專利名稱：制造顯示基板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造液晶顯示面板的方法，特別涉及一種制造半穿透反射式顯示基板的方法。
背景技術(shù)：
目前的液晶顯示器(以下簡(jiǎn)稱LCD)主要可分為三類穿透式LCD、反射式LCD、半穿透反射式LCD。穿透式LCD需要背光模塊作為背光源，可在較暗的環(huán)境中具有良好的能見度，但具有耗電量過大及環(huán)境光太強(qiáng)(如陽光下)時(shí)顯示不清楚的問題。反射式LCD則以反射電極層取代透明電極層，以外部光作為光源而不需背光模塊。故反射式LCD具有低耗電量的優(yōu)點(diǎn)，但在黑暗環(huán)境下無法作用。
而半穿透反射式LCD同時(shí)具有穿透區(qū)及反射區(qū)，并利用背光模塊與外部的光作為光源。因此，半穿透反射式LCD可避免全穿透式或全反射式的缺點(diǎn)，且兼具穿透式LCD、反射式LCD兩者的優(yōu)點(diǎn)。半穿透反射式LCD簡(jiǎn)單介紹如下。
請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1為已知的半穿透反射式液晶顯示面板的橫截面圖。此液晶顯示面板100包括了具有多個(gè)薄膜晶體管(TFT)陣列的顯示基板、顯示基板對(duì)面的彩色濾光片基板150以及介于上述兩基板之間的液晶層170。
顯示基板包括第一基板110、多個(gè)形成于第一基板110上的TFT120、多個(gè)由透明導(dǎo)電層141與反射電極層142所組成，且電連接至TFT120的像素電極140，以及形成于TFT120與像素電極140之間的平坦層130。
其中，透明導(dǎo)電層141形成于平坦層130上表面，而反射電極層142僅形成于透明導(dǎo)電層141的部分上表面，由此，將顯示基板區(qū)分為具有反射電極層142的反射區(qū)R以及僅具有透明導(dǎo)電層的穿透區(qū)T。
彩色濾光片基板150包括第二基板151以及依序形成于第二基板151上的彩色濾光片152與共通電極153。
在半穿透反射式液晶顯示面板100的反射區(qū)R中，外部光L1由彩色濾光片基板150被導(dǎo)入，并通過反射電極層142將外部光L1反射回彩色濾光片基板150來顯示影像。在穿透區(qū)T中，配置于顯示基板背側(cè)的背光單元所發(fā)出的背光L2，直接依序經(jīng)過平坦層130、液晶層170以及彩色濾光片基板150來顯示影像。其中，外部光L1經(jīng)過兩次液晶層170間距(cell gap)，而背光L2經(jīng)過一次液晶層170間距(cell gap)。
然而，雖然半穿透反射式面板具有較佳的顯示特性與較廣的應(yīng)用層面，但其工藝的繁雜度與成本也相對(duì)較高。
于是，如何有效地簡(jiǎn)化半穿透反射式面板的工藝步驟以降低工藝成本及提高工藝合格率，為當(dāng)前技術(shù)所必需。

發(fā)明內(nèi)容
由于半穿透反射式面板中，以顯示基板的工藝較為繁雜，故半穿透反射式面板中的顯示基板為本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容所在。
本發(fā)明的目的在于有效地簡(jiǎn)化半穿透反射式面板的工藝步驟以降低工藝成本及提高工藝合格率。
本發(fā)明的另一目的在于利用具有多種透光區(qū)的掩膜，在顯示基板上的平坦層上同時(shí)形成不同的結(jié)構(gòu)特征，由此減少掩膜的使用數(shù)量。
本發(fā)明提供一種制造顯示基板的方法，方法步驟如下所述。形成有源元件與電容結(jié)構(gòu)于基板上，有源元件具有漏極，電容結(jié)構(gòu)由共通電極與電容電極所構(gòu)成，其中共通電極與漏極電連接。
形成平坦層于有源元件與電容結(jié)構(gòu)上方。使用掩膜對(duì)平坦層進(jìn)行光刻蝕刻程序，以同時(shí)形成多個(gè)凸起(bump)與導(dǎo)孔(via)。其中，這些凸起位于平坦層的部分上表面，而導(dǎo)孔位于電容結(jié)構(gòu)上方，并暴露電容電極。
接著，形成透明導(dǎo)電層于平坦層表面與導(dǎo)孔的內(nèi)壁，并通過導(dǎo)孔電連接漏極。最后，形成反射電極層于部分透明導(dǎo)電層上，且反射電極層位于凸起表面上。
本發(fā)明提供一種制造顯示基板的方法，方法步驟如下所述。形成有源元件與電容結(jié)構(gòu)于基板上，有源元件具有漏極，電容結(jié)構(gòu)由共通電極與電容電極所構(gòu)成。
形成平坦層于有源元件與電容結(jié)構(gòu)上方。使用掩膜對(duì)平坦層進(jìn)行光刻蝕刻程序，以同時(shí)形成多個(gè)凸起與導(dǎo)孔，其中，這些凸起位于平坦層的部分上表面，而導(dǎo)孔則位于有源元件上方，并暴露該漏極。
接著，形成透明導(dǎo)電層于平坦層表面與導(dǎo)孔的內(nèi)壁，并通過導(dǎo)孔電連接漏極。最后，形成反射電極層于部分透明導(dǎo)電層上，且反射電極層位于凸起表面上。
關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神，以及更詳細(xì)的實(shí)施方式可以通過以下的實(shí)施方式以及附圖得到進(jìn)一步的了解。


通過以下詳細(xì)的描述結(jié)合附圖，將可輕易的了解上述內(nèi)容及此項(xiàng)發(fā)明的諸多優(yōu)點(diǎn)，其中圖1為已知的半穿透反射式液晶顯示面板的橫截面圖；圖2為本發(fā)明顯示基板的俯視圖；圖3A至圖7B與圖21A至圖25B為本發(fā)明各種結(jié)構(gòu)形式的顯示基板橫截面圖；圖8A至圖19B為本發(fā)明制造顯示基板的示意圖；以及圖20為本發(fā)明各實(shí)施例的對(duì)應(yīng)工藝層的表格。
其中，附圖標(biāo)記說明如下100液晶顯示面板110第一基板120TFT 130平坦層140像素電極141透明導(dǎo)電層142反射電極層 150彩色濾光片基板151第二基板152彩色濾光片153共通電極170液晶層L1外部光 L2背光R反射區(qū)T穿透區(qū)200像素21柵極線22共通線 23TFT24電容結(jié)構(gòu) 25像素電極
