專利名稱:形成液晶顯示器件中的配向?qū)拥姆椒?br>
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及液晶顯示器件,更具體地涉及一種形成能夠?qū)崿F(xiàn)高質(zhì)量畫面的LCD中的配向?qū)拥姆椒ā?br>
背景技術(shù):
總體上說(shuō),到最近為止,陰極射線管(CRT)已經(jīng)是用于在屏幕上顯示圖像信息的顯示器件中應(yīng)用得最為廣泛的顯示器件,但CRT相對(duì)于其顯示面積而言體積大、重量沉,因而具有很多不便之處。
隨著各種電子器件的發(fā)展,如今顯示器件已應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、筆記本計(jì)算機(jī)、無(wú)線終端、車輛儀表板、電子顯示板等。此外,由于高速信息通信技術(shù)的發(fā)展,使得傳送大量的圖像信息成為可能,從而增加了能夠處理并顯示大量圖像信息的下一代顯示器件的重要性。
需要這種下一代顯示器件,以實(shí)現(xiàn)更輕、更薄、更短、更小的顯示器,并實(shí)現(xiàn)高亮度、大屏幕、低能耗,以及低價(jià)格。在這些下一代顯示器件中,液晶顯示器件(LCD)正得到廣泛的應(yīng)用。
LCD呈現(xiàn)出比其他平面顯示器更高的分辨率,并且呈現(xiàn)出與CRT相媲美的快速響應(yīng)時(shí)間,可實(shí)現(xiàn)運(yùn)動(dòng)圖片。
目前廣泛使用的LCD之一是扭轉(zhuǎn)向列(TN)型LCD。TN型LCD包括兩個(gè)基板上的電極,和扭轉(zhuǎn)了90°的液晶取向器(director),在該TN型LCD中,向電極施加驅(qū)動(dòng)電壓以驅(qū)動(dòng)液晶取向器。
然而,TN型LCD具有窄視角的嚴(yán)重缺陷。
最近,正在積極地研究采用新操作模式的LCD,以解決窄視角的問(wèn)題。這些新操作模式的示例包括面內(nèi)切換(IPS)型、光學(xué)補(bǔ)償雙折射(OCB)型LCD等。
IPS型LCD通過(guò)在一個(gè)基板上形成兩個(gè)電極并在這兩個(gè)電極之間施加電壓,來(lái)生成水平電場(chǎng)以驅(qū)動(dòng)液晶分子,使其相對(duì)于基板處于水平狀態(tài)。換言之,相對(duì)于基板,液晶分子的長(zhǎng)軸不立起,而是水平轉(zhuǎn)動(dòng)。
因此,與TN型LCD相比,IPS型LCD的液晶雙折射根據(jù)視線方向變化得很小,因而具有優(yōu)良的視角特性。
圖1是例示出制造現(xiàn)有技術(shù)LCD的方法的流程圖。
參照?qǐng)D1,首先在操作S100中制造其上形成有多個(gè)圖案的第一和第二基板。
第一基板(或下基板)包括含有薄膜晶體管(TFT)的矩陣型陣列器件,而第二基板(或上基板)包括濾色器。
在操作S110,對(duì)基板進(jìn)行清潔以去除其上的雜質(zhì)。在操作S120,將聚酰亞胺材料印刷在基板上,以形成配向?qū)印?br>
在操作S130,通過(guò)加熱來(lái)干燥和硬化(harden)該配向?qū)印?br>
在操作S140,在一個(gè)方向上摩擦已硬化的配向?qū)拥谋砻妗?br>
在操作S150,在第二基板的保留有液晶注入孔(injection hole)的區(qū)域之外的邊緣上形成粘合密封圖案,并在第一基板上散布間隔體。
在操作S160,以幾μm的精度將第一和第二基板相互接合在一起,以防止漏光。
在操作S170,將經(jīng)接合的基板切割成單位單元。這種切割處理包括在第一基板和第二基板上形成線的劃刻處理(scribing process)和用于將經(jīng)劃刻的基板分成單位單元的分?jǐn)嗵幚?breaking process)。
在操作S180,通過(guò)注入孔,將液晶注入被切割成單元的第一和第二基板之間的間隙,并密封注入孔以完成LCD。
可使用液晶分注法(dispersing method)來(lái)替代液晶注入法。在液晶分注法中,先在第一基板與第二基板之間分注液晶,而后,將第一基板與第二基板接合在一起。
液晶的物理特性隨分子排列變化而改變,而該排列響應(yīng)于外力(例如電場(chǎng))而變化。
由于液晶分子的這種特性,用于排列液晶分子的狀態(tài)的控制技術(shù)對(duì)于LCD的操作至關(guān)重要。
