專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，尤其涉及一種在同一襯底上隔著 絕緣層而形成的上部電極層和下部電極層，將其中一層分配為共通電 極層，將另一層分配為像素電極層，在上述上部電極層上形成狹縫， 且在上述上部電極層與上述下部電極層之間施加電壓，而由此驅(qū)動(dòng)液 晶分子的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置的顯示方式，以往廣泛使用TN(TwistedNematic:扭 轉(zhuǎn)列陣)方式，但是此方式在顯示原理上具有視角上的限制。關(guān)于解決 此問(wèn)題的方法，現(xiàn)有已知的有在同一襯底上形成像素電極和共通電極， 且在此像素電極和共通電極之間施加電壓，在襯底上產(chǎn)生幾乎呈平行 的電場(chǎng)，而在平行于襯底面的面內(nèi)驅(qū)動(dòng)液晶分子的橫向電場(chǎng)方式。橫向電場(chǎng)方式，現(xiàn)有已知的有IPS(In Plane Switching:橫向電場(chǎng)切 換)方式及FFS(Fringe Field Switch:邊緣電場(chǎng)切換)方式。在IPS方式中， 將梳齒狀的像素電極和梳齒狀的共通電極予以組合而配置。在FFS方 式中，關(guān)于通過(guò)絕緣層所形成的上部電極層及下部電極層，將其中一 層分配為共通電極層，且將另一層分配為像素電極層，并在上部電極 層上形成例如狹縫等，以作為讓電場(chǎng)流通的開(kāi)口。在上部電極層上讓電場(chǎng)流通的開(kāi)口，是通過(guò)對(duì)電極層薄膜進(jìn)行蝕 刻而形成，例如在形成細(xì)長(zhǎng)溝形狀的開(kāi)口時(shí)，作為該長(zhǎng)邊端部的邊緣 部分，較多由于形成制造方法(工藝)(曝光、蝕刻)的限制，而成為帶 有圓邊的圓形或是圓弧形狀。由于從下部電極層通過(guò)此開(kāi)口朝向上部 電極層的電場(chǎng)，沿著此開(kāi)口的圖案而流通，因此在邊緣部分中，沿著 圓弧狀的圖案而形成電場(chǎng)。因此， 一旦例如以磨刷處理等使液晶分子 的初期配向形成為大致平行于開(kāi)口的長(zhǎng)邊，且在上部電極層與下部電 極層之間施加電壓而驅(qū)動(dòng)液晶分子，則在開(kāi)口長(zhǎng)邊的直線(xiàn)部分中，雖 從初期配向的狀態(tài)往垂直于長(zhǎng)邊的方向旋轉(zhuǎn)，然而在開(kāi)口的邊緣部分 中，則從初期配向的狀態(tài)往垂直于圓弧狀形狀的方向旋轉(zhuǎn)。在液晶分子沿著邊緣部分的圓弧狀形狀從初期配置的狀態(tài)旋轉(zhuǎn) 時(shí)，會(huì)產(chǎn)生液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向逆轉(zhuǎn)的情況。例如，在將邊緣部分的 圓弧狀形狀視為圓形的一部分，將磨刷處理方向設(shè)定為大致平行于開(kāi)口的長(zhǎng)邊，以開(kāi)口的長(zhǎng)邊方向?yàn)閄軸，垂直于長(zhǎng)邊的方向?yàn)閅軸，邊 緣部分的圓弧狀形狀為相當(dāng)于圓形的第一象限的形狀時(shí)，液晶分子從X 軸方向繞逆時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，而垂直于圓弧狀形狀。相對(duì)于此，在邊緣 部分的圓弧狀形狀為相當(dāng)于圓形的第四象限的形狀時(shí)，液晶分子從X 軸方向繞順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，而垂直于圓弧狀形狀。同樣的，在邊緣部 分的圓弧狀形狀為相當(dāng)于圓形的第二象限的形狀時(shí)，液晶分子從X軸 方向繞順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，而垂直于圓弧狀形狀，在邊緣部分的圓弧狀 形狀為相當(dāng)于圓形的第三象限的形狀時(shí)，液晶分子從X軸方向往逆時(shí) 針?lè)较蛐D(zhuǎn)，而垂直于圓弧狀形狀。如此，在施加電場(chǎng)時(shí)，在邊緣部分中，會(huì)因情況的不同而使液晶 分子的旋轉(zhuǎn)方向有所不同。此旋轉(zhuǎn)方向因情況的不同而有所不同的現(xiàn) 象，稱(chēng)為向錯(cuò)(Disclination)。在旋轉(zhuǎn)方向?yàn)椴煌倪吔绮糠种?，由于?晶分子往非期望的方向旋轉(zhuǎn)或是不旋轉(zhuǎn)，因而導(dǎo)致透射率的降低，且 無(wú)法以目視方式識(shí)別邊界線(xiàn)的情況，此雖稱(chēng)為轉(zhuǎn)傾線(xiàn)或轉(zhuǎn)傾缺陷，然 而也有僅稱(chēng)為向錯(cuò)的情況。在專(zhuān)利文件1中指出一種，在將電壓施加于形成在同一襯底上的 梳齒狀的像素電極和共通電極，使大致平行于襯底面的電場(chǎng)產(chǎn)生，而 在平行于襯底面的面內(nèi)驅(qū)動(dòng)液晶分子的IPS方式中，由于在梳齒電極 的前端部分或基端附近所產(chǎn)生的放射狀的電場(chǎng)，產(chǎn)生液晶分子為正常 旋轉(zhuǎn)及逆向旋轉(zhuǎn)的區(qū)域(反轉(zhuǎn)域(reverse domain)),而在與正常旋轉(zhuǎn)的區(qū) 域的邊界中產(chǎn)生轉(zhuǎn)傾缺陷(向錯(cuò))。在此，在使像素電極及共通電極重疊 而產(chǎn)生強(qiáng)電場(chǎng)時(shí)，將強(qiáng)電場(chǎng)的方向9 SE與液晶的初期配向的方向6LC 之間的關(guān)系，于以?huà)呙枧渚€(xiàn)(柵極配線(xiàn))的方向?yàn)榛鶞?zhǔn)的液晶的旋轉(zhuǎn)方向 為正方向(往順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn))時(shí)，設(shè)定為9LC< e SE^ 9LC+n/2，由 此，可在不將液晶分子固定于期配向方向下引發(fā)正向旋轉(zhuǎn)，而抑制反 轉(zhuǎn)域的產(chǎn)生及向錯(cuò)的產(chǎn)生。
