專利名稱：掩模板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種掩模板及其制造方法，特別涉及一種可以形成不同電路 圖案的掩模板及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display,以下簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)CD)技術(shù)在近十 年飛速發(fā)展，從屏幕尺寸到顯示質(zhì)量都取得了很大進(jìn)步。并且LCD各方面的 性能已經(jīng)接近傳統(tǒng)陰極射線管(Cathode Ray Tubes,以下簡(jiǎn)稱為CRT)顯示 裝置的水平。隨著LCD面板生產(chǎn)規(guī)模不斷擴(kuò)大，各個(gè)生產(chǎn)廠商之間針對(duì)產(chǎn)品 質(zhì)量和生產(chǎn)成本進(jìn)行激烈地竟?fàn)帯?br> 掩膜板是LCD的陣列基板，彩色濾光片基板等制備過程中光刻工藝所需 要的重要資材，掩膜板的質(zhì)量和成本直接影響到LCD面板的質(zhì)量和生產(chǎn)成本。
現(xiàn)有技術(shù)通過如下步驟制造掩膜板，具體為在基板上沉積一層均勻的 鉻；在鉻上面涂覆光刻膠；通過激光掃描工藝，曝光光刻膠；通過顯影工藝， 去掉被曝光的光刻膠；通過蝕刻工藝，蝕刻4各層；通過剝離工藝，剝離剩余 光刻力交，形成掩一莫4反。
現(xiàn)有的掩模板存在如下缺陷在現(xiàn)有的掩模板遮掩下只能掩模出 一種電 路圖案，從而導(dǎo)致在陣列基板制造過程中需要多次更換掩模板，降低了陣列 基板制造過程中曝光機(jī)的稼動(dòng)率。同時(shí)，現(xiàn)有的掩模板所使用的鉻材料是有 毒材料，特別地在刻蝕工藝中生成的六價(jià)鉻離子為帶有劇毒的物質(zhì)，因此存 在環(huán)境污染隱患。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種掩模板及其制造方法，通過偏振方向不同的偏 振片制作掩模板的方案，克服了現(xiàn)有掩模板只能掩模出 一種電路圖案的缺陷 和現(xiàn)有掩^^板具有環(huán)境污染隱患的缺陷。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種掩模板，包括基板，基板上設(shè)置有 可掩模出第一電路圖案的第一偏振片和可掩模出第二電路圖案的第二偏振 片，第一偏振片和第二偏振片的偏振方向相互垂直。
其中，第一偏振片和第二偏振片之間設(shè)有聚酰亞胺薄膜，使第一偏振片 和第二偏振片分別位于聚酰亞胺薄膜的兩面。
其中，基板上設(shè)有保護(hù)層。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種掩模板制造方法，包括在基板 上粘貼第一偏振片；在第一偏振片上形成第一電路圖案；在基板上粘貼第二 偏振片，第二偏振片的偏振方向垂直于第一偏振片的偏振方向；在第二偏振 片上形成第二電路圖案。
其中，在第一偏振片上形成第一電路圖案具體為在第一偏振片上涂覆 光刻膠，通過激光掃描工藝曝光光刻膠，通過顯影工藝去掉被曝光的光刻膠， 通過蝕刻工藝蝕刻第一偏振片，形成第一電路圖案，通過剝離工藝剝離剩余 光刻膠。
其中，在第一偏振片上形成第一電路圖案具體為通過強(qiáng)脈沖激光掃描 工藝灰化第一偏振片，形成第一電路圖案。
其中，在第二偏振片上形成第二電路圖案具體為在第二偏振片上涂覆 光刻膠，通過激光掃描工藝曝光光刻膠，通過顯影工藝去掉被曝光的光刻膠， 通過蝕刻工藝蝕刻第二偏振片，形成第二電路圖案，通過剝離工藝剝離剩余 光刻月交。
其中，在第一偏振片上形成第二電路圖案具體為通過強(qiáng)脈沖激光掃描 工藝灰化第二偏振片，形成第二電路圖案。其中，在基板上粘貼第二偏振片具體為在基板上涂覆聚酰亞胺薄膜， 在聚酰亞胺薄膜上粘貼第二偏振片。
其中，在第二偏振片上形成第二電路圖案之后還包括在基板上涂覆保 護(hù)層。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種掩模板制造方法，包括分別在 基板和保護(hù)層上粘貼第一偏振片和第二偏振片，且第一偏振片和第二偏振片 的偏振方向相互垂直；在第一偏振片上形成第一電路圖案，在第二偏振片上 形成第二電路圖案；通過聚酰亞胺薄膜粘貼基板和保護(hù)層。
