專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及一種液晶顯示(“LCD”)裝置，尤其是減輕或是有效防止由于圓柱間隔件移動(dòng)在像素電極一側(cè)周圍產(chǎn)生的紋理缺陷而導(dǎo)致的顯示缺陷的LCD裝置，以及其制造方法。
背景技術(shù)：
“LCD”裝置廣泛應(yīng)用于諸如蜂窩電話、電腦監(jiān)視器、電視等產(chǎn)品中，并且由于其具有尺寸小、重量輕和能耗低的優(yōu)點(diǎn)，對(duì)其需求正在增加。
典型的LCD裝置包括彩色濾光片基板和薄膜晶體管(“TFT”)基板，兩者之間插入有液晶層。彩色濾光片基板包括公共電極和彩色濾光片，TFT基板包括TFT和像素電極。不同的電勢(shì)施加到像素電極和公共電極上以改變液晶分子的取向，從而調(diào)節(jié)光的透射率以顯示圖像。
最近，垂直取向(“VA”)模式LCD裝置(其中當(dāng)沒有對(duì)其施加電場(chǎng)時(shí)，液晶分子的縱向或是主軸垂直于上基板或是下基板)由于具有高對(duì)比度和廣視角而引起人們的注意。
目前，在VA模式LCD裝置中，存在兩種獲得廣視角的方法。第一種方法是在一個(gè)電極中形成切口圖案，而第二種方法是在一個(gè)電極中形成突起。這兩種方法都形成一個(gè)邊緣場(chǎng)，以在四個(gè)方向上均勻分布液晶分子的傾斜方向，由此獲得廣視角。形成切口圖案的構(gòu)型垂直取向(“PVA”)模式也用作代替平面內(nèi)切換(in-plane switching)(“IPS”)模式的一種廣視角技術(shù)。
因?yàn)樵谝壕Х肿拥囊苿?dòng)過程中不存在扭轉(zhuǎn)，并且液晶分子在垂直于電場(chǎng)的方向被展開，或僅是由彈性彎曲產(chǎn)生移動(dòng)，與扭曲向列(“TN”)模式相比，PVA模式具有相對(duì)較快的響應(yīng)特性。
然而，如果包括有黑矩陣的上基板和包括有TFT的下基板由于外部物理震動(dòng)或沖擊而不對(duì)齊或移動(dòng)，黑矩陣也會(huì)移動(dòng)。在這種情況中，由于光泄漏可能會(huì)發(fā)生紋理控制缺陷，由此導(dǎo)致LCD裝置中的顯示缺陷。尤其是，如果用于保持上基板和下基板之間的單元間隙的圓柱間隔體形成在藍(lán)色像素區(qū)域附近的區(qū)域，并且該圓柱間隔體受到震動(dòng)或沖擊，則因?yàn)閳A柱間隔體在像素區(qū)域方向上的移動(dòng)，因?yàn)楣庑孤┒a(chǎn)生的紋理缺陷比其他區(qū)域更大。即使圓柱間隔體恢復(fù)到其初始位置，但藍(lán)色像素區(qū)域的紋理缺陷仍不會(huì)消除。結(jié)果，這種缺陷可導(dǎo)致顯示器亮度變差，并且還可導(dǎo)致水平線缺陷并出現(xiàn)偏黃現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明的各方面提供一種LCD裝置，其中通過改進(jìn)存儲(chǔ)延伸部分的一部分的形狀或是橋電極的一部分的形狀防止顯示缺陷，所述橋電極連接存儲(chǔ)延伸部分和位于圓柱間隔體所設(shè)置的區(qū)域中的存儲(chǔ)線，以及制造該LCD裝置的方法。
本發(fā)明的一示例性實(shí)施例提供了一種LCD裝置，包括在一個(gè)方向上設(shè)置的柵極線；在與柵極線垂直的方向上設(shè)置的數(shù)據(jù)線；在由柵極線和數(shù)據(jù)線限定的區(qū)域中設(shè)置的像素電極，其具有鄰近柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉部分的斜邊；在與像素電極的斜邊平行的方向上設(shè)置的阻光圖案，其防止光泄漏。
在本發(fā)明的一示例性實(shí)施例中，阻光圖案在與柵極線相同的平面上由與柵極線相同的金屬形成。
在本發(fā)明的一示例性實(shí)施例中，阻光圖案包括在與柵極線平行的方向上設(shè)置的第一存儲(chǔ)線用以提供存儲(chǔ)電壓；以及在與數(shù)據(jù)線平行方向上設(shè)置并從第一存儲(chǔ)線延伸的存儲(chǔ)延伸部分，其中該存儲(chǔ)延伸部分與像素電極的一側(cè)重疊。
