專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶顯示基板及其修復(fù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示設(shè)備的基板及其修復(fù)方法。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種允許修復(fù)形成在薄膜晶體管(TFT)基板上的線的斷開(kāi)的結(jié)構(gòu)及其修復(fù)方法。
背景技術(shù)：
作為視聽(tīng)(AV)機(jī)器和辦公自動(dòng)化(OA)機(jī)器的顯示設(shè)備，液晶顯示設(shè)備(LCD)由于其包括薄厚度、輕重量、低耗電等優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)被廣泛地使用。
此外，在各種LCD中，已經(jīng)廣泛使用采用薄膜晶體管(TFT)作為開(kāi)關(guān)元件的有源矩陣型LCD。
該有源矩陣型LCD將液晶夾在包括形成有諸如TFT的開(kāi)關(guān)元件的基板(下文中該基板將稱(chēng)作TFT基板)和包括形成有彩色濾光器、黑色矩陣等的相對(duì)基板之間。利用分別設(shè)置在TFT基板和相對(duì)基板上的電極之間的電場(chǎng)來(lái)改變液晶分子的排列方向?？商鎿Q地，利用設(shè)置在TFT基板之內(nèi)的多個(gè)電極之間的電場(chǎng)來(lái)類(lèi)似地改變液晶分子的排列方向。這樣，根據(jù)每個(gè)像素控制光的透射量。以前的LCD以扭曲向列(TN)型LCD為代表，后來(lái)的LCD以平面內(nèi)切換(IPS)型LCD為代表。
TN型LCD包括多條柵極總線(也稱(chēng)作柵極線或掃描線)和漏極總線(也稱(chēng)作漏極線、信號(hào)線、或數(shù)據(jù)線)，該柵極總線在插入有諸如柵絕緣膜的層間絕緣膜的情況下幾乎垂直于柵極總線形成。
此外，TN型LCD的TFT基板包括TFT，其設(shè)置在柵極總線和漏極總線的交點(diǎn)附近。每個(gè)TFT都由島形的半導(dǎo)體層形成，TFT的柵極連接到柵極總線之一，其漏極連接到漏極總線之一。此外，TN型LCD的TFT基板包括由銦錫氧化物(ITO)等制成的透明像素電極，每一個(gè)像素電極都形成在插入有鈍化膜的柵極總線和漏極總線所包圍的區(qū)域內(nèi)，并連接到TFT的源極。此外，TN型LCD的TFT基板包括遮光導(dǎo)電膜，其每一個(gè)都形成在漏極總線和透明像素電極之間的區(qū)域中，用于遮蔽透明像素電極周?chē)娜肷涔狻?br> 為了提高具有上述結(jié)構(gòu)的LCD的開(kāi)口率，減小柵極總線和漏極總線的寬度是重要的。這里，柵極總線和漏極總線一般通過(guò)利用濺射方法等”積諸如鉻(Cr)的金屬材料來(lái)形成。然而，通過(guò)濺射方法形成的Cr膜不是精細(xì)的膜。此外，因?yàn)闉R射方法不能獲得不均勻部分的充分覆蓋，所以這些線，尤其是形成在上層上的漏極總線易于斷開(kāi)。
同時(shí)，由在制造工藝中混入的異物等可引起斷開(kāi)。如果斷開(kāi)發(fā)生在這些總線上的一個(gè)位置中，則位于斷開(kāi)位置后面的像素可導(dǎo)致有缺陷的顯示。結(jié)果，斷開(kāi)會(huì)降低LCD的產(chǎn)量。
因此，為了處理發(fā)生在漏極總線等上的斷開(kāi)，已經(jīng)公開(kāi)了一種預(yù)先形成用于修復(fù)斷開(kāi)的斷開(kāi)修復(fù)線的方法，以便當(dāng)發(fā)生斷開(kāi)時(shí)，通過(guò)修復(fù)線繞開(kāi)斷開(kāi)的位置。
例如，日本未審專(zhuān)利公開(kāi)No.2000-310796公開(kāi)了一種現(xiàn)有TFT基板111。具體地說(shuō)，如圖1中所示，現(xiàn)有TFT基板111應(yīng)用了這樣的結(jié)構(gòu)，其中在形成柵極總線2時(shí)，在用于形成漏極總線6的區(qū)域中預(yù)先形成輔助線13。此外，該公開(kāi)還公開(kāi)了如下結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)構(gòu)造成在形成透明像素電極9時(shí)形成導(dǎo)電耦合圖案14，其中導(dǎo)電耦合圖案14的兩端在接觸9a處連接到相鄰的輔助線13。
此外，該公開(kāi)專(zhuān)利還公開(kāi)了如下結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)構(gòu)造成在漏極總線6上發(fā)生斷開(kāi)時(shí)，通過(guò)照射激光而在斷開(kāi)部分12的兩側(cè)焊接和連接漏極總線6和輔助線13的重疊部分，從而通過(guò)由輔助線13和導(dǎo)電耦合圖案14形成的路徑來(lái)繞過(guò)斷開(kāi)部分12。
類(lèi)似地，根據(jù)上述公開(kāi)，在形成柵極總線2時(shí)，在假設(shè)形成漏極總線6的區(qū)域中形成輔助線13。此外，該公開(kāi)還公開(kāi)了如下結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)構(gòu)造成形成導(dǎo)電耦合圖案14，其兩端在接觸9a處連接到相鄰的輔助線13，并且其中心部分與漏極總線6重疊。
此外，該公開(kāi)中還公開(kāi)了如下結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)構(gòu)造為在漏極總線6上發(fā)生斷開(kāi)時(shí)，通過(guò)照射激光在斷開(kāi)部分12的兩側(cè)上將漏極總線6和導(dǎo)電耦合圖案14的重疊部分連接起來(lái)，并且由此通過(guò)由輔助線13和導(dǎo)電耦合圖案14形成的路徑繞開(kāi)斷開(kāi)的部分12。