在專(zhuān)利文件2中指出一種，在FFS液晶顯示裝置中，在上部襯底 的黑色矩陣與下部襯底的像素電極的邊緣部分重疊有特定區(qū)域，且在 兩襯底之間中介置有液晶而構(gòu)成時(shí)，由于因黑色矩陣與像素電極之間 的電場(chǎng)干涉，隨著從像素電極的邊緣部端部朝向中心部，使液晶分子 的扭轉(zhuǎn)角度大致呈90。而配置于垂直方向，但由于曝光制造方法(工 藝)上的限制使邊緣部具有曲線(xiàn)形狀，因此于白色色階時(shí)，會(huì)產(chǎn)生磨 刷的痕跡，即向錯(cuò)(轉(zhuǎn)傾線(xiàn))。在此，表示出像素電極的邊緣部為直線(xiàn)形 狀，且對(duì)像素電極以9至12°的角度彎曲的構(gòu)造等，并由此可增加像 素電極的邊緣部的液晶的復(fù)元力及液晶的偏向力。專(zhuān)利文件1:日本特開(kāi)2003-280017號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文件2:日本特開(kāi)2005-107535號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容(發(fā)明所欲解決的課題)由于可能產(chǎn)生向錯(cuò)的邊緣部分的大部分配置于光透射區(qū)域的端 部，因此可通過(guò)設(shè)置黑色矩陣等，而避免在光透射區(qū)域中產(chǎn)生向錯(cuò)， 然而，此時(shí)該開(kāi)口率會(huì)降低。在專(zhuān)利文件1中，是處理IPS方式中使像素電極與共通電極重疊 時(shí)所產(chǎn)生的向錯(cuò)，在專(zhuān)利文件2中，是處理上部襯底的黑色矩陣與下 部襯底的像素電極的邊緣部分之間的向錯(cuò)，但是兩者均未處理在同一 襯底上夾設(shè)絕緣層而配置上部電極層和下部電極層，且在上部電極層 上形成讓電場(chǎng)流通的開(kāi)口部時(shí)的向錯(cuò)。本發(fā)明的目的在于提供一種可抑制向錯(cuò)的液晶顯示裝置。(用以解決課題的手段)本發(fā)明的液晶顯示裝置，具備隔著絕緣層而形成在同一襯底上的 上部電極層和下部電極層，且在上述上部電極層上形成狹縫，并在上 述上部電極層與上述下部電極層之間施加電壓，而由此驅(qū)動(dòng)液晶分子， 其特征為以磨刷方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，以上述狹縫的長(zhǎng)邊所形成的角度的銳角方向?yàn)檎较颍鲜霆M縫的邊緣部分具備上述邊緣部分相對(duì)于上述磨刷方向的切線(xiàn)方向成為0°與+90°之間的第一曲線(xiàn)部、及成為0°與-卯°之間的第二曲線(xiàn)部；且上述第二曲線(xiàn)部比上述第一曲線(xiàn)部 小。此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置，具備隔著絕緣層而形成在同一襯 底上的上部電極層和下部電極層，且在上述上部電極層上形成一邊側(cè) 互為連接的梳齒狀的開(kāi)口，且在上述上部電極層與上述下部電極層之 間施加電壓，而由此驅(qū)動(dòng)液晶分子，其特征為以磨刷方向?yàn)榛鶞?zhǔn)， 以上述梳齒形狀的梳齒的長(zhǎng)邊所形成的角度的銳角方向?yàn)檎较?，?述梳齒的邊緣部分具備上述邊緣部分相對(duì)于上述磨刷方向的切線(xiàn)方 向成為0。與+90°之間的第一曲線(xiàn)部、及成為0。與-90°之間的第二 曲線(xiàn)部；且上述第二曲線(xiàn)部比上述第一曲線(xiàn)部小。此外，在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，以上述磨刷方向?yàn)榛鶞?zhǔn)而以 上述狹縫的長(zhǎng)邊所形成的角度的銳角為a ，并以上述銳角方向?yàn)檎?向時(shí)，上述狹縫的邊緣部分較理想為還具備，具有相對(duì)于上述磨刷方 向成為a與+90。之間的斜率的傾斜端部線(xiàn)。此外，在本發(fā)明的液晶顯 示裝置中，以上述磨刷方向?yàn)榛鶞?zhǔn)而以上述梳齒的長(zhǎng)邊所形成的角度 的銳角為a，并以上述銳角方向?yàn)檎较驎r(shí)，上述梳齒的邊緣部分較 理想為還具備具有相對(duì)于上述磨刷方向成為a與+90。之間的斜率的 傾斜端部線(xiàn)。此外，在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，上述狹縫的邊緣部分較理想 為在該前端還具有凸部分。此外，在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，上述 梳齒的邊緣部分較理想為于該前端還具有凸部分。此外，在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，相對(duì)于像素的矩形形狀的垂 直相交的軸方向，上述磨刷方向較理想為呈45。。此外， 一種液晶顯示裝置，其特征為上述梳齒的邊緣部分為上述 梳齒的前端部或基端部。此外， 一種液晶顯示裝置，其特征為上述上 部電極為像素電極。此外， 一種液晶顯示裝置，其特征為上述上部電 極為共通電極。(發(fā)明的效果)根據(jù)上述構(gòu)成， 一種在隔著絕緣層而形成在同一襯底上的上部電 極層和下部電極層中，在上部電極層上形成讓電場(chǎng)流通的開(kāi)口部，且 在上部電極層與下部電極層之間施加電壓，而由此驅(qū)動(dòng)液晶分子的液 晶顯示裝置，以磨刷方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，并以開(kāi)口部的長(zhǎng)邊所形成的角度的
銳角方向?yàn)檎较?，開(kāi)口部的邊緣部分具備，邊緣部分相對(duì)于磨刷方向的切線(xiàn)方向成為0。與+90°之間的第一曲線(xiàn)部、及成為O。與-90° 之間的第二曲線(xiàn)部；上述第二曲線(xiàn)部形成為比上述第一曲線(xiàn)部小。從 經(jīng)驗(yàn)上或是電場(chǎng)的解析中可得知，產(chǎn)生向錯(cuò)的位置，在開(kāi)口部的邊緣 部分中，邊緣部分相對(duì)于磨刷方向的切線(xiàn)方向成為0°與-90°之間。 因此，通過(guò)縮小邊緣部分相對(duì)于磨刷方向的切線(xiàn)方向成為0°與-90° 之間的開(kāi)口部的邊緣部分，可抑制向錯(cuò)的產(chǎn)生區(qū)域。


