專利名稱：液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件(LCD)及其制造方法，更具體地，涉及具 有簡化的制造工序、提高的產(chǎn)率及增強(qiáng)的亮度的一種液晶顯示器件及其制造方 法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)在的信息社會，顯示器作為虛擬的信息傳播媒介己變得越來越重要。 為了滿足這種需求，顯示器應(yīng)當(dāng)具有功耗低、外形薄、重量輕并且圖像質(zhì)量高。 液晶顯示(LCD)器件，其在平板顯示器件(FPD)市場中為主要的產(chǎn)品類型， 不僅滿足這些需要而且可以大規(guī)模生產(chǎn)從而每種利用LCD器件的新產(chǎn)品變得 快速商業(yè)化。因此，LCD器件取代顯像管(CRT)作為主要的顯示技術(shù)。
液晶顯示(LCD)器件通過根據(jù)圖像信息分別向呈矩陣排列的液晶單元提 供數(shù)據(jù)信號以及通過控制該液晶單元的光學(xué)的各向異性顯示圖像。LCD技術(shù) 中使用的主驅(qū)動(dòng)方法，即有源矩陣(AM)，利用非晶硅薄膜晶體管(a-SiTFT) 作為開關(guān)器件驅(qū)動(dòng)像素區(qū)域的液晶。非晶硅薄膜晶體管技術(shù)是在1979年由英 國LeComber創(chuàng)立，并在1986年以3英寸液晶便攜式電視得到商業(yè)化。近來， 研發(fā)了大于50英寸的LCD。
然而，非晶硅薄膜晶體管的場效應(yīng)遷移率(~1 cm"Vsec)在用于需要超過 lMHz快速運(yùn)行的外圍電路中具有局限性。因此，需要研發(fā)利用具有比非晶硅 場效應(yīng)遷移率更大的多晶硅(poly-Si)在玻璃基板上同時(shí)形成像素區(qū)域和驅(qū)動(dòng) 電路區(qū)域的技術(shù)。
從1982年研發(fā)液晶彩色電視后，多晶硅薄膜晶體管技術(shù)己應(yīng)用于諸如可 攜式攝像機(jī)的小型模塊中。另外，由于該技術(shù)具有低的感光性和高的場效應(yīng)遷 移率從而可直接將驅(qū)動(dòng)電路制造在基板上。
遷移率的增加可提高決定驅(qū)動(dòng)像素?cái)?shù)量的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)的工作頻率，從而有 助于顯示器件的高的精細(xì)度。另外，像素區(qū)域的信號電壓具有減少的充電時(shí)間
其降低傳輸信號的失真并提高圖像質(zhì)量。當(dāng)與高驅(qū)動(dòng)電壓(~25V)的非晶硅 薄膜晶體管相比，多晶硅薄膜晶體管可在低于IOV下驅(qū)動(dòng)，從而降低了功耗。
以下將參照圖1說明相關(guān)技術(shù)LCD器件的結(jié)構(gòu)。圖1示出了其中驅(qū)動(dòng)電 路區(qū)集成在陣列基板上的集成有驅(qū)動(dòng)電路的LCD器件的平面圖。
如圖所示，該LCD器件包括濾色片基板5、陣列基板IO、形成在該濾色 片基板5和陣列基板10之間的液晶層(未示出)。該陣列基板10包括單位像 素以矩陣形式排列形成的像素區(qū)域35;和在排列在像素區(qū)域35外圍具有數(shù)據(jù) 驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域31和柵驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域32的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域30。雖未示出，陣列 基板10的像素區(qū)域35包括多根柵線和數(shù)據(jù)線，用于通過在陣列基板10上垂 直和水平排列限定多個(gè)像素區(qū)域；作為開關(guān)器件形成在柵線和數(shù)據(jù)線之間的每 個(gè)交叉處的薄膜晶體管(TFT);以及形成在像素區(qū)域的像素電極。此處，該 TFT為利用場效應(yīng)晶體管(FET)將電壓施加到像素電極的開關(guān)器件從而通過 電場控制電流。
陣列基板10的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域30設(shè)置在比濾色片基板5突出的像素區(qū)域 35的外圍。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域31設(shè)置在陣列基板10的長邊，而柵驅(qū)動(dòng)電路 區(qū)域31設(shè)置在陣列基板10的寬邊。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)區(qū)域31和柵驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域32 利用具有互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，其為反相器從 而正確地輸出輸入信號。CMOS為具有MOS結(jié)構(gòu)的集成電路，其用在需要快 速信號處理的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域TFT中。CMOS需要n溝道TFT和p溝道TFT， 并具有對應(yīng)NMOS和PMOS的中間水平的速度和密度特征。
柵驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域32和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域31通過柵線和數(shù)據(jù)線分別將掃描 信號和數(shù)據(jù)信號提供給像素電極，并與外部信號輸入端口 (未示出)連接。柵 驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域32和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域31控制從外部信號輸入端口輸入的外部 信號發(fā)送給每個(gè)像素電極。
在濾色片基板5的像素區(qū)域35上形成有用于實(shí)現(xiàn)顏色的濾色片(未示出) 和面向形成在陣列基板10上的像素電極的公共電極(未示出)。濾色片基板5 和陣列基板IO提供盒間隙以通過襯墊料(未示出)彼此分開，并通過形成在 像素區(qū)域35的外圍的密封圖案(未示出)彼此粘接以構(gòu)成單位LC面板。濾 色片基板5和陣列基板10通過形成在濾色片基板5或陣列基板10上的結(jié)合鍵 彼此粘接。
由于集成有驅(qū)動(dòng)電路的LCD器件利用多晶硅TFT，所以獲得優(yōu)異的器件 性能和高的圖像質(zhì)量。相應(yīng)地，實(shí)現(xiàn)高的精細(xì)度并降低功耗。
然而，在同一基板上具有n溝道TFT和p溝道TFT的集成有驅(qū)動(dòng)電路的 LCD器件需要比只具有單類型溝道的非晶硅TFTLCD更復(fù)雜的制造工序。即 為了制造包括多晶硅TFT的陣列基板，需要大量的光刻工序。
