專利名稱：液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板，尤其涉及一種能夠簡化制造工序并且降低成本的水平電場施加型液晶顯示面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示(LCD)器件采用電場控制液晶的光透射比而顯示圖像。液晶顯示器根據(jù)驅(qū)動液晶的電場方向主要分為垂直電場型和水平電場型。
垂直電場施加型液晶顯示器通過形成在上下基板上彼此相對設(shè)置的像素電極和公共電極之間的垂直電場按照扭曲向列(TN)模式驅(qū)動液晶材料。垂直電場施加型液晶顯示器具有大孔徑比的優(yōu)點，但具有大約90度窄視角的缺點。
水平電場施加型液晶顯示器通過彼此平行設(shè)置在下基板上的像素電極和公共電極之間的水平電場按照共平面開關(guān)(IPS)模式驅(qū)動液晶。水平電場施加型液晶顯示器件具有大約160度寬視角的優(yōu)點。下面將詳細描述水平電場施加型液晶顯示器。
水平電場施加型液晶顯示器包括彼此相對粘結(jié)的薄膜晶體管基板(即，下基板)和濾色片基板(即，上基板)、在兩基板之間均勻保持盒間隙的襯墊料以及填充在由襯墊料提供的液晶空間中的液晶材料。
薄膜晶體管基板包括多條信號線、多個為各像素形成水平電場的薄膜晶體管以及涂布其上以排列液晶材料的定向膜。濾色片基板包括實現(xiàn)顏色的濾色片、防止漏光的定向膜以及涂布其上以排列液晶材料的定向膜。
圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)水平電場施加型液晶顯示面板的薄膜晶體管陣列基板的平面圖，并且圖2示出了沿圖1中的I-I’線提取的薄膜晶體管陣列基板的截面圖。
參照圖1和圖2，薄膜晶體管陣列基板包括以彼此交叉的方式設(shè)置在下基板45上的柵線2和數(shù)據(jù)線4，設(shè)置在各交叉處的薄膜晶體管6、設(shè)置在由交叉結(jié)構(gòu)限定的像素區(qū)處的像素電極14和公共電極18以形成水平電場、以及連接到公共電極18的公共線16。
柵線2向薄膜晶體管6的柵極8提供柵信號。數(shù)據(jù)線4通過薄膜晶體管6的漏極12向像素電極14提供像素信號。柵線2和數(shù)據(jù)線4以交叉結(jié)構(gòu)形成以限定像素區(qū)5。
公共線16與柵線平行形成，并且在二者之間為像素區(qū)，公共線16向公共電極18提供用于驅(qū)動液晶材料的基準電壓。
薄膜晶體管6響應(yīng)柵線2的柵信號，使數(shù)據(jù)線4的像素信號充入并且保持在像素電極14中。為此，薄膜晶體管6包括連接到柵線2的柵極8、連接到數(shù)據(jù)線4的源極10以及連接到像素電極14的漏極12。此外，薄膜晶體管6還進一步包括具有有源層48的半導(dǎo)體圖案49，其中在有源層48與柵極8之間具有柵絕緣膜46以在源極10和漏極12之間限定溝道。在半導(dǎo)體圖案49中還包括歐姆接觸層50，其位于有源層48上以使數(shù)據(jù)線4、源極10和漏極12歐姆接觸。
像素電極14通過接觸孔17連接到薄膜晶體管6的漏極12并且設(shè)置在像素區(qū)5處。具體的，像素電極14包括連接到漏極12并且與相鄰的柵線2平行設(shè)置的第一水平部分14a、與公共線16重疊的第二水平部分14b以及在第一和第二水平部分14a和14b之間平行設(shè)置的指狀部分14c。
公共電極18與公共線16相連接并且在像素區(qū)5由與柵線2和柵極8相同的金屬形成。具體的，公共電極18在像素區(qū)5與像素電極14的指狀部分14c平行設(shè)置。
因此，在通過薄膜晶體管6提供有像素信號的像素電極14和通過公共線16提供有基準電壓的公共電極18之間形成水平電場。特別地，在像素電極14的指狀部分14c和公共電極18之間形成水平電場。通過該水平電場在薄膜晶體管陣列基板和濾色片陣列基板之間沿水平方向排列的液晶分子由于介電各向異性而旋轉(zhuǎn)。根據(jù)液晶分子的旋轉(zhuǎn)程度，透過像素區(qū)5的光透射比不同，從而實現(xiàn)灰度級值。
為了形成現(xiàn)有技術(shù)的水平電場施加型液晶顯示面板的薄膜晶體管陣列基板，需要采用至少四輪掩模的光刻工序。
