專利名稱：掃描曝光方法以及裝置制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及掃描曝光設備的掃描曝光方法以及使用該掃描曝光設備的裝置制造方法，尤其涉及適于曝光大掩膜的曝光設備。
背景技術：
近期的顯示器，如個人計算機(“PC”)的顯示器和電視機的顯示器，經(jīng)常使用液晶顯示(“LCD”)基片。LCD基片使用光刻法在玻璃板片上形成預定形狀的帶有圖形的透明薄膜電極，并且光刻法使用投影曝光設備，用于將形成于掩膜上的原始圖形通過投影光學系統(tǒng)，曝光在玻璃板片的光刻膠層上。
投影光學設備包括那類所謂的“分步重復”及鏡面投影方式。
隨著近期對大LCD基片的需求，需要投影曝光設備擴大它的曝光區(qū)域。圖13是常規(guī)的普通鏡面投影型掃描曝光設備中主要部件的示意圖。在圖13中，1表示掩膜，2表示用于掃描掩膜1的掩膜托架(mask stage)，4表示投影光學系統(tǒng)，5表示諸如玻璃板片的板片，以及6表示用于掃描板片5的板片托架(plate stage)。對UV敏感的光刻膠被涂敷于板片5的表面上。13是來自照射系統(tǒng)7的弧形照射光。
如所闡述的，照射系統(tǒng)7利用放置在掩膜1正前方或者位于與掩膜1光共軛位置處的弧形縫隙或狹長縫隙，產(chǎn)生弧形照射光13。另外，使用如圓柱形透鏡的光學元件也可以提供類似的弧形照射光。
11表示XYZ坐標系統(tǒng)。被照射的掃描曝光設備將弧形照射光13的縱向與X軸方向對準，將掩膜托架2和板片托架6的橫向或掃描方向與Y軸方向對準，將與XY平面垂直的方向與Z軸方向對準。
現(xiàn)在給出操作原理的簡要說明。掩膜1上的圖形只有被弧形照射光照射的部分10被投影和轉移。按照箭頭9的方向以特定速度掃描掩膜1，也可以按照箭頭8的方向并以前面的速度乘以投影光學系統(tǒng)4的圖像放大倍率所得到的速度掃描板片托架6，掩膜1上的整個電路圖形被投影和轉移到板片5上。
托架控制系統(tǒng)將掩膜1和板片5同步，并控制它們的掃描。整個電路圖形被轉移后，板片托架6在X方向和Y方向上移動或步進一個確定的量，以便以上述相同的方法重復對板片5上多個不同位置的圖形轉移，并曝光掩膜上比畫出的區(qū)域更大的區(qū)域。
具有大掩膜的掃描曝光有效地令用于寬闊曝光區(qū)域的曝光設備可以曝光大板片，如具有高處理能力的大尺寸液晶屏，并要求掩膜上的圖形聚焦在橫跨整個寬闊曝光區(qū)域的板片上。
陰極片，如掩膜，當被水平支撐時，由于其自身的重量將變形。根據(jù)材料的強度，掩膜的重量變形與掩膜一側長度的四次方成比例，并當掩膜變大時該重量變形顯著增加。例如，下面的等式給出了具有自由支撐的兩個邊緣的水平掩膜的最大變形量ymaxymax＝(5wL4)/384EI (1)其中w是每單位長度的重量，L是被支撐距離的長度，E是楊氏系數(shù)(Young’s modulus)，I是幾何轉動慣量。
具有固定的兩個邊緣的水平掩膜的最大變形量ymax由下面的等式給出ymax＝(wL4)/384EI (2)例如，L＝500mm、厚度為10mm的石英掩膜具有被支撐的兩個邊緣時的最大變形量ymax＝30μm，或者具有固定的兩個邊緣時的Ymax＝6μm。
另一方面，鏡面投影型投影光學系統(tǒng)具有大約±30μm的景深(“DOF”)。
因此，相對于掩膜圖形投影圖像的DOF不能忽略掩膜的重量變形，并且其將使如分辨率的轉移特性惡化。
即使當掩膜支撐設備14如圖5所示在同一個平面上支撐掩膜的四個周邊時，掩膜也發(fā)生了如圖6所示具有不同截面形狀的復雜變形。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的代表性的目的在于提供一種掃描曝光設備的掃描曝光方法以及利用該該掃描曝光設備的裝置制造方法，該掃描曝光設備利用弧形照射光將掩膜上的圖形通過使用掃描曝光方法的投影光學系統(tǒng)曝光在一個板片上，使得照射由于自身重量而變形的掩膜的具有高分辨率的大屏幕上的投影曝光更容易。
