專(zhuān)利名稱(chēng)：在曝光場(chǎng)中具有光學(xué)控制模塊的晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)場(chǎng)本發(fā)明涉及一種晶片，該晶片包括多個(gè)曝光場(chǎng)且該晶片包括每個(gè)曝光場(chǎng)中的多個(gè)晶格場(chǎng)，其中每個(gè)晶格場(chǎng)合有IC，且該晶片包括第一組第一切割路徑以及第二組第二切割路徑，其中所有第一組第一切割路徑平行于第一方向并具有第一路徑寬度且其中所有第二組第二切割路徑平行于與第一方向相交的第二方向并具有第二路徑寬度，其中針對(duì)隨后分離晶格場(chǎng)及其中所含有的IC而提供和設(shè)計(jì)該第一切割路徑和第二切割路徑，且其中在每個(gè)曝光場(chǎng)中提供至少兩個(gè)控制模塊場(chǎng)，每個(gè)控制模塊場(chǎng)包括至少一個(gè)光學(xué)控制模塊。
背景技術(shù)：
從例如專(zhuān)利說(shuō)明書(shū)US 6114072A已知根據(jù)在第一段中所設(shè)計(jì)的這種晶片，其中參考圖21所述的設(shè)計(jì)值得特別注意。該已知晶片設(shè)計(jì)成使得每個(gè)曝光場(chǎng)的第一控制模塊場(chǎng)緊密毗鄰該曝光場(chǎng)的第一邊緣且每個(gè)曝光場(chǎng)的第二控制模塊場(chǎng)緊密毗鄰該曝光場(chǎng)的第二邊緣。每個(gè)控制模塊場(chǎng)位于第一切割路徑的一半位置處。這種設(shè)計(jì)的結(jié)果為，該兩個(gè)曝光場(chǎng)的第一控制模塊場(chǎng)和第二控制模塊場(chǎng)位于兩個(gè)曝光場(chǎng)的兩行晶格場(chǎng)之間，該晶格場(chǎng)排列成沿第二方向緊密毗鄰，使得該兩個(gè)曝光場(chǎng)的兩行晶格場(chǎng)之間沿第二方向延伸的距離由控制模塊場(chǎng)的寬度的兩倍數(shù)值確定，其中該兩行晶格場(chǎng)排列成沿第二方向相互緊密毗鄰。由于兩個(gè)這種第一控制模塊場(chǎng)位于兩個(gè)曝光場(chǎng)的兩行晶格場(chǎng)之間這一事實(shí)，其中該兩行晶格場(chǎng)排列成沿第二方向相互緊密毗鄰，且每個(gè)控制模塊場(chǎng)位于第一切割路徑的一半以及兩個(gè)毗鄰的控制模塊場(chǎng)內(nèi)，因此決定了如果在測(cè)試、切割、和組裝階段中精確地完成了晶片制造及IC制造中所需的分步曝光機(jī)的步進(jìn)，則整個(gè)第一切割路徑的寬度以及晶片所有的平行切割路徑(包括平行于第一方向的位于每個(gè)曝光場(chǎng)內(nèi)的晶格場(chǎng)之間的第一切割路徑)的寬度必須相等，每個(gè)曝光場(chǎng)的IC之間的第一切割路徑的寬度也必須為控制模塊場(chǎng)的寬度的兩倍。因此，該晶片表面的很大一部分并不為所有切割路徑總數(shù)所需要，這構(gòu)成了不必要的浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目標(biāo)是消除前述事實(shí)并制作改進(jìn)的晶片。
為了獲得這個(gè)目標(biāo)，在根據(jù)本發(fā)明的晶片內(nèi)提供根據(jù)本發(fā)明的特征，使得根據(jù)本發(fā)明的晶片具有下述特征晶片，該晶片包括多個(gè)曝光場(chǎng)且該晶片包括每個(gè)曝光場(chǎng)中的多個(gè)晶格場(chǎng)，其中每個(gè)晶格場(chǎng)含有IC且每個(gè)IC含有多個(gè)IC元件，且該晶片包括第一組第一切割路徑以及第二組第二切割路徑，其中所有第一組第一切割路徑平行于第一方向并具有第一路徑寬度且其中所有第二組第二切割路徑平行于第二方向并具有第二路徑寬度，其中針對(duì)隨后分離晶格場(chǎng)及其中所含有的IC而提供和設(shè)計(jì)該第一切割路徑和第二切割路徑，且其中在每個(gè)曝光場(chǎng)中提供至少兩個(gè)控制模塊場(chǎng)，每個(gè)控制模塊場(chǎng)包括至少一個(gè)光學(xué)控制模塊，且其中曝光場(chǎng)中提供的每個(gè)控制模塊場(chǎng)被提供成替代預(yù)定數(shù)目的晶格場(chǎng)，且其中每個(gè)曝光場(chǎng)的至少兩個(gè)控制模塊場(chǎng)排列成沿第二方向延伸且相互之間距離為一平均距離，該平均距離等于沿第二方向延伸的曝光場(chǎng)一側(cè)的側(cè)邊長(zhǎng)度的至少四分之一。