本發(fā)明掩模板及其制造方法，通過在第一偏振片上形成第一電路圖案， 在第二偏振片上形成第二電路圖案，克服了現(xiàn)有掩模板不能掩模出多個(gè)電路
圖案的缺限，達(dá)到了用一個(gè)掩模板形成不同電路圖案的技術(shù)效果。同時(shí)，本 發(fā)明掩模板及其制造方法所使用的偏振片的材質(zhì)為樹脂，因此克服了現(xiàn)有掩 模板制造方法所使用的鉻層引起污染的缺陷，從而使得掩模板可以被方便地 回收并重復(fù)利用。另外，本發(fā)明掩模板及其制造方法所使用的偏振片的材質(zhì) 為樹脂，因此通過揭開偏振片的方法簡(jiǎn)單地去除有誤差的偏振片，克服了現(xiàn) 有掩模板制造方法通過繁瑣的工藝去除有誤差的鉻層的缺陷，從而提高了掩 模板的可修復(fù)性。
下面通過附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為本發(fā)明掩模板第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本發(fā)明掩才莫板第一實(shí)施例的平面示意圖； 圖3為本發(fā)明掩模板第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4為本發(fā)明掩模板第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖5為本發(fā)明掩模板第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6為本發(fā)明掩模板制造方法第一實(shí)施例的流程圖；圖7為本發(fā)明掩4莫板制造方法第二實(shí)施例的流程圖8為本發(fā)明掩模板制造方法第三實(shí)施例的流程圖9為本發(fā)明掩模板制造方法第四實(shí)施例的流程圖10為本發(fā)明掩沖莫板制造方法第五實(shí)施例的流程圖lla為本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例在基板上粘貼第一偏振片 的基板截面示意圖lib為本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例在第一偏振片上涂覆光刻 膠的基板截面示意圖lie為本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例曝光第一偏振片上光刻膠 的基板截面示意圖lid為本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例去掉第一偏振片上被曝光 光刻膠的基板截面示意圖11 e為本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例蝕刻第一偏振片的基板截 面示意圖11 f為本發(fā)明掩;f莫板制造方法的第五實(shí)施例剝離第一偏振片上剩余光 刻膠的基板截面示意圖11 g為本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例在基板上涂覆聚酰亞胺薄 膜的基板截面示意圖11 h為本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例在基板上粘貼第二偏振片 的基板截面示意圖11 i為本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例在第二偏振片上涂覆光刻 膠的基板截面示意圖11 j為本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例曝光第二偏振片上光刻膠 的基板截面示意圖11 k為本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例去掉第二偏振片上被曝光 光刻膠的基板截面示意圖；圖11 1為本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例蝕刻第二偏振片的基板截 面示意圖llm為本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例剝離第二偏振片上剩余光 刻膠的基板截面示意圖lln為本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例在基板上涂覆保護(hù)層的基 板截面示意圖12為本發(fā)明掩才莫板制造方法第六實(shí)施例的流程圖。
