專利名稱：一種液晶顯示面板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板，尤其涉及有效降低畫面閃爍的液晶顯示面板。
背景技術(shù)：
隨著信息化社會的到來，近來對個人電腦(PC)、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、個人數(shù)
字助理、信息通信設(shè)備以及上述領(lǐng)域的組合產(chǎn)品的需求增長迅速。上述這些產(chǎn) 品要求具有高可見度，寬視角和用于顯示移動圖像的高速響應(yīng)速度的特性。平板
顯示器(FPD: Flat Panel Display)具有上述的這些特點致使FPD已引起人們 的注意并有可能將其發(fā)展成為下一代的顯示器。
此外，薄膜晶體管(TFT: Thin Film Transistor)已廣泛地用于如有機 發(fā)光顯示器(OLED: Organic Light Emitting Display)或平板顯示器等顯示設(shè) 備中作為控制每個像素的開關(guān)元件。因此，人們已經(jīng)提出了采用更高效的TFTs 的FPD和驅(qū)動FPD方法。具體來說，薄膜晶體管平板顯示器，尤其是薄膜晶體管 液晶顯示器(以下簡稱TFT-LCD)以其更薄、更輕、功耗更低以及無輻射污染等 特性，已經(jīng)逐漸取代了傳統(tǒng)型的CRT (陰極射線管Cathode Ray Tube)監(jiān)視器。
在現(xiàn)有技術(shù)中，TFT-LCD包括多條掃描線及其掃描驅(qū)動電路、多條數(shù)據(jù)線 及其數(shù)據(jù)驅(qū)動電路、多條公共電極線以及多個像素單元等。該多個像素單元中的 每個像素單元形成于玻璃村底上的多條掃描線的一條掃描線與對應(yīng)的多條數(shù)據(jù)線 中的一條數(shù)據(jù)線的交叉處，其中掃描線與數(shù)據(jù)線相互垂直。而且，在該掃描線與 數(shù)據(jù)線的交叉處設(shè)置一薄膜晶體管以驅(qū)動像素單元，并產(chǎn)生各式各樣、色彩斑斕 的圖^f象。當(dāng)向各^f象素中的液晶單元(LC: Liquid Cell )施加電壓時，該電壓與 光的穿透能力之間存在一定的關(guān)系，也就是說，只需控制施加在液晶單元上的電 壓數(shù)值，就可以使各個像素具有與該電壓值相應(yīng)的光穿透度。更具體地，當(dāng)在像 素電極的電位Vp中產(chǎn)生電壓降A(chǔ)Vp時，在像素電極的電位Vp的正和負的電壓振 幅上產(chǎn)生差值在電壓振幅較大的極性下，透光率更低，在電壓振幅較小的極性
下，透光率更高。從而反復(fù)產(chǎn)生隨透光率高低變化的明暗不同，這種現(xiàn)象稱為"閃 爍，，。
像素電極電位的變動量△ VP依賴于柵極信號的下降延遲時間。當(dāng)將要使TFT 成為導(dǎo)通狀態(tài)而切除柵極電壓時，電壓不是以銳角的矩形進行切除，而是會產(chǎn)生 圓角化的情形，在電壓變?yōu)榱阒爱a(chǎn)生延遲時間(t)。當(dāng)柵極信號的下降沿的 延遲時間(t)較大時，由于TFT不能完全成為關(guān)斷狀態(tài)，則從像素電極通過TFT 泄漏電荷，并產(chǎn)生像素電極的電位變動。該像素電極的電位變化量又稱為饋通電 壓(Feed-through Voltage,下文中以Vp。表示)。這樣，由于在各個像素中的 饋通電壓所造成的影響不同，就會引起TFT-LCD的圖像畫面發(fā)生閃爍現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示面板在使用時存在的上述技術(shù)缺陷，本發(fā)明提供了 一種可以有效降低畫面閃爍的液晶顯示面板及其制造方法。