具體地,用于在一個(gè)方向上一致地配向液晶分子的摩擦處理對(duì)于LCD的正常操作以及LCD的一致顯示特性而言至關(guān)重要。
現(xiàn)在詳細(xì)說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)的用于確定液晶分子的初始配向方向的配向?qū)有纬商幚怼?br>
配向?qū)拥男纬砂ǖ矸e高分子聚合物薄層的處理和在一個(gè)方向上對(duì)配向?qū)舆M(jìn)行配向的處理。
配向?qū)拥湫偷赜删埘啺废涤袡C(jī)材料制成,并且典型地通過(guò)摩擦處理來(lái)進(jìn)行配向。
聚酰亞胺系有機(jī)材料可以淀積在基板上,并且其溶液在大約60-80℃揮發(fā)。此后,在大約80-200℃下固化所淀積的材料,來(lái)形成配向?qū)?。利用纏繞有摩擦布(如絲絨(velvet))的輥?zhàn)釉谝粋€(gè)方向上摩擦配向?qū)樱栽谄渖闲纬膳湎蚍较颉?br>
該摩擦處理是容易且穩(wěn)定的配向處理,并適于LCD的大規(guī)模生產(chǎn)。
然而,在摩擦操作中,當(dāng)摩擦布變得有缺陷時(shí),會(huì)在摩擦操作中出現(xiàn)缺陷。
因?yàn)槟Σ撂幚硎峭ㄟ^(guò)摩擦布與配向?qū)又g的直接接觸來(lái)執(zhí)行的,所以,摩擦處理可能導(dǎo)致液晶單元因顆粒而污染、TFT因靜電放電而損壞,在摩擦處理之后需要附加的清潔處理、以及/或在寬屏幕LCD中液晶的不一致配向,從而致使LCD的生產(chǎn)合格率下降。
圖2A和2B分別是例示出現(xiàn)有技術(shù)LCD中,在諸如像素電極和公共電極的電極圖案的臺(tái)階部分周圍的液晶配向狀態(tài)的截面圖和平面圖。
最近,已經(jīng)開發(fā)并使用了用于改善視角的經(jīng)改善的IPS型LCD和使用3-4個(gè)掩模制造以減少制造工序數(shù)目的IPS型LCD。在這些IPS型LCD中,臺(tái)階狀邊緣部分的臺(tái)階差增加,從而導(dǎo)致配向缺陷數(shù)目的增加。
參照?qǐng)D2A和2B,在構(gòu)圖在第一基板上的像素電極130上形成配向?qū)?51,并且像素電極130具有臺(tái)階邊緣部分,該臺(tái)階邊緣部分具有預(yù)定的臺(tái)階差。
濾色器層160和配向?qū)?52形成在面向第一基板的第二基板上,并且液晶層190形成在該第二基板與第一基板之間。
公共電極、TFT區(qū)域、選通線以及數(shù)據(jù)線也具有臺(tái)階狀邊緣部分。
像素區(qū)域中的電極和線圖案的臺(tái)階狀邊緣部分導(dǎo)致這些區(qū)域附近的液晶的不一致配向。
如果液晶處于常黑模式,則在未施加電壓時(shí)顯示黑色。
然而,當(dāng)未施加選通電壓時(shí),圖2A和2B所示的區(qū)域A中出現(xiàn)了漏光。
也就是說(shuō),當(dāng)未施加電壓時(shí),液晶必須排列在與配向?qū)?51和152的摩擦方向相同的方向上。
然而,電極的臺(tái)階狀邊緣部分導(dǎo)致了其配向方向與摩擦方向不同的不一致液晶層191,并且還導(dǎo)致了一致液晶層192的液晶具有與摩擦方向不同的配向方向。
不一致的液晶導(dǎo)致光的相位延遲。該相位延遲導(dǎo)致線性偏振光變?yōu)闄E圓偏振光。該橢圓偏振光引起形成在濾色器層160附近的一致液晶層中的相位延遲,從而導(dǎo)致大的相位延遲。
因此,當(dāng)未在常黑模式下施加電壓時(shí),背光組件的光穿過(guò)區(qū)域A。這引起黑顯示狀態(tài)中的漏光,并降低了對(duì)比度,從而致使難于實(shí)現(xiàn)高的圖像質(zhì)量。
最近,已經(jīng)開發(fā)了用以改善視角的經(jīng)改善的IPS型LCD和使用3-4個(gè)掩模制造以減少制造工序數(shù)目的IPS型LCD。在這些IPS型LCD中,臺(tái)階狀邊緣部分的臺(tái)階差增加從而導(dǎo)致配向缺陷增加。
因而,仍然需要一種器件和方法,用于防止LCD圖像因臺(tái)階狀邊緣部分而劣化,例如增加了黑色的亮度并降低了對(duì)比度。
發(fā)明內(nèi)容