光刻工序通過將圖案從掩模轉(zhuǎn)移到基板而在基板上形成所需的圖案，并且 該光刻工序包括諸如光刻膠沉積工序、曝光工序、顯影工序等多個(gè)工序。因此， 該光刻工序降低產(chǎn)品產(chǎn)量，并在薄膜晶體管中產(chǎn)生缺陷的概率高。尤其地，由 于形成圖案的掩模非常昂貴，當(dāng)掩模數(shù)量增多時(shí)用于制造LCD器件的成本將 提高。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種液晶顯示器件及其制造方法，其基本上消除由于現(xiàn) 有技術(shù)的局限和不足導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題。
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供通過利用單輪掩模工序形成有源圖案和存儲 電極減少用于制造薄膜晶體管的掩模數(shù)量的一種液晶顯示(LCD)器件及其制 造方法。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供通過在柵線構(gòu)圖的同時(shí)構(gòu)圖像素電極減少 掩模數(shù)量的一種液晶顯示(LCD)器件及其制造方法。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供改善了開口率的一種液晶顯示(LCD)器件。
本發(fā)明另外的特征和優(yōu)點(diǎn)將在以下描述中加以闡述，其中部分特征和優(yōu)點(diǎn) 可以從以下描述中顯而易見地看到，或者從本發(fā)明的實(shí)踐中得知。通過在本發(fā) 明的說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指明的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的目的和其它優(yōu) 點(diǎn)會得到了解和實(shí)現(xiàn)。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本文對本發(fā)明的目的，如同這里具體和廣 義所描述的， 一種制造液晶顯示(LCD)器件的方法包括利用單掩模分別在 第一基板的像素區(qū)域、第一電路區(qū)域和第二電路區(qū)域形成有源圖案并且在該像 素區(qū)域的所述有源圖案上形成存儲電極；在具有該有源圖案和存儲電極的第一 基板上形成第一絕緣層；在該第一絕緣層上形成第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層；構(gòu) 圖在第一電路區(qū)域的第一和第二導(dǎo)電層以由第二導(dǎo)電層形成第一柵極；將高濃
度的p+離子注入到第一電路區(qū)域的有源區(qū)以在第一電路區(qū)域的有源區(qū)形成p+ 源/漏區(qū)；構(gòu)圖第一和第二導(dǎo)電層以同時(shí)在第二電路區(qū)域中由第二導(dǎo)電層形成 第二柵極、在像素區(qū)域中由第二導(dǎo)電層形成公共線以及在像素區(qū)域中由第一導(dǎo)
電層形成像素電極；在像素區(qū)域和第二電路區(qū)域每個(gè)的有源圖案上形成n+源/ 漏區(qū)；在第一絕緣層、第一柵極、第二柵極、公共線和像素電極上形成第一中 間絕緣層和第二中間絕緣層；通過部分地去除第一絕緣層、第一中間絕緣層和 第二中間絕緣層形成第一接觸孔和第二接觸孔以暴露在第一和第二電路區(qū)域 的有源圖案的源區(qū)和漏區(qū)；形成通過第一接觸孔分別電連接至第一和第二電路 區(qū)域的有源圖案的源區(qū)的源極；形成通過第二接觸孔分別電連接至第一和第二 電路區(qū)域的有源圖案的源區(qū)的漏極；以及粘接第一基板與第二基板從而在其中 設(shè)置液晶層。
另一方面， 一種制造液晶顯示(LCD)器件的方法包括在第一基板的像 素區(qū)域、第一電路區(qū)域和第二電路區(qū)域分別形成有源圖案，并在像素區(qū)域的該 有源圖案上同時(shí)形成存儲電極；在具有該有源圖案和存儲電極的第一基板上形 成絕緣層；在絕緣層上形成導(dǎo)電層；構(gòu)圖該導(dǎo)電層以在第一電路區(qū)域中形成第 一柵極、在第二電路區(qū)域中形成第二柵極、在像素區(qū)域中形成公共線和在像素 區(qū)域上形成像素電極；在第一電路區(qū)域的有源區(qū)形成p+源/漏區(qū)；在第二電路 區(qū)域和像素區(qū)域每個(gè)的有源圖案上形成n+源/漏區(qū)；在絕緣層上、第一柵極、 第二柵極、公共線和像素電極形成中間絕緣層；通過部分去除絕緣層和中間絕 緣層形成第一接觸孔和第二接觸孔以暴露在第一和第二電路區(qū)域的源區(qū)和漏 區(qū)；形成通過第一接觸孔分別電連接第一和第二電路區(qū)域的有源圖案的源區(qū)的 源極；形成通過第二接觸孔分別電連接第一和第二電路區(qū)域的有源圖案的源區(qū) 的漏極；以及粘接第一基板與第二基板從而在二者之間設(shè)置液晶層。
另一方面， 一種液晶顯示器件，包括具有像素區(qū)域的第一基板；形成在 該像素區(qū)域的有源圖案；形成在具有該有源圖案的第一基板的絕緣層；位于該 像素區(qū)域的柵極、柵極與具有形成在其中的源區(qū)和漏區(qū)的像素區(qū)域的有源區(qū)相 鄰；形成在像素區(qū)域的像素電極，其中該像素電極由設(shè)置在像素區(qū)域的第一導(dǎo) 電材料和沿像素區(qū)域的邊緣設(shè)置在第一導(dǎo)電材料上的第二導(dǎo)電材料形成，以及 柵極由第二導(dǎo)電材料形成；形成在該絕緣層、柵極和像素電極上的中間絕緣層， 其中第一和第二接觸孔分別貫穿該絕緣層和中間絕緣層至源區(qū)和漏區(qū)，其中開
口貫穿該中間絕緣層，用于露出像素區(qū)；通過該第一接觸孔電連接至源區(qū)的源 極；通過該第二接觸孔電連接至漏區(qū)的漏極；與該第一基板粘接的第二基板； 以及設(shè)置在該第一和第二基板之間的液晶層。
應(yīng)當(dāng)理解，上面對本發(fā)明的概述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和解釋性 的，并意欲提供對要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


附圖提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，其包含在說明書中并構(gòu)成說明書的一部 分，說明本發(fā)明的實(shí)施方式并且與說明書一起用于闡述本發(fā)明的原理。在附圖 中
圖1示出了根據(jù)相關(guān)技術(shù)描述集成有驅(qū)動(dòng)電路的LCD器件的結(jié)構(gòu)的示意 性平面圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的LCD器件陣列基板的示 意性平面圖3A到31依次示出了沿著圖2中陣列基板的線II-II'提取的示例性制造 工序的截面圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的LCD器件的陣列基板的 示意性平面圖5A到5H依次示出了沿圖4中陣列基板的線IV-IV'提取的示例性制造 工序的截面圖6A到圖6D依次示出了沿圖4中陣列基板的線IV-IV'提取的示例性制 造工序的平面圖7A到7F示出了圖5A和圖6A所示的第一示例性掩模工序的截面圖； 圖8示出了沿圖4中陣列基板的線A-A'提取的截面圖；以及 圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式的LCD器件的陣列基板的 示意性截面圖。