按照本發(fā)明的一個方面，提供了一種液晶顯示面板。它包括多條掃描線、多 條數(shù)據(jù)線、由掃描線和相應(yīng)的數(shù)據(jù)線垂直交叉而形成的多個像素以及設(shè)置在像素 中的多個像素存儲電容。其中，每個像素存儲電容包括互相并聯(lián)的第一存儲電容 和第二存儲電容，并且每個像素存儲電容的電容值隨著相應(yīng)的像素與掃描信號輸 入端的距離增加而減小。
其中，第一存儲電容具有第一電容電極、第二電容電極和設(shè)置于該第一電容 電極和第二電容電極之間的電介質(zhì)，第二存儲電容具有第一電容電極、第二電容 電極和設(shè)置于該第一電容電極和第二電容電極之間的電介質(zhì)，并且第二存儲電容 的第一電容電極和第一存儲電容的第一電容電極共用；
其中，第二存儲電容的第一電容電極或者第二電容電極還具有電子誘導(dǎo)層；
其中，第二存儲電容的第一電容電極和第二電容電極之間的相對面積隨其相 應(yīng)的像素與掃描信號輸入端的距離增加而減小，第一存儲電容的第一電容電極和 第二電容電極之間的相對面積隨其相應(yīng)的像素與掃描信號輸入端的距離增加而增 加，更具體地，第二存儲電容的減小量大于第一存儲電容的增加量；
其中，第二存儲電容的電容值隨其在第二存儲電容的第一電容電極上施加電 壓數(shù)值的增加而增大，更具體地，在距離掃描信號輸入端較近的像素中施加的電 壓數(shù)值大于距離掃描信號輸入端較遠的像素中的施加電壓數(shù)值；
其中，在距離掃描信號輸入端的相應(yīng)位置處至遠離掃描信號輸入端的另一端， 像素存儲電容可以只含有第 一存儲電容，或者還可以在不同的像素中包括具有相 同電容值的第二存儲電容。
按照本發(fā)明的又一個方面，提供了一種液晶顯示面板的制造方法。該制造方
法可以通過如下的步驟實現(xiàn) 通過將一 圖案化的金屬層形成于玻璃基板上以形成掃描線和第 一 電容電極； 在掃描線和第一電容電極上沉積一絕緣層形成第一絕緣層； 接著，在該絕緣層上沉積一圖案化的半導(dǎo)體層以形成薄膜晶體管中的半導(dǎo)體層 和電子誘導(dǎo)層；
接著，沉積另一圖案化的金屬層以形成數(shù)據(jù)線和第二電容電極；以及 將第二絕緣層和一透明導(dǎo)電層依次沉積于數(shù)據(jù)線和第二電容電極上，該透明導(dǎo) 電層形成像素電極和第三電容電極。其中，距離掃描信號輸入端較近的像素中的 像素存儲電容被設(shè)置為大于距離掃描信號輸入端較遠的像素中的像素存儲電容。 其中，電子誘導(dǎo)層設(shè)置在第二存儲電容的第一電容電極或者第二電容電極； 其中，第二存儲電容的第一電容電極和第二電容電極之間的相對面積隨其相 應(yīng)的像素與掃描信號輸入端的距離增加而減小，第一存儲電容的第一電容電極和 第二電容電極之間的相對面積隨其相應(yīng)的像素與掃描信號輸入端的距離增加而增 力口，更具體地，第二存儲電容的減小量大于第一存儲電容的增加量，因此由第一 存儲電容和第二存儲電容并聯(lián)而形成的像素存儲電容的電容值也相應(yīng)地減小；
其中，第二存儲電容的電容值隨其在第二存儲電容的第一電容電極和第二電 容電極之間施加的電壓差的數(shù)值增加而增大，更具體地，在距離掃描信號輸入端 較近的像素中施加的電壓數(shù)值大于距離掃描信號輸入端較遠的像素中的施加電壓 數(shù)值；
其中，在距離掃描信號輸入端的相應(yīng)位置處至遠離掃描信號輸入端的另一端， 像素存儲電容可以只設(shè)置第一存儲電容，或者還可以在不同的像素中設(shè)置具有相 同電容值的第二存儲電容。
其中，電子誘導(dǎo)層是由非晶硅材料，或者多晶半導(dǎo)體材料，或者單晶半導(dǎo)體 材料制成。
采用本發(fā)明的液晶顯示面板及其制造方法，可以保持各像素的饋通電壓基本 不變，因此能夠有效降低TFT-LCD的畫面閃爍現(xiàn)象。


讀者在參照附圖閱讀了本發(fā)明的具體實施方式
以后，將會更清楚地了解本發(fā) 明的各個方面。其中，
圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中TFT-LCD的面板示意圖； 圖2示出TFT-LCD中一像素的等效電路示意圖3示出現(xiàn)有技術(shù)中像素的饋通電壓Vp。隨像素距離掃描線輸入端的長度L變 化的曲線示意圖4示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的TFT-LCD的像素陣列基板俯視圖； 圖5示出根據(jù)如圖4所示的像素存儲電容Csc沿I-1直線截取的剖面示意圖； 圖6示出第二存儲電容與施加電壓的變化關(guān)系曲線圖； 圖7示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的TFT-LCD的像素陣列基板俯視圖； 圖8示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的TFT-LCD的像素陣列基板俯視圖； 圖9示出根據(jù)本發(fā)明上述各實施例的TFT-LCD中的像素存儲電容隨TFT-LCD 的面板長度變化的曲線示意圖；而
圖10示出根據(jù)本發(fā)明上述各實施例的TFT-LCD中的饋通電壓VpD隨著該TFT-LCD 的面板長度變化的曲線示意圖。
具體實施例方式
下面參照附圖，對本發(fā)明的具體實施方式
作進 一 步的詳細描述。 圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中TFT-LCD的面板示意圖。參照圖1, TFT-LCD面板10包 括多條掃描線12、多條數(shù)據(jù)線14和像素數(shù)組區(qū)16。其中，在該像素數(shù)組區(qū)16 內(nèi)含有多個像素，圖1中的像素A、像素B和像素C均是位于同一掃描線Gn的三 個不同像素，并按照距離該掃描線Gn的輸入端的長度增加而依次排列，即，像 素A靠近該掃描線Gn的輸入端，像素C遠離該掃描線Gn的輸入端。
圖2示出TFT-LCD中一像素的等效電路示意圖。參照圖2，像素20包括一個 液晶單元LC和一像素存儲電容SC。該液晶單元LC的一端與共通電極CE相連， 另一端與薄膜晶體管TFT的源極連接。薄膜晶體管TFT包括一個源極、 一個柵極 和一個漏極，其漏極與數(shù)據(jù)線D。相連接，柵極與掃描線G()連接，源極與像素存 儲電容連接，在薄膜晶體管TFT的源極與柵極之間還有一電容GS。該像素存儲 電容SC的一端與液晶單元LC和薄膜晶體管的源極相連，另一端與公共電極線
common 0相連。利用該像素存儲電容SC的電荷存儲功能，可以減少漏電流對于 液晶單元LC的電壓的影響。
圖3示出現(xiàn)有技術(shù)中像素的饋通電壓VpD隨像素距離掃描線輸入端的長度L變 化的曲線示意圖。假設(shè)液晶單元LC的電容值為Clc,像素存儲電容SC的電容值 為Csc,薄膜晶體管TFT柵極與源極間的電容GS的電容值為CGS,施加于掃描線 上的掃描信號開啟電壓與關(guān)斷電壓的電壓差值為AVg,則像素的饋通電壓Vpo可 表示為式(1 ):
<formula>formula see original document page 10</formula>
其中，AVc的數(shù)值在為一固定值，而像素存儲電容的電容值Csc以及液晶單元 的電容值(^都遠大于薄膜晶體管TFT的柵極與源極間的電容GS的電容值Ccs, 即(^>>(^，并且Clc"Cgs。上式也可改寫為式(2):
<formula>formula see original document page 10</formula>
