62至源極24S與漏極24D之間分別形成一輕摻雜漏極 24L，而柵極24G下方未慘雜離子的第一圖案化導電層62則作為薄膜晶體管24 的通道區(qū)24C。由上述可知，本發(fā)明在制作薄膜晶體管24時，可利用一次光刻 工藝以及一層圖案化光刻膠層78便可定義制作出柵極24G、源極24S、漏極24D 與輕摻雜漏極24L的圖案，因此僅需兩道光掩膜即可制作完薄膜晶體管24，可 以有效節(jié)省光掩膜數(shù)量與工藝成本。通過此種制作薄膜晶體管24的方法，雖 然本發(fā)明需要使用三層金屬層來制作像素結構86的元件，但仍然僅需相同于 傳統(tǒng)工藝的光掩膜數(shù)量與光刻工藝次數(shù)，因此可以符合或甚至簡化目前產品 的工藝與成本規(guī)格。
圖10至圖12顯示本發(fā)明像素結構的第二實施例的示意圖，其中圖10為像 素區(qū)的上視圖，而圖ll、 12分別為圖10所示像素結構沿著切線11-11'與12-12' 的剖視圖，與第一實施例相同的元件沿用同樣的元件符號。在本實施例中， 第一與第二共通電極50、 28使用不同于第一實施例的圖案化導電層所制作， 即本實施例的第一與第二共通電極50、 28分別由第二圖案化導電層42與第一 圖案化導電層62所形成，以省略第一實施例中的第三圖案化導電層52的制作， 更可進一步減少光掩膜數(shù)量與工藝成本。
關于本發(fā)明像素結構86的第二實施例的詳細結構設計，說明如下。首先 請參考圖IO,像素區(qū)18由兩條數(shù)據線20與掃描線22定義而成，其包括穿透區(qū)30 與反射區(qū)32，其中數(shù)據線20與掃描線22分別由第三圖案化導電層84 (對應于 第一實施例中的第四圖案化導電層54)與第二圖案化導電層42所形成。像素
區(qū)18的薄膜晶體管24設于相鄰像素區(qū)18的反射區(qū)32內，通過延伸電極34電性 連接穿透區(qū)30內的穿透像素電極66，以與第一基板12表面的透明電極耦合形 成穿透像素電極CLa。請參考圖ll所示，在儲存電容區(qū)68內，延伸電極34由第 三圖案化導電層84與第一圖案化導電層62所形成，與第一共通電極50形成儲 存電容Cst。此外，延伸電極34另與反射像素電極58在反射區(qū)32內耦合形成第 一耦合電容70，如圖10所示。請再參考圖12，反射像素電極58電性連接于平 坦層40表面上的反射層48，以與第二基板14表面的透明電極(圖未示)耦合 形成反射液晶電容Q^，串聯(lián)于第一耦合電容70。此外，反射像素電極58另與 第二共通電極28耦合形成第二耦合電容72，與反射液晶電容CLa相并聯(lián)。
因此，類似于本發(fā)明的第一實施例，本實施例中的第一共通電極50雖然 由第二圖案化導電層42所形成，其大體上仍然平行于由第一圖案化導電層62 所形成的第二共通電極28，且與數(shù)據線20交錯于交錯區(qū)域74。在交錯區(qū)域74 內，第一共通電極50在垂直方向上設于第二共通電極28與數(shù)據線20之間，以 遮蔽數(shù)據線20對第二共通電極28的影響而降低跨越干擾的情形。此外，第一 共通電極50的走線僅在第二耦合電容72的兩側向下彎折至儲存電容區(qū)68，以 與延伸電極34形成儲存電容Cst。
此外，在本實施例中，由于第一圖案化導電層62用來形成薄膜晶體管24 的源極24S、漏極24D、部分延伸電極34以及第二共通電極28，因此其較佳包
