專利名稱：Tft-lcd陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器，尤其是一種薄膜晶體管液晶顯 示器陣列基板。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射、制造成本相對(duì)較低 等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。TFT-LCD陣列基板是 TFT-LCD的重要部件之一，其結(jié)構(gòu)如圖12所示，主要包括作為襯底的基板， 形成在基板上的柵電極41和柵線10,形成在柵電極41和柵線10上并覆蓋 整個(gè)基板的柵絕緣層(未示出)，形成在柵電極上方的半導(dǎo)體層(未示出)、 攙雜半導(dǎo)體層(未示出)和由源電極42、漏電極43組成的源漏電極，同時(shí) 形成與柵線10垂直交叉的數(shù)據(jù)線20,鈍化層(未示出)覆蓋整個(gè)基板，位 于漏電極43的上方開設(shè)有鈍化層過孔44，像素電極30形成在像素區(qū)域，像 素電極30通過鈍化層過孔44與漏電極43連接。其中與柵線10連接的柵電 極41作為有源元器件的開關(guān)，與數(shù)據(jù)線20連接的源電極42和與像素電極 30連接的漏電極43之間形成導(dǎo)電溝道，半導(dǎo)體層作為有源層。
從現(xiàn)有技術(shù)TFT-LCD陣列基板的結(jié)構(gòu)可以看出，柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處 僅由柵絕緣層隔開絕緣，因此在TFT-LCD陣列基板生產(chǎn)中，柵線和數(shù)據(jù)線的 交叉處容易發(fā)生各種不良。例如，由于生產(chǎn)中的異物或靜電會(huì)造成柵線和數(shù) 據(jù)線之間的短路。當(dāng)發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線短路(DG Short)時(shí)，需要先后送到邊 線修復(fù)(CutR印air)設(shè)備和化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備進(jìn)行維修，具體流程 是先通過邊線修復(fù)設(shè)備將發(fā)生短路處柵線或數(shù)據(jù)線的兩端切斷，再送到化
4學(xué)氣相沉積設(shè)備對(duì)切斷的柵線或數(shù)據(jù)線通過沉積工藝進(jìn)行連接，不僅工序多， 操作復(fù)雜，時(shí)間長，而且重新連接位置處的像素在后續(xù)工序中容易再次出現(xiàn)
不良，維修成功率低。另外，柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處也容易發(fā)生柵線斷路(Gate Open)或數(shù)據(jù)線斷路(Data Open)。當(dāng)發(fā)生柵線斷路或數(shù)據(jù)線斷路時(shí)，也需 要送到化學(xué)氣相沉積設(shè)備通過沉積工藝進(jìn)行連接，同樣存在工序多、時(shí)間長、 維修成功率低等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種TFT-LCD陣列基板，以有效解決現(xiàn)有TFT-LCD 陣列基板生產(chǎn)中易發(fā)生柵線和數(shù)據(jù)線短路、柵線斷路或數(shù)據(jù)線斷路等技術(shù)缺 陷，并進(jìn)一步解決現(xiàn)有技術(shù)維修工序多、時(shí)間長、成功率低等技術(shù)缺陷。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT-LCD陣列基板，包括形成在 基板上的柵線、數(shù)據(jù)線、像素電極和薄膜晶體管，在柵線和數(shù)據(jù)線交叉處， 位于所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)的柵線通過與所述數(shù)據(jù)線形成雙點(diǎn)或多點(diǎn)交叉結(jié)構(gòu)的柵 連接線連接，和/或位于所述柵線兩側(cè)的數(shù)據(jù)線通過與所述柵線形成雙點(diǎn)或多 點(diǎn)交叉結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)連接線連接。
所述柵連接線可以是至少二個(gè)第一柵連接線，所述第一柵連接線與所述 柵線材料相同，且與所述柵線位于同一層。
所述柵連接線也可以是至少 一個(gè)第二柵連接線，所述第二柵連接線與所 述像素電極材料相同，且與所述像素電極位于同一層。
所述柵連接線還可以是至少二個(gè)第一柵連接線和至少一個(gè)第二柵連接 線，所述第一柵連接線與所述柵線材料相同，且與所述柵線位于同一層，所 述第二柵連接線與所述像素電極材料相同，且與所述像素電極位于同一層。
進(jìn)一步地，所述第一柵連接線為直線或弧線，每個(gè)所述第一柵連接線的 寬度為柵線寬度的1/10-1/3，第一柵連接線之間的距離為柵線寬度的 1/10-1/3。所述第二柵連接線為直線或弧線，所述第二柵連接線的寬度為柵線寬度的1/4-3/2。
進(jìn)一步地，所述第二柵連接線可以是通過二個(gè)鈍化層?xùn)啪€過孔與位于數(shù) 據(jù)線兩側(cè)的柵線連接。
在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上，所述數(shù)據(jù)連接線可以是至少二個(gè)第一數(shù)據(jù)連接 線，所述第一數(shù)據(jù)連接線與所述數(shù)據(jù)線材料相同，且與所述數(shù)據(jù)線位于同一 層。
