專利名稱：薄膜晶體管基板及具有該薄膜晶體管基板的液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管基板及具有該薄膜晶體管基板的顯示裝置。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種包括柵極線和數(shù)據(jù)線的扇形部(fan out part)的薄膜晶體管基板以及一種具有該薄膜晶體管基板的顯示裝置。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管(TFT)基板用作用于獨(dú)立驅(qū)動(dòng)液晶顯示(LCD)裝置或有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置中的每個(gè)像素部的電路板。TFT基板包括傳輸掃描信號(hào)的掃描信號(hào)線(或柵極線)和傳輸圖像信號(hào)的圖像信號(hào)線(或數(shù)據(jù)線)。TFT基板進(jìn)一步包括TFT，分別連接至柵極線和數(shù)據(jù)線；像素電極，連接至TFT；柵極絕緣層，覆蓋柵極線且使之絕緣；以及保護(hù)層，覆蓋TFT和數(shù)據(jù)線，且使TFT和數(shù)據(jù)線絕緣。此處，柵極絕緣層和保護(hù)層通常由氮化硅制成。
TFT包括柵電極，其為柵極線的一部分；半導(dǎo)體層，其形成溝道部；源電極，其為數(shù)據(jù)線的一部分；漏電極；柵極絕緣層；保護(hù)層；等等。TFT是開(kāi)關(guān)元件，其根據(jù)通過(guò)柵極線傳輸?shù)膾呙栊盘?hào)來(lái)傳輸或中斷通過(guò)數(shù)據(jù)線傳輸?shù)膱D像信號(hào)。
用于將驅(qū)動(dòng)信號(hào)施加到柵極線和數(shù)據(jù)線的驅(qū)動(dòng)電路連接至TFT基板。驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)焊盤連接至柵極線或數(shù)據(jù)線。該焊盤密集地形成在狹窄的區(qū)域中，以與驅(qū)動(dòng)電路相連接。另一方面，由于鄰近柵極線或鄰近數(shù)據(jù)線之間的線性間距是根據(jù)像素尺寸來(lái)確定的，因此，鄰近柵極線或鄰近數(shù)據(jù)線之間的線性間距寬于鄰近焊盤之間的間距。所以，扇形區(qū)(其是線的線性間距逐漸變寬的區(qū)域)形成在焊盤部與顯示區(qū)域之間。由于扇形區(qū)，使得線的長(zhǎng)度彼此不同，從而，每條線的RC延遲程度彼此不同。RC延遲程度的不同引起像素中的反沖電壓(kickback voltage)的偏離。從而，產(chǎn)生亮度的偏離，因此，顯示圖像的質(zhì)量下降。
為解決上述問(wèn)題，具有用于補(bǔ)償扇形線線性偏離的波形部(wave part)形成在驅(qū)動(dòng)電路與扇形線之間。波形部在長(zhǎng)度相對(duì)較長(zhǎng)的線的外部處形成得較短，而在長(zhǎng)度相對(duì)較短的線的中部處形成得較長(zhǎng)，因此，波形線和扇形線的總長(zhǎng)度可以近似與所有的線相等。
近來(lái)，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了其上安裝有多溝道驅(qū)動(dòng)電路以減少昂貴的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路的TFT基板。多溝道驅(qū)動(dòng)電路包括數(shù)據(jù)線，相比于傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路，該數(shù)據(jù)線在數(shù)目上大于傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路約1.5倍。因此，扇形線之間的間距如此靠近，使得波形部比以前更難形成。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明消除了上述問(wèn)題，因此，本發(fā)明提供了一種能夠補(bǔ)償柵極和數(shù)據(jù)扇形部的RC延遲的薄膜晶體管基板。
本發(fā)明還提供了一種具有該薄膜晶體管基板的顯示裝置。
在根據(jù)實(shí)現(xiàn)上述目的的本發(fā)明示例性實(shí)施例的薄膜晶體管基板中，該薄膜晶體管基板包括多條信號(hào)線，其形成在具有多個(gè)像素的顯示區(qū)域中；至少一個(gè)扇形線部，其包括形成在顯示區(qū)域的外部范圍處的多條扇形線；以及信號(hào)補(bǔ)償線部，其包括基本上平行于信號(hào)線的多條信號(hào)補(bǔ)償線。信號(hào)補(bǔ)償線的第一端連接至信號(hào)線，而信號(hào)補(bǔ)償線的第二端連接至扇形線，以將每條信號(hào)線與每條扇形線連接起來(lái)。信號(hào)補(bǔ)償線的至少一部分具有波形圖案(wave pattern)。
