專利名稱：有源－矩陣尋址基板及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種有源-矩陣尋址基板及制造該基板的方法，更具體涉及一種優(yōu)選用于使用橫向電場的有源-矩陣尋址液晶顯示(LCD)器件的有源-矩陣尋址基板及制造該基板的方法。
背景技術：
廣泛地用于各種領域的、使用垂直電場的TN(扭曲向列)型LCD器件具有高對比度的優(yōu)點；但是由于液晶分子的晶軸被施加的垂直電場旋轉至垂直于液晶層(即，有源-矩陣尋址基板和相對基板)的方向，因此它具有視角依賴性突出的缺點。
最近，可應用于大尺寸監(jiān)視器如電視(TV)的LCD器件的需求增加了。響應于該需求，利用橫向電場的LCD器件與以前相比更常用到，其中該使用橫向電場的LCD器件被稱為“面內(nèi)切換(IPS)”型。與常規(guī)TN型LCD器件相比較，IPS型LCD器件具有視角特性更加良好的優(yōu)點。這是因為，利用IPS型LCD器件，液晶分子的晶軸被平行于有源-矩陣尋址基板和相對基板的面內(nèi)橫向電場所旋轉，因此消除了與液晶分子的旋轉角相關的視角依賴性。
由此，與TN-型LCD器件相比，IPS型LCD器件具有更好的視角特性。但是，伴隨該IPS型LCD器件，像素電極和公共電極是梳-齒型以及相對地布置，并在像素和公共電極兩端施加橫向電場。為此，與TN型LCD器件相比，在顯示區(qū)中像素和公共電極占據(jù)了更寬的面積，這引起了孔徑比降低的問題。
作為該問題的一種解決辦法，在日本未審查的專利公報號2002-323706(第20頁第38欄第32行至第28頁第53欄第50行，圖1和2)中公開了一種有源-矩陣尋址基板，下面可以稱為“第一現(xiàn)有技術基板”。在附圖1和圖2A至2C中示出了該現(xiàn)有技術基板。圖1是現(xiàn)有技術基板的平面圖。圖2A至2C分別是沿圖1中的線IIA-IIA、IIB-IIB和IIC-IIC的部分剖面圖。這些圖示出了其中一個像素區(qū)的結構。
在本申請文件中，由于每個像素區(qū)具有相同結構，因此為了簡化說明，將主要解釋在矩陣陣列中布置的其中一個像素區(qū)的結構。
如圖1和圖2A至2C所示，第一現(xiàn)有技術基板包括掃描信號線301和公共信號線302，掃描信號線301和公共信號線302在透明玻璃板320的表面上彼此平行延伸。這些線301和302通過對第一金屬膜進行構圖來形成。每個掃描信號線301的一部分用作其中相應的一個薄膜晶體管(TFT)305的柵電極。在整個板320上形成第一絕緣層303，以覆蓋線301和302。
在第一絕緣層303上，對于每個TFT 305，依次形成構圖的非晶硅(a-Si)層321和n-型構圖的a-Si層322，以與在TFT部分中相應的掃描信號線301相重疊。形成TFT 305的源電極306和漏電極304a以與相應的a-Si層322重疊。而且，在第一絕緣層303上形成圖像信號線304和輔助像素電極306a，從而與掃描信號線301和公共信號線302相垂直地延伸。通過對第二金屬膜進行構圖來形成圖像信號線304、漏電極304a、源電極306和輔助像素電極306a。漏電極304a分別同相應的圖像信號線304結合。輔助像素電極306a分別同相應的源電極306結合。在第一絕緣層303上形成第二絕緣層307，以覆蓋整個板320上的圖像信號線304、漏電極304a、源電極306和輔助像素電極306a。
在整個板320上的第二絕緣層307上形成第三絕緣層308，第三絕緣層308是厚且透明的。在第三絕緣層308上，通過對透明的、導電材料膜進行構圖形成像素電極309和公共電極310。每個像素電極309具有梳-齒形部分。公共電極310具有梳-齒形部分。如圖1所示，電極309和310的梳-齒形部分互相嚙合。通過第二和第三絕緣層307和308，用公共電極310完全地覆蓋圖像信號線304。
像素電極309分別通過相應的各接觸孔311與相應的源電極306相接觸。公共電極310分別通過相應的各接觸孔312與公共信號線302相接觸。因此，像素電極309分別被電連接到相應的源電極306。公共電極310被電連接到公共信號線302。
利用如上所述的第一現(xiàn)有技術基板，由于像素電極309的梳-齒形部分和公共電極310的梳-齒形部分都是透明的，在像素區(qū)中光透過這些梳-齒形部分所占據(jù)的區(qū)域。由此，透射率增加了。根據(jù)發(fā)明人的模擬結果，考慮這些區(qū)域的貢獻，有效的孔徑比將增加大約8％。
而且，用公共電極310完全重疊或覆蓋圖像信號線304，因此像素區(qū)的孔徑可以被擴展到相應的圖像信號線304的附近。此時，來自線304的泄漏電場被公共電極310屏蔽，因此減少了縱向串擾的缺點。
此外，因為第三絕緣層308位于圖像信號線304和公共電極310之間，所以產(chǎn)生了負載電容。但是，通過用具有低介電常數(shù)的介電材料制成層308，該負載電容的值可以被抑制在驅動的容許范圍內(nèi)。
作為上述問題的另一種解決辦法，在日本未審查專利公報號2004-302448(第15頁第8行至36行，圖10和11)公開了一種有源-矩陣尋址基板，下面可以稱為“第二現(xiàn)有技術基板”。在附圖3和圖4A至4C中示出了該現(xiàn)有技術基板。圖3是第二現(xiàn)有技術基板的平面圖。圖4A至4C分別是沿圖3中的線IVA-IVA、IVB-IVB和IVC-IVC的部分剖面圖。這些圖示出了其中一個像素區(qū)的結構。
如圖3和圖4A至4C所示，第二現(xiàn)有技術基板包括掃描信號線401和公共信號線402，該掃描信號線401和公共信號線402在透明玻璃板420的表面上彼此平行延伸。這些線401和402通過對第一金屬膜進行構圖來形成。每個掃描信號線401的一部分用作其中一個相應的TFT 405的柵電極。在整個板420上形成第一絕緣層403，以覆蓋線401和402。
