專利名稱：液晶顯示器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件。具體地說，本發(fā)明涉及一種具有寬視角的液晶顯示器件。
背景技術：
顯示器件包括自發(fā)光的顯示器件和光接收顯示器件。液晶顯示器件是最典型的光接收顯示器件。液晶顯示器件中的液晶的驅動方法包括對襯底垂直地施加電壓的垂直電場型和與襯底大致平行地施加電壓的水平電場型。垂直電場型和水平電場型中每種類型都具有優(yōu)點和缺點。例如，與以TN型為代表的垂直電場型相比，水平電場型具有比如寬視角、高對比度、高等級顯示等的特征，并且水平電場型被用于監(jiān)視器或電視。這些類型的液晶顯示器件同時存在于液晶領域，并且已經(jīng)進行了產(chǎn)品研發(fā)。此外，還研發(fā)了用于水平電場型的液晶材料和用于垂直電場型的液晶材料的每種材料，根據(jù)所施加的電壓的方向每種材料具有不同的材料特性。
此外，水平電場型液晶顯示器件包括IPS(面內(nèi)切換)型和FFS(散射場切換)型。在IPS型中，具有梳狀或切口的像素電極和具有梳狀或切口的公共電極交替地設置，并且在像素電極和公共電極之間產(chǎn)生與襯底大致平行的電場，由此驅動液晶顯示器件(參見專利文獻1)。另一方面，在FFS型中，具有梳狀或切口的像素電極被置于具有形成在整個像素部分中的平面狀的公共電極上。在像素電極和公共電極之間產(chǎn)生了與襯底大致平行的電場，由此驅動液晶顯示器件。
已經(jīng)表明FFS液晶顯示器件具有高透射率、寬視角、低功耗，并且無串擾(參見非專利文獻1)。
〔專利文獻1〕日本出版的專利申請第H9-105918號
〔非專利文獻1〕具有超級圖像質量和快速響應時間的超-FFSTFT-LCD(Ultra-FFS-LCD with Super Image Quality and FastResponse Time)，2001 The Society For Information Displaypp.484-487。
在以常規(guī)水平電場型液晶顯示器件為代表的水平電場型液晶顯示器件中，施加給液晶材料的電場不夠。這是因為電場不會很好地施加給正好在公共電極和像素電極之上的液晶材料。
此外，使用水平電場型比如IPS型或FFS型的寬視角技術大多數(shù)用于電視；因此，這種技術僅僅針對透射型。然而，在要求減小功耗或者在野外使用時需要反射型或半透射型。然而是通過使用以TN型為代表的垂直電場型來實現(xiàn)反射或半透射型的。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種水平電場型液晶顯示器件的結構，在這種結構中可對液晶材料施加足夠的電場。
此外，本發(fā)明的一個目的是提供一種具有寬視角和更小的色移的液晶顯示器件，這種液晶顯示器件能夠顯示在室內(nèi)和室外都可以被有利地識別的圖像。
考慮到前述的問題，在本發(fā)明中，通過使用多對電極而不是一對電極將電場施加給液晶材料。一對電極包括梳狀公共電極和梳狀像素電極。另一對電極包括梳狀像素電極和在像素部分中形成的公共電極。在像素部分中提供的公共電極可以被提供在除了薄膜晶體管之外的區(qū)域中。此外，在像素部分中提供的公共電極可以是梳狀。在這種液晶顯示器件中，施加給液晶材料的電場可以通過使用所述一對電極以及另一對電極控制。
本發(fā)明的液晶顯示器件包括通過光透射實施顯示的第一區(qū)和通過光反射實施顯示的第二區(qū)。此外，液晶層包括液晶分子，在液晶層之下提供的液晶元件中的兩個電極之間產(chǎn)生電位差時，所述液晶分子在平行于電極表面(即平行于襯底)的平面中旋轉。
注意，在本發(fā)明中，術語“平行于電極表面旋轉”意味著包括不可由人眼識別的偏差在內(nèi)的平行旋轉。換句話說，術語“平行于電極表面旋轉”意味著主要包括平行于電極表面的矢量分量但也包括垂直于電極表面的幾個矢量分量的旋轉。
在液晶層801之下提供的電極803和804之間產(chǎn)生電位差時，液晶層801中包含的液晶分子802通過水平電場的作用旋轉。隨著液晶分子802旋轉，附圖77A中所示的狀態(tài)改變?yōu)楦綀D77B中所示的狀態(tài)，或者在附圖77B中所示的狀態(tài)改變?yōu)楦綀D77A中所示的狀態(tài)。附圖77A和77B是剖視圖。從上面看上述旋轉由附圖77C中的箭頭所示。
以類似的方式，在液晶層9801之下提供的電極9804和9805之間和電極9803和9805之間產(chǎn)生電位差時，液晶層9801中包含的液晶分子9802通過水平電場的作用旋轉，隨著液晶分子9802旋轉，附圖112A中所示的狀態(tài)改變?yōu)楦綀D112B中所示的狀態(tài)，或者在附圖112B中所示的狀態(tài)改變?yōu)楦綀D112A中所示的狀態(tài)。附圖112A和112B所示為剖視圖。從上面看上述旋轉由附圖112C中的箭頭所示。
注意，電極803和804的位置關系等不限于附圖77A至77C中所示的位置關系。
以類似的方式，電極9803，9804和9805的位置關系等不限于附圖112A至112C中所示的位置關系。
在上文所述的第一區(qū)中，在液晶層之下提供的一對電極包括提供在不同層中的電極。在第一區(qū)中，液晶元件中的兩個電極被提供在液晶層之下，這些電極被提供在不同的層中。這些電極中的一個電極用作反射體或者提供反射體以便與電極重疊，由此反射光。在第二區(qū)中，液晶元件中的兩個電極被形成在液晶層之下。這兩個電極都是透明的并且被提供在一層之上或者在不同的層之上，并在它們之間插入絕緣層。
下文說明本發(fā)明的具體結構。
本發(fā)明的一種模式是液晶顯示器件，包括第一公共電極、在第一公共電極之上提供的絕緣層、在所述絕緣層之上提供的像素電極和第二公共電極和在所述像素電極和第二公共電極之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的傾斜通過所述像素電極和第一公共電極之間的電場和所述像素電極和第二公共電極之間的電場控制。
本發(fā)明的另一模式是一種液晶顯示器件，包括絕緣襯底、在所述絕緣襯底之上形成的薄膜晶體管、在與所述薄膜晶體管的半導體層相同的層中提供的第一公共電極、被提供成覆蓋第一公共電極的絕緣層、在所述絕緣層之上提供的像素電極和第二公共電極以及在所述像素電極和第二公共電極之上提供的液晶材料，其中像素電極通過薄膜晶體管控制，第一公共電極和第二公共電極電連接，所述液晶材料的傾斜通過所述像素電極和第一公共電極之間的電場和所述像素電極和第二公共電極之間的電場控制。
本發(fā)明的另一模式是一種液晶顯示器件，包括絕緣襯底、在所述絕緣襯底之上形成的薄膜晶體管、在與薄膜晶體管的源極和漏極電極相同的層中提供的第一公共電極、連接到第一公共電極的導電層、在第一公共電極和所述導電層之上提供的絕緣層、在所述絕緣層之上提供的像素電極和第二公共電極以及在所述像素電極和第二公共電極之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的傾斜通過所述像素電極和第一公共電極之間的電場和所述像素電極和第二公共電極之間的電場控制。
本發(fā)明的另一模式是一種液晶顯示器件，包括絕緣襯底、在所述絕緣襯底之上形成的薄膜晶體管、在與所述薄膜晶體管的半導體層相同的層中提供的第一公共電極、連接到第一公共電極的導電層、在第一公共電極和所述導電層之上提供的絕緣層、在所述絕緣層之上提供的像素電極和第二公共電極以及在所述像素電極和第二公共電極之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的傾斜通過所述像素電極和第一公共電極之間的電場和所述像素電極和第二公共電極之間的電場控制。
在本發(fā)明的一種結構中，薄膜晶體管可以包括晶體半導體層。
在本發(fā)明的一種結構中，可以進一步包括在第一公共電極和所述薄膜晶體管之上提供的鈍化層、在第一公共電極之上提供的并與其之間具有鈍化層的濾色片以及在薄膜晶體管之上提供的并與其之間具有鈍化層的黑色矩陣。
在本發(fā)明的一種結構中，可以進一步包括在第一公共電極和所述薄膜晶體管之上提供的鈍化層、在第一公共電極和所述薄膜晶體管之上提供的并與其之間具有鈍化層的濾色片、被提供成面對所述絕緣襯底的反襯底和在所述薄膜晶體管之上提供的黑色矩陣。
在本發(fā)明的一種結構中，進一步可以包括在薄膜晶體管之上提供的鈍化層、在所述鈍化層之上提供的濾色片、在所述濾色片之上提供的第一公共電極和在鈍化層之上的薄膜晶體管之上提供的黑色矩陣。
本發(fā)明的另一模式是一種液晶顯示器件，包括絕緣襯底、在所述絕緣襯底之上形成的柵極電極、在與柵極電極相同的層中形成的第一公共電極、被提供成覆蓋所述柵極電極和第一公共電極的絕緣層、在柵極電極之上提供的并與其之間具有絕緣層的半導體層、在半導體層中提供的源極和漏極電極、提供在與源極和漏極電極相同的層中并與第一公共電極接觸的導電層、連接到源極和漏極電極中的一個電極的像素電極、連接到第一公共電極并與其之間具有導電層的第二公共電極以及在所述像素電極和第二公共電極之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的傾斜通過所述像素電極和第一公共電極之間的電場和所述像素電極和第二公共電極之間的電場控制。
本發(fā)明的一種模式是一種液晶顯示器件，包括絕緣襯底、在所述絕緣襯底之上形成的柵極電極、在與所述柵極電極相同的層中形成的導電層、與所述導電層接觸地提供的第一公共電極、被提供成覆蓋所述柵極電極和第一公共電極的絕緣層、在柵極電極之上提供的并與其之間具有所述絕緣層的半導體層、在半導體層之上提供的源極和漏極電極、連接到源極和漏極電極中的一個電極的像素電極、連接到第一公共電極并與其之間具有導電層的第二公共電極以及在所述像素電極和第二公共電極之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的傾斜通過所述像素電極和第一公共電極之間的電場和所述像素電極和第二公共電極之間的電場控制。
在本發(fā)明的一種結構中，半導體層可以具有非晶半導體層。
在本發(fā)明的一種結構中，可以進一步包括提供在第一公共電極之上的鈍化層、在第一公共電極之上提供的并與其之間具有鈍化層的濾色片和在源極和漏極電極之上提供的黑色矩陣。
在本發(fā)明的一種結構中，可以進一步包括在第一公共電極和柵極電極之上提供的鈍化層；在源極和漏極電極和第一公共電極之上提供的并與其之間具有鈍化層的濾色片、被提供成面對所述絕緣襯底的反襯底和在所述反襯底之上提供的黑色矩陣。
在本發(fā)明的一種結構中，像素電極可以是梳狀。
在本發(fā)明的一種結構中，第一公共電極可以是梳狀。
在本發(fā)明的一種結構中，第二公共電極可以是梳狀。
在本發(fā)明的一種結構中，像素電極可以由透明材料形成。
在本發(fā)明的一種結構中，第一公共電極可以由透明材料形成。
在本發(fā)明的一種結構中，第二公共電極可以由透明材料形成。
根據(jù)本發(fā)明，可以使用兩對或更多對電極將電場充分地施加給液晶材料。然后，所述液晶材料的傾斜可以由兩對電極產(chǎn)生的電場控制，由此可以實施灰度級顯示。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可以提供具有較寬視角和更小色移(由觀看顯示屏的角度引起)的并且在太陽下和在黑暗的室內(nèi)(或晚上在室外)有利地識別的圖像。


附圖1所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖2所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖3所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖4所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖5所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖6A至6C所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；
附圖7A至7C所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖8A至8C所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖9A至9C所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖10A至10C所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖11A至11C所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖12A至12C所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖13所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的頂視圖；附圖14所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的頂視圖；附圖15所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖16所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖17所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖18所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖19所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖20所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖21所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖22所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖23所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖24所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖25所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖26所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖27所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖28所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖29所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖30所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖31所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖32所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖33所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖34所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖35所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；
附圖36所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖37所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖38所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖39所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖40所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖41所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖42所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖43所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖44所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖45所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖46所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖47所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖48所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖49所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖50所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖51所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖52所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖53所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖54所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖55所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖56所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖57所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖58所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖59所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖60所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖61所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖62所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖63所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖64所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；
附圖65所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖66所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖67所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖68所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖69所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖70所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖71所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖72所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖73所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖74所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖75所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖76所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖77A至77C所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的視圖；附圖78所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖79所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖80所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖81所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖82所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖83所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖84所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖85所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖86所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖87所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖88所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖89所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖90所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖91所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖92所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖93所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；