圖1是顯示在本發(fā)明的實(shí)施方式的FFS(Fringe Field Switch:邊緣電場(chǎng)切換)方式液晶顯示裝置中，像素電極形成前的平面構(gòu)成的圖示。 圖2是顯示在圖1中形成像素電極后的模樣的圖示。 圖3是顯示在圖2中形成共通電極后的模樣的圖示。 圖4是顯示在圖3中配置黑色矩陣后的模樣的圖示。 圖5是顯示本發(fā)明的實(shí)施方式的FFS方式液晶顯示裝置的剖面圖。 圖6是模式性說(shuō)明在本發(fā)明的實(shí)施方式中，在共通電極與像素電極之間所施加的電場(chǎng)E的模樣的圖示。圖7是顯示將圖3中的一個(gè)像素予以抽出而表示的圖示。圖8(a)和圖8 (b)是顯示圖7的C部分的擴(kuò)大圖，為說(shuō)明對(duì)狹縫所施加的電場(chǎng)E的方向，以及由于該電場(chǎng)E使液晶分子L旋轉(zhuǎn)的模樣的圖示。圖9是模式性說(shuō)明在本發(fā)明的實(shí)施方式中，在狹縫的端部的邊緣 部分產(chǎn)生所謂的向錯(cuò)(Disclination)的模樣的圖示。圖IO是顯示在本發(fā)明的實(shí)施方式中，在狹縫的邊緣部分產(chǎn)生向錯(cuò) 的區(qū)域(D)的圖示。圖ll是顯示在本發(fā)明的實(shí)施方式中，為了抑制向錯(cuò)，在該狹縫中 該邊緣部分的形狀的切線(xiàn)方向所形成的角度e的圖示。圖12是顯示在本發(fā)明的實(shí)施方式中，在狹縫的邊緣部分的前端更 附加有凸部分的模樣的圖示。圖13是顯示在本發(fā)明的實(shí)施方式中，在磨刷方向R—R對(duì)像素的 柵極配線(xiàn)所延伸的方向呈45°時(shí)，能夠抑制向錯(cuò)的狹縫的邊緣部分的
模樣的圖示。圖14是顯示在本發(fā)明的實(shí)施方式中，在上部電極層為具有梳齒狀 形狀的開(kāi)口部的共通電極時(shí)的梳齒狀的前端部及基端部的模樣的圖符號(hào)說(shuō)明30液晶顯示裝置32列陣襯底34透光性襯底36半導(dǎo)體層38柵極絕緣膜40柵極配線(xiàn)44層間絕緣膜46漏極配線(xiàn)46B像素配置區(qū)域48源極電極50平坦化膜52像素電極54共通電極配線(xiàn)56共通電極中繼用電極58 FFS絕緣膜60、 80共通電極61狹縫62黑色矩陣70 像素TFT71區(qū)域72傾斜端部線(xiàn)74、 76長(zhǎng)邊78凸部分具體實(shí)施方式
以下使用圖示詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。以下說(shuō)明在FFS方式 的液晶顯示裝置中，進(jìn)行由紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)、青(C)的四色所構(gòu)成 的顯示，但當(dāng)然也可為R、 G、 B的三色的構(gòu)成，極端而言也可為黑白 顯示。此外，以下說(shuō)明FFS方式的構(gòu)成中，以下部電極層為像素電極， 以上部電極層為共通電極的情況，但也可為相反構(gòu)成，即以上部電極 層為共通電極，以下部電極層為像素電極。此外，在以下的FFS方式 中，分別在各個(gè)像素配置共通電極，但也可不分別在各個(gè)像素配置共 通電極。圖1至圖4顯示，在FFS方式的液晶顯示裝置30中，進(jìn)行由R、 G、 B、 C的四色所構(gòu)成的顯示時(shí)的顯示區(qū)域的四個(gè)像素的平面構(gòu)成的 圖示，圖5顯示該剖面圖。在此，圖1顯示像素電極形成前的平面構(gòu) 成，以下，圖2顯示在圖1中進(jìn)一步形成像素電極后的模樣，圖3顯
示在圖2中進(jìn)一步形成共通電極后的模樣。在此，像素電極52以較粗 的點(diǎn)劃線(xiàn)表示，共通電極60以較粗的實(shí)線(xiàn)表示。此外，在此上方形成 配向膜層而完成列陣襯底，圖4顯示，在圖3中再加上與列陣襯底對(duì) 向的對(duì)向襯底上所設(shè)置的黑色矩陣的配置。圖5顯示沿著圖3所示的A 一A線(xiàn)并擴(kuò)大厚度方向而顯示的剖面圖。首先使用圖1至圖3，說(shuō)明液晶顯示裝置30的平面構(gòu)成，接著使 用圖4的剖面圖說(shuō)明該構(gòu)造。如圖1所示，在液晶顯示裝置30中，多條漏極配線(xiàn)46分別以直 線(xiàn)形狀延伸(在圖1的例子中為縱向延伸)，在與該延伸方向交叉的方向 (在此為直交的方向，在圖1的例子中為橫向)上，分別配列有多條柵極 配線(xiàn)40。以多條漏極配線(xiàn)46及多條柵極配線(xiàn)40所區(qū)隔的各個(gè)區(qū)域， 為像素配置區(qū)域46B，在圖1中顯示對(duì)應(yīng)于R、 G、 B、 C的四色構(gòu)成 的四個(gè)像素配置區(qū)域46B。在以色彩表現(xiàn)單元為一個(gè)像素時(shí)，在此所 謂的像素配置區(qū)域46B其相當(dāng)于子像素。此外，共通電極配線(xiàn)54也配 置于與漏極配線(xiàn)46所延伸的方向交叉的方向(在圖1的例子中為橫向)。 該配置為包夾各個(gè)像素配置區(qū)域46B而設(shè)置于與柵極配線(xiàn)40為相反在此顯示，各條漏極配線(xiàn)46的配列間距在多條漏極配線(xiàn)46全體 為相同的情況。此外，各條漏極配線(xiàn)46的寬度(漏極配線(xiàn)46的配列方 向的尺寸)也相同。此外，圖示中顯示漏極配線(xiàn)46為直線(xiàn)狀，但也可為 例如局部具有彎曲部且全體往上述延伸方向延伸。此外，像素配列也 可形成為條狀(stripe)配列、三角配列或馬賽克配列等。在由漏極配線(xiàn)46與柵極配線(xiàn)40及共通電極配線(xiàn)54所區(qū)隔的像素 配置區(qū)域46B上，分別配置有像素TFT70。在圖1的例子中，關(guān)于各 個(gè)像素TFT70，半導(dǎo)體層36以大致呈U字型延伸(在圖示中，大致呈 U字型為顯示上下反轉(zhuǎn))，柵極配線(xiàn)40橫跨該大致呈U字型的2根腕 部，往漏極配線(xiàn)46的配列方向延伸。在此構(gòu)成中，像素TFT70的源極 電極48與連接于漏極配線(xiàn)46的漏極電極， 一同對(duì)柵極配線(xiàn)40位于同 一側(cè)。由此，在像素TFT70中，具有柵極配線(xiàn)40在源極與漏極之間與 半導(dǎo)體層36交叉兩次的構(gòu)成，換言之，在半導(dǎo)體層36的源極與漏極 之間設(shè)置有二個(gè)柵極電極的構(gòu)成。
