專利名稱：電子照相成像裝置和處理盒的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種使用包括特定電荷遷移材料的感光體的電子照相成像裝置，和一種包括該感光體的處理盒。
背景技術(shù)：
最近，利用電子照相術(shù)的信息處理系統(tǒng)的發(fā)展引人注目。尤其是，使用光來(lái)記錄被轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)的信息的光學(xué)打印機(jī)在打印質(zhì)量和可靠性方面已經(jīng)得到顯著改善。這種數(shù)字記錄技術(shù)不僅僅應(yīng)用到打印機(jī)上，而且應(yīng)用到復(fù)印機(jī)上，并且已經(jīng)開(kāi)發(fā)和使用所謂的數(shù)字復(fù)印機(jī)。利用常規(guī)的模擬記錄技術(shù)和這種數(shù)字記錄技術(shù)的復(fù)印機(jī)具有許多信息處理功能，并且因此，可以預(yù)計(jì)這種復(fù)印機(jī)的需求將會(huì)逐步擴(kuò)大。另外，隨著個(gè)人電腦的普及和改善，數(shù)字彩色打印機(jī)的性能可以產(chǎn)生文件。
現(xiàn)在流行的是具有靈敏度、熱穩(wěn)定性和無(wú)毒性比無(wú)機(jī)材料更好的有機(jī)光導(dǎo)材料，代替作為電子照相感光體用的光導(dǎo)材料的常規(guī)無(wú)機(jī)材料如Se、CdS和ZnO。大多數(shù)使用有機(jī)光導(dǎo)材料的電子照相感光體具有由包括電荷產(chǎn)生材料的電荷產(chǎn)生層和包括電荷遷移材料的電荷遷移層形成的功能上分離的光敏層。
另一方面，在單一光敏層中包括電荷產(chǎn)生材料和電荷遷移材料的單層感光體現(xiàn)在引起人們的注意，因?yàn)樗梢酝ㄟ^(guò)簡(jiǎn)單的過(guò)程制備，由于較少的層界面，光學(xué)性能得到改善，并且對(duì)于正或負(fù)充電過(guò)程均可以使用。
一般地，電子照相成像裝置向均勻充電的感光體照射由圖像數(shù)據(jù)調(diào)制的記錄光，以便在其上形成靜電潛像；并且由圖像顯影器向感光體提供調(diào)色劑以便使靜電潛像顯影，在其上形成調(diào)色劑圖像。
關(guān)于電子照相成像裝置中充電的方法，已知的是使用金屬絲的電暈充電方法和使充電輥接觸感光體的接觸充電方法等。
接觸充電方法比電暈充電方法產(chǎn)生更少的氧化性氣體如臭氧和NOx，因?yàn)槭┘拥浇佑|充電方法的充電部件上的電壓可以比施加到電暈充電方法的充電部件上的電壓更低。然而，具有高放電能量的接觸充電方法給感光體施加大的應(yīng)力，并且感光體磨損更快，當(dāng)加工線速度變快時(shí)，具有差的電荷跟隨能力(followability)，并且由于直接對(duì)其施加高的電壓，感光體容易放電擊穿。
電暈充電方法具有良好的電荷跟隨能力，并且對(duì)感光體具有較小靜電應(yīng)力，因此對(duì)于該裝置的較高速度和耐用性而言是有利的，但是產(chǎn)生更多的氧化性氣體如臭氧和NOx(大約是接觸充電方法產(chǎn)生的100倍)。
當(dāng)感光體暴露于氧化性氣體如臭氧和NOx中時(shí)，其光敏層中的電荷產(chǎn)生材料和電荷遷移材料被氧化，這導(dǎo)致了可充電能力的降低，剩余電位增加，并且其靈敏度劣化，導(dǎo)致產(chǎn)生低圖像密度和模糊圖像。
為了解決這些問(wèn)題，日本特許公開(kāi)專利公開(kāi)No.57-122444公開(kāi)了一種在光敏層中包含抗氧化劑的方法。然而，當(dāng)其中包含抗氧化劑時(shí)，當(dāng)開(kāi)始或重復(fù)使用時(shí)具有增加剩余電位和其靈敏度劣化的副作用，導(dǎo)致其耐用性不夠。
由于這些原因，需要一種沒(méi)有劣化的感光體，該感光體能制備高速和高耐用性的電子照相成像裝置，其中劣化例如由于氧化性氣體(當(dāng)使用電暈充電方法時(shí)，大量產(chǎn)生氧化性氣體)導(dǎo)致的可充電能力下降。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種包括為了該裝置的高速和高耐用性即使當(dāng)使用電暈充電方法時(shí)也不被氧化性氣體劣化的感光體并且長(zhǎng)時(shí)間產(chǎn)生高質(zhì)量圖像的電子照相成像裝置。
本發(fā)明的這個(gè)目的和其它目的，已經(jīng)逐一地或一起通過(guò)電子照相成像裝置的發(fā)現(xiàn)而實(shí)現(xiàn)，該電子照相成像裝置包括感光體，使該感光體的表面充電的充電器，用成像光照射該感光體的表面以便在其上形成靜電潛像的輻照器，用包括調(diào)色劑的顯像劑使該靜電潛像顯影以便在該感光體的表面上形成調(diào)色劑圖像的圖像顯影器，和將該調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印材料上的轉(zhuǎn)印器；其中該感光體包括
導(dǎo)電基材，和覆蓋在該導(dǎo)電基材上的光敏層，包括電荷產(chǎn)生材料和具有下式(A)的電荷遷移材料 其中R1和R2獨(dú)立地表示氫原子、和選自取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基和取代或未取代的芳烷基的基團(tuán)；R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13和R14獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、和選自氰基、硝基、氨基、羥基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基和取代或未取代的芳烷基的基團(tuán)；并且n是重復(fù)單元，并且為0或從1到100的整數(shù)。
結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案進(jìn)行以下說(shuō)明，本發(fā)明的這些及其它目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更為明晰。


當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，通過(guò)詳細(xì)描述，本發(fā)明的各種其它目的、特點(diǎn)和伴隨的優(yōu)點(diǎn)將得以更充分地理解并變得更好地了解，其中相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的對(duì)應(yīng)部分，并且其中圖1是表示本發(fā)明的成像裝置的具體實(shí)施方案的部分截面的示意圖；圖2是表示接近感光體布置的具有間隙形成器(gap former)的充電器的具體實(shí)施方案的示意圖；圖3表示本發(fā)明的成像裝置的另一個(gè)具體實(shí)施方案的示意圖；圖4表示對(duì)感光體的表面施加添加劑的添加劑涂布器(applicator)的具體圖6和7是本發(fā)明的電子照相感光體的層狀結(jié)構(gòu)的具體實(shí)施方案的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供一種用于長(zhǎng)時(shí)間產(chǎn)生高質(zhì)量圖像的高速且高耐用性的電子照相成像裝置。
具體而言，一種高速產(chǎn)生高質(zhì)量圖像的電子照相成像裝置，該電子照相成像裝置包括感光體、使該感光體的表面充電的充電器、以成像光照射該感光體的表面以便在其上形成靜電潛像的輻照器、以包括調(diào)色劑的顯像劑使該靜電潛像顯影以便在該感光體的表面上形成調(diào)色劑圖像的圖像顯影器、和將該調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印材料上的轉(zhuǎn)印器；其中該感光體包括導(dǎo)電基材、和覆蓋該導(dǎo)電基材的光敏層，該光敏層包括電荷產(chǎn)生材料和具有上式(A)的電荷遷移材料。
在本發(fā)明中，使用電暈充電器。具有高速度跟隨能力(speed followability)比使用充電輥的接觸充電器更好的電暈充電可以使電子照相成像裝置以更高的速度產(chǎn)生圖像。另外，電暈充電器對(duì)感光體具有較少的靜電和物理應(yīng)力。
接觸充電器對(duì)感光體具有高的放電能量和大的靜電應(yīng)力。進(jìn)一步，由于充電輥接觸感光體，感光體被大量磨損。因此，電暈充電器可以延長(zhǎng)感光體的壽命。
然而，電暈充電器產(chǎn)生大量氧化性氣體如臭氧和NOx，這導(dǎo)致感光體的可充電能力的降低、剩余電位的增加和靈敏度的劣化。
由于具有上式(A)的電荷遷移材料具有好的耐氧化性氣體性能，即使當(dāng)電暈放電器產(chǎn)生大量氧化性氣體時(shí)，也不發(fā)生感光體可充電能力下降、剩余電位的增加和靈敏度的劣化。因?yàn)榫哂袕?qiáng)的N-位堿性分子結(jié)構(gòu)(N-th basicitymolecular-structurally)，電荷遷移材料被認(rèn)為是耐氧化性氣體的。
另外，由于具有上式(A)的電荷遷移材料具有非常好的電荷遷移性能，所得的感光體不僅僅耐氧化性氣體而且在靜電學(xué)上(electrostaticity)具有高的靈敏度。進(jìn)一步，特定電荷產(chǎn)生材料改善所得的感光體的性能。在本發(fā)明中，可以使用已知電荷產(chǎn)生材料，并且從與本發(fā)明的電荷遷移材料相組合的方面來(lái)說(shuō)，尤其優(yōu)選使用具有酞菁結(jié)構(gòu)的電荷產(chǎn)生材料。
在酞菁中，更優(yōu)選使用具有鈦?zhàn)鳛橹醒虢饘?central metal)并且具有下式的鈦氧基酞菁，因?yàn)樗玫墓饷魧泳哂徐`敏度。
其中X1、X2、X3和X4獨(dú)立地表示鹵素原子；和n、m、l和k獨(dú)立地表示0或從1到4的整數(shù)。