因而,本發(fā)明旨在提供一種LCD和制造該LCD的方法,其基本消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的局限性和缺點(diǎn)所導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是提供一種形成LCD中的配向?qū)拥姆椒?,該方法通過(guò)在光照射(二次配向處理)之前、摩擦處理(初次配向處理)之后執(zhí)行預(yù)處理工序,能夠增強(qiáng)配向處理的效率。
本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將部分地在隨后的說(shuō)明書中進(jìn)行闡述,并將部分地通過(guò)對(duì)以下內(nèi)容的考察而對(duì)那些本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員變得明了,或者可以從本發(fā)明的實(shí)踐中領(lǐng)會(huì)。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)可以通過(guò)在撰寫的說(shuō)明書及其權(quán)利要求以及附圖中具體指處的結(jié)構(gòu)而實(shí)現(xiàn)并獲得。
為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn),并根據(jù)本發(fā)明的目的,如所具體實(shí)施和廣泛描述的,一種制造LCD的方法包括在基板上涂覆配向?qū)樱荒Σ猎撆湎驅(qū)?;?duì)基板執(zhí)行熱處理;以及將光照射到所述配向?qū)由稀?br>
在本發(fā)明的另一方面,一種制造LCD的方法包括在基板上涂布配向?qū)樱荒Σ猎撆湎驅(qū)?;在基板周圍提供氧氣氣氛;以及將光照射到該配向?qū)由稀?br>
應(yīng)當(dāng)理解,本發(fā)明的以上總體說(shuō)明和以下詳細(xì)說(shuō)明都是示例性和說(shuō)明性的,并且旨在提供對(duì)權(quán)利要求所保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明。
包含在本文中以提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解,并且并入本申請(qǐng)且構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的附圖,示出了本發(fā)明的實(shí)施例并與說(shuō)明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中圖1是例示出制造現(xiàn)有技術(shù)的LCD的方法的流程圖;圖2A和2B是現(xiàn)有技術(shù)IPS型LCD的臺(tái)階狀部分中的液晶配向的截面圖和平面圖;圖3A到圖3G是例示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造IPS型LCD的方法的截面圖;圖4是例示出根據(jù)本發(fā)明的形成LCD中的配向?qū)拥奶幚淼牧鞒虉D;圖5A和圖5B是例示出根據(jù)本發(fā)明的IPS型LCD中的電極周圍的漏光的照片;圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于執(zhí)行配向處理的裝置的截面圖;以及圖7是例示出圖6中的預(yù)處理和二次配向處理的基板的截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,其示例在附圖中示出。只要可能,在所有的附圖中使用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或相似的部分。
圖3A到3E是例示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造IPS型LCD的方法的截面圖。
參照?qǐng)D3A,在第一基板210上淀積具有低電阻率的低電阻金屬,以防止信號(hào)延遲。隨后通過(guò)光刻對(duì)低電阻金屬層進(jìn)行構(gòu)圖,以形成選通線(未示出)和從所述選通線延伸出的TFT的柵極214。
低電阻金屬可以是銅(Cu)、鋁(Al)、鋁合金(AlNd)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢化鉬(MoW)等。
