專利名稱：光波導(dǎo)器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
符合本發(fā)明的設(shè)備和制造方法涉及一種包括基板上的光波導(dǎo)部分和光學(xué)器件安裝部分的光波導(dǎo)器件。
背景技術(shù)：
在光存取市場中使用的光學(xué)收發(fā)機(jī)大致分成由激光二極管(LD)、光電探測器(PD)、薄膜濾光器和透鏡組成的微型光學(xué)模塊、以及通過在硅基板上制造硅石波導(dǎo)以及表面安裝LD和PD而配置的平面光波電路(PLC)。雖然它們兩個都具有優(yōu)缺點，但后者在成本和輸送方面是更有利的，因為它不需要光軸調(diào)節(jié)。不需要光軸調(diào)節(jié)的該安裝方法通常稱為“被動對準(zhǔn)安裝(passive alignment mounting)”。在被動對準(zhǔn)安裝中，通過利用紅外發(fā)射的光來對配置到光波導(dǎo)芯片和光學(xué)部件的對準(zhǔn)標(biāo)記執(zhí)行圖像檢測和識別，從而確定光學(xué)部件相對光波導(dǎo)芯片的平面位置。通過被稱為基座的塊的高度來確定光學(xué)部件的垂直位置。因為基座高度可以以高精度制造，所以能夠通過在基座上安裝光學(xué)部件而使該高度以高精度與光波導(dǎo)匹配。
在日本專利號2,823,044中公開了該種光波導(dǎo)器件。圖3示出了在該專利中公開的現(xiàn)有技術(shù)的光波導(dǎo)器件的分解透視圖。在圖3中，光波導(dǎo)器件50包括光波導(dǎo)部分56，其由具有形成在硅基板51上的下覆層521和522、芯層53和上覆層54的光波導(dǎo)形成層55組成。光波導(dǎo)器件50還包括光子器件安裝部分57，其通過除去一部分光波導(dǎo)形成層55來構(gòu)成。安裝在光子器件安裝部分57上的發(fā)光器件58光學(xué)連接至光波導(dǎo)部分56的端面，其通過除去一部分光波導(dǎo)形成層55而暴露。
光子器件安裝部分57包括基座塊59、由下覆層521組成的對準(zhǔn)標(biāo)記60、由配置在基座塊59上的鉻(Cr)膜61組成的基座塊形成掩模62、和接觸掩模62的發(fā)光器件58。下覆層521和522、芯層53和上覆層54是常壓(atmosphere)化學(xué)氣相淀積(CVD)膜。
換句話說，光波導(dǎo)器件50是在具有光波導(dǎo)電路的PLC芯片上表面安裝發(fā)光器件58的結(jié)果。
圖4示出了制造圖3的光波導(dǎo)器件的方法的截面圖，該操作按照圖4(a)至圖4(h)的順序進(jìn)行。在下文，將基于圖3和圖4給出說明。
在圖4(a)中，下覆層521形成為膜，作為硅基板51上的第一層。
在圖4(b)中，在下覆層521上構(gòu)圖如下的鉻膜61，所述的鉻膜隨后成為用于形成基座塊的掩模。這里，同時構(gòu)圖如下的鉻膜61，所述的鉻膜成為用于形成安裝發(fā)光器件58所需的對準(zhǔn)標(biāo)記的掩模。
在圖4(c)中，下覆層522形成為膜，作為第二層。
在圖4(d)中，在下覆層552上淀積芯層53，該芯層成為光波導(dǎo)部分56的核心，并通過干蝕刻構(gòu)圖該波導(dǎo)。
在圖4(e)中，淀積上覆層541作為用于嵌入芯層53的第一層并在高溫下進(jìn)行回流處理。上覆層541由低熔融膜構(gòu)成?；亓魈幚淼臏囟韧ǔ?00℃至900℃。
在圖4(f)中，上覆層542是作為第二層而形成的膜，從而完成了波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。
在圖4(g)中，淀積鉻膜63和光致抗蝕劑膜64，并構(gòu)圖以便只有鉻膜63留在作為光波導(dǎo)部分56的光波導(dǎo)形成層55上。最后，通過利用鉻膜63作為蝕刻掩模，通過干蝕刻暴露出芯層53的端面。而且，通過利用構(gòu)圖的鉻膜61作為掩模62而形成基座塊59和對準(zhǔn)標(biāo)記60，從而完成了光波導(dǎo)器件。
其后，如所需要的那樣進(jìn)行鉻膜的去除、以及絕緣膜和電極金屬的膜形成和構(gòu)圖。例如，在圖4(h)中除去鉻膜63。