如此，像素TFT70的漏極連接于最近的漏極配線(xiàn)46，且如圖2所 示，源極通過(guò)于源極電極48而連接于像素電極52。此外，在共通電極 配線(xiàn)54中設(shè)置有共通電極中繼用電極56，如圖3所示，并通過(guò)于此共 通電極中繼用電極56而連接于共通電極60。圖2是顯示像素電極52的模樣的圖示，像素電極52設(shè)置于各個(gè) 像素，且為連接于該像素的像素TFT70的源極的平板狀電極。圖3是顯示共通電極60的模樣的圖示。在圖3的例子中，共通電 極60設(shè)置于各個(gè)像素，但也可因情況的不同而橫跨像素予以配置。共 通電極60在透明電極膜層上，設(shè)置有作為開(kāi)口部的狹縫61。此狹縫 61具有在像素電極52與共通電極之間施加電壓時(shí)，通過(guò)電力線(xiàn)而產(chǎn)生 平行于襯底面的橫向電場(chǎng)的功能。在共通電極60上配置有配向膜，并進(jìn)行磨刷處理以作為配向處理。 例如在圖3中，磨刷方向可在平行于柵極配線(xiàn)40的方向上進(jìn)行。共通 電極60的狹縫61形成為，其長(zhǎng)邊所延伸的方向僅對(duì)該磨刷方向稍微 傾斜。例如可形成為對(duì)該磨刷方向傾斜約角度5° 。通過(guò)在共通電極 60上形成配向膜并進(jìn)行磨刷處理，而完成列陣襯底。另外，圖4所示的黑色矩陣62，由例如鉻與氧化鉻的層積膜或不 透明樹(shù)脂膜等所構(gòu)成，設(shè)置于對(duì)向襯底上。關(guān)于圖2中所說(shuō)明的像素 電極52，黑色矩陣62設(shè)置于鄰接的像素電極52之間，并對(duì)應(yīng)于圖1 中所說(shuō)明的各個(gè)像素配置區(qū)域46B，以具有開(kāi)口部P的方式而設(shè)置。 開(kāi)口部P也可以一部分重疊狹縫61的邊緣部分，即一部分重疊短邊而 形成。即，黑色矩陣62比圖1中所說(shuō)明的各條漏極配線(xiàn)46的寬度還 寬，并與漏極配線(xiàn)46重疊且沿著漏極配線(xiàn)46而設(shè)置(在圖4中，隱藏 各條漏極配線(xiàn)而未顯示)。在此，開(kāi)口部P規(guī)定像素的輪廓。另外，漏 極配線(xiàn)46、柵極配線(xiàn)40、源極電極48、共通電極配線(xiàn)54、共通電極 中繼用電極56，也可具有與黑色矩陣同等的遮光性，并規(guī)定像素的開(kāi) 口部。接下來(lái)使用圖5的剖面圖，說(shuō)明FFS方式的液晶顯示裝置的列陣 襯底32的構(gòu)成。如上所述，圖5為沿著圖3的A—A線(xiàn)的剖面圖，并 顯示關(guān)于一個(gè)像素的各項(xiàng)要素。列陣襯底32是包含透光性襯底34;半導(dǎo)體層36;柵極絕緣膜 38;柵極配線(xiàn)40;層間絕緣膜44;漏極配線(xiàn)46;源極電極48;平坦 化膜50;像素電極52;共通電極配線(xiàn)54;共通電極中繼用電極56;FFS絕緣膜58;及共通電極60而構(gòu)成。透光性襯底34由例如玻璃所構(gòu)成。半導(dǎo)體層36由例如多晶硅所 構(gòu)成，且配置于透光性襯底34上。柵極絕緣膜38由例如氧化硅、氮 化硅等所構(gòu)成，且覆蓋半導(dǎo)體層36而配置于透光性襯底34上。柵極 配線(xiàn)40由例如Mo、 Al等金屬所構(gòu)成，且與半導(dǎo)體層36對(duì)向而配置 于柵極絕緣膜38上，并與柵極絕緣膜38及半導(dǎo)體層36 —同構(gòu)成像素 TFT70。此外，柵極配線(xiàn)40也稱(chēng)為掃描線(xiàn)。層間絕緣膜44由例如氧化硅、氮化硅等所構(gòu)成，且覆蓋柵極配線(xiàn) 40而配置于柵極絕緣膜38上。接觸孔貫通層間絕緣膜44與柵極絕緣 膜38而設(shè)置，該接觸孔設(shè)置于半導(dǎo)體層36中的相當(dāng)于像素TFT70的 源極與漏極的位置。漏極配線(xiàn)46例如由Mo、 Al、 Ti等金屬所構(gòu)成， 并配置于層間絕緣膜44上，且經(jīng)由一邊的上述接觸孔而連接于半導(dǎo)體 層36。漏極配線(xiàn)也稱(chēng)為信號(hào)線(xiàn)。源極電極48由例如與漏極配線(xiàn)46相 同的材料所構(gòu)成，并配置于層間絕緣膜44上，且經(jīng)由另一邊的上述接 觸孔而連接于半導(dǎo)體層36。在此，在半導(dǎo)體層36中，雖以漏極配線(xiàn)46所連接的部分作為像 素TFT70的漏極，以像素電極52經(jīng)由源極電極48所連接的部分作為 像素TFT70的源極，但也可將漏極與源極與上述相反而稱(chēng)呼。平坦化膜50由例如丙烯酸等的絕緣性透明樹(shù)脂等所構(gòu)成，且覆蓋 漏極配線(xiàn)46及源極電極48而配置于層間絕緣膜44上。接觸孔貫通平 坦化膜50而設(shè)置于源極電極48上。像素電極52由例如ITO(Indium Tin Oxide:氧化銦錫)等的透明導(dǎo) 電材料所構(gòu)成，并配置于平坦化膜50上，且經(jīng)由上述接觸孔而接觸于 源極電極48。共通電極配線(xiàn)54由例如與柵極配線(xiàn)40相同的透明導(dǎo)電材料所構(gòu) 成，并配置在柵極絕緣膜38上且由層間絕緣膜44所覆蓋。在層間絕 緣膜44上，設(shè)置有至共通電極配線(xiàn)54的接觸孔。共通電極中繼用電 極56例如由與漏極配線(xiàn)46相同的材料所構(gòu)成，并配置于層間絕緣膜 44上，且經(jīng)由上述接觸孔而接觸于共通電極配線(xiàn)54。
