專利名稱：液晶顯示器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件，更具體地，涉及一種液晶顯示(LCD)器 件的制造方法。
背景技術(shù)：
直到最近，顯示器件通常采用陰極射線管(CRT)。當(dāng)前，人們正在進(jìn)行 大量工作和研究以發(fā)展諸如液晶顯示(LCD)器件、等離子體面板(PDP)、 場(chǎng)致顯示器、和電致發(fā)光顯示器(ELD)的各種類型的平板顯示器來取代CRT。 在這些平板顯示器中，LCD器件具有許多優(yōu)點(diǎn)，諸如分辨率高、重量輕、外 形薄、體積小、以及耗電低。
通常，LCD器件包括兩個(gè)隔開且彼此相對(duì)的基板，在這兩個(gè)基板之間夾 有'液晶材料。這兩個(gè)基板包括彼此相對(duì)的電極，以使在電極之間施加的電壓感 應(yīng)一個(gè)穿過液晶材料的電場(chǎng)。液晶材料中液晶分子的排列根據(jù)該感應(yīng)電場(chǎng)的強(qiáng) 度而改變?yōu)樵摳袘?yīng)電場(chǎng)的方向，由此改變LCD器件的透光率。因而，LCD器 件通過改變感應(yīng)電場(chǎng)的強(qiáng)度來顯示圖像。
圖1是用于解釋依照現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件的透視圖。參照?qǐng)Dl， LCD器 件3包括陣列基板22、濾色片基板5、和位于兩個(gè)基板之間的液晶層ll。
陣列基板22包括彼此交叉的柵線12和數(shù)據(jù)線24以限定第一基板22上的 像素區(qū)域P。薄膜晶體管T位于柵線12和數(shù)據(jù)線24的交叉處。薄膜晶體管T 包括柵極30、半導(dǎo)體層32、源極34和漏極36。像素電極17設(shè)在像素區(qū)域P 內(nèi)且與漏極36相連。
濾色片基板5包括位于濾色片基板5上各個(gè)像素區(qū)域P內(nèi)的紅(R)、綠 (G)和藍(lán)(B)濾色片圖案7a、 7b和7c以及位于濾色片圖案7a、 7b和7c之間的黑色矩陣6。公共電極9設(shè)在濾色片圖案7a、 7b和7c上。
當(dāng)電壓施加給像素電極17和公共電極9時(shí)，感應(yīng)出電場(chǎng)。液晶分子在該 感應(yīng)電場(chǎng)的作用下排列，于是LCD器件3的透光率發(fā)生改變。從而顯示圖像。
薄膜晶體管可以有各種類型，例如，倒置交錯(cuò)型。圖2是示出依照現(xiàn)有技 術(shù)的、具有倒置交錯(cuò)型薄膜晶體管的LCD器件的橫截面圖。參照?qǐng)D2，倒置 交錯(cuò)型薄膜晶體管T包括位于基板50上的柵極52、在柵極52上的半導(dǎo)體層 56、以及位于半導(dǎo)體層56上的源極60和漏極62。半導(dǎo)體層56具有有源層57 和歐姆接觸層58。鈍化層64位于薄膜晶體管T上，并且像素電極68位于鈍 化層64上，使像素電極68通過漏極接觸孔66接觸漏極62。
圖3A至圖3E是示出依照現(xiàn)有技術(shù)的、具有倒置交錯(cuò)型薄膜晶體管的陣 列基板的制造方法的橫截面圖。參照?qǐng)D3A，在基板50上沉積金屬材料，并且 對(duì)其構(gòu)圖以形成柵極52和柵線(未示出)。在具有柵極52的基板50上形成 柵絕緣層54。參照?qǐng)D3B，在柵絕緣層54上形成本征非晶硅層和摻雜非晶硅 層，并對(duì)其構(gòu)圖以形成有源層57和歐姆接觸層58。參照?qǐng)D3C，在具有有源 層57和歐姆接觸層58的基板50上沉積金屬材料，并對(duì)其構(gòu)圖以形成源極60 和漏極62，以及數(shù)據(jù)線(未示出)。去除暴露于源極60和漏極62之間的那 部分歐姆接觸層58，并且一部分有源層57 (也即溝道部分)暴露出來。參照 圖3D，在具有源極60和漏極62的基板50上形成鈍化層64。對(duì)鈍化層64構(gòu) 圖以形成用于暴露漏極62的漏極接觸孔66。參照?qǐng)D3E，在鈍化層64上形成 透明導(dǎo)電層，并對(duì)其構(gòu)圖以形成與漏極62接觸的像素電極68。
