專利名稱：液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板，特別是一種能夠減少拍打引起的漏光現(xiàn) 象的液晶顯示面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(Liquid Crystal Display,以下簡(jiǎn)稱LCD)的制造過程中 所使用的核心部件是由陣列基板和彩膜基板構(gòu)成的液晶顯示面板，根據(jù)LCD 的類型不同對(duì)其彩膜基板的設(shè)計(jì)也不同。通過液晶注入(LC Filling)方式 制造出來的彩膜基板的結(jié)構(gòu)單一有利于生產(chǎn)，但不適用于大型玻璃基板。如 圖l所示，彩膜基板包括第二玻璃基板200，其上設(shè)置有黑矩陣(Black matrix, 簡(jiǎn)稱BM) 201,彩色樹脂(圖中未示出)以及柱狀隔墊物(Photo Spacer, 以下簡(jiǎn)稱PS)層(圖中未示出)；陣列基板的第一玻璃基板100上設(shè)置有屏 蔽條101、柵極線(圖中未示出)、數(shù)據(jù)線102和像素電極ITO 103。上述柱 狀隔墊物層可在面板內(nèi)保持均勻的液晶盒間隙，因此適用于大型玻璃基板。 但是，由于柱狀隔墊物層的彈性有限，當(dāng)拍打液晶顯示面板時(shí)，彩膜基板和 陣列基板的對(duì)合(Alignment)出現(xiàn)扭曲，產(chǎn)生漏光現(xiàn)象，如圖2所示。拍打 液晶顯示面板的左側(cè)時(shí)，導(dǎo)致彩膜基板出現(xiàn)向右側(cè)偏移，陣列基板出現(xiàn)向左 側(cè)偏移的結(jié)果；相反，拍打液晶顯示面板的右側(cè)時(shí)，彩膜基板出現(xiàn)向左側(cè)偏 移，陣列基板出現(xiàn)向右側(cè)偏移的結(jié)果。由于上述偏移之后不能回復(fù)到原始位 置，因此會(huì)產(chǎn)生漏光現(xiàn)象。為了解決上述問題，現(xiàn)有技術(shù)中釆用的方案是彩膜基板設(shè)計(jì)(Color Filter Design)和液晶過渡注入，如同時(shí)增加黑矩陣兩側(cè)的長(zhǎng)度來增加對(duì) 合偏差最大值，但是依然不能完全解決上述問題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種液晶顯示面板，能夠提高對(duì)合偏差的最大允許 值(Assembly Margin),使得拍打液晶顯示面板時(shí)避免漏光現(xiàn)象的發(fā)生。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明通過一些實(shí)施方式提供了如下的技術(shù)方案提
供一種液晶顯示面板，包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板包括第一基 板、屏蔽條、柵極線、數(shù)據(jù)線和像素電極，所述彩膜基板包括第二基板，其中所述陣列基板和彩膜基板至少分為左側(cè)區(qū)域和右側(cè)區(qū)域；所述彩膜基板 左側(cè)區(qū)域的第二基板上設(shè)置有數(shù)個(gè)第一黑矩陣，相對(duì)于每個(gè)第一黑矩陣所對(duì) 應(yīng)的數(shù)據(jù)線的中心線，每個(gè)第一黑矩陣右側(cè)部分的長(zhǎng)度大于左側(cè)部分的長(zhǎng)度； 所述彩膜基板右側(cè)區(qū)域的第二基板上設(shè)置有數(shù)個(gè)第二黑矩陣，相對(duì)于每個(gè)第 二黑矩陣所對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線的中心線，每個(gè)第二黑矩陣左側(cè)部分的長(zhǎng)度大于右 側(cè)部分的長(zhǎng)度。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明液晶顯示面板的上述實(shí)施方式通過增加彩 膜基板不同區(qū)域中的第二基板上黑矩陣一側(cè)的長(zhǎng)度來增加其關(guān)鍵尺寸，可以 有效避免拍打面板時(shí)漏光現(xiàn)象的發(fā)生。與同時(shí)增加黑矩陣兩側(cè)的長(zhǎng)度來增加 其關(guān)鍵尺寸的技術(shù)方案相比，本發(fā)明液晶顯示面板可以最小化開口率的降低。下面通過附圖和實(shí)施方式，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示面板拍打后發(fā)生漏光現(xiàn)象的示意圖；圖3為本發(fā)明液晶顯示面板的具體實(shí)施方式
中左側(cè)區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明液晶顯示面板的具體實(shí)施方式
