專利名稱：一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管液晶顯示器及其制造方法，特別涉及一種三次光 刻工藝制作的薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前在常規(guī)薄膜晶體管液晶顯示器件制造的方法中，陣列工藝使用五次 光刻掩模版的方法， 一部分采用四次光刻掩模版的方法，其中四次光刻掩模版主要采用灰色調(diào)(Gray Tone)掩模版的技術(shù)對(duì)薄膜晶體管的溝道部分的 源漏金屬電極和有源層部分進(jìn)行刻蝕。此結(jié)構(gòu)的在常規(guī)四次光刻掩模版的工藝順序包括 首先，利用常規(guī)的柵工藝形成柵層，然后沉積柵絕緣層。 接著，沉積半導(dǎo)體有源層，摻雜層，源漏金屬層。利用Gray Tone掩模 版形成薄膜晶體管的小島，進(jìn)行灰化工藝，暴露溝道部分，刻蝕溝道部分的 金屬層，刻蝕溝道部分的摻雜層、有源層。在此步工藝中由于需要對(duì)有源層， 金屬層，還有摻雜層的刻蝕，所以在光刻工藝中需要對(duì)Gray Tone溝道部分 的光刻膠的控制相當(dāng)嚴(yán)格，另外刻蝕的選擇比和均勻性均有很高的要求。所 以對(duì)于工藝的容差要求非常高。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提出一種薄膜晶體管液晶顯示器 陣列結(jié)構(gòu)及其三次光刻工藝制作該結(jié)構(gòu)的辦法，降低對(duì)工藝容差的要求以及 簡(jiǎn)化薄膜晶體管的設(shè)計(jì)。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)， 包括玻璃基板、柵線、柵電極、第一柵絕緣層、有源層、摻雜層、第二絕 緣層、源電極、漏電極、像素電極及鈍化層，其中柵電極和柵線上依次為第 一絕緣層、有源層和摻雜層；第二絕緣層覆蓋在玻璃基板上、柵線上及柵電 極周邊邊緣處；像素電極與漏電極呈一體位于第二絕緣層上方，且在形成漏 電極的位置與柵電極上的摻雜層搭接；源電極和數(shù)據(jù)線上方覆蓋有透明像素 電極層，該透明像素電極層在靠近溝道處搭接在柵電極上的摻雜層上；鈍化 層覆蓋在像素電極及漏電極之外的部分。其中，所述柵線和柵電極為AlNd、 Al、 Cu、 Mo、 MoW或Cr的單層膜， 或者為AlNd、 Al、 Cu、 Mo、 MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。所述 第一絕緣層或第二絕緣層為SiNx、 SiOx或SiOxNy的單層膜，或者為SiNx、 Si0x或Si0xNy之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。所述源電極、數(shù)據(jù)線或漏 電極為Mo、 MoW或Cr的單層膜，或者為Mo、 MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu) 成的復(fù)合膜。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明同時(shí)提供了 一種薄膜晶體管液晶顯示器像素 結(jié)構(gòu)的制造方法，包括步驟一，在潔凈的基板上依次沉積柵金屬層，第一柵絕緣層，有源層， 摻雜層，采用第一塊掩模版進(jìn)行掩模、曝光并進(jìn)行蝕刻，得到柵小島圖形和 柵線；步驟二，在完成步驟一基板上依次沉積第二絕緣層和源漏金屬層，采用 第二塊掩模版，該掩模版為灰色調(diào)掩模版，經(jīng)過(guò)曝光顯影后得到無(wú)光刻膠區(qū) 域，保留部分光刻膠區(qū)域和保留全部光刻膠區(qū)域；刻蝕無(wú)光刻膠區(qū)域露出薄 膜晶體管溝道部分的摻雜層，此時(shí)柵小島圖形的周邊保留部分第二絕緣層及 其上的源漏金屬層和光刻膠；完成刻蝕后，對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化工藝，全部去 除保留部分光刻膠區(qū)域的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區(qū)域的 光刻膠，露出像素電極和漏電極區(qū)域的源漏金屬層；并接著對(duì)像素電極和漏 電極區(qū)域的源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，完成刻蝕后，采用光刻膠離地剝離工藝，