如上所述，柵極52和柵線(未示出)在第一掩模工序中形成，有源層57 和歐姆接觸層58在第二掩模工序中形成，源極60和漏極62以及數(shù)據(jù)線(未 示出)在第三掩模工序中形成，具有漏極接觸孔66的鈍化層64在第四掩模工 序中形成，并且像素電極68在第五掩模工序中形成。通過上述五道掩模工序， 制造陣列基板22。
在上面每道掩模工序中，要執(zhí)行這些處理在腔室內(nèi)的基板上形成層、在 該層上形成光刻膠層、利用掩模對(duì)該光刻膠層曝光、剝離該光刻膠層以形成光 刻膠圖案、利用該光刻膠圖案蝕刻該層、清洗該基板等等。
在執(zhí)行在腔室內(nèi)形成該層的工序之后，可將該基板置于腔室外進(jìn)行其它的 處理并暴露于外部條件下。當(dāng)該基板暴露時(shí)，基板的暴露部分可能受外部微粒
的污染。特別是，當(dāng)溝道部分暴露且受到污染時(shí)，可能會(huì)因溝道部分表面的污 染而引起泄漏電流。因而，薄膜晶體管不正常工作，導(dǎo)致圖像模糊，并且降低 了可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件的制造方法，其基本上消除了因現(xiàn)有 技術(shù)的局限和缺點(diǎn)引起的一個(gè)或者多個(gè)問題。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種液晶顯示器件的制造方法，其能夠提高可靠性。
本發(fā)明其他優(yōu)點(diǎn)、目的和特征一部分將在以下描述中加以闡述，并且一部
分對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在研究下文時(shí)變得顯而易見或通過實(shí)施本發(fā)明 而了解。本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點(diǎn)將通過在書面的描述及其權(quán)利要求以及附圖
中特別指出的結(jié)構(gòu)而實(shí)現(xiàn)和獲得。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體實(shí)施和廣義的 描述的， 一種液晶顯示器件的制造方法包括以下步驟在第一基板上形成柵極 和柵線，在該柵極上形成柵絕緣層，在該柵絕緣層上形成有源層，并在該有源 層上形成歐姆接觸層，在該歐姆接觸層上形成彼此隔開的源極和漏極，形成與 該柵線交叉的數(shù)據(jù)線，在干蝕設(shè)備的腔室內(nèi)蝕刻位于該源極和漏極之間的那部 分歐姆接觸層，以使一部分有源層暴露，在留在該腔室內(nèi)的第一基板上形成鈍 化層，該鈍化層覆蓋這部分有源層，形成與該漏極相連接的像素電極，并且在 該像素電極與第二基板之間夾入液晶層。
在另一方案中， 一種液晶顯示器件的制造方法包括以下步驟在陣列基板 上形成彼此交叉的柵線和數(shù)據(jù)線以限定像素區(qū)域，在該陣列基板上形成與該柵 線和數(shù)據(jù)線相連接的薄膜晶體管，其包括柵極、位于該柵極上方的有源層、在 該有源層上的歐姆接觸層以及在該歐姆接觸層上的源極和漏極，其中在蝕刻設(shè) 備的腔室內(nèi)對(duì)位于該源極和漏極之間的那部分歐姆接觸層進(jìn)行蝕刻，以使一部 分該有源層暴露，在保留在該腔室內(nèi)的該陣列基板上形成鈍化層，該鈍化層覆 蓋這部分有源層，在該像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極，以及粘合該陣列基板與一個(gè) 相對(duì)的基板，在該陣列基板與該相對(duì)的基板之間具有液晶層。
應(yīng)理解，上述的概括說明和以下的詳細(xì)描述為示例性和解釋性的，并旨在
提供如權(quán)利要求書所述的進(jìn)一步的解釋。