括多晶硅材料，并以高劑量離子布植方法形成重摻雜多晶硅層。另一方面， 第一共通電極50、反射像素電極58及掃描線22由第二圖案化導電層42所形成， 而數(shù)據線20、部分延伸電極34及第二共通電極分枝60由第三圖案化導電層84 所形成，因此第二圖案化導電層42與第三圖案化導電層84較佳包括金屬材料，
可另分別定義為一第一金屬層與一第二金屬層。值得注意的是，本實施例所 教導的像素結構86的優(yōu)點在于像素區(qū)18內的各電子元件僅需使用第一、第二 及第三圖案化導電層62、 42、 84來制作，特別是將第二共通電極28與源極24S、 漏極24D整合于同一摻雜多晶硅材料層上，因此可以節(jié)省光掩膜數(shù)量、工藝材料和工藝成本。
相較于現(xiàn)有技術，由于本發(fā)明的像素結構的第一共通電極設于第二共通 電極與數(shù)據線之間，因此雖然第二共通電極與數(shù)據線會互相交錯，卻仍然能 避免兩者間的信號或電壓互相拉扯而造成明顯的影響，可以有效降低現(xiàn)有技 術中跨越干擾的問題。因此，根據本發(fā)明的像素結構，可以通過ACC技術， 提供穿透珈瑪曲線與反射珈瑪曲線約略相匹配的單間隙半穿透式液晶顯示面 板，同時能改善半穿透式液晶顯示面板跨越干擾的問題。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權利要求范圍所做的均 等變化與修飾，皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權利要求
1.一種像素結構，適用于一半穿透式液晶顯示面板，其包括一基板，具有一像素區(qū)，所述像素區(qū)包括一反射區(qū)與一穿透區(qū)；一數(shù)據線，沿一第一方向設置于所述基板上；一掃描線，沿一第二方向設置于所述基板上，且所述第二方向與所述第一方向相交錯；一薄膜晶體管，與所述掃描線和所述數(shù)據線電性連接，所述薄膜晶體管包括一延伸電極；一第一共通電極與一第二共通電極，設置于所述基板上，所述第一共通電極與所述第二共通電極大體沿著所述第二方向設置于所述基板上，并與所述數(shù)據線互相交錯于一交錯區(qū)域內，在所述交錯區(qū)域內，所述第一共通電極、所述第二共通電極以及所述數(shù)據線相重疊，且所述第一共通電極設于所述第二共通電極與所述數(shù)據線之間；一穿透像素電極，電性連接所述薄膜晶體管；以及一反射像素電極，跟所述延伸電極耦合形成一第一耦合電容，且與所述第二共通電極耦合形成一第二耦合電容。
2. 根據權利要求l所述的像素結構，其中，所述延伸電極為所述薄膜晶體 管的一漏極。
3. 根據權利要求l所述的像素結構，其中，在所述交錯區(qū)域內，所述數(shù)據 線設于所述第一共通電極以及所述第二共通電極之上。
4. 根據權利要求l所述的像素結構，其中，所述像素結構還包括一第一圖 案化導電層與一第二圖案化導電層設于所述基板上，且所述源極與所述漏極 包括所述第一圖案化導電層，而所述第二共通電極以及所述掃描線包括所述 第二圖案化導電層。
5. 根據權利要求4所述的像素結構，其中，所述第二圖案化導電層包括一 第一金屬層。
6. 根據權利要求4所述的像素結構，其中，所述像素結構還包括一第三圖 案化導電層以及一第四圖案化導電層依序設于所述基板上，而所述第一共通 電極以及所述數(shù)據線分別包括所述第三圖案化導電層以及所述第四圖案化導 電層。
7. 根據權利要求6所述的像素結構，其中，所述第三圖案化導電層與所述 第四圖案化導電層分別為一第二金屬層與一第三金屬層。
8. 根據權利要求l所述的像素結構，其中，所述像素結構包括一第一圖案 化導電層設于所述基板上，而所述第二共通電極以及所述源極與所述漏極皆 包括所述第一圖案化導電層。