剝離數(shù)據(jù)線和漏電極上方的光刻膠；步驟三，在完成步驟二基板上沉積透明像素電極，采用第三塊掩模板， 該掩模版為灰色調(diào)掩模版，經(jīng)過(guò)曝光顯影后得到無(wú)光刻膠區(qū)域，保留部分光刻膠區(qū)域和保留全部光刻膠區(qū)域；刻蝕無(wú)光刻膠區(qū)域得到薄膜晶體管溝道部 分；完成刻蝕后，對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化工藝，去除保留部分光刻膠區(qū)域的光刻 膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區(qū)域的光刻膠，露出數(shù)據(jù)線和源電極 上方的像素電極層；接著沉積一層鈍化層，并結(jié)合光刻膠離地剝離工藝，剝 離掉像素電極、源電極及源電極與摻雜層搭接部分區(qū)域上方的光刻膠。其中，所述第二塊掩膜版經(jīng)過(guò)曝光顯影后保留全部光刻膠的區(qū)域包括形 成數(shù)據(jù)線區(qū)域和源電極區(qū)域；保留部分光刻膠區(qū)域包括像素電極、源電極區(qū) 域。所述步驟二中刻蝕無(wú)光刻膠區(qū)域包括刻蝕源漏金屬層和第二絕緣層。所 述第三塊掩膜版經(jīng)過(guò)曝光顯影后保留全部光刻膠的區(qū)域包括形成像素電極、 源電極及源電極與摻雜層搭接部分區(qū)域的光刻膠；保留部分光刻膠區(qū)域包括 形成數(shù)據(jù)線和源電極上透明像素電極層，及像素電極層與柵電極上的摻雜層 相搭接部分區(qū)域；其他部分為無(wú)光刻膠區(qū)域。所述刻蝕無(wú)光刻膠區(qū)域得到薄 膜晶體管溝道部分包括像素電極層刻蝕和摻雜層的刻蝕。本發(fā)明由于相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，利用灰色調(diào)掩模版形成了源漏金屬層和溝 道；同時(shí)巧妙的運(yùn)用Lift-off技術(shù)形成了鈍化層圖形，實(shí)現(xiàn)了三次光刻掩模 版形成薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及方法，提高了工藝的可行性，同時(shí)節(jié)約陣列工藝的 成本和占機(jī)時(shí)間，提高產(chǎn)能。下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步更為詳細(xì)地說(shuō)明。


圖la為本發(fā)明第一層掩模版光刻后圖形；圖lb為本發(fā)明中第一層掩模版掩模、曝光后圖la溝道部分A-A'截面圖形；
圖lc為本發(fā)明第一層刻蝕剝離后圖la溝道部分A-A'截面圖形； 圖2a為本發(fā)明第二掩模版(灰色調(diào)掩模版)光刻完成后平面圖形； 圖2b為本發(fā)明第二掩模版(灰色調(diào)掩模版)掩模、曝光后圖2a溝道B -B'截面圖形；圖2c本發(fā)明第二掩模版(灰色調(diào)掩模版)掩模、曝光和源漏金屬層和 第二絕緣層刻蝕后圖2a溝道B-B'截面圖形；圖2d為本發(fā)明第二掩模版(灰色調(diào)掩模版)后對(duì)應(yīng)的光刻膠灰化后圖 2a溝道B-B'截面圖形；圖2e為本發(fā)明第二次掩模板后(灰色調(diào)掩模版)對(duì)應(yīng)的漏極金屬刻蝕 后圖2a溝道B-B'截面圖形；圖2f為本發(fā)明第二次掩模板后對(duì)應(yīng)的刻蝕剝離后圖2a溝道B-B'截面圖形；圖3a為本發(fā)明第三塊掩模版后(灰色調(diào)掩模版)光刻完成后平面圖形； 圖3b為本發(fā)明第三掩模版(灰色調(diào)掩模版)掩模、曝光后圖3a溝道C -C'截面圖形；圖3c為本發(fā)明第三掩模版(灰色調(diào)掩模版)掩模、曝光和溝道摻雜層 刻蝕完成后圖3a溝道C-C'截面圖形；圖3d為本發(fā)明第三掩模版(灰色調(diào)掩模版)溝道摻雜層刻蝕完成后對(duì) 應(yīng)光刻膠灰化后圖3a溝道C-C'截面圖形；圖3e為本發(fā)明第三掩模版(灰色調(diào)掩模版)光刻膠灰化后對(duì)應(yīng)鈍化層 沉積后圖3a溝道C-C'截面圖形；圖3f為本發(fā)明第三掩模版(灰色調(diào)掩模版)鈍化層沉積后對(duì)應(yīng)光刻膠 離地剝離工藝(Lift-off )后圖3a溝道C-C'截面圖形。圖中標(biāo)記20、基板；21、柵金屬層；22、第一柵絕緣層；23、有源層； 24、摻雜層；25、第一次光刻光刻膠圖形；26、第二絕緣層；27、源漏金屬 層；28、第二次光刻光刻膠完全保留部分；29、第二次光刻光刻膠部分保留
部分；30、像素電極層；31、第三次光刻光刻膠部分保留部分；32 、第三 次光刻光刻膠完全保留部分；33、鈍化層。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)，包括基板、柵線、柵 電極、第一絕緣層、有源層、摻雜層、第二絕緣層、源電極、漏電極、像素 電極及鈍化層等部分，這些組成部分與現(xiàn)有技術(shù)沒有差異，其與現(xiàn)有技術(shù)中 的像素結(jié)構(gòu)相區(qū)別的特征在于柵電極和柵線上依次為第一絕緣層、有源層 和摻雜層；第二絕緣層覆蓋在玻璃基板、柵線及柵電極周邊邊緣處；像素電 極與漏電極呈一體位于第二絕緣層上方，且在形成漏電極的位置與柵電極上 的摻雜層搭接；源電極和數(shù)據(jù)線上方覆蓋有透明像素電極層，該透明像素電 極層在靠近溝道處搭接在柵電極上的摻雜層上；鈍化層覆蓋在像素電極及漏 電極之外的部分。本發(fā)明柵線和柵電極可以為AlNd、 Al、 Cu、 Mo、 MoW或Cr的單層膜，或 者為AlNd、 Al、 Cu、 Mo、 MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。本發(fā)明第一絕緣層或第二絕緣層可以為SiNx、 Si0x或Si0xNy的單層膜， 或者為SiNx、 Si0x或SiOxNy之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。本發(fā)明的源電極、數(shù)據(jù)線或漏電極為Mo、 MoW或Cr的單層膜，或者為 Mo、 MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。本發(fā)明同時(shí)提供了該像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括步驟一，在潔凈的基板上依次沉積柵金屬層，第一柵絕緣層，有源層， 摻雜層，采用第一塊掩模版進(jìn)行掩模、曝光并進(jìn)行蝕刻，得到柵小島圖形和 柵線；步驟二，在完成步驟一基板上依次沉積第二絕緣層和源漏金屬層，采用 第二塊掩模版，該掩模版為灰色調(diào)掩模版，經(jīng)過(guò)曝光顯影后得到無(wú)光刻膠區(qū) 域，保留部分光刻膠區(qū)域和保留全部光刻膠區(qū)域。其中，保留全部光刻膠的
區(qū)域包括形成數(shù)據(jù)線區(qū)域和源電極區(qū)域；保留部分光刻月交區(qū)域包4舌漏電極區(qū)域和像素電極區(qū)域；其他部分為無(wú)光刻膠區(qū)域。