合成鈦氧基酞菁的方法和其電子照相性能在日本特許公開(kāi)專利公開(kāi)No.57-148745、No.59-36254、No.59-44054、No.59-31965、No.61-239248、No.62-67094等中公開(kāi)。另外，具有不同晶形的鈦氧基酞菁在日本特許公開(kāi)專利公開(kāi)No.59-49544、No.59-1669559、No.61-239248、No.62-67094、No.63-366、No.63-116158、No.64-17066、No.2001-19871等中公開(kāi)。
進(jìn)一步，如日本特許公開(kāi)專利公開(kāi)No.2001-19871中所述，鈦氧基酞菁優(yōu)選具有這樣的X-射線衍射譜，使得在布拉格(2θ)角為27.2°(±0.2°)處觀察到最大峰；或具有這樣的X-射線衍射譜，使得在布拉格(2θ)角為27.2±0.2°處觀察到最大峰，在角為7.3±0.2°處觀察到最低角峰，并且在每一個(gè)布拉格(2θ)角9.4°、9.6°和24.0°(±0.2°)處觀察到主峰，其中在7.3°和9.4°的峰之間沒(méi)有觀察到峰。
進(jìn)一步，如日本特許公開(kāi)專利公開(kāi)No.2004-83859和No.2004-78141中所述，當(dāng)合成或進(jìn)行分散體過(guò)濾處理時(shí)，更優(yōu)選使用具有上述晶形和平均初級(jí)粒徑不大于0.25μm且無(wú)粗粒子的鈦氧基酞菁?？梢允褂镁哂行〉钠骄跫?jí)粒徑的鈦氧基酞菁制備具有小的平均粒徑的分散液體。并非全部粒子作為初級(jí)粒子存在于分散液體中，并且一些初級(jí)粒子在其中凝聚。因此，可以使用平均初級(jí)粒徑不大于0.25μm且無(wú)粗粒子的鈦氧基酞菁制備具有小的平均粒徑的分散液體。當(dāng)鈦氧基酞菁具有大的平均粒徑時(shí)，其表面積變小并且較少接觸電荷遷移材料，導(dǎo)致載體小的注入效率(injection efficiency)。另外，光敏層和電荷產(chǎn)生層的涂覆缺陷增加，導(dǎo)致有缺陷的圖像如背景污濁。因此，平均粒徑越小，靈敏度越高，并且背景污濁越少，當(dāng)平均初級(jí)粒徑不大于0.25μm時(shí)尤其是如此。
粒徑是指分散液體(電荷產(chǎn)生層涂布液)中的體積平均粒徑，并且可以通過(guò)來(lái)自Horiba Ltd.的離心自動(dòng)粒徑分析儀CAPA-700測(cè)定。體積平均粒徑是指累積50％的粒徑(即中值直徑)。然而，通過(guò)使用這種粒徑測(cè)定方法，存在不能檢測(cè)少量粗粒子的情況。因此，優(yōu)選直接用電子顯微鏡觀察包括電荷產(chǎn)生材料的分散體，以測(cè)定晶體的粒徑。
當(dāng)在基材上依次形成電荷產(chǎn)生層和電荷遷移層時(shí)，所得的感光體是帶正電的感光體。當(dāng)在基材上形成單層光敏層時(shí)，所得的感光體是與空穴(positive-hole)電荷遷移材料相組合的帶正電或帶負(fù)電的感光體。然而，優(yōu)選的是感光體是帶正電的，因?yàn)樵摳泄怏w具有穩(wěn)定的可充電能力并且產(chǎn)生較少的氧化性氣體(大約是帶負(fù)電時(shí)的1/10)。
具有上式(A)的電荷遷移材料可以通過(guò)已知方法合成。其具體實(shí)例包括萘羧酸或其酸酐與胺的反應(yīng)的單酰亞胺化(monoimidizing)方法和用緩沖溶液控制萘羧酸或其酸酐的pH并且使萘羧酸或其酸酐與二胺反應(yīng)的方法。單酰亞胺化在沒(méi)有溶劑或存在溶劑下進(jìn)行。溶劑的具體實(shí)例包括苯、甲苯、二甲苯、氯萘、乙酸、吡啶、甲基吡啶、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亞乙基脲、二甲亞砜等，它們?cè)?0到250℃的溫度下不與原料或產(chǎn)物反應(yīng)。使用通過(guò)將堿性水溶液如氫氧化鋰和氫氧化鉀與酸如磷酸混合制備的緩沖溶液來(lái)控制pH。通過(guò)使羧酸與胺或二胺反應(yīng)制備的羧酸衍生物在無(wú)溶劑或存在溶劑的條件下脫水。溶劑的具體實(shí)例包括苯、甲苯、二甲苯、氯萘、溴萘、乙酸酸酐等，它們?cè)?0到250℃的溫度下不與原料或產(chǎn)物反應(yīng)。任何一個(gè)反應(yīng)可以在無(wú)催化劑或在存在催化劑的條件下進(jìn)行，例如可以使用脫水劑如分子篩、苯磺酸和對(duì)甲苯磺酸。
接著，參考附圖詳細(xì)解釋本發(fā)明的成像裝置。
圖1是表示本發(fā)明的成像裝置的具體實(shí)施方案的部分截面的示意圖；并且以下修改的實(shí)施例落在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
在圖1中，感光體11至少包括在導(dǎo)電基材上至少包含電荷產(chǎn)生材料和具有上式(A)的電荷遷移材料的光敏層。感光體11具有鼓的形狀，并且可以具有薄片或環(huán)形帶的形狀。
電暈充電器如電暈管和scorotron用作充電器12。
感光體11可以帶正電或負(fù)電，并且優(yōu)選的是帶正電，因?yàn)樗€(wěn)定地帶電，并且產(chǎn)生較少的氧化性氣體如臭氧和NOx。
在本發(fā)明中也可以使用接近感光體布置的非接觸充電器。
接近布置的(closely-located)充電器是在感光體的表面和充電器之間具有間隙不大于100μm的非接觸充電器。當(dāng)間隙太大時(shí)，感光體帶電不穩(wěn)定。當(dāng)太小時(shí)，感光體上的殘余調(diào)色劑污染充電部件的表面。因此，間隙優(yōu)選為5到100μm，并且更優(yōu)選為10到50μm。根據(jù)間隙的長(zhǎng)度，分別使用已知的電荷布線類(lèi)充電器(charge wire type charger)(如電暈管和scorotron)和接觸充電部件(如充電輥、充電刷和充電刀片(charging blade))。
用于本發(fā)明的接近布置的充電器可以具有任何形狀，只要可以適當(dāng)?shù)乜刂婆c感光體的間隙。例如，可以機(jī)械固定感光體和充電部件的旋轉(zhuǎn)軸使其具有適當(dāng)?shù)拈g隙。穩(wěn)定地維持間隙的簡(jiǎn)單方法包括使用在其未成像兩端均具有間隙形成器的充電輥的方法，其只接觸感光體的表面，使其成像區(qū)域不接觸充電器；或在感光體的未成像兩端設(shè)置間隙形成器的方法，該間隙形成器只接觸充電器的表面，使成像區(qū)域不接觸充電器。尤其是，優(yōu)選使用在日本特許公開(kāi)專利公開(kāi)No.2002-148904和No.2002-148905中公開(kāi)的方法。具有間隙形成器的接近布置的充電器的具體實(shí)施方案在圖2中顯示，其中數(shù)字26是充電輥，27是間隙形成器，28是金屬軸、29是未成像端和30是成像區(qū)域。
優(yōu)選的是，與AC電壓相重疊(overlapped)的DC電壓被施加到感光體上以減少不均勻的充電。尤其，在串聯(lián)型全色成像裝置中，不均勻的充電除了在單色成像裝置中導(dǎo)致半色調(diào)圖像的不均勻密度以外還導(dǎo)致色彩平衡(色澤復(fù)現(xiàn)性)劣化的嚴(yán)重問(wèn)題。用DC電壓與AC電壓疊加極大地改善了該問(wèn)題。然而，當(dāng)AC電壓的性能如頻率和峰值電壓太大時(shí)，對(duì)感光體的危害變大，這有時(shí)促進(jìn)感光體的劣化。因此，疊加的AC電壓必須是所需的最小值。
AC電壓的頻率根據(jù)感光體的線速度等改變，并且優(yōu)選不低于3kHz并且更優(yōu)選不低于2kHz。關(guān)于峰值之間的電壓，當(dāng)對(duì)充電部件的施加電壓和感光體的充電電位之間的關(guān)系進(jìn)行繪制時(shí)，雖然對(duì)其施加了電壓，但是感光體還具有不帶電的區(qū)域，并且該感光體不帶電直到它具有一定的積累電勢(shì)。在峰值之間最適當(dāng)?shù)碾妷菏谴蠹s該電勢(shì)的兩倍，即通常為約1,200到1，500V。
然而，當(dāng)感光體具有低的可充電能力或相當(dāng)大的線速度時(shí)，在峰值之間為該電勢(shì)的兩倍的電壓有時(shí)不足。相反，當(dāng)感光體具有好的可充電能力時(shí)，即使感光體具有在峰值之間不大于該電勢(shì)兩倍的電壓，有時(shí)候也顯示足夠的電勢(shì)穩(wěn)定性。因此，在峰值之間的電壓優(yōu)選不大于積累電勢(shì)的三倍，并且更優(yōu)選不大于積累電勢(shì)的兩倍。當(dāng)在峰值之間的電壓用絕對(duì)值代替時(shí)，優(yōu)選不大于3kV，更優(yōu)選不大于2kV，并且更優(yōu)選為1.5kV。
關(guān)于轉(zhuǎn)印器16，可以使用已知的充電器如電暈管、scorotron、固態(tài)充電器和充電輥，并且優(yōu)選使用轉(zhuǎn)移充電器(transfer charger)和分離充電器的組合。
用于輻照器13和放電器1A中的合適的光源包括一般的發(fā)光材料如熒光燈、鎢絲燈、鹵素?zé)?、汞燈、鈉燈、LED、LD、使用電致發(fā)光(EL)的光源等。另外，為了獲得具有所需波長(zhǎng)范圍的光，可以使用濾光器如銳截止(sharp-cut)濾光器、帶通濾光器、近紅外分割(cutting)濾光器、二色性濾光器、干涉濾光器、色溫轉(zhuǎn)換濾光器等。
在本發(fā)明中，優(yōu)選使用LED。LED可以使光學(xué)系統(tǒng)比使用多角鏡以LD作為光源的光學(xué)系統(tǒng)更小，并且可以使該裝置變小。另外，當(dāng)LED沿著感光體的縱向排列時(shí)，LED可以根據(jù)感光體的旋轉(zhuǎn)在感光體上進(jìn)行線性記錄，并且即使當(dāng)感光體的線速度變快即100毫米/秒或以上時(shí)，其記錄容量(writingcapacity)也足夠高。因此，LED可以制備緊湊且高速的裝置。
當(dāng)由圖像顯影器14在感光體上形成的調(diào)色劑圖像被轉(zhuǎn)印到圖像接受介質(zhì)18上時(shí)，并非所有調(diào)色劑圖像被轉(zhuǎn)印到其上，而是殘余調(diào)色劑殘留在感光體的表面上。殘余調(diào)色劑通過(guò)清潔器17從感光體上去除。清潔器包括由橡膠制成的清理刀片(cleaning blade)和刷子如毛刷和mag-fur brush。
