專利名稱：制作周期性圖案的步進排列式干涉微影方法及其裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種干涉微影的方法與裝置，尤其是指一種利用控制至少 兩道特定形狀的同調(diào)光束，使其投射至一待曝光基材上以形成特定區(qū)域大 小的干涉條紋，再通過多數(shù)次步進移動的方式控制待曝光基材或者是該兩 道特定形狀的同調(diào)光束的位置以于待曝光基材上形成大面積的預(yù)定圖案 的一種制作周期性圖案的步進排列式干涉微影的方法與裝置。
背景技術(shù)：
光學(xué)干涉微影(Interference Lithography)原理為利用兩束或多道光 束線等不同組合形式，交會在基板，可在基板阻劑層上曝光產(chǎn)生周期性的 干涉條紋圖案，如此可制得次微米級的周期性-線、孔、柱或其它結(jié)構(gòu)圖 案。此方法不需要光罩、昂貴的光學(xué)成像系統(tǒng)，而使用短波長光源和對應(yīng) 適當(dāng)阻劑，即可得到線寬小、焦深長、特定周期性圖案的作法。光學(xué)干涉 微影的應(yīng)用也朝多元性發(fā)展，例如在光電與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中可應(yīng)用于布拉 格光柵(Bmgg Grating)的制作等。而在材料方面則可應(yīng)用于薄膜上的熱 處理使晶粒再成長以及磁性材料上網(wǎng)格點的磁化，以完成DFB與DBR半導(dǎo) 體激光與光子晶體結(jié)構(gòu)的制作等。有著上述如此多方面的應(yīng)用，激光光干 涉微影技術(shù)期望在未來在不同技術(shù)領(lǐng)域有更廣泛的應(yīng)用。
近來，隨著顯示器面板，軟性電子(Flexible Electronics)以及太陽
能電池等產(chǎn)業(yè)在大尺寸需求漸增的情況下，各式各樣的光電元件必須涵蓋 更大的面積是制程發(fā)展必然的趨勢。在這些元件中，周期性次微米結(jié)構(gòu)占 了不少的比例。例如一維的光柵結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于顯示科技上制作成偏振光元 件；而二維的周期性結(jié)構(gòu)，適于抗反射的應(yīng)用，以提高顯示器背光板的透 光效率或太陽能電池的集光效率。故大面積且快速制作大量周期性結(jié)構(gòu)對 于現(xiàn)代民生科技的發(fā)展扮演著非常重要的角色。目前全球?qū)W術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界 皆致力于大面積的周期性結(jié)構(gòu)制作研究開發(fā)。
傳統(tǒng)光學(xué)干涉微影制程雖可制得次微米周期性圖案，'但受限于光路架 構(gòu)故僅局限于小面積制作?，F(xiàn)有技術(shù)以光學(xué)干涉微影方式制作大面積微結(jié)
構(gòu)如德國的Fraunhofer Institute研究機構(gòu)于Andreas Gombert， et al.， "Large-area origination and replication of microstructures with optical functions," SPIE Vol. 5454， pp. 129， 2004以及Andreas Gombert, et al. ， "Some application cases and related manufacturing techniques for optically functional microstructures on large areas," Opt. Eng. 43(11) 2525 - 2533， 2004，中所揭露的干涉微影技 術(shù)，如圖1所示，其是以一次曝光的方式來制作周期性圖案。該干涉微影 技術(shù)是利用激光光源10產(chǎn)生一光束100，該光束100經(jīng)過分光鏡11以及 多數(shù)個反射鏡12分成兩道同調(diào)光束101及102。該兩道同調(diào)光束在分別經(jīng) 過透鏡單元13以投射至具有光阻的一基材14上，使該基材14上形成一 干涉圖案。
