專利名稱：顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示面板，特別是涉及一種具有腐蝕防護作用的
顯示面板o
背景技術(shù)：
平面顯示器裝置通常會使用液晶顯示(liquid crystal display, LCD) 面板，LCD面板包含具有像素薄膜晶體管陣列的像素區(qū)，以及連接 至像素薄膜晶體管陣列間隔的數(shù)據(jù)線與柵極線互相交錯組成的陣列， 像素薄膜晶體管陣列、數(shù)據(jù)線以與柵極線形成可尋址像素陣列。LCD 面板也可包含連結(jié)至驅(qū)動集成電路芯片(integrated circuit chips, ICs) 的周邊區(qū)，驅(qū)動集成電路芯片可驅(qū)動薄膜晶體管陣列，通?？墒褂貌?璃覆晶(chip-on-glass， COG)、巻帶封裝(tape-carrier-package， TCP) 或薄膜覆晶(chip-on-film，COF)技術(shù)將ICs固定在LCD面板的周邊區(qū)， 在COG、 TCP及COF技術(shù)中，利用各向異性導(dǎo)電膜(aniso加pic conductive films, ACFs)粘接驅(qū)動ICs或可撓性印刷電路，或是利用 其它帶有驅(qū)動ICs的薄膜連結(jié)至LCD面板。
圖1為傳統(tǒng)LCD面板100的平面圖，面板100包含像素區(qū)101 以及周邊區(qū)103，周邊區(qū)包括具有多個芯片接合墊(未圖標)的芯片接 合區(qū)105，以及具有多個測試墊(未圖標)的邊緣電路區(qū)107，像素區(qū) 101具有像素薄膜晶體管陣列以及導(dǎo)電柵極線和數(shù)據(jù)線(未圖標)。
邊緣電路區(qū)107在陣列測試時作為信號接收器，或是連接至靜電 放電(electrostatics discharge, ESD)電路以提供靜電保護。邊緣電路區(qū) 在LCD面板的芯片接合區(qū)105旁邊，邊緣電路電性連接至芯片接合 區(qū)105的芯片接合墊組，其以各向異性導(dǎo)電膜電性連接至ICs。
圖2A為傳統(tǒng)LCD面板100的周邊區(qū)103沿著圖1的虛線A-A， 的剖面圖。如圖2A所示，周邊區(qū)103包括襯底201，其具有芯片接
合區(qū)105以及邊緣電路區(qū)107，導(dǎo)電層203設(shè)置于其上，芯片接合區(qū) 105與邊緣電路區(qū)107被絕緣層207分開來，導(dǎo)電層205覆蓋于導(dǎo)電 層203以及絕緣層207的部分上表面之上，暴露出絕緣層207的切割 區(qū)209。邊緣電路區(qū)在陣列測試期間可用來接收驅(qū)動信號，或是在制 造過程中的保護電路以避免靜電破壞，在完成液晶盒(cell)制程之后， 邊緣電路區(qū)107會經(jīng)由切割絕緣層207內(nèi)的切割區(qū)209而移除，如圖 2B所示，在空氣中暴露出導(dǎo)電層203的側(cè)壁，使得導(dǎo)電層203露出 的側(cè)壁210受到腐蝕，此腐蝕會經(jīng)由導(dǎo)電層延伸至接合墊，造成信號 傳輸失效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種顯示面板，其含有的絕緣層可以在切 割后保護導(dǎo)電層的側(cè)壁避免受到腐蝕破壞。
為達上述目的，本發(fā)明提供了一種顯示面板，其包括具有芯片接 合區(qū)和切斷面的襯底，第一導(dǎo)電層設(shè)置在芯片接合區(qū)上，絕緣層設(shè)置 在襯底上，介于第一導(dǎo)電層和切斷面之間，且覆蓋第一導(dǎo)電層的側(cè)壁， 以及第二導(dǎo)電層設(shè)置在絕緣層上方，延伸至切斷面且與第一導(dǎo)電層電 性連接。