在形成選通線和柵極214時(shí),同時(shí)形成公共線(未示出)和多個(gè)公共電極217。該公共線基本平行于所述選通線,并且所述多個(gè)公共電極217從所述公共線延伸出。
隨后,可通過(guò)利用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積(PECVD)處理等,在具有選通線的結(jié)果結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上淀積無(wú)機(jī)絕緣材料(例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)),來(lái)形成柵絕緣層219。
將諸如非晶硅的材料淀積在柵絕緣層219上,并有選擇地去除,以在柵絕緣層219上形成島形的半導(dǎo)體層227。
雖然未示出,但可通過(guò)將雜質(zhì)離子注入非晶硅中來(lái)進(jìn)一步形成歐姆接觸層。
參照?qǐng)D3B,可以在柵絕緣層219上方的整個(gè)表面上淀積諸如Cr、Al、Cu、Mo、Ti、Ta、MoW以及鋁合金的金屬,隨后進(jìn)行構(gòu)圖以形成數(shù)據(jù)線224。數(shù)據(jù)線224與選通線在垂直的方向上交叉,由此限定了像素區(qū)域。與此同時(shí),在半導(dǎo)體層227的兩端形成源極226和漏極228。
可以通過(guò)在形成有數(shù)據(jù)線224的第一基板的整個(gè)表面上涂布氮化硅層或有機(jī)絕緣層(例如苯并環(huán)丁烯(BCB)),來(lái)形成鈍化層238。隨后,在漏極228中形成接觸孔(未示出)。
使用透明導(dǎo)電材料(例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO))在整個(gè)表面上淀積透明導(dǎo)電層,隨后進(jìn)行構(gòu)圖以形成多個(gè)像素電極230。該多個(gè)像素電極230與漏極228相連接,并設(shè)置在與數(shù)據(jù)線224基本平行的公共電極217之間。從而,交替設(shè)置像素電極230與公共電極217。
雖然未示出,但當(dāng)像素電極230由金屬材料形成時(shí),像素電極230可以由與數(shù)據(jù)線224相同的材料形成,并在形成鈍化層238之前,與數(shù)據(jù)線224同時(shí)形成。另選地,像素電極230可形成在單獨(dú)的層上。
另外,可以在形成像素電極230的同時(shí),用與像素電極230相同的材料形成公共電極217。
參照?qǐng)D3C,在包括像素電極230的基板的整個(gè)表面上形成配向?qū)???梢酝ㄟ^(guò)在基板上印刷聚酰亞胺樹脂并對(duì)其進(jìn)行干燥來(lái)形成第一配向?qū)?81。聚酰亞胺樹脂具有良好的液晶親合性。隨后,利用摩擦處理執(zhí)行初次配向處理。
除聚酰亞胺樹脂外,用于配向?qū)拥牟牧线€可以是包括在UV照射下鍵(bond)會(huì)有選擇地?cái)嚅_的聚合物的聚酰胺酸、聚環(huán)乙亞胺(polyethleneimine)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol)、聚酰胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚鄰苯二甲酰苯二胺(poly-phenylenephthalamide)、聚酯(polyester)、聚氨酯(polyurethane)以及聚甲基丙烯酸甲酯(poly-methylmethacrylate)。
參照?qǐng)D3D,對(duì)已經(jīng)過(guò)初次配向處理的第一配向?qū)?81進(jìn)行熱處理。
該熱處理是隨后將執(zhí)行的二次配向處理的預(yù)處理。該熱處理可以通過(guò)在初次配向處理之后,在處于混亂配向狀態(tài)的第一配向?qū)?81上形成穩(wěn)定的表面結(jié)構(gòu),來(lái)提高二次配向處理的效率。
假定基板210處于恒溫Tc,將其加熱到滿足表達(dá)式Tr(摩擦溫度)<Tc<Tg(配向?qū)拥牟AB(tài)轉(zhuǎn)化溫度(glass transition temperature))的溫度。