FFS絕緣膜58例如由低溫下所形成的氮化硅等所構(gòu)成，且覆蓋像 素電極52而配置于平坦化膜50上。在平坦化膜50上，設(shè)置有至共通 電極中繼用電極56的接觸孔，在該接觸孔的側(cè)壁上也設(shè)置有FFS絕緣 膜58。共通電極60例如由ITO等的透明導(dǎo)電材料所構(gòu)成，并配置于FFS 絕緣膜58上，且通過(guò)上述接觸孔而接觸于共通電極中繼用電極56。共 通電極60經(jīng)由FFS絕緣膜58而與像素電極52對(duì)向設(shè)置，在與像素電 極52對(duì)向的部分上，具有多個(gè)狹縫61。如果未在各個(gè)像素設(shè)置共通電 極60時(shí)，只要無(wú)電阻等問(wèn)題，也可不形成共通電極配線(xiàn)54。雖然圖中未顯示，但在共通電極60上配置有配向膜層。配向膜層 是具有使液晶分子進(jìn)行初期配向的功能的膜，例如可在聚亞酰胺 (Polyimide)等的有機(jī)膜上施以磨刷處理而使用。如此，可在同一襯底的透光性襯底34上，經(jīng)由絕緣層的FFS絕緣 膜58而形成作為上部電極層的共通電極60及作為下部電極層的像素 電極52，在作為上部電極層的共通電極60上形成狹縫61，且在上部 電極層與作為下部電極層的像素電極52之間施加電壓，而產(chǎn)生平行于 襯底面的橫向電場(chǎng)，并經(jīng)由配向膜層而驅(qū)動(dòng)液晶分子。圖6是模式性說(shuō)明在共通電極60與像素電極52之間所施加的電 場(chǎng)E的模樣的圖示。在此表示出通過(guò)設(shè)置于共通電極60的狹縫61而 朝向像素電極52的電場(chǎng)E。電場(chǎng)的方向，也有與此相反，即從像素電 極52通過(guò)狹縫61而朝向共通電極60的情況。圖7是顯示將圖3中的一個(gè)像素予以抽出而表示的圖示。在此予 以再次說(shuō)明，像素電極52連接于像素TFT70的源極電極48，且為相 當(dāng)于一個(gè)像素的平板狀電極層。雖然圖中未顯示，但共通電極60為隔 著FFS絕緣膜而配置于像素電極52上，且經(jīng)由共通電極中繼用電極 56而連接于共通電極配線(xiàn)54的電極層，并在此處設(shè)有細(xì)長(zhǎng)溝狀的多個(gè) 狹縫61。狹縫61為用以讓電場(chǎng)通過(guò)的開(kāi)口。在圖7中，狹縫61設(shè)定為具有朝右上方的傾斜(逆時(shí)針?lè)较虻膬A 斜)，S卩，從平行于柵極配線(xiàn)40所延伸方向的方向，朝向稍微右上方傾 斜。此傾斜用以設(shè)定液晶分子的初期配置，而相對(duì)于共通電極60上所 配置的配向膜層的配向處理的磨刷處理的方向形成稍微傾斜。在此， 由于將磨刷處理的方向設(shè)定為平行于柵極配線(xiàn)40所延伸的方向，因此表示出僅對(duì)柵極配線(xiàn)40所延伸的方向稍微傾斜。因此，狹縫61的傾 斜方向可與圖7不同，例如可從平行于柵極配線(xiàn)40所延伸的方向稍微 朝右下方傾斜(順時(shí)針?lè)较?。圖8是顯示圖7的C部分的擴(kuò)大圖，為說(shuō)明對(duì)狹縫61所施加的電 場(chǎng)E的方向，以及由于該電場(chǎng)E使液晶分子L旋轉(zhuǎn)的模樣的圖示。圖 8(a)顯示狹縫61朝右上方的情況，且為維持圖7的C部分的擴(kuò)大圖， 圖8(b)顯示狹縫61朝右下方的情況。由于電場(chǎng)E從共通電極60的導(dǎo) 體部分，通過(guò)設(shè)置于該導(dǎo)體部分的開(kāi)口部的狹縫61，并隔著FFS絕緣 膜而朝向位于該下部的像素電極，因此電場(chǎng)E幾乎對(duì)狹縫61的邊緣直 交。g卩，如圖8(a)、圖8(b)所示，在狹縫61的邊緣中，電場(chǎng)E對(duì)長(zhǎng)邊 施加在直交的方向。在未施加電場(chǎng)E時(shí)，狹縫61的邊緣部分的液晶分子L處于初期配 置狀態(tài)，并整合為大致平行于狹縫61的邊緣的方向。在此， 一旦施加 電場(chǎng)E，則液晶分子L往該電場(chǎng)E的方向旋轉(zhuǎn)。即如圖8(a)、圖8(b) 所示，旋轉(zhuǎn)至大致垂直于狹縫61的邊緣為止。由于液晶分子L的旋轉(zhuǎn) 方向由該介電常數(shù)異向性等所決定，因此，即使電場(chǎng)E的方向在狹縫 61的兩側(cè)的邊緣中為相反方向，狹縫61的兩側(cè)的邊緣的液晶分子L 的旋轉(zhuǎn)方向也成為相同方向。即使施加在狹縫61的邊緣兩側(cè)的電場(chǎng)E 的方向互為相反方向，如圖8(a)、圖8(b)所示，由于液晶分子L的初 期配向狀態(tài)的長(zhǎng)軸方向往電場(chǎng)E的方向所形成的角度為銳角的方向旋 轉(zhuǎn)，因此，液晶分子L只要在狹縫61的上側(cè)的邊緣往逆時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)， 則即使在狹縫61的下側(cè)的邊緣，液晶分子L也會(huì)往逆時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)。圖9是模式性說(shuō)明在狹縫61的端部的邊緣部分產(chǎn)生所謂的向錯(cuò)的 模樣的圖示。在此顯示，將磨刷方向R—R設(shè)定為紙面的左右方向，且 在狹縫61對(duì)磨刷方向R—R朝右下方傾斜的情況，即為圖8(b)所說(shuō)明 的情況。由于狹縫61通過(guò)例如曝光、蝕刻技術(shù)在構(gòu)成共通電極的透明導(dǎo)電 材料膜上形成開(kāi)口而成，因此該邊緣部分稍微帶有圓邊，如圖9所示， 成為接近半圓狀的圓弧形狀。在此圓弧形狀的部分中，電場(chǎng)也對(duì)狹縫 61的邊緣直交而施加，因此電場(chǎng)的方向沿著此圓弧形狀而產(chǎn)生180°