此外，根據(jù)在上述公開(kāi)中所公開(kāi)的結(jié)構(gòu)，在漏極總線6上發(fā)生斷開(kāi)時(shí)，連接漏極總線6和諸如輔助線13或?qū)щ婑詈蠄D案14的修復(fù)線的重疊部分。換句話說(shuō)，通過(guò)在漏極總線6上照射激光束來(lái)將漏極總線6和修復(fù)線彼此連接。
然而，如前面所述，近來(lái)的LCD中的柵極總線2和漏極總線6的寬度被減小以提高開(kāi)口率。當(dāng)升高激光功率以低電阻將漏極總線6與修復(fù)線連接時(shí)，激光照射部分10處的漏極總線6消失，由此漏極總線6退耦(decoupled)。結(jié)果，在激光照射部分10處產(chǎn)生新的斷開(kāi)部分。
此外，與諸如柵極總線2的其他線分離地形成修復(fù)線。然而，因?yàn)椴迦胗薪^緣膜(就輔助線13而言是柵絕緣體)的同時(shí)金屬膜彼此面對(duì)，所以漏極總線6和修復(fù)線的重疊部分構(gòu)造成產(chǎn)生寄生電容。該寄生電容引起了諸如漏極總線6上的信號(hào)傳輸?shù)难舆t的問(wèn)題。
因此，需要盡可能小地減小漏極總線6和修復(fù)線的重疊部分。根據(jù)上述公開(kāi)中公開(kāi)的方法，修復(fù)線尤其是輔助線13的主要部分形成在漏極總線6之下。在該情形中，不可能減小寄生電容。
這樣，在總線或尤其是漏極總線的斷開(kāi)情形中，提供具有用于修復(fù)的對(duì)策的LCD很重要。在這點(diǎn)上，LCD應(yīng)用構(gòu)造成在與柵極總線相同的層上形成修復(fù)線的結(jié)構(gòu)。然而，為了在修復(fù)時(shí)將漏極總線可靠地連接到修復(fù)線，以及為了減小由提供修復(fù)線而產(chǎn)生的寄生電容，漏極總線和修復(fù)線的形狀和布局是很重要的技術(shù)因素。
考慮到前述的問(wèn)題進(jìn)行了本發(fā)明。本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種LCD基板和修復(fù)該LCD基板的方法，其能形成繞過(guò)斷開(kāi)部分的路徑，由此可靠地避免斷開(kāi)。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種LCD基板和修復(fù)該LCD基板的方法，其能減小起因于修復(fù)線的寄生電容。

發(fā)明內(nèi)容
為了獲得該目的，本發(fā)明的液晶顯示基板至少包括位于下層的多條第一總線和位于上層并在與第一總線基本上垂直的方向上延伸的多條第二總線，以及設(shè)置在第一總線和第二總線交點(diǎn)附近的開(kāi)關(guān)元件。此外，本發(fā)明的液晶顯示基板至少包括在由第一總線和第二總線包圍的各個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成的透明像素電極，以及在與第一總線相同的層上形成遮光導(dǎo)電膜，使其包圍每條第二總線與每個(gè)透明像素電極之間的部分區(qū)域。
此外，在本發(fā)明的液晶顯示基板中，對(duì)每個(gè)像素區(qū)域而言，第二總線至少包括至少兩個(gè)突出。這里，從基板的法線方向上看，每個(gè)突出都構(gòu)造成朝向遮光導(dǎo)電膜突出，并且包括與遮光導(dǎo)電膜重疊的部分。此外，通過(guò)將激光束照射到突出上而使第二總線可連接到遮光導(dǎo)電膜。
在本發(fā)明中，突出可以形成為與遮光導(dǎo)電膜交叉。
同時(shí)，在本發(fā)明中，透明像素電極可以包括在面對(duì)突出的位置中的凹進(jìn)部分，以確保與所述突出的間隙。
同時(shí)，在本發(fā)明的液晶顯示基板中，對(duì)每個(gè)像素區(qū)域而言，遮光導(dǎo)電膜至少包括兩個(gè)第一突出。這里每個(gè)突出都構(gòu)造成朝向第二總線突出。此外，在本發(fā)明的液晶顯示基板中，第二總線包括位于與第一突出對(duì)應(yīng)的位置中的第二突出。這里，從基板的法線方向上看，每個(gè)第二突出都構(gòu)造成朝向遮光導(dǎo)電膜突出并且包括與第一突出重疊的部分。此外，通過(guò)將激光束照射到第二突出上而使第二總線可連接到遮光導(dǎo)電膜。
同時(shí)，本發(fā)明的修復(fù)方法是如下液晶顯示基板的修復(fù)方法，該液晶顯示基板至少包括位于下層上的多條第一總線和位于上層的在與第一總線基本上垂直的方向上延伸的多條第二總線，以及設(shè)置在第一總線和第二總線的交點(diǎn)附近的開(kāi)關(guān)元件。此外，本發(fā)明的修復(fù)方法是如下液晶顯示基板的修復(fù)方法，該液晶顯示基板至少包括在由第一總線和第二總線包圍的各個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成的透明像素電極，以及在與第一總線相同的層上形成的以便包圍每條第二總線與每個(gè)透明像素電極之間的部分區(qū)域的遮光導(dǎo)電膜。
此外，本發(fā)明的修復(fù)方法是修復(fù)如下液晶顯示基板的方法，在該液晶顯示基板中，就每個(gè)像素區(qū)域而言，第二總線至少包括兩個(gè)突出。這里，從基板的法線方向上看，每個(gè)突出都構(gòu)造成朝向遮光導(dǎo)電膜突出并且包括與遮光導(dǎo)電膜重疊的部分。此外，在本發(fā)明的修復(fù)方法中，當(dāng)?shù)诙偩€上發(fā)生斷開(kāi)時(shí)，通過(guò)將激光束照射到設(shè)置在斷開(kāi)部分的兩側(cè)的突出上而將第二總線連接到遮光導(dǎo)電膜。因此，本發(fā)明的修復(fù)方法形成了用于繞過(guò)斷開(kāi)部分的路徑。