附圖標(biāo)記說明
1 —第一偏振片； 2 —第二偏振片； 3—基板；
4一聚酰亞胺薄膜； 5—保護(hù)層； 6—光刻膠。
具體實(shí)施例方式
圖1為本發(fā)明掩模板第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為本發(fā)明掩模板第 一實(shí)施例的平面示意圖，如圖1和圖2所示，掩模板包括基板3,在基板3 上設(shè)置有可掩模出第一電路圖案的第一偏振片1和可掩模出第二電路圖案的 第二偏振片2，其中第一偏振片1的偏振方向和第二偏振片2的偏振方向相互 垂直。
本實(shí)施例掩模板，通過可掩模出第一電路圖案的第 一偏振片和可掩模出 第二電路圖案的第二偏振片，克服了用現(xiàn)有掩模板不能對(duì)應(yīng)多個(gè)電路圖案的 缺點(diǎn)，達(dá)到了用一個(gè)掩模板形成不同電路圖案的技術(shù)效果。同時(shí)，本實(shí)施例 掩模板的偏振片的材質(zhì)為樹脂，因此克服了現(xiàn)有掩模板的鉻層引起污染的缺 陷，從而使得掩模板可以被方便地回收重復(fù)利用。另外，本實(shí)施例掩模板的 偏振片的材質(zhì)為樹脂，因此通過揭開偏振片的方法簡(jiǎn)單地去除有誤差的偏振 片，克服了現(xiàn)有掩模板通過繁瑣的工藝去除有誤差的鉻層的缺陷，從而提高 了掩模板的可修復(fù)性。
使用本實(shí)施例掩模板時(shí)給曝光機(jī)加上偏振濾光原件，使曝光機(jī)發(fā)出可調(diào)整偏振方向的偏振光。具體為使偏振濾光原件的偏振方向與第二偏振片偏
振方向 一致，這樣可以使得曝光機(jī)發(fā)出與第二偏振片偏振方向相同的偏振光， 由于第 一偏振片偏振方向與第二偏振片偏振方向垂直，所以第 一偏振片不能 使與第二偏振片偏振方向相同的偏振光透過，這時(shí)第一偏振片為非透射區(qū)域， 第二偏振片為透射區(qū)域，即通過曝光工藝和后續(xù)的顯影工藝在目標(biāo)基板的光 刻膠上可以形成與第一偏振片對(duì)應(yīng)的電路圖案。使偏振濾光原件的偏振方向 與第 一偏振片偏振方向 一致，這樣可以使得曝光機(jī)發(fā)出與第 一偏振片偏振方 向相同的偏振光，由于第二偏振片偏振方向與第一偏振片偏振方向垂直，所 以第二偏振片不能使與第一偏振片偏振方向相同的偏振光透過，這時(shí)第二偏
振片為非透射區(qū)域，第一偏振片為透射區(qū)域，即通過曝光工藝和后續(xù)的顯影 工藝在目標(biāo)基板的光刻膠上可以形成與第二偏振片對(duì)應(yīng)的電路圖案。所以使 用本實(shí)施例掩模板形成兩個(gè)不同電路圖案時(shí)，通過改變偏振濾光原件的偏振 方向，實(shí)現(xiàn)了在目標(biāo)基板的光刻膠上形成兩個(gè)不同圖案的技術(shù)方案，因此有 效克服了使用現(xiàn)有掩模板時(shí)只能通過更換掩模板的方式在目標(biāo)基板的光刻膠 上形成兩個(gè)不同圖案的缺陷，有效節(jié)省了更換掩模板的時(shí)間，提高了曝光機(jī) 的稼動(dòng)率。其中，稼動(dòng)率=(作業(yè)時(shí)間-流失時(shí)間)/作業(yè)時(shí)間或稼動(dòng)率=稼動(dòng)時(shí) 間/總工時(shí)。
在本實(shí)施例掩模板中，基板的材質(zhì)可以為石英或者為蘇打。
圖3為本發(fā)明掩模板第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明掩模板第二實(shí)施
例在本發(fā)明掩模板第一實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)行了改進(jìn)，如圖3所示，掩模板包 括基板3,在基板3上設(shè)置有可掩模出第一電路圖案的第一偏振片1，在第 一偏振片1上設(shè)置有聚酰亞胺薄膜4，在聚酰亞胺薄膜上4設(shè)置有可掩模出第 二電路圖案的第二偏振片2，其中第一偏振片1的偏振方向和第二偏振片2的 偏4展方向相互垂直。
