專利名稱：用于去除透明導電膜及光致抗蝕劑的剝離液組合物的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于剝離金屬布線形成中所使用的光致抗蝕劑的剝離液組合物，特別是一種在包含有機胺及溶劑的雙組分以上的剝離液組合物中，含有用于防止金屬布線、并用于去除部分或全部的沉積在金屬布線上或光致抗蝕劑(photoresist)上的透明導電膜的透明導電膜去除劑，并可再包含抗離析用二醇類質子溶劑的用于去除透明導電膜及抗蝕劑(resist)的剝離液組合物。
背景技術：
集成電路(IC)、超大規(guī)模集成電路(VLSI)等的半導體器件和液晶顯示器(LCD)等的制造工程中，通常應用照相平板印刷(Photo-lithography)工程來形成金屬布線。而且，在基板上沉積具有代表性的透明導電膜ITO和IZO，連接用于布線的柵極線(gate line)及數據線等。
為了去除這種用于去除上述光刻過程中的抗蝕劑(resist)，在產業(yè)初期采用了由苯酚及其衍生物和烷基苯磺酸(alkylbenzenesulfonic acid)及氯化物系列有機溶劑所構成的剝離劑溶液。但是，這種剝離劑中含有苯酚類化合物和氯類有機溶劑，因此具有毒性，會腐蝕其下的金屬層，且其廢液難以處理，而且由于非水溶性而使剝離后的清洗工程變得復雜。而且，隨著所加工金屬布線的細微化傾向，增加了金屬和氧化膜的蝕刻條件的難度，加大了光致抗蝕劑的損傷而使抗蝕劑變質。由于存在上述問題，即使采用有機溶劑處理，由于基板上仍會殘留抗蝕劑，因此需要一種具有強剝離力的組合物，一次避免殘留物的存在。
為了改善上述缺點，采用了由有機胺及溶劑構成的水溶性剝離劑。由有機胺及溶劑構成的剝離液，是目前大部分制備方法中普遍采用的剝離液的基本組合。但是，金屬布線時時刻刻快速變化，針對其剝離液也需要相應的變化。而且金屬布線的細微化，促進了光致抗蝕劑因蝕刻工程的變性，因而需要提高其剝離力。而且，所使用的金屬布線類的變化及金屬布線的二重或者三重結構的變化，要求對布線的腐蝕影響達到最小化。
為此，為使線形鏈胺對金屬布線的腐蝕趨于最小，采用了環(huán)形胺，并且為防止在作為非單層金屬布線的、二重或者三重金屬布線中產生的賈凡尼效應(galvanic effect)，采用了防腐劑等材料。
如上所述的現有技術，其作為包含有機胺及溶劑的雙組分以上的剝離液組合物，雖然在提高防腐及剝離性等方面取得了預期的效果，但在部分或全部地去除透明導電膜方面上，目前還沒有顯著的改善效果。即，除了利用酸的蝕刻劑以外，尚沒有發(fā)現在去除透明導電膜上具有顯著效果的剝離液。但是，蝕刻劑(etchant)對金屬具有致命的影響，也不能去除光致抗蝕劑，因此不適合將其作為具有上述功能的剝離液來使用。

發(fā)明內容
為了解決現有技術中所存在的上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種不但可以去除光致抗蝕劑，而且還可以去除部分或全部透明導電膜的透明導電膜去除劑，并提供一種包括所述透明導電膜去除劑的剝離液組合物。其中，所述透明導電膜去除劑含有硫磺類添加劑等添加劑，以去除難以通過現有剝離液組合物去除的透明導電膜。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種可降低有機胺和上述添加劑之間反應的二醇類質子溶劑，并提供一種通過將所述二醇類質子溶劑包含在由有機胺和溶劑組成的剝離液組合物中而防止離析的剝離液組合物。
本發(fā)明組合物中含有透明導電膜去除劑，因此，不僅對用于形成金屬布線的透明導電膜具有優(yōu)異的去除力，而且對抗蝕劑也具有良好的去除效果。所以，在不導致制造工序中所不希望出現的Al、Mo等下部金屬膜上金屬布線被腐蝕的情況下，便可完全去除及清洗透明導電膜和抗蝕劑。而且，本發(fā)明可調整在基板上為生成透明電極而全面涂布的透明導電膜的去除比率，以實現整體透明導電膜的去除，或者可部分地或有選擇地去除透明導電膜。