為達到上述目的，本發(fā)明還提供了一種顯示面板，其包括具有芯 片接合區(qū)和切斷面的襯底，第一導(dǎo)電層設(shè)置在芯片接合區(qū)上，第二導(dǎo) 電層設(shè)置襯底上的芯片接合區(qū)旁邊且延伸至切斷面，第一絕緣層設(shè)置 在襯底上，介于第一和第二導(dǎo)電層之間，覆蓋第一導(dǎo)電層的側(cè)壁，且 在第二導(dǎo)電層上延伸至切斷面，具有開口暴露出第二導(dǎo)電層的上表 面，以及第三導(dǎo)電層設(shè)置在第一絕緣層上方，電性連接第一和第二導(dǎo) 電層。
此外，本發(fā)明還提供了一種顯示面板，其包括具有芯片接合區(qū)和 切斷面的襯底，第一導(dǎo)電層設(shè)置在芯片接合區(qū)上，第一絕緣層設(shè)置在 襯底上，介于第一導(dǎo)電層和切斷面之間，覆蓋第一導(dǎo)電層的側(cè)壁，第 二導(dǎo)電層設(shè)置在第一絕緣層上延伸至切斷面，第二絕緣層覆蓋第二導(dǎo) 電層，具有開口暴露出第二導(dǎo)電層的上表面，以及第三導(dǎo)電層設(shè)置在 第二絕緣層上方，電性連接第一和第二導(dǎo)電層。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下 文特舉出優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。


圖1為己知的LCD面板之平面圖2A為已知的LCD面板之周邊區(qū)沿著圖1的線A-A，的剖面圖； 圖2B為切割移除邊緣電路區(qū)之后已知的LCD面板周邊區(qū)的剖 面圖3為本發(fā)明的LCD面板的平面圖4A為依據(jù)本發(fā)明的一個實施例的LCD面板周邊區(qū)的剖面圖； 圖4B為依據(jù)圖4A切割移除邊緣電路區(qū)之后的LCD面板周邊區(qū) 的剖面圖5A為依據(jù)本發(fā)明的一個實施例的LCD面板周邊區(qū)的剖面圖5B為依據(jù)圖5A切割在一個位置移除邊緣電路區(qū)后的LCD面 板周邊區(qū)的剖面圖5C為依據(jù)圖5A切割在另一位置移除邊緣電路區(qū)后的LCD面 板周邊區(qū)的剖面圖6A為依據(jù)本發(fā)明的另一實施例的LCD面板周邊區(qū)的剖面圖6B為依據(jù)圖6A切割在一個位置移除邊緣電路區(qū)后的LCD面 板周邊區(qū)的剖面圖6C為依據(jù)圖6A切割在另一位置移除邊緣電路區(qū)后的LCD面 板周邊區(qū)的剖面圖7A為依據(jù)本發(fā)明的另一實施例的LCD面板周邊區(qū)的剖面以及
圖7B為依據(jù)圖7A切割移除邊緣電路區(qū)后的LCD面板周邊區(qū)的 剖面圖。
主要組件符號說明
100 己知的LCD面板； 300 本發(fā)明的LCD面板；
101、 301 像素區(qū)；
103、 303 周邊區(qū)；
105、 305 芯片接合區(qū)；
107、 307 邊緣電路區(qū)；
201、 401、 601、 701、 801 襯底；
203、 205 導(dǎo)電層；
207 絕緣層；
209、 405、 605、 705、 805 切割區(qū);
210、 410、 610、 612、 712、 714、 812 切斷面;
403a、 603a、 703a、 803a、 403b、 603b、 703b、 803b、 409、 609、 708、 709、 808、 809a、 809b 導(dǎo)電層;
403c、 603c、 703c、 803c 導(dǎo)電層側(cè)壁；
407、 607、 611、 707、 710、 711、 807、 810、 811 絕緣層； 810a 開口。
具體實施例方式
本發(fā)明提供一種顯示面板，其含有的絕緣層可以在切割后保護導(dǎo) 電層的側(cè)壁避免受到腐蝕破壞。
圖3為本發(fā)明的LCD面板300的平面圖，面板300包括像素區(qū) 301和周邊區(qū)303，其中周邊區(qū)303包括芯片接合區(qū)305以及在芯片 接合區(qū)旁邊的邊緣電路區(qū)307。像素區(qū)301具有像素薄膜晶體管(TFT) 陣列以及導(dǎo)電性的柵極線和數(shù)據(jù)線(未圖標)。