具體實(shí)施例方式
將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，附圖中示出了其實(shí)施例。在 下文將闡述本發(fā)明的一種液晶顯示(LCD)器件及其制造方法。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式LCD器件的陣列基板的示意 平面圖，其示出了包括薄膜晶體管(TFT)的像素區(qū)域的一個(gè)像素；在該LCD 器件中，N根柵線和M根數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定MxN個(gè)像素。然而，方便起 見，在圖2中只示出了一個(gè)像素。
如圖所示，根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式的LCD器件的陣列基板包 括在陣列基板110上水平和垂直地排列以限定像素區(qū)域的柵線116和數(shù)據(jù)線 117;形成在該柵線116和數(shù)據(jù)線117的每個(gè)交叉區(qū)域的薄膜晶體管作為開關(guān) 器件；以及形成在每個(gè)像素區(qū)域的像素電極118并且該像素電極118與TFT 連接，用于和濾色片基板(未示出)的公共電極一起驅(qū)動(dòng)液晶(未示出)。
該TFT包括與柵線116連接的柵極121、與數(shù)據(jù)線117連接的源極122以 及與像素電極118連接的漏極123。另外，該TFT包括有源圖案124'，其用于 通過提供給柵極121的柵電壓在源極122和漏極123之間形成導(dǎo)電溝道。
此處，有源圖案124，由多晶硅薄膜形成，并延伸至像素區(qū)域從而與存儲圖 案124"連接，存儲圖案124"與公共線108 —起限定第一存儲電容器。即公共 線108在像素區(qū)域中與柵線116相同的方向上形成并且與存儲圖案124"重疊 其間具有第一絕緣層(未示出)以限定第一存儲電容器。該存儲圖案124"通 過利用附加的掩模工序摻雜用于有源圖案124'的多晶硅薄膜形成。
源極122和漏極123分別通過形成在第一絕緣層和第二絕緣層(未示出) 的第一接觸孔140a和第二接觸孔140b電連接有源圖案124'的源區(qū)124a和漏 區(qū)124b。源極122的一部分延伸以接觸數(shù)據(jù)線117。另外，漏極123的一部分 向像素區(qū)域延伸以通過形成在第三絕緣層(未示出)的第三接觸孔140c電連 接像素電極118。向像素區(qū)域延伸的漏極123的一部分與形成在下面的公共線 108重疊，并且其間具有第二絕緣層，從而構(gòu)成第二存儲電容器。
下文將說明用于制造陣列基板的一種工序。圖3A到圖31依次示出了沿圖 2中陣列基板的線n-ir提取的制造工序的截面圖，圖2中的陣列基板為其中形 成有n溝道TFT的像素區(qū)域的陣列基板。此處，n溝道TFT和p溝道TFT形 成在電路區(qū)域。
如圖3A所示，緩沖層111和非晶硅薄膜形成在諸如玻璃的透明絕緣材料 的基板110上。接著，該非晶硅薄膜結(jié)晶以形成多晶硅薄膜。然后，利用光刻 工序構(gòu)圖該多晶硅薄膜(第一掩模工序)，從而形成用于有源圖案和存儲圖案 的多晶硅薄膜124。
如圖3B所示，通過用光刻膠遮蓋一部分多晶硅薄膜圖案124實(shí)施摻雜工 序，從而形成存儲圖案124"。由光刻膠遮蓋的該多晶硅薄膜124形成有源圖 案124'，其中需要附加的光刻工序(第二掩模工序)。
如圖3C所示，第一絕緣層115a和第一導(dǎo)電層依次在整個(gè)基板110表面上 形成。然后，利用光刻工序選擇性地構(gòu)圖第一導(dǎo)電層(第三掩模工序)，從而 由保留在有源圖案124，上的第一導(dǎo)電層形成柵極121，以及由保留在存儲圖案 124"上的第一導(dǎo)電層形成公共線108。此處，第一導(dǎo)電層由具有低電阻的不透 明導(dǎo)電材料諸如鋁(Al)、鋁合金(Al alloy)、鎢(W)、銅(Cu)、鉻(Cr) 或鉬(Mo)形成。公共線108在像素區(qū)域中與存儲圖案124"重疊并且其間具 有第一絕緣層115a以限定第一存儲電容器。
如圖3D所示，陣列基板110的像素區(qū)域和電路區(qū)域的n溝道TFT區(qū)通過 由光刻膠形成的第一阻擋層170全部遮蓋(第四光刻工序)。然后，高濃度的 p+離子注入到電路區(qū)域的p溝道TFT區(qū)以形成p+源區(qū)和漏區(qū)。
如圖3E所示，電路區(qū)域的p溝道TFT區(qū)、電路區(qū)域的n溝道TFT區(qū)、 像素區(qū)和存儲區(qū)通過第二阻擋層170'遮蓋(第五掩模工序)。然后，高濃度的 n+離子注入到像素區(qū)域的有源圖案124'中，從而形成n+源區(qū)124a和n+漏區(qū) 124b。溝道區(qū)124c在源區(qū)124a和漏區(qū)124b之間形成導(dǎo)電溝道。接著，除去 第二阻擋層170'并將低濃度的n離子注入到基板110的整個(gè)表面，從而形成 n+源區(qū)124a、溝道區(qū)124c和在n+漏區(qū)124b和溝道區(qū)124c之間的輕摻雜漏 (LDD)區(qū)1241。存儲區(qū)可通過第二阻擋層170'遮蓋或不遮蓋。將N+離子注 入到n溝道TFT區(qū)以形成n+源區(qū)124a、 n+漏區(qū)和LDD區(qū)1241。
如圖3F所示，第二絕緣層115b沉積在基板110的整個(gè)表面。接著，通過 光刻工序部分地除去第一絕緣層115a和第二絕緣層115b (第六掩模工序)， 從而分別形成第一接觸孔140a和第二接觸孔140b，以部分地暴露源區(qū)124a 和漏區(qū)124b。
如圖3G所示，第二導(dǎo)電層形成在基板110的整個(gè)表面并利用光刻工序選 擇性地構(gòu)圖(第七掩模工序)。因此，形成通過第一接觸孔140a電連接源區(qū) 124a的源極122，以及通過形成的第二接觸孔140b電連接漏區(qū)124b的漏極 123。此處，源極122的一部分在一個(gè)方向上延伸為數(shù)據(jù)線117的一部分。另
外，漏極123的一部分延伸向像素區(qū)域從而與下面形成的公共線108重疊并且 其間具有第二絕緣層115b，從而形成第二存儲電容器。
如圖3H所示，第三絕緣層115c沉積在基板110的整個(gè)表面并利用光刻工 序選擇性地構(gòu)圖(第八掩模工序)，從而形成第三接觸孔140c以部分地暴露漏 極123。
如圖31所示，第三導(dǎo)電層沉積在基板110的整個(gè)表面上，其中形成第三 絕緣層115c并且利用光刻工序選擇性地構(gòu)圖(第九掩模工序)，從而形成通過 第三接觸孔140c電連接漏極123的像素電極118。此處，第三導(dǎo)電層可由諸 如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的具有高透過率的透明導(dǎo)電材料形成。
