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一種陣列基板上的修復(fù)線結(jié)構(gòu)及其制造方法

文檔序號:2727649閱讀:118來源:國知局
專利名稱:一種陣列基板上的修復(fù)線結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD),尤其涉及陣列基板上的修復(fù)線結(jié) 構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)
薄膜晶體管液晶顯示器(TFTLCD)是以其輕薄、節(jié)能、環(huán)保等特點逐漸成為當前 各類顯示器件發(fā)展的主流。
TFT LCD陣列基板一側(cè)密布著許多數(shù)據(jù)線,每一條數(shù)據(jù)線的斷線都會使得TFT LCD 面板出現(xiàn)缺陷,從而影響產(chǎn)品合格率。到目前為止提出了許多修復(fù)線的設(shè)計方法,用以 進行數(shù)據(jù)線在斷線后的修復(fù)。圖1給出了現(xiàn)有技術(shù)中的一種具有代表性的數(shù)據(jù)線修復(fù)方 案。
如圖1所示,在封接膠100內(nèi)部是充滿液晶的區(qū)域。TFTLCD陣列基板上用第二金 屬層做的數(shù)據(jù)線200在最上面的一端和最下面的一端分別跨過修復(fù)線Rl和R2。上側(cè)的 Rl和R2分別通過左右兩個端子模塊上的端子與PCB上的布線相連,PCB上的修復(fù)線 布線通過最右側(cè)那個端子模塊上的端子使PCB上的修復(fù)線布線和屏右側(cè)的修復(fù)線相連。 屏右側(cè)的修復(fù)線L1, L2在屏的右下側(cè)與封接膠內(nèi)的修復(fù)線R1和R2相連。這樣就實現(xiàn) 了數(shù)據(jù)線上下端修復(fù)線R1和R2的連接。在液晶區(qū)域,每一條數(shù)據(jù)線都與修復(fù)線Rl和 R2存在一個交叉區(qū)域。在需要進行數(shù)據(jù)線的修復(fù)時,就用激光束把數(shù)據(jù)線200和修復(fù) 線交叉區(qū)域打通。
當某一條數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線現(xiàn)象,打叉的那點表示斷點。那么這條數(shù)據(jù)線用Rl進行 修復(fù)的過程如下
對發(fā)生斷線的這條數(shù)據(jù)線上下兩端如Rl交叉的地方分別用激光束進行打點處理, 圖中用黑點表示。此外,在Rl和用第二金屬層形成的端子引線交叉處再用激光束進行 一次打點處理。這樣,在驅(qū)動電路的作用下就實現(xiàn)了斷點上下兩部分數(shù)據(jù)線同時導(dǎo)通, 達到了修復(fù)效果。
如上所述,現(xiàn)有技術(shù)中在陣列基板的外圍設(shè)置修復(fù)線是修復(fù)數(shù)據(jù)線斷線的主要方法。這種修復(fù)線結(jié)構(gòu)的修復(fù)結(jié)構(gòu)主要決定于斷點以下那部分數(shù)據(jù)線的修復(fù)效果。從最右 側(cè)修復(fù)線的輸入端子開始到數(shù)據(jù)線斷點為止,這條通路的電阻和電容大小直接影響到修 復(fù)的能力。修復(fù)線的走線長度和寬度決定了修復(fù)線的電阻大小。而進入液晶段的修復(fù)線 上的液晶電容以及數(shù)據(jù)線和修復(fù)線交叉處的平行板耦合電容基本決定了修復(fù)線的電容 大小。對于現(xiàn)有的修復(fù)方法,數(shù)據(jù)線的走線長度基本是整條數(shù)據(jù)線長度的兩倍左右。為了 降低修復(fù)線的電阻,現(xiàn)有技術(shù)常用的辦法是增加修復(fù)線的寬度。增加修復(fù)線寬度一方面 加大了修復(fù)線的占有面積,另一方面會使修復(fù)線上的液晶電容變大,從而增加修復(fù)線的 阻抗,導(dǎo)致修復(fù)線上驅(qū)動信號的延遲增大,驅(qū)動信號不能正常驅(qū)動顯示區(qū)域內(nèi)相關(guān)顯示 單元。圖2給出了現(xiàn)有修復(fù)方法中,在屏的右下側(cè)進入液晶區(qū)域的那部分修復(fù)線的周邊相關(guān)結(jié)構(gòu)。在數(shù)據(jù)線200和修復(fù)線Rl和R2交叉的區(qū)域,兩層金屬的重疊面積相對較 大,主要是為了在修復(fù)時候能夠充分地用激光束進行打點。