300基板310有源元件311柵極312第一絕緣層313半導(dǎo)體層314接觸層315源極316漏極320電容結(jié)構(gòu)321共通電極322電容電極330第二絕緣層331開口340平坦層341導(dǎo)孔342凸起343蝕刻平面344穿透窗400掩膜401第一透光區(qū)402第二透光區(qū) 403第三透光區(qū)404第四透光區(qū) 41第一圖案區(qū)42第二圖案區(qū) 43第三圖案區(qū)44第四圖案區(qū)具體實(shí)施方式
請(qǐng)參照?qǐng)D2，其為本發(fā)明的顯示基板的俯視圖。顯示基板的每一像素200至少包括柵極線21、共通線22、TFT23、電容結(jié)構(gòu)24以及像素電極25。而本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容，大致上以圖2中a-a’線的橫截面圖來做介紹如下。
請(qǐng)參照?qǐng)D3A至圖7B，其為本發(fā)明各種結(jié)構(gòu)形式的顯示基板橫截面圖。由于本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容在于半穿透反射式面板中的顯示基板，而設(shè)置于顯示基板對(duì)面的彩色濾光片基板與已知技術(shù)相似，故不加以贅述。
請(qǐng)參照?qǐng)D3A，其為本發(fā)明的顯示基板的一種結(jié)構(gòu)形式。如圖所示，顯示基板包括基板300、有源元件310、電容結(jié)構(gòu)320、平坦層340、透明導(dǎo)電層350以及反射電極層360。在較佳實(shí)施例中，有源元件310至少包括柵極311、半導(dǎo)體層313、源極315以及漏極316。而電容結(jié)構(gòu)320至少包括共通電極321與電容電極322。
上述元件的相對(duì)位置關(guān)系與顯示基板的結(jié)構(gòu)特征詳細(xì)說明如下，柵極311與共通電極321位于基板300的上表面，兩者由金屬層被圖案化后所形成。其中，基板300為透明絕緣基板，其材質(zhì)可為玻璃或塑膠等。而柵極311與共通電極321的材質(zhì)可為導(dǎo)電金屬或合金，如鋁(Al)、鉻(Cr)、鈦(Ti)及鉬鎢合金(MoW)等。
接著，由二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)所制造的第一絕緣層312被配置于基板300、柵極311與共通電極321上。
再者，半導(dǎo)體層313與接觸層314依序形成于第一絕緣層312上，并對(duì)應(yīng)于柵極311的上方。在較佳實(shí)施例中，半導(dǎo)體層313為非晶硅(α-Si)材質(zhì)。
源極315與漏極316設(shè)置于半導(dǎo)體層313上方以及接觸層314的上表面，且源極315與漏極316之間具有間隔，用以分離兩電極。而電容結(jié)構(gòu)320的電容電極322則配置于共通電極321與第一絕緣層312上方，且電容電極322可與源極315與漏極316同時(shí)形成。值得注意的是，此顯示基板具有風(fēng)箏線(圖中未顯示)，風(fēng)箏線兩端連接共通電極321與漏極316，使共通電極321與漏極316產(chǎn)生電連接。
在本實(shí)施例中，共通電極321與電容電極322之間存在第一絕緣層312。然而，在其他實(shí)施例中，共通電極321與電容電極322之間除了存在第一絕緣層312之外，也可存在上述的半導(dǎo)體層313，由此用以調(diào)整電容結(jié)構(gòu)320的特性。
接著，第二絕緣層330及平坦層340依序形成于源極315、漏極316及電容電極322上。其中，平坦層340可通過旋轉(zhuǎn)涂布(spin coating)或非旋轉(zhuǎn)涂布(Spinless coating)等方式形成，且平坦層340可為絕緣透明材質(zhì)所制造。例如，壓克力級(jí)的低介電常數(shù)光阻材料、含有二苯環(huán)丁烯(BCB)或過氟環(huán)丁烯(PFCB)等有機(jī)材料或含有二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)的無機(jī)材料。
此外，值得注意的是，在本實(shí)施例中平坦層340上具有導(dǎo)孔341、多個(gè)凸起(Bump)342以及蝕刻平面343三種結(jié)構(gòu)特征。
其中，導(dǎo)孔341貫穿平坦層340與第二絕緣層330且暴露出電容電極322。凸起342形成于平坦層340的部分上表面，主要位于有源元件310與電容結(jié)構(gòu)320的上方。蝕刻平面343位于不具凸起342的平坦層340上表面，且蝕刻平面343的高度與凸起342的平均高度相等，由此顯示基板與對(duì)向的彩色濾光片基板間可具有穩(wěn)定且大致上相等的液晶層間距(cell gap)。
再者，透明導(dǎo)電層350以及反射電極層360依序形成于平坦層340上，且透明導(dǎo)電層350的材質(zhì)可為銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鎘錫氧化物(cadmium tin oxide，CTO)、氧化錫(stannum dioxide，SnO2)或氧化鋅(zinc oxide，ZnO)。反射電極層360的材質(zhì)為具有高反射率的金屬，如鋁、銀或上述組合。
其中，透明導(dǎo)電層350形成于平坦層340上表面，也就是形成于多個(gè)凸起342、導(dǎo)孔341的內(nèi)壁、蝕刻平面343以及導(dǎo)孔341所暴露的電容電極322上表面，由此透明導(dǎo)電層350可電連接至漏極316。而反射電極層360則形成于透明導(dǎo)電層350的部分表面，主要對(duì)應(yīng)于凸起342與導(dǎo)孔341內(nèi)壁的上方，而不形成于蝕刻平面343上方。其中，位于導(dǎo)孔341正上方的反射電極層360可被移除或保留。