通過(guò)提供根據(jù)本發(fā)明的特征，可以通過(guò)簡(jiǎn)單的方式且無(wú)需任何附加成本地實(shí)現(xiàn)沿第二方向相互之間緊密毗鄰的兩個(gè)曝光場(chǎng)之間沒(méi)有控制模塊場(chǎng)，使得兩個(gè)曝光場(chǎng)之間沿第二方向延伸的距離只由第一切割路徑的寬度確定。因此，在相鄰晶格場(chǎng)之間提供的切割路徑的寬度類(lèi)似地可方便地只由第一切割路徑的寬度確定，使得和根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的情形相比，根據(jù)本發(fā)明的晶片的表面區(qū)域可以得到更好的利用。在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的晶片中，已知位于晶格場(chǎng)之間的第一切割路徑以及控制模塊場(chǎng)的寬度范圍為90μm至120μm，而在根據(jù)本發(fā)明的晶片中，依賴(lài)于所使用的晶片制造技術(shù)以及晶片加工技術(shù)，第一切割路徑以及控制模塊場(chǎng)的寬度分別為或可減小到80μm至20μm或15μm至10μm之間的數(shù)值，由此對(duì)80μm至50μm之間的寬度使用特別薄的鋸條，該非常小的寬度經(jīng)過(guò)預(yù)處理，即使用所謂激光切割用于晶格場(chǎng)或IC的隨后分離，由此使用所謂的“紅色激光”或“藍(lán)色激光”。還可以采用專(zhuān)家所了解的稱(chēng)為“非接觸切割(stealth dicing)”和“劃線及折斷切割”。在根據(jù)本發(fā)明的晶片中，使用位于曝光場(chǎng)內(nèi)的晶片表面部分實(shí)現(xiàn)控制模塊而非IC，使得對(duì)于位于曝光場(chǎng)內(nèi)以及為實(shí)現(xiàn)IC而提供的晶片表面部分，上述晶片表面部分丟失而有利于實(shí)現(xiàn)控制模塊。然而，根據(jù)本發(fā)明的晶片提供了可用于實(shí)現(xiàn)IC的晶片表面的總增益，因?yàn)橥ㄟ^(guò)使該控制模塊場(chǎng)及其內(nèi)所包括的控制模塊位于曝光場(chǎng)內(nèi)，切割路徑可以并因此被設(shè)計(jì)成足夠窄，使得更窄切割路徑所獲得的晶片表面遠(yuǎn)大于通過(guò)將控制模塊定位于該曝光場(chǎng)內(nèi)所丟失的晶片表面。
在根據(jù)本發(fā)明的晶片中，該平均距離可等于在第二方向延伸的曝光場(chǎng)一側(cè)的側(cè)邊長(zhǎng)度的略高于四分之一(1/4)、略小于或略高于二分之一(1/2)、略小于或略高于四分之三(3/4)。然而已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，特別優(yōu)選地該平均距離等于沿第二方向延伸的曝光場(chǎng)一側(cè)的總側(cè)邊長(zhǎng)度減去沿第二方向延伸的晶格場(chǎng)一側(cè)的側(cè)邊長(zhǎng)度。這確保在每個(gè)曝光場(chǎng)的至少兩個(gè)控制模塊場(chǎng)之間具有盡可能大的距離，這對(duì)于使用該光學(xué)控制模塊時(shí)執(zhí)行或可執(zhí)行的工藝步驟的高度精確執(zhí)行是有利的。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)特別優(yōu)選地每個(gè)曝光場(chǎng)為矩形，且在每個(gè)曝光場(chǎng)內(nèi)提供四個(gè)控制模塊場(chǎng)，且每個(gè)控制模塊場(chǎng)位于當(dāng)前(in question)曝光場(chǎng)的角落區(qū)域。這保證利用該控制模塊或該控制模塊元件時(shí)執(zhí)行的工藝步驟的高精度。進(jìn)一步指出，每個(gè)曝光場(chǎng)可具有三角形形狀，其中控制模塊場(chǎng)位于每個(gè)角落區(qū)域附近或者只在兩個(gè)角落區(qū)域附近提供控制模塊場(chǎng)。需要指出，備選地可以只提供三個(gè)控制模塊場(chǎng)，其中每個(gè)控制模塊場(chǎng)位于當(dāng)前曝光場(chǎng)的角落區(qū)域。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)特別優(yōu)選地將曝光場(chǎng)中所提供的每個(gè)控制模塊場(chǎng)提供成只替代一個(gè)晶格場(chǎng)。這為最大IC產(chǎn)率提供了特別方便的解決方案。
