專(zhuān)利名稱(chēng)：導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種適用于顯示裝置的銅導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)及其制造方法，其可改善薄膜覆蓋度(film coverage)并簡(jiǎn)化工藝。
背景技術(shù)：
典型的液晶顯示器包括一薄膜晶體管(thin-film transistor，TFT)基板、一濾光片(color filter，CF)基板、以及位于薄膜晶體管基板與濾光片基板之間的液晶層。薄膜晶體管基板包含了多個(gè)由數(shù)據(jù)線(xiàn)與掃描線(xiàn)所構(gòu)成的像素以及由多個(gè)電子元件所構(gòu)成的像素驅(qū)動(dòng)電路，例如薄膜晶體管及電容。在傳統(tǒng)的技術(shù)中，連接薄膜晶體管的導(dǎo)線(xiàn)(數(shù)據(jù)線(xiàn)及掃描線(xiàn))所用的材料為鋁、鉻、鉬、或鎢，其中由于鋁具有較高的導(dǎo)電度，通常被用作柵極線(xiàn)(掃描線(xiàn))。然而，隨著液晶顯示器尺寸增加及分辨率的提高，信號(hào)延遲效應(yīng)(resistance-capacitance RC delay effect)必須進(jìn)一步改善之。因此，近來(lái)制造者以銅取代鋁金屬作為液晶顯示器導(dǎo)線(xiàn)材料有增加的趨勢(shì)，因?yàn)殂~的導(dǎo)電度高于鋁。
然而，銅難以蝕刻且不易控制銅導(dǎo)線(xiàn)邊緣斜度(taper angle)，導(dǎo)致后續(xù)薄膜沉積的覆蓋度(coverage)降低。再者，銅易與硅反應(yīng)而形成銅硅化物(如Cu3Si)，影響元件的電特性。再者，銅原子易于氧化硅中擴(kuò)散，使元件具有較高的漏電流。再者，銅金屬層與下方的玻璃基板之間的接合強(qiáng)度(adhesion strength)不佳。因此，以銅金屬來(lái)制作導(dǎo)線(xiàn)時(shí)，增加工藝?yán)щy度及降低元件的電特性及可靠度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)及其制造方法，其通過(guò)一感旋光性保護(hù)層來(lái)控制金屬層邊緣的斜度(taper angle)，藉以改善薄膜覆蓋度(filmcoverage)。再者，通過(guò)阻擋層來(lái)增加導(dǎo)線(xiàn)與基板的接合強(qiáng)度并防止導(dǎo)線(xiàn)中原子的擴(kuò)散。再者，其通過(guò)鑲嵌工藝來(lái)制備金屬導(dǎo)線(xiàn)，以避免金屬不易蝕刻的問(wèn)題。
本發(fā)明的一實(shí)施例在于提供一種導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)，其包括一透明基板、一阻擋層、一金屬層、及一感旋光性保護(hù)層。阻擋層設(shè)置于透明基板上。金屬層設(shè)置于阻擋層上，而感旋光性保護(hù)層設(shè)置于阻擋層上，并形成于金屬層的二側(cè)。
本發(fā)明的另一實(shí)施例在于提供一種導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法。于一透明基板上形成一阻擋層。于阻擋層上形成一感旋光性材料圖案層，其具有一開(kāi)口而露出阻擋層。于開(kāi)口中形成一金屬層，并選擇性移除感旋光性材料圖案層，以在金屬層的二側(cè)形成一感旋光性保護(hù)層。移除未被感旋光性保護(hù)層及金屬層所覆蓋的阻擋層。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下配合附圖以及優(yōu)選實(shí)施例，以更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。


圖1A至1E為繪示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法剖面示意圖。
圖2A至2F為繪示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法剖面示意圖。
簡(jiǎn)單符號(hào)說(shuō)明100、200～導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)；101、201～透明基板；102、202～第一阻擋層；103、203～黏著層；104～感旋光性材料層；105～光掩模；105a、105b、105c～透光區(qū)域；106、206～感旋光性材料圖案層；106a～第一部分；106b～第二部分；106c、206a～開(kāi)口；108、208～金屬層；110、210～第二阻擋層；112、214～感旋光性保護(hù)層；211～光致抗蝕劑層；213～蝕刻保護(hù)層。
具體實(shí)施例方式