這種熱處理可以在二次配向處理中提高配向?qū)优cUV的反應(yīng)率,并且可以按較低的有效能量有效地執(zhí)行該配向處理。
該熱處理可以在二次配向處理之前執(zhí)行,并且,二次配向處理可以與該熱處理一起執(zhí)行。
可以通過(guò)使熱空氣在基板上方以及基板下方通過(guò)來(lái)執(zhí)行該熱處理。
此外,熱處理可以在沿裝配線移動(dòng)基板的同時(shí)執(zhí)行,可以在腔室(chamber)中執(zhí)行,或在停止的狀態(tài)下執(zhí)行。
參照?qǐng)D3E,通過(guò)將光照射到經(jīng)過(guò)了預(yù)處理的第一配向?qū)?81上來(lái)執(zhí)行二次配向處理。
該光可以是線性偏振光、部分偏振光、或非偏振光。
可以使用傾斜照射法或垂直照射法來(lái)進(jìn)行光照射。
為此目的,光照射裝置相對(duì)于基板傾斜,隨后照射光。另選地,可以將光照射到以預(yù)定角度傾斜的基板上。
光照射裝置中的一個(gè)將光照射到基板的整個(gè)表面上,另一個(gè)在掃描基板的同時(shí)照射光。
摩擦方向可以與光配向方向相一致。
摩擦方向可以與光照射方向?qū)ΨQ或不對(duì)稱。
如果在對(duì)已經(jīng)過(guò)初次配向處理的第一配向?qū)?81進(jìn)行熱處理之后進(jìn)行二次配向處理,則可使配向效率最大化,并由此即使在與電極部分相鄰的臺(tái)階狀部分處也能一致地形成配向。
臺(tái)階狀部分可能在公共電極、像素電極、數(shù)據(jù)線、選通線、公共線、TFT區(qū)域等處形成。
參照?qǐng)D3F,使用黑樹脂或金屬(例如Cr或CrOx)來(lái)形成黑底273,以防止在其中第二基板270上的液晶不受控制的選通線、數(shù)據(jù)線和TFT區(qū)域周圍漏光。
隨后,通過(guò)使用電淀積法、顏料分散法或涂布法,可以在黑底273的開口處形成用于顏色再現(xiàn)的R、G和B濾色器275。為了保護(hù)濾色器層275,可以在包括濾色器層的結(jié)構(gòu)的整個(gè)表面上形成外覆層279。
隨后,可以通過(guò)印刷具有良好的液晶親和性和良好的感光特性的聚酰亞胺材料,在外覆層279上形成第二配向?qū)?77。通過(guò)使用與第一配向?qū)?81的配向處理相同的摩擦處理,與熱處理相同的預(yù)處理、以及與光照射處理相同的二次配向處理,將第二配向?qū)?77形成為具有基本平行于第一配向?qū)?81的配向方向。
隨后,可以在第一基板210或第二基板270上形成柱狀間隔體(未示出)。在第一基板210或第二基板270的邊沿處形成密封圖案,隨后在真空狀態(tài)下將第一基板210和第二基板270接合在一起,此后,通過(guò)使用液晶注入法,在第一基板210或第二基板270的顯示區(qū)域中形成液晶層288。
根據(jù)另一實(shí)施例,在第一基板210或第二基板270的邊沿處形成密封圖案之后,使用液晶滴注法,在第一基板210或第二基板270的顯示區(qū)域中形成液晶層288,然后將第一基板210與第二基板270接合在一起。
圖3G是例示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的使用熱空氣的預(yù)處理的截面圖。
對(duì)經(jīng)過(guò)使用熱空氣的預(yù)處理的基板執(zhí)行作為二次配向處理的光照射。熱空氣處理可以與二次配向處理一起同時(shí)進(jìn)行。
圖4是例示出根據(jù)本發(fā)明的形成LCD的配向?qū)拥姆椒ǖ牧鞒虉D。
在操作S200,制備上基板和下基板。
在操作S210,執(zhí)行清潔處理以從形成有圖案的基板上去除異質(zhì)顆粒。在操作S220,可以通過(guò)使用用于印刷配向?qū)拥难b置,將作為配向?qū)拥脑牧先芤旱木埘啺?PI)印刷在基板上。
在操作S230,可以通過(guò)將該原材料溶液加熱到高溫來(lái)干燥并硬化溶劑。
在操作S240,通過(guò)使用摩擦裝置以預(yù)定的方向?qū)ε湎驅(qū)拥谋砻孢M(jìn)行摩擦來(lái)形成溝槽,隨后執(zhí)行初次配向處理。
在操作S250,對(duì)配向?qū)訄?zhí)行諸如熱處理的預(yù)處理。
熱處理是隨后將執(zhí)行的二次配向處理的預(yù)處理。該熱處理可以通過(guò)在初次配向處理之后,在處于混亂配向狀態(tài)中的第一配向?qū)?81上形成穩(wěn)定的表面結(jié)構(gòu),來(lái)提高二次配向處理的效率。
