專利名稱：顯示裝置及顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置及顯示裝置的制造方法，特別涉及一種用于有源矩陣式液晶顯示裝置等顯示裝置的電極(包括布線)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在液晶顯示裝置領(lǐng)域，因?yàn)榕c其他金屬相比價(jià)格較低，且與SiNx等膜的密合性良好，所以，Al常被用作布線材料。
另外，在液晶顯示裝置領(lǐng)域，作為透明電極的材料，例如，常使用ITO(indium tin oxide氧化銦錫)等以氧化銦為主要成分的膜。
并且，在以往的液晶顯示裝置中，例如，作為部分透射型的液晶顯示裝置的反射電極，或液晶顯示裝置的連接端子電極，有時(shí)采用Al膜/ITO膜的2層電極結(jié)構(gòu)。
但是，會產(chǎn)生以下問題在使以Al為主要成分的膜(Al膜或Al合金膜)和ITO膜電接觸的狀態(tài)下，暴露在堿性顯影液中時(shí)，由氧化還原電位的關(guān)系而發(fā)生電池反應(yīng)，Al溶解到堿性顯影液中，與此同時(shí)，ITO膜的氧化銦和氧化錫被還原，ITO膜溶解。
即，例如，如果Al膜/ITO膜的2層電板結(jié)構(gòu)是部分透射型的液晶顯示裝置的反射電極，則由于ITO膜的溶解，液晶顯示板發(fā)生亮點(diǎn)缺陷，從而降低合格率。
作為用于解決該問題的方法，已知在下述專利文獻(xiàn)1～3中所公開的方法。
在上述專利文獻(xiàn)1中，公開了下述方法在形成了保護(hù)金屬膜(Mo系或Ti系)，使得覆蓋整個(gè)ITO膜之后，通過形成1層Al膜，使電極結(jié)構(gòu)成為Al膜/保護(hù)膜(Mo系或Ti系)/ITO膜這樣的3層結(jié)構(gòu)，通過該保護(hù)膜，能夠在形成Al膜之后的光刻步驟中，抑制顯影液透過Al的針孔等，使ITO膜溶解的現(xiàn)象。
另外，在上述專利文獻(xiàn)2中，公開了下述方法通過在ITO膜的上面，依次層疊由Al-W合金或Al-Mo合金形成的保護(hù)層、Al膜，使電極結(jié)構(gòu)成為Al膜/保護(hù)層(Al-W合金或Al-Mo合金)/ITO膜這樣的3層結(jié)構(gòu)，通過該保護(hù)層，能夠在形成Al膜之后的光刻步驟中，抑制顯影液透過Al的針孔等，使ITO膜溶解的現(xiàn)象。
另外，在上述專利文獻(xiàn)3中，公開了下述方法通過在ITO膜的上面，依次層疊Al膜、AlOx膜，使電極結(jié)構(gòu)成為AlOx膜/Al膜/ITO膜這樣的3層結(jié)構(gòu)，通過表面的AlOx膜，能夠在形成AlOx膜之后的光刻步驟中，抑制顯影液透過Al的針孔等，使ITO膜溶解的現(xiàn)象。
并且，作為成膜的方法，公開了以下的2種方法。(A)在以Al為靶采用濺射法形成Al膜之后，以包括氧元素的Al為靶采用濺射法形成AlOx膜。(B)以Al為靶，一邊把氧緩緩添加到處理氣體中的Ar氣中，一邊采用濺射法形成Al膜和AlOx膜。
作為與本申請相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)，有以下的文獻(xiàn)[專利文獻(xiàn)1]日本特開平11-281993號公報(bào)；[專利文獻(xiàn)2]日本特開2000-180882號公報(bào)；[專利文獻(xiàn)3]日本特開2000-216158號公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容
在上述專利文獻(xiàn)1中，記載了通過形成保護(hù)金屬膜，能夠抑制顯影液到達(dá)ITO膜，但是本申請的發(fā)明者通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，上述專利文獻(xiàn)1中記載的方法，其抑制效果不明顯。
另外，上述的專利文獻(xiàn)2所述的方法，有如下問題為了形成材料不同的2層Al層(即Al合金層和Al層)，需要形成由Al-W合金或Al-Mo合金構(gòu)成的保護(hù)層的成膜室，和形成Al層的成膜室這樣的2個(gè)成膜室，導(dǎo)致成膜裝置的成本增加。