在光波導(dǎo)器件50中，光波導(dǎo)部分56的芯層53和基座塊59的高度僅由膜形成設(shè)備的精度控制。由于晶片表面的變化，膜形成設(shè)備的精度為大約1％。因此，當(dāng)下覆層522的膜厚度為1.5μm時，芯層53和基座塊59之間的高度間隙僅為15nm。因此，通過利用對準(zhǔn)標(biāo)記60調(diào)節(jié)水平方向和在基座塊59上安裝發(fā)光器件58，能夠進(jìn)行高精度的光學(xué)耦合而進(jìn)行無需光軸調(diào)節(jié)。更具體地，發(fā)光器件58的有源層581和芯層53以高精度相對。順便提及，在圖4中，示出了每個單個操作的熱處理溫度。
由等離子CVD制備的膜可以具有高的折射率，并因此能夠增加芯和覆層之間的折射率差，以顯著提高設(shè)計時的靈活性。然而，通過等離子CVD形成的薄膜需要在高溫下進(jìn)行熱處理，一般在1,100℃左右。
在光波導(dǎo)器件50中，芯層53是如前所述的常壓CVD膜。這是因為，如果芯層53是等離子CVD膜，則通過在高溫下熱處理而氧化了鉻膜61，并且基座塊形成掩模62不再能正確地發(fā)揮作用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示范性實施例克服了上述缺點和以上沒有描述的其它缺點。而且，本發(fā)明不需要克服以上描述的缺點，并且本發(fā)明的示范性實施例可以不克服以上描述的任何問題。
描述了一種光波導(dǎo)器件，其能夠通過等離子CVD形成芯層，并且甚至需要高溫?zé)崽幚頃r，也能夠高精度地制造基座塊。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種光波導(dǎo)器件，其包括光波導(dǎo)部分和光子器件安裝部分。光波導(dǎo)部分包括具有形成在基板上的下覆層、芯層和上覆層的光波導(dǎo)形成層。光子器件安裝部分是通過除去一部分光波導(dǎo)形成層來構(gòu)成的。安裝在光子器件安裝部分上的光子器件光學(xué)連接至光波導(dǎo)部分的端面，其通過除去一部分光波導(dǎo)形成層而暴露。在光子器件安裝部分中，除去芯層和上覆層。光子器件安裝部分包括保留的部分下覆層和由配置在下覆層上的薄膜組成的掩模。該光子器件接觸掩模。該掩模用作蝕刻掩模以保留部分下覆層。至少該芯層由等離子CVD膜組成。
因為芯層由等離子CVD膜組成，所以該芯的折射率可以是高的。因此，能夠增加芯和覆層之間的折射率差，并顯著提高設(shè)計光波導(dǎo)的靈活性。等離子CVD膜可在1,000℃或以上、優(yōu)選在1,100℃或以上、更希望在1,200℃或以上形成膜后退火。在該情況下，可以增加該芯的折射率。
對構(gòu)成下覆層的各層沒有限制。例如，它可由淀積的第一和第二層組成。在該情況下，光子器件安裝部分具有第二層，并且去除了芯層和上覆層。而且，光子器件安裝部分包括部分留下的第一層和由配置在第一層上的薄膜組成的掩模。該掩模用作蝕刻掩模以部分留下第一層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種具有光波導(dǎo)部分和光子器件安裝部分的光波導(dǎo)器件的制造方法。光波導(dǎo)部分包括具有形成在基板上的下覆層、芯層和上覆層的光波導(dǎo)形成層。通過去除一部分光波導(dǎo)形成層來形成光子器件安裝部分。安裝在光子器件安裝部分上的光子器件光學(xué)連接至光波導(dǎo)部分的端面，其通過去除一部分光波導(dǎo)形成層而被暴露。該方法包括以下的第一至第七操作。
在第一操作中，在基板上形成下覆層。在第二操作中，在要成為光子器件安裝部分的部分上形成包括第一薄膜的蝕刻停止層。在第三操作中，在要成為光波導(dǎo)部分的部分上形成芯層。在第四操作中，在要成為光子器件安裝部分的部分上以及在要成為光波導(dǎo)部分的部分上形成上覆層。在第五操作中，在要成為光子器件安裝部分的部分中通過利用蝕刻停止層去除上覆層。在第六操作中，在蝕刻停止層上或在去除蝕刻停止層之后在蝕刻停止層的位置上形成包括第二薄膜的掩模。在第七操作中，在要成為光子器件安裝部分的部分中通過利用該掩模去除下覆層。