中右側(cè)區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
在LCD制程中，陣列基板與彩膜基板在真空狀態(tài)下對(duì)合的精度對(duì)成盒后 液晶顯示面板的光學(xué)性能有著至關(guān)重要的影響，即對(duì)合偏差的最大允許值 (Assembly Margin)是液晶顯示面板制程中一個(gè)重要的參數(shù)。上述對(duì)合偏差 的最大允許值A(chǔ) (參見圖1)為屏蔽條的寬度與屏蔽條外側(cè)到黑矩陣外側(cè)的距 離之和。當(dāng)對(duì)合偏差接近或超過對(duì)合偏差的最大允許值時(shí)，將會(huì)出現(xiàn)漏光現(xiàn) 象，從而影響成盒后液晶顯示面板的畫面品質(zhì)，尤其是對(duì)液晶顯示面板在暗 態(tài)時(shí)的亮度和對(duì)比度有較大的影響。本實(shí)施方式就是通過提高對(duì)合偏差的最 大允許值，即增加黑矩陣的關(guān)鍵尺寸(Critical Dimension,簡(jiǎn)稱CD)，來 解決當(dāng)拍打面板時(shí)，產(chǎn)生漏光現(xiàn)象的問題。但是，若增加黑矩陣的關(guān)鍵尺寸 會(huì)降低開口率，因此，本實(shí)施方式中，僅增加黑矩陣一側(cè)的長(zhǎng)度以達(dá)到增加 其關(guān)鍵尺寸的目的，將開口率的減小程度控制在最小范圍內(nèi)。
如圖3和圖4所示，為本發(fā)明液晶顯示面板的具體實(shí)施方式
的結(jié)構(gòu)示意 圖。本實(shí)施方式的液晶顯示面板包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板包 括第一基板100、屏蔽條101、柵極線(圖中未示出)、數(shù)據(jù)線102和像素電 極IT0 103。所述彩膜基板包括第二基板200;所述陣列基板和彩膜基板至少 分為左側(cè)區(qū)域和右側(cè)區(qū)域，所述彩膜基板左側(cè)區(qū)域的第二基板200上設(shè)置有 數(shù)個(gè)第一黑矩陣2011,相對(duì)于每個(gè)第一黑矩陣2011所對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線102的 中心線，每個(gè)第一黑矩陣2011右側(cè)部分的長(zhǎng)度a2大于左側(cè)部分的長(zhǎng)度al， 如圖3所示；所述彩膜基板右側(cè)區(qū)域的第二基板200上設(shè)置有數(shù)個(gè)第二黑矩 陣2012，相對(duì)于每個(gè)第二黑矩陣2012所對(duì)應(yīng)的教:據(jù)線102的中心線，每個(gè) 第二黑矩陣2012左側(cè)部分的長(zhǎng)度a3大于右側(cè)部分的長(zhǎng)度a4，如圖4所示。進(jìn)一步地，每個(gè)第一黑矩陣2011右側(cè)部分大于左側(cè)部分的長(zhǎng)度與每個(gè)第 二黑矩陣2012左側(cè)部分大于右側(cè)部分的長(zhǎng)度設(shè)置成相等的，即a2-al = a3-a4 =A, A的具體數(shù)值以能夠?qū)㈤_口率的減小程度控制在最小范圍內(nèi)為準(zhǔn)。 一般 情況下，A的范圍是2 3nm。本實(shí)施方式的液晶顯示面板通過在彩膜基板左側(cè)區(qū)域和右側(cè)區(qū)域的第二 基板上分別設(shè)置右側(cè)部分大于左側(cè)部分的第一黑矩陣2011和左側(cè)部分大于 右側(cè)部分的第二黑矩陣2012，增大了一側(cè)的對(duì)合偏差的最大允許值。當(dāng)拍 打液晶顯示面板的左面時(shí)，如圖4所示，第二黑矩陣2012左側(cè)部分大于右 側(cè)部分呈向左延伸的狀態(tài)，因此可以最小化漏光現(xiàn)象；當(dāng)拍打液晶顯示面板 的右面時(shí)，如圖3所示，第一黑矩陣2011右側(cè)部分大于左側(cè)部分呈向右延 伸的狀態(tài)，因此可以最小化漏光現(xiàn)象。本發(fā)明液晶顯示面板的陣列基板和彩膜基板不限于上述實(shí)施方式中所分 的左側(cè)和右側(cè)兩個(gè)區(qū)域，還可以進(jìn)一步再分為三個(gè)、四個(gè)或五個(gè)等多個(gè)區(qū)域， 針對(duì)各個(gè)區(qū)域?qū)诰仃囘M(jìn)行分別設(shè)計(jì)，同樣可以最小化漏光現(xiàn)象。