本實(shí)施例掩模板，通過在第一偏振片和第二偏振片之間增加聚酰亞胺薄 膜，可以防止薄膜之間產(chǎn)生氣泡，從而有效提高了掩模板的質(zhì)量。圖4為本發(fā)明掩模板第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明掩模板第三實(shí)施
例在本發(fā)明掩模板第一實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)行了改進(jìn)，如圖4所示，掩模板包 括基板3，在基板3上設(shè)置有可掩模出第一電路圖案的第一偏振片l和可掩 模出第二電路圖案的第二偏振片2，保護(hù)層5位于基板3的最外層，并覆蓋著 第一偏振片l和第二偏振片2，其中第一偏振片l的偏振方向和第二偏振片2 的偏振方向相互垂直。
本發(fā)明實(shí)施例掩模板，通過在第一偏振片和第二偏振片上增加保護(hù)層， 可以防止第一偏振片或第二偏振片被刮傷，同時(shí)還可以防止第一偏振片或第 二偏振片上附著塵粒(partical),從而有效提高了掩模板的質(zhì)量。
圖5為本發(fā)明掩沖莫板第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明掩^t板第四實(shí)施 例在本發(fā)明掩模板第一實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)行了改進(jìn)，如圖5所示，掩模板包 括基板3，在基板3上設(shè)置有可掩模出第一電路圖案的第一偏振片1,在第 一偏振片1上設(shè)置有聚酰亞胺薄膜4,在聚酰亞胺薄膜上4設(shè)置有可掩模出第 二電路圖案的第二偏振片2，其中第一偏振片1的偏振方向和第二偏振片2的 偏振方向相互垂直，保護(hù)層5位于基板3的最外層，并覆蓋著第一偏振片1 和第二偏振片2。
本實(shí)施例掩模板，可以達(dá)到本發(fā)明掩模板第 一 實(shí)施例至本發(fā)明掩模板第 三實(shí)施例的綜合效果，是本發(fā)明掩模板的較佳實(shí)施例。
圖6為本發(fā)明掩模板制造方法第一實(shí)施例的流程圖，如圖6所示，該方 法具體包括如下步驟
步驟IOI、在基板上粘貼第一偏振片；
步驟102、在所述第一偏振片上形成第一電路圖案；
步驟103、在所述基板上粘貼第二偏振片，所述第二偏振片的偏振方向垂 直于所述第一偏振片的偏振方向；
步驟104、在所述第二偏振片上形成第二電路圖案。
本實(shí)施例掩模板制造方法，通過在第一偏振片上形成第一電路圖案，在第二偏振片上形成第二電路圖案，克服了現(xiàn)有掩模板不能掩模出多個(gè)電路圖 案的缺限，達(dá)到了用一個(gè)掩模板形成不同電路圖案的技術(shù)效果。同時(shí)，本實(shí) 施例掩模板制造方法所使用的偏振片的材質(zhì)為樹脂，因此克服了現(xiàn)有掩模板 制造方法所使用的鉻層引起污染的缺陷，從而使得掩模板可以被方便地回收 并重復(fù)利用。另外，本實(shí)施例掩模板制造方法所使用的偏振片的材質(zhì)為樹脂， 因此通過揭開偏振片的方法筒單地去除有誤差的偏振片，克服了現(xiàn)有掩模板 制造方法通過繁瑣的工藝去除有誤差的鉻層的缺陷，從而提高了掩模板的可 修復(fù)性。
在本實(shí)施例掩模板制造方法中，基板的材質(zhì)為石英或者為蘇打。 在本實(shí)施例掩模板制造方法中，在第一偏振片上形成第一電路圖案具體 為在第一偏振片上涂覆光刻膠，通過激光掃描工藝曝光光刻膠，通過顯影 工藝去掉被曝光的光刻膠，通過蝕刻工藝蝕刻第一偏振片，形成第一電路圖 案，通過剝離工藝剝離剩余光刻膠。
在本實(shí)施例掩模板制造方法中，在第 一偏振片上形成第 一 電路圖案的另
一種方法具體為通過強(qiáng)脈沖激光掃描工藝灰化第一偏振片，形成第一電路 圖案。
在本實(shí)施例掩模板制造方法中，在第二偏振片上形成第二電路圖案具體 為在第二偏振片上涂覆光刻膠，通過激光掃描工藝曝光光刻膠，通過顯影 工藝去掉被曝光的光刻膠，通過蝕刻工藝蝕刻第二偏振片，形成第二電路圖 案，通過剝離工藝剝離剩余光刻膠。
在本實(shí)施例掩模板制造方法中，在第二偏振片上形成第二電路圖案的另 一種方法具體為通過強(qiáng)脈沖激光掃描工藝灰化第二偏振片，形成第二電路 圖案。