根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施方式的陣列基板中，有源圖案和存儲圖案由多 晶硅薄膜形成，以及通過附加的掩模工序在該存儲圖案上實(shí)施存儲摻雜。因此， 通過第九掩模工序制造像素區(qū)域的TFT和電路區(qū)域。然而，在本發(fā)明第二示 例性實(shí)施方式中，由硅薄膜形成的有源圖案和由導(dǎo)電材料形成的存儲電極通過 采用衍射曝光的單輪掩模工序形成。另外，在第二示例性實(shí)施方式中，像素電 極在構(gòu)圖柵線的同時(shí)進(jìn)行構(gòu)圖，并且像素區(qū)域在形成數(shù)據(jù)線的同時(shí)開口以向外 暴露出像素電極。因此，用于制造陣列基板的掩模的數(shù)量減少。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的LCD器件的陣列基板的 示意性平面圖，其示出了包括像素區(qū)域的TFT的一個(gè)像素。在該LCD器件中， N根柵線和M根數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定MxN個(gè)像素。然而，簡單起見，在圖 4中只示出了一個(gè)像素。
如圖所示，根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的LCD器件的陣列基板210 包括在陣列基板210上水平和垂直地排列以限定像素區(qū)域的柵線216和數(shù)據(jù)線 217;形成在該柵線216和數(shù)據(jù)線217每個(gè)交叉區(qū)域的薄膜晶體管作為開關(guān)器 件；以及形成在每個(gè)像素區(qū)域的像素電極并連接TFT (未示出)，用于與濾色 片基板的公共電極一起驅(qū)動(dòng)液晶(未示出)。
該TFT包括連接?xùn)啪€216的柵極221、連接數(shù)據(jù)線217的源極222和連接 到像素電極218的漏極223。另外，該TFT包括用于通過提供給柵極221的柵 電壓在源極222和漏極223之間形成導(dǎo)電溝道的有源圖案224'。
此處，有源圖案224'由多晶硅薄膜組成，并延伸向像素區(qū)域。由導(dǎo)電材料 形成的存儲電極230"形成在有源圖案224，上。公共線208與柵線216在同一 方向上形成并且在像素區(qū)域中與下方的存儲圖案230"重疊其間具有第一絕緣
層(未示出)以限定第一存儲電容器。第二示例性實(shí)施方式的存儲圖案230" 由不同于第一示例性實(shí)施方式的不透明導(dǎo)電材料形成并通過單輪掩模工序與 有源圖案224'同時(shí)形成。
在分別由不透明導(dǎo)電材料形成的柵極221、柵線216和公共電極208的下 方，柵極圖案(未示出)、柵線圖案(未示出)和公共電極圖案(未示出)分 別由透明導(dǎo)電材料形成并分別構(gòu)圖以具有和柵極221、柵線216和公共電極208 相同的圖案。
源極222和漏極223通過形成在第一絕緣層、第一中間絕緣層(未示出) 和第二中間絕緣層(未示出)的第一接觸孔240a和第二接觸孔240b電連接有 源圖案224，的源區(qū)224a和224b。源極222的一部分在一個(gè)方向上延伸以連接 數(shù)據(jù)線217。另外，漏極223的一部分延伸向像素區(qū)域以形成突出區(qū)域240。 漏極223通過突出區(qū)域240電連接至像素電極218。雖然該突出區(qū)域240在圖 4中所示為在中間，但它還形成在諸如側(cè)面的其他位置。而且，可形成超過一 個(gè)的突出區(qū)域240。延伸向像素區(qū)域的漏極223的一部分與下方的公共線208 重疊其間具有第一中間絕緣層和第二中間絕緣層，從而構(gòu)成第二存儲電容器。
根據(jù)第二示例性實(shí)施方式的第二中間絕緣層215b'(圖5G中)可由具有 低介電常數(shù)的有機(jī)絕緣層形成從而像素電極218可部分地重疊數(shù)據(jù)線217。因 此，開口率提高。§卩，按照本發(fā)明的像素電極218形成在數(shù)據(jù)線217下方以部 分地重疊數(shù)據(jù)線217。此處，中間絕緣層215b'可只用有機(jī)絕緣材料形成。
根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施方式的陣列基板中，導(dǎo)電材料沉積在多晶硅薄 膜上，并且有源圖案224，和存儲電極230"通過采用衍射曝光的單輪掩模工序 同時(shí)形成。因此，掩模的數(shù)量減少。而且，根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式 的陣列基板中，像素電極218在構(gòu)圖柵線(柵極221 、柵線216和公共電極208) 的同時(shí)構(gòu)圖，并且像素電極218通過在形成數(shù)據(jù)線(源極222、漏極223和數(shù) 據(jù)線217)的同時(shí)在像素區(qū)域開口以向外暴露出來。因此，不需要采用用于形 成像素電極218的兩輪掩模工序(g卩，用于構(gòu)圖像素電極218的掩模工序和用 于形成接觸孔以電連接漏極223和像素電極218的掩模工序)。因此，掩模的 數(shù)量減少。
圖5A到5H依次示出了沿圖4中陣列基板的線IV-IV'提取的制造工序的
截面圖，以及圖6A到圖6D依次示出了沿圖4中陣列基板的線IV-IV'提取的 的制造工序的平面圖。
在像素區(qū)域能夠形成n溝道TFT或p溝道TFT，并且在電路區(qū)域形成該n 溝道TFT和p溝道TFT以實(shí)現(xiàn)CMOS晶體管。方便起見，在圖5A到5H和 圖6A到6D中示出了一種制造像素區(qū)域的n溝道TFT、電路區(qū)域的n溝道TFT 和電路區(qū)域的p溝道TFT的方法。
如圖5A和6A所示，緩沖層211和非晶硅薄膜形成在諸如玻璃的透明絕 緣材料的基板210上。接著，該非晶硅薄膜結(jié)晶以形成多晶硅薄膜。緩沖層阻 止基板210內(nèi)的諸如鈉(Na)的雜質(zhì)進(jìn)入上面層。
然后，導(dǎo)電層沉積在其上形成有多晶硅薄膜的基板210的整個(gè)表面。接著， 多晶硅薄膜和該導(dǎo)電層利用光刻工序選擇性構(gòu)圖(第一掩模工序)，從而在陣 列基板210的像素區(qū)域上形成有源圖案224'和存儲電極230"以及在陣列基板 210的電路區(qū)域上形成n溝道有源圖案224n和p溝道有源圖案224p。
如前文所述，有源圖案224'、 224n、 224p和存儲電極230"可通過采用衍 射曝光的單輪掩模工序形成，以下將詳細(xì)說明該工序。圖7A到7F示出了如 圖5A和圖6A所示的第一掩模工序的截面圖。
如圖7A所示，緩沖層211和硅薄膜224形成在由諸如玻璃的透明絕緣材 料形成的基板210上。在結(jié)晶的多晶硅薄膜224上形成由鉬(Mo)或鋁(Al) 基的導(dǎo)電層材料形成的導(dǎo)電層230。
硅薄膜224可由非晶硅薄膜或多晶硅薄膜形成。然而，多晶硅薄膜通常更 有優(yōu)勢。多晶硅薄膜可通過在基板上沉積非晶硅薄膜然后通過多種方法結(jié)晶該 非晶硅薄膜形成。非晶硅薄膜可通過多種方法沉積。該多種方法中代表性的方 法包括低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。 用于結(jié)晶非晶硅薄膜的方法包括在高溫爐中熱處理非晶硅薄膜的固相結(jié)晶 (SPC)方法，和利用激光的準(zhǔn)分子激光退火(ELA)方法。在準(zhǔn)分子激光退 火方法中，主要使用脈沖型的激光。然而，近來正在研發(fā)一種通過沿水平方向 生長晶粒用于改善結(jié)晶性能的連續(xù)橫向結(jié)晶(SLS)方法。