然而圖1的方法在制作上須有相當(dāng)大的空間，才能使經(jīng)過空間濾波器 所形成的點光源球面波傳播至足夠的距離(其論文使用21公尺長的的光 路)，擴束成近似平面波。此外，由于距離遠所以單位面積的功率極弱， 需要相當(dāng)長的曝光時間(約數(shù)小時)才能累積足夠的曝光劑量使光阻感光 成型。因此在曝光期間整體的環(huán)境必須嚴(yán)格控制，避免任何擾動，以保持曝光系統(tǒng)的穩(wěn)定度(諸如所有光學(xué)元件溫度梯度、空氣氣流控制、溫濕度、 機械振動等)。
另外，如美國專利第U.S.Pat.No. 6，882，477號所揭露的掃描式光學(xué) 干涉方式，是先由小面積的干涉曝光，再利用掃描的方式以類似機械式的 畫線機刻畫出大面積周期性結(jié)構(gòu)。由于要將小面積的千涉條紋掃描成大面 積周期性結(jié)構(gòu)，此方法需要極高精密度長行程連續(xù)的定位控制，加工時間 也相當(dāng)冗長。此外，由于光強度是高斯分布(Gaussian Beam)，在接合處 需要重復(fù)迭合對準(zhǔn)上次的大部分掃描區(qū)域(大約有60%重復(fù))，才能使整體 每一條紋的強度近乎相同。
另查美國專利第20070023692號公開案所揭示的光學(xué)干涉微影方法， 其是在一透明基底(如玻璃Glass、石英Quartz)上利用預(yù)曝光方法先行制 作出一臨時光阻層對位窗，再由透明基底下的對位機構(gòu)多次曝光重迭成大 面積干涉條紋。此法使用圓形高斯光束，故須多重迭合曝光，因交集區(qū)域 的面積大小、次數(shù)不一，故要完全均勻達到曝光劑量(Dosage)的分布并不 容易且預(yù)曝光的光阻材料選擇性少。該方法由于是利用透明基底，相較于 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)常使用的硅基底，其應(yīng)用方面將受局限。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一種制作周期性圖案的步進排列式干涉微影方法 及其裝置，其是利用控制至少兩道特定形狀的同調(diào)光束，使其投射至一待 曝光基材以形成特定區(qū)域大小的干涉條紋，并通過由調(diào)整同調(diào)光束的入射 角度來改變干涉條紋的周期大小。
本發(fā)明提供一種制作周期性圖案的步進排列式干涉微影方法及其裝 置，其是通過由步進移動的方式控制待曝光基材或者是同調(diào)光束的位置以 于待曝光基材上形成大面積的預(yù)定圖案，以縮短制程時間以及降低環(huán)境，
例如因光學(xué)元件溫度梯度、空氣氣流控制、溫濕度、機械振動等曝光不 穩(wěn)定現(xiàn)象，對制程穩(wěn)定度的影響。
本發(fā)明提供一種制作周期性圖案的步進排列式干涉微影方法及其裝 置，其是結(jié)合光束整形器，將高斯光束的強度不均勻性，轉(zhuǎn)換成空間強度 均勻分布的光束，以于基材上形成一小面積干涉圖案，再以一個小面積干 涉圖案區(qū)域為步進單位，透過多數(shù)次的步進移動進行曝光，并且經(jīng)由準(zhǔn)確 的移動距離控制，使得小面積的干涉圖案兩兩接合的區(qū)域互相銜接以形成 大面積的曝光圖案。
本發(fā)明提供一種制作周期性圖案的步進排列式干涉微影方法及其裝 置，其是可利用至少四道同調(diào)光束進行多光束二維周期圖案制作及滾筒元 件的周期性圖案曝光制作，以增加制程多樣性。
在一實施例中，本發(fā)明提供一種制作周期性圖案的步進排列式干涉微
影方法，包括有下列步驟(a)提供至少兩道特定形狀的同調(diào)光束以及一 待曝光基材；(b)使該至少兩道特定形狀同調(diào)光束，同時照射至該待曝光 基材表面，以于該待曝光基材表面形成一特定干涉圖案區(qū)塊；(c)以步進 方式調(diào)整下一次曝光位置；以及(d)重復(fù)該步驟(b)至(c)多數(shù)次，使該待 曝光基材表面上形成有一預(yù)定圖案。