在本實(shí)施例掩模板制造方法中，在基板上粘貼第二偏振片可以為在基 板上涂覆聚酰亞胺薄膜，在聚酰亞胺薄膜上粘貼第二偏振片。
在本實(shí)施例掩模板制造方法中，在第二偏振片上形成第二電路圖案之后還可以包括在基板上涂覆保護(hù)層。
在本實(shí)施例掩模板制造方法中，任意步驟之前按照實(shí)際生產(chǎn)需要增加清 洗工序；同時(shí)在本實(shí)施例掩模板制造方法中，任意步驟之后按照實(shí)際生產(chǎn)需 要增加纟全測(cè)工序。
圖7為本發(fā)明掩模板制造方法第二實(shí)施例的流程圖，本發(fā)明掩才莫纟反制造 方法第二實(shí)施例在本發(fā)明掩模板制造方法第 一 實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)行了改進(jìn)， 如圖7所示，該方法具體包括如下步驟
步驟201、在基板上粘貼第一偏振片；
步驟202、在所述第一偏振片上形成第一電路圖案；
步驟2Q3、在基板上涂覆聚酰亞胺薄膜；
步驟204、在所述基板上粘貼第二偏振片，所述第二偏振片的偏振方向垂 直于所述第 一偏振片的偏振方向；
步驟205、在所述第二偏振片上形成第二電路圖案。
本實(shí)施例掩模板制造方法中，通過第一偏振片上涂覆聚酰亞胺薄膜，使 得在后續(xù)工藝中蝕刻第二偏振片時(shí)所使用的蝕刻劑與第一偏振片發(fā)生反應(yīng)， 同時(shí)所涂覆的聚酰亞胺薄膜可以防止薄膜之間產(chǎn)生氣泡，從而提高了掩模板 的質(zhì)量。
圖8為本發(fā)明掩模板制造方法第三實(shí)施例的流程圖，本發(fā)明掩模板制造 方法第三實(shí)施例在本發(fā)明掩模板制造方法第 一 實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)行了改進(jìn)， 如圖8所示，該方法具體包括如下步驟
步驟301、在基板上粘貼第一偏振片；
步驟302、在所述第一偏振片上形成第一電路圖案；
步驟303、在所述基板上粘貼第二偏振片，所述第二偏振片的偏振方向垂 直于所述第一偏振片的偏振方向；
步驟304、在所述第二偏振片上形成第二電路圖案；
步驟305、在基板上涂覆保護(hù)層，使得保護(hù)層覆蓋第一偏振片和第二偏振片。
本發(fā)明實(shí)施例掩模板方法，通過在第一偏振片和第二偏振片上增加保護(hù) 層，可以防止第一偏振片或第二偏振片被刮傷，同時(shí)還可以防止第一偏振片
或第二偏振片上附著塵粒(partical),從而有效提高了掩模板的質(zhì)量。
圖9為本發(fā)明掩模板制造方法第四實(shí)施例的流程圖，本發(fā)明掩模板制造 方法第四實(shí)施例在本發(fā)明掩模板制造方法第 一 實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)行了改進(jìn)， 如圖9所示，該方法具體包括如下步驟
步驟401、在基板上粘貼第一偏振片；
步驟402、在所述第一偏振片上形成第一電路圖案；
步驟403、在基板上涂覆聚酰亞胺薄膜；
步驟404、在所述基板上粘貼第二偏振片，所述第二偏振片的偏振方向垂 直于所述第一偏振片的偏振方向；
步驟405、在所述第二偏振片上形成第二電路圖案；
步驟406、在基板上涂覆保護(hù)層，使得保護(hù)層覆蓋第一偏振片和第二偏振片。
本實(shí)施例掩模板制造方法，可以達(dá)到本發(fā)明掩模板制造方法第 一 實(shí)施例 至本發(fā)明掩模板制造方法第三實(shí)施例的綜合效果，是本發(fā)明掩模板制造方法 的較佳實(shí)施例。
圖IO為本發(fā)明掩模板制造方法第五實(shí)施例的流程圖，本發(fā)明掩模板制造 方法第五實(shí)施例在本發(fā)明掩模板制造方法第 一 實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)行了改進(jìn)， 如圖10所示，該方法具體包括如下步驟
步驟501、在基板3上粘貼第一偏振片1，參見圖lla所示的本發(fā)明掩模 板制造方法的第五實(shí)施例在基板上粘貼第一偏振片的基板截面示意圖。