當(dāng)信號(hào)補(bǔ)償線的位置從信號(hào)補(bǔ)償線部的外部逐漸向其中部靠近時(shí)，信號(hào)補(bǔ)償線的波形圖案的周期數(shù)可以增加。信號(hào)補(bǔ)償線和扇形線可以與信號(hào)線形成在同一層。
信號(hào)線可以是柵極線和數(shù)據(jù)線中的至少一條。像素包括基本上平行于數(shù)據(jù)線的第一側(cè)和基本上垂直于數(shù)據(jù)線的第二側(cè)，并且像素的第一側(cè)可以短于像素的第二側(cè)。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，扇形線部可以包括至少500條扇形線。
薄膜晶體管基板可以進(jìn)一步包括信號(hào)補(bǔ)償電極，該信號(hào)補(bǔ)償電極至少與扇形線部或信號(hào)補(bǔ)償線部的一部分相交疊。信號(hào)補(bǔ)償電極通過(guò)絕緣層分別與扇形線部和信號(hào)補(bǔ)償線部隔開(kāi)。
信號(hào)補(bǔ)償電極可以包含透明導(dǎo)電材料。
信號(hào)補(bǔ)償電極可以與扇形線部的一部分相交疊。信號(hào)補(bǔ)償電極可以具有一形狀，該形狀使得當(dāng)交疊的扇形線的位置從扇形線部的外部逐漸接近扇形線部的中部時(shí)，信號(hào)補(bǔ)償電極與扇形線交疊的區(qū)域范圍增加。這里，信號(hào)補(bǔ)償電極可具有三角形形狀。
在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的顯示裝置中，該顯示裝置包括多條信號(hào)線，其形成在具有多個(gè)像素的顯示區(qū)域中；驅(qū)動(dòng)部，為信號(hào)線提供驅(qū)動(dòng)信號(hào)；扇形線部，其包括形成在顯示區(qū)域的外部范圍處的多條扇形線；以及信號(hào)補(bǔ)償線部，其包括形成在信號(hào)線與扇形線之間以將信號(hào)線與扇形線連接起來(lái)的多條信號(hào)補(bǔ)償線。信號(hào)補(bǔ)償線基本上與信號(hào)線相平行。信號(hào)補(bǔ)償線的至少一部分具有波形圖案。


根據(jù)參照附圖對(duì)示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其它特征以及優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯而易見(jiàn)。
圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的顯示裝置的示意性平面圖；圖2是示出了圖1中的扇形區(qū)的放大平面圖；圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的顯示裝置的顯示區(qū)域的平面圖；圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的顯示裝置的示意性平面圖；圖5是沿圖4中的線I-I′截取的橫截面圖；圖6是本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的橫截面圖；圖7是沿圖4中的線II-II′截取的橫截面圖；以及圖8是本發(fā)明的進(jìn)一步示例性實(shí)施例的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖更全面地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以不同的形式來(lái)實(shí)施，且不應(yīng)被理解成局限于此處闡述的實(shí)施例；相反地，提供這些實(shí)施例是為了使本公開(kāi)徹底且全面，并且能充分地將本發(fā)明的范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。應(yīng)該理解的是，當(dāng)指出一個(gè)元件“位于”或“置于”另一元件上時(shí)，其可以直接位于另一元件之上，或者也可以存在插入元件。相反，當(dāng)指出一個(gè)元件“直接位于”另一元件上時(shí)，則不存在插入元件。自始至終相同的參考標(biāo)號(hào)代表相似或相同的元件。
以下，將參照附圖詳細(xì)解釋本發(fā)明。
圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的顯示裝置的示意性平面圖。圖2是示出了圖1中的扇形區(qū)的放大平面圖。
參照?qǐng)D1和圖2，該顯示裝置包括顯示基板300；多個(gè)柵極柔性印刷電路(以下稱為“FPC”)基板410和多個(gè)數(shù)據(jù)FPC基板510，它們附著于顯示基板300；以及印刷電路板(以下稱為“PCB”)550，其附著于數(shù)據(jù)FPC基板510。