在第一絕緣層403上，對于每個TFT 405，依次形成構圖的a-Si層421和n-型構圖的a-Si層422，從而與TFT部分中相應的掃描信號線401重疊。TFT 405的源電極406和漏電極404a形成為與其中一個相應的a-Si層422重疊。而且，在第一絕緣層403上形成圖像信號線404和輔助像素電極406a，從而與掃描信號線401和公共信號線402相垂直地延伸。通過對第二金屬膜進行構圖來形成圖像信號線404、漏電極404a、源電極406和輔助像素電極406a。漏電極404a分別同相應的圖像信號線404結合。輔助像素電極406a分別同相應的源電極406結合。在第一絕緣層403上形成第二絕緣層407，以覆蓋整個板420上的圖像信號線404、漏電極404a、源電極406和輔助像素電極406a。
在第二絕緣層407上有選擇地形成厚的第三絕緣層408。層408被留下來僅僅覆蓋各個圖像信號線404。如圖4B所示，層408的截面如同岸堤(bank)一樣，沿各個線404延伸。通過對透明的、導電材料膜進行構圖，在第二或第三絕緣層407或408上形成像素電極409和公共電極410。每個像素電極409具有梳-齒形部分。公共電極410具有梳-齒形部分。如圖3所示，電極409和410的梳-齒形部分互相嚙合。通過第二和第三絕緣層407和408，用公共電極410完全覆蓋圖像信號線404。
像素電極409分別通過相應的接觸孔411接觸相應的源電極406。公共電極410分別通過相應的接觸孔412接觸公共信號線402。因此，像素電極409分別被電連接到相應的源電極406。公共電極410被電連接到公共信號線402。
從上面的解釋可以看出，除了在第二絕緣層407上以岸堤形狀有選擇地留下第三絕緣層408，僅僅覆蓋圖像信號線404之外，第二現(xiàn)有技術基板的結構與圖1和圖2A至2C的上述第一現(xiàn)有技術基板相同。因此，第二現(xiàn)有技術基板的有效孔徑比等于第一現(xiàn)有技術基板的有效孔徑比。
而且，利用第二現(xiàn)有技術基板，在像素區(qū)的孔徑中不留下第三絕緣層408，因此層408可以使用有色的介電材料。由于可以以低成本獲得例如有機材料的有色電介電材料(例如，酚醛清漆樹脂)，與第一現(xiàn)有技術基板相比可以以更低的成本實現(xiàn)等效的性能。另一方面，利用第一現(xiàn)有技術基板，由于層408形成在整個玻璃板420上，因此第三絕緣層408必須是透明的。透明介電材料的成本高于有色的介電材料的成本，這增加了基板本身的成本。
作為上述問題的又一種解決辦法，在日本未審查的專利公報第2004-062145號(第26頁第42行至27頁第15行，圖23)公開了一種有源-矩陣尋址基板，下面可以稱為“第三現(xiàn)有技術基板”。在附圖5和圖6A至6C中示出了該現(xiàn)有技術基板。圖5是第三現(xiàn)有技術基板的平面圖。圖6A至6C分別是沿圖5中的線VIA-VIA、VIB-VIB和VIC-VIC的部分剖面圖。這些圖示出了其中一個像素區(qū)的結構。
如圖5和圖6A至6C所示，第三現(xiàn)有技術基板包括掃描信號線501和公共信號線502，該掃描信號線501和公共信號線502在透明玻璃板520的表面上彼此平行延伸。通過對第一金屬膜進行構圖來形成這些線501和502。每個掃描信號線501的一部分用作其中一個相應的TFT 505的柵電極。在整個板520上形成第一絕緣層503，以覆蓋線501和502。
在第一絕緣層503上，對于每個TFT 505，依次形成構圖的a-Si層521和n-型構圖的a-Si層522，從而與TFT部分中的相應的掃描信號線501重疊。TFT 505的源電極506a和漏電極504a形成為與相應的a-Si層522重疊。而且，在第一絕緣層503上形成圖像信號線504，以與掃描信號線501和公共信號線502相垂直地延伸。通過對第二金屬膜進行構圖來形成圖像信號線504、漏電極504a、像素電極506和源電極506a。漏電極504a分別同相應的圖像信號線504結合。源電極506a分別同相應的像素電極506結合。在第一絕緣層503上形成第二絕緣層507，以覆蓋整個板520上的圖像信號線504、漏電極504a、像素電極506和源電極506a。由于像素電極506同相應的源電極506a結合，因此就不再需要用于將像素電極506電連接到相應的源電極506a的接觸孔。
在第二絕緣層507上有選擇地形成厚的第三絕緣層508。保留層508以僅僅覆蓋各個圖像信號線504。如圖6B所示，層508的截面如同岸堤一樣，沿各個線504延伸。通過對透明的、導電材料膜進行構圖，在第二或第三絕緣層507或508上形成公共電極510。與第一和第二現(xiàn)有技術基板一樣，每個像素電極506具有梳-齒形部分，以及公共電極510也具有梳-齒形部分。通過第二和第三絕緣層507和508，用公共電極510完全覆蓋圖像信號線504。
類似于第二現(xiàn)有技術基板，第三絕緣層508可以通過有色的或透明介電材料來形成。
公共電極510分別通過相應的接觸孔512接觸公共信號線502。因此，公共電極510被電連接到公共信號線502。
利用圖5和圖6A至6C的第三現(xiàn)有技術基板，類似于第二現(xiàn)有技術基板，有選擇地保留第三絕緣層508以僅僅覆蓋各個圖像信號線504，以及第三絕緣層508具有如岸堤一樣的截面。如此，通過負載電容的減小而降低了驅動電壓。具體地，由于在第一和第二絕緣層503和507上分別形成了像素電極506和公共電極510，電極506和510的這些梳-齒形部分位于不同的水平面上。因此，如果在玻璃板520上形成第三絕緣層508，那么驅動電壓將過高。由此，有選擇地保留第三絕緣層508以僅僅覆蓋圖像信號線504。
此外，與第二現(xiàn)有技術基板一樣，用公共電極510完全地重疊或覆蓋圖像信號線504，因此像素區(qū)的孔徑可以被擴展到相應的圖像信號線504的附近。此時，與第二現(xiàn)有技術基板一樣，因為圖像信號線504沿截面部分方向上近似地被公共電極510所圍繞，因此與第一現(xiàn)有技術基板相比，對來自圖像信號線504的泄漏電場進行屏蔽的可獲得功能被增強了。根據(jù)發(fā)明人的實驗，為了有效地屏蔽來自圖像信號線504的泄漏電場，公共電極510距相應的圖像信號線504的邊緣具有4μm的橫向凸出寬度就足夠了。
