專利名稱：透反射式液晶顯示器件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及透反射式液晶顯示器件及其制造方法。
背景技術：
液晶顯示器件通常分為兩種類型透射型，其中使用由背光單元提供的光來顯示圖像；以及反射型，其中使用從外部光源(例如自然光)反射的光來顯示圖像。存在下述的問題在透射型中，背光單元的功耗較高，而反射型依賴于外部光，從而在較暗環(huán)境中不能顯示圖像。
為了解決這種問題，提出了透反射式液晶顯示器件，其中透反射式液晶可以被選擇為使用背光單元的透射模式，或者使用外部光的反射模式。如果外部光充足，則透反射式液晶顯示器件在反射模式下進行工作，而如果外部光不足，則透反射式液晶顯示器件在透射模式下進行工作，由此與透射式液晶顯示器件相比，能夠降低功耗，并且與反射式液晶顯示器件不同，其不受外部光的限制。
通常，如圖1所述，透反射式液晶顯示器件包括濾色器基板和薄膜晶體管基板，其接合在一起，并且其間具有液晶層(未示出)；以及背光單元，設置在薄膜晶體管基板的后面。透反射式液晶顯示板的每一個像素都分為其中形成有反射電極28的反射區(qū)域，以及其中未形成有反射電極28的透射區(qū)域。
濾色器基板包括形成在上基板52上的黑底(未示出)和濾色器54，以及形成在它們上方的公共電極56和配向膜(未示出)。
薄膜晶體管基板包括形成在下基板2上的選通線4和數(shù)據(jù)線(未示出)，該選通線和數(shù)據(jù)線限定各個像素區(qū)域；與選通線4和數(shù)據(jù)線相連的薄膜晶體管；形成在像素區(qū)域并與薄膜晶體管相連的像素電極32；以及形成在各個像素的反射區(qū)域以與像素電極交疊的反射電極28。
薄膜晶體管包括與選通線4相連的柵極6；與數(shù)據(jù)線相連的源極16；與源極16相對的漏極18；與柵極6交疊的有源層，在柵極6和有源層之間具有柵極絕緣膜8，以在源極16和漏極18之間形成溝道；以及歐姆接觸層12，用于使有源層10與源極16和漏極18歐姆接觸。薄膜晶體管響應于選通線4的掃描信號，使數(shù)據(jù)線上的視頻信號充入并保持在像素電極32中。
反射電極28將穿過濾色器基板入射的外部光朝向濾色器基板反射。形成在反射電極28下面的有機膜24的表面具有隆起或凸起的形狀，因此形成在該有機膜頂部的反射電極28也具有隆起的形狀。結果，由于隆起表面的散射效果而使反射電極28的反射效率提高。
當通過薄膜晶體管將像素信號施加給像素電極32時，在公共電極56和像素電極28之間產(chǎn)生電位差。該電位差使得具有介電各向異性液晶旋轉，由此在反射區(qū)域和透射區(qū)域中對穿過液晶層的光的透射率進行控制，因此，其亮度根據(jù)視頻信號而變化。
在該示例中，在透射區(qū)域處的相對較厚的有機膜24中形成透射孔36，以使得反射區(qū)域中穿過液晶層的光程長度與透射區(qū)域中的相同。結果，入射到反射區(qū)域的環(huán)境光傳播的光程長度RL與來自背光單元60的透射光的光程長度TL相同，因此，在反射模式和透射模式下透射效率相同。
薄膜晶體管基板還包括存儲電容器，該存儲電容器與像素電極32相連，以穩(wěn)定地保持提供給像素電極32的視頻信號。該存儲電容器被形成為具有與選通線4交疊的存儲上電極20，在選通線4和存儲上電極20之間具有柵極絕緣膜，其中存儲上電極20與像素電極32相連。在該處理中，歐姆接觸層12和有源層10還在存儲上電極20下方交疊。
薄膜晶體管基板還包括第一鈍化膜22，位于薄膜晶體管和有機膜24之間；第二鈍化膜，位于有機膜24和反射電極28之間；以及第三鈍化膜30，位于反射電極28和像素電極32之間。因此，像素電極32通過穿透第一到第三鈍化膜22、26、30、有機膜24以及反射電極28的第一和第二接觸孔34、38中的每一個與漏極28和存儲上電極20相連。
在這種透反射式液晶顯示板中，薄膜晶體管基板的制造包括半導體工藝，并且需要多個掩模工藝，因此，其制造工藝復雜，從而這成為液晶顯示板的制造成本增加的主要原因。在下文中，將參照圖2A到2F來描述透反射式薄膜晶體管基板的制造方法。
參照圖2A，使用諸如濺射的淀積方法在下基板2上形成柵金屬層。隨后，使用光刻工藝和蝕刻工藝，利用第一掩模對該柵金屬層進行構圖，由此形成包括選通線4和柵極6的柵極圖案。該柵金屬層可以是諸如Al、Mo、Cr的單層或雙層金屬。
接下來，在形成有柵極圖案的基板2上形成柵極絕緣膜8，并且如圖2B所示，使用第二掩模工藝，在該柵極絕緣膜8的頂部形成源極/漏極圖案。該源極/漏極圖案包括數(shù)據(jù)線、源極16、漏極18以及存儲上電極20。
在形成有柵極圖案的下基板2上依次形成柵極絕緣膜8、非晶硅層10、摻雜非晶硅層12、以及源極/漏極金屬層。柵極絕緣膜8為諸如氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的無機絕緣材料，而源極/漏極金屬層為諸如Al、Mo等的單層或雙層金屬結構。
使用第二掩模和光刻工藝在源極/漏極金屬層的頂部形成光刻膠圖案。在該工藝中，使用在薄膜晶體管的溝道部分處具有衍射曝光部分的衍射曝光掩模作為該第二掩模，由此使溝道部分的光刻膠圖案的高度比源極/漏極圖案部分低。
此后，通過使用該光刻膠圖案進行濕蝕刻來對源極/漏極金屬層進行構圖，以形成源極/漏極圖案，該源極/漏極圖案包括數(shù)據(jù)線、源極16、與源極16集成在一起的漏極18、以及存儲上電極20。
接下來，通過使用同一光刻膠圖案進行干蝕刻來同時對摻雜非晶硅層和非晶硅層進行構圖，由此形成歐姆接觸層12和有源層10。
在通過灰化處理(ashing)去除在溝道部分處具有相對較低高度的光刻膠圖案之后，對溝道部分的源極/漏極圖案和歐姆接觸層12進行干蝕刻。因此，暴露出溝道部分的有源部分10，以分離源極16和漏極18。此后，使用剝離工藝來去除剩余在源極/漏極圖案上的光刻膠圖案。
參照圖2C，在形成有源極/漏極圖案的柵極絕緣膜8上形成第一鈍化膜22，并且使用第三掩模工藝在該第一鈍化膜22的頂部形成有機膜24，以使有機膜24具有第一和第二初始接觸孔34、38，以及透射孔36，該有機膜24具有隆起形狀的表面。
在形成有源極/漏極圖案的柵極絕緣膜8上依次形成第一鈍化膜22和有機膜24。第一鈍化膜22是與柵極絕緣膜8相同的無機絕緣材料，而有機膜24為諸如丙烯酸樹脂的感光有機材料。
然后，使用第三掩模對有機膜24進行構圖，由此與第三掩模的透射部分相對應地形成穿透有機膜24的第一和第二開孔35、37以及透射孔36。該第三掩模具有下述的結構在透射部分以外的其余區(qū)域重復出現(xiàn)屏蔽部分和衍射曝光部分。對與第三掩模相對應的剩余有機膜24進行構圖，以使其具有下述的結構重復出現(xiàn)具有臺階差的屏蔽部分(凸起部分)和衍射曝光部分(溝槽部分)。隨后，使重復出現(xiàn)凸起部分和溝槽部分的有機膜24固化，以使有機膜24的表面具有隆起形狀。
