專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置及其制造方法。
技術(shù)背景近年來(lái)，搭載了具備低溫多晶硅(Polycrystalline silicon) TFT ( Thin Film Transistor:薄膜晶體管)的TFT陣列基板(array substrate )的液晶 顯示器(display)或有機(jī)EL顯示器等顯示裝置因其高精度、高移動(dòng)度 和高可靠性而正受到世人矚目(非專利文獻(xiàn)l、 2、 3)。通過(guò)圖6說(shuō)明現(xiàn) 有的具備低溫多晶硅TFT的TFT陣列基板的制造方法。圖6是利用現(xiàn) 有的制造方法制造出來(lái)的TFT陣列基板的示意性剖面圖。另外，以下所 示的工序是頂柵型(top gate type) TFT陣列基板的制造工序。首先，通 過(guò)等離子體(plasma) CVD法在玻璃(glass)基板1上形成基底氮化膜 2、基底氧化膜3、非晶硅(amorphous silicon )膜。接著實(shí)施退火(anneal) 處理，以降低非晶硅中的氫濃度。繼而，通過(guò)激光退火(laser anneal) 法使非晶硅膜晶化而形成多晶硅膜。接著，將多晶硅膜通過(guò)照相平版技 術(shù)構(gòu)圖(patterning)成預(yù)期的圖案(pattern),形成多晶硅膜4 (掩模 (mask ) 1 )。接著，通過(guò)CVD法形成柵極(gate)絕緣膜5。接著，僅在形成保 持電容的位置留出開口，除此之外的區(qū)域則用抗蝕劑(resist)覆蓋(掩 模2)。通過(guò)離子摻雜(ion doping)法在多晶硅中摻雜P (磷)。然后將 抗蝕劑去除。接著，通過(guò)離子摻雜法穿過(guò)柵極絕緣膜5向多晶硅膜4摻 雜B(硼)，以便控制晶體管的閾值電壓。接下來(lái)，通過(guò)濺射(sputter)法形成金屬薄膜，用于形成柵電極6a。 該金屬薄膜使用Al、 Cr、 Mo、 Ti、 W等金屬材料或合金材料。接著利 用照相平版技術(shù)形成光致抗蝕圖(掩模3)。繼而，通過(guò)蝕刻(etching) 將金屬薄膜構(gòu)圖成預(yù)期形狀，形成柵電極6a。然后將抗蝕劑去除。接下 來(lái)，通過(guò)離子摻雜法以柵電極6a為掩模向多晶硅膜4摻雜B (硼)，形 成P型晶體管。這里說(shuō)明的是P型晶體管的形成，但在形成N型晶體管 時(shí)，則通過(guò)離子摻雜法以柵電極6a為掩模向多晶硅膜4摻雜P (磷)。別制造出N型或P型的單溝道(channel) TFT陣列基板。此外，也能夠形成如CMOS結(jié)構(gòu)這樣的具備N型、P型 的雙溝道低溫多晶硅的TFT陣列基板。在形成N型、P型的雙溝道時(shí)， 需增加一個(gè)照相平版工序，因此要增加一個(gè)掩模。接下來(lái)，通過(guò)等離子體CVD法形成層間絕緣膜7。層間絕緣膜7 可以使用由SiH4與N20或者TEOS ( TetraEthOxySi lane、 Si ( OC2H5) 4)與02發(fā)生反應(yīng)而形成的氧化硅膜。另外，也可以使用由SiH4與NH3 發(fā)生反應(yīng)而形成的氮化硅膜。進(jìn)而，可以使用由SiH4與N20和NH3發(fā) 生反應(yīng)而形成的氮氧化硅膜。另外，并不限于這些單層膜，也可以是層 疊膜。接下來(lái)實(shí)施熱處理，以便使通過(guò)離子摻雜法摻雜的P (磷)或B (硼)擴(kuò)散開。其后，利用照相平版技術(shù)形成光致抗蝕圖(掩模4)。繼 而，使用干蝕刻(dry etching)法在層間絕緣膜7中形成接觸孔(contact hole) 8之后去除抗蝕劑。接著，通過(guò)濺射法形成金屬薄膜，以便形成信號(hào)線9。金屬材料使 用Al、 Cr、 Mo、 Ti、 W等金屬材料或合金材料。接著，利用照相平版 技術(shù)形成光致抗蝕圖(掩模5)。繼而，通過(guò)干蝕刻法將金屬薄膜構(gòu)圖成 預(yù)期形狀，形成信號(hào)線9。接下來(lái)通過(guò)等離子體CVD法形成保護(hù)膜10。 保護(hù)膜10可以使用由SiH4與NH3發(fā)生反應(yīng)而形成的氮化硅膜。接著， 實(shí)施熱處理，以便修復(fù)損傷(damage )。接著，利用照相平版技術(shù)形成光致抗蝕圖(掩模6)。利用千蝕刻法 在保護(hù)膜10中形成接觸孔8之后去除抗蝕劑。接著，通過(guò)濺射法形成 透明導(dǎo)電性膜，以便形成像素電極ll。繼而，利用照相平版技術(shù)形成光 致抗蝕圖(掩模7)。通過(guò)干蝕刻將透明導(dǎo)電性膜構(gòu)圖成預(yù)期形狀，形成 像素電極11。借助于上述制造方法完成具備低溫多晶硅TFT的TFT陣 列基板。如果是N型或P型單溝道結(jié)構(gòu)的TFT陣列基板，照相平版工序中 使用的掩模數(shù)為如上所述的7片。此外，如果是N型和P型的雙溝道結(jié) 構(gòu)，照相平版工序中使用的掩模數(shù)為8片。在專利文獻(xiàn)l中公開了一種在玻璃基板上形成遮光層布線并在其上 部形成有多晶硅膜的顯示裝置。此外，公開了一種技術(shù)，通過(guò)激光照射 使該遮光層布線上形成的多晶硅的結(jié)晶粒徑比與遮光層布線不相向的 區(qū)域的多晶硅更大，由此能夠提供高顯示品質(zhì)的顯示裝置。 專利文獻(xiàn)2中公開了另一種調(diào)整多晶硅結(jié)晶粒徑的方法，其結(jié)構(gòu)為 在玻璃基板上多晶硅層的下層形成用于調(diào)整多晶硅粒徑的蓄熱遮光層。另外，在專利文獻(xiàn)3中公開了 一種在絕緣性基板上與多晶硅層的LDD 區(qū)域相向的區(qū)域中具備由不透明金屬構(gòu)成的遮光膜的結(jié)構(gòu)。另外，在專 利文獻(xiàn)4中公開了一種在半導(dǎo)體薄膜的下層具備光吸收層的結(jié)構(gòu)。關(guān)于 專利文獻(xiàn)5，將在后文中敘述。