當(dāng)同一掃描線上的像素A、像素B和像素C的Csc、 CGS、 Qc均相等時，由于 掃描線內(nèi)的電阻及電容效應(yīng)，在像素A、像素B和像素C的饋通電壓隨著像素距 離掃描線的輸入端的長度增加而變小，即(VFD) A> (VFD) B> (VFD) c。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的TFT-LCD的像素陣列基板俯視圖。像素陣 列基板2 0 0主要由多條掃描線2 0 、多條數(shù)據(jù)線3 0和多條公共電極線4 0組成， 其中掃描線20與數(shù)據(jù)線30相互垂直交叉設(shè)置于玻璃基板2上并形成多個像素， 例如像素A、像素B和像素C。同時，在掃描線20與數(shù)據(jù)線30的交叉處設(shè)有薄 膜晶體管TFT 50，公共電極線40平行于掃描線20并位于像素的中間部分，該 像素電極60通過薄膜晶體管50與掃描線20相連。
由上述的式(2)可知，當(dāng)同一掃描線上的像素A、像素B和像素C的Csc、 Ccs、 CLc均相等時，(VFD)A〉(VPD)B>(VFD)C。但是，若能夠使得像素A、像素B和像素C 之間的像素存儲電容的電容值滿足(Csc) A〉 (Csc) B> (Csc) c,而同時滿足 (CGS) A= (CGS) B= (CGS) c和(CLC) A = (CLC)B- (CLC)C,將像素A、像素B和像素C三點的 饋通電壓VpD調(diào)整為相同或大致相同是完全有可能的。圖5示出根據(jù)如圖4所示 的像素存儲電容61沿I-1直線截取的剖面示意圖，如圖5所示，像素存儲電容 61形成于玻璃基板2上，并且像素存儲電容61的電容值Csc為第一存儲電容的
電容值C1和第二存儲電容的電容值。之和。其中，第一存儲電容是由第一電容
電極100、通過第一絕緣層101和第二絕緣層l(M構(gòu)成的電介質(zhì)以及第三電容電 極105形成，第二存儲電容是由第一電容電極100、通過第一絕緣層101構(gòu)成的 電介質(zhì)以及第二電容電極103構(gòu)成，并且在第一電容電極IOO和第二電容電極103 之間還設(shè)有電子誘導(dǎo)層102。其中，電子誘導(dǎo)層102和形成第二電容電極的半導(dǎo) 體層具有同樣的尺寸大小。在第二電容電極103上方的第二絕緣層l(M開設(shè)有通 孔106，以使第三電容電極105通過通孔106與第二電容電極103實現(xiàn)電連接。 本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本實施例中的電子誘導(dǎo)層102設(shè)置在第一電容電極 100和第二電容電極103之間，更具體地，該電子誘導(dǎo)層102設(shè)置在第一絕緣層 101和第二電容電才及之間。^旦不只限于此。例如，通過不同的制造工藝，還可以 將電子誘導(dǎo)層102設(shè)置在第一電容電極100和第一絕緣層101之間。
參照圖4和圖5，像素陣列基板200可以依次通過如下的步驟來形成首先， 將一圖案化的金屬層形成于玻璃基板2上以形成掃描線20和第一電容電極102; 將一絕緣層沉積于掃描線20和第一電容電極IOO上以形成第一絕緣層101;接 著，在該絕緣層上沉積一圖案化的半導(dǎo)體層以形成薄膜晶體管50中的半導(dǎo)體層 (未示出)和電子誘導(dǎo)層102;接著，沉積另一圖案化的金屬層以形成數(shù)據(jù)線30 和第二電容電極103;然后將另一絕緣層和一透明導(dǎo)電層依次沉積于數(shù)據(jù)線30 和第二電容電極103上，該透明導(dǎo)電層形成像素電極60和第三電容電極105。 在本實施例中，第一電容電極100和第二電容電極103均由金屬材料制成，如Al。 而第三電容電極和像素電極是透明導(dǎo)電介質(zhì)，如ITO等。
不同程度地減小像素A、像素B和像素C中第二電容電極103與第一電容電 極100之間的正對面積S,以使第二存儲電容的電容值C2滿足如下的關(guān)系不等 式(C"a〉(C"b〉(C"c，與此同時，像素A、像素B和像素C中的第一存儲電容的 電容值Cl卻因第一電容電極100和第三電容電極105之間的正對面積增大而增 加，但是，第一存儲電容的電容值C1的增加量小于第二存儲電容的電容值C2的 減小量，也就是說第二存儲電容的電容值C2的減小量大于第一存儲電容的電容 值C1的增加量，從而表現(xiàn)為第一存儲電容的電容值C1和第二存儲電容的電容值 C2之和的像素存儲電容的電容值Csc也相應(yīng)地減小。因此，減小第二電容電極103 和第一電容電極100的正對面積S，使得像素存儲電容的電容值Csc減小了，這