圖4A為LCD面板300的周邊區(qū)303沿著圖3中的虛線B-B'的 剖面圖，如圖4A所示，周邊區(qū)303包括襯底401，例如為玻璃襯底， 其具有芯片接合區(qū)305和邊緣電路區(qū)307。導(dǎo)電層403a和403b具有 相對的側(cè)壁403c，分別設(shè)置于芯片接合區(qū)和邊緣電路區(qū)上，導(dǎo)電層 403a和403b可以是金屬，例如Mo、 Ti、 Cr、 W、 Al、 AlNd或MoW 等類似的材料。絕緣層407在襯底401上形成，介于導(dǎo)電層403a和 403b之間，覆蓋住兩個相對的側(cè)壁403c，絕緣層407可以是氧化物 或氮化物，但不限于此。如圖4A所示，絕緣層407優(yōu)選地為覆蓋住
導(dǎo)電層403a和403b部分的上表面，以提供對導(dǎo)電層403a和403b的 側(cè)壁403c完整的保護。導(dǎo)電層409在導(dǎo)電層403a、絕緣層407以及 導(dǎo)電層403b上形成，電性連接芯片接合區(qū)305和邊緣電路區(qū)307， 導(dǎo)電層409可以是透明導(dǎo)電層，例如銦錫氧化物(indium tin oxide， ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide， IZO)、鋁鋅氧化物(Al:ZnO， AZO)或鎘錫氧化物(Cd2Sn04， CTO)。導(dǎo)電層403a形成芯片接合墊， 而芯片接合區(qū)其上還包括集成電路(IC)芯片(未圖標)。在液晶盒(cell) 制程之后，邊緣電路區(qū)307經(jīng)由切割在兩個相對的側(cè)壁403c之間的 絕緣層407內(nèi)的切割區(qū)405而移除，切割后的LCD面板300的剖面 圖如圖4B所示，其中沿著圖4A的切割區(qū)405的邊界產(chǎn)生切斷面410。 與圖2A和2B中的傳統(tǒng)顯示面板比較，本發(fā)明的導(dǎo)電層403a的側(cè)壁 403c被絕緣層407保護，如圖4B所示，使得導(dǎo)電層403a的側(cè)壁403c 在切割后不會暴露在空氣中而被腐蝕。在此實施例中，芯片接合區(qū) 305和邊緣電路區(qū)307之間的電性連接由導(dǎo)電層409實現(xiàn)。
圖5A為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的周邊區(qū)303的剖面圖，如圖 5A所示，周邊區(qū)303包括襯底601，其含有芯片接合區(qū)305和邊緣 電路區(qū)307。導(dǎo)電層603a和603b具有相對的側(cè)壁603c，分別設(shè)置于 芯片接合區(qū)305和邊緣電路區(qū)307上。導(dǎo)電層603a和603b可以是金 屬，例如Mo、 Ti、 Cr、 W、 Al、 AINd或MoW等類似的材料。絕緣 層607在襯底601上介于導(dǎo)電層603a和603b之間形成，覆蓋住其相 對的側(cè)壁603c，絕緣層607可以是氧化物或氮化物。參考圖5A，絕 緣層607優(yōu)選地為覆蓋住導(dǎo)電層603a和603b部分的上表面，絕緣層 611設(shè)置在導(dǎo)電層603b上，與絕緣層607間隔開來。導(dǎo)電層609覆 蓋于導(dǎo)電層603a、絕緣層607以及部分的絕緣層611上，電性連接 芯片接合區(qū)305和邊緣電路區(qū)307，導(dǎo)電層609可由透明導(dǎo)電材料形 成，例如ITO、 IZO、 AZO或CTO。在此實施例中，切割區(qū)605可以 在兩個相對的側(cè)壁603c之間的絕緣層607內(nèi)，或是在絕緣層611內(nèi)。 在液晶盒制程之后，邊緣電路區(qū)307可經(jīng)由在絕緣層607內(nèi)的切割區(qū) 605切割而移除(如圖5C所示)，或是在絕緣層611內(nèi)的切割區(qū)605 切割而移除(如圖5B所示)，幷且于切割后絕緣層607可保護導(dǎo)電層603a避免受到腐蝕。
