專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置(LCD)是目前最廣泛使用的平面顯示裝置之一。LCD裝置包括兩個面板，其設(shè)置有場產(chǎn)生電極，例如，像素電極和共電極；以及夾置于其間的液晶層。LCD裝置通過向場產(chǎn)生電極施加電壓而在LC層產(chǎn)生電場，其決定了LC層上的LC分子的定向，以調(diào)整入射光的極性。
LCD裝置還包括薄膜晶體管(TFT)以及多個用于將信號傳送到TFT的信號線，其包括用于傳送柵極信號的柵極線，用于傳送數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線，以及接收共電壓并與像素電極重疊的存儲電極線。
LCD裝置還包括多個隔離件，其形成填充有LC層的縫隙。該隔離件包括不規(guī)則地鋪展在面板上的珠狀隔離件以及規(guī)則地設(shè)置在面板上的柱狀間隔件或剛性間隔件。
柱狀隔離件通常通過涂覆、曝光、顯影由光刻膠膜形成。柱狀間隔件通常設(shè)置在諸如信號線和薄膜晶體管等的不透明元件上。
LCD裝置通常會遭受到壓力或碰撞。而碰撞通常會使得柱狀隔離件滑離其最初的位置，并且間隔件由于其本身的彈性會盡力回復(fù)其初始位置。
然而，如果在回復(fù)路徑上具有諸如臺階的障礙物，則間隔件將不能返回到其初始原始而是保持在被扭曲的位置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種液晶顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明第一方面的液晶顯示裝置，包括第一面板，包括第一部分和第二部分，其中，所述第一部分的高度小于所述第二部分的高度；第二面板，與所述第一面板相對；間隔件，設(shè)置在所述第一面板和所述第二面板之間，并接觸所述第一面板的第一部分；以及液晶層，夾置于所述第一面板和所述第二面板之間。
所述間隔件可形成于所述第二面板，也可接近所述第一面板的第二部分設(shè)置。
優(yōu)選地，所述第二部分為不透明的，并且所述間隔件接近所述第一面板的第二部分設(shè)置。
優(yōu)選地，所述第一面板的第二部分覆蓋所述第一面板的第一部分。
其中，第一面板的第一部分包括像素電極，并且所述第一面板的第二部分包括信號線。所述第二面板包括共電極，其與所述像素電極一起產(chǎn)生電場。
優(yōu)選地，所述第二面板包括阻光件，其與所述第一面板的第二部分相對，并且與所述第一面板的第一部分部分地相對。
優(yōu)選地，所述間隔件與所述阻光件重疊。
優(yōu)選地，所述像素電極和所述共電極中的至少一個是透明的。
優(yōu)選地，還包括設(shè)置在所述第一面板和所述第二面板的其中一個上的濾色鏡。所述濾色鏡包括紅色濾色鏡、綠色濾色鏡、和藍(lán)色濾色鏡。優(yōu)選地，所述間隔件與所述藍(lán)色濾色鏡重疊。
優(yōu)選地，所述第一面板的第一部分包括板狀導(dǎo)體，所述第一面板的第二部分包括桿狀導(dǎo)體。
根據(jù)本發(fā)明第二方面的液晶顯示裝置，包括第一面板，包括第一基片、設(shè)置在所述第一基片上的多個信號線、連接到所述信號線的多個薄膜晶體管、以及連接到所述薄膜晶體管上的第一和第二像素電極；第二面板，與所述第一面板相對；間隔件，設(shè)置在所述第一面板和所述第二面板之間，并且接近所述信號線設(shè)置；以及液晶層，夾置在所述第一面板和所述第二面板之間，其中所述間隔件與所述第一像素電極相對，而不與所述第二像素電極相對。
其中，所述間隔件可形成于所述第二面板。
優(yōu)選地，所述信號線包括多個柵極線以及多個橫跨所述柵極線的數(shù)據(jù)線。所述信號線包括多個存儲電極線，其與所述第一和第二像素電極重疊。
優(yōu)選地，還包括設(shè)置在所述第一面板和所述第二面板的其中一個上的多個濾色鏡。其中，濾色鏡包括紅色濾色鏡、綠色濾色鏡、以及藍(lán)色濾色鏡。優(yōu)選地，所述間隔件與所述藍(lán)色濾色鏡重疊。