假定基板處于恒溫Tc,將其加熱到滿足表達(dá)式Tr(摩擦溫度)<Tc<Tg(配向?qū)拥牟AB(tài)轉(zhuǎn)化溫度)的溫度。
這種熱處理可以提高二次配向處理中配向?qū)优cUV的反應(yīng)率,并且可以按較低的有效能量有效地執(zhí)行該配向處理。
該熱處理可以在二次配向處理之前執(zhí)行,并且,二次配向處理可以與該熱處理一起執(zhí)行。
在操作S260,通過(guò)使用光照射法對(duì)配向?qū)訄?zhí)行二次配向處理。
該光可以是線性偏振光、部分偏振光、或非偏振光。
圖5A和5B是例示出在根據(jù)本發(fā)明的IPS型LCD中的電極周圍的漏光的照片。
如圖5A所示,通過(guò)初次配向處理在基板上形成配向?qū)?。在初次配向處理中,使用摩擦?例如絲絨、人造絲或尼龍)在一個(gè)方向上摩擦由配向材料(例如聚酰亞胺)形成的配向?qū)?,從而形成配向方向?br>
如果對(duì)其臺(tái)階差大于0.1μm的電極部分的周圍進(jìn)行摩擦,則因?yàn)槟Σ敛紩?huì)由于該臺(tái)階狀部分而不能接觸到配向?qū)樱瑥亩鵁o(wú)法獲得配向。此外,因?yàn)槟Σ敛荚诮?jīng)過(guò)臺(tái)階狀部分時(shí)會(huì)變形,所以配向排列會(huì)不一致,從而導(dǎo)致漏光。
因而,如圖5B所示,對(duì)經(jīng)受了初次配向處理的配向?qū)舆M(jìn)行諸如熱處理的預(yù)處理和使用光照射的二次配向處理。
如果對(duì)經(jīng)初次配向的配向?qū)訄?zhí)行預(yù)處理和諸如光照射的二次配向處理,則電極部分附近的臺(tái)階狀部分中的配向變得一致。從而,幾乎不會(huì)發(fā)生漏光。
可以同時(shí)執(zhí)行初次配向處理和二次配向處理。
二次配向處理使用光照射,并且該光可以是線性偏振光、部分偏振光、或非偏振光。
可以將傾斜照射法或垂直照射法用于光照射。
為此目的,光照射裝置可相對(duì)于基板傾斜,隨后照射光。另選地,可以將光照射到以預(yù)定角度傾斜的基板上。
光照射裝置中的一個(gè)可以將光照射到基板的整個(gè)表面上,而另一個(gè)可以在掃描基板的同時(shí)照射光。
摩擦方向可以與光配向方向相一致。
摩擦方向可以與光照射方向?qū)ΨQ或不對(duì)稱。
如果在對(duì)已經(jīng)過(guò)初次配向處理的第一配向?qū)?81進(jìn)行熱處理之后進(jìn)行二次配向處理,則可使配向效率最大化,并因此即使在與電極部分相鄰的臺(tái)階狀部分也能一致地形成配向。
此外,可將光照射到基板的整個(gè)表面上,或基板的一部分上。
圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的用于執(zhí)行配向處理的裝置的截面圖,圖7是基板的截面圖,例示出圖6中的預(yù)處理和二次配向處理。
此處,圖7是例示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的圖4的流程圖的二次配向處理的截面圖。
首先,通過(guò)向已經(jīng)過(guò)初次配向處理的配向?qū)?81照射光來(lái)執(zhí)行二次配向處理。
如圖6和圖7所示,增加具有光照射裝置330的腔室300中的氧氣(O2)濃度。
腔室300中的氧氣濃度的增加使得與光進(jìn)行反應(yīng)并轉(zhuǎn)化為活性氧的氧氣量增加。由于活性氧的增加,提高了配向?qū)?11與光之間的反應(yīng)率,從而增加了光照射效率。
在光照射期間,腔室中的氧氣濃度超過(guò)20%。
在使用摩擦方法對(duì)基板310的配向?qū)拥恼麄€(gè)表面進(jìn)行初次配向處理之后,通過(guò)光照射在增加了氧氣濃度的氣氛中進(jìn)行二次配向處理。以這種方式,對(duì)基板310的整個(gè)表面或臺(tái)階狀部分進(jìn)行處理。由此,可以減少電極或線的邊緣處的漏光,從而提高圖像質(zhì)量。
光可以是線性偏振光、部分偏振光、或非偏振光。
對(duì)于光照射方法而言,可以使用相對(duì)基板310的傾斜照射法或垂直照射法。
光照射裝置中的一個(gè)將光照射到基板310的整個(gè)表面上,而另一個(gè)在掃描基板310的同時(shí)照射光。