因此，存在反射電極層360的區(qū)域?yàn)轱@示基板的反射區(qū)R，而不具反射電極層360，僅具有透明導(dǎo)電層350的區(qū)域?yàn)轱@示基板的穿透區(qū)T。而且，在反射區(qū)R中，反射電極層360的凸起的表面，可用來增加外部光的反射特性。
圖3A的顯示基板應(yīng)用到液晶面板時(shí)，由于具有反射電極層360的關(guān)系，外部光在反射區(qū)R經(jīng)過兩次液晶層間距(cell gap)，而穿透區(qū)T的背光僅經(jīng)過一次液晶層間距(cell gap)。所以，光線在穿透區(qū)T的光徑距離僅約為在反射區(qū)R的一半，這樣的光徑距離差異容易造成液晶效率等光學(xué)特性的差異。
因此，為了改善上述的問題，可在穿透區(qū)T的平坦層340制造一個(gè)穿透窗，以減少穿透區(qū)T的平坦層340厚度，而增加穿透區(qū)T的液晶層間距，且使得穿透區(qū)T的液晶層間距約為反射區(qū)R的液晶層間距的兩倍。由此，使光線在穿透區(qū)T的光徑距離與在反射區(qū)R的光徑距離實(shí)質(zhì)上相等。
請(qǐng)參照?qǐng)D3B，其為具有穿透窗344的顯示基板。圖3A的顯示基板與圖3B的顯示基板兩者的差異在于圖3A的穿透區(qū)T的平坦層340上表面具有蝕刻平面343，且其厚度與反射區(qū)R的平坦層340厚度約為相等。而圖3B的穿透區(qū)T的平坦層340大部分都被去除，且其厚度小于反射區(qū)R的平坦層340厚度，而呈現(xiàn)一個(gè)凹槽狀的穿透窗344。其中，位于穿透區(qū)T的第二絕緣層330和/或第一絕緣層312可被去除或保留，圖3B以去除第二絕緣層330而保留第一絕緣層312為例，并不局限于本發(fā)明。
在本實(shí)施例中，穿透區(qū)T的平坦層340幾乎全被移除，也就是說穿透區(qū)T的平坦層340被移除后所形成的穿透窗344，若經(jīng)蝕刻第二絕緣層330后，暴露出第一絕緣層312。后續(xù)的工藝中，透明導(dǎo)電層350仍形成于穿透窗344的表面，而反射電極層360并未形成于穿透窗344上。其中，位于導(dǎo)孔341正上方的反射電極層360可被移除或保留。
請(qǐng)參照?qǐng)D4A，其為本發(fā)明的顯示基板的另一種結(jié)構(gòu)形式。圖4A的顯示基板的結(jié)構(gòu)大致上與圖3A相同，唯一的差異在于透明導(dǎo)電層350以及反射電極層360的形成次序。
在圖4A的實(shí)施例中，反射電極層360先形成于平坦層340上表面，也就是形成于多個(gè)凸起342、導(dǎo)孔341的內(nèi)壁以及導(dǎo)孔341所暴露的電容電極322上表面，但不形成于蝕刻平面343上方。接著，透明導(dǎo)電層350形成于反射電極層360上表面以及蝕刻平面343，并通過反射電極層360與電容電極322電連接至漏極316。在此實(shí)施例中，由于透明導(dǎo)電層350為透明的，故外部光可穿透透明導(dǎo)電層350后，再通過反射電極層360進(jìn)行反射。其中，位于導(dǎo)孔341正上方的反射電極層360可被移除或保留。
請(qǐng)參照?qǐng)D4B，其為具有穿透窗344的顯示基板。圖4B與圖4A所顯示的顯示基板差異在于圖4B的顯示基板的穿透區(qū)T具有穿透窗344，且透明導(dǎo)電層350形成于穿透窗344的表面，而反射電極層360并未形成于穿透窗344上。其中，位于導(dǎo)孔341正上方的反射電極層360可被移除或保留。其中，位于穿透區(qū)T的第二絕緣層330可被去除或保留，圖4B以去除第二絕緣層330而保留第一絕緣層312為例，并不局限于本發(fā)明。
請(qǐng)參照?qǐng)D5A，其為本發(fā)明的顯示基板的另一種結(jié)構(gòu)形式。圖5A的顯示基板的結(jié)構(gòu)大致上與圖3A相同，唯一的差異在于圖5A的顯示基板不具有第二絕緣層330。也就是說，平坦層340直接形成于源極315、漏極316及電容電極322上。其中，位于導(dǎo)孔341正上方的反射電極層360可被移除或保留。
請(qǐng)參照?qǐng)D5B，其為具有穿透窗344的顯示基板。圖5B與圖5A所顯示的顯示基板差異在于圖5B的顯示基板的穿透區(qū)T具有穿透窗344，且透明導(dǎo)電層350形成于穿透窗344的表面，而反射電極層360并未形成于穿透窗344上。其中，位于導(dǎo)孔341正上方的反射電極層360可被移除或保留。其中，位于穿透區(qū)T的第一絕緣層312可被去除或保留，圖5B以保留第一絕緣層312為例，并不局限于本發(fā)明。
請(qǐng)參照?qǐng)D6A，其為本發(fā)明的顯示基板的另一種結(jié)構(gòu)形式。圖6A的顯示基板的結(jié)構(gòu)大致上與圖5A相同，唯一的差異在于透明導(dǎo)電層350以及反射電極層360的形成次序。
在圖6A的實(shí)施例中，反射電極層360先形成于平坦層340上表面，也就是形成于多個(gè)凸起342、導(dǎo)孔341的內(nèi)壁以及導(dǎo)孔341所暴露的電容電極322上表面，但不形成于蝕刻平面343上方。接著，透明導(dǎo)電層350形成于反射電極層360上表面以及蝕刻平面343，并通過反射電極層360與電容電極322電連接至漏極316。其中，位于導(dǎo)孔341正上方的反射電極層360可被移除或保留。
請(qǐng)參照?qǐng)D6B，其為具有穿透窗344的顯示基板。圖6B與圖6A所顯示的顯示基板差異在于圖6B的顯示基板的穿透區(qū)T具有穿透窗344，且透明導(dǎo)電層350形成于穿透窗344的表面，而反射電極層360并未形成于穿透窗344上。其中，位于導(dǎo)孔341正上方的反射電極層360可被移除或保留。其中，位于穿透區(qū)T的第一絕緣層312可被去除或保留，圖6B以保留第一絕緣層312為例，并不局限于本發(fā)明。
請(qǐng)參照?qǐng)D7A，其為本發(fā)明的顯示基板的另一種結(jié)構(gòu)形式。圖7A的顯示基板的結(jié)構(gòu)在第二絕緣層330形成之前，也就是第二絕緣層330以下的結(jié)構(gòu)大致上與圖3A相同，而上述兩者的結(jié)構(gòu)差異如下所述。圖7A的實(shí)施例中，第二絕緣層330在電容電極322上方具有開口，用以暴露電容電極322。接著，透明導(dǎo)電層350形成于第二絕緣層330上，且通過上述開口接觸電容電極322，以電連接至漏極316。