在本發(fā)明的一示例性實(shí)施例中，LCD裝置還包括橋電極，其電連接第一存儲(chǔ)線的存儲(chǔ)延伸部分和第二存儲(chǔ)線。
在本發(fā)明的一示例性實(shí)施例中，橋電極在與像素電極相同的平面上以與像素電極相同的金屬形成。
在本方面的一示例性實(shí)施例中，阻光圖案在與像素電極相同的平面上以與像素電極相同的金屬形成。
在本發(fā)明的一示例性實(shí)施例中，LCD裝置還包括在與柵極線平行方向上設(shè)置的第一存儲(chǔ)線，用以提供存儲(chǔ)電壓；以及在與數(shù)據(jù)線平行方向上設(shè)置并從第一存儲(chǔ)線延伸的存儲(chǔ)延伸部分，其中存儲(chǔ)延伸部分與像素電極的一側(cè)重疊，并且其中阻光圖案電連接存儲(chǔ)延伸部分至第二存儲(chǔ)線，并具有與像素電極的斜邊基本上平行的斜邊。
在本發(fā)明的一示例性實(shí)施例中，阻光圖案接收存儲(chǔ)電壓。
本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例提供一種形成LCD裝置的方法，包括形成設(shè)置在一個(gè)方向上的柵極線以及設(shè)置在與柵極線垂直的方向上的數(shù)據(jù)線；形成設(shè)置在由柵極線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域中的像素電極，該像素電極的斜邊鄰近柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉部分；以及形成設(shè)置在與像素電極的斜邊平行的方向上的阻光圖案。
在一示例性實(shí)施例中，形成阻光圖案包括形成第一存儲(chǔ)線，其設(shè)置在與柵極線平行的方向上，并且在與柵極線相同的平面上由與柵極線相同的金屬形成；以及形成存儲(chǔ)延伸部分，其設(shè)置在與數(shù)據(jù)線平行的方向上并從第一存儲(chǔ)線延伸，其中存儲(chǔ)延伸部分重疊像素電極的一側(cè)。
在一示例實(shí)施例中，形成阻光圖案還包括形成與像素電極的斜邊基本平行的存儲(chǔ)線的一部分；以及形成與像素電極的斜邊基本平行的存儲(chǔ)延伸部分的一端的一側(cè)。
在一示例性實(shí)施例中，該方法還包括形成橋電極，其將第一存儲(chǔ)線的存儲(chǔ)延伸部分和第二存儲(chǔ)線電連接。
在一示例性實(shí)施例中，形成橋電極包括在與像素電極相同的平面上以與像素電極相同金屬，形成與像素電極的斜邊基本平行的橋電極的一側(cè)。
在一示例性實(shí)施例中，在形成像素電極時(shí)，在與像素電極相同的平面上以與像素電極相同的金屬形成阻光圖案。
在一示例性實(shí)施例中，該方法還包括形成設(shè)置在與柵極線平行的方向上的第一存儲(chǔ)線，形成設(shè)置在與數(shù)據(jù)線平行的方向上并從第一存儲(chǔ)線延伸的存儲(chǔ)延伸部分，以及形成電連接存儲(chǔ)延伸部分至第二存儲(chǔ)線的阻光圖案。


將通過參照附圖描述的特定示例性實(shí)施例來描述本發(fā)明的上述和其他方面、特征和優(yōu)點(diǎn)。其中，圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的TFT基板的頂視圖；
圖2是沿圖1的I-I’線截取的截面圖；圖3A至圖3E示出制造根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的圖1和圖2的TFT基板的過程的截面圖；圖4示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的TFT基板的頂視圖；圖5是沿圖4的I-I’線的截面圖；圖6A至6E示出制造根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的圖4和5的TFT基板的過程的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下文將參照示出本發(fā)明實(shí)施例的附圖來更全面地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以以其他不同的方式實(shí)施，而不應(yīng)被理解為限于此處描述的示例性實(shí)施方式。更確切的說，提供這些實(shí)施例是為了能夠更全面和徹底地公開本發(fā)明，并且將本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在這些附圖中，為了清楚起見，層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸可能會(huì)被夸大。