利用第三現(xiàn)有技術基板，如上所述，接觸孔的數(shù)目減少了一個，并且公共電極510距相應圖像信號線504的邊緣的橫向凸出寬度減小了。因此，與第二現(xiàn)有技術基板相比可獲得較高的孔徑比。
而且，由于通過導電金屬形成像素電極506，對透射率的貢獻降低了。但是，根據(jù)發(fā)明人的模擬結果，有效孔徑比將近似增加5％。結果，與第一和第二現(xiàn)有技術基板相比，總體的有效孔徑比將更高。縱向串擾的缺點也可以被抑制。
如上所述，如由第二和第三現(xiàn)有技術基板看到，通過有選擇地保留在圖像信號線404或504和公共電極410或510之間插入的岸堤形的第三絕緣層408或508，從而僅僅覆蓋圖像信號線404或504，則可以實現(xiàn)制造成本的降低，以及可以實現(xiàn)比第一現(xiàn)有技術基板更高的孔徑比。
但是，如果有選擇地保留岸堤形第三絕緣層408或508從而僅僅覆蓋圖像信號線404或504，以提高增加孔徑比的性能，那么在圖像信號線404或504附近可能形成大的臺階(即，大的水平面差)。這些大的臺階將產(chǎn)生摩擦方向的不均勻性，這干擾了液晶分子的初始定向(或配向)。當顯示黑色時，這種現(xiàn)象可體現(xiàn)為在該臺階附近的光泄漏。由于以正常的黑色模式驅動IPS型LCD器件，因此該初始定向的所述干擾將成為第二絕緣層407或507的臺階附近光泄漏的原因，結果增加了黑色亮度并降低了對比度。
作為該問題的一種解決辦法，在2004年1月8日提交的日本專利申請第2004-002782號(對應于日本未審查的專利公報第2005-195927號)制成一種有源矩陣尋址基板。(圖1和2以及它們的相應說明)，下面可以被稱為“第一相關技術基板”。在附圖7和圖8A至8C中示出了該相關技術基板。圖7是第一相關技術基板的平面圖。圖8A至8C分別是沿圖7中的線VIIIA-VIIIA、VIIIB-VIIIB和VIIIC-VIIIC的部分剖面圖。這些圖示出了其中一個像素區(qū)的結構。
除了在與信號線601和公共信號線602相同的水平面上，在各個圖像信號線604附近附加地設置了光屏蔽電極613之外，第一相關技術基板的結構與圖5和圖6A至6C的第三現(xiàn)有技術基板的結構相同。
具體地，如圖7和圖8A至8C所示，第一相關技術基板包括掃描信號線601和公共信號線602，該掃描信號線601和公共信號線602在透明玻璃板620的表面上彼此平行延伸。通過對第一金屬膜進行構圖來形成這些線601和602。每個掃描信號線601的一部分用作其中一個相應的TFT 605的柵電極。
在玻璃板620上，在每個圖像信號線604附近附加地設置一對線性光屏蔽電極613。形成為沿所述線604延伸的電極613可以電連接到相應的公共信號線602或與其他電極電隔離。由于光屏蔽電極613位于板620上，因此電極613處于與信號線601和公共信號線602相同的水平面上。通過對用于信號線601和公共信號線602的第一金屬薄膜進行構圖而形成該光屏蔽電極613。
在整個板620上形成第一絕緣層603，以覆蓋掃描信號線601、公共信號線602和光屏蔽電極613。
在第一絕緣層603上，對于每個TFT 605，依次形成構圖的a-Si層621和n-型構圖的a-Si層622，以與TFT部分中的相應的其中一個掃描信號線601重疊。TFT 605的源電極606a和漏電極604a形成為與相應的其中一個a-Si層622重疊。
而且，形成掩埋在第一絕緣層603中的圖像信號線604，以與掃描信號線601和公共信號線602相垂直地延伸。通過對第二金屬膜進行構圖來形成圖像信號線604、漏電極604a、像素電極606和源電極606a。漏電極604a分別同相應的圖像信號線604結合。源電極606a分別同相應的像素電極606結合。
在第一絕緣層603上形成第二絕緣層607，以覆蓋整個板620上的圖像信號線604、漏電極604a、像素電極606和源電極606a。由于像素電極606同相應的源電極606a結合，因此就不再需要用于將像素電極606電連接到相應源電極606a的接觸孔。
在第二絕緣層607上有選擇地形成厚的第三絕緣層608。保留第三絕緣層608以僅僅覆蓋各個圖像信號線604。如圖8B所示，層608的截面如同岸堤一樣，沿各個線604延伸。通過對透明的、導電材料膜進行構圖，在第二或第三絕緣層607或608上形成公共電極610。如同第一和第二現(xiàn)有技術基板，每個像素電極609具有梳-齒形部分，以及公共電極610也具有梳-齒形部分。通過第二和第三絕緣層607和608用公共電極610完全覆蓋圖像信號線604。
公共電極610分別通過相應的接觸孔612接觸公共信號線602。因此，公共電極610電連接到公共信號線602。
利用圖7和圖8A至8C的第一相關技術基板，在與信號線601和公共信號線602相同水平面上，在每個圖像信號線604附近附加地設置光屏蔽電極613。因此，可以防止由于圖像信號線604附近的臺階(即，水平差)而引起的光泄漏，因此可以抑制黑色亮度的增加和對比度的降低。
光屏蔽電極613可以電連接到相應的公共信號線602或與其他電極電隔離(即，電浮置)。而且，電極613可以位于每個圖像信號線604的一側或兩側，這兩種布置根據(jù)像素的布局來選擇。
以此方式，通過光屏蔽電極613可以防止由于圖像信號線604附近的第三絕緣層608的臺階(即，水平差)而導致的光泄漏，因此可以抑制黑色亮度的增加和對比度的降低。但是，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當由金屬形成像素電極610時，不能忽略像素電極610的厚度影響。
圖10示意性地示出了圖7和圖8A至8C的第一相關技術基板中的像素區(qū)的孔徑截面。如圖10所示，當在第一絕緣層203上形成像素電極206之后，通過CVD(化學氣相淀積)工藝在第一絕緣層203上淀積氮化硅(通用材料)作為第二絕緣層207時，層207將形成有臺階(即，水平差)230，該臺階對應于由像素電極206引起的臺階。由于層207的臺階230是陡峭的，它產(chǎn)生不均勻性的摩擦方向，在臺階230附近顯示黑色的狀態(tài)下導致了光泄漏。結果，黑色亮度增加和對比度降低的問題仍未解決。