最后應(yīng)該指出，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)或?qū)l(fā)現(xiàn)，使用根據(jù)本發(fā)明的措施對(duì)于被提供及用于實(shí)現(xiàn)IC表面積約為0.5至2.0mm×0.5至2.0mm即約0.25至4.0mm2的IC的晶片是最為有用的。如果曝光場(chǎng)尺寸約為21.0mm×21.0mm且如果在晶片上實(shí)現(xiàn)約8000至12800個(gè)IC(芯片)則更為有用，如果該晶片的直徑為例如8.0英寸，則IC可使用的面積約為32000mm2。然而，根據(jù)本發(fā)明的措施也可應(yīng)用于直徑為4.0、5.0、6.0、12.0英寸的晶片。參考下述各實(shí)施例，本發(fā)明的這些及其它方面將得到闡述并變得顯而易見(jiàn)。


下面參考附圖所示的一實(shí)施例進(jìn)一步描述本發(fā)明，然而本發(fā)明并不受限于該實(shí)施例。
在附圖中圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片的示意性俯視圖。
圖2為根據(jù)圖1的晶片的一部分，與圖1相比，該圖被大幅度放大。
發(fā)明詳述圖1示出了晶片1。晶片1具有已知的半導(dǎo)體特征。晶片1是基于硅。然而，晶片1備選地可基于聚合物，從而借助該晶片而獲得所謂的聚合物IC。
晶片1包括多個(gè)曝光場(chǎng)2。在圖1中示出了曝光場(chǎng)2，而未示出其所包括的元件。圖2使用虛線僅僅示出了兩個(gè)完整的曝光場(chǎng)2。如圖2所示，晶片1在每個(gè)曝光場(chǎng)2內(nèi)具有多個(gè)相交并晶格類(lèi)似的切割路徑部分6A、6B、6C、8A、8B、8C、8D。晶片1還包括位于切割路徑部分6A、6B、6C、8A、8B、8C、8D之間的多個(gè)晶格場(chǎng)3，其中每個(gè)晶格場(chǎng)3包括一個(gè)IC 4。每個(gè)IC 4包括已經(jīng)長(zhǎng)時(shí)間為大家所了解的多個(gè)IC元件。未在圖1和2中示出該IC元件。每個(gè)IC 4的細(xì)小區(qū)域并不包括任何IC元件。
晶片1包括第一組5第一切割路徑6和第二組7第二切割路徑8。所有第一組5第一切割路徑6平行于圖1中點(diǎn)劃線所示的第一方向X。所有第二組7第二切割路徑8平行于在圖1中點(diǎn)劃線所示的與第一方向X相交的第二方向Y。在晶片1中，第一方向X和第二方向Y相交成直角。然而，并不一定絕對(duì)需要如此，兩個(gè)方向X和Y可相交成非90°的角度，例如夾角為85°、80°、75°、或70°。所有第一切割路徑6具有第一路徑寬度W1。所有第二切割路徑8具有路徑寬度W2。在晶片1中，兩個(gè)路徑寬度W1和W2不同，第一路徑寬度W1小于第二路徑寬度W2。然而，并不一定絕對(duì)需要如此，兩個(gè)路徑寬度W1和W2可相等，這種情況通常是優(yōu)選的。也可以選擇第一路徑寬度W1大于第二路徑寬度W2。第一切割路徑6包括沿第一方向X連續(xù)排列的多個(gè)第一切割路徑部分6A、6B、6C，而第二切割路徑8包括沿第二方向Y連續(xù)排列的多個(gè)第二切割路徑部分8A、8B、8C、8D。為晶格場(chǎng)3以及因此該晶格場(chǎng)內(nèi)包括的IC的隨后分離來(lái)提供及設(shè)計(jì)該第一切割路徑6和第二切割路徑8。
對(duì)于切割路徑，這里需要指出，在第一切割路徑和第二切割路徑相交成非90°角度的晶片中，可以提供第三組第三切割路徑，從而形成具有三角形晶格場(chǎng)和三角形IC的晶片。這種情況下，可以選擇這樣的設(shè)計(jì)，使得三組切割路徑夾角為60°，使該晶格場(chǎng)和IC呈等邊三角形的平面形狀。然而并不一定需要這樣，因?yàn)槠渌嵌汝P(guān)系及由此產(chǎn)生的其它三角形形狀也是可行的。第一、第二、和第三切割路徑可具有相同或不同的路徑寬度。
