專利名稱：一種薄膜晶體管顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)，尤其涉及薄膜晶體管顯示器的防靜電回路。
背景技術(shù)：
在當(dāng)前薄膜晶體管顯示器(Thin film transistor LCD，簡(jiǎn)稱TFTLCD ) 領(lǐng)域的大規(guī)模生產(chǎn)時(shí)，由于基板運(yùn)送，設(shè)備接觸及操作人員接觸等因素會(huì) 引入靜電(Electron static,簡(jiǎn)稱ES)，產(chǎn)生靜電電壓。靜電電壓在短時(shí)間 內(nèi)會(huì)釋放遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過顯示器屏幕內(nèi)部有源區(qū)器件工作能力的大電流，即外部 靜電通過數(shù)據(jù)信號(hào)線會(huì)傳輸?shù)斤@示器內(nèi)部的薄膜晶體管(Thin film transistor,簡(jiǎn)稱TFT)器件，造成擊穿?，F(xiàn)有設(shè)計(jì)布線時(shí)數(shù)據(jù)信號(hào)線與 公共電極線位于不同的層上，分別屬于不同的平面，兩層中間有一絕緣層，
交叉區(qū)域在數(shù)據(jù)信號(hào)線所在平面上的投影與數(shù)據(jù)信號(hào)線上一 區(qū)域重疊。由 于基板運(yùn)送，設(shè)備接觸及操作人員接觸等因素產(chǎn)生的靜電電壓也可能直接 在數(shù)據(jù)信號(hào)線與公共電極線的交叉區(qū)域出現(xiàn)短路，將絕緣層擊穿，形成亮 線，出現(xiàn)廢品。
為防止生產(chǎn)過程中出現(xiàn)的靜電造成的損傷， 一般采用現(xiàn)在公知的靜電 保護(hù)環(huán)設(shè)計(jì)，但在設(shè)計(jì)中不可避免的會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)信號(hào)線1與公共電極線2 (也稱電流釋放線)的交叉區(qū)域3，出現(xiàn)交疊面積，如圖1所示，此交疊 面積大概為200 ~ 400um2,在工藝過程中仍可能會(huì)出現(xiàn)靜電電壓，造成擊 穿。
在實(shí)際生產(chǎn)中針對(duì)靜電放電(Electron static Discharge,簡(jiǎn)稱ESD )擊穿,. 一般采用的修復(fù)方式為直接切斷被擊穿的那條公共電極線。如圖3
所示，中間交叉區(qū)域3被擊穿時(shí)產(chǎn)生兩個(gè)靜電擊穿點(diǎn)5,則修復(fù)時(shí)采用切 斷被擊穿部分的公共電極線，如圖3表示現(xiàn)有修復(fù)時(shí)采用的切斷方式，將 被擊穿區(qū)域切斷，如圖3中切斷部位4，切斷后避免了短路?，F(xiàn)有修復(fù)方 式雖然對(duì)擊穿回路進(jìn)行了修復(fù)，但是由于公共電極線是電流釋放的路徑， 切斷后會(huì)縮短發(fā)生靜電時(shí)的釋放路徑，出現(xiàn)諸如畫面閃爍等問題，并且在 后續(xù)工藝中，釋放路徑短的地方成為弱勢(shì)點(diǎn)，更容易出現(xiàn)靜電無法快速釋 放的現(xiàn)象，同樣會(huì)出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有薄膜晶體管顯示器易于出現(xiàn)靜電擊穿現(xiàn)象及擊 穿修復(fù)后形成公共電極斷路，對(duì)后續(xù)畫面品質(zhì)產(chǎn)生較大的影響的缺陷，提供 一種薄膜晶體管顯示器靜電回路設(shè)計(jì)，以降低發(fā)生靜電擊穿的幾率，并在擊
穿后可實(shí)現(xiàn)多次Y務(wù)復(fù)及修復(fù)后降低對(duì)后續(xù)畫面品質(zhì)的影響。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管顯示器，包括位于
第一平面上的數(shù)據(jù)信號(hào)線及位于第二平面上的公共電極線，所述公共電極
線包括一交叉區(qū)域，所述交叉區(qū)域在第一平面上的投影與數(shù)據(jù)信號(hào)線部分
重疊，所述交叉區(qū)域設(shè)置多條公共電極線。
上述技術(shù)方案中，所述交叉區(qū)域的多條公共電極線寬度均勻或長(zhǎng)度相
同。所述多條公共電極線長(zhǎng)度可與數(shù)據(jù)信號(hào)線的寬度相同，也可大于數(shù)據(jù)
信號(hào)線的寬度。
本發(fā)明提出了一種薄膜晶體管顯示器，現(xiàn)有技術(shù)中交叉區(qū)域?yàn)橐粭l公共 電極線，與交叉區(qū)域以外的部分一體設(shè)計(jì)，而本發(fā)明在交叉區(qū)域設(shè)置多條公 共電極線，將一根公共電極線分成多根線，與交叉區(qū)域以外的部分相比形成 切口狀結(jié)構(gòu)。在生產(chǎn)工藝過程中，發(fā)生ESD擊穿的部位大部分在數(shù)據(jù)信號(hào)線 與公共電極線(亦稱電流釋放線)的交叉區(qū)域。本發(fā)明在交叉區(qū)域采用多條公共電極線，將一根公共電極線分成多根