的變化。例如， 一旦電場(chǎng)施加在圖9的左上方所表示的狹縫61，則如圖8所說(shuō)明，在該狹縫61的上側(cè)的長(zhǎng)邊部分中，液晶分子L往逆時(shí)針 方向旋轉(zhuǎn)，同樣在狹縫61的下側(cè)的長(zhǎng)邊部分中，液晶分子L也往逆時(shí) 針?lè)较蛐D(zhuǎn)。然而，在半圓的圓弧形狀的部分中，在上側(cè)的四分之一 半圓的圓弧形狀部分中，液晶分子L往逆時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)，相對(duì)于此， 在下側(cè)的四分之一半圓的圓弧形狀部分中，液晶分子L則往順時(shí)針?lè)?向旋轉(zhuǎn)。如此，在欲施加電場(chǎng)使液晶分子L往期望的方向旋轉(zhuǎn)時(shí)，在狹縫 61的右側(cè)的邊緣部分中，在右下方的四分之一半圓的圓弧形狀部分中， 會(huì)引起液晶分子L往與期望的方向?yàn)橄喾吹姆较蛐D(zhuǎn)，或是不會(huì)往期 望的方向旋轉(zhuǎn)時(shí)的情況。即，在施加電場(chǎng)時(shí)，在邊緣部分中會(huì)因場(chǎng)所 的不同而使液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向產(chǎn)生不同。如此的旋轉(zhuǎn)方向因場(chǎng)所的 不同而有所不同的現(xiàn)象，稱(chēng)為向錯(cuò)。在旋轉(zhuǎn)方向?yàn)椴煌倪吔绮糠种校?由于液晶分子L往非期望的方向旋轉(zhuǎn)或是不旋轉(zhuǎn)，因而導(dǎo)致透射率的 降低，且無(wú)法以目視方式確認(rèn)邊界線(xiàn)的情況，此稱(chēng)為轉(zhuǎn)傾線(xiàn)或轉(zhuǎn)傾缺 陷，也有僅稱(chēng)為向錯(cuò)的情況。在圖9中，以D表示出產(chǎn)生向錯(cuò)的區(qū)域。在圖9中，若欲觀察區(qū)域D為何處的區(qū)域，則為在狹縫61的邊緣 中，從液晶分子L的初期配向方向與磨刷方向R—R —致之處開(kāi)始， 往順時(shí)針?lè)较虺?0。的角度為止的范圍。在圖9的此范圍中， 一旦施 加電場(chǎng)，則液晶分子L往順時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)并與邊緣部分的邊緣直交， 在此之外的區(qū)域中，液晶分子L往逆時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)并與狹縫61的邊緣 直交。換言之，在狹縫61的邊緣部分中產(chǎn)生向錯(cuò)的區(qū)域D，為從狹縫61 的邊緣部分的法線(xiàn)方向與磨刷方向R—R—致之處開(kāi)始，往順時(shí)針?lè)较?呈90°的角度為止的范圍。圖10顯示在狹縫61的邊緣部分產(chǎn)生向錯(cuò)的區(qū)域(D)71的圖示。如 此，在狹縫61的長(zhǎng)邊以磨刷方向R—R為基準(zhǔn)，并往順時(shí)針?lè)较虺?+ a的角度傾斜時(shí)，區(qū)域(D)71在狹縫61的邊緣部分的圓弧狀形狀的右 下部分及左上部分中出現(xiàn)。假設(shè)在狹縫61的長(zhǎng)邊以磨刷方向R—R為 基準(zhǔn)，并往順時(shí)針?lè)较虺?a的角度傾斜時(shí)，區(qū)域(D)71在狹縫61的邊 緣部分的圓弧狀形狀的右上部分及左下部分中出現(xiàn)。此外，傾斜角度 a例如可設(shè)定為大約3。至大約15° 。若如上述，將此以狹縫61的法線(xiàn)方向所表示，則于以磨刷方向R 一R為基準(zhǔn)，以狹縫61的長(zhǎng)邊所形成的角度的銳角a的方向?yàn)檎较颍?狹縫61的邊緣部分，為邊緣部分相對(duì)于磨刷方向R—R的法線(xiàn)方向成 為0°與+90°之間的區(qū)域。在圖10中，以+的標(biāo)記周?chē)男D(zhuǎn)箭頭來(lái) 表示出角度為正的正方向。如上所述，此旋轉(zhuǎn)箭頭的方向，采取以磨 刷方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，并以狹縫61的長(zhǎng)邊所形成的角度的銳角a方向。在圖10中顯示出，以狹縫61的切線(xiàn)方向來(lái)表示區(qū)域(D)71的情況。 在圖IO中顯示出，于以磨刷方向R—R為基準(zhǔn)，以狹縫61的長(zhǎng)邊所形 成的角度的銳角a的方向?yàn)檎较?，邊緣部分相?duì)于磨刷方向R—R 的切線(xiàn)方向所形成的角度P成為O。的線(xiàn)以及3=-90°的線(xiàn)。從此圖中 可得知，區(qū)域(D)71為邊緣部分相對(duì)于磨刷方向R—R的切線(xiàn)方向所形 成的角度P成為0。與-90°之間的區(qū)域。此外，也可從其它觀點(diǎn)中特定出區(qū)域(D)71。從圖10中可得知， 若狹縫61的邊緣部分形成為半圓狀的圓弧形狀，則于以磨刷方向R— R為基準(zhǔn)且以順時(shí)針?lè)较驗(yàn)檎较虻慕嵌?，在狹縫61的長(zhǎng)邊所延伸的 方向相對(duì)于磨刷方向呈順時(shí)針?lè)较虻膬A斜時(shí)，對(duì)應(yīng)于圓形的第二象限 部分及第四象限部分的邊緣部分的部分圓弧之處，為區(qū)域(D)71。假設(shè) 在狹縫61的長(zhǎng)邊所延伸的方向相對(duì)于磨刷方向R—R呈逆時(shí)針?lè)较虻?傾斜時(shí)，對(duì)應(yīng)于圓形的第一象限部分及第三象限部分的邊緣部分的部 分圓弧之處，為區(qū)域(D)71。如上所述，通過(guò)分析在施加電場(chǎng)時(shí)的狹縫61的邊緣部分的液晶分 子L的旋轉(zhuǎn)方向，可使用狹縫61的邊緣部分的法線(xiàn)方向或切線(xiàn)方向， 或是邊緣部分的圓弧形狀的圓形的象限位置，而特定出在狹縫61的邊 緣部分產(chǎn)生向錯(cuò)的區(qū)域(D)71。以如此的表現(xiàn)方法所特定出的區(qū)域 (D)71，在液晶顯示裝置中，與經(jīng)驗(yàn)上所知的產(chǎn)生向錯(cuò)的區(qū)域?yàn)橐恢?。使用此結(jié)果，可在液晶顯示裝置中，抑制向錯(cuò)的產(chǎn)生或是產(chǎn)生區(qū) 域。g口，在上述特定出的區(qū)域(D)71中，只需避免使產(chǎn)生向錯(cuò)的方向的 電場(chǎng)產(chǎn)生，或是減小所產(chǎn)生的方向的電場(chǎng)區(qū)域即可。因此，只需將狹 縫61的邊緣部分形成為不易產(chǎn)生向錯(cuò)的形狀即可。例如，就邊緣部分 的切線(xiàn)方向而言，于以磨刷方向R—R為基準(zhǔn)，并以狹縫61的長(zhǎng)邊所 形成的角度的銳角a的方向?yàn)檎较颍赃吘壊糠窒鄬?duì)于磨刷方向R 一R的切線(xiàn)方向所形成的角度P不會(huì)成為0°與-90°的方式地盡可能 縮小該區(qū)域。