這些附圖提供了對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步的理解，與本說明書結(jié)合并且構(gòu)成其一 部分，其圖示了本發(fā)明的實(shí)施例，并且連同說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。 在附圖中
圖1是示出依照現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件的透視圖2是示出依照現(xiàn)有技術(shù)的、具有倒置交錯(cuò)型薄膜晶體管的LCD器件的 橫截面圖3A到圖3E是示出依照現(xiàn)有技術(shù)的、具有倒置交錯(cuò)型薄膜晶體管的陣 列基板的制造方法的橫截面圖4是示出依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的、LCD器件的陣列基板的橫截面
圖5是示出依照本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方式的、LCD器件的陣列基板的平面
圖6A到圖6G是沿著圖5中的VI-VI線剖開的、示出陣列基板的制造方 法的橫截面圖7A到圖7G是沿著圖5中的VII-VII線剖開的、示出陣列基板的制造 方法的橫截面圖；以及
圖8A到圖8G是沿著圖5中的vm-vin線剖開的、示出陣列基板的制造
方法的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在對(duì)本發(fā)明所示的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說明，在附圖中示出這些實(shí)施方式。
圖4是示出依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的、LCD器件的陣列基板的橫截面 圖。參照?qǐng)D4，位于開關(guān)區(qū)域S內(nèi)的倒置交錯(cuò)型薄膜晶體管T包括位于基板 100上的柵極102，在柵極102上方的半導(dǎo)體層106、以及彼此隔開的源極110 和、漏極112。像素電極116在柵絕緣層118上形成，且與漏極112接觸。半導(dǎo) 體層106包括有源層107和歐姆接觸層108。位于歐姆接觸層108之間或者源
極110與漏極112之間的有源層107的溝道部分由鈍化層114覆蓋。
鈍化層114可以在用于對(duì)源極110和漏極112之間的那部分歐姆接觸層 108進(jìn)行干蝕刻的同一個(gè)腔室內(nèi)形成。更具體地，這部分歐姆接觸層108是在 干蝕刻設(shè)備的真空腔室內(nèi)蝕刻的。在對(duì)這部分歐姆接觸層108進(jìn)行蝕刻后，將 室內(nèi)的殘留氣體抽出，將基板100留在腔室內(nèi)，使該腔室處于高真空條件下。 然后，使用于形成鈍化層114的反應(yīng)性氣體流進(jìn)該腔室，并且用化學(xué)氣相沉積 法形成鈍化層114，使之覆蓋有源層108的溝道部分。
按照下述去除這部分歐姆接觸層108。使六氟化硫(SF6)流進(jìn)該室，在 等離子體狀態(tài)下進(jìn)行處理，從而產(chǎn)生氟自由基(F radical)。氟自由基與歐姆 接觸層108的硅發(fā)生反應(yīng)，于是形成揮發(fā)性四氟化硅(SiF4)。通過這樣的化 學(xué)反應(yīng)，去除這部分歐姆接觸層108，并且暴露有源層107的溝道部分。在去 除這部分歐姆接觸層108之后，將基板留在該腔室內(nèi)，將氮化硅(SiNx)和氧 化硅(Si02)之一形成在溝道部分上，以形成鈍化層114。
如上所述，將基板留在該腔室內(nèi)，并且在同一腔室內(nèi)去除這部分歐姆接觸 層108和形成覆蓋暴露的溝道部分的鈍化層114。因而，該溝道部分不會(huì)受外 部微粒的污染，從而能夠使薄膜晶體管的泄漏電流達(dá)到最小。