摩擦方向可以與光照射方向?qū)ΨQ或不對(duì)稱。
盡管優(yōu)選地由摩擦獲得的配向方向與光照射的配向方向大體一致,但摩擦方向與光照射方向可以相互一致也可以相互不一致。
這取決于配向材料的屬性。一些材料在相對(duì)于光入射方向水平的方向上排列,而一些材料在相對(duì)于光入射方向垂直的方向上排列。
如上所述,在對(duì)LCD中的配向?qū)拥恼麄€(gè)表面執(zhí)行了摩擦處理之后,對(duì)經(jīng)摩擦的配向?qū)拥恼麄€(gè)表面或電極周圍的臺(tái)階狀部分執(zhí)行預(yù)處理和光照射。因此,可防止漏光,并可提高對(duì)比度。此外,還可以獲得高質(zhì)量的圖像,從而增強(qiáng)產(chǎn)品的可靠性。
此外,在光照射期間,可以對(duì)經(jīng)摩擦的配向?qū)诱丈浞瞧窆?。因而,不使用任何?dú)立的偏光器就可獲得高質(zhì)量圖像。因此,可以簡(jiǎn)化制造工藝,并可降低制造成本。
對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō),顯而易見地,可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變型。因此本發(fā)明意在覆蓋其全部修改和變型,只要這些修改和變型落入所附權(quán)利要求及其等同物的范圍之內(nèi)。
本申請(qǐng)要求2004年12月30日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)2004-117245的優(yōu)先權(quán),如同在此進(jìn)行了全面闡述一樣,通過(guò)引用將其并入本文中用于所有目的。
權(quán)利要求
1.一種制造液晶顯示器件的方法,包括以下步驟在基板上涂布配向?qū)?;摩擦所述配向?qū)?;?duì)所述基板進(jìn)行熱處理;以及將光照射到所述配向?qū)由稀?br>
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在熱處理過(guò)程中,將所述基板加熱到滿足關(guān)系表達(dá)式Tr<Tc<Tg的溫度,其中Tr是摩擦溫度,Tc是所述基板的溫度,而Tg是所述配向?qū)拥牟AB(tài)轉(zhuǎn)化溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在將光照射到所述配向?qū)由蠒r(shí),對(duì)所述基板進(jìn)行熱處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述配向?qū)佑删埘啺?、聚酰胺酸、聚環(huán)乙亞胺、聚乙烯醇、聚酰胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚鄰苯二甲酰苯二胺、聚酯、聚氨酯以及聚甲基丙烯酸甲酯之一形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述光是線性偏振光、部分偏振光以及非偏振光之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,將所述光照射到所述基板的整個(gè)表面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,將所述光照射到所述基板的一部分上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,摩擦處理中的摩擦方向與光照射方向?qū)ΨQ。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,摩擦處理中的摩擦方向與光照射方向不對(duì)稱。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,摩擦處理中的摩擦方向與光照射方向相一致。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,相對(duì)于所述基板傾斜地照射所述光。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在掃描所述基板的同時(shí)照射所述光。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,將所述基板傾斜預(yù)定角度。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括以下步驟在摩擦所述配向?qū)又?,烘烤所述配向?qū)印?br>