另外，上述的專利文獻(xiàn)3所述的(A)方法，有如下問題為了形成靶(材料)不同的2層Al層(即Al膜和AlOx膜)，與上述的專利文獻(xiàn)2所述的方法相同，需要2個(gè)成膜室，導(dǎo)致成膜裝置的成本增加。
并且，上述的專利文獻(xiàn)3所述的(B)方法，有如下問題通過向處理氣體中添加氧，每進(jìn)行一次處理，作為靶的Al將漸漸被氧化，由于無法形成Al膜，所以，不能用于大量生產(chǎn)。
本發(fā)明正是為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題而完成的，本發(fā)明的目的在于，提供一種不增加成膜裝置的成本，就能防止由透明導(dǎo)電膜的電池反應(yīng)引起的劣化的顯示裝置及顯示裝置的制造方法。
本發(fā)明的上述以及其他目的和新特征，由本說明書的敘述和附圖來明確。
如果簡單地說明在本申請所公開的發(fā)明中，有代表性的技術(shù)的概要，則如下所述。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種顯示裝置，其特征在于，包括由以氧化銦為主要成分的透明導(dǎo)電膜形成的第1導(dǎo)電層；形成在上述第1導(dǎo)電層的上面的導(dǎo)電性的基底層；在上述基底層的上面由以Al為主要成分的膜形成的第2導(dǎo)電層；以及在上述第2導(dǎo)電層的上面由與上述第2導(dǎo)電層相同的材料形成的第3導(dǎo)電層。
另外，本發(fā)明提供一種顯示裝置的制造方法，所述顯示裝置包括由以氧化銦為主要成分的透明導(dǎo)電膜形成的第1導(dǎo)電層，形成在上述第1導(dǎo)電層的上面的導(dǎo)電性的基底層，以及在上述基底層的上面由以Al為主要成分的膜形成的第2導(dǎo)電層，所述制造方法的特征在于形成了在上述第2導(dǎo)電層的上面由與上述第2導(dǎo)電層相同的材料形成的第3導(dǎo)電層之后，用堿性的顯影液進(jìn)行光刻。
另外，本發(fā)明的特征在于在上述第2導(dǎo)電層與上述第3導(dǎo)電層之間的界面上，晶界的位置不連續(xù)。
另外，在本發(fā)明中，上述基底層，優(yōu)選為以Mo、Ti、Ta中的任意一個(gè)為主要成分的膜。
并且，在本發(fā)明的一種形式中，上述第3導(dǎo)電層，被用作反射電極。
如果簡單地說明由在本申請所公開的發(fā)明中有代表性的技術(shù)所取得的效果，則如下所述。
通過本發(fā)明的顯示裝置和顯示裝置的制造方法，不增加成膜裝置的成本，就能防止由透明導(dǎo)電膜的電池反應(yīng)引起的劣化。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示裝置的要部剖面結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖2A～圖2E是用于說明本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造過程的圖。
圖3A～圖3C是用于說明本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造過程的圖。
圖4A～圖4C是用于說明本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造過程的圖。
圖5A～圖5C是用于說明本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造過程的圖。
圖6A～圖6C是用于說明本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造過程的圖。
圖7A～圖7C是用于說明本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造過程的圖。
圖8A和圖8B是用于說明本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示裝置的各反射電極上所形成的晶界的圖。