這就使得修復(fù)線上與數(shù)據(jù)線 的耦合電容會很大,發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種可降低修復(fù)線電阻和電容的修復(fù)線結(jié)構(gòu)。為達上述目 的,本發(fā)明提供了一種修復(fù)線結(jié)構(gòu),其主要是改進了數(shù)據(jù)線下端這一側(cè)修復(fù)線的周邊相 關(guān)結(jié)構(gòu),其包括兩組修復(fù)線, 一組修復(fù)線在封接膠內(nèi)的液晶區(qū)域, 一組修復(fù)線在封接膠外 面。其中,修復(fù)線與陣列基板上的數(shù)據(jù)線為同一金屬層形成,在所述數(shù)據(jù)線和修復(fù)線之 間放置一連接條,所述連接條的一端與數(shù)據(jù)線交疊,連接條的另外一端與修復(fù)線交疊。 較佳地,所述兩組修復(fù)線條數(shù)相同,電位一一對應(yīng)。更佳地,封接膠內(nèi)的液晶區(qū)域內(nèi)的修復(fù)線和封接膠外的修復(fù)線通過連接條一對一連接。本發(fā)明還提供了一種修復(fù)線結(jié)構(gòu)的制造方法,包括下列步驟(1) 在陣列側(cè)的玻璃基板上生成第一金屬層,用作數(shù)據(jù)線和修復(fù)線之間的連接條、用作上下修復(fù)線之間的連接條;(2) 在第一金屬層上依次形成絕緣膜層和第二金屬層。絕緣膜層起到隔絕第一金屬層 和第二金屬層的作用,用第二金屬層形成數(shù)據(jù)線和修復(fù)線;(3) 在第二金屬層的上面形成鈍化層,然后在屏左下側(cè)和右下側(cè)的第一金屬層連接條 上和第二金屬層修復(fù)線上分別進行刻蝕過孔的處理;(4) 在過孔上面覆蓋一層透明的導(dǎo)電薄膜,以連接第一金屬層連接條和第二金屬層修 復(fù)線。在上述構(gòu)造中,第一金屬層連接條依次跨過修復(fù)線后另外一頭與數(shù)據(jù)線的末端重 疊。在屏的右下側(cè),封接膠外離開封接膠最遠的那條用第二金屬層作的修復(fù)線經(jīng)過屏下 側(cè)的走線后到達屏的左下側(cè),然后再進入液晶區(qū)域,使之與修復(fù)線的左端相連。運用本發(fā)明提供的修復(fù)線結(jié)構(gòu),在保證修復(fù)線電阻一定的條件下,通過把屏下側(cè)封 接膠外這段修復(fù)線做得盡可能寬,來換取把液晶區(qū)域內(nèi)的那段修復(fù)線做得盡可能窄,從 而實現(xiàn)降低這段修復(fù)線上的液晶電容大小。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的修復(fù)線結(jié)構(gòu)。圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的進入液晶區(qū)域的修復(fù)線俯視圖。 圖3為本發(fā)明的修復(fù)線結(jié)構(gòu)的實施例1的示意圖。圖4為圖3的A-A'截面圖。 圖5-l為數(shù)據(jù)線和修復(fù)線連接圖。 圖5-2為圖5-l的B-B'截面圖。圖6為通過加寬封接膠外側(cè)修復(fù)線來減小液晶區(qū)域修復(fù)線寬度的示意圖 圖7為數(shù)據(jù)線和修復(fù)線多段連接條的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖8為兩組修復(fù)線在封接膠內(nèi)連接的結(jié)構(gòu)示意圖。圖9為外圍修復(fù)線和液晶區(qū)域內(nèi)修復(fù)線采用不同金屬層設(shè)計的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖IO為本發(fā)明修復(fù)線結(jié)構(gòu)的修復(fù)操作過程示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合