接著，平坦層340形成于透明導(dǎo)電層350與第二絕緣層330上方，且平坦層340上同樣具有導(dǎo)孔341、多個(gè)凸起(Bump)342以及蝕刻平面343三種結(jié)構(gòu)特征。其中，導(dǎo)孔341位于電容結(jié)構(gòu)320的上方，且導(dǎo)孔341貫穿平坦層340，并暴露出透明導(dǎo)電層350的部分上表面。而凸起342與蝕刻平面343的位置與結(jié)構(gòu)特征與圖3A相同。
再者，反射電極層360形成于平坦層340上表面，也就是形成于多個(gè)凸起342、導(dǎo)孔341的內(nèi)壁以及導(dǎo)孔341所暴露的透明導(dǎo)電層350上表面，但不形成于蝕刻平面343上方。
請(qǐng)參照?qǐng)D7B，其為具有穿透窗344的顯示基板。圖7B與圖7A所顯示的顯示基板差異在于圖7B的顯示基板的穿透區(qū)T具有穿透窗344，且透明導(dǎo)電層350形成于穿透窗344的表面，而反射電極層360并未形成于穿透窗344上。其中，位于穿透區(qū)T的第二絕緣層330和/或第一絕緣層312可被去除或保留，圖7B以去除第二絕緣層330而保留第一絕緣層312為例，并不局限于本發(fā)明。
以上敘述為本發(fā)明各種結(jié)構(gòu)形式的顯示基板，而上述顯示基板的制造方法分述如下。
請(qǐng)參照?qǐng)D8A至圖8D，其為本發(fā)明顯示基板的制造方法示意圖。如圖8A所示，形成柵極312與共通電極321于基板300上。依序形成第一絕緣層312及半導(dǎo)體層313于柵極311上，其中第一絕緣層312也形成于共通電極321上。形成源極315與漏極316于半導(dǎo)體層313上，并同時(shí)形成電容電極322于共通電極321及第一絕緣層312上方。
其中，上述的柵極312、半導(dǎo)體層313、源極315及漏極即構(gòu)成薄膜晶體管的類的有源元件310。而共通電極321、第一絕緣層312及電容電極322則構(gòu)成電容結(jié)構(gòu)320。
形成源極315、漏極316與電容電極322之后，接著形成第二絕緣330層于源極315、漏極316、電容電極322以及第一絕緣層312上。使用第一掩膜進(jìn)行光刻蝕刻程序，形成開口331于第二絕緣層330上，用以暴露電容電極322。其中，共通電極321通過風(fēng)箏線(圖中未顯示)與漏極316電連接。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D8B，形成平坦層340于第二絕緣層330上。接著，使用第二掩膜進(jìn)行光刻蝕刻程序，而形成導(dǎo)孔341貫穿平坦層340，且導(dǎo)孔341與開口331相通連。
其中，第一掩膜與第二掩膜具有第一透光區(qū)與第二透光區(qū)，且第一透光區(qū)的透光率約為100％，第二透光區(qū)的透光率約為0％。第一透光區(qū)形成第一圖案區(qū)，用以形成開口331與導(dǎo)孔341。
請(qǐng)參照?qǐng)D8C，接著使用第三掩膜400進(jìn)行光刻蝕刻程序，以形成多個(gè)凸起342于平坦層340的部分上表面。其中，第三掩膜400具有第二透光區(qū)402與第三透光區(qū)403，且第三透光區(qū)403的透光率為10％至30％。第二透光區(qū)402與第三透光區(qū)403交錯(cuò)而構(gòu)成第二圖案區(qū)42，用以形成這些凸起342。
且在此實(shí)施例中，在形成凸起342時(shí)，也可同時(shí)形成蝕刻平面343于平坦層340的部分上表面。此時(shí)，第三掩膜400還具有第四透光區(qū)404，且第四透光區(qū)的透光率為3％至15％。第四透光區(qū)404與第二透光區(qū)402交錯(cuò)而構(gòu)成第三圖案區(qū)43，用以形成蝕刻平面343。
值得注意的是，在第三掩膜400中，第三圖案區(qū)43中的第二透光區(qū)402小于第二圖案區(qū)42中的第二透光區(qū)402。并且，蝕刻平面343的高度與這些凸起342的平均高度舉例可為相等。
然而，在另一實(shí)施例中，在形成凸起342時(shí)，并非同時(shí)形成蝕刻平面343，而是同時(shí)形成穿透窗344貫穿于平坦層340，請(qǐng)參照?qǐng)D9A至圖9B。此時(shí)，第三掩膜400具有第一透光區(qū)401，且此第一透光區(qū)401于第三掩膜400上形成第四圖案區(qū)44，用以形成穿透窗344。
而形成上述凸起342的步驟后(如圖8D與圖9B)，形成透明導(dǎo)電層350于平坦層340表面與導(dǎo)孔341的內(nèi)壁，并通過導(dǎo)孔341以電連接漏極316。接著，形成反射電極層360于部分透明導(dǎo)電層350上，且位于凸起342表面上方。由此，便可分別形成如圖3A與圖3B的顯示基板。
而在另一實(shí)施例中，形成上述凸起342的步驟后(如圖8D與圖93)，形成反射電極層360于凸起342表面與導(dǎo)孔341的內(nèi)壁，并通過導(dǎo)孔341以電連接漏極316。接著，形成透明導(dǎo)電層350于反射電極層360與平坦層340上。由此，便可分別形成如圖4A與圖4B的顯示基板。
請(qǐng)參照?qǐng)D10A至圖10C，其為本發(fā)明顯示基板的另一制造方法示意圖。如圖10A所示，其工藝步驟與圖8A相同。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D10B，形成平坦層340于第二絕緣層330、有源元件310與電容結(jié)構(gòu)320上。接著，使用掩膜400對(duì)平坦層340進(jìn)行光刻蝕刻程序，以同時(shí)形成多個(gè)凸起342及導(dǎo)孔341，如圖10C。其中凸起342位于平坦層340的部分上表面，導(dǎo)孔341位于電容結(jié)構(gòu)320上方，并暴露電容電極322。