附圖94所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖95所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖96所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖97所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖98所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖99所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖100所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖101所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖102所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖103所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖104所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖105所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖106所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的視圖；附圖107A至107D所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的視圖；附圖108所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的視圖；附圖109A至109B所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖；附圖110A至110B所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的視圖；附圖111A至111H所示為本發(fā)明應用于其中的電子電器的實例的視圖；附圖112A至112C所示為本發(fā)明的液晶顯示器件的剖視圖。
具體實施例方式
下面參考附圖描述本發(fā)明的實施例模式。本發(fā)明可以以許多不同的模式實施，本領域普通技術人員容易理解在不脫離本發(fā)明的目的和范圍的前提下可以以不同的方式修改在此所公開的模式和細節(jié)。因此，本發(fā)明不應當被解釋為限于下文給出的實施例模式的描述。注意，在參考附圖描述實施例模式時在不同的附圖中相似的部分以相似的參考標號表示，由此省去了對它們的重復解釋。
在本發(fā)明中，并不限于可適用的晶體管類型。因此可以應用使用以非晶硅或多晶硅為代表的非單晶半導體膜的薄膜晶體管(TFT)、MOS晶體管、結型晶體管、雙極型晶體管(它們都是使用半導體襯底或者SOI襯底形成的)、使用有機半導體或碳納米管形成的晶體管等。此外，對其上提供有晶體管的襯底的類型沒有限制，晶體管可以被形成在單晶襯底、SOI襯底、玻璃襯底等之上。
在本發(fā)明中，“連接”與“電連接”是同義語。因此，在本發(fā)明所公開的結構中，在具有預定的連接關系的元件之間可以插入實現(xiàn)電連接的另一元件(比如不同的元件、開關、晶體管、電容器、電阻或二極管)。
在本發(fā)明中所示的開關可以是任何開關，比如電開關或機械開關。它可以是能夠控制電流的任何東西。它可以是晶體管、二極管、或其組合的邏輯電路。因此，在使用晶體管作為開關的情況下，對其極性(導電性)沒有特別的限制，因為它僅僅作為開關操作。然而，在優(yōu)選截止電流較小時，理想的是使用具有較小的截止電流的極性的晶體管。具有LDD區(qū)的晶體管、具有multiage結構的晶體管等被作為具有較小截止電流的晶體管給出。此外，理想的是，在用作開關的晶體管的源極端子的電位更接近低電位側電源(Vss，Vgnd，0V等)時，使用N-溝道晶體管，而在源極端子的電位更接近高電位側電源(Vdd等)時，理想地使用P-溝道晶體管。隨著柵源電壓的絕對值增加，這有助于晶體管容易用作開關。注意，通過同時使用N-溝道和P-溝道晶體管也可以應用CMOS開關。
如上文所述，本發(fā)明的晶體管可以是任何類型的晶體管，并且可以形成在任何類型的襯底上。因此，驅動像素的所有電路都可以形成在玻璃襯底、塑料襯底、單晶襯底、SOI襯底或任何其它的襯底上?？商鎿Q地，用來驅動像素的某些電路可以形成在一個襯底上，同時其它的電路可以形成另一襯底上。即，并不是要求所有的電路都形成在相同的襯底上。例如，像素部分和柵極線驅動器電路可以在玻璃襯底上形成有TFT，同時信號線驅動器電路(或其一部分)都可有形成在單晶襯底上，然后，其IC芯片通過COG(玻璃上芯片)連接到玻璃襯底。或者，使用TAB(帶式自動焊接)或印刷電路板可以將其IC芯片連接到玻璃襯底。
注意，對在像素中設置的元件沒有特別的限制。作為像素中設置的顯示元件，可以使用任何顯示元件，比如EL(電致發(fā)光)元件(也稱為OLED(有機發(fā)光二極管)、有機EL元件、無機EL等)、在場發(fā)射顯示器(FED)中使用的元件、SED(表面導電的電子發(fā)射器顯示器)(它是一種類型的場發(fā)射顯示器(FED))、液晶顯示器(LCD)、光柵閥(GLV)、等離子體顯示器(PDP)、電子紙顯示器、數(shù)字微鏡器件(DMD)或壓電陶瓷顯示器。
注意，半導體器件是指具有半導體元件比如晶體管、二極管的器件。顯示器件是指具有顯示元件比如液晶元件或EL元件的器件。發(fā)光器件是指具有光發(fā)射元件比如在EL元件或FED中使用的元件的器件。
〔實施例模式1]參考附圖78描述本發(fā)明的液晶顯示器件的實例。在液晶顯示器件中，以矩陣的方式提供多個像素。一個像素的剖視圖的實例在附圖78中示出。
如附圖78所示，像素包括通過反射光實施顯示的部分(反射部分)1001和通過使光穿過其中實施顯示的部分(透射部分)1002。在每個區(qū)域中，提供了用作像素電極的電極和用作公共電極的電極。
用作像素電極的電極具有梳狀或切口。另一方面，用作公共電極的電極包括具有平滑狀的部分和具有梳狀或切口的部分。然而，并不限于這種組合。
在將電壓輸送給用作像素電極的電極和用作公共電極的電極時，產(chǎn)生了電場。電場具有平行于襯底的多個分量。液晶分子根據(jù)電場在平行于襯底的平面中旋轉。因此，可以控制光的透射和反射，由此顯示灰度級。
在提供了多個用作公共電極的電極時，理想的是在絕緣層中形成開口(接觸孔)或者重疊電極以便使電極彼此電連接。
在用作像素電極的電極和用作公共電極的電極之間提供有絕緣層時，重疊的部分被用作電容器。該電容器可以用作保持圖像信號的保持電容器。
在通過反射光實施顯示的部分(反射部分)1001中，提供了反射電極。通過反射電極反射光實施顯示。反射電極也可以用作公共電極。在這種情況下，反射電極可以連接到要被輸送電壓的公共電極。不用說，反射電極和公共電極都可以分開提供。在反射電極和公共電極分開的情況下，可以不給反射電極提供電壓或者可以給反射電極提供另一電壓。
在通過使光穿過其中實施顯示的部分(透射部分)1002中，可以提供透明電極。通過使光穿過其中或者通過在透明電極中的孔隙實施顯示。透明電極也可以用作公共電極。在這種情況下，透明電極可以連接到要被輸送電壓的公共電極。不用說，透明電極和公共電極可以分別提供。在透明電極和公共電極分開提供的情況下，可以不給透明電極提供電壓或者可以給透明電極提供另一電壓。此外，透明電極也可以用作像素電極。
描述附圖78中的結構。在反射部分1001中，液晶元件中的電極9103和液晶元件中的電極9305重疊，并在它們之間插入絕緣層9204和9304。在透射部分1002中，液晶元件中的電極9103和液晶元件中的電極9104重疊，并在它們之間插入絕緣層9304。
在反射部分1001和透射部分1002中，液晶元件中的電極9103和液晶元件中的電極9105交替地設置。
液晶元件中的電極9103和9105被形成為梳狀，液晶元件中的電極9305和9104是平滑狀。然而，并不限于這些。液晶元件中的電極9305和9104每個可以具有切口狀孔隙、孔，或者可以是梳狀。
液晶元件中的電極9103用作像素電極，液晶元件中的電極9305、9104和9105用作公共電極。然而，并不限于這些，液晶元件中的電極9103可以用作公共電極，液晶元件中的電極9305、9104和9105可以用作像素電極。
理想的是，每個公共電極可以通過在絕緣層中形成接觸孔或者與電極彼此重疊電連接。
液晶元件中的電極9305由反射光的導電材料形成。因此，液晶元件中的電極9305用作反射電極。此外，液晶元件中的電極9104由允許光通過其中的透明材料形成。因此，在液晶元件中的電極9104用作透明電極。
在液晶元件中的電極9103和9105理想地由導電且透明的材料形成。這是因為，在它們使光通過時它們對顯示圖像的部分具有影響。注意，在液晶元件中的電極9103和9105可以由反射光的材料形成。在這種情況下，甚至透射部分1002可以用作反射部分，這是因為透射部分1002反射了光。
注意，理想地，液晶元件中的電極9103和9105同時形成。這是因為，在液晶元件中的電極9103和9105同時形成時，可以簡化處理過程，可以減少掩模(中間掩模)的數(shù)量，由此可以降低成本。然而，并不限于這些，液晶元件中的電極9103和9105可以分開形成。在這種情況下，液晶元件中的電極9103和9105中的一個可以是透明的，而另一個反射光。
在用作像素電極的電極(在液晶元件中的電極9103)和用作公共電極的電極(在液晶元件中的電極9305、9104和9105)之間提供絕緣層時，重疊的部分可以用作電容器。該電容器用作保持圖像信號的保持電容器。
如附圖78和79所示，在液晶顯示器中的電極9103和9305之間產(chǎn)生了電位差時，在液晶元件中的電極9103和9105之間，在液晶層9303中的液晶分子(9303a和9303b)在平行于液晶元件中的電極9103、9305和9104的表面的方向上(即，在平行于襯底的平面中)旋轉。因此，可以控制通過液晶層9303的光量。即，可以控制光的偏振狀態(tài)，并且可以控制通過偏振片的光量，該偏振片提供在襯底的外側上。附圖79對應于附圖77A和112A。附圖79中所示的液晶分子(9303a和9303b)以類似的方式旋轉到附圖77A、77B、112A和112B中所示的液晶分子。光從外部進入液晶顯示器件并通過液晶層9303，通過液晶元件中的電極9103和絕緣層9204和9304，反射離開液晶元件中的電極9305，通過液晶元件中的絕緣層9204和9304和電極9103，并從液晶顯示器件射出，光以這個順序行進。
注意，附圖79中的電極9004對應于在附圖78中的液晶元件中的電極9305和9104。附圖79中的絕緣層9005對應于在附圖78中的絕緣層9204和9304。
如附圖79所示，由于用作公共電極的電極在用作像素電極的電極的傾斜方向上(包括上傾斜方向和下傾斜方向)或者交叉方向上被提供在用作像素電極的電極之下，因此在區(qū)域9002和9003中產(chǎn)生了平行于襯底的更多的電場分量。結果，進一步提高了視角特征。
注意，由于絕緣層9204和9304幾乎不具有折射率各向異性，因此在光通過其中時，偏振狀態(tài)不改變。
注意，在通過反射光實施顯示的部分(反射部分)1001和通過使光穿過其中實施顯示的部分(透射部分)1002中，在光路中提供濾色片，由此使光具有所需的顏色。從每個像素中發(fā)出的光混合以顯示圖像。
濾色片可以提供在反襯底上，該反襯底被提供在液晶層9303之上或者液晶元件中的電極9103之上?？商鎿Q地，濾色片可以提供在絕緣層9304之上或者作為其一部分。
注意，黑色矩陣(black matrix)也可以與濾色片一起提供。
注意，在通過反射光實施顯示的部分(反射部分)1001中，光通過液晶層9303兩次。即，外部光從反襯底側進入液晶層9303，反射離開液晶元件中的電極9305，再次進入液晶層9303，然后穿過反襯底側射出。這樣，光通過液晶層9303兩次。
另一方面，在通過使光穿過其中實施顯示的部分(透射部分)1002中，光通過液晶元件中的電極9104，進入液晶層9303，然后穿過反襯底射出。即，光通過液晶層9303一次。
液晶層9303具有折射率各向異性，因此光的偏振狀態(tài)根據(jù)液晶層9303中的光行進的距離改變，這將導致不精確的圖像顯示。因此，光的偏振狀態(tài)需要調整。在通過反射光實施顯示的部分(反射部分)1001中的液晶層9303的厚度(所謂的單元間隙)變薄，因此即使在光通過其中兩次時，仍然可以防止光在液晶層9303中行進的距離太長。
注意，絕緣層9204和9304幾乎不具有折射率各向異性，因此通過其中的光的偏振狀態(tài)不改變。因此，絕緣層9204和9304的存在和厚度不具有太大的影響。
為使液晶層9303的厚度(所謂的單元間隙)變薄，可以提供調節(jié)其厚度的膜。在附圖78中，絕緣層9204對應于這種膜。即，在通過反射光實施顯示的部分(反射部分)1001中，絕緣層9204是用于調節(jié)液晶層的厚度而提供的層。提供絕緣層9204可以使反射部分1001中的液晶層比透射部分1002中的液晶層更薄。
注意，理想是的，在反射部分1001中的液晶層9303的厚度是透射部分1002中的液晶層9303的厚度的一半。在此，“一半”可能包括人眼不可識別的偏差。
注意，光線不總是從垂直方向(即與襯底正交的方向)發(fā)射。光線通常傾斜發(fā)射。因此，考慮到所有的情況，光線在反射部分1001和透射部分1002中行進的距離需要大致相同。因此，理想的是，反射部分1001中的液晶層9303的厚度大致是透射部分1002中的液晶層9303的厚度的三分之一至三分之二。
因此，如果調節(jié)液晶層9303的厚度的膜被置于其中提供了液晶元件中的電極9103的襯底側，則該膜形成更加容易。即，在其中提供了液晶元件中的電極9103的襯底側上，形成了各種引線、電極和膜。調節(jié)液晶層9303的厚度的膜可以通過使用這種引線、電極和膜形成；因此形成膜的困難很小。此外，具有另一功能的膜可以在相同的步驟中形成，因此可以簡化處理過程并且可以降低成本。
由于觀看其顯示屏的角度的緣故，具有前述結構的本發(fā)明的液晶顯示器件具有寬視角和更小的色移。此外，本發(fā)明的液晶顯示器件可以提供在太陽下的室外和黑暗的室內(nèi)(或夜晚在室外)都能夠有利地識別的圖像。
雖然液晶元件中的電極9305和9104在附圖78中設置在相同的平面中，但是并不限于此。它們可以形成在不同的平面中。
注意，在附圖78中，液晶元件中的電極9305和9104彼此分開地設置。然而，并不限于此。液晶元件中的電極9305和9104可以彼此接觸地設置，或者它們可以由一個電極形成?？商鎿Q地，液晶元件中的電極9305和9104可以彼此電連接。此外，液晶元件中的電極9105和9104可以彼此電連接。
在附圖78中，絕緣層9204作為調節(jié)液晶層9303的厚度的膜提供。然而，并不限于此，調節(jié)液晶層9303的厚度的膜可以提供在反襯底側上。
雖然提供該膜以使液晶層9303變薄，但是在預定的部分中可以清除該膜以使液晶層9303變厚。
反射電極可以具有平坦的表面，但理想的是具有不平坦的表面。通過這種不平坦的表面，可以使光擴散并反射。結果，可以散射光并改善亮度。
注意，如附圖80所示，在透射部分1002中不必提供液晶元件中的電極9104。
在這種情況下，如附圖81所示，在液晶元件中的電極9105和9103之間施加電壓以控制液晶分子(9303a和9303b)。
如上文所述，由于液晶元件中的電極9104沒有提供在透射部分1002中，因此可以簡化處理過程，可以減少掩模(中間掩模)的數(shù)量，并可以降低成本。
〔實施例模式2〕描述具有與實施例模式1的結構不同的結構的本發(fā)明的液晶顯示器件的實例。具有與實施例模式1相同的功能的部分由相同的參考標號表示。
附圖82顯示了這樣的一種與附圖78中所示的液晶顯示器件不同的液晶顯示器件的實例其中液晶元件中的電極9305和9104層疊起來。在液晶元件中的電極9305和9104被要求具有相同的電位時，它們被層疊以彼此電連接。
雖然液晶元件中的電極9104被置于液晶元件中的電極9305之下，但是并不限于此。液晶元件中的電極9104也可以置于液晶元件中的電極9305之上。
雖然液晶元件中的電極9104被置于液晶元件中電極9305之下的整個區(qū)域中，但是并不限于此。液晶元件中的電極9104可以置于液晶元件中的電極9305的一部分之上和之下。
在液晶元件中的電極9104被置于液晶元件中的電極9305之下的整個區(qū)域中的情況下，液晶元件中的兩電極9305和9104都可以使用一個掩模形成。一般地，液晶元件中的電極9305和9104每個可以使用不同的掩模形成。然而，在這種情況下，使用掩模比如半石(halfstone)和玄武石，并且通過按區(qū)域改變抗蝕劑的厚度，可以使用一個掩模形成液晶元件中的電極9305和9104。結果，可以簡化處理過程，可以減少步驟數(shù)量，可以減少掩模(中間掩模)的數(shù)量，因此可以降低成本。
在附圖83中，示出了這樣的液晶顯示器件，其中液晶元件中的電極9305和9104通過彼此部分地重疊實現(xiàn)電連接。在這種結構中液晶元件中的電極9305和9104可以電連接。
雖然液晶元件中的電極9104被置于要與其彼此接觸的液晶元件中的電極9305之上，但并不限于此。液晶元件中的電極9305可以置于要與其彼此接觸的液晶元件中的電極9104之上。
這樣，通過在液晶元件中的電極9305之上的較寬的區(qū)域中不設置液晶元件中的電極9104，可以減小其中的光損失。
在附圖84中，液晶元件中的電極9305和9104被提供在不同的層中，并在它們之間設置絕緣層9306。如附圖85所示，液晶元件中的電極9305和9104可以提供在不同的層中。
在液晶元件中的電極9305和9104形成在不同的層中時，在反射部分1001中的液晶元件中的電極9305和9104之間的距離與在透射部分1002中的距離大致相同。因此，在反射部分1001中的電極之間的間隙和在透射部分1002中的電極之間的間隙大致相同。由于電場的強度和應用根據(jù)電極之間的間隙改變，因此在電極之間的間隙在反射部分1001和透射部分1002中大致相同時，大致相同水平的電場被施加到其中。因此，可以精確地控制液晶分子。此外，由于液晶分子在反射部分1001和透射部分1002中以大致相同的方式旋轉，因此不管是通過用作透射型還是反射型的液晶顯示器件顯示或觀看圖像，都可以看到大致相同的灰度級的圖像。
雖然液晶元件中的電極9104被置于液晶元件中的電極9305之下的整個區(qū)域中，但是并不限于此。液晶元件中的電極9104需要至少被提供在透射部分1002中。
注意，在絕緣層9306中可以形成接觸孔以連接液晶元件中的電極9104和9305。
附圖85所示為與附圖84不同的這樣的液晶顯示器件的實例其中液晶元件中的電極9305被提供在比液晶元件中的電極9104更低的層(更加遠離液晶層9303的層)中。
雖然液晶元件中的電極9104也形成在反射部分1001中，但并不限于此。液晶元件中的電極9104需要至少被提供在透射部分1002中。
注意在液晶元件中的電極9104也形成在反射部分1001中的情況下，液晶層9303根據(jù)在液晶元件中的電極9104和9103之間的電壓被控制。在這種情況下，液晶元件中的電極9305僅僅用作反射電極，液晶元件中的電極9104用作反射部分1001中的公共電極。
因此，在這種情況下，被輸送給液晶元件中的電極9305的電壓是任意的。與液晶元件中的電極9104或液晶元件中的電極9103相同的電壓可以被輸送給液晶元件中的電極9305。在這種情況下，電容器形成在液晶元件中的電極9305和9104之間，它可以用作保持圖像信號的保持電容器。
注意，接觸孔可以形成在絕緣層9306中以使液晶元件中的電極9305和9104彼此連接。
在附圖86中，反射部分1001中的液晶元件的電極9305和透射部分1002中的液晶元件的電極9103和9105形成在絕緣層9304之上。此外，絕緣層9204形成在液晶元件中的電極9305之上，反射部分中的液晶元件的電極9103和9105形成在其上。液晶元件中的電極9104形成在絕緣層9304之下。
雖然液晶元件中的電極9104也形成在反射部分1001中，但是并不限于此。液晶元件中的電極9104需要至少被提供在透射部分1002中。
注意，接觸孔可以形成在絕緣層9304中以使液晶元件中的電極9104和9305彼此連接。
注意，如附圖93所示，液晶元件中的電極9104不必提供在透射部分1002中。
在這種情況下，如附圖81所示，電壓施加在液晶元件中的電極9105和9103之間以控制液晶分子(9303a和9303b)。
如上文所述，由于液晶元件中的電極9104沒有提供在透射部分1002中，因此可以簡化處理過程，可以減少掩模(中間掩模)數(shù)量，并且可以降低成本。
注意，在附圖78至86和93中，雖然沒有示出電極的表面的不平整性，但是在液晶元件中的電極9103、9305、9104和9105的表面不限于平整的。它們的表面可以是不平坦的。
注意，在附圖78至86和93中，雖然沒有示出絕緣層9204、9304和9306的表面的不平整性，但是絕緣層9204、9304和9306的表面不限于平整的。它們的表面可以是不平坦的。
注意，通過使反射電極的表面非常不平坦，可以擴散光。結果，可以改善顯示器件的亮度。因此，在附圖78至86和93中所示的反射電極和透明電極(液晶元件中的電極9305和9104)可以是不平坦的表面。