圖9A和圖9B是用于說明本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示裝置的反射電極上所形成的光致抗蝕劑膜的顯影步驟的圖。
圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示裝置的各反射電極上所形成的晶界的照片。
圖11A和圖11B是用于說明在上述專利文獻(xiàn)1中記載的、在保護(hù)金屬膜和反射電極之間形成的晶界的圖。
圖12A和圖12B是用于說明在上述專利文獻(xiàn)1中記載的、在反射電極上形成的光致抗蝕劑膜的顯影步驟的圖。
圖13是表示在以往的液晶顯示裝置的反射電極之間所形成的晶界的照片。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖詳細(xì)說明將本發(fā)明應(yīng)用于部分透射型的液晶顯示裝置的反射電極的實(shí)施例。
在用于說明實(shí)施例的所有圖中，具有同一功能的部分賦予同一符號，省略其反復(fù)的說明。
圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示裝置的要部剖面結(jié)構(gòu)的剖面圖。
在該圖中，標(biāo)號1是玻璃基板，標(biāo)號2是基底層，標(biāo)號3是多晶硅層，標(biāo)號4是柵極絕緣膜，標(biāo)號5是柵極電極，標(biāo)號6、8是絕緣膜，標(biāo)號7是源極/漏極電極，標(biāo)號9是透明電極(ITO膜)，標(biāo)號10是外敷層(over coat)(有機(jī)絕緣膜)，標(biāo)號11是第1層反射電極，標(biāo)號12是第2層反射電極，標(biāo)號13是第3層反射電極。另外，在該圖或后述的圖7C、圖8A、圖11A中，A是有源元件部，B是像素部。
本實(shí)施例的液晶顯示裝置，是將薄膜晶體管(TFTThin FilmTransistor)用作有源元件的有源矩陣式液晶顯示裝置，薄膜晶體管的溝道層，由多晶硅構(gòu)成。
如上所述，因?yàn)楸緦?shí)施例的液晶顯示裝置為部分透射型，所以，具有由ITO膜構(gòu)成的透明電極9，和與該透明電極9電連接的反射電極。
在本實(shí)施例中，該反射電極由下述反射電極構(gòu)成由Mo合金膜形成的第1層反射電極11，由Al合金膜形成的第2層反射電極12，由與第2層反射電極12相同的材料(這里為Al合金膜)形成的第3層反射電極13。
即，本發(fā)明的特征在于，電極結(jié)構(gòu)是下述的4層結(jié)構(gòu)第3層反射電極(Al合金膜)13/第2層反射電極(Al合金膜)12/第1層反射電極(Mo合金膜)11/透明電極(ITO膜)9。
由此，在本實(shí)施例中，在第2層反射電極12和第3層反射電極13之間的界面上，形成不連續(xù)的晶界，能夠在后述的光刻步驟防止堿性顯影液的浸入，從而能夠防止作為下側(cè)的透明電極9的ITO膜的溶解。
以下，說明本實(shí)施例的液晶顯示裝置的制造過程。
在玻璃基板1上，為了防止來自玻璃的Na污染，形成基底層2，并且，在其上形成非晶硅膜20(參照圖2A)。
這里，基底層2為第1層是氮化硅膜，第2層是氧化硅膜這樣的2層結(jié)構(gòu)。
接著，由準(zhǔn)分子激光退火(ELA)裝置，使非晶硅膜20結(jié)晶成多晶硅層3(參照圖2B)。
接著，通過光蝕刻，將多晶硅層3加工成島狀(參照圖2C)，并在其上形成柵極絕緣膜4(參照圖2D)。
接著，作為自對準(zhǔn)LDD層形成步驟，在形成柵極電極膜21后(參照圖2E)，通過光蝕刻形成柵極電極5。此時(shí)，保留抗蝕劑膜地進(jìn)行1μm左右的側(cè)面蝕刻。
在該狀態(tài)下，通過實(shí)施N離子注入，在多晶硅層3上形成源極/漏極區(qū)域，在除去抗蝕劑膜后(參照圖3A)，利用側(cè)面蝕刻進(jìn)入的柵極電極5，通過進(jìn)行NM離子注入，形成比源極/漏極區(qū)域濃度低的LDD(Lightly Doped Drain輕摻雜漏極)層。
進(jìn)而，形成層間絕緣膜6(參照圖3B)，此后，通過光蝕刻對源極/漏極區(qū)域加工通孔15(參照圖3C)。