在另一實施例中，本發(fā)明提供一種制作周期性圖案的步進排列式干涉 微影裝置，包括 一整形發(fā)光單元，其是可產(chǎn)生至少兩道特定形狀的同調(diào) 光束； 一承載單元，其是可提供承載一待曝光基材，以接收該至少兩道特 定形狀的同調(diào)光束以產(chǎn)生一特定干涉圖案區(qū)塊；以及一驅(qū)動單元，其是與 該承載單元相偶接，該驅(qū)動單元可提供一驅(qū)動力使該承載單元產(chǎn)生步進移 動。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的干涉微影裝置示意圖2為本發(fā)明的制作周期性圖案的步進排列式干涉微影方法實施例流
程示意圖3 (A)以及圖3 (B)為本發(fā)明的特定形狀實施例示意圖； 圖4 (A)以及圖4 (B)為本發(fā)明的待曝光基材示意圖； 圖5 (A)為本發(fā)明的制作周期性圖案的步進排列式干涉微影裝置第一 實施例示意圖5 (B)為經(jīng)過多數(shù)次步進式曝光后的待曝光基材示意圖； 圖5 (C)為本發(fā)明曝光區(qū)域另一實施例示意圖； 圖6 (A)至圖6 (D)為本發(fā)明的曝光圖案示意圖； 圖7 (A)為本發(fā)明的制作周期性圖案的步進排列式干涉微影裝置第二 實施例示意圖7 (B)為經(jīng)過多數(shù)次步進式曝光后的圓筒形待曝光基材示意圖。 圖8為利用四道以上的特定形狀的同調(diào)光束于待曝光基材上形成大面
積周期性圖案示意圖9 (A)與圖9 (B)為利用四道以上所產(chǎn)生的大面積周期性二維圖
案示意圖10為本發(fā)明的制作周期性圖案的步進排列式干涉微影方法另一實 施例流程示意圖。
io-激光光源
100-光束
101、 102-同調(diào)光束 l卜分光鏡12- 反射鏡
13- 透鏡單元
14- 基材
2- 干涉微影方法 20 22-步驟
3- 干涉微影裝置
30- 控制單元
31- 整形發(fā)光單元
310- 光束產(chǎn)生器
311- 光束整形器
312- 分光單元
32、 36-承載單元
33、 37-驅(qū)動單元
34- 反射鏡
35- 調(diào)整裝置
40、 41、 42、 43-大面積預(yù)定圖案 6-干涉微影方法 60 64-步驟 7a、 7b-二維周期性圖形
80- 待曝光基材 800-基板
80卜待曝光材料層
81- 待曝光基材810- 圓筒形基板
811- 待曝光材料層
90- 光束
91- 整形光束
92、 92a、 93、 93a-同調(diào)光束 950、 951、 952、 953、 954-干涉圖案區(qū)塊 96-步進路徑 970、 971-間隔區(qū)域
具體實施例方式
請參閱圖2所示，該圖為本發(fā)明的制作周期性圖案的步進排列式干涉 微影方法實施例流程示意圖。該干涉微影方法2是包括有下列步驟首先 進行步驟20，提供至少兩道特定形狀的同調(diào)光束以及一待曝光基材。請參 閱圖3 (A)所示，前述所謂的特定形狀，可為一多邊形，例如三角形、 四邊形或者是六邊形等，但不以此為限。除此之外，如圖3 (B)所示，該 特定形狀也可以具有至少一弧形側(cè)邊。請參閱圖4 (A)以及圖4 (B)所 示，該圖為本發(fā)明的待曝光示意圖。在圖3 (A)中，該待曝光基材80 可以為平板基材；在圖3 (B)中，該待曝光基材81為具有弧面的基材， 例如圓筒基材。該待曝光基材80及81的材料可選擇為晶圓基材類、玻璃
基材類、塑料類、金屬類、可撓高分子基材類或者是皮帶類等材料。
再回到圖2所示，步驟20之后，繼續(xù)進行步驟21，使該至少兩道特
定形狀同調(diào)光束，同時照射至該待曝光基材表面，以于該待曝光基材表面 形成一特定干涉圖案區(qū)塊。接著進行步驟22，以步進方式調(diào)整下一次曝光 位置。至于步進調(diào)整曝光位置的方式可以選擇以步進方式移動該待曝光基材或者是以步進方式移動該至少兩道特定形狀的同調(diào)光束。然后再回到步 驟21，使該至少兩道特定形狀同調(diào)光束，同時照射至該待曝光基材表面， 于該待曝光基材表面形成另一特定干涉圖案區(qū)塊與前一個圖案區(qū)塊相鄰 接。透過步驟21至步驟22的反復(fù)操作，以于該待曝光基材表面上形成大 面積具有特定周期的圖案。