注意，不平坦的表面優(yōu)選具有使光盡可能容易擴散的形狀。
在透射部分1002中，理想的是，透明電極不具有不平坦性以便不影響電場的施加。注意，即使它們是不平坦的，如果不影響顯示則仍然不存在問題。
附圖87所示為其中附圖78中的反射電極的表面是不平坦的情況。附圖88和89每個所示為其中附圖82中的反射電極的表面是不平坦的情況。附圖90所示為其中附圖83中的反射電極的表面是不平坦的情況。附圖91所示為其中附圖84中的反射電極的表面是不平坦的情況。附圖92所示為其中附圖85中的反射電極的表面是不平坦的情況。
其中反射電極的表面并非不平坦的附圖78至86和93的描述可以應用于附圖86至92。
附圖87所示為不同于附圖78中的液晶顯示器件的液晶顯示器件的實例其中凸形散射體9307被提供液晶元件中的電極9305之下。通過提供凸形散射體，液晶元件中的電極9305具有不平坦的表面，光被散射，可以防止由于光的反射引起的眩眼度和對比度劣化；由此改善了亮度。
注意，散射體9307的形狀理想地具有使光盡可能容易擴散的形狀。然而，由于電極和引線可以形成在其上，因此平滑的形狀比較理想以防止電極和引線斷裂。
附圖89所示為不同于附圖88所示的液晶顯示器件的液晶顯示器件的實例其中液晶元件中的電極9305和9104層疊起來。
由于液晶元件中的電極9104和9305在較大的區(qū)域上層疊在一起，因此可以減小接觸電阻。
附圖90所示為不同于附圖89中所示的液晶顯示器件的液晶顯示器件的實例其中散射體9203被提供在液晶元件中的電極9305和9104之間。
由于在形成了液晶元件中的電極9104之后形成散射體9203，因此在反射部分1001中可以使液晶元件中的電極9104平整。
附圖90所示為不同于附圖83中所示的液晶顯示器件的液晶顯示器件的實例其中凸形散射體9203可以提供在液晶元件中的電極9305之下。
附圖91所示為不同于附圖84中所示的液晶顯示器件的液晶顯示器件的實例其中絕緣層9306的表面部分地不平坦。液晶元件中的電極9305的表面變得不平坦，反映了絕緣層9306的這種形狀。
附圖92所示為不同于附圖85中所示的液晶顯示器件的液晶顯示器件的實例其中通過在液晶元件中的電極9305之下提供具有部分不平坦的表面的絕緣層9308，液晶元件中的電極9305的表面變得不平坦。
雖然在附圖78至93中，用于調節(jié)液晶層9303的厚度的膜形成在液晶元件中的電極9103之下，但不限于此。如附圖94所示，用于調節(jié)液晶層9303的厚度的絕緣層9204可以被置于液晶元件中的電極9103和9105之上。
在這種情況下，如附圖95所示，液晶元件中的電極9104不必提供在透射部分1002中。
在這種情況下，如附圖81所示，在液晶元件中的電極9105和9103之間施加電壓以控制液晶分子(9303a和9303b)。
如上文所述，由于液晶元件中的電極9104未被提供在透射部分1002中，因此可以簡化處理過程，可以減少掩模(中間掩模)的數(shù)量，以及可以降低成本。
附圖94對應于附圖78。在附圖82至92中，如附圖94的情況一樣，用于調節(jié)液晶層9303的厚度的絕緣層9204可以被置于液晶元件中的電極9103之上。
雖然在附圖78至94的多幅附圖中，用于調節(jié)液晶層9303的厚度的膜被提供在形成了液晶元件中的電極9103的襯底側，但并不限于此。用于調節(jié)液晶層9303的厚度的膜可以被置于反襯底側之上。
通過將用于調節(jié)液晶層9303的厚度的膜置于反襯底側上，液晶元件中的電極9103可以被設置在反射部分1001中的同一平面中和在透射部分1002中的同一平面中。因此，在反射部分1001和透射部分1002中的電極之間的距離可能大致相同。由于電場的強度和應用根據(jù)在電極之間的距離改變，因此電極之間的間隙在反射部分1001和透射部分1002中大致相同時，大致相同水平的電場被施加到其中。因此，可以精確得控制液晶分子。此外，由于液晶分子在反射部分1001和透射部分1002中以大致相同的方式旋轉，因此不管是通過用作透射型還是反射型的液晶顯示器件顯示或觀看圖像，都可以看到大致相同的灰度級的圖像。
在提供了用于調節(jié)液晶層9303的厚度的膜時，存在的可能是液晶分子的對準狀態(tài)變得無序，可能造成缺陷比如旋錯。然而，在反襯底9202之上放置用于調節(jié)液晶層9303的厚度的膜可以將反襯底9202和在液晶元件中的電極9103分開，因此施加給液晶層的電場不會被減弱，液晶分子的對準狀態(tài)幾乎不會變成無序，可以防止圖像變得幾乎不可識別。
注意，形成反襯底的步驟的數(shù)量較少，因為其中僅僅提供了濾色片、黑色矩陣等。因此，即使給反襯底9202提供用于調節(jié)液晶層9303的厚度的膜，仍然不容易降低產(chǎn)量。即使產(chǎn)生了缺陷，由于步驟數(shù)量較少并且成本較低，因此可以抑制制造成本的浪費。
注意，在其中給反襯底9202提供了用于調節(jié)液晶層9303的厚度的膜的情況下，用作散射材料的顆粒可以被包含在用于調節(jié)液晶層9303的厚度的膜中以使光擴散并改善亮度。顆?？梢杂删哂信c形成調節(jié)間隙的膜的基底材料(比如丙烯酸樹脂)不同的折射率的透明樹脂材料形成。在包含了顆粒時，光可以散射，所顯示的圖像的亮度和對比度可得到改善。
附圖96所示為其中向附圖78中的反襯底提供用于調節(jié)液晶層的厚度的膜的情況。附圖97所示為其中向附圖82中的反襯底提供用于調節(jié)液晶層的厚度的膜的情況。附圖98所示為其中向附圖83中的反襯底提供用于調節(jié)液晶層的厚度的膜的情況。附圖99所示為其中向附圖84中的反襯底提供用于調節(jié)液晶層的厚度的膜的情況。附圖100所示為其中向附圖85中的反襯底提供用于調節(jié)液晶層的厚度的膜的情況。附圖101所示為其中向附圖80中的反襯底提供用于調節(jié)液晶層的厚度的膜的情況。
因此，附圖78至86的描述可以適用于附圖96至101。
附圖96所示為與附圖78中所示的液晶顯示器件不同的液晶顯示器件的實例其中用于調節(jié)液晶層9303的厚度的絕緣層9201被提供在液晶層9303的除了提供液晶元件中的電極9103的一側之外的另一側上，液晶元件中的電極9103被提供在絕緣層9304之上。
附圖97所示為與附圖82中所示的液晶顯示器件不同的液晶顯示器件的實例其中用于調節(jié)液晶層9303的厚度的絕緣層9201被提供在液晶層9303的除了提供液晶元件中的電極9103的一側之外的另一側上，液晶元件中的電極9103被形成在絕緣層9304之上。
附圖98所示為與附圖83中所示的液晶顯示器件不同的液晶顯示器件的實例其中用于調節(jié)液晶層9303的厚度的絕緣層9201被提供在液晶層9303的除了提供液晶元件中的電極9103的一側之外的另一側上，液晶元件中的電極9103被形成在絕緣層9304之上。
附圖99所示為與附圖84中所示的液晶顯示器件不同的液晶顯示器件的實例其中用于調節(jié)液晶層9303的厚度的絕緣層9201被提供在液晶層9303的除了提供液晶元件中的電極9103的一側之外的另一側上，液晶元件中的電極9103被提供在絕緣層9304之上。
附圖100所示為與附圖87所示的液晶顯示器件不同的液晶顯示器件的實例其中用于調節(jié)液晶層9303的厚度的絕緣層9201被提供在液晶層9303的除了提供液晶元件中的電極9103的一側之外的另一側上，液晶元件中的電極9103被提供在絕緣層9304之上。
附圖101所示為與附圖80所示的液晶顯示器件不同的液晶顯示器件的實例其中用于調節(jié)液晶層9303的厚度的絕緣層9201被提供在液晶層9303的除了提供液晶元件中的電極9103的一側之外的另一側上，液晶元件中的電極9103被提供在絕緣層9304之上。
注意，在附圖96至101中，雖然沒有示出電極的表面的不平坦性，但是液晶元件中的電極9103、9305、9104和9105的表面不限于平整的。它們的表面可以是不平坦的。
注意，在附圖96至101中，雖然沒有示出絕緣層9204、9304和9306的表面的不平坦性，但是絕緣層9204、9304和9306的表面不限于平整的。它們的表面可以是不平坦的。
注意，通過使反射電極的表面非常不平坦，可以擴散光。結果，可以改善顯示器件的亮度。因此，附圖96至101中所示的反射電極和透明電極(液晶元件中的電極9305和液晶元件中的電極9104)可以具有不平坦的表面。
注意，不平坦的表面優(yōu)選具有使光盡可能容易擴散的形狀。
在透射部分1002中，理想的是，透明電極不具有不平坦性以便不影響給液晶層施加電場。注意，即使它們是不平坦的，如果不影響顯示仍然不存在問題。
注意，如附圖78至86的情況一樣，其中反射電極可以具有如附圖87至92中所示那樣的不平坦的表面，附圖96至101中的反射電極可以是不平坦的表面。附圖102所示其中附圖96中的反射電極具有不平坦性的情況。類似地，在附圖97至101中的反射電極具有不平坦性。
其中反射電極的表面并非不平坦的附圖96的描述可以應用于附圖102。
附圖102所示為不同于附圖96中的液晶顯示器件的液晶顯示器件的實例其中用于調節(jié)液晶層9303的厚度的絕緣層9201被提供在液晶層9303的除了提供液晶元件中的電極9103的一側之外的另一側上，液晶元件中的電極9103被形成在絕緣層9304之上。
在附圖78至102中，有用于調節(jié)液晶層9303的厚度的膜被置于其中提供了液晶元件中的電極9103的襯底一側或反襯底一側上的情況，但是并不限于此。用于調節(jié)液晶層9303的厚度的膜本身不必形成，如附圖103所示。附圖103對應于附圖78和96。除了在附圖78和96中所示的情況之外，在附圖79至95和97至102中所示的情況中不必形成用于調節(jié)液晶層9303本身的厚度的膜。
在未提供用于調節(jié)液晶層9303本身的厚度的膜時，光在反射部分中的液晶層中行進的距離不同于在透射部分中行進的距離。因此，理想的是，例如在光路中提供延遲膜(比如四分之一波片)或者具有折射率各向異性的材料(比如液晶材料)以便改變光的偏振狀態(tài)。例如，如果在反襯底的未提供絕緣層的一側上的偏振片和反襯底之間提供延遲膜，則光透射狀態(tài)在反射部分和透射部分中可以相同。
雖然在附圖78至103以及前文的描述中，液晶元件中的電極9103可以形成在透射部分1002中的相同平面中，但并不限于此。液晶元件中的電極9103可以形成在不同的平面上。
雖然在附圖78至103以及前文的描述中，液晶元件中的電極9105可以形成在透射部分1002中的相同平面中，但并不限于此。液晶元件中的電極9105可以形成在不同的平面上。
雖然在附圖78至103以及前文的描述中，液晶元件中的電極9103可以形成在反射部分1001中的相同平面中，但并不限于此。液晶元件中的電極9103可以形成在不同的平面上。
雖然在附圖78至103以及前文的描述中，液晶元件中的電極9105可以形成在反射部分1001中的相同平面中，但并不限于此。液晶元件中的電極9105可以形成在不同的平面上。
雖然在附圖78至103以及前文的描述中，反射部分1001中的液晶元件中的電極9305和9104可以形成為平滑狀，但并不限于此。液晶元件中的電極9305和9104可以形成為具有梳狀、切口或孔隙。
雖然在附圖78至103以及前文的描述中，透射部分1002中的液晶元件中的電極9104可以形成為平滑狀，但并不限于此。液晶元件中的電極9104可以形成為具有梳狀、切口或孔隙。
雖然在附圖79至104以及前文的描述中，液晶元件中的電極9305和9104可以形成在反射部分1001中的液晶元件之電極9103之下，但并不限于此。如果液晶中的電極9305和9104具有梳狀、切口或孔隙，它們可以被形成在與液晶元件中的電極9103相同的水平面上或者液晶元件中的電極9103之上。
雖然在附圖78至103以及前文的描述中，液晶元件中的電極9305和9104可以形成在反射部分1001中的液晶元件中的電極9105之下，但并不限于此。如果液晶元件中的電極9305和9104具有梳狀、切口或孔隙，它們可以被形成在與液晶元件中的電極9105相同的水平面上或者液晶元件中的電極9105之上。
雖然在附圖78至103以及前文的描述中，液晶元件中的電極9305和9104可以形成在透射部分1002中的液晶元件中的電極9103之下，但并不限于此。如果液晶元件中的電極9305和9104具有梳狀、切口或孔隙，它們可以被形成在與液晶元件中的電極9103相同的水平面上或者液晶元件中的電極9103之上。
雖然在附圖78至103以及前文的描述中，液晶元件中的電極9305和9104可以形成在透射部分1002中的液晶元件中的電極9105之下，但并不限于此。如果液晶元件中的電極9305和9104具有梳狀、切口或孔隙，它們可以被形成在與液晶元件中的電極9105相同的水平面上或者液晶元件中的電極9105之上。
注意，在前述的結構比如在附圖78至103所示的結構及其組合中，濾色片可以被提供在反襯底之上或者可以被提供在其上提供了液晶元件中的電極9103的襯底之上，該反襯底被提供在液晶層9303之上。
例如，濾色片可以被提供在絕緣層9304、9204、9306和9308中或作為其一部分。
注意，黑色矩陣可以以類似的方式提供給濾色片。不用說，可以提供濾色片和黑色矩陣兩者。
因此，如果絕緣層用作濾色片或者黑色矩陣，則可以減小材料成本。
在濾色片或黑色矩陣被置于其上提供了液晶元件中的電極9103的襯底之上時，提高了反襯底的設置裕度。
注意，在液晶元件中的電極的各種位置、種類和形狀以及絕緣層的各種位置和形狀都可以使用。即，在一幅附圖中的液晶元件中的電極的位置和在另一幅附圖中的絕緣層的位置可以組合以形成許多變型。例如，在附圖88中所示的實例可以通過將附圖79中的液晶元件中的電極9305的形狀改變?yōu)榫哂胁黄教沟男螤疃纬?。另一實例，在附圖79中的液晶元件中的電極9104的形狀和位置可以改變，以形成在附圖87中所示的實例。在前文的附圖中，每個附圖中的每個部分可以與另一附圖中的對應部分組合；因此可以形成許許多多的變型。
〔實施例模式3〕在實施例模式1和2中，描述這樣的情況其中提供反射部分和透射部分，即其中提供半導體液晶顯示器件的情況，但不限于此。
液晶元件中的電極9305和9104中的一個電極被取消而另一電極被提供在整個表面之上時，可以形成反射或透射液晶顯示器件。
液晶元件中的電極9305被取消而液晶元件中的電極9104被提供在整個表面之上時，形成了透射液晶元件。在室內(nèi)使用這種透射液晶顯示器件時，因為其孔隙比率較高，因此可以實施明亮且漂亮的顯示。
液晶元件中的電極9104被取消而液晶元件中的電極9305被提供在整個表面之上時，形成了反射液晶顯示器件。在室外使用這種反射液晶顯示器件時，因為其反射率較高，因此可以實施清晰的顯示；因此，可以實現(xiàn)具有較低的功耗的顯示器件。在室內(nèi)使用反射液晶顯示器件時，可以通過在顯示部分上提供正面光實施顯示。
在液晶顯示器件被用作反射液晶顯示器件或者透射液晶顯示器件時，在一個像素中光行進的距離不變。因此，不要求用于調節(jié)液晶層(單元間隙)的厚度的絕緣層9204。
附圖104所示為其中在附圖78中所示的液晶顯示器件是透射型的實例。附圖105顯示了其中在附圖87中所示的液晶顯示器件是反射型的實例。
如附圖104和105所示，接觸孔可以形成在絕緣層9304中以便連接液晶元件中的電極9305、9104和9105。由于這些電極用作公共電極，因此理想地，它們電連接。
注意，以類似于附圖104和105的方式，關于附圖77至103的附圖和描述可以適用于透射或反射型液晶顯示器件。
注意，實施例模式1和2中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式4〕描述本發(fā)明的有源矩陣液晶顯示器件的實例。
在本實施例模式中，描述這樣的一種實例其中在實施例模式1至3中描述的結構或者通過附圖中示出的各部分的組合實現(xiàn)的結構可以形成有晶體管。
注意，在本發(fā)明中，不總是要求晶體管；因此本發(fā)明可以適用于沒有晶體管的顯示器件，即所謂的無源矩陣顯示器件。
在本實施例模式中，描述其中液晶顯示器件是透射型的并使用頂柵型晶體管控制的情況。
然而，并不限于此，也可以使用底柵型晶體管。
附圖1所示為包括具有絕緣表面的襯底100(下文稱為絕緣襯底)的液晶顯示器件，在該絕緣表面上形成了薄膜晶體管102和連接到薄膜晶體管的第一電極103、第二電極104和第三電極105。第一電極103用作像素電極。第二電極104用作公共電極。第三電極105用作公共電極。
注意，柵極電極是柵極線的一部分。用作開關薄膜晶體管102之電極的柵極線的一部分是柵極電極。
公共引線是電連接到在液晶元件中提供的電極的引線，它被布置成使液晶顯示器件中提供的多個像素中的液晶元件中的電極具有相同的電位。在液晶元件中電連接到公共引線的電極一般被稱為公共電極。另一方面，在液晶元件中其電位根據(jù)來自源極線的電位按照需要改變的電極一般被稱為像素電極。
薄膜晶體管102優(yōu)選形成在絕緣襯底100之上，并與該絕緣襯底之間具有層101。通過提供基層101，可以防止從絕緣襯底100到薄膜晶體管102(特別是到半導體層)的雜質元素的進入。二氧化硅、氮化硅或其疊加的層都可用于基層101。優(yōu)選氮化硅，因為它可以有效地防止雜質的進入。另一方面，優(yōu)選氧化硅，因為即使它與半導體層直接接觸，它也不會捕獲電荷或者造成電特性的滯后。
雖然薄膜晶體管102是頂柵型，但是并不限于此。薄膜晶體管102可以是底柵型。
薄膜晶體管102包括處理成預定形狀的半導體層111、覆蓋半導體層或提供在半導體層之上的柵極絕緣層112、提供在半導體層之上并與半導體層之間具有柵極絕緣層的柵極電極113和源極和漏極電極116。
所形成的覆蓋半導體層的柵極絕緣層可以防止雜質附著或者進入到半導體層，即使在處理過程中該半導體層暴露在大氣環(huán)境中時。此外，提供在半導體層之上的柵極絕緣層可以使用柵極電極作為掩模進行處理，因此可以減少掩模的數(shù)量。因此，柵極絕緣層112的形狀可以根據(jù)處理過程等決定，它可以是柵極絕緣層112僅僅形成在柵極電極之下或者可以形成在整個表面之上?？商鎿Q地，柵極絕緣層112可以被提供成在柵極電極之下或附近較厚，而在其它區(qū)域中較薄。
在半導體層中，提供了雜質區(qū)114。薄膜晶體管根據(jù)雜質區(qū)的導電性變?yōu)镹-型或P-型。通過使用柵極電極113作為掩模，雜質區(qū)可以通過以自對準的方式添加雜質元素形成。注意，可以準備并使用另一掩模。
在雜質區(qū)中，其濃度可以改變。例如，可以提供低濃度雜質區(qū)和高濃度雜質區(qū)。低濃度雜質區(qū)可以通過使柵極電極113具有漸縮的形狀并使用柵極電極以自對準的方式添加雜質元素形成?？商鎿Q地，低濃度雜質區(qū)可以通過改變柵極絕緣層112的厚度或者使柵極電極具有漸縮的形狀形成。此外，雜質區(qū)的濃度可以通過在柵極電極113的側表面中形成側壁結構而改變。其中提供低濃度雜質區(qū)和高濃度雜質區(qū)的結構被稱為LDD(輕摻雜漏極)結構。其中低濃度雜質區(qū)和柵極電極重疊的結構被稱為GOLD(柵極-漏極重疊的LDD)結構。在這種包括低濃度雜質區(qū)的薄膜晶體管中，可以防止隨著柵極長度縮短產(chǎn)生的短溝道效應。此外，可以減小截止電流，并可以抑制在漏極區(qū)中的電場的濃度；由此改善了晶體管的可靠性。
提供絕緣層106以覆蓋半導體層111和柵極電極113。絕緣層106可以具有單層結構或者疊層結構。無機材料或有機材料可以用于絕緣層106。作為無機材料，氧化硅或者氮化硅都可以使用。作為有機材料，可以使用聚酰亞胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亞胺氨、抗蝕劑、苯環(huán)丁烯、硅氧烷、聚硅氮烷。硅氧烷包括由硅(Si)和氧(O)的鍵形成的骨架結構。至少包含氫的有機基團(比如羥基或芳烴)被用作取代基?？商鎿Q地，氟基團可以被用作取代基。此外，可替換地，至少包含氫的有機基團和氟基團可以被用作取代基。注意，聚硅氮烷可以使用具有硅(Si)和氮(N)的鍵的聚合物材料作為起始材料形成。優(yōu)選使用有機材料用于絕緣層106，因為其表面的平整性可以被改善。在無機材料被用于絕緣層106時，其表面符合半導體層或柵極電極的形狀。在這種情況下，絕緣層106可以通過被加厚而變平整。
開口形成在絕緣層106中以暴露雜質區(qū)。導電層形成在該開口中以形成源極和漏極電極116。用于源極和漏極電極的導電層可以由從下列材料中選擇的元素形成鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、銀(Ag)、銅(Cu)、釹(Nd)等；包含這些元素作為主要成分的合金材料；或者導電材料比如金屬氮化物比如氮化鈦、氮化鉭或氮化鉬。導電層可以具有這些材料的疊層結構或者單層結構。疊層結構可以減小其電阻。另一電極117等可以使用與源極和漏極電極相同的導電層形成。
絕緣層107被形成為覆蓋源極和漏極電極116。絕緣層107可以以與絕緣層106類似的方式形成。即，如果絕緣層107使用有機材料形成，則可以改善其平整性。由于第一電極103和第三電極105形成在絕緣層107上，因此理想的是，絕緣層107的平整性較高。提供第一電極103和第三電極105以將電壓應用到液晶材料，它們需要是平整的；因此理想的是絕緣層107的平整性較高。
第一電極103和第三電極105被處理成梳狀或被處理成具有切口。第一電極103和第三電極105交替地設置。換句話說，第一電極103和第三電極105可以被處理成能夠交替地設置。在第一電極103和第三電極105之間的間隙是2至8微米，優(yōu)選3至4微米。給由此設置的第一電極103和第三電極105施加電壓在其間產(chǎn)生了電場。因此，可以控制液晶材料的取向。由此產(chǎn)生的電場具有與襯底平行的許多分量。因此，液晶分子在與襯底大致平行的平面中旋轉。因此，可以控制光的透射。
在絕緣層107上形成的第一電極103和第三電極105由如下材料形成；導電材料比如從鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、銀(Ag)等中選擇的元素；包含以上元素作為主要成分的合金材料。在第一電極103和第三電極105需要透明時，可以使用透明導電材料比如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、包含氧化硅的氧化銦錫(ITSO)、氧化鋅(ZnO)或包含磷或硼的硅(Si)。
然后，描述第二電極104。第二電極104被提供在基層101或者柵極絕緣層112之上。第二電極104形成在一個像素區(qū)之上。具體地說，第二電極104形成在除了薄膜晶體管形成區(qū)之外的一個像素區(qū)之上。換句話說，與梳狀第三電極105不同的，第二電極104被提供在一個像素區(qū)之上，換句話說，在梳狀第三電極105和第一電極103之下的區(qū)域。即，第二電極104被提供為平滑狀。第二電極104形成在一個像素區(qū)之上，對其形狀沒有限制。例如，第二電極104可以形成在一個像素區(qū)的整個表面之上，或者在一個像素區(qū)上形成為梳狀或者可以包括切口或孔。