本發(fā)明的一個方面的掃描曝光方法，用于利用弧形照射光照射掩膜上的圖形，并且用于將由照射光學系統(tǒng)照射的掩膜上的圖形投射到一個板片上，掃描曝光設備相對于投影光學系統(tǒng)同步掃描掩膜和該板片，并使掩膜支撐機構僅在與掃描方向平行的兩邊支撐掩膜，該方法包括以下步驟曝光焦距測量圖形掩膜，由在板片上的焦距測量圖形圖像的光強度或分辨率性能測量特定區(qū)域的焦距位置，線性內插測量結果并確定圖像平面位置，計算用于傾斜掩膜和/或該板片的傾斜角度，以便將該板片表面置于圖像表面位置的聚焦板片上，根據(jù)計算的數(shù)據(jù)校正掩膜托架和/或板片托架的傾斜面，并曝光實際的掩膜。
掃描曝光方法在由焦距測量圖形測量特定區(qū)域的聚焦狀態(tài)時，還可以包括如下步驟在掃描方向上僅掃描焦距測量圖形掩膜，并根據(jù)置于特定曝光區(qū)域中的光量檢測器的輸出，確定圖像表面的位置。
該掃描曝光方法在由焦距測量圖形測量特定區(qū)域的聚焦狀態(tài)時，還可以包括如下步驟在掃描方向上，曝光焦距測量圖形掩膜和涂敷了感光材料的板片，由該板片上被感光的圖像檢驗聚焦狀態(tài)，并根據(jù)該檢驗數(shù)據(jù)確定圖像平面位置。
本發(fā)明的另一方面的裝置制造方法包括如下步驟使用上述掃描曝光方法將裝置圖形曝光到板片上，并將已被曝光的板片顯影。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式主要部件的示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式主要部件的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式主要部件的示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的第四實施方式主要部件的示意圖；圖5是承受四邊的掩膜支撐方法的示意圖；圖6是用于解釋承受四邊的掩膜支撐方法中重量變形的圖；圖7是在掃描方向上承受兩邊的掩膜支撐方法的示意圖；圖8是用于解釋承受兩邊的掩膜支撐方法中重量變形的圖；圖9是用于解釋第一至第四實施方式和托架校正量的圖；圖10是用于獲得傾斜校正量的流程圖；圖11是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的裝置制造方法的流程圖；圖12是用于解釋根據(jù)本發(fā)明的裝置制造方法的流程圖；以及圖13是常規(guī)的掃描曝光設備中主要部件的示意圖。
具體實施例方式
圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式主要部件的示意圖，其中1表示掩膜。掩膜支撐方法使用圖7所示掩膜支撐機構15，以便在掃描方向上，沿掩膜兩邊承受和支撐掩膜，并使得其在如圖8所示的方向或者與掃描方向或者X方向垂直的Y方向上由于其自身重量而變形。該方法提供了具有恒定截面形狀的掩膜。支撐掩膜托架2的掩膜托架支腳3為了校正掩膜上被照射的弧形圖形10成像位置的偏移量而向一個方向傾斜，或者為了校正掩膜被照射的弧形區(qū)域和板片之間的光程而向一個方向傾斜。在此狀態(tài)下，掩膜上的圖形被曝光于板片5上。4是投影光學系統(tǒng)，6是用于支撐由玻璃板片制成的板片5的板片托架。對UV敏感的光刻膠被涂敷在板片5的表面。
另外，本發(fā)明可以將板片5傾斜而不是將掩膜1傾斜(如第二實施方式)或如在后面進行描述的將兩者同時傾斜(如第三實施方式)。