晶片1包括控制模塊場(chǎng)，每個(gè)控制模塊場(chǎng)包括一光學(xué)控制模塊。在晶片上提供光學(xué)控制模塊已經(jīng)為人所知一段時(shí)間了。這些光學(xué)控制模塊包括根據(jù)尺寸通過(guò)裸眼或計(jì)算機(jī)輔助檢測(cè)裝置可檢測(cè)的方形或矩形干涉場(chǎng)，該干涉場(chǎng)可用于掩模調(diào)整及層厚度測(cè)試。下面參考圖2詳細(xì)地描述根據(jù)圖1的晶片1中的控制模塊場(chǎng)及所包括的光學(xué)控制模塊的設(shè)計(jì)。
在根據(jù)圖1和2的晶片1中，為每個(gè)曝光場(chǎng)2分配了四個(gè)控制模塊場(chǎng)A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C2、C4、D2、D4、E1、E3、F1、F3、G2、H1、J1。每個(gè)控制模塊場(chǎng)A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C2、C4、D2、D4、E1、E3、F1、F3、G2、H1、J1平行于第一方向X，因此平行于第一切割路徑6。每個(gè)控制模塊場(chǎng)A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C2、C4、D2、D4、E1、E3、F1、F3、G2、H1、J1包括一光學(xué)控制模塊。這種類(lèi)型的光學(xué)控制模塊具有已知的三維結(jié)構(gòu)，因?yàn)樵诿總€(gè)工藝步驟中實(shí)現(xiàn)控制模塊元件，其結(jié)果為從晶片1外部可看到或者使用計(jì)算機(jī)檢測(cè)裝置可檢測(cè)到在最后工藝步驟中實(shí)現(xiàn)的光學(xué)控制模塊的至少一個(gè)光學(xué)模塊元件，而從晶片外部無(wú)法看到或檢測(cè)到在最后工藝步驟之前執(zhí)行的工藝步驟中所實(shí)現(xiàn)的控制模塊的任何控制模塊元件。在圖2中，使用參考符號(hào)OCM-A1、OCM-A2、OCM-A3、OCM-A4、OCM-B1、OCM-B2、OCM-B3、OCM-B4、OCM-C2、OCM-94表示控制模塊場(chǎng)A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C2、D4中的控制模塊。在圖2中，只在光學(xué)控制模塊OCM-B1中輸入該控制模塊元件的參考數(shù)字。使用參考數(shù)字10、11、12、13、和14表示位于晶片1內(nèi)更深位置的控制模塊元件，因此這些控制模塊元件從晶片1外部的可見(jiàn)度更低并用虛線表示這些元件。使用參考數(shù)字15表示位于晶片1內(nèi)更高位置的控制模塊元件，因此可從晶片1外部看到這些元件并在圖中用實(shí)線表示這些元件。
如圖2所示，每個(gè)曝光場(chǎng)2的四個(gè)控制模塊場(chǎng)A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C2、C4、D2、D4、E1、E3、F1、F3、G2、H1、J1位于當(dāng)前曝光場(chǎng)2內(nèi)。每個(gè)曝光場(chǎng)2為矩形，每個(gè)控制模塊場(chǎng)A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C2、C4、D2、D4、E1、E3、F1、F3、G2、H1、J1位于當(dāng)前矩形曝光場(chǎng)2的角落區(qū)域。如圖2進(jìn)一步所示，每個(gè)曝光場(chǎng)2的控制模塊場(chǎng)A1、A2、A3、A4、B1、B2、B 3、B4、C2、C4、D2、D4、E1、E3、F1、F3、G2、H1、J1被排列成相互間距為平均距離K，如果沿第二方向Y觀察，則這些控制模塊場(chǎng)沿第二方向Y連續(xù)排列。在目前的情況下，該平均距離K等于沿第二方向Y延伸的曝光場(chǎng)2的一側(cè)M的總側(cè)邊長(zhǎng)度L減去沿第二方向Y延伸的晶格場(chǎng)3的一側(cè)P的側(cè)邊長(zhǎng)度N。盡管該平均距離K可以更小，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)優(yōu)選地該平均距離K等于沿第二方向Y延伸的曝光場(chǎng)2一側(cè)K的側(cè)邊長(zhǎng)度L的至少四分之一。