第二電極104由如下的導電材料形成例如鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、銀(Ag)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、包含氧化硅的氧化銦錫(ITSO)、氧化鋅(ZnO)或包含磷或硼的硅(Si)。第二電極104可以形成在與半導體層111相同的層中；因此，半導體層可以用于第二電極104。然而，注意由于第二電極104需要是導電的，因此可以使用晶體半導體層、以雜質元素摻雜的半導體層或者以雜質元素摻雜的晶體半導體層。
在這種情況下，理想地，在薄膜晶體管102中的半導體層和由半導體層形成的第二電極104都同時形成。結果，可以簡化處理過程并降低成本。
第二電極104電連接到第三電極105，并在它們之間有電極117。
在形成透射型液晶顯示器件時，第二電極104和第三電極105由透明導電材料形成，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、包含氧化硅的氧化銦錫(ITSO)、氧化鋅(ZnO)或包含磷或硼的硅(Si)。與另一導電材料比如Al相比，這些透明材料具有較高的電阻。因此，由具有較低的電阻的導電材料(比如鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)或銀(Ag))形成的電極117或者與柵極電極113同時形成的引線都可用于連接第二電極104和第三電極105，由此電極117和引線都可用作第二電極104和第三電極105的輔助引線或者輔助電極。結果，均勻的電壓可被施加給第二電極104和第三電極105，這意味著在第二電極104和第三電極105中可以防止由電極的電阻引起的電壓降。
這時，理想的是使用與柵極電極113同時形成的導電層作為輔助引線。在這種情況下，理想地，輔助引線被設置成與柵極引線大致平行，由此可以實現(xiàn)有效的布局設計。
在電壓被施加給第二電極104和梳狀的第一電極103時，在它們之間也產(chǎn)生了電場。即，在第二電極104和第一電極103之間和在梳狀的第三電極105和第一電極103之間都產(chǎn)生了電場。液晶材料的傾斜和旋轉角度根據(jù)在兩對電極之間的電場控制，由此可以實現(xiàn)灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產(chǎn)生電場充分地控制的一部分液晶材料中，通過兩對電極所產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。具體地說，通過提供第二電極104，可以充分地控制正好在梳狀第三電極105或梳狀第一電極103之上的液晶材料的傾斜，但是還不可能充分地控制其傾斜。這是因為除了在梳狀第三電極105和梳狀第一電極103之間產(chǎn)生的電場的方向之外，在第二電極104和第一電極103之間產(chǎn)生了電場。因此，通過提供多對電極以在其間產(chǎn)生多個方向的電場，可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，被提供成面對絕緣襯底100的襯底可以具有與晶體管重疊的光屏蔽層。光屏蔽層例如由導電材料比如鎢、鉻或鉬；硅化物比如硅化鎢或包含黑色顏料或碳黑的樹脂材料形成。此外，提供濾色片以便與梳狀第一電極103和梳狀第三電極105重疊。在濾色片上進一步提供對準膜。
液晶層被提供在絕緣襯底100和反襯底之間。在每個絕緣襯底100和反襯底之上提供偏振片。每個偏振片被提供在絕緣襯底100和反襯底的另一側之上，該另一側是與提供了液晶層的一側不同的一側。
注意，本實施例模式顯示了與晶體管一起實現(xiàn)實施例模式1至3中所描述的實例。因此，在實施例模式1至3中的描述可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式5〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式中所描述的液晶顯示器件不同的液晶顯示器件的結構其中公共電極被提供在與薄膜晶體管中的源極和漏極電極相同的層中。
注意，可以利用底柵型晶體管。
如附圖2所示，公共電極122可以提供在絕緣層106之上以與引線121接觸。公共電極122可以與前述實施例模式4中的第二電極104類似地形成。
如附圖1一樣，梳狀第三電極105和梳狀第一電極103被提供在絕緣層107之上，第三電極105通過在絕緣層107中提供的開口連接到公共電極122。
公共電極122與引線121接觸，第三電極105也電連接到引線121。因此，在公共電極122和第三電極105由與Al等相比具有較高的電阻的導電材料(氧化銦錫(ITO)、氧化鋅銦(IZO)、包含氧化硅的氧化銦錫(ITSO)、氧化鋅(ZnO)或包含磷或硼的硅(Si))形成時，由Al等形成的引線121或與柵極電極113同時形成的引線可以用作公共電極122和第三電極105的輔助引線。結果，如上文所述，可以防止由公共電極122和第三電極105的引線電阻引起的電壓降。
這時，理想的是使用與柵極電極113同時形成的導電層作為輔助引線。在這種情況下，理想地，輔助引線被設置成與柵極引線大致平行，由此可以實現(xiàn)有效的布局設計。
因為其它結構類似于附圖1的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在電壓被施加給這種公共電極122和梳狀的第一電極103時，在它們之間也產(chǎn)生了電場。即，在公共電極122和第一電極103之間和在梳狀的第三電極105和第一電極103之間都產(chǎn)生了電場。液晶材料的傾斜根據(jù)在兩對電極之間的電場控制，由此可以實現(xiàn)灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產(chǎn)生電場充分地控制的一部分液晶材料中，通過兩對電極所產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。具體地說，通過提供公共電極122，可以充分地控制正好在梳狀第三電極105或梳狀第一電極103之上的液晶材料的傾斜，盡管還不可能充分地控制其傾斜。
因此，通過提供多對電極以在其間產(chǎn)生多個方向的電場，可以充分地控制液晶材料的傾斜。此外，在本實施例模式中，由于公共電極122被形成在絕緣層106之上，因此在公共電極122和第一電極103之間的距離變得更短，由此可以降低要施加的電壓。
注意，本實施例模式顯示了與晶體管一起實現(xiàn)實施例模式1至3所描述的實例，這種實例是實施例模式4中的實例的改進。因此，在實施例模式1至4中的描述可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式6〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式所描述的液晶顯示器件不同的液晶顯示器件的結構其中公共電極被提供在基層101之上。
如附圖3所示，基層101被提供在絕緣襯底100之上，并且公共電極132形成在其上。公共電極132可以與前述的實施例模式中的第二電極104類似地形成。絕緣層106被提供在公共電極132之上，并且公共電極132通過在絕緣層106中提供的開口連接到第三電極105。因此，在公共電極132和第三電極105由與Al等相比具有較高的電阻的導電材料(氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、包含氧化硅的氧化銦錫(ITSO)、氧化鋅(ZnO)或包含磷或硼的硅(Si))形成時，由Al等形成的引線131可以用作輔助引線或引線。結果，如上文所述，可以防止由公共電極132和第三電極105的引線電阻引起的電壓降。引線131可以通過與柵極電極113相同的導電層形成。在這種情況下，理想地，輔助引線被設置成與柵極引線大致平行，由此可以實現(xiàn)有效的布局設計。
注意，在本實施例模式中可以使用底柵型晶體管。
因為其它結構類似于附圖1的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在電壓被施加給這種公共電極132和梳狀的第一電極103時，在它們之間也產(chǎn)生了電場。即，在公共電極132和第一電極103之間和在梳狀的第三電極105和第一電極103之間都產(chǎn)生了電場。液晶材料的傾斜根據(jù)在兩對電極之間的電場控制，由此可以實現(xiàn)灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產(chǎn)生電場充分地控制的一部分液晶材料中，通過兩對電極所產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。具體地說，通過提供公共電極132，可以充分地控制正好在梳狀第三電極105或梳狀第一電極103之上的液晶材料的傾斜，盡管一直還不可能充分地控制其傾斜。
因此，通過提供多對電極以在其間產(chǎn)生多個方向的電場，可以充分地控制液晶材料的傾斜。此外，在本實施例模式中，由于公共電極122被形成在基層101之上，因此絕緣層106本身可以用作單層結構。結果，公共電極132和第一電極103之間的距離變得更短，由此可以降低要施加的電壓。
注意，本實施例模式顯示了與晶體管一起實現(xiàn)實施例模式1至3所描述的實例，這種實例是實施例模式4或5中的實例的改進。因此，實施例模式1至5中的描述可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式7〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式中所描述的液晶顯示器件不同的液晶顯示器件的結構其中非晶半導體層用作薄膜晶體管中的半導體層。
如附圖4所示，包括非晶半導體層的薄膜晶體管160形成在基層101之上。薄膜晶體管160是所謂的底柵型，在這種類型中半導體層被提供在柵極電極之下。
柵極電極113形成在基層101之上，并且柵極絕緣層112被形成為覆蓋柵極電極113。非晶半導體層411形成在柵極電極之上，在非晶半導體層411和柵極電極之間有柵極絕緣層112。非晶半導體層411可以由含硅的材料形成。
源極和漏極電極116被形成為覆蓋非晶半導體層411的兩個邊緣。為了減小引線電阻，N-型雜質區(qū)優(yōu)選形成在與源極和漏極電極接觸的非晶半導體層中的區(qū)域中。N-型雜質區(qū)可以通過將雜質添加到非晶半導體層411的表面中而形成。
此后，使用源極和漏極電極將非晶半導體層411處理成預定形狀。這時，在薄膜晶體管160中的半導體層中的溝道形成區(qū)之上的部分通過蝕刻被清除。具有這種結構的薄膜晶體管被稱為溝道蝕刻的薄膜晶體管。
絕緣層106被形成為覆蓋以這種方式形成的薄膜晶體管160。用于絕緣層106的有機材料的使用可以改善其表面的平整性。不用說，無機材料也可用于絕緣層106，或者也可以使用包括無機材料和有機材料的疊層結構。在絕緣層106中形成開口以便暴露源極和漏極電極116，由此形成在絕緣層106之上的第一電極103和源極和漏極電極116被電連接。如前述的實施例模式一樣，將絕緣層106之上的第一電極103形成為梳狀。
然后，描述公共電極401的結構。公共電極401形成在基層101之上。公共電極401可以類似于前述的實施例模式中所示的第二電極104地形成。公共電極401的形狀被處理成形成在像素區(qū)之上。導電層402被形成在經(jīng)處理的公共電極401的一部分中。通過處理與薄膜晶體管160中的柵極電極113相同的導電層可以獲得導電層402。公共電極401和導電層402可以以柵極絕緣層112覆蓋。
開口被提供在絕緣層106和柵極絕緣層112中以暴露導電層402。然后，形成在絕緣層106之上的梳狀第三電極105與導電層402電連接。結果，第三電極105和公共電極401連接。在此，導電層402連接到公共電極401和第三電極105；因此，導電層402可以用作輔助引線。然后，如上文所述，可以防止由公共電極401和第三電極105的引線電阻引起的電壓降。
在本實施例模式中，由于使用了利用非晶半導體層的底柵型薄膜晶體管，因此與前述的實施例模式中的頂柵型薄膜晶體管相比，可以減小整個厚度。具體地，與包括疊加的絕緣層106和107的結構相比，在本實施例模式中的結構因為僅僅利用了絕緣層106因此其整個厚度較薄。結果，液晶顯示器件可以較薄并且重量輕。
雖然在本實施例模式中利用溝道蝕刻型，但是也可以利用溝道保護型。在溝道保護型中，保護層被提供在半導體層之上，并且源極和漏極電極被提供在保護層的兩側上，其中在處理半導體層時不清除半導體層的表面。
注意本實施例模式中也可以利用頂柵型晶體管。
注意，本實施例模式顯示了與晶體管一起實現(xiàn)實施例模式1至3中的描述的實例，這種實例是實施例模式4至6中的實例的改進。因此，在實施例模式1至6中的描述可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式8〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式中描述的液晶顯示器件不同的液晶顯示器件的結構其中用作輔助引線的導電層被提供在公共電極之下。
如附圖5所示，導電層502事先形成在基層101之上。此后，公共電極501被形成為與導電層502接觸。公共電極501可以類似于前述實施例模式中的第二電極104地形成。通過處理與薄膜晶體管160中的柵極電極113相同的導電層或與源極和漏極電極116相同的導電層可以獲得導電層502。公共電極501和導電層502以絕緣層106覆蓋。
開口被提供在絕緣層106和柵極絕緣層112中以暴露公共電極501。然后，形成在絕緣層106之上的梳狀第三電極105和導電層502電連接。在此，導電層502連接到公共電極401和第三電極105；因此，導電層502可以用作輔助引線。然后，如上文所述，可以防止由公共電極501和第三電極105的引線電阻引起的電壓降。
因為其它結構類似于附圖4的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，由于僅僅利用了絕緣層106的結構，因此與包括層疊的絕緣層106和107的結構相比，該結構的整個厚度較薄。結果，液晶顯示器件可以較薄并且重量輕。
雖然在本實施例模式中利用溝道蝕刻型薄膜晶體管，但是如前文實施例模式中所描述一樣，也可以利用溝道保護型薄膜晶體管。
注意，本實施例模式顯示了與晶體管一起實現(xiàn)實施例模式1至3中描述的實例，這種實例是實施例模式4至7中的實例的改進。因此，在實施例模式1至7中的描述可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式9〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式1中描述的液晶顯示器件不同的液晶顯示器件的結構其中提供了濾色片和黑色矩陣。
如附圖6A所示，在實施例模式1(附圖1)中所示的液晶顯示器件的結構中，提供濾色片150和黑色矩陣151替代絕緣層107。濾色片150和黑色矩陣151被提供為彼此部分地重疊。
濾色片150由具有可以展現(xiàn)預定的色彩的材料形成。紅色、綠色和藍色一般被用作預定的顏色。這些顏色的組合實現(xiàn)全色顯示。另一方面，在實施單色顯示時，濾色片可以由能夠展現(xiàn)紅色、綠色和藍色(可替換地，橙色或黃色)中的一種顏色的材料形成。單色顯示器適合于顯示簡單的字母和數(shù)字，并且可用于汽車音響或便攜式音響設備的顯示屏。
提供黑色矩陣151以防止薄膜晶體管102被光輻照、抑制在薄膜晶體管102中包括的電極的反射、防止光從其中液晶分子不受圖像信號控制的部分中泄漏、并且用以分割一個像素。只要黑色矩陣151展現(xiàn)出黑色即可被接受，并且該黑色矩陣可以使用包含了鉻的導電層或包含了色素或碳黑的有機材料形成。此外，黑色矩陣151可以由被染色的有機材料比如丙烯酸或聚酰亞胺形成。
注意，理想地，黑色矩陣151由非導電材料形成以便不影響電場的施加。
在提供濾色片150和黑色矩陣151時，理想的是，絕緣層106具有層疊的層結構，并且絕緣層可以由作為其上層形成的無機材料和有機材料形成。濾色片150和黑色矩陣151通常由有機材料形成，這些材料包含了對薄膜晶體管的電特性不利的雜質元素。理想的是，形成絕緣層以防止雜質元素進入到薄膜晶體管中的半導體層111中。
因此，優(yōu)選氮化硅作為形成絕緣層的無機材料。這種絕緣層也被稱為鈍化層。鈍化層并不限于被提供在具有疊層結構的絕緣層106之上。只要鈍化層被提供在半導體層111以及濾色片150和黑色矩陣151之間就可以接受。例如，鈍化層可以作為具有疊層結構的絕緣層106的底層提供。
注意，在形成濾色片150和黑色矩陣151之前可以淀積無機材料比如氮化硅。
此后，絕緣層152被形成為覆蓋濾色片150和黑色矩陣151。絕緣層152使該表面平整。具體地，在濾色片150和黑色矩陣151彼此重疊的區(qū)域中，因為黑色矩陣151的厚度的緣故，所形成的臺階可以通過絕緣層152平整。
因為其它結構類似于附圖1的結構，所以省去了對其它結構的描述。
附圖6B中所示的結構與附圖6A中所示的結構不同之處在于濾色片150和黑色矩陣151被提供為彼此不重疊。濾色片150被保護性地(proactively)提供在透射光的區(qū)域中，而黑色矩陣151被保護性地提供在包括薄膜晶體管102的區(qū)域中。結果，通過薄膜晶體管102和第二電極104的邊界區(qū)的邊界，濾色片150形成在其中形成有第二電極104的區(qū)域中，而黑色矩陣151形成有在其中形成有薄膜晶體管102的區(qū)域中。然后，絕緣層152被形成為覆蓋濾色片150和黑色矩陣151。
優(yōu)選彼此不重疊地提供濾色片150和黑色矩陣151，因為在它們重疊的區(qū)域中增加了整個厚度。
因為其它結構類似于附圖6A的結構，所以省去了對其它結構的描述。
附圖6C中所示的結構與附圖6A和6B中所示的結構不同之處在于黑色矩陣151被提供在反襯底155上。對于提供有黑色矩陣151的區(qū)域沒有限制，只要它在薄膜晶體管102之上即可。
在這種情況下，在相鄰像素中的不同顏色的濾色片可以被設置為彼此重疊。在層疊了濾色片的區(qū)域中，用作黑色矩陣，因為它的透射率降低了。
在黑色矩陣151被提供給反襯底155時，濾色片150可以被形成在薄膜晶體管102和第二電極104之上。如上文所述，使用有機材料形成濾色片150；因此濾色片150也用作平整膜。即，可以提供濾色片150替代絕緣層107，濾色片150的表面可以被平整。
注意黑色矩陣151可以被提供在絕緣襯底100的后表面?zhèn)壬稀?br> 注意，黑色矩陣可以被提供在絕緣襯底100側上，而且濾色片可以形成在反襯底側上。通過將黑色矩陣提供在絕緣襯底100側上，可以改善在襯底中的設置裕度。
因為其它結構類似于附圖6A的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，如實施例模式1一樣，在將電壓施加給第二電極104和梳狀第一電極103時，在它們之間產(chǎn)生了電場。因此，可以控制液晶材料的傾斜，由此可以實施灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產(chǎn)生電場充分地控制的一部分液晶材料中，通過兩對電極所產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，本實施例模式顯示了與晶體管一起實現(xiàn)實施例模式1至3中描述的實例，這種實例是實施例模式4至8中的實例的改進。因此，實施例模式1至8中的描述可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式10〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式1中描述的液晶顯示器件不同的液晶顯示器件的結構其中提供了濾色片150和黑色矩陣151替代絕緣層106。
如附圖7A所示，在實施例模式1(附圖1)中所示的液晶顯示器件的結構中，提供濾色片150和黑色矩陣151替代絕緣層106。濾色片150和黑色矩陣151被提供為彼此部分地重疊。濾色片150和黑色矩陣151與前述的實施例模式中的濾色片和黑色矩陣類似地形成。絕緣層152被形成為覆蓋濾色片150和黑色矩陣151。該表面可以通過絕緣層152平整。
在提供濾色片150和黑色矩陣151的情況下，理想地，鈍化層被提供在濾色片150和黑色矩陣151和在薄膜晶體管102中的半導體層111之間。在本實施例模式中，鈍化層154被形成為覆蓋柵極電極113和第二電極104。
在這種提供濾色片150和黑色矩陣151替代絕緣層106的結構中，黑色矩陣151被形成在薄膜晶體管102的附近。因此，優(yōu)選這種結構，因為有效地屏蔽了發(fā)射到薄膜晶體管102的光。
因為其它結構類似于附圖6A的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在附圖7B中所示的結構與在附圖7A中所示的結構不同之處在于提供濾色片150和黑色矩陣151以便彼此不重疊。
因為其它結構類似于附圖6B的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在附圖7C中所示的結構與在附圖7A和7B中所示的結構不同之處在于黑色矩陣151被提供在反襯底側上。
因為其它結構類似于附圖7B的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，如實施例模式1一樣，在將電壓施加給第二電極104和梳狀第一電極103時，在它們之間產(chǎn)生了電場。因此，可以控制液晶材料的傾斜，由此可以實施灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產(chǎn)生電場充分地控制的一部分液晶材料中，通過兩對電極所產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，本實施例模式顯示了與晶體管一起實現(xiàn)實施例模式1至3中的描述的實例，這種實例是實施例模式4至9中的實例的改進。因此，實施例模式1至9中的描述可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式11〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式2中描述的液晶顯示器件不同的液晶顯示器件的結構其中提供了濾色片和黑色矩陣。