至于將成為掩模的第二薄膜，去除了在蝕刻停止層上的芯層和上覆層，并如所需要的那樣去除蝕刻停止層，然后在其上形成第二薄膜。因此，即使下覆層和芯層在形成第二薄膜之前在高溫下經(jīng)受熱處理，對第二薄膜也沒有影響。在制造工藝期間，一直通過蝕刻停止層或掩模來保護(hù)確定基座塊的高度精度的蝕刻停止層下面或掩模下面的下覆層。因此，甚至當(dāng)需要高溫下熱處理時，也能夠以高精度制造基座塊，而不會損傷掩模的功能。
在第一操作和第三操作中通過等離子CVD還能夠形成至少芯層。在第六操作之前，該方法還可包括在1,000℃或以上、優(yōu)選1,100℃或以上、更希望在1,200℃或以上對下覆層和芯層進(jìn)行退火的操作。例如，通過等離子CVD在基板上淀積下覆層和芯層，通過干蝕刻形成光波導(dǎo)部分，并在1,000℃或以上退火下覆層和芯層，然后在芯層上形成上覆層。在該情況下，還可在該芯層的膜形成之后以及在下覆層的膜形成之后進(jìn)行退火。
此外，下覆層可以由淀積的第一和第二層組成。在該情況下，在第一操作中在基板上形成第一層。在第三操作中，在要成為光子器件安裝部分的部分上和在要成為光波導(dǎo)部分的部分上形成第二層，然后在要成為光波導(dǎo)部分的部分上形成芯層。在第五操作中，在要成為光子器件安裝部分的部分中通過利用蝕刻停止層去除第二層和上覆層。在第七操作中，在要成為光子器件安裝部分的部分中通過利用掩模去除第一層。因此，能夠與用于在其上配置蝕刻停止層的下覆層相分離地形成與芯層接觸的下覆層。配置兩個下覆層的主要原因是使光子器件的有源層的高度與光波導(dǎo)部分的芯層的高度相匹配。此外，可以使高度的誤差變小，因為光子器件的有源層和光波導(dǎo)部分的芯層的高度精度僅由第二層的膜厚度精度確定。
至少上覆層中的一個可由常壓CVD膜組成。因為不需要增加覆層的折射率，所以可以使用常壓CVD膜，對于常壓CVD膜熱處理溫度相對較低，以避免產(chǎn)生無用的熱應(yīng)力。此外，應(yīng)當(dāng)優(yōu)選石英膜，例如具有低熔點和諸如硼或磷等摻雜劑的硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)膜。利用BPSG膜減小了熱應(yīng)力并便于芯的嵌入。還提高了平坦性并由此便于后處理構(gòu)圖。
換句話說，根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，甚至在必要的高溫處理之后，通過利用高耐熱且與氧化膜具有高蝕刻選擇性的材料作為形成基座的蝕刻掩模，也能夠制造高精度的基座。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，該芯層由等離子CVD膜組成，結(jié)果可以導(dǎo)致較高的該芯層的折射率。因此，能夠增加芯層和覆層之間的折射率差，以顯著提高設(shè)計光波導(dǎo)的靈活性。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，去除蝕刻停止層上的芯層和上覆層，并如所需要的那樣去除蝕刻停止層，然后在其上形成成為掩模的第二薄膜。因此，即使下覆層和芯層在形成第二薄膜之前在高溫下經(jīng)受熱處理，對第二薄膜也沒有影響。在制造工藝期間，一直通過蝕刻停止層或掩模來保護(hù)確定基座塊的高度精度的蝕刻停止層或掩模下面的下覆層。因此，甚至需要在高溫下熱處理時，也能夠制造高精度的基座塊，而不會損傷掩模的功能。


通過參考附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示范性實施例，本發(fā)明的以上和其它方面將變得更加顯而易見，其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的光波導(dǎo)器件的實施例的分解透視圖；圖2(a)至圖2(1)示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的光波導(dǎo)器件的制造方法的截面圖；圖3示出了相關(guān)技術(shù)的光波導(dǎo)器件的分解透視圖；和圖4(a)至圖4(h)示出了圖3的相關(guān)技術(shù)的光波導(dǎo)器件的制造方法的截面圖。
具體實施例方式