具體地說，通過采用第一掩模工序形成包括柵極8、公共電極18以及公共線16的柵圖案，通過采用第二掩模工序形成半導(dǎo)體圖案49以及源/漏圖案，通過采用第三掩模工序形成具有接觸孔17的鈍化膜52，并且通過采用第四掩模工序形成像素電極14。每一輪掩模工序包括諸如涂覆光刻膠、曝光、顯影、清洗和檢測等多輪工序。因此，其具有復(fù)雜的制造工序或者復(fù)雜的液晶顯示面板，并且成為液晶顯示面板制造成本的主要上升因素。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種適于簡化工序并且降低成本的液晶顯示器件及其制造方法。
為了獲得本發(fā)明的這些和其它目的，按照本發(fā)明實施方式的液晶顯示器件包括形成在基板上的柵線和數(shù)據(jù)線；形成在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處的薄膜晶體管；連接到薄膜晶體管的像素電極；與像素電極平行的公共電極；以及在側(cè)表面上與形成于像素區(qū)最外側(cè)的公共電極相連接的導(dǎo)電圖案。
該液晶顯示器件還進一步包括從導(dǎo)電圖案的兩端和中間的至少其中之一延伸的延伸部分，從而以與公共電極重疊的方式與該公共電極相連接。
在該液晶顯示器件中，導(dǎo)電圖案的線寬為大約2.5μm到3.5μm，并且從導(dǎo)電圖案延伸的延伸部分的長度為大約1.5μm到2.5μm。
該液晶顯示器件還進一步包括與柵線平行并且共同連接到公共電極以向公共電極提供公共電壓的公共線。
在該液晶顯示器件中，所述導(dǎo)電圖案、延伸部分以及像素電極的材料彼此相同。
在該液晶顯示器件中，與所述導(dǎo)電圖案相連接的公共電極與柵線具有相同的材料。
在該液晶顯示器件中，在公共電極中位于像素區(qū)內(nèi)部的公共電極與導(dǎo)電圖案和像素電極的材料相同并且連接到公共線。
一種根據(jù)本發(fā)明實施方式的液晶顯示器件的制造方法，包括通過第一掩模工序在基板上形成包括柵極、連接到柵極的柵線、施加有公共電壓的公共線以及連接到公共線的公共電極的柵圖案；在基板上形成柵絕緣膜以覆蓋柵圖案；通過第二掩模工序形成半導(dǎo)體圖案以及包括與柵線交叉的數(shù)據(jù)線、連接到數(shù)據(jù)線的源極和漏極的源/漏圖案；在基板上形成鈍化膜以覆蓋源/漏圖案；以及通過第三掩模工序形成包括連接到薄膜晶體管并且與公共電極平行的像素電極以及在側(cè)表面與公共電極相連接的導(dǎo)電圖案的透明電極圖案。
在該方法中，所述形成透明電極圖案的步驟還進一步包括形成從導(dǎo)電圖案的兩端和中間的至少其中之一延伸的延伸部分，從而以與公共電極重疊的方式與公共電極相連接。
在該方法中，所述公共線與柵線平行并且共同連接到公共電極。
在該方法中，所述形成透明電極圖案的步驟還進一步包括形成位于像素區(qū)的內(nèi)部以與公共線相連接的第二公共電極。
在該方法中，所述通過第三掩模工序形成像素電極和導(dǎo)電圖案的步驟包括向具有鈍化膜的基板施加第一光刻膠并且然后通過光刻工序?qū)υ摰谝还饪棠z構(gòu)圖以形成第一光刻膠圖案；通過采用第一光刻膠圖案作為掩模對鈍化膜和柵絕緣膜進行構(gòu)圖以形成暴露基板的線型凹槽；在具有線型凹槽的基板上形成透明電極材料；形成第二光刻膠以填充在線型凹槽中；灰化第二光刻膠以暴露除凹槽以外區(qū)域的透明電極材料；去除暴露的透明電極材料；以及去除第一光刻膠圖案和第二光刻膠。


通過下面參照附圖對本發(fā)明實施方式的詳細描述，本發(fā)明的這些和其它目的將更加清楚，其中圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的水平電場施加型液晶顯示面板的薄膜晶體管陣列基板的平面圖；圖2示出了沿圖1中的I-I’線提取的薄膜晶體管陣列基板的截面圖；圖3示出了按照本發(fā)明第一實施方式的水平電場施加型液晶顯示面板的薄膜晶體管陣列基板的平面圖；圖4示出了沿圖3中的II-II’和III-III’線提取的薄膜晶體管陣列級別的截面圖；圖5A到圖5C示出了按照板發(fā)明第一實施方式的薄膜晶體管陣列基板的制造方法順序截面圖；圖6A到圖6F示出了具體解釋圖5C中的第三掩模工序的截面圖；圖7示出了在本發(fā)明第一實施方式中出現(xiàn)的剩余透明電極材料的突破；圖8示出了按照本發(fā)明第二實施方式的水平電場施加型液晶顯示面板的薄膜晶體管陣列基板的平面圖；圖9示出了沿圖8中的II-II’和III-III’線提取的薄膜晶體管陣列基板的截面圖；以及圖10示出了按照本發(fā)明第三實施方式的水平電場施加型液晶顯示面板的薄膜晶體管陣列基板的平面圖。
