專利名稱：衰減式相位移光罩的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域的制造技術(shù)，具體地說，涉及一種衰減式相位移光 罩的制造方法。
背景技術(shù)：
光罩工藝是半導(dǎo)體制造中的一個重要流程。曝光裝置發(fā)出一定強(qiáng)度的曝光 光束通過光罩在晶圓上進(jìn)行曝光形成所需要的圖形，從而在晶圓上制造出需要 的電路。在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中，光罩主要有二進(jìn)制強(qiáng)度光罩、衰減式相位移光罩(Attenuated Phase Shift Masks)和交替式光罩交替式相位移光罩。其中衰減 式相位移光罩被廣泛應(yīng)用對晶圓的接觸層(contact layer)的曝光步驟中。圖1 及圖2分別為現(xiàn)有衰減式相位移光罩的俯視示意圖和側(cè)視示意圖。請參閱圖1及圖2，衰減式相位移光罩一般包括完全透光的石英玻璃r以及位于石英玻璃上具有一定透光率的移相層2、根據(jù)所需要在晶圓接觸層曝光形成的圖形，在 移相層2'上蝕刻出原始圖形3'。曝光裝置發(fā)射一定強(qiáng)度的曝光光束，其透過該 衰減式光罩對晶圓接觸層進(jìn)行曝光步驟。由于衍射的存在， 一般情況下，實際 圖形4'和原始圖形3'(理論圖形)有一定偏差，如直角的圖形會變得圓滑等等， 如圖1中所示。光學(xué)趨近效應(yīng)校正(optical Proximity Correction, OPC)是半導(dǎo)體 領(lǐng)域用來提高實際圖形與理論圖形 一致性的常用方法。隨著半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工藝從亞微米發(fā)展到超深亞微米，晶圓的制作越來越 精密，晶圓接觸層上所需曝光圖形的特征尺寸也越來越小。這樣使得光罩的圖 形區(qū)周圍的移相層上很容易產(chǎn)生亮度環(huán)(intensity ring )，這種現(xiàn)象稱為吉卜斯現(xiàn) 象(Gibbs phenomena )。在曝光裝置透過該光罩對接觸層進(jìn)行曝光及顯影步驟后， 接觸層對應(yīng)光罩的亮度環(huán)的位置處就會產(chǎn)生不需要的蝕刻圖形，即旁瓣圖形 (side lobe printing) 5'。而且接觸層上的所需圖形密度越大，移相層的透光率 越高，亮度環(huán)出現(xiàn)的就幾率越多，接觸層上產(chǎn)生的不期望的旁瓣圖形就越多。這些旁瓣圖形嚴(yán)重影響了晶圓電i 各的正確性，降低了晶圓的成品率。 因此，需要提供一種新的光罩的制造方法以克服上述缺陷。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明解決的技術(shù)問題在于提供一種可避免或至少減小晶圓接觸層出現(xiàn)旁 瓣圖形的光罩的制造方法。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種衰減式相位移光罩的制造方法，其包括如下步驟a.提供光罩基片，其包括完全透光的石英玻璃及位于石英玻 璃上面具有透光率的移相層，移相層上形成有原始圖形；b.對光罩基片進(jìn)行才莫 擬偵測步驟，采用比實際照射該光罩的光束強(qiáng)度高的光束進(jìn)行照射，在移相層 上出現(xiàn)亮度環(huán)的位置做標(biāo)記圖形；c.在移相層上鍍不透光薄膜，覆蓋所述標(biāo)記 圖形。進(jìn)一步地，步驟b中還包括將所述標(biāo)記圖形拓展為規(guī)則的正多邊形。 進(jìn)一步地，步驟b是以建模的方式輸入模擬裝置中，在移相層上偵測亮度 環(huán)位置做標(biāo)記圖形的，然后自動將標(biāo)記圖形拓展為MJ'j的正多邊形。 進(jìn)一步地，步驟c中的不透光薄膜為鉻薄膜。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過模擬偵測步驟在光罩可能產(chǎn)生亮度環(huán)的位置 做標(biāo)記圖形，在移相層上鍍不透光薄膜覆蓋所述標(biāo)記圖形的方法，避免了對晶 圓接觸層曝光步驟后，在接觸層對應(yīng)亮度環(huán)的位置上產(chǎn)生不期望的旁瓣圖形的 現(xiàn)象，達(dá)到了提高晶圓電路準(zhǔn)確性，進(jìn)而提高晶圓成品率的有益效果。


通過以下對本發(fā)明一實施例結(jié)合其附圖的描述，可以進(jìn)一步理解其發(fā)明的 目的、具體結(jié)構(gòu)特征和優(yōu)點。其中，附圖為圖1、 2為現(xiàn)有衰減式相位移光罩的俯視和側(cè)視示意圖。 圖3為本發(fā)明在光罩基片上做標(biāo)記圖形的示意圖。 圖4為本發(fā)明在光罩基片上鍍不透光薄膜的示意圖。 圖5為本發(fā)明制造方法的流程圖。
具體實施方式