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的光波導(dǎo)器件的分解透視圖。
圖1示出了光波導(dǎo)器件10，其包括光波導(dǎo)部分16，該光波導(dǎo)部分包括形成在硅基板11上的具有下覆層121和122、芯層13和上覆層14的光波導(dǎo)形成層15。光波導(dǎo)器件10還包括通過除去一部分光波導(dǎo)形成層15而形成的光子器件安裝部分17。安裝在光子器件安裝部分17上的發(fā)光器件18光學(xué)連接至光波導(dǎo)部分16的端面，其通過除去一部分光波導(dǎo)形成層15而被暴露。
光子器件安裝部分17包括基座塊19、對準(zhǔn)標(biāo)記20和掩模22?；鶋K19和對準(zhǔn)標(biāo)記20由部分保留的下覆層121組成。在基座塊19和對準(zhǔn)標(biāo)記20的上部中，除去了下覆層122、芯層13和上覆層14。掩模22包括配置在下覆層121上的鉻膜21。發(fā)光器件18接觸掩模22。掩模22用作蝕刻掩模以部分留下下覆層121。
下覆層121和122以及芯層13由等離子CVD膜組成。等離子CVD膜在膜形成后在1,000℃或以上退火。通過利用該膜，能夠增加芯層13和下覆層122之間的折射率差。因此，顯著提高了設(shè)計光波導(dǎo)時的靈活性。
圖2示出了圖1的光波導(dǎo)器件的制造方法，該操作按照圖2(a)至圖2(1)的順序進(jìn)行。在下文中，將基于圖1和圖2給出根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的說明。
在圖2(a)中，通過等離子CVD在硅基板11上形成下覆層121作為第一層。如果需要的話，可以在該層形成之后在約1,100℃進(jìn)行高溫退火處理。
在圖2(b)中，通過等離子CVD在下覆層121上形成SiN膜31，其隨后成為蝕刻停止層32。隨后，構(gòu)圖SiN膜31，以在用于安裝發(fā)光器件18的區(qū)域中留下SiN膜31。例如，在該情況下可以使用熱磷酸作為蝕刻劑。使用SiN的原因是高耐熱性，并且在諸如緩沖氫氟酸(NH4F/HF/H2O)的氫氟酸混合物的濕法蝕刻中具有與SiO2的高選擇性。然而，因為SiN膜的應(yīng)力通常很高，所以重要的是在該操作中通過構(gòu)圖它一次來減小應(yīng)力。利用SiN的另一原因是其還可以通過等離子CVD形成。代替SiN膜，還能夠使用SiON膜，其中在SiON膜中，N取代大。
在圖2(c)中，通過等離子CVD形成下覆層122作為第二層。如果有必要，則可以在形成該層之后在約1,100℃進(jìn)行高溫退火處理。
在圖2(d)中，再次通過等離子CVD淀積將成為芯層13的SiON膜，并通過干蝕刻在芯層13上構(gòu)圖該波導(dǎo)。其后，可在約1,100℃處進(jìn)行高溫退火處理。如果熱應(yīng)力沒有問題，則可在構(gòu)圖該波導(dǎo)之前進(jìn)行高溫退火處理。
在圖2(e)中，淀積上覆層141作為用于嵌入芯層13的第一層。然后在約850℃對上覆層141進(jìn)行回流處理以嵌入芯層13。上覆層141可以是低熔融膜，例如BPSG膜。
在圖2(f)中，形成上覆層142作為第二層以完成光波導(dǎo)形成層15。
在圖2(g)中，在光波導(dǎo)形成層15上形成光致抗蝕劑膜23，這成為光波導(dǎo)部分16。通過干蝕刻去除各二氧化硅膜，所述二氧化硅膜包括在蝕刻停止層32上的下覆層122、芯層13和上覆層14。然而，因為SiN與SiO2的選擇性低，所以優(yōu)選進(jìn)行干蝕刻直到留下少量SiO2的狀態(tài)。反應(yīng)離子蝕刻(RIE)適用于該干蝕刻。
在圖2(h)中，通過利用SiN膜31作為蝕刻停止層，通過諸如緩沖氫氟酸的氫氟酸混合物的濕法蝕刻去除剩余的SiO2。因此，將成為光子器件安裝部分17的部分與將成為光波導(dǎo)部分16的部分明顯地隔開。
在圖2(i)中，通過熱磷酸去除用作蝕刻停止層的SiN膜31。這是為了防止基座塊19的高度精度的退化。這是因為在圖2(h)中SiN膜31被蝕刻掉一點，并且不能控制SiN膜31的蝕刻量。