顯示基板300包括下部顯示基板100；上部顯示基板200；以及液晶層(未示出)，介于顯示基板100和200之間。
柵極驅(qū)動(dòng)集成電路440和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)集成電路(以下稱為“IC”)540以芯片的形式分別安裝在柵極和數(shù)據(jù)FPC基板410和510上。同樣，用于將每個(gè)柵極和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC 440和540與外部連接起來(lái)的引出線420和520分別形成在柵極和數(shù)據(jù)FPC基板410和510上。FPC基板410和510可以由聚酰亞胺或聚酯等形成。
PCB 550包括用于驅(qū)動(dòng)和控制顯示基板300的各種電路元件。例如，PCB 550包括信號(hào)控制部(未示出)、漸變(gradation)電壓產(chǎn)生部(未示出)等。
電路元件通過(guò)數(shù)據(jù)FPC基板510的引出線520以及形成在PCB550上的信號(hào)線(未示出)與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC 540相連接。柵極驅(qū)動(dòng)IC440通過(guò)柵極FPC基板410的引出線420、扇形線430、以及分別獨(dú)立地形成在數(shù)據(jù)FPC基板510和下部顯示基板100處的線，與PCB 550電連接。引出線420和520可以由具有相對(duì)較低電阻的材料(諸如銅等)形成。與上述不同的是，柵極和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)IC 440和540可以直接安裝在顯示基板300的下部顯示基板100上。在這種情況下，可不需要柵極FPC基板410。
顯示基板300的下部顯示基板100可以被分成顯示區(qū)域‘D’和位于顯示區(qū)域‘D’周圍的外圍區(qū)域。像素電極(未示出)設(shè)置在顯示區(qū)域‘D’中。外圍區(qū)域分別與顯示信號(hào)線121和171、FPC基板410和510、以及驅(qū)動(dòng)IC 440和540物理及電連接。
信號(hào)線121和171通過(guò)顯示區(qū)域‘D’中的開(kāi)關(guān)元件(未示出)電連接至像素電極。信號(hào)線121和171彼此平行地延伸。位于外圍區(qū)域中的信號(hào)線121和171的端部連接至FPC基板410和510或驅(qū)動(dòng)IC 440和540。在圖1所示的顯示裝置中，F(xiàn)PC基板410和510的鄰近引出線420(其將驅(qū)動(dòng)IC 440和540與信號(hào)線121和171連接起來(lái))之間的間距窄于顯示區(qū)域‘D’的鄰近信號(hào)線121和171之間的間距。因此，鄰近信號(hào)線121和171之間的間距逐漸變化，從而，信號(hào)線121和171被設(shè)置成扇形。以下，在信號(hào)線121和171被設(shè)置成扇形的區(qū)域稱為扇形線部FOL，并且被設(shè)置成扇形的每條信號(hào)線121和171稱為扇形線430。在圖2中，扇形線通過(guò)參考標(biāo)號(hào)430-1至430-7來(lái)表示。同樣地，信號(hào)線通過(guò)參考標(biāo)號(hào)121-1至121-7來(lái)表示。
提供信號(hào)補(bǔ)償線SCL-1至SCL-7，用于補(bǔ)償由扇形線部FOL的扇形線430-1至430-7之間的間距偏差導(dǎo)致的信號(hào)偏差，該信號(hào)補(bǔ)償線SCL-1到SCL-7形成在扇形線430-1至430-7與信號(hào)線121-1至121-7之間。在下文中，形成有多條信號(hào)補(bǔ)償線SCL-1至SCL-7的區(qū)域被表示為信號(hào)補(bǔ)償線部SCL。
形成在信號(hào)補(bǔ)償線部SCL的信號(hào)補(bǔ)償線SCL-1至SCL-7的至少一部分具有多個(gè)波形圖案451，在該實(shí)施例中該波形圖案為方形的波形圖案。當(dāng)然，也可以使用諸如鋸齒形或正弦波等其它圖案。
近來(lái)，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了其上安裝有多溝道驅(qū)動(dòng)電路以減少昂貴的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路的TFT基板。多溝道驅(qū)動(dòng)電路包括數(shù)據(jù)線，與傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)電路相比較，該數(shù)據(jù)線的數(shù)目大約多1.5倍。因此，鄰近的引出線420之間的間距非常靠近，使得在引出線420處很難形成波形圖案。