13是來自照射系統(tǒng)7的弧形照射光。如已闡述的，照射系統(tǒng)7利用放置在掩膜1正前方或者位于與掩膜1光共軛位置處的弧形縫隙或狹長縫隙，提供弧形照射光13。另外，使用如圓柱形透鏡的光學元件也可以提供類似的弧形照射光，并在掩膜圖形表面形成弧形照射區(qū)域圖形10。
如所闡述的，11表示XYZ坐標系統(tǒng)。被照射的掃描曝光設備將弧形照射光13的縱向與X軸方向對準，將掩膜托架2和板片托架6的橫向或掃描方向與Y軸方向對準，將與XY平面垂直的方向與Z軸方向對準。
本實施方式僅將掩膜1上受到弧形照射光曝光的圖形部分10進行了投影和轉移。通過在箭頭9的方向上以特定速度掃描掩膜1，或者在箭頭8的方向上以前面的速度乘以投影光學系統(tǒng)4的成像放大倍率所得到的速度掃描板片托架6，掩膜1上的整個電路圖形被投影并被轉移到板片5上。
托架控制系統(tǒng)使掩膜托架2和板片托架6同步，并控制它們的掃描。整個電路圖形被轉移后，板片托架6在X方向和Y方向上移動或步進特定的量，以便以上述相同的方法重復轉移板片5上多個不同位置的圖形。
在支撐掩膜1時，掩膜支撐設備15不能在機械上截斷上述投影光學系統(tǒng)的光路。當掩膜1和板片5相對于投影光學系統(tǒng)被掃描時，可以僅在掩膜1的邊緣支撐它。因此，掩膜1由于其自身的重量而在重力方向變形。當掩膜1的重量變形從投影光學系統(tǒng)觀看時，掩膜1的中心部分在投影光學系統(tǒng)的光軸方向上接近板片5，而邊緣沿光軸方向與板片分離。結果，通過投影光學系統(tǒng)，圖像表面位置的圖形或圖像的形狀使得弧形被照射圖形的中心部分散焦，而在邊緣聚焦。
本實施方式通過保持掩膜1上被照射區(qū)域10和板片5上被照射區(qū)域之間距離的恒定，以如下方式抵償掩膜的變形圖7中的掩膜支撐設備15首先支撐掩膜1，使得掩膜1在特定方向上由于其自身的重量而變形，由此掩膜1達到動態(tài)穩(wěn)定。然后，掩膜1或掩膜托架支腳3傾斜，以使掩膜1上被照射區(qū)域10和板片5之間的距離保持恒定，由此由弧形照射光曝光的圖形部分與投影光學系統(tǒng)的對象表面大致對應。由于通過光學系統(tǒng)成像的圖形圖像表面與板片5的表面大致對應，所以弧形圖形圖像聚焦于板片5的表面獲得最佳曝光。
掩膜的重量變形在與掃描方向垂直的方向上放大被投影的圖像。掩膜或板片從掃描方向向光軸方向的傾斜，放大了掃描方向上的圖形圖像。
由本申請人提交的日本專利No.8-306618中公開的放大率校正光學系統(tǒng)4a適用于校正在與掃描方向垂直的方向上的成像放大倍率。托架控制系統(tǒng)改變掩膜1和板片5之間的速率，以便校正掃描方向上的投影或掃描放大倍率。
對掩膜邊緣的固定支撐不會令掩膜圖形表面形成極好的圓柱狀表面，并將在被投影的圖像中引起失真。然而，這可以由光校正設備(未示出)進行校正。
因此，本實施方式將歷來是困難的整個弧形狹長區(qū)域適當?shù)鼐劢?，并提供了與投影光學系統(tǒng)的操作相對應的圖形圖像。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式主要部件的示意圖。該實施方式與圖1的第一實施方式不同，其在將掩膜1上的圖形曝光在板片5上時，傾斜的是板片5而不是掩膜1。其他結構幾乎都相同。
類似地，當掩膜1的邊緣被支撐時，掩膜1由于其自身的重量而變形。本實施方式中的掩膜變形，而板片5上的圖形圖像表面在向掩膜1彎曲的圓柱形側表面上形成弧形圖形圖像的中心部分?？紤]到這一情況，第二實施方式相應地傾斜板片5并對其進行掃描以便進行曝光。
可以使用傾斜板片5的設備，例如，用于板片托架的傾斜機構。
因此，本實施方式將歷來是困難的整個弧形狹長區(qū)域適當?shù)鼐劢?，并提供了具有高分辨率的圖形圖像。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式主要部件的示意圖。該實施方式與圖1的第一實施方式不同，其為了將掩膜1上的圖形曝光在板片上，相對于掃描方向傾斜掩膜1和板片5。其他結構幾乎都相同。