[專利文獻(xiàn)l]特開2003_297851號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)2]特開2004-207337號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)3]特開2001-284594號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)4]特開2005-136138號(hào)公報(bào)[專利文獻(xiàn)5]特開2002_76351號(hào)公報(bào)非專利文獻(xiàn)1東芝Review Vol,55 No.2 ( 2000 ),《低溫P陽(yáng)Si TFT-LCD》，西部徹等著(2000年)非專利文獻(xiàn)2《低溫多SiTFT-LCD技術(shù)》，鵜詞育弘著，ED研 究社發(fā)行(2005年4月20日發(fā)行)非專利文獻(xiàn)3《液晶顯示技術(shù)》，松本正一編著，產(chǎn)業(yè)圖書發(fā)行 (1996年11月8日發(fā)行)然而，在TFT陣列基板的制造工序中，極其重要的課題是不斷提高 顯示品質(zhì)、減少制造工序數(shù)從而提高生產(chǎn)效率。但是，在上述圖6所示 的現(xiàn)有實(shí)例的單溝道結(jié)構(gòu)的低溫多晶硅TFT陣列基板的制造工序中，如 果是N型或P型單溝道結(jié)構(gòu)的TFT陣列基板，照相平版工序中要使用 如上所述的7片掩模。如果是N型和P型的雙溝道結(jié)構(gòu)，照相平版工序 中則要使用8片掩模。因此，生產(chǎn)率不高。在上述專利文獻(xiàn)l、 2和3的TFT陣列基板的制造工序中，也同樣 需要7片掩模。另外，在上述專利文獻(xiàn)4的TFT陣列基板的制造工序沖， 需要8片掩模。此外，在上述專利文獻(xiàn)5中提出了一種使用1片掩模形成N型和P 型雙溝道結(jié)構(gòu)的方法。借助于該文獻(xiàn)提出的方法，在制造透射型單溝道 結(jié)構(gòu)的TFT陣列基板時(shí)需要6片掩模。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是借鑒了這些背景而被提出，提供顯示品質(zhì)優(yōu)異并且生產(chǎn)率 本發(fā)明的顯示裝置具備設(shè)置在基板上的信號(hào)線；在上述基板上與 上述信號(hào)線分離開設(shè)置的導(dǎo)電性膜；設(shè)置在上述信號(hào)線和上述導(dǎo)電性膜 上方的基底絕緣膜；設(shè)置在上述基底絕緣膜上方的多晶硅膜；形成在上 述多晶硅膜上方的層間絕緣膜；形成在上述層間絕緣膜上方的像素電 極；在上述層間絕緣膜上方與上述像素電極分離開形成并將上述多晶硅 膜和上述信號(hào)線相連接的連接圖案；在下部形成上述導(dǎo)電性膜的上述多 晶硅膜的結(jié)晶粒徑比在下部未形成上述導(dǎo)電性膜的多晶硅膜的結(jié)晶粒 徑大。借助于本發(fā)明，能夠提供顯示品質(zhì)優(yōu)異并且生產(chǎn)率高的顯示裝置及 其制造方法。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置中使用的TFT陣列基板的 結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖2是表示TFT陣列基板的像素結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖3是表示TFT陣列基板的驅(qū)動(dòng)部的結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖4是表示低溫多晶硅TFT陣列基板的制造方法的剖面示意圖。圖5是表示形成驅(qū)動(dòng)部中的多晶硅膜時(shí)的剖面示意圖。圖6是現(xiàn)有的TFT陣列基板的剖面示意圖。符號(hào)說(shuō)明1玻璃基板、2基底氮化膜、3基底氧化膜、4多晶硅膜、4a多 晶硅膜、4b多晶硅膜、5柵極絕緣膜、6柵極布線、6a柵電極、7層 間絕緣膜、8接觸孔、9信號(hào)線、10保護(hù)膜、11像素電極層、12導(dǎo) 電性膜、13保持電容電極、14保持電容布線、15連接圖案、21、 22、 23、 24、 31、 32、 33接觸孔、110基板、111顯示區(qū)域、112邊框區(qū) 域、113柵極布線(掃描信號(hào)線)、114信號(hào)線(顯示信號(hào)線)、115掃 描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路部、116顯示信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路部、117像素、118外部布 線、119外部布線、120TFT、 130 TFT 具體實(shí)施方式
下面，說(shuō)明可以應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施方式。以下說(shuō)明是針對(duì)本發(fā)明的 實(shí)施方式的說(shuō)明，本發(fā)明并不限于以下實(shí)施方式。圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置中使用的TFT陣列基板的 結(jié)構(gòu)的平面示意圖。首先，參照?qǐng)D1說(shuō)明以下的實(shí)施方式。具有該TFT 陣列基板的顯示裝置是液晶顯示裝置或有機(jī)EL顯示裝置等平面型顯示 裝置(平板顯示器(Flat Panel Display))。這里說(shuō)明作為顯示裝置的一 個(gè)實(shí)例的液晶顯示裝置。本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置具有基板110。基板110是例如 TFT120排列成陣列狀的TFT陣列基板?；?10中設(shè)置有顯示區(qū)域111 和包圍著該顯示區(qū)域111而設(shè)置的邊框區(qū)域112。該顯示區(qū)域111中形 成有多條柵極布線(掃描信號(hào)線)113和多條信號(hào)線(顯示信號(hào)線)114。 