如附圖8A所示，在實施例模式2(附圖2)中所示的液晶顯示器件的結構中，提供濾色片150和黑色矩陣151替代絕緣層107。濾色片150和黑色矩陣151被提供為彼此部分地重疊。濾色片150和黑色矩陣151與前述的實施例模式中的濾色片和黑色矩陣類似地形成。絕緣層152被形成為覆蓋濾色片150和黑色矩陣151。該表面可以通過絕緣層152平整。
在提供濾色片150和黑色矩陣151的情況下，理想地，鈍化層被提供在濾色片150和黑色矩陣151和在薄膜晶體管102中的半導體層111之間。在本實施例模式中，絕緣層106具有疊層結構，其上層是由無機材料形成的鈍化層153。鈍化層并不限于作為具有疊層結構的絕緣層106的上層提供。只要鈍化層被提供在半導體層111和濾色片150和黑色矩陣151之間就可以接受。例如，鈍化層可以作為具有疊層結構的絕緣層106的底層提供。
濾色片150、黑色矩陣151、絕緣層152和鈍化層153的這些結構類似于在附圖6A中所示的結構。因為其它結構類似于附圖2的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在附圖8B中所示的結構與在附圖8A中所示的結構不同之處在于濾色片150和黑色矩陣151被提供為彼此不重疊。彼此不重疊的濾色片150和黑色矩陣151的結構類似于在附圖6B中所示的結構。
因為其它結構類似于附圖8A的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在附圖8C中所示的結構與在附圖8A和8B中所示的結構不同之處在于黑色矩陣151被提供在反襯底155側上。對于其中提供有黑色矩陣151的區(qū)域沒有限制，只要它在薄膜晶體管102之上即可。
在給反襯底155提供黑色矩陣151時，濾色片150可以被形成在薄膜晶體管102和第二電極104之上。如上文所述，濾色片150使用有機材料形成，因此濾色片150也用作平整膜。即，可以提供濾色片150替代絕緣層107，并且濾色片150的表面可以被平整。這種將黑色矩陣151提供在反襯底155側上的結構類似于在附圖6C中所示的結構。
注意，黑色矩陣151可以被提供在絕緣襯底100的后表面?zhèn)壬稀?br> 因為其它結構類似于附圖8A的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，如實施例模式2一樣，在將電壓施加給公共電極122和梳狀第一電極103時，在它們之間產(chǎn)生了電場。因此，可以控制液晶材料的傾斜，由此可以實施灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產(chǎn)生電場充分地控制的一部分液晶材料中，通過兩對電極所產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，本實施例模式顯示了與晶體管一起實現(xiàn)實施例模式1至3中的描述的實例，這種實例是實施例模式4至10中的實例的改進。因此，實施例模式1至10中的描述可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式12〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式2中描述的液晶顯示器件不同的液晶顯示器件的結構其中提供濾色片和黑色矩陣替代絕緣層106。
如附圖9A所示，在實施例模式2(附圖2)中所示的液晶顯示器件的結構中，提供濾色片150和黑色矩陣151替代絕緣層106。濾色片150和黑色矩陣151被提供為彼此部分地重疊。濾色片150和黑色矩陣151與在前述的實施例模式中的濾色片和黑色矩陣類似地形成。絕緣層152被形成為覆蓋濾色片150和黑色矩陣151。該表面可以通過絕緣層152平整。
在提供濾色片150和黑色矩陣151的情況下，理想地，鈍化層被提供在濾色片150和黑色矩陣151和在薄膜晶體管102中的半導體層111之間。在本實施例模式中，鈍化層154被形成為覆蓋柵極電極113和第二電極104。
這種提供了濾色片150和黑色矩陣151的結構類似于附圖7A中所示的結構。因為其它結構類似于附圖2的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在附圖9B中所示的結構與在附圖9A中所示的結構不同之處在于濾色片150和黑色矩陣151被提供為彼此不重疊。彼此不重疊的濾色片150和黑色矩陣151的結構類似于在附圖7B中所示的結構。
因為其它結構類似于附圖9A的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在附圖9C中所示的結構與在附圖9A和9B中所示的結構不同之處在于黑色矩陣151被提供在反襯底側155上。對于其中提供有黑色矩陣151的區(qū)域沒有限制，只要它在薄膜晶體管102之上即可。
在給反襯底155提供黑色矩陣151時，濾色片150可以被形成在薄膜晶體管102和第二電極104之上。如上文所述，濾色片150使用有機材料形成，因此濾色片150也用作平整膜。即，可以提供濾色片150替代絕緣層107，并且濾色片150的表面可以被平整。這種將黑色矩陣151提供在反襯底155側上的結構類似于在附圖7C中所示的結構。
注意，黑色矩陣151可以被提供在絕緣襯底100的后表面?zhèn)壬稀?br> 因為其它結構類似于附圖9A的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，如實施例模式2一樣，在將電壓施加給公共電極122和梳狀第一電極103時，在它們之間產(chǎn)生了電場。因此，可以控制液晶材料的傾斜，由此可以實施灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產(chǎn)生電場充分地控制的一部分液晶材料中，通過兩對電極所產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，本實施例模式顯示了與晶體管一起實現(xiàn)實施例模式1至3中的描述的實例，這種實例是實施例模式4至11中的實例的改進。因此，實施例模式1至11中的描述可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式13〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式3中描述的液晶顯示器件不同的液晶顯示器件的結構其中提供濾色片和黑色矩陣替代絕緣層106。
如附圖10A所示，在實施例模式3(附圖3)中所示的液晶顯示器件的結構中，提供濾色片150和黑色矩陣151替代絕緣層106。濾色片150和黑色矩陣151被提供為彼此部分地重疊。濾色片150和黑色矩陣151與前述的實施例模式中的濾色片和黑色矩陣類似地形成。絕緣層152被形成為覆蓋濾色片150和黑色矩陣151。該表面可以通過絕緣層152被平整。
在提供濾色片150和黑色矩陣151的情況下，理想地，鈍化層被提供在濾色片150和黑色矩陣151和在薄膜晶體管102中的半導體層111之間。在本實施例模式中，鈍化層154被形成為覆蓋柵極電極113和第二電極104。
這種提供了濾色片150和黑色矩陣151的結構類似于附圖7A中所示的結構。因為其它結構類似于附圖3的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在附圖10B中所示的結構與在附圖10A中所示的結構不同之處在于濾色片150和黑色矩陣151被提供為彼此不重疊。彼此不重疊的濾色片150和黑色矩陣151的結構類似于在附圖7B中所示的結構。
因為其它結構類似于附圖10A的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在附圖10C中所示的結構與在附圖10A和10B中所示的結構不同之處在于黑色矩陣151被提供在反襯底側155上。對于其中提供有黑色矩陣151的區(qū)域沒有限制，只要它在薄膜晶體管102之上即可。
在給反襯底155提供黑色矩陣151時，濾色片150可以被形成在薄膜晶體管102和第二電極104之上。如上文所述，濾色片150使用有機材料形成，因此濾色片150也用作平整膜。即，可以提供濾色片150替代絕緣層107，并且濾色片150的表面可以被平整。這種將黑色矩陣151提供在反襯底155側上的結構類似于在附圖7C中所示的結構。
注意，黑色矩陣151可以被提供在絕緣襯底100的后表面?zhèn)壬稀?br> 因為其它結構類似于附圖10A的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，如實施例模式3一樣，在將電壓施加給公共電極122和梳狀第一電極103時，在它們之間產(chǎn)生了電場。因此，可以控制液晶材料的傾斜，由此可以實施灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產(chǎn)生電場充分地控制的一部分液晶材料中，通過兩對電極所產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，本實施例模式顯示了與晶體管一起實現(xiàn)實施例模式1至3中的描述的實例，這種實例是實施例模式4至12中的實例的改進。因此，實施例模式1至12中的描述可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式14〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式4中描述的液晶顯示器件不同的液晶顯示器件的結構其中提供濾色片和黑色矩陣替代絕緣層106。
如附圖11A所示，在實施例模式4(附圖4)中所示的液晶顯示器件的結構中，提供濾色片150和黑色矩陣151替代絕緣層106。濾色片150和黑色矩陣151被提供為彼此部分地重疊。濾色片150和黑色矩陣151與前述的實施例模式中的濾色片和黑色矩陣類似地形成。絕緣層152被形成為覆蓋濾色片150和黑色矩陣151。該表面可以通過絕緣層152被平整。
在本實施例模式中，薄膜晶體管160優(yōu)選是溝道保護型，在這種類型中絕緣層403被提供在非晶半導體層411之上。源極和漏極電極116被提供為覆蓋用于保護溝道的絕緣層403的兩個邊緣。絕緣層403防止非晶半導體層411暴露。因此，在提供黑色矩陣151以覆蓋薄膜晶體管160時，可以防止雜質元素從黑色矩陣進入到非晶半導體層411中。不用說，薄膜晶體管160可以是如實施例模式4中所示的溝道蝕刻型；在這種情況下，理想地，提供絕緣層403以使非晶半導體層411和黑色矩陣151彼此不接觸。
在提供濾色片150和黑色矩陣151的情況下，理想地，鈍化層被提供在濾色片150和黑色矩陣151和在薄膜晶體管160中的半導體層111之間。在本實施例模式中，鈍化層154被形成為覆蓋柵極電極113、公共電極401和導電層402。
這種提供了濾色片150和黑色矩陣151的結構類似于在附圖7A中所示的結構。因為其它結構類似于附圖4的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在附圖11B中所示的結構與在附圖11A中所示的結構不同之處在于濾色片150和黑色矩陣151被提供為彼此不重疊。彼此不重疊的濾色片150和黑色矩陣151的結構類似于在附圖7B中所示的結構。
因為其它結構類似于附圖11A的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在附圖11C中所示的結構與在附圖11A和11B中所示的結構不同之處在于黑色矩陣151被提供在反襯底側155上。對于其中提供有黑色矩陣151的區(qū)域沒有限制，只要它在薄膜晶體管160之上即可。
在給反襯底155提供黑色矩陣151時，濾色片150可以被形成在薄膜晶體管160、公共電極401和導電層402之上。
在本實施例模式中，薄膜晶體管160優(yōu)選是溝道保護型，在這種類型中絕緣層403被提供在非晶半導體層411之上。源極和漏極電極116被提供為覆蓋用于保護溝道的絕緣層403的兩個邊緣。絕緣層403防止非晶半導體層411暴露。因此，在提供濾色片150以覆蓋薄膜晶體管160時，可以防止雜質元素從濾色片進入到非晶半導體層411中。不用說，薄膜晶體管160可以是如實施例模式4中所示的溝道蝕刻型；在這種情況下，理想地，提供絕緣層403以使非晶半導體層411和濾色片150彼此不接觸。
如上文所述，濾色片150使用有機材料形成，因此濾色片150也用作平整膜。即，可以提供濾色片150替代絕緣層106，并且濾色片150的表面可以被平整。這種將黑色矩陣151提供在反襯底155側上的結構類似于在附圖7C中所示的結構。
注意，黑色矩陣151可以被提供在絕緣襯底100的后表面?zhèn)壬稀?br> 因為其它結構類似于附圖11A的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，如實施例模式3一樣，在將電壓施加給公共電極401和梳狀第一電極103時，在它們之間產(chǎn)生了電場。因此，可以控制液晶材料的傾斜，由此可以實施灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產(chǎn)生電場充分地控制的一部分液晶材料中，通過兩對電極所產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，本實施例模式顯示了與晶體管一起實現(xiàn)實施例模式1至3中的描述的實例，這種實例是實施例模式4至13中的實例的改進。因此，實施例模式1至13中的描述可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式15〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式5中描述的液晶顯示器件不同的液晶顯示器件的結構其中提供濾色片和黑色矩陣替代絕緣層106。
如附圖12A所示，在實施例模式5(附圖5)中所示的液晶顯示器件的結構中，提供濾色片150和黑色矩陣151替代絕緣層106。濾色片150和黑色矩陣151被提供為彼此部分地重疊。濾色片150和黑色矩陣151與前述的實施例模式中的濾色片和黑色矩陣類似地形成。絕緣層152被形成為覆蓋濾色片150和黑色矩陣151。表面可以通過絕緣層152平整。
在本實施例模式中，薄膜晶體管160優(yōu)選是溝道保護型，在這種類型中絕緣層403被提供在非晶半導體層411之上。源極和漏極電極116被提供為覆蓋用于保護溝道的絕緣層403的兩個邊緣。絕緣層403防止非晶半導體層411暴露。因此，在提供黑色矩陣151以覆蓋薄膜晶體管160時，可以防止雜質元素從黑色矩陣進入到非晶半導體層411中。不用說，薄膜晶體管160可以是如實施例模式4中所示的溝道蝕刻型；在這種情況下，理想地，提供絕緣層403以使非晶半導體層411和黑色矩陣151彼此不接觸。
在提供濾色片150和黑色矩陣151的情況下，理想地，在濾色片150和黑色矩陣151和在薄膜晶體管160中的半導體層111之間提供鈍化層。在本實施例模式中，鈍化層154被形成為覆蓋柵極電極113、公共電極401和導電層402。
這種提供了濾色片150和黑色矩陣151的結構類似于在附圖7A中所示的結構。因為其它結構類似于附圖5的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在附圖12B中所示的結構與在附圖12A中所示的結構不同之處在于濾色片150和黑色矩陣151被提供為彼此不重疊。彼此不重疊的濾色片150和黑色矩陣151的結構類似于在附圖7B中所示的結構。
因為其它結構類似于附圖12A的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在附圖12C中所示的結構與在附圖12A和12B中所示的結構不同之處在于黑色矩陣151被提供在反襯底側155上。對于其中提供有黑色矩陣151的區(qū)域沒有限制，只要它在薄膜晶體管160之上即可。
在給反襯底155提供黑色矩陣151時，濾色片150可以被形成在薄膜晶體管160、公共電極401和導電層402之上。
在本實施例模式中，薄膜晶體管160優(yōu)選是溝道保護型，在這種類型中絕緣層403被提供在非晶半導體層411之上。源極和漏極電極116被提供為覆蓋用于保護溝道的絕緣層403的兩個邊緣。絕緣層403防止非晶半導體層411暴露。因此，在提供黑色矩陣151以覆蓋薄膜晶體管160時，可以防止雜質元素從濾色片進入到非晶半導體層411中。不用說，薄膜晶體管160可以是如實施例模式4中所示的溝道蝕刻型；在這種情況下，理想地，提供絕緣層403以使非晶半導體層411和濾色片150彼此不接觸。
如上文所述，濾色片150由有機材料形成，因此濾色片150也用作平整膜。即，可以提供濾色片150替代絕緣層106，并且濾色片150的表面可以被平整。這種將黑色矩陣151提供在反襯底155側上的結構類似于在附圖7C中所示的結構。
注意，黑色矩陣151可以被提供在絕緣襯底100的后表面?zhèn)壬稀?br> 因為其它結構類似于附圖12A的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，如實施例模式3一樣，在將電壓施加給公共電極401和梳狀第一電極103時，在它們之間產(chǎn)生了電場。因此，可以控制液晶材料的傾斜，由此可以實施灰度級顯示。結果，在其傾斜還沒有被由梳狀第三電極105和梳狀第一電極103這一對電極所產(chǎn)生電場充分地控制的一部分液晶材料中，通過兩對電極所產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，本實施例模式顯示了與晶體管一起實現(xiàn)實施例模式1至3中的描述的實例，這種實例是實施例模式4至14中的實例的改進。因此，在實施例模式1至14中的描述可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式16〕在本實施例模式中，描述一種在液晶顯示器件中的像素部分的頂視圖。
附圖13所示為對應于在實施例模式4(附圖4)中所示的剖面結構的頂視圖。薄膜晶體管(也稱為TFT)160包括非晶半導體層411，并具有其中柵極電極113被提供在下面的底柵型結構。掃描線413被形成在與柵極電極113相同的層中。
非晶半導體層411被形成為覆蓋柵極電極113。公共電極401可以使用非晶半導體層411形成。注意，由于公共電極401理想地由具有較高的導電性的材料形成，因此優(yōu)選將雜質元素添加到半導體層中。公共電極401可以由導電材料形成而不使用非晶半導體層411。
源極和漏極電極116被形成為覆蓋非晶半導體層411的兩個邊緣。信號線416可以被形成在與源極和漏極電極116相同的層中。
第一電極103和第三電極105可以被形成在相同的層中。第一電極103和第三電極105被處理成梳狀并交替地設置。第一電極103通過開口連接到源極和漏極電極116之一。第三電極105通過開口連接到公共電極401。
在與第三電極105相同的層(在附圖13中以A表示的區(qū)域)中，在一個像素中提供的公共電極401電連接到另一個。
注意，本實施例模式顯示了與晶體管一起實現(xiàn)實施例模式1至3中的描述的實例，這種實例是實施例模式4至15中的實例的改進。因此，實施例模式1至15中的描述可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。
本實施例模式的像素部分的結構可以與前述實施例模式自由地組合。
〔實施例模式17〕在本實施例模式中，描述一種與前述實施例模式中描述的像素部分不同的像素部分的頂視圖。
附圖14與附圖13不同之處在于梳狀第一電極103和梳狀第三電極105在長邊的中點處彎曲。這些電極可以在其它的點而不是中心點處彎曲。此外，它們可以具有多個彎曲。這種彎曲的第一電極103和彎曲的第三電極105是優(yōu)選的，因為它們可以加寬視角。這是因為，一些液晶分子順應彎曲的第一電極103和第三電極105的第一方向，而一些液晶分子順應其第二方向。
可替換地，為了獲得相同的效果，可以按照中線將一個像素分為兩個區(qū)域，在第一區(qū)域中，直的第一電極103和直的第三電極105以一定的角度設置，而在第二區(qū)域中，直的第一電極103和直的第三電極105被設置成相對于中線對稱。
注意，本實施例模式顯示了與晶體管一起實現(xiàn)實施例模式1至3中的描述的實例，這種實例是實施例模式4至16中的實例的改進。因此，實施例模式1至16中的描述可以應用到本實施例模式或與本實施例模式組合。

在本實施例模式中，描述一種與附圖1中所示的結構不同的液晶顯示器件的結構其中提供反射區(qū)A和透射區(qū)B。
如附圖15所示，反射電極652提供在反射區(qū)中。在透射區(qū)中提供了連接到反射電極652的透明電極654。透明電極654也用作公共電極。此外，在其上提供反襯底155，并在它們之間插入液晶材料653。
此外，延遲膜650被置于在液晶材料653之上提供的反襯底155的外側之上。即，延遲膜650被置于反襯底155和偏振片之間。四分之一波片和半波片作為延遲膜給出。通過延遲膜，可以適當?shù)乜刂拼┻^反射區(qū)和透射區(qū)的光量。因此，不管液晶顯示器件是透射型還是反射型，都可以顯示大致相同的圖像。
因為其它結構類似于附圖1的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過由兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至17中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式19〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式中描述的結構不同的結構其中延遲膜被提供在反襯底里面。
如附圖16所示，延遲膜650形成在反襯底155里面，即液晶材料653一側。通過這種結構，可以適當?shù)乜刂拼┻^反射區(qū)和透射區(qū)的光量。因此，不管液晶顯示器件是透射型還是反射型，都可以顯示大致相同的圖像。
因為其它結構類似于附圖15的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至18中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式20〕在本實施例模式中，描述這樣的一種結構其中控制在反射區(qū)和透射區(qū)中的單元間隙。