圖3是表示本發(fā)明的成像裝置的另一個(gè)具體實(shí)施方案的示意圖，其中充電器12、輻照器13、用于每一種顏色調(diào)色劑(Bk、C、M和Y)的圖像顯影器(14Bk、14C、14M和14Y)、作為中間轉(zhuǎn)印器的中間轉(zhuǎn)印帶1F和清潔器17布置在感光體11的周?chē)?br> 感光體11是滿足本發(fā)明要求的電子照相感光體。圖像顯影器(14Bk、14C、14M和14Y)可以被獨(dú)立地控制，并且僅形成圖像的圖像顯影器工作。在感光體11上形成的調(diào)色劑圖像通過(guò)位于中間轉(zhuǎn)印帶1F內(nèi)部的第一轉(zhuǎn)印器1D轉(zhuǎn)印到中間轉(zhuǎn)印帶1F上。第一轉(zhuǎn)印器1D與感光體11可接觸并且可分離地設(shè)置，并且只有當(dāng)轉(zhuǎn)印調(diào)色劑圖像時(shí)，才使中間轉(zhuǎn)印帶1F接觸感光體11。在中間轉(zhuǎn)印帶1F上疊加的各顏色調(diào)色劑圖像通過(guò)第二轉(zhuǎn)印器1E一起轉(zhuǎn)印到圖像接受介質(zhì)18上，并且通過(guò)定影器19在其上進(jìn)行定影。第二轉(zhuǎn)印器1E與中間轉(zhuǎn)印帶1F可接觸并且可分離地設(shè)置，并且只有當(dāng)轉(zhuǎn)印調(diào)色劑圖像時(shí)，才接觸中間轉(zhuǎn)印帶1F。
圖1中的裝置具有向感光體表面提供各種添加劑的添加劑涂布器29。添加劑涂布器29可以位于裝置中任何地方，并且優(yōu)選位于不干擾調(diào)色劑圖像的區(qū)域，即感光體的表面經(jīng)過(guò)轉(zhuǎn)印器的位置。當(dāng)添加劑是固體材料時(shí)，涂布器優(yōu)選位于清潔器前面，因?yàn)榍鍧嵠鲗?duì)感光體的表面均勻施加添加劑。進(jìn)一步，有效地使用涂布器和清潔器的組合，使該裝置緊湊。
涂布器可以如圖4所示直接對(duì)感光體11擠壓添加劑27，并且優(yōu)選將添加劑從接觸感光體11的部件如彈性刷狀部件26、刀片狀部件28和彈性輥狀部件上轉(zhuǎn)移到感光體11的表面上。特別是，考慮到對(duì)感光體11的表面的機(jī)械應(yīng)力，優(yōu)選使用刷狀部件26。例如，每次固體添加劑27接觸旋轉(zhuǎn)的刷狀部件26以便刮一點(diǎn)添加劑27并且將該添加劑27擦在感光體11的表面上。
當(dāng)添加劑27以粉末的狀態(tài)粘附到感光體11的表面時(shí)，優(yōu)選使用刷狀部件26和刀片狀部件28的組合，該組合在向感光體11的表面施加添加劑27之后使添加劑27伸長(zhǎng)(extend)。
如圖4所示，至少刷狀部件26優(yōu)選位于充電器12的上游。刷狀部件26和刀片狀部件28可以與清除殘余調(diào)色劑的清潔器組合。
另外，當(dāng)添加劑混入顯影劑或包含于調(diào)色劑內(nèi)時(shí)，添加劑也可以通過(guò)圖像顯影器14有效地提供。當(dāng)添加劑以粉末的狀態(tài)粘附到感光體的表面時(shí)，也優(yōu)選使用刷狀部件和刀片狀部件的組合，該組合在向感光體的表面施加添加劑之后使添加劑伸長(zhǎng)。
刷狀部件26和圖像顯影器14中任何一個(gè)具有優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。刷狀部件26可以向感光體11的表面均勻施加添加劑27，但是應(yīng)該及時(shí)向其供應(yīng)添加劑27。另一方面，當(dāng)向其供應(yīng)顯影劑或調(diào)色劑時(shí)，可以同時(shí)向圖像顯影器14供應(yīng)添加劑27。然而，當(dāng)產(chǎn)生的圖像具有極低的圖像密度或偏移圖像(biasedimage)時(shí)，添加劑難以均勻地施加到感光體的整體表面。
為了利用刷狀部件26和圖像顯影器14的優(yōu)點(diǎn)并且彌補(bǔ)缺點(diǎn)，有效地使用其組合。
另外，涂布器可以具有與感光體表面分離和接觸的機(jī)構(gòu)。具有這種機(jī)構(gòu)的涂布器不需要經(jīng)常接觸感光體的表面，并且這可以防止對(duì)其過(guò)度供應(yīng)添加劑，并防止涂布器或其表面的劣化。
均勻地粘附于感光體表面、保護(hù)其表面并且改善其功能的任何添加劑均可以用于本發(fā)明。添加劑可以僅僅在感光體旋轉(zhuǎn)一次的同時(shí)發(fā)揮其功能，并且可以在每次旋轉(zhuǎn)時(shí)被清潔器除去。添加劑可以非常薄地粘附到感光體表面，并且優(yōu)選使用具有可延伸性的材料如蠟和潤(rùn)滑劑。
在本發(fā)明中優(yōu)選使用酯蠟或烯烴蠟。具有酯鍵的酯蠟的具體實(shí)例包括天然蠟如巴西棕櫚蠟、小燭樹(shù)蠟和米蠟(rice wax)；和褐煤蠟。烯烴蠟的具體實(shí)例包括合成蠟如聚乙烯蠟和聚丙烯蠟。
潤(rùn)滑劑的具體實(shí)例包括各種含氟樹(shù)脂如PTFE、PFA和PVDF；有機(jī)硅樹(shù)脂；聚烯烴樹(shù)脂；脂肪酸金屬鹽如硬脂酸鋅、月桂酸鋅、肉豆蔻酸鋅、硬脂酸鈣和硬脂酸鋁；等。尤其優(yōu)選使用硬脂酸鋅。
另外，抗氧化劑和UV吸收劑可以用作添加劑，以保護(hù)感光體表面免受氧化性氣體和有害射線的損害?？梢噪S意使用市售抗氧化劑和UV吸收劑。當(dāng)抗氧化劑大量包含于感光體中時(shí)，具有副作用如剩余電位增加，因此應(yīng)該限制其用量。然而在本發(fā)明中，抗氧化劑是從外部添加到感光體表面，并且通過(guò)刀片等全部除去其不必要的量。
上述成像單元可以固定設(shè)置在復(fù)印機(jī)、傳真機(jī)或打印機(jī)中。然而，成像單元可以作為處理盒設(shè)置在其中。圖5表示該處理盒的具體實(shí)施方案，而不是對(duì)其的限制。處理盒是指至少包括感光體11以及充電器12、成像光輻照器13、圖像顯影器14、圖像轉(zhuǎn)印器16、清潔器17和放電器1A中的一個(gè)的成像單元(或設(shè)備)。感光體11是滿足本發(fā)明要求的電子照相感光體。
本發(fā)明的感光體具有多層光敏層，其中依次層疊包括電荷產(chǎn)生材料的電荷產(chǎn)生層和包括具有式(A)的電荷遷移材料的電荷遷移層，或包括電荷產(chǎn)生材料和具有式(A)的電荷遷移材料的單層光敏層。
圖6和7是本發(fā)明的電子照相感光體的層狀結(jié)構(gòu)的具體實(shí)施方案的橫截面圖。圖6是多層光敏層的具體實(shí)施方案，和圖7是單層光敏層的具體實(shí)施方案。
首先，解釋多層光敏層。
在圖6中，在導(dǎo)電基材21和電荷產(chǎn)生層22之間形成底涂層24，并且在電荷產(chǎn)生層22上形成電荷遷移層23。
適當(dāng)?shù)牟牧先鐚?dǎo)電基材21包含體積電阻不大于1010Ω·cm的材料。這種材料的具體實(shí)例包括塑料圓筒、塑料膜或紙片，在其表面上沉積或?yàn)R射金屬如鋁、鎳、鉻、鎳鉻合金、銅、金、銀、鉑等、或金屬氧化物如氧化錫、氧化銦等。另外，金屬(諸如鋁、鋁合金、鎳和不銹鋼)板和金屬圓筒也可以用作基材，其中，金屬圓筒通過(guò)諸如牽引減薄拉伸(drawing ironing)、沖擊減薄拉伸、擠出減薄拉伸和擠出牽引的方法使金屬(如上述金屬)形成管狀(tubing)，并且然后通過(guò)切割、超精加工(super finishing)、拋光等處理該管表面來(lái)制備。
電荷產(chǎn)生層(CGL)22是包括作為主要成分的電荷產(chǎn)生材料(CGM)和任選的粘合劑樹(shù)脂的層。該CGM的具體實(shí)例包括酞菁顏料如金屬酞菁、不含金屬的酞菁、azulenium鹽顏料、方形酸次甲基顏料、具有咔唑骨架的偶氮顏料、具有三苯基胺骨架的偶氮顏料、具有二苯基胺骨架的偶氮顏料、具有二苯并噻吩骨架的偶氮顏料、具有芴酮骨架的偶氮顏料、具有二唑骨架的偶氮顏料、具有雙芪骨架的偶氮顏料、具有二苯乙烯基二唑(distyryloxadiazole)骨架的偶氮顏料、具有二苯乙烯基咔唑骨架的偶氮顏料、二萘嵌苯顏料、蒽醌顏料、多環(huán)醌顏料、醌亞胺顏料、二苯甲烷顏料、三苯甲烷顏料、苯醌顏料、萘醌顏料、花青顏料(cyanine pigment)、甲亞胺顏料、靛藍(lán)顏料(indigoidepigment)、二苯并咪唑顏料等。這些CGM可以單獨(dú)或組合使用。
在本發(fā)明中，優(yōu)選使用酞菁顏料。尤其是，具有鈦?zhàn)鳛橹醒虢饘俚拟佈趸碱伭峡梢允构饷魧痈`敏，并且可以制備高速成像裝置。進(jìn)一步，在日本特許公開(kāi)專利公開(kāi)No.2001-19871中公開(kāi)的具有包括多個(gè)衍射峰的CuKα1.542X-射線衍射譜的鈦氧基酞菁晶體形成穩(wěn)定的電子照相感光體而不損失其高的靈敏度并且即使重復(fù)使用其可充電能力也不劣化，其中在布拉格(2θ)角為27.2°處觀察到最大衍射峰，在9.4°、9.6°和24.0°處觀察到主峰，而在7.3°處觀察到最小衍射峰，并且在大于7.3°并小于9.4°的角度沒(méi)有觀察到衍射峰，其中所述角度可以在±0.2°的范圍內(nèi)改變，并且在7.3°和9.4°處所需峰之間沒(méi)有觀察到峰的最小間隔是2.0°(絕對(duì))或以上。
在CGL中任選使用的適當(dāng)?shù)恼澈蟿?shù)脂包括聚酰胺、聚氨酯、環(huán)氧樹(shù)脂、聚酮、聚碳酸酯、有機(jī)硅樹(shù)脂、丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯醇縮甲醛、聚乙烯基酮、聚苯乙烯、聚-N-乙烯基咔唑、聚丙烯酰胺等。
這些粘合劑樹(shù)脂可以單獨(dú)或組合使用。
以每100重量份CGM計(jì)，CGL一般包括0到500重量份，并且優(yōu)選10到300重量份的粘合劑樹(shù)脂。
另外，電荷遷移聚合物材料可以用作CGL中的粘合劑樹(shù)脂。進(jìn)一步，電荷遷移材料可以包含在其中。