樣就可以滿足關(guān)系不等式(Csc)p(Csc)B〉(Csc)c。從而調(diào)節(jié)像素A、 B和C各點的饋 通電壓基本相同。
圖6示出第二存儲電容與施加電壓的變化關(guān)系曲線圖，在第二存儲電容的兩 個電容電極，即，第一電容電極100和第二電容電極103之間具有由非晶硅形成 的電子誘導(dǎo)層102。由半導(dǎo)體的特性可知，當(dāng)將一正電壓施加到第一電容電極100 時，電子誘導(dǎo)層102與第一絕緣層101相接觸的表面會產(chǎn)生誘導(dǎo)電子，這些誘導(dǎo) 電子會對第二存儲電容的電容值C2產(chǎn)生影響。當(dāng)正電壓的電壓數(shù)值增大時，產(chǎn) 生的誘導(dǎo)電子的數(shù)量也隨之增多；當(dāng)正電壓的電壓數(shù)值減小時，產(chǎn)生的誘導(dǎo)電子 的數(shù)量也隨之減少。當(dāng)施加不同的電壓于第一電容電極IOO上，電子誘導(dǎo)層102 和第一絕緣層101相接觸的表面產(chǎn)生的誘導(dǎo)電子的數(shù)量不相同，第二存儲電容的 電容值C2也不相同。換言之，第二存儲電容的電容值C2將會隨著施加在第一電 容電極IOO上電壓的變化而變化。當(dāng)施加于第一電容電極100和第二電容電才及103 之間的電壓差在OV到IOV之間時，第二存儲電容的電容數(shù)值C2將隨著施加于第 一電容電極100和第二電容電極103之間的電壓差的增加而增加。圖7示出根據(jù) 本發(fā)明第二實施例的TFT-LCD的像素陣列基板俯視圖。參照圖7，當(dāng)保持第二電 容電極103上的電壓不變時，在公共電極線，即第一電容電極IOO,的輸入端及 遠離輸入端的一端分別施加不同的電壓VI和V2，并且滿足V1〉V2。
結(jié)合圖6和圖7，根據(jù)第二存儲電容的介質(zhì)材料、電子誘導(dǎo)層102的材料特 性、各材料的厚度以及電子誘導(dǎo)層102所在的位置等具體設(shè)定施加在第一電容電 極IOO和第二電容電極103之間的電壓差的數(shù)值，就可以使像素A、像素B和像 素C之間的像素存儲電容的電容值滿足如下關(guān)系不等式(CSC)A>(CSC)B>(CSC)C。 在此實施例中，第二存儲電容的介質(zhì)材料是由氮化硅形成的第一絕緣層101構(gòu)成 的，而電子誘導(dǎo)層102是由非晶硅材料制成的。根據(jù)不同的制造工藝可以選擇不 同的材料，在本實施例中所使用的材料不應(yīng)理解為是對各層材料的限定。例如， 可以使用多晶半導(dǎo)體材料或者單晶半導(dǎo)體材料來形成電子誘導(dǎo)層102。例如，在 本實施例中電子誘導(dǎo)層102設(shè)置在第一絕緣層101的上方并且位于第二電容電極 103的下方，但是根據(jù)不同的制造工藝可以將電子誘導(dǎo)層102設(shè)置在第一電容電 極100的上方并且位于第一絕緣層101的下方，電子誘導(dǎo)層的這些設(shè)置方式均可 以調(diào)節(jié)像素存儲電容的電容值Csc，以實現(xiàn)對于各像素的饋通電壓VFD的調(diào)節(jié)。在
該第二實施例中，像素A、像素B和像素C中第二電容電極103與第一電容電極 100的正對面積S相同。
圖3示出了像素的饋通電壓VpD隨像素距離掃描線輸入端的長度L變化的曲線 示意圖。從圖3中可以看出，從距離掃描信號的輸入端約為液晶顯示面板長度L
的1/3處至遠離掃描信號輸入端的另一端，各像素的饋通電壓VFD下降較為平緩