具體實施例方式
為了達到上述目的，本發(fā)明提供一種透明導電膜去除劑，其包括選自由以下化學式1所示的化合物、由化學式2所示的化合物、由化學式3所示的2-巰基丙酸(硫羥乳酸)(2-Mercaptopropionicacid)(Thiolactic acid)、由化學式4所示的N-(2-巰基丙酰)甘氨酸(N-(2-mercaptopropionyl)glycine)、化學式5所示的硫代苯甲酸以及草酰乙酸中至少一種化合物。
[化學式2] [化學式4] [化學式5] 其中，上述化學式1及化學式2中，R和R’分別是由選自碳原子數為1～10的烷基、羥烷基(烷基醇)(hydroxyalkyl(alkyl alcohol)group)、烷基胺、羧酸基及硫代酸基中的獨立的基團。)上述透明導電膜去除劑，還可以包含作為抗離析劑使用的極性溶劑，所述極性溶劑占全體組分的10～20wt％。
根據本發(fā)明的透明導電膜及光致抗蝕劑的剝離液組合物，基于包含有機胺及溶劑的100重量份組合物，含有0.1～10重量份的透明導電膜去除劑。
上述組合物中，所述溶劑最好還包括作為抗離析劑來使用的質子極性溶劑，所述質子極性溶劑占全體組分的10～20wt％。
本發(fā)明的組合物中，基于含有5～50wt％有機胺及50～95wt％質子極性溶劑的100重量份組合物，可以含有0.01～10重量份的量的透明導電膜去除劑。
而且，上述組合物，基于含有5～50wt％有機胺及50～95wt％質子極性溶劑的100重量份組合物，含有0.01～10重量份透明導電膜去除劑。其中，所述質子極性溶劑中含有10～20wt％的作為抗離析劑使用的質子極性溶劑。
上述組合物，基于含有5～50wt％有機胺及50～95wt％非質子極性溶劑(aprotic polar solvent)的100重量份組合物，含有0.01～10重量份的透明導電膜去除劑。
上述組合物，基于含有5～50wt％有機胺及50～95wt％非質子極性溶劑的100重量份組合物，含有0.01～10重量份的透明導電膜去除劑。其中，所述非質子極性溶劑中含有10～20wt％的作為抗離析劑使用的質子極性溶劑(protic polar solvent)。
上述組合物，基于含有5～50wt％有機胺、10～80wt％質子極性溶劑及15～70wt％非質子極性溶劑的100重量份組合物，含有0.01～10重量份的透明導電膜去除劑。
上述組合物，基于含有5～50wt％有機胺、10～80wt％質子極性溶劑及15～70wt％非質子極性溶劑的100重量份組合物，含有0.01～10重量份的透明導電膜去除劑。其中，所述質子極性溶劑中含有10～20wt％的作為抗離析劑使用的質子極性溶劑。
以下，詳細說明本發(fā)明。
有機胺在光致抗蝕劑剝離系統(tǒng)中起著重要的作用。有機胺具有強堿性，它強力滲透至在干式或者濕式蝕刻、灰化(ashing)或者離子注入等各種工序下變質或被交聯的抗蝕劑高分子基體中，以割斷或減弱該高分子基體的分子內或分子間的鍵結合，從而使剝離液的去除變得容易。因而從產業(yè)初期開始一直沿用到現在。
本發(fā)明的剝離液組合物，通過在其中添加能夠去除透明導電膜的少量物質的含有硫磺的有機酸，以此具有現有剝離液所不具備的透明導電膜去除功能。即，本發(fā)明通過使用含硫磺有機酸添加劑，形成透明導電膜，并分離出銦和氧化物來去除透明導電膜。而且，本發(fā)明所使用的有機酸添加劑是含巰基類的添加劑，其以物理或者化學方式吸附于金屬上，防止金屬的腐蝕。
而且，本發(fā)明中作為抗離析劑來使用質子極性溶劑，所述質子極性溶劑將去除和緩解在胺和有機酸的反應、及剝離液和有機酸的反應中所生成的離析物，由此使本發(fā)明得以長期使用。本發(fā)明通過將質子極性溶劑作為抗離析劑使用，可在長時間內抑制因有機胺及含硫磺有機酸的反應而生成的離析物，便可去除透明導電膜及抗蝕劑。