多條柵極布線113平行設(shè)置。同樣地，多條信號(hào)線114也平行設(shè)置。柵 極布線113和信號(hào)線114以相互交叉方式形成。柵極布線113和信號(hào)線 114正交。此外，相鄰的柵極布線113和信號(hào)線114所包圍的區(qū)域構(gòu)成 像素U7。因此，基板110中像素U7排列成矩陣(matrix)狀。進(jìn)而，在基板110的邊框區(qū)域112中設(shè)置有掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路部115 和顯示信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路部116。柵極布線113從顯示區(qū)域111開始延伸設(shè) 置到邊框區(qū)域112。此外，柵極布線113在基板110的端部與掃描信號(hào) 驅(qū)動(dòng)電路部115相連接。信號(hào)線114也同樣地從顯示區(qū)域111開始延伸 設(shè)置到邊框區(qū)域112。此外，信號(hào)線114在基板110的端部與顯示信號(hào) 驅(qū)動(dòng)電路部116相連接。在掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路部115的附近連接著外部 布線118。另外，在顯示信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路部116的附近連接著外部布線 119。外部布線118、 119是例如FPC (Flexible Printed Circuit:撓性印制線路)等布線基板。經(jīng)由外部布線118、 119向掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路部115和顯示信號(hào)驅(qū) 動(dòng)電路部116提供來(lái)自外部的各種信號(hào)。掃描信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路部115根據(jù) 來(lái)自外部的控制信號(hào)向柵極布線(掃描信號(hào)線)113提供柵極信號(hào)(掃 描信號(hào))。根據(jù)該柵極信號(hào)依次選擇柵極布線113。顯示信號(hào)驅(qū)動(dòng)電路部 116根據(jù)來(lái)自外部的控制信號(hào)或顯示數(shù)據(jù)(data)向信號(hào)線114提供顯示 信號(hào)。由此，就能夠向各個(gè)像素in提供與顯示數(shù)據(jù)相應(yīng)的顯示電壓。像素117內(nèi)至少形成有1個(gè)TFT120。 TFT120配置在信號(hào)線114和
柵極布線113的交叉點(diǎn)附近。例如，該TFT120向像素電極提供顯示電 壓。亦即，根據(jù)來(lái)自柵極布線113的柵極信號(hào)使作為開關(guān)元件的TFT120 導(dǎo)通。由此，連接到TFT的信號(hào)線上的像素電極上施加了來(lái)自信號(hào)線 114的顯示電壓。此外，在像素電極和對(duì)置電極之間產(chǎn)生了與顯示電壓 相應(yīng)的電場(chǎng)。此外，基板110的表面上形成有取向膜(未圖示)。進(jìn)而，TFT陣列基板上相向配置著對(duì)置基板(未圖示)。對(duì)置基板 是例如彩色濾光片(color filter)基板，配置于觀看者一側(cè)。對(duì)置基板上 形成有彩色濾光片、黑色矩陣(blackmatrix) (BM)和取向膜等。此外， 在基板110和對(duì)置基板之間夾著液晶層。亦即，在基板110和對(duì)置基板 之間注入了液晶。進(jìn)而，在基板110和對(duì)置基板的外側(cè)面上設(shè)置有偏振 光板和相位差板等。另外，在液晶顯示面板的與觀看者相反的一側(cè)配設(shè) 有背光照明單元(back light unit)等。借助于像素電極與公共電極之間的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶，使基板間的液晶 的取向方向發(fā)生變化。由此，穿過(guò)液晶層的光的偏振狀態(tài)發(fā)生變化。亦 即，穿過(guò)偏振光板后變?yōu)橹本€偏振光的光受到相位差板和液晶層的影響 而其偏振狀態(tài)發(fā)生變化。具體地，在透射區(qū)域中，借助于設(shè)置在TFT陣 列基板一側(cè)的偏振光板，使背光照明單元發(fā)出的光變?yōu)橹本€偏振光。繼 而，該直線偏振光穿過(guò)TFT陣列基板一側(cè)的相位差板、液晶層和對(duì)置基 板一側(cè)的相位差板后，其偏振狀態(tài)發(fā)生變化。另一方面，在反射區(qū)域中， 從液晶顯示屏的觀看者一側(cè)射入的外來(lái)光線經(jīng)對(duì)置基板一側(cè)的偏振光 板而變?yōu)橹本€偏振光。繼而，該光線在對(duì)置基板一側(cè)的相位差板和液晶 層中往返，其偏振狀態(tài)發(fā)生變化。此外，穿過(guò)對(duì)置基板一側(cè)的偏振光板的光量隨著偏振狀態(tài)而變化。 亦即，來(lái)自背光照明單元并穿過(guò)液晶顯示面板的透射光和經(jīng)液晶顯示屏 反射的反射光之中，穿過(guò)觀看者一側(cè)的偏振光板的光的光量發(fā)生變化。 液晶的取向方向隨著所施加的顯示電壓而變化。因此，通過(guò)控制顯示電 壓就能夠改變穿過(guò)觀看者一側(cè)的偏振光板的光量。亦即，通過(guò)按每個(gè)像 素改變顯示電壓來(lái)可顯示出所期望的圖像。具體地說(shuō)，在顯示黑色時(shí)，借助于相位差板和液晶層使光線變?yōu)榫?有與觀看者一側(cè)的偏振光板的吸收軸大致相同的振動(dòng)方向(偏振面)的 直線偏振光。由此，幾乎所有的光線都被觀看者一側(cè)的偏振光板遮蔽， 就能夠顯示出黑色。另一方面，在顯示白色時(shí)，借助于相位差板和液晶