通過(guò)將稀釋分散體涂覆在基材上或任選地涂覆在底涂層上形成CGL，其中CGM任選地與粘合劑樹(shù)脂通過(guò)球磨機(jī)、磨碎機(jī)或砂磨機(jī)等分散在溶劑如四氫呋喃、環(huán)己酮、二烷、二氯乙烷和丁酮中。分散體通過(guò)流延(casting)方法、浸涂方法、噴涂方法或顆粒涂布(bead coating)方法等涂覆。在本發(fā)明中優(yōu)選使用流延方法。
CGL一般厚度為0.01到5μm，并且優(yōu)選為0.1到2μm。
接著，解釋電荷遷移層(CTL)23。
可以通過(guò)使包括電荷遷移材料(CTM)和粘合劑樹(shù)脂作為主要組分的混合物或共聚物溶解或分散在適當(dāng)?shù)娜軇┲?，將該溶解或分散的液體涂覆在CGL上，并且使涂布液干燥，形成CTL。
在CTL中使用的聚合物粘合劑的具體實(shí)例包括熱塑性樹(shù)脂或熱固性樹(shù)脂如聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-馬來(lái)酸酐共聚物、聚酯、聚氯乙烯、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚醋酸乙烯酯、聚偏二氯乙烯、聚芳酯(polyarylate)、苯氧基樹(shù)脂、聚碳酸酯、醋酸纖維素樹(shù)脂、乙基纖維素樹(shù)脂、聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂、聚乙烯醇縮甲醛樹(shù)脂、聚乙烯基甲苯、聚-N-乙烯基咔唑、丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、有機(jī)硅樹(shù)脂、含氟樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂和醇酸樹(shù)脂等。
這些聚合物粘合劑可以單獨(dú)或組合使用，或作為包括兩種或多種原料單體的共聚物、或進(jìn)一步作為包括原料單體和電荷遷移材料的共聚物使用。
為了使CTL耐環(huán)境變化，有效地使用電學(xué)上不活潑的聚合物粘合劑如聚酯、聚碳酸酯、丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、含氟樹(shù)脂、聚丙烯腈、丙烯腈-苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丙烯腈共聚物和乙烯-醋酸乙烯酯共聚物。
電學(xué)上不活潑的聚合物是不包括光電導(dǎo)化學(xué)結(jié)構(gòu)如三芳基胺結(jié)構(gòu)的聚合物。
當(dāng)這些樹(shù)脂與粘合劑樹(shù)脂一起使用時(shí)，根據(jù)光衰減，其含量?jī)?yōu)選不大于50重量％。
在本發(fā)明中，基本上使用具有式(A)的電荷遷移材料。另外，已知的電子遷移材料(受體)和空穴遷移材料(供體)可以一起使用。
電子遷移材料的具體實(shí)例包括電子接受材料，如四氯苯醌、四溴苯醌、四氰乙烯、四氰基喹啉并二甲烷(tetracyanoquinodimethane)、2，4，7-三硝基-9-芴酮(fluorenon)、2，4，5，7-四硝基-9-芴酮、2，4，5，7-四硝基氧雜蒽酮、2，4，8-三硝基噻噸酮、2，6，8-三硝基-4H-茚并[1，2-b]噻吩-4-酮、1，3，7-三硝基二苯并噻吩(trinitrodibenzothiphene)-5，5-二氧化物(dioxide)、苯醌衍生物等。這些電子遷移材料可以單獨(dú)或組合使用。
優(yōu)選使用供電子材料作為空穴遷移材料。
空穴遷移材料的具體實(shí)例包括唑衍生物、二唑衍生物、咪唑衍生物、三苯胺衍生物、9-(對(duì)-二乙基氨基苯乙烯基蒽)、1，1-雙-(4-二芐基氨基苯基)丙烷、苯乙烯基蒽、苯乙烯吡唑啉、苯腙、α-苯芪衍生物、噻唑衍生物、三唑衍生物、吩嗪衍生物、吖啶衍生物、苯并呋喃衍生物、苯并咪唑衍生物、噻吩衍生物等。這些空穴遷移材料可以單獨(dú)或組合使用。
以每100重量份粘合劑樹(shù)脂計(jì)，CTL優(yōu)選包括40到200重量份、并且更優(yōu)選為70到150重量份的CTM。以基于電荷遷移材料的總重量計(jì)，CTL優(yōu)選包括50到100重量％的具有式(A)的電荷遷移材料。
用于制備CTL涂布液的溶劑的具體實(shí)例包括酮如甲基乙基酮、丙酮、甲基異丁基酮和環(huán)己酮；醚如二烷、四氫呋喃、和乙基溶纖劑；芳香族如甲苯和二甲苯；鹵化物如氯苯和二氯甲烷；和酯如醋酸乙酯和醋酸丁酯。這些溶劑可以單獨(dú)或組合使用。另外，CTL可以任選地包括低分子量化合物如抗氧化劑、增塑劑、潤(rùn)滑劑、UV吸收劑和流平劑。這些化合物可以單獨(dú)或組合使用。以每100重量份樹(shù)脂計(jì)，CTL優(yōu)選包括0.1到50重量份、并且更優(yōu)選為0.1到20重量份的低分子量化合物。以每100重量份樹(shù)脂計(jì)，CTL優(yōu)選包括0.001到5重量份的流平劑。
通過(guò)浸涂方法、噴涂方法、環(huán)涂(ring coating)方法、輥式涂覆方法、凹版式涂覆方法、噴嘴涂覆方法或絲網(wǎng)印刷方法等將CTL涂布液涂覆到CGL上。
CTL優(yōu)選厚度為15到40μm，更優(yōu)選為15到30μm。當(dāng)要求圖像分辨率時(shí)，CTL優(yōu)選厚度為15到25μm。
可以在基材和光敏層之間形成底涂層24。為了改善光敏層對(duì)基材的粘附性能、防止波紋(moire)、改善上述層的涂覆能力、降低剩余電位和防止來(lái)自基材的電荷注入，形成底涂層。底涂層包括作為主要成分的樹(shù)脂。由于光敏層一般通過(guò)涂覆包含有機(jī)溶劑的液體而在底涂層上形成，底涂層中的樹(shù)脂優(yōu)選對(duì)一般有機(jī)溶劑具有良好的耐受性。這種樹(shù)脂的具體實(shí)例包括水溶性樹(shù)脂如聚乙烯醇樹(shù)脂、酪蛋白和聚丙烯酸鈉鹽；醇溶樹(shù)脂如尼龍共聚物和甲氧基甲基化的尼龍樹(shù)脂；和能形成三維網(wǎng)絡(luò)的硬化樹(shù)脂如聚氨酯樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂、醇酸-三聚氰胺樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂等。
底涂層可以包括金屬氧化物如氧化鈦、硅石、氧化鋁、氧化鋯、氧化錫和氧化銦的細(xì)粉，以防止記錄圖像中波紋(moiré)的出現(xiàn)并且降低感光體的剩余電位。底涂層可以使用適當(dāng)?shù)娜軇┖统Ｒ?guī)的涂覆方法形成。
進(jìn)一步，通過(guò)例如溶膠-凝膠法使用硅烷偶聯(lián)劑、鈦偶聯(lián)劑、或鉻偶聯(lián)劑形成的金屬氧化物層、通過(guò)陽(yáng)極氧化法形成的氧化鋁層、和通過(guò)真空蒸發(fā)方法形成的有機(jī)化合物如聚對(duì)二甲苯(polyparaxylylene)(聚對(duì)苯二甲撐)或無(wú)機(jī)化合物如SiO、SnO2、TiO2、ITO、或CeO2的層可以用作底涂層。
底涂層優(yōu)選厚度為0.1到10μm，更優(yōu)選為1到5μm。
在本發(fā)明中，為了改善感光體的阻氣性和耐環(huán)境性能，每層可以包括抗氧化劑、增塑劑、UV吸收劑、低分子量的CTM和流平劑。
進(jìn)一步，在本發(fā)明中，包括具有下式(B)的CTM的光敏層變得致密并且改善其阻氣性，并且因此抑制由于充電器產(chǎn)生的氧化性氣體導(dǎo)致所得的感光體的劣化，等。
其中R15和R16獨(dú)立地表示氫原子、和選自取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基和取代或未取代的芳烷基的基團(tuán)；和R17、R18、R19和R20獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、和選自氰基、硝基、氨基、羥基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基和取代或未取代的芳烷基的基團(tuán)。
另外，當(dāng)基材是柔性片如鋁蒸發(fā)PET片和鎳帶時(shí)，片材的卷曲可以降低，因?yàn)楫?dāng)成型時(shí)層收縮降低，并且因此可以抑制所得的感光體的缺陷如裂縫。這是因?yàn)榫哂惺?B)的CTM起到增塑劑的作用。具有電荷遷移性并且作為具有式(A)的CTM的單體，具有式(B)的CTM可以改善阻氣性并降低卷曲而幾乎沒(méi)有副作用如剩余電位。
以具有式(A)的CTM的總重量計(jì)，包含于光敏層內(nèi)的具有式(B)的CTM的量?jī)?yōu)選為1到50重量％。由于具有式(B)的CTM具有的電荷遷移性小于具有式(A)的CTM的電荷遷移性，當(dāng)大于50重量％時(shí)，所得的感光體的靈敏度有時(shí)劣化。
圖7是本發(fā)明的電子照相感光體的層狀結(jié)構(gòu)的另一個(gè)具體實(shí)施方案的橫截面圖，其中至少包括電荷產(chǎn)生層和具有式(A)的CTM的光敏層25在導(dǎo)電基材21上形成?？梢栽趯?dǎo)電基材21和光敏層25之間形成底涂層。
用于多層光敏層的CGL中的相同的已知的電荷產(chǎn)生材料可用于單層光敏層，并且也優(yōu)選使用酞菁顏料。
尤其是，具有鈦?zhàn)鳛橹醒虢饘俚拟佈趸碱伭峡梢允构饷魧痈`敏，并且可以制備高速成像裝置。進(jìn)一步，類(lèi)似于多層光敏層，在日本特許公開(kāi)專利公開(kāi)No.2001-19871中公開(kāi)的具有包括多個(gè)衍射峰的CuKα1.542X-射線衍射譜的鈦氧基酞菁晶體形成穩(wěn)定的電子照相感光體而不損失其高的靈敏度并且即使重復(fù)使用其可充電能力也不劣化，其中在布拉格(2θ)角為27.2°處觀察到最大衍射峰，在9.4°、9.6°和24.0°處觀察到主峰，而在7.3°處觀察到最小衍射峰，并且在大于7.3°并小于9.4°的角度沒(méi)有觀察到衍射峰，其中所述角度可以在±0.2°的范圍內(nèi)改變，并且在7.3°和9.4°處所需峰之間沒(méi)有觀察到峰的最小間隔是2.0°(絕對(duì))或以上。
