專利名稱：晶片烘烤裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶片烘烤裝置。
背景技術(shù)：
通常，晶片烘烤裝置用于揮發(fā)涂覆在晶片上的光刻膠的溶劑。
半導(dǎo)體制造主要分為凈化、熱處理、雜質(zhì)注入、薄膜成形、光刻和平面工藝。具體地講，光刻工藝包含許多步驟曝光圖案、顯影、蝕刻和光刻膠去除。對(duì)于曝光圖案，掩模基板或標(biāo)線上希望得到的圖案以縮小比率投射在晶片的表面上。事實(shí)上，這個(gè)工藝是所有工藝中的重要技術(shù)并且需要最貴的裝備實(shí)現(xiàn)。一旦圖案形成了，利用作為掩模的光刻膠圖案執(zhí)行蝕刻工藝。
涂覆用于在晶片上形成圖案的光刻膠之前，應(yīng)該干燥晶片的表面。為了從晶片的表面去除水分(水蒸氣)，通常在預(yù)定的溫度加熱晶片。圖1是用于在預(yù)定溫度加熱晶片的相關(guān)領(lǐng)域晶片烘烤裝置的示意圖。
如圖1所示，晶片烘烤裝置包括處理室1、熱板2和用于將晶片W移動(dòng)到烘烤位置和卸載位置的晶片提升單元3。晶片W放置在設(shè)置在熱板2上的多個(gè)接近位置(proximity)4上。處理室1具有蓋子5，晶片提升單元3具有提升釘(1ift pin)3a以插入到形成在熱板2中的多個(gè)通孔2a中。
在晶片烘烤裝置中，晶片W通常由自動(dòng)裝置(未示出)提升到從熱板2向上凸出的提起釘3a上。然后，由于晶片提升單元3下降，晶片W被置于烘烤位置上，即，在熱板2的接近位置4上，以烘烤晶片W(請(qǐng)參考圖2)。
當(dāng)烘烤完成時(shí)，依靠通過晶片提升單元3上升的提升釘3a晶片W被移動(dòng)到卸載位置，如圖3所示。然后自動(dòng)裝置(未示出)將晶片W從卸載位置卸載。
然而，相關(guān)領(lǐng)域的晶片烘烤裝置有缺點(diǎn)。例如，當(dāng)晶片尺寸增加且熱板2和晶片W之間的分離距離(或者間隙)保持在小于100μm時(shí)，來自外部的阻力負(fù)面地影響晶片提升單元3的傳送性能。結(jié)果，晶片W不能正確地?cái)y載并經(jīng)常被損壞。
如圖2所示，由于熱板2和晶片W之間的空氣阻力，有時(shí)晶片W不能被正確地放置在烘烤位置。同樣，如圖3所示，當(dāng)已烘烤過的晶片W被移動(dòng)到卸載位置時(shí)，由于晶片W上方的空氣阻力，晶片W可被扭曲。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一方面是提供一種能夠防止由周圍的空氣阻力導(dǎo)致的晶片的位置移位和變化的晶片烘烤裝置，其可以通過晶片周圍的空氣流動(dòng)的調(diào)節(jié)來實(shí)現(xiàn)。
為了達(dá)到上面的方面和優(yōu)點(diǎn)，提供了一種晶片烘烤裝置，包括處理室；熱板，安裝在處理室內(nèi)并具有形成在預(yù)定位置的多個(gè)豎直的通孔；晶片提升單元，用于將晶片移動(dòng)到鄰近熱板的烘烤位置和與熱板分開的卸載位置；空氣流動(dòng)控制單元誘導(dǎo)氣流以降低當(dāng)晶片通過晶片提升單元的操作上升/下降時(shí)的晶片周圍的空氣阻力。
空氣流動(dòng)控制單元包括至少一個(gè)缸，具有預(yù)定體積并在豎直方向上穿過熱板的預(yù)定位置；活塞，在豎直方向上沿著缸移動(dòng)，用于控制熱板和晶片之間的空氣流動(dòng)。
活塞可在豎直方向上與晶片提升單元的操作聯(lián)鎖移動(dòng)。
活塞也可連接到晶片提升單元成為一體。
同樣，活塞的最高上升位置和最低下降位置可位于缸中。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，處理室包括可打開的蓋子。
晶片烘烤位置與熱板分開70-100μm，熱板包括用于保持分開距離70-100μm的多個(gè)接近位置。
另外，晶片提升單元包括豎直可移動(dòng)地排列在形成在熱板中的通孔中的提升釘。
在本發(fā)明中，氣壓缸結(jié)構(gòu)的空氣流動(dòng)控制單元與晶片提升單元聯(lián)鎖運(yùn)行并且誘導(dǎo)晶片和熱板之間的空氣流動(dòng)。因此，晶片可準(zhǔn)確地放置在烘烤位置，并且當(dāng)晶片被提升到卸載位置時(shí)，晶片具有小的變形和扭曲。


通過參考附圖來描述本發(fā)明的特定示例性實(shí)施例，本發(fā)明的以上方面和特點(diǎn)將變得更加清楚，其中圖1是相關(guān)領(lǐng)域晶片烘烤裝置的示意圖；