和實施例,對本發(fā)明進行進一步地詳細說明。 實施例1圖3給出了本發(fā)明的修復(fù)線結(jié)構(gòu)示意圖?;镜慕Y(jié)構(gòu)組成如下所示 數(shù)據(jù)線2和修復(fù)線使用同一層金屬形成,數(shù)據(jù)線與修復(fù)線之間隔開,并且在數(shù)據(jù)線 2和修復(fù)線的下面有一金屬條分別與它們重疊。數(shù)據(jù)線的修復(fù)線用第二金屬層形成,位于下方的金屬條用第一金屬層形成。連接條1依次跨過修復(fù)線后另外一頭與數(shù)據(jù)線的末 端重疊。在屏的右下側(cè),封接膠外離開封接膠最遠的修復(fù)線R2'經(jīng)過屏下側(cè)到達屏的左下 側(cè),然后再進入液晶區(qū)域,使之與液晶區(qū)域內(nèi)修復(fù)線R2的左端相連。對于其它修復(fù)線, 通過接觸孔使這些用第二金屬層作的修復(fù)線跨過上述第一根修復(fù)線,所述的接觸孔為在 第一金屬層和第二金屬層上的過孔形成連接第一金屬層和第二金屬層的孔,然后經(jīng)過屏 下側(cè)的走線后到達屏的左下側(cè),然后再進入液晶區(qū)域,使之與修復(fù)線的左端相連,如圖 4所示。如圖5-1所示,本發(fā)明修復(fù)線結(jié)構(gòu)把原本重疊的數(shù)據(jù)線和修復(fù)線通過第一金屬層連 接條1分離開來,使數(shù)據(jù)線和修復(fù)線原來的交叉耦合電容變成數(shù)據(jù)線與修復(fù)線之間的串 聯(lián)電容。這個串聯(lián)電容由下面兩個耦合電容串聯(lián)而成數(shù)據(jù)線與第一金屬層連接條之間 的耦合電容;第一金屬層連接條與修復(fù)線之間的耦合電容。如果所有不同層金屬之間的 交疊面積不變,那么本發(fā)明修復(fù)線結(jié)構(gòu)中數(shù)據(jù)線和修復(fù)線之間的耦合電容就比原來修復(fù) 線結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)線和修復(fù)線之間的耦合電容要小一半。本結(jié)構(gòu)中數(shù)據(jù)線中心到公共電極 線之間的B-B'截面圖如圖5-2所示。如圖6,如果修復(fù)線上驅(qū)動信號的延遲主要決定于修復(fù)線的電容大小時,運用本發(fā) 明提供的修復(fù)線結(jié)構(gòu),在保證修復(fù)線電阻一定的條件下,通過把屏下側(cè)封接膠外這段修 復(fù)線R1'和R2,做得盡可能寬,來換取把液晶區(qū)域內(nèi)的那段修復(fù)線做得盡可能窄,從 而實現(xiàn)降低這段修復(fù)線上的液晶電容大小。本發(fā)明的修復(fù)線結(jié)構(gòu)相當于在封接膠內(nèi)修復(fù)線的兩頭同時輸入信號,使得封接膠內(nèi) 修復(fù)線的電阻大小比原來修復(fù)線結(jié)構(gòu)中的電阻要小將近二分之一。屏右下側(cè)的修復(fù)線驅(qū) 動能力比屏左下側(cè)的驅(qū)動能力要弱,主要原因在于屏下側(cè)封接膠外的那段修復(fù)線電阻。 因為封接膠外的那段修復(fù)線不存在液晶電容,所以可以把這段修復(fù)線做得盡可能寬來降 低這段修復(fù)線的電阻值。上述修復(fù)線結(jié)構(gòu)可以通過下列步驟制造完成首先,在陣列側(cè)的玻璃基板上生成第一金屬層,用作數(shù)據(jù)線和修復(fù)線之間的連接條、 用作上下修復(fù)線之間的連接條;接著,在第一金屬層上依次形成絕緣膜層和第二金屬層。絕緣膜層起到隔絕第一金 屬層和第二金屬層的作用。用第二金屬層形成數(shù)據(jù)線和修復(fù)線。接著,在第二金屬層的上面形成鈍化層,然后在屏左下側(cè)和右下側(cè)的第一金屬層連接條上和第二金屬層修復(fù)線上分別進行刻蝕過孔的處理。最后,在過孔上面覆蓋一層透明的導(dǎo)電薄膜,以連接第一金屬層連接條和第二金屬 層修復(fù)線。除了前面所述的修復(fù)線結(jié)構(gòu)之外,在所述結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上還可以根據(jù)實際需要進行下面 幾種不同的結(jié)構(gòu)設(shè)計。 實施例2如圖7所示,本修復(fù)線結(jié)構(gòu)理論上可以把數(shù)據(jù)線和修復(fù)線Rl和R2之間的耦合電 容做得無窮小。在數(shù)據(jù)線和修復(fù)線之間放置3條第一金屬層連接條1,在第一金屬層連 接條之間放置2條第二金屬層連接條3。這樣,數(shù)據(jù)線和修復(fù)線之間的耦合電容就變?yōu)?原有修復(fù)線結(jié)構(gòu)中的數(shù)據(jù)線和修復(fù)線之間的耦合電容的六分之一。不過,隨著第一金屬 層連接條和第二金屬層連接條數(shù)的增加,數(shù)據(jù)線和修復(fù)線之間需要進行激光束打點的點 數(shù)也從原有修復(fù)線結(jié)構(gòu)的1次變?yōu)?點。