專利名稱：：改進的顯示基底及其制造方法和具有該基底的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種顯示裝置，更具體地講，涉及一種具有提供增大的開口率的顯示基底的顯示裝置及一種制造該顯示基底的方法。
背景技術(shù)：
：通常，液晶顯示(LCD)裝置包括LCD面板，LCD面板具有彼此面對的上基底和下基底以及置于上下基底之間的液晶層。LCD面板包括多個像素部分。每個像素部分包括開關(guān)元件和液晶電容器。開關(guān)元件形成在下基底上。液晶電容器的第一端部電連接到開關(guān)元件，液晶電容器的第二端部電連接到在上基底上形成的共電極。通過開關(guān)元件提供的數(shù)據(jù)電壓和施加到共電極的共電壓之間的電壓差將#^素電壓充入液晶電容器中。也就是說，LCD裝置利用與液晶電容器的充電量的變化對應(yīng)的透光率來顯示圖像。在LCD裝置中，響應(yīng)時間被定義為透射率從大約10%變?yōu)榇蠹s90%的時間。可改進驅(qū)動條件和/或液晶條件，從而改進LCD裝置的響應(yīng)時間?？稍龃笞鳛轵?qū)動條件的電源電壓來改進響應(yīng)時間；然而，LCD裝置的功耗也增大。在LCD裝置中可采用作為液晶條件的具有較低介電常數(shù)的液晶材料來改進響應(yīng)時間；然而，液晶材料的開發(fā)可能已經(jīng)達到它的限度。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一方面，一種具有改進的開口率和響應(yīng)時間的顯示裝置包括開關(guān)元件、液晶電容器和存儲電容器。開關(guān)元件電連接到彼此交叉以限定像素區(qū)的柵極線和源線。液晶電容器具有通過第一接觸孔電連接到開關(guān)元件的像素電極。存儲電容器具有與源線部分地疊置的存儲線。存儲線通過第二接觸孔電連接到像素電極。開關(guān)元件、存儲線和像素電極形成像素部分，像素部分的電容比((Cpix-Clc)/Clc)是大約0.4至大約0.6,其中，Cpix表示像素區(qū)中形成的電容器的總電容，Clc表示液晶電容器的電容。液晶電容器由像素電極、面向像素電極的共電極以及置于像素電極和共電極之間的液晶層限定。存儲電容器包括存儲線；柵極絕緣層，形成在存儲線上；源線，形成在柵極絕緣層上并與存儲線疊置；有機絕緣層，形成在源線上；像素電^l,與源線部分地疊置。例如，開關(guān)元件可電連接到第n柵極線和第m源線，其中，m和n表示自然數(shù)。在平面圖中，存儲線與第m源線和第m-l源線疊置，并形成在^象素區(qū)的上部和像素區(qū)的下部之一中。存儲線具有U形形狀，該U形形狀的開口端面向第n柵極線或第n-l柵極線。當從顯示裝置的平面圖觀察時，存儲線與第m源線或第m-l源線疊置。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種顯示基底包括柵極線、源線、存儲線和像素電極。源線與棚"f及線交叉以限定像素區(qū)。存儲線由與柵極線相同的層形成。存儲線與源線部分地疊置。像素電極與源線部分地疊置。像素電極電連接到存儲線。在本發(fā)明的又一方面中，為了制造顯示基底，在其上限定有多個像素區(qū)的基體基底中的每個像素區(qū)中單獨地形成存儲線。在存儲線上形成柵極絕緣層。在柵極絕緣層上形成源線。源線與存儲線疊置。在源線上形成像素電極，以使得像素電極與源線的部分疊置。根據(jù)該顯示裝置、該顯示基底和制造該顯示基底的方法，設(shè)計存儲電容器，以保持使響應(yīng)時間最優(yōu)化根據(jù)設(shè)計條件的電容比，從而可以增大像素部分的開口率。通過參照結(jié)合附圖考慮的下面的詳細描述，本發(fā)明的以上和其它優(yōu)點將變得易于清楚，在附圖中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的顯示裝置的平面圖；圖2是示出沿著圖1中的線I-I喊取的顯示裝置的剖視圖；圖3A至圖6是示出制造圖2中的顯示基底的方法的平面圖和剖視圖；圖7是示出才艮據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的顯示裝置的剖視圖；圖8是示出艮據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的顯示裝置的平面圖；圖9是示出沿著圖8中的線II-n喊取的顯示裝置的剖視圖；圖10是示出根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。