圖2示出在圖1中的晶片烘烤裝置中使用的晶片位于烘烤位置的情況；圖3示出圖2中的已烘烤過的晶片被移動(dòng)到卸載位置的情況；圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的晶片烘烤裝置的示意圖；圖5示出在圖4中的晶片烘烤裝置中使用的晶片位于烘烤位置的情況；圖6示出圖5中的已烘烤過的晶片被移動(dòng)到卸載位置的情況；圖7示出在根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的晶片烘烤裝置中使用的晶片位于烘烤位置的情況；圖8示出圖7中的已烘烤過的晶片被移動(dòng)到卸載位置的情況。
具體實(shí)施例方式
下面，將參照附圖描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的晶片烘烤裝置的示意圖。
如圖4所示，晶片烘烤裝置包括處理室10、熱板20、晶片提升單元30和空氣流動(dòng)控制單元100。
處理室10包括可打開的蓋子11，并產(chǎn)生用于烘烤工藝的氣氛，即，處理室10緊閉以防止向外散發(fā)熱量。
熱板20安裝在處理室10內(nèi)，多個(gè)豎直的通孔22形成在熱板的預(yù)定位置。多個(gè)熱介質(zhì)形成在熱板20中，為了確保晶片W準(zhǔn)確地放置在烘烤位置，多個(gè)接近位置23置于熱板20的上表面21上。烘烤位置與熱板20分開70-100μm。
晶片提升單元30將晶片W移動(dòng)到鄰近熱板20的烘烤位置，然后將晶片W移動(dòng)到與熱板20分開的卸載位置，晶片30包括插入通孔22的提升釘31。
每個(gè)空氣流動(dòng)控制單元100包括缸110和活塞120。
每個(gè)具有預(yù)定體積的缸110穿過熱板20上的預(yù)定位置。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，缸110位于更靠近熱板20的中心(即，內(nèi)部)的位置，通過預(yù)定的距離分隔開。
活塞120在豎直方向上沿著缸110移動(dòng)，并控制熱板20和晶片W之間的空氣流動(dòng)?；钊?20與晶片提升單元30在豎直方向上聯(lián)鎖地運(yùn)行?；钊?20可連接到晶片提升單元30，如圖5和圖6示出，或者活塞120可與晶片提升單元30分開形成，如圖7和圖8示出。
優(yōu)選地，活塞120的最高上升位置和最低下降位置位于缸110中。換句話說，活塞120的最高上升位置不應(yīng)該超過熱板20的上表面，活塞120的最低下降位置不應(yīng)該低于熱板20的下表面。
下面的描述將參照?qǐng)D4到8解釋晶片烘烤裝置的操作。
當(dāng)生產(chǎn)晶片W時(shí)，需要在高溫下加熱晶片W以確保來自生產(chǎn)工藝的仍可能存留在晶片上的水分(水蒸汽)可被完全去除。最后，自動(dòng)裝置(未示出)拿起晶片W并將晶片W運(yùn)送到蓋子(圖4的11)打開的處理室10中。
如圖5所示，由自動(dòng)裝置傳送的晶片W位于處理室10中，更具體地講，位于從熱板20凸出預(yù)定高度的提升釘31上。然后，提升釘31上的晶片W沿著提升釘31下降直到晶片W被準(zhǔn)確地放置在位于熱板20的上表面21上的接近位置23上。當(dāng)晶片W下降時(shí)，晶片W和熱板20之間的空氣被排出。這里，所述空氣實(shí)際上通過缸110內(nèi)下降的活塞120被吸進(jìn)缸110中。因此，當(dāng)晶片W被移動(dòng)到烘烤位置時(shí)，沒有空氣阻力施加到晶片W上，由此，不發(fā)生晶片的放置錯(cuò)誤。
因?yàn)榭諝馔ㄟ^下降的活塞120被吸入到缸110中，所以晶片W和熱板20之間的氣壓低于晶片W上方的氣壓，從而晶片W上面的空氣向下壓晶片W。在晶片W下降期間，由于晶片W接近地粘附到提升釘31上，所以晶片可被準(zhǔn)確地放置在相應(yīng)的接近位置23上的指定烘烤位置上。
當(dāng)晶片烘烤結(jié)束時(shí)，提升釘31上升，如圖6所示，晶片W被提升到卸載位置。此時(shí)，活塞120與一起上升的晶片提升單元30聯(lián)鎖運(yùn)行。然后，缸110內(nèi)的空氣通過活塞120排氣并向上壓晶片W的中心部分。
在晶片通過提升釘31上升期間，對(duì)晶片W的中心部分施加的壓力對(duì)應(yīng)于晶片W上方的空氣阻力。因此，可防止由空氣阻力引起的晶片W的變形。