根據(jù)本發(fā)明第三方面的液晶顯示裝置，包括第一面板，包括第一基片、設(shè)置在所述第一基片上的多個信號線、連接到所述信號線上的多個薄膜晶體管、以及連接到所述薄膜晶體管并具有相同形狀的第一和第二像素電極；第二面板，與所述第一面板相對，并且包括阻光件，所述阻光件包括與所述第一像素電極相對的第一開口以及與所述第二像素電極相對的第二開口；設(shè)置在所述阻光件上的多個間隔件，接觸所述第一面板，并與所述第二像素電極相對；以及液晶層，夾置在所述第一面板和所述第二面板之間。
優(yōu)選地，所述間隔件接近所述信號線設(shè)置。
優(yōu)選地，所述第二開口的區(qū)域小于所述第一開口的區(qū)域。


通過以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述，可以更好地理解本發(fā)明，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的TFT陣列面板的布局圖；圖2是沿著圖1中的II-II′線截取的TFT陣列面板的截面圖；圖3是沿著圖1中的III-III′-III″線截取的TFT陣列面板的截面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例的LCD的布局圖；圖5是沿著圖4中的V-V′線截取的LCD的截面6是沿著圖4中的VI-VI′-VI″線截取的截面圖；以及圖7是沿著圖1中的II-II′線截取的LCD的截面圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參照附圖對本發(fā)明進(jìn)行更加詳細(xì)地描述，其中附圖示出了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明可具有各種不同的實(shí)施方式而并不局限于在此示出的實(shí)施例。
附圖中，為清楚起見，擴(kuò)大了層和區(qū)域的厚度。通篇說明書中，相同的標(biāo)號指向相同的元件?？梢岳斫?，當(dāng)諸如層、薄膜、區(qū)域、基片、或面板等的元件位于另一個元件“之上”時，是指可直接位于另一個元件之上，也可能在其間存在干涉元件。相反地，當(dāng)元件“直接”位于另一個元件之上時，是指其間沒有干涉元件。
下面參照附圖1、2、和3描述根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的LCD裝置。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的LCD裝置的布局圖，圖2及圖3分別是沿圖1中的II-II′線及III-III′-III″線的LCD的截面圖。
參照圖1-3，根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的LCD裝置包括TFT陣列面板100、共電極面板200、以及夾置于TFT陣列面板100和共電極面板200之間的LC層3。
以下詳細(xì)描述TFT陣列面板100。
在絕緣基片110上形成多個柵極線121和多個存儲電極線131，其可以由透明的玻璃或塑料構(gòu)成。
柵極線121傳送柵極信號并基本在橫向延伸。柵極線121包括向下突出的柵極電極124以及具有較大區(qū)域以與另一層或外部驅(qū)動電路接觸的端部129。用于產(chǎn)生柵極信號的柵極驅(qū)動電路(未示出)可安裝在柔性印刷電路(FPC)薄膜(未示出)上，其可附著在基片110上、直接安裝在基片110上、或與基片110集成。柵極線121可延伸到與驅(qū)動電路(未示出)連接，而該驅(qū)動電路可與基片110集成。
存儲電極線131接收預(yù)定電壓，并且每一個均包括莖桿，其余柵極線121基本平行地延伸；以及一對第一和第二存儲電極133a和133b，其從莖桿在縱向延伸。存儲電極線131設(shè)置在兩個相鄰的柵極線121之間，并且莖桿接近兩個相鄰的柵極線121中的下方的那一個。第一和第二存儲電極133a和133b的形狀均為直桿狀，并具有連接到莖桿的固定端部以及相對設(shè)置在其上并接近柵極線121設(shè)置的自由端部。由于柵極電極124向下突出，第一存儲電極133a的固定端部沿著橫向面對柵極電極124，并且第二存儲電極133b比第一存儲電極133a更短。然而，可以理解，存儲電極線131可具有各種的形狀和排布。