這些顏料優(yōu)選通過(guò)球磨機(jī)、磨碎機(jī)或砂磨機(jī)等分散在溶劑如四氫呋喃、環(huán)己酮、二烷、二氯乙烷和丁酮中。另外，粘合劑樹(shù)脂可以任選地與其一起分散。
在單層光敏層中，類(lèi)似于多層光敏層，基本上使用具有式(A)的CTM，且此外，已知的電子遷移材料(受體)和空穴遷移材料(供體)也可以一起使用。
以光敏層的總重量計(jì)，單層光敏層優(yōu)選包括0.1到30重量％、并且更優(yōu)選為0.5到10重量％的CGM。以每100重量份粘合劑樹(shù)脂計(jì)，所包括的CTM優(yōu)選為5到300重量份、并且更優(yōu)選為10到150重量份。然而，具有式(A)的CTM優(yōu)選為50到100重量％。以每100重量份粘合劑樹(shù)脂計(jì)，空穴遷移材料優(yōu)選為5到300重量份、并且更優(yōu)選為20到150重量份。當(dāng)空穴遷移材料和電子遷移材料組合時(shí)，以每100重量份粘合劑樹(shù)脂計(jì)，它們優(yōu)選為20到300重量份、并且更優(yōu)選為30到200重量份。
用于制備光敏層涂布液的溶劑的具體實(shí)例包括酮如甲基乙基酮、丙酮、甲基異丁基酮和環(huán)己酮；醚如二烷、四氫呋喃、和乙基溶纖劑；芳香族如甲苯和二甲苯；鹵化物如氯苯和二氯甲烷；和酯如醋酸乙酯和醋酸丁酯。這些溶劑可以單獨(dú)或組合使用。
另外，光敏層可以任選地包括低分子量化合物如抗氧化劑、增塑劑、潤(rùn)滑劑、UV吸收劑和流平劑。這些化合物可以單獨(dú)或組合使用。以每100重量份樹(shù)脂計(jì)，CTL優(yōu)選包括0.1到50重量份、并且更優(yōu)選為0.1到20重量份的低分子量化合物。以每100重量份樹(shù)脂計(jì)，CTL優(yōu)選包括0.001到5重量份的流平劑。
進(jìn)一步，即使包括具有式(B)的CTM的單層光敏層變得致密并且改善其阻氣性，并且因此抑制由于充電器產(chǎn)生的氧化性氣體導(dǎo)致所得的感光體的劣化等。另外，當(dāng)基材是柔性片如鋁蒸發(fā)PET片和鎳帶時(shí)，片材的卷曲可以降低，因?yàn)楫?dāng)成型時(shí)層收縮降低，并且因此可以抑制所得的感光體的缺陷如裂縫。
以具有式(A)的CTM的總重量計(jì)，在單層光敏層內(nèi)，所包括的具有式(B)的CTM的量?jī)?yōu)選為1到50重量％。由于具有式(B)的CTM具有的電荷遷移性小于具有式(A)的CTM的電荷遷移性，當(dāng)大于50重量％時(shí)，所得的感光體的靈敏度有時(shí)劣化。
通過(guò)浸涂方法、噴涂方法、環(huán)涂方法、輥式涂覆方法、凹版式涂覆方法、噴嘴涂覆方法或絲網(wǎng)印刷方法等將光敏層涂布液涂覆到基材上，任選地涂覆到底涂層上。
光敏層優(yōu)選厚度為10到45μm，更優(yōu)選為15到32μm。當(dāng)要求圖像分辨率時(shí)，光敏層優(yōu)選厚度為10到25μm。
接著，解釋具有式(A)和(B)的CTM。
取代或未取代的烷基具有1到25個(gè)、優(yōu)選1到10個(gè)碳原子。其具體實(shí)例包括線型烷基如甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基(n-peptyl)、正辛基、正壬基和正癸基；支鏈烷基如異丙基、仲丁基(s-butyl)、叔丁基、甲基丙基、二甲基丙基、乙基丙基、二乙基丙基、甲基丁基、二甲基丁基、甲基戊基、二甲基戊基、甲基己基和二甲基己基；烷氧基烷基；單烷基氨基烷基；二烷基氨基烷基；鹵代烷基；烷基羰基烷基；羧基烷基；烷酰氧基烷基(alkanoyloxyalkyl)；氨基烷基；羧基取代的烷基，其可以為酯化的；氰基取代的烷基等。這些取代基的取代位置沒(méi)有特別的限制，并且其中烷基的一部分碳原子用雜原子如N、O和S取代的官能團(tuán)歸入取代的烷基。
取代或未取代的環(huán)烷基是具有3到25個(gè)、優(yōu)選3到10個(gè)碳原子的環(huán)烷基環(huán)。其具體實(shí)例包括同屬的環(huán)(congeneric ring)如環(huán)丙烷和環(huán)癸烷；具有烷基取代基的環(huán)烷基環(huán)如甲基環(huán)戊烷、二甲基環(huán)戊烷、甲基環(huán)己烷、三甲基環(huán)己烷、四甲基環(huán)己烷、乙基環(huán)己烷、二乙基環(huán)己烷和叔丁基環(huán)己烷；用烷氧基烷基；單烷基氨基烷基；二烷基氨基烷基；鹵代烷基；烷基羰基烷基；羰基烷基；烷酰氧基烷基；氨基烷基；鹵基(halogen group)；氨基；羧基，其可以為酯化的；氰基取代的環(huán)烷基等。這些取代基的取代位置沒(méi)有特別限制，并且其中環(huán)烷基的一部分碳原子被雜原子如N、O和S取代的官能團(tuán)歸入取代的環(huán)烷基。
取代或未取代的芳烷基是用芳環(huán)取代的取代或未取代烷基，并且優(yōu)選具有6到14個(gè)碳原子。其具體實(shí)例包括芐基、全氟苯基乙基、1-苯基乙基、2-苯基乙基、叔-苯基乙基、二甲基苯基乙基、二乙基苯基乙基、叔-丁基苯基乙基、3-苯基丙基、4-苯基丁基、5-苯基戊基、6-苯基己基、二苯甲基、三苯甲基等。
鹵基的具體實(shí)例包括氟基、氯基、溴基和碘基。
制備具有式(A)的CTM的方法的具體實(shí)例包括以下方法

其中n是重復(fù)單元并且為0或從1到100的整數(shù)。
n由數(shù)均分子量確定。當(dāng)n大于100時(shí)，在溶劑中的溶解度有時(shí)劣化。當(dāng)n是1時(shí)，CTM是萘羧酸的三聚體。當(dāng)適當(dāng)選擇R1和R2的取代基時(shí)，甚至低聚物也具有好的電荷遷移性。當(dāng)n改變時(shí)，合成從低聚物到聚合物的各種萘羧酸衍生物。當(dāng)逐步合成具有低分子量的低聚物時(shí)，可以獲得單分散的化合物。將具有高分子量的聚合物合成為具有分子量分布的化合物。
具有式(A)的CTM的具體實(shí)例包括具有下式(A-1)到(A-3)的CTM

具有式(B)的CTM的具體實(shí)例包括具有下式(B-1)到(B-3)的CTM
總體上描述這個(gè)發(fā)明后，可以通過(guò)參考一些具體實(shí)例獲得進(jìn)一步的了解，本文中提供的這些具體實(shí)例僅僅用于說(shuō)明的目的，而不是用于限制。在以下實(shí)施例中的說(shuō)明中，除非另作說(shuō)明，數(shù)值表示重量份之比。
實(shí)施例(CTM合成實(shí)施例1)(第一過(guò)程)在具有容量為200毫升的四口燒瓶中加熱5.0克(18.6mmol)1，4，5，8-萘四羧酸二酐(naphthalenetetracarbocylic acid dianhydride)和50毫升DMF，并且回流。將1.10克(18.6mmol)的2-氨基庚烷(aminoeptane)和25毫升DMF的混合物滴加到所加熱和回流的材料中同時(shí)攪拌?；旌衔锏渭油瓿芍?，將材料進(jìn)一步加熱并且回流6小時(shí)。反應(yīng)完成之后，冷卻燒瓶，并且將其中的材料減壓并且濃縮。對(duì)要通過(guò)硅膠柱色譜法精制的剩余物添加甲苯。進(jìn)一步，用甲苯和己烷的混合溶劑使精制的材料重結(jié)晶，以制備2.14克單酰亞胺A(產(chǎn)率31.5％)。
(第二過(guò)程)在具有容量為100毫升的四口燒瓶中，加熱2.0克(5.47mmol)的單酰亞胺A、0.137克(2.73mmol)的水合肼、10毫克對(duì)甲苯磺酸和50毫升甲苯并且回流5小時(shí)。反應(yīng)完成之后，冷卻燒瓶，并且將其中的材料減壓并且濃縮。通過(guò)硅膠柱色譜法精制剩余物。進(jìn)一步，用甲苯和乙酸乙酯的混合溶劑使精制的材料重結(jié)晶，以制備0.668克具有式(A-4)的CTM 1(產(chǎn)率33.7％)。當(dāng)質(zhì)量分析(FD-MS)時(shí)，觀察到峰M/z＝726，并且CTM被確認(rèn)為是特定的材料。其元素分析是計(jì)算值為69.41％的碳、5.27％的氫和7.71％的氮，實(shí)際測(cè)量值為69.52％的碳、5.09％的氫和7.93％的氮。
(CTM合成實(shí)施例2)(第一過(guò)程)在具有容量為200毫升的四口燒瓶中，加熱10克(37.3mmol)的1，4，5，8-萘四羧酸二酐、0.931克(18.6mmol)水合肼、20毫克對(duì)甲苯磺酸和100毫升甲苯并且回流5小時(shí)。反應(yīng)完成之后，冷卻燒瓶，并且將其中的材料減壓并且濃縮。通過(guò)硅膠柱色譜法精制剩余物。進(jìn)一步，用甲苯和乙酸乙酯的混合溶劑使精制的材料重結(jié)晶，以制備2.84克二聚物C(產(chǎn)率28.7％)。
(第二過(guò)程)在具有容量為100毫升的四口燒瓶中加熱2.5克(4.67mmol)二聚物C和30毫升DMF并且回流。將0.278克(4.67mmol)的2-氨基丙烷和10毫升DMF的混合物滴加到所加熱和回流的材料中同時(shí)攪拌。混合物滴加完成之后，將加熱和回流的材料進(jìn)一步加熱并且回流6小時(shí)。反應(yīng)完成之后，冷卻燒瓶，并且將其中的材料減壓并且濃縮。對(duì)要通過(guò)硅膠柱色譜法精制的剩余物添加甲苯，以便制備0.556克單酰亞胺C(產(chǎn)率38.5％)。
(第三過(guò)程)在具有容量為50毫升的四口燒瓶中加熱0.50克(1.62mmol)單酰亞胺C和10毫升DMF并且回流。將0.186克(1.62mmol)的2-氨基庚烷和5毫升DMF的混合物滴加到所加熱和回流的材料中同時(shí)攪拌?；旌衔锏渭油瓿芍?，將加熱和回流的材料進(jìn)一步加熱并且回流6小時(shí)。反應(yīng)完成之后，冷卻燒瓶，并且將其中的材料減壓并且濃縮。對(duì)要通過(guò)硅膠柱色譜法精制的剩余物添加甲苯。進(jìn)一步，用甲苯和己烷的混合溶劑使精制的材料重結(jié)晶，以制備0.243克具有式(A-5)的CTM 2(產(chǎn)率22.4％)。當(dāng)質(zhì)量分析(FD-MS)時(shí)，觀察到峰M/z＝670，并且CTM被確認(rèn)為是特定的材料。其元素分析是計(jì)算值為68.051％的碳、4.51％的氫和8.35％的氮，實(shí)際測(cè)量值為68.29％的碳、4.72％的氫和8.33％的氮。