應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一元件或?qū)颖环Q為“在......上”、“連接于”或“耦合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，其可以是直接在......上、連接于或耦合到另一元件或?qū)?，或是可以存在中間元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)一元件被稱為“直接在......上”、“直接連接于”或“直接耦合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，其中則沒有中間元件或?qū)?。全文中相同?biāo)記代表相同元件。如此處所使用的，術(shù)語“和/或”包括一或多個(gè)相關(guān)列出項(xiàng)目的任意和全部組合。
空間相關(guān)術(shù)語，例如“在......之下”、“在......下面”、“下面的”、“在......上方”、“上面的”等，可用于此處來簡單地描述圖中所示的一元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解，空間相關(guān)術(shù)語其意在包括除圖中描述的方向之外的裝置在使用或操作中的不同方向。例如，如果圖中裝置被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其他元件和特征“在......下面”、“下面的”的元件將被定向?yàn)樵谄渌吞卣鳌霸?.....上方”、“上面的”。因此，示例性術(shù)語“在......下面”可包括之上和之下的方向。該裝置可以是其它方向(旋轉(zhuǎn)90度或在其它方向上)從而相應(yīng)地解釋此處使用的空間相關(guān)描述符。
此處使用的術(shù)語僅被用于說明特定實(shí)施例而并非要限制本發(fā)明。如此處所使用的，單數(shù)形式詞“一”和“該”也意味著包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有清楚的指示。還應(yīng)該理解，術(shù)語“包括”和/或“包括著”，當(dāng)用于本說明書中時(shí)，指明了確定的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、和/或部件的存在，但不排除其中存在或附加一或多個(gè)其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組。
除非另有說明，此處使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科技術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的術(shù)人員的通常理解相同的含義。還應(yīng)當(dāng)理解，這些術(shù)語，例如在通用詞典中定義的，應(yīng)被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域上下文中的意義一致的含義，而不應(yīng)理想化或過于形式化方式地解釋，除非此處明確地這樣限定。
下文將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的TFT基板的頂視圖。圖2是沿圖1中I-I’線截取的截面圖。