在圖2(j)中，通過在暴露的下覆層121上淀積鉻膜21和光致抗蝕劑膜24并構(gòu)圖該鉻膜21，從而形成了用于形成基座塊19的掩模22。同時形成用于形成對準(zhǔn)標(biāo)記20的掩模22，在安裝發(fā)光器件18時需要該對準(zhǔn)標(biāo)記。另外，同時構(gòu)圖該鉻膜21作為用于形成芯層13的端面的蝕刻掩模。
在圖2(k)中，通過利用在圖2(j)中被構(gòu)圖的鉻膜21作為蝕刻掩模，通過干蝕刻新暴露出芯層13的端面。而且，同時形成基座塊19和對準(zhǔn)標(biāo)記20。為了獲得精確的蝕刻，希望鉻膜21的蝕刻率為下覆層121的蝕刻率的1/10或以下。反應(yīng)離子蝕刻(RIE)適用于該干蝕刻。
在圖2(l)中，在基座塊19的掩模22上安裝發(fā)光器件18以設(shè)置發(fā)光器件18的有源層181和芯層13相對，并完成光波導(dǎo)器件10。在該情況下，可去除鉻膜，并且可如所需要的那樣形成和構(gòu)圖絕緣膜或電極金屬。例如，在圖2(l)中，去除光波導(dǎo)部分16上的鉻膜21。順便提及，在圖2中，示出了每個單個操作的熱處理溫度。
如上所述，用于提供根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的光波導(dǎo)器件的設(shè)備和制造方法可以獲得以下效果。在去除下覆層122、芯層13、上覆層14和蝕刻停止層32之后，在下覆層121上形成將成為掩模22的鉻膜21。因此，即使在形成鉻膜21之前下覆層121和122以及芯層13在高溫下經(jīng)受了熱處理，對鉻膜21也沒有影響。在制造工藝期間，通過蝕刻停止層32或掩模22保護(hù)下覆層121，其決定了基座塊19的高度精度。因此，甚至當(dāng)需要在高溫下進(jìn)行熱處理時，也能夠以高精度制造基座塊19，而不會損傷掩模22的功能。
換句話說，根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，在高溫退火處理之后，對成為掩模22的鉻膜21進(jìn)行構(gòu)圖以形成基座塊19。因此，能夠以高精度制造基座塊19。
雖然以上描述了本發(fā)明的示范性實施例，但要理解，對本發(fā)明的示范性實施例的多種修改對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的，而沒有脫離如在以下的權(quán)利要求和它們的法定等效物中所定義的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種光波導(dǎo)器件，包括光波導(dǎo)部分，其包括形成在基板上的下覆層；形成在所述下覆層上的芯層；和形成在所述芯層的上覆層；和光子器件安裝部分；和光子器件，其安裝在所述光子器件安裝部分上并光學(xué)地連接至所述光波導(dǎo)部分的端面，其中至少所述芯層包括等離子化學(xué)氣相淀積(CVD)膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的光波導(dǎo)器件，其中在形成所述等離子CVD膜之后，在不小于1,000℃下對所述膜進(jìn)行退火。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的光波導(dǎo)器件，其中所述下覆層包括第一覆層和第二覆層。
4.一種光波導(dǎo)器件的制造方法，該光波導(dǎo)器件包括光波導(dǎo)部分和光子器件安裝部分，所述方法包括在基板上形成下覆層；在所述光子器件安裝部分上形成蝕刻停止層；在所述光波導(dǎo)部分上形成芯層；在所述光子器件安裝部分上和在所述光波導(dǎo)部分上形成上覆層；通過利用所述蝕刻停止層作為蝕刻停止掩模來去除所述上覆層；在所述蝕刻停止層上形成掩模；和通過利用所述掩模作為蝕刻掩模，在所述光子器件安裝部分中部分地去除所述下覆層和所述蝕刻停止層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的光波導(dǎo)器件的制造方法，其中通過等離子化學(xué)氣相淀積(CVD)來形成至少所述芯層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的光波導(dǎo)器件的制造方法，進(jìn)一步包括在所述的形成所述掩模之前，在不小于1,000℃下對至少所述芯層進(jìn)行退火。