圖5是示出依照本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方式的、LCD器件的陣列基板的平面 圖。圖5中的陣列基板200是用四道掩模工序制造的。參照?qǐng)D5，在該陣列基 板200中，柵線204和數(shù)據(jù)線238彼此交叉，以限定像素區(qū)域P。在柵線204 的一端設(shè)置柵焊盤206，在數(shù)據(jù)線238的一端設(shè)置數(shù)據(jù)焊盤240。在柵焊盤206 上設(shè)置與之接觸的柵焊盤電極GP，并且在數(shù)據(jù)焊盤240上設(shè)置與之接觸的數(shù) 據(jù)焊盤電極DP。
倒置交錯(cuò)型薄膜晶體管T位于柵線204和數(shù)據(jù)線238的交叉處附近。薄膜 晶體管T包括柵極202、在柵極202上的第一半導(dǎo)體層230a、以及位于第一半 導(dǎo)體層230a上的源極234和漏極236。像素電極PXL在像素區(qū)域P內(nèi)且與漏 極236接觸。第二半導(dǎo)體層230b位于數(shù)據(jù)線238下方，并且從第一半導(dǎo)體層 230a延伸出來。
在一部分柵線240處可以形成存儲(chǔ)電容Cst。這部分柵線204可以構(gòu)成第 一電容電極，并且與該部分柵線204重疊的那部分像素電極PXL可以構(gòu)成第 二電容電極。
圖6A到圖6G、圖7A到圖7G、以及圖8A到圖8G是分別沿著VI-VI、
vii-vn、和vin-vm線剖開的、示出圖5中的陣列基板的制造方法的橫截面
圖。參照?qǐng)D6A、圖7A和圖8A,在具有開關(guān)區(qū)域S、像素區(qū)域P、柵區(qū)域G、 數(shù)據(jù)區(qū)域D和存儲(chǔ)區(qū)域C的基板200上沉積金屬材料。用第一掩模工序?qū)υ?金屬材料構(gòu)圖，以在開關(guān)區(qū)域S內(nèi)形成柵極202、在柵區(qū)域G內(nèi)形成柵線204 和柵焊盤206。 一部分柵線204可以在存儲(chǔ)區(qū)域C內(nèi)。金屬材料包括鋁(Al)、 鋁合金(AlNd)、鉤(W)、絡(luò)(Cr)、和鉬(Mo)。可以用這些材料中至 少兩種形成至少一個(gè)兩層結(jié)構(gòu)，例如鋁/鉻或者鋁/鉬(Al/Cr或Al/Mo)。
參照?qǐng)D6B、圖7B和圖8B，在具有柵極202的基板200上依次形成柵絕 緣層208、本征非晶硅層(a-Si:H) 210、摻雜非晶硅層(n+或者p+a-Si:H) 212、 和金屬層214。
柵絕緣層208包括諸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(Si02)的無(wú)機(jī)絕緣材料、 和i者如苯并環(huán)丁烯(BCB)和丙烯酸樹酯的有機(jī)絕緣材料。金屬層214包括鋁 (Al)、鋁合金(AlNd)、鎢(W)、鉻(Cr)、和鉬(Mo)?？梢杂眠@些 材料中至少兩種形成至少一個(gè)兩層結(jié)構(gòu)，例如鋁/鉻或者鋁/鉬(Al/Cr或 A畫o)。
在金屬層214上形成光刻膠層216。在光刻膠層216上方設(shè)置一個(gè)掩模M。 該掩模M包括透光部分B1、遮光部分B2、和半透光部分B3。半透光部分B3 可以包括用以減小光強(qiáng)度的半透光膜或者狹縫圖案，以使其光強(qiáng)度比透光部分 Bl小，而比遮光部分B3大。光刻膠層216可以是正性的。
半透光部分B3對(duì)應(yīng)一部分開關(guān)區(qū)域S。例如，至少一部分的柵極202對(duì) 應(yīng)半透光部分B3。遮光部分B2設(shè)在半透光部分B3的兩側(cè)。遮光部分B2設(shè) 在數(shù)據(jù)區(qū)域D處，例如像素區(qū)域P的兩側(cè)。透光部分Bl對(duì)應(yīng)像素區(qū)域P和柵 區(qū)域G。利用掩模M將光刻膠層216曝光，并將其顯影。
參照?qǐng)D6C、圖7C和圖8C，通過曝光和顯影，在開關(guān)區(qū)域S和數(shù)據(jù)區(qū)域 D形成第一和第二光刻膠圖案218a和218b。與掩模M (圖6B的M)的半透 光部分(圖6B中的B3)對(duì)應(yīng)的那部分第一光刻膠圖案218a具有比與掩模的 遮光部分(圖6B中的B2)對(duì)應(yīng)的其它部分的第一光刻膠圖案218a更薄的厚 度。利用第一光刻膠圖案218a和第二光刻膠圖案218b對(duì)金屬層214、摻雜非 晶硅層212、和本征非晶硅層210實(shí)施第一蝕刻。當(dāng)對(duì)這些層進(jìn)行蝕刻時(shí)，基