從靠近彩 膜基板左側(cè)區(qū)域到中心區(qū)域中，中心區(qū)域中的黑矩陣與左側(cè)區(qū)域中的黑矩陣 相比，中心區(qū)域的黑矩陣的右側(cè)部分比左側(cè)部分長(zhǎng)的程度可以小于左側(cè)區(qū)域 的黑矩陣的右側(cè)部分比左側(cè)部分長(zhǎng)的程度；從靠近彩膜基板右側(cè)區(qū)域到中心 區(qū)域中，中心區(qū)域中的黑矩陣與右側(cè)區(qū)域中的黑矩陣相比，中心區(qū)域的黑矩 陣的左側(cè)部分比右側(cè)部分長(zhǎng)的程度可以小于右側(cè)區(qū)域的黑矩陣的左側(cè)部分比 右側(cè)部分長(zhǎng)的程度。進(jìn)一步地，中心區(qū)域靠近中心區(qū)域的區(qū)域中的黑矩陣還 可以設(shè)置為左側(cè)部分與右側(cè)部分相等。例如上述陣列基板和彩膜基板還可以分為相等的4個(gè)區(qū)域，從左至右 依次為第一區(qū)域(左側(cè)區(qū)域)、第二區(qū)域(中左區(qū)域)、第三區(qū)域(中右區(qū)域) 和第四區(qū)域(右側(cè)區(qū)域)。彩膜基板第一區(qū)域中的第二基板上設(shè)置的第一黑矩 陣和彩膜基板第二區(qū)域中的第二基板上設(shè)置的第三黑矩陣的右側(cè)部分比左側(cè)部分長(zhǎng)；彩膜基板第三區(qū)域中的第二基板上設(shè)置的第四黑矩陣和彩膜基板第 四區(qū)域中的第二基板上設(shè)置的第二黑矩陣的左側(cè)部分比右側(cè)部分長(zhǎng)。其中， 第三黑矩陣的右側(cè)部分比左側(cè)部分長(zhǎng)的程度可以小于第一黑矩陣的右側(cè)部分 比左側(cè)部分長(zhǎng)的程度；同樣，第四黑矩陣的左側(cè)部分比右側(cè)部分長(zhǎng)的程度也 可以小于第二黑矩陣的左側(cè)部分比右側(cè)部分長(zhǎng)的程度。進(jìn)一步地，第三黑矩 陣和第四黑矩陣還可以設(shè)置為左側(cè)部分與右側(cè)部分相等。置黑矩陣或屏蔽條的關(guān)鍵尺寸，可以有效避免拍打面板時(shí)漏光現(xiàn)象的發(fā)生。 與增加每個(gè)黑矩陣的關(guān)鍵尺寸的技術(shù)方案相比，本發(fā)明液晶顯示面板可以最 小化開口率的降低。另外，本發(fā)明盡管在實(shí)施例中給出的液晶顯示面板(陣列基板和彩膜基 板)左右區(qū)域，實(shí)際上液晶顯示面板的上下區(qū)域也應(yīng)該視為通用，即上下區(qū) 域也可一見為左側(cè)區(qū)域和右側(cè)區(qū)域。最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施方式僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì) 其限制；盡管參照前述實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通 技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施方式所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修 改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使 相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施方式技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種液晶顯示面板，包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板包括第一基板、屏蔽條、柵極線、數(shù)據(jù)線和像素電極，所述彩膜基板包括第二基板，其特征在于所述陣列基板和彩膜基板至少分為左側(cè)區(qū)域和右側(cè)區(qū)域；所述彩膜基板左側(cè)區(qū)域的第二基板上設(shè)置有數(shù)個(gè)第一黑矩陣，相對(duì)于每個(gè)第一黑矩陣所對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線的中心線，每個(gè)第一黑矩陣右側(cè)部分的長(zhǎng)度大于左側(cè)部分的長(zhǎng)度；所述彩膜基板右側(cè)區(qū)域的第二基板上設(shè)置有數(shù)個(gè)第二黑矩陣，相對(duì)于每個(gè)第二黑矩陣所對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線的中心線，每個(gè)第二黑矩陣左側(cè)部分的長(zhǎng)度大于右側(cè)部分的長(zhǎng)度。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶現(xiàn)顯示面板，其特征在于所述每個(gè)第一 黑矩陣右側(cè)部分大于左側(cè)部分的長(zhǎng)度與所述每個(gè)第二黑矩陣左側(cè)部分大于右 側(cè)部分的長(zhǎng)度相等。