在圖10中，參考數(shù)字210和220分別表示公共電極和透明玻璃板。
另一方面，如果減小了像素電極206的厚度，以減小臺階230的內(nèi)部水平面間距(高度)，那么圖像信號線(圖10中未示出)的厚度將被減小。這是因為像素電極206和圖像信號線都是通過對相同的金屬膜進行構圖來形成的。因此，產(chǎn)生另一個問題，即，通過圖像信號線將被寫入相應像素的圖像信號將被延遲。
而且，類似于第三現(xiàn)有技術基板和第一相關技術基板，伴隨通過插入第二絕緣層207在像素電極206上設置公共電極210的結構，由于公共電極210的臺階，定向層(位于公共電極210上)的厚度很可能是不均勻的。結果，通過摩擦操作液晶分子的初始定向將退化，由此導致由像素電極206的臺階230引起的上述問題相類似的問題。
發(fā)明內(nèi)容
考慮到上述問題做出了本發(fā)明。
本發(fā)明的主要目的是提供一種有源矩陣尋址基板，其改善了由像素電極和/或公共電極的臺階(水平差)引起的液晶分子的初始定向的退化，并提供了一種制造該基板的方法。
本發(fā)明的另一目的是提供一種有源-矩陣尋址基板，其抑制了顯示黑色的狀態(tài)下的光泄漏，以實現(xiàn)更高的對比度和更高的均勻性，并提供了一種制造該基板的方法。
對所屬領域的技術人員來說由下列描述將明白上述目的連同未具體地提及的其它目的。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種有源-矩陣尋址基板，包括透明板；在板上或在板上方形成的掃描信號線和公共信號線；在板上或在板上方形成的第一絕緣層，以覆蓋掃描信號線和公共信號線；在第一絕緣層上形成的圖像信號線和像素電極；在第一絕緣層上形成的第二絕緣層，以覆蓋圖像信號線和像素電極；在第二絕緣層上形成的經(jīng)構圖的第三絕緣層，以有選擇地覆蓋圖像信號線；以及在第三絕緣層上形成的公共電極；其中第二絕緣層由在硬化之前具有流動性的介電材料制成。
利用根據(jù)本發(fā)明的第一方面的有源-矩陣尋址基板，在第一絕緣層上或在第一絕緣層上方形成像素電極，以及在第三絕緣層上形成公共電極。因此，像素電極和公共電極位于不同的水平面上，第二絕緣層由于它們附近的像素電極而具有臺階或水平差。
但是，第二絕緣層由在硬化之前具有流動性的介電材料制成。因此，第二絕緣層的臺階被有效地抑制或減輕，這意味著第二絕緣層的臺階逐漸地傾斜。
而且，由于第二絕緣層的臺階逐漸地傾斜，因此由公共電極引起的重疊定向層的臺階也將逐漸地傾斜。
結果，由像素電極和/或公共電極的臺階所引起的液晶分子的初始定向的退化被改善了。此外，因為相同的原因，顯示黑色的狀態(tài)下的光泄漏得到抑制，因此可以實現(xiàn)更高的對比度和更高的均勻性。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供另一種有源-矩陣尋址基板，包括透明板；在板上或在板上方形成的掃描信號線、公共信號線和光屏蔽電極；在板上或在板上方形成的第一絕緣層，以覆蓋掃描信號線、公共信號線和光屏蔽電極；在第一絕緣層上或第一絕緣層中形成的圖像信號線，以與相應的光屏蔽電極重疊；第一絕緣層上形成的像素電極；在第一絕緣層上形成的第二絕緣層，以覆蓋圖像信號線、像素電極和光屏蔽電極；在第二絕緣層上形成的經(jīng)構圖的第三絕緣層，以有選擇地覆蓋圖像信號線；以及在第三絕緣層上形成的公共電極；其中第二絕緣層由在硬化之前具有流動性的介電材料制成。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面的基板對應于通過向根據(jù)本發(fā)明第一方面的基板增加光屏蔽電極而獲得的基板。
利用根據(jù)本發(fā)明第二方面的有源矩陣尋址基板，在第一絕緣層上或在第一絕緣層上方形成像素電極，以及在第三絕緣層上形成公共電極。因此，像素電極和公共電極位于不同的水平面上，第二絕緣層由于它們附近像素電極而具有臺階或水平差。
但是，第二絕緣層由在硬化之前具有流動性的介電材料制成。因此，第二絕緣層的臺階得到有效的抑制或減輕，這意味著第二絕緣層的臺階逐漸地傾斜。
而且，由于第二絕緣層的臺階逐漸地傾斜，由公共電極引起的重疊定向層的臺階也將逐漸地傾斜。
結果，由于像素電極和/或公共電極的臺階所引起的液晶分子的初始定向的退化得到了改善。此外，因為相同的原因，在顯示黑色狀態(tài)下的光泄漏被抑制，因此可以實現(xiàn)更高的對比度和更高的均勻性。
在根據(jù)本發(fā)明的第一或第二方面的基板的優(yōu)選實施例中，在硬化之前具有流動性的介電材料是丙烯酸樹脂。
在根據(jù)本發(fā)明的第一或第二方面的基板的另一優(yōu)選實施例中，第二絕緣層的厚度近似等于或大于像素電極的厚度，以及在其平坦或均勻位置處具有大約300nm或以下的厚度，或在各個像素電極的附近具有大約30°或以下的傾斜角。
在根據(jù)本發(fā)明的第一或第二方面的基板的另一優(yōu)選實施例中，像素電極由不透明的導電材料制成并具有大約200nm或以上的厚度。
在根據(jù)本發(fā)明的第一或第二方面的基板的再一優(yōu)選實施例中，公共電極由透明的導電材料制成并具有大約50nm或以下的厚度。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種制造有源矩陣尋址基板的方法，包括以下步驟在透明板上或在透明板上方形成掃描信號線和公共信號線；在板上或在板上方形成第一絕緣層，以覆蓋掃描信號線和公共信號線；在第一絕緣層上形成圖像信號線和像素電極；在第一絕緣層上形成第二絕緣層，以覆蓋圖像信號線和像素電極；在第二絕緣層上形成經(jīng)構圖的第三絕緣層，以有選擇地覆蓋圖像信號線；以及在第二或第三絕緣層上形成公共電極；其中通過使用在硬化之前具有流動性的介電材料形成第二絕緣層。
利用根據(jù)本發(fā)明的第三方面的方法，制造根據(jù)本發(fā)明的第一方面的有源-矩陣尋址基板是顯而易見的。