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在所述基板的熱處理中,使用熱空氣對(duì)所述基板進(jìn)行處理。
16.一種制造液晶顯示器件的方法,包括以下步驟在基板上涂布配向?qū)?;摩擦所述配向?qū)?;在所述基板周圍提供氧氣氣氛;以及將光照射到所述配向?qū)由稀?br>
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,氧氣的濃度超過(guò)20%。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,所述配向?qū)佑删埘啺?、聚酰胺酸、聚環(huán)乙亞胺、聚乙烯醇、聚酰胺、聚乙烯、聚苯乙烯、聚鄰苯二甲酰苯二胺、聚酯、聚氨酯以及聚甲基丙烯酸甲酯之一形成。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,所述光是線性偏振光、部分偏振光、非偏振紫外線光之一。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,將所述光照射到所述基板的整個(gè)表面上。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,將所述光照射到所述基板的一部分上。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,摩擦處理中的摩擦方向與光照射方向相對(duì)稱。
23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,摩擦處理中的摩擦方向與光照射方向不對(duì)稱。
24.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,摩擦處理中的摩擦方向與光照射方向相一致。
25.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,相對(duì)于基板傾斜地照射光。
26.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,在掃描所述基板的同時(shí)照射所述光。
27.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,將所述基板傾斜預(yù)定角度。
28.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,還包括以下步驟在摩擦所述配向?qū)又?,烘烤所述配向?qū)印?br>
全文摘要
形成液晶顯示器件中的配向?qū)拥姆椒?。提供一種經(jīng)改善圖像質(zhì)量的LCD及其制造方法。在對(duì)配向?qū)舆M(jìn)行了作為初次配向處理的摩擦處理之后,在作為二次配向處理的光照射之前執(zhí)行預(yù)處理。由此,可防止臺(tái)階狀部分處的漏光,并可提高對(duì)比度。因此,可以獲得高質(zhì)量的圖像,還可增強(qiáng)產(chǎn)品的可靠性。在作為預(yù)處理的熱處理之后或在該熱處理的過(guò)程中,進(jìn)行作為二次配向處理的光照射,或者在氧氣氣氛下進(jìn)行作為二次配向處理的該光照射,從而增強(qiáng)光照射期間的配向處理效率。此外,在光照射期間,可以將非偏振光照射到經(jīng)摩擦的配向?qū)由?。因此,不使用單?dú)的偏振器就可以獲得高質(zhì)量圖像,從而簡(jiǎn)化了制造工藝,并降低了制造成本。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK1797128SQ20051013296
公開日2006年7月5日 申請(qǐng)日期2005年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月30日
發(fā)明者咸溶晟, 秋美京 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社