接下來說明實施上述方法的裝置。請參閱圖5 (A)所示，該圖為本發(fā)
明的制作周期性圖案的步進排列式干涉微影裝置第一實施例示意圖。該干
涉微影裝置3具有一整形發(fā)光單元31、一承載單元32以及一驅(qū)動單元33。 該整形發(fā)光單元31，其是可產(chǎn)生至少兩道特定形狀的同調(diào)光束。該整形發(fā) 光單元31具有一光束產(chǎn)生器310、一光束整形器311以及一分光單元312。 該光束產(chǎn)生器310，其是可產(chǎn)生一光束90，在本實施例中，該光束產(chǎn)生器 310為一激光光源產(chǎn)生器。該光束整形器311，具有均勻光強度分布以及 擴大整形光束的功能，其是可以接收該光束90，并將該光束90調(diào)制成一 整形光束91。由于該光束產(chǎn)生器310所產(chǎn)生的光束是屬于高斯光束，亦即 其強度的分布呈現(xiàn)高斯分布，所以強度并不均勻，因此可通過由該光束整 形器311，先將該光束的強度分布均勻化，然后再擴大該均勻強度分布光 束以形成一擴大光束，并將該擴大光束調(diào)制成該整形光束。該整形光束所 形成的形狀如前述圖3 (A)以及圖3 (B)所述，在此不作贅述。該分光 單元312，其是可將該整形光束91分光以形成兩道特定形狀的同調(diào)光束 92及93。
該承載單元32，其是設(shè)置于該整形發(fā)光單元31的一側(cè)，且可提供承 載一待曝光基材80。在本實施例中，該承載單元為一移動平臺；該待曝光 基材80具有一基板800，其上是形成有一層待曝光材料層801。該驅(qū)動單 元33，其是與該承載單元32相偶接，該驅(qū)動單元33可提供一驅(qū)動力使該 承載單元32產(chǎn)生步進移動。在本實施例中，該驅(qū)動單元33為一步進馬達，
但不以此為限，其是可以驅(qū)動該承載單元32進行三個維度的位移運動。
該分光單元312與該待曝光基材80之間還設(shè)置有多數(shù)枚的反射鏡34，其 是分別設(shè)置于可調(diào)整旋轉(zhuǎn)角度及位置的調(diào)整裝置35上。通過由該調(diào)整裝 置35，使得該兩道特定形狀的同調(diào)光束92及93投射至該待曝光基材80 的角度可以接收控制而改變，進而改變干涉條紋的周期大小。
該整形發(fā)光單元31、承載單元32、驅(qū)動單元33以及該調(diào)整裝置35 是分別與一控制單元30相偶接，以接收該控制單元30所產(chǎn)生的信號產(chǎn)生 對應(yīng)的動作。接下來說明該干涉微影裝置3的動作，該控制單元30通過 由信號控制該整形發(fā)光單元31產(chǎn)生兩道特定形狀的同調(diào)光束92及93，并 且發(fā)出信號使該驅(qū)動單元33調(diào)整該承載單元32的位置以及控制該調(diào)整裝 置35調(diào)整反射鏡的位置。然后，使該兩道特定形狀同調(diào)光束92及93，同 時照射至該待曝光基材80表面上的待曝光材料層801，以于該待曝光材料 層801表面形成一特定干涉圖案區(qū)塊。
然后，該控制單元30再控制該驅(qū)動單元33以步進方式調(diào)整該承載單 元32至下一個曝光位置。當(dāng)承載單元32移動至下一個曝光位置時，該兩 道特定形狀的同調(diào)光束92及93會對該待曝光基材80進行曝光，以形成 圖5 (B)的狀態(tài)。其中，干涉圖案區(qū)塊950為第一次曝光時的圖案，干涉 圖案區(qū)塊951為第二次曝光時的圖案，標(biāo)號96代表步進移動的路線。為 了控制干涉圖案的精準(zhǔn)度。透過步進式移動控制待曝光基材的位置，使得 隨后形成的干涉圖案區(qū)域的一部分與前一次的干涉圖案的一部分相互銜 接，以形成大面積及具有周期性的圖案。