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，制成柵極線121和存儲電極線131的材料包括但不限于諸如AI和AI合金的含AI金屬、諸如Ag和Ag合金的含Ag金屬、諸如Cu和Cu合金的含Cu金屬、諸如Mo和Mo合金的含Mo金屬、Cr、Ta、或Ti。然而，柵極線121和存儲電極線131還可具有包括具有不同物理特性的兩導(dǎo)電薄膜(未示出)的多層結(jié)構(gòu)。制成兩導(dǎo)電薄膜中的一個的材料包括但不限于包括含AI金屬、含Ag金屬、以及含Cu金屬的低阻抗金屬，從而可以降低信號延遲或電壓下降。制成另一個導(dǎo)電薄膜的材料包括但不限于諸如含Mo金屬、Cr、Ta、或Ti的金屬，其與諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的其他材料相比具有更好的物理、化學(xué)、和電特性。兩薄膜結(jié)合的示例可以是下部為Cr薄膜，上部為AI(合金)薄膜，以及下部為AI(合金)薄膜而上部為Mo(合金)薄膜。然而，可以理解，柵極線121和存儲電極線131可以是各種金屬或?qū)w制成。
柵極線121以及存儲電極線131的側(cè)面相對基片110的表面傾斜，并且其傾斜角度為約30度到約80度。
制成柵極絕緣層140的材料包括但不限于在柵極線121和存儲電極線131上形成的氮化硅(SiNX)或氧化硅(SiOX)。然而，可以想到，絕緣層140也可由其他任意的合適材料制成。
制成多個半導(dǎo)體帶151的材料包括但不限于在柵極絕緣層140上形成的氫化的非晶硅(縮寫為“a-Si”)或多晶硅。半導(dǎo)體帶151在縱向延伸并且越接近柵極線121和存儲電極線131越變寬，從而半導(dǎo)體帶151覆蓋了柵極線121和存儲電極線131的較大區(qū)域。半導(dǎo)體帶151包括朝向柵極電極124分叉的突起。
多個歐姆接觸帶和歐姆接觸島165形成于半導(dǎo)體帶151上。形成歐姆接觸帶和島165的材料包括但不限于重?fù)诫sn型雜質(zhì)，例如磷的n+氫化a-Si，或其也可由硅化物制成。各個歐姆接觸帶包括突起163。各突起163和歐姆接觸島165成對地設(shè)置在半導(dǎo)體帶151的突起154上。
半導(dǎo)體帶151和歐姆接觸帶和島165的側(cè)面相對于基片110的表面傾斜，并且其傾斜角的范圍包括但不限于約30度到約80度。
在歐姆接觸帶和島165以及柵極絕緣層140上形成數(shù)據(jù)線171和漏極電極175。
數(shù)據(jù)線171傳送數(shù)據(jù)信號并且在縱向延伸，以橫跨(traverse)柵極線121和存儲電極線131。數(shù)據(jù)線171也橫跨存儲電極線131并且在相鄰的一對存儲電極133a和133b之間延伸。數(shù)據(jù)線171包括多個源極電極173，每一個源極電極均朝向柵極電極124突起，以及具有較大區(qū)域以接觸另一層或外部驅(qū)動電路的端部179。數(shù)據(jù)線171的形狀可以是彎曲的，例如，在特定的實(shí)施例重，數(shù)據(jù)線171的形狀與字母“J”相似。用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路(未示出)可安裝在FPC(未示出)薄膜上，其可附著在基片110上，可直接安裝在基片110上，或與基片110集成。數(shù)據(jù)線171可延伸連接到驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路可與基片110集成。
漏極電極175與數(shù)據(jù)線171分離，并且相對于柵極電極124與源極電極173相對設(shè)置。漏極電極175包括寬的端部和窄的端部。該寬的端部與存儲電極線131重疊，而窄的端部被源極電極173部分覆蓋。
柵極電極124、源極電極173、以及漏極電極175與半導(dǎo)體帶151的突起154形成具有溝槽的TFT，該溝槽形成于設(shè)置在源極電極173和漏極電極175之間的突起154上。