(CTM合成實(shí)施例3)(第一過(guò)程)在具有容量為200毫升的四口燒瓶中加熱5.0克(9.39mmol)二聚物C和50毫升DMF并且回流。將1.08克(9.39mmol)的2-氨基庚烷和25毫升DMF的混合物滴加到所加熱和回流的材料中同時(shí)攪拌。混合物滴加完成之后，將加熱和回流的材料進(jìn)一步加熱并且回流6小時(shí)。反應(yīng)完成之后，冷卻燒瓶，并且將其中的材料減壓并且濃縮。對(duì)要通過(guò)硅膠柱色譜法精制的剩余物添加甲苯，以便制備1.66克單酰亞胺D(產(chǎn)率28.1％)。
(第二過(guò)程)在具有容量為100毫升的四口燒瓶中加熱1.5克(2.38mmol)單酰亞胺D和50毫升DMF并且回流。將0.308克(2.38mmol)的2-氨基辛烷和10毫升DMF的混合物滴加到所加熱和回流的材料中同時(shí)攪拌?；旌衔锏渭油瓿芍?，將加熱和回流的材料進(jìn)一步加熱并且回流6小時(shí)。反應(yīng)完成之后，冷卻燒瓶，并且將其中的材料減壓并且濃縮。對(duì)要通過(guò)硅膠柱色譜法精制的剩余物添加甲苯。進(jìn)一步，用甲苯和己烷的混合溶劑使精制的材料重結(jié)晶，以制備0.328克具有式(A-7)的CTM 3(產(chǎn)率18.6％)。當(dāng)質(zhì)量分析(FD-MS)時(shí)，觀察到峰M/z＝740，并且CTM被確認(rèn)為是特定的材料。其元素分析是計(jì)算值為69.72％的碳、5.44％的氫和7.56％的氮，實(shí)際測(cè)量值為69.55％的碳、5.26％的氫和7.33％的氮。
(CTM合成實(shí)施例4)(第一過(guò)程)在具有容量為200毫升的四口燒瓶中加熱5.0克(18.6mmol)1，4，5，8-萘四羧酸二酐和50毫升DMF，并且回流。將1.62克(18.6mmol)的2-氨基戊烷和25毫升DMF的混合物滴加到所加熱和回流的材料中同時(shí)攪拌?；旌衔锏渭油瓿芍螅瑢⒃摬牧线M(jìn)一步加熱并且回流6小時(shí)。反應(yīng)完成之后，冷卻燒瓶，并且將其中的材料減壓并且濃縮。對(duì)要通過(guò)硅膠柱色譜法精制的剩余物添加甲苯。進(jìn)一步，用甲苯和己烷的混合溶劑使精制的材料重結(jié)晶，以制備3.49克單酰亞胺E(產(chǎn)率45.8％)。
(第二過(guò)程)在具有容量為100毫升的四口燒瓶中，加熱2.0克(5.47mmol)的單酰亞胺E、0.137克(2.73mmol)的水合肼、10毫克對(duì)甲苯磺酸和50毫升甲苯并且回流5小時(shí)。反應(yīng)完成之后，冷卻燒瓶，并且將其中的材料減壓并且濃縮。通過(guò)硅膠柱色譜法精制剩余物。進(jìn)一步，用甲苯和乙酸乙酯的混合溶劑使精制的材料重結(jié)晶，以制備0.668克具有式(A-1)的CTM 4(產(chǎn)率33.7％)。當(dāng)質(zhì)量分析(FD-MS)時(shí)，觀察到峰M/z＝934，并且CTM被確認(rèn)為是特定的材料。其元素分析是計(jì)算值為66.81％的碳、3.67％的氫和8.99％的氮，實(shí)際測(cè)量值為66.92％的碳、3.74％的氫和9.05％的氮。
(顏料合成實(shí)施例1)顏料根據(jù)日本特許公開(kāi)專利公開(kāi)No.2-8256(日本專利公開(kāi)No.7-91486)中制備實(shí)施例公開(kāi)的方法進(jìn)行制備。即，將9.8克苯二腈(phthalodinitrile)和75毫升1-氯萘混合并攪拌，并且在氮?dú)饬飨聦?.2毫升四氯化鈦滴加到混合物中。將混合物逐漸加熱到200℃的溫度，并且攪拌3小時(shí)，同時(shí)維持反應(yīng)溫度為200到220℃。然后，將混合物冷卻到130℃的溫度，并且過(guò)濾，制備粉末。多次用1-氯萘、甲醇并且多次用80℃的熱水洗滌粉末至藍(lán)色之后，將粉末干燥，以制備鈦氧基酞菁粉末(顏料1)。
顏料1的X-射線衍射譜通過(guò)以下條件進(jìn)行測(cè)量，發(fā)現(xiàn)該波譜與該公開(kāi)物中公開(kāi)的相同。
X-射線管Cu電壓40kV電流20mA掃描速度1°/分掃描范圍3到40°時(shí)間常數(shù)2秒
(顏料合成實(shí)施例2)顏料通過(guò)日本特許公開(kāi)專利公開(kāi)No.2001-19871中的合成實(shí)施例1所公開(kāi)的方法制備。即，將29.2克的1，3-二亞氨基異吲哚啉和200毫升環(huán)丁砜混合，并且在氮?dú)饬飨?，?0.4克四丁氧鈦(titaniumtetrabutoxide)滴加到混合物中。將混合物逐漸加熱直到具有180℃的溫度，并且攪拌5小時(shí)，同時(shí)維持反應(yīng)溫度在170-180℃?；旌衔锢鋮s之后，過(guò)濾沉淀的材料(粉末)，并且用氯仿洗滌直到粉末變藍(lán)。接著，多次用甲醇洗滌粉末，并且進(jìn)一步多次用具有80℃的溫度的熱水洗滌，以制備粗鈦氧基酞菁顏料。粗的鈦氧基酞菁顏料混入到用量為粗鈦氧基酞菁顏料的20倍的濃磺酸中，并且攪拌，以便使顏料溶于其中，并且將混合物滴加到其用量為混合物的100倍的冰水中，同時(shí)攪拌，并且過(guò)濾沉淀的晶體。然后，用水重復(fù)洗滌該晶體直到水變成中性，以制備鈦氧基酞菁顏料的濕濾餅(水漿糊)。將2克濕濾餅置于20克四氫呋喃中，并且將該混合物攪拌4小時(shí)之后，將該混合物過(guò)濾并且干燥，以制備鈦氧基酞菁粉末(顏料2)。
當(dāng)用與顏料1相同的條件測(cè)量顏料2的X-射線衍射譜時(shí)，證實(shí)鈦氧基酞菁粉末具有這樣的X-射線衍射譜在布拉格(2θ)角為27.2±0.2°處觀察到最大峰，在7.34±0.2°的角度觀察到最低角峰(angle peak)，并且在9.44±0.2°、9.6±0.2°和24.0±0.2°的每一個(gè)角度觀察到主峰，其中在7.3°和9.4°的峰之間沒(méi)有觀察到峰，如該公開(kāi)物中公開(kāi)的那樣。
(感光體制備實(shí)施例1)分別制備具有以下配方的底涂層涂布液、CGL涂布液和CTL涂布液。
底涂層涂布液用球磨機(jī)使用直徑為10毫米的氧化鋁球?qū)⒁韵虏牧戏稚?天，以制備底涂層涂布液。
醇酸樹(shù)脂(來(lái)自Dainippon Ink And Chemicals，inc.的Bekkosol M-6401-50) 60三聚氰胺樹(shù)脂(來(lái)自Dainippon Ink And Chemicals，inc.的Super Bekkamin L-121-60) 40
氧化鈦(來(lái)自Ishihara Sangyo Kaisha，Ltd.的CR-EL) 400甲基乙基酮 500CGL涂布液在直徑為9cm的玻璃罐(glass pot)中，使用直徑為0.5毫米的PSZ球，在100rpm下，將以下材料分散5小時(shí)，以制備CGL涂布液。
無(wú)金屬的酞菁顏料(來(lái)自Dainippon Ink And Chemicals，inc.的Fastogen Blue 8120B) 12聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂(來(lái)自Sekisui Chemical Co.，Ltd.的Eslec BX-1) 52-丁酮 200環(huán)己酮 400CTL涂布液攪拌以下材料，并使其溶解，以制備CTL涂布液。
CTM 1 10Z-型聚碳酸酯樹(shù)酯(來(lái)自Teijin Chemicals Ltd.的Panlite TS-2050) 10硅油(來(lái)自Shin-Etsu Chemical Co.，Ltd.的KF50) 0.01四氫呋喃 80接著，將底涂層涂布液、CGL涂布液和CTL涂布液通過(guò)浸涂方法依次涂覆在直徑為30毫米并且長(zhǎng)度為340毫米的鋁鼓上，以便在其上形成4.5μm厚的底涂層、0.15μm厚的CGL和25μm厚的CTL。
將這些層分別在135℃下干燥20分鐘、80℃下干燥15分鐘和在120℃下干燥20分鐘。
由此，制備感光體1。
(感光體制備實(shí)施例2)在直徑為9cm的玻璃罐中，使用直徑為0.5毫米的PSZ球，在100rpm下，將以下材料分散5小時(shí)，以制備顏料分散體。
無(wú)金屬的酞菁顏料(來(lái)自Dainippon Ink And Chemicals，inc.的Fastogen Blue 8120B)3環(huán)己酮 97攪拌以下包括顏料分散體的材料，并使其溶解，以制備光敏層涂布液。
顏料分散體 60空穴(positive-hole)CTM 25具有下式 CTM 1 25Z-型聚碳酸酯樹(shù)酯(來(lái)自Teijin Chemicals Ltd.的Panlite TS-2050)50
硅油(來(lái)自Shin-Etsu Chemical Co.，Ltd.的KF50) 0.01四氫呋喃 350將光敏層涂布液通過(guò)浸涂方法涂覆在直徑為30毫米并且長(zhǎng)度為340毫米的鋁鼓上，以便在其上形成厚度為25μm的光敏層，并且將該層在120℃下干燥20分鐘，以便制備感光體2。
(感光體制備實(shí)施例3)除了使用顏料1作為CGM代替無(wú)金屬的酞菁顏料(Fastogen Blue 8120B)以外，重復(fù)感光體制備實(shí)施例1中感光體1的制備過(guò)程，以便制備感光體3。
(感光體制備實(shí)施例4)除了使用顏料1作為CGM代替無(wú)金屬的酞菁顏料(Fastogen Blue 8120B)以外，重復(fù)感光體制備實(shí)施例2中感光體2的制備過(guò)程，以便制備感光體4。
(感光體制備實(shí)施例5)除了使用顏料2作為CGM代替無(wú)金屬的酞菁顏料(Fastogen Blue 8120B)以外，重復(fù)感光體制備實(shí)施例1中感光體1的制備過(guò)程，以便制備感光體5。
(感光體制備實(shí)施例6)除了使用顏料2作為CGM代替無(wú)金屬的酞菁顏料(Fastogen Blue 8120B)以外，重復(fù)感光體制備實(shí)施例2中感光體2的制備過(guò)程，以便制備感光體6。
(感光體制備實(shí)施例7)除了使用CTM 2代替CTM 1以外，重復(fù)感光體制備實(shí)施例5中感光體5的制備過(guò)程，以便制備感光體7。