同時(shí)，本發(fā)明的修復(fù)方法是修復(fù)如下液晶顯示基板的方法，在該液晶顯示基板中，就每個(gè)像素區(qū)域而言，遮光導(dǎo)電膜至少包括兩個(gè)第一突出。這里，每個(gè)突出都構(gòu)造成朝向第二總線突出。此外，本發(fā)明的修復(fù)方法是修復(fù)如下液晶顯示基板的方法，在該液晶顯示基板中，第二總線包括位于與第一突出對(duì)應(yīng)的位置中的第二突出。這里，從基板的法線方向上看，每個(gè)第二突出都構(gòu)造成朝向遮光導(dǎo)電膜突出并且包括與第一突出重疊的部分。此外，在本發(fā)明的修復(fù)方法中，當(dāng)?shù)诙偩€上發(fā)生斷開(kāi)時(shí)，通過(guò)將激光束照射到設(shè)置在斷開(kāi)部分的兩側(cè)上的第二突出上而將第二總線上的第二突出連接到遮光導(dǎo)電膜上的第一突出。因此，本發(fā)明的修復(fù)方法形成了用于繞過(guò)斷開(kāi)部分的路徑。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，當(dāng)在第二總線上發(fā)生斷開(kāi)時(shí)，通過(guò)將激光束照射到突出或第二突出上而將第二總線連接到突出處的或設(shè)置在第二總線上的第二突出處的遮光導(dǎo)電膜。這樣，能夠形成繞過(guò)斷開(kāi)部分的路徑。此外，在這些結(jié)構(gòu)中，即使在構(gòu)造成減小總線寬度以便增加開(kāi)口率的產(chǎn)品類(lèi)型中，也可將突出或第二突出形成希望的形狀。因此，即使當(dāng)升高激光的功率以減小結(jié)合點(diǎn)的電阻時(shí)，激光照射部分處的金屬不會(huì)消失，從而在激光照射部分處不會(huì)產(chǎn)生新的斷開(kāi)部分。此外，因?yàn)榈诙偩€和遮光導(dǎo)電膜的重疊部分被限制為突出或第二突出，所以可減小寄生電容。


圖1是示出了日本未審專(zhuān)利公開(kāi)No.2000-310796中公開(kāi)的現(xiàn)有LCD中的TFT基板的結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖2是示出了日本專(zhuān)利No.3097829中公開(kāi)的另一個(gè)現(xiàn)有LCD中的TFT基板的結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖3是示意性示出了在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT基板上的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖4A是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT基板的制造工藝的平面圖。
圖4B是沿圖4A中的I-I線的橫截面圖。
圖5A是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT基板的制造工藝的另一個(gè)平面圖。
圖5B是沿圖5A中的II-II線的橫截面圖。
圖6A是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT基板的制造工藝的另一個(gè)平面圖。
圖6B是沿圖6A中的III-III線的橫截面圖。
圖7A是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的漏極總線的修復(fù)工藝的平面圖。
圖7B是沿圖7A中的IV-IV線的橫截面圖。
圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT基板上的漏極總線、遮光導(dǎo)電膜和透明像素電極的形狀的變化的平面圖。
圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT基板上的漏極總線、遮光導(dǎo)電膜和透明像素電極的形狀的另一個(gè)變化的平面圖。
圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT基板上的漏極總線、遮光導(dǎo)電膜和透明像素電極的形狀的另一個(gè)變化的平面圖。
圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT基板上的漏極總線、遮光導(dǎo)電膜和透明像素電極的形狀的另一個(gè)變化的平面圖。
圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT基板上的漏極總線、遮光導(dǎo)電膜和透明像素電極的形狀的另一個(gè)變化的平面圖。
圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的TFT基板上的漏極總線、遮光導(dǎo)電膜和透明像素電極的形狀的另一個(gè)變化的平面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照示意性的實(shí)施例在此描述本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，使用本發(fā)明的講述可以實(shí)現(xiàn)許多可選擇的實(shí)施例，并且本發(fā)明并不限于用于解釋目的的實(shí)施例。
在現(xiàn)有LCD中，斷開(kāi)易于發(fā)生在上層的總線，尤其是形成在上層上的漏極總線上。在LCD中，當(dāng)就以矩陣排列的像素中的一個(gè)像素而言在漏極總線上發(fā)生斷開(kāi)時(shí)，隨后的像素產(chǎn)生有缺陷的顯示并且由此降低了LCD的生產(chǎn)率。因此，在與柵極總線相同的層上形成的、用于遮蔽透明像素電極周?chē)墓獾恼诠鈱?dǎo)電膜用作用于修復(fù)漏極總線上的斷開(kāi)的修復(fù)線。此外，當(dāng)斷開(kāi)發(fā)生在漏極總線上時(shí)，通過(guò)使用激光照射將漏極總線焊接和連接到斷開(kāi)部分兩側(cè)的遮光導(dǎo)電膜能夠形成可替換的路徑。然而，在漏極總線上構(gòu)造成將修復(fù)線(輔助線13)連接到漏極總線的結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了下面的問(wèn)題。如在上面引用的公開(kāi)中所公開(kāi)的，就構(gòu)造成減小漏極總線寬度以便增加開(kāi)口率的產(chǎn)品類(lèi)型而言，在激光照射部分處的漏極總線消失，由此當(dāng)升高激光功率以減小連接部分的電阻時(shí)，漏極總線就會(huì)退耦。結(jié)果，在激光照射部分處產(chǎn)生新的斷開(kāi)部分。