或者是基本保持不變，因此從距離掃描信號的輸入端的相應(yīng)位置處至遠離掃描信 號輸入端的另一端的每個像素的像素存儲電容的電容值Csc可以大致相等。圖8 示出根據(jù)本發(fā)明第三實施例的TFT-LCD的像素陣列基板的俯視圖。參照圖3和圖 8,當(dāng)在公共電極線，即第一電容電極IOO,的輸入端及遠離該輸入端的另一端 施加相同的電壓V1時，在距離掃描信號的輸入端的適當(dāng)位置處至遠離掃描信號 輸入端的另一端的每個像素中可以只設(shè)置第一存儲電容，或者設(shè)置第一存儲電容 和具有電容值相等的第二存儲電容。該適當(dāng)位置例如可以是1/4L到1/2L之間的 任意位置。
圖9示出根據(jù)本發(fā)明上述各實施例的TFT-LCD中的像素存儲電容的電容值Csc 隨TFT-LCD的面板長度變化的曲線示意圖。參照圖9，在距離掃描信號的輸入端 較近的像素A的像素存儲電容的電容值(Csc)a最大，隨著距離掃描信號的輸入端 遠至1/3L處，像素中的像素存儲電容逐漸減小。而在距離掃描信號的輸入端約 為液晶顯示面板長度L的1/3處至遠離掃描信號輸入端的另一端，各像素中的像 素存儲電容值基本保持不變。
圖10示出根據(jù)本發(fā)明上述各實施例的TFT-LCD中的饋通電壓Vp。隨著該TFT-LCD的面板長度變化的曲線示意圖。與圖3中所示現(xiàn)有技術(shù)中像素的饋通電壓VFD 隨像素距離掃描線輸入端的長度L變化所產(chǎn)生的△ VFD相比，采用本發(fā)明中的各 實施例來調(diào)整像素中的像素存儲電容的電容值，所產(chǎn)生的饋通電壓在距離掃描信 號的輸入端最近和最遠處的變化量△ V印'遠遠小于現(xiàn)有技術(shù)中的饋通電壓VFD的變 化量AVfd,即AVfd'《AVfd。
上文中，參照附圖描述了本發(fā)明的具體實施方式
。但是，本領(lǐng)域中的普通技 術(shù)人員能夠理解，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以對本發(fā)明的具 體實施方式作各種變更和替換。這些變更和替換都落在本發(fā)明的權(quán)利要求書所限 定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示面板，包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、由所述掃描線和相應(yīng)的數(shù)據(jù)線垂直交叉而形成的多個像素以及設(shè)置在所述像素中的多個像素存儲電容，其中，所述的每個像素存儲電容包含第一存儲電容和第二存儲電容，并且所述的每個像素存儲電容的數(shù)值隨其相對應(yīng)的像素與掃描信號輸入端的距離增加而減小。
2. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述第一存儲電容具有 所述第一存儲電容的第一電容電極、所述第一存儲電容的第二電容電極和設(shè)置于 所述第 一 存儲電容的第 一 電容電極和所述第 一 存儲電容的第二電容電極之間的電 介質(zhì)。
3. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述第二存儲電容具有 所述第二存儲電容的第一電容電極、所述第二存儲電容的第二電容電極和設(shè)置于 所述第二存儲電容的第 一 電容電極和所述第二存儲電容的第二電容電極之間的電介質(zhì)。
4. 如權(quán)利要求3所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述第二存儲電容的第 一電容電極或者所述第二存儲電容的第二電容電極還具有電子誘導(dǎo)層。
5. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述第一存儲電容的第 一電容電極和所述第二存儲電容的第一電容電極相同。
6. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述第二存儲電容的電 容值隨其相應(yīng)的像素與掃描信號輸入端的距離增加而減小。
7. 如權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述第一存儲電容的電 容值隨其相應(yīng)的像素與掃描信號輸入端的距離增加而增加。
8. 如權(quán)利要求6所述的液晶顯示面板，其特征在于，隨著相應(yīng)的像素與掃描 信號輸入端的距離增加，所述第二存儲電容的電容數(shù)值的減小量大于所述第一存 儲電容的電容數(shù)值的增加量。
9. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述第二存儲電容的數(shù) 值隨其在所述第二存儲電容的第一電容電極上施加電壓數(shù)值的增加而增大。
10. 如權(quán)利要求9所述的液晶顯示面板，其特征在于，在距離掃描信號輸入端較近的像素中施加的電壓數(shù)值大于距離掃描信號輸入端較遠的像素中的施加電 壓數(shù)值。
11. 如權(quán)利要求9所述的液晶顯示面板，其特征在于，在與掃描信號輸入端 的距離不同的像素的所述第二存儲電容的第 一 電容電極上施加不同的電壓值時， 所述不同像素的所述第二存儲電容的兩極間正對面積相同。
12. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，在距離掃描信號輸入 端的相應(yīng)位置處至遠離掃描信號輸入端的所述液晶顯示面板的另 一 端，所述像素 存儲電容可以只含有所述第 一存儲電容。
13. 如權(quán)利要求12所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述相應(yīng)位置是所述 液晶顯示面板長度的1/4到1/2中的任意位置。
14. 如權(quán)利要求12所述的液晶顯示面板，其特征在于，在不同像素中的所述 像素存儲電容還包括具有相同電容值的所述第二存儲電容。
15. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，若所述液晶顯示面板 的長度為L，則距離掃描信號輸入端1/3L處至遠離掃描信號輸入端的所述液晶顯 示面板的另一端的每個像素的像素存儲電容的電容值相等。
16. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述第一存儲電容和 所述第二存儲電容并聯(lián)而形成所述像素存儲電容。
17. —種液晶顯示面板的制造方法，該方法包括 形成掃描線和第一電容電極；在所述掃描線和所述第一電容電極上形成第一絕緣層； 在所述絕緣層上沉積一半導(dǎo)體層以形成電子誘導(dǎo)層； 形成數(shù)據(jù)線和第二電容電極；以及將第二絕緣層和一透明導(dǎo)電層依次沉積于所述數(shù)據(jù)線和所述第二電容電極上，該透明導(dǎo)電層形成像素電極和第三電容電極，其中，距離掃描信號輸入端較近的像素中的像素存儲電容被設(shè)置為大于距離掃 描信號輸入端較遠的像素中的像素存儲電容。
18. 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第一存儲電容由所述第一電容電極、通過所述第一絕緣層和所述第二絕緣層構(gòu)成的電介質(zhì)以及所述第 三電容電極形成的。
19. 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第二存儲電容由所述 第 一電容電極、通過所述第 一絕緣層構(gòu)成的電介質(zhì)以及所述第二電容電極形成。