制成數(shù)據(jù)線171和漏極電極175的材料包括但不限于諸如CR、Mo、Ta、Ti、或其合金的難熔金屬。然而，數(shù)據(jù)線171和漏極電極175還可具有包括難熔金屬薄膜(未示出)以及低阻抗薄膜(未示出)的多層結(jié)構(gòu)。該多層結(jié)構(gòu)的示例為雙層結(jié)構(gòu)，其包括底層的Cr/Mo(合金)薄膜以及上層的AI(合金)薄膜；以及三層結(jié)構(gòu)，其包括底層的Mo(合金)薄膜、中間層的AI(合金)薄膜、以及上層的Mo(合金)薄膜。然而，可以理解，數(shù)據(jù)線171和漏極電極175可由各種金屬或?qū)w制成。
數(shù)據(jù)線171和漏極電極175具有傾斜邊緣輪廓，并且其傾斜角的范圍從約30度到約80度。
姆接觸帶和島165夾置于下層半導(dǎo)體帶151以及下層導(dǎo)體171和175之間，因此降低了其間的接觸阻抗。盡管半導(dǎo)體帶151通常比數(shù)據(jù)線171窄，但是，如上所述，半導(dǎo)體帶151的寬度約接近數(shù)據(jù)線121和存儲電極線131約大，從而使得表面輪廓平滑，因此防止數(shù)據(jù)線171的斷開。半導(dǎo)體帶151包括一些外露部分，其沒有被數(shù)據(jù)線171和漏極電極175覆蓋，例如位于源極電極173和漏極電極175之間的部分。
鈍化層180形成于數(shù)據(jù)線171、漏極電極175、以及半導(dǎo)體帶151的外露部分。形成鈍化層180的材料包括但不限于有機(jī)或無機(jī)絕緣體，其可具有平頂面。無機(jī)絕緣體的示例包括氮化硅和氧化硅。有機(jī)絕緣體可具有小于4.0的光敏性和介電常數(shù)。鈍化層180還可包括由無機(jī)絕緣體制成的下部薄膜以及由有機(jī)絕緣體制成的上部薄膜，從而其具有極好的有機(jī)絕緣體的絕緣特性，從而防止半導(dǎo)體帶151的外露部分被有機(jī)絕緣體損壞。
鈍化層180具有分別露出數(shù)據(jù)線171的端部179以及漏極電極175的第一接觸孔182和第二接觸孔185。鈍化層180以及柵極絕緣層140具有第三孔181，用于露出柵極線121的端部129；第四接觸孔183a，用于露出接近存儲電極133a的固定端部的存儲電極線131的部分；以及第五接觸孔183b，用于露出存儲電極133a的自由端部。
多個像素電極191、多個架橋(overpass)83、多個第一接觸輔助件(assistant)81、以第二接觸輔助件82形成在鈍化層180上。形成鈍化層的材料包括但不限于諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)體或諸如Ag、AI、Cr、或其合金的發(fā)射導(dǎo)體。
像素電極191通過第二接觸孔185物理和電性地連接到漏極電極175，從而像素電極191從漏極電極175接收數(shù)據(jù)電壓。像素電極191接收數(shù)據(jù)電壓并產(chǎn)生與共電極面板200的共電極270相對應(yīng)的電場。共電極270接收共電壓，其決定夾置于像素電極191和共電極270之間的液晶層3的液晶分子的定向。像素電極191和共電極270形成稱為“液晶電容器”的電容器，其在TFT關(guān)閉之后存儲供給電壓。
像素電極191與存儲電極線131重疊，該存儲電極線包括一對第一和第二存儲電極133a和133b，從而像素電極191完全覆蓋存儲電極線131的莖桿。像素電極191的左右邊設(shè)置在一對第一和第二存儲電極133a和133b上。像素電極191和漏極電極175連接到其上并形成另外的稱為“存儲電容器”的電容器，其具有存儲電極線131，其可以提高液晶電容器的電壓存儲容量。
另外，像素電極191還與設(shè)置在鄰近像素電極191的柵極線121重疊，從而可增加孔徑比。像素電極191的上部邊緣設(shè)置在柵極線121上，并且沿著柵極線121的下部邊緣延伸。
架橋83橫跨柵極線121，并連接到存儲電極線131的露出部分上以及連接到分別通過第四接觸孔183a和第五接觸孔183b露出的第一存儲電極133a的自由端部的線性分叉上(其相對于柵極線121彼此相對設(shè)置)。包括存儲電極133a和133b的存儲電極線131以及架橋83可用于修復(fù)有缺陷的柵極線121、數(shù)據(jù)線171、或TFT。