具體實施方式在下文中參照附圖更充分地描述了本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的實施例。在附圖中，為了清晰起見，會夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。應(yīng)該理解的是，當元件或?qū)颖环Q作在另一元件或?qū)?上"、"連接到"或"結(jié)合到，，另一元件或?qū)訒r，該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪辉驅(qū)由稀⒅苯舆B接或結(jié)合到另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或中間層。相反，當元件或?qū)觀皮稱作"直接在"另一元件或?qū)?上"、"直接連接到"或"直接結(jié)合到"另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或中間層。相同的標號始終表示相同的元件。為了便于描述，在這里可使用空間相對術(shù)語，如"在…之下"、"在…下方"、"下面的"、"在…上方"、"上面的，，等，用來描述如在圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)該理解的是，空間相對術(shù)語意在包含除了在附圖中描述的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為"在"其它元件或特征"下方"或"之下"的元件隨后將被定位為"在"其它元件或特征"上方"。因而，示例性術(shù)語"在…下方"可包括"在…上方"和"在…下方"兩種方位。所述裝置可被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方位)，并對在這里使用的空間相對描述符做出相應(yīng)的解釋。在此參照作為本發(fā)明的理想實施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的剖-見圖來描述本發(fā)明的實施例。這樣，預(yù)計會出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，本發(fā)明的實施例不應(yīng)該被解釋為局限于在此示出的區(qū)域的具體形狀，而將包括例如由制造導致的形狀偏差。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)域?qū)⑼ǔＴ谄溥吘壘哂械箞A或彎曲的特征和/或具有注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的二元變化。同樣，通過注入形成的埋區(qū)會導致在埋區(qū)和通過其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，在圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀并不意圖示出裝置的區(qū)域的實際形狀，也不意圖限制本發(fā)明的范圍。在下文中，將參照附圖詳細地描述本發(fā)明。示例性實施例1圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的顯示裝置的平面圖。參照圖1，顯示裝置包括多條柵極線GLn-l和GLn、多條存儲線STL1和STL2、多條源線DLm-2、DLm-l和DLm、多個開關(guān)元件QS1和QS2以及多個像素電極PE1和PE2,其中，m和n表示自然數(shù)。開關(guān)元件QS1和QS2可分別包括薄膜晶體管(TFT)。柵極線GLn-1和GLn沿著第一方向延伸，源線DLm-2、DLm-1和DLm沿著與第一方向交叉的第二方向延伸。在一個示例性實施例中，柵極線GLn-l和GLn與源線DLm-2、DLm-l和DLm限定第一像素區(qū)和第二像素區(qū)，然而，第一像素區(qū)和第二像素區(qū)還可以被另外地限定。