接著，形成源極/漏極電極膜22(參照圖4A)，此后，通過光蝕刻來形成源極/漏極電極7(參照圖4B)。此時(shí)，同時(shí)形成未圖示的圖像信號線。
形成了源極/漏極電極7之后，形成保護(hù)絕緣膜8(參照圖4C)，形成用于與透明電極進(jìn)行接觸的通孔(參照圖5A)，此后，進(jìn)行成為透明電極9的ITO膜的成膜和加工(參照圖5B)。該透明電極9是像素電極。
接著，在透明電極9(ITO膜)的上層，以提高光學(xué)特性為目的，形成外敷層(有機(jī)平坦化膜)10(參照圖5C)。在該外敷層10上，形成露出透明電極9的一部分的開口部。
此后，形成成為第1層反射電極11的Mo合金膜23、成為第2層反射電極12的Al合金膜24、成為第3層反射電極13的Al合金膜25(參照圖6A)。
在形成反射電極之后，通過光蝕刻形成反射電極圖形。
即，在形成反射電極之后，在整個(gè)面上形成光致抗蝕劑膜14，在進(jìn)行了曝光之后(參照圖6B、圖6C)，以堿性的顯影液進(jìn)行顯影(參照圖7A)，使光致抗蝕劑膜14成為掩模，對第1層Mo合金膜23、第2層Al合金膜24和第3層Al合金膜25進(jìn)行蝕刻，從而形成第1層反射電極11、第2層反射電極12和第3層反射電極13(參照圖7B)。
之后，除去光致抗蝕劑膜14(參照圖7C)，完成本實(shí)施例的液晶顯示裝置。
圖8A和圖8B是用于說明本實(shí)施例的在各反射電極間形成的晶界的圖。圖8A是表示圖7A所示的光致抗蝕劑膜14的顯影步驟，圖8B是放大顯示圖8A的以圓圈圍住的部分的圖。
如圖8B所示，在本實(shí)施例中，通過分割形成由Al合金膜構(gòu)成的反射電極，成為3層結(jié)構(gòu)，從而在成為第1層反射電極11的Mo合金膜23、成為第2層反射電極12的Al合金膜24、以及成為第3層反射電極13的Al合金膜25上形成晶界。
此時(shí)，在成為第2層反射電極12的Al合金膜24的上層，和成為第3層反射電極13的Al合金膜25的下層的界面上，形成不連續(xù)的晶界，因?yàn)槟軌蛟诠饪滩襟E中，防止該不連續(xù)的晶界浸入堿性的顯影液，所以，能夠防止作為下層的透明電極9的ITO膜的溶解。
以下，用圖9A和圖9B來說明這一點(diǎn)。
在本實(shí)施例中，在連續(xù)形成了第1層反射電極(Mo合金膜)11(23)、第2層反射電極(Al合金層)12(24)、以及第3層反射電極(Al合金層)13(25)之后，為了形成圖形，而由涂敷顯影裝置涂敷光致抗蝕劑膜14，在通過曝光而使之感光之后，由堿性的顯影液制作電極圖形。
此時(shí)，如圖9A所示，在圖7A所示的光致抗蝕劑膜14的顯影步驟中，利用堿性的顯影液，除去光致抗蝕劑膜14的沒有曝光的部分35。
此時(shí)，如圖9B的箭頭C1所示，在第2層反射電極(Al合金膜)12(24)的上層，和第3層反射電極(Al合金膜)13(25)的下層的界面上形成的不連續(xù)的晶界，能夠防止堿性的顯影液浸入到作為下層的透明電極9的ITO膜。由此，能夠防止作為透明電極9的ITO膜的溶解。
并且，由于第2層反射電極12(24)和第3層反射電極13(25)由同一材料形成，從而能夠在相同成膜室成膜，所以，即使形成第2層反射電極12(24)和第3層反射電極13(25)，也沒有增加成膜裝置的成本。
圖10表示在本實(shí)施例中，在第2層反射電極(Al合金膜)12(24)和第3層反射電極(Al合金膜)13(25)上形成的晶界的顯微鏡照片。可以清楚在圖10的箭頭D1所示的以實(shí)線圈出的部分，形成了不連續(xù)的晶界。
圖11A和圖11B是用于說明上述專利文獻(xiàn)1中記載的在保護(hù)金屬膜和反射電極之間形成的晶界的圖。
圖11A表示相當(dāng)于本實(shí)施例的圖7A的光致抗蝕劑膜14的顯影步驟，圖11B是放大顯示圖11A的以圓圈圍住的部分的圖。
如圖11B所示，采用上述專利文獻(xiàn)1中記載的方法，在保護(hù)金屬膜(Mo合金膜)31上，形成1層反射電極(Al合金膜)12(24)。
由此，在保護(hù)金屬膜31和反射電極12(24)上形成晶界，由于作為保護(hù)金屬膜31的Mo合金膜的晶界，小于作為反射電極12的Al合金膜24的晶界，所以，相對于Al合金膜的1個(gè)晶界，存在多個(gè)Mo合金膜的晶界，因此，阻止顯影液的浸入的效果并不明顯。