圖6A為依據(jù)本發(fā)明的另一實施例的周邊區(qū)303的剖面圖，如圖 6A所示，周邊區(qū)303包括襯底701，其含有芯片接合區(qū)305和邊緣 電路區(qū)307，導(dǎo)電層703a和703b分別設(shè)置于芯片接合區(qū)305和邊緣 電路區(qū)307上。絕緣層707在襯底701上介于導(dǎo)電層703a和703b之 間形成，覆蓋住其相對的側(cè)壁703c，絕緣層707可以是氧化物或氮 化物。請參閱圖6A，絕緣層707可覆蓋住導(dǎo)電層703a和703b的部 分上表面，導(dǎo)電層708設(shè)置于絕緣層707上。在此實施例中，導(dǎo)電層 703a、 703b和708可以是相同或不同的材料，絕緣層710在導(dǎo)電層 708上形成，其具有開口暴露出導(dǎo)電層708的上表面。如圖6A所示， 絕緣層710覆蓋住導(dǎo)電層708的邊角，絕緣層711在導(dǎo)電層703b上 形成，與絕緣層707間隔開來。導(dǎo)電層709覆蓋住導(dǎo)電層703a、絕 緣層710、導(dǎo)電層708、在絕緣層711和707之間暴露出來的導(dǎo)電層 703b以及部分的絕緣層711，電性連接芯片接合區(qū)305和邊緣電路區(qū) 307，導(dǎo)電層709可以是透明導(dǎo)電材料，例如ITO、 IZO、 AZO或CTO。 在此實施例中，切割區(qū)705可以是在兩個相對的側(cè)壁703c之間的絕 緣層707內(nèi)，或是在絕緣層711內(nèi)。如圖6B所示，可以在絕緣層711 內(nèi)的切割區(qū)705做切割，沿著圖6A的切割區(qū)705之邊界產(chǎn)生切斷面 712。另外，也可以在絕緣層707內(nèi)的切割區(qū)705做切割，如圖6C 所示，沿著圖6A的切割區(qū)705的邊界產(chǎn)生切斷面714。
此夕卜，在絕緣層707內(nèi)的切割區(qū)705上的導(dǎo)電層709也可以設(shè)置 成具有開口暴露出導(dǎo)電層708的上表面，因此在切割后導(dǎo)電層709可 以不需延伸至切斷面。在液晶盒制程之后，邊緣電路區(qū)307經(jīng)由在絕 緣層707或絕緣層711內(nèi)的切割區(qū)705切割而移除，而且不管如何選 擇切割區(qū)705，絕緣層707都可保護導(dǎo)電層703a避免受到腐蝕。
圖7A為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的周邊區(qū)303的剖面圖，如圖 7A所示，周邊區(qū)303包括襯底801，其含有芯片接合區(qū)305和邊緣 電路區(qū)307，導(dǎo)電層803a和803b分別設(shè)置在芯片接合區(qū)305和邊緣 電路區(qū)307上。絕緣層807在襯底801上介于導(dǎo)電層803a和S(Bb之 間形成，幷覆蓋其相對的側(cè)壁803c，絕緣層807的材料可以是氧化
物或氮化物。如圖7A所示，絕緣層807可覆蓋住導(dǎo)電層803a和803b 部分的上表面，幷將絕緣層807上的導(dǎo)電層與導(dǎo)電層803a和803b分 幵來。導(dǎo)電層808設(shè)置于絕緣層807上，絕緣層810在導(dǎo)電層808上 形成，其具有兩個開口 810a暴露出導(dǎo)電層808的上表面，然后利用 兩個導(dǎo)電層809a和809b經(jīng)由開口810a連接導(dǎo)電層803a、808和803b。 導(dǎo)電層809a覆蓋于導(dǎo)電層803a、絕緣層810以及暴露出來的導(dǎo)電層 808之上，電性連接導(dǎo)電層803a和808。導(dǎo)電層809b覆蓋住部分的 絕緣層8U、暴露出來的導(dǎo)電層808以及導(dǎo)電層803b。