如附圖17所示，用于調節(jié)單元間隙的膜657被提供在反襯底155側，對準膜形成在膜657之上(在更靠近液晶的一側上)。這種膜657由有機材料比如丙烯酸形成。單元間隙被設定為使得在反射區(qū)中的單元間隙短于在透射區(qū)中的單元間隙。通過這種結構，可以適當?shù)乜刂仆ㄟ^反射區(qū)和透射區(qū)的光量。因此，不管液晶顯示器件是透射型還是反射型，都可以顯示大致相同的圖像。
因為其它結構類似于附圖15的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至19中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式21〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式中描述的結構不同的結構其中光散射顆粒被包含在用于調節(jié)單元間隙的膜中。
如附圖18所示，光散射顆粒658被包含在用于調節(jié)單元間隙的膜657中。這種光散射顆粒658由具有與用于調節(jié)單元間隙的膜的材料的折射率不同的折射率的材料形成。用于調節(jié)單元間隙的膜可以被形成為包含這種光散射顆粒。
應用這種結構，可以擴散光并提高亮度。
因為其它結構類似于附圖15的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至20中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式22〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與附圖1中所示的結構不同的結構其中提供了反射區(qū)。
如附圖19所示，在本實施例模式中，示出了反射型液晶顯示器件，其中與柵極電極113同時形成的電極被用作反射電極652。反射電極652被放置成與柵極引線大致平行，由此可以實現(xiàn)有效的布局設計。此外，由于反射電極652可以與柵極引線同時形成，因此可以減少步驟數(shù)量并降低成本。
注意，實施例模式1至21中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式23〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式22中的結構不同的結構其中提供了反射區(qū)和透射區(qū)。
如附圖20所示，在本實施例模式中，示出了一種半透射型液晶顯示器件的結構其中與柵極電極113同時形成的電極被用作反射電極652。反射電極652可以用作公共引線。反射電極652被放置成與柵極引線大致平行，由此可以實現(xiàn)有效的布局設計。此外，由于反射電極652可以與柵極引線同時形成，因此可以減少步驟數(shù)量并降低成本。
注意，實施例模式1至22中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式24〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式23中的結構不同的結構其中改變了反射電極和透明電極的制造順序。
如附圖21所示，首先形成透明電極654，并將反射電極652形成在透明電極654的一部分之上。然后，將電極117連接到反射電極652。
通過這種結構，反射電極652可以與柵極電極113同時形成。反射電極652可以被用作公共引線。反射電極652被放置成與柵極引線大致平行，由此可以實現(xiàn)有效的布局設計。此外，由于反射電極652可以與柵極引線同時形成，因此可以減少步驟數(shù)量并降低成本。
因為其它結構類似于附圖20的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至23中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式25〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式24中的結構不同的結構其中不提供透明電極。
如附圖22所示，反射電極652被形成在反射區(qū)中但不形成在透射區(qū)中。將電極117連接到反射電極652。
通過這種結構，反射電極652可以與柵極電極113同時形成。反射電極652可以被用作公共引線。反射電極652被放置成與柵極引線大致平行，由此可以實現(xiàn)有效的布局設計。此外，由于反射電極652可以與柵極引線同時形成，因此可以減少步驟數(shù)量并降低成本。
因為其它結構類似于附圖21的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至24中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式26〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式22中的結構不同的結構其中提供了用作公共引線的導電層659。
如附圖23所示，導電層659被形成在反射區(qū)中的基層101上。導電層659可以與柵極電極同時形成。形成用作連接到導電層659的反射電極的電極117。
通過這種結構，導電層659可以被用作公共引線。導電層659被放置成與柵極引線大致平行，由此可以實現(xiàn)有效的布局設計。此外，由于導電層659可以與柵極引線同時形成，因此可以減少步驟數(shù)量并降低成本。
因為其它結構類似于附圖19的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至25中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式27〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式26中的結構不同的結構其中用作公共引線的導電層659被提供在反射區(qū)中并且提供了透射區(qū)。
如附圖24所示，導電層659被形成在反射區(qū)中的基層101之上，并且形成用作連接到導電層659的反射電極的電極117。在透射區(qū)中，形成連接到電極117的透明電極654。
通過這種結構，導電層659可以被用作公共引線。導電層659被放置成與柵極引線大致平行，由此可以實現(xiàn)有效的布局設計。此外，由于導電層659可以與柵極引線同時形成，因此可以減少步驟數(shù)量并降低成本。
因為其它結構類似于附圖23的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至26中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式28〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式27中的結構不同的結構其中改變了反射電極和透明電極的制造順序。
如附圖25所示，首先形成透明電極654，并將用作反射電極的電極117形成在透明電極654的一部分之上。
通過這種結構，導電層659可以被用作公共引線。導電層659被放置成與柵極引線大致平行，由此可以實現(xiàn)有效的布局設計。此外，由于導電層659可以與柵極引線同時形成，因此可以減少步驟數(shù)量并降低成本。
因為其它結構類似于附圖24的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至27中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式29〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式28中的結構不同的結構其中用作公共引線的導電層659被形成在反射區(qū)中并且不提供透明電極。
如附圖26所示，導電層659形成反射區(qū)中，同時在透射區(qū)中不形成電極。用作反射電極的電極117連接到導電層659。
通過這種結構，導電層659可以被用作公共引線。導電層659被放置成與柵極引線大致平行，由此可以實現(xiàn)有效的布局設計。此外，由于導電層659可以與柵極引線同時形成，因此可以減少步驟數(shù)量并降低成本。
因為其它結構類似于附圖25的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至28中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式30〕
在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式29中的結構不同的結構其中透明電極被形成在透射區(qū)中。
如附圖27所示，導電層659形成反射區(qū)中，同時連接到導電層659透明電極654形成在透射區(qū)中。電極117連接到導電層659。導電層659用作反射電極和公共引線。
通過這種結構，導電層659可以被用作公共引線。導電層659被放置成與柵極引線大致平行，由此可以實現(xiàn)有效的布局設計。此外，由于導電層659可以與柵極引線同時形成，因此可以減少步驟數(shù)量并降低成本。
因為其它結構類似于附圖25的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至29中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式31〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式30中的結構不同的結構其中在反射區(qū)中的絕緣層中形成了突起和凹陷。
如附圖28所示，突起和凹陷形成在反射區(qū)中的絕緣層106中。
導電層660沿著在絕緣層106中的突起和凹陷形成。導電層660由高反射材料形成。導電層660可以由與電極117相同的材料形成。通過沿著絕緣層106中的突起和凹陷形成的導電層660可以改善反射性。
突起和凹陷可以與在絕緣層106中形成接觸孔同時地形成。因此，突起和凹陷可以形成在反射區(qū)中而不需要附加的步驟。
在透射區(qū)中，形成了連接到導電層659的透明電極654。透明電極654也連接到導電層660。導電層659用作反射電極。
因為其它結構類似于附圖27的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至30中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式32〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式31中的結構不同的結構其中改變了反射電極和透明電極的制造順序。
如附圖29所示，首先形成透明電極654。然后，僅在反射區(qū)中形成連接到透明電極654的導電層659。導電層659用作反射電極。此后，突起和凹陷被提供在絕緣層106中。導電層660沿著突起和凹陷形成。導電層660連接到導電層659。
突起和凹陷可以與在絕緣層106中形成接觸孔同時地形成。因此，突起和凹陷可以形成在反射區(qū)中而不需要附加的步驟。
因為其它結構類似于附圖28的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至31中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式33〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式32中的結構不同的結構其中不形成透明電極。
如附圖30所示，導電層659形成在反射區(qū)中。導電層659用作反射電極。在透射區(qū)中不形成透明電極。此后，突起和凹陷被提供在絕緣層106中。導電層660設置成沿著突起和凹陷，并連接到導電層659。這時，導電層660的下表面(即在凹陷中導電層660的底表面)與導電層659完全地接觸。
突起和凹陷可以與在絕緣層106中形成接觸孔同時形成。因此，突起和凹陷可以形成在反射區(qū)中而不需要附加的步驟。
因為其它結構類似于附圖29的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至32中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式34〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式33中的結構不同的結構其中在凹陷中的導電層660的底表面部分地與導電層659接觸。
如附圖31所示，導電層660的下表面的一部分(即在凹陷中的導電層660的底表面的一部分)部分地與導電層659接觸。導電層660的底表面的其它部分與基層101接觸。
突起和凹陷可以與在絕緣層106中形成接觸孔同時地形成。因此，可以不需要附加步驟地在反射區(qū)中形成突起和凹陷。
因為其它結構類似于附圖31的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至33中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式35〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式25中的結構不同的結構其中在絕緣層107中提供開口。
如附圖32所示，在絕緣層107中形成開口。其中形成了開口的區(qū)域是透射區(qū)。
通過這種結構，可以使透射區(qū)中的單元間隙變厚。
此外，在反射區(qū)中提供的導電層659用作反射電極，并通過電極117連接到第三電極105。
因為其它結構類似于附圖22的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至34中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式36〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式35中的結構不同的結構其中在透射區(qū)中形成透明電極。
如附圖33所示，透明電極654被形成在透射區(qū)中。透明電極654連接到在反射區(qū)中提供的導電層659。
通過這種結構，可以使透射區(qū)中的單元間隙變厚。
因為其它結構類似于附圖32的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至35中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式37〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式36中的結構不同的結構其中改變了反射電極和透明電極的制造順序。
如附圖34所示，透明電極654形成在基層101之上。此后，僅僅在反射區(qū)中形成導電層659。導電層659用作反射電極。
通過這種結構，可以使透射區(qū)中的單元間隙變厚。
因為其它結構類似于附圖33的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至36中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式38〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式37中的結構不同的結構其中在絕緣層106之上形成反射電極。
如附圖35所示，在絕緣層106中形成開口，形成連接到導電層659的電極117。電極117僅僅形成在反射區(qū)中以便用作反射電極。此后，絕緣層107被形成為覆蓋電極117，并且上述開口形成在透射區(qū)中的絕緣層107中。
通過這種結構，可以使透射區(qū)中的單元間隙變厚。
因為其它結構類似于附圖34的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至37中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式39〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式38中的結構不同的結構其中突起和凹陷被提供在絕緣層106中。
如附圖36所示，導電層659被提供在基層101之上，并且絕緣層106被形成為覆蓋導電層659。突起和凹陷被形成在導電層659上方的絕緣層106中。導電層660沿著突起和凹陷形成。導電層660連接到導電層659。導電層660可以由與電極117相同的材料形成。這時，導電層660的下表面(即在凹陷中導電層660的底表面)完全地與導電層659接觸。
通過這種結構，可以使透射區(qū)中的單元間隙變厚。
因為其它結構類似于附圖35的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至38中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式40〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式39中的結構不同的結構其中導電層660的底表面部分地與導電層659接觸。
如附圖37所示，突起和凹陷被形成在導電層659上方的絕緣層106中。導電層660沿著突起和凹陷形成。導電層660的下表面的一部分(即在凹陷中導電層660的底表面的一部分)與導電層659接觸。透明電極654被提供為與導電層659接觸，并且導電層660的底表面的其它部分與透明電極654接觸。
通過這種結構，可以使透射區(qū)中的單元間隙變厚。
因為其它結構類似于附圖36的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至39中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式41〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式30中的結構不同的結構其中導電層660與形成在一個絕緣層之上的導電層659和透明電極654相接觸。
如附圖38所示，絕緣層106被形成為覆蓋都形成在基層101之上的導電層659和透明電極654。開口形成絕緣層106中以便暴露導電層659和透明電極654。導電層660形成在開口中以便與導電層659和透明電極654接觸。
應用這種結構，導電層659可以被用作公共引線。
因為其它結構類似于附圖27的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至40中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式42〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式41中的結構不同的結構其中開口形成在絕緣層107中。
如附圖39所示，開口被提供在透射區(qū)中的絕緣層107中。第一電極103和第三電極105部分地形成在絕緣層106之上。
應用這種結構，導電層659可以被用作公共引線。
因為其它結構類似于附圖38的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至41中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式43〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式42中的結構不同的結構其中突起和凹陷都形成在絕緣層106中。
如附圖40所示，突起和凹陷都形成在反射區(qū)中的絕緣層106中。導電層660沿著突起和凹陷形成。導電層660的一部分連接到第三電極105，導電層660的另一部分連接到導電層659和透明電極654。
應用這種結構，導電層659可以被用作公共引線。
因為其它結構類似于附圖39的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至42中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式44〕
在本實施例模式中，描述這樣的一種與附圖2中所示的結構不同的結構其中提供反射區(qū)和透射區(qū)并且反射電極652僅僅形成在反射區(qū)中。
如附圖41所示，反射電極652形成在反射區(qū)中的絕緣層106之上。然后，反射電極652和第三電極105連接。
因為其它結構類似于附圖2的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至43中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式45〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與附圖44中所示的結構不同的結構其中反射電極形成在具有突起和凹陷的絕緣層106中。
如附圖42所示，突起和凹陷形成在反射區(qū)中的絕緣層106中。反射電極652沿著突起和凹陷形成。反射電極652和第三電極105連接。
突起和凹陷與在絕緣層106中形成接觸孔同時地形成。因此，可以形成具有突起和凹陷的反射電極而不需要附加的步驟。
因為其它結構類似于附圖41的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至44中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式46〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與附圖44中所示的結構不同的結構其中開口形成在絕緣層107中。
如附圖43所示，開口形成在透射區(qū)中的絕緣層107中。反射電極652形成在絕緣層106之上。
因為其它結構類似于附圖41的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至45中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式47〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與附圖2中所示的結構不同的結構其中僅僅提供了反射區(qū)。
如附圖44所示，不形成附圖2中所示的引線121，并將反射電極652形成在反射區(qū)中的絕緣層106之上。