圖1E為繪示出本發(fā)明第一實(shí)施例的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)100的剖面示意圖。此導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)100可適用于顯示裝置中，例如液晶顯示裝置、電激發(fā)光顯示裝置或其它平面顯示裝置，其顯示裝置包括一透明基板101、第一及第二阻擋層102及110、一金屬層108以及一感旋光性保護(hù)層112。在本實(shí)施例中，第一阻擋層102設(shè)置于透明基板101上，且其材料可為導(dǎo)電材料，舉例而言，第一阻擋層102的材料可選自鉬(Mo)、鎢(W)、鉬鎢合金(MoW)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鈦鎢合金(TiW)、銠(Rh)、錸(Re)、釕(Ru)或鈷(Co)。在另一實(shí)施例中，第一阻擋層102亦可為非導(dǎo)電材料且可選自有機(jī)聚合物或無(wú)機(jī)物質(zhì)(如SiC、SiN、金屬氧化物或其它材料)。金屬層108，例如銅金屬層，設(shè)置于第一阻擋層102上。另外，可在第一阻擋層102與金屬層108之間選擇性設(shè)置一黏著層103，其材料可選自金屬氧化物、金屬氮化物、金屬或其組合。該金屬氧化物，例如銦錫氧化物(indiumtin oxide，ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO)層、鋁鋅氧化物(aluminum-doped zinc oxide，AZO)、鎘鋅氧化物(cadmium tin oxide，CTO)或其它金屬氧化物。該金屬氮化物，例如氮化鉭(tantalum nitride，TaN)、氮化鈦(titanium nitride，TiN)或其它的金屬氮化物。該金屬，例如鉭(tantalum，Ta)、鈦(titanium，Ti)或其它金屬。在本實(shí)施例中，第二阻擋層110則設(shè)置于金屬層108上，且其材料可為導(dǎo)電材料，舉例而言，第二阻擋層110的材料可選自鈷、鎳(Ni)或含有上述至少一種金屬的合金。在另一實(shí)施例中，第二阻擋層110亦可為非導(dǎo)電材料。第一及第二阻擋層102及110及位于兩者之間的金屬層108構(gòu)成一復(fù)合導(dǎo)線(xiàn)層。感旋光性保護(hù)層112設(shè)置于第一阻擋層102上，并形成于金屬層108的二側(cè)側(cè)壁。感旋光性保護(hù)層112可為一低介電材料，且其介電常數(shù)范圍大約為2.7至3.4。在本實(shí)施例中，感旋光性保護(hù)層112包括一含氮的硅氧化合物，例如PS-MSZ(photosensitive-methylsilazane)或其它類(lèi)似性質(zhì)的化合物。
以下配合圖1A至1E說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施例的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法剖面示意圖。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D1A，提供一透明基板101，例如一玻璃基板。接著，在清洗透明基板101之后，依序在透明基板101上形成第一阻擋層102及感旋光性材料層104。在本實(shí)施例中，第一阻擋層102可通過(guò)濺射法(physical vapor deposition，PVD)形成、化學(xué)氣相沉積法(chemical vapordeposition，CVD)形成或旋轉(zhuǎn)涂布方法(spin-on)形成之，其厚度范圍大約為20納米(nm)至200納米。第一阻擋層102用以加強(qiáng)透明基板101與后續(xù)金屬導(dǎo)線(xiàn)之間的接合強(qiáng)度(adhesion strength)。另外，可于形成感旋光性材料層104之前，在第一阻擋層102上選擇性形成一黏著層(adhesion layer)103，用以再加強(qiáng)第一阻擋層102與后續(xù)金屬導(dǎo)線(xiàn)之間的接合強(qiáng)度(adhesionstrength)，而黏著層103的材料，可包括金屬氧化物、金屬氮化物、金屬或其組合。感旋光性材料層104包括一低介電材料，例如PS-MSZ或其它類(lèi)似性質(zhì)的化合物。
接著，通過(guò)一光掩模105，例如半透光掩模(half-tone mask)或柵狀光掩模(slit-pattern mask)，對(duì)感旋光性材料層104實(shí)施一光刻工藝，以在黏著層103上形成一感旋光性材料圖案層106，其具有露出黏著層103的一開(kāi)口106c，用以定義一導(dǎo)線(xiàn)區(qū)，如圖1B所示。由于光掩模105具有三個(gè)不同透光度的透光區(qū)域105a、105b、及105c，使得感旋光性材料圖案層106具有一第一部份106a與開(kāi)口106c相鄰及自第一部份106a側(cè)向延伸的一第二部份106b，其中第一部分106a的厚度較厚于第二部分106b。舉例而言，對(duì)應(yīng)于開(kāi)口106c的透光區(qū)域105a的透光度高于對(duì)應(yīng)于第二部份106b的透光區(qū)域105c，而透光區(qū)域105c的透光度高于對(duì)應(yīng)于第一部份106a的透光區(qū)域105b。此處，第一部分106a的厚度范圍大約為1000納米至3000納米，而第二部分106b的厚度小于2500納米。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1C，于開(kāi)口106c中形成作為導(dǎo)線(xiàn)的一金屬層108，例如銅金屬層，以利用鑲嵌方式解決銅金屬不易蝕刻的問(wèn)題。銅金屬層108依照第一阻擋層102的導(dǎo)電與否來(lái)決定形成方法。