在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上，所述數(shù)據(jù)連接線也可以是至少一個(gè)第二數(shù)據(jù)連 接線，所述第二數(shù)據(jù)連接線與所述像素電極材料相同，且與所述像素電極位 于同一層。
在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上，所述數(shù)據(jù)連接線還可以是至少二個(gè)第一數(shù)據(jù)連 接線和至少一個(gè)第二數(shù)據(jù)連接線，所述第一數(shù)據(jù)連接線與所述數(shù)據(jù)線材料相 同，且與所述數(shù)據(jù)線位于同一層，所述第二數(shù)據(jù)連接線與所述像素電極材料 相同，且與所述像素電極位于同一層。
進(jìn)一步地，所述第一數(shù)據(jù)連接線為直線或弧線，每個(gè)所述第一數(shù)據(jù)連接
線的寬度為數(shù)據(jù)線寬度的1/10~1/3，第一數(shù)據(jù)連接線之間的距離為數(shù)據(jù)線 寬度的1/10~1/3。所述第二數(shù)據(jù)連接線為直線或弧線，所述第二數(shù)據(jù)連接 線的寬度為數(shù)據(jù)線寬度的1/4 ~ 3/2。
進(jìn)一步地，所述第二數(shù)據(jù)連接線可以是通過二個(gè)鈍化層數(shù)據(jù)線過孔與位 于柵線兩側(cè)的數(shù)據(jù)線連接。
本發(fā)明提出了一種TFT-LCD陣列基板，通過在柵線和數(shù)據(jù)線交叉處設(shè)置 形成雙點(diǎn)或多點(diǎn)交叉結(jié)構(gòu)的柵連接線和/或數(shù)據(jù)連接線， 一方面通過增加線路 冗余，降低發(fā)生柵線斷路或數(shù)據(jù)線斷路不良的幾率，另一方面通過多點(diǎn)交叉 結(jié)構(gòu)，降低發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的幾率。與現(xiàn)有技術(shù)柵線和數(shù)據(jù)線在交 叉處為單點(diǎn)交叉的技術(shù)方案相比，本發(fā)明通過在交叉處設(shè)置至少二個(gè)第一柵
連接線與數(shù)據(jù)線交叉或設(shè)置至少二個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線與柵線交叉，減少了柵 線和數(shù)據(jù)線重疊區(qū)域的面積，減少了生產(chǎn)中該重疊區(qū)域落下異物的幾率，因此降低了發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的幾率；同時(shí)正常狀態(tài)時(shí)每個(gè)第一柵連接 線或第一數(shù)據(jù)連接線都能導(dǎo)通，當(dāng)其中一個(gè)第一柵連接線或第一數(shù)據(jù)連接線 發(fā)生斷路時(shí)仍能保證柵線或數(shù)據(jù)線導(dǎo)通，因此也降低了發(fā)生柵線斷路或數(shù)據(jù) 線斷路不良的幾率。同時(shí)，即使生產(chǎn)中出現(xiàn)了柵線/數(shù)據(jù)線短路不良，本發(fā)明 TFT-LCD陣列基板也具有修復(fù)簡(jiǎn)單、工序少、時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)。進(jìn)一步地，與 現(xiàn)有技術(shù)柵線和數(shù)據(jù)線在交叉處為單柵線或單數(shù)據(jù)線的技術(shù)方案相比，本發(fā) 明通過在交叉處設(shè)置至少一個(gè)第二柵連接線或設(shè)置至少一個(gè)第二數(shù)據(jù)連接 線，形成雙柵線結(jié)構(gòu)或雙數(shù)據(jù)線結(jié)構(gòu)，通過增加線路冗余， 一方面有效降低 了發(fā)生柵線斷路或數(shù)據(jù)線斷路不良的幾率，另 一方面可以簡(jiǎn)化修復(fù)柵線/數(shù)據(jù) 線短路不良的工序，提高維修成功率。與發(fā)生短路或斷路時(shí)均采用化學(xué)氣相 沉積設(shè)備進(jìn)行修復(fù)的現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明TFT-LCD陣列基板不僅修復(fù)工序 少，時(shí)間短，而且由于取消了沉積工藝，不會(huì)造成像素不良，維修成功率高。 下面通過附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖5為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第六實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖7為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第七實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖8為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第八實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖9為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第九實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖10為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第十實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖11為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第十一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖12為現(xiàn)有技術(shù)TFT-LCD陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。 附圖標(biāo)記說明