由于根據(jù)本發(fā)明，信號(hào)補(bǔ)償線SCL-1至SCL-7形成在扇形線部FOL與信號(hào)線121之間，因此，鄰近的信號(hào)補(bǔ)償線之間的間距充分地寬于鄰近的引出線420之間的間距。所以，在信號(hào)補(bǔ)償線SCL-1至SCL-7處很容易形成波形圖案451。
形成在信號(hào)補(bǔ)償線部SCL的中部處的信號(hào)補(bǔ)償線SCL-4具有比形成在補(bǔ)償線部SCL的外部處的信號(hào)補(bǔ)償線(諸如SCL-1)多的波形圖案451周期。因此，扇形線和信號(hào)補(bǔ)償線的總長(zhǎng)度在中部和外部處基本上相同。例如，扇形線430-4和信號(hào)補(bǔ)償線SCL-4的總長(zhǎng)度可以與扇形線430-1和信號(hào)補(bǔ)償線SCL-1的總長(zhǎng)度基本上相同。因此，可以降低線的電阻偏差，從而也可以降低驅(qū)動(dòng)信號(hào)的偏差。
圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的顯示裝置的顯示區(qū)域的平面圖。
參照?qǐng)D3，顯示裝置包括由數(shù)據(jù)線(D1，...，Dm)和柵極線(G1，...，Gn)限定的多個(gè)像素。每個(gè)像素具有基本上與數(shù)據(jù)線(D1，...，Dm)平行的第一側(cè)S1和基本上與數(shù)據(jù)線(D1，...，Dm)垂直的第二側(cè)S2。此處，像素的第一側(cè)的長(zhǎng)度可以短于像素的第二側(cè)的長(zhǎng)度。
由于像素的水平長(zhǎng)度大于像素的垂直長(zhǎng)度，因此，可以以水平條狀形式設(shè)置諸如紅色濾色器、綠色濾色器、藍(lán)色濾色器等的濾色器。即，諸如紅色濾色器、綠色濾色器、藍(lán)色濾色器等的濾色器可以連續(xù)地且重復(fù)地沿?cái)?shù)據(jù)線(D1，...，Dm)設(shè)置。
如上所述的像素設(shè)置有助于減少數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)目。根據(jù)上述像素設(shè)置，與傳統(tǒng)像素設(shè)置相比，數(shù)據(jù)信號(hào)線之間的間距更長(zhǎng)。因此，當(dāng)使用多溝道驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，可以特別設(shè)置用于在扇形線與信號(hào)線之間形成信號(hào)補(bǔ)償線的足夠空間。
圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的顯示裝置的示意性平面圖。
在上文中參照?qǐng)D2和圖3描述了扇形線部的元件等，因此，將省略詳細(xì)和重復(fù)的描述。
參照?qǐng)D4，扇形線部13和23與具有三角形形狀的信號(hào)補(bǔ)償電極460和560相交疊。信號(hào)補(bǔ)償電極460和560包括柵極信號(hào)補(bǔ)償電極460和數(shù)據(jù)信號(hào)補(bǔ)償電極560。柵極信號(hào)補(bǔ)償電極460與柵極扇形線部13交疊，而數(shù)據(jù)信號(hào)補(bǔ)償電極560與數(shù)據(jù)扇形線部23交疊。在扇形線部13和23的中部，信號(hào)補(bǔ)償電極460和560分別與扇形線部13和23相交疊的交疊區(qū)域?qū)捰谠谏刃尉€部13和23的外部的交疊區(qū)域。即，扇形線430和530與信號(hào)補(bǔ)償電極460和560交疊的長(zhǎng)度在扇形線部13和23的中部相對(duì)較長(zhǎng)，而在其外部相對(duì)較短。換句話說(shuō)，每個(gè)信號(hào)補(bǔ)償電極460和560與每條扇形線430和530之間的電容在中部相對(duì)較大，而在外部相對(duì)較小。
每條扇形線430和530的電阻在扇形線部13和23的中部較小，而在其外部較大。因此，不管位置如何，每條扇形線430和530的電阻和電容的產(chǎn)生都是有規(guī)律的。因此，由扇形線430和530的長(zhǎng)度偏差引起的RC延遲可以由通過(guò)信號(hào)補(bǔ)償電極460和560產(chǎn)生的電容來(lái)有效地補(bǔ)償。
根據(jù)TFT基板100的信號(hào)線中所產(chǎn)生的RC延遲，來(lái)決定扇形線430和530的長(zhǎng)度以及信號(hào)補(bǔ)償線電極460和560與扇形線430和530相交疊的交疊區(qū)域的范圍。