如圖7B所示，由感光材料形成的光刻膠270沉積在基板210的整個(gè)表面 上。接著，光利用衍射掩模280選擇性地照射光刻膠270。衍射掩模280提供 有透射區(qū)I、狹縫區(qū)II和阻擋區(qū)m。透射區(qū)I用于全部透射照射的光線，狹縫
區(qū)II用于透射照射的光線的一部分并阻擋照射光線的另一部分，以及阻擋區(qū)
III完全遮擋照射的光線。只有通過衍射掩模280的光照射到光刻膠270上。 雖然圖7B示出了使用衍射掩模280，但替代地可使用半色調(diào)掩?；蛉魏纹渌?部分透射的掩模。
如圖7C所示，當(dāng)通過衍射掩模280曝光的光刻膠270顯影后，具有一定 厚度的第一光刻膠圖案270A和第二光刻膠圖案270B保留在阻擋區(qū)III和狹縫 區(qū)II。另外，完全除去透射區(qū)I的光刻膠以暴露出導(dǎo)電層230的表面。
形成在阻擋區(qū)III的第一光刻膠圖案270A的厚度大于形成在狹縫區(qū)II的 第二光刻膠圖案270B的厚度。另外，由于使用正性光刻膠，因此可完全除去 形成在透射區(qū)I的光刻膠。然而，除了正性光刻膠，本發(fā)明也可使用負(fù)性光刻 膠。
如圖7D所示，利用第一光刻膠圖案270A和第二光刻膠圖案270B選擇性 地除去導(dǎo)電層，從而形成由基板210上的多晶硅薄膜構(gòu)成的有源圖案224'。由 導(dǎo)電層構(gòu)圖形成的具有和有源圖案224'相同圖案的導(dǎo)電層圖案230'保留在有 源圖案224，上。接著，實(shí)施用于部分除去第一光刻膠圖案270A和第二光刻膠 圖案270B的灰化工序。
如圖7E所示，完全除去在狹縫區(qū)II的有源圖案224'上的已衍射曝光過的 第二光刻膠圖案從而暴露導(dǎo)電層圖案230'的表面。第一光刻膠圖案保留在阻擋 區(qū)III上作為第三光刻膠圖案270A，，第三光刻膠圖案270A，的厚度為從第一光 刻膠圖案的厚度減去第二光刻膠圖案的厚度。
如圖7F所示，利用第三光刻膠圖案270A，作為掩模部分除去導(dǎo)電層圖案 230'，從而形成由導(dǎo)電層構(gòu)成的存儲電極230"。
如圖5B所示，第一絕緣層215a、第一導(dǎo)電層240和第二導(dǎo)電層250形成 在基板210的整個(gè)表面上。構(gòu)成像素電極的第一導(dǎo)電層240可由高透過率的透 明導(dǎo)電材料形成，諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。構(gòu)成柵極和公共 線的第二導(dǎo)電層250由具有低電阻的不透明導(dǎo)電材料形成，諸如鋁(Al)、鋁 合金(Alalloy)、鉤(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鉬(Mo)。
如圖5C所示，像素區(qū)域和電路區(qū)域的n溝道TFT區(qū)全部由第一阻擋層 270'遮蓋，并且電路區(qū)域的p溝道TFF區(qū)通過由光刻膠形成的第一阻擋層270' 部分遮蓋(第二光刻工序)。接著，利用第一阻擋層270'作為掩模，選擇性地
構(gòu)圖其下的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，從而在電路區(qū)域的p溝道TFT上形成
由第二導(dǎo)電層構(gòu)成的電路區(qū)域柵極221p。由第一導(dǎo)電層構(gòu)成并構(gòu)圖具有與電 路區(qū)域柵極221p相同圖案的柵極圖案221p'形成在電路區(qū)域柵極221p的下方。
然后，高濃度的p+離子利用第一阻擋層270'作為掩模注入到電路區(qū)域的p 溝道TFT區(qū)，從而形成p+源區(qū)224pa和p+漏區(qū)224pb。 p溝道區(qū)224pc形成 p+源區(qū)224pa和p+漏區(qū)224pb之間的導(dǎo)電溝道。
如圖5D、 5E和6B所示，電路區(qū)域的p溝道TFT區(qū)由第二阻擋層270" 完全遮蓋，并且像素區(qū)域的n+溝道TFT區(qū)和電路區(qū)域的n+溝道區(qū)由第二阻擋 層270"部分遮蓋(第三掩模工序)。接著，利用第二阻擋層270，作為掩模選擇 性地構(gòu)圖其下方的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，從而在像素區(qū)域的n溝道TFT 區(qū)和電路區(qū)域的n溝道TFT區(qū)上形成由第二導(dǎo)電層形成的電路區(qū)域柵極221、 柵線216，以及柵極221n。因此，公共線208形成在存儲電極230"上。在像 素區(qū)域柵極221和電路區(qū)域柵極221n的下方形成有由第一導(dǎo)電層構(gòu)成并構(gòu)圖 以具有和像素區(qū)域柵極221和電路區(qū)域柵極221n相同的圖案的像素區(qū)域柵極 圖案221'和電路區(qū)域柵極圖案221n'。
通過利用第二阻擋層270"形成在像素區(qū)域由第一導(dǎo)電層構(gòu)成的像素電極 218。另外，由第二導(dǎo)電層組成并構(gòu)圖以具有和像素電極218相同圖案的第二 導(dǎo)電層圖案250，保留在像素電極218上。通過采用濕刻方法過蝕刻第二導(dǎo)電 層，柵極221、 221n、 221p、柵線216、存儲電極230"和像素電極218的寬度 小于第二阻擋層270"的寬度。像素區(qū)域的公共線208與下方的存儲電極230" 重疊并且其間具有第一絕緣層215a，從而形成第一存儲電容器。
高濃度的n+離子利用第二阻擋層270"作為掩模注入到像素區(qū)域的n+溝道 TFT區(qū)和電路區(qū)域的n+溝道TFT區(qū)，從而形成n+源區(qū)224a和224na以及n+ 漏區(qū)224b和224nb。 N溝道區(qū)224c和224nc在n+源區(qū)224a、 224na和n+漏區(qū) 224b和224nb之間形成導(dǎo)電溝道。
如圖5F所示，除去第二阻擋層270"并接著將低濃度的n離子注入到基板 210的整個(gè)表面，從而在n+源區(qū)224a、 224na和溝道區(qū)224c、 224nc之間以及 在n+漏區(qū)224b、 224nb以及溝道區(qū)224c、 224nc之間形成輕摻雜漏(LDD)區(qū) 2241。
如圖5G和6C所示，第一中間絕緣層215b和第二中間絕緣層215b'沉積
在基板210的整個(gè)表面并接著用光刻工序部分除去(第四掩模工序)，從而形
成用于部分地暴露源區(qū)224a、 224na和224pa的第 一接觸孔240a、 240na和240pa 以及形成用于部分地暴露漏區(qū)224b、224nb和224pb的第二接觸孔240b、240nb 和240pb。利用第四掩模工序除去像素電極218上方的第一中間絕緣層215b 和第二中間絕緣層215'，從而形成開口像素區(qū)域的孔H。在形成孔H時(shí)，去 除第一中間絕緣層215b和第二中間絕緣層215b'以朝向第二導(dǎo)電層圖案250' 和像素電極218內(nèi)側(cè)，從而通過第一中間絕緣層215b和第二中間絕緣層215b' 部分覆蓋第二導(dǎo)電層圖案250'和像素電極218。