層，使光線變?yōu)榫哂信c觀看者一側(cè)的偏振光板的吸收軸大致正交的方向 的直線偏振光或圓偏振光等。由此，光線會(huì)穿過(guò)觀看者一側(cè)的偏振光板，因此能夠顯示出白色。這樣，就根據(jù)柵極信號(hào)和源極(source)信 號(hào)來(lái)控制施加在每個(gè)像素上的顯示電壓。由此，液晶層的取向發(fā)生變化 后，偏振狀態(tài)就會(huì)相應(yīng)于顯示電壓而變化。由此能夠顯示出預(yù)期的圖像。使用圖2、圖3和圖4說(shuō)明TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)和制造方法。TFT 陣列基板具有設(shè)置在顯示區(qū)域111的像素117中的TFT120和設(shè)置在驅(qū) 動(dòng)電路部115和116 (以下稱為驅(qū)動(dòng)部)的TFT130。圖2是表示TFT 陣列基板的像素117的結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖3是表示TFT陣列基板的 驅(qū)動(dòng)部的TFT的結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖4是表示具有頂柵型低溫多晶硅 TF丁的TFT陣列基板的制造方法的剖面圖。圖4中，右側(cè)表示圖2的 A-A剖面,左側(cè)表示圖3的B-B剖面。首先，使用圖2和圖4說(shuō)明像素117的結(jié)構(gòu)。如圖2所示，在玻璃 基板1上柵極布線6和信號(hào)線9以相互交叉方式形成。柵極布線6和信 號(hào)線9正交。此外，相鄰的柵極布線6和信號(hào)線9所包圍的區(qū)域構(gòu)成圖 1所示的像素117。因此，玻璃基板1中像素117排列成矩陣狀。柵電 極6a從柵極布線6延伸開。玻璃基板1上形成有保持電容布線14。保 持電容布線14和柵極布線6設(shè)置為大致平行。信號(hào)線9的上方設(shè)置有基底氮化膜2和基底氧化膜3。因此，信號(hào) 線9和柵極布線6隔著基底氮化膜2和基底氧化膜3交叉。像素117內(nèi) 的信號(hào)線9成為圖1的信號(hào)線114，柵極布線6成為柵極布線113。柵電極6a下方形成有多晶硅膜4 (參照?qǐng)D2)。柵電極6a和多晶硅 膜4之間配置有柵極絕緣膜5。因此，柵電極6a和多晶硅膜4隔著柵極 絕緣膜5相對(duì)配置。多晶硅膜4在圖4(e)的左右方向上形成為比柵電 極6a大。亦即，形成有與柵電極6a非相向的區(qū)域。多晶硅膜4之中與 柵電極6a非相向的區(qū)域部分的一方形成為TFT源極區(qū)域，而另一方形 成為TFT的漏極區(qū)域。此外，多晶硅膜4之中位于柵電極6a正下方的 部分成為溝道(channel)區(qū)域。因此，源極區(qū)域與漏極區(qū)域之間形成有 溝道區(qū)域。該溝道區(qū)域隔著柵才及絕緣膜5與柵電極6 a相向配置。多晶硅膜4的源極區(qū)域上方形成有連接圖案15 (參照?qǐng)D2、圖4 (e ))。該連接圖案15形成在配置在柵極布線6和柵電極6a上方的層間絕緣膜7和保護(hù)膜10的上方。多晶硅膜4的源極區(qū)域和連接圖案15相 向的位置上形成有貫穿柵極絕緣膜5、層間絕緣膜7和保護(hù)膜10的接觸 孔22。此外，連接圖案15和多晶硅膜4的源極區(qū)域通過(guò)該接觸孔22連 接起來(lái)。連接圖案15延伸設(shè)置到信號(hào)線9的上方(參照?qǐng)D4(e))。此外， 在信號(hào)線9和連接圖案15相向的位置上形成有從保護(hù)膜10的表面開始 貫穿基底氮化膜2、基底氧化膜3、柵極絕緣膜5、層間絕緣膜7和保護(hù) 膜10的接觸孔21。信號(hào)線9和連接圖案15通過(guò)該接觸孔21連接起來(lái)。 由此，信號(hào)線9和多晶硅膜4的源極區(qū)域通過(guò)連接圖案15連接起來(lái)。 像素電極11由與連接圖案15相同的導(dǎo)電層形成。此外，在像素電極ll 和多晶硅膜4相向的位置上形成有從保護(hù)膜10的表面開始貫穿柵極絕 緣膜5、層間絕緣膜7和保護(hù)膜10的接觸孔23。像素電極ll和多晶硅 膜4的漏極區(qū)域通過(guò)接觸孔23連接起來(lái)。因此，信號(hào)線9和像素電極 11經(jīng)由具有多晶硅膜4的TFT120連接起來(lái)。由此，與供給到信號(hào)線9 上的顯示信號(hào)相對(duì)應(yīng)的顯示電壓經(jīng)由在柵極信號(hào)作用下導(dǎo)通的TFT120 供給到像素電極11上。該像素電極11配置在去除了 TFT120的幾乎整個(gè)像素117中。因 此，像素電極11也配置在保持電容布線14的上方。保持電容布線14 和像素電極11之間配置有層間絕緣膜7和保護(hù)膜10。保持電容布線14 下方形成有保持電容電極13。該保持電容電極13形成在與信號(hào)線9相 同的層。因此，保持電容電極13被基底氮化膜2、基底氧化膜3和柵極 絕緣膜5覆蓋。保持電容電極13在像素117內(nèi)形成為島狀。保持電容 電極13和保持電容布線14之間配置有基底氮化膜2、基底氧化膜3和 柵極絕緣膜5。借助于將基底氮化膜2、基底氧化膜3和柵極絕緣膜5 夾在中間而相向配置的保持電容電極13和保持電容布線14形成保持電 容。亦即，保持電容電極13成為用于形成保持電容的下部電極，保持 電容布線14成為上部電極，由此形成保持電容。保持電容電極13形成為在圖4(e)中的左方向上比保持電容布線 14長(zhǎng)。亦即，形成有與保持電容布線14非相向的區(qū)域。在該非相向的 區(qū)域部分形成有從保護(hù)膜10的表面開始貫穿基底氮化膜2、基底氧化膜 3、柵極絕緣膜5、層間絕緣膜7和保護(hù)膜10的接觸孔24。這里，在保 持電容電極13的上方形成有4個(gè)接觸孔24 (參照?qǐng)D2)。像素電極11