參照?qǐng)D1和2，TFT基板包括設(shè)置在橫向方向上的柵極線21，設(shè)置在垂直于柵極線21的方向上的數(shù)據(jù)線60，設(shè)置在由柵極線21和數(shù)據(jù)線60限定的像素區(qū)域中的像素電極100，設(shè)置在柵極線21平行方向上以施加存儲(chǔ)電壓的存儲(chǔ)線22，從存儲(chǔ)線22延伸并設(shè)置在平行于數(shù)據(jù)線60的方向上的存儲(chǔ)延伸部分23。存儲(chǔ)線21和存儲(chǔ)延伸部分23構(gòu)成了存儲(chǔ)電極。像素電極100具有鄰近柵極線21和數(shù)據(jù)線60交叉點(diǎn)的斜邊100a。換言之，像素電極100的斜邊100a的形成是通過從像素電極上去除一個(gè)角。存儲(chǔ)延伸部分23與像素電極100的鄰近數(shù)據(jù)線60的一側(cè)重疊，并且還具有對(duì)應(yīng)于(通常為平行于)像素電極100的斜邊100a的斜邊23a。存儲(chǔ)線22和存儲(chǔ)延伸部分23構(gòu)成了阻光圖案。
柵極線21提供掃描信號(hào)，而數(shù)據(jù)線60提供圖像數(shù)據(jù)信號(hào)。柵極絕緣層30(圖2)位于柵極線21和數(shù)據(jù)線60之間。在像素區(qū)域中形成連接?xùn)艠O線21和數(shù)據(jù)線60的TFT。
TFT包括從柵極線21延伸的柵極20，從數(shù)據(jù)線60延伸的源極50，與像素電極100電連接的漏極40，以及半導(dǎo)體層31，其具有在源極50和漏極40之間的通道區(qū)域，并且疊置于柵極20之上，而柵極絕緣層30置于其間。TFT還包括歐姆接觸層32，其用于提供在源極50和漏極40與半導(dǎo)體層31之間的歐姆接觸。TFT響應(yīng)柵極線21的掃描信號(hào)將數(shù)據(jù)線60的圖像數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸至像素電極100。
在基板10的整個(gè)表面上形成鈍化膜90。像素電極100形成在鈍化膜90上，并通過穿過鈍化膜90形成的像素接觸孔70電連接至漏極40上。從TFT接收到圖像數(shù)據(jù)信號(hào)的像素電極100利用與彩色濾光片基板的公共電極的電壓差來驅(qū)動(dòng)液晶層而改變光透射率。像素電極100包括將像素區(qū)域分為多個(gè)域的至少兩個(gè)狹縫101和102。在像素電極的上部和下部，這兩個(gè)狹縫101和102在橫向軸方向上以預(yù)定的角度對(duì)稱設(shè)置。在一示例性實(shí)施例中，第一狹縫101和第二狹縫102彼此垂直設(shè)置。第一狹縫101和第二狹縫102在多個(gè)方向上均勻分散邊緣場(chǎng)的方向以在一個(gè)像素中形成多個(gè)域。像素電極100的斜邊100a(設(shè)置為與柵極線21和數(shù)據(jù)線60的交叉點(diǎn)相鄰)用來防止像素電極100與橋電極110交疊，所述橋電極110連接存儲(chǔ)延伸部分23和下一級(jí)的存儲(chǔ)線22。
阻光圖案包括存儲(chǔ)線22和存儲(chǔ)延伸部分23。阻光圖案與像素電極100交疊。存儲(chǔ)電壓施加到阻光圖案以便在一幀期間中保持加載到像素電極100上的數(shù)據(jù)電壓。
存儲(chǔ)線22設(shè)置在與柵極線21平行的方向上并提供存儲(chǔ)電壓。從存儲(chǔ)線22延伸的存儲(chǔ)延伸部分23設(shè)置在與數(shù)據(jù)線60平行的方向上。
存儲(chǔ)延伸部分23形成在與數(shù)據(jù)線60平行的方向上，并且與像素電極100鄰近數(shù)據(jù)線60的一側(cè)交疊。存儲(chǔ)延伸部分23的一端通過橋電極110電連接至下一級(jí)存儲(chǔ)線22。存儲(chǔ)延伸部分23具有基本平行于像素電極100的斜邊100a的斜邊23a，從而防止可能在像素電極100的邊緣區(qū)域出現(xiàn)的漏光。另外，存儲(chǔ)線22具有與像素電極100的斜邊100a基本平行的斜邊，以防止光泄漏。
因此，阻光圖案防止由于彩色濾光片基板和TFT基板未對(duì)齊而可能在像素電極100的邊緣區(qū)域發(fā)生的漏光。