若第一阻擋層102的材料選用導(dǎo)電材料，銅金屬層108使用電化學(xué)鍍法形成，若第一阻擋層102的材料選用非導(dǎo)電材料，銅金屬層108使用無(wú)電電鍍法或化學(xué)電鍍法形成。舉例而言，第一阻擋層102為導(dǎo)電材料，銅金屬層108通過(guò)電化學(xué)鍍法形成之，且其厚度小于感旋光性材料圖案層106的一第一部份106a。如之前所述，銅易與硅反應(yīng)或易于氧化硅中擴(kuò)散。另外，露出的銅金屬由于反應(yīng)性強(qiáng)，而易于后續(xù)的化學(xué)沉積工藝及干式蝕刻工藝中污染工藝機(jī)器。因此，需在銅金屬層108上方形成一阻擋層。在本實(shí)施例中，通過(guò)電化學(xué)鍍法在銅金屬層108上形成一第二阻擋層110。第二阻擋層110包括鈷、鎳或含有上述至少一種金屬的合金，且其厚度范圍大約為5納米至50納米。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D1D，選擇性移除感旋光性材料圖案層106，以在金屬層108的二側(cè)側(cè)壁形成一感旋光性保護(hù)層112并露出黏著層103。在本實(shí)施例中，感旋光性保護(hù)層112可通過(guò)干式蝕刻具有不同厚度的感旋光性材料圖案層106形成之。此處，感旋光性保護(hù)層112具有漸細(xì)(taper)輪廓，且其上表面大體切齊第二阻擋層110的上表面。具有漸細(xì)輪廓的感旋光性保護(hù)層112，可改善薄膜覆蓋度而提高工藝成品率。
最后，請(qǐng)參照?qǐng)D1E，利用感旋光性保護(hù)層112及第二阻擋層110作為蝕刻掩模來(lái)移除露出的黏著層103及其下方的第一阻擋層102，以完成導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)100的制作。
以下配合圖2A至2F說(shuō)明本發(fā)明第二實(shí)施例的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法剖面示意圖。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D2A，提供一透明基板201，例如一玻璃基板。接著，在清洗透明基板201之后，在透明基板201上形成第一阻擋層202，其材料可為導(dǎo)電材料，舉例而言，第一阻擋層202的材料可選自鉬、鎢、鉬鎢合金、鉻、鉭、鈦、氮化鈦、鈦鎢合金、銠、錸、釕或鈷。在另一實(shí)施例中，第一阻擋層202亦可為非導(dǎo)電材料且可選自有機(jī)聚合物或無(wú)機(jī)物質(zhì)(如SiC、SiN、金屬氧化物或其它材料)。在本實(shí)施例中，第一阻擋層202可通過(guò)濺射法形成(PVD)形成、化學(xué)氣相沉積法(CVD)形成或旋轉(zhuǎn)涂布方法(spin-on)形成之，其厚度范圍大約為20納米至200納米。第一阻擋層202，用以加強(qiáng)透明基板201與后續(xù)金屬導(dǎo)線(xiàn)之間的接合強(qiáng)度(adhesion strength)。另外，可在第一阻擋層202上選擇性形成一黏著層203，而黏著層203的材料，可包括金屬氧化物、金屬氮化物、金屬或其組合，以進(jìn)一步提升接合強(qiáng)度。該金屬氧化物，例如銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、銦鋅氧化物(indiumzinc oxide，IZO)層、鋁鋅氧化物(aluminum-doped zinc oxide，AZO)、鎘鋅氧化物(cadmium tin oxide，CTO)或其它金屬氧化物。該金屬氮化物，例如氮化鉭(tantalum nitride，TaN)、氮化鈦(titanium nitride，TiN)或其它的金屬氮化物。該金屬，例如鉭(tantalum，Ta)、鈦(titanium，Ti)或其它金屬。接著，在黏著層203上形成一感旋光性材料圖案層206，其具有露出黏著層203的一開(kāi)口206a，用以定義一導(dǎo)線(xiàn)區(qū)。感旋光性材料圖案層206包括一低介電材料，例如PS-MSZ或其它類(lèi)似性質(zhì)的化合物。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2B，于開(kāi)口206a中形成作為導(dǎo)線(xiàn)的一金屬層208，例如銅金屬層。銅金屬層208可依照第一阻擋層202的導(dǎo)電與否來(lái)決定形成方法。若第一阻擋層202的材料選用導(dǎo)電材料，銅金屬層208使用電化學(xué)鍍法形成，若第一阻擋層202的材料選用非導(dǎo)電材料，銅金屬層208使用無(wú)電電鍍法或化學(xué)電鍍法形成。舉例而言，第一阻擋層202為導(dǎo)電材料，銅金屬層208通過(guò)電化學(xué)鍍法形成之，且其厚度小于感旋光性材料圖案層206。接著，在銅金屬層208上形成一第二阻擋層210，在本實(shí)施例中，可通過(guò)電化學(xué)鍍法在銅金屬層208上形成一第二阻擋層210。第二阻擋層210包括鈷、鎳或含有上述至少一種金屬的合金，且其厚度范圍大約為5納米至50納米。此處，感旋光性材料圖案層206的上表面大體切齊第二阻擋層210的上表面。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D2C，于感旋光性材料圖案層206上涂覆一光致抗蝕劑層211，并覆蓋金屬層208上方的第二阻擋層210。之后，圖案化光致抗蝕劑層211，以形成一蝕刻保護(hù)層213，其覆蓋第二阻擋層210并局部覆蓋金屬層208的二側(cè)的感旋光性材料圖案層206，如圖2D所示。