和保持電容電極13通過(guò)該接觸孔24連4妄起來(lái)。因此，像素電極11和 保持電容電極13處于相同電位。由此，能夠保持供給到像素電極11上 的顯示電壓。接著，使用圖3和圖4 (e)說(shuō)明驅(qū)動(dòng)部的TFT130的結(jié)構(gòu)。驅(qū)動(dòng)部 的TFT130的基本結(jié)構(gòu)與像素117的TFT120相同。具體地，柵極布線6 和信號(hào)線9以交叉方式形成。此外，柵電極6a從柵極布線6延伸設(shè)置。 該柵電極6a下方形成有多晶硅膜4。柵電極6a和多晶硅膜4之間配置 有柵極絕緣膜5。因此，柵電極6a和多晶硅膜4隔著柵極絕緣膜5相對(duì) 配置。多晶硅膜4在圖4 (e)的左右方向上形成為比柵電極6a大。亦 即，在多晶硅膜4上形成有與柵電極6a非相向的區(qū)域。多晶硅膜4之 中與柵電極6a非相向的區(qū)域部分的一方成為TFT源極區(qū)域，另一方成 為TFT的漏極區(qū)域。此外，多晶硅膜4之中位于柵電極6a正下方的部 分成為溝道區(qū)域。因此，源極區(qū)域與漏極區(qū)域之間形成有溝道區(qū)域。多 晶硅膜4的源極區(qū)域上方形成有連接圖案15。該連接圖案15形成在配 置在柵極布線6和柵電極6a上方的層間絕緣膜7和保護(hù)膜10的上方。 在多晶硅膜4的源極區(qū)域和連接圖案15相向的位置上，形成有貫穿柵 極絕緣膜5、層間絕緣膜7和保護(hù)膜10的接觸孔32。此外，連接圖案 15和多晶硅膜4的源極區(qū)域通過(guò)該接觸孔32連接起來(lái)。此外，在信號(hào) 線9和連接圖案15相向的位置上形成有貫穿基底氮化膜2、基底氧化膜 3、柵極絕緣膜5、層間絕緣膜7和保護(hù)膜10的接觸孔31。信號(hào)線9和 連接圖案15通過(guò)該接觸孔31連接起來(lái)。由此，信號(hào)線9和多晶硅膜4 的源極區(qū)域通過(guò)連接圖案15連接起來(lái)。驅(qū)動(dòng)部的TFT130中，多晶硅膜4的下方形成有導(dǎo)電性膜12。導(dǎo)電 性膜12形成在與信號(hào)線9和保持電容電極13相同的層。因此，導(dǎo)電性 膜12和信號(hào)線9及保持電容電極13是由相同材料形成。導(dǎo)電性膜12 配置為與信號(hào)線9和保持電容電極13分離開。導(dǎo)電性膜12和多晶硅膜 4之間配置有基底氮化膜2和基底氧化膜3。亦即，導(dǎo)電性膜12和多晶 硅膜4隔著基底氮化膜2和基底氧化膜3相向配置。另外，導(dǎo)電性膜12 形成為與多晶硅膜4的圖案形狀相對(duì)應(yīng)的島狀。亦即，導(dǎo)電性膜12配 置為與信號(hào)線9和保持電容電極13分離開。依照此種方式，在構(gòu)成驅(qū)動(dòng)部的TFT130的多晶硅膜4的下層形成 有導(dǎo)電性膜12。另一方面，在構(gòu)成像素117的TFT120的多晶硅膜4的
下層未形成有導(dǎo)電性膜12。亦即，在驅(qū)動(dòng)部中，玻璃基板l和多晶硅膜4之間形成有導(dǎo)電性膜12、基底氮化膜2和基底氧化膜3;在像素117 中，玻璃基板1和多晶硅膜4之間僅形成有基底氮化膜2和基底氧化膜 3。依照此種方式，導(dǎo)電性膜12僅形成在邊框區(qū)域112,而在顯示區(qū)域 111內(nèi)則沒(méi)有形成。在通過(guò)激光退火使多晶硅膜4晶化的工序中，利用導(dǎo)電性膜12促 進(jìn)其上層的多晶硅膜4的晶化。因此，構(gòu)成TFT130的多晶硅膜4的結(jié) 晶粒徑變得比構(gòu)成TFT120的多晶硅膜4的結(jié)晶粒徑大。驅(qū)動(dòng)部的多晶 硅膜4的結(jié)晶粒徑大能夠獲得更好的TFT特性。這時(shí)，像素117的多晶 硅膜4的粒徑最好比驅(qū)動(dòng)部小，使得不會(huì)出現(xiàn)顯示品質(zhì)的參差不齊。通 過(guò)以上結(jié)構(gòu)，能夠獲得生產(chǎn)率高、顯示品質(zhì)優(yōu)異的TFT陣列基板。接著，使用圖4說(shuō)明TFT陣列基板的制造方法。首先，在玻璃基板 等玻璃基板1上通過(guò)濺射法形成用于形成信號(hào)線9、導(dǎo)電性膜12和保持 電容電極13的金屬薄膜。該金屬薄膜可以使用Al (鋁)、Cr(鉻)、Mo (鉬)、Ti (鈦)、W (鶴)等，或者在這些之中添加微量的其他物質(zhì)而 形成的合金等。這里采用Al合金/Mo合金的層疊結(jié)構(gòu)，其膜厚分別設(shè)定 為300nm/100nm。在生長(zhǎng)出用于形成信號(hào)線9、導(dǎo)電性膜12、保持電容 電極13的金屬薄膜之后，利用照相平版技術(shù)形成光致抗蝕圖(掩模1 )。 其后，使用干蝕刻法將金屬薄膜構(gòu)圖成預(yù)期形狀的圖案，形成信號(hào)線9、 導(dǎo)電性膜12和保持電容電極13。然后將抗蝕劑去除。由此形成圖4(a) 所示的結(jié)構(gòu)。依照此種方式，在同一工序中在玻璃基板1上形成信號(hào)線 9、導(dǎo)電性膜12和保持電容電極13，由此減少了工序數(shù)，提高了生產(chǎn)率。接著，在信號(hào)線9、導(dǎo)電性膜12和保持電容電極13上形成基底氮 化膜2?；椎ねㄟ^(guò)等離子體CVD法形成。具體地，可以使用厚度 為50nm的氮化硅膜作為基底氮化膜2。該基底氮化膜2是為了防止來(lái) 自玻璃基板l的Na(鈉)污染而形成。接著形成基底氧化膜3?；籽?化膜3通過(guò)等離子體CVD法形成。具體地，可以使用厚度為200nm的 氧化硅膜作為基底氧化膜3。該基底氧化膜3在如后面所進(jìn)行的使非晶 硅晶化的處理時(shí)發(fā)揮輔助性作用。例如，也可以通過(guò)基底氧化膜3的膜 厚來(lái)調(diào)整結(jié)晶粒徑。在玻璃基板1上形成了基底氮化膜2和基底氧化膜 3這2層絕緣膜，但也可以在玻璃基板1上僅形成其中的任一個(gè)基底絕 緣膜。接著，形成用于形成多晶硅膜4的非晶硅膜。例如，借助于等離子體CVD法在基底氧化膜3上形成厚度為70nm的非晶硅膜。為了抑制 這些基底氮化膜2、基底氧化膜3、非晶硅膜的膜界面上附著雜質(zhì)，最 好是通過(guò)等離子體CVD法在真空中連續(xù)成膜。接著，實(shí)施熱處理，降 低非晶硅中的氫濃度。接著，利用激光退火法使非晶硅晶化形成為多晶硅膜4。在本發(fā)明 的實(shí)施方式中所使用的激光退火法中，使用光波長(zhǎng)為532nm的YAG激 光，以照射能量密度350mJ/cm2、脈沖寬度70nsec進(jìn)行退火。