專利名稱：光刻中的成像和器件的制作方法
背景本說明書涉及光刻系統(tǒng)、方法和技術(shù)中的成像和器件(device)。
光刻是將特征繪制(render)在一般平坦的表面上的工藝。特征可以使用光刻掩模(mask)(也被稱為“掩模版(reticle)”)來繪制，所述光刻掩模調(diào)制由電磁輻射進行的工件表面的曝光。通過掩模調(diào)制的輻射，投影在工件上的圖像在光敏介質(zhì)中被儲存為潛像(latent image)。在另外的處理之后，潛像轉(zhuǎn)變?yōu)樵谶M一步的處理中使用的工件上的特征。例如，這樣的特征可以被用來在半導體晶片上形成集成電路。
在光刻中使用的相移系統(tǒng)、方法和技術(shù)使傳播通過掩模的電磁輻射的相位變化，以改善在工件上圖形化的特征的圖像品質(zhì)。這些改善可以包括印刷的特征的增加的空間分辨率、增加的對比度以及在印刷期間由增加的焦深產(chǎn)生的改善。
通常使用相移掩模來實現(xiàn)相移。相移掩模改變透射輻射的相位，并且導致改善在工件上的特征的品質(zhì)的干涉效應。相移掩模一般包括兩個或更多個區(qū)，給定頻率的電磁輻射以不同的平均波長數(shù)量橫穿所述兩個或更多個區(qū)。當輻射橫穿這樣的區(qū)時，所述不同的光波長數(shù)量改變透射輻射的相位關(guān)系。使用合適的掩模布局技術(shù)，相位關(guān)系中的這些改變可以產(chǎn)生以上描述的改善。
兩種類別的相移掩模包括交替式相移掩模和嵌入式相移掩模。交替式相移掩模一般包括具有不同透射性質(zhì)的兩個或更多個相關(guān)聯(lián)的孔徑(aperture)。尤其，來自所述孔徑中的第一孔徑的輻射通常以相對來自第二孔徑的輻射具有相位差的方式到達在工件的給定點。所述孔徑可以是相關(guān)聯(lián)的，使得所述相位差導致改善印刷品質(zhì)的干涉效應。
交替式相移掩?？梢园ň哂姓凵渎矢哂诨虻陀谘谀Ｖ黧w的移相器。移相器可以增加或減少沿通過選定掩?？讖降墓饴返钠骄獠ㄩL數(shù)量，以相對于其他透射的輻射來調(diào)制相位。傳統(tǒng)交替式掩模中的移相器導致這樣的輻射的強度相對于沿其他光路傳遞的輻射的強度有最小的改變或者沒有改變。傳統(tǒng)上，通過將掩模襯底的主體的部分蝕刻到預定的深度來產(chǎn)生交替式180°相移掩模。掩模襯底通常被選擇為對選定頻率的電磁輻射是高度可透射的。
圖1示出使用交替式相移掩模形成的圖像的理論輻射強度分布100。輻射強度分布100可以使用具有相等寬度的不透明線和透明間隔(space)的相移光柵來獲得。每一個其他的透明間隔透射與來自透射通過其他透明間隔的光的相位相差180°的電磁輻射。輻射強度分布100包括點105、110，所述點105、110是鄰近間隔之間的中點，并且在所述中點處輻射強度接近零，并且透射輻射的電場改變符號。
嵌入式相移掩模一般包括在降低透射的輻射的相對強度的同時，改變強度降低的輻射相對其他透射的輻射的相位關(guān)系的區(qū)。這樣的區(qū)可以包括，例如，包括鉻、CrxOy、CrxOYNz、MoxSiyOz、MoxSiyOzNq的薄膜。嵌入式相移掩模還被稱為衰減相移掩?；蛘擀型干溲谀?。
其他示例性的掩模類別包括交替式孔徑相移掩模(PSM)、隱藏移相器式PSM、暴露移相器式PSM、無鉻PSM(相位邊緣PSM)、無鉻移相器快門(shifter-shutter)、高透射嵌入式PSM、漏鉻PSM和邊部移相器掩模(rim shifter masks)。


圖1示出使用交替式相移掩模形成的圖像的理論輻射強度分布100。
圖2示出光刻系統(tǒng)的框圖。
圖3和4示出掩模的實現(xiàn)。
圖5-8示出移相器的一部分的實現(xiàn)。
圖9、10和11圖示可以如何調(diào)整移相器。
圖12、13和14圖示可以如何調(diào)整移相器。
圖15和16示出掩模的實現(xiàn)。
圖17-20示出移相器的一部分的實現(xiàn)。
圖21、22和23圖示可以如何調(diào)整移相器。
圖24和25示出移相器的一部分的實現(xiàn)。
圖26、27和28圖示可以如何調(diào)整移相器。
圖29和30示出移相器的一部分的實現(xiàn)。
圖31、32和33示出移相器的一部分的實現(xiàn)。
圖34、35和36圖示可以如何調(diào)整移相器。
圖37示出掩模的一部分的實現(xiàn)。
圖38-43示出移相器的一部分的實現(xiàn)。
圖44示出包括可編程器件的光刻系統(tǒng)的框圖。
圖45和46示出可編程器件的實現(xiàn)。
圖47示出可編程器件的另一實現(xiàn)。
各個附圖中相同的標注符號指示相似的元件。
詳細描述圖2示出光學光刻系統(tǒng)200。系統(tǒng)200包括照明源205、照明系統(tǒng)210、掩模215、成像系統(tǒng)220和襯底225。
照明源205產(chǎn)生電磁輻射230。輻射230可以是完全或者部分相干的，因為發(fā)出的光波在一段時間內(nèi)維持固定并且維持可預測的相互相位關(guān)系。可以選擇輻射230以在微電子器件的光刻圖形化中使用。例如，輻射230可以是紫外或者諸如193nm輻射的深紫外輻射。
照明系統(tǒng)210可以包括孔徑、聚光器以及用于集光、準直、濾光和聚焦從源205發(fā)出的輻射230的額外器件。
成像系統(tǒng)220可以包括孔徑、物鏡以及用于集光、濾光和聚焦通過掩模215傳遞到襯底225上的部分輻射230的額外器件。例如，成像系統(tǒng)220可以包括濾光投影透鏡。
襯底225是要被系統(tǒng)200圖形化的工件。襯底225包括工作表面235。襯底225可以通過真空吸盤或其他支撐物被呈現(xiàn)給系統(tǒng)200，從而輻射230被聚焦在工作表面235上。在工作表面235，襯底225可以包括在基體(base)材料之上的光敏抗蝕材料?；w材料可以是一般平坦的晶片，所述晶片包括諸如二氧化硅或氮化硅的電絕緣體、諸如p或n摻雜硅的半導體材料或諸如銅或鋁的傳導材料中的一種或更多種。襯底225的基體可以被圖形化，以形成微電子器件的全部或部分?？刮g材料可以是對輻射230敏感的材料。例如，抗蝕材料可以是平坦的正或負性光致抗蝕劑膜。