盡管在該示例性實(shí)施例中信號(hào)補(bǔ)償電極與扇形線相交疊，但是在另一示例性實(shí)施例中，信號(hào)補(bǔ)償電極可以形成為與信號(hào)補(bǔ)償線相交疊。
圖5是沿圖4中的線I-I′截取的橫截面圖。
參照?qǐng)D4和圖5，多條柵極線121形成在絕緣基板100上。絕緣基板100包含諸如玻璃、石英、陶瓷和塑料等的絕緣材料。柵極線121的一部分分支出來(lái)，以形成柵電極12。數(shù)據(jù)信號(hào)補(bǔ)償電極560與柵極線121和柵電極12形成在相同的層上。
盡管每條柵極線121和信號(hào)補(bǔ)償電極560形成為單層，但是，它們可以形成為多層，以彌補(bǔ)金屬或合金的不足并獲得所需的性質(zhì)。例如，多層包括包含鋁或鋁合金等的下層以及包含鉻、鉬、鉬-鎢或氮化鉬-鎢的上層。即，具有相對(duì)較低電阻率的鋁或鋁合金被用作下層，以防止由配線電阻引起的信號(hào)阻抗，并且具有相對(duì)較高的抗化學(xué)藥品腐蝕的鉻、鉬、鉬-鎢或氮化鉬-鎢被用作上層，以彌補(bǔ)容易被化學(xué)藥品腐蝕和氧化以及進(jìn)而容易被電擊穿的鋁或鋁合金的缺點(diǎn)。近來(lái)，鉬(Mo)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鎢(W)等成為配線材料的熱點(diǎn)。
柵極絕緣層26形成在柵極線121、柵電極12、和數(shù)據(jù)信號(hào)補(bǔ)償電極560的上方。柵極絕緣層26可以包含氮化硅(SiNx)。
包含諸如氫化非晶硅等半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層91形成在設(shè)置有柵電極12的柵極絕緣層26上。包含摻雜有高濃度n+型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅的電阻接觸層92形成在半導(dǎo)體層91上。此處，電阻接觸層92以柵電極12為中心被分成兩部分。
源電極93和漏電極94形成在電阻接觸層92上。扇形線或信號(hào)補(bǔ)償線530與源電極93和漏電極94形成在相同的層上。盡管在圖5中柵極絕緣層26上的非晶硅層91和92被蝕刻并去除，但是，當(dāng)非晶硅層和數(shù)據(jù)線層通過(guò)一個(gè)曝光過(guò)程而形成時(shí)，非晶硅層91和92可以保留在柵極絕緣層26上。
柵極絕緣層26介于數(shù)據(jù)信號(hào)補(bǔ)償電極560與扇形線或信號(hào)補(bǔ)償線530之間，因此，三個(gè)部件構(gòu)成了電容器。
源電極93和漏電極94也可以是單層或包括金屬層的多層。例如，包含氮化硅(SiNx)的保護(hù)層95形成在數(shù)據(jù)線的上方。保護(hù)層95具有露出漏電極94的接觸孔。接收來(lái)自TFT的圖像信號(hào)的像素電極96形成在保護(hù)層95上。像素電極96與上部基板的公共電極相耦合，以產(chǎn)生電場(chǎng)。像素電極96通過(guò)接觸孔與漏電極94物理及電連接，以接收?qǐng)D像信號(hào)。盡管像素電極96形成在與形成有數(shù)據(jù)信號(hào)補(bǔ)償電極560的層不同的層上，但是，數(shù)據(jù)信號(hào)補(bǔ)償電極560和像素電極96可以形成在相同層上。
圖6是示出了本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的橫截面圖。相同的參考標(biāo)號(hào)表示與前面圖5中所述相似或相同的元件，并將省略關(guān)于相同元件的任何更詳細(xì)且重復(fù)的描述。
參照?qǐng)D6，數(shù)據(jù)信號(hào)補(bǔ)償電極560與像素電極96形成在相同的層上。即，包含氮化硅等的保護(hù)層95設(shè)置于數(shù)據(jù)扇形線或數(shù)據(jù)信號(hào)補(bǔ)償線530與數(shù)據(jù)信號(hào)補(bǔ)償電極560之間。
形成保護(hù)層95之后，數(shù)據(jù)信號(hào)補(bǔ)償電極560和像素電極96最終一起被圖案化。數(shù)據(jù)信號(hào)補(bǔ)償電極560包含諸如氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)等的透明導(dǎo)電材料。
圖7是沿圖4中的線II-II′截取的橫截面圖。圖7是關(guān)于柵極信號(hào)補(bǔ)償電極的橫截面圖。對(duì)于前面在圖5中已經(jīng)描述過(guò)的相同元件，省略其任何進(jìn)一步詳細(xì)且重復(fù)的描述。
參照?qǐng)D4和圖7，柵極信號(hào)補(bǔ)償電極460獨(dú)立地覆蓋柵極扇形線或柵極信號(hào)補(bǔ)償線430。柵極信號(hào)補(bǔ)償電極460與柵極扇形線或柵極信號(hào)補(bǔ)償線430相交疊，因此，柵極信號(hào)補(bǔ)償電極460與柵極扇形線或柵極信號(hào)補(bǔ)償線430相耦合，以構(gòu)成電容器。