步驟502、通過涂覆工藝在第一偏振片l上均勻地涂覆光刻膠6，參見圖 lib所示的本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例在第 一偏振片上涂覆光刻膠 的基板截面示意圖。步驟503、通過激光掃描工藝曝光均勻涂覆在第一偏振片1上的光刻膠6, 參見圖lie所示的本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例曝光第一偏振片上光 刻膠的基板截面示意圖。
步驟504、通過顯影工藝去掉被曝光的光刻膠6，使得一部分第一偏振片 1未被光刻膠6所覆蓋，另一部分第一偏振片1被光刻膠6所覆蓋，參見圖 11 d所示的本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例去掉第 一偏振片上被曝光光 刻膠的基板截面示意圖。
步驟505、通過蝕刻工藝蝕刻未被光刻膠6覆蓋的第一偏振片1，形成第 一電路圖案，參見圖11 e所示的本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例蝕刻第 一偏振片的基板截面示意圖。
步驟506、通過剝離工藝剝離剩余光刻膠6，參見圖11 f所示的本發(fā)明掩 模板制造方法的第五實(shí)施例剝離第 一偏振片上剩余光刻膠的基板截面示意 圖。
步驟507、在基板3上均勻地涂覆聚酰亞胺薄膜4;使聚酰亞胺薄膜4覆 蓋第一偏振片1，參見圖11 g所示的本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例在 基板上涂覆聚酰亞胺薄膜的基板截面示意圖。
步驟508、在所述基板上粘貼第二偏振片，所述第二偏振片的偏振方向垂 直于所述第一偏振片的偏振方向，參見圖llh所示的本發(fā)明掩模板制造方法 的第五實(shí)施例在基板上粘貼第二偏振片的基板截面示意圖。
步驟509、通過涂覆工藝在第二偏振片2上均勻地涂覆光刻膠6，參見圖 11 i所示的本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例在第二偏振片上涂覆光刻膠
的基板截面示意圖。
步驟510、通過激光掃描工藝曝光均勻涂覆在第二偏振片2上的光刻膠6 ， 參見圖11 j所示的本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例曝光第二偏振片上光 刻膠的基板截面示意圖。
步驟511、通過顯影工藝去掉被曝光的光刻膠6，使得一部分第二偏振片2未被光刻膠6所覆蓋，另一部分第二偏振片2被光刻膠6所覆蓋，參見圖 11 k所示的本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例去掉第二偏振片上被曝光光 刻膠的基板截面示意圖。
步驟512、通過蝕刻工藝蝕刻未被光刻膠6覆蓋的第二偏振片2，形成第 二電路圖案，參見圖11 1所示的本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例蝕刻第 二偏振片的基板截面示意圖。
步驟513、通過剝離工藝剝離剩余光刻膠6，參見圖llm所示的本發(fā)明掩 模板制造方法的第五實(shí)施例剝離第二偏振片上剩余光刻膠的基板截面示意 圖。
步驟514、在基板上均勻地涂覆保護(hù)層5,使得保護(hù)層覆蓋第二偏振片2， 參見圖lln所示的本發(fā)明掩模板制造方法的第五實(shí)施例在基板上涂覆保護(hù)層 的基板截面示意圖，完成掩模板制作。
圖12為本發(fā)明掩模板制造方法第六實(shí)施例的流程圖，該方法具體包括如 下步驟
步驟601、在基板粘貼第一偏振片；
步驟602、在保護(hù)層上粘貼第二偏振片，且所述第一偏振片和第二偏振片 的偏l展方向相互垂直；
步驟603、在所述第一偏振片上形成第一電路圖案；
步驟604、在所述第二偏振片上形成第二電路圖案；
步驟605、通過聚酰亞胺薄膜粘貼所述基板和保護(hù)層，使所述第一偏振片 和第二偏振片相對(duì)隔離。
最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其 限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或 者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技