掩模215通過掩模工作臺被安置在系統(tǒng)200中，以影響輻射230在襯底225上的入射。掩模215可以包括以不同透射率和相位來透射電磁輻射的不同區(qū)。例如，掩模215可以是相移掩模，因為通過透射通過掩模215改變輻射230中的光波之間的相位關(guān)系是可行的。例如，掩模215可以改變沿第一光路245傳播的第一光波、沿第二光路250傳播的第二光波和沿第三光路255傳播的第三光波之間的相位關(guān)系。這些對相位關(guān)系的改變可以被設計來改善在襯底225的工作表面235印刷的特征的品質(zhì)。如下面進一步討論的，掩模215可以包括透射強度基本相等的輻射或者透射強度不同的輻射的相移區(qū)。
掩模215可以包括掩模襯底260、一個或更多個不透明區(qū)域265、第一相移區(qū)270、第二相移區(qū)275和體(bulk)掩模襯底區(qū)280。掩模襯底260具有表面262，區(qū)域265和區(qū)270、275、280位于所述表面262。掩模襯底260一般包括對輻射230大部分透明的材料。例如，掩模襯底260可以是玻璃或熔融石英(fused silica)片。
不透明區(qū)域265可以阻止輻射230沿選定的光路透射通過掩模215。這些路徑在圖2中沒有被指明。不透明區(qū)域265可以，例如，由鉻或其他材料制成。掩模215不需要包含不透明區(qū)域265。
區(qū)270、275、280可以是可操作的，以改變透射光波的相位關(guān)系。尤其，區(qū)270、275、280均可以不同程度地移動分別沿路徑245、250、255傳播的輻射的相位。如下面進一步討論的，相移量由諸如區(qū)270、275、280的幾何形狀、尺寸和有效折射率的參數(shù)確定。區(qū)270、275、280可以彼此鄰近，或者區(qū)270、275、280可以彼此分離。相同地或不同程度地改變透射輻射的相位關(guān)系的額外區(qū)可以位于表面262。
在一些實現(xiàn)中，區(qū)270、275、280基本上不改變透射的輻射的強度。在其他實現(xiàn)中，區(qū)270、275、280可以使透射的輻射的強度不同程度地衰減。尤其，區(qū)270、275、280中每一個都可以不同程度地改變沿路徑245、250、255傳播的輻射的強度。如下面進一步討論的，衰減量由諸如區(qū)270、275、280的幾何形狀、尺寸和有效折射率的參數(shù)確定。區(qū)270、275、280可以彼此鄰近，或者區(qū)270、275、280可以彼此分離。相同地或不同程度地改變透射輻射的強度的額外區(qū)可以位于表面262。
因為區(qū)270、275、280均可以不同程度地移動輻射的相位，所以在透射通過掩模215的輻射230中可以獲得三種不同的相位。額外的區(qū)可以提供額外的相位。
圖3和4更詳細地示出掩模215的表面262的實現(xiàn)。圖3從下面示出掩模215的表面262，而圖4沿截面4-4示出掩模215。第一相移區(qū)270包括第一蝕刻的移相器305。第二相移區(qū)275包括第二蝕刻的移相器310。體掩模襯底區(qū)280不包括蝕刻的移相器，而是掩模襯底260的延伸。
移相器305、310中每一個都某種程度地移動分別沿路徑245、250傳播的輻射的相位，所述某種程度不同于區(qū)280移動沿路徑255傳播的輻射的相位的程度。在一些實現(xiàn)中，移相器305、310中每一個都具有不同的有效折射率，所述不同的有效折射率在區(qū)280的折射率和圍繞介質(zhì)的折射率之間。由于在有效折射率方面的這些差異，沿路徑240、250、255傳播的同一頻率輻射可能要求不同的橫穿掩模215的光波長數(shù)量。這種光路長度差異可以被設計來移動這樣的輻射的相位，以導致干涉效應，所述干涉效應改善利用掩模215印刷在工件上的特征的品質(zhì)。
在一些實現(xiàn)中，移相器305、310都可以從表面262的平面延伸一深度315進入到掩模215中。這便于掩模215的制造，因為可以使用單次掩模襯底蝕刻操作將移相器305、310蝕刻到掩模襯底260中。
圖5-8圖示被設計以導致干涉效應的移相器的實現(xiàn)，所述干涉效應改善利用掩模215印刷的特征的品質(zhì)。圖5和6示出單個移相器(諸如移相器305、310中的任意一個)的一部分的實現(xiàn)。圖5從下面示出移相器的視圖，而圖6沿截面6-6示出同一移相器。圖示的移相器包括棋盤圖形505。棋盤圖形505包括孔510的集合，所述孔510從表面262的平面被蝕刻到深度315，以限定柱形特征515的集合。
圖7和8示出單個移相器(諸如移相器305、310中的任意一個)的一部分的另一實現(xiàn)。圖7從下面示出移相器的視圖，而圖8沿截面8-8示出同一移相器。圖示的移相器包括光柵圖形705。光柵圖形705包括溝槽710的集合，所述溝槽710從表面262的平面被蝕刻到深度315，以限定線形特征715的集合。
可以選擇孔510、溝槽710和特征515、715的布局，以引起期望的干涉效應并且改善利用掩模215印刷的特征的品質(zhì)。圖9、10和11圖示當深度315是180°蝕刻深度(即，當深度315由等式λ/2(n-1)等式1給定時，其中λ是輻射230的波長，n是特征515、715的折射率，并且圍繞掩模的介質(zhì)的折射率被假定為1)時，如何選擇孔510、溝槽710和特征515、715的布局和占空比。
圖9針對基于圖形505、705的各種移相器，示出作為移相器的一半節(jié)距的函數(shù)的透射的193nm輻射的歸一化近場零級衍射強度的曲線圖900。
透射的輻射的零級衍射是在與引入的(incoming)輻射相同的方向上透射的電磁場。雖然衍射級數(shù)一般是針對周期結(jié)構(gòu)定義的，但是為了本說明的目的，零級衍射指在與未衍射的引入的輻射的傳播方向相同的方向上透射通過給定感興趣區(qū)(region ofinterest)(或者由其反射，在器件被用在反射模式中的情況下)的電磁場。在透射模式中，零級衍射的傳播方向是當器件圖形不存在時引入的輻射場將傳播的方向。在反射模式中，傳播方向?qū)诋斊骷D形不存在時鏡像反射的輻射的傳播方向。零級衍射可以根據(jù)相對于透射通過器件的參考區(qū)(或由其反射)的其他輻射的強度和相位來描述。