參照圖2D，在有機膜24上形成第二鈍化膜26，并且使用第四掩模工藝在該第二鈍化膜26上形成反射電極28。對第二鈍化膜26和反射金屬層進行淀積，以在有機膜24(具有相同的隆起表面)的頂部保持它們的隆起形狀。該第二鈍化膜26是諸如第一鈍化層22的無機絕緣材料，而該反射金屬層為諸如AlNd的具有高反射率的金屬。
隨后，使用第四掩模和蝕刻工藝對反射金屬層進行構圖，由此形成反射電極28，其中該反射電極對于每一個像素是獨立的，并且在有機膜24的透射孔36以及第一和第二開孔35、37處開口。
參照圖2E，使用第五掩模工藝形成覆蓋反射電極28的第三鈍化膜30，并且形成穿透第一到第三鈍化膜22、26、30的第一和第二接觸孔34、38。使用光刻或蝕刻工藝，利用第五掩模來形成覆蓋反射電極28的第三鈍化膜30以及第一和第二接觸孔34、38，以使第一和第二接觸孔34、38在有機膜24的第一和第二開孔35、37處穿透第一到第三鈍化膜22、26、30。第一和第二接觸孔34、38分別暴露出漏極18和存儲上電極20。第三鈍化膜是與第二鈍化膜相同的無機絕緣材料。
參照圖2F，使用第六掩模工藝在第三鈍化膜30上形成像素電極32。更具體地，使用諸如濺射的淀積方法在鈍化膜30上形成透明導電層，并且通過使用第六掩模的光刻工藝以及蝕刻工藝對該透明導電層進行構圖，以在各個像素區(qū)域形成像素電極。像素電極32通過第一和第二接觸孔34和38與漏極18和存儲上電極20相連。該透明導電層為銦錫氧化物ITO。
因此，使用6個不同的掩模工藝形成了現(xiàn)有技術的透反射式薄膜晶體管基板，因此，其具有制造工藝復雜的缺點。此外，在現(xiàn)有技術的透反射式薄膜晶體管基板中，應該充分固定第一和第二接觸孔34、38的邊緣，以使像素電極32與漏極18和存儲上電極20相連。因此，存在透射區(qū)域的孔徑比減小的缺點。
發(fā)明內容
因此，本發(fā)明致力于一種透反射式液晶顯示器件及其制造方法，其基本上克服了由于現(xiàn)有技術的局限性和缺點而導致的一個或更多個問題。
因此，本發(fā)明的優(yōu)點在于提供了一種在透射區(qū)域中具有增大的孔徑比的透反射式薄膜晶體管基板，及其簡化的制造方法。
將在以下說明書中闡述本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點，這些特征和優(yōu)點將部分地根據(jù)本說明書而明了，或者可以通過實施本發(fā)明而習得。將通過在所寫說明書及其權利要求以及附圖中具體指出的結構，實現(xiàn)和達到本發(fā)明的這些目的和其它優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如具體實施和廣泛描述的，一種液晶顯示器件，其包括選通線；該選通線上的第一絕緣膜；與該選通線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線，該像素區(qū)域具有透射區(qū)域和反射區(qū)域；與該選通線和數(shù)據(jù)線相連的薄膜晶體管；形成在該像素區(qū)域中的像素電極；該薄膜晶體管上的第二絕緣膜；包括與該選通線交疊的存儲上電極在內的存儲電容器；暴露該像素電極的至少一部分的透射孔；以及形成在像素區(qū)域的反射區(qū)域中的反射電極，該反射電極將像素電極與薄膜晶體管和存儲上電極相連，其中該選通線和像素電極包括第一透明導電層。
在本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造液晶顯示器件的方法，包括使用第一掩模形成包括第一透明導電層在內的柵極圖案，該柵極圖案包括像素電極、柵極和選通線；在該柵極圖案上形成第一絕緣膜；使用第二掩模在該第一絕緣膜上形成半導體層和源極/漏極圖案，該源極/漏極圖案具有存儲上電極、漏極、源極和數(shù)據(jù)線；使用第三掩模在具有孔徑部分的源極/漏極圖案上形成第二絕緣膜；使用第四掩模形成暴露像素電極的第一透明導電層的透射孔；以及使用第五掩模在反射區(qū)域中形成反射電極；該反射電極通過透射孔將像素電極與漏極和存儲上電極相連。
在本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造液晶顯示器件的方法，包括使用第一掩模形成具有第一透明導電層和第二不透明第二導電層的柵極圖案，該柵極圖案包括像素電極、柵極和選通線；在柵極圖案上形成第一絕緣膜和半導體層，并且使用第二掩模形成具有存儲上電極、漏極、源極、數(shù)據(jù)線的源極/漏極圖案；使用第三掩模在透射區(qū)域中形成暴露像素電極的第一導電層的透射孔；使用第四掩模在源極/漏極圖案上形成第二絕緣膜；以及使用第五掩模在反射區(qū)域中形成反射電極，該反射電極通過透射孔將像素電極與漏極和存儲上電極相連。
應該理解，前面的總體說明和以下的詳細說明都是示例性和解釋性的，旨在提供對要求保護的本發(fā)明的進一步解釋。
包含附圖以提供對本發(fā)明的進一步理解，并且將其并入，構成本說明書的一部分，
的本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中圖1是表示現(xiàn)有技術的透反射式液晶顯示板的一部分的剖視圖；圖2A到2F是表示制造根據(jù)現(xiàn)有技術的透反射式薄膜晶體管基板的方法的剖視圖；圖3是表示根據(jù)本發(fā)明實施例的透反射式薄膜晶體管的平面圖；
圖4是表示沿線II-II’、III-III’、IV-IV’截取的圖3所示的透反射式薄膜晶體管的剖視圖；圖5A和5B是分別表示根據(jù)本發(fā)明實施例的第一掩模工藝的平面圖和剖視圖；圖6A和6B是分別表示根據(jù)本發(fā)明實施例的第二掩模工藝的平面圖和剖視圖；圖7A和7E是進一步表示本發(fā)明的第二掩模工藝的剖視圖；圖8A和8B是分別表示根據(jù)本發(fā)明實施例的第三掩模工藝的平面圖和剖視圖；圖9A和9B是分別表示根據(jù)本發(fā)明實施例的第四掩模工藝的平面圖和剖視圖；圖10A和10B是分別表示根據(jù)本發(fā)明實施例的第五掩模工藝的平面圖和剖視圖；圖11是表示根據(jù)本發(fā)明的具有中心圍繞部分的透反射式薄膜晶體管基板的平面圖；圖12是表示圖11中所示的數(shù)據(jù)傳輸器(data link)和數(shù)據(jù)線的防靜電器件區(qū)域和接觸區(qū)域的平面圖；圖13是表示沿線V-V’和VI-VI’截取的圖12所示的透反射式薄膜晶體管基板的剖視圖；圖14A和14B分別表示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的第一掩模工藝的平面圖和剖視圖；圖15A和15B分別表示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的第二掩模工藝的平面圖和剖視圖；圖16A和16B分別表示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的第三掩模工藝的平面圖和剖視圖；圖17A和17B分別表示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的第四掩模工藝的平面圖和剖視圖；圖18A和18B分別表示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的第五掩模工藝的平面圖和剖視圖；