刻蝕無(wú)光刻膠區(qū)域露出薄膜晶體管溝道部分的摻雜層，此時(shí)柵小島圖形的周邊要保留部分第二絕緣層及其上的源漏金屬層和光刻膠；完成刻蝕后，對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化工藝，全部去 除保留部分光刻膠區(qū)域的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區(qū)域的 光刻膠，露出像素電極和漏電極區(qū)域的源漏金屬層；并接著像素電極和漏電 極區(qū)域的源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，完成刻蝕后，采用光刻膠剝離工藝，剝離漏 電極上方的光刻膠；步驟三，在完成步驟二基板上沉積透明像素電極層，采用第三塊掩模板， 該掩模版為灰色調(diào)掩模板，經(jīng)過(guò)曝光顯影后得到無(wú)光刻膠區(qū)域，保留部分光 刻膠區(qū)域和保留全部光刻膠區(qū)域；其中，保留全部光刻膠的區(qū)域包括形成像 素電極、源電極及源電極與摻雜層搭接部分區(qū)域的光刻膠；保留部分光刻膠 區(qū)域包括形成數(shù)據(jù)線、源電極上透明像素電極層及其與柵電極上的摻雜層搭 接部分區(qū)域；其他部分為無(wú)光刻膠區(qū)域。刻蝕無(wú)光刻膠區(qū)域得到薄膜晶體管 溝道部分；完成刻蝕后，對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化工藝，全部去除保留部分光刻膠 區(qū)域的光刻膠，即數(shù)據(jù)線和源電極上透明像素電極層，及透明像素電極層與 柵電極上的摻雜層搭接部分上方的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻 膠區(qū)域的光刻膠，即像素電極、與像素電極為一體的漏電極及漏電極與摻雜 層搭接部分區(qū)域的光刻膠；然后，接著沉積一層鈍化層，并結(jié)合光刻膠離地 剝離工藝，剝離掉鈍化層以及像素電極、與像素電極為一體的漏電極及漏電 極與摻雜層搭接部分區(qū)域的光刻膠，并得到完整的像素電極結(jié)構(gòu)。下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法進(jìn)行詳細(xì)描述，如圖la至 圖3f所示。如圖la， lb， lc所示，首先，先在潔凈的基板20 (玻璃)上沉積柵金 屬層21(Mo， Al/Nd, Cu等)，在柵金屬層上再沉積第一柵絕緣層22 (SiNx), 在第一柵絕緣層上有源層23,然后再沉積摻雜層24 (a-Si或者p-Si )。采
用第一塊掩模版進(jìn)行掩模和曝光形成第一次光刻光刻膠膠圖形25，然后進(jìn)行刻蝕得到柵小島圖形和柵線。然后，沉積第二絕緣層26 (SiNx)并在第二絕緣層上面沉積源漏金屬層 27 (Mo, Al， Cu等)，采用第二塊掩模版，該掩模版采用的是灰色調(diào)掩模版， 經(jīng)過(guò)曝光顯影后得到無(wú)光刻膠區(qū)域，保留部分光刻膠區(qū)域29和保留全部光刻 膠區(qū)域28，如圖2a、 2b所示。其中，保留全部光刻膠28的區(qū)域包括形成數(shù) 據(jù)線區(qū)域和源電極區(qū)域；保留部分光刻膠區(qū)域29包括像素電極區(qū)域和漏電極 區(qū)域；其他部分為無(wú)光刻膠區(qū)域?？涛g無(wú)光刻膠區(qū)域露出薄膜晶體管溝道部 分的摻雜層，此時(shí)柵小島圖形的周邊要保留部分第二絕緣層及其上的源漏金 屬層和光刻膠，如圖2c所示。完成刻蝕后，對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化工藝，全部去 除保留部分光刻膠區(qū)域的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區(qū)域的 光刻膠，露出像素電極和漏電極區(qū)域的源漏金屬層，如圖2d所示；并接著像 素電極和漏電極區(qū)域的源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，完成刻蝕后，采用光刻膠剝離 工藝，剝離漏電極上方的光刻膠，如圖2e、 2f所示。最后，在完成步驟二基板上沉積透明像素電極層30,采用第三塊掩模板 定義，該掩模版為灰色調(diào)調(diào)掩模板，經(jīng)過(guò)曝光顯影后得到無(wú)光刻膠區(qū)域，保 留部分光刻膠區(qū)域31和保留全部光刻膠區(qū)域32;其中，保留全部光刻膠區(qū) 域3b包括形成像素電極、與像素電極為一體的漏電極及漏電極與摻雜層搭接 部分區(qū)域；保留部分光刻膠區(qū)域31包括形成數(shù)據(jù)線和源電極上透明像素電極 層，及像素電極層與柵電極上的摻雜層搭接部分區(qū)域；其他部分為無(wú)光刻膠 區(qū)域，包括溝道等部分，如圖3a、 3b所示。