例如，第一像素部分P1形成在第一像素區(qū)中。第一像素部分P1包括第一開關(guān)元件QS1、第一存儲線STL1和第一像素電極PE1。第一開關(guān)元件QS1電連接到第n柵極線GLn和第m源線DLm。第一存儲線STL1形成在第m-l源線DLm-l和第m源線DLm下方，從而當從顯示裝置的平面圖觀察時第一存儲線STL1與第m-l源線DLm-l和第m源線DLm疊置。第一像素電極PE1通過接觸孔CNT1電連接到第一開關(guān)元件QS1和第一存儲線STL1。接觸孔CNT1鄰近第一開關(guān)元件QS1形成，以防止開口率減小。第一存儲線STL1形成在第m-l源線DLm-l和第m源線DLm下方，并具有朝第n柵極線GLn開口的U形形狀。第一像素電極PE1與第m-l源線DLm-l和第m源線DLm的部分疊置。由相互疊置的第一存儲線STL1、第m-l源線DLm-l和第m源線DLm以及第一像素電極PE1限定第一像素部分P1的第一存儲電容器。第二像素部分P2形成在第二像素區(qū)中。第二像素部分P2包括第二開關(guān)元件QS2、第二存儲線STL2和第二像素電極PE2。第二開關(guān)元件QS2電連接到笫n柵極線GLn和第m-l源線DLm-l。第二存儲線STL2形成在第m-2源線DLm-2和第m-l源線DLm-l下方，從而當從顯示裝置的平面圖觀察時第二存儲線STL2與第m-2源線DLm-2和第m-l源線DLm-l疊置。第二像素電極PE2通過接觸孔CNT2電連接到第二開關(guān)元件QS2和第二存儲線STL2。接觸孔CNT2鄰近第二開關(guān)元件QS2形成，以防止開口率減小。第二存儲線STL2形成在第m-2源線DLm-2和第m-1源線DLm-1下方，并具有朝第n-l柵極線GLn-l開口的U形形狀。因此，第一存儲線STL1和第二存儲線STL2中的每條分別形成在第m-l源線DLm-l的上面和下面，以基于第m-l源線DLm-l相互交錯。在平面圖中，第二像素電極PE2形成為與第m-l源線DLm-l和第m-2源線DLm-2疊置。由相互疊置的第二存儲線STL2、第m-1源線DLm-1和第m-2源線DLm-2以及第二像素電極PE2限定第二像素部分P2的第二存儲電容器。根據(jù)以上示例性實施例，因為存儲線與源線區(qū)域疊置，所以沒有必要在每個像素部分中準備另外的用于形成存儲線的區(qū)域，從而增大了像素部分的開口率。此外，設(shè)計像素部分的電容比((Cpix-Clc)/Clc)為大約0.4至大約0.6，從而可使響應(yīng)時間最優(yōu)化為大約16ms。Cpix、Clc和Cst分別表示像素部分的總電容、液晶電容器的電容和存儲電容器的電容。因此，存儲線的尺寸被設(shè)計為在源線區(qū)域內(nèi)，使得電容比((Cpix-Clc)/Clc)為大約0.4至大約0.6，從而響應(yīng)時間可保持在大約16ms?？蛇x擇地，設(shè)置在存儲線和源線之間以限定存儲電容的柵極絕緣層的厚度為大約0.4jim,使得可以以較小的尺寸形成較高的電容。因此，雖然分辨率高，即，像素部分的尺寸大(即，液晶的電容Clc高)，但是能夠使電容比((Cpix-Clc)/Clc)為大約0.4至大約0.6。要注意的是，雖然存儲線、源線和像素電極限定存儲電容器，但是利用與源線疊置的存儲線形成存儲電容減小了源線和像素電極的任何不對準的影響。因此，可以減少由存儲電容的變化率產(chǎn)生的垂直線差錯(verticallineerror)。圖2是示出沿著圖1中線I-I'截取的顯示裝置的剖視圖。參照圖1和圖2，顯示裝置包括顯示基底100a、面對顯示基底100a的相對基底200a以及置于基底100a和200a之間的液晶層300。顯示基底100a包括第一基體基底101。作為柵極金屬層的柵極圖案形成在第一基體基底101上。柵極圖案包括第n-l柵極線GLn-l、第n柵極線GLn、第一存儲線STL1、第二存儲線STL2、第一柵電極GE1和第二柵電極GE2。柵極絕緣層102形成在柵極圖案上。包括溝道層120和源金屬層的源圖案形成在柵極絕緣層102上。溝道層120包括有源層121，具有非晶硅(a-Si);歐姆接觸層122,具有采用n-型雜質(zhì)重度摻雜的n+非晶硅(n+a-Si)。源圖案包括源線DLm-2、DLm-l和DLm、源電極SE1和SE2以及漏電極DE1和DE2。