如圖10B所示，掩膜400具有第一透光區(qū)401、第二透光區(qū)402及第三透光區(qū)403。其中，第一透光區(qū)401的透光率約為100％，第二透光區(qū)402的透光率約為0％，第三透光區(qū)403的透光率約為10％至30％。
第一透光區(qū)401形成第一圖案區(qū)41，用以形成導(dǎo)孔341。第二透光區(qū)402與第三透光區(qū)403交錯(cuò)而構(gòu)成第二圖案區(qū)42，用以形成多個(gè)凸起342。
且在此實(shí)施例中，在形成導(dǎo)孔341與凸起342時(shí)，也可同時(shí)形成蝕刻平面343于平坦層340的部分上表面。此時(shí)，掩膜400還具有第四透光區(qū)404，且第四透光區(qū)的透光率為3％至15％。第四透光區(qū)404與第二透光區(qū)402交錯(cuò)而構(gòu)成第三圖案區(qū)43，用以形成蝕刻平面343。值得注意的是，第三圖案區(qū)43中的第二透光區(qū)402小于第二圖案區(qū)42中的第二透光區(qū)402。
在另一實(shí)施例中，在形成導(dǎo)孔341與凸起342時(shí)，并非同時(shí)形成蝕刻平面343，而是同時(shí)形成穿透窗344貫穿于平坦層340，請(qǐng)參照?qǐng)D11A至圖11B。此時(shí)，掩膜400具有第四圖案區(qū)44，由第一透光區(qū)401構(gòu)成，用以形成穿透窗344。其中，位于穿透窗344正下方的第二絕緣層330可被去除或保留。
而形成上述凸起342的步驟后，如圖10C與圖11B，形成透明導(dǎo)電層350于平坦層340表面與導(dǎo)孔341的內(nèi)壁，并通過導(dǎo)孔341以電連接漏極316。接著，形成反射電極層360于部分透明導(dǎo)電層350上，且位于凸起342表面上方。由此，便可分別形成如圖3A與圖3B的顯示基板。
而在另一實(shí)施例中，形成上述凸起342的步驟后，如圖10C與圖11B，形成反射電極層360于凸起342表面與導(dǎo)孔341的內(nèi)壁，并通過導(dǎo)孔341以電連接漏極316。接著，形成透明導(dǎo)電層350于反射電極層360與平坦層340上。由此，便可分別形成如圖4A與圖4B的顯示基板。
請(qǐng)參照?qǐng)D12A至圖12D，其為本發(fā)明顯示基板的另一制造方法示意圖。如圖12A所示，其工藝步驟與圖8A大致相同，其差異在于圖12A的工藝步驟中，形成第二絕緣層330之后，并未在第二絕緣層330上形成開口，而直接形成平坦層340于第二絕緣層330上。
請(qǐng)參照?qǐng)D12B，接著使用掩膜(圖中未顯示)進(jìn)行光刻蝕刻程序，以形成導(dǎo)孔341貫穿平坦層340與第二絕緣層322，其中導(dǎo)孔341位于電容電極322上方，用以暴露電容電極322。
再者，請(qǐng)參照?qǐng)D12C，使用另一掩膜400進(jìn)行光刻蝕刻程序，以形成多個(gè)凸起342于平坦層340的部分上表面。在此實(shí)施例中，在形成凸起342時(shí)，也可同時(shí)形成蝕刻平面343于平坦層340的部分上表面，如圖12D所示。上述凸起342與蝕刻平面343的工藝過程及所使用的掩膜與圖8C相同。
請(qǐng)參照?qǐng)D13A至圖13B，在另一實(shí)施例中，在形成凸起342時(shí)，并非同時(shí)形成蝕刻平面343，而是同時(shí)形成穿透窗344貫穿于平坦層340。上述凸起342與穿透窗344的工藝過程及所使用的掩膜與圖9A相同。
而形成上述凸起342的步驟后，如圖12D與圖13B，形成透明導(dǎo)電層350于平坦層340表面與導(dǎo)孔341的內(nèi)壁，并通過導(dǎo)孔341以電連接漏極316。在圖13B中，其中，位于穿透區(qū)T的第二絕緣層330和/或第一絕緣層312可被去除或保留。接著，形成反射電極層360于部分透明導(dǎo)電層350上，且位于凸起342表面上方。由此，便可分別形成如圖3A與圖3B的顯示基板。
而在另一實(shí)施例中，形成上述凸起342的步驟后，如圖12D與圖13B，形成反射電極層360于凸起342表面與導(dǎo)孔341的內(nèi)壁，并通過導(dǎo)孔341以電連接漏極316。接著，形成透明導(dǎo)電層350于反射電極層360與平坦層340上。由此，便可分別形成如圖4A與圖4B的顯示基板。
請(qǐng)參照?qǐng)D14A至圖14B，其為本發(fā)明顯示基板的另一制造方法示意圖。如圖14A所示，形成有源元件310與電容結(jié)構(gòu)320于基板300上。其中有源元件310具有漏極316，電容結(jié)構(gòu)320由共通電極321與電容電極322所構(gòu)成。上述的詳細(xì)工藝步驟與圖8A大致相同，其差異在于圖14A的工藝步驟中，并未形成第二絕緣層330。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D14A，接著形成平坦層340于有源元件310、電容結(jié)構(gòu)320及第一絕緣層312上方。使用掩膜400對(duì)平坦層340進(jìn)行光刻蝕刻程序，以同時(shí)形成導(dǎo)孔341與多個(gè)凸起342于平坦層340。其中，導(dǎo)孔341位于電容結(jié)構(gòu)320上方，并暴露電容電極322，而多個(gè)凸起342則位于平坦層340的部分上表面。
在此實(shí)施例中，在形成導(dǎo)孔341與凸起342時(shí)，也可同時(shí)形成蝕刻平面343于平坦層340的部分上表面，如圖14B所示。上述導(dǎo)孔341、凸起342與蝕刻平面343的工藝過程及所使用的掩膜與圖10B相同。
請(qǐng)參照?qǐng)D15A至圖15B，在另一實(shí)施例中，在形成導(dǎo)孔341與凸起342時(shí)，并非同時(shí)形成蝕刻平面343，而是同時(shí)形成穿透窗344貫穿于平坦層340。上述導(dǎo)孔341、凸起342與穿透窗344的工藝過程及所使用的掩膜可與圖11A相同。
而形成上述凸起342的步驟后，如圖14B與圖15B，形成透明導(dǎo)電層350于平坦層340表面與導(dǎo)孔341的內(nèi)壁，并通過導(dǎo)孔341以電連接漏極316。接著，形成反射電極層360于部分透明導(dǎo)電層350上，且位于凸起342表面上方。由此，便可分別形成如圖5A與圖5B的顯示基板。