就該問(wèn)題而言，本發(fā)明的發(fā)明人在日本專(zhuān)利No.3097829中提出了圖2中所示的構(gòu)造。該現(xiàn)有TFT基板211使用了如下結(jié)構(gòu)，其中漏極總線6具有突出16，并且通過(guò)將激光束照射到突出16上來(lái)將構(gòu)成修復(fù)線的遮光導(dǎo)電膜15連接到突出16。通過(guò)使用該結(jié)構(gòu)，即使就構(gòu)造成減小現(xiàn)有TFT基板211的漏極總線6的寬度的產(chǎn)品類(lèi)型而言升高激光功率，也會(huì)阻止漏極總線6退耦。
這里，在像素內(nèi)形成新線(修復(fù)線)時(shí)，需要考慮到新線和其它存在線(尤其是漏極總線6)之間的相互影響。由于在修復(fù)線和漏極總線6的重疊部分處產(chǎn)生寄生電容，所以考慮減小寄生電容的對(duì)策也很重要。然而，根據(jù)構(gòu)造成在漏極總線6之下形成修復(fù)線(輔助線13)的主要部分的現(xiàn)有TFT基板111的結(jié)構(gòu)，增加了漏極總線和修復(fù)線的重疊部分的面積。因此，增加了寄生電容，并且漏極總線上信號(hào)延遲變得顯著。同時(shí)，在設(shè)置具有突出16的漏極總線6的情形中，當(dāng)漏極總線6和修復(fù)線(遮光導(dǎo)電膜15)的形狀和布局如圖2中所示設(shè)計(jì)時(shí)，修復(fù)線不僅與漏極總線6的突出16而且還與基部(漏極總線6的主體)重疊。由此，有效減小漏極總線6和修復(fù)線之間的寄生電容是不可能的。
因此，本發(fā)明的TFT基板11應(yīng)用了如下結(jié)構(gòu)，其中在與柵極總線相同的層上形成構(gòu)成修復(fù)線的遮光導(dǎo)電膜，漏極總線和透明像素電極之間具有間隙。這里，就每個(gè)像素而言設(shè)置至少兩個(gè)突出，使其向遮光導(dǎo)電膜突出并且從基板法線方向上觀看時(shí)與遮光導(dǎo)電膜重疊。此外，漏極總線形成為在突出處與遮光導(dǎo)電膜相連。因此，當(dāng)在漏極總線上發(fā)生斷開(kāi)時(shí)，通過(guò)在位于斷開(kāi)部分兩側(cè)的突出上照射激光束而將突出焊接并連接到遮光導(dǎo)電膜，由此形成可替換的路徑。
在具有減小的總線寬度的低電阻產(chǎn)品類(lèi)型的本發(fā)明TFT基板11中，即使在升高激光功率的情形中，漏極總線6的基部也不會(huì)消失。此外，該TFT基板11可減小漏極總線6與修復(fù)線之間的寄生電容。在該結(jié)構(gòu)中，即使在具有減小的漏極總線寬度的產(chǎn)品類(lèi)型的情形中，也不用限制突出的形狀。因此，可將漏極總線設(shè)計(jì)成希望的寬度。因此，即使為了較低的電阻而升高激光的功率，激光照射部分處的金屬也不會(huì)消失，從而在激光照射部分處不會(huì)產(chǎn)生新的斷開(kāi)部分。此外，由于漏極總線僅利用突出與遮光導(dǎo)電膜重疊，所以能夠充分減小寄生電容。在下面，將參照附圖描述實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)。
(本發(fā)明的示例實(shí)施例)將參照?qǐng)D3到圖13描述根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的LCD基板和修復(fù)漏極總線斷開(kāi)的方法。圖3是示意性示出了根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的TFT基板上的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖4A到圖6B是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的TFT基板制造工藝的平面圖和橫截面圖。圖7A是示出了漏極總線的修復(fù)工藝的平面圖。圖7B是示出了漏極總線的修復(fù)工藝的橫截面圖。此外，圖8到圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明的示例實(shí)施例的漏極總線、遮光導(dǎo)電膜和透明像素電極的形狀變化的平面圖。
首先，基于作為例子的用于TN型LCD的反交錯(cuò)TFT基板來(lái)描述本發(fā)明的示例實(shí)施例的LCD基板的結(jié)構(gòu)。
如圖3中所示，TFT基板11包括在一個(gè)方向上延伸的多條柵極總線2和在與柵極總線2基本上垂直的方向上延伸的多條漏極總線6，其間插入有柵絕緣膜。此外，TFT基板11包括TFT 5，其位于柵極總線2和漏極總線6的每個(gè)交點(diǎn)附近，并且通過(guò)使用諸如無(wú)定形硅或多晶硅的半導(dǎo)體層而形成。這里，TFT 5的柵電極與柵極總線2連接，其漏極電極與漏極總線6連接。此外，在柵極總線2和漏極總線6所包圍的每個(gè)像素區(qū)域之內(nèi)，TFT基板11包括透明像素電極9，其在接觸9a處與TFT 5的源電極7連接。同時(shí)，在TFT基板11中，在與柵極總線2相同的層上形成用于遮蔽在透明像素電極9的外圍中的入射光的遮光導(dǎo)電膜2a和遮光導(dǎo)電膜2a-2使其包圍漏極總線6和透明像素電極9之間的一部分區(qū)域。
在漏極總線6上，就每個(gè)像素而言，在兩個(gè)位置中形成在朝向遮光導(dǎo)電膜2a的方向上突出的至少兩個(gè)突出6a。每個(gè)突出6a延伸到接近透明像素電極9的遮光膜2a的邊緣，從而與遮光導(dǎo)電膜2a交叉。同時(shí)，形成的遮光導(dǎo)電膜2a的長(zhǎng)邊基本上平行于漏極總線6延伸。此外，為了減小與漏極總線6一起產(chǎn)生的寄生電容，遮光膜2a形成為僅在突出6a處與漏極總線6重疊。此外，為了遮蔽透明像素電極9周?chē)墓?，遮光?a形成為與透明像素電極9的外圍部分重疊。同時(shí)，因?yàn)楫?dāng)漏極總線6與透明像素電極9重疊時(shí)產(chǎn)生不希望的寄生電容，所以透明像素電極9具有凹進(jìn)部分，該凹進(jìn)部分形成為與突出6a對(duì)應(yīng)的形狀，以保證距突出6a的距離。