接著進(jìn)行透明像素電極層刻蝕和 溝道摻雜層的刻蝕得到薄膜晶體管溝道部分，如圖3c所示；完成刻蝕后，對(duì) 光刻膠進(jìn)行灰化工藝，全部去除保留部分光刻膠區(qū)域的光刻膠，即形成數(shù)據(jù) 線和源電極上透明像素電極層，及像素電極與柵電極上的摻雜層相搭接部分 上方的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區(qū)域的光刻膠，即保留部 分像素電極、與像素電極為一體的漏電極及漏電極與摻雜層搭接部分區(qū)域的 光刻膠，如圖3d所示；最后，接著沉積一層鈍化層33，如圖3e所示，并結(jié) 合光刻膠離地剝離工藝，剝離掉像素電極、與像素電極為一體的漏電極及漏 電極與摻雜層搭接部分區(qū)域上方的光刻膠，并得到完整的像素電極結(jié)構(gòu)，如 圖3f所示。最后應(yīng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制， 盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng) 按照需要可使用不同材料和設(shè)備實(shí)現(xiàn)之，即可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修 改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)，包括玻璃基板、柵線、柵電極、第一柵絕緣層、有源層、摻雜層、第二絕緣層、源電極、漏電極、像素電極及鈍化層，其特征在于柵電極和柵線上依次為第一絕緣層、有源層和摻雜層；第二絕緣層覆蓋在玻璃基板上、柵線上及柵電極周邊邊緣處；像素電極與漏電極呈一體位于第二絕緣層上方，且在形成漏電極的位置與柵電極上的摻雜層搭接；源電極和數(shù)據(jù)線上方覆蓋有透明像素電極層，該透明像素電極層在靠近溝道處搭接在柵電極上的摻雜層上；鈍化層覆蓋在像素電極及漏電極之外的部分。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述柵線和柵電極 為AlNd、 Al、 Cu、 Mo、 MoW或Cr的單層膜，或者為AlNd、 Al、 Cu、 Mo、 MoW 或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一絕緣層或 第二絕緣層為SiNx、 Si0x或Si0xNy的單層膜，或者為SiNx、 Si0x或Si0xNy 之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述源電極、數(shù)據(jù) 線或漏電極為Mo、 MoW或Cr的單層膜，或者為Mo、 MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
5、 一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括 步驟一，在潔凈的基板上依次沉積柵金屬層，第一柵絕緣層，有源層，摻雜層，采用第一塊掩模版進(jìn)行掩模、曝光并進(jìn)行蝕刻，得到柵小島圖形和 柵線；步驟二，在完成步驟一基板上依次沉積第二絕緣層和源漏金屬層，采用 第二塊掩模版，該掩模版為灰色調(diào)掩模版，經(jīng)過(guò)曝光顯影后得到無(wú)光刻膠區(qū) 域，保留部分光刻膠區(qū)域和保留全部光刻膠區(qū)域；刻蝕無(wú)光刻膠區(qū)域露出薄 膜晶體管溝道部分的摻雜層，此時(shí)柵小島圖形的周邊保留部分第二絕緣層及 其上的源漏金屬層和光刻膠；完成刻蝕后，對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化工藝，全部去除保留部分光刻膠區(qū)域的光刻膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區(qū)域的光刻膠，露出像素電極和漏電極區(qū)域的源漏金屬層；并接著對(duì)像素電極和漏 