第一接觸輔助件81和疊接觸輔助件82分別通過第三接觸孔181和第一接觸孔182而連接到柵極線121的端部129以及數(shù)據(jù)線171的端部179。第一接觸輔助件81和第二接觸輔助件82保護(hù)端部129和179，并且提高端部129、179以及外部裝置之間的粘接性。
在像素電極191和鈍化層180上形成校直層11，其可以是均勻的或垂直(homeotropic)的。
以下參照附圖2-附圖4描述共電極200。
稱為黑陣的、用于防止光泄漏的阻光件200形成于由透明玻璃或塑料制成的絕緣基片210上。阻光件220具有與像素電極191相對的第一開口225以及第二開口226?？梢岳斫猓韫饧?00可具有多個第一和第二開口。第一開口225和第二開口226的邊界設(shè)置在像素電極191并且沿著像素電極191的邊界延伸。第一開口225的所有邊緣接近像素電極191的邊緣設(shè)置，以露出第一存儲電極的固定端部和柵極電極124之間的區(qū)域。然而，第二開口226具有與像素電極191的上部邊緣間隔的上部邊緣，從而阻光件220覆蓋第一存儲電極和柵極電極124之間的固定端部。阻光件220還覆蓋設(shè)置有像素電極191的顯示區(qū)域的邊界。
多個濾色鏡230形成于基片210上，并基本設(shè)置在被阻光件220覆蓋的區(qū)域，從而使得濾色鏡230的邊緣設(shè)置在阻光件220上。濾色鏡230沿著像素電極191的縱向延伸。如圖1所示，濾色鏡230代表其中的一個原色，例如，紅R、綠G、以及藍(lán)B。
在濾色鏡230以及阻光件220上形成涂層(overcoat)250。該涂層250例如可由絕緣體制成，并且其可以防止濾色鏡230露出，并且形成平面。
共電極270形成在涂層250上。共電極270的材料包括但不限于諸如ITO和IZO的透明導(dǎo)電材料。
多個柱狀間隔件320形成在共電極270上并且與阻光件220相對設(shè)置。柱狀間隔件320例如可由彈性絕緣材料制成，并具有接觸部，該接觸部接觸TFT陣列面板100，以支撐TFT陣列面板100和共電極面板200。間隔件320面對共電極191，并且設(shè)置在被第一存儲電極的固定端部、柵極線121、柵極電極124、以及第二開口226的上部邊緣覆蓋的區(qū)域上。
然而可以理解，在TFT陣列面板100上接觸間隔件320的位置并不局限于上述。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例重，間隔件320可以接觸TFT陣列面板100的任意位置(與TFT陣列面板100的其他位置相比相對較低)，并可具有平面。在該結(jié)構(gòu)中，盡管由于施加到面板100和200上的壓力或碰撞使得間隔件320的接觸部滑離正確位置，該接觸部也可返回到正確的位置。相反，如果間隔件320設(shè)置在相對TFT陣列面板100的其他位置的較高位置，并且僅占據(jù)較小的區(qū)域，則如果間隔件320的接觸部滑離較高位置而到達(dá)較低位置，由于較高位置和較低位置之間的臺階使得該接觸部將不能夠返回到初始位置。
在另一個實(shí)施例中，接觸位置接近不透明件，例如柵極線121、存儲電極131、數(shù)據(jù)線171等而設(shè)置，以便能夠降低光的泄漏。
在另一個實(shí)施例中，如圖1所示，間隔件320設(shè)置在藍(lán)色濾色鏡B上，這是由于與紅色和綠色相比，人眼對藍(lán)色的敏感性較低。
在共電極270和間隔件320上形成均勻的或垂直的校直層21。
在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，一對偏光器12和22分別設(shè)置在面板100和200的外表面。然而，可以理解，當(dāng)LCD裝置是反射型LCD裝置時，其中的一個偏光器12和22可以省略。
LCD裝置還包括延遲薄膜(未示出)，用于補(bǔ)償LC層3的延遲。該延遲薄膜具有雙折射，并且提供與LC層3的延遲相對的延遲。
LCD裝置還包括背光單元(未示出)，用于通過偏光器12和22、延遲薄膜、以及面板100和200向LC層3提供光。
LC層3可具有正的或負(fù)的介電各向異性，并且在沒有電場時可進(jìn)行水平校直或垂直校直。