柵極信號(hào)補(bǔ)償電極460與形成在柵電極12上方的源電極93和漏電極94形成在相同層上。當(dāng)包括源電極93和漏電極94的數(shù)據(jù)線被圖案化時(shí)，柵極信號(hào)補(bǔ)償電極460形成在柵極扇形部13中。因此，與柵極扇形部13相耦合的柵極信號(hào)補(bǔ)償電極460可以構(gòu)成電容器。盡管柵極信號(hào)補(bǔ)償電極460、源電極93和漏電極94形成在相同的層上，但是，它們彼此物理地間隔開(kāi)，因此，彼此沒(méi)有電接觸。
圖8是用于解釋本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的橫截面圖。省略與前面圖7中所述元件相同的元件的任何進(jìn)一步詳細(xì)且重復(fù)的描述。
參照?qǐng)D8，柵極信號(hào)補(bǔ)償電極460與像素電極96形成在相同的層上，而不是與源電極93或漏電極94形成在相同的層上。即，包含氮化硅的柵極絕緣層26和保護(hù)層95被設(shè)置在柵極扇形線430與柵極信號(hào)補(bǔ)償電極460之間。
形成保護(hù)層95之后，柵極信號(hào)補(bǔ)償電極460和像素電極96最終一起被圖案化。柵極信號(hào)補(bǔ)償電極460包含諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)等的透明導(dǎo)電材料。
再次參照?qǐng)D4，數(shù)據(jù)扇形部23和數(shù)據(jù)信號(hào)補(bǔ)償電極560的結(jié)構(gòu)與上述的柵極扇形部13和柵極信號(hào)補(bǔ)償電極460的結(jié)構(gòu)相似。描述數(shù)據(jù)扇形部23的橫截面，柵極絕緣層26和保護(hù)層95順次疊置在絕緣基板100上，并且像素電極90與數(shù)據(jù)信號(hào)補(bǔ)償電極560形成在相同的層(保護(hù)層95)上。
本示例性實(shí)施例同時(shí)使用電容補(bǔ)償以及圖1所示的阻抗補(bǔ)償，因此，可以更有效地補(bǔ)償RC延遲。
根據(jù)如上所述的本發(fā)明，信號(hào)補(bǔ)償線形成在扇形線部與信號(hào)線之間，其中，相鄰線間的間距充分寬于從驅(qū)動(dòng)電路引出的引出線之間的間距。因此，可以較容易地在多條線處形成波形圖案。同樣，信號(hào)補(bǔ)償電極和信號(hào)補(bǔ)償線可以一起形成，從而可以實(shí)現(xiàn)電容補(bǔ)償以及阻抗補(bǔ)償。因此，可以有效地改善信號(hào)延遲的偏差。
盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但應(yīng)該理解的是，本發(fā)明不限于這些示例性實(shí)施例，在所附權(quán)利要求所要求的本發(fā)明精神和范圍內(nèi)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以進(jìn)行各種改變和修正。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管(TFT)基板，包括多條信號(hào)線，形成在具有多個(gè)像素的顯示區(qū)域中；至少一個(gè)扇形線部，包括形成在所述顯示區(qū)域的外部范圍處的多條扇形線；以及信號(hào)補(bǔ)償線部，包括多條信號(hào)補(bǔ)償線，其中，每條信號(hào)補(bǔ)償線的第一端連接至相關(guān)的信號(hào)線，而每條信號(hào)補(bǔ)償線的第二端連接至相關(guān)的扇形線，以將每條所述信號(hào)線連接至所述相關(guān)的扇形線，并且進(jìn)一步地，其中，至少所述信號(hào)補(bǔ)償線中的第一條具有第一長(zhǎng)度，而所述信號(hào)補(bǔ)償線中的第二條具有不同于所述第一長(zhǎng)度的第二長(zhǎng)度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT基板，其中，所述第一和第二條信號(hào)補(bǔ)償線中的至少一條包含波形圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT基板，其中，每條所述信號(hào)補(bǔ)償線具有波形圖案，并且所述信號(hào)補(bǔ)償線中的第一條中的所述波形圖案的周期數(shù)不同于所述信號(hào)補(bǔ)償線中的第二條中的所述波形圖案的周期數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT基板，其中，當(dāng)信號(hào)補(bǔ)償線的位置從所述信號(hào)補(bǔ)償線部的外部逐漸接近所述信號(hào)補(bǔ)償線部的中部時(shí)，所述波形圖案的所述周期數(shù)增加。