(感光體制備實(shí)施例8)
除了使用CTM 2代替CTM 1以外，重復(fù)感光體制備實(shí)施例6中感光體6的制備過(guò)程，以便制備感光體8。
(感光體制備實(shí)施例9)除了使用CTM 3代替CTM 1以外，重復(fù)感光體制備實(shí)施例5中感光體5的制備過(guò)程，以便制備感光體9。
(感光體制備實(shí)施例10)除了使用CTM 3代替CTM 1以外，重復(fù)感光體制備實(shí)施例6中感光體6的制備過(guò)程，以便制備感光體10。
(感光體制備實(shí)施例11)除了使用具有下式(C)的化合物代替CTM 1以外，重復(fù)感光體制備實(shí)施例5中感光體5的制備過(guò)程，以便制備感光體11。
(感光體制備實(shí)施例12)除了使用具有式(C)的化合物代替CTM 1以外，重復(fù)感光體制備實(shí)施例6中感光體6的制備過(guò)程，以便制備感光體12。
(感光體制備實(shí)施例13)除了使用具有下式(D)的化合物代替CTM 1以外，重復(fù)感光體制備實(shí)施例5中感光體5的制備過(guò)程，以便制備感光體13。
(感光體制備實(shí)施例14)除了使用具有式(D)的化合物代替CTM 1以外，重復(fù)感光體制備實(shí)施例6中感光體6的制備過(guò)程，以便制備感光體14。
(感光體制備實(shí)施例15)除了使用CTM 4代替CTM 1以外，重復(fù)感光體制備實(shí)施例5中感光體5的制備過(guò)程，以便制備感光體15。
(感光體制備實(shí)施例16)除了使用CTM 4代替CTM 1以外，重復(fù)感光體制備實(shí)施例6中感光體6的制備過(guò)程，以便制備感光體16。
(感光體制備實(shí)施例17)除了使用8份CTM 1和2份具有式(B-1)的CTM代替10份CTM 1以外，重復(fù)感光體制備實(shí)施例5中感光體5的制備過(guò)程，以便制備感光體17。
(感光體制備實(shí)施例18)除了使用8份CTM 1和2份具有式(B-1)的CTM代替10份CTM 1以外，重復(fù)感光體制備實(shí)施例6中感光體6的制備過(guò)程，以便制備感光體18。
實(shí)施例1到14和對(duì)比例1到4將感光體1到18中的每個(gè)安裝在來(lái)自于Ricoh Company，Ltd.的改進(jìn)的成像裝置imagio neo 270中，其中電源組(power pack)轉(zhuǎn)換成帶正電的，并且輻照器的光源轉(zhuǎn)換成LED，并且在23℃和55％RH下進(jìn)行運(yùn)行試驗(yàn)，在運(yùn)行試驗(yàn)中連續(xù)產(chǎn)生10,000張具有平均圖像面積為5％的A4圖表圖像。
將波長(zhǎng)為780納米的LED以陣列形狀布置在玻璃基材上，以便形成聚焦透鏡陣列，使LED在感光體表面上記錄。
將專用于imagio neo 270的調(diào)色劑或顯影劑轉(zhuǎn)換成具有相反極性的調(diào)色劑或顯影劑。
充電器使用外部電源，和充電輥具有峰值之間1.9kV的電壓及1.35kHz的頻率作為AC成分(component)。DC成分是偏壓，使感光體的充電電位(charged potential)在運(yùn)行試驗(yàn)開(kāi)始時(shí)為+600V。充電條件保持不變直到運(yùn)行試驗(yàn)完成。顯影偏壓為+450V。
在運(yùn)行試驗(yàn)完成之后評(píng)估圖像質(zhì)量和分辨率。
(圖像質(zhì)量)制造用于評(píng)估的圖像，以便在視覺(jué)上評(píng)估背景污濁、模糊圖像和其圖像密度。
(圖像分辨率)制造半色調(diào)圖像，以觀察點(diǎn)形成的狀態(tài)，如點(diǎn)的散布(scattering)和點(diǎn)的可重現(xiàn)性。
圖像質(zhì)量和圖像分辨率中任何一個(gè)分級(jí)成如下◎很好○好△稍微差×很差評(píng)估結(jié)果在表1中給出。
表1

實(shí)施例15到21將感光體2、4、6、8、10、16和18中的每一個(gè)安裝在使用接觸充電輥的來(lái)自于Ricoh Company，Ltd.的改進(jìn)的成像裝置imagio neo 270中，其中輻照器的光源轉(zhuǎn)換成LED，并且在23℃和55％RH下進(jìn)行運(yùn)行試驗(yàn)，在運(yùn)行試驗(yàn)中連續(xù)產(chǎn)生10,000張具有平均圖像面積為5％的A4圖表圖像。
將波長(zhǎng)為780納米的LED以陣列形狀布置在玻璃基材上，以便形成聚焦透鏡陣列，使LED在感光體表面上記錄。
充電器使用外部電源，和充電輥具有峰值之間1.9kV的電壓及1.35kHz的頻率作為AC成分。DC成分是偏壓，使感光體的充電電位在運(yùn)行試驗(yàn)開(kāi)始時(shí)為+600V。充電條件保持不變直到運(yùn)行試驗(yàn)完成。顯影偏壓為+450V。
在運(yùn)行試驗(yàn)完成之后評(píng)估圖像質(zhì)量和分辨率。
(圖像質(zhì)量)制造用于評(píng)估的圖像，以便在視覺(jué)上評(píng)估背景污濁、模糊圖像和其圖像密度。
(圖像分辨率)制造半色調(diào)圖像，以觀察點(diǎn)形成的狀態(tài)，如點(diǎn)的散布和點(diǎn)的可重現(xiàn)性。
圖像質(zhì)量和圖像分辨率中任何一個(gè)分級(jí)成如下◎很好○好△稍微差×很差評(píng)估結(jié)果在表2中給出。
表2

實(shí)施例22到35和對(duì)比例5到8將感光體1到18中的每個(gè)安裝在來(lái)自于Ricoh Company，Ltd.的改進(jìn)的串聯(lián)成像裝置IPSiO Color 8100中，其中電源組轉(zhuǎn)換成帶正電的，并且輻照器的光源轉(zhuǎn)換成LED，并且在23℃和55％RH下進(jìn)行運(yùn)行試驗(yàn)，在運(yùn)行試驗(yàn)中連續(xù)產(chǎn)生10,000張具有平均圖像面積為5％的A4圖表圖像。
將波長(zhǎng)為780納米的LED以陣列形狀布置在玻璃基材上，以便形成聚焦透鏡陣列，使LED在感光體表面上記錄。
將專用于IPSiO Color 8100的調(diào)色劑或顯影劑轉(zhuǎn)換成具有相反極性的調(diào)色劑或顯影劑。
充電器使用外部電源，和充電輥具有峰值之間1.9kV的電壓及1.35kHz的頻率作為AC成分。DC成分是偏壓，使感光體的充電電位在運(yùn)行試驗(yàn)開(kāi)始時(shí)為+600V。充電條件保持不變直到運(yùn)行試驗(yàn)完成。顯影偏壓為+450V。
在運(yùn)行試驗(yàn)完成之后評(píng)估圖像質(zhì)量和顏色可重現(xiàn)性。
(圖像質(zhì)量)制造用于評(píng)估的圖像，以便在視覺(jué)上評(píng)估背景污濁、模糊圖像和其圖像密度。
(顏色可重現(xiàn)性)制造ISO/JIS-SCID圖像N1(肖像(portrait))以便評(píng)估顏色可重現(xiàn)性。
圖像質(zhì)量和顏色可重現(xiàn)性中任何一個(gè)分級(jí)成如下◎很好
○好△稍微差×很差評(píng)估結(jié)果在表3中給出。
表3

實(shí)施例36到39將感光體5、6、17和18置于具有臭氧濃度為10ppm的環(huán)境中5天。
臭氧暴露試驗(yàn)完成之后，用實(shí)施例1到14和對(duì)比例1到4中使用的成像裝置評(píng)估圖像質(zhì)量和分辨率。
(圖像質(zhì)量)制造用于評(píng)估的圖像，以便在視覺(jué)上評(píng)估背景污濁、模糊圖像和其圖像密度。
(圖像分辨率)制造半色調(diào)圖像，以觀察點(diǎn)形成的狀態(tài)，如點(diǎn)的散布和點(diǎn)的可重現(xiàn)性。
圖像質(zhì)量和圖像分辨率中任何一個(gè)分級(jí)成如下◎很好○好△稍微差×很差評(píng)估結(jié)果在表4中給出。
表4

實(shí)施例40到51將感光體1到12中每一個(gè)安裝在來(lái)自于Ricoh Company，Ltd.的改進(jìn)的成像裝置imagio neo 270中，其中電源組轉(zhuǎn)換成帶正電的，并且充電器轉(zhuǎn)換成如圖2所示的非接觸充電輥，并且在23℃和55％RH下進(jìn)行運(yùn)行試驗(yàn)，在運(yùn)行試驗(yàn)中連續(xù)產(chǎn)生10,000張具有平均圖像面積為5％的A4圖表圖像。
感光體和充電之間的間隙為50μm。
將專用于imagio neo 270的調(diào)色劑或顯影劑轉(zhuǎn)換成具有相反極性的調(diào)色劑或顯影劑。
充電器使用外部電源，和充電輥具有峰值之間1.9kV的電壓及1.35kHz的頻率作為AC成分。DC成分是偏壓，使感光體的充電電位在運(yùn)行試驗(yàn)開(kāi)始時(shí)為+600V。充電條件保持不變直到運(yùn)行試驗(yàn)完成。顯影偏壓為+450V。
在運(yùn)行試驗(yàn)前后，評(píng)估圖像質(zhì)量以及當(dāng)感光體被照射之前(PB)和之后(PA)移到顯影位置時(shí)感光體表面上的電勢(shì)。
(圖像質(zhì)量)制造用于評(píng)估的圖像，以便在視覺(jué)上評(píng)估背景污濁、模糊圖像和其圖像密度。
評(píng)估結(jié)果在表5中給出。
表5

實(shí)施例52到65將感光體1到10和15到18中的每一個(gè)安裝在來(lái)自于Ricoh Company，Ltd.的使用中間轉(zhuǎn)印器的改進(jìn)的串聯(lián)成像裝置IPSiO CX400中，其中電源組轉(zhuǎn)換成帶正電的，并且輻照器的光源轉(zhuǎn)換成具有波長(zhǎng)為780納米的LD，并且在23℃和55％RH下進(jìn)行運(yùn)行試驗(yàn)，在運(yùn)行試驗(yàn)中連續(xù)產(chǎn)生10,000張具有平均圖像面積為5％的A4圖表圖像。
將專用于IPSiO CX400的調(diào)色劑或顯影劑轉(zhuǎn)換成具有相反極性的調(diào)色劑或顯影劑。