激光退火 法中，除了 YAG激光之外，也可以使用受激準(zhǔn)分子激光器，但也并不 限于此。在玻璃基板1上以均勻的照射能量密度照射激光。從玻璃基板 1的上部一側(cè)照射激光。亦即，從與非晶硅膜的基底氧化膜3—側(cè)相反 的一側(cè)的面向非晶硅膜照射激光。亦即，從非晶硅膜暴露出來(lái)的一側(cè)向 玻璃基板l照射激光。這樣，從非晶硅膜的上部直接朝向非晶硅膜而進(jìn) 行。接著，利用照相平版技術(shù)形成光致抗蝕圖，通過(guò)干蝕刻將多晶硅膜 4構(gòu)圖成預(yù)期形狀的圖案(掩模2)。然后將抗蝕劑去除。由此形成圖4 (b)所示的結(jié)構(gòu)。像素117的多晶硅膜4的結(jié)晶粒徑為0.2~0.4pm，而驅(qū)動(dòng)部的多晶 硅膜4的結(jié)晶粒徑為0.5~0.9pm。亦即，驅(qū)動(dòng)部的多晶硅膜4的結(jié)晶粒 徑比像素117的多晶硅膜4的結(jié)晶粒徑大。這是因?yàn)?，在?qū)動(dòng)部中如果 從上部向多晶硅膜4照射激光，則熱量被下部的導(dǎo)電性膜12吸收，熱 量不容易逸散出去。這些熱量促進(jìn)了晶化，形成了結(jié)晶粒徑大的多晶 硅。但是，因吸收熱量而上升的導(dǎo)電性膜12的溫度需要低于導(dǎo)電性膜 12的熔點(diǎn)。亦即，在不超過(guò)導(dǎo)電性膜12的熔點(diǎn)的退火條件下進(jìn)行晶化。多晶硅的顆粒與顆粒的邊界即粒界會(huì)使穿過(guò)其中的載流子(電子或 空穴)擴(kuò)散，起到捕捉器(trap)作用。因此，載流子通過(guò)粒界時(shí)被捕 捉的頻度越大，移動(dòng)度就變得越小。如果粒徑小，則載流子頻繁穿過(guò)粒 界，容易被捕捉。換言之，多晶硅的結(jié)晶粒徑越大，移動(dòng)度越高，TFT 特性就越好。由此可知，驅(qū)動(dòng)部的TFT所使用的多晶硅，結(jié)晶粒徑越大 越好。另一方面，像素部的TFT的多晶硅需要設(shè)定為結(jié)晶粒徑小于驅(qū)動(dòng) 部的多晶硅。這是因?yàn)?，在像素部中，多晶硅的結(jié)晶粒徑的晶界中的偏 差所導(dǎo)致的TFT特性的參差不齊對(duì)顯示品質(zhì)的影響很大。接著，在多晶硅膜4上覆蓋著多晶硅膜4形成柵極絕緣膜5。例如， 通過(guò)等離子體CVD法形成柵極絕緣膜5。具體地，可以使用厚度為80nm
的氧化硅膜作為柵極絕緣膜5。接著，通過(guò)離子摻雜法經(jīng)過(guò)柵極絕緣膜5 向多晶硅膜4摻雜B(硼)，以便控制晶體管的閾值電壓。接著使用濺射 法形成用于形成柵極布線6、柵電極6a和保持電容布線14的金屬薄膜。 該金屬薄膜可以使用Al (鋁)、Cr (鉻)、Mo (鉬)、Ti (鈦)、W (鎢) 等，或者在這些之中添加微量的其他物質(zhì)而形成的合金等。這里，金屬 薄膜使用膜厚為300nm的Mo合金。在形成了用于形成柵極布線6、柵 電極6a和保持電容布線14的金屬薄膜之后，通過(guò)照相平版技術(shù)形成光 致抗蝕圖(掩模3)。繼而，使用蝕刻液將金屬薄膜構(gòu)圖成預(yù)期形狀的圖 案后，去除抗蝕劑。由此形成圖4 (c)所示的柵極布線6、柵電極6a 和保持電容布線14。接著，使用離子摻雜法以柵電極6a為掩模，經(jīng)過(guò) 柵極絕緣膜5向多晶硅膜4中摻雜B (硼)。由此形成P型晶體管。這里描述了 P型晶體管的形成，如果以柵電極6a為掩模，經(jīng)過(guò)柵 極絕緣膜5向多晶硅膜4中摻雜P (磷)，就能夠形成N型晶體管。接著，在柵極布線6、柵電極6a和保持電容布線14上形成層間絕 緣膜7。層間絕緣膜7覆蓋著柵極布線6、柵電極6a和保持電容布線14 形成。例如，使用等離子體CVD法形成氧化硅膜作為層間絕緣膜7。層 間絕緣膜7通過(guò)由TEOS (TetraEthOxySilane、 Si ( OC2H5) 4)與02 發(fā)生反應(yīng)的厚度為500nm的氧化硅膜4形成。接下來(lái)實(shí)施熱處理，以便 使通過(guò)離子摻雜法摻雜的B (硼)或P (磷)擴(kuò)散開。這種情況下，在 氮?dú)猸h(huán)境氣體中400。C狀態(tài)下實(shí)施1小時(shí)的熱處理。接著，使用等離子 體CVD法形成300nm的氮化硅膜作為保護(hù)膜10。由此形成圖4(d)所 示的結(jié)構(gòu)。這里，在柵極布線6、柵電極6a和保持電容布線14的上方 形成有2層絕緣膜，但也可以是l層。另外，層間絕緣膜7和保護(hù)膜10 除了無(wú)機(jī)絕緣膜之外也可以使用有機(jī)絕緣膜。形成保護(hù)膜10后，形成接觸孔21、 22、 23、 24、 31、 32和33。接 觸孔21貫穿保護(hù)膜10、層間絕緣膜7、柵極絕緣膜5、基底氧化膜3和 基底氮化膜2，到達(dá)信號(hào)線9。接觸孔22和接觸孔23分別貫穿保護(hù)膜 10、層間絕緣膜7和柵極絕緣膜5，到達(dá)多晶硅膜4。接觸孔24貫穿保 護(hù)膜IO、層間絕緣膜7、柵極絕緣膜5、基底氧化膜3和基底氮化膜2， 到達(dá)保持電容電極13。另外，接觸孔31貫穿保護(hù)膜10、層間絕緣膜7、 柵極絕緣膜5、基底氧化膜3和基底氮化膜2,到達(dá)信號(hào)線9。接觸孔32 和接觸孔33貫穿保護(hù)膜10、層間絕緣膜7和柵極絕緣膜5，到達(dá)多晶 硅膜4。具體地，使用照相平版技術(shù)在保護(hù)膜10上形成光致抗蝕圖(掩模 4)。此外，按順序?qū)ΡＷo(hù)膜10、層間絕緣膜7、柵極絕緣膜5、基底氧 化膜3、基底氮化膜2進(jìn)行千蝕刻。由此形成接觸孔21、 22、 23、 24、 31、 32和33。然后將抗蝕劑去除。這里，接觸孔21、 22、 23和24形 成在像素117內(nèi)的TFT120中。此外，接觸孔21形成在信號(hào)線9上。接 觸孔22和接觸孔23形成在多晶硅膜上。接觸孔24形成在保持電容電 極13上。另外，接觸孔31、 32和33形成在驅(qū)動(dòng)部的TFT130上。此外， 接觸孔31形成在信號(hào)線9上。接觸孔32和33形成在多晶硅膜4上。