具體實施例方式
以下將參照附圖中所示的實施例來詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。
以下將參照圖3到圖10解釋本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。
圖3示出了按照本發(fā)明第一實施方式的水平電場施加型液晶顯示面板的薄膜晶體管陣列基板的平面圖，并且圖4示出了沿圖3中的II-II’和III-III’線提取的薄膜晶體管陣列基板的截面圖。
參照圖3和圖4，薄膜晶體管陣列基板包括以彼此交叉的方式設(shè)置在下基板145上的柵線102和數(shù)據(jù)線104、設(shè)置在各交叉處的薄膜晶體管106、設(shè)置在由交叉結(jié)構(gòu)限定的像素區(qū)處用于形成水平電場的像素電極114和公共電極118以及連接到公共電極118的公共線116。
柵線102向薄膜晶體管106的柵極108提供柵信號。數(shù)據(jù)線104通過薄膜晶體管106的漏極112向像素電極114提供像素信號。柵線102和數(shù)據(jù)線104以交叉結(jié)構(gòu)形成以限定像素區(qū)105。
公共線116與柵線平行形成并且中間設(shè)置有像素區(qū)105，以向公共電極118提供用于驅(qū)動液晶材料的基準電壓。此外，公共線116由與柵線102相同的材料形成。
薄膜晶體管106響應(yīng)柵線102的柵信號，使數(shù)據(jù)線104的像素信號充入并且保持在像素電極114中。為此，薄膜晶體管106包括連接到柵線102的柵極108、連接到數(shù)據(jù)線104的源極110以及連接到像素電極114的漏極112。此外，薄膜晶體管106還進一步包括具有有源層148的半導(dǎo)體圖案149，其與柵極108重疊并且在其間設(shè)有柵絕緣膜146以在源極110和漏極112之間限定溝道。在半導(dǎo)體圖案149中還包括位于有源層148上的歐姆接觸層150，使數(shù)據(jù)線104、源極110和漏極112進行歐姆接觸。
像素電極114連接到薄膜晶體管106的漏極112并且設(shè)置在像素區(qū)105處。具體的，像素電極114包括連接到漏極112并且與相鄰的柵線102平行設(shè)置的第一水平部分114a以及與公共電極118平行設(shè)置的指狀部分114c。
公共電極118與公共線116相連接并且在像素區(qū)105由與柵線102和柵極108相同的金屬形成。
具體的，導(dǎo)電圖案115與公共電極118中位于像素區(qū)105最外面的公共電極118部分相接。并且，在公共電極118中位于像素區(qū)105內(nèi)部的公共電極118包括不是柵金屬的透明電極材料并且與由柵金屬形成的公共線116相接。具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板通過三輪掩模工序形成，從而與現(xiàn)有技術(shù)相比簡化了制造工序并且可以降低制造成本。
下面參照圖5A到圖6F描述通過三輪掩模工序形成薄膜晶體管陣列基板的制造方法。
首先，通過采用第一掩模的光刻工序和蝕刻工序形成柵圖案。
換句話說，在通過諸如濺射的沉積方法在下基板上沉積柵金屬層后，通過光刻工序和蝕刻工序?qū)υ摉沤饘賹訕?gòu)圖，從而形成包括柵線102、連接到柵線102的柵極108、公共線116以及公共電極118的柵圖案。這里，柵金屬層由釹化鋁AlNd、鋁等形成。
通過諸如PECVD等的沉積技術(shù)在具有柵圖案等的下基板145上完全沉積無機絕緣材料，從而設(shè)置柵絕緣膜146。這里，柵絕緣膜146由諸如氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)等無機絕緣材料形成。