9. 根據權利要求8所述的像素結構，其中，所述第一圖案化導電層包括一摻雜多晶硅層。
10. 根據權利要求9所述的像素結構，其中，所述像素結構還包括一第二 圖案化導電層以及一第三圖案化導電層，而所述第一共通電極與所述掃描線 都包括所述第二圖案化導電層，而所述信號線包括所述第三圖案化導電層。
11. 根據權利要求10所述的像素結構，其中，所述第二圖案化導電層與所 述第三圖案化導電層分別為一第一金屬層與一第二金屬層。
12. 根據權利要求l所述的像素結構，其中，所述第一耦合電容與所述第 二耦合電容包括設于所述反射區(qū)內。
13. 根據權利要求l所述的像素結構，其中，所述薄膜晶體管還包括至少 一輕摻雜漏極。
14. 根據權利要求13所述的像素結構，其中，所述薄膜晶體管利用二道光 掩膜形成。
15. 根據權利要求13所述的像素結構，其中，所述輕摻雜漏極、所述漏極 以及所述柵極通過一層圖案化光刻膠層所形成。
16. 根據權利要求l所述的像素結構，其中，所述第二共通電極包括設置 于所述反射區(qū)內。
17. 根據權利要求l所述的像素結構，其中，所述像素結構還包括一反射 層設于所述反射區(qū)內，所述反射層電性連接于所述反射像素電極，且具有一 凹凸表面。
18. 根據權利要求l所述的像素結構，其中，所述第一共通電極與所述延伸電極形成一儲存電容。
19. 一種半穿透式液晶顯示面板，包括一第一基板，具有一像素區(qū)，所述像素區(qū)包括一反射區(qū)與一穿透區(qū)； 一數(shù)據線，沿一第一方向設置于所述第一基板上；一掃描線，沿一第二方向設置于所述第一基板上，且所述第二方向與所 述第一方向交錯；一薄膜晶體管，與所述掃描線和所述數(shù)據線電性連接，所述薄膜晶體管 包括一延伸電極；一第一共通電極與一第二共通電極，設置于所述第一基板上，所述第一 共通電極與所述第二共通電極大體沿著所述第二方向設置于所述第一基板 上，并與所述數(shù)據線互相交錯于一交錯區(qū)域內，所述第一共通電極、所述第 二共通電極以及所述數(shù)據線于所述交錯區(qū)域內相重疊，且所述第一共通電極 位于所述第二共通電極與所述數(shù)據線之間；一穿透像素電極，電性連結接所述薄膜晶體管；一反射像素電極，跟所述延伸電極耦合形成一第一耦合電容，且跟所述 第二共通電極耦合形成一第二耦合電容；一第二基板，跟所述第一基板相對設置；以及 一液晶層，設置于所述第一基板與所述第二基板之間。
20. 根據權利要求19所述的半穿透式液晶顯示面板，其中，所述第一基板 與所述第二基板之間具有一單間隙結構。
全文摘要
本發(fā)明提供適用于半穿透式液晶顯示面板的一種像素結構，其包括一基板、一數(shù)據線與一掃描線分別沿一第一方向與一第二方向而互相交錯設置于基板上、一薄膜晶體管包括一延伸電極、一第一共通電極與一第二共通電極大體上沿著該第二方向設置、一穿透像素電極電性連接于薄膜晶體管、以及一反射像素電極。該反射像素電極與延伸電極耦合形成一第一耦合電容，并與第二共通電極耦合形成一第二耦合電容。第一共通電極和第二共通電極與數(shù)據線互相交錯于一交錯區(qū)域內而相重疊，且第一共通電極位于該第二共通電極與該數(shù)據線之間。
文檔編號G02F1/1362GK101178527SQ200710199699
公開日2008年5月14日 申請日期2007年12月17日 優(yōu)先權日2007年12月17日
發(fā)明者林敬桓, 林祥麟, 許時嘉, 陳映如 申請人:友達光電股份有限公司