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT基板，其中，所述信號(hào)線、所述信號(hào)補(bǔ)償線、以及所述扇形線由共同的材料層構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT基板，其中，所述信號(hào)線與柵極線和數(shù)據(jù)線中的至少一條相對(duì)應(yīng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TFT基板，其中，每個(gè)像素包括基本平行于所述數(shù)據(jù)線的第一側(cè)和基本垂直于所述數(shù)據(jù)線的第二側(cè)，并且進(jìn)一步地，每個(gè)像素的所述第一側(cè)短于每個(gè)像素的所述第二側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT基板，進(jìn)一步包括信號(hào)補(bǔ)償電極，所述信號(hào)補(bǔ)償電極與所述扇形線部或所述信號(hào)補(bǔ)償線部的至少一部分交疊；以及絕緣層，其介于所述信號(hào)補(bǔ)償電極與所述扇形線部或所述信號(hào)補(bǔ)償線部之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT基板，其中，所述信號(hào)補(bǔ)償電極包含透明導(dǎo)電材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT基板，其中，所述信號(hào)補(bǔ)償電極與所述扇形線部的一部分交疊。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的TFT基板，其中，所述信號(hào)補(bǔ)償電極形成的形狀使得，當(dāng)所述交疊的扇形線的位置從所述扇形線部的外部朝向所述扇形線部的中部移位時(shí)，所述信號(hào)補(bǔ)償電極與所述扇形線相交疊的交疊面積量增加。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的TFT基板，其中，所述信號(hào)補(bǔ)償電極具有三角形形狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT基板，其中，所述扇形線部包括至少500條扇形線。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的TFT基板，進(jìn)一步包括信號(hào)補(bǔ)償電極，所述信號(hào)補(bǔ)償電極與所述扇形線部或所述信號(hào)補(bǔ)償線部的至少一部分相交疊；以及絕緣層，其介于所述信號(hào)補(bǔ)償電極與所述扇形線部或所述信號(hào)補(bǔ)償線部之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的TFT基板，其中，所述信號(hào)補(bǔ)償電極與所述扇形線部的一部分交疊。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的TFT基板，其中，所述信號(hào)補(bǔ)償電極形成的形狀使得，當(dāng)所述交疊的扇形線的位置從所述扇形線部的外部朝向所述扇形線部的中部移位時(shí)，所述信號(hào)補(bǔ)償電極與所述扇形線交疊的交疊面積量增加。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的TFT基板，其中，所述信號(hào)補(bǔ)償電極具有三角形形狀。
18.一種顯示裝置，包括多條信號(hào)線，形成在具有多個(gè)像素的顯示區(qū)域中；驅(qū)動(dòng)部，用于將驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供給所述信號(hào)線；扇形線部，包括形成在所述顯示區(qū)域的外部范圍處的多條扇形線，所述扇形線的第一端與所述驅(qū)動(dòng)部連接；以及信號(hào)補(bǔ)償線部，其包括多條信號(hào)補(bǔ)償線，所述信號(hào)補(bǔ)償線形成在所述信號(hào)線與所述扇形線之間，以將所述信號(hào)線與所述扇形線連接起來(lái)，每條信號(hào)補(bǔ)償線基本平行于所述信號(hào)線，并且其中，所述信號(hào)補(bǔ)償線中的至少一條的至少一部分包含波形圖案。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其中，所述信號(hào)補(bǔ)償線包含波形圖案，并且當(dāng)信號(hào)補(bǔ)償線的位置從所述信號(hào)線部的外部逐漸接近所述信號(hào)補(bǔ)償線部的中部時(shí)，所述波形圖案的周期數(shù)增加。