圖19是表示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的薄膜晶體管基板的剖視圖；圖20是表示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的薄膜晶體管基板的剖視圖；圖21A到21E是表示制造圖20所示的透反射式薄膜晶體管基板的方法的剖視圖。
具體實施例方式
現(xiàn)將詳細描述本發(fā)明的實施例，在附圖中示出了其示例。
圖3是表示根據(jù)本發(fā)明的透反射式薄膜晶體管基板的平面圖，圖4是表示沿線II-II’、III-III’、IV-IV’截取的圖3所示的透反射式薄膜晶體管基板的剖視圖。
參照圖3和4，透反射式薄膜晶體管基板包括選通線102和數(shù)據(jù)線104，其通過相互交叉在下基板142上限定像素區(qū)域，并且其間具有柵極絕緣膜144；薄膜晶體管106，與選通線102和數(shù)據(jù)線104相連；反射電極152，形成在各個像素的反射區(qū)域中；以及像素電極118，形成在各個像素區(qū)域中，并通過反射電極152與薄膜晶體管106相連。該透反射式薄膜晶體管基板還包括存儲電容器120，其通過將前一級選通線102與通過反射電極152連接到像素電極118的存儲上電極122交疊而形成；選通焊盤128，與選通線102相連；以及數(shù)據(jù)焊盤138，與數(shù)據(jù)線104相連。該透反射式薄膜晶體管基板將各個像素區(qū)域分為其中形成有反射電極152的反射區(qū)域以及其中未形成有反射電極152的透射區(qū)域。
薄膜晶體管106包括與選通線102相連的柵極108；與數(shù)據(jù)線104相連的源極110；與源極110相對并與像素電極118相連的漏極112；有源層114，與柵極108交疊，并且其間具有柵極絕緣膜144，以在源極110和漏極112之間形成溝道；以及歐姆接觸層116，其形成在除溝道部分以外的有源層114上，以與源極110和漏極112接觸。
薄膜晶體管106對選通線102上的掃描信號進行響應，以使數(shù)據(jù)線104上的視頻信號充入并保持在像素電極118中。
如圖4所示，選通線102和柵極108具有包括第一透明導電層101和淀積在第一透明導電層101頂部的第二導電金屬層103在內的雙層結構。形成包括有源層114和歐姆接觸層116在內的半導體圖案115，以使其與數(shù)據(jù)線104交疊。
在各個像素的反射區(qū)域中形成反射電極152，以反射外部光。反射電極152具有與第二鈍化膜150和其下方的有機膜148的形狀相對應的隆起形狀。反射電極的隆起表面由于其散射效果而提高了其反射效率。
像素電極118形成在各個像素區(qū)域中，并通過反射電極152與漏極112相連，該反射電極152穿過透射孔154的邊緣部分。類似于選通線102，像素電極118具有其中形成有第一和第二導電層101、103的雙層結構，并且其通過透射孔154開口，以使得作為透明導電層的第一導電層101暴露給透射區(qū)域。
像素電極118通過由薄膜晶體管提供的像素信號產(chǎn)生與濾色器基板(未示出)的公共電極的電位差。該電位差使得具有介電各向異性的液晶產(chǎn)生旋轉，從而對穿過各個反射區(qū)域和透射區(qū)域的液晶層的光的透射率進行控制，由此根據(jù)視頻信號來改變其亮度。
透射區(qū)域中形成有透射孔154，以穿透像素電極118上的柵極絕緣膜144以及薄膜晶體管106上的第一鈍化膜146、有機膜148和第二鈍化膜150。因此，在反射區(qū)域和透射區(qū)域中，穿過液晶層的光程的長度相同，由此，反射模式和透射模式的透射效率相同。
連接到像素電極118的存儲上電極122與前一級選通線102交疊，并且其間具有柵極絕緣膜144，由此形成存儲電容器120。存儲上電極122通過反射電極152與像素電極118相連，該反射電極152穿過透射孔154的邊緣部分，并且存儲上電極122還與存儲上電極122下面的半導體圖案115交疊。
選通線102通過選通焊盤128與選通驅動器(未示出)相連。選通線102的第一和第二導電層101、103延伸，以形成選通焊盤128，并且通過從第二鈍化膜150穿透到第二導電層103的第一接觸孔130來暴露第一導電層101。
數(shù)據(jù)線104通過數(shù)據(jù)焊盤138與數(shù)據(jù)驅動器(未示出)相連。與選通焊盤128相似，數(shù)據(jù)焊盤138具有其中形成有第一和第二導電層101、103的雙層結構，并且通過從第二鈍化膜150穿透到第二導電層103的第二接觸孔140來暴露第一導電層101。數(shù)據(jù)焊盤138通過單獨的接觸電極(未示出)與數(shù)據(jù)線104相連。
通過這種方式，根據(jù)本發(fā)明該實施例的透反射式薄膜晶體管基板具有通過反射電極與漏極112和存儲上電極122相連的像素電極118，該反射電極穿過透射孔154的邊緣部分。因此，不需要具有用于將像素電極118與漏極112和存儲上電極122相連的單獨的接觸孔，由此可以大大提高透射區(qū)域的孔徑比。
反射電極152還與像素電極118的第一和第二導電層101、103相連。因此，在將AlNd用于反射電極152，將ITO用于像素電極118的第一導電層101，而將Mo用于第二導電層103的情況下，AlNd和ITO通過Mo相連，因此能夠減小由于產(chǎn)生Al2O3而導致的AlNd和ITO的接觸電阻。
圖5A和5B分別表示根據(jù)本發(fā)明實施例的第一掩模工藝的平面圖和剖視圖。首先，使用第一掩模(未示出)形成具有雙層結構的柵極圖案，其中該柵極圖案包括像素電極118、數(shù)據(jù)焊盤138、與選通線102相連的柵極108、以及下基板142上的選通線102。該雙層結構包括第一和第二導電層101、103。
具體地，使用諸如濺射的淀積方法在下基板102上形成第一和第二導電層101、103。然后使用第一掩模(該第一掩模是使用光刻工藝和蝕刻工藝而形成的)對第一和第二導電層101、103進行構圖，由此形成如圖5A和5B所示的柵極圖案。該柵極圖案包括選通線102、柵極108、選通焊盤128、數(shù)據(jù)焊盤138、像素電極118。第一導電層101是諸如ITO、TO、IZO的透明導電材料，而第二導電層103是諸如Mo、Ti、Cu、Al(Nd)等的金屬材料。