線，形成一至多個(gè)切口形狀的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，具有以下有益效果
1. 可以降低交叉區(qū)域的面積，從而可有效降低發(fā)生ESD擊穿的幾率；
2. 在交叉區(qū)域中的某條公共電極線發(fā)生靜電擊穿時(shí)，可以只斷開該條 被擊穿的公共電極線，其余未擊穿且并聯(lián)的公共電極線仍舊可以構(gòu)成電流釋 放回路，不會(huì)縮短發(fā)生靜電的釋放路徑，可以在不完全斷開公共電極線的同
時(shí)實(shí)現(xiàn)多次修復(fù)；
3. 修復(fù)時(shí)沒有徹底斷開公共電極線，仍舊可以構(gòu)成電流釋放回路，不 會(huì)出現(xiàn)被切斷部分電勢(shì)不均的情況，靜電可以沿原來的公共電極線釋放，利 于后續(xù)工藝過程對(duì)靜電的保護(hù)，同時(shí)也可有效降低對(duì)后續(xù)畫面品質(zhì)的影響；
4. 所述結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)減少了交叉區(qū)域部分的交疊面積，相應(yīng)減少了數(shù)據(jù)信 號(hào)線的感應(yīng)電容，從而降低了對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)線延遲的影響。
下面通過附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為現(xiàn)有防靜電保護(hù)電路示意圖一； 圖2為現(xiàn)有防靜電保護(hù)電路示意圖二； 圖3為現(xiàn)有防靜電保護(hù)電3各修復(fù)示意圖； 圖4為防靜電保護(hù)電路工作原理示意圖； 圖5為本發(fā)明實(shí)施例一結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6為本發(fā)明實(shí)施例二結(jié)構(gòu)示意圖； 圖7為本發(fā)明靜電擊穿修復(fù)時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖 附圖標(biāo)記說明
1 一數(shù)據(jù)信號(hào)線； 2 —公共電極線；
4一切斷部位； 5—靜電擊穿點(diǎn)； 7—靜電放電器件； 8 _切斷部位；
3—交叉區(qū)域；
6 —細(xì)公共電極線;
9—靜電擊穿點(diǎn)；a —靜電發(fā)生時(shí)電流釋b —靜電發(fā)生時(shí)電流釋 力文3各線； 》文3各線。
具體實(shí)施例方式
TFTLCD顯示器采用一般通用的半導(dǎo)體工藝實(shí)現(xiàn)，如圖4所示，防靜電 保護(hù)電路(也稱靜電短路環(huán))通常由兩個(gè)TFT對(duì)接形成，其中一個(gè)TFT的 柵極和源極短接狀態(tài)下與數(shù)據(jù)信號(hào)線1連接，漏極與公共電極線2連接， 另一個(gè)TFT的柵極和源極短接狀態(tài)下與公共電極線2連接，漏極與數(shù)據(jù)信 號(hào)線1連接，形成一個(gè)靜電釋放回路。當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)線1引入正高壓時(shí)，第 一個(gè)TFT工作，將電流釋放到公共電極回路，形成圖4中a所示的電流； 當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)線1引入負(fù)高壓時(shí)，第二個(gè)TFT工作，同樣將電流釋放到公共 電才及回5^,形成圖4中b所示的電流。
本發(fā)明能有多種不同形式的具體實(shí)施方式
，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí) 施方式進(jìn)行舉例說明，這并不意味著本發(fā)明只能局限在這幾個(gè)實(shí)施例中，本 領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解，下文所提供的具體實(shí)施方案只是多種結(jié)構(gòu)中 的一些示例，其它在所述交叉區(qū)域設(shè)置多條公共電極線的實(shí)施方式仍均應(yīng)在
本發(fā)明技術(shù)方案所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