10—柵線； 20
11 —第一柵連接線； 12
21 —第一數(shù)據(jù)連接線； 22
41—柵電極； 42 44—鈍化層過孔。
具體實(shí)施例方式
圖1為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示， 本實(shí)施例TFT-LCD陣列基板的主體結(jié)構(gòu)包括形成在基板上的柵線10、數(shù)據(jù)線 20、像素電極30和薄膜晶體管(TFT),交叉設(shè)置的柵線10和數(shù)據(jù)線20限 定了像素區(qū)域，像素電極30形成在像素區(qū)域內(nèi)。具體地，作為開關(guān)器件的薄 膜晶體管至少包括柵電極41、源電極42和漏電極43,柵電極41和柵線10 位于柵絕緣層之下，源電極42、漏電極43和數(shù)據(jù)線20位于柵絕緣層之上， 其上形成鈍化層，并在漏電極43位置形成鈍化層過孔44,像素電極30形成 在鈍化層上。柵電極41與柵線10連接，源電極42與數(shù)據(jù)線20連接，像素 電極30通過鈍化層過孔44與漏電極43連接，源電極42和漏電極43形成導(dǎo) 電溝道。本實(shí)施例中，位于數(shù)據(jù)線20兩側(cè)的柵線10通過二個(gè)第一柵連接線 11連接，形成柵線10和數(shù)據(jù)線20交叉處的雙點(diǎn)交叉結(jié)構(gòu)，既保證柵線10 的導(dǎo)通，又有效P爭(zhēng)低了發(fā)生柵線斷路或柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的幾率，同時(shí)可 以簡(jiǎn)化維修不良的工序，提高維修成功率。本實(shí)施例第一柵連接線的材料與 柵線相同，并且與柵線形成在同一層，可以在同一次掩模工藝中同時(shí)制備， 第一柵連接線可以為直線結(jié)構(gòu)，也可以為弧線(如半圓)結(jié)構(gòu)或其它多邊結(jié) 構(gòu)。
與現(xiàn)有技術(shù)柵線和數(shù)據(jù)線在交叉處為單點(diǎn)交叉的技術(shù)方案相比，本實(shí)施
8
一數(shù)據(jù)線；
—第二柵連接線；
一第二數(shù)據(jù)連接線;
一源電才及；
30—像素電極； 13—鈍化層?xùn)啪€過孔； 23—鈍化層數(shù)據(jù)線過孔; 43—漏電極；例通過在交叉處設(shè)置二個(gè)第一柵連接線與數(shù)據(jù)線交叉， 一方面減少了柵線和 數(shù)據(jù)線重疊區(qū)域的面積，減少了生產(chǎn)中該重疊區(qū)域落下異物的幾率，因此降
低了發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的幾率；另一方面增加了線路冗余，正常狀態(tài)
時(shí)二個(gè)第一柵連接線都能導(dǎo)通，當(dāng)其中 一個(gè)第一柵連接線發(fā)生斷路時(shí)仍能保 證柵線導(dǎo)通，因此也降低了發(fā)生柵線斷路不良的幾率。進(jìn)一步地，即使生產(chǎn)
中出現(xiàn)了柵線斷路或柵線/數(shù)據(jù)線短路不良，本發(fā)明TFT-LCD陣列基板也具有 修復(fù)簡(jiǎn)單、工序少、時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)。例如，如果一個(gè)第一柵連接線和數(shù)據(jù)線 之間出現(xiàn)短路時(shí)，只需通過邊線修復(fù)設(shè)備將發(fā)生短路的那條第一柵連接線切 斷，而信號(hào)仍能通過另一條第一柵連接線傳遞。又如，如果一個(gè)第一柵連接 線發(fā)生斷路時(shí)，則不需進(jìn)行維修，因?yàn)樾盘?hào)仍能通過另一條第一柵連接線傳 遞。由此可見，與發(fā)生短路或斷路時(shí)均采用化學(xué)氣相沉積設(shè)備進(jìn)行修復(fù)的現(xiàn) 有技術(shù)相比，本實(shí)施例TFT-LCD陣列基板不僅修復(fù)工序少，時(shí)間短，而且由 于取消了沉積維修工藝，不會(huì)造成像素不良，維修成功率高。
在本實(shí)施例上述方案中，第一柵連接線還可以為三個(gè)，也可以為多個(gè)。 第 一柵連接線的寬度既取決于掩模工藝的最小精度，又取決于邊線修復(fù)工藝 切割的最小精度,優(yōu)選地，每個(gè)第一柵連接線的寬度為柵線寬度的1/10-1/3, 相鄰第一柵連接線之間的距離為柵線寬度的1/10-1/3。