20. 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述電子誘導(dǎo)層設(shè)置在所 述第一絕緣層和所述第二電容電極之間，或者在所述第一電容電極和所述第一絕 緣層之間。
21. 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第二存儲電容的電容 值隨其相應(yīng)的像素與掃描信號輸入端的距離增加而減小。
22. 如權(quán)利要求21所述的制造方法，其特征在于，所述第一存儲電容的電容 值隨其相應(yīng)的像素與掃描信號輸入端的距離增加而增加。
23. 如權(quán)利要求21所述的制造方法，其特征在于，隨著相應(yīng)的像素與掃描信 號輸入端的距離增加，所述第二存儲電容的減小量大于所述第一存儲電容的增加 量。
24. 如權(quán)利要求l7所述的制造方法，其特征在于，所述第二存儲電容的數(shù)值 隨其在所述第二存儲電容的第一電容電極上施加電壓數(shù)值的增加而增大。
25. 如權(quán)利要求n所述的制造方法，其特征在于，在與掃描信號輸入端的距 離不同的像素的所述第二存儲電容的第一電容電極上施加不同的電壓值時，所述 不同像素的所述第二存儲電容的兩極間正對面積相同。
26. 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，在距離掃描信號輸入端的 相應(yīng)位置處至遠離掃描信號輸入端的所述液晶顯示面板的另 一 端，所述像素存儲 電容可以只設(shè)置所述第 一存儲電容。
27. 如權(quán)利要求26所述的制造方法，其特征在于，所述相應(yīng)位置是所述液晶 顯示面板長度的1/4到1/2中的任意位置。
28. 如權(quán)利要求26所述的制造方法，其特征在于，在不同像素中的所述像素 存儲電容還可以設(shè)置具有相同電容值的所述第二存儲電容。
29. 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，若所述液晶顯示面板的長 度為L,則距離掃描信號輸入端1/3L處至遠離掃描信號輸入端的所述液晶顯示面 板的另 一端的每個像素的像素存儲電容的電容值相等。
30. 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第一存儲電容和所述 第二存儲電容并聯(lián)而形成所述像素存儲電容。
31. 如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述電子誘導(dǎo)層是由非晶 硅材料，或者多晶半導(dǎo)體材料，或者單晶半導(dǎo)體材料制成。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種液晶顯示面板，包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個像素以及像素存儲電容。每個像素存儲電容包括第一存儲電容和第二存儲電容，其電容值隨著相應(yīng)的像素與掃描信號輸入端的距離增加而減小。本發(fā)明還揭示了一種液晶顯示面板的制造方法，它包括形成掃描線和第一電容電極；在掃描線和第一電容電極上沉積一絕緣層以形成第一絕緣層；在絕緣層上沉積一圖案化的半導(dǎo)體層以形成電子誘導(dǎo)層；形成數(shù)據(jù)線和第二電容電極；以及將第二絕緣層和一透明導(dǎo)電層依次沉積于數(shù)據(jù)線和第二電容電極上。采用本發(fā)明的液晶顯示面板及其制造方法，可以保持各像素的饋通電壓基本不變，有效降低TFT-LCD的畫面閃爍現(xiàn)象。
文檔編號G02F1/133GK101109881SQ20071013657
公開日2008年1月23日 申請日期2007年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月6日
發(fā)明者簡廷憲, 鐘德鎮(zhèn) 申請人:昆山龍騰光電有限公司