實施例3如圖8所示,如果封接膠外側(cè)的接觸孔容易被腐蝕的話,把接觸孔設(shè)計在封接膠內(nèi) 部的液晶區(qū)域里。對于第一金屬層形成的連接條和兩組修復(fù)線在上下兩端重疊的區(qū)域① 和②,既可以通過接觸孔進行連接,也可以把連接條設(shè)計成浮置狀態(tài)。等到使用這條修 復(fù)線的時候再通過激光束打通進行連接。實施例4如圖9所示,可以把封接膠外的修復(fù)線走線用第一金屬層設(shè)計,而在封接膠內(nèi)的液 晶區(qū)域通過接觸孔實現(xiàn)用第二金屬層進行設(shè)計。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板上的修復(fù)線結(jié)構(gòu),其特征在于包括兩組修復(fù)線,一組修復(fù)線在封接膠內(nèi)的液晶區(qū)域,一組修復(fù)線在封接膠外面。
2. 如權(quán)利要求1所述的修復(fù)線結(jié)構(gòu),其特征在于修復(fù)線與陣列基板上的 數(shù)據(jù)線為同一金屬層形成,在所述數(shù)據(jù)線和修復(fù)線之間放置一連接條, 所述連接條的一端與數(shù)據(jù)線交疊,連接條的另外一端與修復(fù)線交疊。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的修復(fù)線結(jié)構(gòu),其特征在于所述兩組修復(fù)線條 數(shù)相同,電位一一對應(yīng)。
4. 如權(quán)利要求2所述的修復(fù)線結(jié)構(gòu),其特征在于封接膠內(nèi)的液晶區(qū)域內(nèi) 的修復(fù)線和封接膠外的修復(fù)線通過連接條一對一連接。
5. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板上的修復(fù)線結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在 于,包括下列步驟(l)在陣列側(cè)的玻璃基板上生成第一金屬層,用作數(shù)據(jù)線和修復(fù)線之間 的連接條、用作上下修復(fù)線之間的連接條;(2) 在第一金屬層上依次形成絕緣膜層和第二金屬層。絕緣膜層起到隔 絕第一金屬層和第二金屬層的作用。用第二金屬層形成數(shù)據(jù)線和修復(fù)線;(3) 在第二金屬層的上面形成鈍化層,然后在屏左下側(cè)和右下側(cè)的第一金屬層連接條上和第二金屬層修復(fù)線上分別進行刻蝕過孔的處理;(4) 在過孔上面覆蓋一層透明的導(dǎo)電薄膜,以連接第一金屬層連接條和第二金屬層修復(fù)線。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種修復(fù)線結(jié)構(gòu),其主要是改進了數(shù)據(jù)線下端這一側(cè)修復(fù)線的周邊相關(guān)結(jié)構(gòu),其包括兩組修復(fù)線,一組修復(fù)線在封接膠內(nèi)的液晶區(qū)域,一組修復(fù)線在封接膠外面。其中,修復(fù)線與陣列基板上的數(shù)據(jù)線為同一金屬層形成,在所述數(shù)據(jù)線和修復(fù)線之間放置一連接條,所述連接條的一端與數(shù)據(jù)線交疊,連接條的另外一端與修復(fù)線交疊。所述兩組修復(fù)線條數(shù)相同,電位一一對應(yīng)。還提供了一種修復(fù)線結(jié)構(gòu)的制造方法,包括在陣列側(cè)的玻璃基板上生成第一金屬層,用作數(shù)據(jù)線和修復(fù)線之間的連接條、用作上下修復(fù)線之間的連接條;在第一金屬層上依次形成絕緣膜層和第二金屬層。絕緣膜層起到隔絕第一金屬層和第二金屬層的作用,用第二金屬層形成數(shù)據(jù)線和修復(fù)線;在第二金屬層的上面形成鈍化層,然后在屏左下側(cè)和右下側(cè)的第一金屬層連接條上和第二金屬層修復(fù)線上分別進行刻蝕過孔的處理;在過孔上面覆蓋一層透明的導(dǎo)電薄膜,以連接第一金屬層連接條和第二金屬層修復(fù)線。
文檔編號G02F1/13GK101334536SQ20071004299
公開日2008年12月31日 申請日期2007年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月28日
發(fā)明者馬群剛 申請人:上海廣電Nec液晶顯示器有限公司
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