以下將參照圖4、圖5、圖6描述根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的LCD裝置。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一個實(shí)施例的LCD的布局圖；圖5是沿著圖4中的V-V′線截取的LCD的截面圖；圖6是沿著圖4中的VI-VI′-VI″線截取的截面圖。
參照圖4-圖6所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD裝置包括TFT陣列面板100、共電極面板200、以及夾置于面板100和200之間的LC層。
對于TFT陣列面板100，包括柵極電極124和端部129的柵極先121、以及包括存儲電極133a和133b的存儲電極先131形成于基片110上。柵極絕緣層140、包括突起154的半導(dǎo)體帶151、以及包括突起163的歐姆接觸層161和165順次形成在柵極線121和存儲電極線131。包括源極電極173和端部179和漏極電極175的數(shù)據(jù)線171形成于歐姆接觸層161和165。鈍化層180形成于數(shù)據(jù)線171、漏極電極175、以及半導(dǎo)體154的露出部分。第三接觸孔181、第一接觸孔182、以及第二接觸孔185設(shè)置在鈍化層180和柵極絕緣層140上。像素電極191、架橋83、第一接觸輔助件81、以及第二接觸輔助件82形成于鈍化層180，并且校直層11涂覆于其上。
對于共電極面板200，阻光件220、濾色鏡230、涂層250、共電極270、柱狀間隔件320、以及校直層21形成于絕緣基片210上。
在LCD的可選實(shí)施例中，半導(dǎo)體帶151具有與數(shù)據(jù)線171和漏極電極175以及下層的歐姆接觸層161和165相同形狀的平面形。然而，半導(dǎo)體帶151也可包括一些外露部分，其沒有覆蓋數(shù)據(jù)線171和漏極電極175，例如其可為源極電極173和漏極電極175之間的部分。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT陣列面板的制造方法通過采用一個光刻步驟同時形成數(shù)據(jù)線171、漏極電極175、半導(dǎo)體帶151、以及耦合接觸層161和165。
在另一個實(shí)施例中，用于光刻工藝的光刻膠掩模具有取決于位置的厚度，并且特別地，其具有較厚的部分和較薄的部分。較厚的部分位于布線區(qū)域，該區(qū)域被數(shù)據(jù)線171和漏極電極175占據(jù)，并且較薄的部分位于TFT的溝槽區(qū)域。
獲得光刻膠的取決于位置的厚度的幾種方法包括但不限于在曝光掩模以及透明區(qū)域形成半透明的區(qū)域以及形成阻光的不透明區(qū)域。半透明區(qū)域可為狹縫樣式或格子樣式?？蛇x擇地，半透明薄膜可以是具有中間透射比或中間厚度的薄膜。當(dāng)采用狹縫樣式的半透明區(qū)域時，狹縫的寬度或狹縫之間的距離可以小于用于光刻法的曝光器的分辨率。在另一個實(shí)施例中，可使用可回流的光刻膠。一旦由回流材料制成的光刻膠圖樣采用具有透明區(qū)域和不透明區(qū)域的曝光掩模形成，其將經(jīng)歷回流工藝，該回流工藝包括流到?jīng)]有光刻膠的區(qū)域?；亓鞴に嚳捎糜谛纬奢^薄的部分。
在另一個實(shí)施例中，通過省略光刻步驟可簡化制造工藝。圖1-3所示的LCD裝置的許多特征可應(yīng)用到圖4-6所示的LCD裝置中。
以下參照詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明另一個實(shí)施例所示的LCD裝置。
圖7是沿著圖1中的II-II′線截取的LCD的截面圖。
參照圖7所示，LCD裝置包括TFT陣列面板100、共電極面板200、夾置于面板100和200之間的LC層3、以及設(shè)置在面板100和200的外表面上的一對偏關(guān)器12和22。