即使由于外部沖擊或是震動(dòng)而引起位于圖1中的區(qū)域“A”中的圓柱間隔體移動(dòng)，也能通過存儲(chǔ)延伸部分23端部的斜邊23a防止光泄漏。因此，防止了在像素電極100的邊緣可能出現(xiàn)的紋理缺陷。尤其是，即使在圓柱間隔體鄰近藍(lán)色單元像素設(shè)置的情況中，盡管圓柱間隔體移動(dòng)也仍然能防止偏黃現(xiàn)象。因此，提高了LCD裝置的顯示質(zhì)量。
存儲(chǔ)延伸部分23的端部經(jīng)由第一連接孔80電連接至橋電極110，并且下一級(jí)的存儲(chǔ)線22經(jīng)由第二連接孔81電連接至橋電極110。這樣，存儲(chǔ)線22和存儲(chǔ)延伸部分23通過橋電極110彼此電連接。
在一示例性實(shí)施例中，橋電極110由透明導(dǎo)電材料，例如氧化銦錫(“ITO”)或是氧化銦鋅(“IZO”)制成。
圖3A至3E是示出根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的圖1和2的TFT基板的制造過程的截面圖。
參照?qǐng)D3A，包括柵極線21(在圖3A中未示出)、柵極20和阻光圖案的第一導(dǎo)電圖案組使用第一掩模工序形成在基板10上。阻光圖案包括存儲(chǔ)線22和具有斜邊的存儲(chǔ)延伸部分23。
更具體地說，第一導(dǎo)電層使用例如濺射技術(shù)沉積在基板10上。第一導(dǎo)電層可由Al(鋁)、Cr(鉻)、Cu(銅)、Mo(鉬)，它們的合金或是它們的組合形成。此外，第一導(dǎo)電層可以是單層結(jié)構(gòu)或是多層結(jié)構(gòu)。通過使用第一掩模的光刻工序和蝕刻工序的而形成第一導(dǎo)電圖案組以構(gòu)型第一導(dǎo)電層，該第一導(dǎo)電圖案組包括柵極線21、柵極20、存儲(chǔ)線22和具有斜邊23a的存儲(chǔ)延伸部分23。存儲(chǔ)線22具有基本上與像素電極100的斜邊110a相平行的斜邊以防止漏光。
參照?qǐng)D3B，使用第一掩模工序，柵極絕緣層30、半導(dǎo)體層31和歐姆接觸層32順序形成在前面形成有第一導(dǎo)電圖案組的基板10上。
更具體地說，通過使用例如離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(“PECVD”)技術(shù)將柵極絕緣層30、非晶硅層和高密度摻雜非晶硅層順序形成在具有第一導(dǎo)電圖案組的基板10上。通過使用第二掩模的光刻工序和蝕刻工序的構(gòu)型非晶硅層和高密度摻雜非晶硅層從而形成半導(dǎo)體層31和歐姆接觸層32。在一示例性實(shí)施例中，柵極絕緣層30由無機(jī)材料例如SiNx或SiOx形成。
參照?qǐng)D3C，在前面形成有半導(dǎo)體層30和歐姆接觸層32的基板10上，使用第三掩模工序形成包括數(shù)據(jù)線60、源極50和漏極40的第二導(dǎo)電圖案組。
更具體的說，在與存儲(chǔ)延伸部分23平行的方向上在柵極絕緣層30上形成數(shù)據(jù)線60，并且在柵極絕緣層30上形成源極50和漏極40以覆蓋歐姆接觸層32的兩端。源極50從數(shù)據(jù)線60延伸。為了形成第二導(dǎo)電圖案組，使用例如濺射技術(shù)在基板10的整個(gè)表面上沉積第二導(dǎo)電層，并通過使用第三掩模的光刻工序和蝕刻工序?qū)ζ錁?gòu)型。第二導(dǎo)電層可由Al、Cr、Cu、Mo，它們的合金或是它們的組合形成。此外，第二導(dǎo)電層可以是單層結(jié)構(gòu)或是多層結(jié)構(gòu)。
參照?qǐng)D3D，通過使用第四掩模工序，包括像素接觸孔70以及第一和第二接觸孔80、81(接觸孔81未示出在圖3D的截面圖中)的鈍化膜90形成在基板10的整個(gè)表面上。
更具體地說，通過使用諸如PECVD技術(shù)或是旋轉(zhuǎn)涂敷技術(shù)的沉積技術(shù)，在基板10的整個(gè)表面形成鈍化膜90。通過使用第四掩模的光刻工序和蝕刻工序，在鈍化膜90中形成像素接觸孔70和第一接觸孔80和第二接觸孔81。像素接觸孔70穿透鈍化膜90以露出漏極40的一部分，同時(shí)第一接觸孔80穿透柵極絕緣層30和鈍化層90以露出存儲(chǔ)延伸部分23端部的一部分，而第二接觸孔81(圖1)穿透柵極絕緣層30和鈍化膜90以露出下一級(jí)的存儲(chǔ)線22的一部分。鈍化層90可由例如有機(jī)絕緣材料或是與柵極絕緣層30類似的無機(jī)絕緣材料構(gòu)成。