此外，盡管這里沒(méi)有示出如下組成部分，但面對(duì)TFT基板11的相對(duì)基板包括用于以RGB的各個(gè)顏色進(jìn)行彩色顯示的彩色濾光器、用于遮蔽TFT基板11上的透明像素電極9的外圍中的入射光的黑色矩陣、和由ITO制成的相對(duì)電極，其全部形成在透明絕緣基板上。此外，在兩個(gè)基板的互相相對(duì)面上形成有配向膜。在插入有間隔物的同時(shí)通過(guò)將兩個(gè)基板粘結(jié)在一起而形成希望的間隙。通過(guò)在該間隙中插入液晶而形成LCD。
然后，通過(guò)在LCD上顯示適當(dāng)?shù)娘@示圖案來(lái)檢測(cè)顯示功能。當(dāng)在漏極總線6上發(fā)現(xiàn)斷開(kāi)時(shí)，就通過(guò)使用激光照射裝置向突出2a上照射激光束來(lái)將位于斷開(kāi)部分12兩側(cè)上的突出6a焊接和連接到遮光導(dǎo)電膜2a。這樣，就形成了在圖中用虛線表示的可替換的路徑，由此在避免漏極總線6上的斷開(kāi)的同時(shí)解決了線缺陷。
接下來(lái)，將參照?qǐng)D4A到圖5B說(shuō)明制造具有上述結(jié)構(gòu)的TFT基板11的方法和修復(fù)漏極總線6的方法。
首先，如圖4A和4B中所示，通過(guò)使用例如濺射方法，在諸如玻璃基板的透明絕緣基板1上以幾百納米的厚度淀積Cr，Mo，Al或它們的合金等中的任何一種。之后，通過(guò)使用公知的光刻技術(shù)形成第一抗蝕劑圖案。然后，在使用第一抗蝕劑作為掩模的同時(shí)，通過(guò)使用諸如磷酸，硝酸和乙酸的混合酸的蝕刻劑對(duì)該金屬進(jìn)行濕蝕刻。這樣，形成了柵極總線2和連接到柵極總線2的柵電極。同時(shí)，在隨后工藝中要形成的漏極總線6與透明像素電極9之間的預(yù)定區(qū)域中形成用于遮蔽像素電極9周?chē)墓獠?gòu)成用于修復(fù)漏極總線6上的斷開(kāi)的修復(fù)線的遮光導(dǎo)電膜2a和遮光導(dǎo)電膜2a-2。
遮光導(dǎo)電膜2a遠(yuǎn)離柵極總線2形成。此外，從基板法線的方向上看，遮光導(dǎo)電膜2a與漏極總線6重疊的部分形成為下述結(jié)構(gòu)，其中在插入有隨后工藝中將要形成的柵絕緣膜的情況下該金屬膜彼此面對(duì)。因此，產(chǎn)生了寄生電容。結(jié)果，漏極總線上的信號(hào)傳輸被延遲。
因此，在本發(fā)明的示例實(shí)施例中，為了避免發(fā)生涉及漏極總線6的不必要的寄生電容，遮光導(dǎo)電膜2a不形成為與漏極總線6的基部重疊，而是僅與從漏極總線6分支出來(lái)的突出6a重疊。同時(shí)，在TN型LCD中，利用TFT基板11上的透明像素電極9和相對(duì)基板上的相對(duì)電極之間的電場(chǎng)來(lái)旋轉(zhuǎn)液晶分子。然而，在像素電極的外圍部分中，電場(chǎng)變得不均勻，由此顯示質(zhì)量降低。因此，需要不允許諸如背光的光入射到透明像素電極9周?chē)Ｐ纬烧诠鈱?dǎo)電膜2a使其與像素電極9的外圍部分重疊。這里，遮光導(dǎo)電膜2a的寬度和長(zhǎng)度沒(méi)有特別限制。然而，當(dāng)減小遮光導(dǎo)電膜2a的寬度時(shí)會(huì)增加可替換的路徑的電阻。因此，適當(dāng)設(shè)置遮光導(dǎo)電膜2a的寬度以便獲得基本上等于漏極總線6的特定電阻。此外，如果寬度變得比用于修復(fù)的激光束的直徑小，則當(dāng)升高激光功率時(shí)，該金屬就會(huì)消失。因此，寬度設(shè)定為基本上等于或大于激光束的直徑。換句話說(shuō)，還能夠?qū)⒄诠鈱?dǎo)電膜2a的寬度設(shè)定為等于以后形成的突出6a的寬度，從而重疊部分形成為基本上正方形的形狀。在該情形中，很容易在其上照射激光束。
接下來(lái)，如圖5A和5B中所示，通過(guò)使用例如等離子體CVD方法，以幾百納米的厚度淀積由二氧化硅膜、氮化硅膜或這些膜的層疊體制成的柵絕緣膜3。隨后，以幾百納米的厚度淀積構(gòu)成TFT 5的半導(dǎo)體層4的無(wú)定形硅、多晶硅等。之后，在使用形成在得到的表面上的第二抗蝕劑圖案作為掩模的同時(shí)進(jìn)行干蝕刻。這樣，構(gòu)圖無(wú)定形硅或多晶硅以形成島形的半導(dǎo)體層4。接下來(lái)，通過(guò)使用例如濺射方法，以幾百納米的厚度淀積金屬，諸如鉻(Cr)，鉬(Mo)或鋁(Al)，或它們的合金。之后，在使用形成在其上的第三抗蝕劑圖案作為掩模的同時(shí)，通過(guò)使用諸如硝酸鈰銨(ceric ammonium nitrate)的蝕刻劑對(duì)該金屬進(jìn)行濕蝕刻。這樣，形成了漏極總線6和漏電極，以及與漏極總線6連接的源極電極7。
這里，在形成沒(méi)有修復(fù)結(jié)構(gòu)的TFT基板11的情形中，漏極總線6可以形成為直線。然而，在本發(fā)明的示例實(shí)施例中，為了防止漏極總線6上的斷開(kāi)而提供可替換的路徑，對(duì)每個(gè)像素而言(例如在每個(gè)像素的上側(cè)和下側(cè)上相互隔開(kāi)的位置中)都設(shè)置有至少兩個(gè)突出6a。形成這些突出6a使其朝向遮光導(dǎo)電膜2a突出并且與遮光導(dǎo)電膜2a重疊。盡管沒(méi)有特別限定突出6a的形狀，但突出6a的寬度增加會(huì)導(dǎo)致與遮光導(dǎo)電膜2a重疊的部分的面積增加，并產(chǎn)生寄生電容的增加。相反，當(dāng)升高激光的功率時(shí)，突出6a的寬度減小會(huì)導(dǎo)致突出6a消失。在這點(diǎn)上，優(yōu)選地將突出6a的寬度設(shè)置為基本上等于或大于激光束直徑的寬度。