第一中間絕緣層可由SiNx/Si02構(gòu)成的雙層形成。可在沉積Si02后實(shí)施激 活熱退火或在沉積SiNx之后實(shí)施氫化熱退火。也可在沉積SiNx和SiCb后同時(shí) 利用單退火實(shí)施氫化和激活。第一中間絕緣層215b可由單層SiK或由 Si(VSiNx/Si02等構(gòu)成的三層形成。第二中間絕緣層215b，可由具有低電介質(zhì)常 數(shù)的有機(jī)絕緣層諸如苯并環(huán)丁烯或丙烯酸樹脂形成。然而，第二中間絕緣層 215b'可由與形成第一中間絕緣層215b相同的無機(jī)絕緣層組成。另外，第二中 間絕緣層215b'可由硅氧化物形成。
在形成像素區(qū)域的第二接觸孔240b時(shí)，像素區(qū)域的漏區(qū)224b和存儲電極 230"可一起彼此部分露出。像素區(qū)域的漏區(qū)224b和存儲電極230"可通過形成 兩個(gè)第二接觸孔并接著通過該接觸孔連接至漏極而互相獨(dú)立地部分露出。
如圖5H和6D所示，第三導(dǎo)電層沉積在基板210的整個(gè)表面并接著利用 光刻工序選擇地構(gòu)圖(第五掩模工序)，從而形成源極222、 222n和222p，其 通過第一接觸孔M0a、 2Mna和240np電連接至源區(qū)224a、 224na和"4pb， 以及形成漏極223、 223n和223p，其通過第二接觸孔240b、 240nb和240pb 電連接至漏區(qū)224b、 224nb和224pb。這里，像素區(qū)域的源極222的一部分在 一個(gè)方向上延伸以成為數(shù)據(jù)線217的一部分。同時(shí)，像素區(qū)域的漏極223的一 部分向像素區(qū)域延伸以與下方形成的公共線208重疊并且其間具有第一中間 絕緣層215b和第二中間絕緣層215b'，從而構(gòu)成第二存儲電容器。另外，漏極 223的一部分延伸向像素區(qū)域以形成突出區(qū)240。漏極直接地連接至形成在其 下方的第二導(dǎo)電層圖案250'以通過突出區(qū)240電連接至像素電極218。
通過第五掩模工序選擇性地構(gòu)圖像素區(qū)域的第三導(dǎo)電層和形成在其下方 的第二導(dǎo)電層圖案，從而向外暴露出像素區(qū)域的像素電極218。這里，執(zhí)行該
構(gòu)圖從而第二導(dǎo)電層圖案250"保留在像素電極218的上邊緣以獲得工藝容限。 根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的陣列基板中，有源圖案224'和存儲電極 230"通過單輪掩模工序形成。另外，在構(gòu)圖柵線時(shí)，同時(shí)構(gòu)圖像素電極218， 并且在形成數(shù)據(jù)線時(shí)打開像素區(qū)域以向外暴露像素電極。因此，用于LCD器 件的集成有驅(qū)動(dòng)電路的陣列基板可通過第五掩模工序制造。
根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式，第二中間絕緣層215b'由低介電常數(shù) 的有機(jī)材料形成從而像素電極218可部分地重疊數(shù)據(jù)線217。因此，開口率提 咼。
圖8示出了沿圖4中陣列基板的線A-A'提取的截面圖，其中，第二中間 絕緣層由有機(jī)材料形成。
如所示，根據(jù)第二示例性實(shí)施方式的像素電極218形成在第一絕緣層215a 上，以及由第二導(dǎo)電層組成的第二導(dǎo)電層圖案250"保留在像素電極218的上 邊緣上。在第二導(dǎo)電層圖案250"上，第一中間絕緣層215b和第二中間絕緣層 215b'依次形成。第一中間絕緣層215b由無機(jī)材料形成，以及第二中間絕緣層 215b'由有機(jī)材料形成。數(shù)據(jù)線217可通過用低介電常數(shù)的有機(jī)材料形成第二 中間絕緣層215b'部分地重疊像素電極218。因此，像素區(qū)域的開口率提高。
第二中間絕 緣層可由與形成第一中間絕緣層的相同的無機(jī)材料組成，下面 將詳細(xì)說明。圖9示出了根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施方式描述LCD器件的陣 列基板的示意性截面圖，其中第二中間絕緣層由無機(jī)材料形成。
如圖所示，根據(jù)第三示例性實(shí)施方式的像素電極318形成在第一絕緣層 315a上，以及由第二導(dǎo)電層構(gòu)成的第二導(dǎo)電層圖案350"保留在像素電極318 的上邊緣上。在第二導(dǎo)電層圖案350"上，依次形成第一中間絕緣層315b和第 二中間絕緣層315b'。第一中間絕緣層315b和第二中間絕緣層315b，由無機(jī)材 料形成。
由于第一中間絕緣層315b和第二中間絕緣層315b'由無機(jī)材料形成，數(shù)據(jù) 線317可與像素電極318分開。這里，數(shù)據(jù)線317與像素電極318分開以防止 由于數(shù)據(jù)線317和像素電極318之間產(chǎn)生的寄生電容引起的數(shù)據(jù)干擾。該寄生 電容取決于夾入在數(shù)據(jù)線317和像素電極318之間的絕緣材料，即，第一中間 絕緣層315b和第二中間絕緣層315b'之間的介電常數(shù)。當(dāng)?shù)谝恢虚g絕緣層315b 和第二中間絕緣層315b'由比有機(jī)材料的介電常數(shù)大的無機(jī)材料形成時(shí)，在數(shù)
據(jù)線317和像素電極318之間產(chǎn)生的寄生電容的值增加。為了防止寄生電容增 加，數(shù)據(jù)線317形成為與在其下的像素電極318分開。
當(dāng)然根據(jù)本發(fā)明可以使用其它變型。例如，中間絕緣層可為單層。在另一 示例性的替代例中，如果第一和第二中間絕緣層形成為比本發(fā)明第三示例性實(shí) 施方式更厚，則數(shù)據(jù)線以類似于圖8的結(jié)構(gòu)的方式形成在像素電極上方。
根據(jù)本發(fā)明的陣列基板通過在顯示圖像區(qū)域外圍形成的密封圖案由結(jié)合 鍵與濾色片基板粘接。在粘接后的結(jié)構(gòu)中，液晶材料設(shè)置在陣列基板和濾色片 基板之間。
顯然在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以 對本發(fā)明的液晶顯示器件以及制造方法做出各種改進(jìn)和變型。因此，本發(fā)明意 圖覆蓋所有落入所附權(quán)利要求書及其等效物的范圍之內(nèi)的改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