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶現(xiàn)顯示面板，其特征在于所述每個(gè)第 一黑矩陣右側(cè)部分大于左側(cè)部分的長(zhǎng)度為2 ~ 3薩。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶現(xiàn)顯示面板，其特征在于所述每個(gè)第 二黑矩陣左側(cè)部分大于右側(cè)部分的長(zhǎng)度為2 ~ 3一。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶現(xiàn)顯示面板，其特征在于所述彩膜基板 還包括設(shè)置在所述彩膜基板左側(cè)區(qū)域和右側(cè)區(qū)域之間的中左區(qū)域和中右區(qū) 域；所述中左區(qū)域的第二基板上設(shè)置有數(shù)個(gè)第三黑矩陣，相對(duì)于每個(gè)第三黑 矩陣所對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線的中心線，每個(gè)第三黑矩陣右側(cè)部分的長(zhǎng)度大于左側(cè)部 分的長(zhǎng)度；所述中左區(qū)域的第二基板上設(shè)置有數(shù)個(gè)第四黑矩陣，相對(duì)于每個(gè) 第四黑矩陣所對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線的中心線，每個(gè)第四黑矩陣左側(cè)部分的長(zhǎng)度大于 右側(cè)部分的長(zhǎng)度。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶現(xiàn)顯示面板，其特征在于所述第三黑矩 陣右側(cè)部分大于左側(cè)部分的長(zhǎng)度小于所述第一黑矩陣右側(cè)部分大于左側(cè)部分 的長(zhǎng)度；所述第四黑矩陣左側(cè)部分大于右側(cè)部分的長(zhǎng)度小于所述第二黑矩陣 左側(cè)部分大于右側(cè)部分的長(zhǎng)度。
7、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶現(xiàn)顯示面板，其特征在于所述彩膜基板 還包括設(shè)置在所述彩膜基板左側(cè)區(qū)域和右側(cè)區(qū)域之間的中左區(qū)域和中右區(qū) 域；所述中左區(qū)域的第二基板上設(shè)置有數(shù)個(gè)第三黑矩陣，每個(gè)第三黑矩陣關(guān) 于其所對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線的中心線對(duì)稱；所述中右區(qū)域的第二基板上設(shè)置有數(shù)個(gè) 第四黑矩陣，每個(gè)第四黑矩陣關(guān)于其所對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線的中心線對(duì)稱。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板，包括陣列基板和彩膜基板，陣列基板包括第一基板、屏蔽條、柵極線、數(shù)據(jù)線和像素電極，彩膜基板包括第二基板，其中陣列基板和彩膜基板至少分為左側(cè)區(qū)域和右側(cè)區(qū)域；彩膜基板左側(cè)區(qū)域的第二基板上設(shè)置有數(shù)個(gè)第一黑矩陣，相對(duì)于每個(gè)第一黑矩陣所對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線的中心線，每個(gè)第一黑矩陣右側(cè)部分的長(zhǎng)度大于左側(cè)部分的長(zhǎng)度；彩膜基板右側(cè)區(qū)域的第二基板上設(shè)置有數(shù)個(gè)第二黑矩陣，相對(duì)于每個(gè)第二黑矩陣所對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線的中心線，每個(gè)第二黑矩陣左側(cè)部分的長(zhǎng)度大于右側(cè)部分的長(zhǎng)度。本發(fā)明液晶顯示面板通過增加彩膜基板不同區(qū)域中的第二基板上黑矩陣一側(cè)的長(zhǎng)度來增加其關(guān)鍵尺寸，可以有效避免拍打面板時(shí)漏光現(xiàn)象的發(fā)生。
文檔編號(hào)G02F1/1335GK101398560SQ20071012251
公開日2009年4月1日 申請(qǐng)日期2007年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月26日
發(fā)明者吳東起 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司