圖2為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示， 本實(shí)施例TFT-LCD陣列基板的主體結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例基本相同，不同之處在 于，本實(shí)施例中，位于柵線10兩側(cè)的數(shù)據(jù)線20通過二個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線21 連接，形成柵線10和數(shù)據(jù)線20交叉處的雙點(diǎn)交叉結(jié)構(gòu)，既保證數(shù)據(jù)線20的 導(dǎo)通，又有效降低了發(fā)生數(shù)據(jù)線20斷路或柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的幾率，同 時(shí)可以筒化維修不良的工序，提高維修成功率。本實(shí)施例第一數(shù)據(jù)連接線的 材料與數(shù)據(jù)線相同，并且與數(shù)據(jù)線形成在同一層，可以在同一次掩^t工藝中 同時(shí)制備，第一數(shù)據(jù)連接線可以為直線結(jié)構(gòu)，也可以為弧線(如半圓)結(jié)構(gòu) 或其它多邊結(jié)構(gòu)。
9與現(xiàn)有技術(shù)柵線和數(shù)據(jù)線在交叉處為單點(diǎn)交叉的技術(shù)方案相比，本實(shí)施 例通過在交叉處設(shè)置二個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線與柵線交叉， 一方面減少了柵線和 數(shù)據(jù)線重疊區(qū)域的面積，減少了生產(chǎn)中該重疊區(qū)域落下異物的幾率，因此降
低了發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的幾率；另一方面增加了線路冗余，正常狀態(tài)
時(shí)二個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線都能導(dǎo)通，當(dāng)其中一個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線發(fā)生斷路時(shí)仍 能保證數(shù)據(jù)線導(dǎo)通，因此也降低了發(fā)生數(shù)據(jù)線斷路不良的幾率。進(jìn)一步地，
即使生產(chǎn)中出現(xiàn)了數(shù)據(jù)線斷路或柵線/數(shù)據(jù)線短路不良，本實(shí)施例TFT-LCD陣 列基板也具有修復(fù)簡(jiǎn)單、工序少、時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)。例如，如果一個(gè)第一數(shù)據(jù) 連接線和柵線之間出現(xiàn)短路時(shí)，只需通過邊線修復(fù)設(shè)備將發(fā)生短路的那條第 一數(shù)據(jù)連接線切斷，而信號(hào)仍能通過另一條第一數(shù)據(jù)連接線傳遞。又如，如 果一個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線發(fā)生斷路時(shí)，則不需進(jìn)行維修，因?yàn)樾盘?hào)仍能通過另 一條第一數(shù)據(jù)連接線傳遞。由此可見，與發(fā)生短路或斷路時(shí)均采用化學(xué)氣相 沉積設(shè)備進(jìn)行修復(fù)的現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例TFT-LCD陣列基板不僅修復(fù)工 序少，時(shí)間短，而且由于取消了沉積維修工藝，不會(huì)造成像素不良，維修成 功率高。
在本實(shí)施例上述方案中，第一數(shù)據(jù)連接線還可以為三個(gè)或四個(gè)，也可以 為多個(gè)。第一數(shù)據(jù)連接線的寬度既取決于掩模工藝的最小精度，又取決于邊 線修復(fù)工藝切割的最小精度，優(yōu)選地，每個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線的寬度為數(shù)據(jù)線 寬度的1/10 ~ 1/3，相鄰第一數(shù)據(jù)連接線之間的距離為數(shù)據(jù)線寬度的1/10 ~ 1/3。
圖3為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示， 本實(shí)施例是前述第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的組合。本實(shí)施例中，位于數(shù)據(jù)線 20兩側(cè)的柵線10通過二個(gè)第一柵連接線11連接，位于柵線10兩側(cè)的數(shù)據(jù) 線20通過二個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線21連接，形成柵線10和數(shù)據(jù)線20交叉處的 多點(diǎn)交叉結(jié)構(gòu)，既保證柵線10和數(shù)據(jù)線20的有效導(dǎo)通，又有效降低了發(fā)生 柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的幾率。本實(shí)施例結(jié)構(gòu)除了具有第一實(shí)施例、第二實(shí)施例的效果外，對(duì)于維修柵線/數(shù)據(jù)線短路不良提供了更多的選擇，可以根據(jù)需 要選擇切斷第一柵連接線或切斷第一數(shù)據(jù)連接線，適用范圍廣，最大限度地 提高維修成功率。