鈍化層103和有機絕緣層104順序地形成在源圖案上。第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2穿過鈍化層103和形成在鈍化層103上的有機絕緣層104形成。第一像素電極PE1形成在其中形成有第一4^觸孔CH1和第二^l妻觸孔CH2的有機絕緣層104上。第一接觸孔CH1電連接到第一像素電極PE1和開關(guān)元件QS1,第二接觸孔CH2電連接到第一像素電極PE1和第一存4諸線STL1。結(jié)果，由第一存儲線STL1、形成在第一存儲線STL1上的柵極絕緣層102、第m源線DLm和第m-l源線DLm-l、形成在第m源線DLm和第m-l源線DLm-l上的鈍化層103、形成在鈍化層103上的有機絕緣層104以及形成在有機絕緣層104上的第一像素電極PE1限定第一像素部分P1的第一存〗諸電六3谷奮。雖然在圖1和圖2中未示出，但是由第二存儲線STL2、形成在第二存儲線STL2上的柵極絕緣層102、第m-l源線DLm-l和第m-2源線DLm_2、形成在第m-l源線DLm-l和第m-2源線DLm-2上的鈍化層103、形成在4屯化層103上的有機絕緣層104以及形成在有機絕緣層104上的第二像素電極PE2限定第二像素部分P2的第二存儲電容器。相對基底200a包括第二基體基底201。光阻擋圖案210形成在第二基體基底201上，從而將透射光的光透射區(qū)與阻擋光的光阻擋區(qū)劃分開。例如，光阻擋圖案210可以與4冊4及線GLn-l和GLn、源線DLm-2、DLm-l和DLm以及開關(guān)元件QS1和QS2對應(yīng)地形成。濾色器層220形成在由光阻擋圖案210限定的光透射區(qū)中。濾色器層220可包括紅色濾色器圖案221、藍色濾色器圖案222和綠色濾色器圖案223。面向第一像素電極PE1和第二像素電極PE2的共電極230形成在濾色器層220上。因此，第一像素部分P1的第一液晶電容器由第一像素電極PE1、液晶層300和共電極230限定。此外，第二像素部分P2的第二液晶電容器由第二像素電極PE2、液晶層300和共電極230限定。圖3A至圖6是示出制造圖2中的顯示基底的方法的平面圖和剖視圖。參照圖3A和圖3B，利用沉積在第一基體基底101上形成柵極金屬層，隨后將柵極金屬層圖案化以形成柵極圖案。在其上具有柵極圖案的第一基體基底101上形成柵極絕緣層102。柵極圖案包括第n-l柵極線GLn-l、第n柵極線GLn、第一存儲線STL1、第二存儲線STL2、第一柵電極GE1和第二柵電才及GE2。彼此鄰近地形成的第一存儲線STL1和第二存儲線STL2形成在互不相同的位置。例如，形成在第一像素部分P1中的第一存儲線STL1可以形成在鄰近第n柵極線GLn的較低的位置，形成在第二像素部分P2中的第二存儲線STL2形成在鄰近第n-l柵極線GLn-l的較高的位置。第一存儲線STL1和第二存儲線STL2中的每條具有分別朝鄰近的柵極線開口的U形形狀。第一存儲線STL1和第二存儲線STL2中的每條包括分別分叉進入第一開關(guān)元件QS1和第二開關(guān)元件QS2的第一橋線112和第二橋線114。參照圖4A和圖4B，柵極絕緣層102具有大約4000A的厚度。在柵極絕緣層102上形成溝道層120。溝道層120包括有源層121,具有非晶硅(a-Si);歐姆接觸層122，具有采用n-型雜質(zhì)重度摻雜的n+非晶硅(n+a-Si)。在溝道層120上形成源金屬層。隨后，將溝道層120和源金屬層圖案化來形成源圖案。源圖案包括第m-2源線DLm-2、第m-l源線DLm-l、第m源線DLm、第一源電極SE1、第二源電極SE2、第一漏電極DE1和第二漏電極DE2。第m源線DLm和第m-l源線DLm-l的下部與第一存4諸線STL1疊置，第m-l源線DLm-l和第m-2源線DLm-2的上部與第二存儲線STL2疊置。第一漏電極DE1包括第一端部132,當從顯示裝置的平面圖觀察時，第一端部132與第一橋線112部分地疊置，或者鄰近第一橋線112。第二漏電極DE2包括第二端部134，當從顯示裝置的平面圖觀察時，第二端部134與第二橋線114部分地疊置，或者鄰近第二橋線114。參照圖1和圖5,在其上具有源圖案的第一基體基底101上順序地沉積鈍化層103和有機絕緣層104。例如，鈍化層103可具有大約2000A的厚度，有機絕緣層104可具有大約4pm的厚度。