圖11是顯示在狹縫61中，以使該切線(xiàn)方向所形成的角度e成為 0°與+90°的范圍的方式地形成邊緣部分的形狀的例子的圖示。在此， 于以磨刷方向R—R為基準(zhǔn)，以狹縫61的長(zhǎng)邊所形成的角度的銳角a 的方向?yàn)檎较颍上鄬?duì)于磨刷方向R—R具有0。與+90°之間的 傾斜角度P的傾斜端部線(xiàn)72、邊緣部分相對(duì)于磨刷方向R—R的切線(xiàn) 方向成為O。與+90°之間的曲線(xiàn)部、及成為0。與-90°之間的曲線(xiàn)部， 來(lái)形成狹縫61的邊緣部分，并將邊緣部分相對(duì)于磨刷方向R—R的切 線(xiàn)方向成為0。與-90°之間的曲線(xiàn)部，形成為比成為0。與+90°之間 的曲線(xiàn)部還小。若從其它觀點(diǎn)來(lái)說(shuō)明，則于以磨刷方向R—R為基準(zhǔn)，狹縫61的 長(zhǎng)邊74、 76所延伸的方向相對(duì)于磨刷方向R—R呈順時(shí)針?lè)较虻膬A斜 時(shí)，對(duì)應(yīng)于圓形的第二象限部分及第四象限部分的邊緣部分，于以磨 刷方向R—R為基準(zhǔn)，以狹縫61的長(zhǎng)邊所形成的角度的銳角a的方向 為正方向，而由相對(duì)于磨刷方向R—R的傾斜角度P成為0°與+90° 之間的傾斜端部線(xiàn)72、邊緣部分相對(duì)于磨刷方向R—R的切線(xiàn)方向成 為0°與+90°之間的曲線(xiàn)部、及成為0。與-90°之間的曲線(xiàn)部所構(gòu)成， 并將成為0。與-90°之間的曲線(xiàn)部，形成為比成為0。與+90°之間的 曲線(xiàn)部還小。另一方面，狹縫61的長(zhǎng)邊74、 76所延伸的方向相對(duì)于磨刷方向R 一R呈逆時(shí)針?lè)较虻膬A斜時(shí)，對(duì)應(yīng)于圓形的第一象限部分及第三象限 部分的邊緣部分，于以磨刷方向R—R為基準(zhǔn)，以狹縫61的長(zhǎng)邊所形 成的角度的銳角a的方向?yàn)檎较颍上鄬?duì)于磨刷方向R—R的傾斜 角度e成為0。與+90°之間的傾斜端部線(xiàn)72、邊緣部分相對(duì)于磨刷方 向R—R的切線(xiàn)方向成為0°與+卯°之間的曲線(xiàn)部、及成為0。與-90 °之間的曲線(xiàn)部所構(gòu)成，并將成為0°與-90°之間的曲線(xiàn)部，形成為 比成為0°與+90°之間的曲線(xiàn)部還小。圖12顯示，在圖11的構(gòu)成的由傾斜端部線(xiàn)72、邊緣部分相對(duì)于 磨刷方向R—R的切線(xiàn)方向成為0°與+90°之間的曲線(xiàn)部、及成為
0°與-90°之間的曲線(xiàn)部所構(gòu)成的邊緣部分的前端，還附加有凸部分 78的構(gòu)成的圖示。在實(shí)際上的透明導(dǎo)電材料層的圖案上，將圖11中所 說(shuō)明的由傾斜端部線(xiàn)72、邊緣部分相對(duì)于磨刷方向R—R的切線(xiàn)方向 成為0°與+90°之間的曲線(xiàn)部、及成為0。與-90°之間的曲線(xiàn)部所構(gòu) 成的邊緣部分予以形成時(shí)，必需對(duì)曝光光罩的圖案及蝕刻制造方法(工 藝)等，花費(fèi)較大的工夫。圖12所示的凸部分78的附加，為在曝光 光罩上附加有矩形或是平行四邊形的圖案的情況。
在上述中，說(shuō)明磨刷方向R—R為像素的柵極配線(xiàn)所延伸的方向， 但磨刷方向R—R因用途的不同而可能為具有其它斜率。此時(shí)為了抑制 向錯(cuò)，如上所述，于以磨刷方向R—R為基準(zhǔn)，以狹縫的長(zhǎng)邊所形成的 角度的銳角a的方向?yàn)檎较?，只需將邊緣部分相?duì)于磨刷方向R_R 的切線(xiàn)方向成為0°與-90°之間的曲線(xiàn)部，形成為比邊緣部分相對(duì)于 磨刷方向R—R的切線(xiàn)方向成為O。與+90°之間的曲線(xiàn)部小即可。
圖13顯示，在磨刷方向R—R形成為對(duì)像素的柵極配線(xiàn)所延伸的 方向呈45°的用途時(shí)，能夠抑制向錯(cuò)的狹縫61的邊緣部分的模樣的圖 示。在此，磨刷方向R—R對(duì)構(gòu)成像素的直交的兩邊呈45。的傾斜。 即相對(duì)于像素的柵極配線(xiàn)所延伸的方向呈45°傾斜，與之對(duì)應(yīng)，狹縫 61也相對(duì)于磨刷方向R—R稍微傾斜而形成。
如此，即使在磨刷方向R—R相對(duì)于像素的柵極配線(xiàn)所延伸的方向 并非平行時(shí)，于以磨刷方向R—R為基準(zhǔn)，以狹縫的長(zhǎng)邊所形成的角度 的銳角a的方向?yàn)檎较?，而由邊緣部分相?duì)于磨刷方向R—R的切線(xiàn) 方向成為0。與+90°之間的曲線(xiàn)部、及成為0。與-90°之間的曲線(xiàn)部 而構(gòu)成，并將成為0。與-90°之間的曲線(xiàn)部，形成為比成為0。爭(zhēng)90° 之間的曲線(xiàn)部還小。由此可抑制向錯(cuò)的產(chǎn)生。此外，也可如圖12所說(shuō) 明般，還在邊緣部分附加凸部分。
在上述中，說(shuō)明以各自分離的形態(tài)，將共通電極的讓電場(chǎng)流通的 開(kāi)口為細(xì)長(zhǎng)溝狀的狹縫予以配置多個(gè)的情況。但也可將此構(gòu)成為在一 邊側(cè)互為連接的開(kāi)口時(shí)，即構(gòu)成為具有所謂的梳齒狀或柵欄狀的形狀 的開(kāi)口。此時(shí)，在梳齒狀或柵欄狀的開(kāi)口的前端部或基端部的形狀中 形成邊緣部分，于以磨刷方向R—R為基準(zhǔn)，以梳齒形狀的長(zhǎng)邊所形成 的角度的銳角的方向?yàn)檎较?，將邊緣部分相?duì)于磨刷方向R—R的切
線(xiàn)方向成為0。與-90°之間的曲線(xiàn)部，形成為不成為O。與+90°之間 的曲線(xiàn)部還小。由此，即使為梳齒狀或柵欄形狀的開(kāi)口時(shí)，也可抑制 向錯(cuò)的產(chǎn)生。