然后，如圖5B所示，通過采用第二掩模的光刻以及蝕刻工序形成半導(dǎo)體圖案以及源/漏金屬圖案。
為了更加詳細描述，在具有柵絕緣膜146的下基板145上順序形成非晶硅層、n+非晶硅層以及源/漏金屬層。并且然后，通過采用衍射曝光掩模的光刻和蝕刻工序?qū)Ψ蔷Ч鑼?、n+非晶硅層以及源/漏金屬層構(gòu)圖，從而形成包括數(shù)據(jù)線104、源極110和漏極112的源/漏圖案以及包括歐姆接觸層150和有源層148的半導(dǎo)體圖案149。然后，通過采用源極110和漏極112作為掩模蝕刻歐姆接觸層150，從而暴露有源層148。這里，數(shù)據(jù)金屬材料選自鉻(Cr)、鉬(Mo)或者鈦(Ti)等。
最后，如圖5C所示，通過采用第三掩模的光刻和蝕刻工序形成透明電極圖案。這里，透明電極圖案包括像素電極114、連接到位于像素區(qū)105最外側(cè)的公共電極118的導(dǎo)電圖案115以及連接到公共線116并且位于像素區(qū)105內(nèi)部的公共電極118。
下面參照圖6A到6F具體描述采用第三掩模的工序。
首先，在具有源/漏圖案的下基板145上順序形成由諸如氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)等無機絕緣材料形成的鈍化膜152以及第一光刻膠，并且然后通過圖6A所示的光刻工序形成光刻膠圖案132。
之后，通過采用光刻膠圖案132作為掩模對鈍化膜152和柵絕緣膜146構(gòu)圖，從而如圖6B所示，形成部分暴露下基板145并且暴露薄膜晶體管106的漏極112的線型凹槽134。
在具有鈍化膜152和柵絕緣膜146的下基板145上沉積透明電極材料。這里，透明電極材料由氧化銦錫(ITO)、氧化錫(TO)、氧化銦鋅(IZO)或者氧化銦錫鋅(ITZO)等形成。
如圖6C所示，在沉積有透明電極材料120的下基板145上完全沉積第二光刻膠136。在這種情況下，第二光刻膠136填充在線型的凹槽134中。
之后，如圖6D所示，執(zhí)行灰化工序以暴露透明電極材料120。在暴露出透明電極材料120的狀態(tài)下執(zhí)行蝕刻工序，從而如圖6E所示，透明電極材料120只存在于線型的凹槽134中。
接著，執(zhí)行剝離工序從而形成與位于像素區(qū)最外側(cè)的公共電極118平行的像素電極114、連接到像素區(qū)105最外側(cè)的公共電極118的導(dǎo)電圖案115以及位于像素區(qū)105內(nèi)部的公共電極118。這里，位于像素區(qū)105內(nèi)部的公共電極和公共線116之間的連接類型與位于像素區(qū)105最外側(cè)的公共電極118和導(dǎo)電圖案115之間的連接類型相同。
如上所述，按照本發(fā)明第一實施方式的水平電場施加型液晶顯示面板的薄膜晶體管陣列基板通過采用三輪掩模的構(gòu)圖工序形成，從而可以簡化制造工序并且降低制造成本。
同時，在按照本發(fā)明第一實施方式的水平電場施加型液晶顯示面板的薄膜晶體管陣列基板中，可能會產(chǎn)生下列問題。
在圖6C中，假設(shè)沉積透明電極材料120并且然后對透明電極材料120進行烘焙，則連接到具有高熱傳導(dǎo)性的柵金屬的透明電極材料會結(jié)晶(多晶硅)。因此，在蝕刻透明電極材料120時不會很好的執(zhí)行蝕刻，從而如圖7所示，透明電極圖案120會部分剩余在光刻膠圖案132上。該剩余的透明電極材料120在像素區(qū)105中作為顆粒，從而使顯示質(zhì)量下降或者成為產(chǎn)生電極之間短路的原因。
因此，本發(fā)明的第二實施方式提出了一種防止上述問題的結(jié)構(gòu)。
圖8示出了按照本發(fā)明第二實施方式的水平電場施加型液晶顯示面板的薄膜晶體管陣列基板的平面圖，并且圖9示出了沿圖8中的II-II’和III-III’線提取的薄膜晶體管陣列基板的截面圖。
圖8和圖9所示的薄膜晶體管陣列基板除了位于像素區(qū)105最外側(cè)的公共電極118在其側(cè)表面與導(dǎo)電圖案115相連接外，具有與圖4所示的薄膜晶體管陣列基板相同的元件。因此，使用與圖4和圖5中相同的附圖標記并且省略了對其的詳細說明。