術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種掩模板，包括基板，其特征在于所述基板上設(shè)置有可掩模出第一電路圖案的第一偏振片和可掩模出第二電路圖案的第二偏振片，所述第一偏振片和第二偏振片的偏振方向相互垂直。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于所述第一偏振片和第二 偏振片之間設(shè)有聚酰亞胺薄膜，使所述第一偏振片和第二偏振片分別位于所 述聚酰亞胺薄膜的兩面。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于所述基板上設(shè)有保護(hù)層。
4、 一種掩模板制造方法，其特征在于包括 在基板上粘貼第一偏振片； 在所述第一偏振片上形成第一電路圖案；在所述基板上粘貼第二偏振片，所述第二偏振片的偏振方向垂直于所述 第一偏振片的偏振方向；在所述第二偏振片上形成第二電路圖案。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩模板制造方法，其特征在于在所述第一偏 振片上形成第一電路圖案具體為在所述第一偏振片上涂覆光刻膠，通過激 光掃描工藝曝光所述光刻膠，通過顯影工藝去掉被曝光的光刻膠，通過蝕刻 工藝蝕刻所述第一偏振片，形成第一電路圖案，通過剝離工藝剝離剩余光刻 膠。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩模板制造方法，其特征在于在所述第一偏 振片上形成第一電路圖案具體為通過強(qiáng)脈沖激光掃描工藝灰化所述第一偏 振片，形成第一電路圖案。
7、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩模板制造方法，其特征在于在所述第二偏 振片上形成第二電路圖案具體為在所述第二偏振片上涂覆光刻膠，通過激 光掃描工藝曝光所述光刻膠，通過顯影工藝去掉被曝光的光刻膠，通過蝕刻 工藝蝕刻所述第二偏振片，形成第二電路圖案，通過剝離工藝剝離剩余光刻膠。
8、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩模板制造方法，其特征在于在所述第一偏 振片上形成第二電路圖案具體為通過強(qiáng)脈沖激光掃描工藝灰化所述第二偏 振片，形成第二電路圖案。
9、 根據(jù)權(quán)利要求4~8所述的任一掩模板制造方法，其特征在于在所 述基板上粘貼第二偏振片具體為在所述基板上涂覆聚酰亞胺薄膜，在所述 聚酰亞胺薄膜上粘貼第二偏振片。
10、 根據(jù)權(quán)利要求4 8所述的任一掩模板制造方法，其特征在于在所 述第二偏振片上形成第二電路圖案之后還包括在所述基板上涂覆保護(hù)層。
11、 一種掩模板制造方法，其特征在于包括分別在基板和保護(hù)層上粘貼第一偏振片和第二偏振片，且所述第一偏振 片和第二偏振片的偏振方向相互垂直；在所述第一偏振片上形成第一電路圖案，在所述第二偏振片上形成第二 電路圖案；通過聚酰亞胺薄膜粘貼所述基板和保護(hù)層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種掩模板，包括基板，基板上設(shè)置有可掩模出第一電路圖案的第一偏振片和可掩模出第二電路圖案的第二偏振片，第一偏振片和第二偏振片的偏振方向相互垂直。本發(fā)明還涉及一種掩模板制造方法，包括在基板上粘貼第一偏振片；在第一偏振片上形成第一電路圖案；在基板上粘貼第二偏振片，第二偏振片的偏振方向垂直于第一偏振片的偏振方向；在第二偏振片上形成第二電路圖案。本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有掩模板只能掩模出一種電路圖案的缺陷和現(xiàn)有掩模板可修復(fù)性差、有環(huán)境污染隱患的缺陷。
文檔編號(hào)G03F1/48GK101435990SQ20071017742
公開日2009年5月20日 申請(qǐng)日期2007年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月15日
發(fā)明者周偉峰, 星 明, 建 郭, 金基用 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司