圖6A和6B分別表示根據(jù)本發(fā)明實施例的第二掩模工藝的平面圖和剖視圖。參照圖6B，在已經(jīng)形成有柵極圖案的下基板142上形成柵極絕緣膜144。然后，利用第二掩模工藝，在柵極絕緣膜144頂部形成源極/漏極圖案(包括數(shù)據(jù)線104、源極110、漏極112以及存儲上電極122)、半導體圖案115(包括沿源極/漏極圖案的后表面交疊的有源層114和歐姆接觸層116)。通過利用衍射曝光掩模，使用單個掩模工藝來形成半導體圖案115和源極/漏極圖案。
參照圖7A，首先，在下基板142上，在柵極圖案的上方依次形成柵極絕緣膜144、非晶硅層105、摻雜有n+或p+的非晶硅層107、以及源極/漏極金屬層109。例如，使用PECVD形成柵極絕緣膜144、非晶硅層105、摻雜非晶硅層107，而使用濺射形成源極/漏極金屬層109。柵極絕緣膜144為無機絕緣材料，例如氧化硅SiOx、氮化硅SiNx，而源極/漏極金屬層109為Cr、Mo、MoW、Al/Cr、Cu、Al(Nd)、Al/Mo、Al(Nd)/Al、Al(Nd)/Cr、Mo/Al(Nd)/Mo、Cu/Mo、Ti/Al(Nd)/Ti等。當該雙層結構為Al/Cr時，在Cr層之后形成Al層。
將光刻膠219涂布在源極/漏極金屬層109上，然后使用衍射曝光掩模210對其進行曝光和顯影。該衍射曝光掩模210包括透明石英基底212、在透明石英基底212頂部由諸如Cr的金屬層構成的屏蔽層214；以及衍射曝光狹縫216。屏蔽層214位于要形成半導體圖案和源極/漏極圖案的區(qū)域處。衍射曝光狹縫216位于要形成薄膜晶體管的溝道的區(qū)域處。因此，在顯影之后，形成了圖7B所示的具有臺階結構的光刻膠圖案220。
參照圖7B，在處理過程中，該屏蔽層214阻擋紫外線，由此留下第一光刻膠圖案(resist pattern)220A。在處理過程中，衍射曝光狹縫216對紫外線進行衍射，由此留下比第一光刻膠圖案220A薄的第二光刻膠圖案220B。
然后，使用光刻膠圖案220對源極/漏極金屬層109進行蝕刻，以形成如圖7C所示的源極/漏極圖案和半導體圖案115。在該工藝的這個時候，源極110和漏極112集成在源極/漏極圖案內，即源極和漏極之間沒有斷開。
接下來，使用氧O2等離子體對光刻膠圖案220進行灰化處理。因為第一光刻膠圖案220A的厚度，而使該第一光刻膠圖案下方各層保持不變，即，僅光刻膠的厚度變薄。然而，在蝕刻工藝過程中，去除了較薄的第二光刻膠圖案220B下方的各層，由此將源極110與漏極112分離，并且暴露出有源層114，如圖7D所示。因此，在源極110和漏極112之間的有源層114中形成了溝道。此外，沿經(jīng)過灰化處理的第一光刻膠圖案220A對源極/漏極圖案的兩側再次進行蝕刻，由此使源極/漏極圖案和半導體圖案115具有階梯形狀的固定臺階差。如圖7E所示，通過剝離工藝去除剩余在源極/漏極圖案上的第一光刻膠圖案220A。
圖8A和8B分別表示用來制造根據(jù)本發(fā)明實施例的透反射式薄膜晶體管基板的第三掩模工藝的平面圖和剖視圖。參照圖8A和8B，在薄膜晶體管基板的包括例如使用諸如濺射的淀積方法形成有源極/漏極圖案的的區(qū)域在內的表面上，形成第一鈍化膜146。然后，例如使用旋涂法在第一鈍化膜146的頂部形成有機膜148，并且隨后使用第三掩模工藝進行構圖，以使有機膜148在透射區(qū)域中具有孔徑部分，而在反射區(qū)域中具有隆起表面。
第一鈍化膜146為諸如柵極絕緣膜144的無機絕緣材料，而有機膜148是諸如丙烯酸樹脂的感光有機材料。使用第三掩模對有機膜148進行構圖，從而在透射區(qū)域中與該第三掩模的透射部分相對應地形成穿透有機膜148地孔徑部分155，并去除形成有選通焊盤128和數(shù)據(jù)焊盤138地焊盤區(qū)域的有機膜148。此外，第三掩模中除了透射部分以外的剩余部分具有下述的結構屏蔽部分和衍射曝光部分(或透反射部分)重復出現(xiàn)，與該結構相對應，將有機膜148構圖為具有下述的結構在反射區(qū)域中重復出現(xiàn)具有臺階差的屏蔽區(qū)域(凸起部分)和衍射曝光區(qū)域(溝槽部分)。隨后，對具有重復的凸起部分和構造部分的有機膜148進行燒結(fired)，以在反射區(qū)域的有機膜148的表面上形成隆起形狀。另一方面，有機膜148的孔徑部分155的邊緣部分與漏極112和存儲上電極122交疊，由此使存儲上電極122和漏極112的邊緣部分朝向孔徑部分155凸出。
圖9A和9B分別表示用來制造根據(jù)本發(fā)明實施例的透反射式薄膜晶體管基板的第四掩模工藝的平面圖和剖視圖。參照圖9B，使用第四掩模工藝在有機膜148上形成具有隆起形狀的第二鈍化層150，并且形成從柵極圖案的第二鈍化膜150穿透到第二導電層103的第一和第二接觸孔130、140以及透射孔。
具體地，使用諸如PECVD的淀積方法在有機膜148上形成第二鈍化膜150。第二鈍化層150是與第一鈍化膜146相同的無機絕緣材料。隨后，在形成了有機膜148的孔徑部分155的各個像素的透射區(qū)域中形成透射孔154，并且在焊盤區(qū)域中形成第一和第二接觸孔130、140。透射孔154穿透有機膜148的孔徑部分155中的像素電極118的第二鈍化膜150、第一鈍化膜146、柵極絕緣膜144以及第二導電層103。因此，通過透射孔154暴露出像素電極118的第一導電層101，并且第二導電層103僅剩余在像素電極的邊界處，在該邊界處沒有暴露出第一導電層101。此外，暴露出朝向穿過透射孔154的邊緣部分的有機膜148的孔徑部分155凸出的漏極112，以及存儲上電極122的邊緣部分。第一和第二接觸孔130、140從第二鈍化膜150分別穿透到選通焊盤128和選通焊盤128頂部的數(shù)據(jù)焊盤138的第二導電層103、數(shù)據(jù)焊盤138。因此，通過第一和第二接觸孔130、140中的每一個暴露出選通焊盤128和數(shù)據(jù)焊盤138的第一導電層101，并且第二導電層103僅保留在未暴露出第一導電層101的邊界處。
圖10A和10B分別表示用來制造根據(jù)本發(fā)明實施例的透反射式薄膜晶體管基板的第五掩模工藝的平面圖和剖視圖。參照圖10B，在保持隆起形狀的第二鈍化膜150上形成反射金屬層。該反射金屬層是具有高反射率的金屬，例如AlNd。此后，通過使用第五掩模的光刻工藝以及蝕刻工藝對該反射金屬層進行構圖，由此，在各個像素的反射區(qū)域中形成反射電極152。反射電極152通過透射孔154的邊緣部分將漏極112與像素電極118相連，并且將存儲上電極122與像素電極118相連。因此，不需要單獨的接觸孔來將像素電極118與漏極112和存儲上電極122相連，因此提高了透射區(qū)域中的孔徑比。此外，反射電極152通過透射孔154的邊緣部分與像素電極118的第一導電層101相連，并與所暴露的第二導電層103 Mo的邊緣部分相連，由此減小了反射電極152 AlNd與第一導電層101 ITO的接觸電阻。
根據(jù)本發(fā)明的透反射式薄膜晶體管基板使用反射電極152將像素電極118與漏極112和存儲上電極122相連，并且與需要六個掩模工藝的現(xiàn)有技術相比，將制造工藝減少為五個掩模工藝。