最后，參照?qǐng)D3E，使用第五掩模工序在鈍化膜90上形成像素電極100和橋電極110。
更具體的說，通過例如濺射技術(shù)在鈍化膜90上沉積透明導(dǎo)電層。通過使用第五掩模的光刻工序和蝕刻工序來構(gòu)型透明導(dǎo)電層，從而形成像素電極100和橋電極110。在像素電極100中，第一狹縫101和第二狹縫102也被構(gòu)型。構(gòu)型橋電極110從而使存儲(chǔ)延伸部分23的端部連接到下一級(jí)的存儲(chǔ)線22上。為了避免與橋電極110交疊，像素電極100的每個(gè)角部分具有斜邊。透明導(dǎo)電層例如由諸如ITO、IZO和氧化錫(TO)的透明材料形成。像素電極100通過像素連接孔70電連接到漏電極40上，而橋電極110分別通過第一和第二連接孔80和81電連接至存儲(chǔ)延伸部分23和下一級(jí)的存儲(chǔ)線22。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的TFT陣列基板的頂視圖，圖5是沿圖4中I-I’線截取的截面圖。
除了連接到存儲(chǔ)延伸部分23端部的橋電極110的一部分形狀不同以外，圖4和圖5所示實(shí)施例的TFT基板包括與圖1和2中實(shí)施例的TFT基板相同或相似的部件。因此，為簡潔起見，在下面的描述中，省略該實(shí)施例與前面的實(shí)施例的說明的相同部分。
參照?qǐng)D4和5，TFT陣列基板包括在橫向上設(shè)置的柵極線21，在與柵極線21垂直的方向上設(shè)置的數(shù)據(jù)線60，在由柵極線21和數(shù)據(jù)線60限定的像素區(qū)域中設(shè)置的像素電極100，在與柵極線21平行的方向上設(shè)置以提供存儲(chǔ)電壓的存儲(chǔ)線21，從存儲(chǔ)線22延伸并在與數(shù)據(jù)線60平行的方向上設(shè)置的存儲(chǔ)延伸部分23，以及電連接存儲(chǔ)延伸部分23和下一級(jí)的存儲(chǔ)線22的橋電極110。像素電極100在鄰近柵極線21和數(shù)據(jù)線60的交叉點(diǎn)處具有斜邊100a。換言之，通過去除像素電極100的一個(gè)角來形成像素電極100的斜邊100a。存儲(chǔ)延伸部分23與像素電極100臨近數(shù)據(jù)線60的一側(cè)交疊。然而，與圖1的實(shí)施例對(duì)比，連接橋電極110的存儲(chǔ)延伸部分23的端部不具有斜邊部分。取而代之的是，橋電極110具有至少一個(gè)對(duì)應(yīng)于(并且基本平行于)像素電極100的斜邊100a的斜邊110a。在所描述的示例性實(shí)施例中，橋電極110的兩端部都具有斜邊，110a和110b。即，橋電極110電連接至存儲(chǔ)延伸部分23的一端具有斜邊110a，而橋電極110電連接至下一級(jí)的存儲(chǔ)線22的另一端具有斜邊110b。橋電極110的斜邊110a和110b與像素電極100的斜邊100a基本平行，由此形成水平電場(chǎng)。橋電極110為阻光圖案。
在一示例性實(shí)施例中，橋電極110由與像素電極100相同的透明導(dǎo)電材料制成。由于橋電極110的上述形狀，結(jié)果在像素電極100和橋電極110之間形成水平電場(chǎng)，從而可以控制設(shè)置在像素電極100的角部分的液晶分子。在橋電極110的斜邊110a和像素電極100的斜邊100a之間形成的電場(chǎng)由在形成于其間的邊緣場(chǎng)水平地形成，而液晶分子被垂直地驅(qū)動(dòng)，由此防止了光泄漏。因此，防止了由于像素電極100的邊緣區(qū)域的漏光而可能出現(xiàn)的紋理缺陷。
在后面的工序中，圓柱間隔體(未示出)位于柵極線21和橋電極110交疊的區(qū)域“A”中。即使由于外部的物理震動(dòng)或沖擊使圓柱間隔體移動(dòng)，在像素電極100和橋電極110之間形成的邊緣電場(chǎng)防止了異常紋理的出現(xiàn)，從而得到較高的顯示質(zhì)量。尤其是，即使在圓柱間隔體鄰近藍(lán)色單元像素排列的情況下，即使圓柱間隔體移動(dòng)也仍然可防止偏黃現(xiàn)象。