根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供了另一種制造有源-矩陣尋址基板的方法，包括以下步驟在透明板上或在透明板上方形成掃描信號線、公共信號線和光屏蔽電極；在板上或在板上方形成第一絕緣層，以覆蓋掃描信號線、公共信號線和光屏蔽電極；在第一絕緣層上或在第一絕緣層中形成圖像信號線，以與相應的光屏蔽電極重疊；在第一絕緣層上形成像素電極；在第一絕緣層上形成第二絕緣層，以覆蓋圖像信號線、像素電極和光屏蔽電極；在第二絕緣層上形成經(jīng)構圖的第三絕緣層，以有選擇地覆蓋圖像信號線；以及在第三絕緣層上形成公共電極；其中第二絕緣層由在硬化之前具有流動性的介電材料制成。
利用根據(jù)本發(fā)明的第四方面的方法來制造根據(jù)本發(fā)明的第二方面的有源-矩陣尋址基板是顯而易見的。
在根據(jù)本發(fā)明的第三或第四方面的方法的優(yōu)選實施例中，在硬化之前具有流動性的介電材料是丙烯酸樹脂。
為了可以容易地實施本發(fā)明，現(xiàn)在將參考附圖描述本發(fā)明。
圖1示出了第一現(xiàn)有技術有源-矩陣尋址基板的平面圖。
圖2A至2C分別示出了沿圖1中的線IIA-IIA，IIB-IIB和IIC-IIC的部分剖面圖。
圖3示出了第二現(xiàn)有技術有源矩陣尋址基板的平面圖。
圖4A至4C分別示出了沿圖3中的線IVA-IVA、IVB-IVB和IVC-IVC的部分剖面圖。
圖5示出了第三現(xiàn)有技術有源-矩陣尋址基板的平面圖。
圖6A至6C分別示出了沿圖5中的線VIA-VIA、VIB-VIB和VIC-VIC的部分剖面圖。
圖7示出了第一相關技術有源-矩陣尋址基板的平面圖。
圖8A至8C分別示出了沿圖7中的線VIIIA-VIIIA、VIIIB-VIIIB和VIIIC-VIIIC的部分剖面圖。
圖9示出了示意性剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的有源-矩陣尋址基板的像素區(qū)的孔。
圖10示出了示意性剖面圖，示出了圖7和圖8A至8C所示的第一相關技術有源矩陣尋址基板的像素區(qū)的孔徑。
圖11A至11C分別示出了沿圖15的線XIVA-XIVA、XIVB-XIVB和XIVC-XIVC的部分剖面圖，其示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的有源矩陣尋址基板的制造方法的步驟。
圖12A至12C分別示出了沿圖15的線XIVA-XIVA、XIVB-XIVB和XIVC-XIVC的部分剖面圖，其示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的有源矩陣尋址基板的制造方法的后續(xù)步驟。
圖13A至13C分別示出了沿圖15的線XIVA-XIVA、XIVB-XIVB和XIVC-XIVC的部分剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的有源矩陣尋址基板的制造方法的后續(xù)步驟。
圖14A至14C分別示出了沿圖15的線XIVA-XIVA、XIVB-XIVB和XIVC-XIVC的部分剖面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的有源矩陣尋址基板的制造方法的后續(xù)步驟。
圖15示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的有源矩陣尋址基板的平面圖。
具體實施例方式
下面將參考附圖詳細地描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
第一實施例圖14A至14C和圖15示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的有源-矩陣尋址基板，該有源-矩陣尋址基板用于使用橫向電場的有源-矩陣尋址LCD器件。這些圖示出了其中一個像素區(qū)的結構。
除了以不同的方法由不同的材料形成第二絕緣層之外，根據(jù)第一實施例的基板近似與先前所述的圖7和圖8A至8C的第一相關技術的基板相同。
具體地，如圖15和圖14A至14C所示，根據(jù)第一實施例的基板包括掃描信號線101和公共信號線102，該掃描信號線101和公共信號線102在透明玻璃板120的表面上彼此平行延伸。通過對第一金屬膜進行構圖來形成這些線101和102。每個掃描信號線101的一部分用作相應的其中一個TFT 105的柵電極。
在玻璃板120上，在每個圖像信號線104的附近附加地設置一對線性的光屏蔽電極113。形成為沿所述線104延伸的電極113可以電連接到相應的公共信號線102或被電隔離。由于光屏蔽電極113位于板120上，因此電極113處于與掃描信號線101和公共信號線102相同的水平面上。通過對用于掃描信號線101和公共掃描信號線102的第一金屬薄膜進行構圖來形成該光屏蔽電極113。
在整個板120上形成第一絕緣層103，以覆蓋掃描信號線101、公共信號線102和光屏蔽電極113。
在第一絕緣層103上，對于每個TFT105，依次形成構圖的a-Si層121和n-型構圖的a-Si層122，以與TFT部分中相應的其中一條掃描信號線101重疊。TFT 105的源電極106a和漏電極104a形成為與相應的其中一個a-Si層122重疊。
形成將被掩埋在第一絕緣層103中的圖像信號線104，以與掃描信號線101和公共信號線102相垂直地延伸。通過對第二金屬膜進行構圖來形成圖像信號線104、漏電極104a、像素電極106和源電極106a。漏電極104a分別同相應的圖像信號線104結合。源電極106a分別同相應的像素電極106結合。
在第一絕緣層103上形成第二絕緣層107，以覆蓋整個板120上的圖像信號線104、漏電極104a、像素電極106和源電極106a。由于像素電極106同相應的源電極106結合，因此用于將像素電極106電連接到相應的源電極106a的接觸孔就不再需要了。