接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D2E，移除未被蝕刻保護(hù)層213覆蓋的感旋光性材料圖案層206，以在金屬層208的二側(cè)側(cè)壁形成一具有漸細(xì)輪廓的感旋光性保護(hù)層214并露出黏著層203。
最后，請(qǐng)參照?qǐng)D2F，在去除蝕刻保護(hù)層213之后，可利用感旋光性保護(hù)層214及第二阻擋層210作為蝕刻掩模來(lái)移除露出的黏著層203及其下方的第一阻擋層202，以完成導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)200的制作。
由于銅導(dǎo)線(xiàn)以電化學(xué)鍍法形成之，相較于濺射法而言，可有效降低制作成本。再者，銅導(dǎo)線(xiàn)上下方具有阻擋層，可改善銅金屬與下方玻璃基板及上方柵極介電層(氮化硅)之間的接合強(qiáng)度并防止銅氧化、擴(kuò)散、形成硅化物、及污染工藝機(jī)器。再者，銅導(dǎo)線(xiàn)兩側(cè)形成有具斜度的感旋光性保護(hù)層，可改善薄膜覆蓋度。因此，根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)可簡(jiǎn)化工藝、降低制作成本，并增加元件的可靠度。
雖然本發(fā)明以?xún)?yōu)選實(shí)施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)，包括一透明基板；一第一阻擋層，設(shè)置于該透明基板上；一金屬層，設(shè)置于該第一阻擋層上；以及一感旋光性保護(hù)層，設(shè)置于該第一阻擋層上，并形成于該金屬層的二側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)，其中該第一阻擋層包括導(dǎo)電材料且選自鉬、鎢、鉬鎢合金、鉻、鉭、鈦、氮化鈦、鈦鎢合金、銠、錸、釕或鈷。
3.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)，其中該第一阻擋層包括非導(dǎo)電材料。
4.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)，還包括一第二阻擋層，設(shè)置于該金屬層上。
5.如權(quán)利要求4所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)，其中該第二阻擋層包括鈷、鎳或含有上述至少一種金屬的合金。
6.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)，其中該金屬層為一銅金屬層。
7.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)，其中該感旋光性保護(hù)層包括一低介電材料，且其介電常數(shù)范圍大約為2.7至3.4。
8.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)，其中該感旋光性保護(hù)層包括一含氮的硅氧化合物。
9.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)，會(huì)包括一黏著層，設(shè)置于該第一阻擋層與該感旋光性保護(hù)層之間。
10.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)，其中該黏著層包括金屬氧化物、金屬氮化物、金屬或其組合。
11.一種顯示裝置，包括如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)。
12.一種導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，包括形成一第一阻擋層于一透明基板上；形成一感旋光性材料圖案層于該第一阻擋層上，其具有一開(kāi)口而露出該第一阻擋層；形成一金屬層于該開(kāi)口中；選擇性移除該感旋光性材料圖案層，以在該金屬層的二側(cè)形成一感旋光性保護(hù)層；以及移除未被該感旋光性保護(hù)層及該金屬層所覆蓋的該第一阻擋層。
13.如權(quán)利要求12所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該感旋光性材料圖案層的形成，包括形成一感旋光性材料層于該第一阻擋層上；以及圖案化該感旋光性材料層，以在其中形成該開(kāi)口；其中該感旋光性材料圖案層具有一第一部份與該開(kāi)口相鄰及自該第一部份側(cè)向延伸的一第二部份，且該第一部分的厚度較厚于該第二部分。
14.如權(quán)利要求13所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第一部分的厚度范圍大約為1000納米至3000納米。
15.如權(quán)利要求13所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第二部分的厚度小于2500納米。
16.如權(quán)利要求12所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該金屬層利用電化學(xué)鍍法形成于該開(kāi)口中。