節(jié)距是器件上的感興趣區(qū)內(nèi)的最小空間周期。這樣的區(qū)在橫向尺寸上可以小至幾個波長或者大得多。因此，移相器的節(jié)距是移相器的最小空間周期。例如，棋盤圖形505的節(jié)距是柱形特征515的寬度和鄰近的孔510的寬度的總和。作為另一實施例，光柵圖形705的節(jié)距是線形特征715的寬度和鄰近的溝槽710的寬度的總和。
在曲線圖900中，近場零級衍射強度根據(jù)明場強度被歸一化。掩模的明場是不包括移相器的可透射區(qū)域。因此，明場強度可以是，例如，透射通過掩模215的區(qū)280的輻射的強度。圖形505、705的節(jié)距用納米表示。
圖10針對基于圖形505、705的多種移相器，示出作為移相器的一半節(jié)距的函數(shù)的透射的193nm輻射的零級衍射相位的曲線圖1000。零級衍射相位是在與引入的輻射相同的方向上透射的輻射的相位。零級衍射相位是相對于透射通過掩模215的實心區(qū)(solidregion)(例如，諸如沿路徑255(圖2)通過區(qū)280)的輻射相位而給定的。在曲線圖1000中，零級衍射相位用度表示，并且圖形505、705的節(jié)距用納米表示。
曲線圖900和1000都包括散射區(qū)905和均化區(qū)(averaging region)910。散射區(qū)905和均化區(qū)910兩者中的特征都是“亞波長特征”，因為它們具有接近或者小于入射的193nm輻射的一個波長的一個或更多個尺寸。但是，在散射區(qū)905中，入射在移相器上的任何193nm輻射的重要部分被移相器散射到用來印刷特征的投影光學器件(諸如成像系統(tǒng)220(圖2))的入射光瞳外。在均化區(qū)910中，入射在移相器上的193nm輻射沒有被顯著地散射到相對入射光束成大角度的方向。這是由于特征515、715(以及孔510和溝槽710)具有接近或小于入射193nm輻射的一半波長的一個或更多個尺寸。因此，均化區(qū)910中的特征515、715可以被稱為亞半波長特征。這樣的亞半波長特征可以使用多種高分辨率印刷技術(shù)中的任意一種來形成，所述高分辨率印刷技術(shù)諸如電子束印刷、壓印技術(shù)、離子束印刷以及EUV和x射線光刻。
由于均化區(qū)910中的尺寸，相對于在近場中入射的193nm輻射而言，特征515、715、孔510和/或溝槽710的光學性質(zhì)被稱作為“均化的”了。這樣的均化(averaging)不一定是組成特征515、715、孔510和/或溝槽710的物理性質(zhì)的嚴格算術(shù)均值。但是，在均化區(qū)910中，任何入射的193nm輻射與移相器中的圖形505、705交互，仿佛圖形505、705是統(tǒng)一的整體而不是分立的特征515、715、孔510和/或溝槽710。
圖11示出對曲線圖900、1000的注釋(key)1100。注釋1100指出曲線圖900、1000包括線1105、1110、1115、1120、1125、1130、1135。線1105對應于光柵圖形705，其中溝槽710的寬度是光柵圖形705的節(jié)距的70％，并且其中溝槽710被定向為平行于偏振的入射輻射的電場。線1110對應于光柵圖形705，其中溝槽710的寬度是光柵圖形705的節(jié)距的50％，并且其中溝槽710被定向為平行于偏振的入射輻射的電場。線1115對應于光柵圖形705，其中溝槽710的寬度是光柵圖形705的節(jié)距的30％，并且其中溝槽710被定向為平行于偏振的入射輻射的電場。
線1120對應于棋盤圖形505，其中孔510的寬度是棋盤圖形505的節(jié)距的50％，并且其中透射的輻射的電場具有與入射輻射的電場基本上相同的偏振。
線1125對應于光柵圖形705，其中溝槽710的寬度是光柵圖形705的節(jié)距的70％，并且其中溝槽710被定向為平行于偏振的入射輻射的磁場。線1130對應于光柵圖形705，其中溝槽710的寬度是光柵圖形705的節(jié)距的50％，并且其中溝槽710被定向為平行于偏振的入射輻射的磁場。線1135對應于光柵圖形705，其中溝槽710的寬度是光柵圖形705的節(jié)距的30％，并且其中溝槽710被定向為平行于偏振的入射輻射的磁場。
如從圖9和10可以看到的，輻射經(jīng)過移相器的透射率和相移可以通過選擇合適的包括在移相器中的特征來調(diào)整，以改善印刷的品質(zhì)。人們可以確定(identify)某種輻射的期望的調(diào)制，并且隨后確定可以用來實現(xiàn)所述期望的調(diào)制的合適的特征(和它們的布局)。合適的特征可以通過參照曲線圖900、1000(和在此描述的其他實現(xiàn))，通過這些和其他特征的實驗研究，或者通過求解決定(govern)輻射通過這些和其他特征的透射的Maxwell方程來確定。例如，商業(yè)上可獲得的、用于描述波在光刻中的傳播的軟件(例如，可從加利福尼亞州，伯克利的Panoramic Technologies有限公司獲得的EM-SUITE PACKAGE)可以被用來確定這樣的特征。此外，輻射的偏振可以被控制以提供對移相器的透射特性的額外控制。還可以使用包括非偏振特征的圖形(諸如棋盤圖形505)，所述非偏振特征基本上以獨立于輻射的任何偏振的方式與輻射230交互。
再有，假如是利用光柵圖形705獲得的結(jié)果，顯然，不需要移相器中的亞半波長特征的每個尺寸接近或小于入射輻射的一半波長。但是，只具有亞半波長節(jié)距的特征可以提供有利的結(jié)果。
在期望兩個或更多個移相器在單個掩模中的情況來說，人們可以確定產(chǎn)生不同相移和不同強度的兩種或更多種類別的特征。被確定的類別的特征可以被引入到單個掩模中。此外，因為可以利用在單次相位蝕刻操作中形成(例如，通過將不同橫向尺寸的孔蝕刻到同一蝕刻深度，或者通過將不同橫向尺寸的溝槽蝕刻到同一蝕刻深度)的不同移相器來獲得不同相移和強度，掩模制造可以被簡化。尤其，多相位掩模可以使用單次蝕刻操作來形成，消除在掩模制造期間對重復的覆蓋(overlay)和圖形化操作的需求。
多相位掩模的形成的這種簡化可以被用來生產(chǎn)以多種不同方式中的任意一種來改善印刷的特征的品質(zhì)的多相位掩模。例如，隱藏移相器式相移掩模和暴露移相器式相移掩?？梢允褂脝未蜗辔晃g刻操作來形成?？梢孕纬杉染哂袕娤嘁茀^(qū)又具有弱相移區(qū)的單個掩模。可以利用降低覆蓋和處理需求的簡化處理獲得大范圍的相移和衰減。