圖7和圖8示出了本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，該實(shí)施例示出了可與晶片提升單元30分開提升的活塞120。操作原理和其作用與前面相同。
如上所述，氣壓缸結(jié)構(gòu)的空氣流動(dòng)控制單元與晶片提升單元聯(lián)鎖運(yùn)行，并誘導(dǎo)晶片和熱板之間的氣流。從而，晶片可更準(zhǔn)確地放置在烘烤位置上，并且當(dāng)晶片被移動(dòng)到卸載位置時(shí)，晶片的變形或扭曲更小。
總之，因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明的晶片烘烤裝置大大降低了晶片中的工藝錯(cuò)誤和破壞的可能性，所以可提高晶片的產(chǎn)量。
前述的實(shí)施例和優(yōu)點(diǎn)僅僅是示例性的并不作為限制本發(fā)明的解釋。本發(fā)明所述內(nèi)容可容易地應(yīng)用到其它類型的裝置。同樣，本發(fā)明實(shí)施例的描述為解釋性的，不限制權(quán)利要求的范圍，一些替換物、修改和變型對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員是清楚的。
本申請(qǐng)要求2004年8月20日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第2004-65875號(hào)的權(quán)益，完整地包含于此，以茲參考。
權(quán)利要求
1.一種晶片烘烤裝置，包括處理室；熱板，安裝在所述處理室內(nèi)并具有形成在預(yù)定位置的多個(gè)豎直的通孔；晶片提升單元，其將晶片移動(dòng)到鄰近所述熱板的烘烤位置和與熱板分開的卸載位置；空氣流動(dòng)控制單元，當(dāng)所述晶片通過所述晶片提升單元的操作上升/下降時(shí)其誘導(dǎo)氣流以降低所述晶片周圍的空氣阻力。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述空氣流動(dòng)控制單元包括至少一個(gè)缸，具有預(yù)定的體積并且在豎直方向上穿過所述熱板的預(yù)定位置；活塞，在豎直方向沿著所述缸移動(dòng)，用于控制所述熱板和所述晶片之間的空氣流動(dòng)。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述活塞在豎直方向上與所述晶片提升單元的運(yùn)行聯(lián)鎖移動(dòng)。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中，所述活塞連接到所述晶片提升單元成為一體。
5.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中，所述活塞的最高上升位置和最低下降位置位于所述缸中。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述處理室包含可打開的蓋子。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述晶片烘烤位置與所述熱板分開70-100μm，所述熱板包括用于保持分開距離70-100μm的多個(gè)接近位置。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述晶片提升單元包含豎直可移動(dòng)地排列在形成在熱板上的通孔中的多個(gè)提升釘。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶片烘烤裝置，包括氣壓缸結(jié)構(gòu)的空氣流動(dòng)控制單元，與晶片提升單元聯(lián)鎖運(yùn)行并誘導(dǎo)晶片和熱板間的空氣流動(dòng)。因此，當(dāng)晶片位于烘烤位置時(shí)，晶片和熱板之間的空氣下降。結(jié)果，晶片不再受空氣阻力的影響，可更準(zhǔn)確地放置在烘烤位置。另外，當(dāng)已烘烤過的晶片被提升到卸載位置時(shí)，熱板和晶片之間的空氣上升，從而依次支撐晶片并防止晶片的變形。
文檔編號(hào)G03F7/26GK1737693SQ20051009094
公開日2006年2月22日 申請(qǐng)日期2005年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月20日
發(fā)明者李瞳雨, 李晉成, 林鐘吉, 李邦元, 樸泰相, 金兌圭 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社