圖6A至圖6E示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的圖4和5的TFT陣列基板的制造過程。
除了橋電極具有斜邊以外，圖6A至6E的步驟與圖3A至圖3E的步驟相似或是相同，因此省略了重復(fù)的描述。
參照?qǐng)D6A，通過使用第一掩模工序?qū)ㄓ袞艠O線21(在圖6A中未示出)、柵極20、存儲(chǔ)線22和存儲(chǔ)延伸部分23的第一導(dǎo)電圖案組形成在基板10上。在該實(shí)施例中，連接至橋電極110的存儲(chǔ)延伸部分23的末端不具有斜邊部分。
更具體地說，使用例如濺射技術(shù)將第一導(dǎo)電層沉積在基板10上。第一導(dǎo)電層可由Al、Cr、Cu、Mo、它們的合金或是它們的組合形成。此外，第一導(dǎo)電層可以是單層結(jié)構(gòu)或是多層結(jié)構(gòu)。通過使用第一掩模的光刻工序以及蝕刻工序來構(gòu)型第一導(dǎo)電層，以形成包括有柵極線21、柵極20、存儲(chǔ)線22和存儲(chǔ)延伸部分23的第一導(dǎo)電圖案。
圖6B至圖6D的步驟與圖3B至3D的步驟相同，因此省略重復(fù)的描述。
參照?qǐng)D6E，通過使用第五掩模工序在鈍化膜90上形成像素電極100和橋電極110。
更具體的說，使用例如濺射技術(shù)在鈍化膜90上形成透明導(dǎo)電層。通過使用第五掩模的光刻工序和蝕刻工序來構(gòu)型透明導(dǎo)電層，由此形成像素電極100和橋電極110。第一和第二狹縫101和102也形成在像素電極100中。構(gòu)型橋電極110以連接存儲(chǔ)延伸部分23的端部和下一級(jí)的存儲(chǔ)線22。橋電極110電連接至存儲(chǔ)延伸部分23的一端具有斜邊部分110a。橋電極110電連接至下一級(jí)的存儲(chǔ)線22的另一端也可以具有斜邊部分110b。在一示例性實(shí)施例中，像素電極100的兩個(gè)角部分均具有斜邊以避免與橋電極110重疊。由于橋電極110的上述形狀，結(jié)果在像素電極100和橋電極110之間形成邊緣場(chǎng)。透明導(dǎo)電層由例如諸如ITO、IZO和TO的透明導(dǎo)電材料形成。像素電極100通過像素接觸孔70電連接至漏極40，而橋電極110分別通過第一和第二接觸孔80和81電連接至存儲(chǔ)延伸部分23和下一級(jí)的存儲(chǔ)線22。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的LCD裝置，存儲(chǔ)延伸部分和橋電極至少其中之一具有與像素電極的斜邊部分相對(duì)應(yīng)的斜邊部分，從而在存儲(chǔ)延伸部分和橋電極之一和像素電極之間形成邊緣場(chǎng)，由此防止漏光，因?yàn)橐壕Х肿颖贿吘増?chǎng)在垂直方向上驅(qū)動(dòng)。此外，即使由于外部物理沖擊使圓柱間隔體移動(dòng)，也可以防止紋理缺陷并提高了顯示質(zhì)量。
盡管已經(jīng)參照特定示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不偏離在所附權(quán)利要求中限定的本發(fā)明的精神范圍及其等同物的情況下，可對(duì)其作出多種改型和變化。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示(LCD)裝置，包括設(shè)置在一個(gè)方向上的柵極線；設(shè)置在與柵極線垂直的方向上的數(shù)據(jù)線；設(shè)置在由柵極線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域中的像素電極，其具有與柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉部分相鄰的斜邊；以及設(shè)置在與像素電極的斜邊平行的方向上并防止漏光的阻光圖案。
2.權(quán)利要求1的LCD裝置，其中阻光圖案在與柵極線在相同的平面上，并由與柵極線相同的金屬形成。