在接觸孔21、 22、 23、 24、 31、 32和33形成后，在保護(hù)膜10上 形成用于形成像素電極11和連接圖案15的透明導(dǎo)電性膜。透明導(dǎo)電性 膜利用濺射法形成。另外，透明導(dǎo)電性膜也形成在接觸孔21、 22、 23、 24、 31、 32和33上。透明導(dǎo)電性膜可以使用ITO、 ITZO、 IZO等。這 里，透明導(dǎo)電性膜使用ITO。此外，透明導(dǎo)電性膜的膜厚為80nm。接 著利用照相平版技術(shù)形成光致抗蝕圖(掩模5)。通過(guò)千蝕刻將透明導(dǎo)電 性膜構(gòu)圖成預(yù)期形狀的圖案，形成像素電極11和連接圖案15。依照此 種方式，像素電極11和連接圖案15通過(guò)同一工序形成，因此像素電極 11和連接圖案15是由相同材料構(gòu)成。接著實(shí)施熱處理修復(fù)損傷。熱處 理在大氣中25CTC狀態(tài)下持續(xù)1小時(shí)。由此形成圖4(e)所示的結(jié)構(gòu)。這里，接觸孔21、 22、 23和24形成在像素117內(nèi)的TFT120中。 此外，接觸孔21形成在信號(hào)線9上。接觸孔22和接觸孔23形成在多 晶硅膜4上。接觸孔24形成在保持電容電極13上。另外，接觸孔31、 32和33形成在驅(qū)動(dòng)部的TFT130上。此外，接觸孔31形成在信號(hào)線9 上。接觸孔32和33形成在多晶硅膜4上。該像素電極11除了形成在保護(hù)膜10上之外，埋設(shè)在接觸孔23和 接觸孔24中。多晶硅膜4和保持電容電極13通過(guò)埋設(shè)在接觸孔23和 接觸孔24中的像素電極11電氣式連接。另外，像素117內(nèi)的連接圖案 15除了形成在保護(hù)膜IO上之外，埋設(shè)在接觸孔21和接觸孔22中。信 號(hào)線9和多晶硅膜4通過(guò)埋設(shè)在接觸孔21和接觸孔22中的連接圖案15 電氣式連接。進(jìn)而，驅(qū)動(dòng)部的連接圖案15除了形成在保護(hù)膜IO上之外， 埋設(shè)在接觸孔31和接觸孔32中。信號(hào)線9和多晶硅膜4通過(guò)埋設(shè)在接 觸孔31和接觸孔32中的連接圖案15電氣式連接。進(jìn)而，通過(guò)接觸孔 33與多晶硅膜4連接的連接圖案15與驅(qū)動(dòng)部的其他布線和電極連接。這樣就完成了本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置中所使用的TFT陣列 基板。借助于上述制造方法，在同一層中形成信號(hào)線9、導(dǎo)電性薄膜12、 保持電容電極13,因此能夠削減掩模工序。借助于上述制造方法，在制 作N型或P型單溝道結(jié)構(gòu)的TFT陣列基板時(shí)，照相平版工序中需要使 用5片掩模?，F(xiàn)有的制造方法中需要7片掩模，因此，借助于本發(fā)明能 夠減少2片掩模。不過(guò)，在制作N型和P型的雙溝道結(jié)構(gòu)的TFT陣列 基板時(shí)，照相平版工序中使用6片掩模。例如，也可以在驅(qū)動(dòng)部形成P 型和N型溝道，采用CMOS結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步，也可以在像素117內(nèi)形成2 個(gè)以上的TFT。依照此種方式，借助于本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置中所使用的 TFT陣列基板的制造方法，能夠減少照相平版工序中使用的掩模片數(shù)。 因此，能夠減少制造工序，縮短制造工期，降低工藝成本(process cost)。 其結(jié)果是，能夠獲得生產(chǎn)率很高的TFT陣列基板。另外，不會(huì)增加TFT 陣列基板的制造工序，通過(guò)同一工藝(process)就能夠調(diào)整多晶硅的結(jié) 晶粒徑的大小。多晶硅的結(jié)晶粒徑根據(jù)TFT的用途或所需性能來(lái)確定。 當(dāng)然，也可以改變TFT之外所使用的多晶硅膜4的結(jié)晶粒徑的大小。多 晶硅的結(jié)晶粒徑增大，能夠提高TFT特性，獲得更高精度、高移動(dòng)度的 顯示品質(zhì)優(yōu)異的TFT陣列基板。特別地，驅(qū)動(dòng)部的TFT特性提高后， 能夠縮小驅(qū)動(dòng)部的TFT130,因此位于像素部周圍的驅(qū)動(dòng)部的面積減小。 其結(jié)果是，能夠減小邊框區(qū)域112的面積。由此能夠提高生產(chǎn)率。按照上述方式形成的TFT陣列基板與具備對(duì)置電極的對(duì)置基板粘 貼在一起，其中間注入液晶。在背面一側(cè)設(shè)置用作背光照明單元的面狀 光源裝置，制造出液晶顯示裝置。另外，本實(shí)施方式并不限于液晶顯示 裝置，也可以普遍應(yīng)用于有機(jī)EL顯示器等顯示裝置或各種電子設(shè)備 中。除此之外，本發(fā)明并不只限于上述實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的主 旨的范圍內(nèi)可以作出各種變更。下面說(shuō)明驅(qū)動(dòng)部的多晶硅膜4和導(dǎo)電性膜12的適宜的結(jié)構(gòu)。圖5 是表示形成驅(qū)動(dòng)部中的多晶硅膜4時(shí)的剖面示意圖。如圖5所示，驅(qū)動(dòng) 部的多晶硅膜4被構(gòu)圖成在圖5中的左右方向上比導(dǎo)電性膜12長(zhǎng)。亦 即，在多晶硅膜4的端部存在著與導(dǎo)電性膜12不相向的非相向區(qū)域。 這種情況下，多晶硅膜4的端部的非相向區(qū)域部分即多晶硅膜4b的結(jié) 晶粒徑變得比位于與導(dǎo)電性膜12相向的位置的多晶硅膜4a的結(jié)晶粒徑 小。這是因?yàn)椋瑢?dǎo)電性膜12的膜厚(高度)造成的遮擋(shadowing) 導(dǎo)致從上部照射下來(lái)的激光不能充分到達(dá)多晶硅4b的下側(cè)。因此，激 光退火時(shí)的晶化受到阻礙，成為沒(méi)有充分晶化的狀態(tài)。在圖5所示的結(jié)構(gòu)中，多晶硅膜4b的結(jié)晶粒徑也有很多設(shè)定在 O.Uim以下的情況。