請參閱圖5 (C)所示，該圖為本發(fā)明曝光區(qū)域另一實施例示意圖。在 本實施例中相鄰的干涉圖案區(qū)塊間具有間隔區(qū)域。以圖5 (C)中的實施例 而言，基板800上所形成的干涉圖案區(qū)塊952及953間具有間隔區(qū)域970; 干涉圖案區(qū)塊952及953與干涉圖案區(qū)塊954之間具有間隔區(qū)域971。在
本實施例中，該干涉圖案區(qū)塊為二維周期性結(jié)構(gòu)。這種具有間隔區(qū)域的大 面積具有特定周期的圖案可以應(yīng)用于各種不同制程或產(chǎn)品應(yīng)用所需。舉例
而言，例如光子晶體波導(dǎo)(Photonic crystal waveguide)、導(dǎo)線通路、 生物微/納米流道等。以光子晶體波導(dǎo)而言，該間隔區(qū)域970及971可為 波導(dǎo)區(qū)域，該干涉圖案區(qū)塊952、 953及954則為光子晶體區(qū)域。
如圖6 (A)至圖6 (D)所示，該圖為本發(fā)明的曝光圖案示意圖。通 過由不同形狀的同調(diào)光束形成的特定干涉圖案區(qū)塊，再透過多數(shù)次步進式 調(diào)整曝光位置將干涉圖案區(qū)塊相互拼接以制作形成的大面積預(yù)定圖案40、 41、 42以及43。由于形成的圖案面積大小是由重迭的光束區(qū)域，亦即圖5 (A)中的同調(diào)光束92及93的大小來決定，因此可以一次完成數(shù)厘米平 方或更大面積的次微米規(guī)則圖案。再以此特定形狀干涉區(qū)域為步進單位， 進行步進移動曝光接合。經(jīng)由一次次的曝光，并且經(jīng)由平臺移動距離控制， 最后可編織成大面積特定的周期性圖案。
請參閱圖7 (A)所示，該圖為本發(fā)明的制作周期性圖案的步進排列式 干涉微影裝置第二實施例示意圖。在本實施例中基本上的元件是與圖5(A) 相同，所不同的是該承載單元36所承載的待曝光基材81為一圓筒基材， 其是具有一圓筒形基板810其上形成有一待曝光材料層811。此外，該驅(qū) 動單元37為一步進馬達，但不以此為限，其是可以驅(qū)動該待曝光基材81 進行轉(zhuǎn)動以及驅(qū)動該承載單元36進行三個維度的位移運動。透過步進移 動控制曝光的位置，使得該待曝光材料81上形成大面積的干涉圖案，如 圖7 (B)所示。
請參閱圖8所示，該圖為利用多數(shù)組的特定形狀的同調(diào)光束于待曝光 基材上形成大面積周期性圖案示意圖。在本實施例中的裝置是可利用圖5 (A)或圖7 (A)的裝置來實施，所不同的是，圖5 (A)或圖7 (A)的干 涉微影裝置具有多數(shù)組的整形發(fā)光單元，以產(chǎn)生四道以上的特定形狀的同 調(diào)光源92、 93、 92a及93a進行干涉微影曝光，以在大面積范圍內(nèi)產(chǎn)生精 細的二維周期性圖案7a及7b (如圖9 (A)與圖9 (B)所示)。舉例而言， 可產(chǎn)生該二維周期性圖案可為周期性的線、？L、柱或其它種類結(jié)構(gòu)圖案。 此外，該同調(diào)光源92及93間的夾角9 1以及同調(diào)光源92a及93a間的夾 角e 2可以通過由圖5 (A)或圖7 (A)的調(diào)整裝置35調(diào)整為相同的夾角 或者是不同的夾角。
除了圖8利用四道以上的同調(diào)光原來形成二維周期性圖案的方式外， 也可以利用圖5 (A)或圖7 (A)的裝置，在配合可進行轉(zhuǎn)動運動的承載 單元32或36，來產(chǎn)生二維周期性圖案。請參閱圖10所示，該圖為本發(fā)明
的制作周期性圖案的步進排列式干涉微影方法另一實施例流程示意圖。以 圖5 (A)的干涉微影裝置做說明，該方法6是包括有下列步驟首先進行 步驟60，提供至少兩道特定形狀的同調(diào)光束以及一待曝光基材。該特定形 狀以及待曝光基材的特征如前所述在此不作贅述。