這里，第二絕緣層107由如固化的丙烯酸樹脂的固化或硬化的介電樹脂制成。因為這種介電樹脂在固化或硬化之前具有流動性，因此該樹脂可以通過涂敷工序以層的形式形成在第一絕緣層103上。因此，如在圖9中清楚地示出的，結果，鄰近像素電極106的層107的臺階或水平差被有效地抑制或減輕了，這意味著臺階130逐漸地傾斜。
在第二絕緣層107上有選擇地形成厚的第三絕緣層108。只保留僅僅覆蓋各個圖像信號線104的第三絕緣層108。如圖14B所示，層108的截面如同岸堤一樣，沿各個線104延伸。通過對透明的、導電材料膜進行構圖，在第三絕緣層108和第二絕緣層107的露出部分上形成公共電極110。每個像素電極109具有梳-齒形部分，以及公共電極110也具有梳-齒形部分。通過第二和第三絕緣層107和108，用公共電極110完全覆蓋圖像信號線104。
公共電極110分別通過相應的接觸孔112接觸公共信號線102。因此，公共電極110被電連接到公共信號線102。
接下來，下面將根據(jù)圖11A至14C說明根據(jù)第一實施例的基板的制造方法。
首先，如圖11A至11C所示，在玻璃板120的表面上形成第一金屬膜(未示出)，對其進行構圖以形成掃描信號線101、公共信號線102和線性的光屏蔽電極113。
接下來，在整個板120上形成第一絕緣層103(例如，氮化硅層)以覆蓋掃描信號線101、公共信號線102和光屏蔽電極113。在圖11A至11C中示出了該階段的狀態(tài)。
接下來，在由此形成的第一絕緣層103上，依次形成a-Si層和n-型a-Si層并進行構圖，由此在TFT部分中形成a-Si層121和n-型a-Si層122。在與各個圖像信號線104對應的位置處有選擇地刻蝕第一絕緣層103，由此形成溝槽。此后，在第一絕緣層103上形成第二金屬膜并進行構圖，由此形成圖像信號線104、漏電極104a、像素電極106以及源電極106a。在第一絕緣層103的相應溝槽中埋置圖像信號線104。
a-Si層121和122被有選擇地刻蝕，以在TFT部分中形成凹陷130。在圖12A至12C中示出了該階段的狀態(tài)。
接著，為了形成第二絕緣層107，通過旋涂工序，在第一絕緣層103上涂敷丙烯酸樹脂，然后為了進行固化或硬化，對所涂敷的具有希望厚度的樹脂層進行曝光、顯影和燒結。作為丙烯酸樹脂，例如，可以使用由JSR公司制造的PC 415G。在硬化之前，這種丙烯酸樹脂具有高流動性，因此可以容易地進行旋涂工序。而且，因為這種丙烯酸樹脂用于形成第二絕緣層107，因此在像素電極106附近形成了層107的逐漸地傾斜的臺階130。在圖13A至13C中示出了該階段的狀態(tài)。
在此之后，在第二絕緣層107上形成第三絕緣層108并隨后進行構圖，由此保留它從而僅僅覆蓋各個圖像信號線104。因此，在第二絕緣層107上有選擇地形成了岸堤形的層108。
有選擇地刻蝕第一和第二絕緣層103和107，以形成用于公共電極110的接觸孔112。
此后，在第二和第三絕緣層107和108上形成透明的導電薄膜如ITO(銦錫氧化物)膜并隨后進行構圖，由此形成公共電極110。公共電極110分別通過相應的接觸孔112接觸公共信號線102。在圖14A至14C和圖15中示出了該階段下的狀態(tài)。
用上述工序步驟制造根據(jù)第一實施例的有源-矩陣尋址基板。
利用根據(jù)第一實施例的基板，由于第二絕緣層107由通過在第一絕緣層103上涂敷丙烯酸樹脂并硬化該丙烯酸樹脂而形成的丙烯酸樹脂層制成，因此接近像素電極106的第二絕緣層107的臺階或水平差130被有效地抑制或減輕。因此，如在圖9中清楚地看到的，層107的臺階130逐漸地傾斜。
而且，由于第二絕緣層的臺階逐漸地傾斜，由在第二絕緣層107上形成的公共電極110所引起的臺階將也逐漸地傾斜。
結果，由像素電極106和/或公共電極110的臺階或水平差所引起的液晶分子的初始定向的退化得到了改善。此外，由于相同的原因，顯示黑色狀態(tài)下的光泄漏被抑制了，因此可以實現(xiàn)更高的對比度和更高的均勻性。
另一方面，如圖10所示，利用圖7和圖8A至8C的第一相關技術基板，第二絕緣層207由第一絕緣層203上形成的氮化硅膜制成。因此，接近像素電極206的第二絕緣層207的臺階或水平差230較大，這反映出底層像素電極206的厚度。由此，會出現(xiàn)顯示黑色狀態(tài)下的光泄漏問題。
盡管在第一實施例中，第二絕緣層107由丙烯酸樹脂制成，但是只要進行其涂敷工序時它具有足夠高的流動性和具有減輕或抑制由于像素電極106而導致的水平差的性能，則可以為該目的而使用任意其他的材料。
而且，第一實施例的結構近似與圖7和圖8A至8C的第一相關技術基板的結構相同。但是，如果通過插入第二絕緣層107，在像素電極106上形成公共電極110，那么可以使用任意其他的有源矩陣基板的結構。例如，圖5和圖6A至6C的第三現(xiàn)有技術基板的結構可以用于第一實施例。
第二實施例接下來，下面將說明根據(jù)本發(fā)明第二實施例的有源-矩陣基板及其制造方法。
第二實施例的結構和制造工序步驟與第一實施例相同。因此，這里省略關于它們的說明。
第二實施例的特點是限定像素電極的厚度。下面根據(jù)圖9說明該特點。
由于像素電極106位于與圖像信號線相同的水平面上，因此像素電極106的厚度Tp等于圖像信號線的厚度。為了減小第二絕緣層107的臺階130的高度(即，水平差)，像素電極106可以被減薄。但是，在此情況下，圖像信號的寫操作很可能被延遲。因此，需要基于對臺階130的影響和圖像信號的延遲寫操作的影響進行平衡的結果來確定像素和公共電極106和110的厚度。
利用圖10所示的第一相關技術的結構，如果像素電極206的厚度增加，那么由于臺階230而導致了上述問題；如果像素電極206的厚度被減小，那么會產(chǎn)生被延遲的圖像信號的寫操作。
利用第二實施例的結構，與圖10的結構不同，因為臺階130逐漸地傾斜，因此可以增加像素電極106的厚度Tp。根據(jù)發(fā)明人的測試，像素電極106的優(yōu)選厚度Tp大約是2000(＝200nm)或以上，該厚度被證實可以抑制被延遲的圖像信號的寫操作。
以此方式，通過形成具有200nm或以上厚度的像素電極106和圖像信號線，以及使用在涂敷工序中具有流動性和具有減輕臺階130功能的介電材料來形成第二絕緣層107，可以減輕臺階130，同時可以抑制被延遲的圖像信號的寫操作。