圖11表示根據(jù)本發(fā)明實施例的透反射式薄膜晶體管基板的周邊部分。
圖11所示的透反射式薄膜晶體管基板100包括接觸電極160，以使形成在與選通焊盤128相同的層中的數(shù)據(jù)焊盤138與數(shù)據(jù)線104相連。換句話說，接觸電極160將從數(shù)據(jù)焊盤138延伸的數(shù)據(jù)傳輸器136與數(shù)據(jù)線104相連。這里，接觸電極160由與形成在有源區(qū)的反射電極152相同的金屬層AlNd、AlNd/Mo構成。接觸電極160存在下述的問題當將其暴露在外部時，其會由于氧化而被腐蝕，因此，接觸電極160位于由密封劑180密封的區(qū)域，即，密封劑180與有源區(qū)182之間。
此外，該薄膜晶體管基板100包括靜電放電裝置190，用于防止靜電流入有源區(qū)182。該靜電放電裝置190與數(shù)據(jù)線104或者選通線102相連，并由具有相互連接關系的多個薄膜晶體管300、310、320組成。靜電放電裝置190通過使靜電在高壓區(qū)具有低阻抗，來釋放任何過電流，由此防止靜電流入。通過在正常驅動條件下具有高阻抗，而使得對通過選通線102或數(shù)據(jù)線104提供的驅動信號沒有影響。靜電放電裝置190需要用于相互連接薄膜晶體管300、310、320的多個接觸電極。這些接觸電極也由與反射電極152相同的金屬層AlNd、AlNd/Mo形成。因此，靜電放電裝置190也形成在由密封劑180密封的區(qū)域中，即，密封劑180和有源區(qū)182之間。
圖12是表示與圖11中所示的數(shù)據(jù)線104相連的靜電放電裝置190和接觸電極160的平面圖。參照圖12，在由密封劑180密封的區(qū)域中，數(shù)據(jù)線104通過第一接觸電極160與從數(shù)據(jù)焊盤138延伸的數(shù)據(jù)傳輸器136相連。與數(shù)據(jù)焊盤138(如上所述)相似，數(shù)據(jù)傳輸器136具有包括第一和第二導電層101、103在內的雙層結構。第一接觸電極160通過從第二鈍化膜150穿透到數(shù)據(jù)線104和半導體圖案115的第三接觸孔162并排地連接到數(shù)據(jù)線104。此外，接觸電極160通過從第二鈍化膜150穿透到數(shù)據(jù)傳輸器136的第二導電層103的第四接觸孔164與數(shù)據(jù)傳輸器136相連，如圖13所示。
與數(shù)據(jù)線104相連的靜電放電裝置包括薄膜晶體管300、310、320。第二薄膜晶體管300包括與數(shù)據(jù)線104相連的第二源極304；與第二源極304相對的第二漏極；以及具有雙層結構的第二柵極302，該第二柵極302與第二源極304和第二漏極306交疊，并且其間具有半導體圖案115和柵極絕緣膜144。第二柵極302的雙層結構包括第一和第二導電層101、103。
第三薄膜晶體管310以二極管的形式與第二薄膜晶體管的第二源極304和第二柵極302相連。第三薄膜晶體管310包括與第二源極304相連的第三源極314；與第三源極314相對的第三漏極316；以及與第三源極314和第三漏極316交疊的第三柵極312，并且其間具有半導體圖案115和柵極絕緣層144。與第二柵極相似，第三柵極312具有包括第一和第二導電層101、103在內的雙層結構。第三柵極312還通過第二接觸電極332與第三源極314相連。換句話說，第三接觸電極332被形成為從第五接觸孔340(從第二鈍化膜150穿透到第三漏極316和半導體圖案115)設置到第六接觸孔(從第二鈍化膜150穿透到第三柵極312的第二導電層103)，由此連接第三漏極316和第三柵極312。
第四薄膜晶體管320以二極管的形式與第二薄膜晶體管的第二漏極306和第二柵極302相連。第四薄膜晶體管320包括與第二漏極306相連的第四源極324；與第四源極324相對的第四漏極326；以及與第四源極324和第四漏極326交疊的第四柵極322，并且其間具有半導體圖案115和柵極絕緣膜144。第四柵極322具有包括第一和第二導電層101、103的雙層結構。第四漏極326還與第三漏極316相連，并且通過第三接觸電極334與第二柵極302相連，該第三接觸電極334被形成為設置在第七接觸孔344和第八接觸孔346上。此外，第四柵極332通過第四接觸電極336與第四源極324相連，第四接觸電極336被形成為設置在第九接觸孔348和第十接觸孔350上。
第一到第四接觸電極160、332、334、336由與如上所述的反射電極152相同的金屬層形成。
使用如上所述的五個掩模工藝形成具有這種結構的透反射式薄膜晶體管基板。將參照圖14A到18B對此進行說明。
參照圖14A到14B，通過第一掩模工藝在下基板142上形成柵極圖案，其中該柵極圖案包括數(shù)據(jù)傳輸器136和數(shù)據(jù)焊盤138，以及第二到第四柵極302、312、322。該第一掩模工藝與圖5A和5B中所述的相同。
然后，如圖15A和15B中所示，使用第二掩模工藝形成柵極絕緣膜144、包括有源層114和歐姆接觸層116在內的半導體圖案115、以及包括數(shù)據(jù)線104、第二到第四源極304、314、324、第二到第四漏極306、316、326在內的源極/漏極圖案。該第二掩模工藝與圖6A和7E中所述的相同。
然后，形成第一鈍化膜146及其頂部的有機膜148，并使用第三掩模工藝對有機膜148進行構圖。如圖16B所示，有機膜148具有第三到第十孔徑部分161、163、339、341、343、345、347、349。該第三掩模工藝與圖8A和8B中所述的相同。在本示例中，在焊盤區(qū)域中去除該有機膜，并且該有機膜在未形成反射電極152的區(qū)域(即像素區(qū)域)中不具有隆起表面。
參照圖17A和17B，使用第四掩模工藝形成第二鈍化膜150，并且形成第三到第十接觸孔162、164、340、342、344、346、348、350，以與有機膜148的第三到第十孔徑部分161、163、339、341、343、345、347、349交疊。該第四掩模工藝與圖9A和9B中所述的相同。
參照圖18A和18B，使用第五掩模工藝，由與前述反射電極152相同的金屬形成第一到第四接觸電極160、332、334、336。該第五掩模工藝與圖10A和10B中所述的相同。
圖19是表示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的透反射式薄膜晶體管基板中，像素區(qū)域沿線II-II’的剖視圖，以及數(shù)據(jù)傳輸器136與數(shù)據(jù)線104的接觸區(qū)域沿線V-V’的剖視圖。
除了被形成為第一和第二導電層254、256的雙層結構的反射電極252和第一接觸電極262以外，圖19中所示的透反射式薄膜晶體管基板包括與圖4和13中所示的透反射式薄膜晶體管基板相同的組件。因此，省略對重復組件的說明。