類似地，當掩膜1的邊緣被支撐時，掩膜1由于其自身的重量而變形。本實施方式中的掩膜變形，而板片5上的圖形圖像表面在向掩膜1彎曲的圓柱形側表面上形成弧形圖形圖像的中心部分。對曝光系統(tǒng)中的這一現(xiàn)象進行處理，第三實施方式相應地傾斜掩膜1和板片5并對其進行掃描以便進行曝光。
本實施方式使用圖7所示的掩膜支撐設備15支撐掩膜1，然后，相對于掃描方向同時傾斜掩膜1和板片5，而保持掩膜1上的被照射弧形區(qū)域10和板片5之間的距離恒定。
換句話說，不象第一實施方式中僅傾斜掩膜1或者象第二實施方式中僅傾斜板片5，本實施方式同時傾斜掩膜1和板片5。
本實施方式為了校正散焦，同時傾斜掩膜1和板片5比僅分別傾斜掩膜1和板片5中的一個具有較小的傾斜量。
已討論的三個實施方式只是簡單地將掩膜1和/或板片5進行傾斜，并在其縱向上對它們進行掃描。上述實施方式是相對簡單和有效的實施方式。
下面根據(jù)這些實施方式，將對成功地處理了圖4和圖5所示具有變形的有問題的掩膜1的本發(fā)明進行描述。
上述三個實施方式通過支撐掩膜1和/或板片5，以便在其縱向被掃描，在適當?shù)臅r候調整它們的傾斜面，并且優(yōu)選地根據(jù)它們的掃描位置調整它們的傾斜角度的情況也是有效的。
例如，當傾斜角度根據(jù)掩膜1的掃描位置線性變化時，如圖4和5所示的由于其自身重量而引起的掩膜1的變形是可以校正的。
將參照圖9進行描述，圖9是用于解釋在上述三個實施方式中掃描位置和支撐掩膜1和/或板片5的托架傾斜角度之間關系的圖。
上述三個實施方式可以以圖9中幾乎恒定的傾斜角度“A”進行掃描。在此情況下，可以對托架的傾斜角度進行機械地調整或控制。另一方面，這對于圖4和圖5所示變形的掩膜1是相當復雜的。最初，本發(fā)明對于具有二維曝光區(qū)域的設備是相當有效的。本發(fā)明的一個代表性的目的是將光軸方向上最前面和最后面的掃描圖形的位置與板片5對準。
對于圖4和圖5所示的變形掩膜1而言，重要的是二維曝光區(qū)域與板片5的上表面在統(tǒng)計上一致。如圖9中“B”所示，該實施方式線性改變了托架位置與托架傾斜角度之間的關系。圖9中虛線所示部分表明在掃描方向上軸對稱的二維曝光區(qū)域，而圖9中“B”在掃描方向上不對稱。掃描不對稱區(qū)域需要平衡掃描圖形中最前面和最后面的圖形之間的聚焦狀態(tài)。
由于掩膜1在所有工序中具有恒定的厚度，所以可以使用對于一種曝光工序是可用的有代表性的掩膜，以便準備傾斜角度臺。另外，根據(jù)掩膜1變形量的計算結果，可以計算掩膜1和/或板片5的傾斜量，并用于控制傾斜角度。
圖10是通過收集上述用于調整和校正的必要數(shù)據(jù)獲得傾斜校正量的流程圖。為了獲得校正量，首先準備用于焦距測量的圖形掩膜，并將其安裝在曝光設備上。下面的代表性步驟至少在二維狹長圖形圖像區(qū)域的三個位置上安裝一個光量測量設備，該設備在虛擬板片表面位置上設置其測量焦距的位置，并利用焦距測量圖形掩膜進行掃描曝光。利用圖形掩膜上曝光位置和已測量的光量之間的關系以及數(shù)據(jù)的線性內插處理，可以對由于變形的掩膜產(chǎn)生的圖像表面位置的細微變化進行分析。分析結果將為傾斜機構和校正臺提供計算出的調整量。
另一個實施方式準備了一種焦距測量掩膜圖形，將其裝入曝光設備，然后，對在其上涂敷了感光材料的焦距評估板片進行掃描曝光。二維曝光區(qū)域的聚焦狀態(tài)可以通過評估已被顯影的圖形進行測量。
為了進行快速而價廉的評估，通過實際曝光確定聚焦位置的方法可以使用具有無需顯影的感光材料(如對光反應變色的材料)的板片，取代具有需要顯影的感光材料(如光刻膠)的板片。為此，可以對板片上的整個區(qū)域進行測量，但是為了節(jié)省測量和處理的時間，可以對板片上的特定區(qū)域進行測量。