特別是，本發(fā)明中透明導電膜去除劑之所以包含硫磺，是因為硫磺對去除IZO透明導電膜具有顯著的性能，上述IZO透明導電膜在緊缺錫的現狀下作為ITO透明導電膜的替代物而被使用。
因此，本發(fā)明提供一種能夠去除透明導電膜、并可防止金屬布線腐蝕的透明導電膜去除劑，并且提供一種在由有機胺及溶劑組成的雙組分以上剝離組合物中包含所述透明導電膜去除劑的剝離液組合物。而且，本發(fā)明可提供一種含有二醇類質子溶劑的剝離液組合物，所述二醇類質子極性溶劑可通過降低上述透明導電膜去除劑的反應性而防止金屬布線的腐蝕。
本發(fā)明中所述透明導電膜去除劑，最好包括選自-SH、-OH、-COOH等中至少一種官能團的化合物，這樣具有去除透明導電膜的效果。而且，在上述-SH和胺中-NH2的反應中所生成的新的有機酸，也對去除透明導電膜具有良好的效果。上述-SH、-OH官能團，通過物理、化學方式吸附于金屬上，并具有突出的抗腐蝕性能。
上述透明導電膜去除劑，也可通過單一成分去除透明導電膜，而且通過與剝離液組合物之間的反應，對于去除透明導電膜具有更加突出的性能，同時還具有可維持對金屬布線的抗腐蝕現象的特征。
上述透明導電膜，包括選自由以下化學式1所示的化合物、由化學式2所示的化合物、由化學式3所示的2-巰基丙酸(硫羥乳酸)、由化學式4所示的N-(2-巰基丙酰)甘氨酸、由化學式5所示的硫代苯甲酸等巰基類化合物和草酰乙酸等草酸類化合物中的至少一種化合物。
[化學式2] [化學式4] [化學式5] 其中，上述化學式1及化學式2中，R和R’分別是由選自碳原子數為1～10的烷基、羥烴基(脂肪醇)、烷基胺、羧酸基以及硫代酸基中的獨立的基團。而且，在本發(fā)明中，所述透明導電膜去除劑里還可以包含作為抗離析劑使用的10～20wt％的質子極性溶劑。而且，在剝離液組合物中的溶劑里，可以多含有10～20wt％的上述抗離析劑。上述抗離析劑，可以使用與極性溶劑相同的化合物，并且乙二醇的效果為最佳。
本發(fā)明的組合物中，有機胺最好是選自鏈胺形態(tài)胺中的至少一種。上述鏈胺為，單乙醇胺、乙二胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、2-(2-氨乙基氨基)乙醇(2-(2-aminoethylamino)ethanol)、1-氨基-2-丙醇、二乙醇胺、亞氨基二丙胺、2-甲氨基乙醇、N-甲基乙醇胺、三乙胺基乙醇等。
本發(fā)明中，當有機胺為選自上述有機胺中一種或一種以上時，基于全體組合物，含有5～50wt％為佳。此時，如果胺的含量低于5wt％，就會降低抗蝕劑去除性能。如果胺的含量超過50wt％，就會加重腐蝕現象。
本發(fā)明所使用的溶劑，可以是質子極性溶劑、非質子極性溶劑或者其混合物。而且，基于由胺和溶劑所組成的組合物100重量份，可以含有50～99wt％的該溶劑。
在高溫條件下進行抗蝕劑去除工序時，所述質子極性溶劑因其高沸點而不易揮發(fā)，因此可保持剝離液使用初始的組分比，由此使剝離液的性能持續(xù)下去。而且，上述質子極性溶劑在高溫條件下降低抗蝕劑對下層膜的表面作用力，從而使光致抗蝕劑易于剝離。此外，上述質子極性溶劑的低冰點和高著火點也有助于穩(wěn)定的儲存。另外，其具有溶解有機胺和含硫磺有機酸的反應而生成的離析物的作用，并具有降低上述反應的作用，因此，其可阻礙在TFT-LCD制備過程中可能會發(fā)生的致命的離析物，或者阻礙反應物的生成。
這種質子極性溶劑可使用能與胺類相混合、且可幾乎無限地溶解于水中的化合物。例如，可使用選自屬于乙二醇類的乙二醇、乙二醇甲醚(ethyleneglycol methyl ether)、乙二醇乙醚、乙二醇丁醚、以及屬于二甘醇單烷基醚類的二乙二醇甲醚、二乙二醇乙醚、二乙二醇丁醚等中的至少一種。