此外，如圖中所示，為了允許制造中的公差，突出6a的頂端形成為與遮光導(dǎo)電膜2a完全交叉，并從遮光導(dǎo)電膜2a突出。此外，突出6a的頂端與接近像素電極9的遮光導(dǎo)電膜2a的邊緣基本上對(duì)準(zhǔn)。此外，如圖8所示，還能夠?qū)⑼怀?a的頂端形成為停留在遮光導(dǎo)電膜2a中。在圖8所示的結(jié)構(gòu)中，即使當(dāng)遮光導(dǎo)電膜2a與透明像素電極9的外圍部分重疊時(shí)，仍能夠防止透明像素電極9與突出6a重疊。在該情形中，不需要提供具有凹進(jìn)部分以與突出6a對(duì)應(yīng)的透明像素電極9。
同時(shí)，為了形成可替換的路徑，在每個(gè)像素中需要至少兩個(gè)突出6a。在圖中，在像素的上部形成一個(gè)突出6a，而在其下部形成另一個(gè)突出6a。然而，突出6a的數(shù)量并不僅限于兩個(gè)。例如，如圖9中所示，為了減小結(jié)合點(diǎn)的電阻或?yàn)榱嗽诮Y(jié)合點(diǎn)失效的情形中提供額外的突出，也可以在每個(gè)位置設(shè)置兩個(gè)突出6a。此外，為了將盡可能短地減小可替換路徑的長(zhǎng)度，還可在上部、下部、以及中部設(shè)置三個(gè)或更多個(gè)突出6a。
在圖中，突出6a的長(zhǎng)邊形成為與漏極總線6a的長(zhǎng)邊或遮光導(dǎo)電膜2a的長(zhǎng)邊幾乎垂直地交叉?？扇我庠O(shè)計(jì)突出6a的形狀、長(zhǎng)邊的方向等。例如，突出6a還可形成為相對(duì)于漏極總線6的長(zhǎng)邊或遮光導(dǎo)電膜2a的長(zhǎng)邊傾斜地突出?？商鎿Q地，為了減小突出6a處的電阻和為了減小與遮光導(dǎo)電膜2a重疊的部分的面積，還可將突出形成為逐漸變細(xì)的梯形形狀(見(jiàn)圖10)。
這里，如前面所述的，突出6a和遮光導(dǎo)電膜2a的重疊部分的面積增加導(dǎo)致寄生電容增加。因此，在設(shè)置突出6a的數(shù)量和形狀時(shí)，必需考慮寄生電容的影響。
接下來(lái)，根據(jù)干蝕刻方法，通過(guò)移除部分無(wú)定形硅或多晶硅而進(jìn)行溝道蝕刻，從而暴露出夾在漏電極和源電極7之間的溝道區(qū)域。之后，如圖6A和圖6B中所示，根據(jù)例如等離子體CVD方法，以幾百納米的厚度淀積由氮化硅膜等制成的鈍化膜8。然后，在使用形成在其上的第四抗蝕劑圖案作為掩模的同時(shí)，移除與接觸9a對(duì)應(yīng)的位置中的鈍化膜8。之后，通過(guò)使用例如濺射方法，以幾十納米的厚度形成諸如ITO的透明導(dǎo)電材料，并在使用形成在其上的第五抗蝕劑圖案作為掩模的同時(shí)，進(jìn)行濕蝕刻。這樣，由此形成了在接觸9a處與源電極7連接的透明像素電極9。
這里，優(yōu)選地如前面所述的將透明像素電極9的外圍部分形成為與遮光導(dǎo)電膜2a重疊。然而，如果漏極總線6的突出6a與透明像素電極9重疊，則在漏極總線6和透明像素電極9之間產(chǎn)生了電容，使顯示質(zhì)量降低。因此，當(dāng)突出6a傾向于與透明像素電極9重疊時(shí)，為了確保離突出6a的距離，優(yōu)選以與突出6a對(duì)應(yīng)的形狀設(shè)置具有凹進(jìn)部分的透明像素電極9。
之后，在其上涂覆配向膜，然后在指定的方向上進(jìn)行配向處理。同時(shí)，就面對(duì)TFT基板11的相對(duì)基板而言，在透明絕緣基板上形成RGB的各個(gè)顏色的彩色濾光器，并在與TFT 5和透明像素電極9周?chē)牟季€對(duì)應(yīng)的位置中形成黑色矩陣。之后，形成由諸如ITO的透明導(dǎo)電材料形成的相對(duì)電極。然后，在其上涂覆配向膜，并在指定方向上進(jìn)行配向處理。在散布由具有例如4到5μm直徑的無(wú)機(jī)微小顆粒形成的間隔物之后，將兩塊基板粘附在一起以在其間形成指定的間隙。在將液晶填充到兩塊基板之間的間隙后，完成了本發(fā)明的示例實(shí)施例的有源矩陣LCD。
然后，通過(guò)在完成的LCD上顯示適當(dāng)顯示圖案來(lái)檢測(cè)顯示功能。如果作為檢測(cè)的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)漏極總線6上的斷開(kāi)，則就通過(guò)使用激光修復(fù)設(shè)備等來(lái)修復(fù)該斷開(kāi)部分。具體地說(shuō)，如圖7A和圖7B所示，通過(guò)在突出6a和遮光導(dǎo)電膜2a的重疊部分(激光照射部分10)上照射設(shè)定為預(yù)定功率的激光束，將突出6a焊接并連接到遮光導(dǎo)電膜2a。換句話說(shuō)，通過(guò)形成可替換的路徑而修復(fù)斷開(kāi)，該可替換的路徑經(jīng)過(guò)斷開(kāi)部分12之上的漏極總線6、上側(cè)的突出6a，遮光導(dǎo)電膜2a、以及下側(cè)的突出6a，并返回到斷開(kāi)部分12之下的漏極總線6。
如上所述，對(duì)每個(gè)像素而言，漏極總線6具有至少兩個(gè)突出6a，從而從基板的法線的方向看，朝向遮光導(dǎo)電膜2a突出并與遮光導(dǎo)電膜重疊。這樣，漏極總線6呈現(xiàn)出在突出6a處可連接到遮光導(dǎo)電膜2a。因此，即使在漏極總線6上發(fā)生斷開(kāi)，仍可通過(guò)使用遮光導(dǎo)電膜2a來(lái)繞過(guò)斷開(kāi)的部分。
這里，在構(gòu)造成減小總線的寬度以便增加開(kāi)口率的產(chǎn)品類(lèi)型的情形中，突出6a的形狀并沒(méi)有特別限定。為此，即使為了結(jié)合點(diǎn)的較低電阻而增加激光功率時(shí)，激光照射部分10處的金屬也不會(huì)消失并且不會(huì)產(chǎn)生新的斷開(kāi)部分。此外，通過(guò)使漏極總線6和遮光導(dǎo)電膜2a僅在突出6a處彼此重疊，可將重疊部分的面積最小化。這樣，也可以減小寄生電容。
注意到圖3到圖10描述了將漏極總線6連接到接近像素的遮光導(dǎo)電膜2a的結(jié)構(gòu)，在該像素中設(shè)置有連接到該漏極總線6的TFT 5。例如，如圖11中所示，還可以應(yīng)用將漏極總線6連接到設(shè)置在與像素相鄰的像素上(圖中的右邊像素)的遮光導(dǎo)電膜2a的結(jié)構(gòu)，在像素中設(shè)置有連接到漏極總線6的TFT 5?？商鎿Q地，如圖12所示，還可以應(yīng)用在漏極總線6兩側(cè)上提供突出6a并將突出6a連接到兩側(cè)上的遮光導(dǎo)電膜2a的結(jié)構(gòu)。