線性內插焦距數(shù)據(jù)，用于曝光區(qū)域中的特定的具有代表性的點并根據(jù)托架位置確定托架傾斜角度。在調整機構時，根據(jù)該數(shù)據(jù)計算傾斜設備的調整量。
這樣對該機構進行調整。在根據(jù)托架位置控制托架傾斜面時，為了完全控制托架位置，例如可以準備和使用校正臺。
然后，說明通常的曝光步驟。
下面將對使用上述投影曝光設備的液晶屏制造方法的實施方式進行描述。
圖11是用于制造液晶屏的流程圖。在本實施方式中，步驟1(陣列設計步驟)設計一個液晶陣列電路。步驟2(掩膜制造步驟)形成具有所設計的陣列圖形的掩膜。步驟3(板片制造步驟)制造玻璃板片。步驟4(陣列制造步驟)，其也被稱作“預處理”，利用準備好的掩膜和板片通過光刻法在玻璃板片上形成實際的電路。
步驟5(屏制造步驟)，其也被稱作“后處理”，將已在分開的步驟中制造的濾色鏡粘在一起的后邊緣密封，并注入液晶。步驟6(檢查步驟)對已安裝翼片和背光的液晶屏模塊進行各種檢測，如性能檢測和耐久性檢測，并在步驟5之后進行老化測試。通過這些步驟，液晶屏制造完成并被裝運(步驟7)。
圖12是步驟4中構造陣列的詳細流程圖。步驟11(薄膜形成之前進行清潔)在玻璃板片表面形成薄膜之前，對其進行清潔的預處理。步驟12(PCVD)在玻璃板片表面形成薄膜。步驟13(抗蝕劑涂敷步驟)將需要的抗蝕劑涂敷到玻璃板片的表面，并烘烤它。步驟14(曝光步驟)將掩膜上的陣列圖形曝光在使用上述曝光設備的玻璃板片上。
步驟15(顯影步驟)將曝光的玻璃板片顯影。步驟16(蝕刻步驟)對被顯影的抗蝕劑圖像以外的部分進行蝕刻。步驟17(抗蝕劑剝離步驟)在蝕刻后移除廢棄的抗蝕劑。重復這些步驟直到在板片上形成多層電路圖形。
利用本實施方式的制造方法將容易地制造出優(yōu)質的液晶屏。
上述實施方式使得對本發(fā)明的理解變得更容易，但是它并不限制本發(fā)明的范圍。上述實施方式中公開的每個部件意在包括本發(fā)明范圍內的所有改進的和等同的方案。
例如，當上述實施方式討論鏡面投影方式下與實物大小相同的掃描曝光設備時，本發(fā)明對于利用弧形照射光照射掩膜的曝光設備，如具有象投影光學系統(tǒng)的兼有反射光和折射光學系統(tǒng)的分步掃描縮影投影曝光設備而言是適用的。
圖4是本發(fā)明的第四實施方式主要部件的示意圖。該實施方式不同于第一到第三實施方式，其投影光學系統(tǒng)是兼有反射光和折射光的系統(tǒng)。其他結構與上面的相同。
該實施方式可以傾斜掩膜1、板片5，或者掩膜1和板片5。
在掃描方向上的放大倍率校正和在垂直掃描方向的方向上的放大倍率校正與第一實施方式所述相同。
與圖2相比，本實施方式形成的圖像與鏡面投影型反轉180°，使用如圖4所示的用于掩膜1和板片5的反轉的掃描方向，以及因此反轉的傾斜方向。其他結構與上面的相同。
用于曝光的照射光可以使用水銀燈發(fā)出的任何一種射線(例如，g射線，和i射線)，KrF激態(tài)原子激光(波長為248nm)，ArF激態(tài)原子激光(波長為193nm)，F(xiàn)2激光(波長為157nm)，Ar2激光(波長為126nm)，YAG激光以及其他更高的諧波。
本發(fā)明不僅適用于制造LCD裝置的曝光設備，而且適用于制造半導體器件、薄膜磁頭以及圖像拾取裝置(CCD及類似裝置)的設備，以及那些將電路圖形轉移到玻璃板片、硅晶片或類似物以便獲得標線片或掩膜的設備。
因此，本發(fā)明可以提供一種掃描曝光設備的掃描曝光方法以及利用該掃描曝光設備的裝置制造方法，該掃描曝光設備利用弧形照射光將掩膜上的圖形通過使用掃描曝光方法的投影光學系統(tǒng)曝光在一個板片上，使得在照射由于自身重量而變形的掩膜時在高分辨率的大屏幕上的投影曝光更容易。當使用弧形照射光照射掩膜時，掩膜上的圖形由利用掃描曝光方法的投影光學系統(tǒng)投影并曝光在板片上。本發(fā)明可以提供一種掃描曝光設備的掃描曝光方法和一種利用該該掃描曝光設備的裝置制造方法，其可以方便地在高分辨率的大屏幕上進行投影和曝光，而通過將掩膜變形為適當?shù)男螤羁梢詫⒃撗谀ぷ冃?，并校正掩膜弧形照射區(qū)域和板片之間的距離。