請參閱圖3至圖5,本發(fā)明提供了一種衰減式相位移光罩的制造方法，該方 法包括如下步驟提供光罩基片，該光罩基片包括完全透光(100%透光率)的石英玻璃1以及 位于石英玻璃上面的具有一定透光率的移相層2，在本實施方式中，移相層采用 的是透光率為6%的薄膜，在移相層上蝕刻出所需要圖形3 (原始圖形)；提供模擬偵測裝置中，對光罩基片進(jìn)行模擬偵測步驟，采用比實際照射該 光罩基片的光束強(qiáng)度高的光束對光罩基片進(jìn)行照射，在移相層上出現(xiàn)亮度環(huán)的 位置做標(biāo)記圖形5;在光罩基片上鍍一層覆蓋所述標(biāo)記圖形5的不透光薄膜，使曝光裝置發(fā)出 的光束無法透過亮度環(huán)5位置處的移相層2。在模擬偵測步驟中提到的實際照射光束是指實際使用由本發(fā)明制造的光罩 的曝光裝置所發(fā)射的曝光光束，也就是說，模擬步驟中采用的光束強(qiáng)度比曝光 裝置發(fā)射的光束強(qiáng)度高。采用高強(qiáng)度光束模擬照射就可以使本來可能出現(xiàn)亮度 環(huán)的位置被正確的標(biāo)示出來。在模擬裝置中標(biāo)出的亮度環(huán)位置的圖形 一般是不規(guī)則的形狀。為了便于的 制造，需要將該不規(guī)則形狀的圖形拓展成規(guī)則的正多邊形6。另外，對光罩基片 進(jìn)行模擬偵測步驟是采用建模的方式輸入模擬裝置中，調(diào)整模擬光束的強(qiáng)度自 動對光罩基片進(jìn)行模擬偵測，找出亮度環(huán)位置，做出標(biāo)記圖形，然后自動將不 規(guī)則的標(biāo)記圖形拓展成少見則標(biāo)記圖形即正多邊形6 。在鍍不透光薄膜的步驟中，本實施方式中該不透光薄膜是鉻(Cr)薄膜8。 該步驟中對整個基片鍍該不透光鉻薄膜，根據(jù)模擬偵測步驟地正多邊形6進(jìn)行 進(jìn)行蝕刻步驟，將覆蓋規(guī)則標(biāo)記圖形外的不透光鉻薄膜蝕刻掉。曝光裝置使用采用本發(fā)明的制造方法制作的衰減式相位移光罩對晶圓的接 觸層進(jìn)行曝光步驟后，由于不透光薄膜覆蓋可能發(fā)生亮度環(huán)的位置，曝光光束 不能照射 到接觸層，從而避免了在接觸層上對應(yīng)亮度環(huán)產(chǎn)生不期望的旁瓣圖形 的現(xiàn)象，提高了晶圓電路的正確性，從而提高了晶圓的成品率。
權(quán)利要求
1. 一種衰減式相位移光罩的制造方法，其特征在于，該方法包括如下步驟a.提供光罩基片，其包括完全透光的石英玻璃及位于石英玻璃上面具有透光率的移相層，移相層上形成原始圖形；b.對光罩基片進(jìn)行模擬偵測步驟，采用比實際照射該光罩基片的光束強(qiáng)度高的光束進(jìn)行照射，在移相層上出現(xiàn)亮度環(huán)的位置做標(biāo)記圖形；c.在移相層上鍍不透光薄膜，覆蓋所述標(biāo)記圖形。
2、 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于步驟b中還包括將所述標(biāo)記圖 形拓展為規(guī)則的正多邊形。
3、 如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于步驟b是以建模的方式輸入模 擬裝置中，對移相層偵測亮度環(huán)位置做標(biāo)記圖形的，然后自動將標(biāo)記圖形拓展 為規(guī)則的正多邊形。
4、 如權(quán)利要求l所述的制造方法，其特征在于步驟c中的不透光薄膜為鉻薄膜。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種衰減式相位移光罩的制造方法，涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。該制造方法包括如下步驟a.提供光罩基片，其包括完全透光的石英玻璃及位于石英玻璃上面具有透光率的移相層，移相層上形成有原始圖形；b.對光罩基片進(jìn)行模擬偵測步驟，采用比實際照射該光罩基片的光束強(qiáng)度高的光束進(jìn)行照射，在移相層上出現(xiàn)亮度環(huán)的位置做標(biāo)記圖形；c.在移相層上鍍不透光薄膜，覆蓋所述標(biāo)記圖形。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過模擬偵測，在光罩可能產(chǎn)生亮度環(huán)的位置為做標(biāo)記圖形，在移相層上鍍不透光薄膜覆蓋標(biāo)記圖形的方法，避免了對晶圓接觸層的曝光步驟后，接觸層對應(yīng)亮度環(huán)位置處產(chǎn)生不期望的旁瓣圖形的現(xiàn)象，提高了晶圓電路準(zhǔn)確性，進(jìn)而提高晶圓成品率。
文檔編號G03F1/00GK101281359SQ20071003920
公開日2008年10月8日 申請日期2007年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月6日
發(fā)明者青 楊 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司