在其上形成有有機絕緣層104的第一基體基底101上設(shè)置具有第一縫隙部分191和第二縫隙部分192的掩模190，隨后形成第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2，從而暴露第一橋線112的端部、第一漏電極的端部132和第二漏電纟及的端部134。第一縫隙部分191與第二縫隙部分192相比透射較少的衍射光和較少的干涉光。利用第一縫隙部分191去除有機絕緣層104和鈍化層103,從而形成暴露第一橋線112的端部的第一接觸孔CH1。利用第二縫隙部分192去除有機絕緣層104、鈍化層103和柵極絕緣層102,從而形成暴露第一漏電極DE1的端部132的第二接觸孔CH2。參照圖1和圖6,在具有第一接觸孔CH1和第二接觸孔CH2的第一基體基底101上沉積透明電極層，隨后將透明電極層圖案化以形成透明電極圖案。透明電極圖案包括第一像素電極PE1和第二像素電極PE2。將第一像素電才及PE1圖案化為與第m-l源線DLm-l和第m源線DLm的端部疊置，將第二像素電極PE2圖案化為與第m-l源線DLm-l和第m-2源線DLm-2的端部疊置。因此，第一像素部分Pl的第一存儲電容器由相互疊置的第一存儲線STL1、第m-l源線DLm-l和第m源線DLm以及第一像素電極PE1限定。第二像素部分P2的第二存儲電容器由相互疊置的第二存儲線STL2、第m-l源線DLm-l和第m-2源線DLm-2以及第二像素電極PE2限定。根據(jù)本示例性實施例，因為存儲線形成為與源線疊置，所以沒有必要在每個像素部分中設(shè)置另外的用于形成存儲線的區(qū)域。因此，可增大像素部分的開口率。此外，存儲電容器被設(shè)計成使得像素部分的電容比((Cpix-Clc)/Clc)為大約0.4至大約0.6，從而使響應(yīng)時間最優(yōu)化。此外，即使在源線與像素電極彼此不對準時，也減小了存儲電容的變化率。因此，減少了由存儲電容的變化率導致的"垂直線差錯"。在下文中，相同的標號將用于表示與上述示例性實施例1中描述的組件相同的組件，并將省略對它們的描述。示例性實施例2圖7是示出根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。參照圖1和圖7，顯示裝置包括顯示基底100b、面向顯示基底100b的相對基底200b以及置于基底100b和200b之間的液晶層300。如圖7所示，顯示基底100b包括順序地形成在第一基體基底101上的柵極圖案GLn-l、GLn、STL1、STL2、GE1和GE2、柵極絕緣層102、源圖案DLm-2、DLm-l、DLm、SE1、SE2、DE1和DE2以及鈍化層103。濾色器層140形成在鈍化層103上。濾色器層140可包括紅色濾色器圖案141、藍色濾色器圖案142和綠色濾色器圖案143。相對基底200b包括第二基體基底201、光阻擋圖案210和共電極230。光阻擋圖案210形成在第二基體基底201上。共電極230形成在其上形成有光阻擋圖案210的第二基體基底201上。示例性實施例3圖8是示出根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的顯示裝置的平面圖。參照圖8，顯示裝置包括多條柵極線GLn-l和GLn、多條存儲線STLll和STL22、多條源線DLm-2、DLm-l和DLm、多個開關(guān)元件QS1和QS2以及多個像素電極PE1和PE2，其中，m和n是自然凄史。柵極線GLn-l和GLn沿著第一方向延伸，源線DLm-2、DLm-l和DLm沿著與第一方向交叉的第二方向延伸。柵極線GLn-1和GLn與源線DLm-2、DLm-l和DLm很定第一像素區(qū)和第二像素區(qū)。存儲線STL11和STL22形成為與對應(yīng)于存儲線STL11和STL22的源線DLm-2、DLm-l疊置。第一像素部分P1形成在第一像素墾中。第一像素部分P1包括第一開關(guān)元件QS1、第一存儲線STL11和第一像素電極PE1。第一開關(guān)元件QS1電連接到第n柵極線GLn和第m源線DLm。第一存儲線STL11形成在第m-l源線DLm-l下方，以與第m-l源線DLm-l疊置，如平面圖中所觀察到的。第一像素電極PE1通過接觸孔CNT1電連接到第一開關(guān)元件QS1和第一存儲線STLll。