在運(yùn)行試驗(yàn)之前和之后，評(píng)估圖像質(zhì)量和分辨率。
(圖像質(zhì)量)制造用于評(píng)估的圖像，以便在視覺(jué)上評(píng)估背景污濁、模糊圖像和其圖像密度。
(圖像分辨率)制造半色調(diào)圖像，以觀察點(diǎn)形成的狀態(tài)，如點(diǎn)的散布和點(diǎn)的可重現(xiàn)性。
圖像質(zhì)量和圖像分辨率中任何一個(gè)分級(jí)成如下◎很好○好△稍微差×很差評(píng)估結(jié)果在表6中給出。
表6

實(shí)施例66到79將感光體1到10和15到18中每一個(gè)安裝在來(lái)自于Ricoh Company，Ltd.的改進(jìn)的成像裝置imagio neo 270中，其中電源組轉(zhuǎn)換成帶正電的，并且安裝如圖4所示的用于施加硬脂酸鋅的添加劑涂布器，并且在23℃和55％RH下進(jìn)行運(yùn)行試驗(yàn)，在運(yùn)行試驗(yàn)中連續(xù)產(chǎn)生50,000張具有平均圖像面積為5％的A4圖表圖像。
將專用于imagio neo 270的調(diào)色劑或顯影劑轉(zhuǎn)換成具有相反極性的調(diào)色劑或顯影劑。
充電器使用外部電源，和充電輥具有峰值之間1.9kV的電壓及1.35kHz的頻率作為AC成分。DC成分是偏壓，使感光體的充電電位在運(yùn)行試驗(yàn)開(kāi)始時(shí)為+600V。充電條件保持不變直到運(yùn)行試驗(yàn)完成。顯影偏壓為+450V。
在運(yùn)行試驗(yàn)前后，評(píng)估圖像質(zhì)量和當(dāng)感光體被照射之前(PB)和之后(PA)移到顯影位置時(shí)感光體表面上的電勢(shì)。
(圖像質(zhì)量)制造用于評(píng)估的圖像，以便在視覺(jué)上評(píng)估背景污濁、模糊圖像和其圖像密度。
評(píng)估結(jié)果在表7中給出。
表7

表1到7表明，即使當(dāng)重復(fù)使用時(shí)，使用滿足本發(fā)明要求的感光體的成像裝置也能產(chǎn)生高分辨率的圖像而無(wú)異常圖像。
本申請(qǐng)要求優(yōu)先權(quán)，并且包括與分別于2005年9月16日、2005年9月13日、2005年9月14日、2005年9月15日、2005年9月15日、2005年9月16日和2005年9月15日提交的日本專利申請(qǐng)No.2005-271016、No.2005-264722、No.2005-266245、No.2005-269167、No.2005-267953、No.2005-271006和No.2005-267955有關(guān)的主題，其全部?jī)?nèi)容在本文中引入作為參考文獻(xiàn)。
現(xiàn)在已經(jīng)對(duì)本發(fā)明做了充分的描述，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言顯然可以對(duì)其作出許多變化和改進(jìn)而不背離本發(fā)明所闡述的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種電子照相成像裝置，包括感光體，構(gòu)置以使該感光體的表面充電的充電器，構(gòu)置以用成像光照射該感光體的表面以便在其上形成靜電潛像的輻照器，構(gòu)置以用包括調(diào)色劑的顯像劑使該靜電潛像顯影以便在該感光體的表面上形成調(diào)色劑圖像的圖像顯影器，和構(gòu)置以將該調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印材料上的轉(zhuǎn)印器；其中該感光體包括導(dǎo)電基材，和覆蓋在該導(dǎo)電基材上的光敏層，該光敏層包括電荷產(chǎn)生材料和具有下式(A)的電荷遷移材料 其中R1和R2獨(dú)立地表示氫原子、和選自取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基和取代或未取代的芳烷基的基團(tuán)；R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13和R14獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、和選自氰基、硝基、氨基、羥基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基和取代或未取代的芳烷基的基團(tuán)；并且n是重復(fù)單元，并且為0或從1到100的整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子照相成像裝置，其中具有式(A)的電荷遷移材料是具有下式(1)的電荷遷移材料 其中R1和R2獨(dú)立地表示氫原子、和選自取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基和取代或未取代的芳烷基的基團(tuán)；并且R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13和R14獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、和選自氰基、硝基、氨基、羥基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基和取代或未取代的芳烷基的基團(tuán)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子照相成像裝置，進(jìn)一步包括具有下式(B)的電荷遷移材料 其中R15和R16獨(dú)立地表示氫原子、和選自取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基和取代或未取代的芳烷基的基團(tuán)；和R17、R18、R19和R20獨(dú)立地表示氫原子、鹵素原子、和選自氰基、硝基、氨基、羥基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的環(huán)烷基和取代或未取代的芳烷基的基團(tuán)。
4.權(quán)利要求1到3中任何一項(xiàng)所述的電子照相成像裝置，其中該電荷產(chǎn)生材料是酞菁。
5.權(quán)利要求4所述的電子照相成像裝置，其中該酞菁是鈦氧基酞菁。
6.權(quán)利要求5所述的電子照相成像裝置，其中該鈦氧基酞菁具有包括多個(gè)衍射峰的CuKα1.542X-射線衍射譜，其中在布拉格(2θ)角為27.2°處觀察到最大衍射峰，在9.4°、9.6°和24.0°處觀察到主峰，并且在7.3°處觀察到最小的衍射峰；在大于7.3°并小于9.4°的角度沒(méi)有觀察到衍射峰，其中所述角度可在±0.2°的范圍內(nèi)改變。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的電子照相成像裝置，其中該鈦氧基酞菁的平均粒徑不大于0.25μm。
8.權(quán)利要求1到7中任何一項(xiàng)所述的電子照相成像裝置，其中該感光體帶正電。
9.根據(jù)權(quán)利要求1到8中任何一項(xiàng)所述的電子照相成像裝置，進(jìn)一步包括多個(gè)感光體，其中在每個(gè)感光體上各自顯影的各單色調(diào)色劑圖像重疊形成多色圖像。
10.根據(jù)權(quán)利要求1到9中任何一項(xiàng)所述的電子照相成像裝置，其中該感光體的線速度不低于100毫米/秒。
11.權(quán)利要求1到10中任何一項(xiàng)所述的電子照相成像裝置，其中該充電器是電暈充電器。
12.根據(jù)權(quán)利要求1到11中任何一項(xiàng)所述的電子照相成像裝置，其中該充電器是如此放置的非接觸充電器，使得該充電器和該感光體之間的間隙不大于100μm。
13.根據(jù)權(quán)利要求1到12中任何一項(xiàng)所述的電子照相成像裝置，其中該輻照器包括作為成像光源的發(fā)光二極管。
14.根據(jù)權(quán)利要求1到13中任何一項(xiàng)所述的電子照相成像裝置，其中該轉(zhuǎn)印器包括第一轉(zhuǎn)印器；和中間轉(zhuǎn)印器，其中該第一轉(zhuǎn)印器將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到該中間轉(zhuǎn)印器上，并且該中間轉(zhuǎn)印器將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到該轉(zhuǎn)印材料上。
15.根據(jù)權(quán)利要求1到14中任何一項(xiàng)所述的電子照相成像裝置，進(jìn)一步包括構(gòu)置以對(duì)該感光體的表面從外部施加添加劑的添加劑涂布器。
16.一種處理盒，包括感光體；和充電器、成像光輻照器、圖像顯影器、圖像轉(zhuǎn)印器、清潔器和放電器中的至少一個(gè)，其中該感光體是包含在權(quán)利要求1到16中任何一項(xiàng)所述的電子照相成像裝置中的感光體。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的處理盒，其中該清潔器包括清理刀片。
全文摘要
一種電子照相成像裝置，包括感光體、使感光體的表面充電的充電器、以成像光照射感光體的表面以便在其上形成靜電潛像的輻照器、以包括調(diào)色劑的顯像劑使該靜電潛像顯影以便在感光體的表面上形成調(diào)色劑圖像的圖像顯影器、和將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印材料上的轉(zhuǎn)印器；其中，該感光體包括導(dǎo)電基材、和覆蓋該導(dǎo)電基材并且包含電荷產(chǎn)生材料和特定電荷遷移材料的光敏層。
文檔編號(hào)G03G5/04GK1932663SQ20061015186
公開(kāi)日2007年3月21日 申請(qǐng)日期2006年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月13日
發(fā)明者下山啟介, 栗本銳司, 佐佐木通孝, 河村慎一 申請(qǐng)人:株式會(huì)社理光