這樣，將多晶硅膜4進(jìn)行構(gòu)圖而形成TFT時(shí)，粒徑 大的多晶硅膜4a和粒徑非常小的多晶硅膜4b就會(huì)形成排列。這樣，與 不同粒徑的多晶硅膜混在 一 起的狀態(tài)相比，均勻的粒徑能夠進(jìn) 一 步提高 特性。因此，下部具有導(dǎo)電性膜12的驅(qū)動(dòng)部的多晶硅膜4優(yōu)選將圖案一 致形成為與導(dǎo)電性膜12大致相同幅度。亦即，在驅(qū)動(dòng)部中，優(yōu)選是將 導(dǎo)電性膜12和多晶硅膜4制作成相同的圖案形狀。或者，也可以使多 晶硅膜能夠納入圖5所示的多晶硅膜4a的區(qū)域中，從而不會(huì)形成相對(duì) 于導(dǎo)電性膜12的非相向區(qū)域。亦即，也可以使多晶硅膜的全部區(qū)域都 與導(dǎo)電性膜12相向形成。借助于這種結(jié)構(gòu)，能夠獲得更好的TFT特性。
權(quán)利要求
1. 一種顯示裝置，其具備 設(shè)置在基板上的信號(hào)線；與上述信號(hào)線分離開設(shè)置于同一層上的導(dǎo)電性膜； 設(shè)置在上述信號(hào)線和上述導(dǎo)電性膜上方的基底絕緣膜； 設(shè)置在上述基底絕緣膜上方的多晶硅膜； 形成在上述多晶硅膜上方的層間絕緣膜； 形成在上述層間絕緣膜上方的像素電極；在上述層間絕緣膜上方與上述像素電極分離開形成并將上述多晶 硅膜和上述信號(hào)線相連接的連接圖案；在下部形成上述導(dǎo)電性膜的上述多晶硅膜的結(jié)晶粒徑比在下部未 形成上述導(dǎo)電性膜的多晶硅膜的結(jié)晶粒徑大。
2. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于在同一層中具備 上述信號(hào)線、上述導(dǎo)電性膜和保持電容電極。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其特征在于下部具有上 述導(dǎo)電性膜的上述多晶硅膜設(shè)置在顯示區(qū)域外的驅(qū)動(dòng)電路部，下部不具 有上述導(dǎo)電性膜的上述多晶硅膜設(shè)置在顯示區(qū)域內(nèi)的像素中。
4. 如權(quán)利要求1或2所述的顯示裝置，其特征在于下部具有上述導(dǎo)電性膜的上述多晶硅膜設(shè)置成與上述導(dǎo)電性膜幅度大致相同。
5. 如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于下部具有上述導(dǎo) 電性膜的上述多晶硅膜設(shè)置成與上述導(dǎo)電性膜幅度大致相同。
6. —種顯示裝置的制造方法，其具備 在基板上同時(shí)形成信號(hào)線和導(dǎo)電性膜的工序； 在上述信號(hào)線和導(dǎo)電性膜上方形成基底絕緣膜的工序； 在上述基底絕緣膜上方形成非晶硅膜的工序；將上述非晶硅膜加熱以形成多晶硅膜的工序；在上述多晶硅膜上方形成柵極絕緣膜的工序；在上述柵極絕緣膜上方形成與多晶硅膜的溝道區(qū)域相向配置的柵 電極的工序；在上述柵電極的上方形成層間絕緣膜的工序；在上述層間絕緣膜的上方形成像素電極和將上述信號(hào)線和上述多 晶硅膜電氣式連接的連接圖案的工序； 在下部形成上述導(dǎo)電性膜的上述多晶硅膜的結(jié)晶粒徑比在下部未 形成上述導(dǎo)電性膜的上述多晶硅膜的結(jié)晶粒徑大。
7. 如權(quán)利要求6所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于具備 在上述基板上同時(shí)形成上述信號(hào)線、上述導(dǎo)電性膜和保持電容電極的工序。
8. 如權(quán)利要求6或7所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于 在形成上述多晶硅膜時(shí)，使用光波長(zhǎng)為532nm的YAG激光器的激光退 火法。
9. 如權(quán)利要求6或7所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于 下部具有上述導(dǎo)電性膜的上述多晶硅膜設(shè)置在顯示區(qū)域外的驅(qū)動(dòng)電路 部，下部不具有上述導(dǎo)電性膜的上述多晶硅膜設(shè)置在顯示區(qū)域內(nèi)的像素 中。
10. 如權(quán)利要求8所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于下部 具有上述導(dǎo)電性膜的上述多晶硅膜設(shè)置在顯示區(qū)域外的驅(qū)動(dòng)電路部，下 部不具有上述導(dǎo)電性膜的上述多晶硅膜設(shè)置在顯示區(qū)域內(nèi)的像素中。
全文摘要
本發(fā)明提供一種生產(chǎn)率高、顯示品質(zhì)優(yōu)異的液晶顯示裝置及其制造方法。本發(fā)明的顯示裝置具備設(shè)置在基板(1)上的信號(hào)線(9)；在基板(1)上與信號(hào)線(9)分離開設(shè)置的導(dǎo)電性膜(12)；設(shè)置在信號(hào)線(9)和導(dǎo)電性膜(12)上方的基底絕緣膜；設(shè)置在基底絕緣膜上方的多晶硅膜(4)；形成在多晶硅膜(4)上方的層間絕緣膜(7)；形成在層間絕緣膜(7)上方的像素電極(11)；在層間絕緣膜(7)的上方與像素電極(11)分離開形成、并將多晶硅膜(4)和信號(hào)線(9)相連接的連接圖案(15)；在下部形成導(dǎo)電性膜(12)的多晶硅膜(4)的結(jié)晶粒徑比在下部未形成導(dǎo)電性膜(12)的多晶硅膜(4)的結(jié)晶粒徑大。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101144948SQ200710153680
公開日2008年3月19日 申請(qǐng)日期2007年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月15日
發(fā)明者入住智之 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社