3.權(quán)利要求2的LCD裝置，其中阻光圖案包括設(shè)置在與柵極線平行方向上以提供存儲(chǔ)電壓的第一存儲(chǔ)線；和設(shè)置在與數(shù)據(jù)線平行方向上并從第一存儲(chǔ)線延伸的存儲(chǔ)延伸部分，其中存儲(chǔ)延伸部分與像素電極的一側(cè)交疊。
4.權(quán)利要求3的LCD裝置，還包括將第一存儲(chǔ)線的存儲(chǔ)延伸部分和第二存儲(chǔ)線電連接的橋電極。
5.權(quán)利要求4的LCD裝置，其中橋電極在與像素電極相同的平面上，并由與像素電極相同的金屬形成。
6.權(quán)利要求1的LCD裝置，其中阻光圖案在與像素電極相同的平面上，并由與像素電極相同的金屬形成。
7.權(quán)利要求6的LCD裝置，還包括設(shè)置在與柵極線平行方向上以提供存儲(chǔ)電壓的第一存儲(chǔ)線；以及設(shè)置在與數(shù)據(jù)線平行的方向上并從第一存儲(chǔ)線延伸的存儲(chǔ)延伸部分，其中存儲(chǔ)延伸部分與像素電極的一側(cè)交疊，并且其中阻光圖案電連接存儲(chǔ)延伸部分和第二存儲(chǔ)線，并具有與像素電極的斜邊基本平行的斜邊。
8.權(quán)利要求1的LCD裝置，其中阻光部分接收存儲(chǔ)電壓。
9.一種形成液晶顯示(LCD)裝置的方法，該方法包括形成設(shè)置在一個(gè)方向上的柵極線以及設(shè)置在與柵極線垂直的方向上的數(shù)據(jù)線；形成設(shè)置在由柵極線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域中的像素電極，該像素電極具有與柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉部相鄰的斜邊；以及形成設(shè)置在與像素電極的斜邊平行的方向上的阻光圖案。
10.權(quán)利要求9的方法，其中形成阻光圖案包括形成第一存儲(chǔ)線，該第一存儲(chǔ)線設(shè)置在與柵極線平行的方向上，在與柵極線相同的平面上，并由與柵極線相同的金屬形成；以及形成存儲(chǔ)延伸部分，該存儲(chǔ)延伸部分設(shè)置在與數(shù)據(jù)線平行的方向上并從第一存儲(chǔ)線延伸，其中存儲(chǔ)延伸部分與像素電極的一側(cè)交疊。
11.權(quán)利要求10的方法，其中形成阻光圖案還包括將存儲(chǔ)線的一部分形成為與像素電極的斜邊基本平行；以及將存儲(chǔ)延伸部分的一端的一側(cè)形成為與像素電極的斜邊基本平行。
12.權(quán)利要求11的方法，還包括形成電連接第一存儲(chǔ)線的存儲(chǔ)延伸部分和第二存儲(chǔ)線的橋電極。
13.權(quán)利要求12的方法，其中形成橋電極包括將橋電極的一側(cè)形成為與像素電極的斜邊基本平行，并且形成在與像素電極相同的平面上，并以與像素電極相同的金屬。
14.權(quán)利要求9的方法，在形成像素電極時(shí)，在與像素電極相同的平面上由與像素電極相同的金屬形成阻光圖案。
15.權(quán)利要求14的方法，還包括形成設(shè)置在與柵極線平行的方向上的第一存儲(chǔ)線；形成設(shè)置在與數(shù)據(jù)線平行的方向上并從第一存儲(chǔ)線延伸的存儲(chǔ)延伸部分；以及形成電連接存儲(chǔ)延伸部分至第二存儲(chǔ)線的阻光圖案。
全文摘要
液晶顯示(LCD)裝置及其制造方法，包括在一個(gè)方向上設(shè)置的柵極線，在與柵極線垂直的方向上設(shè)置的數(shù)據(jù)線；在由柵極線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域中設(shè)置的像素電極，其具有臨近柵極線和像素線的交叉部分的斜邊；以及在與像素電極的斜邊的平行方向上設(shè)置的防止漏光的阻光圖案。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK101017302SQ20071008605
公開日2007年8月15日 申請(qǐng)日期2007年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月6日
發(fā)明者金爀珍, 金景旭, 郭相基, 尹汝建 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社