對于TFT陣列面板100，包括柵極電極124的柵極線121、以及包括存儲電極133a和133b的存儲電極線131形成于基片110上。柵極絕緣層140、包括突起154的半導(dǎo)體帶151、以及包括突起163的歐姆接觸層161和165順次形成在柵極線121和存儲電極線131。包括源極電極173、端部179、以及漏極電極175的數(shù)據(jù)線171形成于歐姆接觸層161和165以及柵極絕緣層140。鈍化層180形成于數(shù)據(jù)線171、漏極電極175、以及半導(dǎo)體154的露出部分上。第三接觸孔181、第一接觸孔182、以及第二接觸孔185設(shè)置在鈍化層180和柵極絕緣層140上。像素電極191、架橋83、第一接觸輔助件81、以及第二接觸輔助件82形成在鈍化層180上，并且在其上涂覆有校直層11。
在另一個實(shí)施例中，共電極面板200、阻光件220、濾色鏡230、涂層250、共電極270、以及校直層21形成在絕緣基片210上。
在LCD裝置的另一個實(shí)施例中，柱狀間隔件320形成于像素電極191，而該像素電極形成于TFT陣列面板100上?？蛇x擇地，TFT陣列面板100可包括濾色鏡230，其設(shè)置在鈍化層180的下方，并且共電極面板200沒有濾色鏡230。在該實(shí)施例中，涂層250可從共電極面板200上移走。
濾色鏡230可設(shè)置在相鄰的兩數(shù)據(jù)線171之間，并且具有通孔235，接觸孔185穿過該通孔。濾色鏡230沒有設(shè)置在外圍區(qū)域，該外圍區(qū)域設(shè)置有信號線121和171的端部129和178。
濾色鏡230可沿著縱向延伸以形成帶，并且相鄰的濾色鏡230的邊緣可彼此在數(shù)據(jù)線171上匹配。然而，可以想到，濾色鏡230也可彼此重疊并且阻擋兩像素電極191之間泄漏的光、此外，濾色鏡也可彼此間隔。
在另一個實(shí)施例中，濾色鏡230可設(shè)置在鈍化層180上。然而，可以想到也可省略鈍化層180。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
標(biāo)號說明11、21校直層12、22偏光器81、82接觸輔助件83架橋100、200面板110、210絕緣基片121、129柵極線124柵極電極131存儲電極線
133a、133b存儲電極140柵極絕緣層151、154半導(dǎo)體161、163、165歐姆接觸層171、179數(shù)據(jù)線173源極電極175漏極電極180鈍化層181、182、183a、183b、185接觸孔191像素電極220阻光件225、226開口230濾色鏡250涂層270共電極320柱狀間隔件
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括第一面板，包括第一部分和第二部分，其中，所述第一部分的高度小于所述第二部分的高度；第二面板，與所述第一面板相對；間隔件，設(shè)置在所述第一面板和所述第二面板之間，并接觸所述第一面板的第一部分；以及液晶層，夾置于所述第一面板和所述第二面板之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述間隔件形成于所述第二面板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述間隔件接近所述第一面板的第二部分設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述第二部分為不透明的，并且所述間隔件接近所述第一面板的第二部分設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一面板的第二部分覆蓋所述第一面板的第一部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一面板的第一部分包括像素電極，并且所述第一面板的第二部分包括信號線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其中，所述第二面板包括共電極，其與所述像素電極一起產(chǎn)生電場。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其中，所述第二面板包括阻光件，其與所述第一面板的第二部分相對，并且與所述第一面板的第一部分部分地相對。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其中，所述間隔件與所述阻光件重疊。