值得注意的是， 導(dǎo)電層809a和809b通過絕緣層811暴露出來的部分間隔開來，其稍 后可作為切割區(qū)。導(dǎo)電層809a和80%可以是透明導(dǎo)電材料，例如 ITO、 IZO、 AZO或CTO，通過導(dǎo)電層809a和80%的形成，可以電 性連接芯片接合區(qū)305和邊緣電路區(qū)307。在液晶盒制程完成之后， 邊緣電路區(qū)307經(jīng)由在絕緣層811內(nèi)的切割區(qū)805做切割而移除，如 圖7B所示，可沿著圖7A的切割區(qū)805的邊界產(chǎn)生切斷面812,幷且 導(dǎo)電層803a可被絕緣層807保護，避免受到腐蝕。
雖然本發(fā)明已經(jīng)公開了以上優(yōu)選實施例，然而其并非用以限定本 發(fā)明，本領(lǐng)域任何技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下， 應(yīng)該可以進行少許更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)該視附帶的 權(quán)利要求為準。
權(quán)利要求
1、一種顯示面板，包括襯底，其具有芯片接合區(qū)和切斷面；第一導(dǎo)電層，其設(shè)置在所述芯片接合區(qū)上；絕緣層，其設(shè)置在所述襯底上，介于所述第一導(dǎo)電層和所述切斷面之間，且覆蓋所述第一導(dǎo)電層的側(cè)壁；以及第二導(dǎo)電層，其設(shè)置在所述絕緣層上方，延伸至所述切斷面且與所述第一導(dǎo)電層電性連接。
2、 如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，所述第二導(dǎo)電層至少 覆蓋部份的所述第一導(dǎo)電層。
3、如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，所述絕緣層延伸至所 述第一導(dǎo)電層的上表面。
4、 如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，所述第二導(dǎo)電層的材 料包括ITO、 IZO、 AZO或CTO。
5、 如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，所述第一導(dǎo)電層的材 料包括Mo、 Ti、 Cr、 W、 Al、 AlNd或MoW。
6、 如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，所述絕緣層的材料包 括氧化物或氮化物。
7、 如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，所述第二導(dǎo)電層設(shè)置 在所述絕緣層上。
8、 一種顯示面板，包括襯底，其具有芯片接合區(qū)和切斷面； 第一導(dǎo)電層，其設(shè)置在所述芯片接合區(qū)上；第二導(dǎo)電層，其設(shè)置在所述襯底上，位于所述芯片接合區(qū)旁邊且延伸至所述切斷面；第一絕緣層，其設(shè)置在所述襯底上，介于所述第一和第二導(dǎo)電層 之間，覆蓋所述第一導(dǎo)電層的側(cè)壁，且在所述第二導(dǎo)電層上延伸至所 述切斷面，具有開口，暴露出所述第二導(dǎo)電層的上表面；以及第三導(dǎo)電層，其設(shè)置在所述第一絕緣層上方，且電性連接所述第 一和所述第二導(dǎo)電層。
9、 如權(quán)利要求8所述的顯示面板，還包括第四導(dǎo)電層，其設(shè)置在所述第一絕緣層上，介于所述第一和第二 導(dǎo)電層之間且在所述第三導(dǎo)電層之下；以及第二絕緣層，其覆蓋所述第四導(dǎo)電層，具有開口，暴露出所述第 四導(dǎo)電層的上表面，且位于所述第三導(dǎo)電層下。
10、 如權(quán)利要求8所述的顯示面板，其中，所述第一絕緣層延伸 至所述第一與第二導(dǎo)電層的上表面。