17.如權(quán)利要求12所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該感旋光性材料圖案層通過(guò)一半透光掩?；驏艩罟庋谀Ｐ纬芍?br> 18.如權(quán)利要求12所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第一阻擋層的厚度范圍大約為20納米至200納米。
19.如權(quán)利要求12所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第一阻擋層包括導(dǎo)電材料且選自于鉬、鎢、鉬鎢合金、鉻、鉭、鈦、氮化鈦、鈦鎢合金、銠、錸、釕或鈷。
20.如權(quán)利要求12所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第一阻擋層包括非導(dǎo)電材料。
21.如權(quán)利要求12所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，還包括形成一第二阻擋層在該金屬層上。
22.如權(quán)利要求21所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第二阻擋層的厚度范圍大約為5納米至50納米。
23.如權(quán)利要求21所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第二阻擋層包括鈷、鎳或含有上述至少一種金屬的合金。
24.如權(quán)利要求21所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第二阻擋層利用電化學(xué)鍍法形成于該金屬層上。
25.如權(quán)利要求12所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該金屬層為一銅金屬層。
26.如權(quán)利要求12所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該感光材料圖案層包括一低介電材料，且其介電常數(shù)范圍大約為2.7至3.4。
27.如權(quán)利要求12所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該感旋光性保護(hù)層包括一含氮的硅氧化合物。
28.如權(quán)利要求12所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中選擇性移除該感旋光性材料圖案層，包括形成一光致抗蝕劑層于該感旋光性材料圖案層上，并覆蓋該金屬層；圖案化該光致抗蝕劑層，以形成一蝕刻保護(hù)層，其覆蓋該金屬層并局部覆蓋該金屬層的二側(cè)的該感旋光性材料圖案層；以及移除未被該蝕刻保護(hù)層覆蓋的該感旋光性材料圖案層。
29.如權(quán)利要求28所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，還包括形成一第二阻擋層在該金屬層上。
30.如權(quán)利要求29所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第二阻擋層的厚度范圍大約為5至50納米。
31.如權(quán)利要求29所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第二阻擋層包括鈷、鎳或含有上述至少一種金屬的合金。
32.如權(quán)利要求29所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第二阻擋層利用電化學(xué)鍍法形成于該金屬層上。
33.如權(quán)利要求12所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，還包括在該第一阻擋層與該感旋光性材料圖案層之間形成一黏著層。
34.如權(quán)利要求33所述的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該黏著層包括金屬氧化物、金屬氮化物、金屬或其組合。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種適用于顯示裝置的導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)。導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)包括一透明基板、一第一阻擋層、一金屬層、以及一感旋光性保護(hù)層。第一阻擋層設(shè)置于透明基板上。金屬層設(shè)置于第一阻擋層上，而感旋光性保護(hù)層設(shè)置于第一阻擋層上，并形成于金屬層的二側(cè)。本發(fā)明亦揭示一種導(dǎo)線(xiàn)結(jié)構(gòu)的制造方法。
文檔編號(hào)G02F1/133GK1687823SQ200510072718
公開(kāi)日2005年10月26日 申請(qǐng)日期2005年5月17日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月17日
發(fā)明者蔡增光, 黃國(guó)有, 林惠芬, 劉佑瑋 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司