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其中，所述像素電極和所述共電極中的至少一個是透明的。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，還包括設(shè)置在所述第一面板和所述第二面板的其中一個上的濾色鏡。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置，其中，所述濾色鏡包括紅色濾色鏡、綠色濾色鏡、和藍(lán)色濾色鏡。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其中，所述間隔件與所述藍(lán)色濾色鏡重疊。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一面板的第一部分包括板狀導(dǎo)體，所述第一面板的第二部分包括桿狀導(dǎo)體。
15.一種液晶顯示裝置，包括第一面板，包括第一基片、設(shè)置在所述第一基片上的多個信號線、連接到所述信號線的多個薄膜晶體管、以及連接到所述薄膜晶體管上的第一和第二像素電極；第二面板，與所述第一面板相對；間隔件，設(shè)置在所述第一面板和所述第二面板之間，并且接近所述信號線設(shè)置；以及液晶層，夾置在所述第一面板和所述第二面板之間，其中所述間隔件與所述第一像素電極相對，而不與所述第二像素電極相對。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其中，所述間隔件形成于所述第二面板。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其中，所述信號線包括多個柵極線以及多個橫跨所述柵極線的數(shù)據(jù)線。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的液晶顯示裝置，其中，所述信號線包括多個存儲電極線，其與所述第一和第二像素電極重疊。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，還包括設(shè)置在所述第一面板和所述第二面板的其中一個上的多個濾色鏡。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的液晶顯示裝置，其中，所述濾色鏡包括紅色濾色鏡、綠色濾色鏡、以及藍(lán)色濾色鏡。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的液晶顯示裝置，其中，所述間隔件與所述藍(lán)色濾色鏡重疊。
22.一種液晶顯示裝置，包括第一面板，包括第一基片、設(shè)置在所述第一基片上的多個信號線、連接到所述信號線上的多個薄膜晶體管、以及連接到所述薄膜晶體管并具有相同形狀的第一和第二像素電極；第二面板，與所述第一面板相對，并且包括阻光件，所述阻光件包括與所述第一像素電極相對的第一開口以及與所述第二像素電極相對的第二開口；設(shè)置在所述阻光件上的多個間隔件，接觸所述第一面板，并與所述第二像素電極相對；以及液晶層，夾置在所述第一面板和所述第二面板之間。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的液晶顯示裝置，其中，所述間隔件接近所述信號線設(shè)置。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的液晶顯示裝置，其中，所述第二開口的區(qū)域小于所述第一開口的區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示裝置，其包括第一面板，包括第一部分和第二部分，其中第一部分的高度小于第二部分的高度；第二面板，與第一面板相對；間隔件，夾置在第一面板和第二面板之間，并且接觸第一面板的第一部分；以及液晶層，夾置于第一面板和第二面板之間。
文檔編號G02F1/1339GK1737653SQ20051009321
公開日2006年2月22日 申請日期2005年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月19日
發(fā)明者金東奎, 權(quán)鎬均 申請人:三星電子株式會社