1.一種制造液晶顯示器件的方法，包括利用單掩模在第一基板的像素區(qū)域、第一電路區(qū)域和第二電路區(qū)域上分別形成有源圖案并在所述像素區(qū)域的所述有源圖案上形成存儲電極；在具有所述有源圖案和所述存儲電極的所述第一基板上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層；構(gòu)圖在所述第一電路區(qū)域的所述第一和第二導(dǎo)電層以由所述第二導(dǎo)電層形成第一柵極；將高濃度的p+離子注入到所述第一電路區(qū)域的所述有源區(qū)中以在所述第一電路區(qū)域的所述有源圖案中形成p+源/漏區(qū)；利用單掩模構(gòu)圖所述第一和第二導(dǎo)電層以在所述第二電路區(qū)域中由所述第二導(dǎo)電層形成第二柵極、在所述像素區(qū)域中由所述第二導(dǎo)電層形成公共線并且在所述像素區(qū)域中由所述第二導(dǎo)電層形成像素電極；在每個(gè)所述像素區(qū)域和所述第二電路區(qū)域的所述有源圖案中形成n+源/漏區(qū)；在所述第一絕緣層、所述第一柵極、所述第二柵極、所述公共線和所述像素電極上形成第一中間絕緣層和第二中間絕緣層；通過部分地除去所述第一絕緣層、所述第一中間絕緣層和所述第二中間絕緣層形成第一接觸孔和第二接觸孔以暴露在所述第一和第二電路區(qū)域的所述有源圖案的所述源區(qū)和漏區(qū)；形成通過所述第一接觸孔分別電連接至所述第一和第二電路區(qū)域的所述有源圖案的所述源區(qū)的源極，并形成通過所述第二接觸孔分別電連接至所述第一和第二電路區(qū)域的所述有源圖案的所述漏區(qū)的漏極；以及粘接所述第一基板與第二基板從而在其間設(shè)置液晶層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成所述第一接觸 孔和第二接觸孔的步驟中，通過部分地除去所述第一中間絕緣層和所述第二中 間絕緣層同時(shí)形成開口以暴出像素區(qū)域。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述有源圖案和 同時(shí)形成存儲電極的步驟包括利用衍射掩模。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的形成所述有源圖案 和同時(shí)形成所述存儲電極的步驟包括利用半色調(diào)掩模。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述像素區(qū)域、所述第一 電路區(qū)域和所述第二電路區(qū)域的所述存儲電極和所述有源圖案通過單輪掩模 工序形成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述像素區(qū)、所述第一電 路區(qū)域和所述第二電路區(qū)域的所述有源圖案由多晶硅薄膜形成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述存儲電極由導(dǎo)電材料 形成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述注入高濃度的p+離子 的步驟包括利用所述第一柵極作為掩模將高濃度的p+離子注入到所述第一電 路區(qū)域以在所述第一電路區(qū)域的所述有源圖案中在所述第一柵極相鄰的部分 形成p+源/漏區(qū)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一電路區(qū)域上形成所述第一柵極的步驟包括用第一阻擋層完全遮蓋所述像素區(qū)域和所述第二電路區(qū)域并部分地遮蓋所述第一電路區(qū)域；以及利用所述第一阻擋層作為掩模選擇性地除去所述第一和第二導(dǎo)電層以形 成所述第一柵極。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述的構(gòu)圖所述第一和第 二導(dǎo)電層以形成所述第二柵極、所述公共線和所述像素電極的步驟包括用第二阻擋層完全遮蓋所述第一電路區(qū)域并部分地遮蓋所述像素區(qū)域和 所述第二電路區(qū)域；利用所述第二阻擋層作為掩模選擇性地除去所述第一和第二導(dǎo)電層以形 成所述第二柵極、所述公共線和所述像素電極。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述的構(gòu)圖所述第一和第 二導(dǎo)電層以形成所述第二柵極、所述公共線和所述像素電極的步驟包括在所述 像素區(qū)域中由所述第二導(dǎo)電層形成第三柵極。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述的利用所述第二阻擋 層選擇性地除去所述第一和第二導(dǎo)電層的步驟中，用濕刻工序過蝕刻所述第二 柵極和所述公共線，以使所述第二柵極和所述公共線的寬度小于所述第二柵極 和所述公共線上方的所述第二阻擋層部分對應(yīng)的寬度。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述的構(gòu)圖所述第一和第 二導(dǎo)電層以形成所述第二柵極、所述公共線和所述像素的步驟包括除去所述第二阻擋層；以及將低濃度的n離子注入到所述像素區(qū)域和所述第二電路區(qū)域的所述有源 圖案中以形成在所述像素區(qū)域和所述第二電路區(qū)域的所述有源圖案中的低摻 雜的漏區(qū)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一中間絕緣層包括 無機(jī)材料。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一中間絕緣層包括 至少兩層，所述兩層中至少一層含有硅的氮化物。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二中間絕緣層包括 有機(jī)材料。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二中間絕緣層包括 無機(jī)材料。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述像素區(qū)域的所述第二 接觸孔同時(shí)暴露所述存儲電極的一部分和所述像素區(qū)域的所述漏區(qū)的一部分。
19. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，由所述第二導(dǎo)電層形成的 第二導(dǎo)電層保留在所述像素電極的上表面。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，還包括所述第二中間絕 緣層上形成部分重疊所述像素電極的數(shù)據(jù)線。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，所述像素電極利用與用于形成所述像素區(qū)域的所述源/漏極相同的掩模工序形成。
22. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，除去所述像素區(qū)域上的 所述第二導(dǎo)電層圖案的一部分以在構(gòu)圖所述數(shù)據(jù)線的同時(shí)暴露所述像素電極。
23. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層包括具有 高透過率的透明導(dǎo)電材料。
24. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層包括具有 低電阻的不透明導(dǎo)電材料。