圖19中所示的反射電極252和第一接觸電極262中的第一導電層254為數(shù)據(jù)傳輸器136和像素電極118的透明第一導電層101，其具有低的接觸阻抗，例如Mo。而第二導電層256為具有高反射性的金屬，例如AlNd。因此，第一接觸電極262和反射電極252的第二導電層256 AlNd與數(shù)據(jù)傳輸器136和像素電極118的第一導電層101 ITO直接相連，由此防止產(chǎn)生Al2O3層。因此，減小了反射電極252和像素電極118的接觸電阻，以及第一接觸電極160和數(shù)據(jù)傳輸器136的接觸電極。
圖20是表示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的透反射式薄膜晶體管基板中，像素區(qū)域沿線II-II’的剖視圖，以及數(shù)據(jù)傳輸器136和數(shù)據(jù)線104的接觸區(qū)域沿線V-V’的剖視圖。
除了去除了有機膜148上的第二鈍化膜150以外，圖20中所示的透反射式薄膜晶體管基板包括與圖4和13中所示的透反射式薄膜晶體管基板相同的組件。因此，省略對重復組件的說明。
圖4和13中所示的第二鈍化膜150增強了有機膜148與反射電極152的粘合力，但是可以將其省略。參照圖20，省略了第二鈍化膜150，在形成有機膜148之前，在第一鈍化膜146工藝中形成透射孔154以及第一到第四接觸孔130、140、162、164。具有這種結構的透反射式薄膜晶體管基板的制造方法如下。
圖21A到21E是表示圖20中所示的透反射式薄膜晶體管基板的制造方法的剖視圖。參照圖21A，首先，使用第一掩模工藝在下基板142上形成柵極圖案，該柵極圖案包括選通線102、柵極108、像素電極118以及數(shù)據(jù)傳輸器136。該柵極圖案具有雙層結構，該雙層結構包括透明第一導電層101和第二導電層103。該第一掩模工藝與圖5A和5B中所述的相同。
然后，如圖21B所示，使用第二掩模工藝形成柵極絕緣層144、包括有源層114和歐姆接觸層116在內的半導體層115、以及包括數(shù)據(jù)線104、源極110、漏極112和存儲上電極122在內的源極/漏極圖案。該第二掩模工藝與圖6A和7E中所述的相同。
參照圖21C，使用第三掩模工藝形成覆蓋源極/漏極圖案的鈍化膜146，以使得在透射區(qū)域中具有透射孔154，以暴露像素電極的第一導電層；在接觸區(qū)域中具有第三接觸孔，以通過穿透數(shù)據(jù)線104和半導體圖案115來暴露數(shù)據(jù)線104的側面；以及具有第四接觸孔164，以暴露數(shù)據(jù)傳輸器136的第一導電層101。
參照圖21D，使用第四掩模工藝在鈍化膜146上形成有機膜148，從而在透射孔154以及第三和第四接觸孔162、164中去除有機膜148。此外，在焊盤區(qū)域中使有機膜148開口，并且該有機膜148僅在反射區(qū)域(在后續(xù)工藝中，要在該反射區(qū)域中形成反射電極152)中具有隆起表面。該第四掩模工藝與圖8A和8B中所述的相同。
參照圖21E，使用第五掩模工藝形成反射電極152和接觸電極160。該第五掩模工藝與圖10A和10B中所述的相同。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的透反射式液晶顯示器件及其制造方法使用穿過透射孔的邊緣部分的反射電極將像素電極與漏極和存儲上電極相連。因此，可以將薄膜晶體管基板的制造工藝簡化為五個掩模工藝，由此減少了一個掩模工藝，并且不需要單獨的接觸孔將像素電極與漏極故和存儲上電極相連，由此提高了透射區(qū)域的孔徑比。
此外，根據(jù)本發(fā)明的透反射式液晶顯示器件及其制造方法通過使用與反射電極相同金屬的接觸電極將數(shù)據(jù)傳輸器與數(shù)據(jù)線相連，該數(shù)據(jù)傳輸器和數(shù)據(jù)線被形成為多個不同的層，并且根據(jù)本發(fā)明的透反射式液晶顯示器件及其制造方法將靜電放電裝置的薄膜晶體管相互連接。因此，可以將薄膜晶體管的制造工藝簡化為五個掩模工藝。
此外，根據(jù)本發(fā)明的透反射式液晶顯示器件通過像素電極的第二導電層Mo將反射電極AlNd與第一導電層ITO相連，由此可以減小反射電極與像素電極的接觸電阻。此外，將反射電極形成為AlNd/Mo的雙層結構，以使得能夠進一步減小與像素電極的第一導電層ITO的接觸電阻。
對于本領域的技術人員來說，顯然在不脫離本發(fā)明的主旨和范圍的情況下，可以對本發(fā)明進行各種修改和變化。因此，本發(fā)明旨在涵蓋落入所附權利要求及其等同物范圍內的本發(fā)明的這些修改和變化。
本申請要求于2004年6月5日提交的韓國專利申請NO.P2004-041141的優(yōu)先權，在此通過引用并入其全部內容。
權利要求
1.一種液晶顯示器件，其包括選通線，包括第一透明導電層；所述選通線上的第一絕緣膜；與所述選通線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線，所述像素區(qū)域具有透射區(qū)域和反射區(qū)域；與所述選通線和所述數(shù)據(jù)線相連的薄膜晶體管；具有第一透明導電層的像素電極；存儲電容器，包括與所述選通線交疊的存儲上電極；透射孔，其暴露出所述像素電極的所述第一透明導電層的至少一部分；以及形成在所述像素區(qū)域的反射區(qū)域中的反射電極，該反射電極將所述像素電極與薄膜晶體管和所述存儲上電極相連。
2.根據(jù)權利要求1所述的器件，還包括第二導電層，位于所述選通線的所述第一透明導電層上。
3.根據(jù)權利要求1所述的器件，還包括第二導電層，位于所述像素電極的所述第一透明導電層的邊界上。
4.根據(jù)權利要求2所述的器件，還包括從所述選通線延伸的雙層選通焊盤，其中通過穿透所述第一絕緣膜和所述雙層選通焊盤的第二導電層的第一接觸孔暴露出所述雙層選通焊盤的第一導電層的一部分。
5.根據(jù)權利要求4所述的器件，還包括與所述數(shù)據(jù)線相連的雙層數(shù)據(jù)焊盤，其中通過穿透所述柵極絕緣膜和所述雙層數(shù)據(jù)焊盤的第二導電層的第二接觸孔暴露出所述雙層數(shù)據(jù)焊盤的第一導電層的一部分。
6.根據(jù)權利要求5所述的器件，還包括所述薄膜晶體管上的第二絕緣膜。
7.根據(jù)權利要求6所述的器件，其中在所述選通焊盤和所述數(shù)據(jù)焊盤中去除所述第二絕緣膜。
8.根據(jù)權利要求6所述的器件，還包括所述薄膜晶體管和所述第二絕緣膜之間的第三絕緣膜。
9.根據(jù)權利要求8所述的器件，其中所述第三絕緣膜為無機絕緣材料。
10.根據(jù)權利要求6所述的器件，還包括所述第二絕緣膜和所述反射電極之間的第三絕緣膜。
11.根據(jù)權利要求10所述的器件，其中所述第三絕緣膜為無機絕緣材料。
12.根據(jù)權利要求3所述的器件，其中所述反射電極與所述像素電極的所述第一透明導電層直接連接，并且通過所述透射孔與所述像素電極的所述第二導電層基本上橫向連接。