而在另一實(shí)施例中，形成上述凸起342的步驟后，如圖14B與圖15B，形成反射電極層360于凸起342表面與導(dǎo)孔341的內(nèi)壁，并通過導(dǎo)孔341以電連接漏極316。接著，形成透明導(dǎo)電層350于反射電極層360與平坦層340上。由此，便可分別形成如圖6A與圖6B的顯示基板。
請(qǐng)參照?qǐng)D16A至圖16D，其為本發(fā)明顯示基板的另一制造方法示意圖。如圖16A所示，其工藝步驟與圖8A相同。而在進(jìn)行形成平坦層340的步驟前，還包括形成透明導(dǎo)電層350于第二絕緣層330上并通過開口331電連接至漏極316。在較佳實(shí)施例中，透明導(dǎo)電層350覆蓋了整個(gè)電容結(jié)構(gòu)320以及部分的漏極316。
請(qǐng)參照?qǐng)D16B，接著形成平坦層340于第二絕緣層330與透明導(dǎo)電層350上，并使用第二掩膜進(jìn)行光刻蝕刻程序，以形成導(dǎo)孔341于平坦層340，導(dǎo)孔341位于電容結(jié)構(gòu)320上方，并暴露部分透明導(dǎo)電層350上表面。
請(qǐng)參照?qǐng)D16C，接著使用第三掩膜400進(jìn)行光刻蝕刻程序，以形成多個(gè)凸起342于平坦層340的部分上表面。在此實(shí)施例中，在形成凸起342時(shí)，也可同時(shí)形成蝕刻平面343于平坦層340的部分上表面，如圖16D所示。上述凸起342與蝕刻平面343的工藝過程及所使用的掩膜與圖8C相同。
請(qǐng)參照?qǐng)D17A至圖17B，在另一實(shí)施例中，在形成凸起342時(shí)，并非同時(shí)形成蝕刻平面343，而是同時(shí)形成穿透窗344貫穿于平坦層340。上述凸起342與穿透窗344的工藝過程及所使用的掩膜與圖9A相同。
而形成上述凸起342的步驟后，如圖16D與圖17B，形成反射電極層360于凸起342的表面、導(dǎo)孔341的內(nèi)壁與透明導(dǎo)電層350上。由此，便可分別形成如圖7A與圖7B的顯示基板。
請(qǐng)參照?qǐng)D18A至圖18C，其為本發(fā)明顯示基板的另一制造方法示意圖。如圖18A所示，其工藝步驟與圖16A相同。
請(qǐng)參照?qǐng)D18B，接著形成平坦層340于第二絕緣層330與透明導(dǎo)電層350上。使用掩膜400對(duì)平坦層340進(jìn)行光刻蝕刻程序，以同時(shí)形成導(dǎo)孔341與多個(gè)凸起342于平坦層340。其中，導(dǎo)孔341位于電容結(jié)構(gòu)320上方，并暴露部分透明導(dǎo)電層350上表面，而多個(gè)凸起342則位于平坦層340的部分上表面。
在此實(shí)施例中，在形成導(dǎo)孔341與凸起342時(shí)，也可同時(shí)形成蝕刻平面343于平坦層340的部分上表面，如圖18C所示。上述導(dǎo)孔341、凸起342與蝕刻平面343的工藝過程及所使用的掩膜與圖10B相同，差異在于圖18C的導(dǎo)孔341暴露部分透明導(dǎo)電層350上表面，而非暴露至電容電極322上表面。
請(qǐng)參照?qǐng)D19A至圖19B，在另一實(shí)施例中，在形成導(dǎo)孔341與凸起342時(shí)，并非同時(shí)形成蝕刻平面343，而是同時(shí)形成穿透窗344貫穿于平坦層340。上述導(dǎo)孔341、凸起342與穿透窗344的工藝過程及所使用的掩膜與圖11A相同，而差異同樣在于圖19B的導(dǎo)孔341暴露部分透明導(dǎo)電層350上表面，而非暴露至電容電極322上表面。
形成上述凸起342的步驟后，如圖18C與圖19B，形成反射電極層360于凸起342的表面、導(dǎo)孔341的內(nèi)壁與透明導(dǎo)電層350上。由此，便可分別形成如圖7A與圖7B的顯示基板。
上述各實(shí)施例的工藝步驟可歸納成為對(duì)應(yīng)工藝層別的表格，如圖20所示。請(qǐng)參照?qǐng)D20，表格中“7P8M”代表制造本發(fā)明的顯示基板所需經(jīng)過的7個(gè)光蝕刻程序(Photo etching process)且使用了8個(gè)掩膜(Mask)。同樣的，“7P7M”代表所經(jīng)過的7個(gè)光蝕刻程序且使用了7個(gè)掩膜的工藝，“6P6M”代表所經(jīng)過的6個(gè)光蝕刻程序且使用了6個(gè)掩膜的工藝。
另外，表格中的「GE」代表柵極311的形成，「AS」代表半導(dǎo)體層313的形成，「SD」代表源極315與漏極316的形成，「BP」代表第二絕緣層330的形成，「Via」代表導(dǎo)孔341的形成，「PL」代表平坦層340上凸起342的形成，「ITO」代表透明導(dǎo)電層350的形成，「AL」代表反射電極層360的形成。
上述圖8A至圖8D，以及圖3A的工藝敘述即為「7P8M」的工藝過程，其中「GE」、「AS」、「SD」、「BP」、「ITO」、「AL」各都經(jīng)過了一個(gè)光蝕刻程序且各使用了一個(gè)掩膜，「Via」及「PL」則共使用了兩個(gè)掩膜且經(jīng)過了一個(gè)光蝕刻程序，且在「PL」的工藝過程中，除了凸起342之外，也同時(shí)形成蝕刻平面343。
圖9A、圖9B以及圖3B的工藝敘述也為「7P8M」的工藝過程，與上述不同的是，在「PL」的工藝過程中，除了凸起342之外，也同時(shí)形成穿透窗344。
上述圖10A至圖10C，以及圖3A的工藝敘述即為「7P7M(1)」的工藝過程，其中「GE」、「AS」、「SD」、「BP」、「ITO」、「AL」各都經(jīng)過了一個(gè)光蝕刻程序且各使用了一個(gè)掩膜。而「PL」的工藝過程中，使用了一個(gè)掩膜且經(jīng)過一個(gè)光蝕刻程序，以同時(shí)形成導(dǎo)孔341、凸起342及蝕刻平面343。
圖11A、圖11B以及圖3B的工藝敘述也為「7P7M(1)」的工藝過程，與上述不同的是，在「PL」的工藝過程中，并非形成蝕刻平面343，而是形成穿透窗344。