因為其它結構類似于附圖2的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至46中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式48〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式47中的結構不同的結構其中突起和凹陷提供在絕緣層106中并且沿著突起和凹陷形成反射電極。
如附圖45所示，突起和凹陷提供在反射區(qū)中的絕緣層106的表面上。反射電極652沿著突起和凹陷形成。在絕緣層106中形成的突起和凹陷的形狀不必是開口。此外，突起和凹陷可以與形成用于薄膜晶體管的源極電極和漏極電極的開口同時地形成。注意，形成突起和凹陷以增強反射率，并且可以利用任何形狀而不脫離該范圍。
突起和凹陷可以與在絕緣層106中形成接觸孔同時地形成。因此，可以形成具有突起和凹陷的反射電極但不需要附加的步驟。
因為其它結構類似于附圖44的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至47中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式49〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式47中的結構不同的結構其中突起形成在絕緣層106之上。
如附圖46所示，導電層602形成在反射區(qū)中的絕緣層106之上。導電層602可以形成在與源極和漏極電極116相同的層中。
突起603形成在導電層602之上以形成突起和凹陷。通過對有機層進行構圖形成突起603。形成導電層604以覆蓋突起603。導電層602和導電層604連接在突起603之間。導電層602用作反射電極。
導電層604通過在絕緣層107中提供的開口連接到第三電極105。
因為其它結構類似于附圖44的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至48中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式50〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式49中的結構不同的結構其中不形成導電層602。
如附圖47所示，突起603形成在絕緣層106之上。導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604用作反射電極。
因為其它結構類似于附圖46的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至49中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式51〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式47中的結構不同的結構其中提供反射區(qū)和透射區(qū)。
如附圖48所示，反射電極652形成在反射區(qū)中的絕緣層106之上。連接到反射電極652的透明電極654形成在透射區(qū)中。
因為其它結構類似于附圖44的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至50中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式52〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式51中的結構不同的結構其中改變反射電極和透明電極的制造順序。
如附圖49所示，透明電極654形成在反射區(qū)和透射區(qū)中。然后，連接到透明電極654的反射電極652形成在反射區(qū)中。
因為其它結構類似于附圖48的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至51中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式53〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式51中的結構不同的結構其中在透射區(qū)中的絕緣層106和107中提供開口。
如附圖50所示，開口形成在透射區(qū)中的絕緣層106中。在反射區(qū)中，反射電極652形成在絕緣層106之上。連接到反射電極652的透明電極654形成在絕緣層106中的開口中。
此后，開口也形成在透射區(qū)中的絕緣層107中以暴露透明電極654。第三電極105和第一電極103的部分形成在所暴露的透明電極654之上。
因為其它結構類似于附圖48的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至52中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式54〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式51中的結構不同的結構其中突起和凹陷提供在絕緣層106中。
如附圖51所示，突起和凹陷提供在反射區(qū)中的絕緣層106中。反射電極652沿著突起和凹陷形成。反射電極652的反射率可以通過所提供的突起和凹陷得到增強。
突起和凹陷可以與在絕緣層106中形成接觸孔同時地形成。因此，可以形成具有突起和凹陷的反射電極但不需要附加的步驟。
然后，透明電極654形成在反射區(qū)和透射區(qū)中。透明電極654連接到反射區(qū)中的反射電極652。透明電極654連接到第三電極105。
因為其它結構類似于附圖48的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至53中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式55〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式51中的結構不同的結構其中突起形成在反射區(qū)中。
如附圖52所示，突起603形成在反射區(qū)中的絕緣層106中。導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604用作反射電極。
透明電極654形成在透射區(qū)中。透明電極654連接到形成在反射區(qū)中的導電層604。
因為其它結構類似于附圖48的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至54中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式56〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式55中的結構不同的結構其中改變了反射電極652和透明電極654的制造順序。
如附圖53所示，透明電極654形成在反射區(qū)和透射區(qū)之上。反射電極652被形成為連接到反射區(qū)中的透明電極654。在本實施例模式中，反射電極652被形成為與透明電極654的一部分重疊。
突起603形成在反射區(qū)中的反射電極652之上。導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604和反射電極652連接在突起603之間。
因為其它結構類似于附圖52的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至55中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式57〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式56中的結構不同的結構其中不提供反射電極652。
如附圖54所示，透明電極654形成在反射區(qū)和透射區(qū)之上。突起603形成在反射區(qū)中。突起603的一部分形成在透明電極654之上。
導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604用作反射電極。
因為其它結構類似于附圖53的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至56中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式58〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式51中的結構不同的結構其中突起603形成在反射區(qū)中的絕緣層106之上。
如附圖55所示，反射電極652形成在反射區(qū)中的絕緣層106之上。突起603形成在反射電極652之上。導電層604被形成為覆蓋突起603。
因為其它結構類似于附圖48的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至57中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式59〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式58中的結構不同的結構其中不提供反射電極652。
如附圖56所示，突起603形成在反射區(qū)中。導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604用作反射電極。
因為其它結構類似于附圖55的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至58中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式60〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式59中的結構不同的結構其中僅僅提供反射區(qū)。
如附圖57所示，僅僅提供反射區(qū)并將突起603形成在反射區(qū)中。導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604可以由與源極和漏極電極116相同的層形成。
因為其它結構類似于附圖56的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至59中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式61〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式59中的結構不同的結構其中在反射區(qū)中形成了突起和導電層之后在透射區(qū)中形成導電層。
如附圖58所示，突起603形成在反射區(qū)中。導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604用作反射電極。
透明電極654形成在反射區(qū)和透射區(qū)之上。透明電極654連接到導電層604。
因為其它結構類似于附圖56的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至60中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式62〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式61中的結構不同的結構其中改變了導電層604和透明電極654的制造順序。
如附圖59所示，突起603形成在反射區(qū)中。透明電極654形成在透射區(qū)中，部分地覆蓋突起603。此后，連接到透明電極654的導電層604形成在反射區(qū)中。導電層604用作反射電極。
因為其它結構類似于附圖58的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至61中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式63〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式59中的結構不同的結構其中突起603形成在反射區(qū)中并且覆蓋突起603的導電層形成在與源極和漏極電極相同的層中。
如附圖60所示，突起603形成在反射區(qū)中。導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604可以由與源極和漏極電極相同的層形成并用作反射電極。
因為其它結構類似于附圖56的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至62中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式64〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與附圖3中所示的結構不同的結構其中提供了反射區(qū)。
如附圖61所示，不形成如附圖3中所示的引線131，并且反射電極652形成在基層101之上。
因為其它結構類似于附圖3的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至63中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式65〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式64中的結構不同的結構其中提供了反射區(qū)和透射區(qū)。
如附圖62所示，反射電極652形成在反射區(qū)中。此后，透明電極654形成在反射區(qū)和透射區(qū)中。
因為其它結構類似于附圖61的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至64中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式66〕在本實施例模式中，描述這樣的一種與前述實施例模式65中的結構不同的結構其中改變了反射電極和透明電極的制造順序。
如附圖63所示，透明電極654形成在反射區(qū)和透射區(qū)中。然后，反射電極652僅僅形成在反射區(qū)中。
因為其它結構類似于附圖62的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至65中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式67〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式65中的結構不同的結構其中僅僅在反射區(qū)中選擇性地形成反射電極。
如附圖64所示，反射電極652僅僅形成在反射區(qū)中。
因為其它結構類似于附圖61的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至66中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式68〕在本實施例模式中，描述這樣一種與附圖4中所述的結構不同的結構其中提供反射區(qū)。
如附圖65所示，不形成如附圖4中所示的導電層402并將反射電極652形成在反射區(qū)中。此后，以薄膜晶體管160的柵極絕緣層412覆蓋反射電極652。開口形成在柵極絕緣層412和絕緣層106中，反射電極652和第三電極105通過開口連接。
應用這種結構，反射電極652可以被用作公共引線。
因為其它結構類似于附圖4的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至67中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式69〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式68中的結構不同的結構其中提供了反射區(qū)和透射區(qū)。
如附圖66所示，透明電極654形成在反射區(qū)和透射區(qū)中。然后，連接到透明電極654的反射電極652僅僅形成在反射區(qū)中。以柵極絕緣層412覆蓋透明電極654和反射電極652。開口提供在柵極絕緣層412和絕緣層106中，并且反射電極652和第三電極105通過開口連接。
應用這種結構，反射電極652可以被用作公共引線。
因為其它結構類似于附圖65的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至68中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式70〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式68中的結構不同的結構其中僅僅在反射區(qū)中選擇性地形成反射電極。
如附圖67所示，反射電極652選擇性地僅僅形成在反射區(qū)中。反射電極652被柵極絕緣層412覆蓋。開口提供在柵極絕緣層412和絕緣層106中，反射電極652和第三電極105通過開口連接。
應用這種結構，反射電極652可以被用作公共引線。
因為其它結構類似于附圖65的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至69中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式71〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式69中的結構不同的結構其中開口形成在透射區(qū)中的絕緣層106中。
如附圖68所示，透明電極654形成在透射區(qū)和反射區(qū)中。然后，反射電極652選擇性地僅僅形成在反射區(qū)中。透明電極654和反射電極652被柵極絕緣層412覆蓋。
開口形成在透射區(qū)中的絕緣層106中。在開口中，第一電極103和第三電極105的部分形成在柵極絕緣層412之上。
應用這種結構，反射電極652可以被用作公共引線。
因為其它結構類似于附圖66的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至70中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式72〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式69中的結構不同的結構其中開口形成在透射區(qū)中的絕緣層106中；并且不形成透明電極。
如附圖69所示，反射電極652僅僅形成在反射區(qū)中。反射電極652以柵極絕緣層412覆蓋。
開口形成在透射區(qū)中的絕緣層106中。在該開口中，第一電極103和第三電極105的部分形成在柵極絕緣層412之上。在本實施例模式中，在透射區(qū)中不形成透明電極。
應用這種結構，反射電極652可以被用作公共引線。
因為其它結構類似于附圖66的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至71中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式73〕在本實施例模式中，描述這樣一種與附圖5中所示的結構不同的結構其中提供了反射區(qū)。
如附圖70所示，不形成如附圖5中所示的導電層502，但在反射區(qū)中形成反射電極652。反射電極652提供在薄膜晶體管160的柵極絕緣層412之上。開口形成在絕緣層106中，并且反射電極652和第三電極105通過開口連接。
導電層601作為公共引線形成。導電層601通過在柵極絕緣層412和絕緣層106中的開口連接到第三電極105。
因為其它結構類似于附圖5的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至72中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式74〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式73中的結構不同的結構其中突起提供在反射區(qū)中。
如附圖71所示，導電層661形成在反射區(qū)中。導電層661由與源極和漏極電極116相同的層形成。
突起603形成在導電層661之上。導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604用作反射電極。導電層604和導電層661連接在突起603之間。
開口形成在被提供成覆蓋導電層604的絕緣層106中。導電層604和第三電極105通過開口連接。
因為其它結構類似于附圖70的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至73中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式75〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式74中的結構不同的結構其中不形成導電層661。
如附圖72所示，突起603形成在反射區(qū)中的柵極絕緣層412之上。導電層604被形成為覆蓋突起603。開口形成在被提供成覆蓋導電層604的絕緣層106中。導電層604和第三電極105通過開口連接。
因為其它結構類似于附圖71的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至74中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式76〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式73中的結構不同的結構其中提供了透射區(qū)和反射區(qū)，并且僅在反射區(qū)中形成有反射電極。
如附圖73所示，反射電極652選擇性地形成于僅在反射區(qū)中的柵極絕緣層412之上。然后，透明電極654形成在反射區(qū)和透射區(qū)中。
應用這種結構，可以使用與柵極電極113同時形成的導電層601作為公共引線。