以下，用圖12A和圖12B來說明這一點(diǎn)。
如圖12A所示，在相當(dāng)于圖7A的光致抗蝕劑膜14的顯影步驟中，利用堿性的顯影液，除去光致抗蝕劑膜14的沒有曝光的部分35。
但是，如圖12B的箭頭C2所示，堿性的顯影液穿過形成在反射電極(Al合金膜)12(24)上的晶界的間隙，和形成在保護(hù)金屬膜(Mo合金膜)31上的晶界的間隙，浸入到作為下層的透明電極9的ITO膜，如圖12B的箭頭C3所示，溶解ITO膜。
這樣，采用上述專利文獻(xiàn)1所述的方法，無法防止由透明導(dǎo)電膜的電池反應(yīng)引起的劣化。
圖13表示上述專利文獻(xiàn)1中記載的在反射電極(Al合金膜)12上形成的晶界的照片?？梢郧宄趫D13的箭頭D2所示的以實(shí)線圍住的部分，形成了晶界。
如以上說明的那樣，通過本實(shí)施例，將反射電極分割成第1層反射電極(Mo合金膜)11、第2層反射電極(Al合金膜)12、第3層反射電極(Al合金膜)13這3層，通過3層結(jié)構(gòu)，在第2層反射電極(Al合金膜)12的上層和第3層反射電極(Al合金膜)13的下層的界面上，形成不連續(xù)的晶界。
通過該不連續(xù)的晶界，能夠防止堿性的顯影液浸入到作為下層的透明電極9的ITO膜。由此，可以防止作為透明電極9的ITO膜的溶解，提高合格率。
另外，由于用同一材料形成第2層反射電極12和第3層反射電極13，從而能夠在同一成膜室成膜，因此，不會像上述專利文獻(xiàn)2、3中記載的方法那樣，即使要形成第2層反射電極12和第3層反射電極13，也不會導(dǎo)致成膜裝置的成本增加。
并且，在上述各專利文獻(xiàn)中，沒有公開任何作為本發(fā)明的特征的電極結(jié)構(gòu)，即，做成第3層反射電極(Al合金膜)/第2層反射電極(Al合金膜)/第1層反射電極(Mo合金膜)/透明電極(ITO膜)的4層結(jié)構(gòu)的電極結(jié)構(gòu)。
另外，在上述說明中，作為第1層反射電極11，說明了使用作為導(dǎo)電性的基底層的Mo合金膜的情況，但并不限于此，如果第1層反射電極11是以Mo、Ti、Ta中的某一種為主要成分的膜(例如，Mo膜、Ti膜、Ta膜、Mo合金膜、Ti合金膜、Ta合金膜)，則也可以取得同樣的效果。由此，ITO膜與Al合金膜之間的接觸良好。
進(jìn)而，也可以省略該第1層反射電極11。
同樣，在上述說明中，說明了作為第2層反射電極和第3層反射電極(12、13)而使用Al合金膜的情況，但并不限于此，如果第2層反射電極和第3層反射電極(12、13)是Al膜等以Al為主要成分的膜，則也可以取得同樣的效果。
另外，透明電極9也不限于ITO膜，只要是以氧化銦為主要成分的透明導(dǎo)電膜即可。
另外，可以清楚以下的問題雖然在上述說明中說明了將本發(fā)明應(yīng)用于部分透射型的液晶顯示裝置的反射電極的情況，但本發(fā)明并不限于此，也可應(yīng)用于下述電極結(jié)構(gòu)(或布線結(jié)構(gòu))，即，在以氧化銦為主要成分的透明導(dǎo)電膜上，形成以Al為主要成分的膜之后，為了形成圖形，由涂敷顯影裝置涂敷光致抗蝕劑膜，在通過曝光而使之感光之后，利用堿性的顯影液來制作電極圖形的電極結(jié)構(gòu)(或布線結(jié)構(gòu))。
因此，本發(fā)明也可以應(yīng)用于具有上述電極結(jié)構(gòu)(或布線結(jié)構(gòu))的其他顯示裝置(例如，有機(jī)LE顯示裝置等)。