同時(shí)，在圖3到圖12中，遮光導(dǎo)電膜2a形成為直線，漏極總線6具有突出6a以與遮光導(dǎo)電膜2a重疊?？商鎿Q地，如圖13所示，例如，還可以設(shè)置具有類(lèi)似突出6a的漏極總線6，并設(shè)置在與突出6a對(duì)應(yīng)的位置具有遮光導(dǎo)電膜突出2b的遮光導(dǎo)電膜2a，由此兩個(gè)突出重疊。在該結(jié)構(gòu)中，漏極總線6的突出6a不與遮光導(dǎo)電膜2a的基部重疊。因此，可確保透明像素電極9和突出6a之間的距離。結(jié)果，不必設(shè)置具有如圖3中所示的凹進(jìn)部分的透明像素電極9。這樣，可很容易地設(shè)計(jì)并制造TFT基板。
此外，本發(fā)明的示例實(shí)施例已經(jīng)描述了包括反交錯(cuò)結(jié)構(gòu)(底柵結(jié)構(gòu))的溝道蝕刻型TFT的TFT基板。然而，本發(fā)明并不僅限于上述的實(shí)施例。本發(fā)明還可以用于包括任何溝道保護(hù)型TFT和前交錯(cuò)(forward stagger)結(jié)構(gòu)(頂柵結(jié)構(gòu))TFT的TFT基板。此外，本發(fā)明的示例實(shí)施例描述了構(gòu)造成在相對(duì)基板上形成彩色濾光器的有源矩陣LCD。然而，本發(fā)明還可用于構(gòu)造成在TFT基板上形成彩色濾光器的CF-on-TFT結(jié)構(gòu)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，當(dāng)在第二總線上發(fā)生斷開(kāi)時(shí)，在突出或第二總線上設(shè)置的第二突出上照射激光束，通過(guò)使用突出或第二突出可將第二總線與遮光導(dǎo)電膜相連。這樣，可形成繞過(guò)斷開(kāi)部分的可替換的路徑。此外，在該結(jié)構(gòu)中，即使在構(gòu)造成減小總線寬度以便增加開(kāi)口率的產(chǎn)品類(lèi)型的情形中，也可將突出或第二突出形成為希望的形狀。為此，即使當(dāng)升高激光功率以減小結(jié)合點(diǎn)的電阻時(shí)，激光照射部分處的金屬也不會(huì)消失并且不會(huì)在激光照射部分處產(chǎn)生新的斷開(kāi)部分。此外，第二總線和遮光導(dǎo)電膜的重疊部分限制為突出或第二突出。因此，可減小寄生電容。
更加確切地，本發(fā)明的LCD基板和LCD基板的修復(fù)方法發(fā)揮了下述優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明的第一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于可繞過(guò)漏極總線上的斷開(kāi)部分。
獲得了該優(yōu)點(diǎn)是因?yàn)樵诎ㄅc柵極總線相同層上形成的并位于漏極總線和透明像素電極之間的遮光導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)中，漏極總線具有至少兩個(gè)突出。這里，從基板法線方向上看時(shí)，每個(gè)突出都構(gòu)造成朝向遮光導(dǎo)電膜突出并且具有與遮光導(dǎo)電膜重疊的部分。這樣，當(dāng)在漏極總線上發(fā)生斷開(kāi)時(shí)，可通過(guò)在突出上照射激光束并將突出連接到遮光導(dǎo)電膜而形成用于繞過(guò)斷開(kāi)部分的路徑。
此外，下述結(jié)構(gòu)也對(duì)該優(yōu)點(diǎn)有貢獻(xiàn)，在基板的法線方向上看時(shí)，該結(jié)構(gòu)形成朝向漏極線突出的至少兩個(gè)第一突出(圖13中所示的遮光導(dǎo)電膜突出2b)，以及形成每個(gè)都朝向遮光導(dǎo)電膜突出且包括與第一突出重疊的部分的第二突出(圖13中所示的突出6a)。這樣，當(dāng)在漏極總線上發(fā)生斷開(kāi)時(shí)，可通過(guò)在第二突出上照射激光束并將第二突出連接到第一突出而形成用于繞過(guò)斷開(kāi)部分的路徑。
同時(shí)，本發(fā)明的第二個(gè)優(yōu)點(diǎn)是能夠可靠地避免斷開(kāi)。
獲得了該優(yōu)點(diǎn)是因?yàn)榧词咕蜆?gòu)造成減小總線寬度以便增加開(kāi)口率的產(chǎn)品類(lèi)型而言，也能夠任意地設(shè)置突出的形狀。這樣，即使當(dāng)升高激光功率以減小結(jié)合點(diǎn)的電阻時(shí)，激光照射部分處的金屬也不會(huì)消失，并且在激光照射部分處也不會(huì)產(chǎn)生新的斷開(kāi)部分。
此外，本發(fā)明第三個(gè)優(yōu)點(diǎn)是能夠減小漏極總線與構(gòu)成修復(fù)線的遮光導(dǎo)電膜之間的寄生電容。
獲得了該優(yōu)點(diǎn)是因?yàn)檫m當(dāng)限定各個(gè)元件的布局以使修復(fù)線與漏極總線的突出重疊，而不是如現(xiàn)有例子中所指出的形成修復(fù)線以便與漏極總線重疊?？商鎿Q地，適當(dāng)確定各個(gè)元件的布局，以使修復(fù)線的第二突出與漏極總線的第一突出重疊。由此，可減小重疊部分的面積。
顯然，本發(fā)明并不限于上面的實(shí)施例，而是在不偏離本發(fā)明的范圍和精神的情況下可以修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示基板，包括具有彼此交叉的多條第一總線和多條第二總線的基板；設(shè)置在第一總線和第二總線的交點(diǎn)附近的開(kāi)關(guān)元件；形成在由第一總線和第二總線包圍的各個(gè)像素區(qū)域內(nèi)的透明像素電極；形成在與第一總線相同層上的遮光導(dǎo)電膜，其包括每條第二總線與每個(gè)透明像素電極之間的部分區(qū)域；以及對(duì)每個(gè)像素區(qū)域而言設(shè)置在每條第二總線上的至少兩個(gè)突出，從基板的法線方向上看，每一個(gè)突出都構(gòu)造成朝向遮光導(dǎo)電膜突出，并包括與遮光導(dǎo)電膜重疊的部分，其中通過(guò)將激光束照射到突出上而將第二總線連接到遮光導(dǎo)電膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示基板，其中突出形成為與遮光導(dǎo)電膜交叉。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的液晶顯示基板，其中透明像素電極包括在面對(duì)突出的位置中的凹進(jìn)部分，以確保與突出的間隙。