7.一種光波導(dǎo)器件的制造方法，該光波導(dǎo)器件包括光波導(dǎo)部分和光子器件安裝部分，所述方法包括在基板上形成下覆層；在所述光子器件安裝部分上形成蝕刻停止層；在所述光波導(dǎo)部分上形成芯層；在所述光子器件安裝部分上和在所述光波導(dǎo)部分上形成上覆層；通過利用所述蝕刻停止層作為蝕刻停止掩模來去除所述上覆層；去除所述蝕刻停止層；在從其去除了所述蝕刻停止層的部分上形成掩模；和通過利用所述掩模作為蝕刻掩模，在所述光子器件安裝部分中部分地去除所述下覆層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的光波導(dǎo)器件的制造方法，其中通過等離子化學(xué)氣相淀積(CVD)來形成至少所述芯層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的光波導(dǎo)器件的制造方法，進(jìn)一步包括在所述的形成所述掩模之前，在不小于1,000℃下對至少所述芯層進(jìn)行退火。
10.一種光波導(dǎo)器件的制造方法，該光波導(dǎo)器件包括光波導(dǎo)部分和光子器件安裝部分，所述方法包括在基板上形成第一下覆層；在所述光子器件安裝部分上形成蝕刻停止層；在所述光子器件安裝部分上和所述光波導(dǎo)部分上形成第二下覆層；在所述光波導(dǎo)部分上形成芯層；在所述光子器件安裝部分上和在所述光波導(dǎo)部分上形成上覆層；通過利用所述蝕刻停止層作為蝕刻停止掩模來去除所述上覆層和所述第二下覆層；在所述蝕刻停止層上形成掩模；和通過利用所述掩模作為蝕刻掩模，在所述光子器件安裝部分中部分地去除所述第一下覆層和所述蝕刻停止層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的光波導(dǎo)器件的制造方法，其中通過等離子化學(xué)氣相淀積(CVD)形成至少所述芯層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的光波導(dǎo)器件的制造方法，進(jìn)一步包括在所述的形成所述掩模之前，在不小于1,000℃下對至少所述芯層進(jìn)行退火。
13.一種光波導(dǎo)器件的制造方法，該光波導(dǎo)器件包括光波導(dǎo)部分和光子器件安裝部分，所述方法包括在基板上形成第一下覆層；在所述光子器件安裝部分上形成蝕刻停止層；在所述光子器件安裝部分上和所述光波導(dǎo)部分上形成第二下覆層；在所述光波導(dǎo)部分上形成芯層；在所述光子器件安裝部分上和在所述光波導(dǎo)部分上形成上覆層；通過利用所述蝕刻停止層作為蝕刻停止掩模來去除所述上覆層和所述第二下覆層；去除所述蝕刻停止層；在從其去除了所述蝕刻停止層的部分上形成掩模；和通過利用所述掩模作為蝕刻掩模，在所述光子器件安裝部分中部分地去除所述下覆層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的光波導(dǎo)器件的制造方法，其中通過等離子化學(xué)氣相淀積(CVD)形成至少所述芯層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的光波導(dǎo)器件的制造方法，進(jìn)一步包括在所述的形成所述掩模之前，在不小于1,000℃下對至少所述芯層進(jìn)行退火。
全文摘要
提供一種包括光波導(dǎo)部分和光子器件安裝部分的光波導(dǎo)器件。在高溫退火后對掩模進(jìn)行構(gòu)圖以形成其上安裝有發(fā)光器件的基座塊。因此，即使在制造工藝期間該器件在高溫下經(jīng)受熱處理，對掩模也沒有影響。這使得能夠形成高精度的基座塊。因此，在基座塊上安裝發(fā)光器件時能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的光學(xué)耦合。
文檔編號G02B6/136GK101063729SQ200710101939
公開日2007年10月31日 申請日期2007年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月28日
發(fā)明者渡邊真也 申請人:日本電氣株式會社