圖12、13和14圖示可以如何選擇孔510、溝槽710和特征515、715的布局的另一實現(xiàn)，即，在深度315是360°蝕刻深度時(即，當深度315由等式λ/(n-1)等式2給定時，其中λ是輻射230的波長，n是特征515、715的折射率，并且圍繞掩模的介質(zhì)的折射率被假定為1)。
圖12針對基于圖形505、705的多種移相器，示出作為移相器的一半節(jié)距的函數(shù)的透射的193nm輻射的歸一化近場零級衍射強度的曲線圖1200。在曲線圖1200中，零級衍射強度根據(jù)明場強度被歸一化。圖形505、705的節(jié)距用納米表示。
圖13針對基于圖形505、705的多種移相器，示出作為移相器的一半節(jié)距的函數(shù)的透射的193nm輻射的零級衍射相位的曲線圖1300。在曲線圖1300中，零級衍射相位用度表示，并且圖形505、705的節(jié)距用納米表示。曲線圖1200和曲線圖1300都包括散射區(qū)905和均化區(qū)910。
圖14示出對曲線圖1200、1300的注釋1400。注釋1400指出曲線圖1200、1300包括線1405、1410、1415、1420、1425、1430、1435。線1405對應于光柵圖形705，其中溝槽710的寬度是光柵圖形705的節(jié)距的70％，并且其中溝槽710被定向為平行于偏振的入射輻射的電場。線1410對應于光柵圖形705，其中溝槽710的寬度是光柵圖形705的節(jié)距的50％，并且其中溝槽710被定向為平行于偏振的入射輻射的電場。線1415對應于光柵圖形705，其中溝槽710的寬度是光柵圖形705的節(jié)距的30％，并且其中溝槽710被定向為平行于偏振的入射輻射的電場。
線1420對應于棋盤圖形505，其中孔510的寬度是棋盤圖形505的節(jié)距的50％，并且其中透射的輻射的電場具有與入射輻射的電場基本上相同的偏振。
線1425對應于光柵圖形705，其中溝槽710的寬度是光柵圖形705的節(jié)距的70％，并且其中溝槽710被定向為平行于偏振的入射輻射的磁場。線1130對應于光柵圖形705，其中溝槽710的寬度是光柵圖形705的節(jié)距的50％，并且其中溝槽710被定向為平行于偏振的入射輻射的磁場。線1135對應于光柵圖形705，其中溝槽710的寬度是光柵圖形705的節(jié)距的30％，并且其中溝槽710被定向為平行于偏振的入射輻射的磁場。
輻射經(jīng)過移相器的透射率和相移可以通過選擇合適的包括在移相器中的特征來調(diào)整，以改善印刷的品質(zhì)。可以確定產(chǎn)生不同相移和不同強度的兩種或更多種類別的特征。確定的類別的特征可以被引入到單個掩模中。可以利用在單次相位蝕刻操作中形成的不同移相器來獲得不同相移和強度，以產(chǎn)生多相位掩模。此外，依賴于在掩模中包括的偏振或非偏振特征，輻射的偏振可以被控制以提供對移相器的透射特性的額外控制。
圖15和16更詳細地示出掩模215的表面262的實現(xiàn)。圖15從下面示出掩模215的表面262，而圖16沿截面16-16示出掩模215。第一相移區(qū)270包括第一移相器1505。第二相移區(qū)275包括第二移相器1510。第三相移區(qū)280不包括移相器。第三相移區(qū)280具有與掩模襯底260相同的折射率，所述折射率一般比圍繞掩模215的介質(zhì)的折射率高。
移相器1505、1510中的每個移動分別沿路徑245、250傳播的光波的相位到不同的程度，并且所述不同的程度不同于區(qū)280移動沿路徑255傳播的光波的相位的程度。尤其，沿路徑240、250、255傳播的同一波長輻射可以要求不同的橫穿掩模215的光波長數(shù)量。
在一些實現(xiàn)中，移相器1505、1510還都使分別沿路徑245、250傳播的輻射230衰減不同的量，并且可以形成嵌入式相移區(qū)。在一個這樣的實現(xiàn)中，移相器1505、1510都可以具有同一厚度1515，并且從掩模215的表面262的平面向下延伸。這便于掩模215的制造，因為移相器1305、1310可以被方便地形成。例如，移相器1305、1310可以使用單次薄膜沉積、掩蔽和蝕刻操作來同時形成。
圖17-20圖示被設計來導致干涉效應的移相器(諸如，移相器1505、1510)的實現(xiàn)，所述干涉效應改善利用掩模215印刷的特征的品質(zhì)。圖17和18示出單個移相器的一部分的實現(xiàn)。圖17從下面示出移相器的視圖，而圖18沿截面18-18示出同一移相器。
圖示的移相器包括棋盤圖形1705。棋盤圖形1705包括柱形特征1715的集合，所述柱形特征1715共同限定孔1710的集合。柱形特征1715可以通過在掩模215的底部表面262沉積對輻射230部分不透明或基本不透明的薄膜材料來形成。特征1715可以被形成為具有厚度1515，使得特征1715在厚度1515的方向上對輻射230部分不透明或基本不透明。例如，特征1715可以這樣來形成，即使用蒸發(fā)、濺射和/或無電薄膜沉積技術(shù)，隨后通過圖形化來限定孔1710。在一個實現(xiàn)中，特征1715包括金屬和抗反射涂敷層，所述金屬諸如鉻層1725，所述抗反射涂敷層諸如氧化鉻層1730。
圖19和20示出諸如移相器1505、1510中的任意一個的單個移相器的一部分的另一實現(xiàn)。圖19從下面示出移相器的視圖，而圖20沿截面20-20示出移相器的同一實現(xiàn)。圖示的移相器1505包括光柵圖形1905。光柵圖形1905包括線形特征1915的集合，所述線形特征限定溝槽1910的集合。
線形特征1915可以通過在掩模215的底部表面262沉積對輻射230部分不透明或基本不透明的薄膜材料來形成。特征1915可以被形成為具有厚度1515，所述厚度1515足夠使特征1915在厚度1515的方向上對輻射230部分不透明或基本不透明。例如，特征1915可以這樣來形成，即使用蒸發(fā)、濺射和/或無電薄膜沉積技術(shù)，隨后通過圖形化以限定溝槽1910。在一個實現(xiàn)中，特征1915包括金屬和抗反射涂敷層，所述金屬諸如鉻層1925，所述抗反射涂敷層諸如氧化鉻層1930。
可以選擇孔1710、溝槽1910和特征1715、1915的布局，以引起期望的干涉效應并且改善利用掩模215印刷的特征的品質(zhì)。圖21、22和23圖示在厚度1515是100nm時如何選擇孔1710、溝槽1910和特征1715、1915的布局。