以上，基于上述實(shí)施例，具體地說明了發(fā)明人所完成的本發(fā)明，但是，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施例，可以在未脫離其主旨的范圍內(nèi)，進(jìn)行種種變更。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其特征在于，包括由以氧化銦為主要成分的透明導(dǎo)電膜形成的第1導(dǎo)電層；形成在上述第1導(dǎo)電層的上面的導(dǎo)電性的基底層；在上述基底層的上面由以Al為主要成分的膜形成的第2導(dǎo)電層；以及在上述第2導(dǎo)電層的上面由與上述第2導(dǎo)電層相同的材料形成的第3導(dǎo)電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于在上述第2導(dǎo)電層與上述第3導(dǎo)電層之間的界面上，晶界的位置不連續(xù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于上述基底層，是以Mo、Ti、Ta中的任意一個(gè)為主要成分的膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于上述第3導(dǎo)電層，被用作反射電極。
5.一種顯示裝置，其特征在于，包括由以氧化銦為主要成分的透明導(dǎo)電膜形成的第1導(dǎo)電層；在上述第1導(dǎo)電層的上面由以Al為主要成分的膜形成的第2導(dǎo)電層；以及在上述第2導(dǎo)電層的上面由與上述第2導(dǎo)電層相同的材料形成的第3導(dǎo)電層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于在上述第2導(dǎo)電層和上述第3導(dǎo)電層之間的界面上，晶界的位置不連續(xù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于上述第3導(dǎo)電層，被用作反射電極。
8.一種顯示裝置的制造方法，所述顯示裝置包括由以氧化銦為主要成分的透明導(dǎo)電膜形成的第1導(dǎo)電層，形成在上述第1導(dǎo)電層的上面的導(dǎo)電性的基底層，以及在上述基底層的上面由以Al為主要成分的膜形成的第2導(dǎo)電層，所述制造方法的特征在于形成了在上述第2導(dǎo)電層的上面由與上述第2導(dǎo)電層相同的材料形成的第3導(dǎo)電層之后，用堿性的顯影液進(jìn)行光刻。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于在上述第2導(dǎo)電層和上述第3導(dǎo)電層之間的界面上，晶界的位置不連續(xù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于上述基底層是以Mo、Ti、Ta中的任意一個(gè)為主要成分的膜。
11.一種顯示裝置的制造方法，所述顯示裝置包括由以氧化銦為主要成分的透明導(dǎo)電膜形成的第1導(dǎo)電層，以及在上述第1導(dǎo)電層的上面由以Al為主要成分的膜形成的第2導(dǎo)電層，其特征在于形成了在上述第2導(dǎo)電層的上面由與上述第2導(dǎo)電層相同的材料形成的第3導(dǎo)電層之后，用堿性的顯影液進(jìn)行光刻。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于在上述第2導(dǎo)電層和上述第3導(dǎo)電層之間的界面上，晶界的位置不連續(xù)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種不增加成膜裝置的成本，就能防止由透明導(dǎo)電膜的電池反應(yīng)所引起的劣化的顯示裝置。所述顯示裝置包括由以氧化銦為主要成分的透明導(dǎo)電膜形成的第1導(dǎo)電層、形成在上述第1導(dǎo)電層的上面的導(dǎo)電性的基底層、由以Al為主要成分的膜形成在上述基底層的上面的第2導(dǎo)電層、以及由與上述第2導(dǎo)電層相同的材料形成在上述第2導(dǎo)電層的上面的第3導(dǎo)電層。在上述第2導(dǎo)電層和上述第3導(dǎo)電層之間的界面上，晶界的位置不連續(xù)。另外，上述基底層，是以Mo、Ti、Ta中的任意一個(gè)為主要成分的膜。上述第3導(dǎo)電層，被用作反射電極。
文檔編號G02F1/1343GK1696770SQ20051006997
公開日2005年11月16日 申請日期2005年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月12日
發(fā)明者栗田誠, 后藤順 申請人:株式會社日立顯示器