于金屬層214的蝕刻性質(zhì)，硅層212和210可與金屬層214同步蝕刻，或者可 在蝕刻金屬層214后干蝕刻硅層212和210。
參照?qǐng)D6D、圖7D和圖8D,通過第一蝕刻，在第一光刻膠圖案218a下方 形成第一金屬圖案220和第一半導(dǎo)體層圖案230a，并且在第二光刻膠圖案218b 下方形成第二金屬圖案222和第二半導(dǎo)體圖案230b。第一半導(dǎo)體圖案230a和 第二半導(dǎo)體圖案230b每個(gè)都包括構(gòu)圖后的本征非晶硅層210和摻雜的非晶硅 層212。對(duì)第一和第二光刻膠圖案218a和218b實(shí)施灰化處理，直到將厚度較 薄的這部分第一光刻膠圖案218a去除。在灰化處理期間，去除第一和第二光 刻膠圖案218a和218b的側(cè)面部分，第一和第二光刻膠圖案218a和218b的厚 度減小。利用灰化的第一和第二光刻膠圖案218a和218b對(duì)第一和第二金屬圖 案220和222以及第一和第二半導(dǎo)體圖案230a和230b的摻雜非晶硅層212實(shí) 施第二蝕刻。
參照?qǐng)D6E、圖7E和圖8E，通過第二蝕刻，將灰化后的第一和第二光刻 膠圖案218a和218b沒有覆蓋到的第一和第二金屬圖案(圖6D中的220和圖 8D中的222)以及第一和第二半導(dǎo)體圖案230a和230b的摻雜非晶硅層212 去除，以在灰化后的第一光刻膠圖案218a下方形成彼此隔開的源極234和漏 極236，且在灰化后的第二光刻膠圖案218b下方形成數(shù)據(jù)線238和數(shù)據(jù)焊盤 240。將第一和第二半導(dǎo)體圖案230a和230b稱為第一和第二半導(dǎo)體層230a和 230b。
將第一半導(dǎo)體層230a的摻雜非晶硅層212稱為歐姆接觸層232b,并且將 第一半導(dǎo)體層230a的本征非晶硅層210稱為有源層232a。在第二蝕刻中可將 有源層232a部分地去除，以去除其上可能留下的雜質(zhì)。
具體地，在第二蝕刻中，對(duì)第一和第二金屬圖案進(jìn)行蝕刻，以便形成源極 234和漏極236以及數(shù)據(jù)線238。然后，將陣列基板200放在干蝕刻設(shè)備的真 空腔室內(nèi)。使干蝕氣體例如六氟化硫(SF6)流入該腔室，以去除源極234和 漏極236之間暴露著的那部分歐姆接觸層232b。然后，將陣列基板200仍然 留在該腔室內(nèi)，并且將腔室內(nèi)的氣體抽出。
然后，使反應(yīng)性氣體流入該腔室，以通過化學(xué)反應(yīng)形成鈍化層PAS。該反 應(yīng)'性氣體可以包括硅烷(SiH4)、氨氣(NH3)、和氧氣(02)，并且該鈍化 層包括氮化硅(SiNx)和氧化硅(Si02)。
鈍化層PAS可以在留有第一和第二光刻膠圖案218a和218b的整個(gè)基板 上形成。因而，鈍化層PAS覆蓋基板的位于源極234、漏極236、和數(shù)據(jù)線238 之間的部分。換句話說，鈍化層PAS完全覆蓋有源層232a的溝道部分。此外， 鈍化層PAS在第一和第二光刻膠圖案218a和218b上形成。在形成鈍化層PAS 后，可通過剝離方法將第一和第二光刻膠圖案218a和218b去除，從而將第一 和第二光刻膠圖案218a和218b上的鈍化層PAS去除。因而，源極234和漏 極236、以及數(shù)據(jù)線238暴露出來。
如上所述，因?yàn)槿コ@部分的歐姆接觸層232b與形成覆蓋溝道部分的鈍 化層PAS是在同一腔室內(nèi)進(jìn)行的，所以溝道部分不會(huì)暴露在外部條件下。因 而，溝道部分不會(huì)受到外部微粒污染，從而能夠使薄膜晶體管的泄漏電流達(dá)到 最小。通過上面圖6B到圖6E、圖7B到圖7E、和圖8B到圖8E的處理進(jìn)行 第二掩模工序。
參照?qǐng)D6F、圖7F和圖8F，利用第三掩模工序構(gòu)圖柵焊盤206上的一部 分鈍化層PAS和一部分柵絕緣層208，以形成柵焊盤接觸孔CH。