13.根據(jù)權利要求5所述的器件，還包括從所述數(shù)據(jù)焊盤延伸的雙層數(shù)據(jù)傳輸器；以及與所述反射電極相同金屬的第一接觸電極，其通過暴露所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)傳輸器的第三和第四接觸孔來連接所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)傳輸器。
14.根據(jù)權利要求13所述的器件，還包括與所述數(shù)據(jù)線和所述選通線之一相連的靜電放電裝置。
15.根據(jù)權利要求14所述的器件，其中所述靜電放電裝置包括第二薄膜晶體管，與所述選通線和所述數(shù)據(jù)線之一相連；第三薄膜晶體管，以二極管的形式連接在所述第二薄膜晶體管的柵極和源極之間；第四薄膜晶體管，以二極管的形式連接在所述第二薄膜晶體管的柵極和漏極之間；第二接觸電極，其通過暴露出所述源極和柵極的第五接觸孔和第六接觸孔與所述第三薄膜晶體管的源極和柵極相連；第三接觸電極，其通過暴露出所述漏極和柵極的第七接觸孔和第八接觸孔與所述第三或第四薄膜晶體管的漏極以及所述第二薄膜晶體管的柵極相連；以及第四接觸電極，其通過暴露出所述第四薄膜晶體管的源極和柵極的第九接觸孔和第十接觸孔與所述第四薄膜晶體管的源極和柵極相連。
16.根據(jù)權利要求15所述的器件，其中所述第二、第三和第四接觸電極由與所述反射電極相同的金屬形成。
17.根據(jù)權利要求15所述的器件，其中所述柵極具有雙層結構。
18.根據(jù)權利要求17所述的器件，其中所述第四、第六、第八、第十接觸孔通過穿透所述柵極的第二導電層來暴露出所述雙層結構電極的第一導電層。
19.根據(jù)權利要求15所述的器件，其中所述第一到第四接觸電極形成在密封劑區(qū)域的內部。
20.根據(jù)權利要求15所述的器件，其中所述反射電極和所述第一到第四接觸電極由AlNd和Mo形成。
21.根據(jù)權利要求6所述的器件，其中所述絕緣膜具有隆起表面。
22.根據(jù)權利要求21所述的器件，其中所述反射電極在反射區(qū)域中具有隆起表面。
23.根據(jù)權利要求6所述的器件，其中所述第二絕緣膜為有機材料。
24.根據(jù)權利要求1所述的器件，其中所述存儲上電極沿所述數(shù)據(jù)線的方向基本上與所述選通線的一半以上交疊。
25.根據(jù)權利要求1所述的器件，其中所述反射電極通過所述透射孔將所述像素電極與所述薄膜晶體管和所述存儲上電極相連。
26.一種用于制造液晶顯示器件的方法，包括使用第一掩模形成包括第一透明導電層的柵極圖案，該柵極圖案包括像素電極、柵極和選通線；在所述柵極圖案上形成第一絕緣膜；使用第二掩模在所述第一絕緣膜上形成半導體層和源極/漏極圖案，該源極/漏極圖案具有存儲上電極、漏極、源極和數(shù)據(jù)線；使用第三掩模在所述源極/漏極圖案上形成第二絕緣膜；使用第四掩模形成暴露出所述像素電極的所述第一透明導電層的透射孔；以及使用第五掩模在反射區(qū)域中形成反射電極，該反射電極通過所述透射孔將所述像素電極與所述漏極和所述存儲上電極相連。
27.根據(jù)權利要求26所述的方法，其中所述半導體層與所述數(shù)據(jù)線交疊。
28.根據(jù)權利要求26所述的方法，其中所述透射孔穿透所述第一絕緣膜和所述像素電極的第二導電層。
29.根據(jù)權利要求26所述的方法，其中所述透射孔與所述第二絕緣膜的孔徑部分交疊。
30.根據(jù)權利要求28所述的方法，還包括所述源極/漏極圖案和所述第二絕緣膜中的至少一個上的第三絕緣膜。
31.根據(jù)權利要求30所述的方法，其中所述透射孔穿透所述第三絕緣膜。
32.根據(jù)權利要求26所述的方法，其中所述柵極圖案由具有第一導電層和第二導電層的雙層形成。
33.根據(jù)權利要求32所述的方法，還包括使用所述第一掩模形成雙層選通焊盤，該選通焊盤與所述選通線相連；使用所述第一掩模形成雙層數(shù)據(jù)焊盤，該數(shù)據(jù)焊盤與所述數(shù)據(jù)線相連；使用所述第三掩模去除所述選通焊盤和所述數(shù)據(jù)焊盤的焊盤區(qū)域中的所述第二絕緣膜；以及使用所述第四掩模形成暴露出選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的第一導電層的第一和第二接觸孔。
34.根據(jù)權利要求33所述的方法，還包括使用所述第一掩模形成從所述數(shù)據(jù)焊盤延伸的雙層數(shù)據(jù)傳輸器；使用所述第三掩模形成第二和第三孔徑部分；使用所述第四掩模形成暴露出所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)傳輸器的第三和第四接觸孔；以及使用所述第五掩模形成通過所述第三和第四接觸孔連接所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)傳輸器的第一接觸電極。
35.根據(jù)權利要求34所述的方法，其中第二和第三孔徑部分與所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)傳輸器交疊。
36.根據(jù)權利要求34所述的方法，還包括形成靜電放電裝置，其具有與所述數(shù)據(jù)線和所述選通線之一相連的第二薄膜晶體管；以二極管的方式連接在所述第二薄膜晶體管的柵極和源極之間的第三薄膜晶體管；以及以二極管的方式連接在所述第二薄膜晶體管的柵極和漏極之間的第四薄膜晶體管。
37.根據(jù)權利要求36所述的方法，其中形成所述靜電放電裝置的步驟包括使用所述第一掩模形成所述第二到第四薄膜晶體管的柵極；使用所述第二掩模在所述第一絕緣膜上形成所述半導體層、所述第二到第四晶體管的源極和漏極；使用所述第三掩模在所述第二絕緣層上形成第四到第九孔徑部分；使用所述第四掩模形成暴露出與所述第四到第九孔徑部分交疊的電極的第五到第十接觸孔；以及使用所述第五掩模形成第二到第四接觸電極。
38.根據(jù)權利要求37所述的方法，其中所述第四和第五孔徑部分與所述第三薄膜晶體管的源極和柵極交疊。
39.根據(jù)權利要求37所述的方法，其中所述第六和第七孔徑部分與所述第三或第四薄膜晶體管的漏極以及所述第二薄膜晶體管的柵極交疊。
40.根據(jù)權利要求37所述的方法，其中所述第八和第九孔徑部分與所述第四薄膜晶體管的源極和柵極交疊。
41.根據(jù)權利要求37所述的方法，其中所述第二接觸電極通過所述第五和第六接觸孔與所述第三薄膜晶體管的源極和柵極相連。
42.根據(jù)權利要求37所述的方法，其中所述第三接觸電極通過所述第七和第八接觸孔與所述第三或第四薄膜晶體管的漏極以及所述第二薄膜晶體管的柵極相連。
43.根據(jù)權利要求37所述的方法，其中所述第四接觸電極通過所述第九和第十接觸孔與所述第四薄膜晶體管的源極和柵極相連。