當使用雙組分組合物時，基于全體組合物，最好使用50～95wt％的所述質子極性溶劑。此時，如果其含量低于50wt％，就會相對增加胺的含量，從而導致腐蝕現象的加重和離析物的產生，從而縮短剝離液的使用時間。如果其含量超過95wt％，會降低剝離性能，從而導致剝離液使用時間的縮短。當使用三組分以上的組合物時，基于全體組合物，最好使用10～88wt％的所述質子極性溶劑。此時，如果其含量低于10wt％，就會相對增加非質子極性溶劑及胺化合物的wt％，從而加重金屬布線的腐蝕，降低對由胺化合物及非質子極性溶劑所形成的凝膠高分子的溶解能力，導致抗蝕劑去除能力的降低。如果其含量超過80wt％，就會相對降低非質子極性溶劑的wt％，從而導致抗蝕劑去除能力的降低。
本發(fā)明中，上述非質子極性溶劑將由胺化合物所剝離的高分子凝膠塊溶解成細小的分子。特別是，可防止主要在清洗工序中抗蝕劑重新吸附的不良現象。所述非質子極性溶劑可使用選自二甲基亞砜、N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基咪唑(N，N-dimethylimidazole)、γ-丁內脂、環(huán)丁砜中的至少一種。
當剝離液組合物為雙組分時，基于全體組合物，所述非質子極性溶劑的含量最好是50～95wt％。此時，如果其含量低于50wt％，就會相對增加胺的含量而加深腐蝕。如果其含量超過95wt％，就會降低抗蝕劑去除性能。當剝離液組合物為三組分時，基于全體組合物，所述非質子極性溶劑的含量最好是15～70wt％。此時，如果其含量低于15wt％，就會降低抗蝕劑去除性能，如果其含量超過70wt％，就會加深金屬布線的腐蝕，而且相對降低質子極性溶劑即乙二醇醚的wt％而降低抗蝕劑去除能力及清洗能力。
而且，本發(fā)明中，當所述溶劑為上述質子極性溶劑、非質子極性溶劑或者其混合物時，在剝離液中，最好是還包含10～20wt％的用于抑制產生離析物的質子極性溶劑的添加劑。此時，如果用于抑制產生離析物及長時間使用的質子極性溶劑的使用量低于10wt％，便很難調整離析作用。而如果超過20wt％，就會降低透明導電膜去除能力，不易長時間使用。
本發(fā)明的剝離液組合物中，基于由胺和溶劑所組成的組合物100重量份，含有0.1～10重量份的所述透明導電膜去除劑。此時，如含量低于0.1重量份，則不能去除透明導電膜。如超過10重量份，則對剝離液內的析出和光致抗蝕劑的剝離造成困難。
本發(fā)明的剝離液組合物的制備方法，并沒有特別的限制，可以用常規(guī)方法將上述組分混合而制備。之后，本發(fā)明用涂布機來涂布光致抗蝕劑，并以常規(guī)方法來進行圖案化。本發(fā)明的剝離液組合物的使用量，根據感光樹脂與膜厚，可進行調整。上述透明導電膜包含ITO、IZO等通常的透明電極，只要是能夠包含在用于半導體或者液晶顯示器等的基板上的，均可以包括，并沒有特別的限制。
以下，通過實施例和比較例來進一步詳細說明本發(fā)明。下述實施例只是說明本發(fā)明而示出的例子，而并不局限于此。
實施例(實施例1～23及比較例1～5)根據下表1所示的組成與含量，混合各成分，制備出光致抗蝕劑剝離液組合物(單位重量份)。
為了評價本發(fā)明中用于去除透明導電膜及光致抗蝕劑的剝離液組合物及比較例中剝離液組合物，進行了以下剝離性測試。
(剝離性測試)為了確認當添加用于去除透明導電膜的添加劑之后剝離力的變化，進行了剝離性測試，并將其結果示在表1中。
以濺射法在玻璃基板上涂布1500～500厚度的IZO透明導電膜之后，將此玻璃作為試片使用，并利用可剝離出上述透明導電膜和光致抗蝕劑的組合物，去除IZO。而且，為了測試剝離液組合物對光致抗蝕劑的去除效果，以2500rpm轉速，將通常使用的正型(positive type)組合物(DTFR-3650B，Dongjin Semichem商品名)旋涂在玻璃基板上，并以100℃的溫度，于熱平板上進行90秒的熱處理。之后，以納米單位測量1.5μm的涂膜厚度，繼而進行曝光、顯影之后，在170℃溫度下，對晶片(wafer)進行20分鐘的熱處理，以此獲得抗蝕劑薄膜。將所述實施例及比較例中的剝離液的溫度維持在70℃的條件下，在其中浸漬所述晶片(wafer)，并根據下面的評價標準評價其剝離性能。所述浸漬分別在剛剛制造完畢時和在70℃條件下揮發(fā)24小時之后進行。而且，在將上述光致抗蝕劑進行熱處理之后的晶片上，用濺射法沉積IZO透明導電膜之后，將下述實施例及比較例中剝離液的溫度保持70℃的條件下，將其浸漬在剝離液中，并根據以下評價標準評價其剝離性能。所述浸漬分別在晶片剛剛制造完畢時和在70℃條件下揮發(fā)24小時之后進行。