電極區(qū)域的源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，完成刻蝕后，采用光刻膠離地剝離工藝， 剝離數(shù)據(jù)線和漏電極上方的光刻膠；步驟三，在完成步驟二基板上沉積透明像素電極，釆用第三塊掩模板， 該掩模版為灰色調(diào)掩模版，經(jīng)過(guò)曝光顯影后得到無(wú)光刻膠區(qū)域，保留部分光 刻膠區(qū)域和保留全部光刻膠區(qū)域；刻蝕無(wú)光刻膠區(qū)域得到薄膜晶體管溝道部 分；完成刻蝕后，對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化工藝，去除保留部分光刻膠區(qū)域的光刻 膠，去除一部分厚度的保留全部光刻膠區(qū)域的光刻膠，露出數(shù)據(jù)線和源電極 上方的像素電極層；接著沉積一層鈍化層，并結(jié)合光刻膠離地剝離工藝，剝 離掉像素電極、源電極及源電極與摻雜層搭接部分區(qū)域上方的光刻膠。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于所述第二塊掩膜版經(jīng) 過(guò)曝光顯影后保留全部光刻膠的區(qū)域包括形成數(shù)據(jù)線區(qū)域和源電極區(qū)域；保 留部分光刻膠區(qū)域包括像素電極、源電極區(qū)域。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的制造方法，其特征在于所述步驟二中刻 蝕無(wú)光刻膠區(qū)域包括刻蝕源漏金屬層和第二絕緣層。
8、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于所述第三塊掩膜版經(jīng) 過(guò)曝光顯影后保留全部光刻膠的區(qū)域包括形成像素電極、源電極及源電極與 摻雜層搭接部分區(qū)域的光刻膠；保留部分光刻膠區(qū)域包括形成數(shù)據(jù)線和源電 極上透明像素電極層，及像素電極層與柵電極上的摻雜層相搭接部分區(qū)域； 其他部分為無(wú)光刻膠區(qū)域。
9、 根據(jù)權(quán)利要求5或8所述的制造方法，其特征在于所述步驟三中刻 蝕無(wú)光刻膠區(qū)域得到薄膜晶體管溝道部分包括像素電極層刻蝕和摻雜層的刻 蝕。其上的源漏金屬層和光刻膠；完成刻蝕后，對(duì)
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)，包括玻璃基板、柵線、柵電極等部分，其中柵電極和柵線上依次為第一絕緣層、有源層和摻雜層；第二絕緣層覆蓋在玻璃基板上、柵線上及柵電極周邊邊緣處；像素電極與漏電極呈一體位于第二絕緣層上方，且在形成漏電極的位置與柵電極上的摻雜層搭接；源電極和數(shù)據(jù)線上方覆蓋有透明像素電極層，該透明像素電極層在靠近溝道處搭接在柵電極上的摻雜層上；鈍化層覆蓋在像素電極及漏電極之外的部分。本發(fā)明同時(shí)公開了一種薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)的制造方法。本發(fā)明在傳統(tǒng)工藝的基礎(chǔ)上，利用光刻工藝實(shí)現(xiàn)了三次光刻掩模版形成薄膜晶體管的方法，節(jié)約了陣列工藝的成本和占機(jī)時(shí)間，提高了產(chǎn)能。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK101118355SQ20061010386
公開日2008年2月6日 申請(qǐng)日期2006年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月4日
發(fā)明者王章濤, 邱海軍, 閔泰燁, 旭 陳 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司