上述圖12A至圖12D，以及圖3A的工藝敘述即為「7P7M(2)」的工藝過程，其中「GE」、「AS」、「SD」、「ITO」、「AL」各都經(jīng)過了一個(gè)光蝕刻程序且各使用了一個(gè)掩膜。另外，「BP+Via」的工藝過程中使用了一個(gè)掩膜且經(jīng)過一個(gè)光蝕刻程序，來同時(shí)形成導(dǎo)孔341及第二絕緣層上的開口331，而「PL」的工藝過程中，使用了一個(gè)掩膜且經(jīng)過一個(gè)光蝕刻程序，以同時(shí)形成凸起342及蝕刻平面343。
圖13A、圖13B以及圖3B的工藝敘述也為「7P7M(2)」的工藝過程，與上述不同的是，在「PL」的工藝過程中，并非形成蝕刻平面343，而是形成穿透窗344。
上述圖14A至圖14B，以及圖5A的工藝敘述即為「6P6M」的工藝過程，其中「GE」、「AS」、「SD」、「ITO」、「AL」各都經(jīng)過了一個(gè)光蝕刻程序且各使用了一個(gè)掩膜。而「PL」的工藝過程中，使用了一個(gè)掩膜且經(jīng)過一個(gè)光蝕刻程序，以同時(shí)形成導(dǎo)孔341、凸起342及蝕刻平面343。
圖15A、圖15B以及圖5B的工藝敘述也為「6P6M」的工藝過程，與上述不同的是，在「PL」的工藝過程中，并非形成蝕刻平面343，而是形成穿透窗344。
值得注意的是，上述工藝步驟中，「ITO」與「AL」的工藝順序可互換，詳細(xì)說明都揭示于前文，故不再贅述。
以上所述的各實(shí)施例的導(dǎo)孔341與開口331都位于電容結(jié)構(gòu)320的上方，以暴露出電容電極322。由此，透明導(dǎo)電層350可通過導(dǎo)孔341或開口331與電容電極322電連接。而且，由于電容結(jié)構(gòu)320的共通電極321以風(fēng)箏線電連接至有源元件310的漏極316，故透明導(dǎo)電層350可與漏極316產(chǎn)生電連接。
然而，在其他實(shí)施例中，導(dǎo)孔341與開口331也可位于有源元件310的上方，以暴露出漏極316。由此，透明導(dǎo)電層350可通過導(dǎo)孔341或開口331，而與漏極316直接電連接。
請(qǐng)參照?qǐng)D21A至圖25B，其為導(dǎo)孔341與開口331位于有源元件310上方的實(shí)施例，而圖3A至圖7B為導(dǎo)孔341與開口331位于電容結(jié)構(gòu)320上方的實(shí)施例。上述兩者的工藝步驟大致相同，僅導(dǎo)孔341與開口331的形成位置不同。其中，位于導(dǎo)孔341正上方的反射電極層360可被移除或保留。
請(qǐng)參照?qǐng)D21A與圖21B的顯示基板，其結(jié)構(gòu)形式分別與圖3A與圖3B的顯示基板相似，僅導(dǎo)孔341與開口331的位置改變至漏極316上方。在圖21B中，位于穿透區(qū)T的第二絕緣層330和/或第一絕緣層312可被去除或保留。
請(qǐng)參照?qǐng)D22A與圖22B的顯示基板，其結(jié)構(gòu)形式分別與圖4A與圖4B的顯示基板相似，僅導(dǎo)孔341與開口331的位置改變至漏極316上方。在圖22B中，位于穿透區(qū)T的第二絕緣層330和/或第一絕緣層312可被去除或保留。
請(qǐng)參照?qǐng)D23A與圖23B的顯示基板，其結(jié)構(gòu)形式分別與圖5A與圖5B的顯示基板相似，僅導(dǎo)孔341與開口331的位置改變至漏極316上方。其中，位于導(dǎo)孔341正上方的反射電極層360可被移除或保留。在圖23B中，位于穿透區(qū)T的第一絕緣層312可被去除或保留。
請(qǐng)參照?qǐng)D24A與圖24B的顯示基板，其結(jié)構(gòu)形式分別與圖6A與圖6B的顯示基板相似，僅導(dǎo)孔341與開口331的位置改變至漏極316上方。在圖24B中，位于穿透區(qū)T的第一絕緣層312可被去除或保留。
請(qǐng)參照?qǐng)D25A與圖25B的顯示基板，其結(jié)構(gòu)形式分別與圖7A與圖7B的顯示基板相似，僅導(dǎo)孔341與開口331的位置改變至漏極316上方。在圖25B中，位于穿透區(qū)T的第二絕緣層330和/或第一絕緣層312可被去除或保留。
另外，本發(fā)明制造顯示基板的方法也可應(yīng)用至一種制造膜層的方法，方法步驟如下所述。提供底層，并形成一膜層于底層上，其中膜層的材質(zhì)包括光阻或有機(jī)材料。接著，使用掩膜進(jìn)行光刻蝕刻程序，以同時(shí)形成導(dǎo)孔及多個(gè)凸起于上述膜層，其中導(dǎo)孔貫穿膜層，以暴露出部分的底層，且導(dǎo)孔的位置可視需求調(diào)整。而凸起形成于膜層的部分上表面。
上述掩膜具有第一透光區(qū)、第二透光區(qū)及第三透光區(qū)。其中第一透光區(qū)的透光率約為100％，第二透光區(qū)的透光率約為0％，且第三透光區(qū)的透光率約為10％至30％。
第一透光區(qū)形成第一圖案區(qū)，用以形成導(dǎo)孔，第二透光區(qū)與第三透光區(qū)交錯(cuò)而構(gòu)成第二圖案區(qū)，用以形成多個(gè)凸起。在一個(gè)實(shí)施例中，在形成導(dǎo)孔與多個(gè)凸起時(shí)，也可同時(shí)形成蝕刻平面于膜層的部分上表面。
此時(shí)，掩膜具有第四透光區(qū)，其透光率為3％至15％。第四透光區(qū)與第二透光區(qū)交錯(cuò)而構(gòu)成第三圖案區(qū)，用以形成蝕刻平面。
值得注意的是，在掩膜中，第三圖案區(qū)中的第二透光區(qū)小于第二圖案區(qū)中的第二透光區(qū)。
綜上所述，本發(fā)明的制造顯示基板的方法具有下列優(yōu)點(diǎn)一、利用具有多種透光區(qū)的掩膜，在顯示基板上的平坦層同時(shí)形成不同的結(jié)構(gòu)特征，由此減少掩膜的使用數(shù)量。
二、有效地簡(jiǎn)化半穿透反射式面板的工藝步驟以降低工藝成本及提高工藝合格率。