◎...浸漬后20分鐘以內去除○...浸漬后30分鐘以內去除△...浸漬后60分鐘以內去除×...浸漬后沒有去除但是，當出現離析現象時，因無法在TFT-LCD制備過程中使用，沒有必要進行剝離力評價，因此省略了評價。
表1


注以上表中MEA表示單乙醇胺(monoethanol amine)NMEA表示N-甲基乙醇胺(N-methyl ethanol amine)MIPA表示1-氨基-2-丙醇(1-amino-2-propanol)AEE表示2-(2-氨基乙氧基)乙醇(2-(2-aminoethoxy)ethanol)DEGBE表示二乙二醇丁醚(diethyleneglycol butyl ether)NMP表示N-甲基吡咯烷酮(N-methyl-pyrolidone)EG表示乙二醇(ethyleneglycol)
EGME表示乙二醇甲醚(ethyleneglycol methyl ether)ADD-1以上述化學式1表示的化學制劑ADD-2以上述化學式2表示的化學制劑ADD-3以上述化學式3表示的化學制劑ADD-4以上述化學式4表示的化學制劑ADD-5以上述化學式5表示的化學制劑從上述表1的結果中可以看出，因本發(fā)明中含有用于去除透明導電膜的添加劑，因此與1～6比較例相比，具有優(yōu)異的剝離力，并且不出現離析現象。
權利要求
1.一種透明導電膜去除劑，包括選自由化學式1所示的化合物、由化學式2所示的化合物、由化學式3所示的2-巰基丙酸、由化學式4所示的N-(2-巰基丙酰)甘氨酸、由化學式5所示的硫代苯甲酸以及草酰乙酸中的至少一種化合物，[化學式1] [化學式2] [化學式3] [化學式4] [化學式5] 其中，上述化學式1及化學式2中，R和R’分別選自碳原子數為1～10的烷基、羥烴基、烷基胺、羧酸基及硫代酸基中的獨立的基團。
2.根據權利要求1所述的透明導電膜去除劑，其特征在于它還包括極性溶劑作為抗離析劑，所述極性溶劑在全體組分中占10～20wt％。
3.根據權利要求2所述的透明導電膜去除劑，其特征在于上述抗離析劑為乙二醇。
4.一種用于去除透明導電膜及光致抗蝕劑的剝離液組合物，其特征在于基于包含有機胺及溶劑的100重量份組合物，含有0.1～10重量份的透明導電膜去除劑。
5.根據權利要求4所述的用于去除透明導電膜及光致抗蝕劑的剝離液組合物，其特征在于上述透明導電膜去除劑，包括選自由以下化學式1所示的化合物、由化學式2所示的化合物、由化學式3所示的2-巰基丙酸、由化學式4所示的N-(巰基丙酰)甘氨酸由化學式5所示的硫代苯甲酸以及草酰乙酸中的一種以上化合物，[化學式1] [化學式2] [化學式3] [化學式4] [化學式5] 其中，上述化學式1及化學式2中，R和R’分別選自碳原子數為1～10的烷基、羥烴基、烷基胺、羧酸基及硫代酸基中的獨立的基團。
6.根據權利要求4所述的用于去除透明導電膜及光致抗蝕劑的剝離液組合物，其特征在于基于包含有機胺及溶劑的100重量份組合物，上述胺的含量占1～50重量份。
7.根據權利要求4所述的用于去除透明導電膜及光致抗蝕劑的剝離液組合物，其特征在于上述有機胺是選自單乙醇胺、乙二胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、2-(2-氨乙基氨)乙醇、1-氨基-2-丙醇、二乙醇胺、亞氨基二丙胺、2-甲氨基乙醇、N-甲基乙醇胺、三乙胺基乙醇中的至少一種鏈胺化合物。