圖21針對基于圖形1705、1905的多個移相器，示出作為移相器的一半節(jié)距的函數(shù)的透射的193nm輻射的歸一化近場零級衍射強度的曲線圖2100。在曲線圖2100中，零級衍射強度根據(jù)明場強度被歸一化。圖形1705、1905的節(jié)距用納米表示。
圖22針對基于圖形1705、1905的多個移相器，示出作為移相器的一半節(jié)距的函數(shù)的透射的193nm輻射的零級衍射相位的曲線圖2200。在曲線圖2200中，零級衍射相位用度表示，圖形1705、1905的節(jié)距用納米表示。曲線圖2100和2200都包括散射區(qū)905和均化區(qū)910。
圖23示出對曲線圖2100、2200的注釋2300。注釋2300指出曲線圖2100、2200包括線2305、2310、2315、2320、2325、2330、2335。線2305對應于光柵圖形1905，其中溝槽1910的寬度是光柵圖形1905的節(jié)距的70％，并且其中溝槽1910被定向為平行于偏振的入射輻射的電場。線2310對應于光柵圖形1905，其中溝槽1910的寬度是光柵圖形1905的節(jié)距的50％，并且其中溝槽1910被定向為平行于偏振的入射輻射的電場。線2315對應于光柵圖形1905，其中溝槽1910的寬度是光柵圖形1905的節(jié)距的30％，并且其中溝槽1910被定向為平行于偏振的入射輻射的電場。
線2320對應于棋盤圖形1705，其中孔1710的寬度是棋盤圖形1705的節(jié)距的50％，并且其中透射的輻射的電場具有與入射輻射的電場基本上相同的偏振。
線2325對應于光柵圖形1905，其中溝槽1910的寬度是光柵圖形1905的節(jié)距的70％，并且其中溝槽1910被定向為平行于偏振的入射輻射的磁場。線2330對應于光柵圖形1905，其中溝槽1910的寬度是光柵圖形1905的節(jié)距的50％，并且其中溝槽1910被定向為平行于偏振的入射輻射的磁場。線2335對應于光柵圖形1905，其中溝槽1910的寬度是光柵圖形1905的節(jié)距的30％，并且其中溝槽1910被定向為平行于偏振的入射輻射的磁場。
輻射經(jīng)過移相器的透射率和相移可以通過選擇合適的包括在移相器中的特征來調(diào)整，以改善印刷的品質(zhì)?？梢源_定產(chǎn)生不同相移和不同強度的兩種或更多種類別的特征。確定的類別的特征可以被引入到單個掩模中。可以利用由單個薄膜形成的不同移相器來獲得不同相移和強度，以產(chǎn)生多相位掩模。此外，依賴于在掩模中包括的偏振或非偏振特征，輻射的偏振可以被控制以提供對移相器的透射特性的額外控制?？梢孕纬杉染哂袕娤嘁茀^(qū)又具有弱相移區(qū)的單個掩模?？梢岳媒档透采w和處理需求的簡化處理獲得大范圍的相移和衰減。
圖24和25示出單個移相器(諸如移相器1505、1510中的任意一個)的一部分的另一實現(xiàn)。圖24從下面示出移相器的視圖，而圖25沿截面25-25示出同一移相器。
圖示的移相器包括棋盤圖形2405。棋盤圖形2405包括柱形特征2415的集合，所述柱形特征2415共同限定孔2410的集合。柱形特征2415可以具有厚度1515，并且從掩模215的底部表面262的平面向下延伸。柱形特征2415可以由這樣的材料形成，即，在降低透射輻射的強度的同時，改變強度降低的輻射相對其他輻射的相位關(guān)系。柱形特征2415可以使用多種薄膜沉積技術(shù)來形成，并且可以包括，例如，鉻、CrxOy、CrxOyNz、MoxSiyOz或MoxSiyOzNq。
可以選擇孔510、1710、2410和特征515、1715、2415的布局，以導致期望的干涉效應并且改善利用掩模215印刷的特征的品質(zhì)。圖26、27和28圖示如何選擇孔510、1710、2410和特征515、1715、2415的布局。
圖26針對基于圖形505、1705、2405的多種移相器，示出作為移相器的一半節(jié)距的函數(shù)的透射的193nm輻射的歸一化近場零級衍射強度的曲線圖2600。在曲線圖2600中，零級衍射強度根據(jù)明場強度被歸一化。圖形505、1705、2405的節(jié)距用納米表示。
圖27針對基于圖形505、1705、2405的多種移相器，示出作為移相器的一半節(jié)距的函數(shù)的透射的193nm輻射的零級衍射相位的曲線圖2700。在曲線圖2700中，零級衍射相位用度表示，圖形505、1705、2405的節(jié)距用納米表示。曲線圖2600和2700都包括散射區(qū)905和均化區(qū)910。
圖28示出對曲線圖2600、2700的注釋2800。注釋2800指出曲線圖2600、2700包括線2805、2810、2815、2820。線2805對應于棋盤圖形505，其中深度315是180°蝕刻深度，孔510的寬度是棋盤圖形505的節(jié)距的50％，并且其中透射的輻射的電場具有與入射輻射的電場基本相同的偏振。
線2810對應于棋盤圖形505，其中深度315是360°蝕刻深度，孔510的寬度是棋盤圖形505的節(jié)距的50％，并且其中透射的輻射的電場具有與入射輻射的電場基本相同的偏振。
線2815對應于棋盤圖形1705，其中孔1710的寬度是棋盤圖形1705的節(jié)距的50％，并且其中透射的輻射的電場具有與入射輻射的電場基本相同的偏振。
線2820對應于棋盤圖形2405，其中孔2410的寬度是棋盤圖形2405的節(jié)距的50％，并且其中透射的輻射的電場具有與入射輻射的電場基本相同的偏振。
輻射經(jīng)過移相器305的透射可以通過選擇合適的包括在移相器中的亞半波長特征來調(diào)整，以改善印刷的品質(zhì)。
圖29和30示出單個移相器的一部分的另一實現(xiàn)。圖29從下面示出移相器的視圖，而圖30沿截面30-30示出同一移相器。
圖示的移相器包括棋盤圖形2905。棋盤圖形2905包括設置在柱形特征515上的柱形特征1715的集合，所述柱形特征515共同限定延伸孔2910的集合。柱形特征1715可以是部分不透明或基本不透明，并且可以具有從表面262的平面延伸的厚度1515。柱形特征515可以從表面262的平面被蝕刻深度315到襯底260中。深度315可以是180°蝕刻深度。延長的孔2910因此可以具有延長的長度2915，所述延長的長度2915等于厚度1515和深度315的總和，并且跨越表面262的平面。