圖5為本發(fā)明實(shí)施例一結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，本實(shí)施例包括位于第 一平面上的數(shù)據(jù)信號(hào)線1及位于第二平面上的公共電極線2，所述公共電 極線2包括一交叉區(qū)域，所述交叉區(qū)域在第一平面上的投影與數(shù)據(jù)信號(hào)線 上一區(qū)域重疊，所述交叉區(qū)域由4條并聯(lián)的細(xì)公共電極線6組成，形成切 口形狀的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中數(shù)據(jù)信號(hào)線1與靜電放電器件7相連，在靜電 放電回路中(如圖4所示)， 一般通過兩個(gè)相同的TFT對(duì)接，當(dāng)一端引入 高電壓時(shí)，由于掃描電極與數(shù)據(jù)電極連接，因此掃描電極同樣引入高電壓， 其中一個(gè)TFT開啟，形成通路，高電壓通過靜電放電器件7釋放到相鄰數(shù) 據(jù)信號(hào)線中，最終通過公共電極使得整個(gè)薄膜晶體管顯示器的有源區(qū)分擔(dān)所述高電壓，形成全面板的等電位，產(chǎn)生的大電流不會(huì)集中到一條數(shù)據(jù)信
號(hào)線上，造成TFT的損壞。同樣，在面板內(nèi)部產(chǎn)生的高電壓以同樣方法釋
放到外電路部分。具體的掃描電極、數(shù)據(jù)電極及公共電極為本領(lǐng)域普通技 術(shù)人員的公知常識(shí)，在此不詳細(xì)敘述。在靜電放電設(shè)計(jì)上，靜電放電器件
7可以等效為一個(gè)具備一定電壓域值的穩(wěn)壓二極管，在正常信號(hào)引入時(shí)， 信號(hào)不會(huì)過多地導(dǎo)通進(jìn)入其他數(shù)據(jù)信號(hào)線，造成信號(hào)損失。
如圖5所示，本實(shí)施例中4條并聯(lián)的細(xì)公共電極線6寬度均勻且長(zhǎng)度 相同，本實(shí)施例減少了交叉區(qū)域的交疊面積，相應(yīng)減少了數(shù)據(jù)信號(hào)線的感 應(yīng)電容，由于數(shù)據(jù)信號(hào)線的延遲時(shí)間與電容正比，從而也降低了對(duì)數(shù)據(jù)信 號(hào)線延遲的影響。
圖5只示出了本發(fā)明采用結(jié)構(gòu)的一個(gè)具體實(shí)施例方式，但不消說，本實(shí) 施例只是示意性的，并不代表對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案所要求保護(hù)的范圍的限制。 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解，可根據(jù)工藝設(shè)計(jì)能力，對(duì)本實(shí)施例中多根細(xì) 公共電極線6的寬度及長(zhǎng)度進(jìn)行調(diào)整，例如，如圖6所示，調(diào)整多根細(xì)公共 電極線6的長(zhǎng)度大于或者等于數(shù)據(jù)信號(hào)線1的寬度，此外亦可延長(zhǎng)至其它部 分。由上述實(shí)施例可看出，本發(fā)明在所述交叉區(qū)域3設(shè)置多條公共電極線， 將交叉區(qū)域分成多條公共電極線，與其余部分相比形成切口狀結(jié)構(gòu)，而非 現(xiàn)有技術(shù)中將交叉區(qū)域設(shè)為 一條公共電極線、并與交叉區(qū)域以外的部分一 體設(shè)計(jì)的實(shí)施方式，當(dāng)然，對(duì)多條公共電極線的形狀或?qū)挾瓤蛇M(jìn)行調(diào)整或 變形,但均不脫離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)，本發(fā)明中提供的交叉區(qū)域3的結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有 技術(shù)有實(shí)質(zhì)上的不同。
圖7為本發(fā)明靜電擊穿修復(fù)時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7所示，4條并聯(lián)的 細(xì)公共電極線6中第一條和第四條細(xì)公共電極線6被擊穿，如圖7中所示的 靜電擊穿點(diǎn)9，則在修復(fù)時(shí)，只需切斷第一條和第四條被擊穿的細(xì)公共電極 線6，第二條和第三條細(xì)公共電極線6仍保持導(dǎo)通，如圖7中附圖標(biāo)記8所 示的方式。與現(xiàn)有的修復(fù)方式不同，本發(fā)明修復(fù)方式8采用不完全切斷的方式，在交叉區(qū)域中的某條細(xì)公共電極線發(fā)生靜電擊穿時(shí)，可以只斷開該條被
回路，不會(huì)縮短發(fā)生靜電的釋放路徑，可以在不完全斷開公共電極線的同時(shí) 實(shí)現(xiàn)多次修復(fù)。并且由于修復(fù)時(shí)沒有徹底斷開公共電極線，仍舊構(gòu)成電流釋 放回路，不會(huì)出現(xiàn)被切斷部分電勢(shì)不均的情況，靜電可以沿原來的公共電極 線釋放，不影響后續(xù)工藝過程的防靜電能力，同時(shí)也可有效降低對(duì)后續(xù)畫面 品質(zhì)的影響。
上述只是對(duì)本發(fā)明的幾種例舉，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知道，為適用不同 的需要，還可能有多種形式的實(shí)施例，但只要在交叉區(qū)域形成切口狀結(jié)構(gòu)， 交叉區(qū)域設(shè)置多條公共電極線均不脫離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神所在，在此不可能 窮盡，不——例舉。