因為其它結構類似于附圖70的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至75中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式77〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式76中的結構不同的結構其中反射電極僅形成在反射區(qū)中；并且不形成透明電極。
如附圖74所示，反射電極652選擇性地形成于僅在反射區(qū)中的柵極絕緣層412之上。在透射區(qū)中不形成透明電極654。
應用這種結構，可以使用與柵極電極113同時形成的導電層601作為公共引線。
因為其它結構類似于附圖73的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至76中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式78〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式77中的結構不同的結構其中僅在反射區(qū)中形成反射電極并且在反射電極之上形成突起。
如附圖75所示，反射電極652選擇性地形成于僅在反射區(qū)中的柵極絕緣層412之上。突起603形成在反射電極652之上。導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604連接到第三電極105。
應用這種結構，可以使用與柵極電極113同時形成的導電層601作為公共引線。
因為其它結構類似于附圖74的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至77中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式79〕在本實施例模式中，描述這樣一種與前述實施例模式78中的結構不同的結構其中不形成反射電極652。
如附圖76所示，突起603形成在反射區(qū)中的柵極絕緣層412之上。導電層604被形成為覆蓋突起603。導電層604用作反射電極。
應用這種結構，可以使用與柵極電極113同時形成的導電層601作為公共引線。
因為其它結構類似于附圖75的結構，所以省去了對其它結構的描述。
在本實施例模式中，通過兩對電極產(chǎn)生的電場可以充分地控制液晶材料的傾斜。
注意，實施例模式1至78中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式80〕附圖13和14中所示的頂視圖顯示了這樣的實例從源極線輸送了電位的液晶元件的電極(第一電極103)和從公共線輸送了電位的液晶元件的電極(第三電極105)中的至少一個電極是梳狀的。然而，第一電極和第三電極的形狀并不限于附圖13和14中所示的形狀。例如，它們可以是Z字形或波浪形。本實施例模式參考附圖106和107顯示了包括與附圖13和14中所示的電極形狀不同的電極形狀的液晶顯示器件的實例。
附圖106所示為這樣的液晶顯示器件的實例由源極線輸送了電位的液晶元件的電極204和由公共線輸送了電位的液晶元件的電極203兩者都是Z字形。注意，雖然在附圖106中的液晶顯示器件中的液晶元件的電極的形狀與在附圖13和14中所示的液晶顯示器件的電極的形狀不同，但是其它結構與其類似。
此外，如附圖107A所示，第一電極103和第三電極105中的每個可以是梳狀。可替換地，如附圖107B所示，第一電極103或第三電極105之一可以是梳狀或者其齒部的一端可以連接到相鄰齒的一端。此外，可替換地，如附圖107C所示，第一電極或第三電極之一可以是梳狀并且齒部的一端可以連接到相鄰齒的一端，而其另一端可以連接到其它相鄰齒。進一步可替換地，通過連接第一齒的一端和最后齒的一端，附圖107C中所示的形狀可以被改變?yōu)楦綀D107D中的形狀。
應用這種結構設置，在一個像素中可以按區(qū)域改變液晶分子的旋轉方向等。即，可以制造多域液晶顯示器件。多域液晶顯示器件可以降低在某一角度觀看時不能精確地識別圖像的可能性。
注意，實施例模式1至79中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式81〕參考附圖13和14的頂視圖描述本發(fā)明的液晶顯示器件中包括的像素結構?？梢孕薷脑谙袼夭糠忠龑б€的方法，只要包括附圖108中所示的電路即可，而不會脫離本發(fā)明的目的和范圍。參考附圖108描述本發(fā)明的液晶顯示器件的像素電路。
在附圖108中，柵極線7001和源極線7002交叉。此外，公共引線7003a和公共引線7003b垂直和水平地引入。柵極線7001連接到晶體管7004的柵極電極。此外，源極線7002連接到晶體管7004的源極或漏極電極。注意，在液晶顯示器件是AC驅動的液晶顯示器件時，晶體管7004的源極電極和漏極電極根據(jù)從源極線7002發(fā)送的電位切換；因此，在本實施例模式中該電極被稱為源極和漏極電極。液晶元件CLC被提供在晶體管7004的源極和漏極電極和公共引線7003a之間。在晶體管7004處于接通狀態(tài)時，來自源極線7002的電位發(fā)送給液晶元件CLC，而在晶體管7004是截止狀態(tài)時，來自源極線7002的電位不被輸送給液晶元件CLC。在光需要通過液晶層的情況下，雖然7004處于截止狀態(tài)并且來自源極線7002的電位沒有被輸送給液晶元件CLC；理想的是，與液晶元件CLC平行地提供電容器Cs。在電容器保持電壓時，即使晶體管7004處于截止狀態(tài)，光仍然可以通過液晶層。
附圖109A所示為在本實施例模式中描述的顯示器件的頂視圖。附圖109B所示為對應于附圖109A中的線K-L的剖視圖。在附圖109A和109B中所示的顯示器件包括外部端子連接區(qū)852、密封區(qū)853和包括信號線驅動器電路的掃描線驅動器電路854。
在本實施例模式中附圖109A和109B中所示的顯示器件包括襯底851、薄膜晶體管827、薄膜晶體管829、薄膜晶體管825、密封劑34、反襯底830、對準膜831、反電極832、間隔件833、偏振片835a、偏振片835b、第一端子電極層838a、第二端子電極層838b、各向異性導電層836和FPC 837。顯示器件包括外部端子連接區(qū)852、密封區(qū)853、掃描線驅動器電路854、像素區(qū)856和信號線驅動器電路857。
提供密封劑834以包圍提供在襯底851之上的像素區(qū)856和掃描線驅動器電路854。反襯底830提供在像素區(qū)856和掃描線驅動器電路854之上。因此，通過襯底851、密封劑834和反襯底830，密封上述像素區(qū)856和掃描線驅動器電路854以及液晶材料。
在襯底851之上提供的像素區(qū)856和掃描線驅動器電路854包括多個薄膜晶體管。在附圖109B中，顯示在像素區(qū)856中的薄膜晶體管825作為實例。
注意，實施例模式1至80中的描述可以適用于本實施例模式或與本實施例模式組合。
〔實施例模式82〕附圖110A和110B顯示了包括實施例模式1至81中描述的本發(fā)明的液晶顯示器件的分子的實例。像素部分930、柵極驅動器920和源極驅動器940提供在襯底900之上。信號通過柔性印刷電路960從集成電路950輸入到柵極驅動器920和源極驅動器940中。由像素部分930根據(jù)所輸入的信號顯示圖像。
〔實施例模式83〕參考附圖111A至111H描述在其顯示部分中包括了本發(fā)明的液晶顯示器件的電子電器。
附圖111A所示為顯示器，其具有殼體2001、支撐基座2002、顯示部分2003、揚聲器部分2004、視頻輸入端子2005等。顯示部分2003包括在實施例模式1至82中描述的本發(fā)明的液晶顯示器件。
附圖111B所示為照相機，其具有主體2101、顯示部分2102、圖像接收部分2103、操作鍵2104、外部連接端口2105、快門2106等。顯示部分2102包括在實施例模式1至82中描述的本發(fā)明的液晶顯示器件。
附圖111C所示為計算機，其具有主體2201、殼體2202、顯示部分2203、鍵盤2204、外部連接端口2205、指示鼠標2206等。顯示部分2203包括在實施例模式1至82中描述的本發(fā)明的液晶顯示器件。
附圖111D所示為移動計算機，其具有主體2301、顯示部分2302、開關2303、操作鍵盤2304、紅外端口2305等。顯示部分2302包括在實施例模式1至82中描述的本發(fā)明的液晶顯示器件。
附圖111E所示為具有記錄媒體(具體地，DVD再現(xiàn)器件)的便攜式圖像再現(xiàn)器件，其具有主體2401、殼體2402、顯示部分A2403、顯示部分B2404、記錄媒體(例如DVD)讀取部分2405、操作鍵2406、揚聲器部分2407等。顯示部分A2403包括在實施例模式1至82中描述的本發(fā)明的液晶顯示器件。
附圖111F所示為電子書，其具有主體2501、顯示部分2502、操作鍵2503等。顯示部分2502包括在實施例模式1至82中描述的本發(fā)明的液晶顯示器件。
附圖111G所示為攝像機，其具有主體2601、顯示部分2602、殼體2603、外部連接端口2604、遠程控制接收部分2605、圖像接收部分2606、電池2607、聲頻輸入部分2608、操作鍵2609等。顯示部分2602包括在實施例模式1至82中描述的本發(fā)明的液晶顯示器件。
附圖111H所示為移動電話，其具有主體2701、殼體2702、顯示部分2703、聲頻輸入部分2704、聲頻輸出部分2705、操作鍵2706、外部連接端口2707、天線2708等。顯示部分2703包括在實施例模式1至82中描述的本發(fā)明的液晶顯示器件。
如上文所述，本發(fā)明的電子電器通過將本發(fā)明的液晶顯示器件組合到顯示部分中實現(xiàn)。本發(fā)明的這種電子電器可以在室內(nèi)和室外有利地顯示圖像。具體地，通常在室外和室內(nèi)使用的電子器件比如照相機、圖像獲取器件等具有的優(yōu)點在于在室內(nèi)和室外可以實現(xiàn)由于觀看顯示屏的角度變化引起的更小的色移和較寬的視角。
本申請基于2005年12月5日在日本專利局申請的日本專利申請第2005-350147號，在此以引用參考的方式將其并入在本申請中。
權利要求
1.一種液晶顯示器件，包括第一公共電極；在第一公共電極之上提供的絕緣層；在所述絕緣層之上提供的像素電極和第二公共電極；和在所述像素電極和第二公共電極之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的傾斜通過所述像素電極和第一公共電極之間的電場和所述像素電極和第二公共電極之間的電場控制。
2.一種液晶顯示器件，包括絕緣襯底；在所述絕緣襯底之上形成的薄膜晶體管；在與所述薄膜晶體管的半導體層相同的層中提供的第一公共電極；被提供成覆蓋第一公共電極的絕緣層；在所述絕緣層之上提供的像素電極和第二公共電極；和在所述像素電極和第二公共電極之上提供的液晶材料，其中第一公共電極和第二公共電極電連接，和所述液晶材料的傾斜通過所述像素電極和第一公共電極之間的電場和所述像素電極和第二公共電極之間的電場控制。
3.一種液晶顯示器件，包括絕緣襯底；在所述絕緣襯底之上形成的薄膜晶體管；在與所述薄膜晶體管的源極和漏極電極相同的層中提供的第一公共電極；連接到第一公共電極的導電層；在第一公共電極和所述導電層之上提供的絕緣層；在所述絕緣層之上提供的像素電極和第二公共電極；和在所述像素電極和第二公共電極之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的傾斜通過所述像素電極和第一公共電極之間的電場和所述像素電極和第二公共電極之間的電場控制。
4.一種液晶顯示器件，包括絕緣襯底；在所述絕緣襯底之上形成的薄膜晶體管；在與所述薄膜晶體管的半導體層相同的層中提供的第一公共電極；連接到第一公共電極的導電層；在第一公共電極和所述導電層之上提供的絕緣層；在所述絕緣層之上提供的像素電極和第二公共電極；和在所述像素電極和第二公共電極之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的傾斜通過所述像素電極和第一公共電極之間的電場和所述像素電極和第二公共電極之間的電場控制。
5.根據(jù)權利要求2所述的液晶顯示器件，其中薄膜晶體管包括晶體半導體層。
6.根據(jù)權利要求3所述的液晶顯示器件，其中薄膜晶體管包括晶體半導體層。
7.根據(jù)權利要求4所述的液晶顯示器件，其中薄膜晶體管包括晶體半導體層。
8.根據(jù)權利要求2所述的液晶顯示器件，進一步包括在第一公共電極和所述薄膜晶體管之上提供的鈍化層，在第一公共電極之上提供的濾色片，所述鈍化層在所述濾色片和第一公共電極之間，和在所述薄膜晶體管之上提供的黑色矩陣，所述鈍化層在所述黑色矩陣和所述薄膜晶體管之間。
9.根據(jù)權利要求3所述的液晶顯示器件，進一步包括在第一公共電極和所述薄膜晶體管之上提供的鈍化層，在第一公共電極之上提供的濾色片，所述鈍化層在所述濾色片和第一公共電極之間，和在所述薄膜晶體管之上提供的黑色矩陣，所述鈍化層在所述黑色矩陣和薄膜晶體管之間。
10.根據(jù)權利要求4所述的液晶顯示器件，進一步包括在第一公共電極和所述薄膜晶體管之上提供的鈍化層，在第一公共電極之上提供的濾色片，該鈍化層在所述濾色片和第一公共電極之間，和在所述薄膜晶體管之上提供的黑色矩陣，所述鈍化層在所述黑色矩陣和薄膜晶體管之間。
11.根據(jù)權利要求2所述的液晶顯示器件，進一步包括在第一公共電極和所述薄膜晶體管之上提供的鈍化層，在第一公共電極和所述薄膜晶體管之上提供的濾色片，所述鈍化層在所述濾色片和所述第一公共電極和薄膜晶體管之間，被提供成面對所述絕緣襯底的反襯底，和在所述反襯底之上提供的黑色矩陣。
12.根據(jù)權利要求3所述的液晶顯示器件，進一步包括在第一公共電極和所述薄膜晶體管之上提供的鈍化層，在第一公共電極和所述薄膜晶體管之上提供的濾色片，所述鈍化層在所述濾色片和所述第一公共電極和薄膜晶體管之間，被提供成面對所述絕緣襯底的反襯底，和在所述反襯底之上提供的黑色矩陣。
13.根據(jù)權利要求4所述的液晶顯示器件，進一步包括在第一公共電極和所述薄膜晶體管之上提供的鈍化層，在第一公共電極和所述薄膜晶體管之上提供的濾色片，所述鈍化層在所述濾色片和所述第一公共電極和薄膜晶體管之間，被提供成面對所述絕緣襯底的反襯底，和在所述反襯底之上提供的黑色矩陣。
14.根據(jù)權利要求2所述的液晶顯示器件，進一步包括在所述薄膜晶體管之上提供的鈍化層，在所述鈍化層之上提供的濾色片，在所述濾色片之上提供的第一公共電極，和在所述薄膜晶體管之上提供的黑色矩陣，所述鈍化層在所述黑色矩陣和薄膜晶體管之間。
15.根據(jù)權利要求3所述的液晶顯示器件，進一步包括在所述薄膜晶體管之上提供的鈍化層，在所述鈍化層之上提供的濾色片，在所述濾色片之上提供的第一公共電極，和在所述薄膜晶體管之上提供的黑色矩陣，所述鈍化層在所述黑色矩陣和薄膜晶體管之間。
16.根據(jù)權利要求4所述的液晶顯示器件，進一步包括在所述薄膜晶體管之上提供的鈍化層，在所述鈍化層之上提供的濾色片，在所述濾色片之上提供的第一公共電極，和在所述薄膜晶體管之上提供的黑色矩陣，所述鈍化層在所述黑色矩陣和薄膜晶體管之間。
17.一種液晶顯示器件，包括絕緣襯底；在所述絕緣襯底之上形成的柵極電極；在與所述柵極電極相同的層中形成的第一公共電極；被提供成覆蓋所述柵極電極和第一公共電極的絕緣層；在所述柵極電極之上提供的半導體層，所述絕緣層在所述半導體層和柵極電極之間；在所述半導體層之上提供的源極和漏極電極；被提供為與第一公共電極接觸的導電層；連接到所述源極和漏極電極中的一個電極的像素電極；連接到第一公共電極的第二公共電極，所述導電層在第一公共電極和第二公共電極之間；和在所述像素電極和第二公共電極之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的傾斜通過所述像素電極和第一公共電極之間的電場和所述像素電極和第二公共電極之間的電場控制。
18.一種液晶顯示器件，包括絕緣襯底；在所述絕緣襯底之上形成的柵極電極；在與所述柵極電極相同的層中形成的導電層；與所述導電層接觸地提供的第一公共電極；被提供成覆蓋所述柵極電極和第一公共電極的絕緣層；在所述柵極電極之上提供的半導體層，所述絕緣層在所述半導體層和柵極電極之間；在所述半導體層之上提供的源極和漏極電極；連接到所述源極和漏極電極中的一個電極的像素電極；連接到第一公共電極的第二公共電極；和在所述像素電極和第二公共電極之上提供的液晶材料，其中所述液晶材料的傾斜通過所述像素電極和第一公共電極之間的電場和所述像素電極和第二公共電極之間的電場控制。
19.根據(jù)權利要求17所述的液晶顯示器件，其中半導體層是非晶半導體層。
20.根據(jù)權利要求18所述的液晶顯示器件，其中半導體層是非晶半導體層。
21.根據(jù)權利要求17所述的液晶顯示器件，進一步包括在第一公共電極和所述柵極電極之上提供的鈍化層，在第一公共電極之上提供的濾色片，所述鈍化層在所述濾色片和第一公共電極之間，和在所述源極和漏極電極之上提供的黑色矩陣。
22.根據(jù)權利要求18所述的液晶顯示器件，進一步包括在第一公共電極和所述柵極電極之上提供的鈍化層；在所述源極和漏極電極和第一公共電極之上提供的濾色片，所述鈍化層在所述濾色片與所述源極、漏極電極和第一公共電極之間，被提供成面對所述絕緣襯底的反襯底，和在所述反襯底之上提供的黑色矩陣。
23.一種包括多個像素的液晶顯示器件，每個像素包括在襯底之上的第一反射公共電極；在襯底之上的第二透明公共電極；在第一反射公共電極和第二透明電極之上的絕緣層；在所述絕緣層之上的像素電極，所述像素電極至少包括第一部分和第二部分；和在所述絕緣層之上的第三公共電極，所述第三公共電極至少包括第一部分和第二部分，其中第一部分位于第一反射公共電極之上，第二部分位于透明公共電極之上。
24.根據(jù)權利要求23所述的液晶顯示器件，其中第一反射公共電極和第二透明公共電極彼此電連接。
25.根據(jù)權利要求23所述的液晶顯示器件，其中第一反射公共電極具有不平坦的表面。
26.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示器件，其中像素電極是梳狀。
27.根據(jù)權利要求2所述的液晶顯示器件，其中像素電極是梳狀。
28.根據(jù)權利要求3所述的液晶顯示器件，其中像素電極是梳狀。
29.根據(jù)權利要求4所述的液晶顯示器件，其中像素電極是梳狀。
30.根據(jù)權利要求17所述的液晶顯示器件，其中像素電極是梳狀。
31.根據(jù)權利要求18所述的液晶顯示器件，其中像素電極是梳狀。
32.根據(jù)權利要求23所述的液晶顯示器件，其中像素電極是梳狀。
33.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示器件，其中第一公共電極是梳狀。
34.根據(jù)權利要求2所述的液晶顯示器件，其中第一公共電極是梳狀。
35.根據(jù)權利要求3所述的液晶顯示器件，其中第一公共電極是梳狀。
36.根據(jù)權利要求4所述的液晶顯示器件，其中第一公共電極是梳狀。
37.根據(jù)權利要求17所述的液晶顯示器件，其中第一公共電極是梳狀。
38.根據(jù)權利要求18所述的液晶顯示器件，其中第一公共電極是梳狀。
39.根據(jù)權利要求23所述的液晶顯示器件，其中第一反射公共電極是梳狀。
40.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示器件，其中第二公共電極是梳狀。
41.根據(jù)權利要求2所述的液晶顯示器件，其中第二公共電極是梳狀。
42.根據(jù)權利要求3所述的液晶顯示器件，其中第二公共電極是梳狀。
43.根據(jù)權利要求4所述的液晶顯示器件，其中第二公共電極是梳狀。
44.根據(jù)權利要求17所述的液晶顯示器件，其中第二公共電極是梳狀。
45.根據(jù)權利要求18所述的液晶顯示器件，其中第二公共電極是梳狀。
46.根據(jù)權利要求23所述的液晶顯示器件，其中第二透明公共電極是梳狀。
47.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示器件，其中像素電極由透明材料形成。
48.根據(jù)權利要求2所述的液晶顯示器件，其中像素電極由透明材料形成。
49.根據(jù)權利要求3所述的液晶顯示器件，其中像素電極由透明材料形成。
50.根據(jù)權利要求4所述的液晶顯示器件，其中像素電極由透明材料形成。
51.根據(jù)權利要求17所述的液晶顯示器件，其中像素電極由透明材料形成。
52.根據(jù)權利要求18所述的液晶顯示器件，其中像素電極由透明材料形成。
53.根據(jù)權利要求23所述的液晶顯示器件，其中像素電極由透明材料形成。
54.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示器件，其中第一公共電極由透明材料形成。
55.根據(jù)權利要求2所述的液晶顯示器件，其中第一公共電極由透明材料形成。
56.根據(jù)權利要求3所述的液晶顯示器件，其中第一公共電極由透明材料形成。
57.根據(jù)權利要求4所述的液晶顯示器件，其中第一公共電極由透明材料形成。
58.根據(jù)權利要求17所述的液晶顯示器件，其中第一公共電極由透明材料形成。
59.根據(jù)權利要求18所述的液晶顯示器件，其中第一公共電極由透明材料形成。
60.根據(jù)權利要求1所述的液晶顯示器件，其中第二公共電極由透明材料形成。
61.根據(jù)權利要求2所述的液晶顯示器件，其中第二公共電極由透明材料形成。
62.根據(jù)權利要求3所述的液晶顯示器件，其中第二公共電極由透明材料形成。
63.根據(jù)權利要求4所述的液晶顯示器件，其中第二公共電極由透明材料形成。
64.根據(jù)權利要求17所述的液晶顯示器件，其中第二公共電極由透明材料形成。
65.根據(jù)權利要求18所述的液晶顯示器件，其中第二公共電極由透明材料形成。
全文摘要
本發(fā)明的一個目的是在以FFS型為代表的水平電場液晶顯示器件中將足夠的電場施加到液晶材料中。在水平電場液晶顯示器中，使用多對電極而不是一對電極將電場施加給正好在公共電極和像素電極之上的液晶材料中。一對電極包括梳狀公共電極和梳狀像素電極。另一對電極包括梳狀像素電極和在像素部分中提供的公共電極。
文檔編號G02F1/1343GK1979275SQ20061016424
公開日2007年6月13日 申請日期2006年12月5日 優(yōu)先權日2005年12月5日
發(fā)明者木村肇, 魚地秀貴 申請人:株式會社半導體能源研究所