圖31、32和33示出單個移相器的一部分的另一實現(xiàn)。圖31從下面示出移相器的視圖，而圖32和33分別沿截面32-32和截面33-33示出同一移相器。
圖示的移相器包括多單元圖形3105。多單元圖形是在單個移相器中包括三種或更多種不同類別的特征的圖形。多單元圖形3105包括柱形特征1715和柱形特征515的重復排列。柱形特征1715的集合的一部分被設置在柱形特征515上，使得孔1710的集合和延長的孔2910的集合被限定。
可以選擇孔1710、2910和特征515、1715的布局，以導致期望的干涉效應并且改善利用掩模215印刷的特征的品質(zhì)。圖34、35和36圖示如何選擇棋盤圖形1705中的孔1710和特征1715的布局、棋盤圖形2905中的孔2910和特征515、1715的布局以及多單元圖形3105中的孔1710、2910和特征515、1715的布局。
圖34針對基于圖形1705、2905、3105的多個移相器，示出作為移相器的一半節(jié)距的函數(shù)的透射的193nm輻射的歸一化零級衍射強度的曲線圖3400。在曲線圖3400中，零級衍射強度根據(jù)明場強度被歸一化，并且圖形1705、2405、3105的節(jié)距用納米表示。
圖35針對基于圖形1705、2905、3105的多個移相器，示出作為移相器的一半節(jié)距的函數(shù)的透射的193nm輻射的零級衍射相位的曲線圖3500。在曲線圖3500中，零級衍射相位用度表示，圖形1705、2905、3105的節(jié)距用納米表示。曲線圖3400和3500都包括散射區(qū)905和均化區(qū)910。
圖36示出對曲線圖3400、3500的注釋3600。注釋3600指出曲線圖3400、3500包括線3605、3610、3615。線3605對應于棋盤圖形1705，其中深度315是360°蝕刻深度，孔1710的寬度是棋盤圖形1705的節(jié)距的50％，并且其中透射的輻射的電場具有與入射輻射的電場基本相同的偏振。
線3610對應于棋盤圖形2905，其中深度315是180°蝕刻深度，厚度1515是100nm，特征515、1715的寬度是棋盤圖形2905的節(jié)距的50％，并且其中透射的輻射的電場具有與入射輻射的電場基本相同的偏振。
線3615對應于多單元圖形3105，其中深度315是180°蝕刻深度，厚度1515是100nm，特征515、1715的寬度是圖形3105的節(jié)距的50％，并且其中透射的輻射的電場具有與入射輻射的電場基本相同的偏振。
輻射經(jīng)過移相器305、310、1505、1510的透射可以通過選擇合適的包括在移相器中的特征來調(diào)整，以改善印刷的品質(zhì)。
圖37從下面示出掩模215的一部分的實現(xiàn)。在圖37中示出的實現(xiàn)可以使用單次吸收體蝕刻和單次襯底(例如，玻璃)蝕刻，以形成移相器270、275來實現(xiàn)，所述移相器270、275既延伸到襯底260中，又延伸超出襯底260的表面262的平面。因此，兩次蝕刻操作(襯底和吸收體)可以在掩模215上形成三種不同類別的特征，即，延伸到掩模襯底260中(例如，到180°或其他蝕刻深度)的那些特征，在襯底260的表面262的平面的那些特征，以及延伸超出襯底260的表面262的平面的那些特征。但是，這些三種不同類別的特征可以提供這樣的區(qū)，所述的區(qū)具有被調(diào)整來改善光刻印刷的品質(zhì)的透射率和相移。
對于給定的電磁輻射和光學光刻系統(tǒng)來說，掩模215可以包括由光學光刻系統(tǒng)決定的特征，以及落入?yún)^(qū)905、910中的一個或兩個內(nèi)的特征。所述決定的特征可以包括不透明區(qū)域265的集合、相移區(qū)280的集合和移相器3705的集合，所述不透明區(qū)域265阻止輻射的透射。移相器3705可以通過將襯底260蝕刻到與落入?yún)^(qū)905、910內(nèi)的其他特征基本相同的蝕刻深度來形成。例如，移相器3705可以被蝕刻到180°蝕刻深度。
掩模215還包括落入?yún)^(qū)905、910內(nèi)的特征。落入?yún)^(qū)905、910內(nèi)的特征可以形成多單元圖形3105和棋盤圖形505、1705、2905中的一個或更多個。掩模215還可以包括額外的特征，所述額外的特征落入?yún)^(qū)905、910內(nèi)，但不形成圖形3105、505、1705、2905中的一個或更多個。例如，光柵圖形可以被形成(未示出)，但是散射或均化特征可以被隔離地形成，或者被分布在其他圖形中。
決定的特征和落入?yún)^(qū)905、910內(nèi)的特征可以在掩模215上被排列并且被設定尺寸，以獲得描述的相移和強度衰減效應并且改善印刷的品質(zhì)。透射通過掩模215的不同區(qū)的輻射的相位和強度可以利用使用最小量的額外處理形成的特征來調(diào)制。相位和強度調(diào)制可以被調(diào)整以實現(xiàn)多種目標(end)，例如，掩模215的不同區(qū)之間的平滑的相位轉(zhuǎn)換。強和弱相移區(qū)都可以被引入到單個掩模中。
已經(jīng)描述了多種實現(xiàn)。但是，要理解，可以做出各種修改。例如，圖38-43從下面示出部分移相器的額外視圖。所述移相器中的每個包括通過蝕刻襯底和吸收體中的至少一個而形成的特征。移相器中的每個包括不同的圖形3805、3905、4005、4105、4205、4305。對于給定的輻射230來說，圖形3805、3905、4005、4105、4205、4305可以被選擇為包括被設定尺寸以處于散射區(qū)905和/或均化區(qū)910內(nèi)的特征。還可以形成在單個移相器中包括三種或更多種不同類別的特征的多單元實現(xiàn)?？梢孕纬煽梢园ú灰苿油干涞妮椛涞南辔欢鞘雇干涞妮椛洳煌潭鹊厮p的區(qū)的掩模。掩模特征的幾何形狀和尺寸可以被選擇并且用來調(diào)整輻射干涉效應，以改善印刷的品質(zhì)。
額外圖形和特征(包括將描述的圖形和特征以及/或者描述的圖形和特征的特性組合的那些)也可以被選擇并且用來調(diào)整輻射干涉效應。