圖4為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示， 本實(shí)施例TFT-LCD陣列基板的主體結(jié)構(gòu)包括形成在基板上的柵線10、數(shù)據(jù)線 20、像素電極30和薄膜晶體管，作為開關(guān)器件的薄膜晶體管至少包括柵電極 41、源電極42和漏電極43，柵電極41和柵線10位于柵絕緣層之下，源電 極42、漏電極43和數(shù)據(jù)線20位于柵絕緣層之上，其上形成鈍化層，并在漏 電極43位置形成鈍化層過孔44,像素電極30形成在鈍化層上。柵電極41 與柵線10連接，源電極42與數(shù)據(jù)線20連接，像素電極30通過鈍化層過孔 44與漏電極43連接，源電極42和漏電極43形成導(dǎo)電溝道。本實(shí)施例中， 位于數(shù)據(jù)線20兩側(cè)的柵線IO還通過二個(gè)鈍化層?xùn)啪€過孔13與一個(gè)第二柵連 接線12連接，形成柵線10和數(shù)據(jù)線20交叉處的雙柵線結(jié)構(gòu)，既有效降低了 發(fā)生柵線斷路不良的幾率，同時(shí)可以簡(jiǎn)化修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序， 提高維修成功率。本實(shí)施例第二柵連接線的材料與像素電極材料相同，并且 與像素電極形成在同一層。具體地，在制備TFT-LCD陣列基板中形成鈍化層 過孔44的工藝中，同時(shí)在數(shù)據(jù)線20兩側(cè)的柵線10上形成二個(gè)鈍化層?xùn)啪€過 孔13,使二個(gè)鈍化層?xùn)啪€過孔13暴露出柵線。在形成像素電極工藝中，同 時(shí)在柵線10和數(shù)據(jù)線20交叉處附近形成透明導(dǎo)電材料的第二柵連接線12， 且第二柵連接線12的兩端分別通過鈍化層?xùn)啪€過孔13與柵線10連接，形成 本實(shí)施例的雙柵線結(jié)構(gòu)。
與現(xiàn)有技術(shù)柵線和數(shù)據(jù)線在交叉處為單柵線的技術(shù)方案相比，本實(shí)施例 通過在交叉處設(shè)置第二柵連接線，通過增加線路冗余， 一方面有效降低了發(fā) 生柵線斷路不良的幾率，另一方面可以簡(jiǎn)化修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工 序，提高維修成功率。正常狀態(tài)時(shí)，柵連和第二柵連接線都能導(dǎo)通，當(dāng)其中 某一路發(fā)生斷路時(shí)仍能保證柵線導(dǎo)通。當(dāng)出現(xiàn)柵線/數(shù)據(jù)線短路時(shí)，只需通過
ii邊線修復(fù)設(shè)備將發(fā)生短路的柵線切斷，而信號(hào)仍能通過第二柵連接線傳遞。 與發(fā)生短路或斷路時(shí)均采用化學(xué)氣相沉積設(shè)備進(jìn)行修復(fù)的現(xiàn)有技術(shù)相比，本
實(shí)施例TFT-LCD陣列基板不僅修復(fù)工序少，時(shí)間短，而且由于取消了沉積工 藝，不會(huì)造成像素不良，維修成功率高。
在本實(shí)施例上述方案中，第二4冊(cè)連接線還可以為二個(gè)或三個(gè)，也可以為 多個(gè)。由于第二柵連接線采用透明像素電極材料，其寬度具有較大的范圍， 優(yōu)選地，第二柵連接線的寬度為柵線寬度的1/4-2/3,第二柵連接線的形狀 可以為方形、多邊形、半圓形或弧形等。
圖5為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示， 本實(shí)施例是前述第一實(shí)施例和第四實(shí)施例的組合。本實(shí)施例中，位于數(shù)據(jù)線 20兩側(cè)的柵線10不僅通過三個(gè)第一柵連接線11連接，還通過一個(gè)第二柵連 接線12連接，形成柵線IO和數(shù)據(jù)線20交叉處的多點(diǎn)交叉、多柵線結(jié)構(gòu)，既 保證柵線10的有效導(dǎo)通，又有效降低了發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的幾率， 同時(shí)簡(jiǎn)化了修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序。本實(shí)施例結(jié)構(gòu)組合了第 一實(shí)施 例和第四實(shí)施例的作用和效果，可以最大限度地簡(jiǎn)化修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不 良的工序，最大限度地提高維修成功率，可以適用更廣泛的需求。
圖6為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第六實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示， 本實(shí)施例是前述第二實(shí)施例和第四實(shí)施例的組合。本實(shí)施例中，不僅位于數(shù) 據(jù)線20兩側(cè)的柵線10通過一個(gè)第二柵連接線12連接，而且位于柵線10兩 側(cè)的數(shù)據(jù)線20通過三個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線21連接，形成柵線10和數(shù)據(jù)線20 交叉處的多點(diǎn)交叉、多柵線結(jié)構(gòu)，既保證柵線10和數(shù)據(jù)線20的有效導(dǎo)通， 又有效降低了發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的幾率，同時(shí)簡(jiǎn)化了修復(fù)柵線/數(shù)據(jù) 線短路不良的工序。本實(shí)施例結(jié)構(gòu)組合了第二實(shí)施例和第四實(shí)施例的作用和 效果，可以最大限度地簡(jiǎn)化修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序，最大限度地提 高維修成功率，以適用更廣泛的需求。