步驟60之后，繼續(xù)進行步驟61，使該至少兩道特定形狀同調(diào)光束， 同時照射至該待曝光基材表面。然后進行步驟62，使該承載單元32進行 旋轉(zhuǎn)運動以帶動該待曝光基材80旋轉(zhuǎn)一角度，在本實施例中該角度為90 度，但不以此為限。接下來，進行步驟63使該至少兩道特定形狀同調(diào)光 束，同時照射至該待曝光基材表面，以于該待曝光基材表面形成該特定干 涉圖案區(qū)塊，其中該特定干涉圖案區(qū)塊為一二維干涉圖案區(qū)塊。最后進行 步驟64，控制該承載單元進行步進運動，將該待曝光基材調(diào)整至下一個待 曝光的位置。如此反復(fù)進行步驟61至步驟64，可以于該待曝光基材上形 成具有二維特征的大面積周期性干涉圖案。
以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例，不能以之限制本發(fā)明范圍。即 大凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化及修飾，仍將不失本發(fā)明的要義所 在，亦不脫離本發(fā)明的精神和范圍，故都應(yīng)視為本發(fā)明的進一步實施狀況。
綜合上述，本發(fā)明提供的干涉微影方法及其裝置，可以快速且大面積形成 周期性圖案。因此可以滿足業(yè)界的需求，進而提高該產(chǎn)業(yè)的競爭力。本發(fā) 明的特征及其優(yōu)點如下
1. 根據(jù)本發(fā)明的干涉微影方法及其裝置，相較于其它技術(shù)(如電子 束微影直寫或鉆石刀刻劃)都是一道道的條紋逐一刻畫，本法所提方式在 干涉區(qū)域面積內(nèi)可同時產(chǎn)生數(shù)百甚至或數(shù)千條的條紋，等同于一次的刻畫 就有數(shù)千道條紋產(chǎn)生，將會是一個特殊且有效率的技術(shù)。
2. 根據(jù)本發(fā)明的干涉微影方法及其裝置，是屬于瞬間短暫曝光系統(tǒng)。 可改善長光路一次曝光或掃描式干涉曝光法的長時間連續(xù)式曝光的缺點， 免除因光學(xué)元件溫度梯度、空氣氣流控制、溫濕度、機械振動等曝光不穩(wěn) 定現(xiàn)象。
3. 根據(jù)本發(fā)明的干涉微影方法及其裝置，可結(jié)合光束整形器，可運用 在無縫接合上。將高斯光束的強度不均勻性，轉(zhuǎn)換成空間強度均勻分布的 光束，并使用其在小面積局部無縫接合的動作，為其獨特性。
4. 根據(jù)本發(fā)明的干涉微影方法及其裝置，利用移動平臺以一個小面 積干涉區(qū)域為步進單位， 一次次的曝光，并且經(jīng)由準(zhǔn)確的移動距離控制， 使得兩兩接合的區(qū)域界面銜接，可制得大面積均勻的周期性次微米結(jié)構(gòu)。
5. 根據(jù)本發(fā)明的干涉微影方法及其裝置，亦可進行多光束二維周期 圖案制作及滾筒元件等的周期性圖案曝光制作，制程彈性高。
權(quán)利要求
1.一種制作周期性圖案的步進排列式干涉微影方法，其特征在于包括下列步驟(a)提供至少兩道特定形狀的同調(diào)光束以及一待曝光基材；(b)使該至少兩道特定形狀的同調(diào)光束，同時照射至該待曝光基材表面，于該待曝光基材表面形成一特定干涉圖案區(qū)塊；(c)以步進方式調(diào)整下一次曝光位置；以及(d)重復(fù)該步驟(b)至(c)多數(shù)次，使該待曝光基材表面上形成有一預(yù)定圖案。
2. 如權(quán)利要求1所述的制作周期性圖案的步進排列式干涉微影方法， 其特征在于該特定形狀選擇為一多邊形以及具有至少一弧形側(cè)邊其中之
3. 如權(quán)利要求1所述的制作周期性圖案的步進排列式干涉微影方法， 其特征在于該待曝光基材選擇為一平板基材以及一具有弧面的基材，以 及該待曝光基材的材料選擇為晶圓基材類、玻璃基材類、塑料類、金屬類、 可撓高分子基材類以及皮帶類等材料其中之一。
4. 如權(quán)利要求1所述的制作周期性圖案的步進排列式干涉微影方法， 其特征在于調(diào)整該至少兩道特定形狀的同調(diào)光束照射至該待曝光基材的 入射角度。
5. 如權(quán)利要求1所述的制作周期性圖案的步進排列式干涉微影方法， 其特征在于該步驟(C)是選擇為以步進方式調(diào)整該待曝光基材的位置以 及以步進方式調(diào)整該至少兩道特定形狀的同調(diào)光束的照射位置其中之一。