第一存儲線STL11形成為與限定第一像素區(qū)的第m-l源線DLm-l和第m源線DLm之一疊置。這里，第一存儲線STL11形成為與第m-l源線DLm-l疊置，第m-l源線DLm-l是電連接到第一開關(guān)元件QS1的第m源線DLm的前一級。第一像素電極PE1與第m-l源線DLm-l和第m源線DLm部分地疊置。第一像素部分P1的第一存儲電容器由相互疊置的第一存儲線STL11、第m-l源線DLm-l和第一像素電極PE1限定。第二像素部分P2形成在第二像素區(qū)中。第二像素部分P2包括第二開關(guān)元件QS2、第二存儲線STL22和第二像素電極PE2。第二開關(guān)元件QS2電連接到第n柵極線GLn和第m-l源線DLm-l。第二存儲線STL22形成在第m-2源線DLm-2下方，從而當從顯示裝置的平面圖觀察時第二存儲線STL22與第m-2源線DLm-2疊置。第二像素電極PE2通過接觸孔CNT2電連接到第二開關(guān)元件QS2和第二存儲線STL22。第二存儲線STL22形成為與限定第二像素區(qū)的第m-2源線DLm-2和第m-l源線DLm-l之一疊置。這里，第二存儲線STL22形成為與第m-2源線DLm-2疊置，第m-2源線DLm-2是電連接到第二開關(guān)元件QS2的第m-l源線DLm-l的前一級。頁如平面圖中所觀察到的，第二像素電極PE2形成為與第m-2源線DLm-2和第m-l源線DLm-l的端部疊置。第二像素部分P2的第二存儲電容器由相互疊置的第二存儲線STL22、第m-2源線DLm-2和第二像素電極PE2限定。根據(jù)本示例性實施例，存儲線形成為與源線疊置，從而可增大像素部分的開口率。此外，存儲電容器被設(shè)計為使得像素部分的電容比((Cpix-Clc)/Clc)為大約0.4至大約0.6,從而使響應(yīng)時間最優(yōu)化。此外，即使在源線與像素電極彼此不對準時，也可減小存儲電容的變化率。因此，可減少由存儲電容的變化率導致的"垂直線差錯"。圖9是示出沿著圖8中的線ii-n'截取的顯示裝置的剖視圖。參照圖8和圖9，顯示裝置包括顯示基底500a、面向顯示基底500a的相對基底600a以及置于顯示基底500a和相對基底600a之間的液晶層300。顯示基底500a包括第一基體基底501。作為柵極金屬層的柵極圖案形成在第一基體基底501上。柵極圖案包括第n-l柵極線GLn-l、第n柵極線GLn、第一存儲線STLll、第二存儲線STL22、第一柵電極GE1和第二柵電極GE2。柵極絕緣層502形成在其上形成有柵極圖案的第一基體基底501上。包括溝道層120和源金屬層的源圖案形成在柵極絕緣層502上。源圖案包括多條源線DLm-2、DLm-l和DLm、第一源電極SE1、第二源電極SE2、第一漏電極DE1、第二漏電極DE2。源線DLm-2、DLm-l形成為與第一存儲線STL11和第二存儲線STL22疊置。鈍化層503和有機絕緣層504順序地形成在其上形成有源圖案的第一基體基底501上。第一像素電極PE1和第二像素電極PE2形成在有機絕緣層504上。第一像素電極PE1通過接觸孔CNT1電連接到第一開關(guān)元件QS1，第二像素電極PE2通過接觸孔CNT2電連接到第二開關(guān)元件QS2。例如，第一像素電極PE1可電連接第一漏電極DE1的通過第一接觸孔CH1暴露的端部，并可電連接到第一存儲線STL11的通過第二接觸孔CH2暴露的端部。結(jié)果，由第一存儲線STLll、形成在第一存儲線STLll上的柵極絕緣層502、形成在柵極絕緣層502上的第m-1源線DLm-1、形成在第m-1源線DLm-1上的鈍化層503、形成在鈍化層503上的有機絕緣層504以及形成在有機絕緣層504上的第一像素電極PE1限定第一像素部分P1的第一存儲電容器。雖然在圖8和圖9中未示出，但是由第二存儲線STL22、形成在第二存儲線STL22上的4冊極絕緣層502、形成在柵極絕緣層502上的第m-2源線DLm-2、形成在第m-2源線DLm-2上的鈍化層503、形成在鈍化層503上的有機絕緣層504以及形成在有機絕緣層504上的第二像素電極PE2限定第二像素部分P2的第二存儲電容器。相對基底600a包括第二基體基底601。光阻擋圖案610形成在第二基體基底601上。例如，光阻擋圖案610可以與柵極線GLn-l和GLn、源線DLm-2、DLm-l和DLm以及開關(guān)元件QS1和QS2對應(yīng)地形成。