參照?qǐng)D6G、圖7G和圖8G，在具有鈍化層PAS的基板200上沉積透明導(dǎo) 電材料，并利用第四掩模工序?qū)ζ錁?gòu)圖，以形成與漏極236接觸的像素電極 PXL、通過柵焊盤接觸孔CH與柵焊盤206接觸的柵焊盤電極GP、和與數(shù)據(jù) 焊盤240接觸的數(shù)據(jù)焊盤電極DP。像素電極PXL可以在柵線204上延伸，以 形成存儲(chǔ)電容Cst。透明導(dǎo)電材料包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、 和氧化銦錫鋅(ITZO)。
通過上面的四道工序，能夠制造陣列基板。粘合陣列基板和濾色片基板， 在其間夾入液晶層，從而完成LCD器件。
顯然，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍內(nèi)，可對(duì)本 發(fā)明進(jìn)行各種修改和變化。因而，本發(fā)明旨在覆蓋落在所附權(quán)利要求書及其等 效物的范圍內(nèi)的修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器件的制造方法，包括步驟在第一基板上形成柵極和柵線；在該柵極上形成柵絕緣層；在該柵絕緣層上形成有源層，并且在該有源層上形成歐姆接觸層；在該歐姆接觸層上形成彼此隔開的源極和漏極；形成與該柵線交叉的數(shù)據(jù)線；在干蝕設(shè)備的腔室內(nèi)蝕刻位于該源極和漏極之間的那部分歐姆接觸層，以使一部分有源層暴露；在留在該腔室內(nèi)的第一基板上形成鈍化層，該鈍化層覆蓋這部分有源層；形成與該漏極相連接的像素電極；以及在該像素電極與該第二基板之間夾入液晶層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述蝕刻那部分歐姆接觸層 包括步驟使蝕刻氣體流入該腔室；以及在等離子體狀態(tài)下處理該蝕刻氣體，以形成與該部分歐姆接觸層發(fā)生反應(yīng) 的自由基，由此形成揮發(fā)性氣體。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于該蝕刻氣體包括六氟化硫 (SF6)，并且該有源層和該歐姆接觸層包括硅。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述形成鈍化層包括步驟-在蝕刻該部分歐姆接觸層之后抽出該腔室內(nèi)的殘留氣體；以及 使反應(yīng)性氣體流入該腔室，以形成該鈍化層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于該反應(yīng)性氣體包括硅烷 (SiH4)、氨氣(NH3)和氧氣(02)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于形成該有源層、該歐姆接觸 層、該源極和漏極、以及該數(shù)據(jù)線是利用掩模形成的。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于該有源層和該歐姆接觸層在 該數(shù)據(jù)線下方延伸。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于形成該有源層、該歐姆接觸 層、該源極和漏極、以及該數(shù)據(jù)線包括步驟形成本征非晶硅層、摻雜非晶硅層、和金屬層；利用掩模在該金屬層上形成第一和第二光刻膠圖案，該第一光刻膠圖案的 一部分的厚度比其它部分的厚度更薄；以及利用該第一光刻膠圖案，對(duì)該金屬層、該摻雜非晶硅層和該本征非晶硅層 構(gòu)圖，以形成該有源層、該歐姆接觸層、以及該源極和漏極，并且利用該第二 光刻膠圖案形成該數(shù)據(jù)線，其中該有源層由本征非晶硅層構(gòu)成，而該歐姆接觸 層由該摻雜非晶硅層構(gòu)成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于所述形成第一和第二光刻膠 圖案包括步驟在該金屬層上形成光刻膠層；利用具有透光部分、半透光部分和遮光部分的該掩模將該光刻膠層曝光；以及顯影該光刻膠層，其中其厚度小于其它部分的那部分第一光刻膠圖案對(duì)應(yīng) 于該半透光部分。