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其中，所述信號(hào)補(bǔ)償線和所述扇形線與所述信號(hào)線形成在相同的層上。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的顯示裝置，其中，所述信號(hào)線與柵極線和數(shù)據(jù)線中的至少一條相對(duì)應(yīng)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示裝置，其中，所述顯示裝置包括至少一個(gè)像素，并且所述像素包括基本平行于所述數(shù)據(jù)線的第一側(cè)和基本垂直于所述數(shù)據(jù)線的第二側(cè)，并且所述像素的所述第一側(cè)短于所述像素的所述第二側(cè)。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括信號(hào)補(bǔ)償電極，所述信號(hào)補(bǔ)償電極與所述扇形線部或所述信號(hào)補(bǔ)償線部的至少一部分交疊；以及絕緣層，其介于所述信號(hào)補(bǔ)償電極與所述扇形線部或所述信號(hào)補(bǔ)償線部之間。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的顯示裝置，其中，所述信號(hào)補(bǔ)償電極包含透明導(dǎo)電材料。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的顯示裝置，其中，所述信號(hào)補(bǔ)償電極與所述扇形線部的一部分相交疊。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的顯示裝置，其中，所述信號(hào)補(bǔ)償電極形成的形狀使得，當(dāng)所述交疊的扇形線的位置從所述扇形線部的外部逐漸接近所述扇形線部的中部時(shí)，所述信號(hào)補(bǔ)償電極與所述扇形線相交疊的交疊面積量增加。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的顯示裝置，其中，所述信號(hào)補(bǔ)償電極具有三角形形狀。
28.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其中，所述扇形線部包括至少500條扇形線。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括信號(hào)補(bǔ)償電極，所述信號(hào)補(bǔ)償電極與所述扇形線部或所述信號(hào)補(bǔ)償線部的至少一部分交疊；以及絕緣層，其介于所述信號(hào)補(bǔ)償電極與所述扇形線部或所述信號(hào)補(bǔ)償線部之間。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的顯示裝置，其中，所述信號(hào)補(bǔ)償電極與所述扇形線部的一部分交疊。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的顯示裝置，其中，所述信號(hào)補(bǔ)償電極形成的形狀使得，當(dāng)所述交疊的扇形線的位置從所述扇形線部的外部逐漸接近所述扇形線部的中部時(shí)，所述信號(hào)補(bǔ)償電極與所述扇形線相交疊的交疊面積量增加。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的顯示裝置，其中，所述信號(hào)補(bǔ)償電極具有三角形形狀。
全文摘要
一種薄膜晶體管基板，包括多條信號(hào)線，形成在顯示區(qū)域中；至少一個(gè)扇形線部，包括多條扇形線；以及信號(hào)補(bǔ)償線部，包括多條信號(hào)補(bǔ)償線。信號(hào)補(bǔ)償線中的至少一條的至少一部分包含波形圖案。當(dāng)信號(hào)補(bǔ)償線的位置逐漸接近信號(hào)補(bǔ)償線部的中部時(shí)，信號(hào)補(bǔ)償線的波形圖案的周期數(shù)可以增加。一個(gè)實(shí)施例中的薄膜晶體管基板包括信號(hào)補(bǔ)償電極，該信號(hào)補(bǔ)償電極與扇形線部或信號(hào)補(bǔ)償線部的至少一部分相交疊。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101086995SQ20071000036
公開(kāi)日2007年12月12日 申請(qǐng)日期2007年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月8日
發(fā)明者金東奎 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社