濾色器層620形成在由光阻擋圖案610限定的光透射區(qū)中。面向第一像素電極PE1和第二像素電極PE2的共電極630形成在濾色器層620上。示例性實施例4圖IO是示出根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的顯示裝置的剖視圖。參照圖8和圖10，顯示裝置包括顯示基底500b、面向顯示基底500b的相對基底600b以及置于顯示基底500b和相對基底600b之間的液晶層300。顯示基底500b包括順序地形成在第一基體基底501上的柵極圖案GLn-l、GLn、STLll、STL22、GE1和GE2、4冊極絕緣層502、源圖案DLm-2、DLm-l、DLm、SE1、SE2、DE1和DE2以及鈍化層503,其中，m和n是自然數(shù)。濾色器層540形成在鈍化層503上。相對基底600b包括第二基體基底601、光阻擋圖案610和共電極630。光阻擋圖案610形成在第二基體基底601上。共電極630形成在其上形成有光阻擋圖案610的第二基體基底601上。根據(jù)上述示例性實施例，存儲線形成為在源線所形成的區(qū)域中與源線疊置，從而可增大像素部分的開口率。此外，像素部分的電容比((Cpix-Clc)/Clc)被設(shè)計成大約0.4至大約0.6,從而使液晶顯示(LCD)裝置的響應(yīng)時間最優(yōu)化。下面的表1示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例1至4的模擬結(jié)果。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>參照表l，根據(jù)示例性實施例1的電容比((Cpix-Clc)/Clc)是大約0.43,根據(jù)示例性實施例1的開口率是大約73%。根據(jù)示例性實施例2的電容比((Cpix-Clc)/Clc)是大約0.44，根據(jù)示例性實施例2的開口率是大約72%。根據(jù)示例性實施例3的電容比((Cpix-Clc)/Clc)是大約0.47,根據(jù)示例性實施例3的開口率是大約75%。根據(jù)示例性實施例4的電容比((Cpix-Clc)/Clc)是大約0.47,根據(jù)示例性實施例4的開口率是大約74%。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，電容比((Cpix-Clc)/Clc)保持在大約0.43至大約0.47,從而可以獲得大約16ms的響應(yīng)時間。此外，可以獲得大約72%至大約75%的高開口率。根據(jù)本發(fā)明，存儲線形成為與源線疊置，從而避免傳統(tǒng)的存儲線構(gòu)造中存在的開口率的減小。此外，因為存儲線的尺寸被設(shè)計為在對應(yīng)于源線的區(qū)域內(nèi)，所以保持了電容比((Cpix-Clc)/Clc)。因此，可以使LCD裝置的響應(yīng)時間最優(yōu)化。此外，當源線和像素電極彼此不對準時，利用形成在源線下方的存儲線的存儲電容的變化率減小。因此，可以減少由存儲電容的變化率導致的"垂直線差錯"。因此，可以使開口率、響應(yīng)時間和"垂直線差錯"最優(yōu)化。雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實施例，但是應(yīng)當理解，本發(fā)明不應(yīng)局限于這些示例性實施例，而是，在如權(quán)利要求的本發(fā)明的范圍和精神內(nèi)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以作出各種變化和修改。權(quán)利要求1、一種顯示基底，包括柵極線；源線，與柵極線交叉，以限定像素區(qū)；存儲線，由與柵極線相同的層形成，存儲線與源線部分地疊置；像素電極，與源線部分地疊置，像素電極電連接到存儲線。2、如權(quán)利要求1所述的顯示基底，還包括有機絕緣層，形成在源線和像素電極之間。3、如權(quán)利要求1所述的顯示基底，還包括濾色器層，形成在源線和像素電極之間。4、如權(quán)利要求1所述的顯示基底，還包括開關(guān)元件，電連接到第n柵極線和第m源線，其中，m和n是自然數(shù)。