圖7為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第七實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7所示，本實(shí)施例是前述第三實(shí)施例和第四實(shí)施例的組合。本實(shí)施例中，不僅位于數(shù)
據(jù)線20兩側(cè)的柵線10通過三個(gè)第一柵連接線11連接、通過一個(gè)第二柵連接 線12連接，而且位于柵線10兩側(cè)的數(shù)據(jù)線20通過三個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線21 連接，形成柵線10和數(shù)據(jù)線20交叉處的多點(diǎn)交叉、多柵線結(jié)構(gòu)，既保證柵 線10和數(shù)據(jù)線20的有效導(dǎo)通，又有效降低了發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的幾 率，同時(shí)簡(jiǎn)化了修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序。本實(shí)施例結(jié)構(gòu)組合了第三 實(shí)施例和第四實(shí)施例的作用和效果，可以最大限度地簡(jiǎn)化修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短 路不良的工序，最大限度地提高維修成功率，以適用更廣泛的需求。
圖8為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第八實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖8所示， 本實(shí)施例TFT-LCD陣列基板的主體結(jié)構(gòu)包括形成在基板上的柵線10、數(shù)據(jù)線 20、像素電極30和薄膜晶體管，作為開關(guān)器件的薄膜晶體管至少包括柵電極 41、源電極42和漏電極43,柵電極41和柵線10位于柵絕緣層之下，源電 極42、漏電極43和數(shù)據(jù)線20位于柵絕緣層之上，其上形成鈍化層，并在漏 電極43位置形成鈍化層過孔44,像素電極30形成在鈍化層上。柵電極41 與柵線10連接，源電極42與數(shù)據(jù)線20連接，像素電極30通過鈍化層過孔 44與漏電極43連接，源電極42和漏電極43形成導(dǎo)電溝道。本實(shí)施例中， 位于柵線10兩側(cè)的數(shù)據(jù)線20還通過二個(gè)鈍化層數(shù)據(jù)線過孔23與一個(gè)第二數(shù) 據(jù)連接線22連接，形成柵線IO和數(shù)據(jù)線20交叉處的雙數(shù)據(jù)線結(jié)構(gòu)，既有效 降低了發(fā)生數(shù)據(jù)線斷路不良的幾率，同時(shí)可以簡(jiǎn)化修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良 的工序，提高維修成功率。本實(shí)施例第二數(shù)據(jù)連接線的材料與像素電極材料 相同，并且與像素電極形成在同一層。具體地，在制備TFT-LCD陣列基板中 形成鈍化層過孔44的工藝中，同時(shí)在柵線10兩側(cè)的數(shù)據(jù)線20上形成二個(gè)鈍 化層數(shù)據(jù)線過孔23,使二個(gè)鈍化層數(shù)據(jù)線過孔23暴露出數(shù)據(jù)線。在形成像 素電極工藝中，同時(shí)在柵線10和數(shù)據(jù)線20交叉處附近形成透明導(dǎo)電材料的 第二數(shù)據(jù)連接線22,且第二數(shù)據(jù)連接線22的兩端分別通過鈍化層數(shù)據(jù)線過 孔23與數(shù)據(jù)線20連接，形成本實(shí)施例的雙數(shù)據(jù)線結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)柵線和數(shù)據(jù)線在交叉處為單數(shù)據(jù)線的技術(shù)方案相比，本實(shí)施 例通過在交叉處設(shè)置第二數(shù)據(jù)連接線，通過增加線路冗余， 一方面有效降低 了發(fā)生數(shù)據(jù)線斷路不良的幾率，另 一方面可以簡(jiǎn)化修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良 的工序，提高維修成功率。正常狀態(tài)時(shí)，數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)連接線都能導(dǎo)通， 當(dāng)其中某一路發(fā)生斷路時(shí)仍能保證數(shù)據(jù)線導(dǎo)通。當(dāng)出現(xiàn)柵線/數(shù)據(jù)線短路時(shí)， 只需通過邊線修復(fù)設(shè)備將發(fā)生短路的數(shù)據(jù)線切斷，而信號(hào)仍能通過第二數(shù)據(jù) 連接線傳遞。與發(fā)生短路或斷路時(shí)均采用化學(xué)氣相沉積設(shè)備進(jìn)行修復(fù)的現(xiàn)有
技術(shù)相比，本實(shí)施例TFT-LCD陣列基板不僅修復(fù)工序少，時(shí)間短，而且由于 取消了沉積工藝，不會(huì)造成像素不良，維修成功率高。
在本實(shí)施例上述方案中，第二數(shù)據(jù)連接線還可以為二個(gè)或三個(gè)，也可以 為多個(gè)。由于第二數(shù)據(jù)連接線采用透明像素電極材料，其寬度具有較大的范 圍，優(yōu)選地，第二數(shù)據(jù)連接線的寬度為數(shù)據(jù)線寬度的1/4-2/3,第二數(shù)據(jù)連 接線的形狀可以為方形、多邊形、半圓形或弧形等。