綜上所述，本發(fā)明在現(xiàn)有公共電極線的交叉區(qū)域設(shè)置多條公共電極
線，形成一至多個(gè)切口形狀的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，具有以下有益效果
1. 可以降低交叉區(qū)域的面積，從而可有效降低發(fā)生ESD擊穿的幾率；
2. 在交叉區(qū)域中的某條細(xì)公共電極線發(fā)生靜電擊穿時(shí)，可以只斷開該 條被擊穿的公共電極線，其余未擊穿且并聯(lián)的公共電極線仍舊可以構(gòu)成電流 釋放回路，不會(huì)縮短發(fā)生靜電的釋放路徑，可以在不完全斷開公共電極線的 同時(shí)實(shí)現(xiàn)多次修復(fù)；
3. 修復(fù)時(shí)沒有徹底斷開公共電極線，仍舊可以構(gòu)成電流釋放回路，不 會(huì)出現(xiàn)被切斷部分電勢(shì)不均的情況，靜電可以沿原來的公共電極線釋放，利 于后續(xù)工藝過程對(duì)靜電的保護(hù)，同時(shí)也可有效降低對(duì)后續(xù)畫面品質(zhì)的影響；
4. 所述結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)減少了交叉區(qū)域部分的交疊面積，相應(yīng)減少了數(shù)據(jù)信 號(hào)線的感應(yīng)電容，從而降低了對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)線延遲的影響。
最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制， 盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng) 理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技 術(shù)方案的精神和范圍。
8
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管顯示器，包括位于第一平面上的數(shù)據(jù)信號(hào)線及位于第二平面上的公共電極線，所述公共電極線包括一交叉區(qū)域，所述交叉區(qū)域在第一平面上的投影與數(shù)據(jù)信號(hào)線上一區(qū)域重疊，其特征在于，所述交叉區(qū)域設(shè)置多條公共電極線。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管顯示器，其特征在于，所述多條 公共電極線寬度均勻。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管顯示器，其特征在于，所述多條 公共電極線長(zhǎng)度相同。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管顯示器，其特征在于，所述多條 公共電極線的長(zhǎng)度與數(shù)據(jù)信號(hào)線的寬度相同。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管顯示器，其特征在于，所述多條 公共電極線的長(zhǎng)度大于數(shù)據(jù)信號(hào)線的寬度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l-5所述的任一薄膜晶體管顯示器，其特征在于，所 述多條公共電才及線呈斷路結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管顯示器，包括位于第一平面上的數(shù)據(jù)信號(hào)線及位于第二平面上的公共電極線，所述公共電極線包括一交叉區(qū)域，所述交叉區(qū)域在第一平面上的投影與數(shù)據(jù)信號(hào)線上一區(qū)域重疊，所述交叉區(qū)域設(shè)置多條公共電極線。本發(fā)明公共電極線在所述交叉區(qū)域?qū)⒁桓搽姌O線分成多根線，形成一至多個(gè)切口形狀的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；在發(fā)生靜電擊穿現(xiàn)象時(shí)，可以在不完全斷開公共電極線的同時(shí)實(shí)現(xiàn)多次修復(fù)；利于后續(xù)工藝過程對(duì)靜電的保護(hù)；可有效解決現(xiàn)有薄膜晶體管顯示器易于出現(xiàn)靜電擊穿現(xiàn)象及擊穿修復(fù)后形成斷線，對(duì)后續(xù)畫面品質(zhì)特性的影響較大的問題。
文檔編號(hào)G02F1/133GK101290408SQ200710065589
公開日2008年10月22日 申請(qǐng)日期2007年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月17日
發(fā)明者高文寶 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司