25. —種用于制造液晶顯示器件的方法，包括在第一基板的像素區(qū)域、第一電路區(qū)域和第二電路區(qū)域上分別形成有源圖 案，并同時(shí)在所述像素區(qū)域的所述有源圖案上形成存儲電極；在具有所述有源圖案和所述存儲電極的所述第一基板上形成絕緣層； 在所述絕緣層上形成導(dǎo)電層；構(gòu)圖所述導(dǎo)電層以在所述第一電路區(qū)域中形成第一柵極、在所述第二電路 區(qū)域中形成第二柵極、在所述像素區(qū)域中形成公共線和在所述像素區(qū)域上形成 像素電極；在所述第一電路區(qū)域的所述有源區(qū)中形成p+源/漏區(qū)；在所述像素區(qū)域和所述第二電路區(qū)域每個(gè)的所述有源圖案中形成n+源/漏區(qū)；在所述絕緣層、所述第一柵極、所述第二柵極、所述公共線和所述像素電 極上形成中間絕緣層；通過部分除去所述絕緣層和所述中間絕緣層形成第一接觸孔和第二接觸 孔以暴露所述在第一和第二電路區(qū)域的所述有源圖案的所述源區(qū)和漏區(qū)；形成分別通過所述第一接觸孔電連接至在所述第一和第二電路區(qū)域的所 述有源圖案的所述源區(qū)的源極；并形成通過所述第二接觸孔分別電連接在所述 第一和第二電路區(qū)域的所述有源圖案的所述漏區(qū)的漏極；以及粘接所述第一基板與第二基板從在二者之間設(shè)置液晶層。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，所述的形成所述導(dǎo)電層 的步驟包括在所述絕緣層上形成第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層。
27. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述的構(gòu)圖所述導(dǎo)電層 的步驟包括構(gòu)圖在所述第一電路區(qū)域中的所述第一和第二導(dǎo)電層以由所述第一導(dǎo)電 層形成第一柵極；以及構(gòu)圖所述第一和第二導(dǎo)電層以同時(shí)在所述第二電路區(qū)域中由所述第二導(dǎo) 電層形成第二柵極、在所述像素區(qū)域中由所述第二導(dǎo)電層形成公共線和在所述 像素區(qū)域中由所述第一導(dǎo)電層形成像素電極。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，所述的形成所述p+源/漏 區(qū)的步驟在所述的構(gòu)圖所述第一和第二導(dǎo)電層以形成所述第一柵極的步驟之 后，并且在所述的構(gòu)圖所述第一和第二導(dǎo)電層以形成所述第二柵極、所述公共 線和所述像素電極的步驟之前實(shí)施。
29. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，所述的形成所述n+源/ 漏區(qū)的步驟在所述的構(gòu)圖所述第一和第二導(dǎo)電層以形成所述第一柵極的步驟 之后，并在所述的構(gòu)圖所述第一和第二導(dǎo)電層以形成所述第二柵極、所述公共 線和所述像素電極的步驟之后實(shí)施。
30. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于，所述的形成所述中間絕 緣層的步驟包括形成第一 中間絕緣層和第二中間絕緣層。
31. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于，所述第二中間絕緣層由 有機(jī)材料形成。
32. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于，所述第一中間絕緣層由 無機(jī)材料組成。
33. 根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，所述第一中間絕緣層包 括至少兩層，其中至少一層含有硅的氮化物。
34. —種液晶顯示器件，包括 具有像素區(qū)域的第一基板； 形成在所述像素區(qū)域上的有源圖案； 形成在具有所述有源圖案的所述第一基板上的絕緣層； 位于所述像素區(qū)域的柵極，所述柵極與具有形成在其中的源和漏區(qū)的所述像素區(qū)域的所述有源圖案相鄰；形成在所述像素區(qū)域中的像素電極，其中所述像素電極由設(shè)置在所述像素 區(qū)域的第一導(dǎo)電材料和沿著所述像素區(qū)域的邊緣設(shè)置在所述第一導(dǎo)電材料上 的第二導(dǎo)電材料形成，以及其中所述柵極由所述第二導(dǎo)電材料形成；形成在所述絕緣層、所述柵極和所述像素電極上的中間絕緣層，其中第一 和第二接觸孔分別貫穿所述絕緣層和所述中間絕緣層至所述源區(qū)和漏區(qū)，以及 其中開口貫穿所述中間絕緣層，用于露出所述像素區(qū)域；源極，通過所述第一接觸孔電連接至所述源區(qū)；漏極，通過所述第二接觸孔電連接至所述漏區(qū)；第二基板，粘接到所述第一基板；以及液晶層，設(shè)置在所述第一和第二基板之間；
35. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述中間絕緣 層包括第一中間絕緣層和第二中間絕緣層。
36. 根據(jù)權(quán)利要求35所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述第一中間 絕緣層由硅的氮化物形成，其中所述第二中間絕緣層包括苯并環(huán)丁烯和丙烯酸 樹脂其中之一。
37. 根據(jù)權(quán)利要求35所述的液晶顯示器件，其特征在于，還包括數(shù)據(jù)線， 在所述第二中間絕緣層上直接在所述像素電極的第二導(dǎo)電材料的一部分上方。
38. 根據(jù)權(quán)利要求37所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述第一中間 絕緣層包括有機(jī)材料。
39. 根據(jù)權(quán)利要求34所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電 材料包括透明導(dǎo)電材料，其中所述第二導(dǎo)電材料包括具有低電阻的不透明導(dǎo)電 材料。
全文摘要
本發(fā)明公開一種制造液晶顯示器件的方法。在第一基板的像素區(qū)域、第一和第二電路區(qū)域上分別形成有源圖案而在像素區(qū)域的有源圖案上形成存儲電極。形成第一絕緣層、第一和第二導(dǎo)電層。構(gòu)圖第一電路區(qū)域中的第一和第二導(dǎo)電層以由第二導(dǎo)電層形成第一柵極，并且向第一電路區(qū)域的有源區(qū)注入p⁺離子形成p⁺源/漏區(qū)。構(gòu)圖第一和第二導(dǎo)電層以在第二電路區(qū)域中由第二導(dǎo)電層形成第二柵極，在像素區(qū)域中由第二導(dǎo)電層形成公共線以及在像素區(qū)域中由第一導(dǎo)電層形成像素電極。N⁺源/漏區(qū)形成在像素區(qū)域和第二電路區(qū)域每個(gè)的有源圖案中。第一和第二中間絕緣層中形成有接觸孔，源極和漏極經(jīng)由接觸孔電連接至第一和第二電路區(qū)域的有源圖案的源區(qū)和漏區(qū)。
文檔編號G02F1/133GK101097332SQ20061014982
公開日2008年1月2日 申請日期2006年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月30日
發(fā)明者李錫宇, 金榮柱 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社