此外，本發(fā)明可以令具有弧形照射光的掃描曝光設備，通過傾斜板片或同時傾斜掩膜和板片，調整整個弧形照射區(qū)域的聚焦。
本發(fā)明可以有效地校正由于掩膜的重量變形引起的散焦。
權利要求
1.一種掃描曝光方法，用于利用弧形照射光照射掩膜上的圖形，并且用于將由照射光學系統(tǒng)照射的所述掩膜上的所述圖形投影到一個板片上，掃描曝光設備相對于投影光學系統(tǒng)同步掃描所述掩膜和所述板片，并使掩膜支撐機構僅在與掃描方向平行的兩邊支撐所述掩膜，所述方法包括如下步驟曝光焦距測量圖形掩膜；由所述板片上的焦距測量圖形圖像的光強度或分辨率性能，測量特定區(qū)域的聚焦位置；線性內插測量結果并確定圖像平面位置；計算用于傾斜所述掩膜和/或所述板片的傾斜角度，使得將所述板片表面置于圖像表面位置的聚焦平面中；根據(jù)計算的數(shù)據(jù)，校正掩膜托架和/或板片托架的傾斜；以及曝光實際的掩膜。
2.根據(jù)權利要求1所述的掃描曝光方法，在由所述焦距測量圖形測量所述特定區(qū)域的聚焦狀態(tài)時，還包括如下步驟僅在掃描方向上掃描所述焦距測量圖形掩膜；以及根據(jù)置于特定曝光區(qū)域中的光量檢測器的輸出，確定所述圖像表面位置。
3.根據(jù)權利要求1所述的掃描曝光方法，在由所述焦距測量圖形測量所述特定區(qū)域的所述聚焦狀態(tài)時，還包括如下步驟在掃描方向上，曝光所述焦距測量圖形掩膜和被涂敷了感光材料的板片；由所述板片上被感光的圖像，檢驗聚焦狀態(tài)；以及根據(jù)檢驗數(shù)據(jù)，確定所述圖像平面位置。
4.一種裝置制造方法，包括如下步驟利用掃描曝光方法將裝置圖形曝光到一個板片上；以及顯影被曝光的所述板片，其中所述掃描曝光方法利用弧形照射光照射掩膜上的圖形，并將由照射光學系統(tǒng)照射的所述掩膜上的所述圖形投影到板片上，掃描曝光設備相對于投影光學系統(tǒng)同步掃描所述掩膜和所述板片，并使掩膜支撐機構僅在與掃描方向平行的兩邊支撐所述掩膜，所述方法包括如下步驟曝光焦距測量圖形掩膜；由所述板片上焦距測量圖形圖像的光強度或分辨率性能，測量特定區(qū)域的聚焦位置；線性內插測量結果并確定圖像平面位置；計算用于傾斜所述掩膜和/或所述板片的傾斜角度，使得將所述板片表面置于圖像表面位置的聚焦平面中；根據(jù)計算的數(shù)據(jù)，校正掩膜托架和/或板片托架的傾斜；以及曝光實際的掩膜。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種掃描曝光方法，用于利用弧形照射光照射掩膜上的圖形，并且用于將由照射光學系統(tǒng)照射的掩膜上的圖形投影到板片上，掃描曝光設備相對于投影光學系統(tǒng)同步掃描掩膜和板片，所述方法包括如下步驟曝光焦距測量圖形掩膜；由板片上的焦距測量圖形圖像的光強度或分辨率性能，測量特定區(qū)域的聚焦位置；線性內插測量結果并確定圖像平面位置；計算用于傾斜掩膜和/或板片的傾斜角度，使得將板片表面置于圖像表面位置的聚焦平面中；根據(jù)計算的數(shù)據(jù)，校正掩膜托架和/或板片托架的傾斜；以及曝光實際的掩膜。本發(fā)明還提供了一種裝置制造方法包括如下步驟使用上述掃描曝光方法將裝置圖形曝光到板片上，并將已被曝光的板片顯影。
文檔編號G03F1/44GK1800991SQ20051009321
公開日2006年7月12日 申請日期2003年6月27日 優(yōu)先權日2002年6月28日
發(fā)明者香田徹, 筒井慎二 申請人:佳能株式會社