亞波長特征還可以被用在掩模以外的器件中，以圖形化微電子器件。例如，諸如微機電系統(tǒng)(MEMS)反射元件陣列的可編程器件可以包括亞波長特征并且獲得可期望的結(jié)果。圖44示出包括這樣的可編程器件的實施例的光刻系統(tǒng)4400。系統(tǒng)4400包括照明源205、照明系統(tǒng)4405、分束器4410、可編程光學器件4415、器件控制器4420、投影光學器件4425和襯底225。
照明系統(tǒng)4405可以集光、準直、濾光和/或聚焦從源205發(fā)出的輻射230，以照明分束器4410。分束器4410可以將輻射的至少一部分從照明系統(tǒng)4405引導到可編程元件(element)4415。
如下面進一步討論的，可編程器件4415可以由元件控制器4420編程，以影響用于微電子器件形成的輻射230在襯底225上的入射。器件4415可以包括表面4430，所述表面4430包括影響反射電磁輻射的強度和相位的元件。
分束器4410可以允許來自可編程器件4415的輻射的至少一部分傳遞到投影光學裝置4425和襯底225，使得襯底225的工作表面235可以被系統(tǒng)4400圖形化。例如，分束器4410可以是偏振或非偏振的分束立方體或分束板。
如在圖45和46中示出的，可編程器件4415的表面4430的一個實現(xiàn)可以包括設置在器件4415上的傳導板4605之上的動態(tài)元件4505、4510、4515、4520、4525的集合。動態(tài)元件4505、4510、4515、4520、4525是亞波長特征，因為它們具有小于輻射230的一個波長的節(jié)距尺寸。每個動態(tài)元件4505、4510、4515、4520、4525包括各自的接觸體(contact)4530、4535、4540、4545、4550。動態(tài)元件4505、4510、4515、4520、4525是可通過接觸體4530、4535、4540、4545、4550尋址的，以改變表面4430的反射性質(zhì)。
尤其，在操作中，動態(tài)元件4505、4510、4515、4520、4525可以被動態(tài)地重新設置(reposition)，以創(chuàng)建一個或更多個移相器圖形。元件控制器4420可以通過接觸體4530、4535、4540、4545、4550來相對于傳導板4605偏置選定的動態(tài)元件4505、4510、4515、4520、4525。施加的電壓可以足夠?qū)е逻x定元件4505、4510、4515、4520、4525偏轉(zhuǎn)并且創(chuàng)建改變表面4430的反射性質(zhì)的一個或更多個圖形。
圖47示出可編程器件4415的表面4430的另一實現(xiàn)。該實現(xiàn)包括像素元件4705的集合。像素元件4705是亞波長特征，因為它們具有小于輻射230的一個波長的節(jié)距尺寸。像素元件4705被設置在器件4415的表面4430上，以可以被元件控制器4420個別地定向。在操作中，像素元件4705的被編程的定向可以動態(tài)地創(chuàng)建改變表面4430的反射性質(zhì)的一個或更多個圖形。
因此，其他實現(xiàn)處于所附的權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種器件，包括具有小于輻射的波長的節(jié)距尺寸的亞波長特征，以圖形化微電子器件，所述特征被布置來調(diào)制作為在所述器件上的所述特征的布局的函數(shù)的所述輻射的零級衍射強度和相位。
2.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述亞波長特征包括具有小于所述輻射的一半所述波長的尺寸的亞半波長特征。
3.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述亞波長特征包括在所述器件中形成的特征。
4.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述亞波長特征包括在所述器件上的薄膜中形成的特征。
5.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述器件包括光刻掩模。
6.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述特征包括動態(tài)元件，以可編程地調(diào)制所述強度和所述相位。
7.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述特征的所述布局包括所述特征的圖形。
8.一種方法，包括通過利用包括亞波長特征的器件調(diào)制輻射的零級衍射強度和相位來生產(chǎn)微電子器件，所述亞波長特征具有小于所述輻射的一個波長的節(jié)距尺寸。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中生產(chǎn)所述微電子器件的步驟包括利用所述器件使所述輻射的至少部分偏振。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中生產(chǎn)所述微電子器件的步驟包括利用所述器件使所述輻射的至少部分散射。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其中生產(chǎn)所述微電子器件的步驟包括利用所述器件調(diào)制所述輻射，所述器件包括具有小于所述輻射的一半所述波長的尺寸的亞半波長特征。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，其中生產(chǎn)所述微電子器件的步驟包括編程所述亞波長特征，以調(diào)制所述強度和所述相位。
13.一種器件，包括第一部分，所述第一部分包括亞波長特征的第一集合，以圖形化微電子器件，所述亞波長特征具有小于輻射的一個波長的節(jié)距尺寸；以及第二部分，所述第二部分包括亞波長特征的第二集合，所述亞波長特征具有小于一個波長的節(jié)距尺寸，所述第二集合以與透射通過所述第一部分的所述輻射不同的透射率和不同的相位中的至少一個，來使所述輻射的零級衍射透射。
14.如權(quán)利要求13所述的器件，其中所述第一部分包括具有兩個或更多個相關(guān)聯(lián)的孔徑的交替式相移區(qū)。