本發(fā)明雖以較佳實(shí)例闡明如上，但其并非用以限定本發(fā)明精神與發(fā)明實(shí)體。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員，當(dāng)可輕易了解并利用其它元件或方式來產(chǎn)生相同的功效。因此，在不脫離本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)所作的修改，均應(yīng)包含在下述的權(quán)利要求內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制造顯示基板的方法，包括形成有源元件與電容結(jié)構(gòu)于基板上，該有源元件具有漏極，該電容結(jié)構(gòu)由共通電極與電容電極所構(gòu)成；形成平坦層于該有源元件與該電容結(jié)構(gòu)上方；及使用掩膜對(duì)該平坦層進(jìn)行光刻蝕刻程序，以同時(shí)形成多個(gè)凸起于該平坦層的部分上表面與導(dǎo)孔。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該掩膜具有第一透光區(qū)、第二透光區(qū)及第三透光區(qū)，該第一透光區(qū)形成第一圖案區(qū)，用以形成該導(dǎo)孔，該第二透光區(qū)與該第三透光區(qū)交錯(cuò)而構(gòu)成第二圖案區(qū)，用以形成這些凸起。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該第一透光區(qū)的透光率約為100％，該第二透光區(qū)的透光率約為0％，且該第三透光區(qū)的透光率為10％至30％。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中該掩膜還具有第四透光區(qū)，且該第四透光區(qū)與該第二透光區(qū)交錯(cuò)而構(gòu)成第三圖案區(qū)，其中該第四透光區(qū)的透光率為3％至15％。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，其中形成該導(dǎo)孔與這些凸起的步驟中，包括同時(shí)形成穿透窗貫穿該平坦層。
6.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中形成該有源元件與該電容結(jié)構(gòu)于該基板上的步驟，包括下列步驟形成柵極與該共通電極于該基板上；依序形成第一絕緣層及半導(dǎo)體層于該柵極上，其中該第一絕緣層也形成于該共通電極上；以及形成源極與該漏極于該半導(dǎo)體層上，并同時(shí)形成該電容電極于該共通電極及該第一絕緣層上方。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該形成該平坦層的步驟前，還包括下列步驟形成第二絕緣層于該有源元件上；形成開口于該第二絕緣層上，以暴露該漏極；以及形成透明電極于該第二絕緣層上，并通過該開口與該漏極電連接。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中進(jìn)行該光刻蝕刻程序的步驟后，還包括形成反射電極層于這些凸起表面、該導(dǎo)孔的內(nèi)壁與該透明導(dǎo)電層上，其中該導(dǎo)孔位于該開口的上方，且暴露該透明導(dǎo)電層的部分上表面。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成該平坦層的步驟前，還包括下列步驟形成第二絕緣層于該電容結(jié)構(gòu)上；形成開口于該第二絕緣層上，以暴露該電容電極；以及形成透明電極于該第二絕緣層上，并通過該開口與該漏極電連接。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中進(jìn)行該光刻蝕刻程序的步驟后，還包括形成反射電極層于這些凸起表面、該導(dǎo)孔的內(nèi)壁與該透明導(dǎo)電層上，其中該導(dǎo)孔位于該開口的上方，且暴露該透明導(dǎo)電層的部分上表面。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中進(jìn)行該光刻蝕刻程序的步驟后，還包括下列步驟形成透明導(dǎo)電層于該平坦層表面與該導(dǎo)孔的內(nèi)壁，并通過該導(dǎo)孔電連接該漏極；以及形成反射電極層于部分該透明導(dǎo)電層上，且于這些凸起表面上。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中該導(dǎo)孔位于該有源元件上方，并暴露該漏極。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中該導(dǎo)孔位于該電容結(jié)構(gòu)上方，并暴露該電容電極。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中進(jìn)行該光刻蝕刻程序的步驟后，還包括下列步驟形成反射電極層于這些凸起表面與該導(dǎo)孔的內(nèi)壁，并通過該導(dǎo)孔電連接該漏極；以及形成透明導(dǎo)電層于該反射電極層與該平坦層表面。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該導(dǎo)孔位于該有源元件上方，并暴露該漏極。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該導(dǎo)孔位于該電容結(jié)構(gòu)上方，并暴露該電容電極。
全文摘要
一種制造顯示基板的方法，此方法應(yīng)用于制造半穿透反射式液晶顯示器，方法步驟至少包括形成有源元件與電容結(jié)構(gòu)于基板上。形成平坦層于有源元件與電容結(jié)構(gòu)上方。使用具有多種透光區(qū)的掩膜對(duì)平坦層進(jìn)行光刻蝕刻程序，以同時(shí)形成不同的結(jié)構(gòu)特征于平坦層上。
文檔編號(hào)G03F1/28GK101017301SQ20071008589
公開日2007年8月15日 申請(qǐng)日期2007年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月9日
發(fā)明者董畯豪, 黃國有, 黃寶玉 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司