6. 如權(quán)利要求1所述的制作周期性圖案的步進排列式干涉微影方法， 其特征在于該步驟(b)還包括下列步驟(bl)使該至少兩道特定形狀的同調(diào)光束，同時照射至該待曝光基材 表面； (b2)旋轉(zhuǎn)及移動該待曝光基材至一定位；以及(b3)使該至少兩道特定形狀的同調(diào)光束，同時照射至該待曝光基材 表面，以于該待曝光基材表面形成該特定干涉圖案區(qū)塊，其中該特定干涉 圖案區(qū)塊為一二維干涉圖案區(qū)塊。
7. 如權(quán)利要求1所述的制作周期性圖案的步進排列式干涉微影方法，其特征在于該特定形狀的同調(diào)光束為具有均勻強度的同調(diào)光束。
8. 如權(quán)利要求1所述的制作周期性圖案的步進排列式干涉微影方法， 其特征在于相鄰的特定干涉圖案區(qū)塊間具有一間格區(qū)域。
9. 一種制作周期性圖案的步進排列式干涉微影裝置，其特征在于包括一整形發(fā)光單元，其產(chǎn)生至少兩道特定形狀的同調(diào)光束； 一承載單元，其提供承載一待曝光基材，以接收該至少兩道特定形狀的同調(diào)光束以產(chǎn)生一特定干涉圖案區(qū)塊；以及一驅(qū)動單元，其是與該承載單元相偶接，該驅(qū)動單元提供一驅(qū)動力使 該承載單元產(chǎn)生步進移動。
10. 如權(quán)利要求9所述的制作周期性圖案的步進排列式干涉微影裝 置，其特征在于該整形發(fā)光單元是具有一光束產(chǎn)生器，其產(chǎn)生一光束；一光束整形器，其是接收該光束，并將該光束調(diào)制成一整形光束；以及一分光單元，其是將該整形光束分光以形成該至少兩道特定形狀的同 調(diào)光束。
11. 如權(quán)利要求9所述的制作周期性圖案的步進排列式干涉微影裝 置，其特征在于該特定形狀是選擇為一多邊形以及具有至少一弧形側(cè)邊 其中之一。
12. 如權(quán)利要求9所述的制作周期性圖案的步進排列式干涉微影裝 置，其特征在于該待曝光基材是選擇為一平板基材以及一具有弧面的基 材，以及該待曝光基材的材料選擇為晶圓基材類、玻璃基材類、塑料類、 金屬類、可撓高分子基材類以及皮帶類等材料其中之一。
13. 如權(quán)利要求9所述的制作周期性圖案的步進排列式干涉微影裝 置，其特征在于該整形發(fā)光單元更具有一調(diào)整裝置以調(diào)整該特定形狀的 同調(diào)光束照射至該待曝光基材的入射角度。
14. 如權(quán)利要求9所述的干制作周期性圖案的步進排列式涉微影裝 置，其特征在于該承載單元進行一轉(zhuǎn)動運動。
15. 如權(quán)利要求9所述的制作周期性圖案的步進排列式干涉微影裝 置，其特征在于該特定形狀的同調(diào)光束為具有均勻強度的同調(diào)光束。
16. 如權(quán)利要求9所述的制作周期性圖案的步進排列式干涉微影裝 置，其特征在于相鄰的特定干涉圖案區(qū)塊間具有一間格區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制作周期性圖案的步進排列式干涉微影方法及其裝置，其是通過控制至少兩道特定形狀的同調(diào)光束，使其投射至一待曝光基材上以形成特定區(qū)域大小的干涉條紋。然后，再通過由多數(shù)次步進移動的方式控制待曝光基材或者是該兩道特定形狀的同調(diào)光束的位置，以于該待曝光基材上形成具有大面積的預(yù)定圖案。通過本發(fā)明的方式可以縮短光學(xué)傳播路徑與曝光時間，進而減少微影制程缺陷的產(chǎn)生以及增加制程良率。
文檔編號G03F7/20GK101344726SQ200710122780
公開日2009年1月14日 申請日期2007年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月9日
發(fā)明者張哲豪, 張所鋐, 倫 王, 陳永彬, 饒智升 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院