盡管這里確定了像素電極106的厚度Tp的下限，但是可以根據(jù)用于第二絕緣層107的介電材料的流動性、涂敷條件、燒結條件等等來適當?shù)卮_定其上限。
而且，如果通過插入第二絕緣層107，在像素電極106之上形成公共電極110，那么可以應用任意其他有源矩陣基板的結構，例如，圖5和圖6A至6C的第三現(xiàn)有技術基板的結構。
第三實施例接下來，下面將說明根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的有源-矩陣基板及其制造方法。
第三實施例的結構和制造工序步驟與第一或第二實施例相同。因此，這里省略關于它們的說明。
第三實施例的特點是限定了公共電極的厚度。下面根據(jù)圖9說明該特點。
由于使用與位于最低水平面上的公共信號線不同的工序步驟來形成位于第二絕緣層107上的公共電極110，因此，可以與公共信號線獨立地確定公共電極110的厚度Tc。但是，如果公共電極110太厚，那么位于公共電極110上的定向層的厚度可能局部性地太小。另外，公共電極110可能從定向層部分地露出。因此，受定向層影響的初始定向將退化。因此，在第三實施例中，為了抑制初始定向影響的這種退化，公共電極110的優(yōu)選厚度Tc被限定為大約500(＝50nm)或以下。
根據(jù)發(fā)明人的測試，證實如果公共電極110的厚度Tc大約為50nm或以下，那么通過用于定向層的普通印刷工序，可以吸收公共電極110的臺階或水平差，因此公共電極110被定向層很好的覆蓋。
以此方式，通過在涂敷工序中使用具有流動性和具有減輕臺階130的功能的介電材料來形成第二絕緣層107，以及接著形成具有大約50nm或以下厚度的公共電極110，臺階130可以被減輕，同時，可以抑制初始定向的退化。
盡管這里限定了公共電極110的厚度Tc的上限，但是可以根據(jù)公共電極的寬度、用于公共電極110的導電材料的導電性、導電材料的機械強度等恰當?shù)卮_定其下限。
而且，如果通過插入第二絕緣層107在像素電極106上形成公共電極110，那么可以使用任意其他有源矩陣基板的結構，例如，圖5和圖6A至6C的第三現(xiàn)有技術基板的結構。
第四實施例接下來，下面將說明根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的有源-矩陣基板及其制造方法。
第四實施例的結構和制造工序步驟與第一、第二或第三實施例相同。因此，這里省略關于它們的說明。
第四實施例的特點是限定第二絕緣層的厚度。下面根據(jù)圖9說明該特點。
很顯然第二絕緣層107越厚，由于像素電極106而引起的臺階130的減輕效果就越明顯。但是，利用根據(jù)本發(fā)明的有源矩陣尋址基板的類型，像素電極106和公共電極110位于不同的水平面中，因此，隨著第二絕緣層107在其平坦或均勻位置處的厚度Td的增加，驅動電壓很可能會過高。因此，在第四實施例中，第二絕緣層107的優(yōu)選厚度Td被限定為大約3000(＝300nm)或以下，厚度Td被設置成近似等于或大于像素電極的厚度Tp。
根據(jù)發(fā)明人的測試，證實如果第二絕緣層107的厚度Td近似等于或大于像素電極的厚度Tp，那么在基本上不會發(fā)生由臺階130而引起問題的水平上，受第二絕緣層107的臺階130的影響可以得到抑制。而且，如果第二絕緣層107的厚度Td大約是300nm或以下，那么與像素電極106和公共電極110位于相同水平面中的結構相比較，驅動電壓的上升被抑制到0.25V，實際上不會產(chǎn)生問題。
以此方式，通過在涂敷工序中使用具有流動性和具有減輕臺階130功能的介電材料將第二絕緣層107形成至具有大約300nm或以下的厚度，驅動電壓的增加可以得到抑制，同時可以減輕臺階130的影響。
如果通過插入第二絕緣層107，在像素電極106之上形成公共電極110，那么可以使用任意其他有源矩陣基板的結構，例如，圖5和圖6A至6C的第三現(xiàn)有技術基板的結構。
第五實施例接下來，下面將說明根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的有源-矩陣基板及其制造方法。
第五實施例的結構和制造工序步驟與第一、第二、第三或第四實施例相同。因此，這里省略關于它們的說明。
第五實施例的特點是限定第二絕緣層的傾斜角。下面根據(jù)圖9說明該特點。
為了使由像素電極106引起的第二絕緣層107的臺階或水平差130變得完全平整，即使在涂敷工序中由具有高流動性的介電材料來形成第二絕緣層107，也要求第二絕緣層107的厚度Td大約為10000(＝1μm)或以上。但是，該需求是不切實際的。另一方面，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)如果臺階130的傾斜角θ較小，那么臺階130的影響可以被抑制在一個基本不會發(fā)生問題的水平，而不必完全地平整化該臺階130。這里，傾斜角θ被定義為臺階130頂部的切線L1和臺階130的側面上的切線L2之間的夾角。
由此，在第五實施例中，第二絕緣層107的臺階130的優(yōu)選傾斜角θ被定義為大約30°或以下。根據(jù)發(fā)明人的測試，如果優(yōu)選的傾斜角θ大約為30°或以下，那么由于定向退化所引起的光泄漏幾乎不影響黑色亮度。
以此方式，通過在涂敷工序中使用具有流動性和具有減輕臺階130的功能的介電材料來形成第二絕緣層107，使其具有大約30°或以下的傾斜角，則由像素電極106而引起的臺階130的影響可以得到抑制。
如果通過插入第二絕緣層107在像素電極106之上形成公共電極110，那么可以應用任意其他有源矩陣基板的結構，例如，圖5和圖6A至6C的第三現(xiàn)有技術基板的結構。
其他實施例不用說本發(fā)明并不局限于上述第一至第五實施例及它們的變型。任意其他改進可應用于這些實施例及變型。
例如，利用本發(fā)明的上述第一至第五實施例，本發(fā)明可應用于使用橫向電場的有源矩陣尋址LCD器件的有源矩陣尋址基板。但是，本發(fā)明還可應用于任意其他類型的LCD器件和任意的有機EL(電致發(fā)光)顯示器件。
盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的優(yōu)選形式，但是應當理解對于本領域的技術人員來說在不脫離本發(fā)明的精神的前提下所進行的各種修改是顯而易見的。因此本發(fā)明的保護范圍單獨由權利要求書來決定。
權利要求
1.一種有源矩陣尋址基板，包括透明板；在該板上或在該板上方形成的掃描信號線和公共信號線；在該板上或在該板上方形成的第一絕緣層，以覆蓋所述掃描信號線和所述公共信號線；在所述第一絕緣層上形成的圖像信號線和像素電極；在所述第一絕緣層上形成的第二絕緣層，以覆蓋圖像信號線和像素電極；在所述第二絕緣層上形成的經(jīng)構圖的第三絕緣層，以有選擇地覆蓋圖像信號線；以及在所述第三絕緣層上形成的公共電極；其中所述第二絕緣層由在硬化之前具有流動性的介電材料制成。
2.根據(jù)權利要求1的基板，其中所述在硬化之前具有流動性的介電材料是丙烯酸樹脂。
3.根據(jù)權利要求1的基板，其中所述第二絕緣層在其平坦或均勻位置處的厚度近似等于所述像素電極的厚度；以及所述第二絕緣層在其平坦或均勻的位置處具有大約300nm或以下的厚度。
4.根據(jù)權利要求1的基板，其中所述第二絕緣層在其平坦或均勻的位置處的厚度近似等于所述像素電極的厚度；以及在所述各個像素電極附近的所述第二絕緣層具有大約30°或以下的傾斜角。
5.根據(jù)權利要求1的基板，其中所述第二絕緣層在其平坦或均勻位置處的厚度近似等于像素電極的厚度；所述第二絕緣層在其平坦或均勻的位置處具有大約300nm或以下的厚度；以及在所述各個像素電極附近的所述第二絕緣層具有大約30°或以下的傾斜角。
6.根據(jù)權利要求1的基板，其中所述像素電極由不透明的導電材料制成，以及具有大約200nm或以上的厚度。
7.根據(jù)權利要求1的基板，其中所述公共電極由透明的導電材料制成以及，具有大約50nm或以下的厚度。
8.一種有源矩陣尋址基板，包括透明板；在所述板上或在所述板上方形成的掃描信號線、公共信號線和光屏蔽電極；在所述板上或在所述板上方形成的第一絕緣層，以覆蓋掃描信號線、公共信號線和光屏蔽電極；在所述第一絕緣層上或第一絕緣層中形成的圖像信號線，以與相應的光屏蔽電極重疊；在所述第一絕緣層上形成的像素電極；在所述第一絕緣層上形成的第二絕緣層，以覆蓋所述圖像信號線、所述像素電極和所述光屏蔽電極；在所述第二絕緣層上形成的經(jīng)構圖的第三絕緣層，以有選擇地覆蓋所述圖像信號線；以及在該第三絕緣層上形成的公共電極；其中該第二絕緣層由在硬化之前具有流動性的介電材料制成。
9.根據(jù)權利要求8的基板，其中所述在硬化之前具有流動性的介電材料是丙烯酸樹脂。
10.根據(jù)權利要求8的基板，其中所述第二絕緣層在其平坦或均勻位置處的厚度近似等于所述像素電極的厚度；以及所述第二絕緣層在其平坦或均勻的位置處具有大約300nm或以下的厚度。
11.根據(jù)權利要求8的基板，其中所述第二絕緣層在其平坦或均勻位置處的厚度近似等于所述像素電極的厚度；以及在所述各個像素電極附近的所述第二絕緣層具有大約30°或以下的傾斜角。
12.根據(jù)權利要求8的基板，其中所述第二絕緣層在其平坦或均勻位置處的厚度近似等于所述像素電極的厚度；所述第二絕緣層在其平坦或均勻位置處具有大約300nm或以下的厚度；以及在所述各個像素電極附近的所述第二絕緣層具有大約30°或以下的傾斜角。
13.根據(jù)權利要求8的基板，其中所述像素電極由不透明的導電材料制成，以及具有大約200nm或以上的厚度。
14.根據(jù)權利要求8的基板，其中該公共電極由透明的導電材料制成，以及具有大約50nm或以下的厚度。
15.一種制造有源矩陣尋址基板的方法，包括以下步驟在透明板上或在透明板上方形成的掃描信號線和公共信號線；在所述板上或在所述板上方形成第一絕緣層，以覆蓋該掃描信號線和公共信號線；在所述第一絕緣層上形成圖像信號線和像素電極；在所述第一絕緣層上形成第二絕緣層，以覆蓋所述圖像信號線和所述像素電極；在第二絕緣層上形成經(jīng)構圖的第三絕緣層，以有選擇地覆蓋所述圖像信號線；以及在所述第三絕緣層上形成公共電極；其中通過使用在硬化之前具有流動性的介電材料來形成所述第二絕緣層。
16.根據(jù)權利要求15的方法，其中在硬化之前具有流動性的介電材料是丙烯酸樹脂。
17.一種制造有源矩陣尋址基板的方法，包括以下步驟在透明板上或在透明板上方形成掃描信號線、公共信號線和光屏蔽電極；在所述板上或在所述板上方形成第一絕緣層，以覆蓋所述掃描信號線、所述公共信號線和所述光屏蔽電極；在所述第一絕緣層上或所述第一絕緣層中形成圖像信號線，以與相應的光屏蔽電極重疊；在所述第一絕緣層上形成像素電極；在所述第一絕緣層上形成第二絕緣層，以覆蓋所述圖像信號線、所述像素電極和所述光屏蔽電極；在所述第二絕緣層上形成經(jīng)構圖的第三絕緣層，以有選擇地覆蓋所述圖像信號線；以及在所述第三絕緣層上形成公共電極；其中所述第二絕緣層由在硬化之前具有流動性的介電材料制成。
18.根據(jù)權利要求17的方法，其中所述在硬化之前具有流動性的介電材料是丙烯酸樹脂。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有源矩陣尋址基板，用于改善由于像素電極和/或公共電極的臺階或水平差而引起的液晶分子的初始定向的退化。在第一絕緣層上或在第一絕緣層上方形成像素電極，以及在第二或第三絕緣層上形成公共電極。第二絕緣層由于它們附近的像素電極而具有臺階或水平差。第二絕緣層由在硬化之前具有流動性的介電材料制成，例如，丙烯酸樹脂。第二絕緣層的臺階被減輕，得到了逐漸地傾斜的臺階。由于公共電極的重疊定向層的臺階也逐漸地傾斜。限定了像素電極的厚度、第二絕緣層的厚度和傾斜角、以及像素和公共電極的厚度。
文檔編號G02F1/1362GK1881053SQ20061009379
公開日2006年12月20日 申請日期2006年6月19日 優(yōu)先權日2005年6月17日
發(fā)明者今野隆之 申請人:Nec液晶技術株式會社