44.根據(jù)權利要求37所述的方法，其中所述第一到第四接觸電極形成在密封劑區(qū)域的內部。
45.根據(jù)權利要求37所述的方法，其中所述反射電極和所述第一到第四接觸電極由AlNd和Mo形成。
46.根據(jù)權利要求26所述的方法，其中所述第二絕緣膜為有機材料。
47.根據(jù)權利要求26所述的方法，其中所述第二絕緣膜具有隆起表面。
48.根據(jù)權利要求26所述的方法，其中所述反射電極具有隆起表面。
49.一種用于制造液晶顯示器件的方法，包括使用第一掩模形成具有第一透明導電層和第二不透明第二導電層的柵極圖案，該柵極圖案包括像素電極、柵極和選通線；使用第二掩模在所述柵極圖案上形成第一絕緣膜和半導體層，以及具有存儲上電極、漏極、源極、數(shù)據(jù)線的源極/漏極圖案；使用第三掩模在透射區(qū)域中形成暴露出所述像素電極的所述第一導電層的透射孔；使用第四掩模在所述源極/漏極圖案上形成第二絕緣膜；以及使用第五掩模在反射區(qū)域中形成反射電極，該反射電極通過所述透射孔將所述像素電極與所述漏極和所述存儲電極相連。
50.根據(jù)權利要求49所述的方法，其中所述半導體層與所述數(shù)據(jù)線交疊。
51.根據(jù)權利要求49所述的方法，其中形成所述透射孔的步驟還包括形成覆蓋所述源極/漏極圖案的第三絕緣膜。
52.根據(jù)權利要求51所述的方法，其中所述透射孔從第三絕緣膜穿透到所述像素電極的第二導電層。
53.根據(jù)權利要求49所述的方法，還包括使用所述第一掩模形成雙層選通焊盤，該選通焊盤與所述選通線相連；使用所述第一掩模形成雙層數(shù)據(jù)焊盤，該數(shù)據(jù)焊盤與所述數(shù)據(jù)線相連；使用所述第三掩模形成暴露出選通焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的第一導電層的第一和第二接觸孔；以及使用第四掩模去除所述選通焊盤和所述數(shù)據(jù)焊盤的焊盤區(qū)域中的第二絕緣膜。
54.根據(jù)權利要求49所述的方法，還包括使用所述第一掩模形成雙層數(shù)據(jù)傳輸器，該數(shù)據(jù)傳輸器從所述數(shù)據(jù)焊盤延伸；使用所述第三掩模形成暴露出所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)傳輸器的第三和第四接觸孔；使用所述第四掩模將所述第三和第四接觸孔延伸到所述絕緣膜；以及使用所述第五掩模形成第一接觸電極，以通過所述第三和第四接觸孔連接所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)傳輸器。
55.根據(jù)權利要求49所述的方法，還包括形成靜電放電裝置，該靜電放電裝置具有與所述數(shù)據(jù)線和選通線之一相連的第二薄膜晶體管；以二極管的方式連接在所述第二薄膜晶體管的柵極和源極之間的第三薄膜晶體管；以及以二極管的方式連接在所述第二薄膜晶體管的柵極和漏極之間的第四薄膜晶體管。
56.根據(jù)權利要求55所述的方法，其中形成所述靜電放電裝置的步驟包括使用所述第一掩模形成所述第二到第四薄膜晶體管的柵極；使用所述第二掩模在所述柵極絕緣膜上形成所述半導體層、所述第二到第四晶體管的源極和漏極；使用所述第三掩模形成第五到第十接觸孔；使用所述第四掩模將所述第五到第十接觸孔延伸到所述第二絕緣膜；以及使用所述第五掩模形成第二到第四接觸電極。
57.根據(jù)權利要求56所述的方法，其中所述第五和第六接觸孔暴露所述第三薄膜晶體管的柵極和源極。
58.根據(jù)權利要求56所述的方法，其中所述第七和第八接觸孔暴露所述第三或第四薄膜晶體管的漏極以及所述第二薄膜晶體管的柵極。
59.根據(jù)權利要求56所述的方法，其中所述第九和第十接觸孔暴露所述第四薄膜晶體管的源極和漏極。
60.根據(jù)權利要求56所述的方法，其中所述第二接觸電極通過所述第五和第六接觸孔與所述第三薄膜晶體管的柵極和源極相連。
61.根據(jù)權利要求56所述的方法，其中所述第三接觸電極通過所述第七和第八接觸孔連接所述第三或第四薄膜晶體管的漏極以及所述第二薄膜晶體管的柵極。
62.根據(jù)權利要求56所述的方法，其中所述第四接觸電極通過所述第九和第十接觸孔連接所述第四薄膜晶體管的柵極和源極。
63.根據(jù)權利要求56所述的方法，其中所述第一到第四接觸電極形成在密封劑區(qū)域中。
64.根據(jù)權利要求56所述的方法，其中所述反射電極和所述第一到第四接觸電極由AlNd和Mo形成。
65.根據(jù)權利要求49所述的方法，其中所述第二絕緣膜是有機材料。
66.根據(jù)權利要求49所述的方法，其中所述第二絕緣膜具有隆起表面。
67.根據(jù)權利要求49所述的方法，其中所述反射電極具有隆起表面。
68.一種液晶顯示器件，其包括；選通線；所述選通線上的柵極絕緣膜；與所述選通線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；開關元件；像素電極；存儲電容器，包括存儲上電極，該存儲上電極沿所述數(shù)據(jù)線的方向與所述選通線的一半以上交疊；以及將所述開關元件與所述像素電極相連的反射電極。
69.一種用于制造液晶顯示器件的方法，包括形成包括第一透明導電層的選通線；在所述選通線上形成柵極絕緣層；形成與所述選通線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；形成與所述選通線和所述數(shù)據(jù)線相連的薄膜晶體管；形成具有第二透明導電層的像素電極；形成包括與所述選通線交疊的存儲上電極的存儲電容器；形成暴露出所述像素電極的第二透明導電層的至少一部分的透射孔；以及形成將所述像素電極與所述薄膜晶體管和所述存儲上電極相連的反射電極。
全文摘要
透反射式液晶顯示器件及其制造方法。提供了一種液晶顯示器件，其包括選通線；該選通線上的第一絕緣膜；與該選通線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線，該像素區(qū)域具有透射區(qū)域和反射區(qū)域；與所述選通線和所述數(shù)據(jù)線相連的薄膜晶體管；形成在所述像素區(qū)域中的像素電極；所述薄膜晶體管上的第二絕緣膜；包括與所述選通線交疊的存儲上電極的存儲電容器；暴露出所述像素電極的至少一部分的透射孔；以及形成在所述像素區(qū)域的反射區(qū)域中的反射電極，該反射電極將像素電極與薄膜晶體管和存儲上電極相連，其中該選通線和像素電極包括第一透明導電層。
文檔編號G02F1/1335GK1707341SQ20051007854
公開日2005年12月14日 申請日期2005年6月6日 優(yōu)先權日2004年6月5日
發(fā)明者安炳喆, 鄭泰容, 李志瑙, 郭喜榮 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社