11、 如權(quán)利要求8所述的顯示面板，其中，所述第三導(dǎo)電層覆蓋 至少部分的所述第一與第二導(dǎo)電層。
12、 如權(quán)利要求8所述的顯示面板，其中，所述第一與第二導(dǎo)電 層的材料包括Mo、 Ti、 Cr、 W、 Al、 AlNd或MoW。
13、 如權(quán)利要求8所述的顯示面板，其中，所述第三導(dǎo)電層的材 料包括ITO、 IZO、 AZO或CTO。
14、 如權(quán)利要求8所述的顯示面板，其中所述，第一絕緣層的材 料包括氧化物或氮化物。
15、 如權(quán)利要求9所述的顯示面板，其中，所述第三導(dǎo)電層電性 連接所述第一、第二和第四導(dǎo)電層。
16、 如權(quán)利要求9所述的顯示面板，其中，所述第四導(dǎo)電層的材 料包括Mo、 Ti、 Cr、 W、 Al、 AlNd或MoW。
17、 如權(quán)利要求9所述的顯示面板，其中，所述第二絕緣層的材 料包括氧化物或氮化物。
18、 一種顯示面板，包括 襯底，具有芯片接合區(qū)和切斷面； 第一導(dǎo)電層設(shè)置在所述芯片接合區(qū)上；第一絕緣層設(shè)置在所述襯底上，介于所述第一導(dǎo)電層和所述切斷 面之間，覆蓋所述第一導(dǎo)電層的側(cè)壁；第二導(dǎo)電層設(shè)置在所述第一絕緣層上，延伸至所述切斷面；第二絕緣層覆蓋所述第二導(dǎo)電層，具有開口，暴露出所述第二導(dǎo) 電層的上表面；以及第三導(dǎo)電層設(shè)置在所述第二絕緣層上方，且電性連接所述第一和 第二導(dǎo)電層。
19、 如權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中，所述第三導(dǎo)電層延 伸至所述切斷面。
20、 如權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中，所述第二絕緣層延 伸至所述切斷面。
21、 如權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中，所述第一絕緣層延 伸至所述第一導(dǎo)電層的上表面。
22、 如權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中，所述第三導(dǎo)電層覆蓋至少部分的所述第一與第二導(dǎo)電層。
23、 如權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中，所述第一與第二導(dǎo) 電層的材料包括Mo、 Ti、 Cr、 W、 Al、 AlNd或MoW。
24、 如權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中，所述第一與第二絕 緣層的材料包括氧化物或氮化物。
25、 如權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中，所述第三導(dǎo)電層的 材料包括ITO、 IZO、 AZO或CTO。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種顯示面板，其包括具有芯片接合區(qū)和切斷面的襯底，第一導(dǎo)電層設(shè)置在芯片接合區(qū)上，絕緣層設(shè)置在襯底上，介于第一導(dǎo)電層和切斷面之間，且覆蓋第一導(dǎo)電層的側(cè)壁，以保護第一導(dǎo)電層避免腐蝕，第二導(dǎo)電層設(shè)置在絕緣層上延伸至切斷面，并且電性連接至第一導(dǎo)電層。
文檔編號G02F1/13GK101196637SQ200610164209
公開日2008年6月11日 申請日期2006年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月5日
發(fā)明者湯寶云, 陳柏仰 申請人:瀚宇彩晶股份有限公司