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于對(duì)該金屬層、該摻雜非晶硅 層和該本征非晶硅層構(gòu)圖包括步驟利用所述第一和第二光刻膠圖案對(duì)該金屬層、該摻雜非晶硅層和該本征非晶硅層進(jìn)行第一蝕刻；灰化所述第一和第二光刻膠圖案，以去除其厚度小于其它部分的那部分第 一光刻膠圖案；以及利用灰化后的所述第一和第二光刻膠圖案對(duì)第一蝕刻后的金屬層和摻雜 非晶硅層進(jìn)行第二蝕刻。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于所述灰化后的第一和第二 光亥!J膠圖案在形成該鈍化層的期間仍然保留。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其特征在于通過剝離方法將所述灰化 后的第一和第二光刻膠圖案去除。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括步驟 在與形成該柵線相同的工序中形成柵焊盤；以及 在與形成該數(shù)據(jù)線相同的工序中形成數(shù)據(jù)焊盤。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括步驟通過對(duì)位于該柵焊盤上方的該鈍化層和該柵絕緣層構(gòu)圖，形成用以暴露該 柵焊盤的柵焊盤接觸孔。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括在與形成該像素電極相同的工 序中形成柵焊盤電極和數(shù)據(jù)焊盤電極的步驟，其中該柵焊盤電極與該柵焊盤接 觸，并且該數(shù)據(jù)焊盤電極與該數(shù)據(jù)焊盤接觸。
16. —種液晶顯示器件的制造方法，包括步驟 在陣列基板上形成彼此交叉的柵線和數(shù)據(jù)線以限定像素區(qū)域； 在該陣列基板上形成與該柵線和數(shù)據(jù)線相連接的薄膜晶體管，其包括柵極、位于該柵極上方的有源層、在該有源層上的歐姆接觸層以及在該歐姆接觸 層上的源極和漏極，其中在蝕刻設(shè)備的腔室內(nèi)對(duì)位于該源極和漏極之間的那部 分歐姆接觸層進(jìn)行蝕刻，以使一部分該有源層暴露；將保留在該腔室內(nèi)的陣列基板上形成鈍化層，該鈍化層覆蓋該部分有源層；在該像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極；以及粘合該陣列基板和一個(gè)相對(duì)的基板，在該陣列基板與該相對(duì)的基板之間具 有液晶層。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于該鈍化層是利用剩余的光 刻膠圖案形成的，該光刻膠圖案用于形成所述源極和漏極。
全文摘要
一種液晶顯示器件的制造方法，包括步驟在第一基板上形成柵極和柵線，在該柵極上形成柵絕緣層，在該柵絕緣層上形成有源層，并在該有源層上形成歐姆接觸層，在該歐姆接觸層上形成彼此隔開的源極和漏極，形成與該柵線交叉的數(shù)據(jù)線，在干蝕設(shè)備的腔室內(nèi)蝕刻位于該源極和漏極之間的那部分歐姆接觸層，以使一部分有源層暴露，在留在該腔室內(nèi)的第一基板上形成鈍化層，該鈍化層覆蓋這部分有源層，形成與該漏極相連接的像素電極，以及在該像素電極與第二基板之間夾入液晶層。
文檔編號(hào)G03F7/00GK101097382SQ20071012601
公開日2008年1月2日 申請(qǐng)日期2007年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月30日
發(fā)明者金孝昱 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社