在圖8和圖9所示的水平電場施加型液晶顯示面板的薄膜晶體管基板中，位于像素區(qū)105最外側(cè)的公共電極118在其側(cè)表面與導(dǎo)電圖案115相連接。而且，位于像素區(qū)105內(nèi)部的公共電極在側(cè)表面上與公共線116相連接。因此，最小化了柵金屬圖案與透明電極材料之間的連接，從而最小化了透明電極材料的結(jié)晶。結(jié)果，在剝離光刻膠圖案之后，不會剩余透明電極材料。
同時，按照本發(fā)明第二實施方式的水平電場施加型液晶顯示面板的薄膜晶體管陣列基板中，除了在第三掩模工序中剩余柵絕緣膜146以與位于像素區(qū)105最外側(cè)的公共電極重疊，從而在側(cè)表面上將透明電極材料連接到公共電極118外，通過與圖5A到6F所示的相同的方法形成。因此，省略了該制造方法的詳細說明。
圖10示出了按照本發(fā)明第三實施方式的水平電場施加型液晶顯示面板的薄膜晶體管陣列基板的平面圖。
在圖10所示的薄膜晶體管陣列基板中，與圖8和圖9所示的薄膜晶體管陣列基板相似，位于像素區(qū)105最外側(cè)的公共電極118在其側(cè)表面與導(dǎo)電圖案相連接，并且與圖3和圖4相比，形成額外的部分導(dǎo)電圖案115以與公共電極118重疊。圖10所示的薄膜晶體管陣列基板除了上述的結(jié)構(gòu)特性外，與圖3到圖8所示的具有相同的元件。因此，使用與圖3到圖8中相同的附圖標記并且省略了對其的詳細說明。
在本發(fā)明的第二實施方式中，導(dǎo)電圖案115與公共電極118在其側(cè)表面上連接，從而可能會使導(dǎo)電的可靠性降低。因此，本發(fā)明的第三實施方式還進一步包括在導(dǎo)電圖案115的端部和中間的至少其中之一中的延伸部分137，從而最小化了結(jié)晶并且提高了導(dǎo)電圖案115與公共電極118之間的連接可靠性。
換句話說，進一步形成能夠最小化由柵金屬圖案形成的公共電極118與由透明電極材料形成的導(dǎo)電圖案115之間的連接并且能夠使連接可靠的延伸部分137，從而可以最小化透明電極材料(導(dǎo)電圖案)的結(jié)晶并且保持導(dǎo)電圖案115與公共電極118之間的連接。這里，導(dǎo)電圖案115的線寬d1大約為2.5μm到3.5μm。從導(dǎo)電圖案115延伸以與公共電極118重疊的延伸部分137的長度d2大約為1.5μm到2.5μm。
同時，按照本發(fā)明第三實施方式的水平電場施加型液晶顯示面板的薄膜晶體管基板的制造方法保留柵絕緣膜146和鈍化膜152以與位于像素區(qū)105最外側(cè)的公共電極118重疊，使得在第三掩模工序中透明電極材料在其側(cè)面連接到公共電極118。進而，按照本發(fā)明第三實施方式的水平電場施加型液晶顯示面板的薄膜晶體管陣列基板除了還形成從導(dǎo)電圖案115的兩端和中間延伸的延伸部分137外，通過與圖5A到6F所示相同的方法形成。因此，省略了對其的詳細說明。
如上所述，在按照本發(fā)明的水平電場施加型液晶顯示面板及其制造方法中，可以通過采用三輪掩模的構(gòu)圖工序形成薄膜晶體管陣列基板，從而簡化了制造工序并且降低了制造成本。此外，最小化了連接到柵金屬(實施方式中的公共電極)的透明電極材料(實施方式中的導(dǎo)電圖案)的結(jié)晶，從而防止了在剝離工序之后剩余透明電極材料。因此，通過三輪掩模工序能夠克服在制造工序中可能產(chǎn)生的可靠性惡化的問題。
盡管已經(jīng)通過上述附圖所示的實施方式解釋了本發(fā)明，但是應(yīng)該理解，本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員可以在不脫離本發(fā)明的精神或者范圍內(nèi)對本發(fā)明進行不同的修改和改進。因此，本發(fā)明旨在包括所有落入所附權(quán)利要求及其等同物范圍內(nèi)的對本發(fā)明進行的修改和改進。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器件，包括形成在基板上的柵線和數(shù)據(jù)線；形成在柵線和數(shù)據(jù)線的各交叉處的薄膜晶體管；連接到薄膜晶體管的像素電極；與像素電極平行的公共電極；以及在側(cè)表面與形成于像素區(qū)最外側(cè)的公共電極相連接的導(dǎo)電圖案。