圖14是顯示，在上部電極層為具有梳齒狀形狀的開(kāi)口部的共通電 極80時(shí)的梳齒形狀的前端部及基端部的模樣的圖示。在此，于以磨刷 方向R—R為基準(zhǔn)，以梳齒狀的長(zhǎng)邊74、 76所形成的傾斜角度的銳角 a的方向?yàn)檎较?，而由邊緣部分相?duì)于磨刷方向R—R的切線(xiàn)方向成 為0°與+卯°之間的曲線(xiàn)部、及成為0。與-90°之間的曲線(xiàn)部而構(gòu)成， 并將成為O。與-90°之間的曲線(xiàn)部，形成為比成為O。與+90°之間的 曲線(xiàn)部還小。梳齒形狀的前端部，以使切線(xiàn)方向相對(duì)于磨刷方向R—R 的傾斜角度P成為O。與-90°之間的曲線(xiàn)部，比傾斜角度P成為O。與 +90°之間的曲線(xiàn)部還小的方式地形成。梳齒形狀的基端部，也以使切 線(xiàn)方向相對(duì)于磨刷方向R—R的傾斜角度P成為0°與-90°之間的曲 線(xiàn)部，比傾斜角度e成為0。與+90°之間的曲線(xiàn)部還小的方式地形成。 由此可抑制向錯(cuò)的產(chǎn)生。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，具備隔著絕緣層而形成在同一襯底上的上部電極層和下部電極層，且在上述上部電極層上形成狹縫，并在上述上部電極層與上述下部電極層之間施加電壓，以驅(qū)動(dòng)液晶分子，其特征在于，以磨刷方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，以上述狹縫的長(zhǎng)邊所形成的角度的銳角方向?yàn)檎较颍鲜霆M縫的邊緣部分具有上述邊緣部分相對(duì)于上述磨刷方向的切線(xiàn)方向成為0°與+90°之間的第一曲線(xiàn)部、及成為0°與-90°之間的第二曲線(xiàn)部，且上述第二曲線(xiàn)部比上述第一曲線(xiàn)部小。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，以上述磨 刷方向?yàn)榛鶞?zhǔn)而以上述狹縫的長(zhǎng)邊所形成的角度的銳角為a ，并以上述銳角方向?yàn)檎较驎r(shí)，上述狹縫的邊緣部分還具有相對(duì)于上述磨 刷方向，具有ct與+90。之間的傾斜程度的傾斜端部線(xiàn)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述狹縫 的邊緣部分在其前端還具有凸部分。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，相對(duì)于像 素的矩形形狀的垂直相交的軸方向，上述磨刷方向呈45。。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述上部 電極為像素電極。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述上部 電極為共通電極。
7. —種液晶顯示裝置，具備隔著絕緣層而形成在同一襯底上的上 部電極層及下部電極層，且在上述上部電極層上形成一邊側(cè)互為連接 的梳齒狀開(kāi)口，并在上述上部電極層與上述下部電極層之間施加電壓， 以驅(qū)動(dòng)液晶分子，其特征在于，以磨刷方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，以上述梳齒形狀的梳齒的長(zhǎng)邊所形成的角度 的銳角方向?yàn)檎较?，上述梳齒的邊緣部分具有上述邊緣部分相對(duì) 于上述磨刷方向的切線(xiàn)方向成為0°與+90°之間的第一曲線(xiàn)部、及成為0°與-90°之間的第二曲線(xiàn)部，且上述第二曲線(xiàn)部比上述第一曲線(xiàn) 部小。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其特征在于，以上述磨 刷方向?yàn)榛鶞?zhǔn)而以上述梳齒的長(zhǎng)邊所形成的角度的銳角為a ，并以上述銳角方向?yàn)檎较驎r(shí)，上述梳齒的邊緣部分還具有相對(duì)于上述磨 刷方向，具有a與+90。之間的傾斜程度的傾斜端部線(xiàn)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述梳齒 的邊緣部分在其前端還具有凸部分。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其特征在于，相對(duì)于像 素的矩形形狀的垂直相交的軸方向，上述磨刷方向呈45。。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述梳齒 的邊緣部分為上述梳齒的前端部或基端部。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述上部 電極為像素電極。
13. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其特征在于，上述上部 電極為共通電極。
全文摘要
本發(fā)明的課題在于抑制液晶顯示裝置中的向錯(cuò)。本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，其在同一襯底上形成有上部電極層和下部電極層，且在屬于上部電極層的像素電極的狹縫的邊緣部分中產(chǎn)生向錯(cuò)的區(qū)域(D)，該區(qū)域是于狹縫的長(zhǎng)邊以磨刷方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，并以狹縫的長(zhǎng)邊所形成的角度的銳角α的方向?yàn)檎较颍吘壊糠窒鄬?duì)于磨刷方向的切線(xiàn)方向所形成的角度β成為0°與-90°之間的區(qū)域。如此，相對(duì)于磨刷方向，將屬于上部電極層的像素電極的狹縫的邊緣部分的切線(xiàn)方向所形成的角度β成為0°與-90°之間的區(qū)域形成為，比邊緣部分的切線(xiàn)方向所形成的角度β成為0°與+90°之間的區(qū)域還小。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK101162315SQ200710162640
公開(kāi)日2008年4月16日 申請(qǐng)日期2007年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月13日
發(fā)明者市川伸治, 瀨川泰生, 青田雅明 申請(qǐng)人:愛(ài)普生映像元器件有限公司