5、如權(quán)利要求4所述的顯示基底，其中，當在顯示基底的平面圖中觀察時，存儲線與第m源線和第m-l源線疊置，并形成在像素區(qū)的上部和像素區(qū)的下部之一中。6、如權(quán)利要求5所述的顯示基底，其中，存儲線具有朝第n柵極線或第n-l柵4及線開口的U形形狀。7、如權(quán)利要求4所述的顯示基底，其中，如在顯示基底的平面圖中所觀察到的，存儲線與第m源線或第m-l源線疊置。8、一種顯示裝置，包括開關(guān)元件，電連接到彼此交叉以限定像素區(qū)的柵極線和源線；液晶電容器，具有通過第一接觸孔電連接到開關(guān)元件的像素電極，；存儲電容器，具有與源線部分地疊置的存儲線，存儲線通過第二接觸孔電連接到像素電極。9、如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中，開關(guān)元件、存儲線和像素電極形成像素部分，像素部分的電容比(Cpix-Clc)/Clc在大約0.4至大約0.6的范圍內(nèi)，其中，Cpix表示像素區(qū)中形成的電容器的總電容，Clc表示液晶電容器的電容。10、如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，液晶電容器由像素電極、面向像素電極的共電極以及置于像素電極和共電極之間的液晶層限定。11、如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，存儲電容器包括存儲線；柵極絕緣層，形成在存儲線上；源線，形成在柵極絕緣層上并與存儲線疊置；有機絕緣層，形成在源線上；像素電極，與源線部分地疊置。12、如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，存儲電容器包括存儲線；柵極絕緣層，形成在存儲線上；源線，形成在柵極絕緣層上并與存儲線疊置；濾色器層，形成在源線上；像素電極，與源線部分地疊置。13、如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其中，開關(guān)元件包括柵電極，電連接到第n棚-極線；源電極，電連接到第m源線；漏電極，電連接到像素電極，其中，m和n表示自然數(shù)。14、如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，當在顯示裝置的平面上觀察時，存儲線與第m源線和第m-l源線疊置，并形成在像素區(qū)的上部和像素區(qū)的下部之一中。15、如權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，存儲線具有朝第n柵極線或第n-l柵極線開口的U形形狀。16、如權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，如在顯示裝置的平面圖中所觀察到的，存儲線與第m源線或第m-l源線疊置。17、一種制造顯示基底的方法，包括在基體基底的像素區(qū)的每個中形成存儲線，其中，基體基底具有限定在其上的多個像素區(qū)；在存儲線上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成源線，源線與存儲線疊置；在源線上形成像素電極，以使得像素電極與源線的部分疊置。18、如權(quán)利要求17所述的方法，還包括在源線和像素電極之間形成有機絕緣層。19、如權(quán)利要求17所述的方法，還包括在源線和像素電極之間形成濾色器層。20、如權(quán)利要求17所述的方法，還包括形成暴露存儲線的端部的接觸孔，其中，像素電極通過接觸孔與存儲線的端部4妄觸。全文摘要本發(fā)明公開了一種具有改進的開口率的顯示基底及其制造方法和一種具有該顯示基底的顯示裝置，該顯示裝置包括開關(guān)元件、液晶電容器和存儲電容器。開關(guān)元件電連接到彼此交叉以限定像素區(qū)的柵極線和源線。液晶電容器具有通過第一接觸孔電連接到開關(guān)元件的像素電極。存儲電容器具有與源線部分地疊置的存儲線。存儲線通過第二接觸孔電連接到像素電極。文檔編號G02F1/13GK101154003SQ20071015408公開日2008年4月2日申請日期2007年9月13日優(yōu)先權(quán)日2006年9月28日發(fā)明者張鐘雄申請人:三星電子株式會社