晶片1提供的巨大優(yōu)點(diǎn)為，每個(gè)控制模塊場(chǎng)A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C2、C4、D2、D4、E1、E3、F1、F3、G2、H1、J1位于曝光場(chǎng)2內(nèi)，使得控制模塊場(chǎng)A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C2、C4、D2、D4、E1、E3、F1、F3、G2、H1、J1無(wú)需曝光場(chǎng)2之外的任何空間，因此平行于第一方向X的切割路徑6可被設(shè)計(jì)成特別窄并因此被設(shè)計(jì)成較窄。在根據(jù)圖1和2的晶片1中，所有切割路徑6具有50μm的第一路徑寬度W1。第一路徑寬度W1備選地可為60μm或70μm或40μm或甚至更小，例如30μm或20μm或者在未來(lái)技術(shù)中甚至僅為10μm，因?yàn)樵诋?dāng)前情形中第一路徑寬度W1僅由用于切割或劃分晶片以分離IC所使用的切割或分離設(shè)備決定。
對(duì)于控制模塊OCM-A1、OCM-A2、OCM-A3、OCM-A4、OCM-B1、OCM-B2、OCM-B3、OCM-B4、OCM-C2、OCM-D4，最后還要指出，控制模塊OCM-A1、OCM-A2、OCM-A3、OCM-A4、OCM-B1、OCM-B2、OCM-B3、OCM-B4、OCM-C2、OCM-D4優(yōu)選具有下述尺寸，即在第一方向X的尺寸約為500.0μm，在第二方向Y的尺寸約為600.0μm。實(shí)際尺寸取決于所使用的技術(shù)。
在晶片1中，IC 4的表面積略小于晶格場(chǎng)3的表面積。然而，優(yōu)選地，IC 4的表面積等于晶格場(chǎng)3的表面積。
在晶片1中，每個(gè)曝光場(chǎng)2中所提供的每個(gè)控制模塊場(chǎng)A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C2、C4、D2、D4、E1、E3、F1、F3、G2、H1、J1被提供成替代晶格場(chǎng)3。作為備選，曝光場(chǎng)2中的每個(gè)控制模塊場(chǎng)A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C2、C4、D2、D4、E1、E3、F1、F3、G2、H1、J1可替代兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)或更多個(gè)晶格場(chǎng)3。
在根據(jù)本發(fā)明的晶片中，為優(yōu)化調(diào)整所選擇的芯片尺寸，對(duì)于每個(gè)曝光場(chǎng)可提供兩個(gè)或者三個(gè)控制模塊場(chǎng)或者備選的五個(gè)、六個(gè)或更多個(gè)控制模塊場(chǎng)而非四個(gè)控制模塊場(chǎng)?？刂颇K場(chǎng)的數(shù)目由制造該晶片以及晶片上的IC所使用的技術(shù)確定。
最后指出，晶片1進(jìn)一步包括位于第二切割路徑8內(nèi)并平行于第二方向Y的所謂工藝控制模塊(PCM)。然而，可提供如專(zhuān)利說(shuō)明書(shū)WO02/069.389 A2中所述的解決方案作為備選。
權(quán)利要求
1.一種晶片(1)，晶片(1)包括多個(gè)曝光場(chǎng)(2)且晶片(1)包括每個(gè)曝光場(chǎng)(2)中的多個(gè)晶格場(chǎng)(3)，其中每個(gè)晶格場(chǎng)(3)含有IC(4)，且晶片(1)包括第一組(5)第一切割路徑(6)以及第二組(7)第二切割路徑(8)，其中所有第一組(5)第一切割路徑(6)平行于第一方向(X)并具有第一路徑寬度(W1)且其中所有第二組(7)的第二切割路徑(8)平行于和第一方向(X)相交的第二方向(Y)并具有第二路徑寬度(W2)，其中針對(duì)隨后分離晶格場(chǎng)(3)及其中所含有的IC(4)而提供和設(shè)計(jì)第一切割路徑(6)和第二切割路徑(8)，且其中在每個(gè)曝光場(chǎng)(2)中提供至少兩個(gè)控制模塊場(chǎng)(A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C2、C4、D2、D4、E1、E3、F1、F3、G2、H1、J1)，每個(gè)控制模塊場(chǎng)(A