8.根據權利要求4所述的用于去除透明導電膜及光致抗蝕劑的剝離液組合物，其特征在于上述溶劑為質子極性溶劑或非質子極性溶劑，或者其混合物。
9.根據權利要求8所述的用于去除透明導電膜及光致抗蝕劑的剝離液組合物，其特征在于上述質子極性溶劑是選自乙二醇、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二醇丁基醚、二乙二醇甲醚、二乙二醇乙醚、二乙二醇丁基醚中的至少一種乙二醇醚化合物。
10.根據權利要求8所述的用于去除透明導電膜及光致抗蝕劑的剝離液組合物，其特征在于上述非質子極性溶劑是選自N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基咪唑、γ-丁內脂、環(huán)丁砜以及二甲基亞砜中的至少一種。
11.根據權利要求4所述的用于去除透明導電膜及光致抗蝕劑的剝離液組合物，其特征在于上述溶劑中，作為抗離析劑還包括質子極性溶劑，所述質子極性溶劑占全體組分的10～20wt％。
12.根據權利要求11所述的用于去除透明導電膜及光致抗蝕劑的剝離液組合物，其特征在于上述抗離析劑為乙二醇。
13.根據權利要求4所述的用于去除透明導電膜及光致抗蝕劑的剝離液組合物，其特征在于基于含有5～50wt％有機胺、50～95wt％質子極性溶劑的100重量份組合物，含有0.01～10重量份的用于去除透明導電膜的添加劑，其中，所述質子極性溶劑中含有10～20wt％的作為抗離析劑使用的質子極性溶劑。
14.根據權利要求4所述的用于去除透明導電膜及光致抗蝕劑的剝離液組合物，其特征在于基于含有5～50wt％有機胺及50～95wt％非質子極性溶劑的組合物100重量份，含有0.01～10重量份的用于去除透明導電膜的添加劑。
15.根據權利要求4所述的用于去除透明導電膜及光致抗蝕劑的剝離液組合物，其特征在于基于含有5～50wt％有機胺、50～95wt％非質子極性溶劑的組合物100重量份，含有0.01～10重量份的用于去除透明導電膜的添加劑，其中，所述非質子極性溶劑中含有10～20wt％的作為抗離析劑使用的質子極性溶劑。
16.根據權利要求4所述的用于去除透明導電膜及光致抗蝕劑的剝離液組合物，其特征在于基于含有5～50wt％有機胺、10～80wt％質子極性溶劑及15～70wt％非質子極性溶劑的組合物100重量份，含有0.01～10重量份的用于去除透明導電膜的添加劑。
17.根據權利要求4所述的用于去除透明導電膜及光致抗蝕劑的剝離液組合物，其特征在于基于含有5～50wt％有機胺、10～80wt％質子極性溶劑、15～70wt％非質子極性溶劑的組合物100重量份，含有0.01～10重量份的用于去除透明導電膜的添加劑，其中，所述質子極性溶劑中含有10～20wt％的作為抗離析劑使用的質子極性溶劑。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于去除光致抗蝕劑和透明導電膜的剝離液組合物。具體地，本發(fā)明提供一種能去除半導體裝置上透明導電膜的有機酸類透明導電膜去除劑及由有機胺及溶劑組成的雙組分以上的剝離液組合物中包含上述去除劑的剝離液組合物。該組合物還可再含有作為抗離析劑使用的乙二醇醚化合物。本發(fā)明組合物中含有有機酸類透明導電膜去除劑，由此可去除透明導電膜。而且，上述透明導電膜去除劑中含有硫磺，也可作為防腐劑使用，可防止下部金屬膜的金屬布線的腐蝕，由此在保存由目前的LCD制備過程所制作出的金屬圖案的條件下，可以去除已形成圖案的光致抗蝕劑，并有選擇地或全部地去除涂敷在金屬布線上光致抗蝕劑上的透明電極和位于金屬布線上的透明電極。
文檔編號G03F7/42GK1920672SQ20061011138
公開日2007年2月28日 申請日期2006年8月24日 優(yōu)先權日2005年8月25日
發(fā)明者金柄郁, 尹錫壹, 金瑋溶, 許舜范 申請人:東進世美肯株式會社