2.按照權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，還進一步包括從導(dǎo)電圖案的兩端和中間的至少其中之一延伸的延伸部分，從而以與公共電極重疊的方式與該公共電極相連接。
3.按照權(quán)利要求2所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述導(dǎo)電圖案的線寬為2.5μm到3.5μm，并且從導(dǎo)電圖案延伸的延伸部分的長度為1.5μm到2.5μm。
4.按照權(quán)利要求2所述的液晶顯示器件，其特征在于，還進一步包括與柵線平行并且共同連接到公共電極以向公共電極提供公共電壓的公共線。
5.按照權(quán)利要求2所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述導(dǎo)電圖案、延伸部分以及像素電極的材料彼此相同。
6.按照權(quán)利要求2所述的液晶顯示器件，其特征在于，與所述導(dǎo)電圖案相連接的公共電極與柵線具有相同的材料。
7.按照權(quán)利要求4所述的液晶顯示器件，其特征在于，在公共電極中位于像素區(qū)內(nèi)部的公共電極與導(dǎo)電圖案和像素電極的材料相同并且連接到公共線。
8.一種液晶顯示器件的制造方法，包括通過第一掩模工序在基板上形成包括柵極、連接到柵極的柵線、施加有公共電壓的公共線以及連接到公共線的公共電極的柵圖案；在基板上形成柵絕緣膜以覆蓋柵圖案；通過第二掩模工序形成半導(dǎo)體圖案和包括與柵線交叉的數(shù)據(jù)線、連接到數(shù)據(jù)線的源極以及漏極的源/漏圖案；在基板上形成鈍化膜以覆蓋源/漏圖案；以及通過第三掩模工序形成包括連接到漏極并且與公共電極平行的像素電極以及在其側(cè)表面與公共電極相連接的導(dǎo)電圖案。
9.按照權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述形成透明電極圖案的步驟還進一步包括形成從導(dǎo)電圖案的兩端和中間的至少其中之一延伸的延伸部分，從而以與公共電極重疊的方式與公共電極相連接。
10.按照權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述公共線與柵線平行并且共同連接到公共電極。
11.按照權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述形成透明電極圖案的步驟還進一步包括形成位于像素區(qū)內(nèi)部并且連接到公共線的第二公共電極。
12.按照權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述通過第三掩模工序形成像素電極和導(dǎo)電圖案的步驟包括向具有鈍化膜的基板施加第一光刻膠并且然后通過光刻工序?qū)υ摰谝还饪棠z構(gòu)圖以形成第一光刻膠圖案；通過采用第一光刻膠圖案作為掩模對鈍化膜和柵絕緣膜進行構(gòu)圖以形成暴露基板的線型凹槽；在具有線型凹槽的基板上形成透明電極材料；形成第二光刻膠以填充在線型凹槽中；灰化第二光刻膠以暴露除凹槽以外區(qū)域的透明電極材料；去除暴露的透明電極材料；以及去除第一光刻膠圖案和第二光刻膠。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種能夠簡化工序并且降低成本的液晶顯示器件及其制造方法。按照本發(fā)明實施方式的液晶顯示器件包括形成在基板上的柵線和數(shù)據(jù)線；形成在柵線和數(shù)據(jù)線的各交叉處的薄膜晶體管；連接到薄膜晶體管的像素電極；與像素電極平行的公共電極；以及在側(cè)表面上與形成于像素區(qū)最外側(cè)的公共電極相連接的導(dǎo)電圖案。
文檔編號G02F1/1345GK1881051SQ200510116779
公開日2006年12月20日 申請日期2005年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月15日
發(fā)明者梁埈榮, 李正一, 申東秀 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社