圖9為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第九實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖9所示， 本實(shí)施例是前述第一實(shí)施例和第八實(shí)施例的組合。本實(shí)施例中，不僅位于數(shù) 據(jù)線20兩側(cè)的柵線10通過三個(gè)第一柵連接線11連接，而且位于柵線10兩 側(cè)的數(shù)據(jù)線20通過一個(gè)第二數(shù)據(jù)連接線22連接，形成柵線10和數(shù)據(jù)線20 交叉處的多點(diǎn)交叉、多數(shù)據(jù)線結(jié)構(gòu)，既保證柵線10和數(shù)據(jù)線20的有效導(dǎo)通， 又有效降低了發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的幾率，同時(shí)簡(jiǎn)化了修復(fù)柵線/數(shù)據(jù) 線短路不良的工序。本實(shí)施例結(jié)構(gòu)組合了第一實(shí)施例和第八實(shí)施例的作用和 效果，可以最大P艮度地簡(jiǎn)化修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序，最大限度地提 高維修成功率，以適用更廣泛的需求。
圖10為本發(fā)明TFT-LCD陣列;S4l第十實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖10所 示，本實(shí)施例是前述第二實(shí)施例和第八實(shí)施例的組合。本實(shí)施例中，位于柵 線10兩側(cè)的數(shù)據(jù)線20不僅通過三個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線21連接，而且還通過一 個(gè)第二數(shù)據(jù)連接線22連接，形成柵線10和數(shù)據(jù)線20交叉處的多點(diǎn)交叉、多
14數(shù)據(jù)線結(jié)構(gòu)，既保證數(shù)據(jù)線2Q的有效導(dǎo)通，又有效降低了發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線 短路不良的幾率，同時(shí)簡(jiǎn)化了修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序。本實(shí)施例結(jié) 構(gòu)組合了第二實(shí)施例和第八實(shí)施例的作用和效果，可以最大限度地簡(jiǎn)化修復(fù) 柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序，最大限度地提高維修成功率，可以適用更廣泛 的需求。
圖11為本發(fā)明TFT-LCD陣列基板第十一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖11 所示，本實(shí)施例是前述第三實(shí)施例和第八實(shí)施例的組合。本實(shí)施例中，不僅 位于數(shù)據(jù)線20兩側(cè)的柵線10通過三個(gè)第一柵連接線11連接，而且位于柵線 10兩側(cè)的數(shù)據(jù)線20通過三個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線21連接、通過一個(gè)第二數(shù)據(jù)連 接線22連接，形成柵線10和數(shù)據(jù)線20交叉處的多點(diǎn)交叉、多數(shù)據(jù)線結(jié)構(gòu)， 既保證柵線10和數(shù)據(jù)線20的有效導(dǎo)通，又有效降低了發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線短路 不良的幾率，同時(shí)筒化了修復(fù)柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的工序。本實(shí)施例結(jié)構(gòu)組 合了第三實(shí)施例和第八實(shí)施例的作用和效果，可以最大限度地筒化修復(fù)柵線/ 數(shù)據(jù)線短路不良的工序，最大限度地提高維修成功率，以適用更廣泛的需求。
最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制， 盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng) 理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技 術(shù)方案的精神和范圍。
1權(quán)利要求
1. 一種TFT-LCD陣列基板，包括形成在基板上的柵線、數(shù)據(jù)線、像素電極和薄膜晶體管，其特征在于，在柵線和數(shù)據(jù)線交叉處，位于所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)的柵線通過與所述數(shù)據(jù)線形成雙點(diǎn)或多點(diǎn)交叉結(jié)構(gòu)的柵連接線連接，和/或位于所述柵線兩側(cè)的數(shù)據(jù)線通過與所述柵線形成雙點(diǎn)或多點(diǎn)交叉結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)連接線連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述柵連接 線為至少二個(gè)第一柵連接線，所述第一柵連接線與所述柵線材料相同，且與 所述柵線位于同一層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述柵連接 線為至少一個(gè)第二柵連接線，所述第二柵連接線與所述像素電極材料相同， 且與所述像素電極位于同 一層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述柵連接 線為至少二個(gè)第一柵連接線和至少一個(gè)第二柵連接線，所述第一柵連接線與 所述柵線材料相同，且與所述柵線位于同一層，所述第二柵連接線與所述像 素電極材料相同，且與所述像素電極位于同一層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一柵 連接線為直線或弧線，每個(gè)所述第一柵連接線的寬度為柵線寬度的1/10 ~ 1/3，第一柵連接線之間的距離為柵線寬度的1/10-1/3。