4.一種液晶顯示基板，包括具有彼此交叉的多條第一總線和多條第二總線的基板；設(shè)置在第一總線和第二總線的交點(diǎn)附近的開(kāi)關(guān)元件；形成在由第一總線和第二總線包圍的各個(gè)像素區(qū)域內(nèi)的透明像素電極；形成在與第一總線相同層上的遮光導(dǎo)電膜，其包括每條第二總線與每個(gè)透明像素電極之間的部分區(qū)域；以及對(duì)每個(gè)像素區(qū)域而言設(shè)置在遮光導(dǎo)電膜上的至少兩個(gè)第一突出，每個(gè)第一突出都構(gòu)造成朝向第二總線突出；以及設(shè)置在第二總線上并位于與第一突出對(duì)應(yīng)的位置中的第二突出，從基板法線方向上看，每個(gè)第二突出都構(gòu)造成朝向遮光導(dǎo)電膜突出并且包括與第一突出重疊的部分，其中通過(guò)將激光束照射到第二突出上而將第二總線連接到遮光導(dǎo)電膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的液晶顯示基板，其中第二突出形成為與遮光導(dǎo)電膜交叉。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的液晶顯示基板，其中透明像素電極包括在面對(duì)第二突出的位置中的凹進(jìn)部分，以確保與第二突出的間隙。
7.一種修復(fù)液晶顯示基板的方法，包括形成位于下層上的多條第一總線和位于上層上的在與第一總線基本上垂直的方向上延伸的多條第二總線；設(shè)置開(kāi)關(guān)元件，使其位于第一總線和第二總線的交點(diǎn)附近；在由第一總線和第二總線包圍的各個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成透明像素電極；在與第一總線相同的層上形成遮光導(dǎo)電膜，以包括每條第二總線與每個(gè)透明像素電極之間的部分區(qū)域；以及對(duì)每個(gè)像素區(qū)域而言為每條第二總線設(shè)置至少兩個(gè)突出，從基板的法線方向上看，每個(gè)突出都構(gòu)造成朝向遮光導(dǎo)電膜突出并且包括與遮光導(dǎo)電膜重疊的部分，其中當(dāng)?shù)诙偩€上發(fā)生斷開(kāi)時(shí)通過(guò)將激光束照射到設(shè)置在斷開(kāi)部分的兩側(cè)上的突出上而將第二總線連接到遮光導(dǎo)電膜，以形成用于繞過(guò)斷開(kāi)部分的路徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的修復(fù)液晶顯示基板的方法，其中突出形成為與遮光導(dǎo)電膜交叉。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的修復(fù)液晶顯示基板的方法，其中在面對(duì)突出的位置中的透明像素電極上形成凹進(jìn)部分，以確保與突出的間隙。
10.一種修復(fù)液晶顯示基板的方法，包括形成位于下層的多條第一總線和位于上層的在與第一總線基本上垂直的方向上延伸的多條第二總線；設(shè)置開(kāi)關(guān)元件，使其位于第一總線和第二總線的交點(diǎn)附近；在由第一總線和第二總線包圍的各個(gè)像素區(qū)域內(nèi)形成透明像素電極；在與第一總線相同的層上形成遮光導(dǎo)電膜，以包括每條第二總線和每個(gè)透明像素電極之間的部分區(qū)域，對(duì)每個(gè)像素區(qū)域而言為遮光導(dǎo)電膜設(shè)置至少兩個(gè)突出，每個(gè)突出都構(gòu)造成朝向第二總線突出，以及在與第一突出對(duì)應(yīng)的位置中為每個(gè)第二總線設(shè)置第二突出，從基板的法線方向上看，每個(gè)第二突出都構(gòu)造成朝向遮光導(dǎo)電膜突出并且包括與第一突出重疊的部分，其中當(dāng)?shù)诙偩€上發(fā)生斷開(kāi)時(shí)，通過(guò)將激光束照射到設(shè)置在斷開(kāi)部分的兩側(cè)上的第二突出上而將第二總線上的第二突出連接到遮光導(dǎo)電膜上的第一突出，以形成用于繞過(guò)斷開(kāi)部分的路徑。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的修復(fù)液晶顯示基板的方法，其中第二突出形成為與遮光導(dǎo)電膜交叉。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的修復(fù)液晶顯示基板的方法，其中在面對(duì)第二突出的位置中的透明像素電極上形成凹進(jìn)部分，以確保與第二突出的間隙。
全文摘要
液晶顯示基板包括下述結(jié)構(gòu)，其中在與柵極總線相同的層上形成遮光導(dǎo)電膜，在漏極總線與透明像素電極之間具有間隙。在漏極總線上形成多個(gè)突出使其朝向遮光導(dǎo)電膜突出。此外，遮光導(dǎo)電膜形成為僅在突出處與漏極總線重疊。當(dāng)在漏極總線上發(fā)生斷開(kāi)時(shí)，通過(guò)將激光束照射在位于斷開(kāi)部分的兩側(cè)的突出上而將突出焊接并連接到遮光導(dǎo)電膜，從而形成可替換的路徑。
文檔編號(hào)G02F1/133GK1716068SQ20051008105
公開(kāi)日2006年1月4日 申請(qǐng)日期2005年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月28日
發(fā)明者櫻井洋, 木村茂 申請(qǐng)人:Nec液晶技術(shù)株式會(huì)社