15.如權(quán)利要求13所述的器件，其中所述第一部分包括改變所述透射的輻射的相位的薄膜材料。
16.如權(quán)利要求15所述的器件，其中所述薄膜材料包括鉻、CrxOy、CrxOYNz、MoxSiyOz和MoxSiyOZNq中的一個或更多個。
17.如權(quán)利要求13所述的器件，其中所述器件還包括第三部分，所述第三部分包括散射特征的集合。
18.如權(quán)利要求13所述的器件，其中所述器件包括光刻掩模。
19.一種方法，包括蝕刻器件的第一部分，所述第一部分包括亞波長特征的第一集合，以圖形化微電子器件，所述亞波長特征具有小于輻射的一個波長的節(jié)距尺寸；以及蝕刻所述器件的第二部分，所述第二部分包括亞波長特征的第二集合，所述亞波長特征具有小于所述輻射的一個波長的節(jié)距尺寸，所述第二集合以與透射通過所述第一部分的所述輻射不同的透射率和不同的相位中的至少一個，來使所述輻射的零級衍射透射。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中蝕刻所述第一部分的步驟包括蝕刻掩模襯底。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中蝕刻所述第一部分的步驟包括蝕刻具有兩個或更多個相關(guān)聯(lián)的孔徑的交替式相移區(qū)。
22.如權(quán)利要求19所述的方法，其中蝕刻所述第一部分的步驟包括蝕刻改變所述透射輻射的相位的薄膜。
23.如權(quán)利要求19所述的方法，還包括蝕刻第三部分，所述第三部分包括散射特征的集合。
24.如權(quán)利要求19所述的方法，其中蝕刻所述第一部分的步驟和蝕刻所述第二部分的步驟包括在同一蝕刻操作中將所述第一部分和所述第二部分蝕刻到同一蝕刻深度。
25.一種方法，包括在單次蝕刻中，在襯底蝕刻第一移相器和第二移相器，所述第一移相器移動用于圖形化微電子器件的輻射的零級衍射的相位到第一程度，以及所述第二移相器移動所述輻射的所述零級衍射的所述相位到第二程度。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中蝕刻步驟包括在所述單次蝕刻中蝕刻掩模襯底。
27.如權(quán)利要求25所述的方法，其中蝕刻步驟包括蝕刻非偏振特征，所述非偏振特征以基本上獨立于所述輻射的偏振的方式與所述輻射交互。
28.如權(quán)利要求25所述的方法，其中蝕刻步驟包括蝕刻亞半波長特征，在所述第一移相器和所述第二移相器兩者中，相對于所述近場中的所述輻射，所述亞半波長特征是均化的。
29.如權(quán)利要求25所述的方法，其中蝕刻步驟包括以與所述第二移相器相關(guān)聯(lián)的方式蝕刻所述第一移相器，使得透射通過所述第一移相器的輻射與透射通過所述第二移相器的輻射相干涉。
30.如權(quán)利要求25所述的方法，其中蝕刻步驟包括蝕刻吸收體材料，所述吸收體材料使傳播通過所述襯底的所述輻射的所述零級衍射衰減。
31.如權(quán)利要求25所述的方法，其中蝕刻步驟包括形成多單元移相器的一部分，所述多單元移相器包括三種或更多種不同類別的特征。
32.一種方法，包括在單次蝕刻中，在襯底上蝕刻第一區(qū)和第二區(qū)；所述第一區(qū)使用于圖形化微電子器件的輻射的零級衍射的強度衰減到第一程度，以及所述第一區(qū)使所述輻射的所述零級衍射的所述強度衰減到第二程度，所述第二程度與所述第一程度足夠不同，以改善所述圖形化的微電子器件的品質(zhì)。
33.如權(quán)利要求32所述的方法，其中蝕刻所述第一區(qū)和所述第二區(qū)的步驟包括蝕刻吸收體材料。
34.一種光刻掩模，包括第一移相器，所述第一移相器移動用于圖形化微電子器件的輻射的零級衍射的相位到第一程度；以及第二移相器，所述第二移相器移動所述輻射的所述零級衍射的所述相位到第二程度，所述第一移相器和所述第二移相器具有同一蝕刻深度。
35.如權(quán)利要求34所述的掩模，其中所述第一移相器包括偏振移相器。
36.如權(quán)利要求34所述的掩模，其中所述第一移相器和所述第二移相器的每個包括亞半波長特征，相對于在所述近場中的所述輻射，所述亞半波長特征是均化的。
37.如權(quán)利要求34所述的掩模，還包括掩模襯底，所述第一移相器被蝕刻到所述掩模襯底中。
38.如權(quán)利要求34所述的掩模，還包括吸收體材料，所述吸收體材料使用于圖形化微電子器件的輻射的零級衍射衰減，所述第一移相器被蝕刻到所述吸收體材料中。
39.如權(quán)利要求38所述的掩模，其中所述衰減吸收體包括不透明的金屬膜。
40.如權(quán)利要求38所述的掩模，其中所述吸收體材料包括改變所述衰減的輻射的相位的嵌入式相移材料。
41.一種光刻掩模，包括多個相移區(qū)的集合，所述多個相移區(qū)移動用于圖形化微電子器件且傳播通過所述掩模的輻射的零級衍射的相位到不同的程度，所述區(qū)的數(shù)量大于用來形成所述區(qū)的蝕刻操作的數(shù)量。
42.如權(quán)利要求41所述的光刻掩模，其中所述相移區(qū)中的至少一個包括亞半波長特征的集合，以移動所述輻射的所述零級衍射的所述相位。
43.一種光刻掩模，包括多個衰減區(qū)的集合，所述多個衰減區(qū)在使用于圖形化微電子器件且傳播通過所述掩模的輻射的零級衍射衰減到不同量的同時，移動所述輻射的所述零級衍射的相位到不同的程度。
44.如權(quán)利要求43所述的掩模，其中所述衰減區(qū)中的至少一個包括亞半波長特征的集合，以使所述輻射的所述零級衍射衰減并且移動所述輻射的所述相位。
45.如權(quán)利要求43所述的掩模，其中所述衰減區(qū)的數(shù)量大于用來形成所述區(qū)的蝕刻操作的數(shù)量。
全文摘要
用于光刻的系統(tǒng)和技術(shù)。在一個方面，方法包括通過利用包括亞波長特征的器件調(diào)制輻射的零級衍射的強度和相位來生產(chǎn)微電子器件，所述亞波長特征具有小于所述輻射的一個波長的節(jié)距尺寸。
文檔編號G03F1/14GK1954262SQ200580015552
公開日2007年4月25日 申請日期2005年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月14日
發(fā)明者埃迪塔·泰吉尼爾, 亞恩·博羅多夫斯基 申請人:英特爾公司