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第二柵 連接線為直線或弧線，所述第二柵連接線的寬度為柵線寬度的1/4-3/2。
7. 才艮據(jù)權(quán)利要求3、 4或6所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述 第二柵連接線通過二個(gè)鈍化層?xùn)啪€過孔與位于數(shù)據(jù)線兩側(cè)的柵線連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1 ~ 6中任一權(quán)利要求所述的TFT-LCD陣列基板，其特征 在于，所述數(shù)據(jù)連接線為至少二個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線，所述第一數(shù)據(jù)連接線與 所述數(shù)據(jù)線材料相同，且與所述凄t據(jù)線位于同一層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1 ~ 6中任一權(quán)利要求所述的TFT-LCD陣列基板，其特征 在于，所述數(shù)據(jù)連接線為至少一個(gè)第二數(shù)據(jù)連接線，所述第二數(shù)據(jù)連接線與 所述像素電極材料相同，且與所述像素電極位于同 一層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1 ~ 6中任一權(quán)利要求所述的TFT-LCD陣列基板，其 特征在于，所述數(shù)據(jù)連接線為至少二個(gè)第 一 數(shù)據(jù)連接線和至少 一 個(gè)第二數(shù)據(jù) 連接線，所述第一數(shù)據(jù)連接線與所述數(shù)據(jù)線材料相同，且與所述數(shù)據(jù)線位于 同一層，所述第二數(shù)據(jù)連接線與所述像素電極材料相同，且與所述像素電極 位于同一層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第一 數(shù)據(jù)連接線為直線或弧線，每個(gè)所述第一數(shù)據(jù)連接線的寬度為數(shù)據(jù)線寬度的 1/10 ~ 1/3，第一數(shù)據(jù)連接線之間的距離為數(shù)據(jù)線寬度的1/10 ~ 1/3。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第二 數(shù)據(jù)連接線為直線或弧線，所述第二數(shù)據(jù)連接線的寬度為數(shù)據(jù)線寬度的1/4 ~ 3/2。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述第二 數(shù)據(jù)連接線通過二個(gè)鈍化層數(shù)據(jù)線過孔與位于柵線兩側(cè)的數(shù)據(jù)線連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種TFT-LCD陣列基板，包括形成在基板上的柵線、數(shù)據(jù)線、像素電極和薄膜晶體管，在柵線和數(shù)據(jù)線交叉處，位于所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)的柵線通過與所述數(shù)據(jù)線形成雙點(diǎn)或多點(diǎn)交叉結(jié)構(gòu)的柵連接線連接，和/或位于所述柵線兩側(cè)的數(shù)據(jù)線通過與所述柵線形成雙點(diǎn)或多點(diǎn)交叉結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)連接線連接。本發(fā)明通過在交叉處設(shè)置至少二個(gè)第一柵連接線與數(shù)據(jù)線交叉和/或設(shè)置至少二個(gè)第一數(shù)據(jù)連接線與柵線交叉，不僅降低了發(fā)生柵線/數(shù)據(jù)線短路不良的幾率，而且降低了發(fā)生柵線斷路或數(shù)據(jù)線斷路不良的幾率，同時(shí)本發(fā)明TFT-LCD陣列基板還具有當(dāng)柵線/數(shù)據(jù)線發(fā)生短路和短路不良時(shí)修復(fù)簡(jiǎn)單、工序少、時(shí)間短和維修成功率高等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101452164SQ20071017894
公開日2009年6月10日 申請(qǐng)日期2007年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月7日
發(fā)明者權(quán)基瑛, 偉 申 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司