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C2、C4、D2、D4、E1、E3、F1、F3、G2、H1、J1)包括至少一個(gè)光學(xué)控制模塊(OCM-A1、OCM-A2、OCM-A3、OCM-A4、OCM-B1、OCM-B2、OCM-B3、OCM-B4、OCM-C2、OCM-D4)，且其中曝光場(chǎng)(2)中提供的每個(gè)控制模塊場(chǎng)(A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C2、C4、D2、D4、E1、E3、F1、F3、G2、H1、J1)被提供成替代預(yù)定數(shù)目的晶格場(chǎng)(3)，且其中每個(gè)曝光場(chǎng)(2)的至少兩個(gè)控制模塊場(chǎng)(A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C2、C4、D2、D4、E1、E3、F1、F3、G2、H1、J1)排列成沿第二方向(Y)延伸且相互之間距離為平均距離(K)，該平均距離(K)等于沿第二方向(Y)延伸的曝光場(chǎng)(2)一側(cè)(M)的側(cè)邊長(zhǎng)度(L)的至少1/4。
2.權(quán)利要求1所述的晶片(1)，其中平均距離(K)等于沿第二方向(Y)延伸的曝光場(chǎng)(2)的一側(cè)(M)的總側(cè)邊長(zhǎng)度(L)減去沿第二方向(Y)延伸的晶格場(chǎng)(3)的一側(cè)(P)的側(cè)邊長(zhǎng)度(N)。
3.權(quán)利要求1所述的晶片(1)，其中每個(gè)曝光場(chǎng)(2)設(shè)計(jì)成矩形，且其中在每個(gè)曝光場(chǎng)(2)中提供四個(gè)控制模塊場(chǎng)(A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C2、C4、D2、D4、E1、E3、F1、F3、G2、H1、J1)，且其中每個(gè)控制模塊場(chǎng)(A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C2、C4、D2、D4、E1、E3、F1、F3、G2、H1、J1)位于當(dāng)前曝光場(chǎng)(2)的角落區(qū)域。
4.權(quán)利要求1所述的晶片(1)，其中曝光場(chǎng)(2)中提供的每個(gè)控制模塊場(chǎng)(A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C2、C4、D2、D4、E1、E3、F1、F3、G2、H1、J1)只被提供成替代一個(gè)晶格場(chǎng)(3)。
全文摘要
在具有多個(gè)曝光場(chǎng)(2)的晶片(1)中，其中每個(gè)曝光場(chǎng)(2)包括多個(gè)晶格場(chǎng)(3)且IC(4)位于該晶格場(chǎng)內(nèi)，提供了兩組(5、7)切割路徑(6、8)并為每個(gè)曝光場(chǎng)(2)分配了四個(gè)控制模塊場(chǎng)(A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C2、C4、D2、D4、E1、E3、F1、F3、G2、H1、J1)，該四個(gè)控制模塊場(chǎng)(A1、A2、A3、A4、B1、B2、B3、B4、C2、C4、D2、D4、E1、E3、F1、F3、G2、H1、J1)中的每個(gè)控制模塊場(chǎng)包括至少一個(gè)光學(xué)控制模塊(OCM－A1、OCM－A2、OCM－A3、OCM－A4、OCM－B1、OCM－B2、OCM－B3、OCM－B4、OCM－C2、OCM－D4)，位于當(dāng)前曝光場(chǎng)(2)內(nèi)，并且提供成代替至少一個(gè)晶格場(chǎng)(3)的位置，并被排列成相互之間的間距為一最小距離(K)。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1898607SQ200480038420
公開(kāi)日2007年1月17日 申請(qǐng)日期2004年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月23日
發(fā)明者H·朔伊赫爾, G·普菲勒, R·溫廷 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司